JP2004012154A - X線集光素子 - Google Patents

X線集光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2004012154A
JP2004012154A JP2002162285A JP2002162285A JP2004012154A JP 2004012154 A JP2004012154 A JP 2004012154A JP 2002162285 A JP2002162285 A JP 2002162285A JP 2002162285 A JP2002162285 A JP 2002162285A JP 2004012154 A JP2004012154 A JP 2004012154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
rays
condensing element
light
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002162285A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3762987B2 (ja
Inventor
Tatsuya Zama
座間 達也
Masataka Okubo
大久保 雅隆
Hiroshi Nakagawa
仲川 博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2002162285A priority Critical patent/JP3762987B2/ja
Publication of JP2004012154A publication Critical patent/JP2004012154A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3762987B2 publication Critical patent/JP3762987B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】X線の集光素子を実現する場合、単なる球面ミラーでは、斜入射での収差が大きく、十分な集光が出来ない。入射面に平行な方向と垂直な方向の曲率を変え、収差を補正したトロイダルミラーであれば、集光は可能であるが、このようなトロイダルミラーの表面形状加工は、非常に困難である。加工が容易な光学素子の組み合わせにより集光機能をもたせる手法もあるが、光学素子各々に高度なアライメントが必要であり、またアライメント治具等により、システムが大型になるため、多くの労力を要した。
【解決手段】本発明においては、加工が容易な反射面を、素子内に一体成形する。これらの反射面は、それぞれ縦、横及び前後の集光を受け持ち、これらにより入射X線を集光する。一体化により各反射面間の複雑なアライメントは不必要になり、また、集光素子の加工が容易になると共に小型化が可能となる。
【選択図】   図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
X線は、産業、医療等で広く用いられ、利用技術の進展に伴い、ますますその用途が広がりつつある。利用分野に最適なX線のプロファイルを得るためには、X線光学素子は、必要不可欠であり、集光素子は、その中でも基本的な素子である。
【0002】
近年、集光素子は、利用に期待が集まっているX線リソグラフィーを初めとする加工分野、蛍光X線分析に代表される分析分野、CTに代表される医療分野等、X線を利用するほとんどの機器すべてに利用されているが、従来の集光素子は、加工が困難で高価であった。安価な集光素子を組み合わせ集光機能を持たせる場合には、高度なアライメントが必要であり、多くの労力を要した。
【0003】
【従来の技術】
X線に対する物質の屈折率は、如何なる物質でも、ほとんど真空中でのX線屈折率と等しく、物質透過によるX線の伝播方向の変化は、ごく僅かであるため、可視光で多用されるレンズ、プリズム等の透過型光学素子を、X線で実現する事は困難である。フレネルゾーンプレート等、回折型の光学素子では、効率が悪く、素子として有効に働くX線の波長域が限られるため、X線全般に対応可能な光学系を構成することは困難である。
反射型光学素子では、原理的にX線全般に対して伝播方向のコントロールが可能であるが、物質による反射率も小さくなるため、実用に耐えうる反射型光学素子には、可視光と比較して、厳しい条件が要求される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
X線に対し、充分な反射率を得るためには、光学材料の反射面すれすれ(角度にして0.2〜0.5度程度)の斜入射でX線を入射させる必要がある。そのため、X線の集光素子を実現する場合、単なる球面ミラーでは、斜入射での収差が大きく、十分な集光が出来ない。入射面に平行な方向と垂直な方向の曲率を変え、収差を補正したトロイダルミラーであれば、集光は可能であるが、このようなトロイダルミラーの表面形状加工は、非常に困難である。加工が容易な光学素子の組み合わせにより集光機能をもたせる手法もあるが、光学素子各々に高度なアライメントが必要であり、またアライメント治具等により、システムが大型になるため、多くの労力を要した。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明においては、加工が容易な反射面を、素子内に一体成形する。これらの反射面は、それぞれ縦、横及び前後の集光を受け持ち、これらにより入射X線を集光する。一体化により各反射面間の複雑なアライメントは不必要になり、また、集光素子の加工が容易になると共に小型化が可能となる。
【0006】
【実施の態様】
ミラーの材料としては、比較的重い金属元素、もしくはそれら元素を、集光素子形状に加工した母材内面にメッキした物がよい。あるいはX線領域においては、元素の全電子数、及び密度が高いほど該元素/真空の屈折率の違いが大きくなり、それにより大きな反射率が期待できるため、大きな反射率が期待できる重元素と軽元素を交互に積み重ねた多層膜を、集光素子形状に加工した母材内面に積層した物がよし。具体的な材料としては、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、銀、金、プラチナ、タンタル、イリジウム、レニウム、タングステン等が挙げられる。周期律表上の同じような比較的重い金属元素として、タリウム、オスミウム等も可能であるが、毒性の問題がある。イリジウム、レニウムは、希少であること、タングステンは、加工性に難点がある。実施に当たっては、上記の毒性、手に入れ易さ、加工性等を考慮して決定しなければならない。
【0007】
【実施例】
図1に本発明によるX線集光素子の概念図を示す。集光素子上に形成された円筒穴内面をミラーとし、X線を反射する。反射率を損なわぬよう、各円筒ミラーは、斜入射の条件でX線が入射する配置となっている、各ミラーがそれぞれ縦、横、前後のX線集光をするため、当該光学素子の規定の位置、方向で入射したX線を集光させる事が出来る。
【0008】
また、本光学素子を図1−1のようにアレイ化することにより、本集光素子は容易に大面積化することが出来る。
【0009】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の集光素子で必要とされていた複雑な加工、もしくは集光素子の高度なアライメントをすることなしに、X線の集光が可能となる。また、本集光素子を集積化することにより大面積の集光システムを構成することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の概念図
【図2】集積化した大面積X線集光システムの概念図

Claims (3)

  1. X線集光素子において、3個の円筒ミラーを一体成形し、それぞれのミラーにより、縦、横及び前後の集光を行うことを特徴とするX線集光素子。
  2. 請求項1記載のX線集光素子において、上記ミラーは、直方体の中に設けられていることを特徴とするX線集光素子。
  3. 請求項2記載のX線集光素子を複数個積層したことを特徴とするX線集光素子。
JP2002162285A 2002-06-04 2002-06-04 X線集光素子 Expired - Lifetime JP3762987B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002162285A JP3762987B2 (ja) 2002-06-04 2002-06-04 X線集光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002162285A JP3762987B2 (ja) 2002-06-04 2002-06-04 X線集光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004012154A true JP2004012154A (ja) 2004-01-15
JP3762987B2 JP3762987B2 (ja) 2006-04-05

Family

ID=30431064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002162285A Expired - Lifetime JP3762987B2 (ja) 2002-06-04 2002-06-04 X線集光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3762987B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008002939A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP2008281421A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP2009047430A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP2009121904A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP2012049529A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Media Lario Srl Gicミラー及びスズロッドeuv・lppターゲットシステムを備える光源集光モジュール

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008002939A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP4602944B2 (ja) * 2006-06-22 2010-12-22 日本電信電話株式会社 X線集光レンズ
JP2008281421A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP4705606B2 (ja) * 2007-05-10 2011-06-22 日本電信電話株式会社 X線集光レンズ
JP2009047430A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP4700034B2 (ja) * 2007-08-13 2011-06-15 日本電信電話株式会社 X線集光レンズ
JP2009121904A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線集光レンズ
JP4659015B2 (ja) * 2007-11-14 2011-03-30 日本電信電話株式会社 X線集光レンズ
JP2012049529A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Media Lario Srl Gicミラー及びスズロッドeuv・lppターゲットシステムを備える光源集光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP3762987B2 (ja) 2006-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7688525B2 (en) Hybrid primary optical component for optical concentrators
JP5053531B2 (ja) フレネルレンズ
TW528924B (en) Panorama image acquisition system, magnifying device for the panorama distorted image capture system, and the alignment device containing four fixed reflective surfaces
CN108028089A (zh) X射线显微镜
US7881432B2 (en) X-ray focusing device
JP2009545181A5 (ja)
JP2005234573A (ja) 光学反射素子、その製造方法、及びその素子を具備する光学機器
CN103809277A (zh) 离轴三反镜
CN103809278A (zh) 离轴三反镜
CN108169790B (zh) 一种掠入射x射线显微镜的强度标定方法
US6881965B2 (en) Multi-foil optic
EP2440856A2 (en) Reflective free-form kohler concentrator
US7825972B2 (en) Processing method device and system to produce a focused image signal from an unfocused image
US7742574B2 (en) Approach and device for focusing x-rays
JP2004012154A (ja) X線集光素子
RU2634332C2 (ru) Рентгеновская линза на основе эффекта отражения
JP2003287792A (ja) 照明装置および撮影装置
CN108646330A (zh) 一种全透波带片
CN221485783U (zh) 镜头组件及投影系统
Willingale et al. Optimization of square pore optics for the x-ray spectrometer on Bepi-Columbo
JP2006323337A (ja) 反射板及び液晶表示装置
CN117250212A (zh) 一种x射线折射聚焦与探测系统
Stoica et al. Neutron lens by superposition of glancing reflections
US20160147051A1 (en) Miltonian Mirror for Oblique Catoptric Telescopes
KR20080037617A (ko) 반사기 랙, 반사기 랙 제조방법, 협대역 x-선 필터 및 이필터를 구비한 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3762987

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term