JP2003347637A - ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置 - Google Patents
ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置Info
- Publication number
- JP2003347637A JP2003347637A JP2002156690A JP2002156690A JP2003347637A JP 2003347637 A JP2003347637 A JP 2003347637A JP 2002156690 A JP2002156690 A JP 2002156690A JP 2002156690 A JP2002156690 A JP 2002156690A JP 2003347637 A JP2003347637 A JP 2003347637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical waveguide
- laser
- fiber
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部共振器型のファイバレーザにおける調芯
を容易にする。 【解決手段】 発生したレーザ光を反射する反射面およ
び出射面を有する半導体レーザ１０１の出射面に対向す
る位置に光導波素子１０５を配置し、光ファイバ１０９
の一端に、光導波素子１０５を低反射接続し、他端に、
反射素子１１１を備える。半導体レーザ１０１の出射面
に半導体レーザ１０１と光導波素子１０５が離れている
場合は反射し、密着接続した場合はほぼ透過する特性の
誘電体膜１１０を施した。これにより、最適な調芯が可
能となる外部共振器型のファイバレーザを実現すること
ができる。
を容易にする。 【解決手段】 発生したレーザ光を反射する反射面およ
び出射面を有する半導体レーザ１０１の出射面に対向す
る位置に光導波素子１０５を配置し、光ファイバ１０９
の一端に、光導波素子１０５を低反射接続し、他端に、
反射素子１１１を備える。半導体レーザ１０１の出射面
に半導体レーザ１０１と光導波素子１０５が離れている
場合は反射し、密着接続した場合はほぼ透過する特性の
誘電体膜１１０を施した。これにより、最適な調芯が可
能となる外部共振器型のファイバレーザを実現すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ディスプレイか
らレーザ加工などの幅広い分野での応用が考えられる外
部共振型のファイバレーザ装置とその調芯方法、このフ
ァイバレーザ装置を用いた映像表示装置に関する。
らレーザ加工などの幅広い分野での応用が考えられる外
部共振型のファイバレーザ装置とその調芯方法、このフ
ァイバレーザ装置を用いた映像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】任意の狭帯域波長で発振する半導体レー
ザとして、波長選択素子をその共振器の内部に持つ外部
共振器型半導体レーザというものが知られている。例え
ば、川上彰二郎・白石和男・大橋正治 共著「光ファイ
バとファイバ型デバイス」（培風館）に、波長選択素子
として＜コアの屈折率を光ファイバの長手方向に周期的
に変化させたファイバ・ブラッグ・グレーティングを外
部共振器として用いた半導体レーザが示されている。こ
れを図５に示す。半導体レーザ５１の出射端面には無反
射コート５２が施してある。半導体レーザ５１から発し
た光はファイバレンズ５３を介して単一モードファイバ
５４に入射する。この半導体レーザの無反射コート５２
と反対の面５６とファイバ・ブラッグ・グレーティング
５５との間で共振器を形成し、ファイバ・ブラッグ・グ
レーティング５５で制限された波長および単一モードフ
ァイバ５４で制限されたモードでレーザ発振する。
ザとして、波長選択素子をその共振器の内部に持つ外部
共振器型半導体レーザというものが知られている。例え
ば、川上彰二郎・白石和男・大橋正治 共著「光ファイ
バとファイバ型デバイス」（培風館）に、波長選択素子
として＜コアの屈折率を光ファイバの長手方向に周期的
に変化させたファイバ・ブラッグ・グレーティングを外
部共振器として用いた半導体レーザが示されている。こ
れを図５に示す。半導体レーザ５１の出射端面には無反
射コート５２が施してある。半導体レーザ５１から発し
た光はファイバレンズ５３を介して単一モードファイバ
５４に入射する。この半導体レーザの無反射コート５２
と反対の面５６とファイバ・ブラッグ・グレーティング
５５との間で共振器を形成し、ファイバ・ブラッグ・グ
レーティング５５で制限された波長および単一モードフ
ァイバ５４で制限されたモードでレーザ発振する。
【０００３】このレーザの場合、調芯が非常に難しい。
それは無反射コート５２が空気の屈折率に対してのもの
であり、単体の半導体レーザ５１ではレーザ発振せず、
大きくビーム形状の異なる自然放出光であるため最適な
位置合わせが困難であるからである。最適位置近傍に調
芯できて初めて外部共振器として発振することになる。
そのためこのタイプの外部共振器型半導体レーザは最適
位置近傍に調芯するまで時間がかかり調芯コストが増大
するという問題がある
それは無反射コート５２が空気の屈折率に対してのもの
であり、単体の半導体レーザ５１ではレーザ発振せず、
大きくビーム形状の異なる自然放出光であるため最適な
位置合わせが困難であるからである。最適位置近傍に調
芯できて初めて外部共振器として発振することになる。
そのためこのタイプの外部共振器型半導体レーザは最適
位置近傍に調芯するまで時間がかかり調芯コストが増大
するという問題がある
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の外部共振型のファイバレーザ装置の調芯は、空気に対
して無反射コートが施されており、外部共振器の発振モ
ードとは大きく異なるため調芯に時間がかかるという問
題があった。
の外部共振型のファイバレーザ装置の調芯は、空気に対
して無反射コートが施されており、外部共振器の発振モ
ードとは大きく異なるため調芯に時間がかかるという問
題があった。
【０００５】この発明の目的は、外部共振器型のファイ
バレーザにおける調芯を容易にする外部共振器型のファ
イバレーザ装置およびその調芯方法並びにファイバレー
ザ装置を用いた映像表示装置を提供することにある。
バレーザにおける調芯を容易にする外部共振器型のファ
イバレーザ装置およびその調芯方法並びにファイバレー
ザ装置を用いた映像表示装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明のファイバレーザ装置では、発生した
レーザ光を反射する反射面および出射面を有する半導体
レーザと、該半導体レーザの出射面に対向する位置に配
された光導波素子と、一端に前記光導波素子が低反射接
続され、他端に反射素子を備えた光ファイバとを具備
し、前記半導体レーザの出射面に前記半導体レーザと前
記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続した
場合はほぼ透過する特性の膜を施したことを特徴とす
る。
ために、この発明のファイバレーザ装置では、発生した
レーザ光を反射する反射面および出射面を有する半導体
レーザと、該半導体レーザの出射面に対向する位置に配
された光導波素子と、一端に前記光導波素子が低反射接
続され、他端に反射素子を備えた光ファイバとを具備
し、前記半導体レーザの出射面に前記半導体レーザと前
記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続した
場合はほぼ透過する特性の膜を施したことを特徴とす
る。
【０００７】この発明のファイバレーザ装置の調芯方法
では、発生したレーザ光を反射する反射面および出射面
を有する半導体レーザと、該半導体レーザの出射面に対
向する位置に配された光導波素子と、一方の端に前記光
導波素子が低反射接続された光ファイバとを具備したフ
ァイバレーザ装置の調芯方法にあって、前記半導体レー
ザの出射面に、前記半導体レーザと前記光導波素子とが
離れている場合は反射し、密着接続した場合はほぼ透過
するような特性を有する膜を施し、前記半導体レーザと
前記光導波素子との調芯をするときは、前記半導体レー
ザを発振させ光検出器の結果を用いて調芯を行い、前記
調芯を終了後は前記半導体レーザと前記光導波素子とを
密着させることを特徴とする。
では、発生したレーザ光を反射する反射面および出射面
を有する半導体レーザと、該半導体レーザの出射面に対
向する位置に配された光導波素子と、一方の端に前記光
導波素子が低反射接続された光ファイバとを具備したフ
ァイバレーザ装置の調芯方法にあって、前記半導体レー
ザの出射面に、前記半導体レーザと前記光導波素子とが
離れている場合は反射し、密着接続した場合はほぼ透過
するような特性を有する膜を施し、前記半導体レーザと
前記光導波素子との調芯をするときは、前記半導体レー
ザを発振させ光検出器の結果を用いて調芯を行い、前記
調芯を終了後は前記半導体レーザと前記光導波素子とを
密着させることを特徴とする。
【０００８】この発明のファイバレーザ装置を用いた映
像表示装置では、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する複数の
ファイバレーザ装置にあって、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出
力する複数のファイバレーザ装置にあって、それぞれの
ファイバ装置は、発生したレーザ光を反射する反射面お
よび出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの
出射面に対向する位置に配された光導波素子と、一方の
端に前記光導波素子が低反射接続された光ファイバと、
前記半導体レーザの出射面に施した前記半導体レーザと
前記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続し
た場合はほぼ透過する特性の膜とで構成し、前記複数の
ファイバレーザ装置の各出力光を空間変調する複数の空
間変調素子と、前記複数の空間変調素子によりそれぞれ
空間変調されたＲ，Ｇ，Ｂ光を合成する合成手段と、前
記合成手段の出力光を所定の位置に結像させる光学素子
とを具備したことを特徴とする。
像表示装置では、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する複数の
ファイバレーザ装置にあって、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出
力する複数のファイバレーザ装置にあって、それぞれの
ファイバ装置は、発生したレーザ光を反射する反射面お
よび出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの
出射面に対向する位置に配された光導波素子と、一方の
端に前記光導波素子が低反射接続された光ファイバと、
前記半導体レーザの出射面に施した前記半導体レーザと
前記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続し
た場合はほぼ透過する特性の膜とで構成し、前記複数の
ファイバレーザ装置の各出力光を空間変調する複数の空
間変調素子と、前記複数の空間変調素子によりそれぞれ
空間変調されたＲ，Ｇ，Ｂ光を合成する合成手段と、前
記合成手段の出力光を所定の位置に結像させる光学素子
とを具備したことを特徴とする。
【０００９】また、この発明のファイバレーザ装置を用
いた映像表示装置では、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する
複数のファイバレーザ装置にあって、それぞれのファイ
バレーザ装置は、発生したレーザ光を反射する反射面お
よび出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの
出射面に対向する位置に配された光導波素子と、一方の
端に前記光導波素子が低反射接続された光ファイバと、
前記半導体レーザの出射面に施した前記半導体レーザと
前記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続し
た場合はほぼ透過する特性の膜とで構成し、前記複数の
ファイバレーザ装置の出力光を１つにまとめ、巨視的に
見て白色光となるようにする白色光生成手段と、前記白
色生成手段の出力光を空間変調する空間変調素子と、前
記空間変調素子により空間変調された光を所定の位置に
結像させる光学素子とを具備したことを特徴とする。
いた映像表示装置では、それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する
複数のファイバレーザ装置にあって、それぞれのファイ
バレーザ装置は、発生したレーザ光を反射する反射面お
よび出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの
出射面に対向する位置に配された光導波素子と、一方の
端に前記光導波素子が低反射接続された光ファイバと、
前記半導体レーザの出射面に施した前記半導体レーザと
前記光導波素子が離れている場合は反射し、密着接続し
た場合はほぼ透過する特性の膜とで構成し、前記複数の
ファイバレーザ装置の出力光を１つにまとめ、巨視的に
見て白色光となるようにする白色光生成手段と、前記白
色生成手段の出力光を空間変調する空間変調素子と、前
記空間変調素子により空間変調された光を所定の位置に
結像させる光学素子とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、こ
の発明の一実施の形態について説明するための構成図で
ある。図１において、１０１は半導体レーザであり、１
０２は反射膜が施された反射面、１０３は半導体レーザ
１０１の活性層１０４内で発生したレーザ光が出射され
る出射面である。１０５は光導波素子であり、クラッド
１０６より屈折率の高いコア１０７を有し、光はこのコ
ア１０７を導波する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、こ
の発明の一実施の形態について説明するための構成図で
ある。図１において、１０１は半導体レーザであり、１
０２は反射膜が施された反射面、１０３は半導体レーザ
１０１の活性層１０４内で発生したレーザ光が出射され
る出射面である。１０５は光導波素子であり、クラッド
１０６より屈折率の高いコア１０７を有し、光はこのコ
ア１０７を導波する。
【００１１】たとえば、半導体レーザ１０１がマルチモ
ード発振の場合、活性層１０４は２００μｍ×１μｍと
いった非対称形をしており、これを対称なコア１０８を
持つ光ファイバ１０９などに接続する場合はスポットサ
イズを変換する必要がある。光導波素子１０５のコア１
０７の大きさを軸方向に変化させることにより、スポッ
トサイズを変換することができる。
ード発振の場合、活性層１０４は２００μｍ×１μｍと
いった非対称形をしており、これを対称なコア１０８を
持つ光ファイバ１０９などに接続する場合はスポットサ
イズを変換する必要がある。光導波素子１０５のコア１
０７の大きさを軸方向に変化させることにより、スポッ
トサイズを変換することができる。
【００１２】１１０は半導体レーザ１０１の出射面１０
３に施された誘電体膜である。この誘電体膜１１０は、
半導体レーザ１０１から発する光の波長に関し、空気の
屈折率に対しては数％の反射率を持ち、光導波素子１０
５のコア１０７の屈折率に対しては無反射となるよう
に、屈折率と膜厚が最適化されている。
３に施された誘電体膜である。この誘電体膜１１０は、
半導体レーザ１０１から発する光の波長に関し、空気の
屈折率に対しては数％の反射率を持ち、光導波素子１０
５のコア１０７の屈折率に対しては無反射となるよう
に、屈折率と膜厚が最適化されている。
【００１３】この実施の形態の場合は、誘電体膜１１０
の屈折率と膜厚を変化させ、空気に対しては定格電流以
内で発振する程度の反射率を持ち、光導波素子１０５の
コア１０７に対してはほぼ無反射になるように最適化す
る。例えば、半導体レーザ１０１の発振波長が８５０ｎ
ｍであり、半導体レーザ１０１の活性層の屈折率が３．
５の場合、屈折率２．１８のＺrＯ2膜を２９０ｎｍ程度
積層させることにより実現可能である。この場合、光導
波素子１０５のコア１０７の屈折率が１．５であれば、
コア１０７に対しては０．２８％程度、屈折率１．０の
空気に対しては２．４％程度の反射率を得る。この程度
の反射率の差があれば対空気については発振、対導波素
子に対しては発振しないという状態になる。
の屈折率と膜厚を変化させ、空気に対しては定格電流以
内で発振する程度の反射率を持ち、光導波素子１０５の
コア１０７に対してはほぼ無反射になるように最適化す
る。例えば、半導体レーザ１０１の発振波長が８５０ｎ
ｍであり、半導体レーザ１０１の活性層の屈折率が３．
５の場合、屈折率２．１８のＺrＯ2膜を２９０ｎｍ程度
積層させることにより実現可能である。この場合、光導
波素子１０５のコア１０７の屈折率が１．５であれば、
コア１０７に対しては０．２８％程度、屈折率１．０の
空気に対しては２．４％程度の反射率を得る。この程度
の反射率の差があれば対空気については発振、対導波素
子に対しては発振しないという状態になる。
【００１４】光ファイバ１０９の一方の端面は、光導波
素子１０５のコア１０７に、例えば端面結合法のように
直接端面同士を付き合わせることにより低反射接続がさ
れており、調芯の最後に光ファイバ１０９のもう一方の
端に半導体レーザ１０１が発する波長の光を反射する反
射素子１１１を設置する。反射素子１１１側には光検出
器１１２が設置し、光ファイバ１０９からの出射光を検
出できるようにする。
素子１０５のコア１０７に、例えば端面結合法のように
直接端面同士を付き合わせることにより低反射接続がさ
れており、調芯の最後に光ファイバ１０９のもう一方の
端に半導体レーザ１０１が発する波長の光を反射する反
射素子１１１を設置する。反射素子１１１側には光検出
器１１２が設置し、光ファイバ１０９からの出射光を検
出できるようにする。
【００１５】次に、図１の動作について説明する。ま
ず、半導体レーザ１０１に電流を印加する。誘電体膜１
１０は空気に対して数％の反射率を持つので、あるしき
い値電流値以上になるとレーザ発振を開始する。外部共
振器型ファイバレーザの場合、発振モードは光ファイバ
１０９の伝搬モードで制限される。例えば、光ファイバ
１０９が最低次のモードしか伝搬しないシングルモード
ファイバや、マルチモードファイバでも伝搬モード数が
少ないならば、半導体レーザ１０１に印加する電流は発
振しきい値を少し超えた程度にしておく。マルチモード
半導体レーザの場合、電流値が大きくなるにつれて高次
の横モードが増えていくため外部共振器発振したときの
発振モードと大きく異なってしまうためである。
ず、半導体レーザ１０１に電流を印加する。誘電体膜１
１０は空気に対して数％の反射率を持つので、あるしき
い値電流値以上になるとレーザ発振を開始する。外部共
振器型ファイバレーザの場合、発振モードは光ファイバ
１０９の伝搬モードで制限される。例えば、光ファイバ
１０９が最低次のモードしか伝搬しないシングルモード
ファイバや、マルチモードファイバでも伝搬モード数が
少ないならば、半導体レーザ１０１に印加する電流は発
振しきい値を少し超えた程度にしておく。マルチモード
半導体レーザの場合、電流値が大きくなるにつれて高次
の横モードが増えていくため外部共振器発振したときの
発振モードと大きく異なってしまうためである。
【００１６】発振したレーザ光は、出射面１０３から出
射する。光導波素子１０５のコア１０７に入射された光
は、接続された光ファイバ１０９のコア部１０８を伝搬
して行き、他端から出射して光検出器１１２により検出
する。つまり、この系によりいわゆるパッシブアライメ
ントを行い、半導体レーザ１０１と光導波素子１０５の
相対位置を最適化する。
射する。光導波素子１０５のコア１０７に入射された光
は、接続された光ファイバ１０９のコア部１０８を伝搬
して行き、他端から出射して光検出器１１２により検出
する。つまり、この系によりいわゆるパッシブアライメ
ントを行い、半導体レーザ１０１と光導波素子１０５の
相対位置を最適化する。
【００１７】次に、半導体レーザ１０１と光導波素子１
０５を密着させた状態とする。このとき、誘電体膜１１
０は光導波素子１０５のコア１０７に対して無反射とな
る。そして反射素子１１１を光ファイバ１０９に設置す
ることにより、半導体レーザ１０１から発した光は反射
面１０２と反射素子１１１との間で構成された光共振器
により外部共振器動作する。
０５を密着させた状態とする。このとき、誘電体膜１１
０は光導波素子１０５のコア１０７に対して無反射とな
る。そして反射素子１１１を光ファイバ１０９に設置す
ることにより、半導体レーザ１０１から発した光は反射
面１０２と反射素子１１１との間で構成された光共振器
により外部共振器動作する。
【００１８】このように、誘電体膜１１０の屈折率・膜
厚を最適化することにより、半導体レーザ１０１は調芯
時でも外部共振器動作時とほぼ同様の発振モードで発振
するために最適な調芯を短時間で行うことができ、組み
立てコストを少なくすることができる。
厚を最適化することにより、半導体レーザ１０１は調芯
時でも外部共振器動作時とほぼ同様の発振モードで発振
するために最適な調芯を短時間で行うことができ、組み
立てコストを少なくすることができる。
【００１９】図２は、この発明の他の実施の形態につい
て説明するための構成図である。この実施の形態は、反
射素子１１１を予め光ファイバ１０９に設置したもの
で、図１と同一の構成部分には同一の符号を付してここ
での説明は省略する。
て説明するための構成図である。この実施の形態は、反
射素子１１１を予め光ファイバ１０９に設置したもの
で、図１と同一の構成部分には同一の符号を付してここ
での説明は省略する。
【００２０】この実施の形態の場合、半導体レーザ１０
１と光導波素子１０５との調芯を行うときに、半導体レ
ーザ１０１より発せられたレーザ光が反射素子１１１に
より一部反射してしまい、光検出器１１２で検出される
光の量は少なくなってしまうが、半導体レーザ１０１と
光導波素子１０５を密着接続したとき、調芯ができてい
れば、すぐさま外部共振器動作をするために調芯の結果
を早く知ることができる。
１と光導波素子１０５との調芯を行うときに、半導体レ
ーザ１０１より発せられたレーザ光が反射素子１１１に
より一部反射してしまい、光検出器１１２で検出される
光の量は少なくなってしまうが、半導体レーザ１０１と
光導波素子１０５を密着接続したとき、調芯ができてい
れば、すぐさま外部共振器動作をするために調芯の結果
を早く知ることができる。
【００２１】図３は、この発明のファイバレーザ装置を
用いた映像表示装置の一実施の形態を概略的に示したも
のである。３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂの出
射光を得るファイバレーザ装置である。この例では、各
ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、調芯後
の図１に示した構成のファイバレーザ装置を用いてい
る。
用いた映像表示装置の一実施の形態を概略的に示したも
のである。３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂの出
射光を得るファイバレーザ装置である。この例では、各
ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、調芯後
の図１に示した構成のファイバレーザ装置を用いてい
る。
【００２２】ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３１
Ｂは、それぞれ半導体レーザ１０１、光導波素子１０
５、光ファイバ１０９を有する。ファイバレーザ装置３
１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの出力光
が得られるように光ファイバ１０９に添加する希土類お
よびその濃度などが設定されている。
Ｂは、それぞれ半導体レーザ１０１、光導波素子１０
５、光ファイバ１０９を有する。ファイバレーザ装置３
１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの出力光
が得られるように光ファイバ１０９に添加する希土類お
よびその濃度などが設定されている。
【００２３】各ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３
１Ｂから出力されるＲ，Ｇ，Ｂ光は、それぞれの光に応
じた液晶パネル３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに入射され空間
変調を受ける。空間変調を受けたＲ，Ｇ，Ｂ光は、ダイ
クロイックプリズムなどの合成手段３３によって合成ざ
れ、投射レンズ３４に入射する。この入射光は、投射レ
ンズ３４によってスクリーン３５に映像として表示させ
る。
１Ｂから出力されるＲ，Ｇ，Ｂ光は、それぞれの光に応
じた液晶パネル３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに入射され空間
変調を受ける。空間変調を受けたＲ，Ｇ，Ｂ光は、ダイ
クロイックプリズムなどの合成手段３３によって合成ざ
れ、投射レンズ３４に入射する。この入射光は、投射レ
ンズ３４によってスクリーン３５に映像として表示させ
る。
【００２４】図４は、この発明のファイバレーザ装置を
用いた映像表示装置の他の実施の形態を概略的に示した
ものである。ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３１
Ｂから出力されるＲ，Ｇ，Ｂ光を１つにまとめて巨視的
（全体的）に見た場合の白色光を作る。この白色光をカ
ラーフィルタ付の液晶パネル４１に入射し、投射レンズ
３４によってスクリーン３５に映像として表示させる。
用いた映像表示装置の他の実施の形態を概略的に示した
ものである。ファイバレーザ装置３１Ｒ，３１Ｇ，３１
Ｂから出力されるＲ，Ｇ，Ｂ光を１つにまとめて巨視的
（全体的）に見た場合の白色光を作る。この白色光をカ
ラーフィルタ付の液晶パネル４１に入射し、投射レンズ
３４によってスクリーン３５に映像として表示させる。
【００２５】上記したこの発明のファイバレーザ装置を
用いた各映像表示装置によれば簡単に最適な調芯を実現
するできることから映像表示装置の量産性に寄与するこ
とができる。
用いた各映像表示装置によれば簡単に最適な調芯を実現
するできることから映像表示装置の量産性に寄与するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体レーザの出射面に空気に対しては反射し、密
着させる光導波路に対しては透過する特性を持つ誘電体
膜をつけることにより、最適な調芯を実現することがで
きる。
ば、半導体レーザの出射面に空気に対しては反射し、密
着させる光導波路に対しては透過する特性を持つ誘電体
膜をつけることにより、最適な調芯を実現することがで
きる。
【図１】 この発明の一実施の形態について説明するた
めの概略構成図。
めの概略構成図。
【図２】 この発明の他の実施の形態について説明する
ための概略構成図。
ための概略構成図。
【図３】 この発明のファイバレーザ装置を用いた映像
表示装置の一実施の形態について説明するための概略構
成図。
表示装置の一実施の形態について説明するための概略構
成図。
【図４】 この発明のファイバレーザ装置を用いた映像
表示装置の他の実施の形態について説明するための概略
構成図。
表示装置の他の実施の形態について説明するための概略
構成図。
【図５】 従来の外部共振型ファイバレーザ装置につい
て説明するための説明図。
て説明するための説明図。
１０１・・・半導体レーザ
１０２・・・反射面
１０３・・・出射面
１０５・・・光導波素子
１０６・・・クラッド
１０７，１０８・・・コア
１０９・・・光ファイバ
１１０・・・誘電体膜
１１２・・・光検出器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 土田 雅基
埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式
会社東芝深谷工場内
Ｆターム(参考） 2H048 GA13 GA24 GA25 GA62
5F072 AB13 FF09 JJ12 KK01 KK05
MM11 MM16 YY06 YY20
Claims (5)
- 【請求項１】 発生したレーザ光を反射する反射面およ
び出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの出
射面に対向する位置に配された光導波素子と、一端に前
記光導波素子が低反射接続され、他端に反射素子を備え
た光ファイバとを具備し、 前記半導体レーザの出射面に前記半導体レーザと前記光
導波素子が離れている場合は反射し、密着接続した場合
はほぼ透過する特性の膜を施したことを特徴とするファ
イバレーザ装置。 - 【請求項２】 前記反射素子は、前記半導体レーザの出
射面に前記半導体レーザを密着接続する前または後に、
前記光ファイバに取付けてなることを特徴とする請求項
１記載のファイバレーザ装置 - 【請求項３】 発生したレーザ光を反射する反射面およ
び出射面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの出
射面に対向する位置に配された光導波素子と、一方の端
に前記光導波素子が低反射接続された光ファイバとを具
備したファイバレーザ装置の調芯方法において、 前記半導体レーザの出射面に、前記半導体レーザと前記
光導波素子とが離れている場合は反射し、密着接続した
場合はほぼ透過するような特性を有する膜を施し、 前記半導体レーザと前記光導波素子との調芯をするとき
は、前記半導体レーザを発振させ光検出器の結果を用い
て調芯を行い、 前記調芯を終了後は前記半導体レーザと前記光導波素子
とを密着させることを特徴とするファイバレーザ装置の
調芯方法。 - 【請求項４】 それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する複数のフ
ァイバレーザ装置にあって、それぞれのファイバ装置
は、発生したレーザ光を反射する反射面および出射面を
有する半導体レーザと、該半導体レーザの出射面に対向
する位置に配された光導波素子と、一方の端に前記光導
波素子が低反射接続された光ファイバと、前記半導体レ
ーザの出射面に施した前記半導体レーザと前記光導波素
子が離れている場合は反射し、密着接続した場合はほぼ
透過する特性の膜とで構成し、 前記複数のファイバレーザ装置の各出力光を空間変調す
る複数の空間変調素子と、 前記複数の空間変調素子によりそれぞれ空間変調された
Ｒ，Ｇ，Ｂ光を合成する合成手段と、 前記合成手段の出力光を所定の位置に結像させる光学素
子と、を具備したことを特徴とする映像表示装置。 - 【請求項５】 それぞれＲ，Ｇ，Ｂを出力する複数のフ
ァイバレーザ装置にあって、それぞれのファイバレーザ
装置は、発生したレーザ光を反射する反射面および出射
面を有する半導体レーザと、該半導体レーザの出射面に
対向する位置に配された光導波素子と、一方の端に前記
光導波素子が低反射接続された光ファイバと、前記半導
体レーザの出射面に施した前記半導体レーザと前記光導
波素子が離れている場合は反射し、密着接続した場合は
ほぼ透過する特性の膜とで構成し、 前記複数のファイバレーザ装置の出力光を１つにまと
め、巨視的に見て白色光となるようにする白色光生成手
段と、 前記白色光生成手段の出力光を空間変調する空間変調素
子と、 前記空間変調素子により空間変調された光を所定の位置
に結像させる光学素子と、を具備したことを特徴とする
映像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002156690A JP2003347637A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002156690A JP2003347637A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347637A true JP2003347637A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29772819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002156690A Pending JP2003347637A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003347637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209377A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Sun Tec Kk | バイオチップ読取装置 |
| WO2017110017A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ソニー株式会社 | 発光素子および表示装置 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002156690A patent/JP2003347637A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209377A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Sun Tec Kk | バイオチップ読取装置 |
| WO2017110017A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ソニー株式会社 | 発光素子および表示装置 |
| JPWO2017110017A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2018-10-18 | ソニー株式会社 | 発光素子および表示装置 |
| US11217721B2 (en) | 2015-12-25 | 2022-01-04 | Sony Corporation | Light-emitting device and display apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101253659B (zh) | 光纤激光器及光学装置 | |
| KR100984202B1 (ko) | 광 송수신 모듈 | |
| US9229224B2 (en) | Image display apparatus and head-mounted display | |
| US20030147255A1 (en) | Illumination system and projection display device employing the same | |
| US7692848B2 (en) | Wavelength conversion module, laser light source device, two-dimensional image display device, backlight light source, liquid crystal display device and laser processing device | |
| WO2006075760A1 (ja) | 変調機能付光源装置とその駆動方法 | |
| WO2010100898A1 (ja) | レーザ光源装置及び画像表示装置 | |
| JP2007133161A (ja) | 照明用光学系及びそれを利用したプロジェクタ | |
| JP2004184437A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザの制御方法、映像表示装置 | |
| JP4449976B2 (ja) | 外部共振型レーザ光源装置 | |
| CN113132698A (zh) | 光源装置和投影设备 | |
| JP2008288616A (ja) | 光源装置及び画像表示装置 | |
| JP2004279943A (ja) | レーザ装置、映像表示装置 | |
| JP2009198606A (ja) | 波長変換装置 | |
| US20090161700A1 (en) | Fiber laser | |
| US6829256B2 (en) | Fiber laser apparatus as well as optical multi/demultiplexer and image display apparatus therefor | |
| JP2003347637A (ja) | ファイバレーザ装置およびその調芯方法、映像表示装置 | |
| JP3935104B2 (ja) | 半導体レーザモジュール及び映像表示装置 | |
| JPH11153774A (ja) | 反射型光変調プロジェクタ | |
| JP2008124428A (ja) | 光源装置及び画像表示装置 | |
| JP2005079177A (ja) | ファイバレーザ装置、映像表示装置 | |
| JP2005109036A (ja) | 光ファイバレーザ装置及び映像表示装置 | |
| JPH01196189A (ja) | 波長可変光ファイバラマンレーザ | |
| JP2003142759A (ja) | ファイバレーザ装置およびそれを用いた映像表示装置 | |
| CN100582910C (zh) | 光源装置及图像显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050415 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20050816 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 |