【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＥＰＲＯＭのデータ記憶方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＥＥＰＲＯＭにデータを記憶する方法として、記憶データのミラーデータを記憶する技術がある。記憶方法は、記憶データ＋記憶データの補数（詳しくは、１の補数）を１組としてＥＥＰＲＯＭの記憶領域に記憶する。この方法では、ＥＥＰＲＯＭの記憶領域の消費量は記憶する１データのバイト数の２倍となる。また、記憶データのエラー検出は、記憶データとミラーデータの和を確認して行う。
【０００３】
しかしながら、上記技術ではＥＥＰＲＯＭの記憶領域が、記憶するデータのサイズに依存しており、ＥＥＰＲＯＭに記憶するデータの量（ＥＥＰＲＯＭの記憶容量）を削減したいという要求がある。特に、バイト数は大きいが実際に取りうる値の数が小さなデータに対してはＥＥＰＲＯＭの使用効率が悪い。
【０００４】
例えば、製造年月日をＥＥＰＲＯＭに書き込む場合、年を表すのに必要なバイト数は２バイト（下２桁表示なら１バイトとなるが）、月を表すのに必要なバイト数は１バイト、日を表すのに必要なバイト数は１バイトである。そのため、全部でＥＥＰＲＯＭの使用量は（２＋１＋１）×２＝８バイト必要である。
【０００５】
しかし、実際に使用される値の範囲は、年については２０種類程度（生産開始年度〜２０年位）、月は１〜１２、日は１〜３１と非常に少ない。
このように従来技術では、データサイズは大きいが使用されるデータの範囲が狭い場合にはＥＥＰＲＯＭの記憶効率が悪くなる傾向がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、エラー検出機能を有するＥＥＰＲＯＭのデータ記憶方法においてＥＥＰＲＯＭに記憶するデータの量、即ち、ＥＥＰＲＯＭの記憶容量を削減することができるようにすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭのデータ記憶方法においては、入力データの変換テーブルを用意し、この変換データを用いて入力データを記憶データに変換し、当該変換したデータをＥＥＰＲＯＭに記憶するとともに、前記ＥＥＰＲＯＭから読み込んだデータを前記変換テーブルを用いて逆変換するようにしている。よって、逆変換できないことはエラーが発生していることを意味し、これによりエラー検出することができる。その結果、エラー検出機能を有するＥＥＰＲＯＭのデータ記憶方法においてＥＥＰＲＯＭに記憶するデータの量としては、従来では記憶データとミラーデータの和であったが、本発明ではミラーデータの無いデータ（変換データ）であり、ＥＥＰＲＯＭに記憶するデータの量、即ち、ＥＥＰＲＯＭの記憶容量を削減することができる。
【０００８】
特に、請求項６に記載のように入力データが年月日を表すデータ等である場合、つまり、データサイズは大きいが使用されるデータ範囲が狭い場合においては使用されるデータ範囲での変換テーブルを用意すればよく、記憶データ（変換データ）の量、即ち、ＥＥＰＲＯＭの記憶容量をより削減することができる。
【０００９】
請求項２に記載のように、前記変換テーブルを用いて逆変換する際に、ＥＥＰＲＯＭから読み込んだデータに対応するデータがない場合はエラーが発生したとしてデフォルト値を設定するとよい。
【００１０】
請求項３に記載のように、記憶データにおけるデータ構成を、二進数での「０」と「１」の数を予め定めた数とし、例えば、請求項４に記載のように、二進数での「０」と「１」の数を同数とすることができる。
【００１１】
請求項５に記載のように、ＥＥＰＲＯＭから読み込んだデータが予め定めたデータ構成となっていない場合はエラーが発生したとしてデフォルト値を設定するとよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
本実施形態においては自動車用電子制御装置（自動車用ＥＣＵ）に適用しており、図１のＥＥＰＲＯＭ２０に同ＥＣＵの製造年月日を記憶するようにしている。
【００１３】
図１において、ＥＣＵはコントローラ１０とＥＥＰＲＯＭ２０とメモリ３０を備えている。コントローラ１０には入力データとして年月日を表すデータが入力される。メモリ３０には、テーブル３１，３２，３３が記憶されている。各テーブル３１，３２，３３は入力データをＥＥＰＲＯＭ記憶用データに変換するためのものであり、テーブル３１が年変換用、テーブル３２が月変換用、テーブル３２が日変換用である。具体的には、例えば年変換テーブル３１については、表１に示すように、入力データに対しＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するデータとして、２進数での「０」の数と「１」の数を同じにして記憶させている。具体的には、８ビットのうち、「０」の数が４つ、「１」の数が４つである。
【００１４】
【表１】
そして、本実施形態においては、入力データを直接、ＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するのではなく、入力データ（記憶したいデータ）を、テーブルを用いて変換し、その変換したデータをＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するようにしている。
【００１５】
つまり、データ書き込みの際には、図２に示すように、コントローラ１０はステップ１００で書き込みたいデータＡを算出する。詳しくは、入力データはＲＡＭ（図示略）に一時的に保存され、コントローラ１０はこのデータＡを読み出す。そして、コントローラ１０はステップ１０１でデータＡの値に対応する真の書き込みデータＢをテーブルＣから取得する（入力データをテーブルＣを用いて記憶データＢに変換する）。さらに、コントローラ１０はステップ１０２でデータＢをＥＥＰＲＯＭ２０へ記憶する。
【００１６】
データ読み出しの際には、図３に示すように、コントローラ１０はステップ２００でＥＥＰＲＯＭ２０からデータＢを読み込む。そして、コントローラ１０はステップ２０１でデータＢにおける「０」の数と「１」の数が同数か否か判定する。データＢにおける「０」の数と「１」の数が同数ならば、コントローラ１０はステップ２０２に移行してテーブルＣにおいてデータＢに対応するデータがあるか否か判定する。データＢに対応するデータがあると、コントローラ１０はステップ２０３に移行してテーブルＣにおけるデータＢに対応するデータＡを取り出して使用する。詳しくは、コントローラ１０はテーブルＣにより逆変換したデータＡをＲＡＭ（図示略）に保存し、これが使用される。
【００１７】
一方、コントローラ１０は、ステップ２０１でデータＢにおける「０」の数と「１」の数が同数でない場合、および、ステップ２０２でデータＢに対応するデータがない場合には、ステップ２０４に移行する。ステップ２０４においてコントローラ１０はデータＢはエラーと判定し、データＡにはデフォイル値を代入する。
【００１８】
次に、図２での製造年月日をＥＥＰＲＯＭ２０に書き込む場合について詳しく説明する。
記憶したい年，月，日を、Ｙ，Ｍ，Ｄとする。
【００１９】
年データＹに対して実際に記憶するデータをＥ＿Ｙ、同様に、月データＭについてはＥ＿Ｍ、日データＤについてはＥ＿Ｄとする。
ＹとＥ＿Ｙとの変換テーブルをＴ＿Ｙ、ＭとＥ＿Ｍとの変換テーブルをＴ＿Ｍ、ＤとＥ＿Ｄとの変換テーブルをＴ＿Ｄとする。
【００２０】
変換テーブルＴ＿＊（＊はＹまたはＭまたはＤ）は、入力データをＥＥＰＲＯＭ記憶用データに変換するテーブルであり、ＥＥＰＲＯＭ記憶用データとしては２進数化したときに「１」であるビットの数と、「０」であるビットの数が等しいデータの集合であり、入力と出力が常に１対１になるようにテーブルを設計している。これにより、ＥＥＰＲＯＭの書き込み／読み出しにエラーが生じた場合、変換テーブル中に存在しないデータとなり、エラーの検出を容易に行うことができる。
【００２１】
さらに、記憶するデータは、ビットの「１」の数と「０」の数が等しいため、エラー検出を行うことができる。
このように、図１のＥＥＰＲＯＭ２０のデータ記憶方法として、入力データの変換テーブル３１，３２，３３を用意し、この変換テーブル３１，３２，３３を用いて、図２のごとく入力データを記憶データに変換し、当該変換したデータをＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するとともに、図３のごとくＥＥＰＲＯＭ２０から読み込んだデータを変換テーブル３１，３２，３３を用いて逆変換するようにした。よって、逆変換できないことはエラーが発生していることを意味し、これによりエラー検出することができる。その結果、エラー検出機能を有するＥＥＰＲＯＭ２０のデータ記憶方法においてＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するデータの量としては、従来では記憶データとミラーデータの和であったが、本実施形態ではミラーデータの無いデータ（変換データ）であり、ＥＥＰＲＯＭ２０に記憶するデータの量、即ち、ＥＥＰＲＯＭ２０の記憶容量を削減することができる。
【００２２】
特に、入力データが年月日を表すデータである場合、つまり、データサイズは大きいが使用されるデータ範囲が狭い場合においては使用されるデータ範囲での変換テーブルを用意すればよく、記憶データ（変換データ）の量、即ち、ＥＥＰＲＯＭ２０の記憶容量をより削減することができる。
【００２３】
また、変換テーブル３１，３２，３３を用いて逆変換する際に、図３のステップ２０２においてＥＥＰＲＯＭ２０から読み込んだデータに対応するデータがない場合は図３のステップ２０４においてエラーが発生したとしてデフォルト値を設定するようにしたので、エラー発生時の対処として好ましい。
【００２４】
さらに、記憶データにおけるデータ構成を、二進数での「０」と「１」の数を予め定めた数とし、詳しくは、二進数での「０」と「１」の数を同数とした。そして、図３のステップ２０１においてＥＥＰＲＯＭ２０から読み込んだデータが予め定めたデータ構成となっていない場合は図３のステップ２０４においてエラーが発生したとしてデフォルト値を設定するようにした。よって、エラー発生時の対処として好ましいものとなる。
【００２５】
以下、より詳しく説明する。
２０００年から２０２０年までの製造年月日をＥＥＰＲＯＭに記憶する方法を例に挙げる。
（ｉ）前提条件として、年月日の各パラメータを、
年：ｕ２＿Ｙｅａｒ
月：ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ
日：ｕ１＿Ｄａｔｅ
とする。また、ＥＥＰＲＯＭに記憶するパラメータ名を、それぞれ記憶する年月日パラメータに合わせて「Ｅ＿Ｙｅａｒ」，「Ｅ＿Ｍｏｎｔｈ」，「Ｅ＿Ｄａｔｅ」とする。
（ｉｉ）具体的動作としては次のようになる。
【００２６】
まず最初に、実際に使用するパラメータとＥＥＰＲＯＭに記憶するパラメータの対応表を作成し、そのパラメータ表を用いてｕ２＿ＹｅａｒとＥ＿Ｙｅａｒ、ｕ１＿ＭｏｎｔｈとＥ＿Ｍｏｎｔｈ、ｕ１＿ＤａｔｅとＥ＿Ｄａｔｅの対応をとる。
【００２７】
そのための第１段階として、ｕ２＿ＹｅａｒのＥＥＰＲＯＭ対応表を作成する。
具体的には、２０００年から２０２０年までを使用したい範囲としているので、ｕ２＿Ｙｅａｒがとりうるパラメータは全部で２１通りとなる。
【００２８】
１バイト＝８ビットであるから、８ビット中、４ビットが「１」となる組み合せは、
８Ｃ４＝７０＞２１
となり、１バイトで２０００年〜２０２０年までのデータに対する記憶データを作成可能である。そして、入力データｕ２＿Ｙｅａｒと記憶データＥ＿Ｙｅａｒの対応表を表２のように設定する。
【００２９】
このとき、Ｅ＿Ｙｅａｒのサイズは１バイトで十分である。
【００３０】
【表２】
第２段階として、ｕ１＿Ｍｏｎｔｈおよびｕ１＿ＤａｔｅのＥＥＰＲＯＭ対応表を作成する。
【００３１】
具体的には、ｕ１＿Ｍｏｎｔｈおよびｕ１＿Ｄａｔｅについても、年パラメータと同様のアプローチで表３を作成する。ただし、月，日については表３を共用することができる。
【００３２】
このとき、Ｅ＿ＭｏｎｔｈおよびＥ＿Ｄａｔｅのサイズはそれぞれ１バイトで十分である。
【００３３】
【表３】
第３段階として、その使用方法を説明する。
【００３４】
ＥＥＰＲＯＭへの記憶方法として、ＥＥＰＲＯＭに２００２年１１月１０日を記憶させる場合について述べる。
第１工程；ｕ２＿Ｙｅａｒ＝２００２、ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ＝１１、ｕ１＿Ｄａｔｅ＝１０となる。
【００３５】
第２工程；表２から、ｕ２＿Ｙｅａｒ＝２００２に対応するＥＥＰＲＯＭ記憶値Ｅ＿Ｙｅａｒは「０ｘ１ｂ」となる。
表３から、ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ＝１１に対応するＥＥＰＲＯＭ記憶値Ｅ＿Ｍｏｎｔｈは「０ｘ３５」となる。
【００３６】
表３から、ｕ１＿Ｄａｔｅ＝１０に対応するＥＥＰＲＯＭ記憶値Ｅ＿Ｄａｔｅは「０ｘ３３」となる。
よって、記憶パラメータは表４のようになり、ＥＥＰＲＯＭでの記憶領域として３バイトあればよい。
【００３７】
【表４】
次に、ＥＥＰＲＯＭからの読み出し方法（ＥＥＰＲＯＭの記憶値からデータを読み出す場合）について述べる。
【００３８】
記憶データが正しい場合の例として、Ｅ＿Ｙｅａｒ＝０ｘ１７，Ｅ＿Ｍｏｎｔｈ＝０ｘ３５，Ｅ＿Ｄａｔｅ＝０ｘ５３の場合は次のようになる。
Ｅ＿Ｙｅａｒ，Ｅ＿Ｍｏｎｔｈ，Ｅ＿Ｄａｔｅを、表２，３を用いてｕ２＿Ｙｅａｒ，ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ，ｕ１＿Ｄａｔｅに逆変換すると、
ｕ２＿Ｙｅａｒ＝２００１，ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ＝１１，ｕ１＿Ｄａｔｅ＝２０
となる。
【００３９】
記憶データが間違っている場合の例として、Ｅ＿Ｙｅａｒ＝０ｘ１７，Ｅ＿Ｍｏｎｔｈ＝０ｘ３５，Ｅ＿Ｄａｔｅ＝０ｘ５４の場合は次のようになる。
Ｅ＿Ｙｅａｒ，Ｅ＿Ｍｏｎｔｈ，Ｅ＿Ｄａｔｅを、表２，３を用いてｕ２＿Ｙｅａｒ，ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ，ｕ１＿Ｄａｔｅに逆変換すると、
ｕ２＿Ｙｅａｒ＝２００１，ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ＝１１までは逆変換できるが、ｕ１＿Ｄａｔｅは対応するパラメータがないため、エラー処理を行う（図３のステップ２０４でデフォルト値を設定する）。
【００４０】
次に、従来手法について説明を加える。
今、入力データとして、
ｕ２＿Ｙｅａｒ；（年を記憶する２バイトのデータ）、
ｕ１＿Ｍｏｎｔｈ；（月を記憶する１バイトのデータ）、
ｕ１＿Ｄａｔｅ；（日を記憶する１バイトのデータ）
を想定する。
【００４１】
従来のミラー手法でＥＥＰＲＯＭに記憶する場合、記憶したいデータの領域と同等のミラー領域が必要となり、図４のようにＥＥＰＲＯＭに記憶される。この際、記憶に必要な領域は、
（２＋１＋１）・２＝８
より、８バイトである。
【００４２】
本実施形態における記憶可能なデータ数に関しては、次のようになる。
本実施形態ではＥＥＰＲＯＭで記憶するデータ領域をＮ−バイトとすると、Ｎ−バイトで記憶できる数は、
８・ＮＣ８・Ｎ／２
で表すことができる。
【００４３】
表５に、Ｎの値（Ｎ＝１，２，４）における、その記憶可能データ数を示す。即ち、例えば１バイトでは８Ｃ４＝７０となる。さらに表５においてミラー手法を使用した時の記憶データ数も併せて示す。即ち、ミラー手法では例えば１バイトでは８ビットのうち４ビットがミラーデータとして使用されることから記憶データ数は４ビット分の「１６」となる。
【００４４】
【表５】
この表５から、同じバイト数であれば記憶データ数は本実施形態の方がミラー手法より多く、本実施形態の方が優れていることは明らかである。
【００４５】
さらに、使用効率に関しては、以下のようになる。
本実施形態での使用効率をＲＡＴＥ＿Ｅ、ミラー手法での使用効率をＲＡＴＥ＿Ｍとしたときに、Ｎ−バイトにおける各手法での使用効率を考える。
【００４６】
エラー検出機能を付けない場合（通常使用時）のＮ−バイトで表されるデータ数をＳＵＭ＿Ｎとし、本実施形態の手法で扱えるデータ数をＳＵＭ＿Ｅ、ミラー手法にて扱えるデータ数をＳＵＭ＿Ｍとしたとき、各手法での使用効率を
ＲＡＴＥ＿Ｅ＝｛（ＳＵＭ＿Ｅ）／（ＳＵＭ＿Ｎ）｝・１００（％）
ＲＡＴＥ＿Ｍ＝｛（ＳＵＭ＿Ｍ）／（ＳＵＭ＿Ｎ）｝・１００（％）
で表すと、各効率は表６のようになる。
【００４７】
【表６】
この表６において、１バイトではＲＡＴＥ＿Ｅ＝２７．３％、ＲＡＴＥ＿Ｍ＝６．２５％であり、２バイトではＲＡＴＥ＿Ｅ＝１９．６％、ＲＡＴＥ＿Ｍ＝０．３９％である。よって、本実施形態での使用効率ＲＡＴＥ＿Ｅはミラー手法での使用効率ＲＡＴＥ＿Ｍに比べ格段に高いことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態におけるＥＣＵの内部構成を示す図。
【図２】作用を説明するためのフローチャート。
【図３】作用を説明するためのフローチャート。
【図４】ミラー手法を用いた場合のＥＥＰＲＯＭのデータ記憶状態を示す図。
【符号の説明】
１０…コントローラ、２０…ＥＥＰＲＯＭ、３０…メモリ。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an EEPROM data storage method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method of storing data in an EEPROM, there is a technique of storing mirror data of stored data. As a storage method, storage data + complement of storage data (specifically, one's complement) is stored as a set in a storage area of the EEPROM. In this method, the amount of consumption of the storage area of the EEPROM is twice the number of bytes of one data to be stored. The error detection of the stored data is performed by confirming the sum of the stored data and the mirror data.
[0003]
However, in the above technology, the storage area of the EEPROM depends on the size of data to be stored, and there is a demand to reduce the amount of data to be stored in the EEPROM (the storage capacity of the EEPROM). In particular, the use efficiency of the EEPROM is poor for data having a large number of bytes but a small number of values that can be actually taken.
[0004]
For example, when writing the date of manufacture in an EEPROM, the number of bytes required to represent the year is 2 bytes (although 1 byte if the last two digits are displayed), the number of bytes required to represent the month is 1 byte, The number of bytes required to represent a day is one byte. Therefore, the total usage of the EEPROM requires (2 + 1 + 1) × 2 = 8 bytes.
[0005]
However, the range of values actually used is about 20 types for the year (production start year to about 20 years), and is very small, such as 1 to 12 for the month and 1 to 31 for the day.
As described above, in the related art, when the data size is large but the range of data to be used is narrow, the storage efficiency of the EEPROM tends to deteriorate.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to reduce the amount of data to be stored in an EEPROM in an EEPROM data storage method having an error detection function, that is, to reduce the storage capacity of the EEPROM. To be able to do it.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In the data storage method for an EEPROM according to claim 1, a conversion table for input data is prepared, the input data is converted into storage data using the conversion data, and the converted data is stored in the EEPROM. The data read from the EEPROM is inversely converted using the conversion table. Therefore, the fact that the reverse conversion cannot be performed means that an error has occurred, and thus the error can be detected. As a result, in the data storage method of the EEPROM having the error detection function, the amount of data stored in the EEPROM is conventionally the sum of the storage data and the mirror data, but in the present invention, the data without the mirror data (conversion data) Thus, the amount of data stored in the EEPROM, that is, the storage capacity of the EEPROM can be reduced.
[0008]
In particular, when the input data is data representing the date, etc., as described in claim 6, that is, when the data size is large but the used data range is narrow, the conversion table in the used data range is used. And the amount of storage data (conversion data), that is, the storage capacity of the EEPROM can be further reduced.
[0009]
As described in claim 2, when performing reverse conversion using the conversion table, if there is no data corresponding to the data read from the EEPROM, a default value may be set assuming that an error has occurred.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, the data configuration of the stored data is set to a predetermined number of binary numbers “0” and “1”. The number of “0” and “1” can be the same.
[0011]
As described in claim 5, when the data read from the EEPROM does not have a predetermined data configuration, it is preferable to determine that an error has occurred and set a default value.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the present embodiment, the present invention is applied to a vehicle electronic control unit (vehicle ECU), and the manufacturing date of the ECU is stored in the EEPROM 20 of FIG.
[0013]
1, the ECU includes a controller 10, an EEPROM 20, and a memory 30. Data representing the date is input to the controller 10 as input data. In the memory 30, tables 31, 32, and 33 are stored. Each of the tables 31, 32, and 33 is for converting input data into data for EEPROM storage. The table 31 is for year conversion, the table 32 is for month conversion, and the table 32 is for day conversion. Specifically, for example, as shown in Table 1, as for the year conversion table 31, as the data to be stored in the EEPROM 20 with respect to the input data, the number of binary "0" and the number of "1" are the same. I remember. Specifically, among the eight bits, the number of “0” is four and the number of “1” is four.
[0014]
[Table 1]
In the present embodiment, the input data is not directly stored in the EEPROM 20, but the input data (data to be stored) is converted by using a table, and the converted data is stored in the EEPROM 20. .
[0015]
That is, when writing data, as shown in FIG. 2, the controller 10 calculates data A to be written in step 100. Specifically, the input data is temporarily stored in a RAM (not shown), and the controller 10 reads this data A. Then, the controller 10 acquires the true write data B corresponding to the value of the data A from the table C in step 101 (converts the input data into the storage data B using the table C). Further, the controller 10 stores the data B in the EEPROM 20 in step 102.
[0016]
When reading data, the controller 10 reads data B from the EEPROM 20 in step 200 as shown in FIG. Then, in step 201, the controller 10 determines whether the number of “0” and the number of “1” in the data B are the same. If the number of “0” and the number of “1” in the data B are the same, the controller 10 proceeds to step 202 and determines whether or not there is data corresponding to the data B in the table C. When there is data corresponding to the data B, the controller 10 proceeds to step 203 and extracts and uses the data A corresponding to the data B in the table C. More specifically, the controller 10 stores the data A, which has been inversely converted by the table C, in a RAM (not shown) and uses the data A.
[0017]
On the other hand, when the number of “0” and the number of “1” in data B are not the same in step 201, and when there is no data corresponding to data B in step 202, the controller 10 proceeds to step 204. . In step 204, the controller 10 determines that the data B is an error, and substitutes a default value for the data A.
[0018]
Next, the case where the manufacturing date in FIG. 2 is written in the EEPROM 20 will be described in detail.
The year, month, and day to be stored are Y, M, and D.
[0019]
The data actually stored for the year data Y is E_Y, similarly, the month data M is E_M, and the day data D is E_D.
The conversion table between Y and E_Y is T_Y, the conversion table between M and E_M is T_M, and the conversion table between D and E_D is T_D.
[0020]
The conversion table T_ * (* is Y or M or D) is a table for converting input data into EEPROM storage data. The EEPROM storage data includes the number of bits that are “1” when converted to binary. , "0" are sets of data having the same number of bits, and the table is designed so that the input and output are always one-to-one. As a result, if an error occurs in the writing / reading of the EEPROM, the data becomes data that does not exist in the conversion table, and the error can be easily detected.
[0021]
Further, in the data to be stored, the number of bits “1” and the number of bits “0” are equal, so that error detection can be performed.
As described above, as the data storage method of the EEPROM 20 of FIG. 1, the conversion tables 31, 32, and 33 of the input data are prepared, and the conversion data 31, 32, and 33 are used to convert the input data into the storage data as shown in FIG. The converted data is stored in the EEPROM 20, and the data read from the EEPROM 20 is inversely converted using the conversion tables 31, 32, and 33 as shown in FIG. Therefore, the fact that the reverse conversion cannot be performed means that an error has occurred, and thus the error can be detected. As a result, in the data storage method of the EEPROM 20 having the error detection function, the amount of data stored in the EEPROM 20 is conventionally the sum of the storage data and the mirror data. ), The amount of data stored in the EEPROM 20, that is, the storage capacity of the EEPROM 20 can be reduced.
[0022]
In particular, when the input data is data representing the date, that is, when the data size is large but the data range to be used is narrow, a conversion table for the data range to be used may be prepared, and the storage data ( Conversion data), that is, the storage capacity of the EEPROM 20 can be further reduced.
[0023]
When there is no data corresponding to the data read from the EEPROM 20 in step 202 of FIG. 3 when performing the inverse conversion using the conversion tables 31, 32, and 33, it is determined that an error has occurred in step 204 of FIG. Is set, which is preferable as a countermeasure when an error occurs.
[0024]
Further, the data configuration of the stored data is such that the number of binary "0" and "1" is a predetermined number, and in detail, the number of binary "0" and "1" is the same. If the data read from the EEPROM 20 does not have a predetermined data structure in step 201 of FIG. 3, a default value is set as an error has occurred in step 204 of FIG. Therefore, this is preferable as a measure to be taken when an error occurs.
[0025]
Hereinafter, this will be described in more detail.
A method of storing the date of manufacture from 2000 to 2020 in an EEPROM will be described as an example.
(I) As a prerequisite,
Year: u2_Year
Month: u1_Month
Day: u1_Date
And The parameter names stored in the EEPROM are "E_Year", "E_Month", and "E_Date" in accordance with the date parameters stored respectively.
(Ii) The specific operation is as follows.
[0026]
First, a correspondence table between parameters actually used and parameters stored in the EEPROM is created, and the correspondence between u2_Year and E_Year, u1_Month and E_Month, and u1_Date and E_Date is determined using the parameter table.
[0027]
As a first step for this, an EEPROM correspondence table of u2_Year is created.
Specifically, since the range from 2000 to 2020 is to be used, u2_Year has a total of 21 possible parameters.
[0028]
Since 1 byte = 8 bits, a combination in which 4 bits are “1” out of 8 bits is
8 C 4 = 70> 21
Thus, storage data for data from 2000 to 2020 can be created with one byte. Then, a correspondence table between the input data u2_Year and the storage data E_Year is set as shown in Table 2.
[0029]
At this time, one byte is sufficient for the size of E_Year.
[0030]
[Table 2]
As a second step, an EEPROM correspondence table of u1_Month and u1_Date is created.
[0031]
Specifically, Table 3 is created for u1_Month and u1_Date using the same approach as the year parameter. However, Table 3 can be shared for month and day.
[0032]
At this time, it is sufficient that the size of each of E_Month and E_Date is 1 byte.
[0033]
[Table 3]
As a third stage, the method of use will be described.
[0034]
As a method of storing data in the EEPROM, a case where November 10, 2002 is stored in the EEPROM will be described.
First step: u2_Year = 2002, u1_Month = 11, u1_Date = 10.
[0035]
Second step: From Table 2, the EEPROM storage value E_Year corresponding to u2_Year = 2002 is “0x1b”.
From Table 3, the EEPROM storage value E_Month corresponding to u1_Month = 11 is “0x35”.
[0036]
From Table 3, the EEPROM storage value E_Date corresponding to u1_Date = 10 is “0x33”.
Therefore, the storage parameters are as shown in Table 4, and it is sufficient if the storage area in the EEPROM is 3 bytes.
[0037]
[Table 4]
Next, a method of reading data from the EEPROM (when data is read from the stored value of the EEPROM) will be described.
[0038]
As an example of the case where the stored data is correct, when E_Year = 0x17, E_Month = 0x35, and E_Date = 0x53, the following is performed.
When E_Year, E_Month, and E_Date are inversely converted to u2_Year, u1_Month, and u1_Date using Tables 2 and 3,
u2_Year = 2001, u1_Month = 11, u1_Date = 20
It becomes.
[0039]
As an example of the case where the stored data is incorrect, the following is performed when E_Year = 0x17, E_Month = 0x35, and E_Date = 0x54.
When E_Year, E_Month, and E_Date are inversely converted to u2_Year, u1_Month, and u1_Date using Tables 2 and 3,
The inverse conversion can be performed up to u2_Year = 2001 and u1_Month = 11, but since u1_Date has no corresponding parameter, error processing is performed (the default value is set in step 204 in FIG. 3).
[0040]
Next, the conventional method will be described.
Now, as input data,
u2_Year; (two-byte data for storing the year),
u1_Month; (1 byte data for storing the month),
u1_Date; (1 byte data for storing date)
Is assumed.
[0041]
When the data is stored in the EEPROM by the conventional mirror method, a mirror area equivalent to the area of the data to be stored is required, and the data is stored in the EEPROM as shown in FIG. At this time, the area required for storage is
(2 + 1 + 1) · 2 = 8
8 bytes.
[0042]
The number of data that can be stored in the present embodiment is as follows.
In this embodiment, if the data area stored in the EEPROM is N-bytes, the number that can be stored in N-bytes is:
8 · N C 8 · N / 2
Can be represented by
[0043]
Table 5 shows the number of storable data at the value of N (N = 1, 2, 4). That is, for example, for one byte, 8 C 4 = 70. Table 5 also shows the number of stored data when the mirror method is used. That is, in the mirror method, for example, 4 bits out of 8 bits in 1 byte are used as mirror data, so that the number of stored data is "16" for 4 bits.
[0044]
[Table 5]
From Table 5, it is clear that the number of stored data is greater in the present embodiment than in the mirror method if the number of bytes is the same, and the present embodiment is superior.
[0045]
Further, the usage efficiency is as follows.
Assuming that the use efficiency in the present embodiment is RATE_E and the use efficiency in the mirror method is RATE_M, the use efficiency in each method in N-bytes will be considered.
[0046]
When the number of data represented by N-bytes when the error detection function is not provided (during normal use) is SUM_N, the number of data that can be handled by the method of the present embodiment is SUM_E, and the number of data that can be handled by the mirror method is SUM_M. , RATE_E = {(SUM_E) / (SUM_N)} · 100 (%)
RATE_M = {(SUM_M) / (SUM_N)} · 100 (%)
, Each efficiency is as shown in Table 6.
[0047]
[Table 6]
In Table 6, RATE_E = 27.3% and RATE_M = 6.25% for one byte, and RATE_E = 19.6% and RATE_M = 0.39% for two bytes. Therefore, it can be seen that the usage efficiency RATE_E in the present embodiment is much higher than the usage efficiency RATE_M in the mirror method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an internal configuration of an ECU according to an embodiment.
FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation.
FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation.
FIG. 4 is a diagram showing a data storage state of an EEPROM when a mirror method is used.
[Explanation of symbols]
10 ... controller, 20 ... EEPROM, 30 ... memory.
