JP2003520995A - Structure and method for suppressing pixel contamination near seals in AMLCD tiles - Google Patents

Structure and method for suppressing pixel contamination near seals in AMLCD tiles

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JP2003520995A
JP2003520995A JP2001554117A JP2001554117A JP2003520995A JP 2003520995 A JP2003520995 A JP 2003520995A JP 2001554117 A JP2001554117 A JP 2001554117A JP 2001554117 A JP2001554117 A JP 2001554117A JP 2003520995 A JP2003520995 A JP 2003520995A
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amlcd
seal
tile
liquid crystal
manufacturing
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ピー. セラフィム,ドナルド
ダブリュ. スキナー,ディーン
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レインボー ディスプレイズ,インコーポレイティド
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Abstract

(57)【要約】 AMLCDディスプレイ・タイルにおいて、ポリイミド・アラインメント層がゼロ電界条件の下での液晶の安定した偏光状態を決定する。ピクセルにおけるこのアラインメント層がシール前端でまたはこの付近でエポキシ・シールの低分子量成分によって汚染されると、AMLCDディスプレイに可視の欠陥が生じる。タイル式ディスプレイにおいて、シールは、ピクセルを汚染することなくできる限りピクセル(203)の近くに配置される。上記の汚染(202)を減少または排除するためにシールおよびその形成を制御する独特の方法が、本発明の主題である。AMLCDタイルに狭いシールを塗布するためにシール内周(207)の位置を制御することにより、高品質のシール前端が提供される。 (57) Abstract In an AMLCD display tile, a polyimide alignment layer determines the stable polarization state of a liquid crystal under zero electric field conditions. If this alignment layer at the pixel is contaminated at or near the seal front by the low molecular weight components of the epoxy seal, a visible defect will occur in the AMLCD display. In a tiled display, the seal is placed as close as possible to the pixel (203) without contaminating the pixel. A unique method of controlling the seal and its formation to reduce or eliminate the aforementioned contamination (202) is the subject of the present invention. Controlling the position of the seal inner circumference (207) to apply a narrow seal to the AMLCD tile provides a high quality seal front.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】 [関連特許出願] 本出願は、米国仮出願第60/177,448号の継続出願である。本出願は、1999年8
月6日に出願された同時係属米国出願第09/369,465号、1999年8月6日に出願され
た同時係属出願第09/368,921号および1999年9月15日に出願された同時係属出願
第60/153,962号、並びに1997年10月14日に出願され現在米国特許第5,963,281号
として発行されている出願第08/949,357号に関連する。 [発明の分野] 本発明は、視覚的に知覚できないシームを有するタイル式平面パネル・ディス
プレに組み立てるためのアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ(AMLCD)
タイルを製造するための設計構造、材料および方法に関するものであり、さらに
明確に言うと、シームに隣接するピクセルの汚染が最小限に抑えられるようにAM
LCDタイル用の薄い内周シールを生成するための方法に関するものである。 [発明の背景] 視覚的にシームレスの外観を持つよう作用するタイル式平面パネル・ディスプ
レイの設計および処理には多くの要件がある。米国特許第5,661,531号および同
時係属米国特許出願第09/369,465号および09/368,921号において光学的設計パラ
メータおよび機械的および電気的設計パラメータが詳しく開示されている。これ
らの参考文献は全て、複数のタイルを結合して、シームレス特徴を有する大型の
平面パネル・ディスプレイを形成することができることを教示している。言い換
えると、タイルの間に配置されるシームはこれを見る者の目に視覚的に知覚でき
ない。
RELATED PATENT APPLICATION This application is a continuation application of US Provisional Application No. 60 / 177,448. This application was filed in 1999
Co-pending U.S. application No. 09 / 369,465 filed on June 6, 1999 co-pending application 09 / 368,921 filed on August 6, 1999 and co-pending application No. 15 filed on September 15, 1999 60 / 153,962, as well as application 08 / 949,357 filed October 14, 1997 and currently issued as US Pat. No. 5,963,281. FIELD OF THE INVENTION This invention relates to active matrix liquid crystal displays (AMLCD) for assembly into tiled flat panel displays having visually imperceptible seams.
It relates to design structures, materials and methods for manufacturing tiles, and more specifically AM to ensure that the pixels adjacent to the seams are minimally contaminated.
A method for producing a thin inner perimeter seal for LCD tiles. BACKGROUND OF THE INVENTION There are many requirements in the design and processing of tiled flat panel displays that act to have a visually seamless appearance. Optical and mechanical and electrical design parameters are disclosed in detail in US Pat. No. 5,661,531 and co-pending US patent applications 09 / 369,465 and 09 / 368,921. All of these references teach that multiple tiles can be combined to form a large flat panel display with seamless features. In other words, the seams placed between the tiles are visually imperceptible to the viewer.

【0002】 隣接するタイルの間のシームをシームレスの外観にするために最も重要な要件
の1つは、シームを挟むピクセル間のピッチに関するものである。シームの両側
のピクセル間のピッチは、タイルの中央領域内のピクセル・ピッチと本質的に等
しくなければならない。目にとって許容できるレベルのシームの欠陥は、視距離
に大きく依存し、これは、ピクセル・ピッチに依存する。ピクセル・ピッチが大
きく、通常の口径比(すなわちピクセル内の暗部に対する発光比)より小さけれ
ば、シーム・コンポーネントにより多くのスペースが与えられる。シール内周(
SIP)許容差は、隣接する2つのタイルについてピクセル付近のシール前端の起伏
(波形:なみがた)度、並びに以下に論じるその他の許容差ファクタを考慮しな
ければならない。起伏度は、シール・エッジの直線からの寸法の変化の量である
[0002] One of the most important requirements for a seamless appearance of seams between adjacent tiles concerns the pitch between pixels that enclose the seams. The pitch between pixels on either side of the seam should be essentially equal to the pixel pitch in the central region of the tile. An acceptable level of seam defects for the eye is highly dependent on viewing distance, which is dependent on pixel pitch. Larger pixel pitches and smaller than normal aperture ratios (i.e., emission ratios for dark areas within pixels) give more space to the seam components. Inner circumference of seal (
The SIP) tolerance must take into account the undulation (corrugation) of the seal leading edge near the pixel for two adjacent tiles, as well as other tolerance factors discussed below. The relief is the amount of dimensional change from the straight line of the seal edge.

【0003】 シール・エッジ特性は、1)シール材料、2)予備硬化条件、3)積層形成およ
び硬化工程、4)パネル表面構造、および5)パネル表面構造の最適設計、に依存
する。シール材料は、セル・ギャップ制御のためにガラス・スペーサが付加され
流動および硬化強化のために流動制御溶剤が付加される、充填二液性エポキシで
ある。
Seal-edge characteristics depend on 1) seal material, 2) pre-cure conditions, 3) laminating and curing process, 4) panel surface structure, and 5) optimal design of panel surface structure. The seal material is a filled two-part epoxy with glass spacers added for cell gap control and flow control solvent added for flow and cure hardening.

【0004】 シールが形成される結果、3つの異なるエリアを持つ内側シール・エッジがで
きる。形成されるシールの容積は主に「充填」エポキシである。シールのエッジ
は、積層形成および硬化工程中絞り出される低分子量の未充填エポキシで作られ
る「透明」領域を含む。シール・エッジの前端を越えて、残留溶剤とエポキシの
非常に低分子量の結合が、液晶(LC)アラインメント層を湿潤するので、LCのミ
スアラインメントを生じる。このエリアは、「欠陥エリア」と呼ばれ、アクティ
ブ・ピクセルの付近またはその上に位置する場合望ましくない可視の人為構造と
なる可能性がある。このようなシール特性はLCセルの周囲を最小限に小さくする
ための設計上の制約を左右する。
The formation of the seal results in an inner seal edge having three different areas. The volume of seal formed is primarily "filled" epoxy. The edges of the seal include "clear" areas made of low molecular weight unfilled epoxy that are squeezed out during the lamination and curing process. Beyond the front edge of the seal edge, the very low molecular weight bond of residual solvent and epoxy wets the liquid crystal (LC) alignment layer, resulting in LC misalignment. This area is referred to as the "defect area" and can result in undesirable visible artifacts when located near or above the active pixels. Such sealing properties dictate the design constraints for minimizing the LC cell perimeter.

【0005】 米国特許第5,963,281号および同時係属特許出願第09/369,465号は、シール前
端の起伏度およびこれに伴う欠陥エリアを減少するための詳細な設計および方法
を開示している。この設計は、SIPエリアにおけるシール前端の形成を制御しや
すくするために、ダム、ダム間のチャネルおよび湿潤構造を利用する。それでも
、この設計には、各SIP内には欠陥エリアのために約50ミクロンのインシュアラ
ンスの割り当てが残る。これは、ピクセル・ピッチの100ミクロンの部分に当た
り、現在の1mmのピクセル・ピッチの設計においてピッチの10%に当たる。
US Pat. No. 5,963,281 and co-pending patent application 09 / 369,465 disclose detailed designs and methods for reducing the relief of the seal leading edge and the associated defect area. This design utilizes dams, channels between dams and wetting structures to help control the formation of the seal leading edge in the SIP area. Nevertheless, this design leaves approximately 50 microns of insurance allocation within each SIP for the defective area. This represents a 100 micron portion of the pixel pitch, which is 10% of the pitch in current 1mm pixel pitch designs.

【0006】 これは、2×N個タイルの配列において約40%ピクセルの口径比を減少し、1×N
個タイル配列において約20%減少する。シームは、1×N個配列においては一方向
のみのように見える。ディスプレイの明るさは、ピクセルの口径比に直接依存す
るので、口径比を最大にすることが重要である。このための1つの方法は、欠陥
エリアのサイズを減少することである。
This reduces the aperture ratio of about 40% pixels in an array of 2 × N tiles,
About 20% reduction in individual tile array. Seams appear to be unidirectional in a 1 × N array. Display brightness depends directly on the pixel aperture ratio, so it is important to maximize the aperture ratio. One way to do this is to reduce the size of the defective area.

【0007】 より高解像度の大型タイル式ディスプレイへの需要が増大しているので、妥当
な口径比を維持するためにシーム・エリアを減少しなければならない。このシー
ム寸法の減少は、そのエッジ付近のパネル構造、エポキシ組成およびディスプレ
イの製造工程を修正する必要を生じる。
As the demand for higher resolution large tiled displays is increasing, the seam area must be reduced to maintain a reasonable aperture ratio. This reduction in seam size necessitates modification of the panel structure near its edges, the epoxy composition and the manufacturing process of the display.

【0008】 本発明は、SIP内のシール内側エッジの欠陥エリアを減少し、それによって仕
上げタイル・エッジ・シールをより狭くするための方法を提供する。シール制御
のこのような改良によって、1×N個タイル配列においてHDTV(1280×720ピクセ
ル)および同時にXGA(1024×768ピクセル)をサポートできる視覚的にシームレス
のタイル式ディスプレイにおいて、口径比を50%前後まで増大することができる
。 [関連技術の説明] 現在、AMLCDディスプレイの薄膜トランジスタ(TFT)基板およびカラー・フィ
ルタ(CF)基板の間のシールを製造するためにいくつかの方法が使用されている
。シール材料、一般的にはシリカ充填エポキシは、a)反応性溶剤成分、b)粘度
制御および架橋用の揮発性溶剤成分、およびc)セル・ギャップ制御用のスペー
サ、と混合される。シール材料は、カラー・フィルタ(またはTFT)上にスクリ
ーニングするか、ペン、中空針またはシリンジなど小さいオリフィスから望みの
パターンに分配できる。
The present invention provides a method for reducing the defective area of the seal inner edge in a SIP, thereby making the finished tile edge seal narrower. This improvement in sticker control provides a 50% aperture ratio in a visually seamless tiled display that can support HDTV (1280 x 720 pixels) and simultaneous XGA (1024 x 768 pixels) in a 1 x N tile array. It can be increased to the front and back. Description of Related Art Several methods are currently used to fabricate seals between thin film transistor (TFT) substrates and color filter (CF) substrates of AMLCD displays. The sealing material, typically a silica-filled epoxy, is mixed with a) a reactive solvent component, b) a volatile solvent component for viscosity control and crosslinking, and c) spacers for cell gap control. The sealing material can be screened on a color filter (or TFT) or dispensed in a desired pattern from a small orifice such as a pen, hollow needle or syringe.

【0009】 分配(ディスペンシング)プログラムは、望みのパターン、すなわちシール材
料の湿潤の幅および高さ(すなわちシール材料の体積)を、TFTプレートまたはC
F基板(これが望ましい)に書き込む。シールを正確に配置するのを助けるため
に、TFTプレートまたはCF基板には、ダムおよび湿潤構造が配置されると便利で
ある。ダムおよび湿潤構造はSIP内の起伏度および欠陥エリアの両方を減少する
The dispensing program determines the desired pattern, ie the width and height of wetting of the sealing material (ie the volume of the sealing material), on the TFT plate or C
Write on the F board (which is desirable). It is convenient for the TFT plate or CF substrate to have dams and wetting structures placed to help position the seal accurately. Dams and wet structures reduce both the relief and the defect area within the SIP.

【0010】 一般に、ダムは、約30ミクロン幅および1ミクロン高さのダム寸法の場合ピク
セルから80ミクロンの透明なシール前端の公称平均ポジションについて約60ミク
ロンの許容差(または合計波形幅)の範囲内に透明なシール材料の前端を制御す
る。隣接するダム間のチャネルは、液体シール材料が側方に流れて、800ミクロ
ン・シール幅の場合タイル・エッジ全体での最高起伏度が約60ミクロンになるよ
う前端をならすためのパス・リザーバとなる。こうして、平均起伏度は約30ミク
ロンに制御可能となる。CFにおけるこのような制御構造と、シール体積および位
置の制御により、透明なシール材料は、ピクセルに近接するダムを越えて流れな
い。従って、汚染および欠陥ケリアは、ダムとピクセルの間の50ミクロンの保証
エリア未満に制限されるので、ピクセルを湿潤することによる汚染が防止される
Generally, dams have a tolerance (or total corrugation width) range of about 60 microns for a nominal average position of the transparent seal leading edge from pixel to 80 microns for dam dimensions of about 30 microns wide and 1 micron high. Control the front end of the transparent sealing material within. The channel between adjacent dams provides a pass reservoir to smooth the leading edge so that the liquid sealant flows laterally and has a maximum relief of about 60 microns across the tile edge for an 800 micron seal width. Become. In this way, the average relief can be controlled to about 30 microns. Due to such control structure in CF and control of the seal volume and position, the transparent seal material does not flow over the dam close to the pixel. Therefore, contamination and defect kelia are limited to less than the 50 micron guaranteed area between the dam and the pixel, thus preventing contamination by wetting the pixel.

【0011】 分配工程においては(スクリーニング工程に比べて)、シール位置および体積
(すなわち分配されるシール・ビードの単位長さ当たりの体積)に影響する変数
をより厳密に制御することができる。最近の型の分配設備および分配されるシー
ル材料においては、以下の制御パラメータが利用可能である:1)シール材料粘
度、2)シリンジの設計および直径、3)圧力、4)分配中Z高さを均等にするため
にフィードバック付きの基板上のシリンジ高さの感知、5)分配ヘッドの速度制
御、および6)XおよびY座標におけるシリンジの精密位置合わせ。
In the dispensing process (as compared to the screening process), variables that affect seal position and volume (ie, volume per unit length of dispensed seal bead) can be more tightly controlled. The following control parameters are available for modern types of dispensing equipment and dispensed seal materials: 1) seal material viscosity, 2) syringe design and diameter, 3) pressure, 4) Z height during dispense. Sensing the height of the syringe on the substrate with feedback to even out, 5) speed control of the dispensing head, and 6) precise alignment of the syringe in the X and Y coordinates.

【0012】 スクイーズ前の目標湿潤シール体積をまたはスクイーズ後の目標シール幅を予
め決められたCFとTFTプレートの間のセル・ギャップにセットアップするために
は、焼付け後にシール材料のビードの湿潤幅断面積を測定する必要がある。現在
の設備の場合、これらのパラメータを使用する湿潤体積制御の正確さおよび圧力
および(または)体積を目標量まで増やすためのZ高さ調整を使用する体積のセ
ットアップ修正によって、5%未満のシール幅の変動性が得られる。
To set up a target wet seal volume before squeezing or a target seal width after squeezing to a predetermined cell gap between the CF and TFT plates, a wet width break of the bead of seal material after baking is set. It is necessary to measure the area. For current installations, less than 5% seal due to accuracy of wet volume control using these parameters and pressure and / or volume set-up modification using Z-height adjustment to increase volume to target volume Variability in width is obtained.

【0013】 反応性溶剤混合に対してある程度の揮発性があるので、乾燥はシール体積の測
定前が望ましい。その代わりに、望ましい体積測定の正確度を得るために、予め
決められたビード横断面を測定する前の経過時間が要求される。制御された乾燥
ステップにより、溶剤の蒸発を予め決められた値にすることができる。セットア
ップが完了し、目標分配シール体積を決定したら、それ以上体積測定および工程
調整を行うことなく、多くのパネルを5%未満の変動性で予め決められた幅で流
すことができる。
Since there is some volatility with respect to the reactive solvent mixture, it is desirable to dry before measuring the seal volume. Instead, the elapsed time before measuring the predetermined bead cross section is required to obtain the desired volumetric accuracy. The controlled drying step allows the evaporation of the solvent to a predetermined value. Once setup is complete and the target dispense seal volume has been determined, many panels can be run in a predetermined width with less than 5% variability without further volume measurements and process adjustments.

【0014】 短時間(例えば、約15分間)90℃前後でシール材料を予備焼き付けすると、積
層形成の準備が整った2つの基板CFおよびTFTのアセンブリを支えるのに充分にポ
リマーが架橋される。2つの基板の配置および位置合わせまえに、直径約5μmの
望みのスペーサ球がLCギャップを作り、TFT基板全体に分布される。シール材料
は、CF基板に分配されていることが望ましい。さらに、スペーサ球または棒(ガ
ラスが望ましい)の第二の組が分配前にエポキシにおいて混合される。スペーサ
(球が望ましい)の第二の組は、シール付近のセル・ギャップの変動を最小限に
抑えるために相補的直径を持つ。
Pre-baking the seal material at around 90 ° C. for a short time (eg, about 15 minutes) crosslinks the polymer enough to support the assembly of two substrates CF and TFTs ready for lamination. Prior to placement and alignment of the two substrates, the desired spacer spheres with a diameter of about 5 μm create an LC gap and are distributed over the TFT substrate. The sealing material is preferably distributed on the CF substrate. In addition, a second set of spacer spheres or rods (preferably glass) is mixed in the epoxy prior to dispensing. The second set of spacers (preferably spheres) have complementary diameters to minimize variations in the cell gap near the seal.

【0015】 次に、TFT基板の位置が合わせられ、CF基板に重ねられる。この工程中、選択
された力または真空でTFTおよびCFプレートがスクイーズまたは積層形成される
とき、シール材料は、湿潤幅から最終幅に押し出される。例えば、湿潤幅が200
ミクロンであり、シール材料の湿潤高さが平均20ミクロンである場合、5ミクロ
ン・スペーサが使用されると、積層形成後、シールは800ミクロン幅となる。こ
の例において、積層形成工程は、シールの内側エッジまたは前端をピクセル寄り
に300ミクロン動かす。積層形成中、シールの前端は起伏状(波形)になり、透
明な未充填のポリマー材がシリカ充填ポリマー材の前端に現れる。反応性溶剤に
よる表面の多少の湿潤は、透明なポリマー材の前端に欠陥エリア(簡単に検出で
きない)を出現させる。従って、欠陥エリアにおいて、溶剤は薄く、単に表面を
湿潤するだけであり、その間のギャップを橋絡しない。
Next, the TFT substrate is aligned and overlaid on the CF substrate. During this process, the sealing material is extruded from the wet width to the final width when the TFT and CF plates are squeezed or laminated with a selected force or vacuum. For example, a wet width of 200
If the micron and the wet height of the seal material averages 20 microns, then a seal will be 800 microns wide after lamination when a 5 micron spacer is used. In this example, the lamination process moves the inner or leading edge of the seal 300 microns toward the pixel. During lamination, the front end of the seal is undulating (corrugated), and a transparent, unfilled polymeric material appears at the front end of the silica-filled polymeric material. Some wetting of the surface with the reactive solvent causes the appearance of defect areas (not easily detectable) at the front edge of the transparent polymeric material. Therefore, in the defect area, the solvent is thin and only wets the surface and does not bridge the gap between them.

【0016】 この汚染物質がシーム付近のピクセルに達すると、可視の欠陥が生じる。欠陥
の特徴は、汚染されたピクセルの部分(すなわち、サブピクセルの連続的に点灯
される部分)または多くのピクセルを含む部分的に点灯されるより大きいエリア
の電子的活性の欠如である場合がある。完成AMLCDパネルを交差されない偏光子
(ブラック状態)の間に置いて観察することによって、液晶材料を充填した完成
AMLCDパネルにおける欠陥エリアを簡単に観測することができる。この条件でテ
ストするとき、欠陥エリアは、点灯されたように見える。
When this contaminant reaches pixels near the seam, visible defects occur. A feature of the defect may be the lack of electronic activity in the contaminated portion of the pixel (ie, the continuously illuminated portion of the subpixel) or a partially illuminated larger area that includes many pixels. is there. Completed with a liquid crystal material filled by placing the AMLCD panel between the uncrossed polarizers (black state) and observing
The defect area on the AMLCD panel can be easily observed. When tested in this condition, the defective area appears to be illuminated.

【0017】 粘度および溶剤内容を除いて上述した制御パラメータのどれも、このタイプの
欠陥の傾向を抑えるために効果的に使用することはできない。しかし、欠陥エリ
アを50ミクロン未満に制限するためにダムおよび流動方向付け構造を採用するこ
とができる。これに比較して、通常の方法では、1000ミクロンほどの欠陥エリア
が生じる。
None of the control parameters described above, except viscosity and solvent content, can be effectively used to reduce the propensity for this type of defect. However, dams and flow directing structures can be employed to limit the defect area to less than 50 microns. In comparison, the conventional method produces a defect area of about 1000 microns.

【0018】 米国特許第5,963,281号および特許出願第09/396,465号および09/368,921号は
、欠陥エリアを50μm程度にするためにCF基板上でシール前端での溶剤の流れの
方向を定めるダムおよび(または)チャネル様の構造の例を開示している。しか
し、高解像度のAMLCD平面パネル・ディスプレイ(FPD)をタイル形成するために
シール幅を狭くするためには、欠陥エリアを実質的に50μm未満にまでさらに小
さくすることが望ましい。ダムとピクセルの間の現在の50ミクロンの保証エリア
は、許容されるシーム幅の約25%を構成する。従って、このエリアは、タイル式
ディスプレイの場合ピクセル設計(例えば、口径比の減少、ピクセル・サイズの
増大、または解像度の減少)に大きな影響を持つ。 [発明の要約] 本発明は、AMLCDタイルにおけるSIPエリアのエッジ・ピクセル付近、シール前
端の欠陥エリアのサイズを減少するための方法を教示する。この発明的方法は、
タイル式平面パネル・ディスプレイ(FPD)に組み立てられるよう設計される個
々のディスプレイ・タイル上に非常に狭い周囲シールを形成できるようにする。
本発明の方法は、ダムおよび湿潤構造など制御構造とよく協調する。本発明に従
って製造される個々の密封シールド・タイルは、視覚的に知覚できないシームを
有するタイル式平面パネル・ディスプレイに使用するのに適している。
US Pat. No. 5,963,281 and patent applications 09 / 396,465 and 09 / 368,921 describe dams and () that direct the flow of solvent at the front of the seal on the CF substrate to make the defect area around 50 μm. Or) discloses an example of a channel-like structure. However, in order to narrow the seal width for tiling high resolution AMLCD flat panel displays (FPD), it is desirable to further reduce the defect area to substantially less than 50 μm. The current 50 micron guaranteed area between the dam and the pixel constitutes about 25% of the allowed seam width. Therefore, this area has a large impact on pixel design (eg, reduced aperture ratio, increased pixel size, or reduced resolution) for tiled displays. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention teaches a method for reducing the size of the defective area at the edge of a seal, near the edge pixels of a SIP area in an AMLCD tile. This inventive method
Allows the formation of very narrow perimeter seals on individual display tiles designed to be assembled into tiled flat panel displays (FPDs).
The method of the present invention works well with control structures such as dams and wetting structures. Individual hermetically shielded tiles made in accordance with the present invention are suitable for use in tiled flat panel displays having visually imperceptible seams.

【0019】 従って、欠陥エリアを減少し、それにより、制御されたSIPでより狭いシール
を生成できるようにする工程方法を提供することが、本発明の目的である。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a process method that reduces the defect area, thereby allowing a narrower seal to be produced with a controlled SIP.

【0020】 鎖長さの短い分子の比率を減らすように反応性溶剤材料の分子量分布を修正す
ることによって最適化されたシール材料を提供することが、本発明の別の目的で
ある。
It is another object of the present invention to provide a sealing material that is optimized by modifying the molecular weight distribution of the reactive solvent material to reduce the proportion of short chain molecules.

【0021】 妥当なコストで接着剤販売業者が容易に製造できる分子量分布を有するシール
材料を設計することが、本発明のさらなる目的である。
It is a further object of the present invention to design a sealing material with a molecular weight distribution that can be easily manufactured by adhesive vendors at a reasonable cost.

【0022】 反応性で揮発性の溶剤において低分子量鎖の選択的拡散を可能にして、パネル
積層形成前に鎖が反応性エポキシ終端に接着するまたは蒸発する時間を与えるた
めに、工程手順において「B段階」温度プロファイルを修正することが、本発明
の付加的目的である。
In order to allow the selective diffusion of low molecular weight chains in a reactive, volatile solvent, allowing time for the chains to adhere or vaporize to the reactive epoxy terminations prior to panel lamination, the process sequence “ It is an additional object of the invention to modify the "B-stage" temperature profile.

【0023】 シール材料における反応性溶剤成分の割合を減少することが、本発明のさらな
る目的である。
It is a further object of the present invention to reduce the proportion of reactive solvent components in the sealing material.

【0024】 また、シール材料における揮発性溶剤の量を縮小することにより、シール形成
を改良し、ピクセル汚染を最小限に抑えることが、本発明の別の目的である。
It is also another object of the present invention to improve seal formation and minimize pixel contamination by reducing the amount of volatile solvent in the seal material.

【0025】 最小限の起伏度を呈する500から700μmまでの範囲の狭い(小さい体積の)シ
ールを形成することが、本発明のさらなる目的である。
It is a further object of the present invention to form a narrow (small volume) seal in the range of 500 to 700 μm that exhibits minimal undulations.

【0026】 シール材料においてスペーサとして使用されるガラス棒の代わりにガラス球を
使用することが、本発明の付加的目的である。
It is an additional object of the invention to use glass spheres instead of the glass rods used as spacers in the sealing material.

【0027】 SIP寸法を185から135μmに減少することも、本発明の目的である。[0027]   It is also an object of the invention to reduce the SIP size from 185 to 135 μm.

【0028】 添付図面を以下に記す詳細な説明と一緒に検討し参照することにより、本発明
を完全に理解することができるだろう。
A complete understanding of the present invention may be gained by studying and referring to the accompanying drawings in conjunction with the detailed description set forth below.

【0029】 明確かつ簡潔にするために、同様の要素および成分には図面全体を通じて同じ
名称および番号が与えられる。 [好ましい実施形態の説明] 一般的に言って、本発明は、シール内周(SIP)幅が制御されディスプレイ・
タイルのシーム領域のまたはその付近の欠陥エリアが最小限に抑えられる、AMLC
Dディスプレイ・タイルを製造するための装置および方法を特徴とする。
For clarity and brevity, similar elements and components are given the same names and numbers throughout the drawings. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Generally speaking, the present invention provides a display with a controlled inner seal (SIP) width.
AMLC, which minimizes the defect area at or near the tile seam area
Features an apparatus and method for manufacturing D display tiles.

【0030】 AMLCDタイル周囲シールは、本発明に従って、先行技術において使用される材
料より低い分子量成分を有するシール材料から形成される。さらに、接着混合物
は、低粘度架橋溶剤の部分を有する。カラー・フィルタ(CF)および薄膜トラン
ジスタ(TFT)基板の積層形成中シールがスクイーズされる(詰め込まれる)と
き、シール材料の前縁に表面湿潤が生じる。この溶剤は、シールを構成するエポ
キシ分子の架橋マトリクスに同化されるように設計される。これは、硬化後丈夫
な架橋エポキシ・マトリクスとなるように比例的に混合されるよう設計されるエ
ポキシ用反応性架橋溶剤である。硬化(架橋)前、反応性溶剤と接着剤の結合は
シールの粘度を減少させ、接着エポキシ・シールの湿潤能力を与える。材料の広
がりを制御するよう設計された構造であるが、材料の前縁は不均等に前進し、少
なくとも多少のエッジの起伏度を残す。シールの幅に伴ってエッジの起伏の度合
いは増し、500から800ミクロンのシール幅の場合、シール幅が100ミクロン増大
するごとに起伏度は約15ミクロン増す。
The AMLCD tile perimeter seal is formed according to the present invention from a seal material having a lower molecular weight component than the materials used in the prior art. In addition, the adhesive mixture has a portion of low viscosity crosslinking solvent. Surface wetting occurs at the leading edge of the seal material as the seal is squeezed during lamination of color filter (CF) and thin film transistor (TFT) substrates. This solvent is designed to assimilate into a cross-linked matrix of epoxy molecules that make up the seal. It is a reactive cross-linking solvent for epoxies that is designed to be proportionately mixed to give a strong cross-linked epoxy matrix after cure. Prior to curing (crosslinking), the bonding of the reactive solvent and the adhesive reduces the viscosity of the seal and provides the wetting ability of the adhesive epoxy seal. Although the structure is designed to control the spread of the material, the leading edge of the material advances unevenly, leaving at least some edge relief. The degree of undulation of the edge increases with the width of the seal, and for seal widths of 500 to 800 microns, the undulation increases by about 15 microns for every 100 microns of seal width.

【0031】 図1は、ダムおよびダム分離チャネルのようなシール材料の流動制御構造がな
い場合およびある場合のシール幅の関数としてのシール・エッジ起伏度を示すグ
ラフである。
FIG. 1 is a graph showing seal edge relief as a function of seal width with and without a flow control structure of the seal material such as dams and dam separation channels.

【0032】 シール材料は、一般的に言って、目標の粘度を得るために反応性成分が揮発性
成分と比例的に混合されている溶剤と混合されたエポキシ基材から成る。さらに
、この混合物は、通常、相当量の微粒子シリカおよびガラスのスペーサ球または
棒を含む。
The sealing material generally consists of an epoxy matrix mixed with a solvent in which the reactive component is proportionally mixed with the volatile component to obtain the target viscosity. In addition, the mixture usually contains a substantial amount of particulate silica and glass spacer spheres or rods.

【0033】 シール材料は、スクリーニングによりまたはペン、中空針またはシリンジなど
小さいオリフィスから望みのパターンに分配することによって付着することがで
きる。TFT基板に単独でまたはCF基板のほかにTFT基板に付着させることも可能で
あるが、シール材料はCF基板に付着させることが望ましい。付着後、シールを予
備焼付けし、通常「B」段階と呼ばれる目標重合レベルまで乾燥させる。
The sealing material can be applied by screening or by dispensing in a desired pattern from a small orifice such as a pen, hollow needle or syringe. Although it is possible to adhere to the TFT substrate alone or in addition to the CF substrate to the TFT substrate, it is preferable that the seal material is attached to the CF substrate. After application, the seal is prebaked and dried to the target polymerization level, commonly referred to as the "B" stage.

【0034】 次に、図2aおよび2bを参照すると、それぞれAMLCDパネルのエッジにおけるエ
ポキシ・シールのピクセル付近の領域の上面図および断面図が示されている。積
層形成(すなわちCFをTFTに組み合わせ、この「サンドウィッチ」を圧縮する)
および硬化後、シール・エッジは3つの異なる成分、すなわちシール幅の中心の9
0%以上を構成するシリカ充填マトリクス200、充填マトリクス200の外側で幅の
小さい比率を構成する透明のポリマー201、およびAMLCDパネルに液晶(図には示
されていない)が充填され、交差偏光子の間に配置され、透過光で見られるまで
簡単に見ることができない汚染の前縁(欠陥エリア)202で構成されるように見
える。
Referring now to FIGS. 2a and 2b, there are shown a top view and a cross-sectional view, respectively, of a region of the epoxy seal near the pixel at the edge of the AMLCD panel. Stacking (ie combine CF with TFT and compress this "sandwich")
And after curing, the seal edge has three different components, namely the center 9 of the seal width.
A silica-filled matrix 200 that makes up more than 0%, a transparent polymer 201 that makes up a small width ratio outside the filled matrix 200, and an AMLCD panel filled with liquid crystals (not shown), crossed polarizers. It appears to be composed of a leading edge (defect area) 202 of contamination that is located between and cannot be easily seen until seen in transmitted light.

【0035】 欠陥エリア202を観察すると、電気的に活性化されたピクセルにおいて色の変
動としてはっきりと見えるので、ピクセルが可視の透明な未充填のポリマー201
の前端で汚染されていることが分かる。欠陥エリア202は、汚染接着溶剤混合物
がサブピクセル203のポリイミド層(図には示されていない)においてLCアライ
ンメント・マイクログルーブ(図には示されていない)を湿潤し、充填すること
によって、LC偏光アラインメントを乱すエリアである。欠陥エリア202において
生じるようなランダムな偏光方位は、視覚的にピクセルの非作用部分の効果を生
じる。例えば、活性化された通常のホワイトLCDパネルにおいて、欠陥汚染202を
持つピクセルまたはサブピクセルまたはサブピクセルの203の部分は、常に点灯
されたように見える。活性化された通常のブラックLCDパネルにおいて、欠陥領
域は常に点灯していないように見える。
Observing the defect area 202 is clearly visible as a color variation in the electrically activated pixel, so that the pixel is visible in the transparent unfilled polymer 201.
You can see that it is contaminated at the front end of. The defective area 202 is formed by wetting and filling the LC alignment microgrooves (not shown) with the contaminated adhesive solvent mixture in the polyimide layer (not shown) of the subpixel 203. This is an area that disturbs the polarization alignment. Random polarization orientations, such as those occurring in the defect area 202, visually produce the effect of the non-active portion of the pixel. For example, in an activated normal white LCD panel, the pixel or subpixel or portion of subpixel 203 having defective contamination 202 always appears illuminated. In an activated normal black LCD panel, the defective area always does not appear to be illuminated.

【0036】 充填される接着材料200および透明の接着材料201は、CF基板204とTFT205基板
の間のギャップ210を充填するが、低分子量の汚染混合物202は、約5ミクロンのL
Cセル高さギャップ210を橋絡するのに充分な表面張力を持たず表面を湿潤する。
これは、CF基板204およびTFT基板205の両方のITO薄膜層(図には示されていない
)の上に非常に薄い被膜を形成するポリイミド・アラインメント層においてマイ
クログルーブを湿潤する。
The filled adhesive material 200 and the transparent adhesive material 201 fill the gap 210 between the CF substrate 204 and the TFT 205 substrate, while the low molecular weight contamination mixture 202 has an L of about 5 microns.
Wetting the surface without sufficient surface tension to bridge the C cell height gap 210.
This wets the microgrooves in the polyimide alignment layer, which forms a very thin coating on the ITO thin film layers (not shown) on both the CF substrate 204 and the TFT substrate 205.

【0037】 図3も参照すると、典型的なシールの場合この汚染エリア202のサイズは、上記
の可視のポリマー・シールの前端またはシールの内側エッジを約50ミクロン越え
ている。時には、汚染がTFT基板205の相互接合線206など局部的特徴に沿って自
由に流れて、時に、ピクセル全体およびシールの内側エッジ付近に数百ミクロン
かそれ以上の望ましくない視覚的効果すなわち欠陥エリアを生じる場合がある。
Referring also to FIG. 3, for a typical seal, the size of this contaminated area 202 is about 50 microns beyond the leading edge of the visible polymer seal or the inner edge of the seal. Occasionally, contaminants are free to flow along local features, such as the interconnect lines 206 of the TFT substrate 205, and sometimes undesired visual effects or defect areas of hundreds of microns or more near the entire pixel and the inner edge of the seal. May occur.

【0038】 従って、先行技術のシールにおいては、シールをピクセルから離して(例えば
、1mm以上)配置する必要があった。これは、ノート型パソコンのディスプレイな
どを作る際の一般的方法である。
Therefore, in prior art seals, it was necessary to place the seal away from the pixel (eg, 1 mm or more). This is a common way to make a laptop display.

【0039】 シールを積層し硬化するために一般的に使われる工程は、まず90℃前後でシー
ルを予備焼き付けすることである(部分的硬化またはB段階)。これは、反応性
溶剤成分を部分的に乾燥させ、その一部をエポキシ分子に架橋する。シールはこ
れで粘着性となり、より容易に扱うことができる。次に位置合わせのための基準
マークを使って基板を相互に整合する。予備焼付けによってシールの粘度が増す
ので、その後の積層形成工程およびシール材料の流動は、押し出しのような工程
であり、シーリング工程を完了するためには圧力と温度の組み合わせが必要であ
る。
A commonly used process for laminating and curing seals is to first pre-bake the seal around 90 ° C. (partial curing or B-stage). This causes the reactive solvent component to partially dry and partially crosslink the epoxy molecules. The seal is now tacky and easier to handle. The substrates are then aligned with one another using fiducial marks for alignment. Since pre-baking increases the viscosity of the seal, the subsequent laminating step and flow of seal material is an extrusion-like step, requiring a combination of pressure and temperature to complete the sealing step.

【0040】 積層形成工程中、CFプレートとTFTプレート間のセル・ギャップは、スプラッ
シュ(斑点)または空隙を生じることなくスペーサの直径に合わせて閉じる。2
枚の基板が平らで、並行であり、シール・エリアに一貫したセル・ギャップを与
えることが重要である。そうでないと、シール押し出しが均等の方向性を持って
流れず、シール幅の中心点が予め決められた目標位置からずれてしまう。平行性
を得るために、CF構造は、タイルの中央エリアにおいてCFと等しい高さのシール
の外側のタイルの周囲に組み込まれて設計される。セル・ギャップを均等にする
ためのスペーサは、ここと、タイル内部に使用される。
During the stacking process, the cell gap between the CF plate and the TFT plate closes to the diameter of the spacer without splashes or voids. 2
It is important that the substrates are flat, parallel and provide a consistent cell gap in the seal area. If this is not the case, the seal extrusion will not flow with even directionality, and the center point of the seal width will deviate from the predetermined target position. In order to obtain parallelism, the CF structure is designed to be built around the tile outside the seal at a height equal to CF in the central area of the tile. Spacers to equalize the cell gaps are used here and inside the tile.

【0041】 積層形成工程中の温度は、180度前後に構成されたオーブンにおいて上げられ
、ここでシール材料の硬化または架橋が完了する。一般に、パネルは、液晶が充
填される前に、真空焼きなましされる。溶剤がエポキシ・マトリクスに充分架橋
していない場合、真空焼きなまし工程中、残留溶剤がほとばしり出る可能性があ
る。しかし、本発明においては、シール前端での汚染を減少しそれによって欠陥
エリアを減少するために開発された代替物(組成、構造および方法)によって、
このステップを除外することができる。
The temperature during the lamination process is raised in an oven configured around 180 degrees, where the curing or crosslinking of the sealing material is completed. Generally, the panel is vacuum annealed before being filled with liquid crystal. If the solvent does not cross-link the epoxy matrix well, residual solvent may spill out during the vacuum annealing process. However, in the present invention, an alternative (composition, structure and method) developed to reduce contamination at the seal front and thereby reduce the defective area,
This step can be omitted.

【0042】 温度に伴い粘度は指数関数的に減少するが、硬化サイクル中、架橋反応の進行
はこれに逆らう。最後に架橋する分子は最大の鎖であり、最小の鎖はエポキシ・
マトリクスにおいてより急速に拡散して、結合のために反応性エポキシ連鎖を見
つける。溶剤分子が過剰であったり、エポキシ結合を見つけない場合、加圧浸透
によって移動するシール前端の前に容易に押し出される。すなわち、より粘度の
低い溶剤およびより分子量の低い部分が優先的にシール前端に押し出される。従
って、シール・エッジの前端部の欠陥エリアは、B段階中、または積層形成工程
中最終硬化状態に達するための温度傾斜中、効果的にエポキシに架橋されない溶
剤成分によって決まる。従って、汚染前端は、溶剤の急速に浸透する成分または
溶剤における分子量分布の最も小さい分子鎖長さである。
Although the viscosity decreases exponentially with temperature, the progress of the crosslinking reaction is contrary to this during the curing cycle. The last molecule to crosslink is the largest chain and the smallest chain is epoxy.
It diffuses more rapidly in the matrix, finding reactive epoxy chains for binding. If there are too many solvent molecules or no epoxy bond is found, it will be easily extruded in front of the seal front moving by pressure penetration. That is, the less viscous solvent and the lesser molecular weight portion are preferentially extruded to the seal front. Thus, the defect area at the leading edge of the seal edge is determined by the solvent component that is not effectively crosslinked to the epoxy during the B-stage or temperature ramp to reach the final cure state during the lamination process. Therefore, the contamination front is the shortest penetrating component of the solvent or the chain length with the smallest molecular weight distribution in the solvent.

【0043】 実験の結果は、実際、一般に使用される90℃という予備焼付け温度よりかなり
低い温度の部分硬化が使用される場合欠陥エリアが小さくなることを示している
。反応性溶剤を結合するための立証済みの工程が、50℃前後の工程に追加される
。その理由は、反応性溶剤のより低い分子量の成分は、この低い温度のときより
高い分子量の成分より急速に分散するからである。従って、低分子量成分は、選
択的に反応性エポキシ分子鎖端を見つけて、これに結合する。工程へのこの修正
は、また、積層形成前の揮発性溶剤並びに反応性溶剤を減少するので、SIPエリ
アにおけるシール前端の汚染の原因となる低分子量成分の圧力による浸透を縮小
する。
The results of the experiments show that, in fact, the defect area becomes smaller if a partial cure at a temperature well below the commonly used pre-baking temperature of 90 ° C. is used. Proven steps for binding reactive solvents are added to the steps around 50 ° C. The reason is that the lower molecular weight components of the reactive solvent disperse more rapidly at this lower temperature than the higher molecular weight components. Thus, the low molecular weight component selectively finds and attaches to the reactive epoxy molecular chain ends. This modification to the process also reduces volatile as well as reactive solvents prior to stack formation, thus reducing pressure penetration of low molecular weight components that cause fouling of seal fronts in SIP areas.

【0044】 AMLCDタイル周囲シールは、本発明に従って、先行技術において使用されるの
と同じ材料から形成される。しかし、成分構成は異なり、欠陥エリアを小さくす
るために工程において最適化される。積層形成(押し出し)中圧力浸透によって
シール前端を形成する2つの最も低い分子量の溶剤を減少しなければならない。
分配のために粘度を制御するためにシール材料に付加される揮発性溶剤は、調合
においてあるいは積層形成前により完全に乾燥することによって最小限に抑えな
ければならない。反応性溶剤は、最終硬化反応後に全く残らないように、エポキ
シ基材の分子内容に対して正確にバランスを保たなければならない。このために
、反応性溶剤分子が基材であるエポキシ・マトリクス全体に分散し、完全な結合
のために充分な反応サイトを見つけるための能力を最適化する温度階層が使用さ
れる。
The AMLCD tile perimeter seal is made in accordance with the present invention from the same materials used in the prior art. However, the component composition is different and is optimized in the process to reduce the defect area. The two lowest molecular weight solvents that form the seal leading edge must be reduced by pressure infiltration during lamination (extrusion).
Volatile solvents added to the seal material to control viscosity for dispensing must be minimized during formulation or by more thorough drying prior to lamination. The reactive solvent must be precisely balanced against the molecular content of the epoxy substrate so that no residual solvent remains after the final curing reaction. To this end, a temperature hierarchy is used that optimizes the ability of the reactive solvent molecules to be dispersed throughout the underlying epoxy matrix and to find sufficient reaction sites for complete bonding.

【0045】 シール成分は、貯蔵されるロット単位で混合され、多様な方法で製造に使用さ
れる。固体フィラー材料、一般にはSiO2は、ロットによってまたはユーザーによ
って異なる、多様な粒子サイズ、表面積および内容構成を有する。さらに、ポリ
マー成分は、分子内容および熱履歴によって決定される分子反応性に関して大幅
に変動する可能性がある。さらに複雑にするのは、積層形成工程が、時間と温度
、力およびシール前端偏位に関して、製造される特定の設計に応じて変動するこ
とである。
The seal components are mixed on a lot-by-lot basis for storage and are used in manufacturing in a variety of ways. Solid filler materials, typically SiO 2, have a variety of particle sizes, surface areas and content configurations that vary from lot to lot and from user to user. Moreover, the polymer components can vary widely with respect to molecular content and molecular reactivity as determined by thermal history. Further complicating is that the lamination process varies with respect to time and temperature, force and seal leading edge excursion, depending on the particular design being manufactured.

【0046】 従って、本発明は、実施される特定の製造工程および設計について欠陥エリア
特性を決定するための機能テスト方法に依存する。その手順は次のとおりである
。 1)図において説明され上に論じられるとおりのシール前端における欠陥エリア
を、予め決められたシール幅、セル・ギャップおよび湿潤構造をもつ目標設計の
場合の特定の材料、工程およびツールについて決定する、および 2)以下に説明される1つまたはそれ以上の処置により欠陥エリアを最小限に抑え
る。
Accordingly, the present invention relies on a functional test method for determining defect area characteristics for a particular manufacturing process and design to be performed. The procedure is as follows. 1) Determining the defect area at the seal front as illustrated in the figures and discussed above for a particular material, process and tool for a target design with a predetermined seal width, cell gap and wetting structure, And 2) Minimize the defective area by one or more of the procedures described below.

【0047】 制御されたSIPでより狭いシールを実現するために欠陥エリアを減少するため
にはいくつかの工程を実施することができる。まず、鎖長さの短い分子の比率を
下げることによって反応性溶剤材料の分子量分布を修正することが考えられる。
分子量分布を改良するために、材料を遠心分離した後に別の容器に移す方法を使
用することができる。反応性溶剤の仕様が最低鎖長さをカットした分子量分布を
含むべきであることは明らかである。これは、シール接着成分の販売者が実施で
きる修正である。
Several steps can be performed to reduce the defect area to achieve a narrower seal with controlled SIP. First, it is conceivable to modify the molecular weight distribution of the reactive solvent material by reducing the proportion of molecules with short chain length.
In order to improve the molecular weight distribution, a method of centrifuging the material and then transferring it to another container can be used. It is clear that the specifications of the reactive solvent should include a molecular weight distribution with the minimum chain length cut. This is a fix that the seller of the seal adhesive component can implement.

【0048】 第二に、典型的な90℃の予備焼付けに加えて50℃前後の温度段階を含めて、反
応性溶剤における低い分子量鎖の選択的分散が可能になるように、工程手順にお
ける段階的温度構造を修正することができる。これにより、前記の低い分子量鎖
が反応性エポキシ終端に結合する時間または積層形成前に蒸発する時間を与える
。その代わりに、90℃よりかなり低い温度で始まる最適化された予備焼付け温度
時間構造を使用して、反応性溶剤の低分子量の成分部分を選択的に結合し、かつ
蒸発する溶剤の量を増やすことができる。
Second, steps in the process sequence are included to allow selective dispersion of low molecular weight chains in the reactive solvent, including a typical 90 ° C. prebake plus temperature steps around 50 ° C. The dynamic temperature structure can be modified. This gives the low molecular weight chains time to attach to the reactive epoxy termination or to evaporate before stacking. Instead, an optimized prebake temperature time structure starting well below 90 ° C. is used to selectively bind the low molecular weight component parts of the reactive solvent and increase the amount of solvent vaporized. be able to.

【0049】 さらに、別の制御方法は、反応性溶剤成分の割合を減少して過剰な溶剤を生成
せずに分子エポキシ内容とバランスをとらせることである。
Yet another control method is to reduce the proportion of reactive solvent components to balance the molecular epoxy content without producing excess solvent.

【0050】 さらに別の制御方法は、予備焼付け後に揮発性溶剤を全く残さないように揮発
性溶剤を減少することである。
Yet another control method is to reduce the volatile solvent so that no volatile solvent remains after pre-baking.

【0051】 前に述べたように、SIPの前端における欠陥エリアの相補的減少は、上述の関
連特許および特許出願においてすでに開示されているダム、ダム分離および湿潤
構造によって達成できる。しかし、シール工程に関する本発明を利用するために
、CFに組み込んで設計され処理されるダムおよび湿潤構造は、欠陥エリアの寸法
に依存するピクセルに近接する最適位置に配置されることが望ましい。これは、
2000年1月24に出願された同時係属特許出願第09/490,776号において開示され図5
に示される通り仕上げタイルおよびその結果であるSIPがある特定の幅例えば135
μmになるよう制御される例をとれば、理解しやすい。
As previously mentioned, the complementary reduction of the defective area at the front end of the SIP can be achieved by the dams, dam separations and wetting structures already disclosed in the above-mentioned related patents and patent applications. However, in order to utilize the invention with respect to the sealing process, it is desirable that dams and wetting structures designed and engineered into the CF be placed in optimal locations close to the pixels depending on the size of the defect area. this is,
FIG. 5 disclosed in copending patent application No. 09 / 490,776 filed January 24, 2000
Finished tiles and the resulting SIP have a certain width as shown in eg 135
It is easy to understand if the example is controlled to be μm.

【0052】 タイルは、HDTVおよび(または)XGA解像度用の1×3タイル式FPD配列を作るこ
とによって大体の寸法が定められる。この場合、ダムは、汚染がピクセルに達す
ることを防ぐためにバッファ・ゾーンとしてピクセルから約25μm離れて配置さ
れる。これはSDTVタイル式FPDに使用される寸法に比べて25ミクロンの縮小であ
る。HDTV解像度用のダムはまた相対的に狭く、約20ミクロンであり、約25ミクロ
ンの間隔を置いており、浸透する低分子量溶剤の前端で選択的に並行に湿潤する
CFにおけるチャネルを形成する。
Tiles are roughly sized by creating a 1 × 3 tiled FPD array for HDTV and / or XGA resolutions. In this case, the dam is placed about 25 μm away from the pixel as a buffer zone to prevent contamination from reaching the pixel. This is a 25 micron reduction compared to the dimensions used in SDTV tiled FPDs. HDTV resolution dams are also relatively narrow, about 20 microns, spaced about 25 microns, and selectively wet in parallel with the leading edge of the penetrating low molecular weight solvent.
Form a channel in CF.

【0053】 これらの相違のほかに、図4と図5を比較すると、SDTV設計に比べてHDTV設計の
場合カット後平均シール幅が15%縮小されていることが分かる。これは、幅90ミ
クロンから78ミクロンに減少したことを示す。ダム構造は材料の広がりを制御す
るよう設計されているが、それでも材料の前縁は不均等に前進して、少なくとも
ある程度のエッジ起伏度を残す。エッジ起伏の度合いは、先に説明したとおりシ
ールの幅と共に増大する。
In addition to these differences, comparing FIGS. 4 and 5 shows that the average seal width after cutting is reduced by 15% in the HDTV design compared to the SDTV design. This indicates a reduction in width from 90 microns to 78 microns. Although the dam structure is designed to control the spread of the material, the leading edge of the material still advances unevenly, leaving at least some edge relief. The degree of edge relief increases with the width of the seal as explained above.

【0054】 この創意に富む工程修正は、さらに、500から700μm幅程度の狭い(体積の小
さい)シールを作り、起伏度およびシール・リザーバ内に保持される全溶剤を減
少することを含んでいる。グラス・ファイバーまたはガラス棒ではなくシール材
料のスペーサとして直径5ミクロンのガラス球を導入することによって、分配の
ために通常の方法に比べて小さい直径のシリンジを使用できる。従って通常小さ
い直径のシリンジに伴うシリンジの間欠的部分的詰まりを原因とするシール幅の
中の空隙または狭まりを生じる危険を冒すことなく、より小さいシール幅を信頼
して作ることができる。このようにして、シール材料の中心をセル・ギャップ内
でAMLCDのエッジ・ピクセル寄りに移動することができる。
This inventive process modification further involves making a narrow (small volume) seal on the order of 500 to 700 μm wide to reduce undulations and total solvent retained in the seal reservoir. . By introducing 5 micron diameter glass spheres as spacers in the sealing material rather than glass fibers or glass rods, smaller diameter syringes can be used for dispensing than in conventional methods. Thus, smaller seal widths can be reliably made without the risk of creating voids or narrowing in the seal width due to intermittent partial plugging of the syringe, which is typically associated with small diameter syringes. In this way, the center of the seal material can be moved within the cell gap towards the AMLCD edge pixels.

【0055】 せん断または屈曲の応力を受けるTFT基板とCF基板の間のシールの強さは、シ
ールおよびその接着界面の機械的強さによって決まる。強さは、4つのタイル・
エッジ全てにおけるシール幅の合計に比例する。従って、タイルのモザイクが1
つのシームを形成するエッジ部で多量のシールをカットし、さらにシール幅全体
を減少して、SIPの波形を少なくし欠陥エリアを減少した後、シールが、製造中
の処理に要求される強さより弱いという心配がある。従って、シールの順次絞り
成形への修正は、冗長により強さを増すことが望ましい。従って、シールの順次
及び連続絞り成形によって、複数のシール幅を広いシール側面に塗布することが
できる。この手順は、予め決められた狭いシール側面のカットによるシールの除
去を補う。冗長は、カット中の支持システムを与えるために、狭いシール側面に
も使用できる。
The strength of the seal between the TFT substrate and the CF substrate that is subjected to shearing or bending stress is determined by the mechanical strength of the seal and its adhesive interface. Strength is 4 tiles
Proportional to the total seal width at all edges. Therefore, the tile mosaic is 1
After cutting a large amount of the seal at the edges that form the two seams, and further reducing the overall seal width to reduce SIP corrugations and reduce the defect area, the seal is better than the strength required for processing during manufacturing. I'm worried about my weakness. Therefore, modifications to the sequential draw forming of the seal are desirable to increase strength by redundancy. Therefore, a plurality of seal widths can be applied to the wide side surface of the seal by sequential and continuous drawing of the seal. This procedure complements the removal of the seal by a predetermined narrow seal side cut. Redundancy can also be used on narrow seal sides to provide a support system during cutting.

【0056】 将来、積層形成中シールが形成されるとき溶剤前端を制御するためにより大き
な毛細管力を生じるように設計される複数のダムおよびチャネルを伴う改良湿潤
構造が計画される。この種の設計および工程については、シールと境界を接する
弱い材料を取り除くことにより接着強さを最適化できる。このように、カットさ
れるシールのエッジを材料階層から選択的に選ぶことが可能である。CF基板にお
いては、選択は、ポリイミド、ITO、誘電層または基質ガラスのうち1つとするよ
う行うことができる。
In the future, an improved wetting structure with multiple dams and channels designed to produce greater capillary force to control the solvent front as the seal is being formed during lamination is planned. For this type of design and process, the bond strength can be optimized by removing the weak material that interfaces with the seal. In this way, it is possible to selectively choose the edge of the seal to be cut from the material hierarchy. For CF substrates, the choice can be made to one of polyimide, ITO, dielectric layer or substrate glass.

【0057】 要約すると、材料および(または)溶剤比を選択し製造工程を調整することに
よって工程を修正する方法は、以下の一連のステップとして示すことができる。
1)予め決められた組成にシール接着剤を混合し、第一の直径の球形スペーサを
加えるステップ 2)ITO薄膜およびアラインメント層で順次被覆される2枚のガラス基板を配する
ステップ 3)2枚のガラス基板の一方の外縁の周りに予め決められた幅のシールを付着する
ステップ 4)予め決められた温度および時間構造でシールを予備焼付けするステップ 5)予め決められたセル・ギャップに合わせて目標直径を持つ第二の直径の球形
スペーサを外面に付着するステップ 6)予め決められた力および(または)真空で2枚のガラス基板を積層するステッ
プ 7)予め決められた温度/時間構造でシールを硬化するステップ 8)ガラス基板にLCを充填するステップ 9)基板を交差偏光子の間に配置し、欠陥エリアが目標寸法であるかどうか検査
するステップ 10)第1に、欠陥エリアが予め決められた仕様より大きい場合、小さい減分で(
溶剤成分の1%)シール体積または溶剤比率を減少し、ステップ(3)から(9)
まで進めて、予め決められた仕様を満たすまで、毎回溶剤を減らしながらこのサ
イクルを繰り返し、第2に、欠陥が予め決められた仕様より大きい場合、ステッ
プ(4)において予備焼付け時間を約30%増やし、予め決められた仕様を満たす
までステップ(4)において予備焼付け時間を30%の増分で追加しながらステッ
プ(2)から(9)までを繰り返し、第3に、欠陥が予め決められた仕様より大き
い場合、時間的に予備焼付けと等しく50℃から70℃の範囲のゲル段階ステップを
追加し、予め決められた仕様が満たされるまでゲル段階時間を等しい増分で増や
しながらこのサイクルを繰り返す、ステップおよび 11)将来のディスプレイのために上記の最適化されたパラメータを標準化するス
テップ タイル式平面パネル・ディスプレイの組み立てなど複雑な製造作業において、
作業への侵入的変更ができる限り小さいことが望ましいことは明らかである。望
ましいステップ(10)は、組み立てラインの外でシール材料の溶剤カットを変更
する。これを代替ステップに代えることができるが、代替ステップは組み立てラ
インにより大きな影響を与えるかも知れない。
In summary, a method of modifying a process by selecting materials and / or solvent ratios and adjusting the manufacturing process can be presented as the following series of steps.
1) Mix the sealing adhesive to a predetermined composition and add a spherical spacer of the first diameter Step 2) Place two glass substrates that are sequentially coated with ITO thin film and alignment layer Step 3) Two Depositing a seal of a predetermined width around one outer edge of the glass substrate of step 4) prebaking the seal at a predetermined temperature and time structure step 5) to a predetermined cell gap Step 6) Attach a second diameter spherical spacer with a target diameter to the outer surface Step 6) Laminate two glass substrates with a predetermined force and / or vacuum Step 7) With a predetermined temperature / time structure Step 8) Cure the seal Step 8) Fill the glass substrate with LC Step 9) Place the substrate between the crossed polarizers and inspect whether the defect area is the target dimension Step 10) First, If Recessed specification greater than the area have been determined in advance, with a small decrement (
1% of solvent component) Reduce seal volume or solvent ratio, steps (3) to (9)
Repeat this cycle, reducing solvent each time, until the pre-determined specifications are met. Second, if the defects are larger than the pre-determined specifications, the pre-baking time in step (4) is about 30%. Repeat the steps (2) to (9) while increasing and adding the prebaking time in 30% increments in step (4) until the predetermined specifications are met. Third, the defect has a predetermined specification. If greater, add a gel stage step in the range of 50 ° C to 70 ° C equal to the pre-bake in time, and repeat this cycle with increasing gel stage time in equal increments until a predetermined specification is met, step And 11) Steps to standardize the above optimized parameters for future displays such as the assembly of tiled flat panel displays In the miscellaneous manufacturing operations,
Clearly, it is desirable to have as little intrusive changes to the work as possible. The preferred step (10) modifies the solvent cut of the seal material outside the assembly line. This can be replaced by an alternative step, which may have a greater impact on the assembly line.

【0058】 その他の修正は特定の作用条件および環境または設計に合わせて変化する変更
なので、本発明は開示のために選ばれた例に限定されるものとは見なされず、本
発明の真の範囲から逸脱しない変更および修正を含むことは、当業者には明らか
であろう。
The present invention is not considered to be limited to the examples selected for disclosure, as other modifications are changes that will vary with the particular operating conditions and environment or design, and the true scope of the invention. It will be apparent to those skilled in the art that it includes changes and modifications that do not depart from it.

【0059】 本発明について以上のとおり説明したが、特許証によって保護されることを望
むものは、次に添付する特許請求の範囲において提示されるとおりである。
While the invention has been described above, what is desired to be protected by a patent is as set forth in the following appended claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 カラー・フィルタにダムおよび湿潤制御構造を持つ場合および持たない場合の
シール幅の関数としてシール起伏度を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing seal relief as a function of seal width with and without dam and wetting control structures on a color filter.

【図2a】 ピクセル付近のCFおよびTFT基板の間の典型的エポキシ・シールの上面図であ
る。
FIG. 2a is a top view of an exemplary epoxy seal between a CF and TFT substrate near a pixel.

【図2b】 図2aに示されるエポキシ・シールの断面図である。Figure 2b   2b is a cross-sectional view of the epoxy seal shown in FIG. 2a.

【図3】 TFT基板上の相互接合線に沿っておよび3つのサブピクセルのエッジに沿って欠
陥エリアを生じるエポキシの選択的湿潤を示す、ピクセル付近のCF基板とTFT基
板間の典型的エポキシ・シールの上面図である。
FIG. 3 is a typical epoxy between CF and TFT substrates near a pixel showing selective wetting of the epoxy that results in defective areas along the interconnection lines on the TFT substrate and along the edges of the three subpixels. It is a top view of a seal.

【図4】 シール内周の寸法を制御するためにCF膜層に組み入れられるダムと湿潤構造の
間の関係を示す、SDTV FPDにおけるピクセル付近のCF基板とTFT基板間の典型的
エポキシ・シールの上面図である。
FIG. 4 shows a typical epoxy seal between CF and TFT substrates near a pixel in an SDTV FPD showing the relationship between dam and wetting structure incorporated into the CF membrane layer to control the inner circumference of the seal. It is a top view.

【図5】 代替HDTV/XGA設計の場合にSIPの寸法を制御するためにCF薄膜に組み込まれる
ダムと湿潤構造の間の関係を示す、HDTV FPDにおけるピクセル付近のCF基板とTF
T基板間の典型的エポキシ・シールの上面図である。
FIG. 5: CF substrate near pixel and TF in HDTV FPD showing the relationship between dam and wetting structure incorporated into CF film to control SIP dimensions for alternative HDTV / XGA designs.
FIG. 6A is a top view of an exemplary epoxy seal between T substrates.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スキナー,ディーン ダブリュ. アメリカ合衆国,ニューヨーク 13850, ベスタル,カントリー クラブ ロード 804 Fターム(参考) 2H089 HA33 LA07 LA15 LA19 LA42 LA49 MA04 MA05 NA41 NA42 NA45 PA16 QA15 RA05 SA17 TA04 TA09 TA12 2H092 JA24 NA04 PA02 PA03 PA04 PA08 QA07 RA10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Skinner, Dean W.             United States, New York 13850,             Vestal, Country Club Road             804 F term (reference) 2H089 HA33 LA07 LA15 LA19 LA42                       LA49 MA04 MA05 NA41 NA42                       NA45 PA16 QA15 RA05 SA17                       TA04 TA09 TA12                 2H092 JA24 NA04 PA02 PA03 PA04                       PA08 QA07 RA10

Claims (44)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平面パネル・ディスプレイに使用されるアクティブ・マトリ
クス型液晶ディスプレイ(AMLCD)タイルを製造するための方法であり、 a)予め決められた工程に従って予め決められたツールを使用することにより予
め決められた材料を有する第一のAMLCDタイルを製造するステップと、 b)前記第一のAMLCDタイルにおける欠陥エリアを決定し分析するステップと、 c)前記欠陥エリアを最小限に抑えかつ前記AMLCDタイル製造を最適化するために
、前記決定および分析のステップ(b)に応じて、前記材料、前記工程および前
記ツールのうち1つまたはそれ以上を改良するステップと、 d)前記改良された材料、改良された工程および改良されたツールのうち1つまた
はそれ以上を使用して第二の最適化されたAMLCDタイルを製造するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
1. A method for manufacturing an active matrix liquid crystal display (AMLCD) tile used in a flat panel display, comprising: a) using a predetermined tool according to a predetermined process. Manufacturing a first AMLCD tile having a predetermined material; b) determining and analyzing a defect area in the first AMLCD tile; and c) minimizing the defect area and the AMLCD. Modifying one or more of the materials, the process and the tool, depending on step (b) of the determination and analysis, to optimize tile fabrication; and d) the modified material. Manufacturing a second optimized AMLCD tile using one or more of an improved process and improved tools,
A method comprising:
【請求項2】 e)将来のAMLCDタイルを製造する際に使用するために前記改
良された材料、改良された工程および改良されたツールを標準化するステップ、
を含む、請求項1に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
2. e) Standardizing said improved material, improved process and improved tool for use in manufacturing future AMLCD tiles,
A method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 1, comprising:
【請求項3】 前記予め決められた材料がシールを形成するために使用され
、前記予め決められたシール材料が i)シリカ充填エポキシと、 ii)反応性溶剤と、 iii)粘度制御および架橋のための揮発性溶剤と、 iv)セル・ギャップ制御のための第一の直径を有する第一のスペーサと、 を含む、請求項1に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
3. The predetermined material is used to form a seal, the predetermined sealing material comprising: i) a silica filled epoxy; ii) a reactive solvent; iii) viscosity control and crosslinking. A volatile solvent for iv) and iv) a first spacer having a first diameter for cell gap control, the method for manufacturing an AMLCD tile of claim 1.
【請求項4】 前記シール材料がさらに v)前記シール付近のセル・ギャップ変動を最小限に抑えるために前記第一のス
ペーサ直径と相補的な第二の直径を有する第二のスペーサ、 を含む、請求項3に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
4. The seal material further comprises: v) a second spacer having a second diameter complementary to the first spacer diameter to minimize cell gap variations near the seal. A method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 3.
【請求項5】 前記第一および第二のスペーサが球形スペーサを含む、請求
項4に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
5. The method for manufacturing an AMLCD tile of claim 4, wherein the first and second spacers include spherical spacers.
【請求項6】 前記第二のスペーサがガラスを含む、請求項4に記載のAMLCD
タイルを製造するための方法。
6. The AMLCD of claim 4, wherein the second spacer comprises glass.
Method for manufacturing tiles.
【請求項7】 前記AMLCDタイルのシール・エリアに沿って分配される前記
材料の量を調節するために流動制御構造を含む、請求項1に記載のAMLCDタイルを
製造するための方法。
7. The method for manufacturing an AMLCD tile of claim 1, including a flow control structure to regulate the amount of the material dispensed along the sealing area of the AMLCD tile.
【請求項8】 前記流動制御構造が、ダム、ダム間のチャネルおよび湿潤構
造のグループの中から選択される、請求項7に記載のAMLCDタイルを製造するため
の方法。
8. The method for manufacturing an AMLCD tile of claim 7, wherein the flow control structure is selected from the group of dams, channels between dams and wetting structures.
【請求項9】 前記流動構造が、前記決定および分析のステップ(b)に従
って設計し直され、最適化される、請求項8に記載のAMLCDタイルを製造するため
の方法。
9. The method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 8, wherein the flow structure is redesigned and optimized according to step (b) of the determination and analysis.
【請求項10】 前記反応性溶剤が予め決められた分子量を含み、前記ステ
ップがさらに e)短い鎖長さの分子の比率を減少するために前記反応性溶剤の分子量分布を修
正するステップ、 を含む、請求項3に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
10. The reactive solvent comprises a predetermined molecular weight, the step further comprising: e) modifying the molecular weight distribution of the reactive solvent to reduce the proportion of short chain length molecules. A method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 3 comprising.
【請求項11】 前記予め決められたシール材料が、前記反応性溶剤におい
て低い分子量の鎖の選択的分散を可能にして、前記鎖が前記シリカ充填エポキシ
に結合する時間を与えるために、予め決められた硬化時間に対する予め決められ
た温度プロファイルに従って、予備焼付け処理において前記シールで硬化される
、請求項3に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
11. The predetermined sealing material enables the selective dispersion of low molecular weight chains in the reactive solvent to provide time for the chains to bond to the silica-filled epoxy. The method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 3, wherein the seal is cured in a prebaking process according to a predetermined temperature profile for a set cure time.
【請求項12】 前記改良のステップ(c)が、前記予め決められた温度プ
ロファイルを調整し最適化するステップを含む、請求項11に記載のAMLCDタイル
を製造するための方法。
12. The method for manufacturing an AMLCD tile of claim 11, wherein said modifying step (c) comprises adjusting and optimizing said predetermined temperature profile.
【請求項13】 前記改良のステップ(c)が、前記予め決められた硬化時
間を調整し最適化するステップを含む、請求項11に記載のAMLCDタイルを製造す
るための方法。
13. The method for making an AMLCD tile of claim 11, wherein said modifying step (c) comprises adjusting and optimizing said predetermined cure time.
【請求項14】 前記決定および分析のステップ(b)が、前記欠陥エリア
がこれについて予め決められた仕様より大きいか否かを決定するステップを含む
、請求項3に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
14. The AMLCD tile of claim 3, wherein said determining and analyzing step (b) comprises determining whether said defective area is greater than a predetermined specification for it. Way for.
【請求項15】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記シール
の体積を漸減的にかつ反復的に減少することを含む、請求項14に記載のAMLCDタ
イルを製造するための方法。
15. The method of manufacturing an AMLCD tile of claim 14, wherein said modifying step (c) comprises gradually and iteratively reducing the volume of said seal if necessary. Method.
【請求項16】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記反応性
溶剤の比率を漸減的かつ反復的に減少することを含む、請求項14に記載のAMLCD
タイルを製造するための方法。
16. The AMLCD of claim 14, wherein said modifying step (c) comprises gradually and iteratively reducing the proportion of said reactive solvent, if necessary.
Method for manufacturing tiles.
【請求項17】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記予備焼
付け時間を漸増的かつ反復的に増大することを含む、請求項13に記載のAMLCDタ
イルを製造するための方法。
17. A method for making an AMLCD tile according to claim 13, wherein said modifying step (c) comprises incrementally and iteratively increasing said prebake time if necessary. .
【請求項18】 前記決定および分析のステップ(b)が、前記欠陥エリア
が、これについて予め決められた仕様より大きいか否かを決定するステップを含
み、かつ、時間的には前記予備焼付けと本質的に等しいが温度が低いゲル段階を
実行するステップを含む、請求項11に記載のAMLCDタイルを製造するための方法
18. The step of determining and analyzing (b) includes determining whether the defective area is greater than a predetermined specification for it, and in terms of time, the pre-baking and 12. A method for making an AMLCD tile according to claim 11, comprising the step of performing an essentially equal but low temperature gel stage.
【請求項19】 前記シールが、前記シール材料のビードを生成することに
より形成され、その湿潤幅横断面が測定される、請求項3に記載のAMLCDタイルを
製造するための方法。
19. The method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 3, wherein the seal is formed by producing a bead of the seal material and its wet width cross section is measured.
【請求項20】 前記シールが、スクリーニングにより基板に塗布される、
請求項3に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
20. The seal is applied to the substrate by screening.
A method for manufacturing an AMLCD tile according to claim 3.
【請求項21】 前記シールが、分配により基板に塗布される、請求項3に
記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
21. The method for manufacturing an AMLCD tile of claim 3, wherein the seal is applied to the substrate by dispensing.
【請求項22】 前記シール材料がオリフィスを有する道具によって分配さ
れる、請求項21に記載のAMLCDタイルを製造するための方法。
22. The method for making an AMLCD tile of claim 21, wherein the sealing material is dispensed by a tool having an orifice.
【請求項23】 複数のタイルおよびその間のシームを含むアクティブ・マ
トリクス型液晶ディスプレイ(AMLCD)であって、 a)予め決められた工程に従って予め決められた構造を有し予め決められた材料
を有する第一のAMLCDタイルを製造するステップと、 b)前記第一のAMLCDタイルにおいて欠陥エリアを決定し、分析するステップと、
c)前記欠陥エリアを最小限に抑えるために、前記決定および分析のステップ(b
)に応じて前記材料、前記工程および前記構造のうち1つまたはそれ以上を改良
するステップと、 d)前記改良された材料、改良された工程および改良された構造のうち1つまたは
それ以上を使用して第二の最適化されたAMLCDタイルを製造するステップと、 を含む工程により製造されることを特徴とするアクティブ・マトリクス型液晶デ
ィスプレイ。
23. An active matrix liquid crystal display (AMLCD) comprising a plurality of tiles and a seam between them, comprising: a) having a predetermined structure according to a predetermined process and having a predetermined material. Manufacturing a first AMLCD tile, b) determining and analyzing a defect area in the first AMLCD tile,
c) the determining and analyzing step (b) to minimize the defective area.
A) modifying one or more of said materials, said processes and said structures, according to d), and d) one or more of said improved materials, improved processes and improved structures. An active matrix liquid crystal display characterized by being manufactured by a process comprising the steps of: manufacturing a second optimized AMLCD tile.
【請求項24】 e)将来の最適化されたAMLCDタイルを製造する際に使用す
るために前記改良された材料、改良された工程および改良された構造を標準化す
るステップ、 を含む、請求項23に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
24. The step of e) standardizing the improved material, improved process and improved structure for use in manufacturing future optimized AMLCD tiles. The active matrix liquid crystal display described in.
【請求項25】 前記予め決められた材料がシールを形成するために使用さ
れ、前記予め決められたシール材料が、 i)シリカ充填エポキシと、 ii)反応性溶剤と、 iii)粘度制御および架橋のための揮発性溶剤と、 iv)セル・ギャップ制御のための第一の直径を有する第一のスペーサと、 を含む、請求項23に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
25. The predetermined material is used to form a seal, the predetermined sealing material comprising: i) a silica filled epoxy; ii) a reactive solvent; iii) viscosity control and crosslinking. 24. The active matrix liquid crystal display of claim 23, comprising: a volatile solvent for iv) and iv) a first spacer having a first diameter for cell gap control.
【請求項26】 前記シール材料が、 v)前記シール付近のセル・ギャップ変動を最小限に抑えるために前記第一のス
ペーサ直径と相補的な第二の直径を有する第二のスペーサ、 を含む、請求項25に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
26. The seal material comprises: v) a second spacer having a second diameter complementary to the first spacer diameter to minimize cell gap variations near the seal. 26. The active matrix liquid crystal display according to claim 25.
【請求項27】 前記第一および第二のスペーサが球形スペーサを含む、請
求項26に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
27. The active matrix liquid crystal display according to claim 26, wherein the first and second spacers include spherical spacers.
【請求項28】 前記第二のスペーサがガラスを含む、請求項26に記載のア
クティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
28. The active matrix liquid crystal display according to claim 26, wherein the second spacer comprises glass.
【請求項29】 前記AMLCDタイルのシール・エリアに沿って分配される前
記材料の量を調節するために流動制御構造を含む、請求項23に記載のアクティブ
・マトリクス型液晶ディスプレイ。
29. An active matrix liquid crystal display according to claim 23, comprising a flow control structure to regulate the amount of the material dispensed along the sealing area of the AMLCD tile.
【請求項30】 前記流動制御構造が、ダム、ダム間のチャネルおよび湿潤
構造のグループの中から選択される、請求項29に記載のアクティブ・マトリクス
型液晶ディスプレイ。
30. The active matrix liquid crystal display according to claim 29, wherein the flow control structure is selected from the group of dams, channels between dams and wetting structures.
【請求項31】 前記流動制御構造が、前記決定および分析のステップ(b
)に従って設計し直され、最適化される、請求項30に記載のアクティブ・マトリ
クス型液晶ディスプレイ。
31. The flow control structure comprises the determining and analyzing step (b).
31. An active matrix liquid crystal display according to claim 30, redesigned and optimized according to
【請求項32】 前記反応性溶剤が予め決められた分子量を含み、 e)短い鎖長さの分子の比率を減少するために前記反応性溶剤の分子量分布を修
正するステップ、 を含む、請求項25に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
32. The method wherein the reactive solvent comprises a predetermined molecular weight, and e) modifying the molecular weight distribution of the reactive solvent to reduce the proportion of short chain length molecules. The active matrix liquid crystal display according to item 25.
【請求項33】 前記予め決められたシール材料が、前記反応性溶剤におい
て低分子量の鎖の選択的分散を可能にして、前記鎖が前記シリカ充填エポキシに
結合する時間を与えるために、予め決められた時間に対する予め決められた温度
プロファイルに従って予備焼付け処理において前記シールで部分的に硬化される
、請求項25に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
33. The predetermined sealing material enables the selective dispersion of low molecular weight chains in the reactive solvent to provide time for the chains to bond to the silica-filled epoxy. 26. The active matrix liquid crystal display according to claim 25, wherein the seal is partially cured in a pre-bake process according to a predetermined temperature profile for a given time.
【請求項34】 前記改良のステップ(c)が、前記予め決められた温度プ
ロファイルを調整し最適化するステップを含む、請求項33に記載のアクティブ・
マトリクス型液晶ディスプレイ。
34. The active component of claim 33, wherein said step of modifying (c) comprises adjusting and optimizing said predetermined temperature profile.
Matrix type liquid crystal display.
【請求項35】 前記改良のステップ(c)が、前記予め決められた硬化時
間を調整し最適化するステップを含む、請求項33に記載のアクティブ・マトリク
ス型液晶ディスプレイ。
35. An active matrix liquid crystal display according to claim 33, wherein said modifying step (c) comprises adjusting and optimizing said predetermined cure time.
【請求項36】 前記決定および分析のステップ(b)が、前記欠陥エリア
がこれについて予め決められた仕様より大きいか否かを決定するステップを含む
、請求項25に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
36. The active matrix liquid crystal of claim 25, wherein said determining and analyzing step (b) comprises determining whether said defective area is greater than a predetermined specification for it. display.
【請求項37】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記シール
の体積を漸減的にかつ反復的に減少し、それにより前記シール材料の中心を前記
AMLCDのピクセル寄りに移動するステップを含む、請求項36に記載のアクティブ
・マトリクス型液晶ディスプレイ。
37. The step of modifying (c) reduces the volume of the seal stepwise and iteratively, if necessary, thereby centering the center of the seal material.
37. An active matrix liquid crystal display as claimed in claim 36 including the step of moving towards a pixel of the AMLCD.
【請求項38】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記反応性
溶剤の比率を漸減的かつ反復的に減少するステップを含む、請求項36に記載のア
クティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
38. The active matrix liquid crystal display according to claim 36, wherein said improving step (c) comprises a step of gradually and iteratively reducing the proportion of said reactive solvent if necessary. .
【請求項39】 前記改良のステップ(c)が、必要な場合には前記予備焼
付け時間を漸増的かつ反復的に増大するステップを含む、請求項35に記載のアク
ティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
39. An active matrix liquid crystal display according to claim 35, wherein said modifying step (c) comprises incrementally and iteratively increasing said pre-bake time if necessary.
【請求項40】 前記決定および分析のステップ(b)が、前記欠陥エリア
が、これについて予め決められた仕様より大きいか否かを決定するステップを含
み、かつ、時間的には前記予備焼付けと本質的に等しいが温度が低いゲル段階を
実行するステップを含む、請求項33に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディ
スプレイ。
40. The step of determining and analyzing (b) includes determining whether the defective area is greater than a predetermined specification for it, and in time the pre-bake 34. An active matrix liquid crystal display according to claim 33 including the step of performing an essentially equal but cool gel stage.
【請求項41】 前記シールが、前記シール材料のビードを生成することに
より形成され、その湿潤幅横断面がその予備焼付け後に測定され、かつ前記シー
ル材料の体積が、前記AMLCDのピクセル付近の予め決められた位置まで前記セル
・ギャップを満たすように調整される、請求項25に記載のアクティブ・マトリク
ス型液晶ディスプレイ。
41. The seal is formed by creating a bead of the seal material, the wet width cross section of which is measured after prebaking and the volume of the seal material is pre-determined near a pixel of the AMLCD. 26. The active matrix liquid crystal display according to claim 25, which is adjusted to fill the cell gap up to a predetermined position.
【請求項42】 前記シールが、スクリーニングにより基板に塗布される、
請求項25に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
42. The seal is applied to the substrate by screening.
The active matrix liquid crystal display according to claim 25.
【請求項43】 前記シールが分配により基板に塗布される、請求項25に記
載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
43. An active matrix liquid crystal display according to claim 25, wherein the seal is dispensed onto the substrate.
【請求項44】 前記シール材料がオリフィスを有する道具によって分配さ
れる、請求項43に記載のアクティブ・マトリクス型液晶ディスプレイ。
44. An active matrix liquid crystal display according to claim 43, wherein the sealing material is dispensed by a tool having an orifice.
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