JP2003338529A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置製造工程の一工程である電気的特性
検査工程において、被検体の電極パッドの大領域一括検
査を行う。 【解決手段】被検体の検査対象範囲に形成された検査対
象導体部の数と等しい数の電気的に独立した突起を備え
た検査構造体を被検体に磁気力により押圧させて電気的
特性検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置用回路検査装置は、ウエハ上
に半導体製造装置等で複数素子を形成した後、各素子の
電子回路が断線等の不具合が無いか、所定の熱負荷に対
して不具合が無いか、電気的に検査する装置であり、同
時に複数個の素子の検査を実施できるため、半導体製造
の現場で利用されている。従来の半導体装置は次の工程
により製造されている。 ・ウエハに多数の素子を形成する素子形成工程 ・ウエハ（被検体）に形成された多数の素子をブロービ
ング検査（導通検査）するプロービング検査工程 ・ブロービング検査工程終了後、ウエハをタイシング
（集積回路ごとに切断）して複数のチップとするダイシ
ング工程 ・チップことに半導体装置としてパッケージするパッケ
ージ工程 ・半導体装置（被検体）をバーンイン検査（熱負荷検
査）するバーンイン検査工程 そして、上記の各工程のうち、プロービング検査及びバ
ーンイン検査における被検体と外部の検査システムと接
続方法は基本的に同じである。すなわち、被検体上に数
十ないし百数十μｍ程度のピッチでパターニングされ
た、数十ないし百数十μｍ、厚さ１μｍ前後の個々のAl
（アルミニウム）合金もしくはその他の合金の電極パッ
ドに対して、個々に導電性の微細なプローブを機械的に
接触させる方法が採られる。微細なプローブとしては、
例えばW（タングステン）やNi（ニッケル）製の先端径
数十μｍ、長さ数十ｍｍの細針が用いられる。

【０００３】同一ウエハ上の複数個の半導体装置の検査
を同時に実施するためには、被検査用ウエハ上の半導体
装置の外周に形成した多数の電極パッド群の位置と同一
の位置になるように導電性の微細なプローブ群を形成し
た検査用検査体を用い、ウエハ上の素子の多数の電極パ
ッドと検査用検査体のプローブ群が同時に接触するよう
な押し付け器と、検査用検査体のプローブ群に結線され
た検査装置本体を備える。

【０００４】押し付け器は、少なくともプローブ自体の
もしくはプローブを支持する支持体の弾性変形により、
端子台に必要な荷重で均一に押し付ける押し付治具で構
成される。同一ウエハ上の複数個の半導体装置検査を同
時に実施すれば、半導体装置一個毎に回路検査を行うよ
りも、大幅に検査時間が短縮され、半導体装置の製造コス
トを低減することができる。このように半導体装置回路
検査装置を運転するとき、最も重要なことは被検査用ウ
エハ上の半導体装置の多数の電極パッド群と検査用セグ
メントの導電性の微細なプローブ群がすべて接触状態を
維持することであり、一度に数千個所の電極パッドと同
数のプローブをすべて設定された接触圧力でコンタクト
することが回路検査上重要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】被検査用ウエハ上の、
半導体装置の多数の電極パッドと検査用セグメントの導
電性の微細なプローブ群がすべて良好な接触状態を維持
するために、従来からいろいろ提案がなされている。し
かしながら、上記従来技術のプローブ構造では個々のプ
ローブを高精度に位置決めして固定するために大きな領
域を要するため、面内により多くのプローブを配するこ
とが困難となり、一度に検査できる電極パッド数および
チップ数が限られている。

【０００６】この問題を解決する従来の技術としては、
例えば特開平１-１４７３７４号公報、特開平９-１４８
３８９号公報、特開平９-２４３６６３号公報等があげ
られる。特開平１-１４７３７４号公報では、単一のSi
単結晶平板の主平面方向に複数の梁構造と、それらおの
おのの先端に突起を形成し、さらに突起から梁構造の固
定端方向へ導体層を形成している。特開平９-１４８３
８９号公報では、形状が異なる三層のSi基板を積層し、
うち最下層には複数の梁構造と各梁構造の固定端近傍に
圧電素子を配し、梁構造先端と最上層の開放面とが導通
するための手段を施している。特開平９-２４３６６３
号公報では、外部と導通する突起の集合体を有するSi基
板と固定板との間にエラストマを介している。

【０００７】しかしながら、特開平１-１４７３７４号
公報では、Si基板内の配線を検査する領域よりも外側へ
延長しているため、必ず単一のSi基板中に検査領域内の
すべての突起を形成する必要があり、例えばウエハ一枚
を一括で検査しようとすることが困難である。

【０００８】また、特開平９-１４８３８９号公報で
は、梁構造の途中に圧電素子を設ける必要があり、多数
のプローブを形成する上でコスト面、歩留まり面で大き
な問題がある。

【０００９】さらに、特開平９-２４３６６３号公報で
は、検査構造体の構造においてSi基板裏面に直接エラス
トマが設けられているが、梁構造を設けた場合各梁の周
囲には必ず貫通溝が形成されるので、押圧時の圧力によ
りそれが被検体側に流出する可能性がある。また、被検
体を一括検査する最に必要な多大な荷重によってエッチ
ングにより脆弱化したSi基板が破損する可能性がある。

【００１０】本発明の目的は、半導体装置製造工程の一
工程である電気的特性検査工程において、ウエハの、多
数の電極パッドを大領域で一括検査をすることが可能な
半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、ウエハに多
数の素子を形成する素子形成工程と、前記多数の素子が
形成されたウエハをプロービング検査するプロービング
検査工程と、前記ウエハをバーンイン検査するバーンイ
ン検査工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記プロービング検査工程及び前記バーンイン検査工程
には、前記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置す
る第一板材を一主面とした導電性と磁性を有するの突起
プローブと、この突起プローブの位置に磁界を発生し得
る磁場発生手段とを備え、配線パッドを介して前記突起
プローブとパッドとが、検査構造体と電気的に接続する
ように、前記突起プローブを、前記被検体の所望の位置
にあるパッドに磁気力で押圧する工程を有することによ
り達成される。

【００１２】また、上記目的は、ウエハに多数の素子を
形成する素子形成工程と、前記多数の素子が形成された
ウエハをプロービング検査するプロービング検査工程
と、前記ウエハをバーンイン検査するバーンイン検査工
程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記プロ
ービング検査工程又は前記バーンイン検査工程には、前
記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置する第一板
材の一主面に導電性の突起プローブと、これに直接また
は間接的に一体化した磁性を有する磁性部材と、前記磁
性部材の位置に磁界を発生し得る磁場発生手段とを備
え、配線パッドを介して前記突起プローブとパッドとが
検査構造体と電気的に接続するように前記突起プローブ
を、前記被検体の所望の位置にあるパッドに磁気力で押
圧する工程を有することにより達成される。

【００１３】また、上記目的は、ウエハに多数の素子を
形成する素子形成工程と、前記多数の素子が形成された
ウエハをプロービング検査するプロービング検査工程
と、前記多数の素子が形成された前記ウエハをバーンイ
ン検査するバーンイン検査工程とを有する半導体装置の
製造方法であって、前記プロービング検査工程及又は前
記バーンイン検査工程には、前記ウエハの電極パッドに
対向する位置に配置する第一板材の一主面に導電性の突
起プローブと、この突起プローブに直接又は間接的に一
体化した磁石部材と、前記磁石部材が発生する磁界空間
内外を移動可能な磁性を有する磁性部材とを備え、前記
磁性部材を前記磁界空間内に移動し、前記被検体の所望
の位置にあるパッドに突起プローブを磁気力で押圧する
工程を有することにより達成される。

【００１４】また、上記目的は、ウエハに多数の素子を
形成する素子形成工程と、前記多数の素子が形成された
ウエハをプロービング検査するプロービング検査工程
と、前記多数の素子が形成されたウエハをバーンイン検
査するバーンイン検査工程とを有する半導体装置の製造
方法であって、前記プロービング検査工程又は前記バー
ンイン検査工程には、前記ウエハの電極パッドに対向す
る位置に配置する第一板材の一主面に導電性の突起プロ
ーブと、この突起プローブに直接又は間接的に一体化し
た第一の磁石部材と、前記磁石部材が発生する磁界空間
に移動可能な第二の磁石部材とを備え、前記第二の磁石
部材を前記磁界空間内に移動し、前記被検体の所望の位
置にあるパッドに突起プローブを磁気力で押圧する工程
を有することにより達成される。

【００１５】また、上記目的は、前記検査構造体は、被
検体の電極パッドに対向する位置に配置する一主面に導
電性の突起プローブを備え、前記突起プローブと、前記
一主面とは反対側の面に設けられた配線パッドとが電気
的に接続された第一板材と、前記磁性体部材や磁石部材
が前記第一板材に一体化されて備えていることにより達
成される。

【００１６】また、上記目的は、前記ウエハの前記第一
板材の検査対象範囲に形成された検査対象導体部の電極
パッドの数と、前記第一板材に形成された電気的に独立
した前記突起突起プローブの数とが等しいことにより達
成される。

【００１７】また、上記目的は、前記突起プローブは複
数存在し、隣り合う２個の前記突起プローブを結ぶ直線
上を横切る貫通溝が前記第一板材に設けられていること
により達成される。

【００１８】また、上記目的は、前記第一板材の前記突
起プローブを囲むコの字状の貫通溝が前記第一板材に設
けられていることにより達成される。

【００１９】また、上記目的は、前記第一板材が検査同
一平面内に複数設けられていることにより達成される。

【００２０】また、上記目的は、前記突起プローブを前
記被検体の所望の位置に押圧する時に、前記第一板材の
突起プローブ以外の面の一部もしくは全域と前記被検体
とが接触することにより達成される。

【００２１】

【発明の実施の形態】ところで、本実施形態の半導体装
置の製造方法は次の三つの製造工程を含んでいる。 １．ウエハに多数の素子を形成する素子形成工程、 ２．複数の素子が形成されたウエハをプロービング検査
（導通検査）するブロービング検査工程、 ３．複数の素子が形成されたウエハをバーンイン検査
（熱負荷検査）するバーンイン検査工程、 以下、この各工程ごとにその詳細を説明する。

【００２２】〔素子形成工程〕素子形成は単結晶Siイン
ゴツトを薄くスライスして表面を鏡面研磨したウエハに
対して、製造する素子の仕様ことに多数の単位工程を経
て行われる（尚、その詳細については省略する）。例え
ば、ー般的なC-MOS(Complementary Metal Oxide Semico
nductor)の場合、大きく分けて、ウエハ基板のＰ型、Ｎ
型形成工程、素子分離工程、ゲート形成工程、ソース/
ドレイン形成工程、配線工程、保護膜形成工程などを経
て形成される。

【００２３】Ｐ型、Ｎ型形成工程はウエハ表面にＢやＰ
のイオン打ち込みを行い、後に拡散により表面上で引き
延ばすものである。素子分離工程は上記の表面にSi酸化
膜を形成し、領域選択のための窒化膜パターニングを施
し、パターニングされない部分の酸化膜を選択的に成長
させることにより、個々を微細素子に分離するものであ
る。ゲート形成工程は上記の各素子間に厚さ数nmのゲー
ト酸化膜を形成し、その上部にポリSiをCVD(Chemical V
apor Deposition)法により堆積した後、所定寸法に加工
し電極を形成するものである。

【００２４】ソース/ドレイン形成工程は、ゲート電極
形成後にＰやＢなどの不純物をイオン打ち込みし、活性
化アニールによってソースノドレイン拡散層を形成する
ものである。配線工程はAl配線や層間絶縁膜などを積み
重ねることにより、上記で分離した各素子を電気的につ
なぎ合わせる工程である。

【００２５】保護膜形成工程は上記のようにして形成さ
れた微細素子への外部からの不純物や水分の進入を阻止
したり、後に回路をパッケ-ジングする際の機械的スト
レスを緩和させたりするために行う工程であり、回路表
面に保護膜を形成するものである。

【００２６】これらの工程を踏まえ、本発明の一実施例
を図面に従い説明する。図１は、本発明の一実施例を備
えた被検査体ウエハの正面図である。図１において、１
は一枚のウエハである。このウエハ１の厚さは数百μ
ｍ、直径４インチないし８インチ程度の大きさであり、
上記の工程を経てこの表面に例えばDRAM(Dynamic Rando
m Access Memory)の場合で２００ないし４００個の回路
２が形成される。一つの回路の大きさはー辺数ｍｍない
し十数ｍｍである。

【００２７】図２は、図１に示した回路群の中から４つ
の回路を拡大した正面図である。図２において、第一板
材５上には４つの回路２が搭載されている。この４つの
回路２中のうち、ー回路中には薄膜配線３の先に数十な
いし数百の電極パッド４が設けられている（図２に示す
回路には便宜上ー回路中の電極パッド４の数は４４個の
場合を示した）。各電極パッド４の表面はー辺が数十μ
ｍの四辺形となっている。

【００２８】〔ブロービング検査工程〕ブロービング検
査は、素子形成工程で形成した各素子の電気信号の導通
を検査する工程であり、通常、ブローブ装置を用いて各
プローブを回路中の電極パッドに一つずつ接触させるこ
とにより行う。

【００２９】〔バーンイン検査工程〕バーンイン検査
は、回路に熱的、電気的ストレスを付与して不良を加速
選別する検査工程である。この工程もプロービング検査
工程と同様の方法によって電極パッドに各プローブを接
触させる。

【００３０】本発明に係るブロービング検査工程及びバ
ーンイン検査工程で用いる検査体構造を図３、図４、図
５、図６を用いて説明する。図３は検査体構造の一部を
示す平面図である。図４は被検体６の構造の電極パッド
４を示す平面図である。図５は検査体構造の一部をと被
検体６の構造の電極パッド４の一部を示すX―X線断面図
である。図６は図５の電極パッド４周りの拡大断面図で
ある。図３、図４、図５、図６において、図５に示すよ
うに第一板材５は単一のSi平面基板に、被検体６の電極
パッド４に対向する面１００に、Ｎｉ、Fe等の強磁性で
導電性を有する突起プローブ７を形成し、次に、図６に
示すようにSi平面基板に貫通孔８をエッチング加工しそ
の後導電性の配線９を形成し、ウエハプロセス技術を用
いて、突起プローブ７と電気的に導通する配線１０とそ
の先に配線パッド１１を形成する。

【００３１】一方、図３に示すようにSi平面基板をエッ
チングしてコ字形の溝１２を加工し、片持ち梁１３を形
成する。配線パッド１１には半田１４で配線１５を結線
し、外部の検査機本体１６に接続される。突起プローブ
７の上部には強磁性を有する例えばNi等の素材で図５、
６に示すような突起物１７を形成する。また、図５に示
すように平面基板をエッチングして不要な部分に溝１８
を加工する。

【００３２】図５に示すコイル式電磁石１９は、電源２
０とスイッチ２１を介して配線２２、２３で結線されて
おり、電源２０内のスイッチ２１は検査機本体１６によ
り、信号線２４の信号によりオン、オフ制御がなされ
る。スイッチ２１がオンの時に、コイル式電磁石１９に
より、突起プローブ７、突起物１７および電極パッド４
を包含する空間に磁界を発生させることができる。すな
わち、図５の検査開始状態から、検査機本体１６の制御
によりスイッチ２１がオン（図７に示す）された場合、
コイル式電磁石１９により、突起プローブ７、突起物１
７および電極パッド４を包含する空間に磁気勾配を有す
る均一な磁界が発生し、均一な磁気力により突起プロー
ブ７、突起物１７は電極パッド４側に吸引される。この
時の磁気力で片持ち梁１３が電極パッド４側に撓み、す
べての突起プローブ７の先端が対向するすべての電極パ
ッド４に接触し、同じ磁気力で押圧される。検査工程が
終了すると、検査機本体１６の制御により、スイッチ２
１がオフされ、磁気力が消滅することにより、片持ち梁
１３の撓みが戻り、すべての突起プローブ７の先端が対
向するすべての電極パッド４から離れる。したがて、本
実施例では、半導体装置製造工程の一工程である電気的
特性検査工程において、ウエハの、多数の電極パッドを
大領域で一括に検査を可能にできるという効果を有する
ものである。

【００３３】なお、このとき、第一板材１にSiを用いて
いる場合は、梁部１３の下端固定部に作用する引っ張り
応力が約２MPa±１MPaを超えないようにすることが、梁
部１３の破損を防止する上で重要であり、かつ安定導通
を図るためには突起先端に作用する磁気力による荷重を
１gf以上にする必要がある。実験の結果、梁の破損を防
止する条件を満たす梁寸法は、長さが0.8から２ｍｍ、
厚さが３０から５０μｍ、幅を被検体の電極パッド３の
レイアウトを最小ピッチに対応させ、撓みを１５μｍ以
下とし、これらに対応するために突起プローブ７の高さ
を２０から４０μｍに設定すれば有効であることがわか
った。

【００３４】図７は、本発明の一実施例に係る図３、図
４を重ね合わせた部分の検査体構造の略断面図であるた
め、その説明は省略する。

【００３５】図８は、本発明の他の実施例を示すもので
ある。図８が図６と異なる点は、片持ち梁２５をSiでは
なく、例えば非磁性でSiよりもヤング率が大きな窒化ア
ルミニュウムや金属などの部材で構成した点である。ま
た、前記と同等な磁気力においても、片持ち梁の撓み量
がさらに大きくなるようにしたものである。図８におい
て、第一板材５及び電極パッド４群の平坦性が悪く、突
起プローブ７と電極パッド４との距離が不均一となり、
両者の距離がまちまちに離れている場合においても、片
持ち梁の撓み量が大きいために、すべての突起プローブ
７の先端が対向するすべての電極パッド４に同じ押圧で
接触させることができる効果が生じる。以上の実施例で
は、磁気力を大きくするために、突起物１７を設けた
が、突起プローブ７を磁性材料で構成し、磁気力が十分
である場合、突起物１７は不要となる。

【００３６】図９も、本発明の他の実施例を示すもので
ある。図９が図５、図７と異なる電極パッド４点は、電
極パッド４と突起物プローブ１７がある比較的小空間に
磁界を発生させる磁場発生手段として永久磁石２７を、
台座２６上に配置固定した点にあり、永久磁石２７を突
起物プローブ１７および電極パッド４を包含する空間に
近づけることにより、磁気勾配を有する磁界が発生し、
ほぼ均一な磁気力により突起プローブ７、突起物１７は
電極パッド４側に吸引される。この時の磁気力で片持ち
梁１３が電極パッド４側に撓み、すべての突起プローブ
７の先端が対向するすべての電極パッド４に接触し、同
じ磁気力で押圧することができる。

【００３７】検査工程が終了後は、検査機本体１６の制
御により、永久磁石２７を突起物１７および電極パッド
４を包含する空間から遠ざける（移動手段は図示せず）
ことにより、片持ち梁１３の撓みが戻り、すべての突起
プローブ７の先端が対向するすべての電極パッド４から
離れる。本実施例では、磁場発生手段を小型化できると
ともに、磁場発生手段による磁界の拡散を小領域に限定
でき、磁場の影響範囲を狭くして他の機器へのノイズを
小さくできる効果がある。

【００３８】図１０も、本発明の他の実施例を示すもの
である。図１０が図９と異なる点は、磁場発生手段に例
えば銅製の台座２８上に、図４に示した電極パッド４の
下方部位に、例えばイットリウムーバリウムー銅―酸素
の結合体で構成された高温超電導体のバルク材２９を配
置固定し、例えばパルス管式ヘリウム冷凍機３０のコー
ルドヘッド３１の先端に台座２８を熱的に結合し、台座
２８および高温超電導体のバルク材２９を、高温超電導
体のバルク材２９の超電導臨界温度以下の温度４０Kに
冷却し、これらを真空断熱容器３２内に設置した点にあ
る。ここで、高温超電導体のバルク材２９はあらかじ
め、例えば電磁石等の外部磁界（図示せず）で着磁し、
バルク材２９の表面上部に大きな磁気勾配を有する磁界
を発生させている状態を示す。バルク材２９を突起プロ
ーブ７および突起物１７および電極パッド４を包含する
空間に近づけることにより、永久磁石２７に比べ数倍か
ら数十倍の磁気勾配を有する磁界を供給でき、大きな磁
気力により突起プローブ７、突起物１７を電極パッド４
側に吸引することができる。この時の磁気力で片持ち梁
１３が電極パッド４側に撓み、すべての突起プローブ７
の先端が対向するすべての電極パッド４に接触し、大き
な磁気力で押圧できる。本実施例では、発生する磁界が
非常に大きいので、突起物１７を不要にし、さらに突起
プローブ７を小さくすることができ、検査装置を小型化
できる効果がある。

【００３９】図１１は、本発明の他の実施例を示すもの
である。図１１が図９と異なる点は、永久磁石の素材で
製作した突起物３３を突起プローブ７の上部の配線１０
上に固定して磁場発生手段を構成し、台座２８上に、電
極パッド４の下方部位に例えばNiや鉄、パーマロイの強
磁性素材で製作した突起３６を台座３５に固定配置した
点にある。突起物３６を突起プローブ７および突起物３
３および電極パッド４を包含する空間に近づけることに
より、突起物３３と突起物３６の間に磁気力が発生し、
この磁気力により突起プローブ７、突起物１７を電極パ
ッド４側に吸引することができる。この時の磁気力で片
持ち梁１３が電極パッド４側に撓み、すべての突起プロ
ーブ７の先端が対向するすべての電極パッド４に接触
し、大きな磁気力で押圧できる。また、本実施例におい
て、突起物３６を永久磁石で構成し、突起物３３と突起
物３６の間に吸引磁気力が発生することにより、さらに
大きな磁気吸引力が発生し、さらに良好な電気的接触を
得られる効果がある。

【００４０】図１２も、本発明の他の実施例を示すもの
である。図１２が図５、図７と異なる点は、磁場を図６
に示した突起物１７および電極パッド４を包含する空間
部位に沿って発生させるように、磁場発生手段の電磁磁
石３７を台座３８上に薄く、小さくして固定配置し、突
起物１７と電磁磁石３７の間に磁気力を発生させ、この
磁気力により突起プローブ７、突起物１７を電極パッド
４側に吸引するようにした点にある。本実施例によれ
ば、電磁石を薄くできるので磁石を小型化することがで
き、検査装置を小型化することができる効果がある。

【００４１】図１３も、本発明になる他の実施例を示す
ものである。図１３が図１１と異なる点は、永久磁石の
素材で製作した突起物３３を突起プローブ７の上部の配
線１０上に固定して磁場発生手段を構成し、台座２８上
に、突起プローブ７の上方部位に突起物３３と反発する
極が対向するように永久磁石の素材で製作した、突起３
９を台座４０に固定配置した点にある。突起物３９を突
起プローブ７および突起物３３を包含する空間に上方よ
り近づけることにより、突起物３３と突起物３６の間に
反発の磁気力が発生し、この反発力により突起プローブ
７、突起物１７を電極パッド４側に押圧することができ
る。この時の反発力で片持ち梁１３が電極パッド４側に
撓み、すべての突起プローブ７の先端が対向するすべて
の電極パッド４に接触し、大きな磁気力で押圧できる。
本実施例によれば、磁場発生手段を被検体６の上方に配
置できるので、被検体６の下部の位置に磁場発生手段を
配置できない場合においても、検査を行うことができ
る。この実施例では、磁場発生手段を永久磁石の突起３
９で構成したが、これを電磁石で構成し、反発力もしく
は吸引力を電磁石の電流の向きを変えて発生させるよう
にしても、同様な効果が生じる。

【００４２】以上の実施例の中で電磁石を冷凍機で冷却
し、通電する超電導磁石で構成すれば小型な電磁石を実
現できる。また、冷凍機にギフォード・マクマホン式冷
凍機や、ペルチェ素子を用いた電子式冷凍機を使用して
も同様な効果が生じる。

【００４３】図１４も他の実施例に係る本発明の検査構
造体の略断面図である。本実施例は、突起プローブ７の
外周部に金等の突起プローブよりも柔らかく、電導性を
有する物質の配線４１を設け、配線１０と配線９を介し
て電気的に接続されている。このように金の配線４１を
設けることによる、電気パット４への接触面積が増加
し、通電特性を良好に、維持できることが可能である。

【００４４】以上の如く、本発明によれば、シリコンウ
エハ上に形成した複数素子を一括して夫々の素子回路検
査を行うため、半導体装置の歩留まりを向上させること
が可能となる。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体装置製造工程の
一工程である電気的特性検査工程において、ウエハの、
多数の電極パッドを大領域で一括検査をすることが可能
な半導体装置の製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施例に係る被検査体ウエ
ハの正面図である。

【図２】図２は、図１の回路群中の４回路の拡大正面図
である。

【図３】図３は、図２の回路に重ね合わせる検査体の端
部拡大正面図である。

【図４】図４は、図３の検査体の端部に重ね合わせる被
検査体の端部拡大正面図であり、さらに他の実施例を備
えたものである。

【図５】図５は、本発明の一実施例に係る図３、図４の
重ね合わせた部分の検査体構造の略断面図である。

【図６】図６は、図５の検査体構造の拡大略断面図であ
る。

【図７】図７は、本発明の一実施例に係る図３、図４の
重ね合わせた部分の検査体構造の略断面図である。

【図８】図８は、本発明のさらに他の実施例に係る検査
体構造の構造図である。

【図９】図９は、本発明のさらに他の実施例に係る検査
体構造の構造図である。

【図１０】図１０は、本発明のさらに他の実施例に係る
検査体構造の構造図である。

【図１１】図１１は、本発明のさらに他の実施例に係る
検査体構造の構造図である。

【図１２】図１２は、本発明のさらに他の実施例に係る
検査体構造の構造図である。

【図１３】図１３は、本発明のさらに他の実施例に係る
検査体構造の構造図である。

【図１４】図１４は、本発明のさらに他の実施例に係る
検査体構造の構造図である。

【符号の説明】

３…配線、４…電極パット、５…第一板材、６…被検
体、７…突起プローブ、１１…配線パッド、１３…片持
ち梁、１４…半田、１６…検査機本体、１７…突起物、
１９…電磁石。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 顕臣 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 金丸 昌敏 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 清水 浩也 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 AA02 AD08 AD09 BA01 DD12

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウエハに多数の素子を形成する素子形成工
   程と、前記多数の素子が形成されたウエハをプロービン
   グ検査するプロービング検査工程と、前記ウエハをバー
   ンイン検査するバーンイン検査工程とを有する半導体装
   置の製造方法であって、 前記プロービング検査工程及び前記バーンイン検査工程
   には、前記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置す
   る第一板材を一主面とした導電性と磁性を有するの突起
   プローブと、この突起プローブの位置に磁界を発生し得
   る磁場発生手段とを備え、配線パッドを介して前記突起
   プローブとパッドとが、検査構造体と電気的に接続する
   ように、前記突起プローブを、前記被検体の所望の位置
   にあるパッドに磁気力で押圧する工程を有することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】ウエハに多数の素子を形成する素子形成工
   程と、前記多数の素子が形成されたウエハをプロービン
   グ検査するプロービング検査工程と、前記ウエハをバー
   ンイン検査するバーンイン検査工程とを有する半導体装
   置の製造方法であって、 前記プロービング検査工程又は前記バーンイン検査工程
   には、前記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置す
   る第一板材の一主面に導電性の突起プローブと、これに
   直接または間接的に一体化した磁性を有する磁性部材
   と、前記磁性部材の位置に磁界を発生し得る磁場発生手
   段とを備え、配線パッドを介して前記突起プローブとパ
   ッドとが検査構造体と電気的に接続するように前記突起
   プローブを、前記被検体の所望の位置にあるパッドに磁
   気力で押圧する工程を有することを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】ウエハに多数の素子を形成する素子形成工
   程と、前記多数の素子が形成されたウエハをプロービン
   グ検査するプロービング検査工程と、前記多数の素子が
   形成された前記ウエハをバーンイン検査するバーンイン
   検査工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記プロービング検査工程及又は前記バーンイン検査工
   程には、前記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置
   する第一板材の一主面に導電性の突起プローブと、この
   突起プローブに直接又は間接的に一体化した磁石部材
   と、前記磁石部材が発生する磁界空間内外を移動可能な
   磁性を有する磁性部材とを備え、前記磁性部材を前記磁
   界空間内に移動し、前記被検体の所望の位置にあるパッ
   ドに突起プローブを磁気力で押圧する工程を有すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】ウエハに多数の素子を形成する素子形成工
   程と、前記多数の素子が形成されたウエハをプロービン
   グ検査するプロービング検査工程と、前記多数の素子が
   形成されたウエハをバーンイン検査するバーンイン検査
   工程とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記プロービング検査工程又は前記バーンイン検査工程
   には、前記ウエハの電極パッドに対向する位置に配置す
   る第一板材の一主面に導電性の突起プローブと、この突
   起プローブに直接又は間接的に一体化した第一の磁石部
   材と、前記磁石部材が発生する磁界空間に移動可能な第
   二の磁石部材とを備え、前記第二の磁石部材を前記磁界
   空間内に移動し、前記被検体の所望の位置にあるパッド
   に突起プローブを磁気力で押圧する工程を有することを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記検査構造体は、被検体の電極パッドに
   対向する位置に配置する一主面に導電性の突起プローブ
   を備え、前記突起プローブと、前記一主面とは反対側の
   面に設けられた配線パッドとが電気的に接続された第一
   板材と、前記磁性体部材や磁石部材が前記第一板材に一
   体化されて備えていることを特徴とする請求項1乃至４
   のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記ウエハの前記第一板材の検査対象範囲
   に形成された検査対象導体部の電極パッドの数と、前記
   第一板材に形成された電気的に独立した前記突起突起プ
   ローブの数とが等しいことを特徴とする請求項1乃至４
   のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記突起プローブは複数存在し、隣り合う
   ２個の前記突起プローブを結ぶ直線上を横切る貫通溝が
   前記第一板材に設けられていることを特徴とする請求項
   1乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記第一板材の前記突起プローブを囲むコ
   の字状の貫通溝が前記第一板材に設けられていることを
   特徴とする請求項1乃至４のいずれかに記載の半導体装
   置の製造方法。
9. 【請求項９】前記第一板材が検査同一平面内に複数設け
   られていることを特徴とする請求項1乃至７のいずれか
   に記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】前記突起プローブを前記被検体の所望の
    位置に押圧する時に、前記第一板材の突起プローブ以外
    の面の一部もしくは全域と前記被検体とが接触すること
    を特徴とする請求項1乃至８のいずれかに記載の半導体
    装置の製造方法。