JP2003528408A - 電子的保安システムに使用する強化された静電保護システムを具えた活性化／不活性化が可能な保安タグ - Google Patents

電子的保安システムに使用する強化された静電保護システムを具えた活性化／不活性化が可能な保安タグ

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デイヴイス，ジヨン，エドウイン，ジユニア．
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マゾーキ，ゲイリー，トーマス
ピコリ，アンソニー，フランク
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チエツクポイント システムズ， インコーポレーテツド
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Abstract

(57)【要約】 第２周波数の範囲内で機能する電子的保安システムに使用する保安タグ（２０）は、第１の面と第２の面と（２４および２６）を有する実質的に平坦な誘電体基板（２２）を具備している。第１の導電性パターン（２８）が基板の第１面に設けられ、この第１の導電性パターンは少なくとも第１の誘導性素子（３２）、第１の静電容量素子の第１のプレート（３６）、および第２の静電容量素子の第１のプレート（３８）を具備している。基板の第２の面に配置されている第２の導電性パターン（３０）は、少なくとも第２の誘導性素子、第１の静電容量素子の第２のプレート（４０）、および第２の静電容量素子の第２のプレート（４２）を、静電容量素子のプレートが概ね整列状態で具備している。誘導性素子と静電容量素子は、第２周波数範囲の領域外で、第１周波数範囲の領域内の第１周波数で共振する共振回路を形成している。直接の電気接続（５２）が、基板を通して延びて第１の導電性パターンを第２の導電性パターンを電気的に接続し、それにより基板の両面を実質的に同じ静電荷レベルに継続的に維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は、一般的には、物品が許可なく持ち出し可能性ことを検知する電子的
監視システムで使用する活性化／不活性化可能な保安タグに関し、より特定的に
は、強められた静電的保護を含んだ２つのこのような保安タグに関する。
【０００２】 小売店舗や、図書館などのその他の施設から、商品や物品が盗まれたり許可な
く持ち出されることを検知して防止するための電子的物品監視システムないし電
子的物品保安システム（ＥＡＳ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｒｔｉｃｌｅ ｓｕ
ｒｖｅｉｌｌａｎｃｅ ｏｒ ｓｅｃｕｒｉｔｙ ｓｙｓｔｅｍ）が普及してき
ている。無線周波数型ＥＡＳシステムでは、一般に、インダクタ・コンデンサ共
振回路などの電子回路を内蔵したラベルすなわち保安タグを、保護すべき物品ま
たは物品の包装に取付ける。
【０００３】 保安タグの共振回路の周波数（検知周波数）に同調した送信器を用いて、小売
店舗や他の施設の出口の近くにある監視ゾーンないし検知ゾーンに対して電磁波
を照射する。また同様に保安タグの共振周波数に同調した受信器が、監視ゾーン
の近くに配置してある。活性状態の保安タグを取付けた物品が検知ゾーンに入る
と、タグの共振回路が共振して電磁場を乱す。受信器はこの乱れを検知し、アラ
ームを作動させて保安担当者に通報する。
【０００４】 保安タグを取付けた物品を実際に購入した人や、物品を施設から持ち出すこと
を許可された人が通った際にアラームが誤作動で作動することを避けるためには
、保安タグが不活性化可能でなければならない。保安タグを不活性化する方法と
しては、タグを不活性化装置に近付けて、タグの共振周波数の電磁波を共振回路
が短絡するに充分な出力レベルでタグに照射することにより、タグが検知周波数
で共振しないようにする方法が挙げられる。
【０００５】 高い出力レベルの不活性化電磁波を使用しないで済むように、不活性化可能な
保安タグは、通常、不活性化特性を具えている。この不活性化特性は、たとえば
、共振周波数の電磁波によって比較的低い出力レベルで照射された際に、コンデ
ンサ素子プレート（複数）の間の少なくとも一部で誘電体が弱化し（ウィークン
ド）又は厚みが減少させられることによりコンデンサのプレート（複数）間が短
絡（ショートサーキット）する１つまたは複数のコンデンサ素子を有している。
【０００６】 これとは別のより最近開発された保安タグでは、活性化と不活性化とが可能で
ある。活性化／不活性化可能な保安タグは、典型的には、少なかりとも２つのコ
ンデンサを有する共振回路を具えている。各コンデンサは、弱化され又は厚みが
減ぜられてコンデンサプレート間が短絡する誘電体領域をコンデンサプレート間
に具えている。
【０００７】 活性化／不活性化可能タグの共振回路は、通常、このタグを使用するＥＡＳシ
ステムの周波数範囲外に初期共振周波数を有する。充分強いレベルで初期共振周
波数の電磁波をタグに照射すると、コンデンサの一方が短絡（ショートサーキッ
ト）される。これによって保安タグの共振周波数がＥＡＳシステムの検知周波数
範囲内に移動し、タグが活性化される。
【０００８】 その後共振回路を、この新たな共振周波数を有する第２のコンデンサを短絡す
るに充分なレベルの電磁エネルギーにさらすと、共振回路が共振しなくなるか、
共振回路の周波数がＥＡＳシステムの周波数範囲外に移動、すなわちタグの不活
性化をする。
【０００９】 このタイプの活性化／不活性化可能タグの構造と動作については、「電子的物
品監視システムにおいて物品にタグを付す方法およびこれに用いるタグないしラ
ベル」に関する米国特許第５，０８１，４４５号明細書と、「電子的保安システ
ム用の活性化／不活性化可能な保安タグ」に関する米国特許第５，１０３，２１
０号明細書とに記載されていて、それら両者は、参照することにより本件の中に
組み込まれるものとする。
【００１０】 これらの示された特許に開示されている活性化／不活性化可能な保安タグは実
効的にＥＡＳシステムで使用できるが、欠点もある。この種の保安タグは、典型
的には第１の面に第１の導電性パターンを有すると共に第２の面に第２の導電性
パターンを有する、柔軟でほぼ平面状の誘電体基板から形成されている。これら
の導電性パターン（複数）は、コンデンサプレート間の誘電体として機能する基
板と共に共振回路を形成している。
【００１１】 これらの導電性パターンの間には直接の電気的接続はない。或る環境条件によ
っては、基板の片面または両面に静電気が蓄積し得る。
【００１２】 ある場合には、特に基板の片面が接地されて静電気が放電を生じる場合などの
ように、基板の片面の静電気が急激に減少した場合には、基板の片面の電位が基
板の反対面の電位に対して著しく変化し、１以上のコンデンサのプレート間の誘
電体を不必要に破壊させることがあり、これによって、この１以上のコンデンサ
が不必要に短絡されたりあるいは、保安タグが不必要に活性化（活性化／不活性
化可能タグの場合）されたり、不必要に不活性化される。
【００１３】 この静電気放電の問題に対する１つの解決策は、「静電気保護付き保安タグ」
に関する米国特許第５，１８２，５４４号公報に開示されていて、その主題は、
それの参照により本件中に包含される。この米国特許第５，１８２，５４４号の
保安タグは基板の両面に静電的放散部材を具えており、これらの部材は、２つの
導電性パターンを実質的に取り囲んでおり、製造工程中に基板の両面を一時的に
ほぼ同じ静電位に保つ。
【００１４】 導電性パターンの少なくとも１つと周囲の静電的放散部材との間には壊れやす
い接続が設けてあり、物品に取付けるためにキャリアからタグを外した際に、こ
の壊れやすい接続が破壊される。この破壊によって、静電的放散部材による静電
的保護が実効的に停止する。
【００１５】 この米国特許第５，１８２，５４４号公報に記載の静電的保護の方法では、タ
グが物品に取付けられる以前のウェブの状態にある場合にはコンデンサプレート
間の誘電体の不必要な破壊が実効的に防止できるが、しかし、保護すべき物品に
タグを取付けた後には静電的保護は行われない。
【００１６】 静電的保護を行う別の方法は、「保安タグと製造方法」に関する米国特許第５
，７５４，１１０号特許に教示され、その主題もそれの参照により本件に包含さ
れるものとする。この '１１０号特許では、基板の片面または両面にある導電性
パターンを取り囲む不連続保護部材を教示している。
【００１７】 しかし、基板の第１の面の保護部材は基板の第２の面の保護部材に電気的に接
続されていないので、この特許に開示されている方法は、コンデンサの１つを早
過ぎて短絡させる蓄積静電気の放電を防ぐに充分実効的ではない。
【００１８】 本発明は保安タグを具え、そのタグの基板の第１の面の第１の導電性パターン
と基板の第２の面の第２の導電性パターンとを永久的に電気的に共通接続する直
接的な電気接続をタグの誘電体基板を通して（貫通（スルー）して）設けてあり
、それにより基板の両面が常時ほぼ同じ静電気レベルに維持される保安タグを具
えることにより、先行技術に関します上述の問題点を解消する。
【００１９】 本発明に従って作られたタグでは、もしタグの一方の面が接地された場合など
のように基板の第１の面の静電気レベルが急激に減少しても、基板の第２の面の
静電気レベルが同様に減少し、これによって、基板の対向面どうしの静電気レベ
ルの差異による電位差が減少し、そしてそれによりいずれかのコンデンサの意図
に反した早過ぎる短絡が防がれる。
【００２０】
【発明の概要】 要約すれば、本発明の一つの実施例は、第２の周波数範囲内で機能する電子的
保安システムで使用するための保安タグを有する。その保安タグは、第１の面と
第２の面とを有する実質的に平面状の誘電体基板を具えている。第１の導電性パ
ターンが基板の第１の面に配置されており、その第１の導電性パターンは、少な
くとも、第１の誘導性素子と、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１の
プレートと、第２の容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２１】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置されており、この第２の導電性
パターンは、少なくとも、第１の容量性素子の第２のプレートと、第２の容量性
素子の第２のプレートとを具えており、各々の容量性素子のプレートは誘導性素
子と整列し、容量性素子は第２の周波数範囲の外にある第１の周波数範囲の内の
第１の周波数で共振する共振回路を形成する。
【００２２】 直接的な電気接続が基板を貫通しており、それによって第１の導電性パターン
を第２の導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面を常時ほぼ同
じ静電気レベルに維持している。
【００２３】 本発明の第２の実施例では、本発明は第２の周波数範囲内で機能する電子的保
安システムで使用するための保安タグを具えている。その保安タグは、第１の面
と第２の面とを有する実質的に平板状の誘電体基板を具えている。第１の導電性
パターンが基板の第１の面に配置されていて、その第１の導電性パターンは、少
なくとも、第１の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１のプレートと、第２の
容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２４】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置され、その第２の導電性パター
ンは、少なくとも、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第２のプレートと
、第２の容量性素子の第２のプレートとを具え、そのそれぞれの容量性素子のプ
レートはほぼ整列している。その誘導性素子および容量性素子は、第２の周波数
範囲の外にある第１の周波数範囲の内の第１の周波数で共振する共振回路を形成
している。
【００２５】 直接的な電気接続（複数）が基板を通して延びていて、それによって第１の導
電性パターンを第２の導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面
を常時ほぼ同じ静電気レベルに維持している。
【００２６】 本発明の第３の実施例では、本発明は第２の周波数範囲内で機能する電子的保
安システムで使用するための保安タグを具えている。この保安タグは、第１の面
と第２の面とを有する実質的に平面状の誘電体基板を具えている。第１の導電性
パターンが基板の第１の面に配置されており、その第１の導電性パターンは少な
くとも、第１の誘導性素子と、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１の
プレートと、第２の容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２７】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置されており、その第２の導電性
パターンは、少なくとも、第３の誘導性素子と、第４の誘導性素子と、第１の容
量性素子の第２のプレートと、第２の容量性素子の第２のプレートとを具えてお
り、各々の容量性素子のプレートはほぼ整列している。
【００２８】 これらの誘導性素子および容量性素子は、第２の周波数範囲の外にある第１の
周波数範囲の内の第１の周波数で共振する共振回路を形成している。直接的な電
気接続が基板を通して延びており、これによって第１の導電性パターンを第２の
導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面を常時ほぼ同じ静電気
レベルに維持している。
【００２９】 前述の概要と本発明の好適な実施例についての以下に示す詳細な説明は、添付
図面を参照するとより良く理解できる。発明を例示するために現在のところ好ま
しい態様が図面に示されているが、本発明はその示されている細部の構成と手段
に限定されないものと理解すべきである。
【００３０】
【発明の詳細な記述】
図に示すように、すべての図を通じて、同一構成部品を示すのに同じ参照番号
が使用されており、本発明の好適な実施例に従った共振回路１０の電気回路構成
が図１に示されている。
【００３１】 共振回路１０は４個の構成部品を有し、この構成部品は第１の誘導性素子すな
わちインダクタＬｐ、第２の誘導性素子すなわちインダクタＬｓ、第１の静電容
量素子すなわちコンデンサＣｐ、および第２の容量性素子すなわちコンデンサＣ
ｓを有する。
【００３２】 もし望むのなら、さらなる誘導性または静電容量素子または構成部品を追加し
てもよい。図１に示すように、第２のインダクタＬｓは第２のコンデンサＣｓと
直列に接続されている。第１のコンデンサＣｐは第１のインダクタＬｐに並列に
接続されている。この直列接続回路（ＬｓおよびＣｓ）はこの並列接続回路（Ｌ
ｐおよびＣｐ）に接続されている。
【００３３】 インダクタンスＬｐおよびＬｓの値とキャパシタンスＣｐおよびＣｓの値は、
図１に構成されている共振回路１０が、この共振回路を組み込むタグに使用され
うる電子的物品監視（ＥＡＳ）システムの周波数の範囲外で第１の共振周波数範
囲内の、最初の、つまり第１の共振周波数で、共振するように選択される。
【００３４】 図１に示す共振回路１０の周波数は、ＥＡＳシステムの検出周波数範囲よりも
上、つまり高いことが好ましい。共振回路１０の周波数の要件を満たすインダク
タンスおよびキャパシタンスの値を選択するための方法は、通常の当業熟達者に
は周知であり、本発明の完全な理解のために本明細書で説明するということは必
要ないだろう。
【００３５】 キャパシタンスは、後述するように、インダクタンスの範囲内で蓄積または分
散できる。共振回路１０はＥＡＳシステムの検出周波数範囲外の周波数で共振す
るので、共振回路１０は実質的に不活性状態である。
【００３６】 共振回路１０の活性化は、共振回路１０から第１のインダクタンスＬｐを実効
的に除去する短絡条件を作り出すことによって達成される。通常の当業熟達者に
周知のさまざまな方法をこの短絡を作り出すために使用できる（以下それをデア
クティヴェイションフィーチャー＝不活性化特徴と呼ぶ）。従って、本実施例で
そのような短絡を作り出すための詳細な方法は、本発明における限定と解釈され
るべきではない。
【００３７】 本実施例で、第１のコンデンサＣｐのプレートの破壊電圧は、第２のコンデン
サＣｓのプレートの破壊電圧よりも低く、それで第１のコンデンサＣｐが第２の
コンデンサＣｓの短絡よりも前に短絡するようにするためのウィークニング（弱
化）した領域を作りだしてある。
【００３８】 そのようなより低い破壊電圧を作り出すためには、第１のコンデンサＣｐのプ
レート（複数）の間の誘電体のウィークニングをすること、第１のコンデンサＣ
ｐのプレートの全部または一部をそのプレート同士がより近づくように配置する
こと、第１のコンデンサＣｐのプレートとプレートの間にリンクを作成すること
、通常の当業熟達者には周知のその他の技術を用いることなどを含む多くの方法
で実施してよい。
【００３９】 あるいは、第１のキャパシタンスＣｐと第２のキャパシタンスＣｓの値は、回
路１０が第１周波数で共振するときに、第１のコンデンサＣｐの電圧が第２のコ
ンデンサＣｓの電圧よりも著しく高く、その結果第１のコンデンサＣｓを物理的
な変えることなく第１のコンデンサＣｐが第２のコンデンサＣｓが短絡するより
も前に必ず短絡する、というように選択してもよい。
【００４０】 短絡（ショートサーキット）を発生するために使用する特定の方法とは関係な
く、図１に示す共振回路１０が、第１周波数で電磁エネルギーにさらされるか、
第１のコンデンサＣｐが短絡を発生するのに十分高い最低出力レベルを持つ活性
化周波数で電磁エネルギーにさらされると、その結果として第１のインダクタＬ
ｐが短絡され、それによって第１のインダクタＬｐ（およびもちろん第１のコン
デンサＣｐ）が共振回路から実効的に除去される。
【００４１】 第１のインダクタＬｐ（および第１のコンデンサＣｐ）を除去すると、共振回
路を実効的に変更して第２のインダクタＬｓと第２のコンデンサＣｓだけを有す
る共振回路にすることができる。
【００４２】 第２のインダクタンスＬｓと第２のキャパシタンスＣｓの値は、その結果得ら
れる回路が第２周波数範囲内、すなわち、それとともに共振回路を使用するとこ
ろの、ＥＡＳシステムの検出周波数範囲内で共振するように選択される。この状
態のとき共振回路１０は「活性状態」にあると呼ばれ、ＥＡＳシステムによって
検知可能であり保安目的に使用してよい。
【００４３】 共振回路１０の不活性化は、共振回路１０を、前述した活性状態のときに、第
２のコンデンサＣｓを短絡するのに十分高くてそれによって第２のインダクタＬ
ｓを効果的に短絡させうるところの所定の最低出力レベルで共振回路１０の第２
共振周波数の電磁エネルギーにさらすことにより実施される。
【００４４】 第２のインダクタＬｓを短絡すると、共振回路１０の共振周波数がＥＡＳシス
テムの検出周波数範囲外で第３周波数範囲内の第３周波数に変化するか、共振回
路１０の「Ｑ」が減少してＥＡＳシステムによって検出不可能になるか、または
共振回路１０が共振することを全く防ぐか、のいずれかになる。
【００４５】 いずれにせよ、共振回路１０はＥＡＳシステムに対して機能しなくなるので、
実効的に不活性化される。従って、図１に示す共振回路１０は活性化可能でかつ
不活性化可能である。
【００４６】 活性化／不活性化が可能な共振回路と、そのような回路をＥＡＳシステムに使
用するために実施する保安タグは、米国特許第５，０８１，４４５号と５，１０
３，２１０号に明示されている先行技術で周知である。
【００４７】 本共振回路１０は保安タグの中に実施されると、後で詳細に記述するとおり保
安タグの電導性パターン同士を直接電気的に接続することによって、上記 '４４
５特許と '２１０特許との保安タグに関する前述の静電放電の問題を克服する。
【００４８】 図２は、図１に示す共振回路１０の第１の具現すなわち実施例に従った保安タ
グ２０の平面図である。図２から４に示す保安タグ２０は、第１の主面２４と第
２の相対する主面２６とを有する実質的に平坦な誘電体基板２２から成る。基板
２２は、絶縁性で比較的薄くて誘電体として使用できる限り、あらゆる固体材料
または複合材料あるいはその他の材料から構成されうる。
【００４９】 基板２２は、絶縁性の誘電材料、例えばポリエチレンなどの重合材料で形成さ
れることが好ましい。ただし、基板２２の形成にはその他の誘電材料を代わりに
使用してよいことが当業熟達者には明らかである。図２に示すように、基板２２
は透明である。しかし、透明性は基板２２に求められる特性ではない。
【００５０】 前述の共振回路１０の回路構成要素は、導電材料をパターン化することによっ
て、基板２２の主面２４および２６の両方に形成される。すなわち、第１の導電
性パターン２８（図２に薄い色で示す）は、図２ではたとえば保安タグ１０の底
面つまり背面として示されている基板２２の第１の面２４に形成されている。
【００５１】 第２の導電性パターン３０（図２に濃い色で示す）は、基板２２の第２の面２
６に形成される。導電性パターン２８および３０については、基板の面２４およ
び２６に、それぞれ周知の種類の導電材料で電子的物品監視技術の熟達者には周
知の態様で形成してよい。
【００５２】 その導電材料は、サブトラクティブ処理（すなわちエッチング）によってパタ
ーン化されることが好ましく、その処理により必要な材料が典型的には耐エッチ
性インクの上にプリントが形成され保護されたあとで化学腐食によって不要な材
料が除去される。この好適実施例では、導電材料はアルミニウムである。
【００５３】 しかし、その他の導電材料（例えば、金、ニッケル、銅、青銅、真鍮、高密度
黒鉛、銀充填導電性エポキシなど）を、共振回路１０の性質またはその動作を変
えることなくアルミニウムの代わりに使用できる。同様に、その他の方法（ダイ
カッティングなど）を、基板２２の上に導電性パターン２８および３０を形成す
るために使用してよい。
【００５４】 保安タグ１０は、本明細書中に参照されている「平板状回路の製造処理」と題
する米国特許第３，９１３，２１９号に記載されているタイプの処理によって製
造してよく、その方法は参照することによって本件中に組み込まれている。しか
し、必要に応じてその他の製造処理も使用できる。
【００５５】 前述のとおり、第１および第２の導電性パターン２８および３０は共に前述の
共振回路１０を形成する。図２に示す実施例では、インダクタすなわち誘導性素
子ＬｐおよびＬｓの両方が導電性コイル３２および３４の形でそれぞれ設けられ
、この導電性コイルはいずれも第１の導電性パターン２８の一部である。従って
、インダクタンスＬｐおよびＬｓの両方が基板２２の第１面２４上に配置される
。
【００５６】 ２個の導電性コイル３２および３４は図に示すように逆の方向に巻かれて誘導
結合を解消するか少なくとも極小化することが好ましい。また、静電容量素子す
なわちコンデンサＣｐおよびＣｓのそれぞれの第１のプレート３６および３８は
、基板２２の第１面２４上の第１の導電性パターン２８の一部として形成される
。
【００５７】 最後に、コンデンサＣｐおよびＣｓの各々の第２のプレート４０および４２は
、第２の導電性パターン３０の一部として形成され、基板２２の第２面２６上に
配置される。
【００５８】 上で簡単に説明したとおり、保安タグ２０においては直接の電気接続が基板２
２を通して第１の導電性パターン２８を第２の導電性パターン３０に電気的に接
続し、それによって基板２２の両面を実質的に同じ静電荷レベル（スタティック
チャージレベル）に継続的に維持する。
【００５９】 図２および４を参照すると、第１の導電性パターン２８は、第１のインダクタ
Ｌｐを形成するコイル部分３２の最も内面の端部上に概ね正方形のランド４４を
有する。これと同様に、概ね正方形のランド４８が第２の導電性パターン３０の
一部として形成され、導電性桁（ビーム）５０によって第２の導電性パターン３
０の一部に接続され、第１のコンデンサＣｐの第２のプレート４０を形成する。
【００６０】 図２および４に示すように、導電性ランド４４および４８は互いに整列して配
置されている。直接の電気接続は接続部５２を通しての溶接によって形成され、
この接続はこの電気接続部は図４に最も良く示されている通り、第１の導電性パ
ターン２８の導電性ランド４４と第２の導電性パターン３０の導電性ランド４８
との間にわたって延びている。
【００６１】 好ましくは、ランド４４とランド４８の直接の電気接続部５２は、ＥＡＳ技術
の通常の技術者には周知の方法で、溶接によって形成される。図１の模式図にお
いて、溶接すなわち直接の電気接続部５２は、模式的には参照文字Ａの位置に配
置されている。
【００６２】 溶接部または直接の電気的な接続部５２は、永続的な正極性の低抵抗の電気的
接続を基板２２の第１と第２の面２４、２６の間および第１と第２の導電性パタ
ーン２８、３０の間に設けるので、もし電荷が存在するなら、その静電荷も基板
２２の両面で同一の静電荷レベルに保たれる。従って、例えば基板２２の片面を
接地することにより、基板２２の片面の静電荷レベルが突然変化すると、基板２
２の他方の面の静電荷レベルは直ちに同じ静電荷レベルになる。
【００６３】 このようにして、基板２２の両面（単数）における電圧電位が劇的に大きく異
なることを防ぎ、それによって、コンデンサＣｐおよびＣｓのいずれかの早期（
早過ぎる）短絡を防ぎ、それによりインダクタＬｐおよびＬｓのいずれかが短絡
するのを防止する。
【００６４】 共振回路１０に従った保安タグ１２０の第２の実施例又は態様を図５および６
に示す。第１の実施例の様に、保安タグ１２０は、第１の主面つまり１２４の面
と第２のすなわち相対する主面つまり１２６を有している実質的に平坦な誘電体
基板１２２から成る。基板１２２は、第１の実施例に関して前述した材料と同じ
材料で形成されることが好ましい。
【００６５】 第１の実施例の様に、共振回路１０の回路構成部品は、第１の実施例に関して
先に述べたのと同じ様にして導電材料をパターン化することによって、基板１２
２の主面１２４および１２６上に形成される。こうして、第１の導電性パターン
１２８は図５に示すように基板の第１の面１２４に形成され、第２の導電性パタ
ーン１３０は図６に示すようにその基板１２２の第２の面１２６に形成される。
【００６６】 この第１および第２の導電性パターン１２８および１３０が共同して前述の共
振回路１０を形成する。本実施例で、第１のインダクタすなわち誘導性素子Ｌｐ
は第１の導電性パターン１２８の一部である導電性コイル１３２の形で設けられ
、従って、基板１２２の第１の面１２４に配置される。
【００６７】 第２のインダクタンスすなわち誘導性素子Ｌｓは、基板１２２の第２の面１２
６に配置されている第２の導電性パターン１３０の一部である導電性コイル１３
４の形で設けられる。好ましくは２つの導電性コイル１３２および１３４は、逆
の方向に巻かれて誘導結合を解消するか少なくとも最小化することが好ましい。
【００６８】 第１の実施例の様に、静電容量素子すなわちコンデンサＣｐおよびＣｓの第１
のプレート１３６および１３８は、基板１２２の第１面１２４に第１の導電性パ
ターン１２８の一部として形成されている。最後に、コンデンサＣｐおよびＣｓ
のそれぞれの第２のプレート１４０および１４２は、基板１２２の第２面１２６
に第２の導電性パターン１３０の一部として形成されている。
【００６９】 第１の導電性パターン１２８は、さらに、第１のインダクタンスＬｐを成すコ
イル部分１３２の最も内面の端部に概ね正方形のランド１４４を有する。これと
同様に、概ね正方形のランド１４８が第２の導電性パターン１３０の一部として
形成され、導電性の桁（ビーム）１５０によって第１のコンデンサＣｐの第２の
プレート１４０に接続されている。
【００７０】 第１の実施例の様に、直接の電気接続部が溶接によって形成され、この溶接部
分は第１の導電性パターン１２８の導電性ランド１４４と第２の導電性パターン
１３０の導電性ランド１４８との間にわたって延びている。
【００７１】 図１の模式図において、溶接すなわち直接の電気接続は参照文字Ｂの位置に模
式的に配置されている。図５および６に示す保安タグ１２０は、図２から４の保
安タグに関して前述したのと同様に機能する。
【００７２】 図８および９は、本発明に従った保安タグ２２０の第３の実施例又は態様を示
す。図８および９の保安タグ２２０は図５および６の保安タグ１２０と同様であ
る。しかし、図８および９の保安タグ２２０で、インダクタまたは誘導性素子Ｌ
ｐおよびＬｓは、それぞれのそのようなインダクタンスが後述の基板のそれぞれ
の面に配置されるように分割されている。
【００７３】 保安タグ２２０の回路構成図を図７に示す。図７に示すように、第１のインダ
クタンスは、Ｌｐ１およびＬｐ２として模式的に図示される２つの別々のインダ
クタに分割される。同様に、第２のインダクタは２つの別々のインダクタＬｓ１
およびＬｓ２に分割される。インダクタＬｐ１およびＬｐ２は、インダクタＬｓ
１およびＬｓ２との場合の様に相互結合される。
【００７４】 前述の実施例の様に、図８および９に示す保安タグ２２０は、第１の主面２２
４と第２の主面２２６を有する実質的に平坦な誘電体基板２２２から成る。基板
２２２は前述のようにして形成されることが好ましい。前述の実施例の様に、図
７に回路構成を例示する共振回路の回路構成部品は、前述したようにして導電性
材料をパターン化することによって基板２２２の両面の主面２２４および２２６
に形成される。
【００７５】 すなわち、図８に示す第１の導電性パターン２２８は基板の第１面２２４に形
成される。同様に、図９に示す第２の導電性パターン２３０は、基板２２２の第
２面２２６に形成される。第１と第２の導電性パターン２２８および２３０は共
同して図７に示すように前述のように共振回路を形成する。
【００７６】 図８に例示するように、誘導性素子Ｌｐ２は第１の導電性コイル２３２の形で
設けられ、インダクタＬｓ２は第２の導電性コイル２３３の形で設けられ、Ｌｐ
２とＬｓ２はともに第１の導電性パターン２２８の一部である。これと同様に、
図９に示すように、インダクタＬｐｌは第３の導電性コイル１３４として形成さ
れ、インダクタＬｓｌは第４の導電コイル１３５として形成され、これらのイン
ダクタはいずれも第２の導電性パターン２３０の一部である。
【００７７】 第１と第２の導電性コイル２３２および２３３は逆の方向に巻かれ、第３と第
４の導電性コイル２３４および２３５は逆の方向に巻かれて誘導結合を解消又は
最小化することが好ましい。図８および９に示す保安タグ２２０で、コンデンサ
ＣｐおよびＣｓは実際には分布容量であり、これらのコンデンサは、通常の当業
技術者には周知の方法で導電性コイル２３２、２３３、２３４、および２３５を
形成する導電性パターンの部分によって達成される。
【００７８】 前述の保安タグと同様に、図８および９の保安タグ２２０は直接の電気接続部
を有し、この電気接続部は基板２２２を通して延び第１の導電性パターン２２８
を第２の導電性パターン２３０に電気的に接続し、それによって基板２２２の両
面を実質的に同じ静電荷レベルに保つ。
【００７９】 このために、第１の導電性パターン２２８はほぼ矩形のランド２２４をインダ
クタＬｐ２を形成している第１のコイル部分２３２の最も内面の端部に有する。
同様に、第２の導電性パターン２２８はほぼ矩形のランド２４８を、インダクタ
ンスＬｐ１を形成しているコイル部分２３４の最も内面の端部に有する。
【００８０】 導電性ランド２４４および２４８は互いに整列配置され、直接の電気接続は、
導電性ランド２４４および２４８の間で延びる溶接によって、第１の実施例に関
して先に述べた方法で形成される。図７の模式図で、溶接部すなわち直接の電気
接続は参照文字Ｃの位置に設けられる。図８および９の保安タグ２２０は、保安
タグ２０に関して前述したのと同じように機能する。
【００８１】 前述の説明から、本発明が活性化／不活性化が可能な保安タグを具備し、この
保安タグは自身の早すぎる活性化または不活性化を防ぐために静電保護を有する
ことが分かる。当業技術者には、本発明の広い発明思想から離脱することなしに
本発明の上述の態様を変更できることが理解されるであろう。
【００８２】 例えば、さらにコンデンサとインダクタのどちらかまたは両方を追加した活性
化／不活性化が可能な保安タグに関しては、同一の発明思想を使用できよう。従
って、本発明は開示される特定の実施例に限定されるものではなく、添付の請求
の範囲に定義されている本発明の範囲ならびにその精神の範囲内におけるいかな
る変更をも包含することを意図しているものと理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の好適な実施例に基づく共振回路の電気的模式図
【図２】 図１の模式図によるプリント配線保安タグの第１の好適実施例の平面図
【図３】 図２の線３−３に沿った、タグの一部の断面図
【図４】 図２の線４−４に沿った、タグの一部の断面図
【図５】 図１の模式図による保安タグの第２の好適な実施例の平面図
【図６】 図５の保安タグの底平面図を示す図
【図７】 本発明の第３の好適な実施例に従った共振回路の電気的模式図
【図８】 図７の模式図による保安タグの第３の好適な実施例の平面図
【図９】 図８のタグの底平面図
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１２月１９日（２００１．１２．１９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】 電子的保安システムに使用する強化された静電保護システムを
具えた活性化／不活性化が可能な保安タグ
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】 本発明は、一般的には、物品が許可なく持ち出されることを検知する電子的監
視システムで使用する活性化／不活性化可能な保安タグに関し、より特定的には
、強められた静電的保護を含んだ２つのこのような保安タグに関する。
【０００２】 小売店舗や、図書館などのその他の施設から、商品や物品が盗まれたり許可な
く持ち出されることを検知して防止するための電子的物品監視システムないし電
子的物品保安システム（ＥＡＳ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｒｔｉｃｌｅ ｓｕ
ｒｖｅｉｌｌａｎｃｅ ｏｒ ｓｅｃｕｒｉｔｙ ｓｙｓｔｅｍ）が普及してき
ている。無線周波数型ＥＡＳシステムでは、一般に、インダクタ・コンデンサ共
振回路などの電子回路を内蔵したラベルすなわち保安タグを、保護すべき物品ま
たは物品の包装に取付ける。
【０００３】 保安タグの共振回路の周波数（検知周波数）に同調した送信器を用いて、小売
店舗や他の施設の出口の近くにある監視ゾーンないし検知ゾーンに対して電磁波
を照射する。また同様に保安タグの共振周波数に同調した受信器が、監視ゾーン
の近くに配置してある。活性状態の保安タグを取付けた物品が検知ゾーンに入る
と、タグの共振回路が共振して電磁場を乱す。受信器はこの乱れを検知し、アラ
ームを作動させて保安担当者に通報する。
【０００４】 保安タグを取付けた物品を実際に購入した人や、物品を施設から持ち出すこと
を許可された人が通った際にアラームが誤作動で作動することを避けるためには
、保安タグが不活性化可能でなければならない。保安タグを不活性化する方法と
しては、タグを不活性化装置に近付けて、タグの共振周波数の電磁波を共振回路
が短絡するに充分な出力レベルでタグに照射することにより、タグが検知周波数
で共振しないようにする方法が挙げられる。
【０００５】 高い出力レベルの不活性化電磁波を使用しないで済むように、不活性化可能な
保安タグは、通常、不活性化特徴を具えている。この不活性化特徴は、たとえば
、共振周波数の電磁波によって比較的低い出力レベルで照射された際に、コンデ
ンサ素子プレート（複数）の間の少なくとも一部で誘電体が弱化し（ウィークン
ド）又は厚みが減少させられることによりコンデンサのプレート（複数）間が短
絡（ショートサーキット）する１つまたは複数のコンデンサ素子を有している。
【０００６】 これとは別のより最近開発された保安タグでは、活性化と不活性化とが可能で
ある。活性化／不活性化可能な保安タグは、典型的には、少なくとも２つのコン
デンサを有する共振回路を具えている。各コンデンサは、弱化され又は厚みが減
ぜられてコンデンサプレート間が短絡する誘電体領域をコンデンサプレート間に
具えている。
【０００７】 活性化／不活性化可能タグの共振回路は、通常、このタグを使用するＥＡＳシ
ステムの周波数範囲外に初期共振周波数を有する。充分強いレベルで初期共振周
波数の電磁波をタグに照射すると、コンデンサの一方が短絡（ショートサーキッ
ト）される。これによって保安タグの共振周波数がＥＡＳシステムの検知周波数
範囲内に移動し、タグが活性化される。
【０００８】 その後共振回路を、この新たな共振周波数を有する第２のコンデンサを短絡す
るに充分なレベルの電磁エネルギーにさらすと、共振回路が共振しなくなるか、
共振回路の周波数がＥＡＳシステムの周波数範囲外に移動、すなわちタグの不活
性化をする。
【０００９】 このタイプの活性化／不活性化可能タグの構造と動作については、「電子的物
品監視システムにおいて物品にタグを付す方法およびこれに用いるタグないしラ
ベル」に関する米国特許第５，０８１，４４５号明細書と、「電子的保安システ
ム用の活性化／不活性化可能な保安タグ」に関する米国特許第５，１０３，２１
０号明細書とに記載されていて、それら両者は、参照することにより本件の中に
組み込まれるものとする。
【００１０】 これらの示された特許に開示されている活性化／不活性化可能な保安タグは実
効的にＥＡＳシステムで使用できるが、欠点もある。この種の保安タグは、典型
的には第１の面に第１の導電性パターンを有すると共に第２の面に第２の導電性
パターンを有する、柔軟でほぼ平面状の誘電体基板から形成されている。これら
の導電性パターン（複数）は、コンデンサプレート間の誘電体として機能する基
板と共に共振回路を形成している。
【００１１】 これらの導電性パターンの間には直接の電気的接続はない。或る環境条件によ
っては、基板の片面または両面に静電気が蓄積し得る。
【００１２】 ある場合には、特に基板の片面が接地されて静電気が放電を生じる場合などの
ように、基板の片面の静電気が急激に減少した場合には、基板の片面の電位が基
板の反対面の電位に対して著しく変化し、１以上のコンデンサのプレート間の誘
電体を不必要に破壊させることがあり、これによって、この１以上のコンデンサ
が不必要に短絡されたりあるいは、保安タグが不必要に活性化（活性化／不活性
化可能タグの場合）されたり、不必要に不活性化される。
【００１３】 この静電気放電の問題に対する１つの解決策は、「静電気保護付き保安タグ」
に関する米国特許第５，１８２，５４４号公報に開示されていて、その主題は、
それの参照により本件中に包含される。この米国特許第５，１８２，５４４号の
保安タグは基板の両面に静電的放散部材を具えており、これらの部材は、２つの
導電性パターンを実質的に取り囲んでおり、製造工程中に基板の両面を一時的に
ほぼ同じ静電位に保つ。
【００１４】 導電性パターンの少なくとも１つと周囲の静電的放散部材との間には壊れやす
い接続が設けてあり、物品に取付けるためにキャリアからタグを外した際に、こ
の壊れやすい接続が破壊される。この破壊によって、静電的放散部材による静電
的保護が実効的に停止する。
【００１５】 この米国特許第５，１８２，５４４号公報に記載の静電的保護の方法では、タ
グが物品に取付けられる以前のウェブの状態にある場合にはコンデンサプレート
間の誘電体の不必要な破壊が実効的に防止できるが、しかし、保護すべき物品に
タグを取付けた後には静電的保護は行われない。
【００１６】 静電的保護を行う別の方法は、「保安タグと製造方法」に関する米国特許第５
，７５４，１１０号特許に教示され、その主題もそれの参照により本件に包含さ
れるものとする。この '１１０号特許では、基板の片面または両面にある導電性
パターンを取り囲む不連続保護部材を教示している。
【００１７】 しかし、基板の第１の面の保護部材は基板の第２の面の保護部材に電気的に接
続されていないので、この特許に開示されている方法は、コンデンサの１つを早
過ぎて短絡させる蓄積静電気の放電を防ぐに充分実効的ではない。
【００１８】 本発明は保安タグを具え、そのタグの基板の第１の面の第１の導電性パターン
と基板の第２の面の第２の導電性パターンとを永久的に電気的に共通接続する直
接的な電気接続をタグの誘電体基板を通して（貫通（スルー）して）設けてあり
、それにより基板の両面が常時ほぼ同じ静電気レベルに維持される保安タグを具
えることにより、先行技術に関する上述の問題点を解消する。
【００１９】 本発明に従って作られたタグでは、もしタグの一方の面が接地された場合など
のように基板の第１の面の静電気レベルが急激に減少しても、基板の第２の面の
静電気レベルが同様に減少し、これによって、基板の対向面どうしの静電気レベ
ルの差異による電位差が減少し、そしてそれによりいずれかのコンデンサの意図
に反した早過ぎる短絡が防がれる。
【００２０】
【発明の概要】 要約すれば、本発明の一つの実施例は、第２の周波数範囲内で機能する電子的
保安システムで使用するための保安タグを有する。その保安タグは、第１の面と
第２の面とを有する実質的に平面状の誘電体基板を具えている。第１の導電性パ
ターンが基板の第１の面に配置されており、その第１の導電性パターンは、少な
くとも、第１の誘導性素子と、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１の
プレートと、第２の容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２１】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置されており、この第２の導電性
パターンは、少なくとも、第１の容量性素子の第２のプレートと、第２の容量性
素子の第２のプレートとを具えており、各々の容量性素子のプレートは誘導性素
子と整列し、容量性素子は第２の周波数範囲の外にある第１の周波数範囲の内の
第１の周波数で共振する共振回路を形成する。
【００２２】 直接的な電気接続が基板を貫通しており、それによって第１の導電性パターン
を第２の導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面を常時ほぼ同
じ静電気レベルに維持している。
【００２３】 本発明の第２の実施例では、本発明は第２の周波数範囲内で機能する電子的保
安システムで使用するための保安タグを具えている。その保安タグは、第１の面
と第２の面とを有する実質的に平板状の誘電体基板を具えている。第１の導電性
パターンが基板の第１の面に配置されていて、その第１の導電性パターンは、少
なくとも、第１の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１のプレートと、第２の
容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２４】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置され、その第２の導電性パター
ンは、少なくとも、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第２のプレートと
、第２の容量性素子の第２のプレートとを具え、そのそれぞれの容量性素子のプ
レートはほぼ整列している。その誘導性素子および容量性素子は、第２の周波数
範囲の外にある第１の周波数範囲の内の第１の周波数で共振する共振回路を形成
している。
【００２５】 直接的な電気接続（単数）が基板を通して延びていて、それによって第１の導
電性パターンを第２の導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面
を常時ほぼ同じ静電気レベルに維持している。
【００２６】 本発明の第３の実施例では、本発明は第２の周波数範囲内で機能する電子的保
安システムで使用するための保安タグを具えている。この保安タグは、第１の面
と第２の面とを有する実質的に平面状の誘電体基板を具えている。第１の導電性
パターンが基板の第１の面に配置されており、その第１の導電性パターンは少な
くとも、第１の誘導性素子と、第２の誘導性素子と、第１の容量性素子の第１の
プレートと、第２の容量性素子の第１のプレートとを具えている。
【００２７】 第２の導電性パターンが基板の第２の面に配置されており、その第２の導電性
パターンは、少なくとも、第３の誘導性素子と、第４の誘導性素子と、第１の容
量性素子の第２のプレートと、第２の容量性素子の第２のプレートとを具えてお
り、各々の容量性素子のプレートはほぼ整列している。
【００２８】 これらの誘導性素子および容量性素子は、第２の周波数範囲の外にある第１の
周波数範囲の内の第１の周波数で共振する共振回路を形成している。直接的な電
気接続が基板を通して延びており、これによって第１の導電性パターンを第２の
導電性パターンに電気的に接続し、それにより基板の両面を常時ほぼ同じ静電気
レベルに維持している。
【００２９】 前述の概要と本発明の好適な実施例についての以下に示す詳細な説明は、添付
図面を参照するとより良く理解できる。発明を例示するために現在のところ好ま
しい態様が図面に示されているが、本発明はその示されている細部の構成と手段
に限定されないものと理解すべきである。
【００３０】
【発明の詳細な記述】 図に示すように、すべての図を通じて、同一構成部品を示すのに同じ参照番号
が使用されており、本発明の好適な実施例に従った共振回路１０の電気回路構成
が図１に示されている。
【００３１】 共振回路１０は４個の構成部品を有し、この構成部品は第１の誘導性素子すな
わちインダクタＬｐ、第２の誘導性素子すなわちインダクタＬｓ、第１の静電容
量素子すなわちコンデンサＣｐ、および第２の容量性素子すなわちコンデンサＣ
ｓを有する。
【００３２】 もし望むのなら、さらなる誘導性または静電容量素子または構成部品を追加し
てもよい。図１に示すように、第２のインダクタＬｓは第２のコンデンサＣｓと
直列に接続されている。第１のコンデンサＣｐは第１のインダクタＬｐに並列に
接続されている。この直列接続回路（ＬｓおよびＣｓ）はこの並列接続回路（Ｌ
ｐおよびＣｐ）に接続されている。
【００３３】 インダクタンスＬｐおよびＬｓの値とキャパシタンスＣｐおよびＣｓの値は、
図１に構成されている共振回路１０が、この共振回路を組み込むタグに使用され
うる電子的物品監視（ＥＡＳ）システムの周波数の範囲外で第１の共振周波数範
囲内の、最初の、つまり第１の共振周波数で、共振するように選択される。
【００３４】 図１に示す共振回路１０の周波数は、ＥＡＳシステムの検出周波数範囲よりも
上、つまり高いことが好ましい。共振回路１０の周波数の要件を満たすインダク
タンスおよびキャパシタンスの値を選択するための方法は、通常の当業熟達者に
は周知であり、本発明の完全な理解のために本明細書で説明するということは必
要ないだろう。
【００３５】 キャパシタンスは、後述するように、インダクタンスの範囲内で蓄積または分
散できる。共振回路１０はＥＡＳシステムの検出周波数範囲外の周波数で共振す
るので、共振回路１０は実質的に不活性状態である。
【００３６】 共振回路１０の活性化は、共振回路１０から第１のインダクタンスＬｐを実効
的に除去する短絡条件を作り出すことによって達成される。通常の当業熟達者に
周知のさまざまな方法をこの短絡を作り出すために使用できる（以下それをデア
クティヴェイションフィーチャー＝不活性化特徴）と呼ぶ。従って、本実施例で
そのような短絡を作り出すための詳細な方法は、本発明における限定と解釈され
るべきではない。
【００３７】 本実施例で、第１のコンデンサＣｐのプレートの破壊電圧は、第２のコンデン
サＣｓのプレートの破壊電圧よりも低く、それで第１のコンデンサＣｐが第２の
コンデンサＣｓの短絡よりも前に短絡するようにするためのウィークニング（弱
化）した領域を作りだしてある。
【００３８】 そのようなより低い破壊電圧を作り出すためには、第１のコンデンサＣｐのプ
レート（複数）の間の誘電体のウィークニングをすること、第１のコンデンサＣ
ｐのプレートの全部または一部をそのプレート同士がより近づくように配置する
こと、第１のコンデンサＣｐのプレートとプレートの間にリンクを作成すること
、通常の当業熟達者には周知のその他の技術を用いることなどを含む多くの方法
で実施してよい。
【００３９】 あるいは、第１のキャパシタンスＣｐと第２のキャパシタンスＣｓの値は、回
路１０が第１周波数で共振するときに、第１のコンデンサＣｐの電圧が第２のコ
ンデンサＣｓの電圧よりも著しく高く、その結果第１のコンデンサＣｓを物理的 に 変えることなく第１のコンデンサＣｐが第２のコンデンサＣｓが短絡するより
も前に必ず短絡する、というように選択してもよい。
【００４０】 短絡（ショートサーキット）を発生するために使用する特定の方法とは関係な
く、図１に示す共振回路１０が、第１周波数で電磁エネルギーにさらされるか、
第１のコンデンサＣｐが短絡を発生するのに十分高い最低出力レベルを持つ活性
化周波数で電磁エネルギーにさらされると、その結果として第１のインダクタＬ
ｐが短絡され、それによって第１のインダクタＬｐ（およびもちろん第１のコン
デンサＣｐ）が共振回路から実効的に除去される。
【００４１】 第１のインダクタＬｐ（および第１のコンデンサＣｐ）を除去すると、共振回
路を実効的に変更して第２のインダクタＬｓと第２のコンデンサＣｓだけを有す
る共振回路にすることができる。
【００４２】 第２のインダクタンスＬｓと第２のキャパシタンスＣｓの値は、その結果得ら
れる回路が第２周波数範囲内、すなわち、それとともに共振回路を使用するとこ
ろの、ＥＡＳシステムの検出周波数範囲内で共振するように選択される。この状
態のとき共振回路１０は「活性状態」にあると呼ばれ、ＥＡＳシステムによって
検知可能であり保安目的に使用してよい。
【００４３】 共振回路１０の不活性化は、共振回路１０を、前述した活性状態のときに、第
２のコンデンサＣｓを短絡するのに十分高くてそれによって第２のインダクタＬ
ｓを効果的に短絡させうるところの所定の最低出力レベルで共振回路１０の第２
共振周波数の電磁エネルギーにさらすことにより実施される。
【００４４】 第２のインダクタＬｓを短絡すると、共振回路１０の共振周波数がＥＡＳシス
テムの検出周波数範囲外で第３周波数範囲内の第３周波数に変化するか、共振回
路１０の「Ｑ」が減少してＥＡＳシステムによって検出不可能になるか、または
共振回路１０が共振することを全く防ぐか、のいずれかになる。
【００４５】 いずれにせよ、共振回路１０はＥＡＳシステムに対して機能しなくなるので、
実効的に不活性化される。従って、図１に示す共振回路１０は活性化可能でかつ
不活性化可能である。
【００４６】 活性化／不活性化が可能な共振回路と、そのような回路をＥＡＳシステムに使
用するために実施する保安タグは、米国特許第５，０８１，４４５号と５，１０
３，２１０号に明示されている先行技術で周知である。
【００４７】 本共振回路１０は保安タグの中に実施されると、後で詳細に記述するとおり保
安タグの電導性パターン同士を直接電気的に接続することによって、上記 '４４
５特許と '２１０特許との保安タグに関する前述の静電放電の問題を克服する。
【００４８】 図２は、図１に示す共振回路１０の第１の具現すなわち実施例に従った保安タ
グ２０の平面図である。図２から４に示す保安タグ２０は、第１の主面２４と第
２の相対する主面２６とを有する実質的に平坦な誘電体基板２２から成る。基板
２２は、絶縁性で比較的薄くて誘電体として使用できる限り、あらゆる固体材料
または複合材料あるいはその他の材料から構成されうる。
【００４９】 基板２２は、絶縁性の誘電材料、例えばポリエチレンなどの重合材料で形成さ
れることが好ましい。ただし、基板２２の形成にはその他の誘電材料を代わりに
使用してよいことが当業熟達者には明らかである。図２に示すように、基板２２
は透明である。しかし、透明性は基板２２に求められる特性ではない。
【００５０】 前述の共振回路１０の回路構成要素は、導電材料をパターン化することによっ
て、基板２２の主面２４および２６の両方に形成される。すなわち、第１の導電
性パターン２８（図２に薄い色で示す）は、図２ではたとえば保安タグ１０の底
面つまり背面として示されている基板２２の第１の面２４に形成されている。
【００５１】 第２の導電性パターン３０（図２に濃い色で示す）は、基板２２の第２の面２
６に形成される。導電性パターン２８および３０については、基板の面２４およ
び２６に、それぞれ周知の種類の導電材料で電子的物品監視技術の熟達者には周
知の態様で形成してよい。
【００５２】 その導電材料は、サブトラクティブ処理（すなわちエッチング）によってパタ
ーン化されることが好ましく、その処理により必要な材料が典型的には耐エッチ
性インクの上にプリントが形成され保護されたあとで化学腐食によって不要な材
料が除去される。この好適実施例では、導電材料はアルミニウムである。
【００５３】 しかし、その他の導電材料（例えば、金、ニッケル、銅、青銅、真鍮、高密度
黒鉛、銀充填導電性エポキシなど）を、共振回路１０の性質またはその動作を変
えることなくアルミニウムの代わりに使用できる。同様に、その他の方法（ダイ
カッティングなど）を、基板２２の上に導電性パターン２８および３０を形成す
るために使用してよい。
【００５４】 保安タグ１０は、本明細書中に参照されている「平板状回路の製造処理」と題
する米国特許第３，９１３，２１９号に記載されているタイプの処理によって製
造してよく、その方法は参照することによって本件中に組み込まれている。しか
し、必要に応じてその他の製造処理も使用できる。
【００５５】 前述のとおり、第１および第２の導電性パターン２８および３０は共に前述の
共振回路１０を形成する。図２に示す実施例では、インダクタすなわち誘導性素
子ＬｐおよびＬｓの両方が導電性コイル３２および３４の形でそれぞれ設けられ
、この導電性コイルはいずれも第１の導電性パターン２８の一部である。従って
、インダクタンスＬｐおよびＬｓの両方が基板２２の第１面２４上に配置される
。
【００５６】 ２個の導電性コイル３２および３４は図に示すように逆の方向に巻かれて誘導
結合を解消するか少なくとも極小化することが好ましい。また、静電容量素子す
なわちコンデンサＣｐおよびＣｓのそれぞれの第１のプレート３６および３８は
、基板２２の第１面２４上の第１の導電性パターン２８の一部として形成される
。
【００５７】 最後に、コンデンサＣｐおよびＣｓの各々の第２のプレート４０および４２は
、第２の導電性パターン３０の一部として形成され、基板２２の第２面２６上に
配置される。
【００５８】 上で簡単に説明したとおり、保安タグ２０においては直接の電気接続が基板２
２を通して第１の導電性パターン２８を第２の導電性パターン３０に電気的に接
続し、それによって基板２２の両面を実質的に同じ静電荷レベル（スタティック
チャージレベル）に継続的に維持する。
【００５９】 図２および４を参照すると、第１の導電性パターン２８は、第１のインダクタ
Ｌｐを形成するコイル部分３２の最も内面の端部上に概ね正方形のランド４４を
有する。これと同様に、概ね正方形のランド４８が第２の導電性パターン３０の
一部として形成され、導電性桁（ビーム）５０によって第２の導電性パターン３
０の一部に接続され、第１のコンデンサＣｐの第２のプレート４０を形成する。
【００６０】 図２および４に示すように、導電性ランド４４および４８は互いに整列して配
置されている。直接の電気接続は接続部５２を通しての溶接によって形成され、
この接続はこの電気接続部は図４に最も良く示されている通り、第１の導電性パ
ターン２８の導電性ランド４４と第２の導電性パターン３０の導電性ランド４８
との間にわたって延びている。
【００６１】 好ましくは、ランド４４とランド４８の直接の電気接続部５２は、ＥＡＳ技術
の通常の技術者には周知の方法で、溶接によって形成される。図１の模式図にお
いて、溶接すなわち直接の電気接続部５２は、模式的には参照文字Ａの位置に配
置されている。
【００６２】 溶接部または直接の電気的な接続部５２は、永続的な正極性の低抵抗の電気的
接続を基板２２の第１と第２の面２４、２６の間および第１と第２の導電性パタ
ーン２８、３０の間に設けるので、もし電荷が存在するなら、その静電荷も基板
２２の両面で同一の静電荷レベルに保たれる。従って、例えば基板２２の片面を
接地することにより、基板２２の片面の静電荷レベルが突然変化すると、基板２
２の他方の面の静電荷レベルは直ちに同じ静電荷レベルになる。
【００６３】 このようにして、基板２２の両面（複数）における電圧電位が劇的に大きく異
なることを防ぎ、それによって、コンデンサＣｐおよびＣｓのいずれかの早期（
早過ぎる）短絡を防ぎ、それによりインダクタＬｐおよびＬｓのいずれかが短絡
するのを防止する。
【００６４】 共振回路１０に従った保安タグ１２０の第２の実施例又は態様を図５および６
に示す。第１の実施例の様に、保安タグ１２０は、第１の主面つまり１２４の面
と第２のすなわち相対する主面つまり１２６を有している実質的に平坦な誘電体
基板１２２から成る。基板１２２は、第１の実施例に関して前述した材料と同じ
材料で形成されることが好ましい。
【００６５】 第１の実施例の様に、共振回路１０の回路構成部品は、第１の実施例に関して
先に述べたのと同じ様にして導電材料をパターン化することによって、基板１２
２の主面１２４および１２６上に形成される。こうして、第１の導電性パターン
１２８は図５に示すように基板の第１の面１２４に形成され、第２の導電性パタ
ーン１３０は図６に示すように基板１２２の第２の面１２６に形成される。
【００６６】 この第１および第２の導電性パターン１２８および１３０が共同して前述の共
振回路１０を形成する。本実施例で、第１のインダクタすなわち誘導性素子Ｌｐ
は第１の導電性パターン１２８の一部である導電性コイル１３２の形で設けられ
、従って、基板１２２の第１の面１２４に配置される。
【００６７】 第２のインダクタンスすなわち誘導性素子Ｌｓは、基板１２２の第２の面１２
６に配置されている第２の導電性パターン１３０の一部である導電性コイル１３
４の形で設けられる。好ましくは２つの導電性コイル１３２および１３４は、逆
の方向に巻かれて誘導結合を解消するか少なくとも最小化することが好ましい。
【００６８】 第１の実施例の様に、静電容量素子すなわちコンデンサＣｐおよびＣｓの第１
のプレート１３６および１３８は、基板１２２の第１面１２４に第１の導電性パ
ターン１２８の一部として形成されている。最後に、コンデンサＣｐおよびＣｓ
のそれぞれの第２のプレート１４０および１４２は、基板１２２の第２面１２６
に第２の導電性パターン１３０の一部として形成されている。
【００６９】 第１の導電性パターン１２８は、さらに、第１のインダクタンスＬｐを成すコ
イル部分１３２の最も内面の端部に概ね正方形のランド１４４を有する。これと
同様に、概ね正方形のランド１４８が第２の導電性パターン１３０の一部として
形成され、導電性の桁（ビーム）１５０によって第１のコンデンサＣｐの第２の
プレート１４０に接続されている。
【００７０】 第１の実施例の様に、直接の電気接続部が溶接によって形成され、この溶接部
分は第１の導電性パターン１２８の導電性ランド１４４と第２の導電性パターン
１３０の導電性ランド１４８との間にわたって延びている。
【００７１】 図１の模式図において、溶接すなわち直接の電気接続は参照文字Ｂの位置に模
式的に配置されている。図５および６に示す保安タグ１２０は、図２から４の保
安タグに関して前述したのと同様に機能する。
【００７２】 図８および９は、本発明に従った保安タグ２２０の第３の実施例又は態様を示
す。図８および９の保安タグ２２０は図５および６の保安タグ１２０と同様であ
る。しかし、図８および９の保安タグ２２０で、インダクタまたは誘導性素子Ｌ
ｐおよびＬｓは、それぞれのそのようなインダクタンスが後述の基板のそれぞれ
の面に配置されるように分割されている。
【００７３】 保安タグ２２０の回路構成図を図７に示す。図７に示すように、第１のインダ
クタンスは、Ｌｐ１およびＬｐ２として模式的に図示される２つの別々のインダ
クタに分割される。同様に、第２のインダクタは２つの別々のインダクタＬｓ１
およびＬｓ２に分割される。インダクタＬｐ１およびＬｐ２は、インダクタＬｓ
１およびＬｓ２との場合の様に相互結合される。
【００７４】 前述の実施例の様に、図８および９に示す保安タグ２２０は、第１の主面２２
４と第２の主面２２６を有する実質的に平坦な誘電体基板２２２から成る。基板
２２２は前述のようにして形成されることが好ましい。前述の実施例の様に、図
７に回路構成を例示する共振回路の回路構成部品は、前述したようにして導電性
材料をパターン化することによって基板２２２の両面の主面２２４および２２６
に形成される。
【００７５】 すなわち、図８に示す第１の導電性パターン２２８は基板の第１面２２４に形
成される。同様に、図９に示す第２の導電性パターン２３０は、基板２２２の第
２面２２６に形成される。第１と第２の導電性パターン２２８および２３０は共
同して図７に示すように前述のように共振回路を形成する。
【００７６】 図８に例示するように、誘導性素子Ｌｐ２は第１の導電性コイル２３２の形で
設けられ、インダクタＬｓ２は第２の導電性コイル２３３の形で設けられ、Ｌｐ
２とＬｓ２はともに第１の導電性パターン２２８の一部である。これと同様に、
図９に示すように、インダクタＬｐｌは第３の導電性コイル２３４として形成さ
れ、インダクタＬｓｌは第４の導電コイル２３６として形成され、これらのイン
ダクタはいずれも第２の導電性パターン２３０の一部である。
【００７７】 第１と第２の導電性コイル２３２および２３３は逆の方向に巻かれ、第３と第
４の導電性コイル２３４および２３５は逆の方向に巻かれて誘導結合を解消又は
最小化することが好ましい。図８および９に示す保安タグ２２０で、コンデンサ
ＣｐおよびＣｓは実際には分布容量であり、これらのコンデンサは、通常の当業
技術者には周知の方法で導電性コイル２３２、２３３、２３４、および２３５を
形成する導電性パターンの部分によって達成される。
【００７８】 前述の保安タグと同様に、図８および９の保安タグ２２０は直接の電気接続部
を有し、この電気接続部は基板２２２を通して延び第１の導電性パターン２２８
を第２の導電性パターン２３０に電気的に接続し、それによって基板２２２の両
面を実質的に同じ静電荷レベルに保つ。
【００７９】 このために、第１の導電性パターン２２８はほぼ矩形のランド２２４をインダ
クタＬｐ２を形成している第１のコイル部分２３２の最も内面の端部に有する。
同様に、第２の導電性パターン２２８はほぼ矩形のランド２４８を、インダクタ
ンスＬｐ１を形成しているコイル部分２３４の最も内面の端部に有する。
【００８０】 導電性ランド２４４および２４８は互いに整列配置され、直接の電気接続は、
導電性ランド２４４および２４８の間で延びる溶接によって、第１の実施例に関
して先に述べた方法で形成される。図７の模式図で、溶接部すなわち直接の電気
接続は参照文字Ｃの位置に設けられる。図８および９の保安タグ２２０は、保安
タグ２０に関して前述したのと同じように機能する。
【００８１】 前述の説明から、本発明が活性化／不活性化が可能な保安タグを具備し、この
保安タグは自身の早すぎる活性化または不活性化を防ぐために静電保護を有する
ことが分かる。当業技術者には、本発明の広い発明思想から離脱することなしに
本発明の上述の態様を変更できることが理解されるであろう。
【００８２】 例えば、さらにコンデンサとインダクタのどちらかまたは両方を追加した活性
化／不活性化が可能な保安タグに関しては、同一の発明思想を使用できよう。従
って、本発明は開示される特定の実施例に限定されるものではなく、添付の請求
の範囲に定義されている本発明の範囲ならびにその精神の範囲内におけるいかな
る変更をも包含することを意図しているものと理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の好適な実施例に基づく共振回路の電気的模式図
【図２】 図１の模式図によるプリント配線保安タグの第１の好適実施例の平面図
【図３】 図２の線３−３に沿った、タグの一部の断面図
【図４】 図２の線４−４に沿った、タグの一部の断面図
【図５】 図１の模式図による保安タグの第２の好適な実施例の平面図
【図６】 図５の保安タグの底平面図を示す図
【図７】 本発明の第３の好適な実施例に従った共振回路の電気的模式図
【図８】 図７の模式図による保安タグの第３の好適な実施例の平面図
【図９】 図８のタグの底平面図
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１０月１０日（２００２．１０．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 アパルツチ，ローレンス アメリカ合衆国，ペンシルベニア州，ヴイ ラノヴア，リツジヴユー レーン 503 (72)発明者 ダツチヤー，アラン，ポール アメリカ合衆国，ニユージヤージー州，ウ エスト デプトフオード，ウツドホロウ ドライヴ 1102 (72)発明者 マゾーキ，ゲイリー，トーマス アメリカ合衆国，ニユージヤージー州，シ ユーエル，プルート ドライヴ ５ (72)発明者 ピコリ，アンソニー，フランク アメリカ合衆国，ニユージヤージー州，オ ーデユボン，ウエスト パイン ストリー ト 415 Ｆターム(参考） 5C084 AA03 AA09 BB04 CC35 DD07 DD87 EE07 FF02 GG56 GG57 GG71

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第２周波数範囲内で機能する電子的保安システムに使用する
    保安タグであって： 第１の面（サイド）と第２の面とを有する実質的に平坦な誘電体基板； 基板の第１の面の上に形成された第１の導電性パターンで、その第１導電性パ
    ターンが、少なくとも第１の誘導性素子、第２の誘導性素子、第１の静電容量素
    子の第１プレート、ならびに第２の静電容量素子の第１プレートを具えたもの； 基板の第２面の上の第２の導電性パターンであって、その第２導電性パターン
    が、少なくとも第１の静電容量素子の第２プレートと、第２静電容量素子の第２
    プレートを有し、各素子（複数）のプレート（複数）が概ね整列され、その誘導
    性素子ならびにその静電容量素子が第２周波数の範囲外で第１周波数の範囲内に
    ある第１周波数で共振する共振回路を形成するもの、を具えたもの； 基板を通して（貫通して）延びて第１の導電性パターンを第２の導電性パター
    ンに電気的に接続することにより継続的に基板の両面を実質的に同一静電荷レベ
    ルに維持する直接の電気的接続； を具備する保安タグ。
  2. 【請求項２】 第１の静電容量素子が、共振回路が少なくとも第１の誘導性
    素子を短絡する所定の極小レベルでの第１周波数範囲内の電磁エネルギーにさら
    されることにより、第１誘導性素子を短絡して共振回路の共振周波数を第２周波
    数範囲内の第２周波数に変化させる不活性化特徴を有する、 請求項１記載の保安タグ。
  3. 【請求項３】 第２の静電容量素子が、共振回路が少なくとも第２の誘導性
    素子を短絡する所定の極小レベルで第２周波数範囲内の電磁エネルギーにさらさ
    れることにより、回路の共振を阻止するか、または第３周波数範囲内の第３周波
    数に共振回路の共振周波数を変化させる第２静電容量素子を短絡する不活性化特
    徴を有する、 請求項２記載の保安タグ。
  4. 【請求項４】 直接の電気接続が、第１の誘導性素子と第１の静電容量素子
    の第２のプレートとの間にわたり延びている、 請求項１記載の保安タグ。
  5. 【請求項５】 第１の誘導性素子と第２の誘導性素子が逆の方向に巻かれた
    、 請求項１記載の保安タグ。
  6. 【請求項６】 第２周波数範囲内で機能する電子的保安システムに使用する
    ための保安タグであって： 第１の面と第２の面とを有する実質的に平坦な誘電体基板； 基板の第１の面の上の第１の導電性パターンであって、その第１の導電性パタ
    ーンは、少なくとも第１の誘電性素子、第１の静電容量素子の第１プレート、お
    よび第２静電容量素子の第１プレートとを具えたもの、 基板の第２の面の上の第２の導電性パターンであって、その第２の導電性パタ
    ーンは、少なくとも第２誘導性素子、第１の静電容量素子の第２プレート、第２
    静電容量素子の第２プレートを有し、各静電容量素子（複数）のプレート（複数
    ）は概ね整列され、その誘導性素子ならびにその静電容量素子が第２周波数の範
    囲外で第１周波数の範囲内にある第１周波数で共振する共振回路を形成するもの
    、を具えたもの；及び 基板を貫通して第１の導電性パターンを第２の導電性パターンに電気的に接続
    することにより継続的に基板の両面を実質的に同一静電荷レベルに維持する誘電
    接続； を有する保安タグ。
  7. 【請求項７】 第１の静電容量素子が、共振回路が少なくとも第１の誘導性
    素子を短絡する所定の極小レベルで第１周波数範囲内の電磁エネルギーにさらさ
    れることにより、第２周波数範囲内の第２周波数に共振回路の共振周波数を変化
    させる第１静電容量素子を短絡する不活性化特徴を有する、 請求項６記載の保安タグ。
  8. 【請求項８】 第２の静電容量素子が、共振回路が少なくとも第２の誘導性
    素子を短絡する所定の極小レベルで第２周波数範囲内の電磁エネルギーにさらさ
    れることにより、回路の共振を阻止するか、または第３周波数範囲内の第３周波
    数に共振回路の共振周波数を変化させる第２静電容量素子を短絡する不活性化特
    徴、 を有する請求項７記載の保安タグ。
  9. 【請求項９】 第１の誘導性素子と、第１の静電容量素子の第２のプレート
    との間に直接の電気接続が延びている、 請求項６記載の保安タグ。
  10. 【請求項１０】 第１および第２の誘導性素子が逆の方向に巻かれている、 請求項１記載の保安タグ。
  11. 【請求項１１】 第２周波数範囲内で機能する電子的保安システムに使用す
    るための保安タグであって： 第１の面と第２の面とを有する実質的に平坦な誘電体基板； 基板の第１の面の上の第１の導電性パターンであって、その第１の導電性パタ
    ーンは、少なくとも第１の誘導性素子、第２の誘導性素子、第１の静電容量素子
    の第１プレート、と第２の静電容量素子の第１プレートを具えたもの； 基板の第２の面の上にある第２の導電性パターンであって、その第２の導電性
    パターンが、少なくとも第３の誘導性素子、第４の誘導性素子、第１の静電容量
    素子の第２プレート、第２の静電容量素子の第２プレートを有し、その各静電素
    子（複数）のプレート（複数）が概ね整列され、その誘導性素子と静電容量素子
    とが共振回路を形成し、その共振回路は第２周波数の範囲外で第１周波数の範囲
    内にある第１周波数で共振するもの、；及び 基板を貫通して第１の導電性パターンを第２の導電性パターンに電気的に接続
    することにより継続的に基板の両面を実質的に同一静電荷レベルに維持する直接
    の電気的接続； を具備する保安タグ。
  12. 【請求項１２】 共振回路が第１の周波数範囲内の電磁エネルギーによって
    少なくとも所定の最低出力レベルにさらされた際に第１の静電容量素子を短絡し
    、それによって第１の誘導性素子と第３の誘導性素子とを短絡し、そしてそれに
    より共振回路の共振周波数を第２の周波数範囲内の第２の周波数に変化させる不
    活性化特徴を、前記の第１の静電容量素子が具備している、 請求項１１に記載の保安タグ。
  13. 【請求項１３】 共振回路が第２の周波数範囲内の電磁エネルギーによって
    少なくとも所定の極小出力レベルにさらされた際に第２の静電容量素子を短絡し
    、それによって第２の誘導性素子と第４の誘導性素子とを短絡し、そしてそれに
    より共振回路が共振するのを妨げるか、又は共振回路の共振周波数を第２の周波
    数範囲の外の第３の周波数範囲の内の第３の周波数へと変化させるための不活性
    化特徴を、前記の第２の静電容量素子が具備している、 請求項１２に記載の保安タグ。
  14. 【請求項１４】 直接の電気的接続が第１の誘導性素子と第３の誘導性素子
    との間で延びている、 請求項１１記載の保安タグ。
  15. 【請求項１５】 第１および第３の誘導性素子が逆の方向に巻かれている、 請求項１１記載の保安タグ。
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