JP2003324657A - Output correction device for image sensor - Google Patents

Output correction device for image sensor

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JP2003324657A
JP2003324657A JP2002167862A JP2002167862A JP2003324657A JP 2003324657 A JP2003324657 A JP 2003324657A JP 2002167862 A JP2002167862 A JP 2002167862A JP 2002167862 A JP2002167862 A JP 2002167862A JP 2003324657 A JP2003324657 A JP 2003324657A
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sensor
signal
logarithmic
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JP2002167862A
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Noriyuki Shinozuka
典之 篠塚
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Honda Motor Co Ltd
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Honda Motor Co Ltd
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an image having proper image quality, wherein the logarithmic output characteristic lost upon low illuminance is recovered by initializing an optical sensor circuit, and the contrast will not deteriorate, even upon low illuminance. <P>SOLUTION: An image sensor is adapted as follows: a sensor current, conducted through a photoelectric converter in response to the quantity of incident light upon photographing is converted to a voltage signal with a logarithmic characteristic in a weak inversion state utilizing a sub-threshold region of a transistor; a sensor signal in response to the voltage signal thus converted is outputted; drain voltage of the transistor is changed to a value lower than the steady state value prior to the photographing to discharge electric charges stored in a parasitic capacitor of the photoelectric converter for initialization of an optical sensor circuit used as pixels. In the optical sensor circuit, a means is provided for converting the output characteristic of a non-logarithmic response region in each optical sensor circuit, into a logarithmic one. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、入射光量に応じて光電
変換素子に流れるセンサ電流をトランジスタのサブスレ
ッショルド領域の特性を利用した弱反転状態で対数特性
をもって電圧信号に変換して出力する光センサ回路を画
素に用いたイメージセンサの出力補正装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light for converting a sensor current flowing through a photoelectric conversion element according to the amount of incident light into a voltage signal with a logarithmic characteristic in a weak inversion state utilizing the characteristics of a subthreshold region of a transistor and outputting the voltage signal. The present invention relates to an output correction device for an image sensor using a sensor circuit for pixels.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、MOS型のイメージセンサにあっ
ては、その1画素分の光センサ回路が、図1に示すよう
に、入射光Lsの光量に応じたセンサ電流を生ずる光電
変換素子としてのフォトダイオードPDと、フォトダイ
オードPDに流れるセンサ電流を弱反転状態で対数出力
特性をもって電圧信号Vpdに変換させるトランジスタ
Q1と、その電圧信号Vpdを増幅するトランジスタQ
2と、読出し信号Vsのパルスタイミングでもってセン
サ信号Voを出力するトランジスタQ3とからなり、対
数出力特性をもたせることによってダイナミックレンジ
を拡大して光信号の検出を高感度で行わせることができ
るようにしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a MOS type image sensor, an optical sensor circuit for one pixel is, as shown in FIG. 1, a photoelectric conversion element for generating a sensor current according to the amount of incident light Ls. Photodiode PD, a transistor Q1 for converting a sensor current flowing through the photodiode PD into a voltage signal Vpd with a logarithmic output characteristic in a weak inversion state, and a transistor Q for amplifying the voltage signal Vpd.
2 and the transistor Q3 that outputs the sensor signal Vo at the pulse timing of the read signal Vs. By providing the logarithmic output characteristic, the dynamic range can be expanded and the optical signal can be detected with high sensitivity. I have to.

【0003】このような構成によるイメージセンサで
は、各画素の光センサ回路におけるフォトダイオードP
Dに充分な光量をもって入射光Lsが当たっているとき
には、トランジスタQ1には充分なセンサ電流が流れる
ことになり、そのトランジスタQ1の抵抗値もさほど大
きくないことから、イメージセンサとして残像を生ずる
ことがないような充分な応答速度をもって光信号の検出
を行わせることができる。
In the image sensor having such a configuration, the photodiode P in the photosensor circuit of each pixel is
When the incident light Ls is incident on D with a sufficient amount of light, a sufficient sensor current flows in the transistor Q1 and the resistance value of the transistor Q1 is not so large, so that an afterimage may occur as an image sensor. The optical signal can be detected with a sufficient response speed that does not occur.

【0004】しかし、フォトダイオードPDの入射光L
sの光量が少なくなってトランジスタQ1に流れる電流
が小さくなると、トランジスタQ1はそれに流れる電流
が1桁小さくなるとその抵抗値が1桁大きくなるように
動作するように設定されていることから、トランジスタ
Q1の抵抗値が増大し、フォトダイオードPDの寄生容
量Cとの時定数が大きくなってその寄生容量Cに蓄積さ
れた電荷を放電するのに時間がかかるようになる。その
ため、入射光Lsの光量が少なくなるにしたがって、残
像が長時間にわたって観測されることになる。
However, the incident light L of the photodiode PD
When the amount of light of s decreases and the current flowing through the transistor Q1 decreases, the transistor Q1 is set so that its resistance value increases by one digit when the current flowing through the transistor Q1 decreases by one digit. And the time constant with the parasitic capacitance C of the photodiode PD increases, and it takes time to discharge the charge accumulated in the parasitic capacitance C. Therefore, an afterimage is observed for a long time as the amount of the incident light Ls decreases.

【0005】図6は、フォトダイオードPDのセンサ電
流が1E−10Aから1E−15Aまで急激に変化した
場合の電圧信号Vpdの変化特性を示している。
FIG. 6 shows a change characteristic of the voltage signal Vpd when the sensor current of the photodiode PD suddenly changes from 1E-10A to 1E-15A.

【0006】この特性から、フォトダイオードPDへの
入射光Lsの光量が少ない1E−12A程度のセンサ電
流では、1/30secごとにセンサ信号Voを出力さ
せるようにする場合、その時間内では電圧信号Vpdが
飽和しないことがわかる。
From this characteristic, when the sensor current of about 1E-12A in which the light amount of the incident light Ls to the photodiode PD is small, when the sensor signal Vo is output every 1/30 sec, the voltage signal is output within that time. It can be seen that Vpd is not saturated.

【0007】したがって、フォトダイオードPDの入射
光Lsの光量が少ないときのセンサ電流に応じた電圧信
号Vpdの飽和時間が長くなるため、図8に示すような
読出し信号Vsのパルスタイミングでセンサ信号Voの
読み出しを行うと、当初ほど大きなレベルの出力が残像
となってあらわれる。なお、図8中、Vpd′は増幅用
のトランジスタQ2によって反転増幅された電圧信号を
示している。
Therefore, the saturation time of the voltage signal Vpd corresponding to the sensor current when the light quantity of the incident light Ls on the photodiode PD is small becomes long, so that the sensor signal Vo at the pulse timing of the read signal Vs as shown in FIG. When the reading is performed, the output of a level as high as at the beginning appears as an afterimage. In FIG. 8, Vpd 'indicates a voltage signal that is inverted and amplified by the amplifying transistor Q2.

【0008】そのため従来では、撮影時の入射光量に応
じて光電変換素子に流れるセンサ電流をMOS型トラン
ジスタを用いて弱反転状態で対数出力特性をもって電圧
信号に変換するようにした光センサ回路を画素単位とし
て、複数の画素をマトリクス状に配設したイメージセン
サにあって、撮影に先がけて各光センサ回路におけるト
ランジスタQ1のドレイン電圧VDを所定時間だけ撮影
時の定常値よりも低く設定することにより、フォトダイ
オードPDの寄生容量Cに蓄積された残留電荷を排出し
て初期化することにより、センサ電流に急激な変化が生
じても即座にそのときの入射光Lsの光量に応じた電圧
信号Vpdが得られるようにして、入射光量が少ない場
合でも残像が生ずることがないようにしている(特開2
000−329616号公報参照)。
Therefore, conventionally, a pixel is provided with an optical sensor circuit in which a sensor current flowing in a photoelectric conversion element is converted into a voltage signal with a logarithmic output characteristic in a weak inversion state using a MOS transistor in accordance with the amount of incident light at the time of photographing. As a unit, in an image sensor in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, by setting the drain voltage VD of the transistor Q1 in each photosensor circuit to a value lower than a steady value during shooting for a predetermined time prior to shooting. By discharging and initializing the residual charges accumulated in the parasitic capacitance C of the photodiode PD, even if a sudden change occurs in the sensor current, the voltage signal Vpd corresponding to the light amount of the incident light Ls at that time is immediately generated. So that an afterimage does not occur even when the amount of incident light is small.
000-329616).

【0009】このような光センサ回路にあっては、図3
に示すように、入射光量に応じてフォトダイオードPD
に流れるセンサ電流が多いときには対数出力特性を示す
が、センサ電流が少ないときにはフォトダイオードPD
の寄生容量Cの充電に応答遅れを生じてほぼ線形の非対
数出力特性を示すようになっている。図中、WAは非対
数応答領域を示し、WBは対数応答領域を示している。
In such an optical sensor circuit, as shown in FIG.
As shown in, the photodiode PD
Shows a logarithmic output characteristic when there is a large amount of sensor current flowing in the photodiode PD.
A response delay occurs in charging of the parasitic capacitance C, and a substantially linear non-logarithmic output characteristic is exhibited. In the figure, WA indicates a non-logarithmic response region, and WB indicates a logarithmic response region.

【0010】このような光センサ回路を画素に用いたイ
メージセンサを車両に搭載して、車両の自動走行の制御
のために走行中の道路前方の白線検出を行わせるような
場合に、昼夜にわたる撮影や、暗いトンネル内からトン
ネル出口の明るい部分または明るいトンネル入口からト
ンネル内の暗い部分を撮影するような苛酷な条件下で
も、コントラスト良く白線を写し出すことができるよう
な広いダイナミックレンジが要求される。
When an image sensor using such an optical sensor circuit as a pixel is mounted on a vehicle to detect a white line in front of a road on which the vehicle is traveling for the purpose of controlling the automatic traveling of the vehicle, it can be used for day and night. A wide dynamic range is required so that a white line can be projected with good contrast even under severe conditions such as shooting or shooting the bright part of the tunnel exit from the dark tunnel or the dark part of the tunnel from the bright tunnel entrance. .

【0011】その際、路面と白線との間には昼夜を問わ
ず常に一定の輝度差が存在することになり、光センサ回
路においてセンサ信号を対数で取り扱う場合には、どの
明るさでも常に一定の信号差が存在するために都合が良
い。
At that time, there is always a constant brightness difference between the road surface and the white line regardless of day or night. When the sensor signal is logarithmically processed in the photosensor circuit, the brightness is always constant. This is convenient because there is a signal difference of.

【0012】しかして、前述した対数出力特性を有する
光センサ回路にあって、残像の発生を抑制するための初
期化手段をとる場合には、図3に示すように、入射光量
に応じてフォトダイオードPDに流れるセンサ電流が少
ないとき(低照度時)にはフォトダイオードPDの寄生
容量Cの充電に応答遅れを生じて対数出力特性が失われ
てしまっている。
However, in the photosensor circuit having the logarithmic output characteristic described above, in the case where the initialization means for suppressing the occurrence of the afterimage is taken, as shown in FIG. When the sensor current flowing through the diode PD is small (when the illuminance is low), there is a response delay in charging the parasitic capacitance C of the photodiode PD, and the logarithmic output characteristic is lost.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、撮影時の入射光量に応じて光電変換素子に流れる
センサ電流をトランジスタのサブスレッショルド領域の
特性を利用した弱反転状態で対数特性をもって電圧信号
に変換して、その変換された電圧信号に応じたセンサ信
号を出力するとともに、撮影に先がけて前記トランジス
タのドレイン電圧を定常値よりも低い値に切り換えて、
光電変換素子の寄生容量に蓄積された電荷を排出して初
期化するようにした光センサ回路を画素に用いたイメー
ジセンサにあっては、低照度時に各センサ回路における
対数出力特性が失われてしまうことである。
The problem to be solved is that the sensor current flowing through the photoelectric conversion element has a logarithmic characteristic in a weak inversion state utilizing the characteristics of the subthreshold region of the transistor according to the amount of incident light at the time of photographing. The voltage signal is converted, and a sensor signal corresponding to the converted voltage signal is output, and the drain voltage of the transistor is switched to a value lower than a steady value prior to photographing,
In an image sensor that uses a photosensor circuit for pixels to discharge and initialize charges accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element, the logarithmic output characteristic of each sensor circuit is lost when the illuminance is low. It is to end up.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、撮影時の入射
光量に応じて光電変換素子に流れるセンサ電流をトラン
ジスタのサブスレッショルド領域の特性を利用した弱反
転状態で対数特性をもって電圧信号に変換して、その変
換された電圧信号に応じたセンサ信号を出力するととも
に、撮影に先がけて前記トランジスタのドレイン電圧を
定常値よりも低い値に切り換えて、光電変換素子の寄生
容量に蓄積された電荷を排出して初期化するようにした
光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、
各光センサ回路における非対数応答領域の出力特性を対
数特性に変換する手段を設けるようにしている。
According to the present invention, a sensor current flowing through a photoelectric conversion element is converted into a voltage signal with a logarithmic characteristic in a weak inversion state utilizing the characteristics of a subthreshold region of a transistor according to the amount of incident light at the time of photographing. Then, while outputting a sensor signal according to the converted voltage signal, the drain voltage of the transistor is switched to a value lower than a steady value prior to photographing, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element is changed. In an image sensor that uses a photosensor circuit for pixels to discharge and initialize
A means for converting the output characteristic of the non-logarithmic response region in each photosensor circuit into a logarithmic characteristic is provided.

【0015】[0015]

【実施例】本発明によるイメージセンサにあっては、基
本的に、前述した図1に示す光センサ回路を画素単位に
用いている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the image sensor according to the present invention, the photosensor circuit shown in FIG. 1 is basically used for each pixel.

【0016】そして、その光センサ回路にあって、撮影
に先がけて、対数特性変換用のトランジスタQ1のドレ
イン電圧VDを所定時間だけ撮影特の定常値よりも低く
設定して、フォトダイオードPDの寄生容量Cに蓄積さ
れた電荷を排出して初期化するようにしている。
In the photosensor circuit, prior to photographing, the drain voltage VD of the transistor Q1 for logarithmic characteristic conversion is set to be lower than the steady value for photographing for a predetermined time, and the parasitic of the photodiode PD is set. The charges accumulated in the capacitor C are discharged and initialized.

【0017】図2は、そのときの光センサ回路における
各部信号のタイムチャートを示している。ここで、t1
は初期化のタイミングを、t2は光信号検出のタイミン
グを示している。トランジスタQ1のドレイン電圧VD
を定常値(ハイレベルH)から低い電圧(ローレベル
L)に切り換える所定時間tmとしては、例えば1画素
分の読出し速度が100nsec程度の場合に5μse
c程度に設定される。図中、TはフォトダイオードPD
の寄生容量Cの蓄積期間を示しており、その蓄積期間T
はNTSC信号の場合1/30sec(または1/60
sec)程度となる。
FIG. 2 shows a time chart of signals at various parts in the optical sensor circuit at that time. Where t1
Indicates the initialization timing, and t2 indicates the optical signal detection timing. Drain voltage VD of transistor Q1
The predetermined time tm for switching from a steady value (high level H) to a low voltage (low level L) is, for example, 5 μse when the reading speed for one pixel is about 100 nsec.
It is set to about c. In the figure, T is a photodiode PD
Shows the accumulation period of the parasitic capacitance C of the
Is 1/30 sec for NTSC signals (or 1/60
sec).

【0018】このようなものにあって、初期化時にMO
SトランジスタQ1のドレイン電圧VDがローレベルL
に切り換えられると、そのときのゲート電圧VGとドレ
イン電圧VDとの間の電位差がトランジスタQ1のしき
い値よりも大きければトランジスタQ1が低抵抗状態に
なる。それにより、そのときのソース側の電位がドレイ
ン電圧VDと同じになり(実際にはしきい値分の電位差
が残る)、フォトダイオードPDの接合容量Cが放電状
態になる。
In such a case, the MO
The drain voltage VD of the S transistor Q1 is low level L
If the potential difference between the gate voltage VG and the drain voltage VD at that time is larger than the threshold value of the transistor Q1, then the transistor Q1 enters the low resistance state. As a result, the potential on the source side at that time becomes the same as the drain voltage VD (actually, a potential difference corresponding to the threshold remains), and the junction capacitance C of the photodiode PD is discharged.

【0019】図4は、初期化時におけるトランジスタQ
1の電荷qの流れによる動作状態を模擬的に示してい
る。
FIG. 4 shows the transistor Q at the time of initialization.
The operating state due to the flow of the electric charge q of 1 is simulated.

【0020】そして、tm時間の経過後にそのドレイン
電圧VDが定常のハイレベルHに切り換えられて光信号
の検出が行われると、ソース側の電位がドレイン電圧V
Dよりも低くなって、そのときのゲート電圧VGとドレ
イン電圧VDとの間の電位差がしきい値よりも大きけれ
ばMOSトランジスタQ1が低抵抗状態になり、フォト
ダイオードPDの接合容量Cが充電状態になる。
When the drain voltage VD is switched to the steady high level H after the tm time has elapsed and the optical signal is detected, the potential on the source side changes to the drain voltage V.
When the potential difference between the gate voltage VG and the drain voltage VD at that time is larger than the threshold value, the MOS transistor Q1 is in the low resistance state, and the junction capacitance C of the photodiode PD is in the charged state. become.

【0021】図5は、光信号検出時におけるトランジス
タQ1の電荷qの流れによる動作状態を模擬的に示して
いる。
FIG. 5 schematically shows an operating state due to the flow of charges q of the transistor Q1 at the time of detecting an optical signal.

【0022】このように光信号の検出に先がけてフォト
ダイオードPDの接合容量Cを放電させて初期化したの
ちにその接合容量Cを充電させるようにすると、その初
期化のタイミングから一定の時間経過した時点での出力
電圧(フォトダイオードPDの端子電圧)Vpdは入射
光Lsの光量に応じた値となる。すなわち、初期化後に
は入射光Lsの光量の変化に追随した一定の時定数によ
る放電特性が得られるようになる。
As described above, if the junction capacitance C of the photodiode PD is discharged and initialized prior to the detection of the optical signal and then the junction capacitance C is charged, a certain time elapses from the initialization timing. The output voltage (terminal voltage of the photodiode PD) Vpd at that time has a value corresponding to the amount of incident light Ls. That is, after the initialization, the discharge characteristic with a constant time constant following the change in the light amount of the incident light Ls can be obtained.

【0023】その際、長時間放置すればドレイン電圧V
DからトランジスタQ1を通して供給される電流とフォ
トダイオードPDを流れる電流とは同じになるが、前に
残った電荷がなければ常に同じ放電特性が得られるので
残像が生ずることがなくなる。
At this time, if left for a long time, the drain voltage V
Although the current supplied from D through the transistor Q1 is the same as the current flowing through the photodiode PD, the same discharge characteristic is always obtained if there is no charge remaining before, so that an afterimage does not occur.

【0024】したがって、初期化してから一定の時間を
定めて光信号を検出するようにすれば、入射光Lsの光
量に応じた残像のないセンサ信号Voを得ることができ
るようになる。
Therefore, if the optical signal is detected for a fixed time after the initialization, it is possible to obtain the sensor signal Vo having no afterimage according to the light amount of the incident light Ls.

【0025】図6はフォトダイオードPDのセンサ電流
が1E−10Aから1E−15Aまで急激に変化した場
合の電圧信号Vpdの変化特性にあって、初期化してか
ら一定の時間1/30sec経過後に光信号の検出のタ
イミングを設定したときを示している。
FIG. 6 shows the change characteristics of the voltage signal Vpd when the sensor current of the photodiode PD changes abruptly from 1E-10A to 1E-15A. It shows a case where the timing of signal detection is set.

【0026】図7は、1/30secのタイミングで光
信号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Vp
dの増幅信号の特性を示している。これによれば、1/
30secごとに得られる信号特性はフォトダイオード
PDへの入射光Lsの光量に応じたセンサ電流に即した
ものとなり、残像の影響がないことがわかる。
FIG. 7 shows the voltage signal Vp when the optical signal is repeatedly read at the timing of 1/30 sec.
The characteristic of the amplified signal of d is shown. According to this, 1 /
It can be seen that the signal characteristic obtained every 30 seconds corresponds to the sensor current according to the light amount of the incident light Ls on the photodiode PD, and there is no influence of an afterimage.

【0027】図9は、フォトダイオードPDへの入射光
Lsの光量を変化させたときのセンサ電流に対するセン
サ信号Voの出力特性を示している。これによれば、フ
ォトダイオードPDのセンサ電流が1E−13A以上で
は完全に対数出力特性となっていることがわかる。ま
た、センサ電流が1E−13A以下の領域では対数特性
から外れるものの、残像のない出力が得られることがわ
かる。
FIG. 9 shows the output characteristics of the sensor signal Vo with respect to the sensor current when the light quantity of the incident light Ls on the photodiode PD is changed. According to this, it can be seen that when the sensor current of the photodiode PD is 1E-13A or more, the logarithmic output characteristic is completely obtained. Further, it can be seen that in the region where the sensor current is 1E-13A or less, an output without an afterimage can be obtained although it deviates from the logarithmic characteristic.

【0028】また、トランジスタQ1のドレイン電圧V
Dを低下させるときのローレベルLの値を調整すると、
完全にトランジスタQ1を低抵抗状態にできるまで電圧
を下げれば図9中(a)で示すような出力特性が得られ
る。しかし、その制御電圧VDをゲート電圧VGと同一
になるように設定すると、図9中(b)で示すような通
常の対数出力特性が得られることになる。
Further, the drain voltage V of the transistor Q1
If you adjust the value of low level L when lowering D,
If the voltage is lowered until the transistor Q1 is brought into the low resistance state completely, the output characteristic as shown in FIG. 9A is obtained. However, if the control voltage VD is set to be the same as the gate voltage VG, a normal logarithmic output characteristic as shown by (b) in FIG. 9 is obtained.

【0029】したがって、図9中(a)で示す出力特性
の場合には、残像はないが、光量が少ないときに感度が
小さくなる。図9中(b)で示す対数出力特性の場合に
は、光量が少ないときでも感度は大きいが、残像が顕著
になる。すなわち、感度と残像との間にはトレードオフ
の関係が成立する。
Therefore, in the case of the output characteristic shown in FIG. 9A, there is no afterimage, but the sensitivity is reduced when the amount of light is small. In the case of the logarithmic output characteristic shown in (b) in FIG. 9, the afterimage becomes remarkable although the sensitivity is high even when the light amount is small. That is, a trade-off relationship is established between the sensitivity and the afterimage.

【0030】図10は、このような光センサ回路を画素
単位として、画素をマトリクス状に複数配設して、各画
素のセンサ信号の時系列的な読出し走査を行わせるよう
にしたイメージセンサの具体的な構成例を示している。
FIG. 10 shows an image sensor in which a plurality of pixels are arranged in a matrix with such an optical sensor circuit as a pixel unit so that the sensor signal of each pixel is read in time series. A specific configuration example is shown.

【0031】そのイメージセンサは、その基本的な構成
が、例えば、D11〜D44からなる4×4の画素をマ
トリクス状に配設して、各1ライン分の画素列を画素列
選択回路1から順次出力される選択信号LS1〜LS4
によって選択し、その選択された画素列における各画素
を、画素選択回路2から順次出力される選択信号DS1
〜DS4によってスイッチ群3における各対応するスイ
ッチSW1〜SW4が逐次オン状態にされることによっ
て各画素のセンサ信号Voが時系列的に読み出されるよ
うになっている。図中、4は各画素における前記トラン
ジスタQ1のゲート電圧VG用電源であり、6はドレイ
ン電圧VD用電源である。
The basic structure of the image sensor is that, for example, 4 × 4 pixels D11 to D44 are arranged in a matrix, and a pixel column for each one line is output from the pixel column selection circuit 1. Selection signals LS1 to LS4 that are sequentially output
Selection signal DS1 sequentially output from the pixel selection circuit 2 for each pixel in the selected pixel column.
.. to DS4 sequentially turn on the corresponding switches SW1 to SW4 in the switch group 3, whereby the sensor signal Vo of each pixel is read out in time series. In the figure, 4 is a power supply for the gate voltage VG of the transistor Q1 in each pixel, and 6 is a power supply for the drain voltage VD.

【0032】そして、そのイメージセンサにあって、各
1ライン分の画素列の選択に際して、その選択された画
素列における各画素の前記トランジスタQ1のドレイン
電圧VDを所定のタイミングをもって定常時のハイレベ
ルHおよび初期化時のローレベルLに切り換える電圧切
換回路5が設けられている。
In the image sensor, when selecting a pixel line for each one line, the drain voltage VD of the transistor Q1 of each pixel in the selected pixel line is set to a high level in a steady state at a predetermined timing. A voltage switching circuit 5 for switching to H and to a low level L at initialization is provided.

【0033】このように構成されたイメージセンサの動
作について、図11に示す各部信号のタイムチャートと
ともに、以下説明をする。
The operation of the image sensor configured as described above will be described below with reference to the time chart of the signals of the respective parts shown in FIG.

【0034】まず、画素列選択信号LS1がハイレベル
Hになると、それに対応するD11,D12,D13,
D14からなる第1の画素列が選択される。そして、L
S1がハイレベルHになっている一定期間T1のあいだ
画素選択信号DS1〜DS4が順次ハイレベルHになっ
て、各画素D11,D12,D13,D14のセンサ信
号Voが順次読み出される。
First, when the pixel column selection signal LS1 becomes high level H, D11, D12, D13,
The first pixel column consisting of D14 is selected. And L
During a certain period T1 in which S1 is at high level H, the pixel selection signals DS1 to DS4 sequentially become high level H, and the sensor signals Vo of the pixels D11, D12, D13, D14 are sequentially read.

【0035】次いで、画素列選択信号LS1がローレベ
ルLになった時点で次のLS2がハイレベルHになる
と、それに対応するD21,D22,D23,D24か
らなる第2の画素列が選択される。そして、LS2がハ
イレベルHになっている一定期間T1のあいだ画素選択
信号DS1〜DS4が順次ハイレベルHになって、各画
素D21,D22,D23,D24のセンサ信号Voが
順次読み出される。
Next, when the next LS2 becomes high level H at the time when the pixel column selection signal LS1 becomes low level L, the corresponding second pixel column D21, D22, D23, D24 is selected. . Then, the pixel selection signals DS1 to DS4 are sequentially set to the high level H during the fixed period T1 in which the LS2 is set to the high level H, and the sensor signals Vo of the pixels D21, D22, D23, D24 are sequentially read.

【0036】以下同様に、画素列選択信号LS3および
LS4が連続的にハイレベルHになって各対応する第3
および第4の画素列が順次選択され、LS3およびLS
4がそれぞれハイレベルHになっている一定期間T1の
あいだ画素選択信号DS1〜DS4が順次ハイレベルH
になって、各画素D31,D32,D33,D34およ
びD41,D42,D43,D44のセンサ信号Voが
順次読み出される。
Similarly, the pixel column selection signals LS3 and LS4 are continuously set to the high level H and the corresponding third columns are selected.
And the fourth pixel column are sequentially selected, and LS3 and LS
4 are at the high level H, the pixel selection signals DS1 to DS4 are sequentially at the high level H during the fixed period T1.
Then, the sensor signals Vo of the pixels D31, D32, D33, D34 and D41, D42, D43, D44 are sequentially read.

【0037】また、画素列選択信号LS1がT1期間後
にローレベルLに立ち下がった時点で、そのとき選択さ
れている第1の画素列における各画素D11,D12,
D13,D14のドレイン電圧VD1をそれまでのハイ
レベルHからローレベルLに所定時間T2のあいだ切り
換えることによって各画素の初期化が行われ、1サイク
ル期間T3の経過後に行われる次サイクルにおけるセン
サ信号の読出しにそなえる。
When the pixel column selection signal LS1 falls to the low level L after the T1 period, each pixel D11, D12, in the first pixel column selected at that time.
Initialization of each pixel is performed by switching the drain voltage VD1 of D13 and D14 from the high level H until then to the low level L for a predetermined time T2, and the sensor signal in the next cycle performed after the elapse of one cycle period T3. Prepare for reading.

【0038】次いで、画素列選択信号LS2がT1期間
後にローレベルLに立ち下がった時点で、そのとき選択
されている第2の画素列における各画素D21,D2
2,D23,D24のドレイン電圧VD1をそれまでの
ハイレベルHからローレベルLに所定時間T2のあいだ
切り換えることによって各画素の初期化が行われ、1サ
イクル期間T3の径過後に行われる次サイクルにおける
センサ信号の読出しにそなえる。
Next, when the pixel column selection signal LS2 falls to the low level L after the period T1, each pixel D21, D2 in the second pixel column selected at that time.
2, each of the pixels is initialized by switching the drain voltage VD1 of D23, D24 from the high level H until then to the low level L for a predetermined time T2, and the next cycle performed after the passing of one cycle period T3. To read the sensor signal at.

【0039】以下同様に、画素列選択信号LS3および
LS4がそれぞれT1期間後にローレベルLに立ち下が
った時点で、そのとき選択されている第3および第4の
画素列にそれぞれ対応するドレイン電圧VD3をローレ
ベルLに切り換えて各画素の初期化が行われ、1サイク
ル期間T3の径過後に行われる次サイクルにおけるセン
サ信号の読出しにそなえる。
Similarly, when the pixel column selection signals LS3 and LS4 fall to the low level L after the period T1 respectively, the drain voltages VD3 respectively corresponding to the third and fourth pixel columns selected at that time. Is switched to the low level L to initialize each pixel, and the reading of the sensor signal in the next cycle is performed after the one-cycle period T3 is exceeded.

【0040】なお、ここでは画素列選択信号LSX(X
=1〜4)がT1期間後にローレベルLに立ち下がった
時点でドレイン電圧VDXをローレベルLに切り換えて
初期化を行わせるようにしているが、その初期化のタイ
ミングは画素列選択信号LSXがローレベルL状態にあ
る画素列選択の休止期間T4中であればよい。
Here, the pixel column selection signal LSX (X
1 to 4) fall to the low level L after the period T1, the drain voltage VDX is switched to the low level L to perform initialization. The initialization timing is the pixel column selection signal LSX. Is in the low level L state during the pause period T4 for pixel column selection.

【0041】本発明は、このように構成されたイメージ
センサにおける各光センサ回路の非対数応答領域の出力
特性を対数特性に変換する手段を設けるようにしてい
る。
According to the present invention, there is provided means for converting the output characteristic of the non-logarithmic response region of each photosensor circuit in the image sensor thus constructed into a logarithmic characteristic.

【0042】具体的には、図12に示すように、イメー
ジセンサ8から時系列的に読み出される各画素のセンサ
信号VoをAD変換器13によってデジタル信号に変換
したうえで、予めそのデジタル信号の値に応じて所定の
出力が得られるように入出力特性の変換テーブルが設定
されたルックアップ用のメモリ14を用いて非対数応答
領域の出力特性を対数特性に変換するようにしている。
Specifically, as shown in FIG. 12, after the sensor signal Vo of each pixel read out from the image sensor 8 in time series is converted into a digital signal by the AD converter 13, the digital signal of the digital signal is converted in advance. The output characteristic of the non-logarithmic response region is converted into the logarithmic characteristic by using the lookup memory 14 in which the conversion table of the input / output characteristic is set so that a predetermined output is obtained according to the value.

【0043】図13は、光センサ回路から出力するセン
サ信号Voの非対数応答領域の出力特性を対数特性に変
換して、低照度から高照度までの全領域にわたって対数
特性を示すように補正したセンサ信号Vo′を示してい
る。
In FIG. 13, the output characteristic of the sensor signal Vo output from the optical sensor circuit in the non-logarithmic response region is converted into a logarithmic characteristic and corrected so as to show a logarithmic characteristic over the entire region from low illuminance to high illuminance. The sensor signal Vo 'is shown.

【0044】また、センサ信号Voのデジタル値に応じ
てルックアップメモリ14を用いて非対数応答領域の出
力特性を対数特性に変換するに際して、その変換データ
を1バイト(8ビット)で表現する系統の場合には、8
ビットで表現可能な領域ごとに分割するようにする。
When converting the output characteristic of the non-logarithmic response area into the logarithmic characteristic using the lookup memory 14 according to the digital value of the sensor signal Vo, the conversion data is expressed by 1 byte (8 bits). In case of 8
Divide into areas that can be expressed in bits.

【0045】その場合、図示しないコントローラの制御
下において、各分割した信号にそれぞれ識別符号を付す
ことによって、変換された信号を利用する側からも各分
割された信号を識別することができるようにする。ま
た、そのコントローラの制御下で、信号利用側からの求
めに応じて分割する領域を切り換えることができるよう
にしている。
In that case, under the control of a controller (not shown), each divided signal is given an identification code so that the divided signal can be identified from the side using the converted signal. To do. Further, under the control of the controller, the divided areas can be switched according to the request from the signal utilizing side.

【0046】図14は、光センサ回路から出力するセン
サ信号Voを、任意の入射光量を境として、2つに分割
してそれぞれ特性をVo1′,Vo2′に切り替えた場
合を示している。
FIG. 14 shows a case where the sensor signal Vo output from the optical sensor circuit is divided into two with an arbitrary incident light amount as a boundary and the characteristics are switched to Vo1 'and Vo2'.

【0047】また、センサ信号Voの非対数応答領域の
感度を上げて出力特性を対数特性に変換するようにする
と、センサ信号Voに含まれるノイズも増幅されて、ノ
イズが強調されたセンサ信号に変換されてしまう。
Further, when the sensitivity of the non-logarithmic response region of the sensor signal Vo is increased to convert the output characteristic into the logarithmic characteristic, the noise included in the sensor signal Vo is also amplified and becomes a sensor signal in which the noise is emphasized. It will be converted.

【0048】その際、対数特性に変換されたセンサ信号
Voにフィルタをかけてノイズを除去することが考えら
れるが、その際全領域にわたってフィルタをかけると、
イメージセンサの出力画像の全体がぼやけたものになっ
てしまう。
At this time, it is conceivable to filter the sensor signal Vo converted into the logarithmic characteristic to remove noises. At that time, if filtering is performed over the entire region,
The whole output image of the image sensor becomes blurred.

【0049】そのため、本発明では、センサ信号Vo′
における対数特性に変換された低照度時の出力信号の部
分、すなわちもとのセンサ信号Voにおける非対数応答
領域に対応する部分のみにフィルタをかけてノイズ除去
を行うようにしている。
Therefore, in the present invention, the sensor signal Vo '
The noise is removed by filtering only the portion of the output signal at the time of low illuminance converted into the logarithmic characteristic in, that is, the portion corresponding to the non-logarithmic response region in the original sensor signal Vo.

【0050】このようなフィルタ処理を行うことによっ
て、センサ信号Voの非対数応答領域の感度を上げて出
力特性を対数特性に変換する際して増幅されたノイズ成
分が有効に除去される。したがって、それ以外のノイズ
が増幅されていない部分に同様のフィルタ処理が不必要
に行われず、イメージセンサの出力画像の全体がぼやけ
るようなことがなくなり、ノイズ成分が有効に除去され
たコントラストの良い処理画像が得られるようになる。
By performing such filter processing, the noise component amplified when converting the output characteristic into the logarithmic characteristic by increasing the sensitivity of the non-logarithmic response region of the sensor signal Vo is effectively removed. Therefore, the same filtering process is not unnecessarily performed on the other portions where the noise is not amplified, the entire output image of the image sensor is not blurred, and the noise component is effectively removed and the contrast is good. The processed image can be obtained.

【0051】また、本発明は、センサ信号Vo′におけ
る対数特性に変換された低照度時の出力信号の部分のみ
にフィルタをかけてノイズ除去を行わせるに際して、光
センサ回路における非対数応答領域の出力特性を対数特
性に変換する度合、すなわち入出力特性変換用のメモリ
14における増幅率に応じてフィルタ特性を変化させる
ようにしている。
Further, according to the present invention, when noise is removed by filtering only the part of the output signal at low illuminance converted into the logarithmic characteristic in the sensor signal Vo ', the non-logarithmic response region in the photosensor circuit is removed. The filter characteristic is changed according to the degree to which the output characteristic is converted to the logarithmic characteristic, that is, the amplification factor in the memory 14 for input / output characteristic conversion.

【0052】このように、メモリ14の増幅率に即した
フィルタ特性をもってノイズ除去を行わせることによ
り、ノイズ除去の過不足を生ずることなく、センサ信号
Voの入出力特性変換時に増幅されたノイズ成分を適切
に除去することができるようになる。
As described above, by performing the noise removal with the filter characteristic according to the amplification factor of the memory 14, the noise component amplified at the time of converting the input / output characteristic of the sensor signal Vo without causing excess or deficiency of the noise removal. Can be properly removed.

【0053】また、入出力特性変換時の増幅率が大きい
と、図15に示すように、デジタル信号による各隣接す
る画素間のセンサ信号が離散的となってイメージセンサ
の出力画像の画質が悪くなってしまうが、このフィルタ
処理を行わせることによって、各隣接する画素間のセン
サ信号が平滑化されてセンサ信号の連続性が良くなる。
Further, if the amplification factor at the time of input / output characteristic conversion is large, as shown in FIG. 15, the sensor signal between adjacent pixels due to the digital signal becomes discrete and the image quality of the output image of the image sensor is poor. However, by performing this filtering process, the sensor signal between adjacent pixels is smoothed and the continuity of the sensor signal is improved.

【0054】本発明のフィルタ処理には、一般的なノイ
ズ除去のためのフィルタが広く用いられる。
A general noise removing filter is widely used in the filtering process of the present invention.

【0055】図16は、IIRローパスフィルタの一例
を示している。他にもFIRフィルタ等が用いられる。
FIG. 16 shows an example of the IIR low pass filter. Besides, a FIR filter or the like is used.

【0056】図17は、隣り合う画素の出力の平均値を
求めて高周波成分を除去する方式(移動平均処理)によ
るフィルタ処理回路の一例を示している。画像信号は連
続性を有していることから、隣接する画素と比較して急
峻に変化する信号はノイズとして扱うことが可能であ
る。
FIG. 17 shows an example of a filter processing circuit according to a method (moving average processing) of obtaining an average value of outputs of adjacent pixels and removing high frequency components. Since the image signal has continuity, a signal that changes abruptly as compared with an adjacent pixel can be treated as noise.

【0057】図18は、フレームメモリFMを複数用い
て、同一位置の画素の出力に対してフィルタ処理するよ
うにしたものである。使用するフィルタとしては、図1
6や図17に示すものが用いられる。
In FIG. 18, a plurality of frame memories FM are used to filter the output of the pixel at the same position. The filter used is as shown in Fig. 1.
6 and those shown in FIG. 17 are used.

【0058】図19ないし図22は、センサ信号Vo′
における対数特性に変換された低照度時の出力信号の部
分のみにフィルタをかけてノイズ除去を行わせるように
したときの具体的なフィルタ処理回路の構成例をそれぞ
れ示している。
19 to 22 show the sensor signal Vo '.
3A and 3B respectively show configuration examples of a concrete filter processing circuit when a noise is removed by filtering only a portion of the output signal at low illuminance converted into the logarithmic characteristic in FIG.

【0059】図19に示すフィルタ処理回路では、比較
回路21に予め入出力変換されたセンサ信号Vo′の切
替点となる信号値が設定されており、イメージセンサの
各画素から時系列的に送られてくるセンサ信号Vo′の
値によって信号切替回路22の切り替えを行いながら、
対数特性に変換された低照度時の出力信号のみをローパ
スフィルタ23によって処理した信号と、センサ信号V
o′における他の部分における何らフィルタ処理しない
信号とを選択的に出力するように構成している。
In the filter processing circuit shown in FIG. 19, a signal value serving as a switching point of the sensor signal Vo 'that has been input / output converted in advance is set in the comparison circuit 21, and is sent from each pixel of the image sensor in time series. While switching the signal switching circuit 22 according to the value of the received sensor signal Vo ′,
A signal obtained by processing only the output signal at low illuminance converted into the logarithmic characteristic by the low-pass filter 23 and the sensor signal V
It is configured to selectively output the signal which is not subjected to any filtering in the other part of o '.

【0060】図20に示すフィルタ処理回路では、ロー
パスフィルタ23によって処理した信号の値と比較回路
21に設定された値とを比較して信号の切り替えを行わ
せるようにしている。
In the filter processing circuit shown in FIG. 20, the value of the signal processed by the low pass filter 23 is compared with the value set in the comparison circuit 21 to switch the signal.

【0061】また、図21および図22にそれぞれ示す
フィルタ処理回路では、入出力特性変換時の増幅率に応
じてフィルタ特性を変化させながら、センサ信号Vo′
における対数特性に変換された低照度時の出力信号の部
分のみのフィルタ処理を行わせることができるようにし
ている。
In the filter processing circuits shown in FIGS. 21 and 22, respectively, the sensor signal Vo 'is changed while changing the filter characteristic according to the amplification factor at the time of input / output characteristic conversion.
It is made possible to filter only the part of the output signal at low illuminance converted into the logarithmic characteristic in.

【0062】図21に示すフィルタ処理回路では、比較
回路21′に複数の値が設定されており、その各設定値
とセンサ信号Vo′とをそれぞれ比較して、信号切替回
路22においてそれぞれフィルタ特性の異なる複数のロ
ーパスフィルタ23−1〜23−4による各処理信号の
うちの一つを選択的に出力する構成となっている。
In the filter processing circuit shown in FIG. 21, a plurality of values are set in the comparison circuit 21 ', each set value is compared with the sensor signal Vo', and the filter characteristics are respectively changed in the signal switching circuit 22. Of the low-pass filters 23-1 to 23-4 different from each other, one of the processed signals is selectively output.

【0063】図22に示すフィルタ処理回路では、複数
設けられたローパスフィルタ23−1〜23−4のうち
の特定のローパスフィルタ23−3によって処理された
信号の値と比較回路21に設定された値とを比較して、
信号切替回路22においてそれぞれフィルタ特性の異な
る複数のローパスフィルタ23−1〜23−4による各
処理信号のうちの一つを選択的に出力する構成となって
いる。
In the filter processing circuit shown in FIG. 22, the value of the signal processed by a specific low-pass filter 23-3 of the plurality of low-pass filters 23-1 to 23-4 provided and set in the comparison circuit 21. Compare with the value,
The signal switching circuit 22 is configured to selectively output one of the signals processed by the low-pass filters 23-1 to 23-4 having different filter characteristics.

【0064】なお、図21および図22に示すフィルタ
処理回路ではそれぞれフィルタ特性の異なる複数のロー
パスフィルタ23−1〜23−4による各処理信号のう
ちの一つを選択的に出力するようにしているが、1つの
ローパスフィルタ23におけるフィルタ特性の定数を切
り換えるようにしてもよい。
In the filter processing circuits shown in FIGS. 21 and 22, one of the processed signals by the low pass filters 23-1 to 23-4 having different filter characteristics is selectively output. However, the constant of the filter characteristic in one low-pass filter 23 may be switched.

【0065】図1に示すような光センサ回路を画素単位
に用いたイメージセンサでは、図23に示すように、各
画素の構造上からくる出力特性のバラツキを生じてしま
い、その出力特性が揃うように各画素の出力補正を行う
必要があるものになっている。図中、Ioは入射光がな
いときにフォトダイオードPDに流れる暗電流に応じた
暗時のセンサ電流を示している。
In the image sensor using the optical sensor circuit as shown in FIG. 1 for each pixel, as shown in FIG. 23, the output characteristics vary due to the structure of each pixel, and the output characteristics are uniform. Thus, it is necessary to correct the output of each pixel. In the figure, Io represents the sensor current in the dark, which corresponds to the dark current flowing in the photodiode PD when there is no incident light.

【0066】各画素の出力特性のバラツキの要因として
は、主として、トランジスタQ1のサブスレッショルド
領域の特性を利用して入射光Lsの光量に応じた電圧信
号Vpdを生じさせるに際して、そのトランジスタQ1
のサブスレッショルド値が画素ごとに異なるためであ
る。また、各画素にあって対数変換された電圧信号を高
インピーダンスをもって増幅して出力させる必要がある
が、その増幅用トランジスタQ2の特性の不揃いも各画
素の出力のバラツキの要因となっている。
The cause of the variation in the output characteristic of each pixel is mainly to use the characteristic of the subthreshold region of the transistor Q1 to generate the voltage signal Vpd according to the light quantity of the incident light Ls.
This is because the subthreshold value of is different for each pixel. Further, it is necessary to amplify the logarithmically converted voltage signal in each pixel with a high impedance and output the amplified voltage signal, but the nonuniformity of the characteristics of the amplifying transistor Q2 also causes a variation in the output of each pixel.

【0067】各画素の出力特性のバラツキを補正する手
段が本願と同一の出願人によって提案されている(特願
2000−404931、特願2000−40493
3、特願2001−75035、特願2001−750
36)。
Means for correcting variations in the output characteristics of each pixel have been proposed by the same applicant as the present application (Japanese Patent Application Nos. 2000-404931, 2000-40493).
3, Japanese Patent Application No. 2001-75035, Japanese Patent Application No. 2001-750
36).

【0068】本発明では、各画素の出力特性のバラツキ
を補正したうえで、前述した各画素から時系列的に出力
するセンサ信号Voを完全な対数特性に変換する処理を
行い、そしてその変換されたセンサ信号Vo′のフィル
タ処理を行うようにしている。
According to the present invention, after correcting the variation in the output characteristic of each pixel, a process for converting the sensor signal Vo output from each pixel in time series into a complete logarithmic characteristic is performed, and the conversion is performed. The sensor signal Vo 'is filtered.

【0069】図24は、イメージセンサにおける各画素
の出力特性のバラツキを補正するための具体的な構成を
示している。
FIG. 24 shows a concrete configuration for correcting the variation in the output characteristic of each pixel in the image sensor.

【0070】それは、イメージセンサ8および各画素の
センサ信号を時系列的に読み出すための駆動制御を行う
ECU9と、イメージセンサ8から時系列的に出力する
各画素のセンサ信号Voをデジタル信号に変換するAD
変換器10と、予め各画素の特性に応じたオフセット補
正値OFSおよびゲイン補正のための乗数MLTが設定
されており、ECU9から与えられるセンサ信号読出し
時における画素のアドレス(X,Y)の信号ADDRE
SSに応じて所定のオフセット補正値OFSおよび乗数
MLTを読み出すメモリ11と、そのメモリ11から読
み出されたオフセット補正値OFSおよび乗数MLTに
もとづいてデジタル信号に変換されたセンサ信号DSの
オフセット補正およびゲイン補正の各演算処理を行う出
力補正回路12とによって構成されている。
The ECU 9 performs drive control for reading out the sensor signals of the image sensor 8 and each pixel in time series, and the sensor signal Vo of each pixel output from the image sensor 8 in time series is converted into a digital signal. AD to do
A converter 10 and an offset correction value OFS and a multiplier MLT for gain correction according to the characteristics of each pixel are set in advance, and a signal of a pixel address (X, Y) given from the ECU 9 at the time of reading a sensor signal is provided. ADDRE
A memory 11 for reading a predetermined offset correction value OFS and a multiplier MLT according to SS, and an offset correction of a sensor signal DS converted into a digital signal based on the offset correction value OFS and the multiplier MLT read from the memory 11 and The output correction circuit 12 performs each calculation process of gain correction.

【0071】イメージセンサ8から時系列的に出力する
各画素のセンサ信号Voとしては、前述したように、各
画素におけるトランジスタQ1のゲート電圧VGが撮影
時の定常値よりも高い値に切り換えられたときの暗時の
出力と、光をしゃ断した状態での各画素におけるトラン
ジスタQ1のゲート電圧VGおよびドレイン電圧VDが
撮影時の定常値よりも低い値にそれぞれ切り換えられた
ときの明時の出力とが採用される。
As the sensor signal Vo of each pixel output from the image sensor 8 in time series, as described above, the gate voltage VG of the transistor Q1 in each pixel is switched to a value higher than the steady value at the time of photographing. And the output at light when the gate voltage VG and the drain voltage VD of the transistor Q1 in each pixel in the state where light is cut off are switched to values lower than their steady values at the time of shooting. Is adopted.

【0072】図26は、3つの画素の構成上からくる各
センサ信号A,B,Cの出力特性のバラツキ状態の一例
を示している。ここで、画素出力のしきい値Hに応じた
センサ電流の値Imは各画素のセンサ信号信号A,B,
Cが非対数応答領域WAから対数応答領域WBに切り換
わる点を示している。また、Ioは暗時のセンサ電流を
示している。
FIG. 26 shows an example of a variation state of the output characteristics of the sensor signals A, B, C coming from the structure of three pixels. Here, the value Im of the sensor current according to the threshold value H of the pixel output is the sensor signal signals A, B,
The point at which C switches from the non-logarithmic response area WA to the logarithmic response area WB is shown. Further, Io represents the sensor current in the dark.

【0073】ここでは、このような非対数応答領域WA
における各画素のセンサ信号の出力特性の形状がほぼ同
一で、対数応答領域WBにおける各画素のセンサ信号の
出力特性の傾きがそれぞれ異なるときのイメージセンサ
の出力補正を行わせる場合を示している。各画素のパラ
メータとして、それぞれの各センサ信号が非対数応答領
域WAから対数応答領域WBに切り換わる点の情報と、
暗時の画素出力とを用いている。
Here, such a non-logarithmic response area WA
The output characteristics of the image signals of the pixels are substantially the same, and the output characteristics of the image sensor are corrected when the inclinations of the output characteristics of the sensor signals of the pixels in the logarithmic response region WB are different. As a parameter of each pixel, information of a point at which each sensor signal switches from the non-logarithmic response area WA to the logarithmic response area WB,
The pixel output in the dark is used.

【0074】図25は、出力補正回路12における処理
のフローを示している。
FIG. 25 shows a flow of processing in the output correction circuit 12.

【0075】メモリ11には、センサ電流がImの値の
ときに画素出力がHとなるようなオフセット補正値OF
Sが設定されている。そして、オフセット補正部121
において、そのオフセット補正値OFSを用いた加減算
処理をなすことによって各画素のデジタル信号に変換さ
れたセンサ信号DSのオフセット補正を行わせると、図
27に示すように、各画素のセンサ信号A,B,Cにお
ける非対数応答領域WAの特性が一致するようになる。
The memory 11 stores the offset correction value OF such that the pixel output becomes H when the sensor current has a value of Im.
S is set. Then, the offset correction unit 121
27, when the offset correction of the sensor signal DS converted into the digital signal of each pixel is performed by performing the addition / subtraction process using the offset correction value OFS, as shown in FIG. The characteristics of the non-logarithmic response area WA in B and C are matched.

【0076】次に、そのオフセット補正されたセンサ信
号DS1にもとづき、ゲイン補正部122において、し
きい値H以上の対数応答領域WBに対してゲイン補正の
ための乗算処理を行う。
Next, based on the offset-corrected sensor signal DS1, the gain correction unit 122 performs multiplication processing for gain correction on the logarithmic response region WB equal to or greater than the threshold value H.

【0077】具体的には、オフセット補正されたセンサ
信号DS1がしきい値H以上であるか否かを判断して、
しきい値H以上であれば、すなわちセンサ信号DS1が
対数応答領域WBにあれば、メモリ10から読み出され
たゲイン補正のための所定の乗数MLTを用いて、 出力←H+(センサ信号DS1−H)×乗数 なる演算を行って、その演算結果を出力補正されたセン
サ信号DS2として出力する。
Specifically, it is judged whether the offset-corrected sensor signal DS1 is equal to or more than the threshold value H,
If it is equal to or more than the threshold value H, that is, if the sensor signal DS1 is in the logarithmic response region WB, the output ← H + (sensor signal DS1− is used by using the predetermined multiplier MLT for gain correction read from the memory 10. H) × multiplier is calculated, and the calculation result is output as the output-corrected sensor signal DS2.

【0078】このような各画素のセンサ信号A,B,C
のゲイン補正が行われた結果、図28に示すように、対
数応答領域WBの特性が一致するようになる。
The sensor signals A, B, C of such pixels are
As a result of the gain correction of No. 2, the characteristics of the logarithmic response region WB are matched as shown in FIG.

【0079】また、その際、オフセット補正されたセン
サ信号DS1がしきい値Hよりも小さければ、すなわち
センサ信号DS1が非対数応答領域WAにあれば、その
ままオフセット補正されたセンサ信号DS1を出力補正
されたセンサ信号DS2として出力する。
At this time, if the offset-corrected sensor signal DS1 is smaller than the threshold value H, that is, if the sensor signal DS1 is in the non-logarithmic response area WA, the offset-corrected sensor signal DS1 is output-corrected. It outputs as the sensor signal DS2.

【0080】図30は、3つの画素の構成上からくる各
センサ信号A,B,Cの出力特性のバラツキ状態の他の
例を示している。
FIG. 30 shows another example of the variation state of the output characteristics of the sensor signals A, B, C coming from the configuration of three pixels.

【0081】ここでは、このような対数応答領域WBに
おける各センサ信号の出力特性の傾きがほぼ同一で、非
対数応答領域WAにおける各センサ信号の出力特性の形
状がそれぞれ異なるときにイメージセンサの出力補正を
行わせる場合を示している。
Here, when the slopes of the output characteristics of the respective sensor signals in the logarithmic response area WB are substantially the same and the shapes of the output characteristics of the respective sensor signals in the non-logarithmic response area WA are different, the output of the image sensor is different. The case where correction is performed is shown.

【0082】図29は、出力補正回路12における処理
のフローを示している。
FIG. 29 shows a flow of processing in the output correction circuit 12.

【0083】メモリ11には、センサ電流がImの値の
ときに画素出力がHとなるようなオフセット補正値OF
Sが設定されている。そして、オフセット補正部121
において、そのオフセット補正値OFSを用いた加減算
処理をなすことによって各画素のデジタル信号に変換さ
れたセンサ信号DSのオフセット補正を行わせると、図
31に示すように、各画素のセンサ信号A,B,Cにお
ける対数応答領域WBの特性が一致するようになる。
The memory 11 has an offset correction value OF such that the pixel output becomes H when the sensor current has a value of Im.
S is set. Then, the offset correction unit 121
In FIG. 31, when the offset correction of the sensor signal DS converted into the digital signal of each pixel is performed by performing the addition / subtraction process using the offset correction value OFS, as shown in FIG. 31, the sensor signal A of each pixel, The characteristics of the logarithmic response region WB in B and C become the same.

【0084】次に、そのオフセット補正されたセンサ信
号DS1にもとづき、ゲイン補正部112において、し
きい値H以下の非対数応答領域WAに対してゲイン補正
のための乗算処理を行う。
Then, based on the offset-corrected sensor signal DS1, the gain correction unit 112 performs multiplication processing for gain correction on the non-logarithmic response area WA equal to or less than the threshold value H.

【0085】具体的には、オフセット補正されたセンサ
信号DS1がしきい値H以下であるか否かを判断して、
しきい値H以下であれば、すなわちセンサ信号DS1が
非対数応答領域WAにあれば、メモリ10から読み出さ
れたゲイン補正のための所定の乗数MLTを用いて、 出力←H−(H−センサ信号DS1)×乗数 なる演算を行って、その演算結果を出力補正されたセン
サ信号DS2として出力する。
Specifically, it is determined whether the offset-corrected sensor signal DS1 is less than or equal to the threshold value H,
If it is equal to or less than the threshold value H, that is, if the sensor signal DS1 is in the non-logarithmic response area WA, a predetermined multiplier MLT for gain correction read from the memory 10 is used to output ← H- (H- The calculation of sensor signal DS1) × multiplier is performed, and the calculation result is output as the output-corrected sensor signal DS2.

【0086】このような各画素のセンサ信号A,B,C
のゲイン補正が行われた結果、図32に示すように、非
対数応答領域WAの特性が一致するようになる。
The sensor signals A, B, C of such pixels are
As a result of the gain correction of, the characteristics of the non-logarithmic response area WA are matched as shown in FIG.

【0087】また、その際、オフセット補正されたセン
サ信号DS1がしきい値Hよりも大きければ、すなわち
センサ信号DS1が対数応答領域WBにあれば、そのま
まオフセット補正されたセンサ信号DS1を出力補正さ
れたセンサ信号DS2として出力する。
At this time, if the offset-corrected sensor signal DS1 is larger than the threshold value H, that is, if the sensor signal DS1 is in the logarithmic response region WB, the offset-corrected sensor signal DS1 is output-corrected. Output as a sensor signal DS2.

【0088】図34は、イメージセンサ8における各画
素の構成上からくるセンサ信号A,B,Cの出力特性の
バラツキ状態のさらに他の例を示している。
FIG. 34 shows still another example of the variation state of the output characteristics of the sensor signals A, B, C coming from the configuration of each pixel in the image sensor 8.

【0089】ここでは、対数応答領域WBにおける各セ
ンサ信号A,B,Cの出力特性の傾きがそれぞれ異なる
とともに、非対数応答領域WAにおける各センサ信号
A,B,Cの出力特性の形状がそれぞれ異なる場合を示
している。
Here, the slopes of the output characteristics of the sensor signals A, B, C in the logarithmic response area WB are different, and the shapes of the output characteristics of the sensor signals A, B, C in the non-logarithmic response area WA are respectively different. It shows different cases.

【0090】このような場合には、図33の出力補正回
路12における処理のフローに示すように、前述した図
25および図29に示す各処理を組み合せて行わせるこ
とによって、各センサ信号A,B,Cのオフセット補正
およびゲイン補正が逐次なされて最終的に非対数応答領
域WAおよび対数応答領域WBAの特性が一致したセン
サ信号DS2′が得られるようになる。
In such a case, as shown in the flow of processing in the output correction circuit 12 in FIG. 33, the respective processings shown in FIG. 25 and FIG. The offset correction and the gain correction of B and C are sequentially performed, and finally, the sensor signal DS2 'in which the characteristics of the non-logarithmic response area WA and the logarithmic response area WBA are matched can be obtained.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上、本発明は、撮影時の入射光量に応
じて光電変換素子に流れるセンサ電流をトランジスタの
サブスレッショルド領域の特性を利用した弱反転状態で
対数特性をもって電圧信号に変換して、その変換された
電圧信号に応じたセンサ信号を出力するとともに、撮影
に先がけて前記トランジスタのドレイン電圧を定常値よ
りも低い値に切り換えて、光電変換素子の寄生容量に蓄
積された電荷を排出して初期化するようにした光センサ
回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、各光セン
サ回路における非対数応答領域の出力特性を対数特性に
変換する手段を設けるようにしたもので、初期化によっ
て低照度時に失われた対数出力特性を回復して、低照度
時にあってもコントラストが低下することのない画質の
良い画像を得ることができるという利点を有している。
As described above, according to the present invention, the sensor current flowing in the photoelectric conversion element is converted into a voltage signal with a logarithmic characteristic in the weak inversion state utilizing the characteristic of the subthreshold region of the transistor according to the amount of incident light at the time of photographing. , Outputs a sensor signal according to the converted voltage signal, switches the drain voltage of the transistor to a value lower than a steady value prior to photographing, and discharges charges accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element. In an image sensor using a photosensor circuit that is adapted to be initialized as a pixel, a means for converting the output characteristic of the non-logarithmic response region in each photosensor circuit into a logarithmic characteristic is provided. It is possible to recover the logarithmic output characteristics lost in low illuminance and obtain a high quality image with no deterioration in contrast even in low illuminance. It has the advantage that it is.

【0092】そして、本発明は、対数特性に変換された
出力部分のノイズ除去を行うフィルタ処理手段を設ける
ことにより、対数特性変換時に増幅されたノイズ成分を
有効に除去して、ぼやけのない画質の良い処理画像を得
ることができるという利点を有している。
Further, according to the present invention, by providing the filter processing means for removing the noise of the output portion converted into the logarithmic characteristic, the noise component amplified during the conversion of the logarithmic characteristic is effectively removed, and the image quality without blurring is obtained. It has an advantage that a processed image with good quality can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるイメージセンサに用いられる1画
素分の光センサ回路を示す電気回路図である。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an optical sensor circuit for one pixel used in an image sensor according to the present invention.

【図2】その光センサ回路における各部信号のタイムチ
ャートである。
FIG. 2 is a time chart of signals of respective parts in the optical sensor circuit.

【図3】その光センサ回路の初期化を行わせたときの入
射光量に応じたセンサ電流に対するセンサ信号の出力特
性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an output characteristic of a sensor signal with respect to a sensor current according to an amount of incident light when the optical sensor circuit is initialized.

【図4】光センサ回路の初期化時におけるトランジスタ
Q1の電荷qの流れによる動作状態を模擬的に示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram schematically showing an operating state due to a flow of a charge q of a transistor Q1 at the time of initialization of an optical sensor circuit.

【図5】光センサ回路の光信号検出時におけるトランジ
スタQ1の電荷qの流れによる動作状態を模擬的に示す
図である。
FIG. 5 is a diagram schematically showing an operating state due to a flow of a charge q of a transistor Q1 when an optical signal of the optical sensor circuit is detected.

【図6】光センサ回路におけるフォトダイオードPDの
センサ電流が変化したときの各電圧信号Vpdの変化特
性を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a change characteristic of each voltage signal Vpd when a sensor current of a photodiode PD in an optical sensor circuit changes.

【図7】光センサ回路において所定のタイミングで光信
号の読み出しをくり返し行わせたときの電圧信号Vpd
の増幅信号の特性を示す図である。
FIG. 7 is a voltage signal Vpd when an optical sensor circuit repeatedly reads an optical signal at a predetermined timing.
It is a figure which shows the characteristic of the amplified signal of.

【図8】初期化を行わないときの光センサ回路における
入射光量が少ないときに所定のタイミングで読み出され
る画信号の出力特性を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an output characteristic of an image signal read at a predetermined timing when the amount of incident light in the photosensor circuit when initialization is not performed is small.

【図9】光センサ回路における対数特性変換用のトラン
ジスタのドレイン電圧を変化させたときのセンサ電流に
対するセンサ信号の出力特性を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing output characteristics of a sensor signal with respect to a sensor current when a drain voltage of a transistor for converting logarithmic characteristics in an optical sensor circuit is changed.

【図10】本発明によるイメージセンサの具体的な構成
例を示すブロックである。
FIG. 10 is a block showing a specific configuration example of an image sensor according to the present invention.

【図11】そのイメージセンサにおける各部信号のタイ
ムチャートである。
FIG. 11 is a time chart of each signal in the image sensor.

【図12】本発明によるイメージセンサの出力補正装置
の一実施例を示すブロック構成図である。
FIG. 12 is a block diagram showing an embodiment of an output correction device for an image sensor according to the present invention.

【図13】本発明によって光センサ回路における初期化
を行わせたときの入射光量に応じたセンサ電流に対する
センサ信号の出力を対数特性に変換した特性図である。
FIG. 13 is a characteristic diagram in which the output of the sensor signal with respect to the sensor current according to the amount of incident light when the initialization is performed in the optical sensor circuit according to the present invention is converted into a logarithmic characteristic.

【図14】本発明によって光センサ回路における初期化
を行わせたときの入射光量に応じたセンサ電流に対する
センサ信号の出力を任意の点で分割してそれぞれ対数特
性に変換した特性図である。
FIG. 14 is a characteristic diagram in which the output of the sensor signal with respect to the sensor current according to the amount of incident light when initialization is performed in the optical sensor circuit according to the present invention is divided at arbitrary points and converted into logarithmic characteristics.

【図15】イメージセンサにおける各画素のデジタル化
されたセンサ信号が離散的になっている状態の一例を示
す図である。
FIG. 15 is a diagram showing an example of a state in which a digitized sensor signal of each pixel in an image sensor is discrete.

【図16】一般的なローパスフィルタの一構成例を示す
電気回路図である。
FIG. 16 is an electric circuit diagram showing a configuration example of a general low-pass filter.

【図17】隣接画素の出力の平均値を求めて高周波成分
を除去する方式によるフィルタ処理を行うときの一構成
例を示すブロック図である。
FIG. 17 is a block diagram showing an example of a configuration for performing a filtering process by a method of obtaining an average value of outputs of adjacent pixels and removing a high frequency component.

【図18】複数のフレームメモリを用いて、同一画素に
ついてフィルタ処理を行うときの一構成例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 18 is a block diagram showing a configuration example when performing a filtering process on the same pixel using a plurality of frame memories.

【図19】本発明によって対数特性に変換されたセンサ
信号のフィルタ処理を行うときの一構成例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 19 is a block diagram showing an example of a configuration for filtering a sensor signal converted into a logarithmic characteristic according to the present invention.

【図20】本発明によって対数特性に変換されたセンサ
信号のフィルタ処理を行うときの他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 20 is a block diagram showing another configuration example when filtering the sensor signal converted into the logarithmic characteristic according to the present invention.

【図21】本発明によって対数特性に変換されたセンサ
信号をフィルタ特性を変化させながらフィルタ処理する
ときの一構成例を示すブロック図である。
FIG. 21 is a block diagram showing a configuration example when a sensor signal converted into a logarithmic characteristic is filtered while changing the filter characteristic according to the present invention.

【図22】本発明によって対数特性に変換されたセンサ
信号をフィルタ特性を変化させながらフィルタ処理する
ときの他の構成例を示すブロック図である。
FIG. 22 is a block diagram showing another configuration example when filtering the sensor signal converted into the logarithmic characteristic according to the present invention while changing the filter characteristic.

【図23】イメージセンサにおける各画素の出力特性の
バラツキ状態の一例を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing an example of a variation state of output characteristics of each pixel in the image sensor.

【図24】イメージセンサにおける各画素の出力のバラ
ツキを補正するための具体的な構成例を示すブロック図
である。
FIG. 24 is a block diagram showing a specific configuration example for correcting variations in the output of each pixel in the image sensor.

【図25】図24の構成における出力補正回路における
処理のフローの一例を示す図である。
25 is a diagram showing an example of the flow of processing in the output correction circuit in the configuration of FIG. 24.

【図26】イメージセンサにおける各画素の構成上から
くるセンサ信号の出力特性のバラツキ状態の一例を示す
特性図である。
FIG. 26 is a characteristic diagram showing an example of a variation state of the output characteristics of the sensor signal coming from the configuration of each pixel in the image sensor.

【図27】図26に示す出力特性のバラツキをもった各
画素のセンサ信号をオフセット補正した結果を示す特性
図である。
27 is a characteristic diagram showing the result of offset correction of the sensor signal of each pixel having the output characteristic variation shown in FIG. 26.

【図28】図26に示す出力特性のバラツキをもった各
画素のセンサ信号をオフセット補正およびゲイン補正し
た結果を示す特性図である。
FIG. 28 is a characteristic diagram showing the result of offset correction and gain correction of the sensor signal of each pixel having the output characteristic variation shown in FIG. 26.

【図29】図24の出力補正回路における処理のフロー
の他の例を示す図である。
FIG. 29 is a diagram showing another example of the processing flow in the output correction circuit of FIG. 24.

【図30】イメージセンサにおける各画素の構成上から
くるセンサ信号の出力特性のバラツキ状態の他の例を示
す特性図である。
FIG. 30 is a characteristic diagram showing another example of a variation state of the output characteristics of the sensor signal coming from the configuration of each pixel in the image sensor.

【図31】図30に示す出力特性のバラツキをもった各
画素のセンサ信号をオフセット補正した結果を示す特性
図である。
FIG. 31 is a characteristic diagram showing a result of offset correction of the sensor signal of each pixel having the output characteristic variation shown in FIG. 30.

【図32】図30に示す出力特性のバラツキをもった各
画素のセンサ信号をオフセット補正およびゲイン補正し
た結果を示す特性図である。
32 is a characteristic diagram showing the results of offset correction and gain correction of the sensor signal of each pixel having the output characteristic variation shown in FIG. 30.

【図33】図24の出力補正回路における処理のフロー
のさらに他の例を示す図である。
FIG. 33 is a diagram showing still another example of the processing flow in the output correction circuit in FIG. 24.

【図34】イメージセンサにおける各画素の構成上から
くるセンサ信号の出力特性のバラツキ状態のさらに他の
例を示す特性図である。
FIG. 34 is a characteristic diagram showing still another example of variations in output characteristics of sensor signals coming from the configuration of each pixel in the image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 イメージセンサ 13 AD変換器 14 入出力特性変換テーブル用のメモリ 21 比較回路 21′ 比較回路 22 信号切替回路 23 ローパスフィルタ 23−1 ローパスフィルタ 23−2 ローパスフィルタ 23−3 ローパスフィルタ 23−4 ローパスフィルタ 8 image sensor 13 AD converter 14 Memory for input / output characteristic conversion table 21 Comparison circuit 21 'comparison circuit 22 Signal switching circuit 23 Low-pass filter 23-1 Low-pass filter 23-2 Low-pass filter 23-3 Low-pass filter 23-4 Low-pass filter

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 撮影時の入射光量に応じて光電変換素子
に流れるセンサ電流をトランジスタのサブスレッショル
ド領域の特性を利用した弱反転状態で対数特性をもって
電圧信号に変換して、その変換された電圧信号に応じた
センサ信号を出力するとともに、撮影に先がけて前記ト
ランジスタのドレイン電圧を定常値よりも低い値に切り
換えて、光電変換素子の寄生容量に蓄積された電荷を排
出して初期化するようにした光センサ回路を画素に用い
たイメージセンサにおいて、各光センサ回路における非
対数応答領域の出力特性を対数特性に変換する手段を設
けたことを特徴とするイメージセンサの出力補正装置。
1. A sensor current flowing through a photoelectric conversion element according to an amount of incident light at the time of photographing is converted into a voltage signal with a logarithmic characteristic in a weak inversion state utilizing characteristics of a subthreshold region of a transistor, and the converted voltage is obtained. A sensor signal corresponding to the signal is output, and the drain voltage of the transistor is switched to a value lower than a steady value prior to shooting so as to discharge and initialize charges accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element. An image sensor using the above-described optical sensor circuit as a pixel is provided with means for converting an output characteristic of a non-logarithmic response region in each optical sensor circuit into a logarithmic characteristic.
【請求項2】 予め入力に応じて所定の出力が得られる
ようにテーブル設定された入出力特性の変換テーブルを
用いて非対数応答領域の出力特性を対数特性に変換する
ようにしたことを特徴とする請求項1の記載によるイメ
ージセンサの出力補正装置。
2. The output characteristic of the non-logarithmic response region is converted into a logarithmic characteristic by using an input / output characteristic conversion table which is set in advance so that a predetermined output is obtained according to an input. An output correction device for an image sensor according to claim 1.
【請求項3】 対数特性に変換されたセンサ信号のノイ
ズ除去を行うフィルタ処理手段を設けたことを特徴とす
る請求項1の記載によるイメージセンサの出力補正装
置。
3. The output correction device for an image sensor according to claim 1, further comprising a filter processing unit for removing noise of the sensor signal converted into a logarithmic characteristic.
【請求項4】 センサ信号の値と予め設定された値とを
比較して、センサ信号の値がその設定値以下の領域では
フィルタ処理されたセンサ信号を出力させ、センサ信号
の値がその設定値を越える領域ではセンサ信号をそのま
ま出力させるようにしたことを特徴とする請求項3の記
載によるイメージセンサの出力補正装置。
4. A sensor signal value is compared with a preset value, and a filtered sensor signal is output in a region where the sensor signal value is equal to or less than the set value, and the sensor signal value is set to the set value. The output correction device for an image sensor according to claim 3, wherein the sensor signal is output as it is in a region exceeding the value.
【請求項5】 光センサ回路における非対数応答領域の
出力特性を対数特性に変換する度合に応じてフィルタ特
性を変化させるようにしたことを特徴とする請求項3の
記載によるイメージセンサの出力補正装置。
5. The output correction of the image sensor according to claim 3, wherein the filter characteristic is changed according to the degree to which the output characteristic of the non-logarithmic response region in the optical sensor circuit is converted into the logarithmic characteristic. apparatus.
【請求項6】 それぞれフィルタ特性が異なる複数のフ
ィルタを切り替えてフィルタ特性を変化させるようにし
たことを特徴とする請求項5の記載によるイメージセン
サの出力補正装置。
6. The image sensor output correction apparatus according to claim 5, wherein a plurality of filters each having a different filter characteristic are switched to change the filter characteristic.
【請求項7】 フィルタの定数を切り替えてフィルタ特
性を変化させるようにしたことを特徴とする請求項5の
記載によるイメージセンサの出力補正装置。
7. The output correction device for an image sensor according to claim 5, wherein the filter characteristic is changed by switching the constant of the filter.
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