JPH085709A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH085709A
JPH085709A JP6140054A JP14005494A JPH085709A JP H085709 A JPH085709 A JP H085709A JP 6140054 A JP6140054 A JP 6140054A JP 14005494 A JP14005494 A JP 14005494A JP H085709 A JPH085709 A JP H085709A
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JP
Japan
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input
output
test
state
signal
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Application number
JP6140054A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Kobayashi
賢 小林
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Publication of JPH085709A publication Critical patent/JPH085709A/en
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the working efficiency of DC (direct current) characteristic tests. CONSTITUTION:For daisy-chain connected AND logical gates TGI-TGm, such input signal patterns that the logical states of test outputs in the final stage are alternately toggled and the logical state of each input signal is also appropriately toggled are inputted to input terminals PI1-PIm of the gates. When an outputted test select signal TS is set to an 'H' state, test outputs can be outputted front output terminals PO1-POn. Therefore, the working time of DC characteristic tests can be shortened, because DC characteristic tests about the input can be performed in parallel with those about the output.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、内部回路として、所定
の論理回路が作り込まれた半導体集積回路に係り、特
に、その半導体集積回路自体のDC(direct current)
特性テストの作業能率を向上することができる半導体集
積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit in which a predetermined logic circuit is built as an internal circuit, and more particularly to a DC (direct current) of the semiconductor integrated circuit itself.
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit capable of improving work efficiency of a characteristic test.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路のテストとして、基本的
なものに、DC特性テストがある。このDC特性テスト
は、テスト対象となる半導体集積回路の、入力端子や出
力端子又電源端子の、定常的な電圧や定常的な電流を測
定するというものである。
2. Description of the Related Art As a basic test of a semiconductor integrated circuit, there is a DC characteristic test. This DC characteristic test is to measure a steady voltage or a steady current of an input terminal, an output terminal or a power supply terminal of a semiconductor integrated circuit to be tested.

【0003】例えば入力端子については、電源電圧に対
応する高レベル入力電圧VIHから、グランド電位に対
応する低レベル入力電圧VILまでの、種々の電圧の信
号を入力する。この際、その入力端子に接続される入力
バッファの動作が正常であるか否かがテストされる。例
えば、該入力バッファの閾電圧VTHやVTL等が適正
であるかテストされる。
For example, various voltage signals from a high level input voltage VIH corresponding to the power supply voltage to a low level input voltage VIL corresponding to the ground potential are input to the input terminal. At this time, it is tested whether the operation of the input buffer connected to the input terminal is normal. For example, it is tested whether the threshold voltage VTH or VTL of the input buffer is proper.

【0004】又、入力端子に関するDC特性テストにあ
っては、前記高レベル入力電圧VIHの信号入力時にお
ける入力信号電流、即ち高レベル入力電流IIHの測定
が行われる。又、前記低レベル入力電圧VILの入力時
にあっては、その入力信号の電流、即ち低レベル入力電
流IILを測定する。これら高レベル入力電流IIHの
測定や、低レベル入力電流IILの測定によって、その
入力端子の入力インピーダンスが適性であるかテストさ
れるものである。
Further, in the DC characteristic test on the input terminal, the input signal current at the time of inputting the signal of the high level input voltage VIH, that is, the high level input current IIH is measured. When the low level input voltage VIL is input, the current of the input signal, that is, the low level input current IIL is measured. By measuring the high level input current IIH and the low level input current IIL, the input impedance of the input terminal is tested for suitability.

【0005】又、半導体集積回路の出力端子にあって
は、DC特性テストとして、その出力端子の信号の電圧
の測定が行われる。例えば、その出力端子からH状態が
出力される場合の信号の出力電圧、即ち高レベル出力電
圧VOHの測定が行われる。又、その出力端子からL状
態が出力される際の信号の出力電圧、即ち低レベル出力
電圧VOLの測定が行われるものである。そのテスト対
象となる出力端子について、前記高レベル出力電圧VO
Hが規定以下であれば、正しいH状態を出力することが
できない。一方、その出力端子の前記低レベル出力電圧
VOLが規定以上であれば、正しくL状態を出力するこ
とはできない。
At the output terminal of the semiconductor integrated circuit, the voltage of the signal at the output terminal is measured as a DC characteristic test. For example, the output voltage of the signal when the H state is output from the output terminal, that is, the high level output voltage VOH is measured. Further, the output voltage of the signal when the L state is output from the output terminal, that is, the low level output voltage VOL is measured. Regarding the output terminal to be tested, the high level output voltage VO
If H is below the regulation, the correct H state cannot be output. On the other hand, if the low level output voltage VOL at the output terminal is above the specified level, the L state cannot be output correctly.

【0006】又、半導体集積回路の電源については、入
力信号や出力信号が定常的な状態における、電源電流の
測定が行われる。MOS(metal oxide semiconductor
)型の半導体集積回路では、定常状態における一般的
な電源電流はゼロ乃至は極小さい電流となる。ここで、
このような定常状態であっても大きな電源電流が流れる
場合には、その半導体集積回路の内部に、何らかの不良
が検出されるものである。
Regarding the power supply of the semiconductor integrated circuit, the power supply current is measured when the input signal and the output signal are in a steady state. MOS (metal oxide semiconductor)
) Type semiconductor integrated circuit, the normal power supply current in a steady state is zero or a very small current. here,
Even in such a steady state, when a large power supply current flows, some kind of defect is detected inside the semiconductor integrated circuit.

【0007】図5は、従来から行われている半導体集積
回路のDC特性テストにおける接続を示す回路図であ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a connection in a DC characteristic test of a semiconductor integrated circuit which has been conventionally performed.

【0008】この図5では、半導体集積回路1の入力I
や出力O等に関するDC特性テストを行う際の接続例が
示されている。この図5においては、入力コントロール
装置12と、入力ドライバ14と、入力テスト電源16
と、コンパレータ22a 及び22b と、パス判定装置2
4と、出力テスト電源26とが用いられている。
In FIG. 5, an input I of the semiconductor integrated circuit 1 is input.
An example of connection when performing a DC characteristic test on the output, output O, etc. is shown. In FIG. 5, the input control device 12, the input driver 14, and the input test power supply 16 are shown.
, Comparators 22a and 22b, and path determination device 2
4 and an output test power supply 26 are used.

【0009】まず、前記半導体集積回路1の前記入力I
に関するDC特性テストは、前記入力コントロール装置
12と、前記入力ドライバ14と、前記入力テスト電源
16とを用いて行われる。
First, the input I of the semiconductor integrated circuit 1
The DC characteristic test regarding the input control device 12, the input driver 14, and the input test power supply 16 is performed.

【0010】前記入力コントロール装置12は、前記半
導体集積回路1の前記入力Iへ順次入力する論理状態
を、信号S11として出力する。又、該入力コントロー
ル装置12は、後述する如く出力する前記高レベル入力
電圧VIH及び前記低レベル入力VILが可変な前記入
力テスト電源16の、これら高レベル入力電圧VIH及
び低レベル入力電圧VILの設定を行う。
The input control device 12 outputs, as a signal S11, the logical states sequentially input to the input I of the semiconductor integrated circuit 1. Further, the input control device 12 sets the high-level input voltage VIH and the low-level input voltage VIL of the input test power supply 16 in which the high-level input voltage VIH and the low-level input VIL which are output as described later are variable. I do.

【0011】前記入力テスト電源16は、前記高レベル
入力電圧VIHと前記低レベル入力電圧VILとを発生
する。前記高レベル入力電圧VIHは、前記半導体集積
回路1の前記入力Iへ入力されるH状態の電圧に対応す
る。前記低レベル入力電圧VILは、前記半導体集積回
路1の前記入力Iへ入力される信号のL状態の電圧に対
応する。該入力テスト電源16のこれら高レベル入力電
圧VIL及び低レベル入力電圧VILによって、前記入
力ドライバ14の電源が供給される。該入力テスト電源
16のこれら高レベル入力電圧VIH及び低レベル入力
電圧VILは、前記入力コントロール装置12から入力
される信号に従って、その電圧が可変とされている。こ
れら高レベル入力電圧VIH及び低レベル入力電圧入力
電圧VILを変更することで、前記入力ドライバ14が
前記半導体集積回路1へ出力するH状態の電圧やL状態
の電圧を設定するようにしている。
The input test power supply 16 generates the high level input voltage VIH and the low level input voltage VIL. The high level input voltage VIH corresponds to the H-state voltage input to the input I of the semiconductor integrated circuit 1. The low level input voltage VIL corresponds to the voltage in the L state of the signal input to the input I of the semiconductor integrated circuit 1. The high level input voltage VIL and the low level input voltage VIL of the input test power supply 16 supply the power to the input driver 14. The high level input voltage VIH and the low level input voltage VIL of the input test power supply 16 are variable in accordance with the signal input from the input control device 12. By changing the high-level input voltage VIH and the low-level input voltage input voltage VIL, the H-state voltage and the L-state voltage output from the input driver 14 to the semiconductor integrated circuit 1 are set.

【0012】前記入力ドライバ14は、前記入力コント
ロール装置12が出力する前記信号S11と同一の論理
状態を、信号S12として出力する。特に、該入力ドラ
イバ14は、前記入力テスト電源16から供給される電
源の電圧を変更することで、前記信号S12のH状態の
電圧やL状態の電圧を可変とすることができる。
The input driver 14 outputs the same logic state as the signal S11 output by the input control device 12 as a signal S12. In particular, the input driver 14 can change the voltage of the signal S12 in the H state or the L state by changing the voltage of the power source supplied from the input test power source 16.

【0013】一方、この図5において、前記半導体集積
回路1の出力端子のDC特性テストについては、前記コ
ンパレータ22a 及び22b と、前記パス判定装置24
と、出力テスト電源26とが用いられる。
On the other hand, referring to FIG. 5, for the DC characteristic test of the output terminal of the semiconductor integrated circuit 1, the comparators 22a and 22b and the path determination device 24 are used.
And an output test power supply 26 are used.

【0014】まず、前記コンパレータ22a 及び22b
は、互いに同一のものであり、入力+と、入力−と、出
力Uとを有する。これらコンパレータ22a 及び22b
は、その入力+へ入力される電圧が、その入力−へ入力
される電圧以上となると、その出力UはH状態となる。
一方、これらコンパレータ22a 及び22b について
は、その入力+へ入力される電圧が、その入力−へ入力
される電圧未満である場合、その出力UはL状態となる
ものである。
First, the comparators 22a and 22b
Are the same as each other and have an input +, an input −, and an output U. These comparators 22a and 22b
When the voltage input to its input + is equal to or higher than the voltage input to its input −, its output U is in the H state.
On the other hand, for the comparators 22a and 22b, when the voltage input to the input + is less than the voltage input to the input-, the output U is in the L state.

【0015】前記コンパレータ22a のその入力+に
は、低レベル出力電圧VOLが入力されている。又、該
コンパレータ22a のその入力−には、前記半導体集積
回路1が出力する信号S13が入力されている。従っ
て、該コンパレータ22a は、前記信号S13が前記低
レベル出力電圧VOL以下の場合、その前記出力Uから
H状態を出力する。一方、前記信号S13が前記低レベ
ル出力電圧VOLより大きい場合、L状態を出力するも
のである。従って、該コンパレータ22a が出力する前
記信号S14により、前記信号S13がL状態の際、そ
のL状態の電圧がその規定限界未満に正しく達している
か、即ち、L状態の電圧は前記低レベル出力電圧VOL
未満という条件を満しているか否かを判定することがで
きる。
The low level output voltage VOL is input to the input + of the comparator 22a. The signal S13 output from the semiconductor integrated circuit 1 is input to the input- of the comparator 22a. Therefore, the comparator 22a outputs the H state from the output U when the signal S13 is equal to or lower than the low level output voltage VOL. On the other hand, when the signal S13 is higher than the low level output voltage VOL, the L state is output. Therefore, when the signal S13 is in the L state, the voltage in the L state has correctly reached below the specified limit by the signal S14 output from the comparator 22a, that is, the voltage in the L state is the low level output voltage. VOL
It is possible to determine whether or not the condition of less than is satisfied.

【0016】又、前記コンパレータ22b については、
その入力+へは前記信号S13が入力されており、その
入力−へは前記高レベル出力電圧VOHが入力されてい
る。従って、該コンパレータ22b は、前記信号S13
の電圧が前記高レベル出力電圧VOH以上である場合、
その出力UからH状態を出力する。一方、前記信号S1
3の電圧が前記高レベル出力VOHより小さい場合、そ
の出力UからL状態を出力するというものである。従っ
て、該コンパレータ22b によれば、その出力Uから出
力される前記信号S15により、前記半導体集積回路1
が出力する前記信号S13がH状態の場合、そのH状態
の電圧がその規定限界以上であるか、即ち、H状態の電
圧は前記高レベル出力電圧VOH以上であるかが判定さ
れるものである。
Regarding the comparator 22b,
The signal S13 is input to its input +, and the high level output voltage VOH is input to its input −. Therefore, the comparator 22b outputs the signal S13.
Is higher than the high level output voltage VOH,
The output U outputs the H state. On the other hand, the signal S1
When the voltage of 3 is smaller than the high level output VOH, the output U outputs the L state. Therefore, according to the comparator 22b, by the signal S15 output from the output U, the semiconductor integrated circuit 1
When the signal S13 output from the H state is in the H state, it is determined whether the H state voltage is equal to or higher than the specified limit, that is, the H state voltage is equal to or higher than the high level output voltage VOH. .

【0017】又、前記パス判定装置24は、前記コンパ
レータ22a が出力する前記信号S14、及び前記コン
パレータ22b が出力する前記信号S15に基づいて、
又、前記半導体集積回路1が出力する前記信号S13の
論理状態と突き合せることで、該信号S13が規定の良
品条件を満しているかを判定することができる。即ち、
該パス判定装置24は、前記信号S13がL状態の場
合、前記信号S14がH状態であれば、該信号S13が
L状態となることに関しては不具合がないものと判定す
る。一方、該パス判定装置24は、前記信号S13がH
状態の場合には、前記信号S15がH状態であれば、該
信号S13のH状態について不具合がないものと判定す
るものである。
Further, the path judging device 24, based on the signal S14 outputted by the comparator 22a and the signal S15 outputted by the comparator 22b,
Further, by comparing with the logic state of the signal S13 output from the semiconductor integrated circuit 1, it is possible to determine whether the signal S13 satisfies the specified non-defective condition. That is,
When the signal S13 is in the L state and the signal S14 is in the H state, the path determination device 24 determines that there is no problem with respect to the signal S13 being in the L state. On the other hand, the path determination device 24 determines that the signal S13 is H level.
In the case of the state, if the signal S15 is in the H state, it is determined that there is no problem in the H state of the signal S13.

【0018】前記出力テスト電源26は、前記低レベル
出力電圧VOLと前記高レベル出力電圧VOHとを生成
する。まず、前記低レベル出力電圧VOLは、被テスト
対象となる前記半導体集積回路1がL状態を出力する場
合、正しくL状態が伝達されるための上限の電圧であ
る。即ち、前記半導体集積回路1がL状態を出力する場
合、その信号の電圧は該低レベル出力電圧VOL以下と
なる必要がある。一方、前記高レベル出力電圧VOH
は、被テスト対象となる前記半導体集積回路1がH状態
を出力する場合、正しくH状態を伝達するための下限の
電圧である。即ち、前記半導体集積回路1がH状態を出
力する場合、その電圧は前記高レベル出力電圧VOH以
上となる必要があるものである。
The output test power supply 26 generates the low level output voltage VOL and the high level output voltage VOH. First, the low level output voltage VOL is an upper limit voltage for correctly transmitting the L state when the semiconductor integrated circuit 1 to be tested outputs the L state. That is, when the semiconductor integrated circuit 1 outputs the L state, the voltage of the signal needs to be lower than the low level output voltage VOL. On the other hand, the high level output voltage VOH
Is a lower limit voltage for correctly transmitting the H state when the semiconductor integrated circuit 1 to be tested outputs the H state. That is, when the semiconductor integrated circuit 1 outputs the H state, its voltage needs to be higher than the high level output voltage VOH.

【0019】このように図5に示されるように、入力端
子や出力端子に関するDC特性テストを行うことができ
る。即ち、入力端子に入力されるL状態やH状態を、被
テスト対象となる前記半導体集積回路1がその信号を正
しく入力できるかを判定することができる。又、被テス
ト対象となる前記半導体集積回路1が出力する信号が、
正しくL状態やH状態を出力し伝達するものであるか否
かを判定することができる。
Thus, as shown in FIG. 5, it is possible to perform a DC characteristic test on the input terminal and the output terminal. That is, it is possible to determine whether the semiconductor integrated circuit 1 to be tested can correctly input the signal of the L state or the H state input to the input terminal. The signal output from the semiconductor integrated circuit 1 to be tested is
It can be determined whether or not the L state or the H state is correctly output and transmitted.

【0020】又、前記図5に示されるようなDC特性テ
ストを行う際の作業能率を向上させるため、様々な技術
が開示されている。
Various techniques have been disclosed in order to improve the work efficiency when performing the DC characteristic test as shown in FIG.

【0021】図6は、その半導体集積回路自体のDC特
性テストの作業能率の向上が図られたものの論理回路図
である。この図6においては、入力端子PI1〜PIm
により信号が入力され、出力端子PO1〜POn により
信号が出力される、内部回路3が作り込まれた半導体集
積回路が示されている。該内部回路3には、その半導体
集積回路を機能させるための所定の論理回路が作り込ま
れているものである。
FIG. 6 is a logic circuit diagram in which the work efficiency of the DC characteristic test of the semiconductor integrated circuit itself is improved. In FIG. 6, the input terminals PI1 to PIm
Is input and the signals are output from the output terminals PO1 to POn. The semiconductor integrated circuit has the internal circuit 3 built therein. The internal circuit 3 is provided with a predetermined logic circuit for functioning the semiconductor integrated circuit.

【0022】このような半導体集積回路において、前記
入力端子PI1〜PIm については、DC特定テストに
ついて配慮されている。
In such a semiconductor integrated circuit, consideration is given to a DC specific test for the input terminals PI1 to PIm.

【0023】即ち、これら入力端子PI1〜PIm それ
ぞれには、入力テスト回路として、NAND論理ゲート
TG1〜TGm が接続されている。これら入力テスト回
路とされるNAND論理ゲートTG1〜TGn は、前記
入力端子PI1〜PIm に対応して設けられる入力バッ
ファBI1〜BIm 毎に設けられている。又、これら入
力テスト回路については、ある1つの入力テスト回路の
出力をテスト出力Tiとすれば、前段の入力テスト回路
のそのテスト出力T(i −1)と、当段の入力テスト回
路に対応する入力バッファのその出力との、論理積演算
を行うものである。
That is, NAND logic gates TG1 to TGm are connected to the respective input terminals PI1 to PIm as input test circuits. The NAND logic gates TG1 to TGn used as these input test circuits are provided for each of the input buffers BI1 to BIm provided corresponding to the input terminals PI1 to PIm. Regarding these input test circuits, if the output of one input test circuit is the test output Ti, the test output T (i-1) of the input test circuit of the previous stage and the input test circuit of this stage The AND operation is performed with the output of the input buffer.

【0024】又、このような各入力バッファBI1〜B
Im 毎に設けられた、これら入力テスト回路とされるN
AND論理ゲートTG1〜TGm は、互いにデイジチェ
イン接続されているものである。又、このようにデイジ
チェイン接続された最終段の前記NAND論理ゲートT
Gm が出力する前記テスト出力Tm は、出力バッファB
3及び出力端子PK3を経て、半導体集積回路の外部へ
出力されている。
Further, such input buffers BI1 to BI1
N for each input test circuit provided for each Im
The AND logic gates TG1 to TGm are daisy chain connected to each other. Further, the NAND logic gate T at the final stage, which is daisy chain connected in this way,
The test output Tm output by Gm is the output buffer B
It is output to the outside of the semiconductor integrated circuit through the output terminal 3 and the output terminal PK3.

【0025】図7は、前記入力テスト回路に関する動作
を示す線図である。
FIG. 7 is a diagram showing the operation of the input test circuit.

【0026】この図7においては、前記図6に示される
“m ”を5としたときの、前記入力端子PI1の信号
(この図7中でAで示される)と、前記入力端子PI2
の信号(Bで示される)と、前記入力端子PI3の信号
(Cで示される)と、前記入力端子PI4の信号(Dで
示される)と、前記入力端子PI5の信号(Eで示され
る)と共に、前記テスト出力T7として出力され、前記
出力バッファB3から出力される出力信号TOが示され
ている。
In FIG. 7, when "m" shown in FIG. 6 is 5, the signal at the input terminal PI1 (indicated by A in FIG. 7) and the input terminal PI2.
Signal (shown by B), the signal of the input terminal PI3 (shown by C), the signal of the input terminal PI4 (shown by D), and the signal of the input terminal PI5 (shown by E). At the same time, an output signal TO which is output as the test output T7 and is output from the output buffer B3 is shown.

【0027】又、この図7に示されるように、ステップ
1からステップ11へのそれぞれの、A〜Eに示される
入力信号パターンは、前記入力端子PI1〜PI5へ、
テストパターンとして順次入力されるものである。又、
各ステップで入力される信号パターンに対して、この図
7に対応して示される出力信号TOの論理状態と、同一
のものが前記出力端子PT3から出力されれば、そのス
テップについては特に不具合がないものとするものであ
る。このように各ステップの入力パターンを順次入力す
ることで、前記入力バッファBI1〜BI5等の不良を
検出することが可能である。
Further, as shown in FIG. 7, the input signal patterns shown in A to E from step 1 to step 11 are input to the input terminals PI1 to PI5, respectively.
The test patterns are sequentially input. or,
If the same logic state of the output signal TO shown in FIG. 7 is output from the output terminal PT3 with respect to the signal pattern input in each step, there is a particular problem in that step. There is no such thing. By sequentially inputting the input pattern of each step in this manner, it is possible to detect a defect in the input buffers BI1 to BI5.

【0028】特に、この図7に示されるステップ1から
ステップ11の入力信号パターンを順次入力しながら、
前記図5に示される前記入力ドライバ14に供給される
電圧を、前記入力テスト電源16にて変更しながら測定
することができる。即ち、許容された電圧を入力信号が
入力された際に、正しく論理状態を判定することができ
るかテストされるものである。
In particular, while sequentially inputting the input signal patterns of steps 1 to 11 shown in FIG. 7,
The voltage supplied to the input driver 14 shown in FIG. 5 can be measured while being changed by the input test power supply 16. That is, it is tested whether the logic state can be correctly determined when the input signal is input with the allowable voltage.

【0029】[0029]

【発明が達成しようとする課題】しかしながら、前記図
6に示されるものは、DC特性テストの、特に入力に関
するものである。前述の如く、DC特性テストは、入力
端子に関するものと出力端子に関するものと、それぞれ
特定の入力信号パターンを用いながら独立して行われる
ものであった。
However, the one shown in FIG. 6 relates to the DC characteristic test, particularly to the input. As described above, the DC characteristic test is performed independently for the input terminals and the output terminals while using specific input signal patterns.

【0030】このため、多数の入力信号パターンを用い
た入力端子に関するDC特性テストと、更に多数の入力
信号パターンを用いる傾向のある出力端子に関するDC
特性テストとを、このように独立して行うため、全体の
作業時間は長くなってしまうものである。特に、出力端
子に関するDC特性テストは、入力端子に関するDC特
性テストより多くのテストパターン及びテスト時間を要
するものであり、作業時間が掛るものであった。
Therefore, the DC characteristic test for the input terminal using a large number of input signal patterns, and the DC characteristic test for the output terminal which tends to use a larger number of input signal patterns.
Since the characteristic test is performed independently of each other in this way, the whole working time becomes long. In particular, the DC characteristic test on the output terminal requires more test patterns and test time than the DC characteristic test on the input terminal, which requires a long working time.

【0031】このような出力端子に関するDC特性テス
トにあっては、対象となる出力端子を、L状態からH状
態へとトグルしたり、H状態からL状態へとトグルさせ
る必要がある。このようなトグルは、テスト対象となる
前記半導体集積回路1の入力端子へと、特定の入力信号
パターンを順次入力しながら行うものである。
In the DC characteristic test for such an output terminal, it is necessary to toggle the target output terminal from the L state to the H state or from the H state to the L state. Such a toggle is performed while sequentially inputting a specific input signal pattern to the input terminal of the semiconductor integrated circuit 1 to be tested.

【0032】通常、テスト対象となる出力端子が所望の
論理状態となったところで、テスト対象となる前記半導
体集積回路1へ入力される信号を固定し、前述のような
前記コンパレータ22a や22b 又前記パス判定装置2
4を用いた判定を行うものであった。又、このような各
出力端子に関するDC特性テストは、対象となる前記半
導体集積回路1の全ての出力端子に対して、順次行われ
るものである。
Normally, when the output terminal to be tested becomes the desired logic state, the signal input to the semiconductor integrated circuit 1 to be tested is fixed, and the comparators 22a, 22b and Path determination device 2
4 was used for the determination. The DC characteristic test on each output terminal is sequentially performed on all the output terminals of the target semiconductor integrated circuit 1.

【0033】従って、半導体集積回路1の入力端子の数
が増加すると、1つの入力信号パターンの長さも長くな
ってしまう。又、出力端子の数が増加すれば、それだけ
テスト対象が増加し、作業時間が延長してしまうもので
ある。
Therefore, if the number of input terminals of the semiconductor integrated circuit 1 increases, the length of one input signal pattern also increases. Moreover, as the number of output terminals increases, the number of test objects increases and the working time increases.

【0034】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、その半導体集積回路自体のDC特性
テストの作業能率を向上することができる半導体集積回
路を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a semiconductor integrated circuit capable of improving the work efficiency of the DC characteristic test of the semiconductor integrated circuit itself. .

【0035】[0035]

【課題を達成するための手段】本発明は、内部回路とし
て、所定の論理回路が作り込まれた半導体集積回路にお
いて、DC特性テストのテスト対象となる、当該半導体
集積回路の外部から前記内部回路へ信号を入力する際に
用いられる、合計m 個の入力バッファと、該入力バッフ
ァ毎に設けられ、前段となる別の当該入力テスト回路の
そのテスト出力T(i −1)と、当段の当該入力テスト
回路に対応する入力バッファのその出力との特定論理演
算を行い、その演算結果を当段の当該入力テスト回路の
テスト出力Ti として出力する、互いにデイジチェイン
接続される合計m 個の入力テスト回路と、DC特性テス
トのテスト対象となる、前記内部回路から当該半導体集
積回路の外部へ信号を出力する際に用いられる、合計n
個の出力バッファと、該出力バッファ毎に設けられ、対
応する出力バッファの出力を内部回路からの信号に応じ
て変化させるか、最終段の前記入力テスト回路が出力す
る前記テスト出力Tm に応じて変化させるか、所定の出
力テスト選択信号に従って選択する合計n 個の出力テス
ト回路とを備えることにより、前記課題を達成したもの
である。
According to the present invention, in a semiconductor integrated circuit in which a predetermined logic circuit is built as an internal circuit, the internal circuit from the outside of the semiconductor integrated circuit which is a test target of a DC characteristic test. A total of m input buffers used for inputting a signal to the input buffer, the test output T (i −1) of another input test circuit provided for each of the input buffers, which is the previous stage, and A total of m inputs that are daisy-chain connected to each other, which performs a specific logical operation with the output of the input buffer corresponding to the input test circuit and outputs the operation result as the test output Ti of the input test circuit of the present stage. A total of n used for outputting a signal from the internal circuit to the outside of the semiconductor integrated circuit, which is a test target of the test circuit and the DC characteristic test
Output buffers, and the output of the corresponding output buffer provided for each output buffer is changed according to the signal from the internal circuit, or according to the test output Tm output from the input test circuit at the final stage. The above object is achieved by including a total of n output test circuits that are changed or selected according to a predetermined output test selection signal.

【0036】[0036]

【作用】前述したように、半導体集積回路のDC特性テ
ストは、従来、入力端子に関するものと出力端子に関す
るものとが、独立して行われているものであった。ま
ず、入力端子に関するDC特性テストについては、複数
の入力信号パターンを要するものであり、テスト時間を
要するものであった。又、出力端子に関するDC特性テ
ストについては、より一層多くの入力信号パターンを要
するものである。
As described above, the DC characteristic test of the semiconductor integrated circuit has hitherto been performed independently for the input terminal and the output terminal. First, the DC characteristic test on the input terminal requires a plurality of input signal patterns and requires a test time. Further, the DC characteristic test on the output terminal requires a larger number of input signal patterns.

【0037】このため、本発明にあっては、このような
入力端子に関するDC特性テストと、このような出力端
子に関するDC特性テストとを同時に行うことで、その
DC特性テスト全体に要する作業時間を短縮し、作業能
率を向上するようにしている。
Therefore, in the present invention, the DC characteristic test for such an input terminal and the DC characteristic test for such an output terminal are simultaneously performed, so that the working time required for the entire DC characteristic test is reduced. The work is shortened to improve work efficiency.

【0038】又、出力端子に関するDC特性テストにつ
いては、入力端子に関するDC特性テスト等に比べて
も、従来、より一層多くの入力信号パターンを要するも
のなので、本発明ではこの点を改善するようにしてい
る。
Further, the DC characteristic test for the output terminal requires a larger number of input signal patterns than the DC characteristic test for the input terminal. Therefore, the present invention aims to improve this point. ing.

【0039】即ち、出力テスト選択信号を用い、“テス
ト状態”あるいは“通常状態”の選択を行うようにして
いる。テスト状態が選択された場合には、本発明では、
その半導体集積回路の出力端子の論理状態を、該半導体
集積回路外部からより容易に変更設定できるようにして
いる。従って、出力端子の論理状態を設定するために、
多くの入力信号パターンを入力する必要がなく、作業能
率を向上することができる。
That is, the "test state" or "normal state" is selected by using the output test selection signal. If a test state is selected, the present invention
The logic state of the output terminal of the semiconductor integrated circuit can be easily changed and set from outside the semiconductor integrated circuit. Therefore, to set the logic state of the output terminal,
It is not necessary to input many input signal patterns, and work efficiency can be improved.

【0040】[0040]

【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0041】図1は、本発明が適用された半導体集積回
路の第1実施例の論理回路図である。
FIG. 1 is a logic circuit diagram of a first embodiment of a semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied.

【0042】この図1においては、半導体集積回路に
は、内部回路3へと、所定の論理回路が作り込まれてい
る。該内部回路3は、入力端子PI1〜PIm 及び入力
バッファBI1〜BIm により、その半導体集積回路外
部から信号を入力する。又、該内部回路3は、出力バッ
ファBO1〜BOn 又出力端子PO1〜POn により、
その半導体集積回路外部へと信号を出力する。
In FIG. 1, a predetermined logic circuit is built in the internal circuit 3 in the semiconductor integrated circuit. The internal circuit 3 inputs signals from outside the semiconductor integrated circuit by means of the input terminals PI1 to PIm and the input buffers BI1 to BIm. Further, the internal circuit 3 is provided with output buffers BO1 to BOn and output terminals PO1 to POn,
The signal is output to the outside of the semiconductor integrated circuit.

【0043】又、本第1実施例の半導体集積回路は、N
AND論理ゲートTG1〜TGm と、マルチプレクサT
M1〜TMn と、入力バッファB1及びB2と、AND
論理ゲートG1及びG2とを備えるものである。
The semiconductor integrated circuit of the first embodiment has N
AND logic gates TG1 to TGm and multiplexer T
AND with M1 to TMn and input buffers B1 and B2
The logic gates G1 and G2 are provided.

【0044】まず、前記NAND論理ゲートTG1は、
前記図6に示した同符号のものと同様、入力テスト回路
となっている。又、最終段の前記NAND論理ゲートT
Gmが出力するそのテスト出力Tm は、後述する前記マ
ルチプレクサTM1〜TMn全ての、その入力1へと入
力されている。
First, the NAND logic gate TG1 is
The input test circuit is the same as the one having the same reference numeral shown in FIG. Also, the NAND logic gate T at the final stage
The test output Tm output by Gm is input to the input 1 of all of the multiplexers TM1 to TMn described later.

【0045】この図1に示されるように、デイジチェイ
ン接続された前記NAND論理ゲートTG1〜TGm に
ついては、前記図7を用いて前述したような動作をする
ものである。従って、前記図7に示されるような入力信
号パターンを入力した場合、前記テスト出力信号Pm
(前記図7で前記出力信号TOに相当)は、ステップが
1つ進む毎に、H状態とL状態とがトグルする。
As shown in FIG. 1, the NAND logic gates TG1 to TGm, which are daisy chain connected, operate as described above with reference to FIG. Therefore, when the input signal pattern as shown in FIG. 7 is input, the test output signal Pm
(Corresponding to the output signal TO in FIG. 7) toggles between the H state and the L state each time the step advances.

【0046】前記マルチプレクサTM1〜TMn は、本
発明の出力テスト回路に相当するものである。該マルチ
プレクサPM1〜PMn は、合計n 個の前記出力バッフ
ァBO1〜BOn 毎に設けられている。又、該マルチプ
レクサTM1〜TMn は、対応する前記出力バッファB
O1〜BOn の出力を、前記内部回路3からの信号に応
じて変化させるか、最終段の前記NAND論理ゲートT
Gm (入力テスト回路)が出力する前記テスト出力Tm
に応じて変化させるか、出力テスト選択信号TSに従っ
て選択するものである。
The multiplexers TM1 to TMn correspond to the output test circuit of the present invention. The multiplexers PM1 to PMn are provided for each of the n output buffers BO1 to BOn. Further, the multiplexers TM1 to TMn are connected to the corresponding output buffer B.
The outputs of O1 to BOn are changed according to the signal from the internal circuit 3, or the NAND logic gate T at the final stage is changed.
The test output Tm output from Gm (input test circuit)
According to the output test selection signal TS.

【0047】具体的には、該マルチプレクサTM1〜T
Mn は、その選択入力Sへ入力される前記出力テスト選
択信号TSに従って、その入力0へ入力される前記内部
回路3からの信号、あるいはその入力1へ入力される前
記テスト出力Tm とのいずれか一方を選択し、選択され
たものをその出力Uへ出力するというものである。即
ち、該マルチプレクサTM1〜TMn は、前記出力テス
ト選択信号TSがL状態であれば、前記内部回路3から
の論理状態を対応する前記出力バッファBO1〜BOn
へ出力する。一方、該マルチプレクサTM1〜TMn
は、前記出力テスト信号TSがH状態の場合、前記テス
ト出力Tm を対応する前記出力バッフアBO1〜BOn
へと出力するものである。
Specifically, the multiplexers TM1 to T
Mn is either the signal from the internal circuit 3 input to its input 0 or the test output Tm input to its input 1 according to the output test selection signal TS input to its selection input S. One is selected and the selected one is output to the output U. That is, when the output test selection signal TS is in the L state, the multiplexers TM1 to TMn output the output buffers BO1 to BOn corresponding to the logic state from the internal circuit 3.
Output to. On the other hand, the multiplexers TM1 to TMn
Means that when the output test signal TS is in the H state, the output buffers BO1 to BOn corresponding to the test output Tm are
Is output to.

【0048】なお、前記図1において、出力バッファB
O(n −1)及びBOn については、トライステート出
力となっている。又、このようなトライステート出力の
制御は、前記AND論理ゲートG1あるいはG2によっ
て行われている。
In FIG. 1, the output buffer B
For O (n-1) and BOn, tri-state output is performed. Control of such tri-state output is performed by the AND logic gate G1 or G2.

【0049】これらAND論理ゲートG1及びG2にお
いて、入力バッファB2を介して入力される出力テスト
イネーブル信号TEがH状態となると、前記出力バッフ
ァBO(n −1)及びBOn は、いずれも、選択状態
(イネーブル状態)となり、それぞれに入力される出力
O1〜On の信号の論理状態をそのまま出力する。
In the AND logic gates G1 and G2, when the output test enable signal TE input through the input buffer B2 is in the H state, both of the output buffers BO (n -1) and BOn are in the selected state. (Enable state), the logic states of the signals of the outputs O1 to On input respectively are output as they are.

【0050】又、これら出力バッファBO(n −1)及
びBOn は、前記出力テストイネーブル信号TEがL状
態となると、それぞれ対応する前記内部回路3からのイ
ネーブル信号TE1又はTE2に応じて動作するもので
ある。即ち、前記出力テストイネーブル信号TEがL状
態の場合、前記出力バッファBO(n −1)はイネーブ
ル信号TE1に応じ、前記出力バッファBOn はイネー
ブル信号TE2に応じ、それぞれの論理状態の出力、あ
るいはそれぞれの出力のハイインピーダンス状態の制御
がなされる。
The output buffers BO (n -1) and BOn operate according to the enable signal TE1 or TE2 from the corresponding internal circuit 3 when the output test enable signal TE is in the L state. Is. That is, when the output test enable signal TE is in the L state, the output buffer BO (n-1) outputs the respective logic states according to the enable signal TE1, and the output buffer BOn outputs the respective logic states, or respectively. The output is controlled to a high impedance state.

【0051】このような本第1実施例においては、ま
ず、通常動作時は、前記出力テスト選択信号TSをL状
態とし、前記出力テストイネーブル信号TEをL状態と
する。これによって、前記マルチプレクサTM1〜TM
n は、いずれも、それぞれの入力0をそれぞれの出力U
へ接続する。これによって、前記内部回路3の出力O1
〜On は、それぞれ前記出力端子TO1〜TOn へ接続
される。従って、該内部回路3は、前述のような入力テ
スト回路や、前述のような接続テスト回路に拘らず動作
する。
In the first embodiment, the output test selection signal TS is set to the L state and the output test enable signal TE is set to the L state during the normal operation. Thereby, the multiplexers TM1 to TM
In each case, n is the input 0 and the output U
Connect to. As a result, the output O1 of the internal circuit 3 is
To On are connected to the output terminals TO1 to TOn, respectively. Therefore, the internal circuit 3 operates regardless of the input test circuit described above and the connection test circuit described above.

【0052】一方、本第1実施例において、入力端子に
関するDC特性テストを行い、出力端子に関するDC特
性テストを行う場合には、前記出力テスト選択信号TS
をH状態とし、前記出力テストイネーブル信号TEをH
状態とする。この後、前記入力端子PI1〜PIm へ
と、前記図7に示されるような入力信号パターンを順次
入力する。
On the other hand, in the first embodiment, when the DC characteristic test for the input terminal is performed and the DC characteristic test for the output terminal is performed, the output test selection signal TS is used.
Is set to the H state, and the output test enable signal TE is set to the H level.
State. After that, the input signal patterns as shown in FIG. 7 are sequentially input to the input terminals PI1 to PIm.

【0053】即ち、このような入力信号パターンにおい
て、まず、前記入力端子PI1〜PIm 全てをH状態と
する。この後、各ステップ毎に、前記入力端子PI1か
ら前記入力端子PIm まで、1ピン毎にL状態へ設定し
ていく。(m +1)ステップ後、全ての前記入力端子P
I1〜PIm がL状態となった後には、今度は前記入力
端子PIm 側から前記入力端子PI1側へと、各ステッ
プ毎に順次、H状態へと切換えていく。
That is, in such an input signal pattern, first, all the input terminals PI1 to PIm are set to the H state. After that, the L state is set for each pin from the input terminal PI1 to the input terminal PIm at each step. After (m + 1) steps, all the input terminals P
After I1 to PIm are in the L state, this time, the input terminal PIm side is switched to the input terminal PI1 side, and the H state is sequentially switched at each step.

【0054】このようにすると、前記テスト出力Tm の
論理状態は、1ステップ毎に、H状態とL状態とを交互
にトグルするようになる。又、このような該テスト出力
Tmは、前記マルチプレクサTM1〜TMn 及び前記出
力バッファBO1〜BOn を経て、それぞれ前記出力端
子PO1〜POn から出力される。
By doing so, the logic state of the test output Tm alternately toggles between the H state and the L state for each step. The test output Tm is output from the output terminals PO1 to POn via the multiplexers TM1 to TMn and the output buffers BO1 to BOn, respectively.

【0055】従って、このような入力信号パターンを順
次入力しながら、前記出力端子PO1〜PIn のいずれ
かの出力を観測することで、まず、前述のような入力端
子のDC特性テストを行うことができる。又、同時に前
記出力端子PO1〜POn の信号のトグルを観測するこ
とで、それぞれの出力端子のDC特性テストをも同時に
行うことが可能である。
Therefore, by observing the output of any one of the output terminals PO1 to PIn while sequentially inputting such an input signal pattern, it is possible to first perform the DC characteristic test of the input terminal as described above. it can. Further, by simultaneously observing the toggle of the signals of the output terminals PO1 to POn, it is possible to simultaneously perform the DC characteristic test of each output terminal.

【0056】ここで、入力端子のDC特性テストについ
て考えた場合、m 本の入力端子数の場合、略(m ×2+
1)ステップの入力信号のパターンを必要とする。一
方、出力端子に関するDC特性テストについて考えた場
合、n 本の前記出力端子PO1〜POn を1ピンづつ3
ステップでDC特性テストを行う場合には、(n ×3)
の入力信号パターンを要するものである。
Here, when considering the DC characteristic test of the input terminals, in the case of the number of m input terminals, approximately (m × 2 +
1) The pattern of the input signal of the step is required. On the other hand, when considering the DC characteristic test on the output terminals, the n output terminals PO1 to POn are 3 pins by pin.
When performing a DC characteristic test in steps, (n × 3)
Input signal pattern is required.

【0057】ここで、本実施例においては、入力端子に
関するDC特性テストと、出力端子に関するDC特性テ
ストを並行実行することができる。従って、入力端子に
関するDC特性テストと出力端子に関するDC特性テス
トとをいずれも終了するためには、(n ×2+1)ある
いは(n ×3)のいずれか大きい方のステップ数だけ、
入力信号のテストパターンを入力すればよく、テスト時
間の短縮を図ることが可能である。
Here, in the present embodiment, the DC characteristic test for the input terminal and the DC characteristic test for the output terminal can be executed in parallel. Therefore, in order to complete both the DC characteristic test on the input terminal and the DC characteristic test on the output terminal, the larger number of steps (n × 2 + 1) or (n × 3),
It is only necessary to input the test pattern of the input signal, and the test time can be shortened.

【0058】なお、前記入力テスト回路とされた本第1
実施例の前記NAND論理ゲートTG1〜TGm につい
ては、このようなNAND論理ゲートに限定されるもの
ではない。即ち、それぞれ、AND論理ゲートであって
もよく、OR論理ゲートであってもよく、NOR論理ゲ
ートであってもよく、エクスクルーシブOR論理ゲート
であってもよい。
It should be noted that this first test circuit is used as the input test circuit.
The NAND logic gates TG1 to TGm of the embodiment are not limited to such NAND logic gates. That is, each may be an AND logic gate, an OR logic gate, a NOR logic gate, or an exclusive OR logic gate.

【0059】又、その他予め論理が定まったものであれ
ば、大抵のものも用いることができる。場合によって
は、異なる論理を演算するものを混在することも考えら
れるものである。
In addition, if the logic is determined in advance, most of them can be used. Depending on the case, it is possible to mix the ones that operate different logics.

【0060】例えば、前記NAND論理ゲートTG1〜
TGm を、全てAND論理ゲートとし、前記入力端子P
I1〜PIm の本数を7本(n =7)とした場合、図2
に示されるような入力信号のテストパターンを入力すれ
ばよい。なお、AND論理ゲートを用いこの図2に示さ
れるような入力信号パターンを入力するものを、以降、
第2実施例と称する。
For example, the NAND logic gates TG1 to TG1
TGm are all AND logic gates, and the input terminal P
When the number of I1 to PIm is 7 (n = 7), FIG.
The test pattern of the input signal as shown in FIG. It is to be noted that an AND logic gate is used to input the input signal pattern as shown in FIG.
This is called the second embodiment.

【0061】なお、前記第1実施例あるいは前記第2実
施例において、前記出力バッファBO(n −1)及びB
On をいずれも通常の出力バッファ(トライステート出
力ではないもの)とし、DC特性テストの対象となる出
力端子に関して、全ての出力バッファが通常のもの(ト
ライステート出力ではないもの)とすることもできる。
この場合、前記出力テストイネーブル信号TEは不要で
ある。従って、入力端子PT1、入力バッファB2、A
ND論理ゲートG1及び図2を省略することができる。
In the first or second embodiment, the output buffers BO (n-1) and B (n-1) and B (n-1)
It is also possible that all the On's are normal output buffers (not tri-state outputs) and all output buffers are normal ones (not tri-state outputs) with respect to the output terminals subject to the DC characteristic test. .
In this case, the output test enable signal TE is unnecessary. Therefore, the input terminal PT1, the input buffers B2, A
The ND logic gate G1 and FIG. 2 can be omitted.

【0062】図3は、本発明が適用された半導体集積回
路の第3実施例の論理回路図である。
FIG. 3 is a logic circuit diagram of a third embodiment of a semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied.

【0063】この図3に示される如く、本第3実施例に
おいては、前記第1実施例における入力端子の数を4と
し(m =4)、出力端子の数を5とし(n =5)とした
ものである。又、このようなものに、双方向の入出力端
子PIOを用いると共に、又入力バッファBI及びトラ
イステート出力の出力バッファBOによる双方向バッフ
ァを用いるようにしている。
As shown in FIG. 3, in the third embodiment, the number of input terminals in the first embodiment is four (m = 4), and the number of output terminals is five (n = 5). It is what In addition to this, a bidirectional input / output terminal PIO is used, and a bidirectional buffer composed of an input buffer BI and an output buffer BO of tristate output is used.

【0064】このため、本第3実施例については、特
に、入力テスト回路として用いられるNAND論理ゲー
トTGとD型ラッチG5を備える。又、出力テスト回路
としてマルチプレクサTMを備える。双方向の入出力バ
ッファの前記出力バッファBOのイネーブルを制御する
ため、AND論理ゲートG3及びエクスクルーシブOR
論理ゲートG4を備える。
Therefore, the third embodiment is particularly provided with the NAND logic gate TG and the D-type latch G5 used as the input test circuit. Further, a multiplexer TM is provided as an output test circuit. An AND logic gate G3 and an exclusive OR for controlling enable of the output buffer BO of the bidirectional input / output buffer.
A logic gate G4 is provided.

【0065】本第3実施例にあっても、通常状態で、D
C特性テストを行わない場合には、前記出力テスト選択
信号TSをL状態とし、前記出力テストイネーブル信号
TEをL状態とする。これによって、例えば前記入出力
端子PIOについても、通常の動作を行うことができ
る。即ち、前記マルチプレクサTMは前記内部回路3の
出力O6を選択する。又、トライステート出力の出力バ
ッファBOのイネーブルの制御は、イネーブル信号TE
3によって行うことができる。該イネーブル信号TE3
がL状態であれば、前記出力バッファBOはイネーブル
状態となり、該イネーブル信号TE3がH状態であれ
ば、ディスイネーブル状態となる。
Even in the third embodiment, in the normal state, D
When the C characteristic test is not performed, the output test selection signal TS is set to the L state and the output test enable signal TE is set to the L state. As a result, for example, the input / output terminal PIO can also operate normally. That is, the multiplexer TM selects the output O6 of the internal circuit 3. Further, the enable control of the output buffer BO of the tri-state output is performed by the enable signal TE.
3 can be done. The enable signal TE3
Is in the L state, the output buffer BO is in the enable state, and when the enable signal TE3 is in the H state, it is in the disable state.

【0066】一方、DC特性テストを行うテスト状態に
あっては、前記出力テスト選択信号TSをH状態とす
る。又、前記入出力端子PIOの、特に入力に関するD
C特性テストを行う場合、前記出力テストイネーブル信
号TEをL状態とする。一方、前記入出力端子PIO
の、特に出力に関するDC特性テストを行う場合、前記
出力テストイネーブル信号TEをH状態とする。
On the other hand, in the test state in which the DC characteristic test is performed, the output test selection signal TS is set to the H state. Also, the D of the input / output terminal PIO, particularly the input
When performing the C characteristic test, the output test enable signal TE is set to the L state. On the other hand, the input / output terminal PIO
In particular, when performing a DC characteristic test on the output, the output test enable signal TE is set to the H state.

【0067】図4は、本第3実施例の動作を示すタイム
チャートである。
FIG. 4 is a time chart showing the operation of the third embodiment.

【0068】このタイムチャートにあっては、前記入力
端子PI1〜PI4それぞれから入力される入力信号I
N1〜IN4と、双方向の前記入出力端子PIOから入
力される入力信号IN5とが示されている。又、前記出
力テスト信号TS及び前記出力テストイネーブル信号T
Eが示されている。更に、前記入出力端子PIOに対応
する入力テスト回路として用いられる前記D型ラッチG
5の入力D及び出力Qと、前記NAND論理ゲートTG
が出力するテスト出力T5が示されている。又、前記出
力バッファBOのイネーブル制御に用いられる、前記エ
クスクルーシブOR論理ゲートG4が出力する信号OE
Nが示されている。
In this time chart, the input signal I input from each of the input terminals PI1 to PI4 is input.
N1 to IN4 and an input signal IN5 input from the bidirectional input / output terminal PIO are shown. Also, the output test signal TS and the output test enable signal T
E is shown. Further, the D-type latch G used as an input test circuit corresponding to the input / output terminal PIO.
5 input D and output Q, and the NAND logic gate TG
The test output T5 that is output by is shown. Also, a signal OE output from the exclusive OR logic gate G4, which is used for enable control of the output buffer BO.
N is indicated.

【0069】この図4のタイムチャートにおいて、時刻
t11以前に、DC特性テストを行うべく、前記出力テス
ト選択信号TSをH状態に設定する。又、前記入力信号
IN1〜IN5がいずれもH状態に設定される。
In the time chart of FIG. 4, time
Before t 11 , the output test selection signal TS is set to the H state in order to perform the DC characteristic test. Further, all the input signals IN1 to IN5 are set to the H state.

【0070】この後、時刻 t11では、前記入力信号IN
1がL状態となり、これに伴なって前記テスト出力T5
がH状態となる。時刻 t12では、前記入力信号IN2が
L状態となり、これに伴なって前記テスト出力T5がL
状態となる。時刻 t13では、前記入力信号IN3がL状
態となり、これに伴なって前記テスト出力T5がH状態
となる。時刻 t14では、前記入力信号IN4がL状態と
なり、これに伴なって、前記テスト出力T5がL状態と
なる。時刻 t15では、前記入力信号IN5がL状態とな
り、これに伴なって、前記テスト出力T5がH状態とな
る。
Thereafter, at time t 11 , the input signal IN
1 goes into the L state, and the test output T5
Becomes the H state. At time t 12 , the input signal IN2 is in the L state, and the test output T5 is in the L state accordingly.
It becomes a state. At time t 13, the input signal IN3 to the L state, the test output T5 becomes H state is accompanied thereto. At time t 14, the input signal IN4 becomes L state, this is accompanied, the test output T5 becomes L state. At time t 15, the input signal IN5 becomes L state, this is accompanied, the test output T5 becomes H state.

【0071】該時刻 t15において、このように前記入力
信号I5がL状態となると、全ての入力信号I1〜I5
がL状態となる。又、該時刻 t15にて、前記入力信号I
5がL状態となると、前記D型ラッチG5のその入力D
の論理状態、即ちL状態が取り込まれ、その出力QはL
状態となる。
[0071] In the time t 15, when the input signal I5 Thus becomes L state, all input signals I1~I5
Becomes the L state. Further, at the time t 15, the input signal I
5 is in the L state, its input D of the D-type latch G5
, The L state is taken in, and its output Q is L
It becomes a state.

【0072】この後、時刻 t16において、前記入力信号
IN1〜IN5は全てH状態となる。これに伴なって、
前記D型ラッチG5のその入力Dへ入力される論理状態
もH状態となり、その出力Qの論理状態もH状態とな
る。
After that, at time t 16 , the input signals IN1 to IN5 are all in the H state. Along with this,
The logic state input to the input D of the D-type latch G5 also becomes the H state, and the logic state of its output Q also becomes the H state.

【0073】又、時刻 t17において、前記出力テストイ
ネーブル信号TEはH状態とされる。このような該出力
テストイネーブル信号TEの立上がりにおいて、前記D
型ラッチG5のその入力Aへ入力される論理状態が保持
される。この後、時刻 t18や時刻 t19等で、前記入力I
N1〜IN5へ入力信号パターンを入力することで、D
C特性テストを行う。
[0073] Further, at time t 17, the output test enable signal TE is set to H state. At the rise of the output test enable signal TE, the D
The logic state applied to its input A of the type latch G5 is retained. After this, at time t 18 , time t 19, etc., the input I
By inputting the input signal pattern to N1 to IN5, D
Perform C characteristic test.

【0074】又、時刻 t20において、このような一連の
DC特性テストを終了し、通常状態とすべく、前記出力
テスト選択信号TSがL状態とされる。又、前記出力テ
ストイネーブル信号TEについても、L状態とされてい
る。
At time t 20 , the output test selection signal TS is set to the L state in order to end such a series of DC characteristic tests and return to the normal state. Further, the output test enable signal TE is also in the L state.

【0075】このように、本第3実施例においては、双
方向の入出力端子PIOを有するものであっても、本発
明が適用されたDC特性テストを行うことができる。特
に、このような入出力端子PIOに対して、対応する入
力テスト回路の前記D型ラッチG5を備えることで、そ
の入力バッファBIの出力を保持し、その入力に関する
DC特性テストをも行うことができるようにしている。
又、このような双方向の入出力端子PIOの、出力につ
いてのDC特性テストをも可能となっている。
As described above, in the third embodiment, the DC characteristic test to which the present invention is applied can be performed even if the bidirectional input / output terminal PIO is provided. In particular, by providing the D-type latch G5 of the corresponding input test circuit for such an input / output terminal PIO, the output of the input buffer BI can be held and a DC characteristic test regarding the input can also be performed. I am able to do it.
It is also possible to perform a DC characteristic test on the output of such a bidirectional input / output terminal PIO.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
その半導体集積回路自体のDC特性テストの作業能率を
向上することができるという優れた効果を得ることがで
きる。
As described above, according to the present invention,
The excellent effect that the work efficiency of the DC characteristic test of the semiconductor integrated circuit itself can be improved can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明が適用された半導体集積回路の第1実施
例あるいは第2実施例の論理回路図
FIG. 1 is a logic circuit diagram of a first embodiment or a second embodiment of a semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied.

【図2】前記第2実施例に用いられる入力信号パターン
(テストパターン)を示す線図
FIG. 2 is a diagram showing an input signal pattern (test pattern) used in the second embodiment.

【図3】本発明が適用された半導体集積回路の第3実施
例の論理回路図
FIG. 3 is a logic circuit diagram of a third embodiment of a semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied.

【図4】前記第3実施例の動作を示すタイムチャートFIG. 4 is a time chart showing the operation of the third embodiment.

【図5】従来から行われている半導体集積回路の入力端
子及び出力端子に関するDC特性テストの回路図
FIG. 5 is a circuit diagram of a DC characteristic test on an input terminal and an output terminal of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図6】従来の入力に関するDC特性テストについて配
慮された半導体集積回路の回路図
FIG. 6 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit in which a conventional DC characteristic test for input is considered.

【図7】前記従来例に用いられる入力信号パターン(テ
ストパターン)の一例を示す線図
FIG. 7 is a diagram showing an example of an input signal pattern (test pattern) used in the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体集積回路 3…内部回路 12…入力コントロール装置 14…入力トライバ 16…入力テスト電源 22a 、22b …コンパレータ 24…パス判定装置 26…出力テスト電源 BI1〜BIm 、B1、B2…入力バッファ BO1〜BOn 、B3…出力バッファ G1〜G4…AND論理ゲート G5…D型ラッチ PIO…入出力端子 PI1〜PIm …入力端子 PO1〜POn …出力端子 TG1〜TGm …NAND論理ゲート(入力テスト回
路) TM1〜TMn 、TM…マルチプレクサ(出力テスト回
路に用いられるもの) t11〜 t20…時刻
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor integrated circuit 3 ... Internal circuit 12 ... Input control device 14 ... Input triber 16 ... Input test power supply 22a, 22b ... Comparator 24 ... Path determination device 26 ... Output test power supply BI1-BIm, B1, B2 ... Input buffer BO1- B On, B3 ... Output buffer G1 to G4 ... AND logic gate G5 ... D type latch PIO ... Input / output terminal PI1 to PIm ... Input terminal PO1 to POn ... Output terminal TG1 to TGm ... NAND logic gate (input test circuit) TM1 to TMn , TM ... multiplexer (those used to output test circuit) t 11 ~ t 20 ... time

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】内部回路として、所定の論理回路が作り込
まれた半導体集積回路において、 DC特性テストのテスト対象となる、当該半導体集積回
路の外部から前記内部回路へ信号を入力する際に用いら
れる、合計m 個の入力バッファと、 該入力バッファ毎に設けられ、前段となる別の当該入力
テスト回路のそのテスト出力T(i −1)と、当段の当
該入力テスト回路に対応する入力バッファのその出力と
の特定論理演算を行い、その演算結果を当段の当該入力
テスト回路のテスト出力Ti として出力する、互いにデ
イジチェイン接続される合計m 個の入力テスト回路と、 DC特性テストのテスト対象となる、前記内部回路から
当該半導体集積回路の外部へ信号を出力する際に用いら
れる、合計n 個の出力バッファと、 該出力バッファ毎に設けられ、対応する出力バッファの
出力を内部回路からの信号に応じて変化させるか、最終
段の前記入力テスト回路が出力する前記テスト出力Tm
に応じて変化させるか、所定の出力テスト選択信号に従
って選択する合計n 個の出力テスト回路とを備えたこと
を特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit having a predetermined logic circuit built therein as an internal circuit, which is used when a signal is input to the internal circuit from outside the semiconductor integrated circuit to be tested by a DC characteristic test. A total of m input buffers, a test output T (i −1) of another input test circuit of the preceding stage provided for each input buffer, and an input corresponding to the input test circuit of this stage. A total of m input test circuits that are daisy-chain connected to each other and perform a specific logical operation with the output of the buffer and output the operation result as the test output Ti of the input test circuit of the present stage, and the DC characteristic test A total of n output buffers, which are used when outputting a signal from the internal circuit to the outside of the semiconductor integrated circuit to be tested, and provided for each output buffer Is either to change the output of the corresponding output buffer in response to a signal from the internal circuit, said test output Tm of the input test circuit of the final stage outputs
A total of n output test circuits which are changed according to the above or are selected according to a predetermined output test selection signal.
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