JP2004006053A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートを積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有し、制御ゲートと半導体層との間にしきい値変動パルスを時間Δtの間印加するしきい値変動動作と、メモリセルのしきい値変動パルス印加後の状態を検知するしきい値ベリファイ動作とを、メモリセルのしきい値が所望の値に達するまで繰り返すEEPROMにおいて、しきい値変動パルスを、しきい値変動動作の度にパルス波高増分ΔVppだけ高め、所望のしきい値に達したメモリセルのしきい値分布幅が|ΔVpp|となるように電気的にデータ書き込みを行うこと。
【選択図】 図2
Description
3…浮遊ゲート 4…トンネル酸化膜
5…n型拡散層 6…p型ウェル
7…n型基板 8…NANDセル型セルアレイ
9…転送回路 10…第1選択ゲートドライバ
11…制御ゲートドライバ 12…第2選択ゲートドライバ
13…昇圧回路 14…Vm昇圧回路
15…Vpp昇圧回路 16…第1スイッチ回路
17…第2スイッチ回路 18…第3スイッチ回路
19…電流制御回路 20…Vpp昇圧回路A
21…Vpp昇圧回路B 22…第4スイッチ回路
Qn …nチャネルMOSトランジスタ
Qp …nチャネルMOSトランジスタ
QD …nチャネルDタイプMOSトランジスタ
I…CMOSインバータ
Claims (6)
- 電気的に多値データ書き込み可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、
前記メモリセルを対応するそれぞれの所定の書き込み状態にするために、時間と共にほぼ一定の割合で電圧が増加していく書き込みパルスを対応するそれぞれのメモリセルに印加し、前記メモリセルの書き込み状態を検出し、前記所定の書き込み状態に達したと検出されたメモリセルへの書き込みをメモリセル毎に独立に制御する書き込み手段とを備え、
前記書き込みパルスの初期値は対応するメモリセルの達するべき書き込み状態に応じた電圧を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記書き込みパルスの電圧は段階的に増加することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書き込みパルスの電圧は時間と共にリニアに増加することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書き込みパルスが印加されていない期間に前記メモリセルの書き込み状態は検出されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 所定の回数だけ前記メモリセルの書き込み状態の検出は省略されることを特徴とする請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリセルは所定個ずつ直列に接続されてNAND型メモリユニットを構成することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
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