【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多波長半導体レーザ装置に関するもので、特に光ディスクの読み取り，書き込み等の光ピックアップヘッドに使用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）とＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）の両方のディスクに対応する光ピックアップヘッドは，ＤＶＤ用の波長が６５０ｎｍの半導体レーザ発生器と、ＣＤ用の波長が７８０ｎｍの半導体レーザ発生器とを，ビームスプリッタまたはハーフミラー等を用いて同一の光軸になるように組み合わせて構成している。例えば図５に示す従来の光ピックアップヘッドは、波長が６５０ｎｍの半導体レーザ発生器３０ａと、波長が７８０ｎｍの半導体レーザ装置３０ｂとを、ビームスプリッタ３４、３５を用いて、同一の光軸となるように構成されている。これらの半導体レーザ発生器３０ａ、３０ｂから発生されたレーザ光はビームスプリッタ３４３５を介してコリメータレンズに入射して平行光にされ、その後、立ち上げミラー３７および対物レンズ３８を介してＤＶＤまたはＣＤ等の記録媒体（ディスク）５０に入射される。このとき、記録媒体５０に情報が書き込まれる場合は、レーザ光によって、記録媒体５０の記録層の光学的性質が変化される。記録媒体５０から情報が読み出される場合は、記録媒体５０の記録層の光学的性質が変化されず、レーザ光は、記録層によって反射される。この反射されたレーザ光は、対物レンズ３８、立ち上げミラー３７、およびコリメータレンズ３６を介してビームスプリッタ３５に入射され、ビームスプリッタ３５によって進行方向が変えられる。ビームスプリッタ３５によって進行方向が変えられたレーザ光は、凸レンズ３９を介して光検出器４０に入射し、記録媒体５０に記録された情報が読み取られる。
【０００３】
一般的な単波長半導体レーザ発生器は光出力によりその放射角が異なっている。特に、活性層に対して垂直方向の放射角θｖは、ＤＶＤ用の光出力Ｐｏ＝５〜１０ｍＷの読み取り用素子では、３０〜３３゜程度、ＣＤ−Ｒ用の光出力Ｐｏ＝８０ｍＷ以上の書き込み用素子では、１８〜２４゜程度である。このように、書き込み用に用いられる高出力の単波長半導体レーザ発生器は、波長の如何を問わず光出力の効率アップを考え、読み込み用の用いられる低出力の半導体レーザ発生器に比べて放射角を狭くする傾向にある。
【０００４】
そこで、２つの半導体レーザ発生器を有する従来の光ピックアップヘッドにおいては、コリメータレンズからの距離が異なるようにそれぞれの半導体レーザ発生器を配置することで、それぞれの半導体レーザ発生器に最適な光結合を得ている。すなわち、コリメータレンズからの距離を低出力の半導体レーザ発生器は短く、高出力の半導体レーザ発生器は長くなるように配置することで、同一のコリメータレンズに対し最大の光結合効率を得ていることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図６に示すように、異なる波長のレーザ光を発生するレーザ発生部を一つの素子に集積した２波長半導体レーザ装置３２を有する光ピックアップヘッドでは、すでに実績のある読み取り専用の光ピックアップヘッドではあまり問題とならなかった、放射角の違いによる効率の悪さが顕著化する。つまり、２波長半導体レーザ装置を有する光ピックアップヘッドにおいては、波長が異なるレーザ光の発光点位置がほぼ同一面であるので発光点からコリメータレンズまでの距離がほぼ同一となるとともに、高出力の半導体レーザ発生部からのレーザ光の放射角は低出力の半導体レーザ発生部からのレーザ光の放射角に比べて狭いため、素子の位置による光結合の最適化は不可能である。これは、例えば、書き込み時に、より光出力が必要とされる高出力の半導体レーザ発生部に最適位置を合わせると、コリメータレンズを通過する低出力の半導体レーザ発生部からのレーザ光は、上記低出力の半導体レーザ発生部がコリメータレンズからの距離が最適な位置にある場合に比べて広がるので、上記低出力の半導体レーザ発生部の必要な光出力のアップを招いてしまう。
【０００６】
又、逆に、低出力の半導体レーザ発生部に最適な位置を合わせた場合は、高出力の半導体レーザ発生部からのレーザ光は、上記高出力の半導体レーザ発生部がコリメータレンズからの距離が最適な位置にある場合に比べて広がるので、コリメータレンズ内の光強度にムラができ、書き込み信号の劣化を招いてしまう。
【０００７】
上述の問題を回避するために、波長が異なるレーザ光を発生する半導体レーザ発生部を複数装備したり、コリメータレンズを二種類用意し、機械的に切り替える等の方法が考えられるが、いずれの方式も光学系の機構が複雑になり、光ピックアップヘッドの小型化、低コスト化に対応できないことは明白である。このため、異なる波長の半導体レーザ光を一つの素子に集積した２波長半導体レーザ装置を、ＤＶＤもしくはＣＤいずれかに書き込みできる光ピックアップヘッドに採用することが難しかった。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、搭載される光ピックアップヘッドの部品点数および製造コストの削減に寄与できる多波長半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様による多波長半導体レーザ装置は、それぞれが異なる発振波長を有するとともに出射光パワーが異なる複数の半導体レーザのうち出射光パワーが最も大きい半導体レーザから出射されるレーザ光の垂直方向の放射角と他の半導体レーザから出射されるレーザ光の垂直方向の放射角が実質的に同一であることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による多波長半導体レーザ装置を図１および図２を参照して説明する。図１は、第１実施形態による多波長半導体レーザ装置の半導体レーザ発生部の構成を示す斜視図、図２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ第１実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を示す正面図、側面図である。
【００１２】
この第１実施形態の多波長半導体レーザ装置１は、図２に示すように、異なる２波長の半導体レーザを発生するレーザダイオードチップ２（以下、ＬＤチップともいう）と、このＬＤチップ２が載置されるサブマウント４と、このサブマウント４が載置されるステムブロック６と、このステムブロック６を支持するステム８と、ＬＤチップ２に電流を流すためのリードピン１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄと、ボンディングワイヤ１２ａ、１２ｂ、１２ｃとを備えている。
【００１３】
ＬＤチップ２は、図１に示すように、発光点３ａから６５０ｎｍの波長のレーザ光１４ａを、発光点３ｂから７８０ｎｍの波長のレーザ光１４ｂをそれぞれ発生するように構成されたモノリシック型チップである。発光点３ａと発光点３ｂとの間隔は１１０μｍであり、その間に分離溝５が設けられている。レーザ光１４ａの出力は５ｍＷで、レーザ光１４ｂの出力は８０ｍＷ以上である。そして、このＬＤチップ２から発生されるレーザ光１４ａの、活性層と垂直方向の放射角θ１ｖを、レーザ光１４ｂの、活性層と垂直方向の放射角θ２ｖに、実質的に等しくなるように構成したものである。ここで、実質的に等しいとは、放射角θ１ｖと放射角θ２ｖとの差の絶対値が２度以下のことを意味する。放射角θ１ｖを調整して、放射角θ２ｖに実質的に等しくするには、レーザ光１４ａを発生する活性層の膜厚を調整することにより可能となる。なお、例えば波長が６５０ｎｍで垂直方向の放射角が２０度のレーザ光を出力する活性層の膜厚としては、量子井戸層と障壁層の総膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましい。また、井戸層数は２〜５個、井戸層の厚さは４ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。
【００１４】
このように、本実施形態においては、ＬＤチップ２は、低出力のレーザ光１４ａの垂直方向の放射角θ１ｖを、高出力のレーザ光１４ｂの垂直方向の放射角θ２ｖに合わせた構成となっている。
【００１５】
このように構成されたＬＤチップ２は、上面が導電膜で覆われた絶縁性のサブマウント４上に載置される。この導電膜は、図１に示す分離溝５によって２つに分離されている。分離された導電膜の一方はレーザ光１４ａを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側に設けられた電極に接続され、分離された導電膜の他方はレーザ光１４ｂを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側に設けられた電極に接続されている。なお、レーザ光１４ａを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側と反対側に設けられた電極と、レーザ光１４ｂを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側と反対側に設けられた電極とは一体化され、共通の電極となっている。
【００１６】
また、サブマウント４は、導電性の材料からなるステムブロック６上に載置され、ステムブロック６はステム８によって支持された構成となっている。なお、この実施形態においては、ステム８の直径は５．６ｍｍである。リードピン１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは、ステム８を貫通するように構成されるとともにステム８とは電気的に絶縁されるように構成されている。
【００１７】
リードピン１０ａは、サブマウント４上に設けられた導電膜の一方とボンディングワイヤ１２ａを介して電気的に接続された構成、すなわちレーザ光１４ａを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側に設けられた電極と電気的に接続するように構成されている。リードピン１０ｂは、サブマウント４上に設けられた導電膜の一方とボンディングワイヤ１２ｂを介して電気的に接続された構成、すなわちレーザ光１４ｂを発生する半導体レーザ発生部のサブマウント４側に設けられた電極と電気的に接続するように構成されている。リードピン１０ｃは、ステム６と電気的に接続される。リードピン１０ｄは、ＬＤチップ２から発生するレーザ光をモニタするために使用される電極である。なお、ＬＤチップのサブマウント４側と反対側に設けられた共通電極は、ボンディングワイヤ１２ｃを介してステムブロック６、すなわちリードピン１０ｃと電気的に接続される。
【００１８】
このように構成された本実施形態の多波長半導体レーザ装置においては、ＬＤチップ２は、低出力のレーザ光１４ａの垂直方向の放射角θ１ｖを、高出力のレーザ光１４ｂの垂直方向の放射角θ２ｖに合わせた構成となっているので、図６に示す光学系を用いた光ピックアップヘッドにも搭載しても、低出力の半導体レーザ発生部の必要な光出力のアップを招いたり、書き込み信号の劣化を招いたりすることを防止することが可能となり、搭載される光ピックアップヘッドの部品点数および製造コストの削減に寄与することができる。
【００１９】
この実施形態の多波長半導体レーザ装置を光りピックアップヘッドに用いれば、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ／ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭを読み取ることができ，ＣＤ−Ｒ／ＲＷディスクの読み書きが可能である。
【００２０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を図３に示す。この実施形態の多波長半導体レーザ装置は、ＬＤチップ２をＬＤチップ２Ａに置き換えた構成となっている。このＬＤチップ２Ａは、発光点３ａから波長が６５０ｎｍのレーザ光を、発光点３ｂから波長が７８０ｎｍのレーザ光が、発光点３ｃから波長が４０５ｎｍのレーザ光が発生されるように構成されたモノリシック型チップである。発光点３ａと発光点３ｂとの間、および発光点３ｂ発光点３ｃとの間の間隔は、それぞれ１１０μｍである。また、発光点３ａと発光点３ｂとの間、発光点３ｂと発光点３ｃとの間には、第１実施形態の場合と同様に分離溝（図示せず）が設けられた構成となっている。なお、上記発生される３つレーザ光のうち一のレーザ光の出力は５ｍＷであり、他は２つは３０ｍＷ以上である。
【００２１】
そして、この実施形態においては、第１実施形態と同様に、低出力のレーザ光の垂直方向の放射角は、一番出力の高いレーザ光の垂直方向の放射角と実質的に等しくなるように構成されている。これにより、第１実施形態の場合と同様に、図６に示す光学系を用いた光ピックアップヘッドにも搭載しても、低出力の半導体レーザ発生部の必要な光出力のアップを招いたり、書き込み信号の劣化を招いたりすることを防止することが可能となり、搭載される光ピックアップヘッドの部品点数および製造コストの削減に寄与することができる。
【００２２】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による多波長半導体レーザ装置を図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して説明する。図４（ａ）、第３実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を示す模式図、図４（ｂ）は、第３実施形態による多波長半導体装置が搭載される光ピックアップの構成を示す図である。
【００２３】
この実施形態の多波長半導体レーザ装置２０は、波長の異なる２つレーザ光を発生するレーザ光発生部を１つのチップに搭載したモノリシック型ＬＤチップ２２と、ホログラム素子２６と、光検出器４０とを備えており、これらは、同一パッケージ内に組み込まれた構成となっている。ホログラム素子２６は、チップ２２から発生されたレーザ光を透過させ、コリメータレンズ３６、立ち上げミラー３７、対物レンズ３８を介して記録媒体５０に入射し、記録媒体５０によって反射され、逆の光路をたどって入射するレーザ光を屈折させる機能を備えている。
【００２４】
この実施形態においては、ＬＤチップ２２は、第１実施形態の場合と同様に、低出力のレーザ光の垂直方向の放射角を、高出力のレーザ光の垂直方向の放射角に合わせた構成となっている。なお、２つのレーザ光の発光点間隔は、２４０μｍである。このように、２つのレーザ光の発光点間隔を２４０μｍとすることにより、同一光検出器４０上にディスク（記録媒体）５０からの反射光を集光させ信号再生を行っている。なお、発光点間隔は１１０μｍのままで発振波長ごとに別々の光検出器に集光させるような構成としても良い。
【００２５】
この第３実施形態も、第１実施形態の場合と同様に、光ピックアップヘッドにも搭載しても、低出力の半導体レーザ発生部の必要な光出力のアップを招いたり、書き込み信号の劣化を招いたりすることを防止することが可能となり、搭載される光ピックアップヘッドの部品点数および製造コストの削減に寄与することができる。
【００２６】
なお、上記実施形態においては、ＬＤチップは、モノリシック型であったが、異なる波長で発振するレーザチップを組み合わせてマウントしたマルチチップ構造であっても良い。
【００２７】
また，波長も上記の２つまたは３つの波長帯に限ることは無く、光ディスクシステムが要求する波長に応じて選択することは可能である。そのときにも、高出力の放射角に合わせて統一することで，本発明の作用効果を発揮することが可能である。
【００２８】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明によれば、搭載される光ピックアップヘッドの部品点数および製造コストの削減に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による多波長半導体レーザ装置のレーザ発生部の構成を示す斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を示す図。
【図３】本発明の第２実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を示す図。
【図４】本発明の第３実施形態による多波長半導体レーザ装置の構成を示す図。
【図５】従来のシングルビームレーザを２個使った光ピックアップの構成図。
【図６】２波長半導体レーザを用いた光ピックアップの構成図。
【符号の説明】
１ ２波長半導体レーザ装置
２ ２波長半導体レーザ用ＬＤチップ
２Ａ ３波長半導体レーザ用ＬＤチップ
３ａ 発光点
３ｂ 発光点
３ｃ 発光点
４ サブマウント
５ 分離溝
６ ステムブロック
８ ステム
１０ａ リードピン
１０ｂ リードピン
１０ｃ リードピン
１０ｄ リードピン
１２ａ ワイヤボンディング
１２ｂ ワイヤボンディング
１２ｃ ワイヤボンディング
１４ａ 低出力レーザ光
１４ｂ 高出力レーザ光
２０ 多波長半導体レーザ装置
２２ ＬＤチップ
２６ ホログラム素子
３６ コリメータレンズ
３７ 立ち上げミラー
３８ 対物レンズ
４０ 光検出器
５０ 記録媒体（ディスク）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multi-wavelength semiconductor laser device, and is particularly used for an optical pickup head for reading and writing an optical disk.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an optical pickup head corresponding to both DVD (Digital Versatile Disk) and CD (Compact Disk) discs has a semiconductor laser generator having a wavelength of 650 nm for DVD and a semiconductor laser generator having a wavelength of 780 nm for CD. Are combined so as to have the same optical axis using a beam splitter or a half mirror. For example, in the conventional optical pickup head shown in FIG. 5, a semiconductor laser generator 30a having a wavelength of 650 nm and a semiconductor laser device 30b having a wavelength of 780 nm have the same optical axis by using beam splitters 34 and 35. Is configured. The laser light generated from these semiconductor laser generators 30a and 30b is incident on a collimator lens via a beam splitter 3435 and is made into parallel light, and thereafter, through a rising mirror 37 and an objective lens 38, a DVD or CD or the like. Is incident on the recording medium (disk) 50. At this time, when information is written on the recording medium 50, the optical properties of the recording layer of the recording medium 50 are changed by the laser beam. When information is read from the recording medium 50, the optical properties of the recording layer of the recording medium 50 are not changed, and the laser light is reflected by the recording layer. The reflected laser light is incident on the beam splitter 35 via the objective lens 38, the rising mirror 37, and the collimator lens 36, and the traveling direction is changed by the beam splitter 35. The laser beam whose traveling direction has been changed by the beam splitter 35 enters the photodetector 40 via the convex lens 39, and the information recorded on the recording medium 50 is read.
[0003]
A general single-wavelength semiconductor laser generator has a different emission angle depending on the light output. In particular, the radiation angle θv in the direction perpendicular to the active layer is about 30 to 33 ° in a reading element having an optical output Po of 5 to 10 mW for DVD, and writing is performed with an optical output Po of 80 mW or more for CD-R. For an element for use, it is about 18 to 24 degrees. As described above, the high-power single-wavelength semiconductor laser generator used for writing is designed to emit light more efficiently than the low-power semiconductor laser generator used for reading in consideration of increasing the efficiency of light output regardless of the wavelength. There is a tendency to narrow the corner.
[0004]
Therefore, in a conventional optical pickup head having two semiconductor laser generators, by arranging each semiconductor laser generator so that the distance from the collimator lens is different, optimal optical coupling for each semiconductor laser generator is achieved. Have gained. In other words, the maximum power coupling efficiency is obtained for the same collimator lens by arranging the low-power semiconductor laser generator so that the distance from the collimator lens is short and the high-power semiconductor laser generator is long. Will be.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, as shown in FIG. 6, an optical pickup head having a two-wavelength semiconductor laser device 32 in which laser generating sections for generating laser lights of different wavelengths are integrated in one element is a read-only optical pickup head that has already been used. Then, the inefficiency due to the difference of the radiation angle, which was not a problem, becomes remarkable. In other words, in an optical pickup head having a two-wavelength semiconductor laser device, the positions of the light emitting points of the laser beams having different wavelengths are almost the same, so that the distance from the light emitting point to the collimator lens is almost the same, Since the emission angle of the laser beam from the laser generation unit is narrower than the emission angle of the laser beam from the low-power semiconductor laser generation unit, it is impossible to optimize the optical coupling depending on the position of the element. This is because, for example, at the time of writing, if the optimum position is adjusted to a high-power semiconductor laser generator that requires more light output, the laser light from the low-power semiconductor laser generator that passes through the collimator lens will have the above-mentioned low power. Since the output semiconductor laser generator is wider than when the distance from the collimator lens is at an optimum position, the required optical output of the low-power semiconductor laser generator is increased.
[0006]
On the other hand, when the optimum position is adjusted to the low-power semiconductor laser generator, the laser light from the high-power semiconductor laser generator has a distance between the high-power semiconductor laser generator and the collimator lens. Since the light beam spreads as compared with the case where it is located at the optimum position, the light intensity in the collimator lens becomes uneven, and the write signal is deteriorated.
[0007]
In order to avoid the above-mentioned problems, there are conceivable methods of equipping a plurality of semiconductor laser generating units for generating laser beams having different wavelengths, preparing two types of collimator lenses, and mechanically switching them. However, it is obvious that the mechanism of the optical system becomes complicated, and it is impossible to cope with downsizing and cost reduction of the optical pickup head. For this reason, it has been difficult to employ a two-wavelength semiconductor laser device in which semiconductor laser beams of different wavelengths are integrated in one element as an optical pickup head capable of writing to either DVD or CD.
[0008]
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide a multi-wavelength semiconductor laser device that can contribute to a reduction in the number of components and a manufacturing cost of an optical pickup head to be mounted.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
A multi-wavelength semiconductor laser device according to one embodiment of the present invention is a semiconductor laser device including a laser beam emitted from a semiconductor laser having the largest emission light power among a plurality of semiconductor lasers having different oscillation wavelengths and different emission light powers. The radiation angle is substantially the same as the vertical radiation angle of laser light emitted from another semiconductor laser.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0011]
(1st Embodiment)
A multi-wavelength semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor laser generator of the multi-wavelength semiconductor laser device according to the first embodiment, and FIGS. 2A and 2B are configurations of the multi-wavelength semiconductor laser device according to the first embodiment, respectively. It is the front view and side view which show this.
[0012]
As shown in FIG. 2, the multi-wavelength semiconductor laser device 1 according to the first embodiment includes a laser diode chip 2 (hereinafter, also referred to as an LD chip) for generating semiconductor lasers having two different wavelengths, and the LD chip 2 mounted thereon. Sub-mount 4 on which the sub-mount 4 is mounted, a stem block 6 on which the sub-mount 4 is mounted, a stem 8 supporting the stem block 6, and lead pins 10a, 10b, 10c, and 10d for flowing current to the LD chip 2. And bonding wires 12a, 12b, 12c.
[0013]
As shown in FIG. 1, the LD chip 2 is a monolithic chip configured to generate a laser beam 14a having a wavelength of 650 nm from the light emitting point 3a and a laser beam 14b having a wavelength of 780 nm from the light emitting point 3b. . The distance between the light emitting point 3a and the light emitting point 3b is 110 μm, and the separation groove 5 is provided therebetween. The output of the laser light 14a is 5 mW, and the output of the laser light 14b is 80 mW or more. Then, the radiation angle θ 1v of the laser beam 14a generated from the LD chip 2 in the direction perpendicular to the active layer is made substantially equal to the radiation angle θ 2v of the laser beam 14b in the direction perpendicular to the active layer. It is what was constituted. Here, “substantially equal” means that the absolute value of the difference between the radiation angles θ 1v and θ 2v is 2 degrees or less. Adjusting the emission angle θ 1v to be substantially equal to the emission angle θ 2v is possible by adjusting the thickness of the active layer that generates the laser beam 14a. The thickness of the active layer that outputs laser light having a wavelength of 650 nm and a vertical radiation angle of 20 degrees is preferably 100 nm to 300 nm in total thickness of the quantum well layer and the barrier layer. Further, the number of well layers is preferably 2 to 5, and the thickness of the well layers is preferably 4 nm to 7 nm.
[0014]
As described above, in the present embodiment, the LD chip 2 has a configuration in which the vertical radiation angle θ 1v of the low-output laser light 14a is adjusted to the vertical radiation angle θ 2v of the high-output laser light 14b. Has become.
[0015]
The LD chip 2 configured as described above is mounted on an insulating submount 4 whose upper surface is covered with a conductive film. This conductive film is separated into two by a separation groove 5 shown in FIG. One of the separated conductive films is connected to an electrode provided on the submount 4 side of the semiconductor laser generating unit for generating the laser beam 14a, and the other of the separated conductive films is a semiconductor laser generating unit for generating the laser beam 14b. Are connected to the electrodes provided on the submount 4 side. An electrode provided on the side opposite to the submount 4 side of the semiconductor laser generating section for generating the laser beam 14a and an electrode provided on the side opposite to the submount 4 side of the semiconductor laser generating section for generating the laser beam 14b. Are integrated into a common electrode.
[0016]
The submount 4 is mounted on a stem block 6 made of a conductive material, and the stem block 6 is supported by a stem 8. In addition, in this embodiment, the diameter of the stem 8 is 5.6 mm. The lead pins 10a, 10b, 10c, and 10d are configured to penetrate the stem 8 and to be electrically insulated from the stem 8.
[0017]
The lead pin 10a is configured to be electrically connected to one of the conductive films provided on the submount 4 via the bonding wire 12a, that is, provided on the submount 4 side of the semiconductor laser generating unit that generates the laser light 14a. It is configured to be electrically connected to the electrode. The lead pin 10b is electrically connected to one of the conductive films provided on the submount 4 via the bonding wire 12b, that is, provided on the submount 4 side of the semiconductor laser generating unit that generates the laser light 14b. It is configured to be electrically connected to the electrode. The lead pin 10c is electrically connected to the stem 6. The lead pin 10d is an electrode used to monitor a laser beam generated from the LD chip 2. The common electrode provided on the side opposite to the submount 4 side of the LD chip is electrically connected to the stem block 6, that is, the lead pin 10c via the bonding wire 12c.
[0018]
In the multi-wavelength semiconductor laser device of the present embodiment configured as described above, the LD chip 2 sets the vertical radiation angle θ 1v of the low-power laser beam 14a to the vertical radiation angle of the high-power laser beam 14b. Since the configuration is adjusted to the angle θ2v , even when the optical pickup head using the optical system shown in FIG. 6 is mounted, the required optical output of the low-output semiconductor laser generating unit is increased, It is possible to prevent the write signal from deteriorating, thereby contributing to a reduction in the number of components and the manufacturing cost of the optical pickup head to be mounted.
[0019]
If the multi-wavelength semiconductor laser device of this embodiment is used for an optical pickup head, DVD-R / RW / ROM and CD-ROM can be read, and reading / writing of CD-R / RW discs is possible.
[0020]
(2nd Embodiment)
Next, the configuration of a multi-wavelength semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention is shown in FIG. The multi-wavelength semiconductor laser device of this embodiment has a configuration in which the LD chip 2 is replaced with an LD chip 2A. The LD chip 2A is configured to generate a laser beam having a wavelength of 650 nm from the light emitting point 3a, a laser beam having a wavelength of 780 nm from the light emitting point 3b, and a laser beam having a wavelength of 405 nm from the light emitting point 3c. Type chip. The distance between the light emitting point 3a and the light emitting point 3b and the distance between the light emitting point 3b and the light emitting point 3c are 110 μm, respectively. Further, a separation groove (not shown) is provided between the light emitting point 3a and the light emitting point 3b and between the light emitting point 3b and the light emitting point 3c as in the case of the first embodiment. I have. The output of one of the three generated laser beams is 5 mW, and the other two are at least 30 mW.
[0021]
In this embodiment, as in the first embodiment, the vertical radiation angle of the low-output laser light is substantially equal to the vertical radiation angle of the highest-output laser light. It is configured. As a result, as in the first embodiment, even when the optical pickup head using the optical system shown in FIG. It is possible to prevent the write signal from deteriorating, thereby contributing to a reduction in the number of components and the manufacturing cost of the optical pickup head to be mounted.
[0022]
(Third embodiment)
Next, a multi-wavelength semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). FIG. 4A is a schematic diagram illustrating the configuration of a multi-wavelength semiconductor laser device according to the third embodiment, and FIG. 4B is a diagram illustrating the configuration of an optical pickup on which the multi-wavelength semiconductor device according to the third embodiment is mounted. It is.
[0023]
The multi-wavelength semiconductor laser device 20 according to this embodiment includes a monolithic LD chip 22 having a laser light generating unit that generates two laser lights having different wavelengths mounted on one chip, a hologram element 26, a photodetector 40, These are configured to be incorporated in the same package. The hologram element 26 transmits the laser light generated from the chip 22, enters the recording medium 50 via the collimator lens 36, the rising mirror 37, and the objective lens 38, is reflected by the recording medium 50, and passes through the reverse optical path. It has a function of refracting the incident laser light.
[0024]
In this embodiment, the LD chip 22 has a configuration in which the vertical radiation angle of the low-output laser light is matched with the vertical radiation angle of the high-output laser light, as in the first embodiment. Has become. The interval between the emission points of the two laser beams is 240 μm. As described above, by setting the interval between the light emitting points of the two laser beams to 240 μm, the reflected light from the disk (recording medium) 50 is condensed on the same photodetector 40 to perform signal reproduction. The light emitting point interval may be kept at 110 μm, and the light may be collected on separate photodetectors for each oscillation wavelength.
[0025]
In the third embodiment, as in the first embodiment, even when the optical pickup head is mounted on the optical pickup head, the required optical output of the low-output semiconductor laser generator is increased or the write signal is deteriorated. It is possible to prevent the optical pickup head from being invited, thereby contributing to a reduction in the number of components and the manufacturing cost of the optical pickup head to be mounted.
[0026]
In the above embodiment, the LD chip is of a monolithic type, but may have a multi-chip structure in which laser chips oscillating at different wavelengths are mounted in combination.
[0027]
Further, the wavelength is not limited to the above two or three wavelength bands, but can be selected according to the wavelength required by the optical disk system. Also at that time, the function and effect of the present invention can be exerted by unifying them in accordance with the high-output radiation angle.
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to contribute to the reduction in the number of components and the manufacturing cost of the mounted optical pickup head.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a laser generator of a multi-wavelength semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the multi-wavelength semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a multi-wavelength semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a multi-wavelength semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a configuration diagram of an optical pickup using two conventional single beam lasers.
FIG. 6 is a configuration diagram of an optical pickup using a two-wavelength semiconductor laser.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 2 wavelength semiconductor laser device 2 2 wavelength semiconductor laser LD chip 2A 3 wavelength semiconductor laser LD chip 3a Light emitting point 3b Light emitting point 3c Light emitting point 4 Submount 5 Separation groove 6 Stem block 8 Stem 10a Lead pin 10b Lead pin 10c Lead pin 10d Lead pin 12a Wire bonding 12b Wire bonding 12c Wire bonding 14a Low-power laser beam 14b High-power laser beam 20 Multi-wavelength semiconductor laser device 22 LD chip 26 Hologram element 36 Collimator lens 37 Start-up mirror 38 Objective lens 40 Photodetector 50 Recording medium (disk) )
