JP2004018904A - Remote type gas supplying apparatus - Google Patents

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JP2004018904A
JP2004018904A JP2002172922A JP2002172922A JP2004018904A JP 2004018904 A JP2004018904 A JP 2004018904A JP 2002172922 A JP2002172922 A JP 2002172922A JP 2002172922 A JP2002172922 A JP 2002172922A JP 2004018904 A JP2004018904 A JP 2004018904A
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Japan
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container
remote
gas
electrode
processing gas
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JP2002172922A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenzo Sano
佐野  健三
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To supply treating gas between facing electrodes by making uniformity of flowing rate of the treating gas, in remote type electrodes. <P>SOLUTION: A supplying apparatus for treating gas, is composed of a first vessel 11 connected to a treating gas supplying hole 10, a second vessel 12 arranged so as to include the whole body of the first vessel 11, and a third vessel 13 adjoined with the second vessel 12 through a gas passage 14 and connected to treating gas introducing holes 56 and 57 for the remote-type electrodes. The first vessel 11 is formed of a hollow cylindrical body 21 where the connecting part 22 of the treating gas supplying hole 10 and the end part 23 at the opposite side are closed, and the gas blowing-out holes 24 are formed at prescribed intervals P(P1-P3) along the longitudinal direction of this cylindrical body 21, so that the intervals P of the gas blowing-out holes 24 is gradually shorten toward the end 23 side from the connecting part 22 side (P1 > P2 > P3). <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、体気圧近傍の圧力下で発生させた放電プラズマを利用して被処理体を処理する放電プラズマ処理装置に係り、より詳細には、リモート型電極に処理ガスを均一に供給するためのリモート型ガス供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、低圧条件下でグロー放電プラズマを発生させて被処理体の表面改質または被処理体上に薄膜形成を行う方法が実用化されている。しかし、これらの低圧条件下における処理装置は、真空チャンバー、真空排気装置などが必要であるため、表面処理装置が高価なものとなり、大面積基板等を処理する際にはほとんど用いられていなかった。
【0003】
そこで、大気圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを利用して被処理体の処理を行う放電プラズマ処理装置が提案されている。
【0004】
例えば特開平6−2149号公報、特開平7−85997号公報等には、上部電極と下部電極からなる平行平板型電極(対向電極)を反応槽内に配置し、その平行平板型電極間に被処理体を配置し、反応槽内に処理ガスを導入した状態で、平行平板型電極間に電圧を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマで被処理体を処理するダイレクト方式のプラズマ処理装置が提案されている。
【0005】
また、他の処理装置として、被処理体を放電空間中に配置するのではなく、被処理体を放電空間外に配置し、放電空間からのプラズマを被処理体に吹き付けるリモート方式のプラズマ処理装置が提案されている。
【0006】
例えば、特開平11−335868号公報には、平行平板型の対向電極間に電界を印加することにより放電プラズマを発生させるとともに、被処理体の表面付近を強制的に排気することにより、放電プラズマを被処理体表面に導いて処理を行うプラズマ処理装置が提案されている。
【0007】
ところで、平行平板型の対向電極間に電界を印加することにより放電プラズマを発生させるリモート型電極を用いた放電プラズマ装置では、対向電極間から処理ガスが均一に吹き出すようにするために、処理ガス供給口とリモート型電極の処理ガス導入口との間にリモート型ガス供給装置が設けられている。
【0008】
リモート型ガス供給装置は、処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に安定的に導くためのものである。
【0009】
このようなガス供給装置の例として、特開平8−279468号公報には、平面形状が先端に向かう程幅狭な縦長の台形状でかつ長手方向と直交する横断面が四角形状の角筒体よりなる石英製の中空部材と、この中空部材の両側壁面に中空部材の長さ方向に沿って形成された複数のガス吹き出し孔とにより構成されたガス供給装置が提案されている。
【0010】
また、特開平9−129615号公報には、上部電極の下側に処理ガス拡散室が設けられ、この処理ガス拡散室から処理室に処理ガスを導入するための処理ガス供給路を、中心から上部電極の外周方向に向かってその長さが所定の割合で短くなるように構成することにより、各処理ガス供給路ごとの流量を均一にしたガス供給装置(処理ガス拡散室)が提案されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記ガス供給装置はいずれも、中空部材の形状や処理ガス供給路の長さを工夫することで、処理ガスを処理室内に均一に供給するようになっており、処理ガス吹き出し孔や処理ガス供給路自体については、一定のピッチで形成されている。また、これらのガス供給装置は、ダイレクト方式のプラズマ処理装置に適用されるものであり、リモート方式のプラズマ処理装置、すなわちリモート型電極に適用できる構造とはなっていない。
【0012】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、リモート型電極において、処理ガスの流量を均一にして対向電極間に供給することのできるリモート型ガス供給装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明のリモート型ガス供給装置は、処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に導くものであって、前記処理ガス供給口に連結された第1容器と、この第1容器全体を内包するように設けられた第2容器と、この第2容器とガス連通路を介して隣設されるとともに前記リモート型電極の処理ガス導入口に連結された第3容器とからなり、前記第1容器は、前記処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成されるとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔が形成されていることを特徴としている。また、前記ガス吹き出し孔の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されている。
【0014】
このような特徴を有する本発明によれば、第2容器は、第1容器から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を有する。すなわち、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくしている。ここで、中空の円筒体である第1容器の周側面に形成されたガス吹き出し孔の長手方向の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されている。円筒形状に形成された第1容器では、一般的に、処理ガス供給源から処理ガスが供給される連結部側から先端部に向かうに従って圧力は高くなる。そこで、第1容器内でのこのような圧力分布を考慮し、ガス吹き出し孔を設ける間隔を、連結部側を疎、端部側を密となるように形成している。これにより、第1容器の各ガス吹き出し孔からは、均一な流量の処理ガスが第2容器内に吹き込まれる。
【0015】
ここで、第2容器の容積を、第1容器の容積の少なくとも5倍以上、例えば5〜20倍程度とする。このようにすることにより、第2容器のバッファとしての機能を充分に発現させることができる。
【0016】
また、第2容器に形成されたガス連通路の幅を、リモート型電極の対向電極間の幅と同じか幅広に形成する。このように幅を設定することで、第2容器から第3容器への処理ガスの導入をスムーズに行うことができる。
【0017】
さらに、第3容器は、第2容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定し、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の処理ガス導入口の幅を、第3容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成する。これにより、第3容器からリモート型電極の対向電極間に導入される処理ガスの流れをよりスムーズに、かつ流速を均一にすることができる。
【0018】
リモート型電極は、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有し、その一対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固有誘電体が設けられてなる対向電極間に、電界を印加することによりグロー放電プラズマを発生する構造となっている。
【0019】
ここで、対向電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。対向電極を構成する一対の電極の形状は、特に限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、対向電極間の距離が一定となる構造であることが好ましい。より好ましくは一対の電極の間が平行平坦部を有する形状であり、特に、一対の電極がともに略平面形状であることが好ましい。
【0020】
本発明において、対向電極の各電極の端部を曲面化加工することにより、ストリーマーの発生を抑制することができる。曲面化加工を行う場合の曲率半径は、特に限定されないが、好ましくは0.5mm以上で電極板厚み未満が好ましい。0.5mm未満では、ストリーマーの発生の抑制効果が不十分である。
【0021】
本発明において、個体誘電体は、対向電極の電極対向面の一方または双方に設置される。この際、個体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにする。個体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすい。
【0022】
上記個体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【0023】
特に、25℃環境下における比誘電率が10以上のものである個体誘電体を用いれば、低電圧で高密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では18,500程度のものが入手可能である。特に好ましくは比誘電率が10〜100の個体誘電体である。上記比誘電率が10以上である個体誘電体の具体例としては、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物を挙げることができる。
【0024】
上記個体誘電体の厚みは、0.01〜4mmであることが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【0025】
対向電極の距離は、個体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、0.1〜5mmであることが好ましい。0.1mm未満では、電極間の間隔を置いて設置するのに充分でないことがあり、一方、5mmを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい0.5〜3mmの間隔である。
【0026】
このような対向電極間に、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び/または立ち下がり時間が、10μs以下である電界が好ましい。10μsを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、40ns未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。より好ましくは50ns〜5μsである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧(絶対値)が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧(絶対値)が連続して減少する時間を指すものとする。
【0027】
上記電界の電界強度は、10〜1000kV/cmとなるようにするのが好ましい。電界強度が10kV/cm未満であると処理に時間がかかりすぎ、1000kV/cmを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【0028】
上記電界の周波数は、0.5kHz以上であることが好ましい。0.5kHz未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている13.56MHz、試験的に使用されている50MHzといった高周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱い性を考慮すると、500kHz以下が好ましい。
【0029】
本発明のリモート型ガス供給装置を用いたリモート型電極によるプラズマ処理装置は、どのような圧力下でも用いることができるが、常圧放電プラズマ処理に用いるとその効果を十分に発揮でき、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【0030】
上記大気圧近傍の圧力下とは、1.333×104 〜10.664×104 Paの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる9.331×104 〜10.397×104 Paの範囲が好ましい。
【0031】
本発明において処理できる被処理体としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック、金属、シリコンウェハ等が挙げられる。被処理体の形状としては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明によれば、様々な形状を有する被処理体の処理に容易に対応することができる。
【0032】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的に応じて種々のガスを使用できる。
【0033】
上記処理ガスとして、CF4 、C2 6 、CClF3 、SF6 等のフッ素含有化合物ガスを用いることによって、撥水性表面を得ることができる。
【0034】
また、処理ガスとして、O2 、O3 、水、空気等の酸素元素含有化合物、N2 NH3 等の窒素元素含有化合物、SO2 、SO3 等の硫黄元素含有化合物を用いて、被処理体の表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積することもできる。
【0035】
さらに、Si、Ti、Sn等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコール等の処理ガスを用いて、SiO2 、TiO2 、SnO2 等の金属酸化物薄膜を形成させることができる。
【0036】
さらに、被処理体の表面に電気的・光学的機能を与えたり、被処理体の表面から有機物除去、レジスト除去、高分子フィルムの接着性向上、ガラス系基板・プリント配線基板(FPC)の洗浄、成膜、金属除去、デスミア、アッシング、エッチング、デスカム、滅菌洗浄などに利用できる。
【0037】
経済性及び安全性の観点から、上記処理ガス単独雰囲気よりも、以下に挙げるような希釈ガスによって希釈された雰囲気中で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素気体等が挙げられる。これらは単独でも2種類以上を混合して用いてもよい。
【0038】
なお、このような放電プラズマ処理によれば、プラズマ発生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能である。公知の低圧条件下におけるプラズマ処理はもちろん、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においても、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明に係わるプラズマ処理においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低機密系での処理が可能となる。
【0039】
本発明によると、対向電極間において直接大気圧下で放電を発生させることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間隔等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0041】
図1ないし図4は、本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極の構造を示しており、図1は一部断面で示す平面図、図2は一部断面で示す側面図、図3は底面図、図4は側面より見た断面図である。また、図5は、第1容器の外観を示す側面図である。
【0042】
まず、リモート型電極について説明する。
【0043】
リモート型電極は、主に図4に示すように、筐体40内に電圧印加電極52と、その両側にそれぞれ配置された接地電極51,53とからなる平行平板型の対向電極が設けられており、この対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固定誘電体で被覆されている。そして、接地電極51と電圧印加電極52の間に形成される放電空間54、及び電圧印加電極52と接地電極53との間に形成される放電空間55に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外(この例では、対向電極の下部)に配置された被処理体である基材(二点鎖線により示す)60の表面に導いて処理(例えば表面濡れ性付与など)を施すようになっている。
【0044】
すなわち、処理ガスは、放電空間54及び55の上部の筐体40に形成されたスリット状の処理ガス導入口56,57から放電空間54,55に導入され、放電空間54,55内で図示しない電源から電極に電界を印加することによりプラズマ化され、スリット状のプラズマ吹き出し口54a,55aから基材60に向かって吹き出されるようになっている。
【0045】
また、電圧印加電極52及び接地電極51,53にはそれぞれ冷却水流路58a,58bが形成されており、本実施の形態では、冷却水流路58aから冷却水を導入し、冷却水流路58bから排出するようになっている。
【0046】
なお、本実施の形態では、電圧印加電極52の左右両側に接地電極51,53を対向配置しているが、もちろん一対の対向電極構造(例えば、電圧印加電極52と接地電極51、または電圧印加電極52と接地電極53の組み合わせ)であってもよい。
【0047】
次に、本実施の形態のリモート型ガス供給装置について説明する。
【0048】
本実施の形態のリモート型ガス供給装置1は、図示しないガス供給源から供給される処理ガスを、処理ガス供給口10から導入し、リモート型電極の処理ガス導入口56,57に導く構造となっている。
【0049】
すなわち、処理ガス供給口10に連結された第1容器11と、この第1容器11全体を内包するように設けられた第2容器12と、この第2容器12とスリット状のガス連通路14,14を介して隣設された第3容器13とからなり、この第3容器13内に、リモート型電極の処理ガス導入口56,57が臨むように構成されている。
【0050】
第1容器11は、主に図5に示すように、中空の円筒体21に形成されており、この円筒体21の基端部側が処理ガス供給口10に連結されている。また、この連結部22と反対側の端部23は閉塞されている。この円筒体21の外周面には、周方向に沿って4箇所(または8箇所)にガス吹き出し孔24,24・・・が均等に形成されており、このように均等に形成されたガス吹き出し孔24,24・・・が、長手方向に沿って所定の間隔(ピッチ)Pで形成されている。本実施の形態では、この長手方向に沿って形成されたガス吹き出し孔24,24・・・の間隔(ピッチ)Pが、連結部22側から端部23側に向かって次第に短くなるように形成されている。 具体的には、円筒体21の長さを250mm、外径をφ16mm、内径をφ13mm、ガス吹き出し孔24の径をφ0.5mmとした場合、例えば、連結部22寄りではピッチP1が12mm、中央部ではピッチP2が10mm、端部23寄りではピッチP3が8mmとなるように、ピッチPをリニアに短くしている。ただし、リニアではなく、段階的に短くなるように(すなわち、間隔が段階的に疎から密になるように)形成してもよい。
【0051】
なお、端部23の圧力が高いので、端部23近傍の間隔を再び疎となるように構成してもよい。すなわち、連結部22から端部23に向かって、間隔が疎、密、疎となるように形成しても、各ガス吹き出し孔24,24・・・から処理ガスを均一に吹き出させることが可能である。
【0052】
第2容器12は、このような円筒体21の第1容器11全体を内包するように設けられた断面四角形状の箱状中空体に形成されており、その容積は、第1容器11の少なくとも5倍以上、例えば5〜20倍程度としている。第2容器12は、第1容器11から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を有し、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくする役目を果たしている。従って、バッファとしての機能を十分に果たすためには、第1容器11の容積の少なくとも5倍以上の容積が必要となる。一方、20倍以上にしても、バッファとしての機能はほとんど変わらないため、装置の小型化を考慮すれば、20倍程度までで十分である。
【0053】
また、第2容器12の底面であり、かつ第3容器13の上面でもある仕切板15には、その左右両側に平行にスリット状のガス連通路14,14が形成されている。第2容器12内でほぼ静圧状態となった処理ガスは、このガス連通路14,14を通って第3容器13に導入される。この場合、ガス連通路14のスリット幅t2は、リモート型電極の放電空間54,55の幅t1と同じか多少幅広に形成されている。このように幅を設定することで、第2容器12から第3容器13への処理ガスの導入がスムーズに行われることになる。
【0054】
第3容器13は、第2容器12と同様、断面四角形状の箱状中空体に形成されており、かつ、第2容器12の容積と同じかそれよりも小さい容積に設定されている。また、第2容器12の底面に開口するリモート型電極の処理ガス導入口56,57の幅は、第3容器13内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するようなロート状に形成されている。これにより、第3容器13からリモート型電極の対向電極間である放電空間54,55に導入される処理ガスの流れがよりスムーズとなり、流速を均一にすることができる。
【0055】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第1容器を、処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成するとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔を形成している。また、このガス吹き出し孔の間隔を、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成している。これにより、第1容器の各ガス吹き出し孔から、均一な流量の処理ガスを第2容器内に吹き込むことができる。また、第2容器の容積を、第1容器の容積の少なくとも5倍以上としたので、第2容器は第1容器から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を充分に発現することができる。すなわち、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくすることができる。また、第2容器に形成したスリットの幅を、リモート型電極の対向電極間の幅と同じか広い幅に形成したので、第2容器から第3容器への処理ガスの導入をスムーズに行うことができる。さらに、第3容器を第2容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定し、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の処理ガス導入口の幅を、第3容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成したので、第3容器からリモート型電極の対向電極間に導入される処理ガスの流れをよりスムーズに、かつ流速を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す平面図である。
【図2】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す側面図である。
【図3】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す底面図である。
【図4】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を側面より見た断面図である。
【図5】本発明に係わる第1容器の外観を示す側面図である。
【符号の説明】
1 リモート型ガス供給装置
10 処理ガス供給口
11 第1容器
12 第2容器
13 第3容器
14 ガス連通路
15 仕切板
21 円筒体
22 連結部
23 端部
24 ガス吹き出し孔
40 筐体
51,53 接地電極
52 電圧印加電極
54,55 放電空間
54a,55b プラズマ吹き出し口
56,57 処理ガス導入口
58a,58b 冷却水流路
60 基材
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a discharge plasma processing apparatus for processing an object to be processed using discharge plasma generated under a pressure near body pressure, and more particularly, to uniformly supply a processing gas to a remote electrode. Related to a remote type gas supply device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of generating a glow discharge plasma under low-pressure conditions and modifying the surface of a processing target or forming a thin film on the processing target has been put to practical use. However, the processing apparatus under these low-pressure conditions requires a vacuum chamber, a vacuum evacuation apparatus, and the like, so that the surface processing apparatus becomes expensive, and is hardly used when processing a large-area substrate or the like. .
[0003]
Therefore, a discharge plasma processing apparatus has been proposed in which discharge plasma is generated under a pressure close to the atmospheric pressure, and the target plasma is processed using the discharge plasma.
[0004]
For example, JP-A-6-2149, JP-A-7-85997, and the like disclose a parallel plate type electrode (counter electrode) composed of an upper electrode and a lower electrode in a reaction vessel, and provide a space between the parallel plate type electrodes. A direct method in which an object to be processed is placed and a processing gas is introduced into the reaction tank, a discharge plasma is generated by applying a voltage between the parallel plate electrodes, and the object to be processed is processed by the discharge plasma. A plasma processing apparatus has been proposed.
[0005]
Also, as another processing apparatus, a remote-type plasma processing apparatus that places an object to be processed outside the discharge space and blows plasma from the discharge space onto the object to be processed, instead of disposing the object in the discharge space. Has been proposed.
[0006]
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-335868 discloses that a discharge plasma is generated by applying an electric field between parallel plate-type counter electrodes and forcibly exhausting the vicinity of the surface of the object to be processed. A plasma processing apparatus has been proposed which conducts a process by guiding the surface of the object to be processed.
[0007]
By the way, in a discharge plasma apparatus using a remote type electrode that generates discharge plasma by applying an electric field between parallel plate-type counter electrodes, the processing gas is blown uniformly between the counter electrodes. A remote gas supply device is provided between the supply port and the processing gas introduction port of the remote electrode.
[0008]
The remote type gas supply device is for stably guiding the processing gas introduced from the processing gas supply port to the processing gas introduction port of the remote type electrode.
[0009]
As an example of such a gas supply device, Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-279468 discloses a rectangular tubular body having a vertically long trapezoidal shape with a narrower planar shape toward the tip and a rectangular cross section orthogonal to the longitudinal direction. There has been proposed a gas supply device including a quartz hollow member made of quartz and a plurality of gas blowing holes formed on both side walls of the hollow member along the longitudinal direction of the hollow member.
[0010]
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-129615, a processing gas diffusion chamber is provided below an upper electrode, and a processing gas supply passage for introducing a processing gas from the processing gas diffusion chamber to the processing chamber is provided from the center. A gas supply device (processing gas diffusion chamber) has been proposed in which the length of the upper electrode is reduced at a predetermined ratio toward the outer peripheral direction, so that the flow rate of each processing gas supply path is made uniform. I have.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
In any of the above gas supply devices, the processing gas is uniformly supplied into the processing chamber by devising the shape of the hollow member and the length of the processing gas supply path. The road itself is formed at a constant pitch. Further, these gas supply apparatuses are applied to a direct plasma processing apparatus, and do not have a structure applicable to a remote plasma processing apparatus, that is, a remote electrode.
[0012]
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a remote-type gas supply device capable of supplying a processing gas at a uniform flow rate between remote electrodes in a remote-type electrode. .
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The remote gas supply device of the present invention guides a processing gas introduced from a processing gas supply port to a processing gas introduction port of a remote electrode, and a first container connected to the processing gas supply port, A second container provided so as to include the entire first container, and a third container adjacent to the second container via a gas communication passage and connected to a processing gas inlet of the remote electrode. The first container is formed in a hollow cylindrical body whose end opposite to the connection portion of the processing gas supply port is closed, and has a predetermined interval along the longitudinal direction of the cylindrical body. And a gas blowing hole is formed. Further, the gap between the gas blowing holes is formed so as to gradually decrease from the connecting portion side toward the end portion side.
[0014]
According to the present invention having such characteristics, the second container has a function as a buffer for reducing the pressure of the processing gas blown out of the first container. That is, as the processing gas spreads in the container, the dynamic pressure decreases, and the influence of the flow of the processing gas is reduced. Here, the gas discharge holes formed on the peripheral side surface of the first container, which is a hollow cylindrical body, are formed such that the longitudinal gap therebetween gradually decreases from the connecting portion side toward the end portion side. In the first container formed in a cylindrical shape, the pressure generally increases from the connecting portion side to which the processing gas is supplied from the processing gas supply source toward the tip end. Therefore, in consideration of such a pressure distribution in the first container, the intervals at which the gas blowing holes are provided are formed so that the connecting portion side is sparse and the end portions are dense. Thereby, a processing gas having a uniform flow rate is blown into the second container from each gas blowing hole of the first container.
[0015]
Here, the volume of the second container is at least 5 times or more, for example, about 5 to 20 times the volume of the first container. By doing so, the function as a buffer of the second container can be sufficiently exhibited.
[0016]
Further, the width of the gas communication passage formed in the second container is formed to be equal to or wider than the width between the opposing electrodes of the remote electrode. By setting the width in this way, the processing gas can be smoothly introduced from the second container to the third container.
[0017]
Further, the volume of the third container is set to be the same as or smaller than the volume of the second container, and the width of the processing gas inlet of the remote electrode formed in the shape of a slit is set to the upper portion opening into the third container. From the side, it is formed so as to gradually decrease toward the lower side extending between the opposing electrodes of the remote type electrode. This makes it possible to make the flow of the processing gas introduced from the third container between the opposing electrodes of the remote electrode smoother and to make the flow velocity uniform.
[0018]
The remote-type electrode has a pair of electrodes facing each other at a predetermined interval, and applies an electric field between the counter electrodes each having a unique dielectric material provided on at least one electrode facing surface of the pair of electrodes. As a result, a glow discharge plasma is generated.
[0019]
Here, examples of the material of the counter electrode include a simple metal such as iron, copper, and aluminum, an alloy such as stainless steel and brass, and an intermetallic compound. The shape of the pair of electrodes constituting the counter electrode is not particularly limited, but is preferably a structure in which the distance between the counter electrodes is constant in order to avoid occurrence of arc discharge due to electric field concentration. More preferably, the space between the pair of electrodes has a parallel flat portion, and in particular, both the pair of electrodes preferably have a substantially planar shape.
[0020]
In the present invention, generation of a streamer can be suppressed by processing the end of each electrode of the counter electrode into a curved surface. The radius of curvature when performing the curved surface processing is not particularly limited, but is preferably 0.5 mm or more and less than the electrode plate thickness. If it is less than 0.5 mm, the effect of suppressing the occurrence of streamers is insufficient.
[0021]
In the present invention, the solid dielectric is placed on one or both of the electrode facing surfaces of the counter electrode. At this time, the solid dielectric and the electrode on the side to be installed are in close contact with each other, and the opposing surface of the contacting electrode is completely covered. If there is a portion where the electrodes directly face each other without being covered by the solid dielectric, arc discharge is likely to occur there.
[0022]
Examples of the solid dielectric include plastics such as polytetrafluoroethylene and polyethylene terephthalate, glass, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium dioxide, metal oxides such as titanium dioxide, and double oxides such as barium titanate. Can be
[0023]
In particular, when a solid dielectric having a relative dielectric constant of 10 or more in a 25 ° C. environment is used, a discharge plasma at a low voltage and a high density can be generated, and the processing efficiency is improved. The upper limit of the relative permittivity is not particularly limited, but about 18,500 of actual materials are available. Particularly preferred is a solid dielectric having a relative dielectric constant of 10 to 100. Specific examples of the solid dielectric having a relative dielectric constant of 10 or more include metal oxides such as zirconium dioxide and titanium dioxide, and double oxides such as barium titanate.
[0024]
The thickness of the solid dielectric is preferably 0.01 to 4 mm. If it is too thick, a high voltage may be required to generate discharge plasma, and if it is too thin, dielectric breakdown may occur when a voltage is applied, and arc discharge may occur.
[0025]
The distance between the opposing electrodes is appropriately determined in consideration of the thickness of the solid dielectric, the magnitude of the applied voltage, the purpose of utilizing the plasma, and the like, and is preferably 0.1 to 5 mm. If it is less than 0.1 mm, it may not be sufficient to place the electrodes at intervals, while if it is more than 5 mm, it is difficult to generate uniform discharge plasma. More preferably, it is an interval of 0.5 to 3 mm in which discharge is easily stabilized.
[0026]
An electric field such as a high frequency wave, a pulse wave, or a microwave is applied between such opposed electrodes to generate plasma. However, it is preferable to apply a pulsed electric field. In particular, the rising and / or falling time of the electric field is preferably An electric field of less than 10 μs is preferred. If the time exceeds 10 μs, the discharge state easily shifts to an arc, and becomes unstable, making it difficult to maintain a high-density plasma state due to a pulsed electric field. The shorter the rise time and the fall time, the more efficiently the gas is ionized during the generation of plasma. However, it is actually difficult to realize a pulse electric field having a rise time of less than 40 ns. More preferably, it is 50 ns to 5 μs. Here, the rise time refers to the time during which the voltage (absolute value) continuously increases, and the fall time refers to the time during which the voltage (absolute value) continuously decreases.
[0027]
It is preferable that the electric field strength of the electric field be 10 to 1000 kV / cm. If the electric field intensity is less than 10 kV / cm, it takes too much time for the treatment. If the electric field intensity exceeds 1000 kV / cm, arc discharge is likely to occur.
[0028]
The frequency of the electric field is preferably 0.5 kHz or more. If the frequency is less than 0.5 kHz, the processing takes too much time because the plasma density is low. The upper limit is not particularly limited, but may be a high-frequency band such as 13.56 MHz that is commonly used and 50 MHz that is used experimentally. Considering the easiness of matching with the load and the handling, the frequency is preferably 500 kHz or less.
[0029]
The plasma processing apparatus using the remote electrode using the remote gas supply apparatus of the present invention can be used under any pressure, but when used for normal pressure discharge plasma processing, the effect can be sufficiently exerted. When used under a pressure near the atmospheric pressure, the effect is sufficiently exhibited.
[0030]
The above-mentioned pressure near the atmospheric pressure refers to a pressure of 1.333 × 10 4 to 10.664 × 10 4 Pa. Above all, the pressure is preferably in the range of 9.331 × 10 4 to 10.297 × 10 4 Pa, which facilitates pressure adjustment and simplifies the device configuration.
[0031]
Examples of the object to be processed in the present invention include plastics such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyimide, liquid crystal polymer, epoxy resin, polytetrafluoroethylene, and acrylic resin, glass, ceramic, metal, and silicon wafer. And the like. Examples of the shape of the object to be processed include a plate shape and a film shape, but the shape is not particularly limited thereto. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can respond | correspond to the process of the to-be-processed object which has various shapes easily.
[0032]
The processing gas used in the present invention is not particularly limited as long as it is a gas that generates plasma by applying an electric field, and various gases can be used according to the processing purpose.
[0033]
A water-repellent surface can be obtained by using a fluorine-containing compound gas such as CF 4 , C 2 F 6 , CCIF 3 , or SF 6 as the processing gas.
[0034]
In addition, as a processing gas, an oxygen element-containing compound such as O 2 , O 3 , water, and air, a nitrogen element-containing compound such as N 2 NH 3 , and a sulfur element-containing compound such as SO 2 and SO 3 are used. By forming a hydrophilic functional group such as a carbonyl group, a hydroxyl group or an amino group on the surface of the body, the surface energy can be increased and a hydrophilic surface can be obtained. Further, a hydrophilic polymer film can be deposited using a polymerizable monomer having a hydrophilic group such as acrylic acid or methacrylic acid.
[0035]
Furthermore, using a processing gas such as a metal-hydrogen compound, a metal-halogen compound, or a metal alcohol of a metal such as Si, Ti, or Sn, a metal oxide thin film such as SiO 2 , TiO 2 , or SnO 2 can be formed. it can.
[0036]
Furthermore, the surface of the object to be processed is given electrical and optical functions, organic substances are removed from the surface of the object, resist is removed, the adhesion of the polymer film is improved, and the glass-based substrate and the printed wiring board (FPC) are cleaned. It can be used for film formation, metal removal, desmear, ashing, etching, descum, sterilization cleaning, etc.
[0037]
From the viewpoint of economy and safety, it is preferable to perform the treatment in an atmosphere diluted with a diluting gas as described below, rather than in the atmosphere of the treatment gas alone. Examples of the diluting gas include rare gases such as helium, neon, argon, and xenon, and nitrogen gas. These may be used alone or in combination of two or more.
[0038]
According to such discharge plasma treatment, glow discharge plasma can be generated regardless of the type of gas existing in the plasma generation space. In the atmospheric pressure plasma treatment under a specific gas atmosphere as well as the plasma treatment under the known low pressure condition, it is essential to perform the treatment in a closed container shielded from the outside air. , Processing can be performed in an open system or in a low-confidential system to the extent that free flow of gas is prevented.
[0039]
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is possible to generate a discharge under the atmospheric pressure directly between opposing electrodes, and implement | achieve a more simplified electrode structure, an atmospheric pressure plasma apparatus by a discharge procedure, and a processing method and high-speed processing. be able to. In addition, parameters relating to processing can be adjusted by parameters such as the frequency of an applied electric field, voltage, and electrode spacing.
[0040]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0041]
1 to 4 show the structure of a remote electrode including the remote gas supply device of the present invention. FIG. 1 is a plan view showing a partial cross section, FIG. 2 is a side view showing a partial cross section, and FIG. 3 is a bottom view, and FIG. 4 is a cross-sectional view as seen from the side. FIG. 5 is a side view showing the appearance of the first container.
[0042]
First, the remote type electrode will be described.
[0043]
As shown in FIG. 4, the remote type electrode is provided with a parallel plate type counter electrode composed of a voltage application electrode 52 and ground electrodes 51 and 53 disposed on both sides of the voltage application electrode 52 in a housing 40. At least one electrode facing surface of the counter electrode is covered with a fixed dielectric. The glow discharge plasma generated in the discharge space 54 formed between the ground electrode 51 and the voltage application electrode 52 and the discharge space 55 formed between the voltage application electrode 52 and the ground electrode 53 is converted into a plasma generation space. The treatment (for example, surface wettability imparting, etc.) is performed by guiding to the surface of a substrate (indicated by a two-dot chain line) 60, which is an object to be treated, disposed outside (in this example, below the counter electrode). I have.
[0044]
That is, the processing gas is introduced into the discharge spaces 54 and 55 from the slit-like processing gas introduction ports 56 and 57 formed in the housing 40 above the discharge spaces 54 and 55, and is not shown in the discharge spaces 54 and 55. When an electric field is applied to the electrode from a power supply, the electrode is turned into plasma, and is blown toward the base material 60 from the slit-shaped plasma outlets 54a and 55a.
[0045]
Cooling water channels 58a and 58b are formed in the voltage application electrode 52 and the ground electrodes 51 and 53, respectively. In the present embodiment, cooling water is introduced from the cooling water channel 58a and discharged from the cooling water channel 58b. It is supposed to.
[0046]
In the present embodiment, the ground electrodes 51 and 53 are arranged on both left and right sides of the voltage application electrode 52 so as to face each other. However, a pair of counter electrode structures (for example, the voltage application electrode 52 and the ground electrode 51 or the voltage (A combination of the electrode 52 and the ground electrode 53).
[0047]
Next, a remote gas supply device according to the present embodiment will be described.
[0048]
The remote type gas supply device 1 according to the present embodiment has a structure in which a processing gas supplied from a gas supply source (not shown) is introduced from a processing gas supply port 10 and guided to processing gas introduction ports 56 and 57 of a remote electrode. Has become.
[0049]
That is, a first container 11 connected to the processing gas supply port 10, a second container 12 provided so as to include the entire first container 11, and a slit-shaped gas communication passage 14 with the second container 12. , 14 and a third container 13 disposed adjacent to the processing gas inlets 56 and 57 of the remote type electrode.
[0050]
The first container 11 is mainly formed in a hollow cylindrical body 21 as shown in FIG. 5, and the base end side of the cylindrical body 21 is connected to the processing gas supply port 10. The end 23 opposite to the connecting portion 22 is closed. On the outer peripheral surface of the cylindrical body 21, gas blowing holes 24, 24... Are uniformly formed at four places (or eight places) along the circumferential direction. The holes 24 are formed at predetermined intervals (pitch) P along the longitudinal direction. In the present embodiment, the interval (pitch) P between the gas blowing holes 24, 24,... Formed along the longitudinal direction is formed so as to gradually decrease from the connecting portion 22 side toward the end portion 23 side. Have been. Specifically, when the length of the cylindrical body 21 is 250 mm, the outer diameter is 16 mm, the inner diameter is 13 mm, and the diameter of the gas blowing hole 24 is 0.5 mm, for example, the pitch P1 is 12 mm near the connecting portion 22 and the center is The pitch P is linearly shortened so that the pitch P2 is 10 mm in the portion and the pitch P3 is 8 mm near the end 23. However, instead of being linear, it may be formed so as to be gradually shortened (that is, so that the interval is gradually increased from sparse to dense).
[0051]
Since the pressure at the end 23 is high, the interval near the end 23 may be reduced again. That is, even if the gap is formed to be sparse, dense, and sparse from the connecting portion 22 toward the end portion 23, the processing gas can be uniformly blown out from each of the gas blowing holes 24, 24. It is.
[0052]
The second container 12 is formed in a box-like hollow body having a rectangular cross section provided so as to include the entire first container 11 of the cylindrical body 21, and has a volume at least equal to that of the first container 11. It is 5 times or more, for example, about 5 to 20 times. The second container 12 has a function as a buffer for lowering the pressure of the processing gas blown out of the first container 11, and the dynamic pressure decreases as the processing gas spreads in the container, thereby reducing the flow of the processing gas. Plays a role in reducing the effects of Therefore, in order to sufficiently fulfill the function as a buffer, the volume of the first container 11 must be at least five times or more. On the other hand, even if it is 20 times or more, the function as a buffer hardly changes. Therefore, considering the miniaturization of the device, up to about 20 times is sufficient.
[0053]
Further, the partition plate 15 which is the bottom surface of the second container 12 and also the upper surface of the third container 13 has slit-shaped gas communication passages 14 and 14 formed on both left and right sides thereof in parallel. The processing gas, which has been substantially in a static pressure state in the second container 12, is introduced into the third container 13 through the gas communication passages 14, 14. In this case, the slit width t2 of the gas communication passage 14 is formed to be equal to or slightly wider than the width t1 of the discharge spaces 54 and 55 of the remote electrode. By setting the width in this manner, the introduction of the processing gas from the second container 12 to the third container 13 is performed smoothly.
[0054]
The third container 13, like the second container 12, is formed in a box-shaped hollow body having a rectangular cross section, and is set to have the same volume as or smaller than the volume of the second container 12. The width of the processing gas inlets 56 and 57 of the remote type electrode opened on the bottom surface of the second container 12 is from the upper side opening in the third container 13 to the lower side reaching between the opposing electrodes of the remote type electrode. It is formed in a funnel shape that gradually reduces in size. Accordingly, the flow of the processing gas introduced from the third container 13 into the discharge spaces 54 and 55 between the opposing electrodes of the remote electrode becomes smoother, and the flow velocity can be made uniform.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the first container is formed as a hollow cylinder whose end opposite to the connection portion of the processing gas supply port is closed, and is formed in the longitudinal direction of the cylinder. Gas blowing holes are formed at predetermined intervals along the gap. Further, the gap between the gas blowing holes is formed so as to gradually decrease from the connecting portion side to the end portion side. Thereby, a processing gas with a uniform flow rate can be blown into the second container from each gas blowing hole of the first container. Further, since the volume of the second container is at least five times the volume of the first container, the second container has a sufficient function as a buffer for lowering the pressure of the processing gas blown out of the first container. Can be expressed. That is, as the processing gas spreads in the container, the dynamic pressure decreases, and the influence of the flow of the processing gas can be reduced. Further, since the width of the slit formed in the second container is formed to be equal to or larger than the width between the counter electrodes of the remote type electrodes, the processing gas can be smoothly introduced from the second container to the third container. Can be. Further, the volume of the third container is set to be equal to or smaller than the volume of the second container, and the width of the processing gas inlet of the remote electrode formed in a slit shape is set to the upper side opening into the third container. Since it is formed so as to gradually reduce toward the lower side reaching between the opposing electrodes of the remote type electrode, the flow of the processing gas introduced from the third container between the opposing electrodes of the remote type electrode is more smoothly and The flow rate can be made uniform.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a partial cross section of an entire remote type electrode including a remote type gas supply device of the present invention.
FIG. 2 is a side view showing a partial cross section of the entire remote electrode including the remote gas supply device of the present invention.
FIG. 3 is a bottom view showing a partial cross section of the entire remote electrode including the remote gas supply device of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the entire remote-type electrode including the remote-type gas supply device of the present invention as viewed from the side.
FIG. 5 is a side view showing an appearance of a first container according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Remote type gas supply apparatus 10 Processing gas supply port 11 First container 12 Second container 13 Third container 14 Gas communication passage 15 Partition plate 21 Cylindrical body 22 Connecting part 23 End part 24 Gas blowing hole 40 Housing 51, 53 Ground Electrodes 52 Voltage application electrodes 54, 55 Discharge spaces 54a, 55b Plasma outlets 56, 57 Processing gas inlets 58a, 58b Cooling water channel 60 Base material

Claims (5)

処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に導くリモート型ガス供給装置において、
前記処理ガス供給口に連結された第1容器と、この第1容器全体を内包するように設けられた第2容器と、この第2容器とガス連通路を介して隣設されるとともに前記リモート型電極の処理ガス導入口に連結された第3容器とからなり、
前記第1容器は、前記処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成されるとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔が形成されてなることを特徴とするリモート型ガス供給装置。
In a remote gas supply device for guiding a processing gas introduced from a processing gas supply port to a processing gas introduction port of a remote electrode,
A first container connected to the processing gas supply port, a second container provided so as to include the entire first container, and a remote container that is provided adjacent to the second container via a gas communication passage and is adjacent to the second container. A third container connected to the processing gas inlet of the mold electrode,
The first container is formed in a hollow cylindrical body having an end opposite to the connecting portion of the processing gas supply port closed, and has gas blowing holes at predetermined intervals along a longitudinal direction of the cylindrical body. A remote type gas supply device characterized by being formed.
前記ガス吹き出し孔の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のリモート型ガス供給装置。The remote type gas supply device according to claim 1, wherein an interval between the gas blowing holes is formed so as to gradually decrease from a connecting portion side to an end portion side. 前記第2容器の容積が前記第1容器の容積の少なくとも5倍以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリモート型ガス供給装置。3. The remote gas supply device according to claim 1, wherein the volume of the second container is at least five times the volume of the first container. 4. 第2容器に形成された前記ガス連通路の幅が、前記リモート型電極の対向電極間の幅と同じかまたは幅広に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のリモート型ガス供給装置。The width of the gas communication passage formed in the second container is formed to be equal to or wider than the width between the counter electrodes of the remote electrode. 3. The remote gas supply device according to 1. 前記第3容器は、前記第2容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定されており、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の前記処理ガス導入口の幅が、第3容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のリモート型ガス供給装置。The volume of the third container is set to be equal to or smaller than the volume of the second container, and the width of the processing gas introduction port of the remote electrode formed in a slit shape is set in the third container. The remote type gas according to any one of claims 1 to 4, wherein the remote type gas is formed so as to gradually decrease from an upper side where the opening is formed to a lower side extending between the opposing electrodes of the remote type electrode. Feeding device.
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