JP2004037947A - 熱加工処理装置およびその温度制御プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する熱加工処理装置において、前記被覆体を加熱・収縮させるヒータ11と、ヒータ11の温度を検出するサーミスタ12と、前記被覆体を熱収縮する目標温度とサーミスタ12が検出した検出温度との温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、ヒータ11への通電量を制御する制御部13とを備える。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する熱加工処理装置とその温度制御プログラムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、光ファイバの融着接続を行う場合、図8及び図9に示すように、被覆1aを除去した裸ファイバ1bの状態で光ファイバ1相互を接続する。このため、融着接続された光ファイバ1は、伝送特性に影響がないように接続部を保護する必要がある。このような保護手段として、光ファイバ1の接続部を接着剤2で覆うとともに、接着剤2に沿って金属棒やガラス繊維等の抗張力体3を配置し、これらの周囲に熱収縮チューブからなる被覆体4を配置する。その後、被覆体4をヒータ5で加熱・収縮して被覆し、補強部として加工する場合がある。
【0003】
この補強部の加工を行う場合、従来、熱収縮チューブを加熱・収縮させる際、つぎのような2つの方式によってヒータ5の温度制御を行っていた。すなわち、第1の方式は、ヒータ5による加熱を開始し、その後目標温度に達したらヒータ5の電源をオフし、目標温度から所定温度範囲以下になると再び電源をオンにすることで、ヒータ5の温度が目標温度に維持されるように制御する。一方、第2の方式は、ヒータ5が目標温度で発熱する一定の電流(アナログ値)を予め測定しておき、この電流を定常的に流すことでヒータ5の温度が目標温度となるように制御している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した第1の方式では、目標温度まで一気に加熱することから、目標温度からのオーバーシュート量が大きく、被覆体4が耐熱温度以上に過熱されてしまい、被覆体4が劣化する等によって、補強部の信頼性が欠けるという問題があった。
【0005】
一方、上述した第2の方式は、ヒータ5が目標温度に到達して安定することを条件とするが、この目標温度に達するまでに多大の時間がかかるため、補強部の加工に要する作業時間が長くなるという問題点があった。
【0006】
この発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、被覆体4が劣化しない適正な温度範囲内で加熱でき、かつ補強部の加工に要する作業時間を短縮することができる加工処理装置およびその温度制御プログラムを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1にかかる熱加工処理装置は、互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する熱加工処理装置において、前記被覆体を加熱・収縮させるヒータと、前記ヒータの温度を検出する温度検出手段と、前記被覆体を熱収縮する目標温度と前記温度検出手段が検出した検出温度との温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記ヒータへの通電量を制御する温度制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0008】
この請求項1の発明によれば、温度制御手段が、被覆体を熱収縮する目標温度と温度検出手段が検出した検出温度との温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、ヒータへの通電量を制御するようにしているので、ヒータの加熱当初における温度上昇を急速に行えるとともに、検出温度が目標温度に近づくにつれ温度上昇を抑え、オーバーシュートを抑え、迅速に安定した目標温度に設定することができる。
【0009】
また、請求項2の発明にかかる熱加工処理装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成することを特徴とする。
【0010】
この請求項2の発明によれば、前記制御手段が、前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を強制的に生成し、前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成するようにしているので、一層迅速、かつ安定にヒータを目標温度に設定することができる。
【0011】
また、請求項3の発明にかかる熱加工処理装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に比例して前記デューティ比が増大するPWM信号を生成することを特徴とする。
【0012】
また、請求項4の発明にかかる熱加工処理装置は、上記の発明において、前記制御手段は、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に対応して単調増加する値をもつPWM信号を生成することを特徴とする。
【0013】
また、請求項5の発明にかかる温度制御プログラムは、互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する場合に用いる温度制御プログラムにおいて、前記被覆体を加熱・収縮させるヒータと、前記ヒータの温度を検出する温度検出手段と、前記被覆体を熱収縮する目標温度と前記温度検出手段が検出した検出温度との温度差を検出する温度検出ステップと、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記被覆体を加熱・収縮させるヒータへの通電量を制御する温度制御ステップとを含むことを特徴とする。
【0014】
また、請求項6の発明にかかる温度制御プログラムは、上記の発明において、前記温度制御ステップは、前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を生成する第1温度制御ステップと、前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成する第2温度制御ステップとを含むことを特徴とする。
【0015】
また、請求項7の発明にかかる温度制御プログラムは、上記の発明において、前記温度制御ステップは、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に比例して前記デューティ比が増大するPWM信号を生成することを特徴とする。
【0016】
また、請求項8の発明にかかる温度制御プログラムは、上記の発明において、前記温度制御ステップは、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に対応して単調増加する値をもつPWM信号を生成することを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、この発明にかかる熱加工処理装置およびその温度制御プログラムの好適な実施の形態について説明する。
【0018】
図1は、この発明の実施の形態である熱加工処理装置の構成を示すブロック図である。図1において、熱加工処理装置10は、ヒータ11、サーミスタ12、制御部13及び電源18を有する。ヒータ11は、融着接続された光ファイバの接続部に配置した被覆体を加熱・収縮させる熱源であり、例えば、面状のヒータが用いられる。ここで、光ファイバの接続部は、図1に示すようにヒータ11とサーミスタ12との間に配置される。被覆体としては、フッ素樹脂,ポリオレフィン,シリコーンゴム,エチレンプロピレンゴム等の熱収縮チューブが用いられる。サーミスタ12は、加熱されたヒータ11の温度を検出する検出部である。なお、サーミスタ12に限らず、各種の熱電対や測温抵抗体を用いることもできる。
【0019】
制御部13は、被覆体を加熱・収縮するに最も適した最終的なヒータ温度であって設定される目標温度とサーミスタ12が検出した検出温度との温度差をもとにPWM信号を生成する。主制御部15は、予め設定した目標温度に対応する電圧値Vtとサーミスタ12が検出した検出温度に対応する電圧値Vthとを減算アンプ16に出力する。減算アンプ16は、電圧値Vtと電圧値Vthとの差を演算し、この差電圧を比較器17に出力する。
【0020】
比較器17には、減算アンプ16の演算結果である差電圧と、ノコギリ波発生部14から出力されるノコギリ波とが入力され、比較器17は、入力された差電圧の値に対応したPWM信号を電源18に出力する。電源18は、このPWM信号に対応してヒータ11に通電する。すなわち、制御部13は、PWM信号のデューティ比に対応してヒータ11への通電量を制御する。
【0021】
たとえば、比較器17から出力された差電圧がΔV1である場合、図2に示すように約80%のデューティ比となり、ヒータ11への平均通電期間が80%となる。なお、差電圧が大きい場合、たとえばΔVUの場合、デューティ比は100%となり、ヒータ11は常時通電状態となる。また、差電圧が小さい場合、たとえばΔVLの場合、デューティ比は0%となり、ヒータ11へは通電されない。
【0022】
ここで、熱加工処理装置1が熱加工する対象は、図8および図9に示したように、融着接続された光ファイバの接続部に熱収縮チューブからなる被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成することである。この場合における制御部13の温度制御処理について説明する。
【0023】
図3に示すように、制御部13は、被覆体4が加熱・収縮するのに最も適した目標温度TMを設定する。さらに、目標温度TMに比して低い副目標温度TSBを設定する。この目標温度TMと副目標温度TSBとは主制御部15内に設定される。なお、具体的に、被覆体4である熱収縮チューブに対する加熱温度は約200℃であるため、目標温度TMは200℃に設定され、副目標温度TSBは160℃に設定される。
【0024】
主制御部15は、検出温度Tが副目標温度TSBまでの間、すなわち図4において温度差ΔTがΔT≧ΔT1の場合、デューティ比Rdを100%にしてヒータ11を急速に温度上昇させる。主制御部15は、検出温度Tが副目標温度TSBを越えると、すなわち温度差ΔTがΔT1未満になった場合、温度差ΔTの値に比例してデューティ比Rdを減少させ、温度差ΔTが零になった場合、デューティ比Rdを零にし、目標温度TMを維持する制御を行う。
【0025】
図5は、このデューティ比Rdの時間変化を示す図である。図5において、検出温度TがTSBの時点に対応する時刻t1までは、デューティ比Rdは100%に維持され、その後、温度差ΔTに比例してデューティ比Rdが減少する。
【0026】
この結果、検出温度Tが温度TSBに到達するまではデューティ比Rdが100%であるため、ヒータ11は急速に加熱され、短時間で温度TSBに到達するとともに、検出温度Tが温度TSBに到達した以降は、温度差ΔTに比例したデューティ比Rdに減少していくため、大きなオーバーシュートを発生させず、振動も少なく、目標温度TMに短時間で安定することになる。
【0027】
なお、上述した実施の形態では、図4に示す直線L0に示すように温度差ΔTとデューティ比Rdとが比例するように制御しているが、これに限らず、たとえば上に凸の曲線L1、下に凸の曲線L2、さらにはS字の曲線L3のような温度差ΔTとデューティ比Rdとの関係を関数として持たせるようにしてもよい。この場合、温度差ΔTの増大とともにデューティ比Rdが増大する単調増加関数とすることが好ましい。
【0028】
さらに、初期温度T0と目標温度TMとの間に設定される副目標温度TSBを複数設け、温度差ΔTの制御領域を3つ以上に設定し、温度差ΔTとデューティ比Rdとの比例関係を変化させるようにしてもよい。たとえば、図6に示すように、副目標温度TSBに比して低い温度である副目標温度TSB’をさらに設け、さらに微細にデューティ比Rdすなわち通電量を制御するようにしてもよい。
【0029】
また、上述した実施の形態では、検出温度TがT0〜TSMまでの間、すなわちΔT2〜ΔT1の間は、デューティ比Rdを100%となるようにしていたが、図7に示すように、全温度領域において、すなわち検出温度TがT0のときから、デューティ比Rdを温度差ΔTに比例させる制御を行うようにしてもよい。この場合、上述したように、上に凸の曲線L11、下に凸の曲線L12、あるいはS字の曲線L13のような関数、すなわち単調増加関数によってデューティ比Rdを変化させるようにしてもよい。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1〜8の発明によれば、温度制御手段が、被覆体を熱収縮する目標温度と温度検出手段が検出した検出温度との温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、ヒータへの通電量を制御するようにし、あるいは前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成するようにしているので、ヒータの加熱当初における温度上昇を急速に行えるとともに、検出温度が目標温度に近づくにつれ温度上昇を抑え、オーバーシュートを抑え、迅速に安定した目標温度に設定することができる。この結果、光ファイバの補強部の加工に要する時間が短縮され、しかも安定した温度で被覆体が加熱されるため、被覆体の劣化を回避され補強部の信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態である熱加工処理装置の構成を示すブロック図である。
【図2】PWM信号による通電量制御を説明する波形図である。
【図3】時間経過に対するヒータの温度変化を示す図である。
【図4】目標温度と検出温度との温度差に対するデューティ比の関係を示す図である。
【図5】時間経過に対するデューティ比の変化を示す図である。
【図6】この発明の実施の形態の応用例による目標温度と検出温度との温度差に対するデューティ比の関係を示す図である。
【図7】この発明の実施の形態の変形例による目標温度と検出温度との温度差に対するデューティ比の関係を示す図である。
【図8】光ファイバの接続部を被覆体で被覆し補強部を形成する状態を示す部分断面図である。
【図9】図8に示した補強部の縦断面図である。
【符号の説明】
10 熱加工処理装置
11 ヒータ
12 サーミスタ
13 制御部
14 ノコギリ波発生部
15 主制御部
16 減算アンプ
17 比較器
18 電源
TM 目標温度
TSB 副目標温度
Claims (8)
- 互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する熱加工処理装置において、
前記被覆体を加熱・収縮させるヒータと、
前記ヒータの温度を検出する温度検出手段と、
前記被覆体を熱収縮する目標温度と前記温度検出手段が検出した検出温度との温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記ヒータへの通電量を制御する温度制御手段と、
を備えたことを特徴とする熱加工処理装置。 - 前記制御手段は、前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の熱加工処理装置。
- 前記制御手段は、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に比例して前記デューティ比が増大するPWM信号を生成することを特徴とする請求項1または2に記載の熱加工処理装置。
- 前記制御手段は、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に対応して単調増加する値をもつPWM信号を生成することを特徴とする請求項1または2に記載の熱加工処理装置。
- 互いに融着接続された光ファイバの接続部に沿って抗張力体が配置され、前記接続部及び抗張力体の周囲に接着剤を介して被覆体を加熱・収縮させて被覆し、補強部を形成する場合に用いる温度制御プログラムにおいて、
前記被覆体を加熱・収縮させるヒータと、
前記ヒータの温度を検出する温度検出手段と、
前記被覆体を熱収縮する目標温度と前記温度検出手段が検出した検出温度との温度差を検出する温度検出ステップと、
前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成し、前記被覆体を加熱・収縮させるヒータへの通電量を制御する温度制御ステップと、
を含むことを特徴とする温度制御プログラム。 - 前記温度制御ステップは、
前記目標温度に加え該目標温度未満の副目標温度を設定し、前記副目標温度までは100%のデューティ比をもつPWM信号を生成する第1温度制御ステップと、
前記副目標温度から前記目標温度までの間を、前記温度差に対応したデューティ比をもつPWM信号を生成する第2温度制御ステップと、
を含むことを特徴とする温度制御プログラム。 - 前記温度制御ステップは、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に比例して前記デューティ比が増大するPWM信号を生成することを特徴とする請求項5または6に記載の温度制御プログラム。
- 前記温度制御ステップは、前記目標温度までの間あるいは前記副目標温度から前記目標温度までの間、前記温度差に対応して単調増加する値をもつPWM信号を生成することを特徴とする請求項5または6に記載の温度制御プログラム。
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JP2002196474A JP2004037947A (ja) | 2002-07-04 | 2002-07-04 | 熱加工処理装置およびその温度制御プログラム |
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JP2004037947A true JP2004037947A (ja) | 2004-02-05 |
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JP2002196474A Pending JP2004037947A (ja) | 2002-07-04 | 2002-07-04 | 熱加工処理装置およびその温度制御プログラム |
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Cited By (3)
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JP2009038963A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-02-19 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 車両用電源装置 |
CN110267371A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-09-20 | 北京烯研科技有限公司 | 面状电热装置的整面防过热保护系统及一种加热设备 |
US20200338298A1 (en) * | 2008-03-06 | 2020-10-29 | ResMed Pty Ltd | Humidification of respiratory gases |
-
2002
- 2002-07-04 JP JP2002196474A patent/JP2004037947A/ja active Pending
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