JP2004040148A - Solid-state imaging element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子に係わり、ランダムアクセス読み出しを複雑な信号処理なしで行うことができるCMOSイメージセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は、従来の固体撮像素子を示す概略平面図である。
図5は、従来の固体撮像素子の動作を説明するためのタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロック、(C)は、水平クロックを示す図である。
図4に示すように、従来の固体撮像素子は、画素部2と、垂直シフトレジスタ41と、水平出力回路10と、水平出力回路10からの信号を出力する出力ポート6と、ADコンバータ7と、フィールドメモリ11を含むブロック単位画像処理回路8と、画像処理済み信号出力ポート9と、から構成されているCMOSイメージセンサと称される固体撮像素子である。
【0003】
画素部2は、二次元マトリクス状に配置された多数の画素から構成され、各画素は入射被写体光を光電変換して入射光量に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、その電荷を転送して蓄積する蓄積部と、この蓄積部からの電荷による電位変化を所定のタイミングで画素外へ撮像信号として出力する出力用トランジスタとから構成されている。
【0004】
水平出力回路10は、CDS(Correlated Duble Sampling:相関二重サンプリング)回路31と水平シフトレジスタ32とからなる。
CDS回路31は、画素部2から出力された撮像信号のノイズを除去し、水平シフトレジスタ32は、画素部2の画素列の選択と撮像信号の出力とをそれぞれ行う。
【0005】
ADコンバータ7は、出力ポート6から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換を行う。ブロック単位画像処理回路8は、ADコンバータ7で変換されたデジタル信号をフィールドメモリ11に蓄積した後、JPEG等によりコード変換を行う。
通常読み出し時には、出力ポート6に撮像信号が出力される。なお、これらのADコンバータ7やブロック単位処理回路8はCMOSイメージセンサ内に1チップで構成されることもある。また、図示しない外部回路からは、所定のタイミングを有した垂直及び水平クロックパルスがそれぞれ垂直及び水平シフトレジスタ41、32に出力される。
【0006】
次に、従来の固体撮像素子の読み出しについて説明する。
ここで、垂直シフトレジスタ41及び水平シフトレジスタ32のスタート位置は、左下端である。
図5(A)、(B)に示すように、フィールドスタート信号に基づいて、図示しない外部回路から垂直クロックパルスを垂直シフトレジスタ41に出力する。こうして、垂直シフトレジスタ41の最下行のレジスタを「1」とし、最下行以外のレジスタを「0」として、最下行の画素を選択する。
【0007】
次に、最下行の画素から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、このCDS回路31内のメモリに保存する。
続いて、図5(C)に示すように、前記図示しない外部回路から、垂直クロックパルスを出力した所定のタイミング後、水平シフトレジスタ32に水平クロックパルスを出力する。こうして、最左列のCDS回路31を選択し、前記図示しない外部回路から1水平クロックパルスを水平シフトレジスタ32へ送り、シフトレジスタの「1」の位置を最左列から1列ずつ右方向に順番に移動して、最下行の撮像信号をCDS回路31のメモリに蓄積した後、出力ポート6から出力する。以上の作業を終了すると、水平シフトレジスタ32のレジスタは、「0」にリセットされる。
【0008】
次に、前記図示しない外部回路から垂直シフトレジスタ41に1垂直クロックパルスを出力して、レジスタを最下行から1つずつ上に移動した後、上記と同様な動作を繰り返して最上行の画素まで行う。そして、水平シフトレジスタ32及び垂直シフトレジスタ41の全てのレジスタが「0」にリセットされ、1フィールド分の動作を行う。
この出力ポート6から出力されたアナログの全撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のフィールドメモリ11に蓄える。フィールドメモリ11に蓄えられた撮像信号の読み出しは、ブロック単位画像処理回路8からこの撮像信号を画像処理済み信号出力ポート9に出力する。
【0009】
ランダムアクセスは、ブロック単位画像処理回路8の後段の処理回路で、フィールドメモリ11に蓄えられた全撮像信号のうちの必要な領域を選択的な画像処理によって行う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ランダムアクセスを行う場合には、前記したように、フィールドメモリ11に全撮像信号を取り込んだ後、選択的な画像処理を行うため、ブロック単位画像処理回路8での信号処理に大幅な時間を必要なことやブロック単位画像処理回路8の構成が複雑になるといった問題を生じていた。
【0011】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、複雑な画像処理回路を必要としないランダムアクセス読み出し可能な固体撮像素子を提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の撮像画素がマトリクス状に形成され、かつ前記撮像画素が単位ブロックの整数倍で区分された画素部と、行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた垂直シフトレジスタと、列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートと、メモリを有し、前記出力ポートから出力される前記撮像信号から画像処理を行うブロック単位画像処理回路と、からなる固体撮像素子であって、前記画素部の全撮像領域のうち、所定のランダムアクセス読み出し領域を設定する外部入力手段と、前記所定のランダムアクセス読み出し領域の垂直アドレスを予め設定されたブロック単位で前記垂直シフトレジスタに出力する垂直アドレス制御手段と、前記所定のランダムアクセス読み出し領域の水平アドレスを前記予め設定されたブロック単位で前記水平シフトレジスタに出力する水平アドレス制御手段と、からなることを特徴とする固体撮像素子を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態における固体撮像素子について図1乃至図3を用いて説明する。
図1は、本発明の実施形態における固体撮像素子を示す概略平面図である。
図2は、水平シフトレジスタ部の拡大図である。
図3は、本発明の実施形態における固体撮像素子のタイミングチャート図であり、(A)は、垂直クロックコントロール回路43及び水平アドレスコントロール回路34に供給するフィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図1に示すように、本発明の実施形態の固体撮像素子1は、所定のブロック単位で区分された画素部2と、水平シフトレジスタ部3と、垂直シフトレジスタ部4と、外部信号入力回路5と、出力ポート6と、ADコンバータ7と、ブロック単位画像処理回路8と、画像処理済み信号出力ポート9と、からならなる。
【0014】
図1に示すように、画素部2は、8×8画素を基本ブロック単位とし、この基本ブロック単位の整数倍の領域で区分されているとし、ランダムアクセス読み出し領域は、A行目からB行目までの範囲と、C列目からD列目までの範囲とで囲まれた領域とする。m0、m、m1、n0、n、n1を正の整数とし、画素部2の左上端部をスタート位置とする時、A行目、B行目及び最終行目のそれぞれは、画素の行列で表すと、スタート位置から下方に8×m0画素行目、8×(m0+m)画素行目及び8×(m0+m+m1)画素行目であり、C列目、D列目及び最終列目のそれぞれは、スタート位置から右方向に8×n0画素列目、8×(n0+n)画素列目及び8×(n0+n+n1)画素列目である。
【0015】
図1及び図2に示すように、水平シフトレジスタ部3は、CDS回路31と、水平シフトレジスタ32と、水平アドレス制御回路33と、水平アドレスコントロール回路34とからなり、列の選択、信号の出力及びランダムアクセス時の水平アドレス制御を行う。
水平シフトレジスタ32は、8画素毎に撮像信号の読み出し用入力端子を備えている。水平アドレス制御回路33は、8画素毎に水平シフトレジスタ32の入力端子に対応した出力端子を備えている。
水平アドレスコントロール回路34は、水平シフトレジスタ32にランダムアクセス読み出しスタート位置を指示する信号を出力する。
【0016】
垂直シフトレジスタ部4は、垂直シフトレジスタ41と、垂直アドレス制御回路42と、垂直クロックコントロール回路43と、からなり、行の選択、画素の制御及びランダムアクセス時のアドレス制御を行う。
垂直アドレス制御回路42は、水平アドレス制御回路33と同様の構成を有し、ランダムアクセス領域の読み出し開始位置を垂直シフトレジスタ41に指示する信号を出力する。
垂直クロックコントロール回路43は、水平アドレスコントロール回路34と同様に、垂直シフトレジスタ42にランダムアクセス読み出しスタート位置を指示する信号を出力する。
【0017】
外部信号入力回路5は、ランダムアクセス読み出し領域の読み出し範囲の信号を出力する。
ブロック単位画像処理回路8は、従来のフィールドメモリ11よりも小規模なメモリ81を有している。
ここでは、8×8画素の基本ブロック単位で信号処理することを前提としているので、メモリ81は、最低8行分、或いはその2倍の16行分の蓄積量があれば良い。画素部2がVGA(640×480画素)である場合には、メモリ81の容量は、このVGAの1フィールド分の蓄積している場合の1.7%〜3.3%程度であり非常に少ない。
【0018】
次に、本発明の実施形態における固体撮像素子のランダムアクセス動作について図3を併せ用いて説明する。
図3(A)に示すように、フィールドスタート信号に基づいて、垂直クロックコントロール回路43及び水平アドレスコントロール回路34から垂直クロックパルス及び水平クロックパルスを垂直シフトレジスタ41及び水平シフトレジスタ32に出力する。
この際、垂直シフトレジスタ41、水平シフトレジスタ32の全レジスタは0である。
【0019】
図3(B)に示すように、垂直シフトレジスタ41に、垂直クロックコントロール回路43から1垂直クロックパルスを出力すると同時に、ランダムアクセス読み出し領域におけるA行目の(8×m0)画素行に対応する垂直アドレス制御回路42の出力端子に外部信号入力回路5からアドレス信号を出力する。この時、図3(D)に示すように、垂直シフトレジスタ41のレジスタが「1」となる。その他のレジスタは「0」である。(8×m0)画素行から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、このCDS31回路内のメモリに保存する。
【0020】
図3(C)、(E)に示すように、水平シフトレジスタ32に、水平アドレスコントロール回路34から1水平クロックパルスを出力すると同時に、ランダムアクセス読み出し領域におけるC列目の8×n0画素列目に対応する水平アドレス制御回路33の出力端子に外部信号入力回路5からアドレス信号を出力する。この時、水平シフトレジスタ32のレジスタが「1」となる。その他のレジスタは「0」である。そして、1水平クロックパルスを送る毎にレジスタ「1」の位置をD列の8×(n0+n)画素列目まで水平走査して撮像信号を出力ポート6から出力する。
そして、この出力ポート6から出力された撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のメモリ81に蓄積する。
【0021】
次に、図3(B)に示す垂直シフトレジスタ41から1垂直クロックパルスを出力し、垂直シフトレジスタ41のレジスタの位置「1」を1つ下げる。即ち、レジスタの位置「1」を8×(m0+1)画素行目にする。
8×(m0+1)画素行目から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、CDS31回路内のメモリに保存する。
次に、前記と同様にして、(8×n0)画素列目〜8×(n0+n)画素列目までの水平走査を行って撮像信号を出力ポート6から出力する。そして、この出力ポート6から出力された撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のメモリ81に蓄積する。
【0022】
ブロック単位画像処理回路8は、8画素行分の撮像信号を蓄積すると処理を開始し、画像処理済み信号出力ポート9からランダムアクセス読み出し領域のブロック撮像画像を出力する。この後、メモリ81をリセットし、次の撮像信号の入力を待つ。
以上の垂直及び水平走査を順次行って、出力ポート6から出力されたランダムアクセス読み出し領域の全ての撮像信号を処理し、画像処理済み信号出力ポート9からランダムアクセス読み出し領域のブロック画像を出力する。
【0023】
以上のように、本発明の実施形態によれば、画素部2は、8×8画素を基本ブロック単位とし、この基本ブロック単位の整数倍の領域で区分されているので、ブロック単位での処理が可能となるため、ブロック単位画像処理回路8の構成が簡単になり、高速処理を行うことができる。また、ランダムアクセス読み出し領域だけを読み出して画像処理をするので、大規模なメモリが不要となるため、高速処理が可能となる。
なお、本発明の実施形態では、8×8画素を基本ブロック単位としたが、pを正の整数とする時、(p×p)画素を基本ブロック単位とする画像処理回路を有する固体撮像素子にも適用可能であることはいういうまでもない。
【0024】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の撮像画素がマトリクス状に形成され、かつ前記撮像画素が単位ブロックの整数倍で区分された画素部と、行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた垂直シフトレジスタと、列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートと、メモリを有し、前記出力ポートから出力される前記撮像信号から画像処理を行うブロック単位画像処理回路と、からなる固体撮像素子であって、前記画素部の全撮像領域のうち、所定のランダムアクセス読み出し領域を設定する外部入力手段と、前記所定のランダムアクセス読み出し領域の垂直アドレスを予め設定されたブロック単位で前記垂直シフトレジスタに出力する垂直アドレス制御手段と、前記所定のランダムアクセス読み出し領域の水平アドレスを前記予め設定されたブロック単位で前記水平シフトレジスタに出力する水平アドレス制御手段と、からなるので、ブロック単位での処理が可能となるため、ブロック単位画像処理回路の構成が簡単になり、高速処理を行うことができる。また、ランダムアクセス読み出し領域だけを読み出して画像処理をするので、大規模なメモリが不要となるため、高速処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における固体撮像素子を示す概略平面図である。
【図2】水平シフトレジスタ部の拡大図である。
【図3】本発明の実施形態における固体撮像素子のタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。
【図4】従来の固体撮像素子を示す概略平面図である。
【図5】従来の固体撮像素子の動作を説明するためのタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。
【符号の説明】
1…固体撮像素子、2…画素部、3…水平シフトレジスタ部、31…CDS回路、32…水平シフトレジスタ、33…水平アドレス制御回路、34…水平アドレスコントロール回路、4…垂直シフトレジスタ部、41…垂直シフトレジスタ、42…垂直アドレス制御回路、43…垂直クロックコントロール回路、5…外部信号入力回路、6…出力ポート、7…ADコンバータ、8…ブロック単位画像処理回路、81…メモリ、9…画像処理済み信号出力ポート[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly, to a CMOS image sensor capable of performing random access reading without complicated signal processing.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 is a schematic plan view showing a conventional solid-state imaging device.
5A and 5B are timing charts for explaining the operation of the conventional solid-state imaging device. FIG. 5A shows a field start signal, FIG. 5B shows a vertical clock, and FIG. 5C shows a horizontal clock. is there.
As shown in FIG. 4, the conventional solid-state imaging device includes a pixel section 2, a
[0003]
The pixel unit 2 includes a large number of pixels arranged in a two-dimensional matrix. Each pixel photoelectrically converts incident subject light to generate a charge corresponding to the amount of incident light, and transfers the charge. The storage unit includes a storage unit that stores the data, and an output transistor that outputs a potential change due to the charge from the storage unit to the outside of the pixel at a predetermined timing as an imaging signal.
[0004]
The horizontal output circuit 10 includes a CDS (Correlated Double Sampling: correlated double sampling)
The
[0005]
The
At the time of normal reading, an imaging signal is output to the output port 6. Note that the
[0006]
Next, reading of a conventional solid-state imaging device will be described.
Here, the start position of the
As shown in FIGS. 5A and 5B, a vertical clock pulse is output from an external circuit (not shown) to the
[0007]
Next, the imaging signal output from the pixel in the lowermost row is subjected to noise cancellation in the
Subsequently, as shown in FIG. 5C, a horizontal clock pulse is output to the
[0008]
Next, one vertical clock pulse is output from the external circuit (not shown) to the
After all the analog imaging signals output from the output port 6 are converted into digital signals by the
[0009]
The random access is performed by a processing circuit at the subsequent stage of the block-based image processing circuit 8, and a necessary area of all the image pickup signals stored in the
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, when random access is performed, as described above, since all image signals are fetched into the
[0011]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a random-access-readable solid-state imaging device that does not require a complicated image processing circuit.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present invention includes a pixel portion in which a plurality of imaging pixels are formed in a matrix, and the imaging pixels are divided by an integer multiple of a unit block, and an output terminal corresponding to each pixel of the unit block in a row direction. A vertical shift register, a horizontal shift register having an output terminal corresponding to each pixel of the unit block in the column direction, and noise canceling of the row direction imaging signal output by vertical scanning of the vertical shift register. After performing the operation, a CDS circuit that accumulates an image signal, an output port that outputs the image signal output from the CDS circuit by horizontal scanning of the horizontal shift register, and a memory are output from the output port. A solid-state imaging device comprising: a block-based image processing circuit for performing image processing from the imaging signal; External input means for setting a predetermined random access read area, vertical address control means for outputting a vertical address of the predetermined random access read area to the vertical shift register in units of a preset block, And a horizontal address control means for outputting a horizontal address of an access read area to the horizontal shift register in the unit of the preset block.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic plan view illustrating a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of the horizontal shift register unit.
3A and 3B are timing charts of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention. FIG. 3A is a field start signal supplied to the vertical
As shown in FIG. 1, a solid-
[0014]
As shown in FIG. 1, it is assumed that the pixel unit 2 has 8 × 8 pixels as a basic block unit and is divided by an area that is an integral multiple of the basic block unit. It is a region surrounded by the range up to the eyes and the range from the C-th column to the D-th column. When m 0 , m, m 1 , n 0 , n, and n 1 are positive integers and the upper left end of the pixel unit 2 is a start position, each of the A-th row, the B-th row, and the last row is When represented by a matrix of pixels, the pixel rows are 8 × m 0 pixel rows, 8 × (m 0 + m) pixel rows, and 8 × (m 0 + m + m 1 ) pixel rows below the start position, and the C column, D column each of th column and the last column, 8 × n 0 pixel-th column from the start position to the right, 8 × (n 0 + n ) pixel th column and 8 × (n 0 + n + n 1) is the pixel-th column.
[0015]
As shown in FIGS. 1 and 2, the horizontal
The
The horizontal
[0016]
The vertical shift register unit 4 includes a
The vertical
The vertical
[0017]
The external
The block unit image processing circuit 8 has a
Here, since it is assumed that signal processing is performed in units of 8 × 8 pixel basic blocks, the
[0018]
Next, a random access operation of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3A, the vertical clock pulse and the horizontal clock pulse are output from the vertical
At this time, all the registers of the
[0019]
As shown in FIG. 3B, one vertical clock pulse is output from the vertical
[0020]
As shown in FIGS. 3C and 3E, one horizontal clock pulse is output from the horizontal
Then, the imaging signal output from the output port 6 is converted into a digital signal by the
[0021]
Next, one vertical clock pulse is output from the
After the imaging signal output from the 8 × (m 0 +1) -th pixel row is subjected to noise cancellation by the
Next, in the same manner as described above, the horizontal scanning is performed from the (8 × n 0 ) pixel column to the 8 × (n 0 + n) pixel column, and the image pickup signal is output from the output port 6. Then, the imaging signal output from the output port 6 is converted into a digital signal by the
[0022]
The block unit image processing circuit 8 starts processing when accumulating the imaging signals for eight pixel rows, and outputs a block imaging image of the random access read area from the image processed
The above vertical and horizontal scans are sequentially performed to process all the imaging signals in the random access readout area output from the output port 6, and a block image of the random access readout area is output from the image processed
[0023]
As described above, according to the embodiment of the present invention, since the pixel unit 2 has 8 × 8 pixels as a basic block unit and is divided by an area which is an integral multiple of this basic block unit, the pixel unit 2 performs processing in block units. Therefore, the configuration of the block-based image processing circuit 8 is simplified, and high-speed processing can be performed. Further, since image processing is performed by reading only the random access read area, a large-scale memory is not required, so that high-speed processing can be performed.
In the embodiment of the present invention, 8 × 8 pixels are used as a basic block unit. However, when p is a positive integer, a solid-state imaging device having an image processing circuit using (p × p) pixels as a basic block unit Needless to say, the present invention can also be applied to
[0024]
【The invention's effect】
According to the present invention, a plurality of imaging pixels are formed in a matrix, and the imaging pixels are divided by an integer multiple of a unit block, and an output terminal corresponding to each pixel of the unit block in a row direction. A vertical shift register including: a horizontal shift register including, in a column direction, an output terminal corresponding to each pixel of the unit block; and a noise of the imaging signal in the row direction output by vertical scanning of the vertical shift register. A CDS circuit for accumulating an image signal after canceling, an output port for outputting the image signal output from the CDS circuit by horizontal scanning of the horizontal shift register, and a memory; A block-based image processing circuit that performs image processing from the imaging signal to be processed. An external input means for setting a predetermined random access read area, a vertical address control means for outputting a vertical address of the predetermined random access read area to the vertical shift register in a predetermined block unit, And a horizontal address control means for outputting the horizontal address of the random access read area to the horizontal shift register in the preset block unit. Can be simplified, and high-speed processing can be performed. Further, since image processing is performed by reading only the random access read area, a large-scale memory is not required, so that high-speed processing can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a horizontal shift register unit.
3A and 3B are timing charts of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A shows a field start signal, FIG. 3B shows a vertical clock pulse, and FIG. 3C shows a horizontal clock pulse. is there.
FIG. 4 is a schematic plan view showing a conventional solid-state imaging device.
FIGS. 5A and 5B are timing charts for explaining the operation of the conventional solid-state imaging device. FIG. 5A shows a field start signal, FIG. 5B shows a vertical clock pulse, and FIG. 5C shows a horizontal clock pulse. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた垂直シフトレジスタと、
列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した出力端子を備えた水平シフトレジスタと、
前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、
前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートと、
メモリを有し、前記出力ポートから出力される前記撮像信号から画像処理を行うブロック単位画像処理回路と、からなる固体撮像素子であって、
前記画素部の全撮像領域のうち、所定のランダムアクセス読み出し領域を設定する外部入力手段と、
前記所定のランダムアクセス読み出し領域の垂直アドレスを予め設定されたブロック単位で前記垂直シフトレジスタに出力する垂直アドレス制御手段と、
前記所定のランダムアクセス読み出し領域の水平アドレスを前記予め設定されたブロック単位で前記水平シフトレジスタに出力する水平アドレス制御手段と、からなることを特徴とする固体撮像素子。A pixel portion in which a plurality of imaging pixels are formed in a matrix, and the imaging pixels are divided by an integer multiple of a unit block;
A vertical shift register having an output terminal corresponding to each pixel of the unit block in the row direction;
A horizontal shift register having an output terminal corresponding to each pixel of the unit block in the column direction;
A CDS circuit that accumulates an imaging signal after performing noise cancellation on the imaging signal in the row direction output by the vertical scanning of the vertical shift register;
An output port for outputting the image signal output from the CDS circuit by horizontal scanning of the horizontal shift register;
A solid-state imaging device having a memory, and a block-based image processing circuit that performs image processing from the imaging signal output from the output port;
External input means for setting a predetermined random access readout area among all the imaging areas of the pixel unit,
Vertical address control means for outputting a vertical address of the predetermined random access read area to the vertical shift register in a unit of a preset block;
A solid-state imaging device, comprising: a horizontal address control unit that outputs a horizontal address of the predetermined random access read area to the horizontal shift register in the unit of the preset block.
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