JP2003327572A - New sulfonic acid derivative - Google Patents

New sulfonic acid derivative

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JP2003327572A
JP2003327572A JP2002137292A JP2002137292A JP2003327572A JP 2003327572 A JP2003327572 A JP 2003327572A JP 2002137292 A JP2002137292 A JP 2002137292A JP 2002137292 A JP2002137292 A JP 2002137292A JP 2003327572 A JP2003327572 A JP 2003327572A
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acid
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sulfonic acid
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Shinji Ishii
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Toyo Gosei Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photo acid generator which has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins and is used for resist materials not producing foreign matters when forming a pattern after developed and when peeling a resist, scarcely causing adverse effects such as edge roughness and the like, giving an excellent pattern shape, and having excellent PED stability, and to provide a light-emitting acid. <P>SOLUTION: This sulfonic acid derivative represented by the general formula (1) [R is a 1 to 20C linear, branched or cyclic alkyl, a substituted or non- substituted arylalkyl; Rf is a 1 to 20C linear, branched or cyclic perfluoroalkyl; M<SP>m+</SP>is a counter ion; (m) is an integer]. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、強酸性を示し、半
導体製造工程に用いられる光酸発生剤として有用なスル
ホン酸誘導体に関するものである。ここでスルホン酸誘
導体とはスルホン酸及びその塩をいう。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sulfonic acid derivative which exhibits strong acidity and is useful as a photoacid generator used in semiconductor manufacturing processes. Here, the sulfonic acid derivative means sulfonic acid and salts thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程に代表される微細加工分
野においては、より高い集積度を得るため、フォトリソ
グラフィー工程における加工の微細化が求められてい
る。
2. Description of the Related Art In the field of microfabrication represented by a semiconductor manufacturing process, miniaturization of processing in a photolithography process is required in order to obtain higher integration.

【0003】近年では、超微細パターンを形成するため
にフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用波
長は、短波長化し、KrFエキシマレーザー(波長24
8nm)、ArFエキシマレーザー(波長193n
m)、F2エキシマレーザー等の遠紫外線や電子線及び
X線が実用化または検討されている。
In recent years, the exposure apparatus used for photolithography to form an ultrafine pattern has been shortened in wavelength to a KrF excimer laser (wavelength 24).
8 nm), ArF excimer laser (wavelength 193n
m), deep ultraviolet rays such as F2 excimer laser, electron beam and X-ray have been put to practical use or studied.

【0004】このような露光波長に適したレジストとし
て、米国特許第4,491,628号、欧州特許第24
9,139号等に記載されている「化学増幅型レジスト
材料」が注目されている。このレジスト材料は、放射線
の照射(以下、「露光」という。)により酸を形成する
感放射線性酸発生剤(以下、「光酸発生剤」という)を
含有し、露光により発生した酸を触媒とする反応によ
り、露光部と非露光部との現像液に対する溶解度を変化
させてパターンを形成させるパターン形成材料である。
As a resist suitable for such an exposure wavelength, US Pat. No. 4,491,628 and European Patent 24
"Chemically amplified resist materials" described in JP-A-9,139, etc. are receiving attention. This resist material contains a radiation-sensitive acid generator (hereinafter, referred to as “photo-acid generator”) that forms an acid by irradiation with radiation (hereinafter, referred to as “exposure”) and catalyzes the acid generated by exposure. The pattern forming material changes the solubility of the exposed portion and the non-exposed portion with respect to the developing solution, thereby forming a pattern.

【0005】この化学増幅型レジスト材料は、ポジ型と
ネガ型とがある。ポジ型としては、酸との反応により分
解してアルカリ可溶性となる基を有する樹脂及び光酸発
生剤からなる系が知られている。更に必要に応じて、カ
ルボン酸またはフェノール誘導体等の水酸基に酸不安定
基を導入した溶解阻止/溶解促進化合物、溶解特性向上
のためのカルボン酸化合物、PED(露光から露光後の
加熱処理までの引き置き時間:Post Exposure Time Del
ay)安定性、コントラスト向上のための塩基性化合物、
塗布性向上のための界面活性剤等が添加される。
This chemically amplified resist material is classified into a positive type and a negative type. As the positive type, a system composed of a resin having a group having a group which becomes alkaline-soluble upon decomposition with an acid and a photo-acid generator is known. Furthermore, if necessary, a dissolution inhibiting / dissolution promoting compound in which an acid labile group is introduced into a hydroxyl group such as a carboxylic acid or a phenol derivative, a carboxylic acid compound for improving dissolution characteristics, PED (from exposure to heat treatment after exposure) Retention time: Post Exposure Time Del
ay) Basic compounds for improving stability and contrast,
A surfactant or the like is added to improve coatability.

【0006】また、ネガ型としては、アルカリ可溶性樹
脂と酸によりアルカリ可溶性樹脂を架橋させる作用を有
する架橋剤から成る系が知られている。
Further, as the negative type, a system comprising an alkali-soluble resin and a crosslinking agent having a function of crosslinking the alkali-soluble resin with an acid is known.

【0007】このような化学増幅系レジストに用いられ
る光酸発生剤は、ヨードニウムスルホネート、スルホニ
ウムスルホネート等のオニウムスルホネート、スルホン
酸エステル、N−イミドスルホネート、N−オキシムス
ルホネート、o−ニトロベンジルスルホネート、ピロガ
ロールのトリスメタンスルホネート等が知られている。
Photoacid generators used in such chemically amplified resists include onium sulfonates such as iodonium sulfonate and sulfonium sulfonate, sulfonate esters, N-imide sulfonate, N-oxime sulfonate, o-nitrobenzyl sulfonate, and pyrogallol. Tris methanesulfonate and the like are known.

【0008】しかしながら、更なる微細化に伴い、既存
のスルホン酸から誘導したこれらの光酸発生剤を用いて
も解像性が低い、環境に対する安定性が低い、アルカリ
現像液で現像する際に異物が生じる等の問題がある。
However, with further miniaturization, even if these photo-acid generators derived from existing sulfonic acids are used, the resolution is low, the stability to the environment is low, and when developing with an alkali developing solution. There is a problem such as foreign matter.

【0009】この光酸発生剤から露光時に発生する酸
は、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸や、部分
または完全にフッ素化されたアリールスルホン酸、アル
カンスルホン酸等が用いられている。
As the acid generated from this photo-acid generator upon exposure, alkanesulfonic acid, arylsulfonic acid, partially or completely fluorinated arylsulfonic acid, alkanesulfonic acid and the like are used.

【0010】アルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤
は、発生する酸の強度が弱いため、化学増幅型レジスト
材料に用いられる樹脂には、脱保護しやすい保護基を導
入して微細化の検討が行われており、脱保護しやすい保
護基を用いるために、カンファースルホン酸等の、分子
が大きく、拡散性の低いスルホン酸が有効なスルホン酸
として用いられてきた。しかしながら拡散性の低いスル
ホン酸を用いることで多くの発生酸量を必要とし、結果
として露光量が多くなり、生産性が低下するという問題
がある。
Since the photoacid generator which generates an alkanesulfonic acid has a weak acid strength, a protective group which is easily deprotected is introduced into the resin used for the chemically amplified resist material to study the miniaturization. In order to use a protective group that is easily deprotected, sulfonic acid having a large molecule and low diffusibility such as camphorsulfonic acid has been used as an effective sulfonic acid. However, the use of a sulfonic acid having a low diffusivity requires a large amount of generated acid, resulting in a large amount of exposure and a decrease in productivity.

【0011】アリールスルホン酸を発生する酸発生剤
は、発生する酸の強度の調整、分子の大きさなどを比較
的容易に検討することが可能であるため数多くの酸が有
効である事が報告されている。しかしながら、KrF、
ArFなど更に短波長での露光においてはアリール基の
強い吸収が存在するために、レジスト膜の露光波長にお
ける透過率が低くなり十分な焦点深度が得られなかった
り、光酸発生剤の光吸収が十分に行われずに光分解性基
の量子収率が低くなり感度の低下を招くなどの問題があ
る。
It has been reported that a large number of acid generators that generate aryl sulfonic acids are effective because the adjustment of the strength of the generated acid and the size of the molecule can be studied relatively easily. Has been done. However, KrF,
In exposure at shorter wavelengths such as ArF, strong absorption of the aryl group exists, so that the transmittance of the resist film at the exposure wavelength is low and a sufficient depth of focus cannot be obtained, or the light absorption of the photo-acid generator is insufficient. There is a problem that the quantum yield of the photodegradable group is lowered and the sensitivity is lowered, if not sufficiently performed.

【0012】完全にフッ素化されたアルカンスルホン酸
を発生する酸発生剤は、脱保護しにくい保護基の脱保護
反応に対して十分な酸強度を有し、その多くが実用化さ
れている。しかしながら酸強度が強すぎることで樹脂の
溶解コントラストを変換する保護基の脱離反応におい
て、予期しない反応が起こってしまい、アルカリ現像後
またはレジストの剥離時において異物が生じてしまう問
題があった。そのためアルカンスルホン酸のアルキル基
を部分的に電子吸引基であるフッ素原子、ニトロ基など
に置き換えた中程度の酸強度を持つ公知のスルホン酸を
用いて解決したことが報告されている(特開平10−7
650号公報)。しかしながら3つ以上のフッ素原子を
有するスルホン酸を発生する化合物では、アルカリ現像
後またはレジストの剥離時において異物が生じてしまい
満足した結果が得られていないことが報告されている
(特開2001−172251号公報)。
Acid generators which generate completely fluorinated alkane sulfonic acids have sufficient acid strength for the deprotection reaction of protective groups that are difficult to deprotect, and most of them have been put to practical use. However, when the acid strength is too strong, an unexpected reaction occurs in the elimination reaction of the protective group that converts the dissolution contrast of the resin, and there is a problem that foreign substances are generated after alkali development or when the resist is peeled off. Therefore, it has been reported that the problem was solved by using a known sulfonic acid having a medium acid strength in which the alkyl group of the alkanesulfonic acid was partially replaced with a fluorine atom, a nitro group or the like which is an electron-withdrawing group (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 10 (1999) -135242). 10-7
650). However, it has been reported that, with a compound that generates a sulfonic acid having three or more fluorine atoms, a foreign substance is generated after alkali development or when the resist is peeled off, and a satisfactory result is not obtained (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001). 172251).

【0013】また、解像度の向上、エッジラフネス及び
膜面荒れの解消ために2種以上の酸を組み合わせた光酸
発生剤の使用が知られている(特開平11−72921
号公報)。この公報では、3つ以上のフッ素原子を有す
るスルホン酸とフッ素原子の全く入っていないスルホン
酸を組み合わせて用いている。しかしながら異物に対す
る問題は解決するに至っていない。
Further, it is known to use a photo-acid generator in which two or more kinds of acids are combined in order to improve resolution, eliminate edge roughness and roughen the film surface (Japanese Patent Laid-Open No. 11-72921).
Issue). In this publication, a sulfonic acid having three or more fluorine atoms and a sulfonic acid containing no fluorine atom are used in combination. However, the problem of foreign matter has not been solved.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
既存のスルホン酸を発生する酸発生剤では更なる微細化
に対応する満足な結果が得られていない。
As described above, satisfactory results corresponding to further miniaturization have not been obtained with the above-mentioned existing acid generators that generate sulfonic acid.

【0015】本発明は、このような事情に鑑み、レジス
ト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れた光酸
発生剤であって、現像後のパターン形成時、更にレジス
ト剥離時に異物を生じず、エッジラフネスなどの影響が
少なく、パターン形状に優れ、PED安定性に優れたレ
ジスト材料に用いられる光酸発生剤及び光発生酸を提供
することを課題とする。
In view of such circumstances, the present invention is a photo-acid generator excellent in solubility in a resist solvent and compatibility with a resin, and produces a foreign substance during pattern formation after development and during resist stripping. Therefore, it is an object of the present invention to provide a photo-acid generator and a photo-acid which are used in a resist material which are less affected by edge roughness, have an excellent pattern shape, and have excellent PED stability.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意検討を行った結果、光酸発生剤のレ
ジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れ、
現像後のパターン形成時、更にレジスト剥離時に異物を
生じず、エッジラフネスなどの影響が少なく、パターン
形状に優れ、PED安定性に優れたレジスト材料に用い
られる下記一般式(1)で表される強酸性を示す新規の
酸を発生する光酸発生剤を見出すに至った。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors have found that the photoacid generator has excellent solubility in a resist solvent and compatibility with a resin.
It is represented by the following general formula (1), which is used for a resist material that does not generate foreign matter during pattern formation after development and resist stripping, is less affected by edge roughness, has an excellent pattern shape, and has excellent PED stability. We have found a photo-acid generator that generates a new acid with strong acidity.

【0017】即ち、パーフルオロアルキル基を導入する
ことで光酸発生剤のレジスト溶剤に対する溶解性及び樹
脂との相溶性の問題を解決した。更にパーフルオロアル
キル基で置換したメタンスルホン酸のα炭素原子に、電
子供与基であるアルキル基又はアリールアルキル基(以
下「アルキル基類」という)を導入することで酸強度を
弱めることが可能になり、パーフルオロアルキル基が置
換しているにも拘らず現像後のパターン形成時、及びレ
ジスト剥離時に異物を生じる問題を解決した。また、ア
ルキル鎖(アルキル基類の鎖)とパーフルオロアルキル
鎖が分子内に存在することでエッジラフネスの問題も解
決された。これらの効果を見出すことにより本化合物が
化学増幅型レジスト分野に効果的な酸であることがわか
り、本発明を完成するに至った。
That is, by introducing the perfluoroalkyl group, the problems of the solubility of the photoacid generator in the resist solvent and the compatibility with the resin were solved. Furthermore, by introducing an electron-donating alkyl or arylalkyl group (hereinafter referred to as "alkyl groups") into the α carbon atom of methanesulfonic acid substituted with a perfluoroalkyl group, it is possible to weaken the acid strength. Thus, the problem that foreign matters are generated during pattern formation after development and during resist stripping despite the substitution of perfluoroalkyl groups was solved. In addition, the problem of edge roughness was solved by the presence of an alkyl chain (chain of alkyl groups) and a perfluoroalkyl chain in the molecule. By finding these effects, it was found that the present compound is an acid effective in the field of chemically amplified resist, and the present invention has been completed.

【0018】メタンスルホン酸のα炭素原子にアルキル
基類、パーフルオロアルキル基が導入されており、これ
ら二つの基が立体的に込み合ってパーフルオロアルキル
鎖の自由度が減少するので、界面活性剤として利用する
ことが可能と考えられる。
Alkyl groups and perfluoroalkyl groups are introduced at the α-carbon atom of methanesulfonic acid, and these two groups are sterically crowded to reduce the degree of freedom of the perfluoroalkyl chain. It can be used as

【0019】なお、下記一般式(2)に示されるよう
に、アルキル鎖とパーフルオロアルキル鎖を持ち、表面
張力及び界面張力を減少させる2つの効果を併せ持つハ
イブリッドな界面活性剤は既に知られており(J. Phys.
Chem., 96, 6738(1992), J. Phys. Chem., 96, 10068
(1992))、その界面活性剤としての効果が認められてい
るが、本発明の一般式(1)で表される化合物は式
(2)に示されるような硫酸エステル系ではなくスルホ
ン酸型であるため、式(2)の界面活性剤に比べて、十
分な界面活性効果が期待できる。
As shown in the following general formula (2), a hybrid surfactant having an alkyl chain and a perfluoroalkyl chain and having two effects of reducing surface tension and interfacial tension is already known. Ori (J. Phys.
Chem., 96, 6738 (1992), J. Phys. Chem., 96, 10068
(1992)), its effect as a surfactant has been recognized, but the compound represented by the general formula (1) of the present invention is not a sulfuric acid ester type represented by the formula (2) but a sulfonic acid type. Therefore, a sufficient surfactant effect can be expected as compared with the surfactant of formula (2).

【0020】[0020]

【化2】 [Chemical 2]

【0021】かかる本発明は、下記一般式(1)で表さ
れるスルホン酸誘導体を提供するものである。
The present invention provides a sulfonic acid derivative represented by the following general formula (1).

【0022】[0022]

【化3】 [Chemical 3]

【0023】(式中、Rは、炭素数1〜20の、直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは非
置換のアリールアルキル基を示す。Rfは、炭素数1〜
20の、直鎖状、分岐状もしくは環状のパーフルオロア
ルキル基を示す。Mm+は対カチオンであり、mは整数
である。)
(In the formula, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted arylalkyl group. Rf represents 1 to 10 carbon atoms.
20 represents a linear, branched or cyclic perfluoroalkyl group. M m + is a counter cation, and m is an integer. )

【0024】なお、本発明の式(1)のスルホン酸誘導
体は、光学活性でも不活性でもよい。
The sulfonic acid derivative of the formula (1) of the present invention may be optically active or inactive.

【0025】この式中Rは、炭素数1〜20の、直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換若しくは非
置換のアリールアルキル基を示す。
In this formula, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted arylalkyl group.

【0026】Rの具体例としては、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基等の直鎖状アルキル基、i
so−プロピル基等の分岐状アルキル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル
基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェニルエチル
基、フェニルブチル基、トリルメチル基等のアリールア
ルキル基が挙げられる。なお、アリールアルキル基のア
ルキル部分は、直鎖状でも分岐状でも環状でもよい。
Specific examples of R include linear alkyl groups such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group, i
Examples thereof include branched alkyl groups such as so-propyl group, cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, cyclohexylmethyl group and cyclohexylethyl group, and arylalkyl groups such as benzyl group, phenylethyl group, phenylbutyl group and tolylmethyl group. The alkyl portion of the arylalkyl group may be linear, branched or cyclic.

【0027】また、アリールアルキル基のアリール基に
は適宜の位置に置換基を有することもでき、該置換基と
しては、炭素数1〜13のアルキル基(例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基
等)、炭素数1〜13のアルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、炭素
数2〜13のアシルオキシ基(例えばアセチルオキシ
基、ベンゾイルオキシ基等)、炭素数7〜13のアラル
キル基(例えばベンジル基、ジフェニルメチル基、フェ
ニルプロピル基等)、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原
子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子)を挙げることができる。これらの置換基は、2種類
以上存在することもできる。
Further, the aryl group of the arylalkyl group may have a substituent at an appropriate position. As the substituent, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms (eg, methyl group, ethyl group, propyl group, Butyl group, hexyl group, etc.), alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms (eg, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), acyloxy group having 2 to 13 carbon atoms (eg, acetyloxy group, benzoyloxy group, etc.) ), An aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms (eg, benzyl group, diphenylmethyl group, phenylpropyl group, etc.), nitro group, cyano group, halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom). You can Two or more kinds of these substituents may be present.

【0028】また、Rfは炭素数1〜20の、直鎖状、
分岐状もしくは環状のパーフルオロアルキル基である。
Rfとしては、パーフルオロメチル基、パーフルオロエ
チル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル
基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル
基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基
等の直鎖状パーフルオロアルキル基、パーフルオロイソ
プロピル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ
−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基等の分岐
状パーフルオロアルキル基、パーフルオロシクロヘキシ
ル基等の環状パーフルオロアルキル基が好適に用いられ
る。
Rf is a straight chain having 1 to 20 carbon atoms,
It is a branched or cyclic perfluoroalkyl group.
Rf is a linear perfluoro group such as a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoropentyl group, a perfluorohexyl group, a perfluoroheptyl group or a perfluorooctyl group. A branched perfluoroalkyl group such as an alkyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluoroisobutyl group, a perfluoro-t-butyl group and a perfluoroisopentyl group, and a cyclic perfluoroalkyl group such as a perfluorocyclohexyl group are preferably used. To be

【0029】スルホン酸と塩を形成する対カチオンM
m+としては、具体的に挙げると、水素イオン、金属イ
オン、オニウムイオンが挙げられる。
Counter cation M which forms a salt with sulfonic acid
Specific examples of m + include hydrogen ions, metal ions, and onium ions.

【0030】更に具体的な金属イオンとしては、リチウ
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等の第1
族元素による一価の陽イオン、マグネシウムイオン(I
I)、カルシウムイオン(II)等の第2族元素による二価の
陽イオン、鉄イオン(II)、鉄イオン(III)、銅イオン
(I)、銅イオン(II)、ニッケルイオン(II)、ニッケルイ
オン(III)等の遷移金属イオン、鉛イオン(II)等の重金
属イオンが挙げられ、これら金属イオンが配位子と錯体
を形成していても良い。
More specific metal ions include lithium ions, sodium ions, potassium ions and the like.
Monovalent cation due to group element, magnesium ion (I
I), divalent cations of Group 2 elements such as calcium ion (II), iron ion (II), iron ion (III), copper ion
(I), copper ions (II), nickel ions (II), transition metal ions such as nickel ions (III), heavy metal ions such as lead ions (II), and these metal ions form ligands and complexes. It may be formed.

【0031】また、オニウムイオンとしては、窒素原
子、硫黄原子、ハロゲン原子、りん原子等により構成さ
れるオニウム塩が挙げられ、アンモニウムイオン、メチ
ルアンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、
トリメチルアンモニウムイオン、テトラメチルアンモニ
ウムイオン、フェニルアンモニウムイオン、ジフェニル
アンモニウムイオン、トリフェニルアンモニウムイオ
ン、ジメチルフェニルアンモニウムイオン、トリメチル
フェニルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン、ア
ルキルピリジニウムイオン、フルオロピリジニウムイオ
ン、クロロピリジニウムイオン、ブロモピリジニウムイ
オン、テトラメチルアンモニウムイオン、イミダゾリウ
ムイオン、キノリニウムイオンなどの窒素原子により構
成されるオニウム塩、トリメチルスルホニウムイオン、
トリブチルスルホニウムイオン、ジメチル(2−オキソ
シクロヘキシル)スルホニウムイオン、ビス(2−オキ
ソシクロヘキシル)メチルスルホニウムイオン、(10
−カンフェノイル)メチル(2−オキソシクロヘキシ
ル)スルホニウムイオン、(2−ノルボルニル)メチル
(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムイオン、ト
リフェニルスルホニウムイオン、ジフェニルトリルスル
ホニウムイオン、ジフェニルキシリルスルホニウムイオ
ン、メシチルジフェニルスルホニウムイオン、(t−ブ
チルフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(オク
チルフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(シク
ロヘキシルフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、
ビフェニルジフェニルスルホニウムイオン、(ヒドロキ
シメチルフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、
(メトキシメチルフェニル)ジフェニルスルホニウムイ
オン、(アセチルフェニル)ジフェニルスルホニウムイ
オン、(ベンゾイルフェニル)ジフェニルスルホニウム
イオン、(ヒドロキシカルボニルフェニル)ジフェニル
スルホニウムイオン、(メトキシカルボニルフェニル)
ジフェニルスルホニウムイオン、(トリフルオロメチル
フェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(フルオロ
フェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(クロロフ
ェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(ブロモフェ
ニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(ヨードフェニ
ル)ジフェニルスルホニウムイオン、ペンタフルオロフ
ェニルジフェニルスルホニウムイオン、(ヒドロキシフ
ェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(メトキシフ
ェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(ブトキシフ
ェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(アセチルオ
キシフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、(ベン
ゾイルオキシフェニル)ジフェニルスルホニウムイオ
ン、(ジメチルカルバモイルフェニル)ジフェニルスル
ホニウムイオン、(アセチルアミドフェニル)ジフェニ
ルスルホニウムイオン、フェニルジトリルスルホニウム
イオン、フェニルジキシリルスルホニウムイオン、ジメ
シチルフェニルスルホニウムイオン、ビス(t−ブチル
フェニル)フェニルスルホニウムイオン、ビス(オクチ
ルフェニル)フェニルスルホニウムイオン、ビス(シク
ロヘキシルフェニル)フェニルスルホニウムイオン、ジ
ビフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビス(ヒドロ
キシメチルフェニル)フェニルスルホニウムイオン、ビ
ス(メトキシメチルフェニル)フェニルスルホニウムイ
オン、ビス(アセチルフェニル)フェニルスルホニウム
イオン、ビス(ベンゾイルフェニル)フェニルスルホニ
ウムイオン、ビス(ヒドロキシカルボニルフェニル)フ
ェニルスルホニウムイオン、ビス(メトキシカルボニル
フェニル)フェニルスルホニウムイオン、ビス(トリフ
ルオロメチルフェニル)フェニルスルホニウムイオン、
ビス(フルオロフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ビス(クロロフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ビス(ブロモフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ビス(ヨードフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ジペンタフルオロフェニルフェニルスルホニウムイ
オン、ビス(ヒドロキシフェニル)フェニルスルホニウ
ムイオン、ビス(メトキシフェニル)フェニルスルホニ
ウムイオン、ビス(ブトキシフェニル)フェニルスルホ
ニウムイオン、ビス(アセチルオキシフェニル)フェニ
ルスルホニウムイオン、ビス(ベンゾイルオキシフェニ
ル)フェニルスルホニウムイオン、ビス(ジメチルカル
バモイルフェニル)フェニルスルホニウムイオン、ビス
(アセチルアミドフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、トリストリルスルホニウムイオン、トリスキシリル
スルホニウムイオン、トリスメシチルフェニルスルホニ
ウムイオン、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウ
ムイオン、トリス(オクチルフェニル)スルホニウムイ
オン、トリス(シクロヘキシルフェニル)スルホニウム
イオン、トリビフェニルスルホニウムイオン、トリス
(ヒドロキシメチルフェニル)スルホニウムイオン、ト
リス(メトキシメチルフェニル)スルホニウムイオン、
トリス(アセチルフェニル)スルホニウムイオン、トリ
ス(ベンゾイルフェニル)スルホニウムイオン、トリス
(ヒドロキシカルボニルフェニル)スルホニウムイオ
ン、トリス(メトキシカルボニルフェニル)スルホニウ
ムイオン、トリス(トリフルオロメチルフェニル)スル
ホニウムイオン、トリス(フルオロフェニル)スルホニ
ウムイオン、トリス(クロロフェニル)スルホニウムイ
オン、トリス(ブロモフェニル)スルホニウムイオン、
トリス(ヨードフェニル)スルホニウムイオン、ジペン
タフルオロフェニルスルホニウムイオン、トリス(ヒド
ロキシフェニル)スルホニウムイオン、トリス(メトキ
シフェニル)スルホニウムイオン、トリス(ブトキシフ
ェニル)スルホニウムイオン、トリス(アセチルオキシ
フェニル)スルホニウムイオン、トリス(ベンゾイルオ
キシフェニル)スルホニウムイオン、トリス(ジメチル
カルバモイルフェニル)スルホニウムイオン、トリス
(アセチルアミドフェニル)スルホニウムイオン、メチ
ルジフェニルスルホニウムイオン、エチルジフェニルス
ルホニウムイオン、ブチルジフェニルスルホニウムイオ
ン、ヘキシルジフェニルスルホニウムイオン、オクチル
ジフェニルスルホニウムイオン、シクロヘキシルジフェ
ニルスルホニウムイオン、2−オキソシクロヘキシルジ
フェニルスルホニウムイオン、ノルボルニルジフェニル
スルホニウムイオン、カンフェノイルジフェニルスルホ
ニウムイオン、ピナノイルジフェニルスルホニウムイオ
ン、ナフチルジフェニルスルホニウムイオン、アントラ
ニルジフェニルスルホニウムイオン、ベンジルジフェニ
ルスルホニウムイオン、トリフルオロメチルジフェニル
スルホニウムイオン、メトキシカルボニルメチルジフェ
ニルスルホニウムイオン、ブトキシカルボニルメチルジ
フェニルスルホニウムイオン、ベンゾイルメチルジフェ
ニルスルホニウムイオン、(メチルチオフェニル)ジフ
ェニルスルホニウムイオン、(フェニルチオフェニル)
ジフェニルスルホニウムイオン、(アセチルフェニルチ
オフェニル)ジフェニルスルホニウムイオン、ジメチル
フェニルスルホニウムイオン、ジエチルフェニルスルホ
ニウムイオン、ジブチルフェニルスルホニウムイオン、
ジヘキシルフェニルスルホニウムイオン、ジオクチルフ
ェニルスルホニウムイオン、ジシクロヘキシルフェニル
スルホニウムイオン、ビス(2−オキソシクロヘキシ
ル)フェニルスルホニウムイオン、ジノルボルニルフェ
ニルスルホニウムイオン、ジカンフェノイルフェニルス
ルホニウムイオン、ジピナノイルフェニルスルホニウム
イオン、ジナフチルフェニルスルホニウムイオン、ジベ
ンジルフェニルスルホニウムイオン、トリフルオロメチ
ルジフェニルスルホニウムイオン、ビス(メトキシカル
ボニルメチル)フェニルスルホニウムイオン、ビス(ブ
トキシカルボニルメチル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ジベンゾイルメチルフェニルスルホニウムイオン、
ビス(メチルチオフェニル)フェニルスルホニウムイオ
ン、ビス(フェニルチオフェニル)フェニルスルホニウ
ムイオン、ビス(アセチルフェニルチオフェニル)フェ
ニルスルホニウムイオン、ジメチル(2−オキソシクロ
ヘキシル)スルホニウムイオン、ビス(2−オキソシク
ロヘキシル)メチルスルホニウムイオン、(10−カン
フェノイル)メチル(2−オキソシクロヘキシル)スル
ホニウムイオン、(2−ノルボルニル)メチル(2−オ
キソシクロヘキシル)スルホニウムイオン、トリメチル
スルホニウムイオン、トリエチルスルホニウムイオン、
トリブチルスルホニウムイオン、ジヘキシルメチルスル
ホニウムイオン、トリオクチルスルホニウムイオン、ジ
シクロヘキシルエチルスルホニウムイオン、メチルテト
ラヒドロチオフェニウムイオン、メチルテトラヒドロチ
オフェニウムイオン、トリフェニルオキソスルホニウム
イオン、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニ
ル]スルフィド−ビスイオン等の硫黄原子により構成さ
れるオニウム塩、テトラフェニルホスホニウムイオン等
のりん原子により構成されるオニウム塩などがある。ハ
ロニウム塩としては、ジフェニルヨードニウムイオン、
ビス−(t−ブチルフェニル)ヨードニウムカチオン、
(メトキシフェニル)フェニルヨードニウムイオン、
(ブトキシフェニル)フェニルヨードニウムイオン、ト
リフルオロエチルフェニルヨードニウムイオン、ペンタ
フルオロフェニルフェニルヨードニウムイオン等が挙げ
られ、好ましくは、スルホニウムイオン、ヨードニウム
イオンである。
Examples of the onium ion include onium salts composed of nitrogen atom, sulfur atom, halogen atom, phosphorus atom and the like. Ammonium ion, methylammonium ion, dimethylammonium ion,
Trimethylammonium ion, tetramethylammonium ion, phenylammonium ion, diphenylammonium ion, triphenylammonium ion, dimethylphenylammonium ion, trimethylphenylammonium ion, pyridinium ion, alkylpyridinium ion, fluoropyridinium ion, chloropyridinium ion, bromopyridinium ion , An onium salt composed of nitrogen atoms such as tetramethylammonium ion, imidazolium ion, quinolinium ion, trimethylsulfonium ion,
Tributylsulfonium ion, dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, bis (2-oxocyclohexyl) methylsulfonium ion, (10
-Camphenoyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, (2-norbornyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, triphenylsulfonium ion, diphenyltolylsulfonium ion, diphenylxylylsulfonium ion, mesityldiphenylsulfonium ion, (T-butylphenyl) diphenylsulfonium ion, (octylphenyl) diphenylsulfonium ion, (cyclohexylphenyl) diphenylsulfonium ion,
Biphenyldiphenylsulfonium ion, (hydroxymethylphenyl) diphenylsulfonium ion,
(Methoxymethylphenyl) diphenylsulfonium ion, (acetylphenyl) diphenylsulfonium ion, (benzoylphenyl) diphenylsulfonium ion, (hydroxycarbonylphenyl) diphenylsulfonium ion, (methoxycarbonylphenyl)
Diphenylsulfonium ion, (trifluoromethylphenyl) diphenylsulfonium ion, (fluorophenyl) diphenylsulfonium ion, (chlorophenyl) diphenylsulfonium ion, (bromophenyl) diphenylsulfonium ion, (iodophenyl) diphenylsulfonium ion, pentafluorophenyldiphenylsulfonium ion Ion, (hydroxyphenyl) diphenylsulfonium ion, (methoxyphenyl) diphenylsulfonium ion, (butoxyphenyl) diphenylsulfonium ion, (acetyloxyphenyl) diphenylsulfonium ion, (benzoyloxyphenyl) diphenylsulfonium ion, (dimethylcarbamoylphenyl) diphenyl Sulfonium ion, ( Cetylamidophenyl) diphenylsulfonium ion, phenylditolylsulfonium ion, phenyldixylsulfonium ion, dimesitylphenylsulfonium ion, bis (t-butylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (octylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (cyclohexyl) Phenyl) phenylsulfonium ion, dibiphenylphenylsulfonium ion, bis (hydroxymethylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (methoxymethylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (acetylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (benzoylphenyl) phenylsulfonium ion, Bis (hydroxycarbonylphenyl) phenylsulfonium ion, bis (meth) Alkoxycarbonyl phenyl) phenyl sulfonium ion, bis (trifluoromethyl) phenyl sulfonium ions,
Bis (fluorophenyl) phenylsulfonium ion, bis (chlorophenyl) phenylsulfonium ion, bis (bromophenyl) phenylsulfonium ion, bis (iodophenyl) phenylsulfonium ion, dipentafluorophenylphenylsulfonium ion, bis (hydroxyphenyl) phenylsulfonium ion Ion, bis (methoxyphenyl) phenylsulfonium ion, bis (butoxyphenyl) phenylsulfonium ion, bis (acetyloxyphenyl) phenylsulfonium ion, bis (benzoyloxyphenyl) phenylsulfonium ion, bis (dimethylcarbamoylphenyl) phenylsulfonium ion, Bis (acetylamidophenyl) phenylsulfonium ion, tristrilus Fonium ion, triskisilylsulfonium ion, trismesitylphenylsulfonium ion, tris (t-butylphenyl) sulfonium ion, tris (octylphenyl) sulfonium ion, tris (cyclohexylphenyl) sulfonium ion, tribiphenylsulfonium ion, tris (hydroxymethyl) Phenyl) sulfonium ion, tris (methoxymethylphenyl) sulfonium ion,
Tris (acetylphenyl) sulfonium ion, tris (benzoylphenyl) sulfonium ion, tris (hydroxycarbonylphenyl) sulfonium ion, tris (methoxycarbonylphenyl) sulfonium ion, tris (trifluoromethylphenyl) sulfonium ion, tris (fluorophenyl) sulfonium Ion, tris (chlorophenyl) sulfonium ion, tris (bromophenyl) sulfonium ion,
Tris (iodophenyl) sulfonium ion, dipentafluorophenylsulfonium ion, tris (hydroxyphenyl) sulfonium ion, tris (methoxyphenyl) sulfonium ion, tris (butoxyphenyl) sulfonium ion, tris (acetyloxyphenyl) sulfonium ion, tris ( Benzoyloxyphenyl) sulfonium ion, tris (dimethylcarbamoylphenyl) sulfonium ion, tris (acetylamidophenyl) sulfonium ion, methyldiphenylsulfonium ion, ethyldiphenylsulfonium ion, butyldiphenylsulfonium ion, hexyldiphenylsulfonium ion, octyldiphenylsulfonium ion, Cyclohexyl diphenyl sulfonium Ion, 2-oxocyclohexyldiphenylsulfonium ion, norbornyldiphenylsulfonium ion, camphenoyldiphenylsulfonium ion, pinanoyldiphenylsulfonium ion, naphthyldiphenylsulfonium ion, anthranyldiphenylsulfonium ion, benzyldiphenylsulfonium ion, trifluoromethyldiphenylsulfonium ion Ion, methoxycarbonylmethyldiphenylsulfonium ion, butoxycarbonylmethyldiphenylsulfonium ion, benzoylmethyldiphenylsulfonium ion, (methylthiophenyl) diphenylsulfonium ion, (phenylthiophenyl)
Diphenylsulfonium ion, (acetylphenylthiophenyl) diphenylsulfonium ion, dimethylphenylsulfonium ion, diethylphenylsulfonium ion, dibutylphenylsulfonium ion,
Dihexylphenylsulfonium ion, dioctylphenylsulfonium ion, dicyclohexylphenylsulfonium ion, bis (2-oxocyclohexyl) phenylsulfonium ion, dinorbornylphenylsulfonium ion, dicamphenoylphenylsulfonium ion, dipinanoylphenylsulfonium ion, dinaphthyl Phenylsulfonium ion, dibenzylphenylsulfonium ion, trifluoromethyldiphenylsulfonium ion, bis (methoxycarbonylmethyl) phenylsulfonium ion, bis (butoxycarbonylmethyl) phenylsulfonium ion, dibenzoylmethylphenylsulfonium ion,
Bis (methylthiophenyl) phenylsulfonium ion, bis (phenylthiophenyl) phenylsulfonium ion, bis (acetylphenylthiophenyl) phenylsulfonium ion, dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, bis (2-oxocyclohexyl) methylsulfonium ion , (10-camphenoyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, (2-norbornyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium ion, trimethylsulfonium ion, triethylsulfonium ion,
Tributylsulfonium ion, dihexylmethylsulfonium ion, trioctylsulfonium ion, dicyclohexylethylsulfonium ion, methyltetrahydrothiophenium ion, methyltetrahydrothiophenium ion, triphenyloxosulfonium ion, bis [4- (diphenylsulfonio) phenyl] sulfide- There are onium salts composed of sulfur atoms such as bis ions and onium salts composed of phosphorus atoms such as tetraphenylphosphonium ions. As the halonium salt, diphenyliodonium ion,
Bis- (t-butylphenyl) iodonium cation,
(Methoxyphenyl) phenyliodonium ion,
(Butoxyphenyl) phenyliodonium ion, trifluoroethylphenyliodonium ion, pentafluorophenylphenyliodonium ion and the like can be mentioned, with preference given to sulfonium ion and iodonium ion.

【0032】本発明の式(1)のスルホン酸誘導体は、
いずれも文献未掲載の新規化合物であり、例えば下記
[化4]のような反応経路により合成できる。即ち一般
式(3)で示されるα−パーフルオロアルキルアルカノ
ールを出発物質とし、有機溶媒中、塩基存在下でトリフ
ルオロメタンスルホン酸無水物等と反応させることによ
りトリフルオロメタンスルホン酸エステル(4)を合成
し、チオシアン酸ナトリウムと(4)を反応させ(5)
を合成し、更にリチウムアルミニウムハイドライド等の
還元剤によりチオール(6)を得る。このチオール
(6)を過酸化水素等の酸化剤により酸化することで式
(1)のスルホン酸を得ることが出来る。このスルホン
酸を、例えば水酸化ナトリウム等で中和するとスルホン
酸塩となる。さらに、その他上述したMと常法に基づき
容易に塩交換することができる。
The sulfonic acid derivative of the formula (1) of the present invention is
All of them are new compounds not published in the literature, and can be synthesized, for example, by the reaction pathway shown in [Chemical Formula 4] below. That is, by using α-perfluoroalkylalkanol represented by the general formula (3) as a starting material and reacting with trifluoromethanesulfonic anhydride in an organic solvent in the presence of a base, trifluoromethanesulfonic acid ester (4) is synthesized. And react with sodium thiocyanate (4) (5)
And thiol (6) are obtained with a reducing agent such as lithium aluminum hydride. The sulfonic acid of formula (1) can be obtained by oxidizing this thiol (6) with an oxidizing agent such as hydrogen peroxide. When this sulfonic acid is neutralized with, for example, sodium hydroxide, it becomes a sulfonate. Further, salt exchange can be easily carried out with M mentioned above based on a conventional method.

【0033】[0033]

【化4】 [Chemical 4]

【0034】(式中R及びRfについては上述したとお
りであり、また、R′は置換されていてもよい炭素数2
5以下の、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオ
ロアルキル基、芳香族有機基、アラルキル基を表す。)
(In the formula, R and Rf are as described above, and R'is an optionally substituted carbon atom of 2).
It represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a perfluoroalkyl group, an aromatic organic group or an aralkyl group having 5 or less. )

【0035】また、(4)のスルホン酸エステルの合成
は、例えばR.K. Crossland, K.L. Servis, J. Org. Che
m., 35, 3195(1970)に記載の方法により合成できる。
(4)から(5)の官能基変換は特開平10−2875
96号公報、J.−M. Vatele, Tetrahedron, 42, 16, 44
43(1986)などに記載の方法により達成できる。(5)の
チオシアネートエステルからチオールへの還元反応は、
G. L. O'Connor, H. R.Nace, J. Am. Chem. Soc., 75,
2118(1953)、R. K. Olsen, H. R. Snyder, J. Org. Che
m., 30, 184, 187(1965)などを参考に達成できる。ま
た、(4)から(6)の合成は、(4)とチオ尿素など
の硫黄化剤を用いることで達成されることが我々の研究
から判明した。詳細は実施例3に記載する。(6)から
(1)の酸化反応は、過酸化水素水、硝酸、臭素水、次
亜塩素酸塩、過マンガン酸カリウム、クロム酸塩などで
酸化することにより達成することが出来る。
Further, the synthesis of the sulfonic acid ester of (4) is carried out, for example, by RK Crossland, KL Servis, J. Org. Che.
m., 35, 3195 (1970).
The functional group conversion from (4) to (5) is described in JP-A-10-2875.
96, J.-M. Vatele, Tetrahedron, 42, 16, 44.
43 (1986) and the like. The reduction reaction from thiocyanate ester of (5) to thiol is
GL O'Connor, HRNace, J. Am. Chem. Soc., 75,
2118 (1953), RK Olsen, HR Snyder, J. Org. Che
m., 30, 184, 187 (1965) etc. can be achieved. Further, it was found from our study that the synthesis of (4) to (6) can be achieved by using (4) and a sulfurizing agent such as thiourea. Details are described in Example 3. The oxidation reaction of (6) to (1) can be achieved by oxidizing with hydrogen peroxide solution, nitric acid, bromine solution, hypochlorite, potassium permanganate, chromate or the like.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により更に
詳細に説明するが、ここに挙げる実施例はほんの一例に
過ぎず、これらを記述するに当たって本発明がなんら制
限を受けることはない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the Examples given here are merely examples, and the present invention is not limited at all in describing them.

【0037】[実施例1] 3−シクロヘキシル−1,
1,1−トリフルオロプロパン−2−スルホン酸ナトリ
ウムの合成 (Step1)窒素雰囲気下でNaH(24mmol,
60%、0.96g)を乾燥エーテル(40ml)に加
え撹拌した。この溶液に、下記(7)式で示される3−
シクロヘキシル−1,1,1−トリフルオロプロパン−
2−オール(CAS#157330−89−7、20m
mol、4.57g)のエーテル(10ml)溶液を滴
下して加え、水素ガスの発生が止まるまで室温下で30
分撹拌した。その後、反応液を5〜10℃に冷却し、無
水トリフルオロメタンスルホン酸(24mmol、4.
1ml)を10℃以下で滴下して加え、室温で3時間撹
拌した後、反応液を5〜10℃に冷却し、純水(20m
l)を加えて反応を停止させた。分液後、水層から酢酸
エチルで再度抽出し、有機層を合わせ、純水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムにより有機層を乾燥してろ過し
た。その後、エバポレーターで溶媒を留去し、下記
(8)式で示される3−シクロヘキシル−1,1,1−
トリフルオロプロパン−2−イル トリフルオロメタン
スルホネートを得た。クルード状態で6.71gであっ
た。
[Example 1] 3-cyclohexyl-1,
Synthesis of sodium 1,1-trifluoropropane-2-sulfonate (Step 1) NaH (24 mmol, under nitrogen atmosphere)
60%, 0.96 g) was added to dry ether (40 ml) and stirred. In this solution, 3-
Cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-
2-all (CAS # 157330-89-7, 20m
mol, 4.57 g) in ether (10 ml) was added dropwise at room temperature until the evolution of hydrogen gas ceased.
Stir for minutes. Then, the reaction solution was cooled to 5 to 10 ° C., and trifluoromethanesulfonic anhydride (24 mmol, 4.
1 ml) was added dropwise at 10 ° C. or lower, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours, and then the reaction solution was cooled to 5 to 10 ° C.
l) was added to stop the reaction. After liquid separation, the aqueous layer was extracted again with ethyl acetate, the organic layers were combined and washed with pure water.
The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator to give 3-cyclohexyl-1,1,1-represented by the following formula (8).
Trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate was obtained. The crude weight was 6.71 g.

【0038】[0038]

【化5】 [Chemical 5]

【0039】[0039]

【化6】 [Chemical 6]

【0040】(Step2)上述の3−シクロヘキシル
−1,1,1−トリフルオロプロパン−2−イルトリフ
ルオロメタンスルホネート(18.17mmol、5.
96g)、チオシアン酸ナトリウム(72.7mmo
l、5.95g)をジメチルホルムアミド(180m
l)に溶解し、反応液を90℃で1時間撹拌した。室温
に戻した後、純水(180ml)を加え、ヘキサンで抽
出し、無水硫酸マグネシウムにより有機層を乾燥しろ過
した。その後、エバポレーターで溶媒を留去し、下記
(9)式で示される3−シクロヘキシル−1,1,1−
トリフルオロプロパン−2−イルチオシアネート4.4
gを得た。その構造は、以下のスペクトルデータから確
認した。
(Step 2) 3-Cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate (18.17 mmol, 5.
96 g), sodium thiocyanate (72.7 mmo
1, 5.95 g) to dimethylformamide (180 m
1) and the reaction solution was stirred at 90 ° C. for 1 hour. After returning to room temperature, pure water (180 ml) was added, the mixture was extracted with hexane, the organic layer was dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator, and 3-cyclohexyl-1,1,1-represented by the following formula (9) was used.
Trifluoropropan-2-yl thiocyanate 4.4
g was obtained. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0041】H−NMR(CDCl):δ 0.8
6〜1.33 m 5H、δ 1.36〜1.88 m
8H、δ 3.47〜3.56 m 1H。 IR(NaCl):2927、2855(Alky
l)、2162(SCN)、1451、1257、11
88、1161、1119
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
6 to 1.33 m 5H, δ 1.36 to 1.88 m
8H, delta 3.47-3.56 m 1H. IR (NaCl): 2927, 2855 (Alky
l), 2162 (SCN), 1451, 1257, 11
88, 1161, 1119

【0042】[0042]

【化7】 [Chemical 7]

【0043】(Step3)窒素気流下でリチウムアル
ミニウムハイドライド(60mmol、2.28g)を無
水テトラヒドロフラン(240ml)に5〜10℃で懸
濁させた。上述した3−シクロヘキシル−1,1,1−
トリフルオロプロパン−2−イル チオシアネートの大
量合成分(120mmol、35.56g)をテトラヒ
ドロフラン(60ml)に溶解して、この溶液に上記リ
チウムアルミニウムハイドライドの無水テトラヒドロフ
ラン懸濁液を滴下して加え、3時間室温下で反応させ
た。その後、氷浴で5〜10℃に冷却し1N HCl
(200ml)を加えて反応を停止した。分液後、更に
酢酸エチルで抽出し、純水で有機層を洗浄して、無水硫
酸マグネシウムにより有機層を乾燥しろ過した。その
後、エバポレーターで溶媒を留去した後、減圧蒸留によ
り精製し、下記(10)式で示される3−シクロヘキシ
ル−1,1,1−トリフルオロプロパン−2−チオール
(17.60g)を得た。その構造は、以下のスペクト
ルデータから確認した。
(Step 3) Lithium aluminum hydride (60 mmol, 2.28 g) was suspended in anhydrous tetrahydrofuran (240 ml) at 5-10 ° C. under a nitrogen stream. The above-mentioned 3-cyclohexyl-1,1,1-
A large amount of trifluoropropan-2-yl thiocyanate (120 mmol, 35.56 g) was dissolved in tetrahydrofuran (60 ml), and the anhydrous lithium suspension of lithium aluminum hydride was added dropwise to this solution for 3 hours. The reaction was carried out at room temperature. Then, cool to 5-10 ° C with an ice bath and add 1N HCl.
(200 ml) was added to stop the reaction. After liquid separation, the mixture was further extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator, and the residue was purified by vacuum distillation to obtain 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-thiol (17.60 g) represented by the following formula (10). . Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0044】H−NMR(CDCl):δ 0.7
1〜1.68 m 13H、δ 3.15〜3.27
m 1H。 IR(NaCl):2926、2854(Alky
l)、1450、1259、1184、1155、11
13
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.7
1-1.68 m 13H, δ 3.15-3.27
m 1H. IR (NaCl): 2926, 2854 (Alky
l), 1450, 1259, 1184, 1155, 11
Thirteen

【0045】[0045]

【化8】 [Chemical 8]

【0046】(Step4)得られた3−シクロヘキシ
ル−1,1,1−トリフルオロプロパン−2−チオール
(70mmol、16.0g)を酢酸(70ml)に溶
解し40℃に加熱し、30%過酸化水素水(40ml)
を滴下して加え、40℃で6時間反応させた。室温に戻
した後、ヘキサンで洗浄し未反応のチオール及びジスル
フィド等を除き、エバポレーターで溶媒を留去した。純
水(10ml)を加えた後、1N NaOH(50m
l)で反応液を中和し、更に亜硫酸ナトリウム(14.
87g)で過酸化物を中和した。得られた固体を吸引ろ
過した後、この固体を純水(10ml)で再結晶し、粗
結晶を得た。更に純水(16ml)で再結晶し、純粋な
下記(11)式で示される3−シクロヘキシル−1,
1,1−トリフルオロプロパン−2−スルホン酸ナトリ
ウム(10.94g、収率55.4%)を得た。その構
造は、以下のスペクトルデータから確認した。
(Step 4) The obtained 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-thiol (70 mmol, 16.0 g) was dissolved in acetic acid (70 ml) and heated to 40 ° C. to give a 30% excess. Hydrogen oxide water (40 ml)
Was added dropwise and reacted at 40 ° C. for 6 hours. After returning to room temperature, it was washed with hexane to remove unreacted thiols and disulfides, and the solvent was distilled off with an evaporator. After adding pure water (10 ml), 1N NaOH (50 m
The reaction solution was neutralized with 1), and sodium sulfite (14.
The peroxide was neutralized with 87 g). The obtained solid was suction filtered and then recrystallized from pure water (10 ml) to obtain a crude crystal. Further, it was recrystallized with pure water (16 ml) to give pure 3-cyclohexyl-1, represented by the following formula (11):
Sodium 1,1-trifluoropropane-2-sulfonate (10.94 g, yield 55.4%) was obtained. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0047】H−NMR(DO):δ0.92〜
0.95 m 2H、δ1.21〜1.26 m 3
H、δ1.51〜1.92 m 9H、δ3.76 m
1H(3−トリメチルシリル−2,2,3,3−D−
プロピオン酸ナトリウムを標準物質として用いた)。19 F−NMR(DO):δ−66.83 d J=
9.19Hz(トリクロロフルオロメタンを標準物質と
して用いた)。 IR(NaCl):2931、2854(Alky
l)、1447、1253、1203、1080、10
60
1 H-NMR (D 2 O): δ 0.92
0.95 m 2H, δ 1.21-1.26 m 3
H, δ1.51 to 1.92 m 9H, δ3.76 m
1H (3-trimethylsilyl-2,2,3,3-D-
Sodium propionate was used as a standard). 19 F-NMR (D 2 O): δ-66.83 d J =
9.19 Hz (trichlorofluoromethane was used as standard). IR (NaCl): 2931, 2854 (Alky
l), 1447, 1253, 1203, 1080, 10
60

【0048】[0048]

【化9】 [Chemical 9]

【0049】[実施例2] トリフェニルスルホニウム
3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフルオロプロ
パン−2−スルホネートの合成 トリフェニルスルホニウムクロライド(5mmol、
1.51g)、実施例1で合成した3−シクロヘキシル
−1,1,1−トリフルオロプロパン−2−スルホン酸
ナトリウム(5mmol、1.40g)を純水(20m
l)に溶解して反応させた。得られた結晶をメタノール
(5ml)に溶解し、純水(50ml)に滴下して加え
た。得られた固体を吸引ろ過により取り出し、減圧乾燥
してトリフェニルスルホニウム 3−シクロヘキシル−
1,1,1−トリフルオロプロパン−2−スルホネート
を1.3g得た。
Example 2 Synthesis of triphenylsulfonium 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-sulfonate Triphenylsulfonium chloride (5 mmol,
1.51 g) and sodium 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-sulfonate (5 mmol, 1.40 g) synthesized in Example 1 were added to pure water (20 m).
It was dissolved in 1) and reacted. The obtained crystals were dissolved in methanol (5 ml) and added dropwise to pure water (50 ml). The obtained solid was taken out by suction filtration, dried under reduced pressure, and triphenylsulfonium 3-cyclohexyl-
1.3 g of 1,1,1-trifluoropropane-2-sulfonate was obtained.

【0050】[実施例3] 1,1,1−トリフルオロ
ノナン−2−スルホン酸ナトリウムの合成 (Step1)実施例1のStep1に記載の方法で3
−シクロヘキシル−1,1,1−トリフルオロプロパン
−2−オールを1,1,1−トリフルオロノナン−2−
オール(80mmolスケール)に変えて、1,1,1−
トリフルオロノナン−2−イルトリフルオロメタンスル
ホネートを合成し、減圧蒸留(90〜92℃/20mm
Hg)で精製した。得られたエステル体は18.49g
で収率70.0%であった。
Example 3 Synthesis of Sodium 1,1,1-Trifluorononane-2-Sulfonate (Step 1) By the method described in Step 1 of Example 1, 3
-Cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-ol was added to 1,1,1-trifluorononane-2-
Change to all (80 mmol scale), 1,1,1-
Trifluorononan-2-yl trifluoromethanesulfonate was synthesized and distilled under reduced pressure (90 to 92 ° C./20 mm
Hg). The obtained ester body is 18.49 g.
The yield was 70.0%.

【0051】(Step2)実施例1のStep2に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル トリフルオロメタンスルホネ
ートを上述のエステル体(55mmolスケール)に変
えて、1,1,1−トリフルオロノナン−2−イル チ
オシアネートを9.37g、収率71.2%で得た。
(Step 2) By the method described in Step 2 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate was changed to the above ester body (55 mmol scale), and 1 , 1,1-Trifluorononan-2-yl thiocyanate (9.37 g, yield 71.2%) was obtained.

【0052】(Step3)実施例1のStep3に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル チオシアネートを上述のシア
ネート体(39mmolスケール)に変えて、1,1,
1−トリフルオロノナン−2−チオールを6.66g、
収率72.1%で得た。
(Step 3) By the method described in Step 3 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl thiocyanate was changed to the above cyanate compound (39 mmol scale) to give 1,1. ,
6.66 g of 1-trifluorononane-2-thiol,
The yield was 72.1%.

【0053】(Step4)実施例1のStep4に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−チオールを上述のチオール体(30
mmolスケール)に変えて、1,1,1−トリフルオ
ロノナン−2−スルホン酸ナトリウムを2.98g、収
率34.9%で得た。
(Step 4) 3-Cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-thiol was added to the above thiol compound (30) by the method described in Step 4 of Example 1.
mmol scale), sodium 1,1,1-trifluorononane-2-sulfonate (2.98 g, yield 34.9%) was obtained.

【0054】また、詳細な説明の項にて述べた、トリフ
ルオロメタンスルホン酸エステル(4)とチオ尿素を反
応させた例、すなわち、Step2の原料からStep
3の生成物を得た例を以下に記述する。
An example of the reaction of the trifluoromethanesulfonic acid ester (4) with thiourea described in the detailed description, that is, from the raw material of Step 2 to Step
An example of obtaining the product of 3 is described below.

【0055】Step1で得た1,1,1−トリフルオ
ロノナン−2−イル トリフルオロメタンスルホネート
(100mmol、33.03g)とチオ尿素(200
mmol、15.22g)をDMF(100ml)に溶
解し、100℃で1時間反応させた。10℃以下に冷却
した後、1N NaOHを(100ml)加え、室温で
2時間反応させた。ヘキサンで目的物を抽出し、純水で
洗浄後、無水硫酸マグネシウムで有機層を乾燥してろ過
した。エバポレーターで溶媒を留去し、クルード22.
71gを得た。このクルードを減圧蒸留で精製して1,
1,1−トリフルオロノナン−2−チオールを11.6
2g、収率54.2%で得た。
1,1,1-Trifluorononane-2-yl trifluoromethanesulfonate (100 mmol, 33.03 g) obtained in Step 1 and thiourea (200
mmol, 15.22 g) was dissolved in DMF (100 ml) and reacted at 100 ° C. for 1 hour. After cooling to 10 ° C. or lower, 1N NaOH (100 ml) was added, and the mixture was reacted at room temperature for 2 hours. The desired product was extracted with hexane, washed with pure water, the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The solvent was distilled off with an evaporator, and the crude 22.
71 g were obtained. This crude was purified by vacuum distillation,
1,1-trifluorononane-2-thiol 11.6
Obtained in 2 g, 54.2% yield.

【0056】[実施例4]トリフェニルスルホニウム
1,1,1−トリフルオロノナン−2−スルホネートの
合成 実施例3で合成した1,1,1−トリフルオロノナン−
2−スルホン酸ナトリウム(10mmol、2.84
g)、トリフェニルスルホニウム クロライド(10m
mol、2.98g)を純水25mlに溶解した。30
分撹拌後、オイルが得られた。これをジクロロメタンで
抽出し、有機層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウ
ムにより有機層を乾燥しろ過した。その後、エバポレー
ターで溶媒を留去してクルード1.54gを得た。この
クルードをシリカゲルクロマトグラフィー(SiO
ジクロロメタン−メタノール)により精製し、エーテル
を用いて結晶化させて、トリフェニルスルホニウム
1,1,1−トリフルオロノナン−2−スルホネート
1.26gを得た。その構造は、以下のスペクトルデー
タから確認した。
Example 4 Triphenylsulfonium
Synthesis of 1,1,1-trifluorononane-2-sulfonate 1,1,1-trifluorononane synthesized in Example 3
Sodium 2-sulfonate (10 mmol, 2.84)
g), triphenylsulfonium chloride (10 m
mol (2.98 g) was dissolved in 25 ml of pure water. Thirty
After stirring for a minute, an oil was obtained. This was extracted with dichloromethane, the organic layer was washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator to obtain 1.54 g of crude. This crude was subjected to silica gel chromatography (SiO 2 ,
(Dichloromethane-methanol) and crystallized from ether to give triphenylsulfonium
1.26 g of 1,1,1-trifluorononane-2-sulfonate was obtained. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0057】H−NMR(CDCl):δ 0.8
6 t J=6.79Hz 3H、δ1.25〜1.2
9 m 8H、δ 1.58〜1.59 m 2H、δ
1.86〜1.97 m 2H、δ 2.17〜2.
26 m 1H、δ 3.29〜3.45 m 1H、
δ 7.66〜7.80 m 15H。13 C−NMR(CDCl):14.15、22.6
7、27.09、28.27、29.09、29.7
0、31.87、62.30、124.76、131.
29、131.33、134.24
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
6 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.25-1.2
9 m 8H, δ 1.58 to 1.59 m 2H, δ
1.86-1.97 m 2H, δ 2.17-2.
26 m 1H, δ 3.29 to 3.45 m 1H,
δ 7.66 to 7.80 m 15H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.15, 22.6.
7, 27.09, 28.27, 29.09, 29.7
0, 31.87, 62.30, 124.76, 131.
29, 131.33, 134.24

【0058】[実施例5] 1,1,1−トリフルオロ
ヘプタン−2−スルホン酸ナトリウムの合成 (Step1−1)トリフルオロ酢酸無水物(500m
mol、71ml)、ヘキサノイルクロライド(500
mmol、72ml)をジクロロメタン(500ml)
に加えた。この溶液に20℃を保ちながらピリジン
(1.5mmol、122ml)を加え、1時間撹拌し
た。10℃に冷却しながら純水(500ml)を加えて
反応を停止させ、分液後、有機層を純水で洗浄後、更に
飽和炭酸ナトリウムで洗浄した。純水で洗浄後、硫酸マ
グネシウムにより有機層を乾燥してろ過した。その後エ
バポレーターで溶媒を留去し、減圧蒸留(20mmHg
/50℃)で精製し、1,1,1−トリフルオロヘプタ
ン−2−オン(25.84g)を収率30.7%で得
た。その構造は、以下のスペクトルデータから確認し
た。
Example 5 Synthesis of Sodium 1,1,1-Trifluoroheptane-2-sulfonate (Step 1-1) Trifluoroacetic Anhydride (500 m
mol, 71 ml), hexanoyl chloride (500
mmol, 72 ml) to dichloromethane (500 ml)
Added to. Pyridine (1.5 mmol, 122 ml) was added to this solution while maintaining 20 ° C., and the mixture was stirred for 1 hour. Pure water (500 ml) was added while cooling to 10 ° C. to stop the reaction. After liquid separation, the organic layer was washed with pure water and further washed with saturated sodium carbonate. After washing with pure water, the organic layer was dried with magnesium sulfate and filtered. After that, the solvent was distilled off with an evaporator and vacuum distillation (20 mmHg
/ 50 ° C.) to give 1,1,1-trifluoroheptan-2-one (25.84 g) in a yield of 30.7%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0059】H−NMR(CDCl):δ 0.9
1 t J=7.2Hz 3H、δ1.32〜1.37
m 4H、δ 1.69 tt J=7.2Hz 2
H、δ 2.71 t J=7.2Hz 2H。13 C−NMR(CDCl):13.81、22.1
2、22,31、30.92、36.36、115.5
5 q J=291.6Hz、191.48 qJ=3
4.3Hz。 IR(NaCl):2962(Alkyl)、2876
(Alkyl)、1766(C=O)、1207、11
50
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
1 t J = 7.2 Hz 3H, δ1.32 to 1.37
m 4H, δ 1.69 tt J = 7.2Hz 2
H, δ 2.71 t J = 7.2 Hz 2H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 13.81, 22.1.
2, 22, 31, 30.92, 36.36, 115.5
5 q J = 291.6 Hz, 191.48 qJ = 3
4.3 Hz. IR (NaCl): 2962 (Alkyl), 2876
(Alkyl), 1766 (C = O), 1207, 11
Fifty

【0060】(Step1−2)上述の1,1,1−ト
リフルオロヘプタン−2−オン(25.84g、15
3.66mmol)を無水テトラヒドロフラン(80m
l)に溶解し、水素化ホウ素ナトリウム(2.90g、
76.83mmol)を0℃で加えて3時間室温で反応
させた。0℃に冷却後、1N HCl(100ml)を
加えて反応を停止した。酢酸エチル(100ml)を加
えて分液した後、水層から更に酢酸エチルで再度抽出
し、有機層を合わせ、純水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムにより有機層を乾燥してろ過した。その後、エバポ
レーターで溶媒を留去し、1,1,1−トリフルオロヘ
プタン−2−オール(18.51g)を収率70.8%
で得た。その構造は、以下のスペクトルデータから確認
した。
(Step 1-2) The above-mentioned 1,1,1-trifluoroheptan-2-one (25.84 g, 15)
3.66 mmol) of anhydrous tetrahydrofuran (80 m
l) and dissolved in sodium borohydride (2.90 g,
76.83 mmol) was added at 0 ° C., and the mixture was reacted for 3 hours at room temperature. After cooling to 0 ° C., 1N HCl (100 ml) was added to stop the reaction. After ethyl acetate (100 ml) was added and liquid-separated, the aqueous layer was extracted again with ethyl acetate, the organic layers were combined, washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator to obtain 1,1,1-trifluoroheptan-2-ol (18.51 g) in a yield of 70.8%.
Got with. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0061】H−NMR(CDCl):δ 0.9
1 t J=8.0Hz 3H、δ1.33〜1.43
m 5H、δ 1.54〜1.73 m 3H、δ
2.12 d J=6.0Hz 1H(OH)、δ
3.86〜3.96 m 1H(CH−O)。13 C−NMR(CDCl):14.00、22.4
8、24.63、29.59、31.41、70.53
q J=30.6Hz、125.15 q J=28
1.6Hz。 IR(NaCl):3384(OH)、2959(Al
kyl)、2934(Alkyl)、2866(Alk
yl)、1460、1278、1173、1144、6
95。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
1 t J = 8.0 Hz 3H, δ1.33 to 1.43
m 5H, δ 1.54 to 1.73 m 3H, δ
2.12 d J = 6.0 Hz 1H (OH), δ
3.86-3.96 m1H (CH-O). 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.00, 22.4.
8, 24.63, 29.59, 31.41, 70.53
q J = 30.6 Hz, 125.15 q J = 28
1.6 Hz. IR (NaCl): 3384 (OH), 2959 (Al
kyl), 2934 (Alkyl), 2866 (Alk)
yl), 1460, 1278, 1173, 1144, 6
95.

【0062】(Step1−3)上述の1,1,1−ト
リフルオロヘプタン−2−オール(100mmol、1
8.46g)、ピリジン(110mmol、8.94
g)をジクロロメタン(100ml)に溶解し5〜10
℃に冷却した。この溶液にトリフルオロメタンスルホン
酸無水物(110mmol、18.69ml)を滴下し
て加えた。室温下で3時間反応させた後、5〜10℃に
冷却し純水(100ml)を加えて反応を停止させた。
分液後、有機層を純水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
により有機層を乾燥してろ過した。その後、エバポレー
ターで溶媒を留去し、1,1,1−トリフルオロヘプタ
ン−2−イル トリフルオロメタンスルホネート(1
7.03g)を収率56.4%で得た。その構造は、以
下のスペクトルデータから確認した。
(Step 1-3) The above 1,1,1-trifluoroheptan-2-ol (100 mmol, 1
8.46 g), pyridine (110 mmol, 8.94)
Dissolve g) in dichloromethane (100 ml) for 5-10
Cooled to ° C. Trifluoromethanesulfonic anhydride (110 mmol, 18.69 ml) was added dropwise to this solution. After reacting for 3 hours at room temperature, it was cooled to 5 to 10 ° C. and pure water (100 ml) was added to stop the reaction.
After liquid separation, the organic layer was washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator, and 1,1,1-trifluoroheptan-2-yl trifluoromethanesulfonate (1
7.03 g) was obtained with a yield of 56.4%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0063】H−NMR(CDCl):δ 0.9
2 t J=5.79Hz 3H、δ1.35〜1.5
5 m 6H、δ 1.89〜1.97 m 2H、δ
4.97〜5.04 m 1H(CH−O)。13 C−NMR(CDCl):13.83、22.2
1、23.68、28.51、30.98、81.94
q J=34.2Hz、118.26 q J=31
8.6Hz、122.04 q J=280.0Hz。 IR(NaCl):2964(Alkyl)、2878
(Alkyl)、1424、1217、1143、94
1。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
2 t J = 5.79 Hz 3 H, δ1.35 to 1.5
5 m 6H, δ 1.89 to 1.97 m 2H, δ
4.97-5.04 m1H (CH-O). 13 C-NMR (CDCl 3 ): 13.83, 22.2.
1, 23.68, 28.51, 30.98, 81.94
q J = 34.2 Hz, 118.26 q J = 31
8.6 Hz, 122.04 q J = 280.0 Hz. IR (NaCl): 2964 (Alkyl), 2878
(Alkyl), 1424, 1217, 1143, 94
1.

【0064】(Step2)実施例1のStep2に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル トリフルオロメタンスルホネ
ートを上述のエステル体(55mmolスケール)に変
えて、1,1,1−トリフルオロヘプタン−2−イル
チオシアネートを9.6g、収率91%で得た。その構
造は、以下のスペクトルデータから確認した。
(Step 2) By the method described in Step 2 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate was changed to the above ester body (55 mmol scale), and 1 , 1,1-trifluoroheptan-2-yl
Thiocyanate was obtained in a yield of 91% (9.6 g). Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0065】H−NMR(CDCl):δ 0.9
3 t J=6.79Hz 3H、δ1.36〜1.3
8 m 4H、δ 1.44〜1.51 m 1H、δ
1.69〜1.70 m 1H、δ 1.76〜1.
86 m 1H、δ2.04〜2.12 m 1H、
3.38〜3.47 m 1H。13 C−NMR(CDCl3):13.91、22.2
7、25.92、27.67、30.82、50.12
q J=31.5Hz、108.15(SCN)、1
24.77 q J=278.8Hz。 IR(NaCl):2961(Alkyl)、2836
(Alkyl)、2867(Alkyl)、2164
(SCN)、1260、1172、1130、110
4。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
3 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.36 to 1.3
8 m 4H, δ 1.44 to 1.51 m 1H, δ
1.69 to 1.70 m 1H, δ 1.76 to 1.
86 m 1H, δ 2.04 to 2.12 m 1H,
3.38-3.47 m 1H. 13 C-NMR (CDCl3): 13.91, 22.2.
7, 25.92, 27.67, 30.82, 50.12
q J = 31.5 Hz, 108.15 (SCN), 1
24.77 q J = 278.8 Hz. IR (NaCl): 2961 (Alkyl), 2836
(Alkyl), 2867 (Alkyl), 2164
(SCN), 1260, 1172, 1130, 110
4.

【0066】(Step3)実施例1のStep3に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル チオシアネートをこのシアネ
ート体(50mmolスケール)に変えて、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し1,1,1−トリフ
ルオロヘプタン−2−チオールを4.1g、収率48.
5%で得た。その構造は、以下のスペクトルデータから
確認した。
(Step 3) By the method described in Step 3 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl thiocyanate was replaced with this cyanate compound (50 mmol scale), and silica gel column chromatography was performed. Purified with 4.1 g of 1,1,1-trifluoroheptane-2-thiol, yield 48.
Obtained at 5%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0067】H−NMR(CDCl):δ 0.9
1 t J=6.79Hz 3H、δ1.27〜1.5
5 m 6H、δ 1.65 m 1H、δ 1.76
dJ=7.99Hz 1H、δ 1.93〜2.00
m 1H、δ3.12〜3.24 m 1H。13 C−NMR(CDCl):14.02、22.4
1、26.23、30.78、30.80、31.1
3、42.31 q J=29.82Hz、126.2
2 q J=276.6Hz。 IR(NaCl):2959(Alkyl)、2865
(Alkyl)、1261、1164、1123、11
00。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
1 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.27 to 1.5
5 m 6H, δ 1.65 m 1H, δ 1.76
dJ = 7.99Hz 1H, delta 1.93-2.00
m 1H, δ 3.12 to 3.24 m 1H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.02, 22.4.
1, 26.23, 30.78, 30.80, 31.1
3, 42.31 q J = 29.82 Hz, 126.2
2 q J = 276.6 Hz. IR (NaCl): 2959 (Alkyl), 2865
(Alkyl), 1261, 1164, 1123, 11
00.

【0068】また、このときに副生成物として1,1,
1−トリフルオロ−2−ヘプタンジスルフィド(収量
0.57g、収率6.2%)が得られた。その構造は、
以下のスペクトルデータから確認した。
At this time, 1,1,
1-Trifluoro-2-heptane disulfide (yield 0.57 g, yield 6.2%) was obtained. Its structure is
It was confirmed from the following spectrum data.

【0069】H−NMR(CDCl):δ 0.9
1 t J=6.39Hz 6H、δ1.33〜1.7
2 m 14H、δ 1.83〜1.89 m 2H、
δ3.09〜3.24 m 2H。13 C−NMR(CDCl):13.98、22.3
6、26.10、26.18、27.22、27.8
3、31.22、31.27、54.52 q J=2
7.31Hz、56.44 q J=27.31Hz、
126.32 qJ=278.31Hz、126.38
q J=278.31Hz。 IR(NaCl):2960(Alkyl)、2933
(Alkyl)、2865、1258、1165、11
20、1097。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.9
1 t J = 6.39 Hz 6H, δ1.33 to 1.7
2 m 14H, δ 1.83 to 1.89 m 2H,
δ 3.09 to 3.24 m 2H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 13.98, 22.3.
6, 26.10, 26.18, 27.22, 27.8
3, 31.22, 31.27, 54.52 q J = 2
7.31 Hz, 56.44 q J = 27.31 Hz,
126.32 qJ = 278.31 Hz, 126.38
qJ = 278.31 Hz. IR (NaCl): 2960 (Alkyl), 2933
(Alkyl), 2865, 1258, 1165, 11
20, 1097.

【0070】(Step4)上述の1,1,1−トリフ
ルオロヘプタン−2−チオール(3.72g、20mm
ol)を酢酸(20ml)に溶解した。60℃を超えな
い速度で48%過酢酸(125mmol、15.84
g)を滴下しながら加え3時間反応させ、ホルムアルデ
ヒド(60mmol、2.64g)を加えて更に1時間
反応させた。室温に戻した後、エバポレーターで溶媒を
留去した。得られたオイルを純水(20ml)に溶解
し、1N NaOH(12ml)で中和した。エバポレ
ーターで溶媒を留去して1,1,1−トリフルオロヘプ
タン−2−スルホン酸ナトリウム(4.01g)を収率
78.2%で得た。その構造は、以下のスペクトルデー
タから確認した。
(Step 4) The above 1,1,1-trifluoroheptane-2-thiol (3.72 g, 20 mm)
ol) was dissolved in acetic acid (20 ml). 48% peracetic acid (125 mmol, 15.84 at a rate not exceeding 60 ° C.
g) was added dropwise and the mixture was reacted for 3 hours, formaldehyde (60 mmol, 2.64 g) was added, and the mixture was further reacted for 1 hour. After returning to room temperature, the solvent was distilled off with an evaporator. The obtained oil was dissolved in pure water (20 ml) and neutralized with 1N NaOH (12 ml). The solvent was distilled off with an evaporator to obtain sodium 1,1,1-trifluoroheptane-2-sulfonate (4.01 g) in a yield of 78.2%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0071】H−NMR(DO):δ 0.89
t J=6.99Hz 3H、δ 1.31〜1.35
m 4H、δ 1.54〜1.60 m 2H、δ
1.89〜2.04 m 2H、δ 3.61〜3.7
1 m 1H。
1 H-NMR (D 2 O): δ 0.89
tJ = 6.99Hz 3H, delta 1.31-1.35.
m 4H, δ 1.54 to 1.60 m 2H, δ
1.89 to 2.04 m 2H, δ 3.61 to 3.7
1 m 1H.

【0072】[実施例6]1,1,1−トリフルオロウ
ンデカン−2−スルホン酸カリウムの合成 (Step1−1)実施例5のStep1−1に記載の
方法でヘキサノイルクロライドをデカノイルクロライド
(1molスケール)に変えて、1,1,1−トリフル
オロウンデカン−2−オンを合成し、減圧蒸留(75〜
76℃/10mmHg)で精製した。得られたケトン体
は112.40g、収率50.1%であり、その構造
は、以下のスペクトルデータから確認した。
[Example 6] Synthesis of potassium 1,1,1-trifluoroundecane-2-sulfonate (Step 1-1) Hexanoyl chloride was converted into decanoyl chloride (Step 1-1) by the method described in Step 1-1 of Example 5. (1 mol scale), 1,1,1-trifluoroundecane-2-one was synthesized and distilled under reduced pressure (75-
Purified at 76 ° C / 10 mmHg). The obtained ketone body was 112.40 g, and the yield was 50.1%, and its structure was confirmed by the following spectrum data.

【0073】H−NMR(CDCl):δ 0.8
8 t J=6.39Hz 3H、δ1.27〜1.3
1 m 12H、δ 1.66〜1.69 m 2H、
δ2.71 t J=6.79Hz 2H。13 C−NMR(CDCl):14.16、22.4
4、22.72、28.80、29.26、29.3
8、31.88、36.41、115.22 qJ=2
91.6Hz、191.50 q J=34.8Hz。 IR(NaCl):2928(Alkyl)、2858
(Alkyl)、1766(C=O)、1209、10
20。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
8 t J = 6.39 Hz 3H, δ1.27 to 1.3
1 m 12H, δ 1.66 to 1.69 m 2H,
δ 2.71 t J = 6.79 Hz 2H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.16, 22.4.
4, 22.72, 28.80, 29.26, 29.3
8, 31.88, 36.41, 115.22 qJ = 2
91.6 Hz, 191.50 q J = 34.8 Hz. IR (NaCl): 2928 (Alkyl), 2858
(Alkyl), 1766 (C = O), 1209, 10
20.

【0074】(Step1−2)実施例5のStep1
−2に記載の方法で1,1,1−トリフルオロヘプタン
−2−オンを上述のケトン体(500mmolスケー
ル)に変えて、1,1,1−トリフルオロウンデカン−
2−オールを合成し、減圧蒸留(82℃/2mmHg)
で精製した。得られたアルコール体は104.78g、
収率は95.14%であり、その構造は、以下のスペク
トルデータから確認した。
(Step1-2) Step1 of the fifth embodiment
2, 1,1,1-trifluoroheptan-2-one is changed to the above-mentioned ketone body (500 mmol scale) to prepare 1,1,1-trifluoroundecane-
2-ol was synthesized and distilled under reduced pressure (82 ° C / 2mmHg)
Purified in. The obtained alcohol body is 104.78 g,
The yield was 95.14%, and its structure was confirmed by the following spectral data.

【0075】H−NMR(CDCl):δ 0.8
1 t J=6.39Hz 3H、δ1.15〜1.3
8 m 13H、δ 1.45〜1.56 m 2H、
δ1.58〜1.70 m 1H、δ 2.06〜2.
02 m 1H、δ 3.80〜3.85 m 1H。 IR(NaCl):3372(OH)、2927(Al
kyl)、2857(Alkyl)、1468、127
9、1172、1142、1114、695。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
1 t J = 6.39 Hz 3H, δ1.15 to 1.3
8 m 13H, δ 1.45 to 1.56 m 2H,
δ 1.58 to 1.70 m 1H, δ 2.06 to 2.
02 m 1H, δ 3.80 to 3.85 m 1H. IR (NaCl): 3372 (OH), 2927 (Al
kyl), 2857 (Alkyl), 1468, 127
9, 1172, 1142, 1114, 695.

【0076】(Step1−3)実施例5のStep1
−3に記載の方法で1,1,1−トリフルオロヘプタン
−2−オールを上述のアルコール体(450mmolス
ケール)に変えて、1,1,1−トリフルオロウンデカ
ン−2−イル トリフルオロメタンスルホネート(15
7.95g)を収率97.95%で得た。その構造は、
以下のスペクトルデータから確認した。
(Step1-3) Step1 of the fifth embodiment
-1,3,1-trifluoroheptan-2-ol was changed to the above alcohol compound (450 mmol scale) by the method described in -3, and 1,1,1-trifluoroundecane-2-yl trifluoromethanesulfonate ( 15
7.95 g) was obtained with a yield of 97.95%. Its structure is
It was confirmed from the following spectrum data.

【0077】H−NMR(CDCl):δ 0.8
9 t J=6.79Hz 3H、δ1.28〜1.5
5 m 14H、δ 1.91〜1.97 m 2H、
δ4.96〜5.04 m 1H。13 C−NMR(CDCl):14.11、22.7
3、24.06、28.57、28.91、29.1
7、29.27、29.41、31.89、81.96
q J=33.94Hz、118.29 q J=3
18.33Hz、122.08 q J=279.95
Hz。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
9 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.28 to 1.5
5 m 14H, δ 1.91 to 1.97 m 2H,
δ 4.96 to 5.04 m 1H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.11, 22.7.
3, 24.06, 28.57, 28.91, 29.1
7, 29.27, 29.41, 31.89, 81.96
q J = 33.94 Hz, 118.29 q J = 3
18.33 Hz, 122.08 q J = 279.95
Hz.

【0078】(Step2)実施例1のStep2に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル トリフルオロメタンスルホネ
ートを上述のエステル体(400mmolスケール)に
変えて、1,1,1−トリフルオロウンデカン−2−イ
ル チオシアネート(76.92g)を収率71.93
%で得た。その構造は、以下のスペクトルデータから確
認した。
(Step 2) By the method described in Step 2 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate was changed to the above ester body (400 mmol scale), and 1 , 1,1-Trifluoroundecane-2-yl thiocyanate (76.92 g) was obtained in a yield of 71.93.
Earned in%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0079】H−NMR(CDCl):δ 0.8
9 t J=6.79Hz 3H、δ1.28〜1.4
9 m 13H、δ 1.63〜1.69 m 1H、
δ1.76〜1.86 m 1H、δ 2.04〜2.
12 m 1H、δ 3.38〜3.47 m 1H。13 C−NMR(CDCl):14.15、22.7
0、26.26、27.71、28.71、29.1
9、29.24、29.41、31.86、50.12
q J=30.72Hz、108.15(SCN)、
124.77 qJ=279.11Hz。 IR(NaCl):2928(Alkyl)、2857
(Alkyl)、2163(SCN)、1259、11
78、1130、1111。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
9 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.28 to 1.4
9 m 13H, δ 1.63 to 1.69 m 1H,
δ 1.76 to 1.86 m 1H, δ 2.04 to 2.
12 m 1H, δ 3.38 to 3.47 m 1H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.15, 22.7.
0, 26.26, 27.71, 28.71, 29.1
9, 29.24, 29.41, 31.86, 50.12
q J = 30.72 Hz, 108.15 (SCN),
124.77 qJ = 279.11 Hz. IR (NaCl): 2928 (Alkyl), 2857
(Alkyl), 2163 (SCN), 1259, 11
78, 1130, 1111.

【0080】(Step3)実施例1のStep3に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル チオシアネートを上述のチオ
シアネート体(280mmolスケール)に変えて、
1,1,1−トリフルオロウンデカン−2−チオールを
63.7g、収率93.8%で得た。その構造は、以下
のスペクトルデータから確認した。
(Step 3) By the method described in Step 3 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl thiocyanate was replaced with the above thiocyanate compound (280 mmol scale),
61.7 g of 1,1,1-trifluoroundecane-2-thiol was obtained with a yield of 93.8%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0081】H−NMR(CDCl):δ 0.8
8 t J=6.79Hz 3H、δ1.27〜1.5
4 m 14H、δ 1.62〜1.65 m 1H、
δ1.76 d J=8.39Hz 1H、δ 1.9
2〜2.00 m 1H、δ 3.12〜3.22 m
1H。13 C−NMR(CDCl):14.18、227
4、26.57、28.98、29.32、29.3
6、29.52、30.83、31.91、42.31
q J=29.82Hz、126.22 q J=2
76.60Hz。 IR(NaCl):2927(Alkyl)、2857
(Alkyl)、1260、1162、1126、11
07。
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.8
8 t J = 6.79 Hz 3H, δ1.27 to 1.5
4 m 14H, δ 1.62 to 1.65 m 1H,
δ 1.76 d J = 8.39 Hz 1H, δ 1.9
2 to 2.00 m 1H, δ 3.12 to 3.22 m
1H. 13 C-NMR (CDCl 3 ): 14.18, 227.
4, 26.57, 28.98, 29.32, 29.3
6, 29.52, 30.83, 31.91, 42.31
qJ = 29.82Hz, 126.22qJ = 2
76.60 Hz. IR (NaCl): 2927 (Alkyl), 2857
(Alkyl), 1260, 1162, 1126, 11
07.

【0082】(Step4)上述した1,1,1−トリ
フルオロウンデカン−2−チオール(50mmol、1
4.99g)を酢酸(50ml)に溶解し、48%過酢
酸(250mmol、39.61g)を50℃以下の温
度で滴下して加え、3時間反応させた。その後アセトア
ルデヒド(150mmol)を加えて更に1時間反応さ
せた。冷却後、エバポレーターで溶媒を留去した。純水
(50ml)を加えて得られたオイルを溶解し、水酸化
カリウムで中和すると結晶の析出が見られた。この結晶
を吸引ろ過し、酢酸エチルで洗浄することにより1,
1,1−トリフルオロウンデカン−2−スルホン酸カリ
ウムを9.53g、収率58.0%で得た。その構造
は、以下のスペクトルデータから確認した。
(Step 4) 1,1,1-trifluoroundecane-2-thiol (50 mmol, 1
4.99 g) was dissolved in acetic acid (50 ml), 48% peracetic acid (250 mmol, 39.61 g) was added dropwise at a temperature of 50 ° C. or lower, and the mixture was reacted for 3 hours. After that, acetaldehyde (150 mmol) was added and the reaction was further performed for 1 hour. After cooling, the solvent was distilled off with an evaporator. Pure water (50 ml) was added to dissolve the resulting oil, and neutralization with potassium hydroxide revealed precipitation of crystals. The crystals are suction filtered and washed with ethyl acetate to
9.53 g of potassium 1,1-trifluoroundecane-2-sulfonate was obtained at a yield of 58.0%. Its structure was confirmed by the following spectral data.

【0083】H−NMR(DO):δ 0.88
t J=6.19Hz 3H、δ 1.30 m 12
H、δ 1.55〜1.58 m 2H、δ 1.86
〜1.95 m 1H、δ 2.00〜2.09 m
1H、δ 3.47〜3.57m 1H。 IR(NaCl):2925(Alkyl)、2855
(Alkyl)、1227、1054。
1 H-NMR (D 2 O): δ 0.88
t J = 6.19 Hz 3H, δ 1.30 m 12
H, delta 1.55 to 1.58 m 2H, delta 1.86
~ 1.95 m 1H, δ 2.00 to 2.09 m
1H, δ 3.47 to 3.57m 1H. IR (NaCl): 2925 (Alkyl), 2855
(Alkyl), 1227, 1054.

【0084】[実施例7]1−パーフルオロヘプチルノ
ナンスルホン酸ナトリウムの合成 (Step1−1)パーフルオロオクタン酸(100m
mol、41.4g)を無水エーテル(100ml)に
溶解し、オクチルマグネシウムブロマイド(100mm
ol)を加え、4時間リフラックスして反応させた。0
〜10℃に冷却後、1N HClを加えて反応を停止さ
せた。分液後、有機層を純水で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで有機層を乾燥しろ過した。その後、エバポレー
ターで溶媒を留去し、クルードのパーフルオロヘプチル
オクチル ケトンを26.1g、収率51.2%で得
た。
Example 7 Synthesis of Sodium 1-Perfluoroheptylnonane Sulfonate (Step 1-1) Perfluorooctanoic Acid (100 m
mol, 41.4 g) was dissolved in anhydrous ether (100 ml), and octyl magnesium bromide (100 mm)
ol) was added and refluxed for 4 hours to react. 0
After cooling to -10 ° C, 1N HCl was added to stop the reaction. After liquid separation, the organic layer was washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. Then, the solvent was distilled off with an evaporator to obtain 26.1 g of crude perfluoroheptyl octyl ketone in a yield of 51.2%.

【0085】(Step1−2)上述のパーフルオロヘ
プチル オクチル ケトン(26.13g)を水素化ホ
ウ素ナトリウム(15mmol、0.567g)のエタ
ノール(100ml)溶液に滴下して加え、3時間反応
させた。10℃以下で1N HCl(100ml)を加
えて反応を停止させた。分液後、酢酸エチルで水層から
再度抽出し、有機層を合わせた。得られた有機層を純水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥しろ過した。エ
バポレーターで溶媒を留去し、クルードを21.8g得
た。ヘキサンで再結晶して1−パーフルオロヘプチルノ
ナノールを12.9g、収率49.1%で得た。
(Step 1-2) The above-mentioned perfluoroheptyl octyl ketone (26.13 g) was added dropwise to a solution of sodium borohydride (15 mmol, 0.567 g) in ethanol (100 ml), and the mixture was reacted for 3 hours. The reaction was stopped by adding 1N HCl (100 ml) below 10 ° C. After liquid separation, the aqueous layer was extracted again with ethyl acetate, and the organic layers were combined. The obtained organic layer was washed with pure water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The solvent was distilled off with an evaporator to obtain 21.8 g of crude. Recrystallization from hexane gave 12.9 g of 1-perfluoroheptylnonanol in a yield of 49.1%.

【0086】(Step1−3)実施例5のStep1
−3に記載の方法で1,1,1−トリフルオロヘプタン
−2−オールを上述のアルコール体(20mmolスケ
ール)に変えて、1−パーフルオロヘプチルノナニル
トリフルオロメタンスルホネート(7.71g)を収率
59.8%で得た。
(Step1-3) Step1 of the fifth embodiment
1-perfluoroheptylnonanyl by changing 1,1,1-trifluoroheptan-2-ol to the above alcohol compound (20 mmol scale) by the method described in -3.
Trifluoromethanesulfonate (7.71 g) was obtained with a yield of 59.8%.

【0087】(Step2)実施例1のStep2に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル トリフルオロメタンスルホネ
ートを上述のエステル体(10mmolスケール)に変
えて、1−パーフルオロヘプチルノナニルチオシアネー
ト(2.67g)を収率48.3%で得た。
(Step 2) By the method described in Step 2 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl trifluoromethanesulfonate was changed to the above ester form (10 mmol scale), and 1 -Perfluoroheptylnonanyl thiocyanate (2.67 g) was obtained with a yield of 48.3%.

【0088】(Step3)実施例1のStep3に記
載の方法で3−シクロヘキシル−1,1,1−トリフル
オロプロパン−2−イル チオシアネートを上述のチオ
シアネート体(2mmolスケール)に変えて、1−パ
ーフルオロヘプチルノナンチオール(2.0g)を収率
78.2%で得た。
(Step 3) By the method described in Step 3 of Example 1, 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropan-2-yl thiocyanate was changed to the above thiocyanate compound (2 mmol scale) to give 1-perm. Fluoroheptylnonanethiol (2.0 g) was obtained with a yield of 78.2%.

【0089】(Step4)実施例5のStep4に記
載の方法で1,1,1−トリフルオロヘプタン−2−チ
オールを上述のチオール体(3mmolスケール)に変
えて、1−パーフルオロヘプチルノナンスルホン酸ナト
リウム(1.23g)を収率68.72%で得た。
(Step 4) The 1,1,1-trifluoroheptane-2-thiol was changed to the above-mentioned thiol compound (3 mmol scale) by the method described in Step 4 of Example 5 to give 1-perfluoroheptylnonanesulfonic acid. Sodium (1.23 g) was obtained with a yield of 68.72%.

【0090】[応用例1]実施例2に記載のトリフェニ
ルスルホニウム 3−シクロヘキシル−1,1,1−ト
リフルオロプロパン−2−スルホネートを2重量部、ポ
リヒドロキシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基
15モル%、tert−ブトキシカルボニル基15モル
%で保護した重量平均分子量15,000の重合体10
0重量部、イソプロパノールアミン0.2重量部をプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセタート600
重量部に溶解しレジストを調製した。
[Application Example 1] 2 parts by weight of triphenylsulfonium 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-sulfonate described in Example 2 and polyhydroxystyrene having a hydroxyl group of 1-ethoxyethyl group. Polymer 10 having a weight average molecular weight of 15,000 protected by 15 mol% and tert-butoxycarbonyl group 15 mol%
0 parts by weight and 0.2 parts by weight of isopropanolamine were added to propylene glycol monomethyl ether acetate 600.
A resist was prepared by dissolving in parts by weight.

【0091】[応用例2]実施例2に記載のトリフェニ
ルスルホニウム 3−シクロヘキシル−1,1,1−ト
リフルオロプロパン−2−スルホネートを2重量部、ポ
リヒドロキシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基
35モル%で保護した重量平均分子量15,000の重
合体100重量部、イソプロパノールアミン0.2重量
部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセター
ト600重量部に溶解しレジストを調製した。
[Application Example 2] 2 parts by weight of triphenylsulfonium 3-cyclohexyl-1,1,1-trifluoropropane-2-sulfonate described in Example 2 and polyhydroxystyrene having a hydroxyl group of 1-ethoxyethyl group. A resist was prepared by dissolving 100 parts by weight of a polymer having a weight average molecular weight of 15,000 protected by 35 mol% and 0.2 parts by weight of isopropanolamine in 600 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate.

【0092】[応用例3]実施例4に記載のトリフェニ
ルスルホニウム 1,1,1−トリフルオロノナン−2
−スルホネートを2重量部、ポリヒドロキシスチレンの
水酸基を1−エトキシエチル基15モル%、tert−
ブトキシカルボニル基15モル%で保護した重量平均分
子量15,000の重合体100重量部、イソプロパノ
ールアミン0.2重量部をプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセタート600重量部に溶解しレジスト
を調製した。
[Application Example 3] Triphenylsulfonium 1,1,1-trifluorononane-2 described in Example 4
2 parts by weight of sulfonate, hydroxyl group of polyhydroxystyrene is 15 mol% of 1-ethoxyethyl group, tert-
A resist was prepared by dissolving 100 parts by weight of a polymer having a weight average molecular weight of 15,000 protected with 15 mol% of butoxycarbonyl groups and 0.2 parts by weight of isopropanolamine in 600 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate.

【0093】[比較例1]トリフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネートを2重量部、ポリヒド
ロキシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基15モ
ル%、tert−ブトキシカルボニル基15モル%で保
護した重量平均分子量15,000の重合体100重量
部、イソプロパノールアミン0.2重量部をプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセタート600重量部
に溶解しレジストを調製した。
[Comparative Example 1] Triphenylsulfonium
2 parts by weight of trifluoromethanesulfonate, 100 parts by weight of a polymer having a weight average molecular weight of 15,000 in which hydroxyl groups of polyhydroxystyrene are protected with 15 mol% of 1-ethoxyethyl groups and 15 mol% of tert-butoxycarbonyl groups, and isopropanolamine 0 0.2 part by weight was dissolved in 600 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate to prepare a resist.

【0094】[比較例2]トリフェニルスルホニウム
10−カンファースルホネートを2重量部、ポリヒドロ
キシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基35モル
%で保護した重量平均分子量15,000の重合体10
0重量部、イソプロパノールアミン0.2重量部をプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセタート600
重量部に溶解しレジストを調製した。
[Comparative Example 2] Triphenylsulfonium
Polymer 10 having a weight average molecular weight of 15,000, in which 2 parts by weight of 10-camphor sulfonate and hydroxyl groups of polyhydroxystyrene are protected with 35 mol% of 1-ethoxyethyl groups.
0 parts by weight and 0.2 parts by weight of isopropanolamine were added to propylene glycol monomethyl ether acetate 600.
A resist was prepared by dissolving in parts by weight.

【0095】[試験例]応用例1〜3及び比較例1,2
のレジストを0.2μmのメンブランフィルターでろ過
し、感放射線性樹脂組成物溶液を調製した。次いで組成
物溶液をシリコンウエハー上に回転塗布した後ホットプ
レート上で100℃で90秒間乾燥し、膜厚が0.7μ
mのレジスト皮膜を形成した。得られた皮膜は均一で良
好であった。
[Test Example] Application Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2.
The resist was filtered through a 0.2 μm membrane filter to prepare a radiation sensitive resin composition solution. Then, the composition solution was spin coated on a silicon wafer and dried on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds to give a film thickness of 0.7 μm.
m resist film was formed. The film obtained was uniform and good.

【0096】このレジスト皮膜に、KrFエキシマレー
ザーステッパー(NA=0.5)を用いて露光を行っ
た。露光後、ホットプレート上で100℃で90秒間加
熱を行い、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの水溶液に60秒間現像を行い、30秒間純水
でリンスした。
This resist film was exposed using a KrF excimer laser stepper (NA = 0.5). After the exposure, the film was heated on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, developed in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds, and rinsed with pure water for 30 seconds.

【0097】その結果、応用例1〜3は矩形なポジ型の
エッジラフネスがない良好なパターンが得られた。ま
た、露光後のパターン上及び剥離後のシリコン基板上を
走査型電子顕微鏡にて観察した結果、異物が殆どなかっ
た。比較例1では、露光後のパターン上及び剥離後のシ
リコン基板上の異物が多く、比較例2では露光感度が低
いと共にエッジラフネスが大きかった。
As a result, in Application Examples 1 to 3, a rectangular positive type good pattern having no edge roughness was obtained. As a result of observing the exposed pattern and the peeled silicon substrate with a scanning electron microscope, almost no foreign matter was found. In Comparative Example 1, there were many foreign matters on the pattern after exposure and on the silicon substrate after peeling, and in Comparative Example 2, the exposure sensitivity was low and the edge roughness was large.

【0098】[0098]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
アルキル基類及びパーフルオロアルキル基という2種類
の基をα炭素原子に持ち、表面張力および界面張力を減
少させる界面活性効果を示し、且つ強酸であり、酸触
媒、界面活性剤、として有用である新規スルホン酸誘導
体を提供できる。本発明のスルホン酸を発生する光酸発
生剤を半導体製造工程等で使用すると、光酸発生剤のレ
ジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れ、
現像後のパターン形成時、更にレジスト剥離時に異物を
生じず、エッジラフネスなどの影響が少なく、パターン
形状に優れ、PED安定性に優れたレジスト材料とする
ことができる。
As described above, according to the present invention,
It has two kinds of groups, an alkyl group and a perfluoroalkyl group, on the α carbon atom, exhibits a surface active effect of reducing surface tension and interfacial tension, and is a strong acid, and is useful as an acid catalyst and a surfactant. A novel sulfonic acid derivative can be provided. When the photoacid generator that generates the sulfonic acid of the present invention is used in a semiconductor manufacturing process or the like, it has excellent solubility in a resist solvent of the photoacid generator and compatibility with a resin,
It is possible to obtain a resist material that does not generate foreign matter during pattern formation after development and during resist stripping, is less affected by edge roughness, has an excellent pattern shape, and has excellent PED stability.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で示されるスルホン酸
誘導体。 【化1】 (式中、Rは、炭素数1〜20の、直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール
アルキル基を示す。Rfは、炭素数1〜20の、直鎖
状、分岐状もしくは環状のパーフルオロアルキル基を示
す。Mm+は対カチオンであり、mは整数である。)
1. A sulfonic acid derivative represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (In the formula, R represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted arylalkyl group. Rf represents a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Represents a branched or cyclic perfluoroalkyl group, M m + is a counter cation, and m is an integer.)
【請求項2】 請求項1において、前記Mm+が、水素
イオン、金属イオン又はオニウムイオンであることを特
徴とするスルホン酸誘導体。
2. The sulfonic acid derivative according to claim 1, wherein the M m + is a hydrogen ion, a metal ion or an onium ion.
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