JP2003522653A - リソグラフィ工程で使用するためのスタンプ、スタンプの製造方法、および基板上のパターン化層の製造方法 - Google Patents
リソグラフィ工程で使用するためのスタンプ、スタンプの製造方法、および基板上のパターン化層の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アスペクト比が小さいかまたは大きい第1くぼみが存在することに起因する配置の乱れに対する感度が低い印刷面を有するスタンプを提供することと、そのスタンプの製造方法を提供することと、層が正確にパターン化される、パターン化層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 表面層のパターン化などのリソグラフィ工程用の本発明のスタンプ(10)は、少なくとも第1くぼみ(11)がそこに形成されているスタンプ本体(5)を有する。このくぼみは、スタンプ(10)の印刷面(3)内の第1開口(15)を定義する。第1くぼみ(11)は、印刷面からの距離が増すにつれて狭くなり、その一方で、第1くぼみの任意の断面は、印刷面(3)に垂直に投影されたとき、開口(15)内に存在する。印刷面は、小さな開口(11、12)と大きな開口(13)と、開口の間の小さな表面(14)を有すことができ、その一方で、それにもかかわらず、印刷面の正確な複製を印刷できる。サブミクロンスケールの微細部も、適切に印刷できる。スタンプ(10)は、型を作るための第1本体の異方性エッチングステップと、スタンプ(10)の印刷面(3)に型を複製するステップとを有する方法によって製造できる。
Description
【０００１】
本発明は、リソグラフィ工程において使用するための、印刷面を有するスタン
プ本体を有するスタンプであって、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を
有する第1くぼみを有する、スタンプに関する。
プ本体を有するスタンプであって、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を
有する第1くぼみを有する、スタンプに関する。
【０００２】
本発明は、また、リソグラフィ工程において使用するためのスタンプの製造方
法であって、当該スタンプが、前記印刷面に部分的に一致する表面を有するスタ
ンプ本体を有する製造方法にも関する。
法であって、当該スタンプが、前記印刷面に部分的に一致する表面を有するスタ
ンプ本体を有する製造方法にも関する。
【０００３】
本発明は、さらに、スタンプ本体と印刷面とが設けられたスタンプによって基
板の表面に第1材料のパターン化層を形成するステップを有する、電子部品の製
造方法であって、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を有する第1くぼみ
を有し、当該方法によって前記スタンプの前記印刷面が前記基板の前記表面上に
配置され、当該第1材料が、前記基板の前記表面に前記パターン化層が設けられ
るように前記印刷面に供給される、製造方法にも関する。
板の表面に第1材料のパターン化層を形成するステップを有する、電子部品の製
造方法であって、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を有する第1くぼみ
を有し、当該方法によって前記スタンプの前記印刷面が前記基板の前記表面上に
配置され、当該第1材料が、前記基板の前記表面に前記パターン化層が設けられ
るように前記印刷面に供給される、製造方法にも関する。
【０００４】
このようなスタンプは、『G.M. Whitesides and Y. Xia, in Angew. Chem. In
t. Ed. 37 (1998), 500-575』から公知である。第1の棒状のくぼみは、底と、印
刷面に隣接する、側壁とも呼ばれる壁とを境界とする。この第1くぼみの深さは
、底と印刷面の間の距離に等しい。第1くぼみは、開口の平面内にある幅と、そ
の幅に垂直な長さ（奥行き）とを有し、当該幅は、長さより短いか等しい。この
公知のスタンプは、写真製版に代わる手段として近年その重要性が増しているリ
ソグラフィ工程で使用される。このような工程は、一括して「ソフトリソグラフ
ィ(soft lithography)」と呼ばれる。第1の例として、最初に第1材料がスタンプ
の印刷面に供給され、次いでスタンプが、その印刷面が基板上に位置するように
配置されるミクロ接触印刷(microcontact printing)があげられる。他例として
は、リソグラフィ工程におけるステップが逆の順序で行われるミクロ成形(micro
molding)があげられる。
t. Ed. 37 (1998), 500-575』から公知である。第1の棒状のくぼみは、底と、印
刷面に隣接する、側壁とも呼ばれる壁とを境界とする。この第1くぼみの深さは
、底と印刷面の間の距離に等しい。第1くぼみは、開口の平面内にある幅と、そ
の幅に垂直な長さ（奥行き）とを有し、当該幅は、長さより短いか等しい。この
公知のスタンプは、写真製版に代わる手段として近年その重要性が増しているリ
ソグラフィ工程で使用される。このような工程は、一括して「ソフトリソグラフ
ィ(soft lithography)」と呼ばれる。第1の例として、最初に第1材料がスタンプ
の印刷面に供給され、次いでスタンプが、その印刷面が基板上に位置するように
配置されるミクロ接触印刷(microcontact printing)があげられる。他例として
は、リソグラフィ工程におけるステップが逆の順序で行われるミクロ成形(micro
molding)があげられる。
【０００５】
上記引用記事の556ページで述べられているように、公知のスタンプは、第1く
ぼみの幅／深さの比が限定されるという欠点を有する。この比率（以下「アスペ
クト比」と呼ぶ）は、上限と下限の両方があり、具体的には0.2と2の間にある。
この比率が大きければ、第1くぼみの深さは小さくなる。従って、底が相対的に
大きく曲がる場合には、その底の一部は、印刷面に位置し、そして印刷面の配置
が乱されることになる。
ぼみの幅／深さの比が限定されるという欠点を有する。この比率（以下「アスペ
クト比」と呼ぶ）は、上限と下限の両方があり、具体的には0.2と2の間にある。
この比率が大きければ、第1くぼみの深さは小さくなる。従って、底が相対的に
大きく曲がる場合には、その底の一部は、印刷面に位置し、そして印刷面の配置
が乱されることになる。
【０００６】
このような曲がりを防ぐための第1の方策は、機能をもたない支柱（複数）を
空洞内に設けることである。このような支柱は、それぞれ印刷面内に表面を有す
る突起である。スタンプによって押印がスタンプの表面で形成されると、その押
印は支柱のパターンも有するが、これは追加的であり、押印において機能をもた
ない。支柱を設けることによって、第1くぼみは、各くぼみのアスペクト比が元
の第1くぼみより小さい、部分的に相互に隣接する多数のくぼみに分割される。
空洞内に設けることである。このような支柱は、それぞれ印刷面内に表面を有す
る突起である。スタンプによって押印がスタンプの表面で形成されると、その押
印は支柱のパターンも有するが、これは追加的であり、押印において機能をもた
ない。支柱を設けることによって、第1くぼみは、各くぼみのアスペクト比が元
の第1くぼみより小さい、部分的に相互に隣接する多数のくぼみに分割される。
【０００７】
しかしながら、この方策は別の欠点をもたらす。すなわち、スタンプの製造で
使用されるマスクは、標準のリソグラフィマスクに匹敵するように適合化させる
必要がある。さらに、そのような突起を有するスタンプを使用することは、例え
ば、パターン化された導電層の製造において、パターン化層における短絡や寄生
容量の形成の危険性につながる。
使用されるマスクは、標準のリソグラフィマスクに匹敵するように適合化させる
必要がある。さらに、そのような突起を有するスタンプを使用することは、例え
ば、パターン化された導電層の製造において、パターン化層における短絡や寄生
容量の形成の危険性につながる。
【０００８】
第1くぼみの底の曲がりを防ぐための2番目の方策は、第1くぼみの深さを大き
くすることである。しかし、深さが増してアスペクト比が減少すると、第1くぼ
みの側壁が曲がる危険性が増大し、パターンが適切に転移されない。特に、第2
くぼみが第1くぼみから近い距離に存在する場合、この欠点は顕著である。この
場合、スタンプ本体の該当する部分は、深さに対して幅が短い突起と見なすこと
ができるので、この突起は安定性が低い。
くすることである。しかし、深さが増してアスペクト比が減少すると、第1くぼ
みの側壁が曲がる危険性が増大し、パターンが適切に転移されない。特に、第2
くぼみが第1くぼみから近い距離に存在する場合、この欠点は顕著である。この
場合、スタンプ本体の該当する部分は、深さに対して幅が短い突起と見なすこと
ができるので、この突起は安定性が低い。
【０００９】
本発明の第1の目的は、アスペクト比が小さいかまたは大きい第1くぼみが存在
することに起因する配置の乱れに対する感度が低い印刷面を有する、冒頭の段落
に記載されている種類のスタンプを提供することである。
することに起因する配置の乱れに対する感度が低い印刷面を有する、冒頭の段落
に記載されている種類のスタンプを提供することである。
【００１０】
本発明の第2の目的は、本発明のスタンプを製造することができる、冒頭の段
落に記載されている種類のスタンプを製造する方法を提供することである。
落に記載されている種類のスタンプを製造する方法を提供することである。
【００１１】
本発明の第3の目的は、層が正確にパターン化される、冒頭の段落に記載され
ている種類のパターン化層を形成する方法を提供することである。
ている種類のパターン化層を形成する方法を提供することである。
【００１２】
本発明によると、第1の目的は、
前記第1くぼみが前記印刷面までの前記距離が増すつれて狭くなり、かつ、
前記印刷面に平行な前記第1くぼみの断面が、前記印刷面に垂直に投影された
とき、開口内に存在する、ことにおいて達成される。
とき、開口内に存在する、ことにおいて達成される。
【００１３】
本発明によるスタンプにおいては、印刷面までの距離が増すにつれて第1くぼ
みの断面が小さくなる。一実施例においては、くぼみは、少なくともいくつかが
印刷面と90゜よりも小さい角度をなす、平面の側壁を有する。望ましくは、くぼ
みの隣接する各壁が、印刷面と90゜より小さい角度をなす。この角度は、印刷面
に垂直でありかつスタンプの反対側に向く第1ベクトルn1と、印刷面に隣接する
くぼみの壁に垂直でありかつスタンプの反対側に向く第2ベクトルn2の間の角度
である。望ましくは、この角度は10゜より大きく80゜未満である。さらに具体的に
は、この角度は、40゜より大きく60゜未満である。本発明によるスタンプにおいて
は、第1くぼみの底は、開口が同じ場合に公知のスタンプにおけるそれより小さ
い。これによって、底の曲がりは、機能をもたない支柱がスタンプに含まれてい
なくても有効に対処することが出来る。本発明によるスタンプにおいては、小さ
いアスペクト比に付随する安定性に関する問題も、少なくとも実質的に存在しな
い。印刷面までの距離が増すにつれて第1くぼみが狭くなることによって、必然
的に、スタンプ本体の隣接する部分は、印刷面までの距離が増すにつれて広くな
り、従って安定する。さらなる利点は、印刷面が、スタンプに力が加えられると
きの偏差に対する感度が低いことである。角度が90゜より小さいので、スタンプ
本体の隣接する部分に加えられる力のモーメントがより小さくなる。従って、側
壁の位置が変わり、これによって開口の大きさが変わる危険性が減少する。
みの断面が小さくなる。一実施例においては、くぼみは、少なくともいくつかが
印刷面と90゜よりも小さい角度をなす、平面の側壁を有する。望ましくは、くぼ
みの隣接する各壁が、印刷面と90゜より小さい角度をなす。この角度は、印刷面
に垂直でありかつスタンプの反対側に向く第1ベクトルn1と、印刷面に隣接する
くぼみの壁に垂直でありかつスタンプの反対側に向く第2ベクトルn2の間の角度
である。望ましくは、この角度は10゜より大きく80゜未満である。さらに具体的に
は、この角度は、40゜より大きく60゜未満である。本発明によるスタンプにおいて
は、第1くぼみの底は、開口が同じ場合に公知のスタンプにおけるそれより小さ
い。これによって、底の曲がりは、機能をもたない支柱がスタンプに含まれてい
なくても有効に対処することが出来る。本発明によるスタンプにおいては、小さ
いアスペクト比に付随する安定性に関する問題も、少なくとも実質的に存在しな
い。印刷面までの距離が増すにつれて第1くぼみが狭くなることによって、必然
的に、スタンプ本体の隣接する部分は、印刷面までの距離が増すにつれて広くな
り、従って安定する。さらなる利点は、印刷面が、スタンプに力が加えられると
きの偏差に対する感度が低いことである。角度が90゜より小さいので、スタンプ
本体の隣接する部分に加えられる力のモーメントがより小さくなる。従って、側
壁の位置が変わり、これによって開口の大きさが変わる危険性が減少する。
【００１４】
本発明によるスタンプの第1くぼみの底の形状は、特に、長方形および多角形
でもよい。しかしながら、底の形状は、実質的に線または点が望ましい。その場
合には、底の曲がりは発生しえない。くぼみは、印刷面においてはV溝のように
見え、印刷面に垂直な面から見ると三角形の形状をしている。従って、くぼみ全
体としての形状は、例えば、円錐、角錐、不規則な多角体である。くぼみの形状
は、スタンプの印刷面のパターンに依存する。
でもよい。しかしながら、底の形状は、実質的に線または点が望ましい。その場
合には、底の曲がりは発生しえない。くぼみは、印刷面においてはV溝のように
見え、印刷面に垂直な面から見ると三角形の形状をしている。従って、くぼみ全
体としての形状は、例えば、円錐、角錐、不規則な多角体である。くぼみの形状
は、スタンプの印刷面のパターンに依存する。
【００１５】
印刷面から実質的に0より大きい距離における第1くぼみの断面は、印刷面にお
ける断面と少なくとも実質的に合同であることが望ましい。従って、側壁と印刷
面によって囲まれる角度は、各側壁について側壁の各位置において実質的に同じ
である。印刷面には、異方性は存在しない。第1の方向における開口の安定化は
、任意の第2の方向における安定化と同じである。従って、線とくぼみが曲がっ
たり傾斜するパターンを印刷面が有することができ、その一方で、これらはすべ
ての位置で安定し、かつ同じ寸法を有する。このようなパターンは、例えば、集
積回路のパターン化層において望ましい。
ける断面と少なくとも実質的に合同であることが望ましい。従って、側壁と印刷
面によって囲まれる角度は、各側壁について側壁の各位置において実質的に同じ
である。印刷面には、異方性は存在しない。第1の方向における開口の安定化は
、任意の第2の方向における安定化と同じである。従って、線とくぼみが曲がっ
たり傾斜するパターンを印刷面が有することができ、その一方で、これらはすべ
ての位置で安定し、かつ同じ寸法を有する。このようなパターンは、例えば、集
積回路のパターン化層において望ましい。
【００１６】
一般に、スタンプには第1くぼみに加えて第2くぼみが存在する。この第2くぼ
みは、印刷面内に開口を有し、印刷面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ
、印刷面に平行な断面を有し、当該断面が印刷面に垂直に投影されたとき、くぼ
みの開口内に存在する。くぼみが互いに隣接する場合、スタンプ本体のくぼみの
間の部分は、第1の突起と見なすことができる。印刷面に平行にとったときのこ
の突起の断面の表面積は、印刷面までの距離が減少するにつれて小さくなる。こ
れによって、第1突起は安定する。突起が曲がる危険性は低減される。このよう
にして安定化された突起は、さらに、印刷面における表面積を非常に小さくする
ことができる。この表面積の大きさは、第1くぼみの開口と第2くぼみの開口の間
の距離によって決まる。このことは、この距離が1ミクロン未満であるときに好
ましい。このことは、この距離が0.5ミクロン未満であるときに非常に好ましい
。その理由は、この距離が、パターン化層における最小寸法を定義するためであ
る。周知のように、特に、集積回路分野では、現在も微細化が進んでいる微細寸
法が望まれている。
みは、印刷面内に開口を有し、印刷面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ
、印刷面に平行な断面を有し、当該断面が印刷面に垂直に投影されたとき、くぼ
みの開口内に存在する。くぼみが互いに隣接する場合、スタンプ本体のくぼみの
間の部分は、第1の突起と見なすことができる。印刷面に平行にとったときのこ
の突起の断面の表面積は、印刷面までの距離が減少するにつれて小さくなる。こ
れによって、第1突起は安定する。突起が曲がる危険性は低減される。このよう
にして安定化された突起は、さらに、印刷面における表面積を非常に小さくする
ことができる。この表面積の大きさは、第1くぼみの開口と第2くぼみの開口の間
の距離によって決まる。このことは、この距離が1ミクロン未満であるときに好
ましい。このことは、この距離が0.5ミクロン未満であるときに非常に好ましい
。その理由は、この距離が、パターン化層における最小寸法を定義するためであ
る。周知のように、特に、集積回路分野では、現在も微細化が進んでいる微細寸
法が望まれている。
【００１７】
本発明によるスタンプのさらなる実施例においては、第1くぼみ以外に第3くぼ
みが存在し、当該第3くぼみが、前記印刷面内に開口を有し、前記印刷面に平行
な断面を有し、かつ当該断面が、前記印刷面までの距離が増すにつれて狭くなる
。さらに、印刷面上への断面の投影は、くぼみの開口内に存在する。このくぼみ
は、互いに垂直な長さと幅を有し、この長さは幅に等しいか幅より大きい。開口
の形状が長方形の場合、長さと幅はくぼみの側壁と平行に延在する。一般に、開
口は、印刷面に平行な第1方向に寸法を有する。開口の当該寸法は、特に長さが
幅よりもはるかに大きい場合、幅として選択されることが望ましい。
みが存在し、当該第3くぼみが、前記印刷面内に開口を有し、前記印刷面に平行
な断面を有し、かつ当該断面が、前記印刷面までの距離が増すにつれて狭くなる
。さらに、印刷面上への断面の投影は、くぼみの開口内に存在する。このくぼみ
は、互いに垂直な長さと幅を有し、この長さは幅に等しいか幅より大きい。開口
の形状が長方形の場合、長さと幅はくぼみの側壁と平行に延在する。一般に、開
口は、印刷面に平行な第1方向に寸法を有する。開口の当該寸法は、特に長さが
幅よりもはるかに大きい場合、幅として選択されることが望ましい。
【００１８】
この実施例においては、前記第3くぼみの前記開口は、前記印刷面に平行な第1
方向における寸法が、同じ方向における前記第1開口の前記寸法よりも大きい。
この結果、第3くぼみの深さは、第1くぼみの深さに等しいかこれより大きい。第
3くぼみの深さは、第1くぼみの深さよりも大きいことが望ましい。その理由は、
その場合には、第3くぼみの底の表面積が、深さが等しい場合よりも小さくなる
ためである。
方向における寸法が、同じ方向における前記第1開口の前記寸法よりも大きい。
この結果、第3くぼみの深さは、第1くぼみの深さに等しいかこれより大きい。第
3くぼみの深さは、第1くぼみの深さよりも大きいことが望ましい。その理由は、
その場合には、第3くぼみの底の表面積が、深さが等しい場合よりも小さくなる
ためである。
【００１９】
本発明によるスタンプのこの実施例では、全く同じスタンプによって、異なる
寸法の微細部を有するパターンを印刷することが可能である。第1方向における
第3くぼみの開口の寸法と、同じ方向における第1くぼみの開口の寸法との比率は
、少なくとも5であることが望ましい。より具体的には、この比率は少なくとも2
0である。具体的には、この比率は、少なくとも50であり、これより大きな比率
も本発明の範囲から除外されない。
寸法の微細部を有するパターンを印刷することが可能である。第1方向における
第3くぼみの開口の寸法と、同じ方向における第1くぼみの開口の寸法との比率は
、少なくとも5であることが望ましい。より具体的には、この比率は少なくとも2
0である。具体的には、この比率は、少なくとも50であり、これより大きな比率
も本発明の範囲から除外されない。
【００２０】
くぼみの開口の大きさの比率を大きくできることは、電子部品の製造において
はサイズが大きく任意形状の異なるパターンを形成することができる必要がある
ことから、大きな利点である。集積回路の層またはエッチング層を印刷するとき
、この方法によると、断面が0.1ミクロンの線と断面が5ミクロンの表面を形成す
ることができる。従って、例えば、統合された方法で、1層の中に能動素子と受
動素子を印刷することができる。この場合の線は、例えば、内部配線であり、表
面はコンデンサの電極である。
はサイズが大きく任意形状の異なるパターンを形成することができる必要がある
ことから、大きな利点である。集積回路の層またはエッチング層を印刷するとき
、この方法によると、断面が0.1ミクロンの線と断面が5ミクロンの表面を形成す
ることができる。従って、例えば、統合された方法で、1層の中に能動素子と受
動素子を印刷することができる。この場合の線は、例えば、内部配線であり、表
面はコンデンサの電極である。
【００２１】
本発明によるスタンプは、第1、第2、第3くぼみ以外に、いくつかの追加のく
ぼみを有することができる。印刷面の第1端から第2端までくぼみが連続している
ことも可能である。
ぼみを有することができる。印刷面の第1端から第2端までくぼみが連続している
ことも可能である。
【００２２】
スタンプ本体は、弾性材料から製造されることが望ましい。そのような材料は
、103 〜 106の間のヤング率、特に、0.25*105 〜 5*105 N/m2のヤング率を有す
ることが望ましい。このような材料の例として、特に、ポリ（ジメチルシロキサ
ン）（PDMSとしても知られる）、ポリ（ブタジエン）、ポリ（アクリルアミド）
、ポリ（ブチルスチレン）と、これらの材料の共重合体があげられる。必要な量
の可撓性を制御するために弾性層の特性を最適化することが望ましい。これに代
えて、スタンプ本体は、望ましくは106 N/m2以上の高いヤング率を有する材料を
有していてもよい。この実施例の場合、スタンプ内には弾性材料の層が含まれて
いることが好ましい。
、103 〜 106の間のヤング率、特に、0.25*105 〜 5*105 N/m2のヤング率を有す
ることが望ましい。このような材料の例として、特に、ポリ（ジメチルシロキサ
ン）（PDMSとしても知られる）、ポリ（ブタジエン）、ポリ（アクリルアミド）
、ポリ（ブチルスチレン）と、これらの材料の共重合体があげられる。必要な量
の可撓性を制御するために弾性層の特性を最適化することが望ましい。これに代
えて、スタンプ本体は、望ましくは106 N/m2以上の高いヤング率を有する材料を
有していてもよい。この実施例の場合、スタンプ内には弾性材料の層が含まれて
いることが好ましい。
【００２３】
本発明によるスタンプは、リソグラフィ工程、特に、様々な形状のパターンが
高い信頼性でかつ正確に基板上に形成されるサブミクロンリソグラフィ工程にお
いて使用することができる。本発明によるスタンプを使用できるリソグラフィ工
程の例として、特に、ミクロ接触印刷、ミクロ成形、ミクロ転送成形(microtran
sfer molding)、複製成形、あるいは溶剤を利用するミクロ成形があげられる。
さらに本発明によるスタンプは、光がスタンプを介して導かれるリソグラフィ工
程においても使用できる。このようなリソグラフィ工程そのものは公知である。
高い信頼性でかつ正確に基板上に形成されるサブミクロンリソグラフィ工程にお
いて使用することができる。本発明によるスタンプを使用できるリソグラフィ工
程の例として、特に、ミクロ接触印刷、ミクロ成形、ミクロ転送成形(microtran
sfer molding)、複製成形、あるいは溶剤を利用するミクロ成形があげられる。
さらに本発明によるスタンプは、光がスタンプを介して導かれるリソグラフィ工
程においても使用できる。このようなリソグラフィ工程そのものは公知である。
【００２４】
本発明の第2の目的は、冒頭の段落に記載されている種類の方法であって、
開口が前記元の表面内に存在するように第1くぼみが型に形成され、当該第1く
ぼみが、前記元の表面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ、前記元の表面
に平行な断面を有し、当該断面が前記元の表面に垂直に投影されたときに前記開
口内に存在するように、前記型の表面をパターン化された型表面にする異方性エ
ッチングステップと、 前記パターン化された型の表面を複製してパターン化された表面を有する第1
本体を形成するステップと、 を有する方法によって達成される。
ぼみが、前記元の表面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ、前記元の表面
に平行な断面を有し、当該断面が前記元の表面に垂直に投影されたときに前記開
口内に存在するように、前記型の表面をパターン化された型表面にする異方性エ
ッチングステップと、 前記パターン化された型の表面を複製してパターン化された表面を有する第1
本体を形成するステップと、 を有する方法によって達成される。
【００２５】
第1くぼみは、型の表面と90゜に等しくない角度を囲む少なくとも1つの第1側壁
を有する。この角度は、10゜より大きくかつ80゜未満であることが望ましい。より
具体的には、この角度は40゜より大きくかつ60゜未満である。この角度は、元の面
に垂直でありかつ型の反対側に向く第1ベクトルn1と、元の表面に隣接するくぼ
みの壁に垂直でありかつ型の反対側に向く第2ベクトルn2の間の角度として定義
される。型は、パターニング後に、第1くぼみ以外にいくつかの追加のくぼみを
有することが望ましい。
を有する。この角度は、10゜より大きくかつ80゜未満であることが望ましい。より
具体的には、この角度は40゜より大きくかつ60゜未満である。この角度は、元の面
に垂直でありかつ型の反対側に向く第1ベクトルn1と、元の表面に隣接するくぼ
みの壁に垂直でありかつ型の反対側に向く第2ベクトルn2の間の角度として定義
される。型は、パターニング後に、第1くぼみ以外にいくつかの追加のくぼみを
有することが望ましい。
【００２６】
型は、主にシリコンからなり、かつエッチングに使用される第1表面が(100)面
であることが望ましい。これは、シリコンウェハとして市販されている。エッチ
ングする前に、例えば、エッチングマスクを表面上に直接形成する。エッチング
工程には、湿式化学エッチング工程を使用することができる。また、特にプラズ
マの使用により乾式エッチングの技法も使用できる。必要に応じ、次いで、エッ
チングマスクは取り除かれる。
であることが望ましい。これは、シリコンウェハとして市販されている。エッチ
ングする前に、例えば、エッチングマスクを表面上に直接形成する。エッチング
工程には、湿式化学エッチング工程を使用することができる。また、特にプラズ
マの使用により乾式エッチングの技法も使用できる。必要に応じ、次いで、エッ
チングマスクは取り除かれる。
【００２７】
エッチング工程は、(111)、(1(-1)1)、(1(-1)(-1))、(11(-1))方向において結
晶写真面を優先的に露光する。これらの平面（以下、(111)面と呼ぶ）は、すべ
て、(100)面と約55゜の角度をなす。この結果、形成されたくぼみは、元の表面内
の開口と少なくとも実質的に相似な、元の表面に平行な断面を有する。エッチン
グ工程を能動的に停止しない場合、エッチング工程は自然に終了する。この自動
的な停止は、くぼみの底の表面が線または点になった時点で起こる。エッチング
マスクはエッチング後に取り除くことができる。このようにして、型の表面がパ
ターン化される。エッチングの前に平面であった型の表面は、三次元の変位を有
する表面になった。次いで、このパターン化された型の表面が、第1本体に複製
される。
晶写真面を優先的に露光する。これらの平面（以下、(111)面と呼ぶ）は、すべ
て、(100)面と約55゜の角度をなす。この結果、形成されたくぼみは、元の表面内
の開口と少なくとも実質的に相似な、元の表面に平行な断面を有する。エッチン
グ工程を能動的に停止しない場合、エッチング工程は自然に終了する。この自動
的な停止は、くぼみの底の表面が線または点になった時点で起こる。エッチング
マスクはエッチング後に取り除くことができる。このようにして、型の表面がパ
ターン化される。エッチングの前に平面であった型の表面は、三次元の変位を有
する表面になった。次いで、このパターン化された型の表面が、第1本体に複製
される。
【００２８】
本発明による方法の1つの利点は、安定したスタンプを正確に形成できること
である。さらに、この方法は、レーザ加工（アブレーション）によるくぼみの形
成に比較して、それほどの人的労力を必要としない。
である。さらに、この方法は、レーザ加工（アブレーション）によるくぼみの形
成に比較して、それほどの人的労力を必要としない。
【００２９】
各くぼみの深さが等しい場合には、第1本体がスタンプ本体であってもよい。
実際に、第1本体の表面は、パターン化された型の表面のネガである。くぼみの
底を形成した型の表面の部分は、第1本体の印刷面内にある。型のくぼみは、突
起としてスタンプ本体のくぼみの底に複製される。形成されたスタンプの印刷面
は、複数の突起の表面を有する。各表面の大きさは、エッチング工程を必要な深
さで止めることによって決定される。
実際に、第1本体の表面は、パターン化された型の表面のネガである。くぼみの
底を形成した型の表面の部分は、第1本体の印刷面内にある。型のくぼみは、突
起としてスタンプ本体のくぼみの底に複製される。形成されたスタンプの印刷面
は、複数の突起の表面を有する。各表面の大きさは、エッチング工程を必要な深
さで止めることによって決定される。
【００３０】
この実施例は、特に、1個のリソグラフィマスクから初めて、異方性エッチン
グによる深さを変えることによって異なる型を製造できるという利点をする。さ
らなる利点は、エッチングされる深さに比例して突起の表面積が小さくなること
である。従って、印刷面に近いほど大きさが減少する突起の形状のために、突起
の安定性が確保される。従って、本発明による方法のこの実施例によると、寸法
100 nm未満の微細部が設けられた印刷面を有するスタンプを製造できる。
グによる深さを変えることによって異なる型を製造できるという利点をする。さ
らなる利点は、エッチングされる深さに比例して突起の表面積が小さくなること
である。従って、印刷面に近いほど大きさが減少する突起の形状のために、突起
の安定性が確保される。従って、本発明による方法のこの実施例によると、寸法
100 nm未満の微細部が設けられた印刷面を有するスタンプを製造できる。
【００３１】
本発明による方法の1つの代替実施例においては、第1本体のパターン化された
表面が、パターン化された表面を有する第2本体に複製される。この実施例にお
ける第1本体は、中間複製である。両方の表面が互いのポジコピーである場合、
型の表面をスタンプ本体の表面に直接的に複製することはできない。しかしなが
ら、互いにポジコピーであることの第1の利点は、異方性エッチングの単純な技
法を使用することにより、深さの異なるくぼみが設けられたスタンプ本体を製造
できることである。中間複製を使用することのさらなる利点は、型を頻繁に使用
する必要がなく、型がほとんど磨耗しないことである。
表面が、パターン化された表面を有する第2本体に複製される。この実施例にお
ける第1本体は、中間複製である。両方の表面が互いのポジコピーである場合、
型の表面をスタンプ本体の表面に直接的に複製することはできない。しかしなが
ら、互いにポジコピーであることの第1の利点は、異方性エッチングの単純な技
法を使用することにより、深さの異なるくぼみが設けられたスタンプ本体を製造
できることである。中間複製を使用することのさらなる利点は、型を頻繁に使用
する必要がなく、型がほとんど磨耗しないことである。
【００３２】
型から第1本体を取り除くことと、第1本体から第2本体を取り除くことを目的
として、可能な場合に、型または第1本体の表面に非成形剤(unmolding agent)を
設けることが望ましい。非成形剤は、例えば、フルオロシラン(fluorosilane)で
ある。非成形剤は、真空堆積によって形成することが望ましい。
として、可能な場合に、型または第1本体の表面に非成形剤(unmolding agent)を
設けることが望ましい。非成形剤は、例えば、フルオロシラン(fluorosilane)で
ある。非成形剤は、真空堆積によって形成することが望ましい。
【００３３】
材料を型または第1本体の上に形成するためには、コーティング技法を使用す
ることができる。コーティング技法の例には、スピンコーティングとウェブコー
ティング(web coating)があげられる。この方法の第1の利点は、大きい表面をコ
ーティングできる点である。このため、1工程で多数のスタンプを製造すること
が可能となる。第2の利点は、印刷面と反対側の第2表面のプレーナ工程が良好に
行われる点である。これによって、通常印刷面に実質的に平行なこの第2表面を
、筒状の補強本体などの任意の形状の補強本体に固定することが可能となる。複
製は、形成後に硬化させ、型または第1本体から取り除かれる。
ることができる。コーティング技法の例には、スピンコーティングとウェブコー
ティング(web coating)があげられる。この方法の第1の利点は、大きい表面をコ
ーティングできる点である。このため、1工程で多数のスタンプを製造すること
が可能となる。第2の利点は、印刷面と反対側の第2表面のプレーナ工程が良好に
行われる点である。これによって、通常印刷面に実質的に平行なこの第2表面を
、筒状の補強本体などの任意の形状の補強本体に固定することが可能となる。複
製は、形成後に硬化させ、型または第1本体から取り除かれる。
【００３４】
これに代えて、材料を型または第1本体の上に形成する目的で、射出成形技法
を使用することも可能である。この方法の利点は、特に、印刷面と反対側の表面
を、例えば、金属板など任意の形状の補強本体に固着させることができる点であ
る。スタンプ本体に固定された金属板は、例えば、筒状のローラの周囲に張力を
与えることができる。
を使用することも可能である。この方法の利点は、特に、印刷面と反対側の表面
を、例えば、金属板など任意の形状の補強本体に固着させることができる点であ
る。スタンプ本体に固定された金属板は、例えば、筒状のローラの周囲に張力を
与えることができる。
【００３５】
本発明の第3の目的は、請求項1に請求されているスタンプを使用して、冒頭の
段落に記載されている種類のパターン化層を形成するステップを有する、電子部
品を製造する方法によって達成される。これによって、精度がより高くなる。結
果的に求められる精度は、結果をもたらす全てのステップにおいて偏差がほとん
どまたは全く発生しないことが必要とされることを意味する。本発明によるこの
方法は、少なくとも3段階において偏差に対する影響が小である。第一に、スタ
ンプ本体がより頑丈である。くぼみの底の曲がり、または突起の曲がりは、請求
項1で定義されるスタンプにおいて有効に打ち消される。第二に、型の表面の表
面積を小さくすることあ出来るため、型の表面をスタンプ本体に複製するときの
偏差の危険性が減少する。第三に、本発明による方法は、第1材料を印刷面から
基板に転移させるときにかけられる力の変化に対して感度が低い。この感度は、
スタンプの印刷面を基板表面に接触させる工程（このとき力が加えられる）に、
特に関係する。実験によると、本発明による方法は、加えられる力の値と、スタ
ンプと基板の間の接触面への力の値の拡がりの両方に関して、加えられる力の変
化の影響を受けにくいことが判明した。
段落に記載されている種類のパターン化層を形成するステップを有する、電子部
品を製造する方法によって達成される。これによって、精度がより高くなる。結
果的に求められる精度は、結果をもたらす全てのステップにおいて偏差がほとん
どまたは全く発生しないことが必要とされることを意味する。本発明によるこの
方法は、少なくとも3段階において偏差に対する影響が小である。第一に、スタ
ンプ本体がより頑丈である。くぼみの底の曲がり、または突起の曲がりは、請求
項1で定義されるスタンプにおいて有効に打ち消される。第二に、型の表面の表
面積を小さくすることあ出来るため、型の表面をスタンプ本体に複製するときの
偏差の危険性が減少する。第三に、本発明による方法は、第1材料を印刷面から
基板に転移させるときにかけられる力の変化に対して感度が低い。この感度は、
スタンプの印刷面を基板表面に接触させる工程（このとき力が加えられる）に、
特に関係する。実験によると、本発明による方法は、加えられる力の値と、スタ
ンプと基板の間の接触面への力の値の拡がりの両方に関して、加えられる力の変
化の影響を受けにくいことが判明した。
【００３６】
本発明による方法の第1の利点は、パターン化層が基板上に設けられるときの
精度が高いために、生産量が大きくなることである。実際に、欠陥、または許容
値を超える偏差のために不合格となる層がより少ない。第2の利点は、パターン
化層のパターンにサブミクロンスケールの微細部を含めることができる点である
。第3の利点は、パターンに、寸法が異なる微細部を含めることができる点であ
る。
精度が高いために、生産量が大きくなることである。実際に、欠陥、または許容
値を超える偏差のために不合格となる層がより少ない。第2の利点は、パターン
化層のパターンにサブミクロンスケールの微細部を含めることができる点である
。第3の利点は、パターンに、寸法が異なる微細部を含めることができる点であ
る。
【００３７】
これらの利点は、ディスプレイ、ランプ、受動素子のネットワーク、データ記
憶装置用のディスク、集積回路などの電子部品の中のパターン化層の製造にとっ
て重要である。例えば、集積回路の場合、大量のパターン化層を生産する必要が
あるので、歩留まりがより高いことが、重要である。サブミクロンスケールの微
細部は、回路の速度の一部がトランジスタ内のチャネルを定義する微細部の大き
さによって決定されるため、集積回路においては重要である。1つのパターン内
の微細部の大きさの違いは、集積回路には各種の機能をもつ複雑な微細部を有す
るパターン化層が含まれることがよくあるので、重要である。
憶装置用のディスク、集積回路などの電子部品の中のパターン化層の製造にとっ
て重要である。例えば、集積回路の場合、大量のパターン化層を生産する必要が
あるので、歩留まりがより高いことが、重要である。サブミクロンスケールの微
細部は、回路の速度の一部がトランジスタ内のチャネルを定義する微細部の大き
さによって決定されるため、集積回路においては重要である。1つのパターン内
の微細部の大きさの違いは、集積回路には各種の機能をもつ複雑な微細部を有す
るパターン化層が含まれることがよくあるので、重要である。
【００３８】
スタンプの印刷面の表面またはくぼみの上に設けられる第1材料は、通常は、
溶剤または分散剤中における必要な化合物の溶液または懸濁液である。頻繁に使
用される溶剤には、エタノールなどのアルコールがあげられる。スタンプによっ
て基板上に形成されるパターンの層厚は、数ナノメートルとすることができる。
このような厚さの層の一例には、表面が主として金の層である基板のような適切
な基板上に自己形成された(self-assembled)単層として存在する、リニアチオー
ル(linear thiole)の層があげられる。ただし、これより大きい層厚も、本発明
の範囲から除外されない。
溶剤または分散剤中における必要な化合物の溶液または懸濁液である。頻繁に使
用される溶剤には、エタノールなどのアルコールがあげられる。スタンプによっ
て基板上に形成されるパターンの層厚は、数ナノメートルとすることができる。
このような厚さの層の一例には、表面が主として金の層である基板のような適切
な基板上に自己形成された(self-assembled)単層として存在する、リニアチオー
ル(linear thiole)の層があげられる。ただし、これより大きい層厚も、本発明
の範囲から除外されない。
【００３９】
第1材料としては、各種の無機材料、有機材料、高分子材料を使用することが
できる。しかしながら、この場合、第1材料が含まれている分散剤または溶液が
、印刷面上への形成時にスタンプ本体の材料を膨らませないことが、条件である
。第1材料の例には、特に、ランプにおけるコーティングと、受動素子における
電気絶縁材料、半導体材料、および導電材料と、受動素子および半導体素子のネ
ットワークと、光学的、または化学的、電磁的な手段によって基板をパターン化
するためのマスクとがあげられる。
できる。しかしながら、この場合、第1材料が含まれている分散剤または溶液が
、印刷面上への形成時にスタンプ本体の材料を膨らませないことが、条件である
。第1材料の例には、特に、ランプにおけるコーティングと、受動素子における
電気絶縁材料、半導体材料、および導電材料と、受動素子および半導体素子のネ
ットワークと、光学的、または化学的、電磁的な手段によって基板をパターン化
するためのマスクとがあげられる。
【００４０】
第1材料が導電性有機材料または半導体有機材料であることが望ましい。この
ような材料の電導性は、ドープ剤の使用によって高めることができる。本発明に
よるパターン化層の製造方法によると、ドープされている電気的に導電性の有機
材料と、ドープされていない電気的に半導電性の有機材料とを、単純な方法で基
板上にパターン化できる。このような有機材料の例には、特に、ペンタセン、ポ
リチエニレンビニレン、ポリフラニレンビニレン(polyfuranylene-vinylene)、
ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ
アセチレン、およびこれらの材料の置換異型があげられる。置換基は、特に、ア
ルコキシ基、アルキル基と、望ましくは炭素原子数が1〜10個のアルキレンジオ
キシ(alkylenedioxy)基である。
ような材料の電導性は、ドープ剤の使用によって高めることができる。本発明に
よるパターン化層の製造方法によると、ドープされている電気的に導電性の有機
材料と、ドープされていない電気的に半導電性の有機材料とを、単純な方法で基
板上にパターン化できる。このような有機材料の例には、特に、ペンタセン、ポ
リチエニレンビニレン、ポリフラニレンビニレン(polyfuranylene-vinylene)、
ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ
アセチレン、およびこれらの材料の置換異型があげられる。置換基は、特に、ア
ルコキシ基、アルキル基と、望ましくは炭素原子数が1〜10個のアルキレンジオ
キシ(alkylenedioxy)基である。
【００４１】
代替の実施例においては、第1材料は基板の表面で起こる反応に参加する。こ
の場合の用語「反応」は、化学反応、またはエッチング、溶解反応のほか、拡散
などの物理的工程による表面変形を意味する。この場合、第1材料は、印刷面の
みでなくくぼみ内にも存在しうる。この実施例の大きな利点は、スタンプの印刷
面における突起の安定化である。くぼみの中の液体によって加えられる比較的大
きな力に対して、くぼみの抵抗力が大きい。
の場合の用語「反応」は、化学反応、またはエッチング、溶解反応のほか、拡散
などの物理的工程による表面変形を意味する。この場合、第1材料は、印刷面の
みでなくくぼみ内にも存在しうる。この実施例の大きな利点は、スタンプの印刷
面における突起の安定化である。くぼみの中の液体によって加えられる比較的大
きな力に対して、くぼみの抵抗力が大きい。
【００４２】
本発明によるスタンプおよび方法のこれらの観点およびその他の観点は、図面
と実施例とを参照しながら以下に詳しく説明されており、各図面は次のとおりで
ある。
と実施例とを参照しながら以下に詳しく説明されており、各図面は次のとおりで
ある。
【００４３】
図1は、本発明による第1スタンプ10の、印刷面3に垂直の断面を示す。第1スタ
ンプ10は、支持構造1と、一部が印刷面3内に存在する表面4が設けられたスタン
プ本体5とを有する。第1くぼみ11、第2くぼみ12、第3くぼみ13は、スタンプ本体
5に形成され、これらのくぼみは、それぞれ印刷面3内に開口15、16、17を有する
。表面19が印刷面3内にある第1突起14は、第1くぼみ11と第2くぼみ12の間に存在
する。突起14は、印刷面3までの距離が大きいほど幅が広くなっているので安定
している。印刷面内の第1開口15と第3開口17は、大きさが異なる。しかしながら
、くぼみ13の底18の表面積が小さいので、第3開口に曲がりは発生しない。
ンプ10は、支持構造1と、一部が印刷面3内に存在する表面4が設けられたスタン
プ本体5とを有する。第1くぼみ11、第2くぼみ12、第3くぼみ13は、スタンプ本体
5に形成され、これらのくぼみは、それぞれ印刷面3内に開口15、16、17を有する
。表面19が印刷面3内にある第1突起14は、第1くぼみ11と第2くぼみ12の間に存在
する。突起14は、印刷面3までの距離が大きいほど幅が広くなっているので安定
している。印刷面内の第1開口15と第3開口17は、大きさが異なる。しかしながら
、くぼみ13の底18の表面積が小さいので、第3開口に曲がりは発生しない。
【００４４】
図2は、第1スタンプを7つのステップで製造するための、本発明による第1の方
法を示す。図2aは、エッチングマスク26が層25の表面27上に設けられた第1ステ
ップの結果を示す。次いでエッチングが行われ、その結果、くぼみ21、22、23と
突起24が形成される。これらは図2bに表されている。くぼみ21は、元の表面27内
に開口41を有する。くぼみ21は、くぼみ22と23と同様に、元の表面27からの距離
が増すにつれて狭くなり、元の表面27に平行な断面は、元の表面27に垂直に投影
されたときに、開口41内にある。
法を示す。図2aは、エッチングマスク26が層25の表面27上に設けられた第1ステ
ップの結果を示す。次いでエッチングが行われ、その結果、くぼみ21、22、23と
突起24が形成される。これらは図2bに表されている。くぼみ21は、元の表面27内
に開口41を有する。くぼみ21は、くぼみ22と23と同様に、元の表面27からの距離
が増すにつれて狭くなり、元の表面27に平行な断面は、元の表面27に垂直に投影
されたときに、開口41内にある。
【００４５】
次に、エッチングマスク26が取り除かれる。その結果は、図2cに示されている
ように、型表面29を有する型20である。型20上に層105が設けられ、この層には
型の表面29が複製される。これは、図2dに示されている。次に、型20が層105か
ら取り除かれる。図2eに示されているように、この時点で第1本体110が使用可能
であり、型の表面29のネガである表面104が設けられている。次に、第1本体110
上に層5が形成され、この層5には表面104が複製される。これは、図2fに示され
ている。次に、第1本体110が層5から取り除かれる。図2gに示されているように
、この時点でスタンプ10のスタンプ本体5が使用可能であり、表面4を有する。こ
の表面4は、一部が印刷面3内にある。
ように、型表面29を有する型20である。型20上に層105が設けられ、この層には
型の表面29が複製される。これは、図2dに示されている。次に、型20が層105か
ら取り除かれる。図2eに示されているように、この時点で第1本体110が使用可能
であり、型の表面29のネガである表面104が設けられている。次に、第1本体110
上に層5が形成され、この層5には表面104が複製される。これは、図2fに示され
ている。次に、第1本体110が層5から取り除かれる。図2gに示されているように
、この時点でスタンプ10のスタンプ本体5が使用可能であり、表面4を有する。こ
の表面4は、一部が印刷面3内にある。
【００４６】
図3は、5つのステップで第2スタンプ110を製造するための、本発明による第2
の方法を示す。図3aは、エッチングマスク26が層25の表面27上に形成された第1
ステップの結果を示す。次いで、エッチングが行われ、その結果、それぞれ底31
、32、33を有するくぼみ21、22、23と、突起24、28が形成される。エッチングは
深さDに達すると停止される。これは、図3bに示されている。くぼみ21は、元の
表面27内に開口41を有する。くぼみ21は、くぼみ22と23と同様に、元の表面27か
らの距離が増すにつれて狭くなり、元の表面27に平行な断面を有し、この断面は
元の表面27に垂直に投影されたときに開口41の中にある。
の方法を示す。図3aは、エッチングマスク26が層25の表面27上に形成された第1
ステップの結果を示す。次いで、エッチングが行われ、その結果、それぞれ底31
、32、33を有するくぼみ21、22、23と、突起24、28が形成される。エッチングは
深さDに達すると停止される。これは、図3bに示されている。くぼみ21は、元の
表面27内に開口41を有する。くぼみ21は、くぼみ22と23と同様に、元の表面27か
らの距離が増すにつれて狭くなり、元の表面27に平行な断面を有し、この断面は
元の表面27に垂直に投影されたときに開口41の中にある。
【００４７】
次いで、エッチングマスク26が取り除かれる。その結果は、図3cに示されてい
るように、型表面29を有する型20である。型20上に層105が形成され、この層105
には型の表面29が複製される。これは、図3dに示されている。次に、型20が層10
5から取り除かれる。これによって、スタンプ本体105の表面104には、型表面29
が複製されている。図3eに示されている第2スタンプ110はこの時点で使用可能で
あり、型20の底31、32、33のネガである印刷面103が設けられている。印刷面103
は、突起111、112、113の表面を有する。
るように、型表面29を有する型20である。型20上に層105が形成され、この層105
には型の表面29が複製される。これは、図3dに示されている。次に、型20が層10
5から取り除かれる。これによって、スタンプ本体105の表面104には、型表面29
が複製されている。図3eに示されている第2スタンプ110はこの時点で使用可能で
あり、型20の底31、32、33のネガである印刷面103が設けられている。印刷面103
は、突起111、112、113の表面を有する。
【００４８】
実施例1
型の製造
直径4インチのSi (100)のウェハに、Si3N4の層がコーティングされる。この層
は、約800 ℃の温度で、気相のSiH2Cl2とNH3によって、LPCVD工程で堆積される
。このウェハ上に、スピンコーティングによってポジフォトレジストの薄層が設
けられる。マスクを介した紫外線照射と現像ステップ後、フォトレジストパター
ンがウェハ上に得られる。次に、CHF3とO2のプラズマ内で露光されたSi3N4がエ
ッチングされる。このときの温度は100 ℃未満のままである（エッチング速度は
1.25 nm/s）。酸素プラズマ中でフォトレジストが取り除かれる。次に、ウェハ
が、HF水溶液に浸され、自然酸化物(natural oxide)が取り除かれる。露光され
たSiが、2-プロパノールで飽和したKOH-H2O溶液中で、約70 ℃の温度で20分間、
13 μmまたはさらに少し深くまで異方性エッチングされる。次に、ウェハがHCl
水溶液に30分間浸される。ウェハがHF希薄水溶液の中に短時間浸され、Si3N4か
ら自然なSiO2が除去される。ウェハは、濃硫酸に125〜150 ℃の間の温度で1.5〜
2時間だけ浸され、Si3N4が除去される。
は、約800 ℃の温度で、気相のSiH2Cl2とNH3によって、LPCVD工程で堆積される
。このウェハ上に、スピンコーティングによってポジフォトレジストの薄層が設
けられる。マスクを介した紫外線照射と現像ステップ後、フォトレジストパター
ンがウェハ上に得られる。次に、CHF3とO2のプラズマ内で露光されたSi3N4がエ
ッチングされる。このときの温度は100 ℃未満のままである（エッチング速度は
1.25 nm/s）。酸素プラズマ中でフォトレジストが取り除かれる。次に、ウェハ
が、HF水溶液に浸され、自然酸化物(natural oxide)が取り除かれる。露光され
たSiが、2-プロパノールで飽和したKOH-H2O溶液中で、約70 ℃の温度で20分間、
13 μmまたはさらに少し深くまで異方性エッチングされる。次に、ウェハがHCl
水溶液に30分間浸される。ウェハがHF希薄水溶液の中に短時間浸され、Si3N4か
ら自然なSiO2が除去される。ウェハは、濃硫酸に125〜150 ℃の間の温度で1.5〜
2時間だけ浸され、Si3N4が除去される。
【００４９】
水洗後、Siウエハは、紫外線/オゾン反応装置の中で15-30分間処理される。ウ
ェハは、約0.5 mlの（ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラハイドロデシル）(he
ptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)トリクロロシランと共に真空乾燥器の
中に入れられる。乾燥器内の圧力が約0.4ミリバールまで下げられる。30分後、
乾燥器が通気され、予熱された炉にウェハが1時間置かれる。
ェハは、約0.5 mlの（ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラハイドロデシル）(he
ptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)トリクロロシランと共に真空乾燥器の
中に入れられる。乾燥器内の圧力が約0.4ミリバールまで下げられる。30分後、
乾燥器が通気され、予熱された炉にウェハが1時間置かれる。
【００５０】
第1本体における型表面の複製の形成
母体であるネガは、Sylgard 184シリコンゴム(Dow Corning)から製造されてい
る。30 gのSylgard 184「ベース」と3 gのSylgard 184「硬化剤」が、ポリスチ
レンの廃棄可能容器の中で攪拌することによって、完全に混合される。この結果
閉じ込められた気泡は、低圧（0.5ミリバール）での約30分のガス抜き(venting)
によってすべて取り除かれる。Siの未加工ウェハが、射出開口(injection openi
ng)を有する閉じられたパースペック重合型(perspex polymerization mold)内に
入れられる。この重合型が、真空ベル(vacuum bell)に入れられ、0.5ミリバール
以下まで圧力が下げられる。真空中でファンネル(funnel)にSylgard 184混合物
を充填し、重合型に結合する。ベルのエアレーション(aeration)によって、Sylg
ard 184混合物をパースペック重合型に吸収させる。パースペック重合型が、予
熱されたオーブンに65 ℃で16〜20時間だけ入れられる。次に、パースペック重
合型が開かれ、第1本体が重合型から取り外される。
る。30 gのSylgard 184「ベース」と3 gのSylgard 184「硬化剤」が、ポリスチ
レンの廃棄可能容器の中で攪拌することによって、完全に混合される。この結果
閉じ込められた気泡は、低圧（0.5ミリバール）での約30分のガス抜き(venting)
によってすべて取り除かれる。Siの未加工ウェハが、射出開口(injection openi
ng)を有する閉じられたパースペック重合型(perspex polymerization mold)内に
入れられる。この重合型が、真空ベル(vacuum bell)に入れられ、0.5ミリバール
以下まで圧力が下げられる。真空中でファンネル(funnel)にSylgard 184混合物
を充填し、重合型に結合する。ベルのエアレーション(aeration)によって、Sylg
ard 184混合物をパースペック重合型に吸収させる。パースペック重合型が、予
熱されたオーブンに65 ℃で16〜20時間だけ入れられる。次に、パースペック重
合型が開かれ、第1本体が重合型から取り外される。
【００５１】
スタンプの製造
真空乾燥器内での（ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラハイドロデシル）ト
リクロロシランの堆積によって第1本体がコーティングされた後、シリコンのネ
ガが、閉じられたパースペック重合型に入れられる。これが真空ベルに入れられ
、0.5ミリバール以下まで排気される。真空中でファンネルに、製造されたばか
りでガス抜き済みのSylgard 184混合物が充填され、重合型に結合される。ベル
のエアレーションによって、Sylgard 184混合物を重合型に吸収させる。重合型
が、予熱されたオーブンに16〜20時間、65 ℃置かれる。次に、重合型が開かれ
、第1本体とスタンプ本体のアセンブリ全体が取り除かれる。次いで、スタンプ
本体が第1本体から取り除かれる。スタンプ本体の印刷面と反対側を、ガラス層
などの支持構造に固定する。支持構造が設けられたスタンプは、例えば、ミクロ
接触印刷などのリソグラフィ工程で使用できる。
リクロロシランの堆積によって第1本体がコーティングされた後、シリコンのネ
ガが、閉じられたパースペック重合型に入れられる。これが真空ベルに入れられ
、0.5ミリバール以下まで排気される。真空中でファンネルに、製造されたばか
りでガス抜き済みのSylgard 184混合物が充填され、重合型に結合される。ベル
のエアレーションによって、Sylgard 184混合物を重合型に吸収させる。重合型
が、予熱されたオーブンに16〜20時間、65 ℃置かれる。次に、重合型が開かれ
、第1本体とスタンプ本体のアセンブリ全体が取り除かれる。次いで、スタンプ
本体が第1本体から取り除かれる。スタンプ本体の印刷面と反対側を、ガラス層
などの支持構造に固定する。支持構造が設けられたスタンプは、例えば、ミクロ
接触印刷などのリソグラフィ工程で使用できる。
【００５２】
実施例2
約5 nmのチタニウムの第1層と、次いで約 20nmの金の層が、シリコン基板上に
設けられる。これによって基板には、第1面側に層状の表面が設けられる。実施
例1に説明されている方法で製造され、かつ印刷面が設けられたスタンプの印刷
面を、オクタデシルチオール(octadecylthiole)の10-3 mol/lのエタノール溶液
に接触させる。次いで、スタンプが窒素フロー(nitrogen flow)によって処理さ
れる。次に、スタンプの印刷面を基板の表面に接触させ、適切な時間の経過後に
そこから取り除く。次いで、少量のK2S2O3、K3Fe (CN)6、K4Fe (CN)6が加えられ
た1 mol/lのKOH水溶液に、基板が5〜10分間のみ浸される。次に、基板が水で洗
浄され、乾燥される。これによって、スタンプの印刷面上のパターンに対応する
パターンに従って、基板上の金の層がパターン化される。これによって、平面図
が図4に示されているパターンが形成される。
設けられる。これによって基板には、第1面側に層状の表面が設けられる。実施
例1に説明されている方法で製造され、かつ印刷面が設けられたスタンプの印刷
面を、オクタデシルチオール(octadecylthiole)の10-3 mol/lのエタノール溶液
に接触させる。次いで、スタンプが窒素フロー(nitrogen flow)によって処理さ
れる。次に、スタンプの印刷面を基板の表面に接触させ、適切な時間の経過後に
そこから取り除く。次いで、少量のK2S2O3、K3Fe (CN)6、K4Fe (CN)6が加えられ
た1 mol/lのKOH水溶液に、基板が5〜10分間のみ浸される。次に、基板が水で洗
浄され、乾燥される。これによって、スタンプの印刷面上のパターンに対応する
パターンに従って、基板上の金の層がパターン化される。これによって、平面図
が図4に示されているパターンが形成される。
【図１】スタンプの第1実施例の側面図である。
【図２】スタンプを製造する方法の多数のステップの第1実施例を線図的に示
す。
す。
【図３】スタンプを製造する方法における多数のステップの第2実施例を線図
的に示す。
的に示す。
【図４】パターン化層を製造する方法によって製造することができるパターン
の平面図である。
の平面図である。
1 支持構造
3 印刷面
4 表面
5 スタンプ本体
10 第1スタンプ
11 第1くぼみ
12 第2くぼみ
13 第3くぼみ
14 第1突起
15 第1開口
16 第2開口
17 第3開口
18 底
19 表面
20 型
21、22、23 くぼみ
24、28 突起
25 層
26 エッチングマスク
27 表面
29 型表面
31、32、33 底
41 開口
103 印刷面
104 表面
105 層
110 第1本体
─────────────────────────────────────────────────────
【要約の続き】
(10)の印刷面(3)に型を複製するステップとを有する方
法によって製造できる。
Claims (10)
- 【請求項１】 リソグラフィ工程において使用するための、印刷面を有するスタンプ本体を有
するスタンプであって、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を有する第1
くぼみを有するスタンプにおいて、 前記第1くぼみが、前記印刷面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ 前記印刷面に平行な前記第1くぼみの断面が、前記印刷面に垂直に投影された
とき、前記開口内に存在する、 ことを特徴とするスタンプ。 - 【請求項２】 前記第1くぼみが、前記印刷面に垂直な平面において三角形の形状を有するこ
とを特徴とする、請求項1に記載のスタンプ。 - 【請求項３】 前記印刷面内に開口を有する第2くぼみが、前記スタンプ本体内に存在し、 当該第2くぼみが、前記印刷面に平行な断面を有し、かつ前記印刷面までの距
離が増すにつれて狭くなり、当該断面が、前記印刷面に垂直に投影されたときに
前記開口内に存在し、かつ、 当該開口が、前記第1くぼみの前記開口から1 μmより短い距離に存在する、 ことを特徴とする請求項1に記載のスタンプ。 - 【請求項４】 前記印刷面内に開口を有する第3くぼみが、前記スタンプ本体内に存在し、 当該くぼみが、前記印刷面に平行な断面を有し、かつ前記印刷面までの距離が
増すにつれて実質的に狭くなり、当該断面が、前記印刷面に垂直に投影されたと
きに前記開口内に存在し、 前記第3くぼみの前記開口と前記第1くぼみの前記開口のそれぞれが、前記印刷
面における第1方向における寸法を有し、かつ、 前記第3くぼみの前記開口の当該寸法が、前記第1くぼみの当該開口の前記寸法
の少なくとも5倍である、 ことを特徴とする請求項1に記載のスタンプ。 - 【請求項５】 前記第3くぼみの前記開口の当該寸法が、前記第1くぼみの前記開口の当該寸法
の少なくとも20倍であることを特徴とする、請求項4に記載のスタンプ。 - 【請求項６】 リソグラフィ工程において使用するためのスタンプの製造方法であって、当該
スタンプが、前記印刷面に部分的に一致する表面を有するスタンプ本体を有し、 前記製造方法が、 開口が前記元の表面内に存在するように第1くぼみを型に形成し、当該第1くぼ
みが、前記元の表面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ、前記元の表面に
平行な断面を有し、当該断面が前記元の表面に垂直に投影されたときに前記開口
内に存在するように、前記型の表面をパターン化された型表面にする異方性エッ
チングステップと、 前記パターン化された型表面を複製してパターン化された表面を有する第1本
体を形成するステップと、 を有する製造方法。 - 【請求項７】 パターン化された表面を有する第2本体の前記第1本体の前記パターン化された
表面から複製を形成することを特徴とする、請求項6に記載の製造方法。 - 【請求項８】 スタンプ本体と印刷面とが設けられたスタンプによって基板の表面に第1材料
のパターン化層を形成するステップを有する、電子部品を製造する方法であって
、当該スタンプ本体が、前記印刷面内に開口を有する第1くぼみを有し、 当該方法によって前記スタンプの前記印刷面が前記基板の前記表面上に配置され
、当該第1材料が、前記基板の前記表面に前記パターン化層が設けられるように
前記印刷面に供給される、製造方法において、 前記第1くぼみが前記印刷面までの距離が増すにつれて狭くなり、かつ 前記第1くぼみの断面が、前記印刷面に垂直に投影されたときに前記開口内に
存在する、 スタンプが使用されることを特徴とする製造方法。 - 【請求項９】 前記第1材料が、電気的に半導電性の材料と電気的に導電性の材料のグループ
から選択される有機材料であることを特徴とする、請求項8に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第1材料が、前記基板の前記表面で起こる反応に参加することを特徴とす
る、請求項8に記載の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00200398 | 2000-02-07 | ||
| EP00200398.6 | 2000-02-07 | ||
| PCT/EP2001/000198 WO2001059523A1 (en) | 2000-02-07 | 2001-01-10 | Stamp for use in a lithographic process, method of manufacturing a stamp, and method of manufacturing a patterned layer on a substrate |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534651A (ja) * | 2000-05-24 | 2003-11-18 | オブドゥカト アクティエボラーグ | テンプレートの製作に関する方法およびその方法で製作されるテンプレート |
| CN100395121C (zh) * | 2004-11-19 | 2008-06-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 热压印方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040195202A1 (en) * | 2000-04-28 | 2004-10-07 | Alexander Pechenik | Method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate |
| ATE495826T1 (de) * | 2002-05-20 | 2011-02-15 | Danisco Us Inc | Synthese von anorganischen strukturen unter verwendung von templates und katalyse durch selbstangeordnete repeat-protein-polymere |
| DE60334718D1 (de) * | 2002-05-20 | 2010-12-09 | Danisco Us Inc | Peptidderivate und deren verwendung zur synthese v |
| KR100981692B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2010-09-13 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 스탬프로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법 및 디바이스 |
| AU2003283635A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a replica, as well as a replica obtained by carrying out a uv light-initiated or thermal curing treatment of a reactive mixture |
| US7297678B2 (en) * | 2003-03-12 | 2007-11-20 | Genencor International, Inc. | Use of repeat sequence protein polymers in personal care compositions |
| US20050142094A1 (en) * | 2003-03-12 | 2005-06-30 | Manoj Kumar | Use of repeat sequence protein polymers in personal care compositions |
| DK1624864T3 (en) * | 2003-05-14 | 2015-02-23 | Danisco Us Inc | Controlled release of active agents by the use of the repeat sequence protein polymers |
| CA2524707A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Dow Corning Corporation | Repeat sequence protein polymer active agent conjugates, methods and uses |
| FI20030919A (fi) * | 2003-06-19 | 2004-12-20 | Avantone Oy | Menetelmä ja laitteisto elektronisen ohutkalvokomponentin valmistamiseksi sekä elektroninen ohutkalvokomponentti |
| EP1663493A1 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-07 | Nanocomms Patents Limited | Microstructure devices and their production |
| GB0323903D0 (en) * | 2003-10-11 | 2003-11-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elastomeric stamp,patterning method using such a stamp and method for producing such a stamp |
| CN100468814C (zh) * | 2004-12-15 | 2009-03-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 有机发光显示器 |
| US7399422B2 (en) | 2005-11-29 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | System and method for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby |
| US7409759B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Method for making a computer hard drive platen using a nano-plate |
| US7410591B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Method and system for making a nano-plate for imprint lithography |
| US7363854B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-04-29 | Asml Holding N.V. | System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography |
| US7331283B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-02-19 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for imprint pattern replication |
| US9122148B2 (en) * | 2008-11-03 | 2015-09-01 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Master template replication |
| DE102012112030A1 (de) | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Mikrokontaktprägen |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4041114A (en) * | 1975-07-03 | 1977-08-09 | Personal Communications, Inc. | Indent duplicating process |
| US5201987A (en) * | 1990-06-04 | 1993-04-13 | Xerox Corporation | Fabricating method for silicon structures |
| WO1992001973A2 (en) * | 1990-07-20 | 1992-02-06 | Mcgrew Stephen P | Embossing tool |
| US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US5855755A (en) * | 1995-06-19 | 1999-01-05 | Lynntech, Inc. | Method of manufacturing passive elements using conductive polypyrrole formulations |
| WO1997006012A1 (en) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | International Business Machines Corporation | Stamp for a lithographic process |
| EP0784543B1 (en) * | 1995-08-04 | 2000-04-26 | International Business Machines Corporation | Lithographic surface or thin layer modification |
| US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
| EP1007349B1 (en) * | 1995-11-22 | 2004-09-29 | THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY | Patterned conducting polymer surfaces and process for preparing the same and devices containing the same |
| US5861113A (en) * | 1996-08-01 | 1999-01-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Fabrication of embossed diffractive optics with reusable release agent |
| US6020047A (en) * | 1996-09-04 | 2000-02-01 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Polymer films having a printed self-assembling monolayer |
| US5937758A (en) * | 1997-11-26 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Micro-contact printing stamp |
| US6413587B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-07-02 | International Business Machines Corporation | Method for forming polymer brush pattern on a substrate surface |
-
2001
- 2001-01-10 EP EP01900145A patent/EP1171800B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2001-02-06 TW TW090102439A patent/TW562754B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534651A (ja) * | 2000-05-24 | 2003-11-18 | オブドゥカト アクティエボラーグ | テンプレートの製作に関する方法およびその方法で製作されるテンプレート |
| CN100395121C (zh) * | 2004-11-19 | 2008-06-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 热压印方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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