JP2003337157A - Dc test circuit and method of semiconductor device - Google Patents

Dc test circuit and method of semiconductor device

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JP2003337157A
JP2003337157A JP2002143874A JP2002143874A JP2003337157A JP 2003337157 A JP2003337157 A JP 2003337157A JP 2002143874 A JP2002143874 A JP 2002143874A JP 2002143874 A JP2002143874 A JP 2002143874A JP 2003337157 A JP2003337157 A JP 2003337157A
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JP
Japan
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circuit
buffer
output
input
value
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Pending
Application number
JP2002143874A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukisuke Takasuka
志丞 高須賀
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Renesas Micro Systems Co Ltd
Original Assignee
Renesas Micro Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Micro Systems Co Ltd filed Critical Renesas Micro Systems Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To turn a Pch transistor for controlling connection and disconnection of a pull-up resistor on and off by using an output of an update latch of an existing BSCAN circuit. <P>SOLUTION: A semiconductor device has a plurality of I/O buffers 200 connected between an internal logic circuit 102 and an external terminal, via the BSCAN circuit. In order to measure a value of the pull-up resistor 210, this DC test circuit for an LST switches states of the BSCAN circuit in a specified order, thereby setting a logic value of each of the I/O buffers 200 as a value having no influence on the measurement of the pull-up resistor 210. The on/off control of the Pch transistor 212 for connection and disconnection of the pull-up resistor 210 with a power source is enabled by using a measured value of the update latch 16a. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、多数の、信号の
入出力のための外部端子(以降、単に外部端子という)
を有する半導体装置(以降、LSIという)のDCテス
トを行うための、LSIのDCテスト回路及びテスト方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a large number of external terminals for inputting / outputting signals (hereinafter, simply referred to as external terminals).
The present invention relates to an LSI DC test circuit and a test method for performing a DC test of a semiconductor device (hereinafter, referred to as an LSI) having the above.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年において、LSIの外部端子数は、
増大の一途をたどっているが、LSIテスタの信号端子
数の増加は、これに追いついていないのが現状である。
特にLSIテスタは非常に高価であって、超多ピンのL
SIテスタの導入は、製品のテストコストの上昇に直結
するため容易ではない。そこで、少数のLSIテスタ信
号端子を複数のLSI外部端子に割り当てて、テストを
行えるようにする手法が検討されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the number of external terminals of an LSI is
Although the number of signal terminals is increasing, the current situation is that the increase in the number of signal terminals of LSI testers has not caught up with this.
In particular, LSI testers are extremely expensive, and have an extremely large number of pins.
The introduction of SI tester is not easy because it directly leads to an increase in product test cost. Therefore, a method of assigning a small number of LSI tester signal terminals to a plurality of LSI external terminals so that a test can be performed is under study.

【0003】例えば、第1の従来例(特開平10−13
2902号公報,特許第3072718号公報)に開示
されている「多数のI/O信号を有する集積回路のテス
ト方法」においては、図31に示すような、内部論理回
路2との間に、データ側のセレクタ4c,BSCAN
(Boundary Scan )レジスタ5a,Updateラッチ
6a,セレクタ4aと、EN(Enable)側のBSCAN
レジスタ5a,Updateラッチ6a,セレクタ4b
とが接続された、複数の入出力(I/O)バッファ20
がそれぞれ接続されている、LSI外部端子T1,T
2,T3を短絡(以下、束ねると略称する)して、この
LSI外部端子を図示されないLSIテスタの信号端子
の一つに接続してテストを行う方法が記載されている。
この方法では、図32に示すように、プルアップ(又は
プルダウン)抵抗R1が付加されたI/Oバッファ20
を使用しているLSI外部端子T1,T2,T3を束ね
ると、各I/Oバッファに接続されているプルアップ抵
抗が並列接続となるため、個々の抵抗ごとに、抵抗値を
単独に測定することができない。
For example, a first conventional example (Japanese Patent Laid-Open No. 10-13)
2902, Japanese Patent No. 3072718), in the "testing method of an integrated circuit having a large number of I / O signals", data is exchanged between the internal logic circuit 2 as shown in FIG. Side selector 4c, BSCAN
(Boundary Scan) register 5a, Update latch 6a, selector 4a, and EN (Enable) side BSCAN
Register 5a, Update latch 6a, Selector 4b
A plurality of input / output (I / O) buffers 20 connected to
LSI external terminals T1 and T
A method of performing a test by short-circuiting 2, T3 (hereinafter abbreviated as bundling) and connecting this LSI external terminal to one of the signal terminals of an LSI tester (not shown) is described.
According to this method, as shown in FIG. 32, the I / O buffer 20 to which a pull-up (or pull-down) resistor R1 is added is added.
If the LSI external terminals T1, T2, T3 that are used are bundled, the pull-up resistors connected to each I / O buffer are connected in parallel, so the resistance value is measured individually for each resistor. I can't.

【0004】そのため、並列接続された抵抗群の測定値
から、個々の抵抗値を計算によって求める、代替(間
接)テストを行わなければならなくなる。仮に、このよ
うな代替テストでもよいとして、並列接続時の抵抗値か
ら規格値を再計算して判定を行おうとしても、束ねるべ
き抵抗の値と数とによっては、並列抵抗値が低くなるた
め、LSIテスタ側のインピーダンス値に近くなった場
合、安定な測定を行うことが困難になる。
Therefore, it is necessary to perform an alternative (indirect) test in which the individual resistance values are calculated from the measured values of the resistance groups connected in parallel. Even if such an alternative test is acceptable, even if an attempt is made to recalculate the standard value from the resistance value at the time of parallel connection to make a judgment, the parallel resistance value becomes low depending on the value and the number of resistors to be bundled. , When the impedance value on the LSI tester side is approached, it becomes difficult to perform stable measurement.

【0005】また、第2の従来例(特開2000−31
4765号公報)に開示されている「半導体集積回路装
置」においては、図33に示すように、プルアップ抵抗
R1を切り離すためのPchTr12をON/OFFす
るための、BSCANレジスタ5c,Updateラッ
チ6c,セレクタ24からなる回路をそれぞれ備えてい
るので、各プルアップ抵抗R1をそれぞれ単独にON/
OFFすることができ、従って、上述の第1の従来例に
開示された方法の問題点は解決されているが、テスト用
として、プルアップ抵抗をオン,オフする回路を具備し
ていない場合と比較すると、装置でのBSCANによる
テスト(=ボード試験)時に、テストパターンが長くな
るという問題がある。これは、ボード試験では、BSC
AN回路を用いて、LSI端子の値を設定したり、LS
I端子に設定されている値を観測したりするが、ボード
試験では、使用しない抵抗をオン,オフするためのBS
CANレジスタにもパターンをシフトするため、テスト
パターンが長くなるためである。
A second conventional example (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-31)
In the "semiconductor integrated circuit device" disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 4765), as shown in FIG. 33, a BSCAN register 5c, an Update latch 6c for turning on / off the PchTr12 for disconnecting the pull-up resistor R1, Since each circuit including the selector 24 is provided, each pull-up resistor R1 is individually turned on / off.
Therefore, although the problem of the method disclosed in the above-mentioned first conventional example has been solved, the case where a circuit for turning the pull-up resistor on and off is not provided for testing. In comparison, there is a problem that the test pattern becomes long during the test (= board test) by BSCAN in the device. This is the BSC in the board test.
Use the AN circuit to set the value of the LSI terminal and
The value set in the I terminal is observed, but in the board test, the BS for turning on / off the unused resistor
This is because the test pattern becomes long because the pattern is also shifted to the CAN register.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように従来のLS
Iのテスト回路及びテスト方法では、プルアップ抵抗の
値を個別に測定することができず、又は、測定時のテス
トパターンが長くなるという問題があった。
As described above, the conventional LS is used.
The test circuit and test method of I have a problem that the values of the pull-up resistors cannot be individually measured or the test pattern at the time of measurement becomes long.

【0007】この発明は上述の事情に鑑みてなされたも
のであって、多数の外部端子を有するLSIにおいて、
プルアップ/プルダウン抵抗の値をチエックするDCテ
ストを行う際に、複数の外部端子を束ねてテストを行っ
て、プルアップ/プルダウン抵抗値を個別に測定するこ
とができるとともに、測定時のテストパターンを長くす
る必要がない、LSIのDCテスト回路及び方法を提供
することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in an LSI having a large number of external terminals,
When performing a DC test to check the pull-up / pull-down resistance value, you can perform a test by bundling multiple external terminals and individually measure the pull-up / pull-down resistance value, as well as a test pattern during measurement. It is an object of the present invention to provide a DC test circuit and method for an LSI that does not need to be lengthened.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は半導体装置のDCテスト回路
に係り、バウンダリスキャン回路を介して内部論理回路
と外部端子との間に接続された複数のバッファを有する
半導体装置において、前記各外部端子に接続されたプル
アップ(又はプルダウン)抵抗の値を測定するために、
前記バウンダリスキャン回路の状態を所定の順序で切り
替えることによって、前記各バッファの論理値を前記プ
ルアップ(又はプルダウン)抵抗の測定に影響のない値
に設定するとともに、前記プルアップ(又はプルダウ
ン)抵抗を電源(又は接地)と接続し又は切り離すため
の制御素子を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値
を用いて、オン/オフ制御可能なように構成したことを
特徴としている。
In order to solve the above problems, the present invention relates to a DC test circuit of a semiconductor device, which is connected between an internal logic circuit and an external terminal via a boundary scan circuit. In a semiconductor device having a plurality of buffers, in order to measure the value of pull-up (or pull-down) resistance connected to each external terminal,
By switching the states of the boundary scan circuit in a predetermined order, the logical value of each buffer is set to a value that does not affect the measurement of the pull-up (or pull-down) resistance, and the pull-up (or pull-down) resistance is set. The control element for connecting or disconnecting the power supply (or ground) with the power supply (or ground) is configured to be on / off controllable by using a set value in the boundary scan circuit.

【0009】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入出力バッファ又は3ステート出力バッファであっ
て、前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バ
ウンダリスキャン回路におけるデータ側のアップデート
ラッチの論理値であることを特徴としている。
A second aspect of the present invention relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to the first aspect, wherein the buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is set. Is the logical value of the update latch on the data side in the boundary scan circuit.

【0010】また、請求項3記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入力バッファ又は2ステート出力バッファであって、
前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バウン
ダリスキャン回路におけるアップデートラッチの論理値
であることを特徴としている。
The invention according to claim 3 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input buffer or a two-state output buffer,
The set value in the boundary scan circuit is a logical value of an update latch in the boundary scan circuit.

【0011】また、請求項4記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入出力バッファ又は3ステート出力バッファであっ
て、前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バ
ウンダリスキャン回路におけるデータ側のバウンダリス
キャンレジスタの論理値であることを特徴としている。
Further, the invention according to claim 4 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is set. Is a logical value of the boundary scan register on the data side in the boundary scan circuit.

【0012】また、請求項5記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入力バッファ又は2ステート出力バッファであって、
前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バウン
ダリスキャン回路におけるバウンダリスキャンレジスタ
の論理値であることを特徴としている。
The invention according to claim 5 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input buffer or a two-state output buffer,
The set value in the boundary scan circuit is a logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit.

【0013】また、請求項6記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入出力バッファ又は3ステート出力バッファであっ
て、前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バ
ウンダリスキャン回路におけるイネーブル側のバウンダ
リスキャンレジスタの論理値の反転出力値であることを
特徴としている。
Further, the invention according to claim 6 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is set. Is an inverted output value of the logical value of the boundary scan register on the enable side in the boundary scan circuit.

【0014】また、請求項7記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入力バッファ又は2ステート出力バッファであって、
前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バウン
ダリスキャン回路におけるバウンダリスキャンレジスタ
の論理値の反転出力値であることを特徴としている。
The invention according to claim 7 relates to the DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input buffer or a two-state output buffer,
The set value in the boundary scan circuit is an inverted output value of the logical value of the boundary scan register in the boundary scan circuit.

【0015】また、請求項8記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入出力バッファ又は3ステート出力バッファであっ
て、前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バ
ウンダリスキャン回路におけるデータ側のアップデート
ラッチの出力を選択するセレクタの出力値であることを
特徴としている。
The invention according to claim 8 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is set. Is the output value of the selector that selects the output of the update latch on the data side in the boundary scan circuit.

【0016】また、請求項9記載の発明は、請求項1記
載の半導体装置のDCテスト回路に係り、前記バッファ
が入力バッファ又は2ステート出力バッファであって、
前記バウンダリスキャン回路内の設定値が、前記バウン
ダリスキャン回路におけるアップデートラッチの出力を
選択するセレクタの出力値であることを特徴としてい
る。
The invention according to claim 9 relates to the DC test circuit of the semiconductor device according to claim 1, wherein the buffer is an input buffer or a two-state output buffer,
The set value in the boundary scan circuit is an output value of a selector that selects the output of the update latch in the boundary scan circuit.

【0017】また、請求項10記載の発明は、半導体装
置のDCテスト方法に係り、バウンダリスキャン回路を
介して内部論理回路と外部端子との間に接続された複数
のバッファを有する半導体装置において、前記各外部端
子に接続されたプルアップ(又はプルダウン)抵抗の値
を測定する際に、前記バウンダリスキャン回路の状態を
所定の順序で切り替えることによって、前記各バッファ
の論理値を前記プルアップ(又はプルダウン)抵抗の測
定に影響のない値に設定するとともに、前記プルアップ
(又はプルダウン)抵抗を電源(又は接地)と接続し又
は切り離すための制御素子を、前記バウンダリスキャン
回路内の設定値を用いて、オン/オフ制御することを特
徴としている。
The invention according to claim 10 relates to a DC test method for a semiconductor device, wherein the semiconductor device has a plurality of buffers connected between an internal logic circuit and an external terminal via a boundary scan circuit, When measuring the value of the pull-up (or pull-down) resistance connected to each of the external terminals, by switching the states of the boundary scan circuit in a predetermined order, the logical value of each buffer is pulled up (or The pull-down resistance is set to a value that does not affect the measurement, and the control element for connecting or disconnecting the pull-up (or pull-down) resistance to the power supply (or ground) is set using the set value in the boundary scan circuit. It is characterized by performing on / off control.

【0018】また、請求項11記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入出力バッファ又は3ステート出力バッファであ
る場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるデータ
側のアップデートラッチの論理値を、前記バウンダリス
キャン回路内の設定値として用いることを特徴としてい
る。
The invention described in claim 11 is the same as claim 1.
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein when the buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, a logical value of an update latch on a data side in the boundary scan circuit is set in the boundary scan circuit. It is used as a value.

【0019】また、請求項12記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入力バッファ又は2ステート出力バッファである
場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるアップデ
ートラッチの論理値を、前記バウンダリスキャン回路内
の設定値として用いることを特徴としている。
The invention of claim 12 is the same as claim 1
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein, when the buffer is an input buffer or a two-state output buffer, a logical value of an update latch in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. Is characterized by.

【0020】また、請求項13記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入出力バッファ又は3ステート出力バッファであ
る場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるデータ
側のバウンダリスキャンレジスタの論理値を、前記バウ
ンダリスキャン回路内の設定値として用いることを特徴
としている。
The invention according to claim 13 is the same as claim 1.
0. In the semiconductor device DC test method according to 0, when the buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, the logical value of the boundary scan register on the data side in the boundary scan circuit is set to a value in the boundary scan circuit. The feature is that it is used as a set value.

【0021】また、請求項14記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入力バッファ又は2ステート出力バッファである
場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるバウンダ
リスキャンレジスタの論理値を、前記バウンダリスキャ
ン回路内の設定値として用いることを特徴としている。
The invention according to claim 14 is the same as claim 1.
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein, when the buffer is an input buffer or a two-state output buffer, a logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. It is characterized by that.

【0022】また、請求項15記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入出力バッファ又は3ステート出力バッファであ
る場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるイネー
ブル側のバウンダリスキャンレジスタの論理値の反転出
力値を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値として
用いることを特徴としている。
The invention of claim 15 is the same as claim 1
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein when the buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, an inverted output value of a logical value of a boundary scan register on the enable side in the boundary scan circuit is set to the boundary output value. It is characterized by being used as a set value in the scan circuit.

【0023】また、請求項16記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入力バッファ又は2ステート出力バッファである
場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるバウンダ
リスキャンレジスタの論理値の反転出力値を、前記バウ
ンダリスキャン回路内の設定値として用いることを特徴
としている。
The invention of claim 16 is the same as that of claim 1
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein, when the buffer is an input buffer or a 2-state output buffer, an inverted output value of a logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit is stored in the boundary scan circuit. The feature is that it is used as a set value.

【0024】また、請求項17記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入出力バッファ又は3ステート出力バッファであ
る場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるデータ
側のアップデートラッチの出力を選択するセレクタの出
力値を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値として
用いることを特徴としている。
The invention according to claim 17 is the same as claim 1.
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein when the buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, the output value of a selector that selects the output of the data side update latch in the boundary scan circuit is It is characterized by being used as a set value in the boundary scan circuit.

【0025】また、請求項18記載の発明は、請求項1
0記載の半導体装置のDCテスト方法に係り、前記バッ
ファが入力バッファ又は2ステート出力バッファである
場合に、前記バウンダリスキャン回路におけるアップデ
ートラッチの出力を選択するセレクタの出力値を、前記
バウンダリスキャン回路内の設定値として用いることを
特徴としている。
The invention according to claim 18 is the first aspect.
0. A semiconductor device DC test method according to 0, wherein when the buffer is an input buffer or a two-state output buffer, an output value of a selector for selecting an output of an update latch in the boundary scan circuit is set in the boundary scan circuit. It is characterized in that it is used as a set value of.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第1実施例 図1は、この発明の第1実施例のLSIのDCテスト回
路であって、外部端子が入出力端子である場合の構成を
示すブロック図、図2は、本実施例のLSIのDCテス
ト回路における、TAPの構成を示す回路図、図3は、
本実施例のLSIのDCテスト回路における、インスト
ラクション・デコーダの構成を示す回路図、図4は、T
AP回路のステート・ダイアグララムを示す図、図5
は、本実施例のLSIのDCテスト回路であって、3回
路のデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示す回
路図、図6は、本実施例のLSIのDCテスト回路の動
作を説明するフローチャート、図7は、本実施例のLS
IのDCテスト回路において、外部端子が入力端子であ
る場合の構成を示す回路図、図8は、本実施例のLSI
のDCテスト回路における、1回路のデータ入力回路の
構成を示す図、図9は、本実施例のLSIのDCテスト
回路において、外部端子が3ステート出力バッファであ
る場合の構成を示す回路図、図10は、本実施例のLS
IのDCテスト回路における、1回路の3ステートデー
タ出力回路の構成を示す図、図11は、本実施例のLS
IのDCテスト回路において、外部端子が2ステート出
力バッファである場合の構成を示す回路図、図12は、
本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回路の
2ステートデータ出力回路の構成を示す図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The description will be specifically made using the embodiments. First Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a DC test circuit for an LSI according to the first embodiment of the present invention, in which the external terminals are input / output terminals, and FIG. FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the TAP in the DC test circuit of the LSI.
FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of the instruction decoder in the DC test circuit of the LSI of this embodiment.
A diagram showing a state diagram of the AP circuit, FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a state in which the external terminals of three data input / output circuits are bundled in the LSI DC test circuit of the present embodiment. FIG. 6 shows the operation of the LSI DC test circuit of the present embodiment. FIG. 7 is a flowchart for explaining the LS of this embodiment.
In the DC test circuit of I, the circuit diagram showing the configuration in the case where the external terminal is the input terminal is shown in FIG.
FIG. 9 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit of FIG. 9, and FIG. 9 is a circuit diagram showing the configuration when the external terminal is a 3-state output buffer in the DC test circuit of the LSI of the present embodiment, FIG. 10 shows the LS of this embodiment.
FIG. 11 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit of I, and FIG. 11 is an LS of the present embodiment.
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of the DC test circuit of I when the external terminal is a 2-state output buffer.
It is a figure which shows the structure of one 2-state data output circuit in the DC test circuit of LSI of a present Example.

【0027】図1に示されたこの例のLSIのDCテス
ト回路は、外部端子が入出力(I/O)端子である場合
を示したものであって、LSI基板101上に、所望の
機能を実現する内部論理回路102と、データ入出力回
路111a,111b,111cとを有する場合を例示
している。
The DC test circuit of the LSI of this example shown in FIG. 1 shows a case where the external terminal is an input / output (I / O) terminal, and a desired function is provided on the LSI substrate 101. The case where the internal logic circuit 102 for realizing the above and the data input / output circuits 111a, 111b, and 111c are included is illustrated.

【0028】第1のデータ入出力回路111aは、内部
論理回路102とLSI外部との論理信号のやりとりを
行う入出力(I/O)バッファ200と、一端をI/O
バッファ200の出力端に接続されたプルアップ抵抗2
10と、プルアップ抵抗210の他端と電源との接続を
ON/OFFするPchトランジスタ(Tr)212
と、PchTr212をON/OFFする信号を切り替
えるための、一方の入力を "0”(=GND)に接続さ
れ、他方の入力をデータ側のアップデート(Updat
e)ラッチ16aの出力に接続されたセレクタ214
と、バウンダリスキャン(BSCAN)回路のデータ側
BSCANレジスタ15aと、BSCANレジスタ15
aの出力状態を保持するためのUpdateラッチ16
aとを設けた概略構成を有している。I/Oバッファ2
00の出力端Aが接続されるLSI外部端子OT1は、
LSI基板101の外部のLSIテスタ(不図示)、又
は、LSI基板101とLSIテスタ信号端子とを接続
する治具(不図示)によって、他の外部端子どうしと短
絡され(束ねられ)ている。
The first data input / output circuit 111a is an input / output (I / O) buffer 200 for exchanging logic signals between the internal logic circuit 102 and the outside of the LSI, and one end is an I / O.
Pull-up resistor 2 connected to the output terminal of buffer 200
10 and a Pch transistor (Tr) 212 for turning on / off the connection between the other end of the pull-up resistor 210 and the power supply.
, And one input for switching the signal for turning ON / OFF the PchTr212 is connected to "0" (= GND), and the other input is updated on the data side (Updat).
e) Selector 214 connected to the output of latch 16a
And a data side BSCAN register 15a of the boundary scan (BSCAN) circuit and a BSCAN register 15
Update latch 16 for holding the output state of a
It has a schematic configuration in which a and a are provided. I / O buffer 2
The LSI external terminal OT1 to which the output terminal A of 00 is connected is
It is short-circuited (bundled) with other external terminals by an LSI tester (not shown) outside the LSI substrate 101 or a jig (not shown) that connects the LSI substrate 101 and the LSI tester signal terminal.

【0029】さらに、I/Oバッファ200とBSCA
N回路との接続は、次のようになっている。第1のI/
Oバッファ200は、その双方向外部端子Aにプルアッ
プ抵抗210の一端が接続され、データ入力Bにセレク
タ14aの出力が接続され、イネーブル(EN)入力C
にノア(NOR)回路17の出力が接続され、データ出
力Dに内部論理回路102の入力NO2とセレクタ14
cの切り替え入力値が "0”の選択入力が接続されてい
る。プルアップ抵抗210は、その一端がI/Oバッフ
ァ200の双方向外部端子Aに接続され、他端がPch
Tr212のドレインに接続されている。
Further, the I / O buffer 200 and the BSCA
The connection with the N circuit is as follows. First I /
In the O buffer 200, one end of the pull-up resistor 210 is connected to the bidirectional external terminal A, the output of the selector 14a is connected to the data input B, and the enable (EN) input C is connected.
Is connected to the output of the NOR circuit 17, and the data output D is connected to the input NO2 of the internal logic circuit 102 and the selector 14
The selection input whose switching input value of c is "0" is connected. The pull-up resistor 210 has one end connected to the bidirectional external terminal A of the I / O buffer 200 and the other end Pch.
It is connected to the drain of Tr212.

【0030】セレクタ214は、切り替え入力値が "
0”の選択入力に "0”(=GND)が接続され、 "
1”の選択入力にデータ側Updateラッチ16aの
出力が接続され、切り替え入力にTAP(Test Access
Port)回路10のDC TEST制御信号MODE
が接続され、出力をプルアップ抵抗212の接続をON
/OFFするためのPchTr212のゲートに接続さ
れている。PchTr212は、ゲートにセレクタ21
4の出力が接続され、ソースに電源(=VDD)が接続
され、ドレインにプルアップ抵抗210の他端が接続さ
れている。アンド(AND)ゲート18は、一方の入力
(論理反転)にTAP回路10のBSCAN制御信号M
ODE1が接続され、他方の入力にセレクタ14bの出
力が接続され、出力がセレクタ14cの切り替え入力に
接続されている。
The selector 214 has a switching input value of "
"0" (= GND) is connected to the selection input of 0 ",
The output of the update latch 16a on the data side is connected to the selection input of "1", and the switching input has TAP (Test Access
Port) DC of circuit 10 TEST control signal MODE R
Is connected, the output is pulled up, and the connection of the resistor 212 is turned on.
It is connected to the gate of PchTr212 for turning on / off. The PchTr 212 has a selector 21 at the gate.
4 is connected, the power source (= VDD) is connected to the source, and the other end of the pull-up resistor 210 is connected to the drain. The AND gate 18 has one input (logical inversion) for the BSCAN control signal M of the TAP circuit 10.
The ODE1 is connected, the output of the selector 14b is connected to the other input, and the output is connected to the switching input of the selector 14c.

【0031】セレクタ14aは、切り替え入力値が "
0”の選択入力に内部論理回路102の出力HO1が接
続され、 "1”の選択入力にデータ側Updateラッ
チ16aの出力が接続され、切り替え入力に、TAP回
路10のBSCAN制御信号MODE1が接続されてい
る。セレクタ14bは、切り替え入力値が "0”の選択
入力に内部論理回路102の出力HO3が接続され、 "
1”の選択入力に、イネーブル(EN)側Update
ラッチ16bの出力が接続され、切り替え入力にTAP
回路10のBSCAN制御信号MODE1が接続されて
いる。
In the selector 14a, the switching input value is "
The output HO1 of the internal logic circuit 102 is connected to the selection input of "0", the output of the data side Update latch 16a is connected to the selection input of "1", and the BSCAN control signal MODE1 of the TAP circuit 10 is connected to the switching input. In the selector 14b, the output HO3 of the internal logic circuit 102 is connected to the selection input whose switching input value is "0",
Enable (EN) side Update for 1 ”selection input
The output of the latch 16b is connected, and the switching input is TAP
The BSCAN control signal MODE1 of the circuit 10 is connected.

【0032】NORゲート17は、一方の入力(論理反
転)にセレクタ14bの出力が接続され、他方の入力に
TAP回路10のBSCAN制御信号MODE2が接続
され、出力がI/Oバッファ200のEN端子Cに接続
されている。セレクタ14cは、切り替え入力値が "
0”の選択入力にI/Oバッファ200のデータ出力D
が接続され、 "1”の選択入力にセレクタ14aの出力
が接続され、切り替え入力にANDゲート18の出力が
接続されている。
In the NOR gate 17, one input (logical inversion) is connected to the output of the selector 14b, the other input is connected to the BSCAN control signal MODE2 of the TAP circuit 10, and the output is the EN terminal of the I / O buffer 200. It is connected to C. The selector 14c has a switching input value of "
Data output D of I / O buffer 200 for selection input of 0 "
, The output of the selector 14a is connected to the selection input of "1", and the output of the AND gate 18 is connected to the switching input.

【0033】データ側BSCANレジスタ15aは、P
IN入力にセレクタ14cの出力が接続され、SFDR
入力にTAP回路10のBSCAN制御信号SFDRが
接続され、CLKDR入力にTAP回路10のBSCA
N制御信号CLKDRが接続され、POUT出力がデー
タ側Updateラッチ16aのデータ入力に接続さ
れ、BSIN入力にEN側BSCANレジスタ15bの
BSOUTが接続され、BSOUT出力がTAP回路1
0のBS SINに接続されている。
The data side BSCAN register 15a is set to P
The output of the selector 14c is connected to the IN input, and SFDR
The BSCAN control signal SFDR of the TAP circuit 10 is connected to the input, and the BSCA of the TAP circuit 10 is connected to the CLKDR input.
The N control signal CLKDR is connected, the POUT output is connected to the data input of the data side Update latch 16a, the BSIN input is connected to the BSOUT of the EN side BSCAN register 15b, and the BSOUT output is the TAP circuit 1
BS of 0 Connected to SIN.

【0034】EN側BSCANレジスタ15bは、PI
N入力に内部論理回路102の出力HO3が接続され、
SFDR入力にTAP回路10のBSCAN制御信号S
FDRが接続され、CLKDR入力にTAP回路10の
BSCAN制御信号CLKDRが接続され、POUT出
力がEN側Updateラッチ16bのデータ入力に接
続され、BSIN入力に第2のデータ入出力回路111
bのBSOUTが接続され、BSOUT出力がデータ側
BSCANレジスタ15bのBSINに接続されてい
る。
The EN side BSCAN register 15b is a PI
The output HO3 of the internal logic circuit 102 is connected to the N input,
The BSCAN control signal S of the TAP circuit 10 is input to the SFDR input.
The FDR is connected, the BSCAN control signal CLKDR of the TAP circuit 10 is connected to the CLKDR input, the POUT output is connected to the data input of the EN side Update latch 16b, and the second data input / output circuit 111 is connected to the BSIN input.
BSOUT of b is connected, and BSOUT output is connected to BSIN of the data side BSCAN register 15b.

【0035】データ側Updateラッチ16aは、デ
ータ入力にデータ側BSCANレジスタ15aのPOU
T出力が接続され、クロック入力(G=UPDDR)に
TAP回路10のUPDDRが接続され、出力をセレク
タ14aの切り替え入力値が"1”の選択入力に接続さ
れている。EN側Updateラッチ16bは、データ
入力にEN側BSCANレジスタ15bのPOUT出力
が接続され、クロック入力(G=UPDDR)にTAP
回路10のUPDDRが接続され、出力をセレクタ14
bの切り替え入力値が "1”の選択入力に接続されてい
る。
The data-side Update latch 16a receives the POU of the data-side BSCAN register 15a for data input.
The T output is connected, the clock input (G = UPDDR) is connected to the UPDDR of the TAP circuit 10, and the output is connected to the switching input value of the selector 14a whose selection input value is "1". The EN side Update latch 16b has a data input connected to the POUT output of the EN side BSCAN register 15b, and a TAP input to a clock input (G = UPDDR).
The UPDDR of the circuit 10 is connected to the output of the selector 14
The switching input value of b is connected to the selection input of "1".

【0036】第2のデータ入出力回路111bに関連す
る回路は、データ側BSCANレジスタ15aは、BS
OUTを第1のデータ入出力回路111aのEN側BS
CANレジスタ15bのBSINに接続され、EN側B
SCANレジスタ15bは、BSINに第3のデータ入
出力回路111cのBSOUTが接続され、I/Oバッ
ファ200の双方向外部端子AがLSI外部端子OT2
に接続されているが、それ以外は、第1のデータ入出力
回路111aと同様に接続されている。第3のデータ入
出力回路111cに関連する回路は、データ側BSCA
Nレジスタ15aは、BSOUTを第2のデータ入出力
回路111bのEN側BSCANレジスタ15bのBS
INに接続され、EN側BSCANレジスタ15bは、
BSINにTAP回路10のBS OUTが接続され、
I/Oバッファ200の双方向外部端子AがLSI外部
端子OT3に接続されているが、それ以外は、第1のデ
ータ入出力回路111aと同様に接続されている。
The circuit related to the second data input / output circuit 111b is such that the data side BSCAN register 15a is BS
OUT is a BS on the EN side of the first data input / output circuit 111a.
Connected to BSIN of CAN register 15b, EN side B
In the SCAN register 15b, BSIN of the third data input / output circuit 111c is connected to BSIN, and the bidirectional external terminal A of the I / O buffer 200 is the LSI external terminal OT2.
Other than that, it is connected similarly to the first data input / output circuit 111a. The circuit related to the third data input / output circuit 111c is a data side BSCA.
The N register 15a uses BSOUT as the BS of the EN side BSCAN register 15b of the second data input / output circuit 111b.
Connected to IN, the EN side BSCAN register 15b is
BSIN of TAP circuit 10 to BSIN OUT is connected,
The bidirectional external terminal A of the I / O buffer 200 is connected to the LSI external terminal OT3, but other than that, it is connected similarly to the first data input / output circuit 111a.

【0037】図2,図3は、IEEE1149.1によ
って定義されているBSCAN回路のTAP回路におい
て、この例のDCテストモードのためにMODE R信
号を追加した場合の回路構成を示すブロック図であっ
て、図2(a)は、TAP回路10のシンボル、図2
(b)は、TAP回路10の回路図、図3(a)は、イ
ンストラクション・デコーダ11のシンボル、図3
(b)は、インストラクション・デコーダ11の回路
図、図3(c)は、インストラクション・デコーダの真
理値表をそれぞれ示している。図4は、IEEE114
9.1によって定義されているBSCAN回路のTAP
回路における、状態の遷移を示すステート・ダイアグラ
ムを示したものである。
2 and 3 are MODEs for the DC test mode of this example in the TAP circuit of the BSCAN circuit defined by IEEE1149.1. 2 is a block diagram showing a circuit configuration when an R signal is added, and FIG. 2A is a symbol of the TAP circuit 10, and FIG.
3B is a circuit diagram of the TAP circuit 10, FIG. 3A is a symbol of the instruction decoder 11, and FIG.
3B is a circuit diagram of the instruction decoder 11, and FIG. 3C is a truth table of the instruction decoder. FIG. 4 shows the IEEE114.
TAP of BSCAN circuit as defined by 9.1
3 is a state diagram showing state transitions in a circuit.

【0038】TAP回路10は、BSCAN回路の状態
遷移をコントロールするためのステート・マシーンであ
って、TCKとTMSの2つの信号に応答して、図4に
示すステート・ダイアグラムを遷移することによって、
BSCAN回路にテストとコントロールの信号を送出す
る。TCK(Test Clock Input)は、すべてのテスト・
オペレーションとスキャン・オペレーションのクロッキ
ングを行うクロック信号である。TMS(Test Mode Se
lect Input)は、テストモードを選択するためのコント
ロール信号である。TDI(Test Data Input )は、テ
ストデータの入力であって、シリアルなシフト・データ
からなっている。TDO(Test Data Output)は、テス
トデータの出力であって、シリアルなシフト・データか
らなっている。TRST(Test ResetInput)は、TA
P回路10を非同期にリセットするための信号である。
The TAP circuit 10 is a state machine for controlling the state transition of the BSCAN circuit, and in response to the two signals of TCK and TMS, it transits the state diagram shown in FIG.
Send test and control signals to the BSCAN circuit. TCK (Test Clock Input) is for all test
This is a clock signal for clocking operation and scan operation. TMS (Test Mode Se
lect Input) is a control signal for selecting the test mode. TDI (Test Data Input) is an input of test data and is composed of serial shift data. TDO (Test Data Output) is an output of test data and is composed of serial shift data. TRST (Test ResetInput) is TA
This is a signal for asynchronously resetting the P circuit 10.

【0039】また、CLKDR(Clock DR) は、BSC
AN回路に対するクロック信号であって、TCKに対応
し、TCKと同様に変化する。UPDDR(Update DR
)は、シフト・オペレーションの間、BSCAN回路
内のラッチを現在の状態のまま保持する。SFDR(Sh
ift DR) は、BSCAN回路内のレジスタに対するデー
タのロードとシフト・サイクルをコントロールする。E
N(Enable)は、TDOのトライステート出力バッファ
をコントロールする。BSCAN制御信号MODE1,
MODE2と、DC TEST制御信号MODE Rと
は、図3に示す、インストラクション・デコーダ11に
よって、テストモードに応じて設定される。
CLKDR (Clock DR) is the BSC
A clock signal for the AN circuit, which corresponds to TCK and changes in the same manner as TCK. UPDDR (Update DR
) Holds the latch in the BSCAN circuit in its current state during the shift operation. SFDR (Sh
ift DR) controls the loading and shifting cycles of data to the registers in the BSCAN circuit. E
N (Enable) controls the tri-state output buffer of TDO. BSCAN control signal MODE1,
MODE2 and DC TEST control signal MODE R is set according to the test mode by the instruction decoder 11 shown in FIG.

【0040】図4に示すステート・ダイアグラムにおい
て、本発明が関連するのは、Select DR Sc
anと、Capture DRと、Shift DR
と、Exit1 DRと、Updatr DRである。
各ステート間の遷移は、TMSの "H”, "L”の状態
に応じて生じる。Select DR Scanにおい
ては、特定のファンクションが実行されることはなく、
次のTCKサイクルで次の状態に遷移する。Captu
re DRにおいては、選択されたレジスタがパラレル
入力を持っていれば、データはレジスタにキャプチャさ
れるが、レジスタがパラレル入力を持っていない場合、
または選択されたテストがキャプチャリングを要求しな
い場合は、レジスタの状態は変化しない。Shift
DRにおいては、データは選択されたレジスタを経てT
DIからTDOにシリアルにシフトされる。Exit1
DRにおいては、シフティング・プロセスが終了す
る。Updatr DRにおいては、選択されたレジス
タがパラレル出力を持っていれば、この状態の間にデー
タはアップデートされ、レジスタはそのままの状態を保
持する。
In the state diagram shown in FIG. 4, the present invention is concerned with Select. DR Sc
an and Capture DR and Shift DR
And Exit1 DR and Updatr It is DR.
The transition between the states occurs according to the "H" and "L" states of TMS. Select DR In Scan, a specific function is never executed,
Transition to the next state at the next TCK cycle. Captu
re In DR, if the selected register has a parallel input, the data is captured in the register, but if the register does not have a parallel input,
Or if the selected test does not require capturing, the register state does not change. Shift
In DR, the data passes through the selected register to T
Serially shifted from DI to TDO. Exit1
In DR, the shifting process ends. Updatr In DR, if the selected register has a parallel output, the data is updated during this state and the register retains its state.

【0041】図5は、この例の動作説明のため、3回路
のデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示したも
のであって、図1に示された回路図から、各データ入出
力回路のBSCAN回路のNORゲート17,ANDゲ
ート18と、各制御信号SFDR,CLKDR,UPD
DR,MODE R,MODE1,MODE2を省略し
て示したものである。なお、以下において、各BSCA
Nレジスタにおける "X”は "1”又は "0”の値をと
ることを示し、各Updateラッチにおける "1”又
は "0”は、DCテスト時、保持する値を示している。
図6は、この例におけるLSIの動作をフローチャート
によって示したものである。
For explaining the operation of this example, FIG. 5 shows a state in which the external terminals of the three data input / output circuits are bundled. From the circuit diagram shown in FIG. NOR gate 17 and AND gate 18 of the BSCAN circuit of the output circuit and respective control signals SFDR, CLKDR, UPD
DR, MODE R, MODE1 and MODE2 are omitted. In the following, each BSCA
"X" in the N register indicates that it takes a value of "1" or "0", and "1" or "0" in each Update latch indicates a value held during the DC test.
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the LSI in this example.

【0042】以下、図1乃至図6を参照して、この例の
場合の動作について説明する。まず、多数のI/O端子
を有するDCテスト回路における、DCテストモードの
設定について説明する。なお、BSCAN動作(TAP
回路の動作遷移=モード変更を含む)については、IE
EE1149.1に定義されており、さらに当業者にと
って周知の事項なので、その詳細については省略する。
The operation of this example will be described below with reference to FIGS. First, the setting of the DC test mode in the DC test circuit having many I / O terminals will be described. In addition, BSCAN operation (TAP
IE for the circuit operation transition = including mode change)
Since it is defined in EE1149.1 and is well known to those skilled in the art, its details are omitted.

【0043】最初、図6の400に示すように、BSC
ANのモード設定の動作で、DC TESTモードに設定
する。図3(c)に示すように、DC TESTモード
では、BSCAN制御信号MODE1=1,MODE2
=0、DC TEST制御信号MODE R=1とな
る。そのため、図5に示すI/Oバッファ200のBS
CAN回路は、データ側,EN側とも、それぞれUpd
ateラッチ16a,16bの値で、I/Oバッファの
論理値が決定し、さらに、PchTr212のON/O
FFは、データ側Updateラッチ16aの値によっ
て決定する。
First, as shown at 400 in FIG. 6, the BSC
DC in the mode setting operation of AN Set to TEST mode
To do. As shown in FIG. 3C, DC TEST mode
Then, the BSCAN control signals MODE1 = 1 and MODE2
= 0, DC TEST control signal MODE R = 1
It Therefore, the BS of the I / O buffer 200 shown in FIG.
The CAN circuit has Upd on both the data side and the EN side.
The values of the ate latches 16a and 16b indicate the I / O buffer
The logical value is determined, and the PchTr212 is turned ON / O.
FF depends on the value of the data side Update latch 16a.
To decide.

【0044】次に、BSCANのモード設定の動作によ
って、Shift DRモードに設定し(図6の40
1)、Shift DR動作で、TDIからBSCAN
レジスタに値をシフト入力する。このとき、図6の40
2の判定NOによって、初期状態として、すべてのI/
Oバッファ200が入力モードになるように、EN側の
BSCANレジスタ15bに値 "0”を設定し、さら
に、すべてのデータ側BSCANレジスタ15aにPc
hTr212がOFFとなる値 "1”を設定する(図6
の403)。すなわち、すべてのデータ側のBSCAN
レジスタに "1”を、EN側のBSCANレジスタに "
0”をシフト入力する。なお、以降においては、I/O
バッファ(及び後述する3st出力バッファ)は、 "
0”で入力モード、出力値Z(Hi−Z=ハイインピー
ダンス:以降、Zと称す)に設定されるものとする。
Next, by the operation of mode setting of BSCAN, Shift Set to DR mode (40
1), Shift DR operation, TDI to BSCAN
Shift the value into the register. At this time, 40 in FIG.
By the judgment NO of 2, all I /
A value "0" is set in the BSCAN register 15b on the EN side so that the O buffer 200 is in the input mode, and Pc is set in all the BSCAN registers 15a on the data side.
Set the value "1" to turn off hTr212 (Fig. 6
403). That is, BSCAN on all data sides
Set "1" to the register and "1" to the BSCAN register on the EN side.
0 "is shifted and input. In the following, I / O will be performed.
The buffer (and the 3rd output buffer described later) is "
It is assumed that the input mode and the output value Z (Hi-Z = high impedance: hereinafter referred to as Z) are set to 0 ".

【0045】シフト入力(Shift DR)が完了し
たとき、Shift DR→Exit1 DR→Upd
ate DRの順に、TAPのモードを切り替えて(図
6の405)、Update DRの動作によって、B
SCANレジスタ15aの値をUpdateラッチ16
aに取り込む(図6の406)。これによって、すべて
のI/Oバッファ200は入力モードに設定され、かつ
PchTr212がOFFのため、プルアップ抵抗21
0は切り離された状態となる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upd
ate The mode of TAP is switched in the order of DR (405 in FIG. 6), and Update is performed. By the operation of DR, B
The value of the SCAN register 15a is updated by the update latch 16
It is taken into a (406 of FIG. 6). As a result, all the I / O buffers 200 are set to the input mode, and the PchTr 212 is turned off.
0 is in a separated state.

【0046】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順に、TAPのモードを切り替えて(図6の40
7、図6の408の判定NO、図6の402の判定YE
S)、EN側のBSCANレジスタ15bをすべて "
0”とし、データ側BSCANレジスタ15aは、第1
のデータ入出力回路111aのみ "0”で、他は "1”
をシフト入力する(図6の404)。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Switching the TAP mode in the order of DR (40 in FIG. 6)
7, determination NO of 408 in FIG. 6, determination YE of 402 in FIG.
S), EN side BSCAN register 15b all "
0 "and the data side BSCAN register 15a is set to the first
Data input / output circuit 111a is "0", other is "1"
Is shifted in (404 in FIG. 6).

【0047】シフト入力(Shift DR)が完了し
たら、Shift DR→Exit1 DR→Upda
te DRの順に、TAPのモードを切り替えて(図6
の405)、Update DRの動作によって、BS
CANレジスタ15aの値を、Updateラッチ16
aに取り込む(図6の406)。これによって、すべて
のI/Oバッファ200は入力モードであって、第1の
I/Oバッファ200のプルアップ抵抗210のみが接
続された状態となる。この状態で、従来の手法を用い
て、プルアップ抵抗の値を測定することによって、第1
のI/Oバッファ200のプルアップ抵抗212の良/
不良の判定を行うことができる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upda
te Switch the TAP mode in the order of DR (see FIG. 6).
405), Update By the operation of DR, BS
The value of the CAN register 15a is changed to the Update latch 16
It is taken into a (406 of FIG. 6). As a result, all the I / O buffers 200 are in the input mode and only the pull-up resistor 210 of the first I / O buffer 200 is connected. In this state, the value of the pull-up resistor is measured by the conventional method to
Of the pull-up resistor 212 of the I / O buffer 200 of
Defects can be determined.

【0048】同様に、Update DR→Selec
DR scan→Capture DR→Shif
DRの順に、TAPのモードを切り替え(図6の4
07、図6の408の判定NO、図6の402の判定Y
ES)、EN側のBSCANレジスタ15をすべて "
0”とし、データ側BSCANレジスタ15は、第2の
データ入出力回路111bのみ "0”として、他は "
1”をシフト入力する(図2の404)。シフト入力
(Shift DR)が完了したら、Shift DR
→Exit1 DR→Update DRの順にTAP
のモードを切り替え(図2の405)、Update
DRの動作でBSCANレジスタ15aの値を、Upd
ateラッチ16aに取り込む(図2の406)。これ
によって、すべてのI/Oバッファ200は入力モード
となり、さらに第2のI/Oバッファ200のプルアッ
プ抵抗210のみ接続された状態になるので、この状態
で従来の手法を用いて、プルアップ抵抗の値を測定すれ
ば、第2のI/Oバッファ200のプルアップ抵抗21
0の良/不良の判定を行うことができる。
Similarly, Update DR → Selec
t DR scan → Capture DR → Shif
t The TAP mode is switched in the order of DR (4 in FIG. 6).
07, judgment 408 of FIG. 6, judgment Y of 402 of FIG.
ES), all of the EN side BSCAN register 15 "
0 ", the data side BSCAN register 15 is set to" 0 "only for the second data input / output circuit 111b, and the other is set to" 0 ".
1 "is shift input (404 in FIG. 2). Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR
→ Exit1 DR → Update TAP in the order of DR
Switch the mode (405 in Fig. 2), Update
The value of the BSCAN register 15a is changed to Upd by the DR operation.
It is taken into the ate latch 16a (406 in FIG. 2). As a result, all the I / O buffers 200 are set to the input mode, and only the pull-up resistor 210 of the second I / O buffer 200 is connected. Therefore, in this state, the pull-up resistor 210 is used to pull-up. If the resistance value is measured, the pull-up resistor 21 of the second I / O buffer 200
It is possible to make a judgment of good / bad of 0.

【0049】さらに同様の手順で、第3のI/Oバッフ
ァ200のプルアップ抵抗210の抵抗値も測定するこ
とができる。
The resistance value of the pull-up resistor 210 of the third I / O buffer 200 can also be measured by the same procedure.

【0050】この例のLSIのDCテスト回路は、外部
端子が入出力(I/O)端子である場合に限らず、外部
端子が入力端子であって、入出力バッファの代わりに入
力バッファを有する場合にも適用できる。以下、この場
合の例について説明する。図7に示されたこの例のLS
IのDCテスト回路は、外部端子が入力端子である場合
を示したものであって、LSI基板101上に、所望の
機能を実現する内部論理回路102と、データ入力回路
112a,112b,112cとを有する場合を例示し
ている。
The DC test circuit of the LSI of this example is not limited to the case where the external terminal is an input / output (I / O) terminal, but the external terminal is an input terminal and has an input buffer instead of the input / output buffer. It can also be applied in cases. Hereinafter, an example in this case will be described. The LS of this example shown in FIG.
The DC test circuit of I shows a case where the external terminal is an input terminal, and an internal logic circuit 102 that realizes a desired function and data input circuits 112a, 112b, and 112c are provided on the LSI substrate 101. It illustrates the case of having.

【0051】図7においては、図1に示された外部端子
が入出力端子である場合と比べて、各データ入力回路に
おいて、EN側のBSCANレジスタ,Updateラ
ッチと、セレクタ14a,14b及びNORゲート1
7,ANDゲート18を欠き、さらに、入力バッファ2
01の出力が直接、BSCANレジスタ15に入力さ
れ、セレクタ14dの出力NO1が単独に内部論理回路
102に接続されているとともに、前段のデータ入力回
路のBSOUT出力が、直接、次段のデータ入力回路の
BSINに接続されている点が異なっている。
In FIG. 7, as compared with the case where the external terminal shown in FIG. 1 is an input / output terminal, in each data input circuit, the EN side BSCAN register, the Update latch, the selectors 14a, 14b, and the NOR gate. 1
7, AND gate 18 is omitted, and further, input buffer 2
The output of 01 is directly input to the BSCAN register 15, the output NO1 of the selector 14d is independently connected to the internal logic circuit 102, and the BSOUT output of the data input circuit of the previous stage is directly input to the data input circuit of the next stage. The difference is that it is connected to BSIN of.

【0052】図8は、図7に示されたLSIのDCテス
ト回路における、1回路のデータ入力回路の構成を示し
たものである。以下、図8に示す部分回路を参照して、
この例の場合のLSIのDCテスト回路の動作を説明す
る。
FIG. 8 shows the configuration of one data input circuit in the DC test circuit of the LSI shown in FIG. Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG.
The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described.

【0053】図7に示すように、各入力バッファ201
が、図5に示すI/Oバッファ200の場合と同様に、
LSIテスタ側で束ねられていた場合には、すべての入
力バッファ201のBSCANレジスタに "1”をシフ
ト入力する。シフト入力(Shift DR)が完了し
たら、Shift DR→Exiit1 DR→Upd
ate DRの順にTAPのモードを切り替え、Upd
ate DRの動作によって、BSCANレジスタ15
の値をUpdateラッチ16に取り込む。これによっ
て、すべての入力バッファ201において、PchTr
212がOFFなので、プルアップ抵抗210が切り離
された状態になる。
As shown in FIG. 7, each input buffer 201
As in the case of the I / O buffer 200 shown in FIG.
When bundled on the LSI tester side, "1" is shift-input to the BSCAN registers of all input buffers 201. Shift input (Shift DR) is completed, Shift DR → Exit 1 DR → Upd
ate TAP mode is switched in the order of DR, Upd
ate Depending on the operation of DR, the BSCAN register 15
The value of is fetched into the Update latch 16. As a result, in all input buffers 201, PchTr
Since 212 is OFF, the pull-up resistor 210 is disconnected.

【0054】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替え、各BSCANレ
ジスタ15に対して、第1のデータ入力回路112aの
み "0”をシフト入力し、他のデータ入力回路には "
1”をシフト入力して、シフト入力(Shift
R)が完了したら、Shift DR→Exiit1
DR→Update DRの順にTAPのモードを切り
替え、Update DRの動作によって、BSCAN
レジスタ15の値をUpdateラッチ16に取り込
む。これによって、第1の入力バッファ201のプルア
ップ抵抗210のみ接続された状態になるので、この状
態で、従来の手法によって、プルアップ抵抗の値を測定
すれば、第1の入力バッファ201のプルアップ抵抗2
10の良/不良の判定を行うことができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
The mode of TAP is switched in the order of DR and each BSCAN record is
For the register 15, the first data input circuit 112a
Only shift "0" to other data input circuit.
1 "shift input, shift input (Shift D
When R) is completed, Shift DR → Exit 1
DR → Update Turn off TAP mode in the order of DR
Change, Update By the operation of DR, BSCAN
The value of register 15 is fetched to Update latch 16
Mu. This allows the puller of the first input buffer 201 to
This is because only the resistor 210 is connected.
Then, measure the value of the pull-up resistance by the conventional method.
The pull-up resistor 2 of the first input buffer 201.
Ten good / bad judgments can be made.

【0055】同様の手順で、第2の入力バッファ,第3
の入力バッファのプルアップ抵抗210の抵抗値も測定
することができる。
In the same procedure, the second input buffer, the third
The resistance value of the pull-up resistor 210 of the input buffer can also be measured.

【0056】この例のLSIのDCテスト回路は、外部
端子が入出力端子である場合に限らず、外部端子が出力
端子であって、入出力バッファの代わりに出力バッファ
を有する場合にも適用できる。以下、この場合の例につ
いて説明する。
The DC test circuit of the LSI of this example can be applied not only when the external terminal is an input / output terminal but also when the external terminal is an output terminal and has an output buffer instead of the input / output buffer. . Hereinafter, an example in this case will be described.

【0057】図9に示されたこの例のLSIのDCテス
ト回路は、外部端子が出力端子である場合を示したもの
であって、LSI基板101上に、所望の機能を実現す
る内部論理回路102と、3ステート(st)データ出
力回路114a,114b,114cとを有する場合を
例示している。
The DC test circuit of the LSI of this example shown in FIG. 9 shows a case where the external terminal is an output terminal, and an internal logic circuit for realizing a desired function is provided on the LSI substrate 101. 10 illustrates a case where it has 102 and three-state (st) data output circuits 114a, 114b, 114c.

【0058】図9においては、図1に示された外部端子
が入出力端子である場合と比べて、各3stデータ出力
回路において、ANDゲート18を欠き、EN側BSC
ANレジスタ15bのBSOUT出力が、直接、BSI
Nとしてデータ側のBSCANレジスタ15aに入力さ
れている点が異なっている。
In FIG. 9, compared with the case where the external terminal shown in FIG. 1 is an input / output terminal, the AND gate 18 is omitted in each 3st data output circuit, and the EN side BSC is omitted.
The BSOUT output of the AN register 15b is directly connected to BSI.
The difference is that N is input to the BSCAN register 15a on the data side.

【0059】図10は、図9に示されたLSIのDCテ
スト回路における、1回路の3ステート(st)データ
出力回路の構成を示したものである。以下、図10に示
す部分回路を参照して、この例の場合のLSIのDCテ
スト回路の動作を説明する。
FIG. 10 shows the configuration of one 3-state (st) data output circuit in the DC test circuit of the LSI shown in FIG. The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described below with reference to the partial circuit shown in FIG.

【0060】図9に示すように、各3st出力バッファ
203が、図5に示すI/Oバッファ200と同様に、
LSIテスタ側で束ねられていた場合には、すべての3
st出力バッファ203が、 "Z”(Hi−Z)状態に
なるように、EN側のBSCANレジスタ15bに値 "
0”を設定し、すべてのUpdateラッチ16aにP
chTr212がOFFとなる値 "1”を設定する。す
なわち、すべてのデータ側のBSCANレジスタ15a
に "1”をシフト入力し、EN側のBSCANレジスタ
15bに "0”をシフト入力する。
As shown in FIG. 9, each 3st output buffer 203 is similar to the I / O buffer 200 shown in FIG.
When bundled on the LSI tester side, all 3
The value of the st output buffer 203 is set in the BSCAN register 15b on the EN side so that the st output buffer 203 is in the "Z" (Hi-Z) state.
Set 0 "and set P to all Update latches 16a.
Set the value "1" to turn off chTr212. That is, all the data side BSCAN registers 15a
Shift input "1" to and shift input "0" to the BSCAN register 15b on the EN side.

【0061】シフト入力(Shift DR)が完了し
たら、Shift DR→Exit1 DR→Upda
te DRの順に、TAPのモードを切り替えて、Up
date DRの動作によって、BSCANレジスタ1
5aの値をUpdateラッチ16aに取り込む。これ
によって、すべての3st出力バッファ203は、出力
値 "Z”に設定されるとともに、PchTr212がO
FFのため、プルアップ抵抗210は切り離された状態
になる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upda
te The mode of TAP is switched in the order of DR, and Up
date Depending on the operation of DR, BSCAN register 1
The value of 5a is fetched in the Update latch 16a. As a result, all the 3st output buffers 203 are set to the output value "Z" and the PchTr 212 is set to O.
Because of FF, the pull-up resistor 210 is in a disconnected state.

【0062】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側のすべ
てのBSCANレジスタ15bに "0”をシフト入力
し、データ側BSCANレジスタ15aに対しては、第
1の3stデータ出力回路113aのみ "0”をシフト
入力し、他の3stデータ出力回路には "1”をシフト
入力する。そして、シフト入力(Shift DR)が
完了したら、Shift DR→Exit1 DR→Up
date DRの順にTAPのモードを切り替えて、U
pdate DRの動作によってBSCANレジスタ15
aの値をUpdateラッチ16aに取り込む。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Change the TAP mode in the order of DR to
Shift input "0" to all BSCAN register 15b
However, for the data side BSCAN register 15a,
Shift "0" only for 1st 3st data output circuit 113a
Input and shift "1" to other 3st data output circuit
input. Then, the shift input (Shift DR)
When complete, Shift DR → Exit1 DR → Up
date Change the TAP mode in the order of DR, U
pdate Depending on the operation of DR, BSCAN register 15
The value of a is fetched in the Update latch 16a.

【0063】これによって、すべての3st出力バッフ
ァ203は、出力値 "Z”となり、さらに第1の3st
出力バッファ203のプルアップ抵抗210だけが接続
された状態になる。この状態で、従来の手法によってプ
ルアップ抵抗の値を測定すれば、第1の3st出力バッ
ファ203のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を
行うことができる。
As a result, all the 3st output buffers 203 have the output value "Z" and the first 3st
Only the pull-up resistor 210 of the output buffer 203 is connected. In this state, if the value of the pull-up resistor is measured by a conventional method, it is possible to determine whether the pull-up resistor 210 of the first 3st output buffer 203 is good or bad.

【0064】同様に、Update DR→Selec
DR scan→Capture DR→Shif
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側の
BSCANレジスタ15bには、すべて "0”をシフト
入力し、データ側BSCANレジスタ15aに対して
は、第2の3stデータ出力回路113bのみ ”0”
をシフト入力し、他の3stデータ出力回路には、 "
1”をシフト入力する。そしてシフト入力(Shift
R)が完了したら、Shift DR→Exit1
DR→Update DRの順にTAPのモードを切り
替えて、Update DRの動作で、BSCANレジ
スタ15aの値をUpdateラッチ16aに取り込
む。
Similarly, Update DR → Selec
t DR scan → Capture DR → Shif
t The TAP mode is switched in the order of DR, all "0" s are shift-inputted to the EN side BSCAN register 15b, and only the second 3st data output circuit 113b is "0" for the data side BSCAN register 15a.
Shift input to other 3st data output circuit,
1 "is shift-inputted, and shift-input (Shift
When R) is completed, Shift DR → Exit1
DR → Update Change the TAP mode in the order of DR, and then Update The value of the BSCAN register 15a is taken into the Update latch 16a by the DR operation.

【0065】これによって、すべての3st出力バッフ
ァ203は出力値 "Z”となり、さらに、第2の3st
出力バッファ203のプルアップ抵抗210だけが接続
された状態となる。この状態で、従来の手法によってプ
ルアップ抵抗の値を測定すれば、第2の3st出力バッ
ファ203のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を
行うことができる。
As a result, all the 3st output buffers 203 have the output value "Z", and the second 3st output buffer 203 has the output value "Z".
Only the pull-up resistor 210 of the output buffer 203 is connected. In this state, if the value of the pull-up resistor is measured by a conventional method, it is possible to determine whether the pull-up resistor 210 of the second 3st output buffer 203 is good or bad.

【0066】同様にして、第3の3st出力バッファ2
03のプルアップ抵抗210の値も測定することができ
る。
Similarly, the third 3st output buffer 2
The value of the 03 pull-up resistor 210 can also be measured.

【0067】図11に示されたこの例のLSIのDCテ
スト回路は、外部端子が出力端子である場合を示したも
のであって、LSI基板101上に、所望の機能を実現
する内部論理回路102と、2ステート(st)データ
出力回路113a,113b,113cとを有する場合
を例示している。
The DC test circuit of the LSI of this example shown in FIG. 11 shows a case where the external terminal is an output terminal, and an internal logic circuit for realizing a desired function is provided on the LSI substrate 101. In this example, the case 102 and the two-state (st) data output circuits 113a, 113b, and 113c are illustrated.

【0068】図11においては、図1に示された外部端
子が入出力端子である場合と比べて、各2stデータ出
力回路において、EN側のBSCANレジスタ,Upd
ateラッチと、セレクタ14b,14c及びNORゲ
ート17,ANDゲート18を欠き、さらに、内部論理
回路102の出力HO1が直接、BSCANレジスタ1
5に入力されるとともに、前段の2stデータ出力回路
のBSOUT出力が、直接、次段の2stデータ出力回
路のBSINに接続されている点が異なっている。
In FIG. 11, compared with the case where the external terminal shown in FIG. 1 is an input / output terminal, in each 2st data output circuit, the EN side BSCAN register, Upd.
The ATE latch, the selectors 14b and 14c, the NOR gate 17 and the AND gate 18 are omitted, and the output HO1 of the internal logic circuit 102 is directly connected to the BSCAN register 1.
5, and the BSOUT output of the 2nd data output circuit of the previous stage is directly connected to BSIN of the 2st data output circuit of the next stage.

【0069】図12は、図11に示されたLSIのDC
テスト回路における、1回路の2ステート(st)デー
タ出力回路の構成を示したものである。以下、図12に
示す部分回路を参照して、この例の場合のLSIのDC
テスト回路の動作を説明する。
FIG. 12 shows the DC of the LSI shown in FIG.
2 shows a configuration of one 2-state (st) data output circuit in the test circuit. Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG. 12, the DC of the LSI in this example
The operation of the test circuit will be described.

【0070】図11に示す各2st出力バッファ202
のプルアップ抵抗210も、個別にON/OFFできる
が、各2st出力バッファ202の出力が同一にならな
いためバスファイトが生じるので、束ねることはできな
い。しかしながら、BSCANレジスタ15、及びUp
dateラッチ16に、PchTr212がOFFとな
る値を設定することによって、他の測定に悪影響を与え
ることなしに、プルアップ抵抗210をOFFにするこ
とが可能であり、これによって、特定のプルアップ抵抗
210のみをONにして、各2st出力バッファ202
のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を行うことが
できる。
Each 2nd output buffer 202 shown in FIG.
The pull-up resistors 210 can also be turned ON / OFF individually, but since the outputs of the respective 2st output buffers 202 are not the same, a bus fight will occur, so they cannot be bundled. However, BSCAN register 15 and Up
It is possible to turn off the pull-up resistor 210 without adversely affecting other measurements by setting the value for turning off the PchTr 212 in the date latch 16, which allows the specific pull-up resistor 210 to be turned off. Only 210 is turned on, and each 2nd output buffer 202
It is possible to judge whether the pull-up resistor 210 is good or bad.

【0071】このようにこの例のLSIのDCテスト回
路によれば、プルアップ抵抗210をON/OFFする
ために、PchTr212を制御する論理値を、既存の
BSCAN回路のUpdateラッチの出力として得る
ようにしているので、従来技術で必要とした、PchT
r212の制御のための専用のBSCAN回路のBSC
ANレジスタ、及びUpdateラッチを削減すること
ができる。さらに、装置のボード試験においては、BS
CAN回路を用いて、LSI外部端子に値を設定した
り、LSI外部端子に設定された値を観測したりする
が、このようなボード試験では使用しないPchTr2
12の制御専用のBSCAN回路のBSCANレジスタ
が不要なので、シフトパターン数を増加する必要がな
い。
As described above, according to the LSI DC test circuit of this example, in order to turn ON / OFF the pull-up resistor 210, the logical value for controlling the PchTr 212 is obtained as the output of the Update latch of the existing BSCAN circuit. Since it is set to PchT
BSC of dedicated BSCAN circuit for control of r212
The AN register and Update latch can be eliminated. Furthermore, in the board test of the device, BS
Although the CAN circuit is used to set a value to the LSI external terminal or observe the value set to the LSI external terminal, it is not used in such a board test. PchTr2
It is not necessary to increase the number of shift patterns because the BSCAN register of the 12 control dedicated BSCAN circuit is unnecessary.

【0072】第1実施例においては、LSI外部端子に
プルアップ抵抗を接続した回路の場合を示しているが、
本発明は、プルアップ抵抗に代えてプルダウン抵抗を有
する場合にも適用可能である。以下、この場合の例につ
いて説明する。
In the first embodiment, the case where the pull-up resistor is connected to the LSI external terminal is shown.
The present invention can be applied to the case where a pull-down resistor is used instead of the pull-up resistor. Hereinafter, an example in this case will be described.

【0073】◇第2実施例 図13は、この発明の第2実施例のLSIのDCテスト
回路であって、2回路のデータ入出力回路の外部端子を
束ねた状態を示す回路図、図14は、本実施例のLSI
のDCテスト回路における、1回路のデータ入出力回路
の構成を示す図、図15は、本実施例のLSIのDCテ
スト回路における、1回路のデータ入力回路の構成を示
す図、図16は、本実施例のLSIのDCテスト回路に
おける、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示
す図、図17は、本実施例のLSIのDCテスト回路に
おける、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示
す図、図18は、本実施例のLSIのDCテスト回路で
あって、プルアップ抵抗付きデータ入出力回路とプルダ
ウン抵抗付きデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態
を示す回路図である。
Second Embodiment FIG. 13 is a circuit diagram of a DC test circuit for an LSI according to a second embodiment of the present invention, showing a state in which the external terminals of two data input / output circuits are bundled, and FIG. Is the LSI of this embodiment
15 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit of FIG. 15, FIG. 15 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit of the LSI of this embodiment, and FIG. FIG. 17 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment. FIG. 17 is a configuration of one 2-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment. FIG. 18 is a circuit diagram showing a DC test circuit of the LSI of the present embodiment, showing a state in which the external terminals of the data input / output circuit with pull-up resistor and the data input / output circuit with pull-down resistor are bundled. .

【0074】図13は、この例の動作説明のため、2回
路のデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示した
ものであって、各データ入出力回路のBSCAN回路の
NORゲート17,ANDゲート18と、各制御信号S
FDR,CLKDR,UPDDR,MODE R,MO
DE1,MODE2を省略して示したものである。この
例のLSIのDCテスト回路においては、第1実施例の
場合と比較して、図13に示されるように、プルアップ
抵抗210がプルダウン抵抗211に変更され、Pch
Tr212がNchトランジスタ(Tr)213に変更
され、セレクタ214の一方の入力が、 "0”(=GN
D)から "1”(=VDD)に変更されている点が異な
っている。
FIG. 13 shows a state in which the external terminals of the two data input / output circuits are bundled for explaining the operation of this example. The NOR gate 17 of the BSCAN circuit of each data input / output circuit is shown in FIG. AND gate 18 and each control signal S
FDR, CLKDR, UPDDR, MODE R, MO
It is shown by omitting DE1 and MODE2. In the LSI DC test circuit of this example, the pull-up resistor 210 is changed to a pull-down resistor 211 as shown in FIG.
The Tr212 is changed to the Nch transistor (Tr) 213, and one input of the selector 214 is "0" (= GN
The difference is that it is changed from D) to "1" (= VDD).

【0075】図14は、図13に示されたLSIのDC
テスト回路における、1回路のデータ入出力回路の構成
を示したものである。なお、以下においては、記述を簡
単にするため、第1実施例の場合について、図1,図
7,図9,図11に示されたような全体のブロック構成
図を省略して、それぞれの場合の部分回路図のみを用い
て説明を行う。
FIG. 14 shows the DC of the LSI shown in FIG.
3 shows a configuration of one data input / output circuit in the test circuit. In the following, in order to simplify the description, in the case of the first embodiment, the overall block configuration diagrams as shown in FIG. 1, FIG. 7, FIG. The description will be given using only the partial circuit diagram in this case.

【0076】外部端子が入出力端子である場合の、この
例のLSIのDCテスト回路は、図14に示すように、
図13では省略されているDC TEST制御信号MO
DE Rが、セレクタ214の切り替え入力に接続されて
いる。また、ANDゲート18は、一方の入力(論理反
転)にBSCAN制御信号MODE1が接続され、他方
の入力にセレクタ14bの出力が接続され、出力はセレ
クタ14cの切り替え入力に接続されている。セレクタ
14a,14bの切り替え入力は、MODE1に接続さ
れている。NORゲート17は、一方の入力(論理反
転)にセレクタ14bの出力が接続され、他方の入力に
MODE2が接続され、出力はI/Oバッファ200の
EN端子に接続されている。
When the external terminal is an input / output terminal, this
The example DC test circuit of the LSI is
DC omitted in FIG. TEST control signal MO
DE R is connected to the switching input of the selector 214
There is. Further, the AND gate 18 receives one input (logical
BSCAN control signal MODE1 is connected to
The output of the selector 14b is connected to the input of the
It is connected to the switching input of the actuator 14c. selector
The switching inputs of 14a and 14b are connected to MODE1.
Has been. The NOR gate 17 receives one input (logical
Output of selector 14b is connected to the other input
MODE2 is connected and output is from I / O buffer 200
It is connected to the EN terminal.

【0077】以下、図14に示す部分回路を参照して、
この例の場合のLSIのDCテスト回路の動作を説明す
る。BSCANのモード設定の動作によって、DC
ESTモードに設定する。図3に示されたように、DC
TESTモードでは、BSCAN制御信号MODE1
=1,MODE2=0、DC TEST制御信号MOD
R=1となる。そのため、図14に示すデータ入出
力回路のBSCAN回路は、データ側,EN側ともに、
Updateラッチの値でI/Oバッファ200の論理
値が決定し、さらに、NchTr213のON/OFF
は、データ側Updateラッチ16aの値で決定す
る。
Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG.
The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described. Depending on the mode setting operation of BSCAN, DC T
Set to EST mode. As shown in FIG. 3, DC
In TEST mode, BSCAN control signal MODE1
= 1, MODE2 = 0, DC TEST control signal MOD
E R = 1. Therefore, the BSCAN circuit of the data input / output circuit shown in FIG.
The logical value of the I / O buffer 200 is determined by the value of the Update latch, and the NchTr 213 is turned on / off.
Is determined by the value of the data side Update latch 16a.

【0078】次に、Shift DR動作によって、T
DIからBSCANレジスタに値をシフト入力する。こ
のとき、すべてのI/Oバッファ200が入力モードに
なるように、EN側のBSCANレジスタ15bに値 "
0”を設定するとともに、すべてのデータ側BSCAN
レジスタ15aに、NchTr213がOFFとなる値
"0”を設定する。すなわち、すべてのデータ側のBS
CANレジスタ15aに "0”をシフト入力し、EN側
のBSCANレジスタ15bに "0”をシフト入力す
る。
Next, Shift DR operation causes T
Shift in values from DI to BSCAN register. At this time, a value "" is set in the BSCAN register 15b on the EN side so that all the I / O buffers 200 are in the input mode.
0 "is set and all data side BSCAN
Value that turns off NchTr 213 in register 15a
Set "0". That is, BS on all data side
"0" is shift-input to the CAN register 15a, and "0" is shift-input to the BSCAN register 15b on the EN side.

【0079】シフト入力(Shift DR)が完了し
たとき、Shift DR→Exit1 DR→Upd
ate DRの順にTAPのモードを切り替えて、Up
date DRの動作によって、BSCANレジスタ1
5aの値をUpdateラッチ16aに取り込む。これ
によって、すべてのI/Oバッファ200は、入力モー
ドに設定され、かつ、NchTr213がOFFのた
め、プルダウン抵抗211は切り離された状態となる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upd
ate The mode of TAP is switched in the order of DR, and Up
date Depending on the operation of DR, BSCAN register 1
The value of 5a is fetched in the Update latch 16a. As a result, all the I / O buffers 200 are set to the input mode, and the NchTr 213 is turned off, so that the pull-down resistor 211 is disconnected.

【0080】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側のBS
CANレジスタ15bはすべて "0”となり、データ側
BSCANレジスタ15aに対しては、第1のデータ入
出回路のみ "1”となり、他のすべてのデータ入出回路
は "0”となるようにシフト入力を行う。シフト入力
(Shift DR)が完了したとき、Shift
R→Exit1 DR→Update DRの順にTA
Pのモードを切り替えて、Update DRの動作に
よって、BSCANレジスタ15aの値をUpdate
ラッチ16aに取り込む。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
The TAP mode is switched in the order of DR, and the BS on the EN side
All the CAN register 15b becomes "0", and the data side
First data input to the BSCAN register 15a
Only the output circuit becomes "1", and all other data input / output circuits
Shift-inputs so that it becomes "0". Shift input
(Shift DR) is completed, Shift D
R → Exit 1 DR → Update TA in the order of DR
Switch the P mode to Update For DR operation
Therefore, the value of the BSCAN register 15a is updated.
It is taken into the latch 16a.

【0081】これによって、すべてのI/Oバッファ2
00が入力モードになるとともに、第1のI/Oバッフ
ァ200のプルダウン抵抗211のみが接続された状態
となる。この状態で、従来の手法によってプルダウン抵
抗の値を測定すれば、第1のI/Oバッファ200のプ
ルダウン抵抗211の良/不良の判定を行うことができ
る。
As a result, all I / O buffers 2
00 becomes the input mode, and only the pull-down resistor 211 of the first I / O buffer 200 is connected. In this state, if the pull-down resistance value is measured by a conventional method, it is possible to determine whether the pull-down resistance 211 of the first I / O buffer 200 is good or bad.

【0082】同様に、Update DR→Selec
DR scan→Capture DR→Shif
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側の
BSCANレジスタ15bはすべて "0”を入力し、デ
ータ側BSCAN15aに対しては、第2のデータ入出
力回路のみ "1”を入力し、他のすべてのデータ入出力
回路は "0”を入力するようにシフト入力を行う。シフ
ト入力(Shift DR)が完了したとき、Shif
DR→Exit1 DR→Update DRの順
にTAPのモードを切り替えて、Update DRの
動作によって、BSCAN15aの値をUpdateラ
ッチ16aに取り込む。これによって、すべてのI/O
バッファ200は入力モードになるとともに、第2のI
/Oバッファ200のプルダウン抵抗211のみ接続さ
れた状態となるので、この状態で、従来の手法によって
プルダウン抵抗の値を測定すれば、第2のI/Oバッフ
ァ200のプルダウン抵抗211の良/不良の判定を行
うことができる。
Similarly, Update DR → Selec
t DR scan → Capture DR → Shif
t The TAP mode is switched in the order of DR, all "0" s are input to the BSCAN register 15b on the EN side, and only "1" is input to the second data input / output circuit for the BSCAN 15a on the data side. All data input / output circuits perform shift input so as to input "0". Shift input (Shift DR) is completed, Shif
t DR → Exit1 DR → Update Change the TAP mode in the order of DR, and then Update The value of the BSCAN 15a is taken into the Update latch 16a by the operation of DR. This allows all I / O
The buffer 200 is in the input mode and the second I
Since only the pull-down resistor 211 of the I / O buffer 200 is connected, if the value of the pull-down resistor is measured by the conventional method in this state, the pull-down resistor 211 of the second I / O buffer 200 is good / defective. Can be determined.

【0083】同様にして、第3のI/Oバッファ200
のプルダウン抵抗211の値も測定することができる。
Similarly, the third I / O buffer 200
The value of the pull-down resistor 211 can also be measured.

【0084】この例のLSIのDCテスト回路は、外部
端子が入出力(I/O)端子である場合に限らず、外部
端子が入力端子であって、入出力バッファの代わりに入
力バッファを有する場合にも適用できる。以下、この場
合の例について説明する。図15に示されたこの例のL
SIのDCテスト回路は、外部端子が入力端子である場
合の、1回路のデータ入力回路を示したものである。
The DC test circuit of the LSI of this example is not limited to the case where the external terminal is an input / output (I / O) terminal, but the external terminal is an input terminal and has an input buffer instead of the input / output buffer. It can also be applied in cases. Hereinafter, an example in this case will be described. The L of this example shown in FIG.
The SI DC test circuit shows one data input circuit when the external terminal is an input terminal.

【0085】以下、図15に示す部分回路を参照して、
この例の場合のLSIのDCテスト回路の動作を説明す
る。図15に示す入力バッファ201が、図13のI/
Oバッファ200と同様に、LSIテスタ側で束ねられ
ていた場合は、すべての入力バッファ201のBSCA
Nレジスタ15に "0”をシフト入力する。シフト入力
(Shift DR)が完了したとき、Shift
R→Exit1 DR→Update DRの順にTA
Pのモードを切り替えて、Update DRの動作に
よって、BSCANレジスタ15の値をUpdateラ
ッチ16に取り込む。これによって、すべての入力バッ
ファ201は、NchTr213がOFFなので、プル
ダウン抵抗211が切り離された状態となる。
Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG.
The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described. The input buffer 201 shown in FIG.
Similar to the O buffer 200, when they are bundled on the LSI tester side, BSCA of all input buffers 201
Shift input "0" to the N register 15. Shift input (Shift DR) is completed, Shift D
R → Exit 1 DR → Update TA in the order of DR
Switch the P mode to Update The value of the BSCAN register 15 is taken into the Update latch 16 by the operation of DR. As a result, in all the input buffers 201, since the NchTr 213 is OFF, the pull-down resistor 211 is disconnected.

【0086】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替えて、BSCANレ
ジスタ15に対しては、第1のデータ入力回路のみ "
1”となり、他のすべてのデータ入力回路は "0”とな
るようにシフト入力を行う。シフト入力(Shift
DR)が完了したとき、Shift DR→Exit1
DR→Update DRの順にTAPのモードを切
り替えて、Update DRの動作によって、BSC
ANレジスタ15の値をUpdateラッチ16に取り
込む。これによって、第1の入力バッファ201のプル
ダウン抵抗211だけが接続された状態となるので、こ
の状態で、従来の手法によってプルダウン抵抗の値を測
定すれば、第1の入力バッファ201のプルダウン抵抗
211の良/不良の判定を行うことができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Switching the TAP mode in the order of DR,
For the transistor 15, only the first data input circuit "
1 "and all other data input circuits are" 0 ".
Shift input. Shift input (Shift
DR) is completed, Shift DR → Exit1
DR → Update Turn off TAP mode in the order of DR
Replace, Update By the operation of DR, BSC
The value of the AN register 15 is stored in the Update latch 16.
Put in. This allows the first input buffer 201 to pull
Since only the down resistance 211 is connected,
Under this condition, measure the pull-down resistance value by the conventional method.
If determined, the pull-down resistor of the first input buffer 201
It is possible to judge whether the 211 is good or bad.

【0087】同様にして、第2,第3の入力バッファの
プルダウン抵抗211の値も測定することができる。
Similarly, the values of the pull-down resistors 211 of the second and third input buffers can be measured.

【0088】この例のLSIのDCテスト回路は、外部
端子が入出力(I/O)端子である場合に限らず、外部
端子が出力端子であって、入出力バッファの代わりに出
力バッファを有する場合にも適用できる。以下、この場
合の例について説明する。図16に示されたこの例のL
SIのDCテスト回路は、外部端子が出力端子である場
合の、1回路の3ステート(st)データ出力回路を示
したものである。以下、図16に示す部分回路図を参照
して、この例の場合のLSIのDCテスト回路の動作を
説明する。
The DC test circuit of the LSI of this example is not limited to the case where the external terminal is an input / output (I / O) terminal, but the external terminal is an output terminal and has an output buffer instead of the input / output buffer. It can also be applied in cases. Hereinafter, an example in this case will be described. L for this example shown in FIG.
The SI DC test circuit shows one 3-state (st) data output circuit when the external terminal is an output terminal. The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described below with reference to the partial circuit diagram shown in FIG.

【0089】図16に示す3st出力バッファ203
が、図13のI/Oバッファ200と同様にLSIテス
タ側で束ねられていた場合は、すべての3st出力バッ
ファ203が "Z”(Hi−Z)状態になるように、E
N側のBSCANレジスタ15bに値 "0”を設定し、
すべてのUpdateラッチ16aにNchTr213
がOFFとなる値 "0”を設定する。すなわち、すべて
のデータ側のBSCANレジスタ15aに "0”をシフ
ト入力し、EN側のBSCANレジスタ15bに"0”
をシフト入力する。
The 3rd output buffer 203 shown in FIG.
However, when they are bundled on the LSI tester side like the I / O buffer 200 of FIG. 13, all the 3st output buffers 203 are set to the "Z" (Hi-Z) state, and E
Set the value "0" to the BSCAN register 15b on the N side,
NchTr213 for all Update latches 16a
Set a value "0" that turns OFF. That is, "0" is shift-input to the BSCAN register 15a on all the data sides and "0" is input to the BSCAN register 15b on the EN side.
Shift input.

【0090】シフト入力(Shift DR)が完了し
たら、Shift DR→Exit1 DR→Upda
te DRの順に、TAPのモードを切り替えて、Up
date DRの動作によって、BSCANレジスタ1
5aの値をUpdateラッチ16aに取り込む。これ
によって、すべての3st出力バッファ203が出力値
"Z”に設定されるとともに、NchTr213がOF
Fのため、プルダウン抵抗211は切り離された状態に
なる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upda
te The mode of TAP is switched in the order of DR, and Up
date Depending on the operation of DR, BSCAN register 1
The value of 5a is fetched in the Update latch 16a. As a result, all 3st output buffers 203 output values
When set to "Z", NchTr213 becomes OF
Because of F, the pull-down resistor 211 is in a disconnected state.

【0091】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側のすべ
てのBSCANレジスタ15bに "0”をシフト入力
し、データ側BSCANレジスタ15aに対しては、第
1の3stデータ出力回路のみ "1”をシフト入力し、
他の3stデータ出力回路には "0”をシフト入力す
る。そして、シフト入力(Shift DR)が完了し
たら、Shift DR→Exit1 DR→Upda
te DRの順にTAPのモードを切り替えて、Upd
ate DRの動作によってBSCANレジスタ15a
の値をUpdateラッチ16aに取り込む。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Change the TAP mode in the order of DR to
Shift input "0" to all BSCAN register 15b
However, for the data side BSCAN register 15a,
Shift input "1" only to the 1st 3st data output circuit,
Shift input "0" to other 3st data output circuit.
It Then, the shift input (Shift DR) is completed
Cod, Shift DR → Exit1 DR → Upda
te The TAP mode is switched in the order of DR, and Upd
ate Depending on the operation of DR, the BSCAN register 15a
The value of is fetched in the Update latch 16a.

【0092】これによって、すべての3st出力バッフ
ァ203は、出力値 "Z”となり、さらに第1の3st
出力バッファ203のプルダウン抵抗211だけが接続
された状態になる。この状態で、従来の手法によってプ
ルダウン抵抗の値を測定すれば、第1の3st出力バッ
ファ203のプルダウン抵抗211の良/不良の判定を
行うことができる。
As a result, all the 3st output buffers 203 have the output value "Z", and the first 3st
Only the pull-down resistor 211 of the output buffer 203 is connected. In this state, if the value of the pull-down resistor is measured by the conventional method, it is possible to determine whether the pull-down resistor 211 of the first 3st output buffer 203 is good or bad.

【0093】同様に、Update DR→Selec
DR scan→Capture DR→Shif
DRの順にTAPのモードを切り替えて、EN側の
BSCANレジスタ15bには、すべて "0”をシフト
入力し、データ側BSCANレジスタ15aに対して
は、第2の3stデータ出力回路のみ "1”をシフト入
力し、他の3stデータ出力回路には、 "0”をシフト
入力する。そしてシフト入力(Shift R)が完了
したら、Shift DR→Exit1 DR→Upd
ate DRの順にTAPのモードを切り替えて、Up
date DRの動作で、BSCANレジスタ15aの
値をUpdateラッチ16aに取り込む。
Similarly, Update DR → Selec
t DR scan → Capture DR → Shif
t The mode of TAP is switched in the order of DR, all "0" s are shift-inputted to the BSCAN register 15b on the EN side, and only "1" is input to the BSCAN register 15a on the data side for the second 3st data output circuit. Shift input, and shift input "0" to the other 3st data output circuit. And shift input (Shift When R) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upd
ate The mode of TAP is switched in the order of DR, and Up
date The value of the BSCAN register 15a is taken into the Update latch 16a by the DR operation.

【0094】これによって、すべての3st出力バッフ
ァ203は出力値 "Z”となり、さらに、第2の3st
出力バッファ203のプルダウン抵抗211だけが接続
された状態となる。この状態で、従来の手法によってプ
ルダウン抵抗の値を測定すれば、第2の3st出力バッ
ファ203のプルダウン抵抗211の良/不良の判定を
行うことができる。
As a result, all the 3st output buffers 203 have the output value "Z", and the second 3st output buffer 203 has the output value "Z".
Only the pull-down resistor 211 of the output buffer 203 is connected. In this state, if the value of the pull-down resistor is measured by a conventional method, it is possible to determine whether the pull-down resistor 211 of the second 3st output buffer 203 is good or bad.

【0095】同様にして、第3の3st出力バッファ2
03のプルダウン抵抗211の値も測定することができ
る。
Similarly, the third 3st output buffer 2
The value of the 03 pull-down resistor 211 can also be measured.

【0096】図17に示されたこの例のLSIのDCテ
スト回路は、外部端子が出力端子である場合の、1回路
の2ステート(st)データ出力回路を示したものであ
る。以下、図17に示す部分回路図を参照して、この例
の場合のLSIのDCテスト回路の動作を説明する。
The DC test circuit of the LSI of this example shown in FIG. 17 shows one 2-state (st) data output circuit when the external terminal is an output terminal. The operation of the DC test circuit of the LSI in this example will be described below with reference to the partial circuit diagram shown in FIG.

【0097】図17に示す各2st出力バッファ202
のプルダウン抵抗211も、個別にON/OFFできる
が、各2st出力バッファ202の出力が同一にならな
いためバスファイトが生じるので、束ねることはできな
い。しかしながら、BSCANレジスタ15及びUpd
ateラッチ16に、NchTr213がOFFとなる
値を設定することによって、他の測定に悪影響を与える
ことなしに、プルダウン抵抗211をOFFにすること
が可能であり、これによって、特定のプルダウン抵抗2
11のみをONにして、各2st出力バッファ202の
プルダウン抵抗211の良/不良の判定を行うことがで
きる。
Each 2nd output buffer 202 shown in FIG.
The pull-down resistors 211 can also be turned on / off individually, but the outputs of the respective 2st output buffers 202 are not the same, so a bus fight will occur, so they cannot be bundled. However, BSCAN register 15 and Upd
It is possible to turn off the pull-down resistor 211 without adversely affecting other measurements by setting the value at which the NchTr 213 is turned off in the ate latch 16, whereby the specific pull-down resistor 2 can be turned off.
It is possible to judge whether the pull-down resistor 211 of each 2st output buffer 202 is good or bad by turning on only 11 of the 2nd output buffers 202.

【0098】このように、この例のLSIのDCテスト
回路によれば、プルダウン抵抗211をON/OFFす
るために、NchTr213を制御する論理値を、既存
のBSCAN回路のUpdateラッチの出力として得
るようにしているので、従来技術で必要とした、Nch
Tr213の制御のための専用のBSCAN回路のBS
CANレジスタ、及びUpdateラッチが不要とな
る。
As described above, according to the DC test circuit of the LSI of this example, in order to turn on / off the pull-down resistor 211, the logical value for controlling the NchTr 213 is obtained as the output of the Update latch of the existing BSCAN circuit. Since it is set to Nch
BS of dedicated BSCAN circuit for controlling Tr213
The CAN register and Update latch are unnecessary.

【0099】なお、第1実施例においては、入出力端
子,入力端子又は出力端子に、プルアップ抵抗が接続さ
れた場合のみを説明し、第2実施例においては、同じく
プルダウン抵抗が接続された場合のみを説明したが、両
者の場合が混在していてもよい。以下、この場合の例に
ついて説明する。
In the first embodiment, only the case where the pull-up resistor is connected to the input / output terminal, the input terminal or the output terminal will be described. In the second embodiment, the pull-down resistor is also connected. Only the case has been described, but both cases may be mixed. Hereinafter, an example in this case will be described.

【0100】図18は、本発明のLSIのDCテスト回
路において、入出力端子にプルアップ抵抗とプルダウン
抵抗とが混在して接続されている場合の例を示したもの
であって、データ入出力回路のBSCAN回路のNOR
ゲート17,ANDゲート18と、各制御信号SFD
R,CLKDR,UPDDR,MODE R,MODE
1,MODE2を省略して示したものである。
FIG. 18 shows an example of a case where pull-up resistors and pull-down resistors are mixedly connected to the input / output terminals in the DC test circuit of the LSI of the present invention. Circuit BSCAN circuit NOR
Gate 17, AND gate 18, and each control signal SFD
R, CLKDR, UPDDR, MODE R, MODE
1 and MODE 2 are omitted.

【0101】図18は、この例の動作説明のため、2回
路のデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示した
ものであって、第1のデータ入出力回路と第2のデータ
入出力回路においては、I/Oバッファ200の出力端
にプルアップ抵抗210とPchTr212とが接続さ
れ、第3のデータ入出力回路においては、I/Oバッフ
ァ200の出力端にプルダウン抵抗211とNchTr
213とが接続されていることが示されている。
FIG. 18 shows a state in which the external terminals of the two data input / output circuits are bundled for explaining the operation of this example. The first data input / output circuit and the second data input circuit are shown in FIG. In the output circuit, the pull-up resistor 210 and the PchTr 212 are connected to the output terminal of the I / O buffer 200, and in the third data input / output circuit, the pull-down resistor 211 and the NchTr 212 are connected to the output terminal of the I / O buffer 200.
213 and 213 are connected.

【0102】この場合、I/Oバッファ200のプルア
ップ抵抗210と電源(VDD)との接続をコントロー
ルするPchTr212、又はI/Oバッファ200の
プルダウン抵抗211と接地との接続をコントロールす
るNchTr213が、測定対象の回路の場合のみON
で、測定対象外の回路の場合はOFFとなる値を、BS
CANレジスタ15aとUpdateラッチ15aに設
定することによって、測定対象外の回路のプルアップ抵
抗又はプルダウン抵抗を切り離して、測定対象の回路の
プルアップ抵抗又はプルダウン抵抗のみが接続された状
態とすることができるので、第1実施例又は第2実施例
の場合と同様に、任意のプルアップ抵抗210又はプル
ダウン抵抗211の良/不良の判定を行うことができ
る。
In this case, the PchTr 212 that controls the connection between the pull-up resistor 210 of the I / O buffer 200 and the power supply (VDD), or the NchTr 213 that controls the connection between the pull-down resistor 211 of the I / O buffer 200 and the ground, ON only for the circuit to be measured
In the case of the circuit that is not the measurement target,
By setting the CAN register 15a and the Update latch 15a, the pull-up resistance or pull-down resistance of the circuit other than the measurement target can be separated, and only the pull-up resistance or pull-down resistance of the measurement target circuit can be connected. Therefore, as in the case of the first embodiment or the second embodiment, it is possible to determine whether the arbitrary pull-up resistor 210 or the pull-down resistor 211 is good or bad.

【0103】なお、図18においては、データ入出力回
路を有する場合について説明したが、データ入力回路又
は3stデータ出力回路又は2stデータ出力回路を有
する場合も同様に、プルアップ抵抗とプルダウン抵抗と
が混在して接続されている場合に、測定対象外の回路の
プルアップ抵抗又はプルダウン抵抗を切り離して、測定
対象の回路のプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗のみが
接続された状態とすることができ、任意のプルアップ抵
抗210又はプルダウン抵抗211の良/不良の判定を
行うことができる。
Although the case of having the data input / output circuit has been described with reference to FIG. 18, the pull-up resistor and the pull-down resistor also have the same in the case of having the data input circuit, the 3st data output circuit, or the 2st data output circuit. When mixed and connected, it is possible to disconnect the pull-up resistor or pull-down resistor of the circuit that is not the measurement target and leave only the pull-up resistor or pull-down resistor of the circuit that is the measurement target connected. Whether the pull-up resistor 210 or the pull-down resistor 211 of FIG.

【0104】第1実施例及び第2実施例においては、プ
ルアップ抵抗210をON/OFFするために、Pch
Tr212に接続されているセレクタ214の他方の入
力、又はプルダウン抵抗211をON/OFFするため
に、NchTr213に接続されているセレクタ214
の他方の入力が、Updateラッチの出力に接続され
ているが、この入力として、BSCANレジスタの出力
を用いるようにしてもよい。以下においては、この場合
の例について説明する。
In the first and second embodiments, in order to turn ON / OFF the pull-up resistor 210, Pch
The selector 214 connected to the NchTr 213 in order to turn on / off the other input of the selector 214 connected to the Tr212 or the pull-down resistor 211.
The other input of is connected to the output of the Update latch, but the output of the BSCAN register may be used as this input. An example of this case will be described below.

【0105】◇第3実施例 図19は、この発明の第3実施例のLSIのDCテスト
回路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す
図、図20は、本実施例のLSIのDCテスト回路にお
ける、1回路のデータ入力回路の構成を示す図、図21
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図、図22
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図である。
Third Embodiment FIG. 19 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit of the LSI of the third embodiment of the present invention, and FIG. 20 is a diagram of the LSI of this embodiment. FIG. 21 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit.
22 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment, FIG.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment.

【0106】図19は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入出力端子からなり、外部端子
に接続されたデータ入出力回路に入出力(I/O)バッ
ファ200を有する場合を示し、図5に示された第1実
施例の場合と比較して、PchTr212に接続されて
いるセレクタ214の他方の入力が、データ側のBSC
ANレジスタ15aの出力に接続されている点が異なっ
ている。
FIG. 19 shows a case where the DC test circuit of the LSI of this example has an external terminal composed of an input / output terminal, and a data input / output circuit connected to the external terminal has an input / output (I / O) buffer 200. In comparison with the case of the first embodiment shown in FIG. 5, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is the BSC on the data side.
The difference is that it is connected to the output of the AN register 15a.

【0107】以下、図19に示す部分回路を参照して、
この例のLSIのDCテスト回路の動作を説明する。B
SCANのモード設定の動作によって、DC TEST
モードに設定し、すべてのI/Oバッファ200を入力
モードに設定するとともに、PchTr212をOFF
の状態にして、プルアップ抵抗210が切り離された状
態にする動作は、第1実施例の場合と同じである。
Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG.
The operation of the DC test circuit of the LSI of this example will be described. B
Depending on the operation of SCAN mode setting, DC TEST
Mode, set all I / O buffers 200 to input mode, and turn off PchTr212.
The operation of bringing the pull-up resistor 210 into the separated state by the above-mentioned state is the same as that of the first embodiment.

【0108】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替え、Shift
Rの動作によって、EN側のBSCANレジスタ15b
はすべて "1”とし、データ側BSCANレジスタ15
aに対しては、第1のデータ入出力回路のみ "0”をシ
フト入力し、他のデータ入出力回路は "1”をシフト入
力する。これによって、すべてのI/Oバッファ200
は入力モードとなり、さらに、第1のI/Oバッファ2
00のプルアップ抵抗210だけが接続された状態とな
るので、この状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の値
を測定すれば、第1のI/Oバッファ200のプルアッ
プ抵抗210の良/不良の判定を行うことができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Switching the TAP mode in the order of DR, Shift D
Depending on the operation of R, the BSCAN register 15b on the EN side
Are all "1" and BSCAN register 15 on the data side
For a, only "0" is set to the first data input / output circuit.
Shift input, and other data input / output circuits shift in "1".
Force This allows all I / O buffers 200
Becomes the input mode, and the first I / O buffer 2
Only the 00 pull-up resistor 210 is connected.
In this state, the value of the pull-up resistor is
Is measured, the pull-up of the first I / O buffer 200
It is possible to judge whether the resistor 210 is good or bad.

【0109】次に、第1の実施例と異なり、TAPのモ
ードはShift DRのままであり、内部論理回路1
02の出力をBSCANレジスタ15aに取り込むCa
pture DRを行っていないので、各BSCANレ
ジスタ15aの値は、シフト入力した値がそのまま保持
されている。そこで、TDIに入力値 "1”を設定し、
第3のデータ入出力回路のデータ側BSCANレジスタ
15aの値 "0”を、第2のデータ入出力回路のデータ
側BSCANレジスタ15aにシフトさせる。これによ
って、すべてのI/Oバッファ200は入力モードとな
り、さらに第2のI/Oバッファ200のプルアップ抵
抗210だけだ接続された状態となるので、この状態
で、従来の手法でプルアップ抵抗210の値を測定すれ
ば、第2のI/Oバッファ200のプルアップ抵抗21
0の良/不良の判定を行うことができる。
Next, unlike the first embodiment, the TAP mode is Shift. It remains DR and internal logic circuit 1
Ca that takes the output of 02 into the BSCAN register 15a
pture Since the DR is not performed, the value of each BSCAN register 15a is held as the shifted input value. Therefore, set the input value "1" to TDI,
The value "0" of the data side BSCAN register 15a of the third data input / output circuit is shifted to the data side BSCAN register 15a of the second data input / output circuit. As a result, all the I / O buffers 200 are set to the input mode, and only the pull-up resistor 210 of the second I / O buffer 200 is connected. In this state, the pull-up resistors 210 are connected by the conventional method. If the value of 210 is measured, the pull-up resistor 21 of the second I / O buffer 200
It is possible to make a judgment of good / bad of 0.

【0110】同様にして、第3のI/Oバッファ200
のプルアップ抵抗210の値も測定することができる。
Similarly, the third I / O buffer 200
The value of the pull-up resistor 210 can also be measured.

【0111】図20は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入力端子からなり、外部端子に
接続されたデータ入力回路に入力バッファ201を有す
る場合を示し、図8に示された第1実施例の場合と比較
して、PchTr212に接続されているセレクタ21
4の他方の入力が、BSCANレジスタ15の出力に接
続されている点が異なっている。
FIG. 20 shows a case where the LSI DC test circuit of this example has an external terminal which is an input terminal, and a data input circuit connected to the external terminal has an input buffer 201, which is shown in FIG. Compared to the case of the first embodiment, the selector 21 connected to the PchTr 212
The difference is that the other input of 4 is connected to the output of the BSCAN register 15.

【0112】以下、図20に示す部分回路を参照して、
この例のLSIのDCテスト回路の動作を説明する。図
20に示す入力バッファ201が、図5に示す第1実施
例の場合のI/Oバッファ200と同様にLSIテスタ
側で束ねられていた場合、すべての入力バッファ201
のプルアップ抵抗210を、切り離された状態にする動
作は、第1実施例の場合と同じである。
Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG.
The operation of the DC test circuit of the LSI of this example will be described. If the input buffers 201 shown in FIG. 20 are bundled on the LSI tester side like the I / O buffers 200 in the first embodiment shown in FIG. 5, all the input buffers 201
The operation of bringing the pull-up resistor 210 of 1 to the disconnected state is the same as that of the first embodiment.

【0113】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替えるとともに、BS
CANレジスタ15に対しては、第1のデータ入力回路
の入力バッファ201のみ"0”をシフト入力し、他の
データ入力回路の入力バッファ201には "1”をシフ
ト入力することによって、シフト入力(Shift
R)が完了したとき、第1の入力バッファ201のプル
アップ抵抗210のみが接続された状態になるので、こ
の状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の値を測定する
ことによって、第1の入力バッファ201のプルアップ
抵抗210の良/不良の判定を行うことができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
While switching the TAP mode in the order of DR, BS
For the CAN register 15, a first data input circuit
"0" is shift-input only for the input buffer 201 of
Shift "1" to the input buffer 201 of the data input circuit.
Shift input (Shift input (Shift D
R) is completed, the first input buffer 201 is pulled.
This is because only the up resistor 210 is connected.
The value of the pull-up resistance by the conventional method under
By pulling up the first input buffer 201.
Whether the resistor 210 is good or bad can be determined.

【0114】次に、第1の実施例の場合と異なり、TA
PのモードはShift DRのままであり、Capt
ure DRを行っていないので、各BSCANレジス
タ15の値として、シフト入力した値がそのまま保持さ
れている。そこで、TDIに入力値 "1”を設定し、第
3のデータ入力回路のBSCANレジスタ15の値 "
0”を、第2のデータ入力回路のBSCANレジスタ1
5にシフトさせる。これによって、第2の入力バッファ
201のプルアップ抵抗210のみが接続された状態と
なるので、この状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の
値を測定することによって、第2の入力バッファ201
のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を行うことが
できる。
Next, unlike the case of the first embodiment, TA
P mode is Shift Remains DR and Capt
ure Since the DR is not performed, the shift-input value is held as it is as the value of each BSCAN register 15. Therefore, the input value "1" is set in TDI, and the value "1" in the BSCAN register 15 of the third data input circuit is set.
0 "is set to the BSCAN register 1 of the second data input circuit
Shift to 5. As a result, only the pull-up resistor 210 of the second input buffer 201 is connected. Therefore, in this state, the value of the pull-up resistor 210 is measured by the conventional method to obtain the second input buffer 201.
It is possible to judge whether the pull-up resistor 210 is good or bad.

【0115】同様にして、第3の入力バッファ201の
プルアップ抵抗210の値も測定することができる。
Similarly, the value of the pull-up resistor 210 of the third input buffer 201 can be measured.

【0116】図21は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された3ステート(st)データ出力回路に3st
出力バッファ203を有する場合を示し、図10に示さ
れた第1実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、データ
側のBSCANレジスタ15aの出力に接続されている
点が異なっている。
FIG. 21 shows the DC test circuit of the LSI of this example, in which the external terminals are output terminals, and the 3-state (st) data output circuit connected to the external terminals is 3 st
The case where the output buffer 203 is provided is shown. Compared with the case of the first embodiment shown in FIG. 10, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is connected to the output of the BSCAN register 15a on the data side. The point is different.

【0117】以下、図21に示す部分回路を参照して、
この例のLSIのDCテスト回路の動作を説明する。図
21に示す3st出力バッファ203が、図5に示す第
1実施例の場合のI/Oバッファ200と同様にLSI
テスタ側で束ねられていた場合、すべての3st出力バ
ッファ203を "Z”(Hi−Z)にし、すべてのプル
アップ抵抗210を切り離された状態とする動作は、第
1実施例の場合と同様である。
Hereinafter, with reference to the partial circuit shown in FIG. 21,
The operation of the DC test circuit of the LSI of this example will be described. The 3st output buffer 203 shown in FIG. 21 is an LSI similar to the I / O buffer 200 in the case of the first embodiment shown in FIG.
When bundled on the tester side, all the 3st output buffers 203 are set to "Z" (Hi-Z) and all pull-up resistors 210 are disconnected. The operation is the same as that of the first embodiment. Is.

【0118】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替え、EN側のBSC
ANレジスタ15bはすべて "0”とし、データ側のB
SCANレジスタ15aに対しては、第1の3stデー
タ出力回路のみ "0”をシフト入力し、他の3stデー
タ出力回路では "1”をシフト入力する。シフト入力
(Shift DR)が完了したとき、TAPのモード
はShift DRのままであり、Update DR
を行っていないため、Updateラッチ16aの値に
は変更がなく、すべての3st出力バッファ203は出
力値"Z”となり、さらに第1の3st出力バッファ2
03のプルアップ抵抗210のみ接続された状態となる
ので、この状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の値を
測定することによって、第1の3st出力バッファ20
3のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を行うこと
ができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
The TAP mode is switched in the order of DR, and the BSC on the EN side is
The AN register 15b is all set to "0", and B on the data side is set.
For the SCAN register 15a, the first 3rd data
Only the data output circuit shifts "0" to the other 3st data
The data output circuit shifts in "1". Shift input
(Shift DR) is completed, TAP mode
Is Shift It remains DR, Update DR
Since it is not done, the value of Update latch 16a
Is unchanged, and all 3st output buffers 203 are output.
The force value becomes "Z", and further the first 3st output buffer 2
Only the pull-up resistor 210 of 03 is connected.
So, in this state, the value of the pull-up resistor is changed by the conventional method.
By measuring, the first 3st output buffer 20
To judge whether the pull-up resistor 210 of No. 3 is good or bad
You can

【0119】次に、第1の実施例の場合と異なり、TA
PのモードはShift DRのままであり、Capt
ure DRを行っていないので、各BSCANレジス
タ15aの値には、シフト入力した値がそのまま保持さ
れている。そこで、TDIに入力値 "1”を設定して、
第3の3stデータ出力回路のデータ側BSCANレジ
スタ15aの値 "0”を、第2の3stデータ出力回路
のデータ側BSCANレジスタ15aにシフトさせる。
これによって、すべての3st出力バッファ203は出
力値 "Z”となり、さらに第2の3st出力バッファ2
03のプルアップ抵抗210のみが接続された状態とな
るので、この状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の値
を測定することによって、第2の3st出力バッファ2
03のプルアップ抵抗210の良/不良の判定を行うこ
とができる。
Next, unlike the case of the first embodiment, TA
P mode is Shift Remains DR and Capt
ure Since the DR is not performed, the value of each BSCAN register 15a holds the shifted input value as it is. Therefore, set the input value "1" to TDI,
The value "0" of the data side BSCAN register 15a of the third 3st data output circuit is shifted to the data side BSCAN register 15a of the second 3st data output circuit.
As a result, all the 3st output buffers 203 have the output value "Z", and the second 3st output buffer 2
Since only the pull-up resistor 210 of No. 03 is connected, the value of the pull-up resistor is measured by the conventional method in this state, and the second 3st output buffer 2
It is possible to judge whether the pull-up resistor 210 of No. 03 is good or bad.

【0120】同様にして、第3の3st出力バッファ2
03のプルアップ抵抗210の値も測定することができ
る。
Similarly, the third 3st output buffer 2
The value of the 03 pull-up resistor 210 can also be measured.

【0121】図22は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された2ステート(st)データ出力回路に2st
出力バッファ202を有する場合を示し、図10に示さ
れた第1実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、BSC
ANレジスタ15の出力に接続されている点が異なって
いる。
FIG. 22 shows a 2-state (st) data output circuit in which the external terminals are output terminals and are connected to the external terminals in the DC test circuit of the LSI of this example.
The case where the output buffer 202 is provided is shown. Compared with the case of the first embodiment shown in FIG. 10, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is the BSC.
The difference is that it is connected to the output of the AN register 15.

【0122】以下、図22に示す部分回路図を参照し
て、この例のLSIのDCテスト回路の動作を説明す
る。図22に示す2st出力バッファ202が、図5に
示す第1実施例の場合のI/Oバッファと同様にLSI
テスタ側で束ねられていた場合、すべての2stデータ
出力回路のBSCANレジスタ15に "1”をシフト入
力する。
The operation of the DC test circuit of the LSI of this example will be described below with reference to the partial circuit diagram shown in FIG. The 2nd output buffer 202 shown in FIG. 22 is an LSI similar to the I / O buffer in the case of the first embodiment shown in FIG.
When bundled on the tester side, "1" is shift-input to the BSCAN register 15 of all the 2st data output circuits.

【0123】シフト入力(Shift DR)が完了し
たとき、Shift DR→Exit1 DR→Upd
ate DRの順にTAPのモードを切り替えて、Up
date DRの動作によって、BSCANレジスタ1
5の値をUpdateラッチ16に取り込む。これによ
って、すべての2st出力バッファ202が出力値 "
H”で、PchTr212がOFFのため、プルアップ
抵抗210は切り離された状態となる。
Shift input (Shift) DR) is completed, Shift DR → Exit1 DR → Upd
ate The mode of TAP is switched in the order of DR, and Up
date Depending on the operation of DR, BSCAN register 1
The value of 5 is loaded into the Update latch 16. This will cause all 2st output buffers 202 to output
At H ″, since the PchTr 212 is OFF, the pull-up resistor 210 is in a disconnected state.

【0124】次に、Update DR→Select
DR scan→Capture DR→Shift
DRの順にTAPのモードを切り替え、BSCANレジ
スタ15に対して、第1の2stデータ出力回路のみ "
0”をシフト入力し、他の2stデータ出力回路には "
1”をシフト入力する。シフト入力が完了したとき、T
APのモードはShift DRのままであり、Upd
ate DRを行っていないため、Updateラッチ
16の値には変更がなく "1”であり、すべての2st
出力バッファ202の出力値は "1”であって、第1の
2st出力バッファ202のプルアップ抵抗210のみ
接続された状態となるので、この状態で、従来の手法で
プルアップ抵抗の値を測定することによって、第1の2
st出力バッファ202のプルアップ抵抗210の良/
不良の判定を行うことができる。
Next, Update DR → Select
DR scan → Capture DR → Shift
Switch the TAP mode in the order of DR, and
Only the first 2nd data output circuit for the star 15
"0" is shift-inputted, and "2" is output to the other 2nd data output circuit.
1 "shift input. When the shift input is completed, T
AP mode is Shift Remaining DR, Upd
ate Update latch because DR is not performed
There is no change in the value of 16 and it is "1".
The output value of the output buffer 202 is "1",
Only the pull-up resistor 210 of the 2nd output buffer 202
It will be in the connected state, so in this state, the conventional method
By measuring the value of the pull-up resistor, the first two
Whether the pull-up resistor 210 of the st output buffer 202 is good or not
Defects can be determined.

【0125】次に、TAPのモードはShift DR
のままであり、Capture DRを行っていないの
で、各BSCANレジスタ15の値は、シフト入力した
値がそのまま保持されている。そこで、TDIに入力値
"1”を設定し、第3の2stデータ出力回路のBSC
ANレジスタ15の値を、第2の2stデータ出力回路
のBSCANレジスタ15にシフトさせる。これによっ
て、すべての2st出力バッファ202は出力値 "H”
となり、さらに第2の2st出力バッファ202のプル
アップ抵抗210のみ接続された状態となるので、この
状態で、従来の手法でプルアップ抵抗の値を測定するこ
とによって、第2の2st出力バッファ202のプルア
ップ抵抗210の良/不良の判定を行うことができる。
Next, the TAP mode is Shift. DR
Remains and Capture Since the DR is not performed, the value of each BSCAN register 15 is held as it is after the shift input. Therefore, input value to TDI
Set "1" and BSC of the 3rd 2nd data output circuit
The value of the AN register 15 is shifted to the BSCAN register 15 of the second 2st data output circuit. As a result, all 2nd output buffers 202 output value "H".
Then, only the pull-up resistor 210 of the second 2st output buffer 202 is connected. Therefore, in this state, the value of the pull-up resistor is measured by the conventional method to obtain the second 2st output buffer 202. It is possible to judge whether the pull-up resistor 210 is good or bad.

【0126】同様にして、第3の2st出力バッファ2
02のプルアップ抵抗210の値も測定することができ
る。
Similarly, the third 2st output buffer 2
The value of the 02 pull-up resistor 210 can also be measured.

【0127】このように、この例のLSIのDCテスト
回路によれば、プルダウン抵抗210をON/OFFす
るために、PchTr212を制御する論理値を、既存
のBSCAN回路のBSCANレジスタ15の出力とし
て得るようにしているので、従来技術で必要とした、P
chTr212の制御のための専用のBSCAN回路の
BSCANレジスタが不要となる。また、この例のLS
IのDCテスト回路では、2st出力バッファ202の
LSI外部端子を束ねることができ、この状態で、個々
のプルアップ抵抗210の値を測定することができる。
As described above, according to the DC test circuit of the LSI of this example, in order to turn on / off the pull-down resistor 210, the logical value for controlling the PchTr 212 is obtained as the output of the BSCAN register 15 of the existing BSCAN circuit. Therefore, the P
The BSCAN register of the dedicated BSCAN circuit for controlling the chTr212 becomes unnecessary. Also, the LS of this example
In the DC test circuit of I, the LSI external terminals of the 2nd output buffer 202 can be bundled, and in this state, the value of each pull-up resistor 210 can be measured.

【0128】第3実施例においては、プルアップ抵抗2
10をON/OFFするために、PchTr212に接
続されているセレクタ214の他方の入力が、データ側
のBSCANレジスタの出力に接続されているが、この
入力として、EN側のBSCANレジスタの出力を用い
るか、又はBSCANレジスタの反転出力を用いて、そ
れらの出力が、データ側のBSCANレジスタの出力と
同じになるようにしてもよい。以下においては、この場
合の例について説明する。
In the third embodiment, the pull-up resistor 2
To turn ON / OFF 10, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is connected to the output of the BSCAN register on the data side. The output of the BSCAN register on the EN side is used as this input. Alternatively, the inverted outputs of the BSCAN registers may be used so that their outputs are the same as the outputs of the BSCAN registers on the data side. An example of this case will be described below.

【0129】◇第4実施例 図23は、この発明の第4実施例のLSIのDCテスト
回路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す
図、図24は、本実施例のLSIのDCテスト回路にお
ける、1回路のデータ入力回路の構成を示す図、図25
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図、図26
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図である。
Fourth Embodiment FIG. 23 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit of the LSI of the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a diagram of the LSI of this embodiment. 25 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit, FIG.
FIG. 26 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment.

【0130】図23は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入出力端子からなり、外部端子
に接続されたデータ入出力回路にI/Oバッファ200
を有する場合を示し、図19に示された第3実施例の場
合と比較して、PchTr212に接続されているセレ
クタ214の他方の入力が、EN側のBSCANレジス
タ15bの反転出力に接続されている点が異なっている
が、EN側のBSCANレジスタ15bの反転出力が、
第3実施例の場合のデータ側のBSCANレジスタ15
aの出力と同じになるようにれば、その動作は、図19
に示された第3実施例の場合と同じになる。EN側のB
SCANレジスタ15bの反転出力に代えて、EN側の
BSCANレジスタ15bの出力を用いた場合も同様で
ある。
FIG. 23 shows the DC test circuit of the LSI of this example, in which the external terminals are composed of input / output terminals, and the data input / output circuit connected to the external terminals is connected to the I / O buffer 200.
In comparison with the case of the third embodiment shown in FIG. 19, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is connected to the inverted output of the BSCAN register 15b on the EN side. The difference is that the inverted output of the BSCAN register 15b on the EN side is
BSCAN register 15 on the data side in the case of the third embodiment
If it becomes the same as the output of a, the operation is as shown in FIG.
This is the same as the case of the third embodiment shown in FIG. B on the EN side
The same applies when the output of the BSCAN register 15b on the EN side is used instead of the inverted output of the SCAN register 15b.

【0131】図24は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入力端子からなり、外部端子に
接続されたデータ入力回路に入力バッファ201を有す
る場合を示し、図20に示された第3実施例の場合と比
較して、PchTr212に接続されているセレクタ2
14の他方の入力が、BSCANレジスタ15の反転出
力に接続されている点が異なっているが、BSCANレ
ジスタ15の反転出力が、第3実施例の場合のBSCA
Nレジスタ15の出力と同じになるようにすれば、その
動作は、図20に示された第3実施例の場合と同じであ
る。BSCANレジスタ15の反転出力に代えて、BS
CANレジスタ15の出力を用いた場合も同様である。
FIG. 24 shows a case where the LSI DC test circuit of this example has external terminals formed of input terminals, and the data input circuit connected to the external terminals has an input buffer 201, and is shown in FIG. Compared to the case of the third embodiment, the selector 2 connected to the PchTr 212
The difference is that the other input of 14 is connected to the inverted output of the BSCAN register 15, but the inverted output of the BSCAN register 15 is the BSCA in the case of the third embodiment.
If the output of the N register 15 is made the same, the operation is the same as in the case of the third embodiment shown in FIG. Instead of the inverted output of the BSCAN register 15, BS
The same applies when the output of the CAN register 15 is used.

【0132】図25は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された3ステート(st)データ出力回路に3st
出力バッファ203を有する場合を示し、図21に示さ
れた第3実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、EN側
のBSCANレジスタ15bの反転出力に接続されてい
る点が異なっているが、EN側のBSCANレジスタ1
5bの反転出力が、第3実施例の場合のデータ側のBS
CANレジスタ15aの出力と同じになるようにれば、
その動作は、図21に示された第3実施例の場合と同じ
である。EN側のBSCANレジスタ15bの反転出力
に代えて、EN側のBSCANレジスタ15bの出力を
用いた場合も同様である。
FIG. 25 shows the DC test circuit of the LSI of this example, in which the external terminals are output terminals and the 3-state (st) data output circuit connected to the external terminals has the 3st output terminal.
The case where the output buffer 203 is provided is shown. Compared with the case of the third embodiment shown in FIG. 21, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 becomes the inverted output of the BSCAN register 15b on the EN side. The difference is that they are connected, but the BSCAN register 1 on the EN side
The inverted output of 5b is the BS on the data side in the case of the third embodiment.
If it is the same as the output of the CAN register 15a,
The operation is the same as in the case of the third embodiment shown in FIG. The same applies when the output of the EN side BSCAN register 15b is used instead of the inverted output of the EN side BSCAN register 15b.

【0133】図26は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された2ステート(st)データ出力回路に2st
出力バッファ202を有する場合を示し、図22に示さ
れた第3実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、BSC
ANレジスタ15の反転出力に接続されている点が異な
っているが、BSCANレジスタ15の反転出力が、第
3実施例の場合のBSCANレジスタ15の出力と同じ
になるようにすれば、その動作は、図22に示された第
3実施例の場合と同じである。BSCANレジスタ15
の反転出力に代えて、BSCANレジスタ15の出力を
用いた場合も同様である。
In FIG. 26, in the DC test circuit of the LSI of this example, the external terminal is composed of an output terminal, and the 2-state (st) data output circuit connected to the external terminal has a 2st data output circuit.
The case where the output buffer 202 is provided is shown. Compared with the case of the third embodiment shown in FIG. 22, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is BSC.
The difference is that it is connected to the inverted output of the AN register 15, but if the inverted output of the BSCAN register 15 is the same as the output of the BSCAN register 15 in the case of the third embodiment, the operation is The same as the case of the third embodiment shown in FIG. BSCAN register 15
The same applies when the output of the BSCAN register 15 is used instead of the inverted output of.

【0134】図23〜図26に示された例では、第3実
施例の場合の図19〜図22の例の場合と同様の手順で
制御を行うことによって、I/Oバッファ200,入力
バッファ201,3st出力バッファ203,2st出
力バッファ202の出力状態を同一にして、それぞれの
場合にLSI外部端子を束ねることができるようにする
とともに、特定のプルアップ抵抗210のみ接続された
状態とすることができるので、従来の手法を用いて、各
プルアップ抵抗210の良/不良の判定を行うことがで
きる。
In the example shown in FIGS. 23 to 26, the I / O buffer 200 and the input buffer are controlled by the same procedure as in the example of FIGS. 19 to 22 in the case of the third embodiment. 201, 3st output buffer 203, 2st output buffer 202 have the same output state so that the LSI external terminals can be bundled in each case, and only a specific pull-up resistor 210 is connected. Therefore, it is possible to determine whether each pull-up resistor 210 is good or bad by using a conventional method.

【0135】第1実施例においては、プルアップ抵抗2
10をON/OFFするために、PchTr212に接
続されているセレクタ214の他方の入力が、データ側
のUpdateラッチの出力に接続されているが、この
入力として、Updateラッチの出力に接続されてい
るセレクタの出力を用いるようにしてもよい。以下にお
いては、この場合の例について説明する。
In the first embodiment, the pull-up resistor 2
The other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is connected to the output of the Update latch on the data side in order to turn ON / OFF the 10, and is connected to the output of the Update latch as this input. The output of the selector may be used. An example of this case will be described below.

【0136】◇第5実施例 図27は、この発明の第5実施例のLSIのDCテスト
回路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す
図、図28は、本実施例のLSIのDCテスト回路にお
ける、1回路のデータ入力回路の構成を示す図、図29
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図、図30
は、本実施例のLSIのDCテスト回路における、1回
路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図である。
Fifth Embodiment FIG. 27 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit of the LSI of the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 28 is the LSI of the present embodiment. FIG. 29 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit.
30 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment, FIG.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the LSI DC test circuit of the present embodiment.

【0137】図27は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入出力端子からなり、外部端子
に接続されたデータ入出力回路にI/Oバッファ200
を有する場合を示し、図5に示された第1実施例の場合
と比較して、PchTr212に接続されているセレク
タ214の他方の入力が、データ側のUpdateラッ
チ16aが接続されたセレクタ14aの出力に接続され
ている点が異なっているが、DC TESTモード時に
は、セレクタ14aの出力はデータ側のUpdateラ
ッチ16aの出力と同じになるので、その動作は、図5
に示された第1実施例の場合と同様である。
FIG. 27 shows that in the DC test circuit of the LSI of this example, the external terminals are composed of input / output terminals, and the data input / output circuit connected to the external terminals is connected to the I / O buffer 200.
In comparison with the case of the first embodiment shown in FIG. 5, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 has the other input of the selector 14a connected to the update latch 16a on the data side. DC is different except that it is connected to the output. In the TEST mode, the output of the selector 14a is the same as the output of the update latch 16a on the data side.
This is similar to the case of the first embodiment shown in FIG.

【0138】図28は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が入力端子からなり、外部端子に
接続されたデータ入力回路に入力バッファ201を有す
る場合を示し、図8に示された第1実施例の場合と比較
して、PchTr212に接続されているセレクタ21
4の他方の入力が、Updateラッチ16が接続され
たセレクタ14dの出力に接続されている点が異なって
いるが、DC TESTモード時には、セレクタ14d
の出力はUpdateラッチ16の出力と同じになるの
で、その動作は、図8に示された第1実施例の場合と同
様である。
FIG. 28 shows a case where the DC test circuit of the LSI of this example has an external terminal composed of an input terminal and a data input circuit connected to the external terminal having an input buffer 201, which is shown in FIG. Compared to the case of the first embodiment, the selector 21 connected to the PchTr 212
The difference is that the other input of 4 is connected to the output of the selector 14d to which the Update latch 16 is connected. In the TEST mode, the selector 14d
Output becomes the same as the output of the Update latch 16, and the operation thereof is similar to that of the first embodiment shown in FIG.

【0139】図29は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された3ステート(st)データ出力回路に3st
出力バッファ203を有する場合を示し、図10に示さ
れた第1実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、データ
側のUpdateラッチ16aが接続されたセレクタ1
4aの出力に接続されている点が異なっているが、DC
TESTモード時には、セレクタ14aの出力はデー
タ側のUpdateラッチ16aの出力と同じになるの
で、その動作は、図10に示された第1実施例の場合と
同様である。
FIG. 29 shows a DC test circuit of the LSI of this example, in which the external terminal is an output terminal and the 3-state (st) data output circuit connected to the external terminal has a 3st output terminal.
The case where the output buffer 203 is provided is shown. Compared with the case of the first embodiment shown in FIG. 10, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is connected to the update latch 16a on the data side. Selector 1
4a except that it is connected to the output of 4a
In the TEST mode, the output of the selector 14a is the same as the output of the Update latch 16a on the data side, and therefore the operation is the same as in the case of the first embodiment shown in FIG.

【0140】図30は、この例のLSIのDCテスト回
路において、外部端子が出力端子からなり、外部端子に
接続された2ステート(st)データ出力回路に2st
出力バッファ202を有する場合を示し、図12に示さ
れた第1実施例の場合と比較して、PchTr212に
接続されているセレクタ214の他方の入力が、Upd
ateラッチ16が接続されたセレクタ14aの出力に
接続されている点が異なっているが、DC TESTモ
ード時には、セレクタ14aの出力はUpdateラッ
チ16の出力と同じになるので、その動作は、図12に
示された第1実施例の場合と同様である。
FIG. 30 shows a 2-state (st) data output circuit connected to the external terminal in the DC test circuit of the LSI of this example.
The case where the output buffer 202 is provided is shown. Compared with the case of the first embodiment shown in FIG. 12, the other input of the selector 214 connected to the PchTr 212 is Upd.
The difference is that it is connected to the output of the selector 14a to which the ate latch 16 is connected. In the TEST mode, the output of the selector 14a is the same as the output of the Update latch 16, so the operation is the same as that of the first embodiment shown in FIG.

【0141】図27〜図30に示された例では、第1実
施例の場合の図5,図8,図10,図12の例の場合と
同様の手順で制御を行うことによって、各I/Oバッフ
ァ200,入力バッファ201,3st出力バッファ2
03,2st出力バッファ202の出力状態を第1実施
例の場合と同じに制御することができるとともに、特定
のプルアップ抵抗210のみ接続された状態とすること
ができるので、従来の手法を用いて、各プルアップ抵抗
210の良/不良の判定を行うことができる。
In the example shown in FIGS. 27 to 30, each I is obtained by performing control in the same procedure as in the example of FIGS. 5, 8, 10 and 12 in the case of the first embodiment. / O buffer 200, input buffer 201, 3st output buffer 2
The output state of the 03, 2st output buffer 202 can be controlled in the same manner as in the first embodiment, and only a specific pull-up resistor 210 can be connected, so that the conventional method is used. It is possible to judge whether each pull-up resistor 210 is good or bad.

【0142】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られたもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、プルアッ
プ抵抗210をON/OFFする回路は、PchTrに
限らず、NchTrやトランスファーゲート等であって
もよい。また、DC TEST制御信号MODE
は、TAP回路10で生成する以外に、LSI外部端子
から供給するようにしてもよく、又は別のテスト制御回
路から供給するようにしてもよい。なお、各実施例にお
いては、説明の便宜上、I/Oバッファ200,入力バ
ッファ201,3st出力バッファ203,2st出力
バッファ202が3回路の構成からなるものとして説明
を行ったが、これに限るものでなく、回路数は、2回路
や5回路等であってもよい。
Although the embodiment of the present invention has been described in detail above with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and there are changes in design within the scope not departing from the gist of the present invention. However, it is included in this invention. For example, the circuit that turns ON / OFF the pull-up resistor 210 is not limited to the PchTr, but may be an NchTr, a transfer gate, or the like. Also, DC TEST control signal MODE R
In addition to being generated by the TAP circuit 10, it may be supplied from an LSI external terminal or may be supplied from another test control circuit. In each of the embodiments, for convenience of description, the I / O buffer 200, the input buffer 201, the 3st output buffer 203, and the 2st output buffer 202 are described as having a three-circuit configuration, but the present invention is not limited to this. Alternatively, the number of circuits may be two circuits, five circuits, or the like.

【0143】[0143]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明のLSI
のDCテスト回路によれば、複数の外部端子を有するL
SIにおいて、各外部端子を束ねてLSIテスタの信号
端子の一つに接続した状態で、各外部端子に接続された
個々のプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の値を測定し
て、その良/不良の判定を行うことができる。また、バ
スファイトが発生するため、各外部端子を束ねることが
できない場合でも、BSCAN回路に所要の値を設定す
ることによって、測定対象外のプルアップ抵抗又はプル
ダウン抵抗をOFFにして、測定対象であるプルアップ
抵抗又はプルダウン抵抗の値を測定して、その良/不良
の判定を行うことができる。従って、本発明によれば、
従来、プルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の値を測定す
るために必要であった、プルアップ抵抗又はプルダウン
抵抗をON/OFFするトランジスタ等を制御するため
の、BSCAN回路が不要となる。
As described above, the LSI of the present invention
According to the DC test circuit of, L having a plurality of external terminals
In SI, the value of each pull-up resistor or pull-down resistor connected to each external terminal is measured in a state where each external terminal is bundled and connected to one of the signal terminals of the LSI tester, and the good / defective A decision can be made. Even if it is not possible to bundle the external terminals because a bus fight occurs, set the required value in the BSCAN circuit to turn off the pull-up resistor or pull-down resistor outside the measurement target, and It is possible to measure the value of a certain pull-up resistance or pull-down resistance and determine whether the resistance is good or bad. Therefore, according to the present invention,
A BSCAN circuit for controlling a transistor or the like that turns ON / OFF the pull-up resistor or pull-down resistor, which has been conventionally required to measure the value of the pull-up resistor or pull-down resistor, is no longer necessary.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例のLSIのDCテスト回路
であって、外部端子が入出力端子である場合の構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a DC test circuit for an LSI according to a first embodiment of the present invention, in which an external terminal is an input / output terminal.

【図2】同実施例のLSIのDCテスト回路における、
TAPの構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a diagram showing a DC test circuit of the LSI according to the embodiment,
It is a circuit diagram which shows the structure of TAP.

【図3】同実施例のLSIのDCテスト回路における、
インストラクション・デコーダの構成を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a DC test circuit of an LSI according to the same embodiment;
It is a circuit diagram which shows the structure of an instruction decoder.

【図4】TAP回路のステート・ダイアグララムを示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a state diagram of a TAP circuit.

【図5】同実施例のLSIのDCテスト回路であって、
3回路のデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示
す回路図である。
FIG. 5 is a DC test circuit of the LSI of the same embodiment,
It is a circuit diagram which shows the state which bundled the external terminal of the data input / output circuit of 3 circuits.

【図6】同実施例のLSIのDCテスト回路の動作を説
明するフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an operation of the DC test circuit of the LSI according to the embodiment.

【図7】同実施例のLSIのDCテスト回路において、
外部端子が入力端子である場合の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a DC test circuit of the LSI of the same embodiment,
It is a circuit diagram which shows the structure when an external terminal is an input terminal.

【図8】同実施例のLSIのDCテスト回路における、
1回路のデータ入力回路の構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a DC test circuit of an LSI according to the same embodiment;
It is a figure which shows the structure of the data input circuit of 1 circuit.

【図9】同実施例のLSIのDCテスト回路において、
外部端子が3ステート出力バッファである場合の構成を
示す回路図である。
FIG. 9 is a diagram showing a DC test circuit of an LSI according to the same embodiment,
It is a circuit diagram which shows the structure when an external terminal is a 3-state output buffer.

【図10】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図11】同実施例のLSIのDCテスト回路におい
て、外部端子が2ステート出力バッファである場合の構
成を示す回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration in the case where the external terminal is a 2-state output buffer in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図12】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of one 2-state data output circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図13】本発明の第2実施例のLSIのDCテスト回
路であって、2回路のデータ入出力回路の外部端子を束
ねた状態を示す回路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram of a DC test circuit for an LSI according to a second embodiment of the present invention, showing a state in which external terminals of two data input / output circuits are bundled.

【図14】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路のデータ入出力回路の構成を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図15】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路のデータ入力回路の構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図16】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 16 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図17】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 17 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図18】同実施例のLSIのDCテスト回路であっ
て、プルアップ抵抗付きデータ入出力回路とプルダウン
抵抗付きデータ入出力回路の外部端子を束ねた状態を示
す回路図である。
FIG. 18 is a circuit diagram of the DC test circuit of the LSI of the embodiment, showing a state in which the external terminals of the data input / output circuit with pull-up resistor and the data input / output circuit with pull-down resistor are bound together.

【図19】本発明の第3実施例のLSIのDCテスト回
路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 19 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in a DC test circuit for an LSI according to a third embodiment of the present invention.

【図20】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路のデータ入力回路の構成を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図21】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 21 is a diagram showing a configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図22】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 22 is a diagram showing the configuration of one two-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図23】本発明の第4実施例のLSIのDCテスト回
路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 23 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit for an LSI according to the fourth embodiment of the present invention.

【図24】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路のデータ入力回路の構成を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a configuration of one data input circuit in the DC test circuit of the LSI of the embodiment.

【図25】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 25 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図26】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 26 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図27】本発明の第5実施例のLSIのDCテスト回
路における、1回路のデータ入出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 27 is a diagram showing the configuration of one data input / output circuit in the DC test circuit for the LSI of the fifth embodiment of the present invention.

【図28】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路のデータ入力回路の構成を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing the configuration of one data input circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図29】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の3ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 29 is a diagram showing the configuration of one 3-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図30】同実施例のLSIのDCテスト回路におけ
る、1回路の2ステートデータ出力回路の構成を示す図
である。
FIG. 30 is a diagram showing the configuration of one 2-state data output circuit in the DC test circuit for the LSI of the embodiment.

【図31】第1の従来例において、複数のLSI外部端
子を束ねてテストを行う場合の回路構成を示す図であ
る。
FIG. 31 is a diagram showing a circuit configuration in the case where a plurality of LSI external terminals are bundled and a test is performed in the first conventional example.

【図32】第1の従来例において、外部端子にプルアッ
プ抵抗を備える場合に、複数のLSI外部端子を束ねて
テストを行う際の回路状態を示す図である。
FIG. 32 is a diagram showing a circuit state when a test is performed by bundling a plurality of LSI external terminals when a pull-up resistor is provided in the external terminals in the first conventional example.

【図33】第2の従来例において、複数のLSI外部端
子を束ねてテストを行う場合の回路構成を示す図であ
る。
FIG. 33 is a diagram showing a circuit configuration in the case where a plurality of LSI external terminals are bundled and a test is performed in the second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 TAP回路 14a,14b,14c,14d セレクタ 15,15a,15b BSCANレジスタ 16,16a,16b Updateラッチ 17 NORゲート 18 ANDゲート 101 LSI基板 102 内部論理回路 111a,111b,111c データ入出力回路 112a,112b,112c データ入力回路 113a,113b,113c 2stデータ出力
回路 114a,114b,114c 3stデータ出力
回路 200 I/Oバッファ(バッファ) 201 入力バッファ(バッファ) 202 2st出力バッファ(バッファ) 203 3st出力バッファ(バッファ) 210 プルアップ抵抗 211 プルダウン抵抗 212 PchTr(制御素子) 213 NchTr(制御素子) 214 セレクタ
10 TAP circuits 14a, 14b, 14c, 14d Selectors 15, 15a, 15b BSCAN registers 16, 16a, 16b Update latch 17 NOR gate 18 AND gate 101 LSI substrate 102 Internal logic circuits 111a, 111b, 111c Data input / output circuits 112a, 112b , 112c Data input circuits 113a, 113b, 113c 2st data output circuits 114a, 114b, 114c 3st data output circuit 200 I / O buffer (buffer) 201 Input buffer (buffer) 202 2st output buffer (buffer) 203 3st output buffer (buffer) ) 210 pull-up resistor 211 pull-down resistor 212 PchTr (control element) 213 NchTr (control element) 214 selector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G132 AA17 AC15 AD01 AK07 AK10 AK13 AL00 4M106 AC01 AC07 CA01 CA10 5F038 DF16 DT05 DT06 DT10 EZ20   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2G132 AA17 AC15 AD01 AK07 AK10                       AK13 AL00                 4M106 AC01 AC07 CA01 CA10                 5F038 DF16 DT05 DT06 DT10 EZ20

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バウンダリスキャン回路を介して内部論
理回路と外部端子との間に接続された複数のバッファを
有する半導体装置において、 前記各外部端子に接続されたプルアップ(又はプルダウ
ン)抵抗の値を測定するために、 前記バウンダリスキャン回路の状態を所定の順序で切り
替えることによって、前記各バッファの論理値を前記プ
ルアップ(又はプルダウン)抵抗の測定に影響のない値
に設定するとともに、前記プルアップ(又はプルダウ
ン)抵抗を電源(又は接地)と接続し又は切り離すため
の制御素子を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値
を用いて、オン/オフ制御可能なように構成したことを
特徴とする半導体装置のDCテスト回路。
1. A semiconductor device having a plurality of buffers connected between an internal logic circuit and an external terminal through a boundary scan circuit, wherein a pull-up (or pull-down) resistance value connected to each external terminal is provided. In order to measure, the state of the boundary scan circuit is switched in a predetermined order to set the logical value of each buffer to a value that does not affect the measurement of the pull-up (or pull-down) resistance. A control element for connecting or disconnecting an up (or pull-down) resistance to a power supply (or ground) is configured to be on / off controllable by using a set value in the boundary scan circuit. DC test circuit for semiconductor devices.
【請求項2】 前記バッファが入出力バッファ又は3ス
テート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン
回路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路におけ
るデータ側のアップデートラッチの論理値であることを
特徴とする請求項1記載の半導体装置のDCテスト回
路。
2. The buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is a logical value of an update latch on the data side in the boundary scan circuit. A DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1.
【請求項3】 前記バッファが入力バッファ又は2ステ
ート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン回
路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路における
アップデートラッチの論理値であることを特徴とする請
求項1記載の半導体装置のDCテスト回路。
3. The buffer is an input buffer or a 2-state output buffer, and the set value in the boundary scan circuit is a logical value of an update latch in the boundary scan circuit. DC test circuit of semiconductor device.
【請求項4】 前記バッファが入出力バッファ又は3ス
テート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン
回路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路におけ
るデータ側のバウンダリスキャンレジスタの論理値であ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のDCテ
スト回路。
4. The buffer is an input / output buffer or a three-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is a logical value of a boundary scan register on the data side in the boundary scan circuit. The DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1.
【請求項5】 前記バッファが入力バッファ又は2ステ
ート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン回
路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路における
バウンダリスキャンレジスタの論理値であることを特徴
とする請求項1記載の半導体装置のDCテスト回路。
5. The buffer is an input buffer or a 2-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is a logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit. A DC test circuit for the semiconductor device described.
【請求項6】 前記バッファが入出力バッファ又は3ス
テート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン
回路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路におけ
るイネーブル側のバウンダリスキャンレジスタの論理値
の反転出力値であることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置のDCテスト回路。
6. The buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is an inverted output value of a logical value of a boundary scan register on the enable side in the boundary scan circuit. The DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 前記バッファが入力バッファ又は2ステ
ート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン回
路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路における
バウンダリスキャンレジスタの論理値の反転出力値であ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のDCテ
スト回路。
7. The buffer is an input buffer or a two-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is an inverted output value of a logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit. The DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1.
【請求項8】 前記バッファが入出力バッファ又は3ス
テート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン
回路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路におけ
るデータ側のアップデートラッチの出力を選択するセレ
クタの出力値であることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置のDCテスト回路。
8. The buffer is an input / output buffer or a 3-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is an output value of a selector that selects an output of a data side update latch in the boundary scan circuit. The DC test circuit for a semiconductor device according to claim 1, wherein the DC test circuit is provided.
【請求項9】 前記バッファが入力バッファ又は2ステ
ート出力バッファであって、前記バウンダリスキャン回
路内の設定値が、前記バウンダリスキャン回路における
アップデートラッチの出力を選択するセレクタの出力値
であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のD
Cテスト回路。
9. The buffer is an input buffer or a two-state output buffer, and a set value in the boundary scan circuit is an output value of a selector that selects an output of an update latch in the boundary scan circuit. The semiconductor device according to claim 1, wherein D
C test circuit.
【請求項10】 バウンダリスキャン回路を介して内部
論理回路と外部端子との間に接続された複数のバッファ
を有する半導体装置において、前記各外部端子に接続さ
れたプルアップ(又はプルダウン)抵抗の値を測定する
際に、前記バウンダリスキャン回路の状態を所定の順序
で切り替えることによって、前記各バッファの論理値を
前記プルアップ(又はプルダウン)抵抗の測定に影響の
ない値に設定するとともに、前記プルアップ(又はプル
ダウン)抵抗を電源(又は接地)と接続し又は切り離す
ための制御素子を、前記バウンダリスキャン回路内の設
定値を用いて、オン/オフ制御することを特徴とする半
導体装置のDCテスト方法。
10. A semiconductor device having a plurality of buffers connected between an internal logic circuit and an external terminal via a boundary scan circuit, the value of a pull-up (or pull-down) resistance connected to each external terminal. When measuring, the state of the boundary scan circuit is switched in a predetermined order to set the logical value of each buffer to a value that does not affect the measurement of the pull-up (or pull-down) resistance. A DC test of a semiconductor device, characterized in that a control element for connecting or disconnecting an up (or pull-down) resistance to a power supply (or ground) is on / off controlled by using a set value in the boundary scan circuit. Method.
【請求項11】 前記バッファが入出力バッファ又は3
ステート出力バッファである場合に、前記バウンダリス
キャン回路におけるデータ側のアップデートラッチの論
理値を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値として
用いることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の
DCテスト方法。
11. The buffer is an input / output buffer or 3
11. The DC test method for a semiconductor device according to claim 10, wherein a logical value of a data side update latch in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit in the case of a state output buffer.
【請求項12】 前記バッファが入力バッファ又は2ス
テート出力バッファである場合に、前記バウンダリスキ
ャン回路におけるアップデートラッチの論理値を、前記
バウンダリスキャン回路内の設定値として用いることを
特徴とする請求項10記載の半導体装置のDCテスト方
法。
12. The logic value of an update latch in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit when the buffer is an input buffer or a two-state output buffer. A method for DC testing a semiconductor device as described.
【請求項13】 前記バッファが入出力バッファ又は3
ステート出力バッファである場合に、前記バウンダリス
キャン回路におけるデータ側のバウンダリスキャンレジ
スタの論理値を、前記バウンダリスキャン回路内の設定
値として用いることを特徴とする請求項10記載の半導
体装置のDCテスト方法。
13. The buffer is an input / output buffer or 3
11. The DC test method for a semiconductor device according to claim 10, wherein in the case of a state output buffer, a logical value of a boundary scan register on a data side in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. .
【請求項14】 前記バッファが入力バッファ又は2ス
テート出力バッファである場合に、前記バウンダリスキ
ャン回路におけるバウンダリスキャンレジスタの論理値
を、前記バウンダリスキャン回路内の設定値として用い
ることを特徴とする請求項10記載の半導体装置のDC
テスト方法。
14. The logical value of a boundary scan register in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit when the buffer is an input buffer or a two-state output buffer. 10 DC of the semiconductor device
Test method.
【請求項15】 前記バッファが入出力バッファ又は3
ステート出力バッファである場合に、前記バウンダリス
キャン回路におけるイネーブル側のバウンダリスキャン
レジスタの論理値の反転出力値を、前記バウンダリスキ
ャン回路内の設定値として用いることを特徴とする請求
項10記載の半導体装置のDCテスト方法。
15. The buffer is an input / output buffer or 3
11. The semiconductor device according to claim 10, wherein in the case of a state output buffer, an inverted output value of a logical value of a boundary scan register on the enable side in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. DC test method.
【請求項16】 前記バッファが入力バッファ又は2ス
テート出力バッファである場合に、前記バウンダリスキ
ャン回路におけるバウンダリスキャンレジスタの論理値
の反転出力値を、前記バウンダリスキャン回路内の設定
値として用いることを特徴とする請求項10記載の半導
体装置のDCテスト方法。
16. When the buffer is an input buffer or a two-state output buffer, an inverted output value of the logical value of the boundary scan register in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. The DC test method for a semiconductor device according to claim 10.
【請求項17】 前記バッファが入出力バッファ又は3
ステート出力バッファである場合に、前記バウンダリス
キャン回路におけるデータ側のアップデートラッチの出
力を選択するセレクタの出力値を、前記バウンダリスキ
ャン回路内の設定値として用いることを特徴とする請求
項10記載の半導体装置のDCテスト方法。
17. The buffer is an input / output buffer or 3
11. The semiconductor according to claim 10, wherein in the case of a state output buffer, the output value of a selector that selects the output of the update latch on the data side in the boundary scan circuit is used as the set value in the boundary scan circuit. DC test method for equipment.
【請求項18】 前記バッファが入力バッファ又は2ス
テート出力バッファである場合に、前記バウンダリスキ
ャン回路におけるアップデートラッチの出力を選択する
セレクタの出力値を、前記バウンダリスキャン回路内の
設定値として用いることを特徴とする請求項10記載の
半導体装置のDCテスト方法。
18. When the buffer is an input buffer or a two-state output buffer, the output value of a selector that selects the output of the update latch in the boundary scan circuit is used as a set value in the boundary scan circuit. 11. The DC test method for a semiconductor device according to claim 10.
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