JP2003526423A - 切替可能な磁気特性を有する構造 - Google Patents

切替可能な磁気特性を有する構造

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JP2003526423A JP2001566217A JP2001566217A JP2003526423A JP 2003526423 A JP2003526423 A JP 2003526423A JP 2001566217 A JP2001566217 A JP 2001566217A JP 2001566217 A JP2001566217 A JP 2001566217A JP 2003526423 A JP2003526423 A JP 2003526423A
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マイケル チャールズ キーオウ ウィルトシャー
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マルコニ オプティカル コンポーネンツ リミテッド
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Abstract

(57)【要約】 切替可能な磁気特性を有する構造が、容量性要素（４４）のアレイから成り、各容量性要素は、低抵抗導電路を含み、所定の周波数帯域内に存在する電磁放射（１２）の磁気成分（Ｈ）が、前記導電路を回って関連する要素（４４）を流れる電流を誘起する。要素（４４）のサイズ及びそれらの間隔は（ａ）は、前記受信された電磁放射（１２）に応答して、透磁率（μ）を与える様に選択されている。各容量性要素（４４）は、複数の積層平面セクション（４２）から成り、各セクションは、少なくとも２つの同心螺旋導電部材又はトラック（４６、４８）から成り、これら部材またはトラックは、互いに電気的に絶縁されている。バリウム−ストロンチウム−チタネイト（ＢＳＴ）の様な誘電率切替可能な材料が、トラック間に与えられている。構造の磁気特性は導電性トラック間にｄｃ電位を加えることにより切替えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は切替可能な磁気特性を有する構造に関する。
【０００２】 或る応用において、材料の透磁率が少なくとも特定の周波数範囲内でその応用
に対して調整することが出来れば有利であり、透磁率が選択された値間で切替わ
ることができれば特に有利である。本出願人の同時係属英国特許出願第236485号
（国際特許出願第ＷＯ 00/41270）及び導体からの磁気作用及び増大された非線
形現象(Magnetism from Conductors and Enhanced Non-Linear Phenomena)と題
される出版物IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques, 1999,47
, 2075-2084, J B Pendry, A J Holden, D J Robbins and W J Stewartにおいて
、選択された周波数、典型的にはマイクロ波周波数(GHz)で透磁性を示す構造化
材料が議論されている。
【０００３】 これらの文献に記述される構造化材料は、低抵抗導電路を含む容量性要素のア
レイから成り、これら要素は、選択された周波数帯域内の電磁放射の磁気成分が
、導電路を回って関連する要素を流れる電流を誘起する。これら要素のサイズ及
びそれら要素の間隔は、電磁放射に応答して、選択された透磁率を与えるように
、選択されている。この様な構造は、選択された周波数の電磁放射に対して、選
択された固定透磁率を有するように設計されて、材料が加工されることを可能に
する。
【０００４】 図１（ａ）及び１（ｂ）に示される様に、この様に構造化された材料２は、容
量性要素４のアレイ（配列）から成る。これの要素の各々は、２つの同心金属導
電円筒管、即ち、外側円筒管６及び内側円筒管８から成る。両管６、８は、長さ
方向（即ち、軸方向に延びる）ギャップ１０を有し、２つのギャップ１０は１８
０°互いにずらされている。要素４は、規則的な正方形アレイで配置され、かつ
距離ａ離れた中心上に位置されている。外側管６は，半径ｒを有しており、内側
部管８及び外側管６は距離ｄ離されている。ギャップ１０は、管６、８の何れに
にもこれらを回ってｄｃ電流が流れることを阻止する。しかしながら、材料が、
管６、８の軸に平行な磁場成分Ｈを有する電磁放射１２を受ける場合には、２つ
の円筒管６、８の間の自己キャパシタンス（静電電気容量）がａｃ電流ｊが流れ
ることを許容する。この様な構造は、
【０００５】
【数１】 で与えられる透磁率μeff（ω）を有している。
【０００６】 ここで、ωは角周波数であり、σは円筒管の抵抗率であり、ｉは√−１であり
、ｃ0は光の速度である。式１から、円筒管のサイズｒ及び間隔ａを適当に選択
することによって、所定の周波数ωで選択された透磁率を有する構造を得ること
が出来ることがわかる。
【０００７】 製造の容易のため、英国特許出願第2346485(国際特許出願第ＷＯ00/412709)に
おいては、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示される様に、同心スプリットリング２
６、２８の積層の形態で各容量性要素４を構成することが提案されている。この
様なリングの積層は、上述された同心円筒管に等しいことが示されており、
【０００８】
【数２】 で与えられる透磁率を有している。
【０００９】 ここで、ｒ1は内側リング２８の内側半径であり、ａはリングの格子間隔であ
り、ｌは軸方向での所定の列中のリング間の間隔であり、ｄ1は半径方向でのリ
ング間の間隔であり、ｃ1は半径方向における各リングの幅であり、σ1は各リン
グの単位長さ当たりの抵抗値である。
【００１０】 英国特許出願第2346485（国際特許出願第ＷＯ 00/41270）に記述された更なる
微細構造化された材料が、図３（ａ）及び図３（ｂ）に図示されるように、単一
の螺旋形状の導体３４から成る導電性要素の積層を使用して構成される。
【００１１】 英国特許出願第2346485号（国際特許出願第ＷＯ 00/41270）においては、構造
化材料の透磁率は、バリウム-ストロンチウム-チタネイト（チタン酸塩）（ＢＳ
Ｔ）又は他の強誘電体材料の様な、非線形誘電体材料を組み込むことによって、
切替可能とすることができる。この構造の透磁率は、強誘電体材料を横切って電
場を加えることによって、強誘電体材料の誘電率を変化することにより、切替え
られる。強誘電体材料を、各容量性要素の円筒管の間（図１（ｂ））又は各同心
リングの半径方向での間（図２（ａ））に組み込むことができることが示唆され
ている。しかしながら、ＢＳＴのような、強誘電体材料を含むことは、その構造
の共鳴周波数を、３０分の１以上減少する。所定の周波数で所望の透磁率を得る
ために選択された周波数迄に、共鳴周波数を増大することは、同じ倍率だけ各容
量性要素の自己キャパシタンスが減少されることを必要とする。構造化磁性材料
がマイクロ波周波数、即ちＧＨｚ領域で作動されるべきことが意図されている時
、このことは、製造することが非現実的であった容量性要素から成る構造を必要
とする。この問題を解決するために、英国特許出願第2346485（国際特許出願第
ＷＯ 00/41270）においては、軸方向に延びる２つのギャップを有する同心でな
い単一の円筒管のアレイから成る構造が提案されている。強誘電体が、そのギャ
ップ中に設けられており、切替可能な静電電場を使用して、強誘電体材料の誘電
率を変化することにより、透磁率が切替えられる。この様に構造化された材料は
、マイクロ波周波数で動作可能であるが、ＭＨｚ領域の無線周波数での動作に対
して十分に小さい容量性要素を製造することは現実的ではない。更に、マイクロ
波動作に対してでさえ、この様な構造化材料の構成は、困難であり且つ高価であ
る。
【００１２】 本発明は、選択された動作波長において選択された値の間で切替わることがで
きる透磁率を有し、容易に製造でき、且つ無線周波数（ＭＨｚ）での動作に対し
て好適な構造化材料を与えようとして、得られたものである。
【００１３】 本発明によると、各容量性要素が低抵抗導電路を含み、所定の周波数帯域内に
存在する電磁場放射の磁気成分が、前記導電路を回って関連する要素を流れる電
流を誘起する様な容量性要素のアレイからなり、前記要素のサイズ及びそれらの
間隙が、前記受信された電磁放射に応答して、所定の透磁率を与える様に選択さ
れており、各容量性要素が、複数の積層平面セクションからなり、各セクション
が、少なくとも２つの同心螺旋導電部材から成り、これら同心螺旋導電部材は、
互いに電気的に絶縁されており、且つそれらの間に誘電率切替可能な材料を有す
ることを特徴とする、切替可能な磁気特性を有する構造が提供される。
【００１４】 この構造の透磁率は、誘電率切替可能な材料を横切って静電場を加えることに
よって、選択された値に容易に切り替わることができる。これは、各容量性要素
の導電性螺旋部材にｄｃ電圧を加えることにより、都合よく達成される。この特
許出願において、用語螺旋は、広く解釈されるべきであり、固定点の周りをそこ
から連続的に遠ざかって描かれる平面曲線には限定されない。この用語は、中心
点から遠ざかる２つ以上の非閉鎖ループを含む。この用語は、正方形、長方形、
三角形、六角形、又は他の幾何形状である螺旋を含む。
【００１５】 好適には、螺旋は実質的には円の形態である。代替的には、正方形又は長方形
である。
【００１６】 誘電率切替可能な材料は、強誘電材料、好ましくは、バリウム−ストロンチウ
ム−チタネイトから成る。代替的には、液晶から成ることができる。
【００１７】 好ましくは、容量性要素は、正方形アレイ上に配列される。好適には、所定の
一行内の複数の螺旋導電性部材が交互に反対方向に解ける。この様な構成では、
構造が、所定の一列内の各螺旋部材を接続する導電性接続トラックを更に含むこ
とが有利である。
【００１８】 好ましくは、本構造は、無線周波数（ＭＨｚ）での動作のために構成される。
【００１９】 本発明の構造は、定常磁場中で、非磁性である。
【００２０】 本発明に従う切替可能な磁気特性を有する構造は、添付図面を参照して、例示
のためだけに、記述される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図４を参照すると、切替可能な透磁率を有する構造、又は構造化材料４０が示
されている。構造４０は、電気的絶縁シート４２の積層からなり、シートの各々
は、その上面に定められた導電性容量性要素４４のアレイを有している。明瞭の
ために、図４の構造４０は、シート４２が分離されている分解図で示されている
。しかしながら、シート４２は、互いの頂部上に積層されており、シート４２の
容量性要素は、隣接シートの対応する要素４４に覆いかぶさっている。容量性要
素は、隣接シート上の対応する隣接要素から距離ｌ離されている。シート４２は
、グラフファイバ印刷回路基板又は他の絶縁材料から成り、ポリイミド薄膜及び
導電性容量性要素４４が、フォトリソグラフィ又は他の好適な技術を使用した、
銅トラックの形態で定められている。
【００２２】 図５を参照すると、単一容量性要素４４が平面図で示されている。各容量性要
素４４は、Ｎ回巻きの、図示された要素の場合は５回巻きの導電性螺旋トラック
４６、４８から成る。２つの螺旋トラック４６、４８は、互いに電気的に絶縁さ
れており、それぞれ、内部半径ｒin及び外部半径ｒoutを有している。各螺旋ト
ラック４６、４８は、幅ｃを有しており、トラックは、半径方向で距離ｄ離れて
いる。トラックの単位長さ当たりの抵抗値は、ρである。トラック４６、４８間
を延びるギャップが、バリウム−ストロンチウム−チタネイト（ＢＳＴ）セラミ
ック粉末ベースの誘電体塗料で充填されている。製造が容易なために、ＢＳＴ塗
料は、各シート４２の全表面に渡って塗布される。強誘電性であるこの材料は、
大きく且つ非線形の誘電率を有しており、静電場の印加によって切替わることが
てきる誘電率を有している。導電性トラック５０、５２を使用して、トラック４
６、４８を横切ってｄｃ電圧を加えることにより、電場を、ＢＳＴを横切って加
えることができる。明瞭のために、電極トラック５０、５２は図４に示されてい
ない。
【００２３】 図６を参照すると、単一のシート４２が、容量性要素４４のレイアウト及び電
極トラック５０、５２の構成を図示する平面図が示されている。容量性要素４４
は、格子寸法ａの正方形アレイに配列されている。図６に示されている通り、各
行内の螺旋要素４６、４８は、交互に反対方向に螺旋巻きされている。これとは
対照的に、各列内の容量性要素は、同じ向きである。この構成は、隣接容量性要
素の最外の導電性トラック４６、４８は同じであり、従って、同じ電極トラック
に接続することができることを意味している。要素をこの様に構成することが、
接続の容易の為に好ましいが、このことは、構造を機能するために、本質的なこ
とではなく、代替の実施の形態において、螺旋要素は同じ方向を有することがで
きる。この構成の特定の利点は、所定のシート４２内の螺旋トラック４６、４８
の各々を相互接続するために必要とされる電極トラック５０、５２の長さを最小
化することにある。このことは、構造が電磁放射１２を受ける時に、電場成分Ｅ
と構造の相互作用を減少するという利益を有する。
【００２４】 各螺旋トラックの幅ｃが螺旋の半径よりも極めて小さいと仮定すると、記載さ
れた構造の透磁率は略、
【数３】 であると示すことがてきる。
【００２５】 εは螺旋４６、４８間の誘電体材料の誘電率であり、ε0及びμ0は、自由空間
の誘電率及び透磁率であり、ｉは√−１である。式３から、透磁率は導電螺旋ト
ラック４６、４８間の材料の誘電率に依存していることが分かる。従って、構造
の透磁率は、誘電率の適当な切替によって選択された値に切替わることができる
。上述した様に、これは、この構造の各層４２の電極トラック５０、５２間に、
電位差−Ｖ、＋Ｖを加えることにより、達成される。
【００２６】 構造化材料４０は、シート４２に垂直である、即ち、容量性要素４４の軸に平
行である（図４に示される）磁場Ｈを有する電磁場放射１２を受けている場合、
この状態は、導電性螺旋トラック４６、４８の各々に於いて交流電流を誘導する
。各要素４４の導電性螺旋トラック４６、４８は、互いに絶縁されているので、
このことは、ｄｃ電流の流れを阻止する。特に、各要素４４が、多数の巻き数を
有している場合、トラック４６、４８間に相当の自己キャパシタンスが存在する
ので、このことは、螺旋トラック４６、４８の内部及び外部端間にａｃ電流が流
れることを可能にする。これらの誘導電流は、構造４０内に大きな不均一電場を
生じ、これが構造の磁気特性を生じる。構造化材料の磁気特性は、構成成分の何
らかの磁気作用からではなく、放射の磁気成分と相互作用する要素４４の自己キ
ャパシタンスから生じることが理解される。ｄｃ（静的）電圧（−Ｖ，＋Ｖ）が
、電極トラック５０，５２に加えられる場合、これは、強誘電体材料を横切って
電場を印加し、これによって、誘電率を変化し、そして構造化材料の透磁率を変
化する。
【００２７】 本発明に従って構成された構造の特性の一例が、ｒin＝５ｍｍ、ｒout＝１２
．１ｍｍ、ｃ＝０．５ｍｍ、ｄ＝０．１ｍｍ，Ｎ＝５、ｌ＝０．５ｍｍ及びａ＝
３０ｍｍの構造に対して、図７に於いて示されている。螺旋トラック４６、４８
は、１００Ωｍ-1の抵抗率を有する銅から作られている。螺旋トラック４６、４
８の捲線間のギャップは、ＢＳＴで充填されていおり、「切替えられてない」即
ち、電場が加えられていない状態での透磁率は、２００に等しく、「切替えられ
た」即ち、１ｋＶｍ-1の電場か加えられた状態での透磁率は、１００に等しい。
説明された構造材料４０に対して、この様な電場強度は、電極トラック５０及び
５２間に１００Ｖ加えたことに対応する。図７は、透磁率対角周波数のプロット
であり、実線は、「切替えられていない状態」、即ち、電極５０及び５２間に電
圧が加えられていない状態での構造に対する透磁率の実部を表わしており、点線
は、「切替えられていない状態」での透磁率の虚部を表わしている。一点破線は
、「切替えられた状態」における実部を表わし、破線は、「切替えられた状態」
における虚部を表わしている。これらのプロットから明らかな様に、本発明の構
造は、負の値、大きな正の値、及び他の値を有することができ、適当なｄｃ電位
を電極トラックに加えることにより選択することができる、無線周波数（ＭＨｚ
）で共鳴する透磁率を示す。
【００２８】 材料の存在によって摂動を受けるべきではない安定状態磁場又は磁場勾配が存
在する場所では特にであるが、切替可能な磁気特性を有する構造を有することが
望まれる場合に、本発明の構造は、多くの応用を見出すことができる。一例は、
磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）の分野においてである。本発明に従う構造化材
料は、２１．３ＭＨｚにおいて作動するＭＲＩ装置で使用するため特に好適であ
る。この動作周波数で、構造化材料は、切替えられていない状態で、負の透磁率
を有し、従って、この様な装置で使用される無線周波数（ｒｆ）場に対してスク
リーンとして機能し、且つ定常状態磁場に影響を及ぼさない。切替えられていな
い状態において、材料は、その外部層からｒｆ放射を反射することにより、スク
リーンとして機能し、更に、外部層に浸透する如何なる放射も急速に減衰される
。静電場の印加によって、材料が切替わる時、材料は小さな正の透磁率（即ち、
μ＜２）を有する。中間の状態では、透磁率は、正又は負、大又は小であり、電
極トラックに与えられる電圧に依存して、ガイディング又はスクリーニングの何
れかを生じる。従って、実時間で変化することができる透磁率を有する構造は、
所望の通りにＭＲＩ装置が変形構成されることを可能にする。例えば、本出願人
の同時係属出願である英国特許出願第00053646.6に記載される様に、患者の所望
の領域から磁気共鳴信号を受信するために検知コイルのアレイを使用することが
提案されている。切替可能な磁気特性を有する本発明に従う構造化材料から成る
スクリーンは、コイルの間に設けられる。このスクリーンの透磁率を適当に切替
えることにより、各コイルによって見られる有効領域を変化することができる。
【００２９】 本発明は、記述された特定の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の
範囲内で変更が可能であることは理解されるであろう。容量性要素は、２つの同
心円状螺旋トラックの形態であることが好ましいが、例えば、図８に示される様
な正方形の二重螺旋の様な他の形態の容量性要素を使用することができる。更に
、各螺旋トラック又は部材は、例えば、三角形又は他の形態の様な二回巻き以上
の閉じていないループの何らかの形態とすることができる。多数巻きの螺旋形導
電トラックの特定の利点は、所定の大きさの容量性要素に対して大きな自己キャ
パシタンスを有していることにある。この小さなサイズの要素は、無線周波数で
動作することができる構造化材料を製造することを可能にする。
【００３０】 更に、別の実施の形態においては、追加の導電性トラックを螺旋要素に組み込
むことも、予想される。例えば、液晶の様な別の強誘電体材料は、各シートの全
表面に渡って与えることの出来る構造に組み込むことが出来ることも、考えられ
る。
【００３１】 正方形アレイの形態の容量性要素を配列することは、与えられたシート内に容
量性要素の対応するトラックを組み込むことに都合が良いが、この容量性要素は
代替的に異なるアレイで配列することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】 磁気特性を有する公知の構造化材料の概略表現、
【図１ｂ】 図１ａの容量性要素の一つの拡大図、
【図２ａ】 磁気特性を有する別の公知の構造化材料の概略表現、
【図２ｂ】 図２ａの容量性要素の一つの拡大平面図とこの様な要素の積層、
【図３ａ】 更なる公知の構造化材料の概略表現、
【図３ｂ】 図３ａの容量性要素の一つの拡大平面図とこの様な要素の積層、
【図４】 本発明に従う切替可能な磁気特性を有する構造の、分解図での概略表現、
【図５】 図４の構造の容量性要素の一つの平面図、
【図６】 図４の構造の単一層の平面図、
【図７】 「切替えられていない」及び「切替えられた」状態における図４の構造に対す
る、周波数の関数での透磁率の実部および虚部のプロット、
【図８】 本発明に従った、切替可能な透磁率を有する構造中で使用するための容量性要
素の別の形態。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 9/00 Ａ６１Ｂ 5/05 ３５５ Ｇ０１Ｎ 24/02 ５４０Ｂ 24/04 ５２０Ｃ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4C096 AB34 AB48 AD10 CA62 CC01 CC06 CC40 5E321 AA01 AA11 AA21 AA31 AA42 BB21 BB23 BB25 BB44 GG05 GG07 5J020 AA03 BA03 BA06 BD03 DA03 5J021 AA09 BA02 BA05 DB05 DB07 FA04 FA23 FA31 GA02 HA01 JA03 JA10

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 容量性要素のアレイを含み、前記アレイは所定の周波数帯域
    内に存在する入射電磁放射に応答して、所定の透磁率を表わし、各容量性要素は
    低抵抗導電路を含み、前記所定の周波数帯域内に存在する電磁放射の磁気成分が
    、前記導電路を回って関連する要素を流れる電流を誘起し、前記要素間の間隔は
    、前記所定の周波数帯域内の放射の波長よりも小さく、前記要素のサイズ及びそ
    れらの間隔は、受信された電磁放射に応答して、所定の透磁率を与える様に選択
    されており、各容量性要素は、互いに電気的に絶縁される少なくとも２つの同心
    螺旋導電部材から成り、前記容量性要素間に誘電率が切替可能な材料を有する、
    切替可能な磁気特性を有する構造。
  2. 【請求項２】 前記誘電率が切替可能な材料が、強誘電体材料から成ること
    を特徴とする請求項１記載の構造。
  3. 【請求項３】 前記誘電率が切替可能な材料が、バリウム−ストロンチウム
    −チタネイトから成ることを特徴とする請求項１又は２記載の構造。
  4. 【請求項４】 前記誘電率が切替可能な材料が、液晶から成ることを特徴と
    する請求項１記載の構造。
  5. 【請求項５】 前記容量性要素が平面アレイであることを特徴とする請求項
    １乃至４何れかに記載の構造。
  6. 【請求項６】 所定の一行中の螺旋導電部材が、交互に逆方向にほどけてい
    ることを特徴とする請求項５記載の構造。
  7. 【請求項７】 積層された複数の平面アレイを含むことを特徴とする請求項
    ５又は６記載の構造。
  8. 【請求項８】 螺旋導電部材の或る列内の各螺旋部材を接続する、導電性接
    続トラックを更に含むことを特徴とする請求項７記載の構造。
  9. 【請求項９】 前記要素間の間隔は、前記所定の周波数帯域内の放射の波長
    の半分よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の構造。
  10. 【請求項１０】 前記要素間の間隔は、前記所定の周波数帯域内の放射の波
    長の５分の１より小さいことを特徴とする請求項１乃至８何れかに記載の構造。
  11. 【請求項１１】 前記要素間の間隔は、前記所定の周波数帯域内の放射の波
    長の１０分の１よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至８何れかに記載の構
    造。
  12. 【請求項１２】 前記構造が、前記所定の周波数帯域の少なくとも一部分に
    渡って、負の透磁率を表わすことを特徴とする請求項１乃至１１何れかに記載の
    構造。
  13. 【請求項１３】 前記所定の周波数帯域が３ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚに渡る
    帯域内にあることを特徴とする請求項１乃至１２何れかに記載の構造。
  14. 【請求項１４】 前記所定の周波数帯域が３ＭＨｚ乃至３０ＭＨｚに渡る帯
    域内にあることを特徴とする請求項１乃至１３何れかに記載の構造。
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