JP2003505668A - マイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用いた電子密度の測定及び制御システム - Google Patents

マイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用いた電子密度の測定及び制御システム

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JP2003505668A JP2001510852A JP2001510852A JP2003505668A JP 2003505668 A JP2003505668 A JP 2003505668A JP 2001510852 A JP2001510852 A JP 2001510852A JP 2001510852 A JP2001510852 A JP 2001510852A JP 2003505668 A JP2003505668 A JP 2003505668A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、従来の技術よりも精密なプラズマ測定装置を提供することにある。 【解決手段】本発明は、プラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つの測定は、フィードバック制御を用いて制御され、堆積やエッチング等のプラズマを利用した処理を可能にする測定方法およびシステムであり、プラズマ密度および電子密度のうちの少なくとも一つを予め選択された値に管理するためのプラズマ発生器を制御するマイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用いた電子密度の測定及び制御システムである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体処理装置内で用いられるようなプラズマ処理装置内における
電子密度を測定する方法及び装置を提供するものである。
【0002】 本出願は、「プラズマを含む開共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いた
電子密度測定およびプラズマ処理制御システム」(代理人番号2312−070
9−2YA PROV)および「プラズマを含む開共振器の共振周波数の変動を
用いた電子密度測定およびプラズマ処理制御システム」(代理人番号2312−
0710−2YA)と題する係属中の出願に関連し、これらの出願は本願と共に
ファイルされている。これらの出願は、本願明細書に完全に援用されている。
【0003】
【従来の技術】
プラズマ電子密度を測定するための少なくとも3つの公知のマイクロ波をベー
スとした技術がある。すなわち、(1)マイクロ波干渉計使用法、(2)反射お
よび吸収の測定、(3)空洞共振周波数の摂動である。各概念を以下に簡単な用
語で説明する。
【0004】 マイクロ波干渉計使用法は、2つのマイクロ波ビームの位相差の測定を含む。
第1のビームは基準信号を生成し、第2のビームは反応性環境を通過し、第1の
ビームに関する移相器を通過する。屈折率は、測定された、2つのビームの位相
差の変化から計算される。この干渉計使用法は、イリノイ大学のL.Golds
tein教授によって記録されている。干渉計使用法は、以下の米国特許第2,
971,153号、同第3,265,967号、同第3,388,327号、同
第3,416,077号、同第3,439,266号、同第3,474,336
号、同第3,490,037号、同第3,509,452号及び同第3,956
,695号に記載されており、これらは本願明細書に援用する。いくつかのプラ
ズマ特性は、プラズマが存在する領域を横切るときのマイクロ波の吸収の測定か
ら間接的に測定することができる。プラズマ中の信号反射は、米国特許第3,5
99,089号及び同第3,383,509号に記載されている。
【0005】 プラズマ電子密度は、空洞共振周波数の摂動を測定する技術を用いて既に測定
されてきた。共振器内にプラズマが存在すると、プラズマは、プラズマ電子密度
による有効誘電率を有するので、各共振モードの周波数に影響を及ぼす。この技
術は、既にマサチューセッツ工科大学のS.C.Brown教授によって記録さ
れている。この技術の一部は、米国特許第3,952,246号、および以下の
非特許論文、すなわち、「マイクロ波共振及び光分離効果を用いたCF4、C2
F6、CHF3及びC3F8の13.56MHzのRFプラズマにおける負イオ
ン密度の測定」(J Appl Phys 70(7)3472−80、199
1年、Haverlag,Mら)、および「フルオロカーボンRFエッチングプ
ラズマにおける負に帯電された粒子」(Materials Science
Forum,140〜142巻,235−54,1993年、Haverlag
,Mら)、「マイクロ波共振及び光分離効果を用いた密度測定」に記載されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来の技術よりも精密なプラズマ測定装置を提供すること
にある。
【0007】 そこで本発明は、プラズマ誘導の、マイクロ波発振器の周波数の変動を用いた
プラズマ測定装置を改良したマイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用
いた電子密度の測定及び制御システムを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、プラズマ源、プラズマ室及び電子源のう
ちの少なくとも一つにおける、プラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一
つを測定するシステムにおいて、前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうち
の少なくとも一つを通過した第1の信号を測定する第1のセンサと、リファレン
ス電源からの第2の信号を測定する第2のセンサと、前記第1及び第2の信号間
の差を比較して前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも一つ
のプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つを決定するコンパレータと
を備えるマイクロ波発振器のプラズマ誘導の周波数変動を用いた電子密度の測定
及び制御システムを提供する。
【0009】 この構成におけるプラズマ室を通過する信号を測定及び制御するフィードバッ
ク・ループの使用によって達成され、詳しくは、コンピュータ又はディジタル・
シグナル・プロセッサ(DSP)を用いて、プラズマ中を通過する信号の周波数
を測定し、測定した周波数をフィードバックさせて所望の周波数と比較する。該
コンピュータ/DSPは、該測定周波数と所望の周波数との差に基づいて、プラ
ズマ室へのパワーを増減するプラズマ発生器を制御する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0011】 以下の図面において、図面中の同一の参照数字は、同一または類似部分を示す
。図1は、本発明による、プラズマ室200内で発生したプラズマを測定するプ
ラズマ電子密度測定システムのブロック図である。本発明の一つの実施の形態は
、プラズマ発生器205と、閉ループ内において、減衰器213a、狭帯域マイ
クロ波増幅器215、アイソレータ220、移相器225、方向性結合器230
及び少なくとも一つの伝送アンテナ235、少なくとも一つの受信アンテナ24
0をさらに含み、及び一つまたはそれ以上の反射器245を含む開放射経路を備
えるプラズマ室200で構成された自励式マイクロ波発振器210とを用いる。
伝送アンテナ235及び受信アンテナ240は、角形、誘電レンズまたは他の形
態の放射器であっても良く、また、反射器245は平面あるいは曲面を有してい
ても良く、あるいは回折格子であっても良い。
【0012】 図1の実施の形態に示すように、伝送アンテナ235、反射器245及び受信
アンテナ240は、開放射経路が、プラズマ室200内で処理されるウェーハの
表面に平行な平面内に本質的に位置するように配置されていても良い。しかし、
代替の実施形態として、開放射経路の平面が、処理されるウェーハの表面と平行
でない、あるいは開放射経路が平面内にさえ位置していない他の形態が挙げられ
る。さらに代替の実施形態として、同じ距離または異なる距離の複数のマイクロ
波ビーム経路を用いた様々な形態が挙げられる。限定はされないが、それらの形
態の例としては、星形形状や三角形形状が挙げられる。同様に、そのマイクロ波
ビームがプラズマ内部の複数の位置で交差する多数のシステムを用いる場合、ビ
ーム長に沿って調整されたプラズマ電子密度よりもむしろ(断層撮影法と同様の
)空間的な情報を抽出することが可能である。
【0013】 増幅器のゲインが十分高い場合、はっきりした周波数での自励発振が生ずる。
それらの周波数は2つの基準を満たす。即ち、 1. 増幅器の電力利得G、全ての接合部の透過係数及び全てのミラーの反射
係数の積である正味往復利得は、1以上でなければならない。
【0014】
【数1】 但し、その透過係数が1以下であるn個の接合部が存在し、上記経路が、その
反射係数が1以下であるm個の反射器を有するものとする。このことは発振にと
って必要条件であるが、十分条件は第2の基準によって与えられる。
【0015】 2. 全ての原因による、閉ループ内の電磁波の往復移動は、2πラジアンの
整数倍に加算されなければならない。このことは、ノイズからの干渉性発振の増
大を保証する。ループ内の能動接合部及びミラーの大多数と関連する位相偏移は
、周波数と実質的に無関係であり、従って、以下に説明するように、本願に記載
の測定方法において重要な役割を果たさない。往復の電磁波の位相偏位は主に3
つのソース、即ち、プラズマが形成される領域内における伝搬、導波管内の導波
管及び部品内における伝搬、および増幅器による伝搬(及び増幅)による。従っ
て、十分条件は次のように表わすことができる。
【0016】
【数2】 但し、最初の括弧は何れかの接合部(i)またはミラー(m)からの位相偏移を
示し、Φamp(ω′)は増幅器の位相偏移を示し、β(ω′)dcktは接続
導波管、減衰器、移相器及び該回路から成る他の能動部品の中を伝播する波の位
相偏移を示し、等式の左辺の最後の項はプラズマを含む領域を通過する波の位相
偏移を示す。n(ω′,z)はプラズマの屈折率を示し、ω′はz=0からz
=dの辺を占めるプラズマがある場合の波の角周波数を示し、電磁距離は、処
理室内でdであると仮定し、接続回路の他の部分ではdcktとする。また、
プラズマ領域内の導かれていない波は、ω′n/cで示される位相定数を有する
均一な平面波によって近似することができる。
【0017】 (ωの関数として表示した)式(1)及び(2)の結果のグラフを図3に示す
。ここで、G(ω)は増幅器の小信号利得を示し、Sは往復を残存する電磁出
力の分数及び式(1)の括弧内の省略を示し、式(2)の括弧及び増幅器の位相
偏移は図示の明瞭性を無視し、β(ω)はω/c、均一な平面波に対する位相定
数で近似される。式(2)の左辺は、プラズマ屈折率の周波数依存を図示のため
に無視する場合[dckt+n]である角周波数に対する傾きを有する直
線となる。式(1)の必要条件は、単に発振をG≧1である増幅器帯域幅の分
数に制限し、かつフィードバック・ループ内に減衰を加え、Sの値を減じて1/
Sの値を増加させることによって該分数を減じることができるということに注意
されたい。
【0018】 2π毎の垂直方向に離れた水平な点線で示す式(2)の直線の交差部は、式(
2)を満たす角周波数であり、またそれらが式(1)も満たす場合には発振の周
波数になる。これらを実線の矢印で示す。各振幅は、該周波数での過剰利得(例
えば、G(ω)S−1)に比例する。フリースペクトルレンジ(例えば、式(
2)の解に近接した分離部)が必要な発振帯域幅と比較して小さい場合、多数の
周波数における発振が可能でありおよび/または確実である。
【0019】 図1の説明に戻る。図1はまた、方向性結合器230の出力と混合器255の
一方の入力との間に接続された周波数計250aを示す。安定局部発振器260
は、減衰器213bを介して混合器255の第2の入力に接続されている。安定
局部発振器260の周波数は、狭帯域増幅器215の通過帯域のわずかに下ある
いはわずかに上になるように選択されている。(減衰器213bも安定局部発振
器260の周波数を照合する第2の周波数計250bに接続されている。)以下
の説明を簡単にするために、安定局部発振器260の周波数は狭帯域増幅器21
5の通過帯域のわずかに下に設定されているものとする。混合器255からのI
F信号の周波数は、安定局部発振器260の周波数と自励式発振器210の周波
数との差である。IF信号の周波数は、上述の実施の形態にしたがって、一般的
に0〜約2GHzの範囲である。もちろん、他の増幅器パラメータの場合、他の
周波数範囲が可能である。
【0020】 図2は、プラズマ発生器205によってプラズマ室200内に発生したプラズ
マを測定および制御するコンピュータシステム100の略図である。コンピュー
タ100は本発明の方法を実施し、コンピュータ・ハウジング102はCPU1
06、メモリ108(例えば、DRAM、ROM、EPROM、EEPROM、
SRAMやフラッシュRAM)および他の任意の特定の目的のための論理素子(
例えばASIC)あるいは変更可能な論理素子(例えば、GALや再プログラム
可能なFPGA)を含むマザーボード104を収容する。コンピュータ100は
また複数の入力デバイス(例えば、キーボード122やマウス124)や、モニ
タ120を制御するディスプレイカード110を含む。さらに、コンピュータシ
ステム100は、フロッピー(登録商標)ディスク・ドライブ114、他の交換 可能メディアデバイス(例えば、コンパクト・ディスク119、テープ、交換可 能MOメディア(図示せず))やハードディスク112あるいは適当なデバイス ・バス(例えば、SCSIバス、E−IDEバス、超DMAバス)を用いて接続 された他の固定された、高密度メディア・ドライブを含む。コンピュータ100 はさらに、同様のデバイス・バスまたは他のデバイス・バスに接続された、コン パクト・ディスク・リーダー118、コンパクト・ディスク読取り装置/書込み 装置(図示せず)またはコンパクト・ディスク・ジュークボックス(図示せず) を含んでも良い。コンパクト・ディスク119はCDキャディー内に図示されて いるが、該コンパクト・ディスク119は、キャディーを必要としないCD−R OM内に直接挿入することができる。さらに、プリンタ(図示せず)は、種々の 時間及び条件に対するプラズマ電子密度の一覧表を出力する。
【0021】 上述したように、上記システムは少なくとも一つのコンピュータ読取り可能メ
ディアを含む。コンピュータ読取り可能メディアの例としては、コンパクト・デ
ィスク119、ハード・ディスク112、フロッピー・ディスク、テープ、MO
ディスク、PROM(EPROM、EEPROM、フラッシュEPROM)、D
RAM、SRAM等がある。
【0022】 本発明は、コンピュータ読み取り可能メディアのうちのいずれか一つまたはい
くつかに蓄積された、コンピュータ100のハードウェアを制御し、かつ該コン
ピュータ100がユーザと対話できるようにするためのソフトウェアを含む。こ
のようなソフトウェアは、限定されないが、デバイス・ドライバ、オペレーティ
ング・システム及びデベロップメント・ツールのようなユーザ・アプリケーショ
ンを含んでも良い。
【0023】 このようなコンピュータ読取り可能メディアは、さらに、本発明による、プラ
ズマ室内のプラズマを監視及び制御するコンピュータ・プログラム・プロダクト
を含む。本発明のコンピュータ・コード・デバイスは、スクリプトに限定されな
いが、インタープリタ、ダイナミック・リンク・ライブラリ、Java cla
ss及び完全に実行可能なプログラムを含む、翻訳処理された又は実行可能なコ
ード・メカニズムである。
【0024】 図1に示すように、IF信号周波数はコンピュータ100内の周波数電圧変換
器152によって受信されてアナログディジタル(A/D)変換器150bによ
ってディジタル信号に変換される。(代替の実施の形態においては、周波数/電
圧変換器152及びA/D変換器150bは、IF周期の数をカウントするディ
ジタル・カウンタによって置換えられる。) またコンピュータ100は、第2のA/D変換器150aによって変換される
、装置オペレータによって入力された入力データ275を受信する。代替の実施
の形態においては、入力データ275は、ディジタル形式(例えば、キーボード
122を介して)で直接受信され、該実施の形態において、第2のA/D変換器
150aは必要ない。
【0025】 このDSP又はCPU106は、ディジタルIF信号を受信して入力データ2
75と比較し、アナログ信号をプラズマ発生器205に伝送して必要に応じてプ
ラズマ発生器205の出力パワーを加減するディジタルアナログ(D/A)変換
器160にディジタル出力信号を伝送する。代替の実施の形態においては、D/
A変換器160は、変更されたプラズマ発生器205’内に組み込まれ、DSP
/CPU106からのディジタル出力は変更されたプラズマ発生器205’に直
接印加される。
【0026】 図1に示す自励式発振器の周波数は、処理室内の回路の経路に沿ったプラズマ
の電子密度により、従ってその作動周波数の偏移はプラズマ発生器を制御するの
に用いることができる。周波数の偏移とプラズマの空間的な平均電子密度との関
係を以下に示す。
【0027】 プラズマ電子密度が0の場合、n(ω,z)=1であるので、式(2)は次
のようになる。
【0028】
【数3】 但し、処理室内の屈折率がz=0からz=dの経路に沿ってその真空値(n=
1)に逆戻りすることを認識されたい。結果として、周波数はω′よりもωに逆
戻りする。但し、周波数偏移はないので、ω′=ω+Δω=ω+0である。同じ
量が式(2)及び(3)の右辺に現れ、従って式(2)及び(3)の左辺は等し
くなる。これにより、式(2)及び(3)の最初の括弧は相殺され、残る項は次
のように分類することができる。
【0029】
【数4】 但し、ω′とωとの差は、積分を掛け算する項に対して、及びプラズマ反射率の
ための式において無視される。
【0030】
【数5】 但し、Nは電子密度(m−3)である。
【0031】 テイラー級数展開がωでの値及び周波数の偏移Δωの項のω′におけるΦam 及びβの数値を求めるのに使われる。
【0032】
【数6】 偏導関数Φampを含む項は、増幅器によって挿入された群遅延Tであり、
通常はかなり小さいものであり、偏導関数βを含む項は、群速度v(但し、v はcよりも小さい)の逆関数である。従って、式(4)は次のように近似で
きる。
【0033】
【数7】 式(8)は、空間平均電子密度が周波数偏移Δω、発振の公称周波数ω、基本
定数c、m、ε、および一度だけ決定される必要がある式(8)の括弧内の数
に関係しているということを示している。
【0034】 発振の周波数ωは、共通周波計を用いて1%以上の精度まで測定することがで
き、すなわち、基本定数は非常に正確に分かり、かつ括弧内は、経路dを種々
の圧力においてSF、アルゴンまたはキセノン等の重いガスで満たし、周波数
偏移Δωの値を計算することによって実験的に計算することができる(このよう
な較正手順の場合、局部発振器(LO)は制御発振器よりも高い周波数でなけれ
ばならない。)。後者は、周波数ω′がωLOで安定局部発振器と混合されるヘ
テロダイン技術を用いて非常に精密に測定することができ、そのため差(ω′−
ωLO)を周波数カウンタまたは他の公知の周波数決定技術を用いて測定するこ
とができる。
【0035】 そこで、式(8)の平均電子密度は、プラズマ室200に接続されたプラズマ
発生器205に印加される電圧を制御するフィードバック制御として用いられる
。 本発明によれば、伝送アンテナ235と受信アンテナ245との間の平均電子
密度のための近似値を得る方法の一例は以下の工程からなる。
【0036】 1. 測定装置を起動し、プラズマ開始後に安定状態にする。 2. 式(8)の括弧内の項の値を入力する。この値はフィードバック・ルー
プ内の調節可能な構成要素(例えば、減衰器213aや移相器225)の設定に
よることに注意し、そのため該設定は測定が済んだ後に変更すべきでない。代替
の実施の形態においては、(各可能な環境設定の組合せのためのものを用いて)
複数の値が式(8)の括弧内の項のために構成され、環境設定に基づいて測定中
に正しい値が選択される。
【0037】 3. 安定局部発振器260の周波数を検証し、必要に応じて調整する。 4. 所望のプラズマ電子密度をキーボード122または他のデータ入力ポー
トから入力する。 5. 該データ入力ポートから処理を開始する。
【0038】 所望のIF信号と測定したIF信号との差に基づいて、プラズマ発生器205
の出力が、所望のIF信号と測定したIF信号とをより厳密に整合させるために
調節される。例えば、測定したIF信号が所望のIF信号よりも大きい場合、出
力RFパワーは一度の増分により減少する。
【0039】 同様に、測定したIF信号が所望のIF信号よりも小さい場合、出力RFパワ
ーは一度の増分により増加する。さらに、粗調整の場合、プラズマ電子密度とR
Fパワーとの所定の関係は、印加されるRFパワーを近似するのに用いることが
できる。そこで、より細かな調整がプラズマシステムをより精密に制御するため
に行われる。
【0040】 微細調整方法の一つの実施の形態においては、印加されるRFパワーは、所定
の増分のサイズに基づいて測定した信号と所望の信号との差がそれ以上厳密に整
合できなくなるまで調整(例えば、所定の増分により増加または減少)される。
そして所定の増分は(例えば半分に)減少し、微細調整は、新しい所定の増分が
粗大になるまで続けられる。しかし、測定した信号と所望の信号との差が、現在
の差によって整合することができるものよりも大きくなる場合、該現在の差は減
少する。
【0041】 調整方法の他の実施の形態においては、追加情報がフィードバック/制御処理
を微細に調整するために用いられる。このような情報は、限定されないが、RF
パワー(例えば最初の動関数)、第2の導関数および積分の変化当たりの信号の
変化を含んでも良い。本発明は、一般の制御メカニズムであり、情報のタイプあ
るいは選択したフィードバック・メカニズムによって限定されない。
【0042】 従来の技術と比較した本方法の精度を以下に説明する。フィードバック・ルー
プは、物理的に等しい距離Lの2つの部分に分割することができるものと仮定す
る。第1の部分は開放射経路を表わし、第2の部分はフィードバック・ループの
残部を表わす。プラズマがないときは、周波数はfであり、開放射経路での波長
はλ2である。フィードバック・ループの残部での波長はλ1であり、それらの
波長でのフィードバック・ループの長さはqである。説明を簡単にするために、
フィードバック・ループ全体での信号の位相速度をcと仮定する(導波管内での
位相速度は明らかにcよりも大きいが、その複雑にする要素はここでは無視する
。)。これらの仮定から次のようになる。
【0043】
【数8】 プラズマがある場合、周波数はfになり、開放射経路での平均屈折率は,<
n>になり、それらの波長でのフィードバック経路の全長はqのままである。従
って、
【数9】 式(9)および(10)は比にまとめられて次のようになる。
【0044】
【数10】 周波数の差(f−f)は上述のIF周波数に相当する。自然対数の微分を
計算することによって、等式(15)が次のように得られる。
【0045】
【数11】 ここで、IF=(f−f)はIF信号周波数である。fを固定した場合
、近似値は、
【数12】 となり、これは重要な状態にとって大変良く、次のように表わすことができる。
【0046】
【数13】 測定精度の妥当な予測は、上述の等式(15)の右辺の各項に対して約0.0
025の推定値となる。従って、
【数14】 となり、
【数15】 の場合、
【数16】 となり、予想精度は約0.5%となる。
【0047】 上述の技術の見地から、明らかに、本発明の多数の変更形態および変形形態が
可能である。従って、特許請求の範囲内で、本発明は、本願明細書に記載した以
外の別な方法で実施することができるということを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
本発明のより完全な認識及び付随する多数の効果は、以下の詳細な説明及び添
付図面によって容易に明白になるであろう。
【図1】 本発明に係るプラズマ電子密度測定システムのブロック図である。
【図2】 図1の測定システムの一部を実装するコンピュータシステムの略図である。
【図3】 周波数に対するシステムレスポンスを示すグラフである。
【符号の説明】
150a,150b…A/D変換器 152…周波数電圧変換器 160…D/A変換器 205…プラズマ発生器 213a,230b…減衰器 215…狭帯域マイクロ波増幅器 220…アイソレータ 225…移相器 230…方向性結合器 235…伝送アンテナ 240…受信アンテナ 245…反射器 250a,250b…周波数計 255…混合器 260…安定局部発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サーキス、マーレー・ディー アメリカ合衆国、アリゾナ州 85282 テ ンペ、イースト・フェアモント・ドライブ 332 Fターム(参考) 5F004 CB05

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも一つ
    における、プラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つを測定するシステ
    ムにおいて、 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも一つを通過した第
    1の信号を測定する第1のセンサと、 リファレンス電源からの第2の信号を測定する第2のセンサと、 前記第1及び第2の信号間の差を比較して前記プラズマ源、プラズマ室及び電
    子源のうちの少なくとも一つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一
    つを決定するコンパレータとを具備するシステム。
  2. 【請求項2】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも
    一つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つが1010〜1012
    cm−3の範囲である請求項1記載のシステム。
  3. 【請求項3】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも
    一つを管理する自励式マイクロ波発振器をさらに具備する請求項1記載のシステ
    ム。
  4. 【請求項4】 前記第1のセンサが、前記第1の信号を伝送するための開放
    射経路を含む閉ループを具備する請求項1記載のシステム。
  5. 【請求項5】 前記開放射経路がプラズマから成る請求項4記載のシステム
  6. 【請求項6】 前記閉ループが、前記開放射経路内に狭帯域マイクロ波増幅
    器をさらに具備する請求項4記載のシステム。
  7. 【請求項7】 安定局部発振器と混合器とをさらに具備し、前記自励式発振
    器の第1の周波数と、前記安定局部発振器の第2の周波数とが混合されてIF信
    号が生成される請求項3記載のシステム。
  8. 【請求項8】 装置オペレータによって所望のプラズマ密度及び所望の電子
    密度のうちの少なくとも一つを入力するためのデータ入力デバイスをさらに具備
    する請求項1記載のシステム。
  9. 【請求項9】 前記データ入力デバイスがキーボードを具備する請求項8記
    載のシステム。
  10. 【請求項10】 前記コンパレータが、ディジタル・シグナル・プロセッサ
    を具備する請求項1記載のシステム。
  11. 【請求項11】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくと
    も一つを通過した第3の信号を測定する第3のセンサをさらに具備する請求項1
    記載のシステム。
  12. 【請求項12】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくと
    も一つを通過した第3の信号を測定する第3のセンサをさらに具備し、前記第1
    及び第3の信号は異なる距離で通過する請求項1記載のシステム。
  13. 【請求項13】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくと
    も一つを通過した第3及び第4の信号を測定する第3及び第4のセンサをさらに
    具備し、前記第3及び第4の信号の経路が前記第1の信号の経路と交差する請求
    項1記載のシステム。
  14. 【請求項14】 プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも一
    つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つを測定する方法において
    、 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくとも一つを通過した第
    1の信号を測定する工程と、 リファレンス電源からの第2の信号を測定する工程と、 前記第1及び第2の信号間の差を比較して前記プラズマ源、プラズマ室及び電
    子源のうちの少なくとも一つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一
    つを決定する工程とから成る方法。
  15. 【請求項15】 前記第1の信号を測定する工程が、1010〜1012
    −3の範囲の密度を有する、前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの
    少なくとも一つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つを測定する
    ことから成る請求項14記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくと
    も一つを管理するための自励式マイクロ波発振器からの制御信号を印加する工程
    をさらに備える請求項14記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記第1の信号を測定する工程が、前記第1の信号を伝送
    するための開放射経路を含む閉ループを用いて前記第1の信号を測定することか
    ら成る請求項14記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記開放射経路としてプラズマを供給する工程をさらに備
    える請求項17記載の方法。
  19. 【請求項19】 前記第1の信号を測定する工程が、前記開放射経路内に狭
    帯域マイクロ波増幅器を含む閉ループを用いて前記第1の信号を測定することか
    ら成る請求項17記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記自励式発振器の第1の周波数と、前記安定局部発振器
    の第2の周波数とを混合してIF信号を生成する工程をさらに備える請求項16
    記載の方法。
  21. 【請求項21】 装置オペレータによって所望のプラズマ密度及び所望の電
    子密度のうちの少なくとも一つを入力する工程をさらに備える請求項14記載の
    方法。
  22. 【請求項22】 所望のプラズマ密度及び所望の電子密度のうちの少なくと
    も一つをキーボードで入力する工程をさらに備える請求項14記載の方法。
  23. 【請求項23】 前記比較工程が、ディジタル・シグナル・プロセッサを用
    いて前記差を比較することから成る請求項14記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少なくと
    も一つに制御信号を印加して前記プラズマ源、プラズマ室及び電子源のうちの少
    なくとも一つのプラズマ密度及び電子密度のうちの少なくとも一つを変更する工
    程をさらに備える請求項14記載の方法。
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