【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子製造技術である基板表面の平坦化工程等において使用されるＣＭＰ研磨剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の超々大規模集積回路では、実装密度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究、開発されている。既に、デザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化の要求を満足するために開発されている技術の一つにＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留まりを安定させることができるため、例えば、層間絶縁膜の平坦化、シャロー・トレンチ分離等を行う際に必須となる技術である。
【０００３】
従来、半導体装置の製造工程において、プラズマ−ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、化学的蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素絶縁膜等無機絶縁膜層を平坦化するためのＣＭＰ研磨剤として、フュームドシリカ系の研磨剤が一般的に検討されていた。しかし、フュームドシリカ系の研磨剤は、無機絶縁膜の研磨速度が十分な速度をもたない。また、研磨傷も多く酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が小さいという技術課題があった。
【０００４】
また、層間膜を平坦化するＣＭＰ技術では、層間膜の途中で研磨を終了する必要があり、研磨量の制御を研磨時間で行うプロセス管理方法が一般的に行われている。しかし、パターン段差形状の変化だけでなく、研磨布の状態等でも、研磨速度が顕著に変化してしまうため、プロセス管理が難しいという問題があった。
【０００５】
一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられている。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低いため、被研磨膜表面に傷が入りにくい。
【０００６】
しかし、上記に記載した研磨剤は溶媒として水を使用しているために表面張力が約７０×ｍＮ／ｍと大きく、被研磨面に対するぬれ性に乏しく十分な研磨速度を得ることができず、表面張力を低下させるためには、表面張力低下能を有する界面活性剤を添加するか、分散剤に表面張力低下能を有するものを使用する必要があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、酸化セリウム粒子、分散剤及び溶媒が少なくとも１種類以上の有機溶媒から選ばれ、酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能なＣＭＰ研磨剤を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記のものに関する。
（１）酸化セリウム粒子、分散剤及び溶媒が少なくとも１種類以上の有機溶媒から選ばれるＣＭＰ研磨剤。
（２）酸化セリウム粒子、分散剤及び溶媒を含むＣＭＰ研磨剤において、溶媒の比重が０．７ｇ／ｃｍ３以上１．０ｇ／ｃｍ３未満である（１）に記載のＣＭＰ研磨剤。
（３）酸化セリウム粒子、分散剤及び溶媒を含むＣＭＰ研磨剤において溶媒の表面張力が２０．０ｍＮ／ｍ〜３０．０ｍＮ／ｍである（１）〜（２）に記載のＣＭＰ研磨剤。
【０００９】
【発明の実施の形態】
一般に酸化セリウム粒子は、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸化することによって得られる。ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法等で形成される酸化珪素膜の研磨に使用する酸化セリウム粒子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セリウム結晶子径は５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中１０ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【００１０】
本発明において、酸化セリウム粉末を作製する方法として焼成または過酸化水素等による酸化法が使用できる。焼成温度は３５０℃以上９００℃以下が好ましい。
上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集しているため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは例えば化学工業論文集第６巻第５号（１９８０）５２７〜５３２頁に説明されている。
【００１１】
本発明におけるＣＭＰ研磨剤は、例えば、上記の特徴を有する酸化セリウム粒子と分散剤及び少なくとも１種類以上の有機溶媒によって得られる。ここで、酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、分散液の取り扱いやすさから０．５重量％以上２０重量％以下の範囲が好ましい。分散剤としては、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれた少なくとも１種類を含む２種類以上の分散剤を使用する。水溶性陰イオン性分散剤としては、例えば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられるが、後述するアニオン系水溶性高分子を用いてもよい。水溶性非イオン性分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミド等が挙げられ、水溶性陽イオン性分散剤としては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等が挙げられ、水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等が挙げられる。これらの分散剤添加量は、分散性及び沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から酸化セリウム粒子１００重量部に対して、０．０１重量部以上２．０重量部以下の範囲が好ましい。
これらの酸化セリウム粒子を溶媒中に分散させる方法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用いることができる。
【００１２】
また、溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン等の炭化水素類の他、エーテル類、ケトン類、エステル類等が挙げられる。これらの有機化合物を少なくとも１種類を含み、２種類以上を混合してもよい。
【００１３】
溶媒の比重は、溶媒温度２５℃において０．７ｇ／ｃｍ３以上１．０ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましい。溶媒の比重が１．０ｇ／ｃｍ３以上では、パッド表面のＣＭＰ研磨剤濃度分布が均等にならない傾向があり、溶媒の比重が０．７ｇ／ｃｍ３より小さいと、溶媒が揮発しやすく研磨特性が不安定となる傾向がある。比重の測定方法としては、標準比重計を用いた測定法等が挙げられる。
【００１４】
溶媒の表面張力は、溶媒温度２５℃において２０．０ｍＮ／ｍ〜３０．０ｍＮ／ｍであることが好ましく、２０．０ｍＮ／ｍ〜２４．０ｍＮ／ｍであることがより好ましい。溶媒の表面張力が３０．０ｍＮ／ｍより大きいと、パッド表面のＣＭＰ研磨剤濃度分布が均等にならない傾向があり、溶媒の表面張力が２０．０ｍＮ／ｍより小さいと、研磨速度が低くなる傾向がある。表面張力測定方法としては、デュヌイによる円環法やウィルヘルミーによる垂直平板法等が挙げられる。
【００１５】
基板として、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層が形成された基板が使用できる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層を上記ＣＭＰ研磨剤で研磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわたって平滑な面とすることができる。
【００１６】
本発明のＣＭＰ研磨剤は、半導体基板に形成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。
【００１７】
【実施例】
実施例１
（酸化セリウム粒子の作製）
炭酸セリウム水和物２ｋｇをアルミナ製容器に入れ、空気中８００℃で２時間焼成することにより黄白色の粉末を約１ｋｇ得た。この酸化セリウム粉末１ｋｇを用いてジェットミルで乾式粉砕を行い、酸化セリウム粒子を得た。
【００１８】
（酸化セリウムスラリー１の作製および絶縁膜層の研磨）
上記作製の酸化セリウム粒子５００ｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量％）２３ｇとイソプロピルアルコール７１９７ｇを混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。標準比重計を用いて測定したところ、イソプロピルアルコールの２５℃での比重は０．７８６ｇ／ｃｍ３であった。また、表面張力測定装置（ＴＯＭＢＯ ＢＯＲＬ、古河製作所製）を用いたデュヌイによる円環法で測定したところ、イソプロピルアルコールの２５℃での表面張力は２１．７ｍＮ／ｍであった。得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過し、５ｗｔ％のＣＭＰ研磨剤を得た。酸化セリウム粒子の平均粒子径をＭＡＬＶＥＲＮ社製の粒度分布計ＭＡＳＴＥＲＳＩＺＥＲを用いて測定したところ、平均粒子径は０．２０μｍであった。上記スラリーを用いて８インチウエハ上の酸化珪素膜を研磨（定盤回転数：５０ｒｐｍ、研磨荷重：３０ｋＰａ、研磨剤供給量：２００ｍｌ／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は６７０ｎｍ／分であった。
【００１９】
（酸化セリウムスラリー２の作製）
上記作製の酸化セリウム粒子５００ｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量％）２３ｇと脱イオン水７１９７ｇを混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。標準比重計を用いて測定したところ、脱イオン水の２５℃での比重は１．０００ｇ／ｃｍ３であった。また、表面張力測定装置（ＴＯＭＢＯ ＢＯＲＬ、古河製作所製）を用いたデュヌイによる円環法で測定したところ、脱イオン水の２５℃での表面張力は７３．０ｍＮ／ｍであった。得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過し、５ｗｔ％のＣＭＰ研磨剤を得た。酸化セリウム粒子の平均粒子径をＭＡＬＶＥＲＮ社製の粒度分布計ＭＡＳＴＥＲＳＩＺＥＲを用いて測定したところ、平均粒子径は０．２０μｍであった。ｐＨは６．４であった。上記スラリーを用いて８インチウエハ上の酸化珪素膜を研磨（定盤回転数：５０ｒｐｍ、研磨荷重：３０ｋＰａ、研磨剤供給量：２００ｍｌ／分）した結果、酸化珪素膜の研磨速度は５７０ｎｍ／分であった。
【００２０】
【発明の効果】
本発明のＣＭＰ研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び溶媒が少なくとも１種類以上の有機溶媒から選ばれるＣＭＰ研磨剤であり、半導体素子製造工程に使用して好適であり、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a CMP polishing slurry used in a flattening process of a substrate surface, which is a semiconductor element manufacturing technique.
[0002]
[Prior art]
At present, ultra-large-scale integrated circuits tend to increase the packaging density, and various microfabrication techniques have been researched and developed. Already, design rules are on the order of sub-half microns. One of the technologies that have been developed to satisfy such strict requirements for miniaturization is a CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology. This technology can completely flatten a layer to be exposed in a semiconductor device manufacturing process, reduce the burden of the exposure technology, and stabilize the yield. For example, flattening of an interlayer insulating film, shallow trench This is an essential technology for separation and the like.
[0003]
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process, CMP polishing for planarizing an inorganic insulating film layer such as a silicon oxide insulating film formed by a method such as plasma-CVD (Chemical Vapor Deposition, chemical vapor deposition) or low-pressure CVD. Fumed silica-based abrasives have been generally studied as an agent. However, the fumed silica-based polishing agent does not have a sufficient polishing rate for the inorganic insulating film. There is also a technical problem that polishing scratches are large and the polishing rate ratio between the silicon oxide film and the silicon nitride film is small.
[0004]
Further, in the CMP technique for flattening an interlayer film, it is necessary to finish polishing in the middle of the interlayer film, and a process management method of controlling a polishing amount by a polishing time is generally performed. However, there has been a problem that not only the change in the pattern step shape but also the state of the polishing cloth significantly changes the polishing rate, making process management difficult.
[0005]
On the other hand, cerium oxide abrasives have been used as glass surface abrasives for photomasks and lenses. Cerium oxide particles have a lower hardness than silica particles and alumina particles, so that the surface of the film to be polished is not easily damaged.
[0006]
However, since the above-described abrasive uses water as a solvent, the surface tension is as large as about 70 × mN / m, and the wettability to the surface to be polished is poor and a sufficient polishing rate cannot be obtained. In order to lower the surface tension, it was necessary to add a surfactant having a surface tension lowering ability or to use a dispersant having a surface tension lowering ability.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention provides a CMP polishing slurry in which a cerium oxide particle, a dispersant, and a solvent are selected from at least one or more organic solvents, and which can polish a surface to be polished such as a silicon oxide film insulating film at high speed without damage. Is what you do.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to the following.
(1) A CMP abrasive in which cerium oxide particles, a dispersant, and a solvent are selected from at least one or more organic solvents.
(2) cerium oxide particles, the CMP abrasive comprising a dispersant and a solvent, CMP polishing slurry according to the specific gravity of the solvent is less than 0.7 g / cm 3 or more 1.0g / cm 3 (1).
(3) The CMP polishing slurry according to (1) or (2), wherein the surface tension of the solvent is 20.0 mN / m to 30.0 mN / m in the CMP polishing slurry containing cerium oxide particles, a dispersant and a solvent.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Generally, cerium oxide particles are obtained by oxidizing cerium compounds of carbonate, nitrate, sulfate and oxalate. Cerium oxide particles used for polishing a silicon oxide film formed by a TEOS-CVD method or the like are not limited to a manufacturing method, but a cerium oxide crystallite diameter is preferably 5 nm or more and 300 nm or less. Further, since it is used for polishing a semiconductor chip, the content of alkali metals and halogens is preferably suppressed to 10 ppm or less in cerium oxide particles.
[0010]
In the present invention, as a method for producing the cerium oxide powder, a firing method or an oxidation method using hydrogen peroxide or the like can be used. The firing temperature is preferably from 350 ° C. to 900 ° C.
Since the cerium oxide particles produced by the above method are agglomerated, it is preferable to mechanically pulverize the particles. As the pulverization method, a dry pulverization method using a jet mill or the like or a wet pulverization method using a planetary bead mill or the like is preferable. The jet mill is described in, for example, Chemical Industry Transactions, Vol. 6, No. 5, (1980), pp. 527-532.
[0011]
The CMP abrasive in the present invention is obtained, for example, by using cerium oxide particles having the above characteristics, a dispersant, and at least one or more organic solvents. Here, the concentration of the cerium oxide particles is not limited, but is preferably in the range of 0.5% by weight or more and 20% by weight or less from the viewpoint of easy handling of the dispersion. Examples of the dispersant include two or more dispersants including at least one selected from a water-soluble anionic dispersant, a water-soluble nonionic dispersant, a water-soluble cationic dispersant, and a water-soluble amphoteric dispersant. use. Examples of the water-soluble anionic dispersant include triethanolamine lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, polyoxyethylene alkyl ether triethanolamine sulfate, and the like, and an anionic water-soluble polymer described later may be used. Examples of the water-soluble nonionic dispersant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene higher alcohol ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, Polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyethylene derivative, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, Polyoxyethylene sorbitan monooleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polytetraoleate Xyethylene sorbite, polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol monooleate, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene hydrogenated castor oil, alkyl alkanolamide, and the like. Examples of the cationic cationic dispersant include coconutamine acetate and stearylamine acetate. Examples of the water-soluble amphoteric dispersant include lauryl betaine, stearyl betaine, lauryl dimethylamine oxide, and 2-alkyl-N. -Carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine and the like. The amount of the dispersant added is in the range of 0.01 to 2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the cerium oxide particles in view of the dispersibility and the prevention of sedimentation and the relationship between the polishing scratches and the amount of the dispersant added. Is preferred.
As a method for dispersing these cerium oxide particles in a solvent, a homogenizer, an ultrasonic disperser, a wet ball mill, or the like can be used in addition to the dispersion treatment using a normal stirrer.
[0012]
Examples of the solvent include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, sec-butyl alcohol, and t-butyl alcohol; and hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, and heptane. And ethers, ketones, esters and the like. At least one kind of these organic compounds may be contained, and two or more kinds may be mixed.
[0013]
The specific gravity of the solvent is preferably 0.7 g / cm 3 or more and less than 1.0 g / cm 3 at a solvent temperature of 25 ° C. When the specific gravity of the solvent is 1.0 g / cm 3 or more, the CMP abrasive concentration distribution on the pad surface tends not to be uniform, and when the specific gravity of the solvent is smaller than 0.7 g / cm 3 , the solvent is easily volatilized and the polishing characteristics are increased. Tend to be unstable. Examples of the method for measuring the specific gravity include a method using a standard hydrometer.
[0014]
The surface tension of the solvent is preferably 20.0 mN / m to 30.0 mN / m at a solvent temperature of 25 ° C., and more preferably 20.0 mN / m to 24.0 mN / m. If the surface tension of the solvent is greater than 30.0 mN / m, the CMP abrasive concentration distribution on the pad surface tends to be uneven, and if the surface tension of the solvent is less than 20.0 mN / m, the polishing rate tends to be low. There is. Examples of the surface tension measurement method include a ring method by Dunui and a vertical plate method by Wilhelmy.
[0015]
As a substrate, a substrate in which a silicon oxide film layer or a silicon nitride film layer is formed on a semiconductor substrate such as a semiconductor substrate in which a circuit element and a wiring pattern are formed, and a semiconductor substrate in which a circuit element is formed Can be used. By polishing the silicon oxide film layer or the silicon nitride film layer formed on such a semiconductor substrate with the above-mentioned CMP polishing agent, unevenness on the surface of the silicon oxide film layer is eliminated, and a smooth surface is formed over the entire semiconductor substrate. be able to.
[0016]
The CMP polishing slurry of the present invention includes not only a silicon oxide film formed on a semiconductor substrate, but also a silicon oxide film formed on a wiring board having predetermined wiring, an inorganic insulating film such as glass and silicon nitride, polysilicon, and Al. , A film mainly containing Cu, Ti, TiN, W, Ta, TaN, etc., an optical glass such as a photomask, a lens, a prism, etc., an inorganic conductive film such as ITO, an optical integrated circuit comprising glass and a crystalline material. Optical switching elements / optical waveguides, end faces of optical fibers, optical single crystals such as scintillators, solid-state laser single crystals, sapphire substrates for blue laser LEDs, semiconductor single crystals such as SiC, GaP, GaAs, glass substrates for magnetic disks, magnetic heads Etc. can be polished.
[0017]
【Example】
Example 1
(Preparation of cerium oxide particles)
2 kg of cerium carbonate hydrate was placed in an alumina container and calcined in air at 800 ° C. for 2 hours to obtain about 1 kg of yellowish white powder. Using 1 kg of this cerium oxide powder, dry grinding was performed by a jet mill to obtain cerium oxide particles.
[0018]
(Preparation of cerium oxide slurry 1 and polishing of insulating film layer)
500 g of the cerium oxide particles prepared above, 23 g of an aqueous solution of ammonium polyacrylate (40% by weight) and 7197 g of isopropyl alcohol were mixed, and subjected to ultrasonic dispersion for 10 minutes while stirring. When measured using a standard hydrometer, the specific gravity of isopropyl alcohol at 25 ° C. was 0.786 g / cm 3 . The surface tension of isopropyl alcohol at 25 ° C. was 21.7 mN / m, as measured by a Dunuy ring method using a surface tension measurement device (TOMBO BORL, manufactured by Furukawa Seisakusho). The obtained slurry was filtered through a 1-micron filter to obtain a 5% by weight CMP abrasive. When the average particle diameter of the cerium oxide particles was measured using a particle size distribution analyzer MASTERSIZER manufactured by MALVERN, the average particle diameter was 0.20 μm. As a result of polishing the silicon oxide film on the 8-inch wafer using the above slurry (platen rotation speed: 50 rpm, polishing load: 30 kPa, abrasive supply amount: 200 ml / min), the polishing rate of the silicon oxide film was 670 nm / min. Met.
[0019]
(Preparation of cerium oxide slurry 2)
500 g of the cerium oxide particles prepared above, 23 g of an aqueous solution of polyacrylic acid ammonium salt (40% by weight), and 7197 g of deionized water were mixed and subjected to ultrasonic dispersion for 10 minutes while stirring. The specific gravity at 25 ° C. of the deionized water was 1.000 g / cm 3 as measured using a standard hydrometer. The surface tension of the deionized water at 25 ° C. was 73.0 mN / m, as measured by a dunui ring method using a surface tension measuring device (TOMBO BORL, manufactured by Furukawa Seisakusho). The obtained slurry was filtered through a 1-micron filter to obtain a 5% by weight CMP abrasive. When the average particle diameter of the cerium oxide particles was measured using a particle size distribution analyzer MASTERSIZER manufactured by MALVERN, the average particle diameter was 0.20 μm. pH was 6.4. As a result of polishing the silicon oxide film on the 8-inch wafer using the above slurry (platen rotation speed: 50 rpm, polishing load: 30 kPa, abrasive supply amount: 200 ml / min), the polishing rate of the silicon oxide film was 570 nm / min. Met.
[0020]
【The invention's effect】
The CMP polishing slurry of the present invention is a CMP polishing slurry in which the cerium oxide particles, the dispersant and the solvent are selected from at least one or more organic solvents, and is suitable for use in a semiconductor device manufacturing process, such as a silicon oxide insulating film. Can be polished at high speed without scratching the surface to be polished.