JP2003324126A - 電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法 - Google Patents
電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法Info
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品と回路基板との間にアンダーフィル
樹脂を注入しなくてもバンプを保護でき、かつ、バンプ
の狭ピッチ化にも対応することのできる実装構造、電子
部品モジュール、および電子部品の実装方法を提供する
こと。 【解決手段】 熱可塑性樹脂からなる基材９１の少なく
とも片面にパッド９３を備える回路基板９に対して、パ
ッド９３と平面的に重なる位置に基材９１を貫通する穴
９４を形成しておき、この穴９１内に導電粒子６を配置
する。次に、回路基板９においてパッド９３が形成され
ている側とは反対側の面に対して穴９４にバンプ８１が
平面的に重なるようにＩＣチップ８を配置した状態で、
ＩＣチップ８を基材９１の溶融温度以上にまで加熱しな
がら回路基板９に向けて加圧する。パッド９３とパッド
９３とが導電粒子６を介して接続する。
樹脂を注入しなくてもバンプを保護でき、かつ、バンプ
の狭ピッチ化にも対応することのできる実装構造、電子
部品モジュール、および電子部品の実装方法を提供する
こと。 【解決手段】 熱可塑性樹脂からなる基材９１の少なく
とも片面にパッド９３を備える回路基板９に対して、パ
ッド９３と平面的に重なる位置に基材９１を貫通する穴
９４を形成しておき、この穴９１内に導電粒子６を配置
する。次に、回路基板９においてパッド９３が形成され
ている側とは反対側の面に対して穴９４にバンプ８１が
平面的に重なるようにＩＣチップ８を配置した状態で、
ＩＣチップ８を基材９１の溶融温度以上にまで加熱しな
がら回路基板９に向けて加圧する。パッド９３とパッド
９３とが導電粒子６を介して接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップなどの
電子部品の実装構造、この実装構造を用いた電子部品モ
ジュール、および電子部品の実装方法に関するものであ
る。
電子部品の実装構造、この実装構造を用いた電子部品モ
ジュール、および電子部品の実装方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器において、回路基板に対する電
子部品の実装構造、および実装方法については多くのも
のが提案され、実用化されている。例えば、図７（Ａ）
に示す実装構造では、熱硬化性樹脂からなる基材９１Ａ
の片面あるいは両面にＣｕからなるパッド９３Ａを備え
た回路基板９ＡにＩＣチップ８Ａを実装するにあたっ
て、回路基板９Ａにおいてパッド９３Ａが形成されてい
る側の面でＩＣチップ８Ａのバンプ８１Ａをはんだ、ま
たはその他の方法によってパッド９３Ａと電気的に接続
した後、ＩＣチップ８Ａと回路基板９Ａとの間にアンダ
ーフィル樹脂９６Ａを充填することにより、バンプ８１
Ａを保護した構造になっている。
子部品の実装構造、および実装方法については多くのも
のが提案され、実用化されている。例えば、図７（Ａ）
に示す実装構造では、熱硬化性樹脂からなる基材９１Ａ
の片面あるいは両面にＣｕからなるパッド９３Ａを備え
た回路基板９ＡにＩＣチップ８Ａを実装するにあたっ
て、回路基板９Ａにおいてパッド９３Ａが形成されてい
る側の面でＩＣチップ８Ａのバンプ８１Ａをはんだ、ま
たはその他の方法によってパッド９３Ａと電気的に接続
した後、ＩＣチップ８Ａと回路基板９Ａとの間にアンダ
ーフィル樹脂９６Ａを充填することにより、バンプ８１
Ａを保護した構造になっている。
【０００３】しかしながら、この実装構造では、ＩＣチ
ップ８Ａを回路基板９Ａに実装した後、ＩＣチップ８Ａ
と回路基板９Ａの狭い隙間内にアンダーフィル樹脂９６
Ａを注入するのに大変、手間がかかるという問題点があ
る。特に、ＩＣチップ８Ａにおいてバンプ８１Ａを狭ピ
ッチ化した場合、ＩＣチップ８Ａと回路基板９Ａの隙間
内にアンダーフィル樹脂９６Ａを確実に注入するのが困
難である。このため、バンプ８１Ａの周囲においてアン
ダーフィル樹脂９６Ａにボイドが発生しやすいので、信
頼性が低い。
ップ８Ａを回路基板９Ａに実装した後、ＩＣチップ８Ａ
と回路基板９Ａの狭い隙間内にアンダーフィル樹脂９６
Ａを注入するのに大変、手間がかかるという問題点があ
る。特に、ＩＣチップ８Ａにおいてバンプ８１Ａを狭ピ
ッチ化した場合、ＩＣチップ８Ａと回路基板９Ａの隙間
内にアンダーフィル樹脂９６Ａを確実に注入するのが困
難である。このため、バンプ８１Ａの周囲においてアン
ダーフィル樹脂９６Ａにボイドが発生しやすいので、信
頼性が低い。
【０００４】また、図７（Ｂ）に示す実装構造では、熱
硬化性樹脂からなる基材９１Ｂの片面あるいは両面にＣ
ｕからなるパッド９３Ｂを備えた回路基板９ＢにＩＣチ
ップ８Ｂを実装するにあたって、回路基板９Ｂにおいて
パッド９３Ｂが形成されている側の面に異方性導電フィ
ルム９６ＢおよびＩＣチップ８Ｂを配置し、ＩＣチップ
８Ｂのバンプ８１Ｂを異方性導電フィルム９６Ｂ中の導
電粒子を介してパッド９３Ｂに電気的に接続している。
この実装構造によれば、異方性導電フィルム９３Ｂに含
まれている樹脂分でバンプ８１Ｂを保護できるので、Ｉ
Ｃチップ８Ｂと回路基板９Ｂとの間にアンダーフィル樹
脂を注入する必要がない。
硬化性樹脂からなる基材９１Ｂの片面あるいは両面にＣ
ｕからなるパッド９３Ｂを備えた回路基板９ＢにＩＣチ
ップ８Ｂを実装するにあたって、回路基板９Ｂにおいて
パッド９３Ｂが形成されている側の面に異方性導電フィ
ルム９６ＢおよびＩＣチップ８Ｂを配置し、ＩＣチップ
８Ｂのバンプ８１Ｂを異方性導電フィルム９６Ｂ中の導
電粒子を介してパッド９３Ｂに電気的に接続している。
この実装構造によれば、異方性導電フィルム９３Ｂに含
まれている樹脂分でバンプ８１Ｂを保護できるので、Ｉ
Ｃチップ８Ｂと回路基板９Ｂとの間にアンダーフィル樹
脂を注入する必要がない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方性
導電フィルム９６Ｂでバンプ８１Ｂとパッド９３Ｂを電
気的に接続する方法では、異方性導電フィルム９６Ｂに
含まれる導電粒子によって、隣接するバンプ８１Ｂ同士
あるいはパッド９３Ｂ同士が短絡するおそれがあるた
め、バンプ８１Ｂあるいはパッド９３Ｂの狭ピッチ化を
図れないという問題点がある。すなわち、異方性導電フ
ィルム９６Ｂとしては、導電粒子の平均粒径が３．５μ
mのものが多用されているが、この場合、隣接するバン
プ８１Ｂの間隔、あるいは隣接するパッド９３Ｂの間隔
が１０μｍ以下だと、バンプ８１Ｂの間、あるいはバッ
ド９３Ｂの間に３個の導電粒子が並んだだけで、短絡す
ることになってしまう。
導電フィルム９６Ｂでバンプ８１Ｂとパッド９３Ｂを電
気的に接続する方法では、異方性導電フィルム９６Ｂに
含まれる導電粒子によって、隣接するバンプ８１Ｂ同士
あるいはパッド９３Ｂ同士が短絡するおそれがあるた
め、バンプ８１Ｂあるいはパッド９３Ｂの狭ピッチ化を
図れないという問題点がある。すなわち、異方性導電フ
ィルム９６Ｂとしては、導電粒子の平均粒径が３．５μ
mのものが多用されているが、この場合、隣接するバン
プ８１Ｂの間隔、あるいは隣接するパッド９３Ｂの間隔
が１０μｍ以下だと、バンプ８１Ｂの間、あるいはバッ
ド９３Ｂの間に３個の導電粒子が並んだだけで、短絡す
ることになってしまう。
【０００６】そこで、国際公開番号ＷＯ９７／１６８４
８号には、図７（Ｃ）に示すように、熱可塑性樹脂から
なる基材９１Ｃの片面あるいは両面に銅箔からなるパッ
ド９３Ｃを備えた回路基板９Ｃと、いわゆる６：４はん
だからなるバンプ８１Ｃを備えたＩＣチップ８Ｃとの実
装構造として、回路基板９Ｃにおいてパッド９３Ｃが形
成されている側とは反対側の面に実装されたＩＣチップ
８Ｃのバンプ８１Ｃが基材９１Ｃを貫通してパッド９３
Ｃに電気的に接続している構造が開示されている。これ
に開示の実装構造において、バンプ８１Ｃは、基材９１
Ｃに埋もれた状態でパッド９３Ｃに圧接し、かつ、パン
プ８１Ｃが形成されている側の面８０Ｃおよびその周囲
は、溶融固化した基材９１Ｃによって回路基板９Ｃに接
着固定された状態にある。
８号には、図７（Ｃ）に示すように、熱可塑性樹脂から
なる基材９１Ｃの片面あるいは両面に銅箔からなるパッ
ド９３Ｃを備えた回路基板９Ｃと、いわゆる６：４はん
だからなるバンプ８１Ｃを備えたＩＣチップ８Ｃとの実
装構造として、回路基板９Ｃにおいてパッド９３Ｃが形
成されている側とは反対側の面に実装されたＩＣチップ
８Ｃのバンプ８１Ｃが基材９１Ｃを貫通してパッド９３
Ｃに電気的に接続している構造が開示されている。これ
に開示の実装構造において、バンプ８１Ｃは、基材９１
Ｃに埋もれた状態でパッド９３Ｃに圧接し、かつ、パン
プ８１Ｃが形成されている側の面８０Ｃおよびその周囲
は、溶融固化した基材９１Ｃによって回路基板９Ｃに接
着固定された状態にある。
【０００７】従って、この実装構造によれば、溶融固化
した基材９１Ｃ（熱可塑性樹脂）でバンプ８１Ｃを保護
できるので、ＩＣチップ８Ｃと回路基板９Ｃとの間にア
ンダーフィル樹脂を注入する必要がない。また、異方性
導電フィルムを用いた場合と違って、導電粒子によっ
て、隣接するバンプ８１Ｃ同士あるいはパッド９３Ｃ同
士が短絡するおそれもない。
した基材９１Ｃ（熱可塑性樹脂）でバンプ８１Ｃを保護
できるので、ＩＣチップ８Ｃと回路基板９Ｃとの間にア
ンダーフィル樹脂を注入する必要がない。また、異方性
導電フィルムを用いた場合と違って、導電粒子によっ
て、隣接するバンプ８１Ｃ同士あるいはパッド９３Ｃ同
士が短絡するおそれもない。
【０００８】しかしながら、これに開示の構成は、あく
までバンプ８１Ｃがはんだで形成されるため、そのバン
プ製造工程の限界から約１００μｍ以下にまではバンプ
８１Ｃの狭ピッチ化を図れないという問題点がある。ま
た、バンプ８１Ｃ自身には、３μ〜５μmの高さばらつ
きがあり、かつ、ＩＣチップ８Ｃを構成するウエハには
反りなどがあるため、多数のバンプ８１Ｃの中には、パ
ッド９３Ｃに届かず、接続不良なるものが発生するとい
う問題点がある。
までバンプ８１Ｃがはんだで形成されるため、そのバン
プ製造工程の限界から約１００μｍ以下にまではバンプ
８１Ｃの狭ピッチ化を図れないという問題点がある。ま
た、バンプ８１Ｃ自身には、３μ〜５μmの高さばらつ
きがあり、かつ、ＩＣチップ８Ｃを構成するウエハには
反りなどがあるため、多数のバンプ８１Ｃの中には、パ
ッド９３Ｃに届かず、接続不良なるものが発生するとい
う問題点がある。
【０００９】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
電子部品と回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注入
しなくてもバンプを保護でき、かつ、バンプの狭ピッチ
化にも対応でき、さらには、バンプとパッドの接続不良
が発生しない電子部品の実装構造、この実装構造を用い
た電子部品モジュール、および電子部品の実装方法を提
供することにある。
電子部品と回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注入
しなくてもバンプを保護でき、かつ、バンプの狭ピッチ
化にも対応でき、さらには、バンプとパッドの接続不良
が発生しない電子部品の実装構造、この実装構造を用い
た電子部品モジュール、および電子部品の実装方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくと
も片面に電子部品実装用のパッドを備えた回路基板と、
該回路基板において前記パッドが形成されている側とは
反対側の面に実装される電子部品とを有し、前記基材を
貫通して前記電子部品のバンプが前記パッドに電気的に
接続した電子部品の実装構造において、前記バンプは、
前記基材内に埋もれた状態で導電粒子を介して前記パッ
ドに電気的に接続されていることを特徴とする。
め、本発明では、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくと
も片面に電子部品実装用のパッドを備えた回路基板と、
該回路基板において前記パッドが形成されている側とは
反対側の面に実装される電子部品とを有し、前記基材を
貫通して前記電子部品のバンプが前記パッドに電気的に
接続した電子部品の実装構造において、前記バンプは、
前記基材内に埋もれた状態で導電粒子を介して前記パッ
ドに電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る電子部品の実装方法で
は、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも片面に電子
部品実装用のパッドを備え、当該パッドと平面的に重な
る位置に前記基材を貫通する穴が形成された回路基板に
対して、前記パッドが形成されている側とは反対の面側
から前記穴内に導電粒子を配置する導電粒子配置工程
と、前記回路基板において前記パッドが形成されている
側とは反対側の面に対して前記穴にバンプが平面的に重
なるように電子部品を配置した状態で、当該電子部品を
前記基材の溶融温度以上にまで加熱しながら前記回路基
板に向けて加圧する加熱加圧工程とを行うことを特徴と
する。
は、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも片面に電子
部品実装用のパッドを備え、当該パッドと平面的に重な
る位置に前記基材を貫通する穴が形成された回路基板に
対して、前記パッドが形成されている側とは反対の面側
から前記穴内に導電粒子を配置する導電粒子配置工程
と、前記回路基板において前記パッドが形成されている
側とは反対側の面に対して前記穴にバンプが平面的に重
なるように電子部品を配置した状態で、当該電子部品を
前記基材の溶融温度以上にまで加熱しながら前記回路基
板に向けて加圧する加熱加圧工程とを行うことを特徴と
する。
【００１２】本発明では、回路基板の基材が熱硬化性樹
脂より安価な熱可塑性樹脂から形成されているため、電
子部品の実装コストを低減することができる。また、電
子部品は、基材の溶融温度以上に加熱され、かつ、回路
基板に向けて加圧されるため、バンプは、溶融した基材
を貫通して、固化した基材で覆われた状態になるので、
ＩＣチップと回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注
入しなくてもバンプを保護できる。さらに、バンプは、
基材内に埋もれた状態で導電粒子を介してパッドに電気
的に接続されているため、隣接するバンプ同士、あるい
は隣接するパッド同士が導電粒子によって短絡すること
がない。それ故、バンプの狭ピッチ化に十分、対応する
ことができる。しかも、バンプの高さばらつきやウエハ
の反りなどは、導電粒子が加熱・加圧されて変形するこ
とによって吸収されるので、バンプとパッドとに接続不
良が発生しない。また、国際公開番号ＷＯ９７／１６８
４８号に開示の構成と違って、バンプがはんだでなけれ
ばならないという制約がないので、バンプの狭ピッチ化
が可能である。
脂より安価な熱可塑性樹脂から形成されているため、電
子部品の実装コストを低減することができる。また、電
子部品は、基材の溶融温度以上に加熱され、かつ、回路
基板に向けて加圧されるため、バンプは、溶融した基材
を貫通して、固化した基材で覆われた状態になるので、
ＩＣチップと回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注
入しなくてもバンプを保護できる。さらに、バンプは、
基材内に埋もれた状態で導電粒子を介してパッドに電気
的に接続されているため、隣接するバンプ同士、あるい
は隣接するパッド同士が導電粒子によって短絡すること
がない。それ故、バンプの狭ピッチ化に十分、対応する
ことができる。しかも、バンプの高さばらつきやウエハ
の反りなどは、導電粒子が加熱・加圧されて変形するこ
とによって吸収されるので、バンプとパッドとに接続不
良が発生しない。また、国際公開番号ＷＯ９７／１６８
４８号に開示の構成と違って、バンプがはんだでなけれ
ばならないという制約がないので、バンプの狭ピッチ化
が可能である。
【００１３】また、本発明では、加熱時に基材が溶融
し、その後、固化した基材によって電子部品が回路基板
に接着されるので、接着剤を用いなくても、電子部品を
回路基板上に固定することができる。
し、その後、固化した基材によって電子部品が回路基板
に接着されるので、接着剤を用いなくても、電子部品を
回路基板上に固定することができる。
【００１４】本発明において、前記穴は、前記バンプよ
りも小さいことが好ましい。このように構成すると、基
材の溶融温度以上に加熱され、かつ、電子部品が回路基
板に向けて加圧された際、バンプは、溶融した基材を貫
通して基材内に完全、かつ、確実に埋もれた状態になる
ので、溶融、固化した基材によって電子部品が回路基板
に確実に接着される。
りも小さいことが好ましい。このように構成すると、基
材の溶融温度以上に加熱され、かつ、電子部品が回路基
板に向けて加圧された際、バンプは、溶融した基材を貫
通して基材内に完全、かつ、確実に埋もれた状態になる
ので、溶融、固化した基材によって電子部品が回路基板
に確実に接着される。
【００１５】本発明の実装方法において、前記導電粒子
配置工程では、例えば、前記回路基板において前記パッ
ドが形成されている側とは反対の面側に対して前記導電
粒子を散布する散布工程と、前記穴の外に散布された不
要導電粒子を前記回路基板から除去する不要導電粒子除
去工程とを行う。
配置工程では、例えば、前記回路基板において前記パッ
ドが形成されている側とは反対の面側に対して前記導電
粒子を散布する散布工程と、前記穴の外に散布された不
要導電粒子を前記回路基板から除去する不要導電粒子除
去工程とを行う。
【００１６】本発明において、前記散布工程では、前記
導電粒子を溶媒に分散させた状態で散布してもよく、こ
の場合、前記不要導電粒子除去工程では、前記溶媒およ
び前記不要導電粒子を前記回路基板から除去することに
なる。
導電粒子を溶媒に分散させた状態で散布してもよく、こ
の場合、前記不要導電粒子除去工程では、前記溶媒およ
び前記不要導電粒子を前記回路基板から除去することに
なる。
【００１７】この場合、前記溶媒としては、有機溶剤を
用いることが好ましい。有機溶媒、例えば、ｎ−メチル
ピロリドンの沸点は２０４℃であり、電子部品において
短絡や腐食などの不具合を発生させないという利点があ
る。
用いることが好ましい。有機溶媒、例えば、ｎ−メチル
ピロリドンの沸点は２０４℃であり、電子部品において
短絡や腐食などの不具合を発生させないという利点があ
る。
【００１８】本発明において、前記導電粒子は、例え
ば、樹脂粒子に金属がめっきされてなる粒子である。ま
た、前記導電粒子として、金属粒子を用いてもよい。
ば、樹脂粒子に金属がめっきされてなる粒子である。ま
た、前記導電粒子として、金属粒子を用いてもよい。
【００１９】本発明において、前記基材の厚さは、前記
バンプの高さと同等、あるいは前記バンプの高さよりわ
ずかに厚いことが好ましい。このように構成すると、基
材は、加熱時に溶融し、その後、固化した状態におい
て、電子部品と回路基板との間を完全に埋めるので、バ
ンプを確実に保護することができ、かつ、電子部品を回
路基板上に確実に接着固定することができる。
バンプの高さと同等、あるいは前記バンプの高さよりわ
ずかに厚いことが好ましい。このように構成すると、基
材は、加熱時に溶融し、その後、固化した状態におい
て、電子部品と回路基板との間を完全に埋めるので、バ
ンプを確実に保護することができ、かつ、電子部品を回
路基板上に確実に接着固定することができる。
【００２０】本発明において、前記電子部品は、例え
ば、半導体チップである。
ば、半導体チップである。
【００２１】本発明に係る実装構造を用いて電子部品モ
ジュールを構成した場合、この電子部品モジュールは、
ＩＣカード、あるいは液晶装置など各種広い範囲にわた
って利用できる。
ジュールを構成した場合、この電子部品モジュールは、
ＩＣカード、あるいは液晶装置など各種広い範囲にわた
って利用できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明に係る電
子部品の実装構造、および実装方法を採用したＩＣモジ
ュール（電子部品ジュール）、およびその製造方法を説
明する。
子部品の実装構造、および実装方法を採用したＩＣモジ
ュール（電子部品ジュール）、およびその製造方法を説
明する。
【００２３】（実装構造）図１は、本発明を適用した電
子部品の実装構造、および実装構造を採用したＩＣモジ
ュールの説明図である。
子部品の実装構造、および実装構造を採用したＩＣモジ
ュールの説明図である。
【００２４】図１（Ａ）に示すように、本形態のＩＣモ
ジュール３（電子部品モジュール）に用いた実装構造で
は、ポリエステル樹脂・ポリアミド樹脂、芳香族ポリエ
ステル樹脂・芳香族ポリアミド樹脂などといった熱可塑
性樹脂からなる基材９１の片面あるいは両面に銅箔から
なる複数のパッド９３を備えた回路基板９と、この回路
基板９においてパッド９３が形成されている側とは反対
側の面に実装され、複数のバンプ８１が基材９１を貫通
してパッド９３に各々、電気的に接続するＩＣチップ８
とを有している。バンプ８１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕなど
から形成され、パッド９１はＣｕなどから構成されてい
る。
ジュール３（電子部品モジュール）に用いた実装構造で
は、ポリエステル樹脂・ポリアミド樹脂、芳香族ポリエ
ステル樹脂・芳香族ポリアミド樹脂などといった熱可塑
性樹脂からなる基材９１の片面あるいは両面に銅箔から
なる複数のパッド９３を備えた回路基板９と、この回路
基板９においてパッド９３が形成されている側とは反対
側の面に実装され、複数のバンプ８１が基材９１を貫通
してパッド９３に各々、電気的に接続するＩＣチップ８
とを有している。バンプ８１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕなど
から形成され、パッド９１はＣｕなどから構成されてい
る。
【００２５】本形態では、バンプ８１とパッド９３との
間には、基材９１に埋もれた状態の複数の導電粒子６が
介在し、バンプ８１とパッド９３は各々、複数個の導電
粒子６を介して電気的に接続されている。すなわち、Ｉ
Ｃチップ８（電子部品）が実装される基材９１の面と反
対側の面にＩＣチップ８のバンプ８１と接続されるパッ
ド９３が形成されており、基材９１となる熱可塑性樹脂
層の内部で導電粒子６を介してＩＣチップ８のバンプ８
１とパッド９３とが接続された構造になっており、か
つ、導電粒子６を介したバンプ８１とパッド９３の電気
的な接続部分は熱可塑性樹脂で被覆された状態にある。
ここで、バンプ８１は、例えば、幅が３０μｍ、隣接す
るバンプとの間隔が１０μｍであり、４０μｍピッチで
形成されている。また、導電粒子６の平均粒径は３．５
μｍである。
間には、基材９１に埋もれた状態の複数の導電粒子６が
介在し、バンプ８１とパッド９３は各々、複数個の導電
粒子６を介して電気的に接続されている。すなわち、Ｉ
Ｃチップ８（電子部品）が実装される基材９１の面と反
対側の面にＩＣチップ８のバンプ８１と接続されるパッ
ド９３が形成されており、基材９１となる熱可塑性樹脂
層の内部で導電粒子６を介してＩＣチップ８のバンプ８
１とパッド９３とが接続された構造になっており、か
つ、導電粒子６を介したバンプ８１とパッド９３の電気
的な接続部分は熱可塑性樹脂で被覆された状態にある。
ここで、バンプ８１は、例えば、幅が３０μｍ、隣接す
るバンプとの間隔が１０μｍであり、４０μｍピッチで
形成されている。また、導電粒子６の平均粒径は３．５
μｍである。
【００２６】また、バンプ８１は、基材９１内に埋もれ
た状態にあるため、バンプ８１は、基材９１によって保
護され、ＩＣチップ８は、パンプ８１が形成されている
能動面８０が、溶融固化した基材９１によって回路基板
９に接着固定された状態にある。
た状態にあるため、バンプ８１は、基材９１によって保
護され、ＩＣチップ８は、パンプ８１が形成されている
能動面８０が、溶融固化した基材９１によって回路基板
９に接着固定された状態にある。
【００２７】（実装方法）図２および図３を参照して、
本発明を適用した実装構造を備えたＩＣモジュール３の
製造方法を説明する。
本発明を適用した実装構造を備えたＩＣモジュール３の
製造方法を説明する。
【００２８】図２（Ａ）〜（Ｃ）、および図３（Ａ）〜
（Ｄ）はいずれも、本発明を適用した電子部品の実装方
法を示す説明図である。
（Ｄ）はいずれも、本発明を適用した電子部品の実装方
法を示す説明図である。
【００２９】まず、図２（Ａ）に示すように、ポリエス
テル樹脂・ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂・
芳香族ポリアミド樹脂などといった熱可塑性樹脂からな
る基材９１の少なくとも片面に、Ｃｕ箔９２を熱圧着な
どの方法で貼り付ける。基材９１を構成する熱可塑性樹
脂としては、溶融後、接着力を発揮する樹脂であれば、
その他の熱可塑性樹脂からなる基材９１を用いてもよ
い。ここで、Ｃｕ箔９２において基材９１との貼り合わ
せ面に微細な凹凸を形成してアンカー面として形成して
おけば、Ｃｕ箔９２と基材９１との貼り合わせ強度が向
上する。
テル樹脂・ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂・
芳香族ポリアミド樹脂などといった熱可塑性樹脂からな
る基材９１の少なくとも片面に、Ｃｕ箔９２を熱圧着な
どの方法で貼り付ける。基材９１を構成する熱可塑性樹
脂としては、溶融後、接着力を発揮する樹脂であれば、
その他の熱可塑性樹脂からなる基材９１を用いてもよ
い。ここで、Ｃｕ箔９２において基材９１との貼り合わ
せ面に微細な凹凸を形成してアンカー面として形成して
おけば、Ｃｕ箔９２と基材９１との貼り合わせ強度が向
上する。
【００３０】次に、フォトリソグラフィ技術を利用して
Ｃｕ箔９２を所定のパターンにエッチングし、図２
（Ｂ）に示すように、Ｃｕからなるパッド９３を残すと
ともに、回路パターン（図示せず）を残す。これによ
り、熱可塑性樹脂からなる基材９１の少なくとも片面に
Ｃｕからなるパッド９３を備えた回路基板９を形成する
ことができる。
Ｃｕ箔９２を所定のパターンにエッチングし、図２
（Ｂ）に示すように、Ｃｕからなるパッド９３を残すと
ともに、回路パターン（図示せず）を残す。これによ
り、熱可塑性樹脂からなる基材９１の少なくとも片面に
Ｃｕからなるパッド９３を備えた回路基板９を形成する
ことができる。
【００３１】次に、図２（Ｃ）に示すように、基材９の
側からレーザビームを照射するなどの方法により、回路
基板９においてバンプ８１が重ねられる領域（パッド９
３と平面的に重なる位置）に、バンプ８１よりもやや小
さな穴９４を基材９１に貫通穴として形成する。ここ
で、穴９４は、バンプ８１よりはやや小さめであるが、
図１に示す導電粒子６が１個、ないし複数個、確実に投
入できる大きさに設定されている。
側からレーザビームを照射するなどの方法により、回路
基板９においてバンプ８１が重ねられる領域（パッド９
３と平面的に重なる位置）に、バンプ８１よりもやや小
さな穴９４を基材９１に貫通穴として形成する。ここ
で、穴９４は、バンプ８１よりはやや小さめであるが、
図１に示す導電粒子６が１個、ないし複数個、確実に投
入できる大きさに設定されている。
【００３２】次に、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す
導電粒子配置工程を行う。この導電粒子配置工程では、
回路基板９に対して、パッド９３が形成されている側と
は反対の面側から穴９４内に導電粒子６を選択的に配置
する。
導電粒子配置工程を行う。この導電粒子配置工程では、
回路基板９に対して、パッド９３が形成されている側と
は反対の面側から穴９４内に導電粒子６を選択的に配置
する。
【００３３】それには、例えば、図３（Ａ）に示すよう
に、回路基板９においてパッド９３が形成されている側
とは反対の面側に対して導電粒子６を散布する散布工程
と、図３（Ｂ）に示すように、穴６の外に散布された不
要導電粒子６′（図３（Ａ）を参照）をエアーなどで吹
き飛ばして、図３（Ｃ）に示すように、回路基板９から
除去し、穴９４に導電粒子６が選択的に配置された状態
とする不要導電粒子除去工程とを行う。
に、回路基板９においてパッド９３が形成されている側
とは反対の面側に対して導電粒子６を散布する散布工程
と、図３（Ｂ）に示すように、穴６の外に散布された不
要導電粒子６′（図３（Ａ）を参照）をエアーなどで吹
き飛ばして、図３（Ｃ）に示すように、回路基板９から
除去し、穴９４に導電粒子６が選択的に配置された状態
とする不要導電粒子除去工程とを行う。
【００３４】この場合、散布工程では、導電粒子６をそ
のままの形態で散布してもよいが、導電粒子６を溶媒に
分散させた状態でノズルから散布し、その後、不要導電
粒子除去工程において、溶媒および不要導電粒子６′を
除去すればよい。この場合、図３（Ａ）に示す散布工程
を行った後、先ず溶媒の沸点以上の温度で溶媒を蒸発、
除去し、次に、図３（Ｂ）に示すように、穴９４以外に
散布された不要導電粒子６′を横方向からのエアー等の
吹き付けによって除去をする。ここで用いる溶媒として
は、水あるいは有機溶剤を用いることができるが、ピロ
リドンなどの有機溶剤であれば、水と違って、配線など
の腐食を発生させることがないという利点がある。
のままの形態で散布してもよいが、導電粒子６を溶媒に
分散させた状態でノズルから散布し、その後、不要導電
粒子除去工程において、溶媒および不要導電粒子６′を
除去すればよい。この場合、図３（Ａ）に示す散布工程
を行った後、先ず溶媒の沸点以上の温度で溶媒を蒸発、
除去し、次に、図３（Ｂ）に示すように、穴９４以外に
散布された不要導電粒子６′を横方向からのエアー等の
吹き付けによって除去をする。ここで用いる溶媒として
は、水あるいは有機溶剤を用いることができるが、ピロ
リドンなどの有機溶剤であれば、水と違って、配線など
の腐食を発生させることがないという利点がある。
【００３５】ここで、導電粒子９４は、例えば、樹脂粒
子に金属がめっきされた平均粒径が３．５μｍの粒子
で、異方性導電シートなどに配合されているものを用い
ることができる。
子に金属がめっきされた平均粒径が３．５μｍの粒子
で、異方性導電シートなどに配合されているものを用い
ることができる。
【００３６】次に、図３（Ｄ）に示すように、回路基板
９において、パッド９３が形成されている側とは反対側
の面に、パッド９３とバンプ８１とが平面的に重なるよ
うに位置合わせしながらＩＣチップ８を配置する。ここ
で、ＩＣチップ８の能動面８０には、バンプ８１が形成
されており、このバンプ８１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕなど
から形成されている。基材９１の厚さは、バンプ８１の
高さと同等、あるいはバンプ８１の高さより５μｍ程
度、わずか厚い方が好ましい。
９において、パッド９３が形成されている側とは反対側
の面に、パッド９３とバンプ８１とが平面的に重なるよ
うに位置合わせしながらＩＣチップ８を配置する。ここ
で、ＩＣチップ８の能動面８０には、バンプ８１が形成
されており、このバンプ８１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕなど
から形成されている。基材９１の厚さは、バンプ８１の
高さと同等、あるいはバンプ８１の高さより５μｍ程
度、わずか厚い方が好ましい。
【００３７】次に、ヘッド９０によってＩＣチップ８を
基材９１の溶融温度以上、かつ、バンプ８１の溶融温度
以下、例えば、１２０℃〜２００℃にまで加熱しなが
ら、ＩＣチップ８を回路基板９に向けて加圧する。
基材９１の溶融温度以上、かつ、バンプ８１の溶融温度
以下、例えば、１２０℃〜２００℃にまで加熱しなが
ら、ＩＣチップ８を回路基板９に向けて加圧する。
【００３８】その結果、図１に示すように、基材９１が
溶融するので、バンプ８１が基材９１にめり込んでい
き、バンプ８１とパッド９３との間で導電粒子６が潰れ
るので、それ以降、所定のタイミングで加熱、加圧を停
止する。
溶融するので、バンプ８１が基材９１にめり込んでい
き、バンプ８１とパッド９３との間で導電粒子６が潰れ
るので、それ以降、所定のタイミングで加熱、加圧を停
止する。
【００３９】しかる後、それまで溶融していた基材９１
が冷えると、ＩＣチップ８の能動面８０の全体が、溶
融、固化した基材９１によって回路基板９に接着固定さ
れる。また、バンプ８１は、基材９１内にめり込んだ状
態で、導電粒子６を介してパッド９３と電気的に接続し
た状態に固定される。
が冷えると、ＩＣチップ８の能動面８０の全体が、溶
融、固化した基材９１によって回路基板９に接着固定さ
れる。また、バンプ８１は、基材９１内にめり込んだ状
態で、導電粒子６を介してパッド９３と電気的に接続し
た状態に固定される。
【００４０】（本形態の効果）このように、本形態のＩ
Ｃモジュール３では、回路基板９の基材９１が熱硬化性
樹脂より安価な熱可塑性樹脂から形成されているため、
ＩＣチップ８の実装コストを低減することができる。
Ｃモジュール３では、回路基板９の基材９１が熱硬化性
樹脂より安価な熱可塑性樹脂から形成されているため、
ＩＣチップ８の実装コストを低減することができる。
【００４１】また、ＩＣチップ８は、基材９１（熱可塑
性樹脂）の溶融温度以上に加熱されながら回路基板９に
向けて加圧されるため、バンプ８１は、基材９１を貫通
して回路基板９のパッド９３に導電粒子６を介して接触
し、バンプ８１とパッド９３との電気的な接続が図られ
る。
性樹脂）の溶融温度以上に加熱されながら回路基板９に
向けて加圧されるため、バンプ８１は、基材９１を貫通
して回路基板９のパッド９３に導電粒子６を介して接触
し、バンプ８１とパッド９３との電気的な接続が図られ
る。
【００４２】さらに、バンプ８１は、溶融、固化した基
材９１（熱可塑性樹脂）で覆われることになるので、Ｉ
Ｃチップ８と回路基板９との間にアンダーフィル樹脂を
注入しなくてもバンプ８１を保護できる。従って、製造
工程を簡略化できるとともに、バンプ８１を狭ピッチ化
しても、樹脂がバンプ８１の周りにスムーズに入り込む
ので、アンダーフィル樹脂を用いた場合のようなボイド
の発生がない。それ故、ＩＣモジュール３の信頼性が高
い。
材９１（熱可塑性樹脂）で覆われることになるので、Ｉ
Ｃチップ８と回路基板９との間にアンダーフィル樹脂を
注入しなくてもバンプ８１を保護できる。従って、製造
工程を簡略化できるとともに、バンプ８１を狭ピッチ化
しても、樹脂がバンプ８１の周りにスムーズに入り込む
ので、アンダーフィル樹脂を用いた場合のようなボイド
の発生がない。それ故、ＩＣモジュール３の信頼性が高
い。
【００４３】しかも、バンプ８１は、基材９１内に埋も
れた状態で導電粒子６を介してパッド９３に電気的に接
続されているため、隣接するバンプ８１同士、あるいは
隣接するパッド９３同士が導電粒子６によって短絡する
ことがない。また、バンプ８１の高さばらつきやウエハ
の反りなどは、導電粒子６が加熱・加圧されて変形する
ことによって吸収されるので、バンプ８１とパッド９３
とに接続不良が発生しない。
れた状態で導電粒子６を介してパッド９３に電気的に接
続されているため、隣接するバンプ８１同士、あるいは
隣接するパッド９３同士が導電粒子６によって短絡する
ことがない。また、バンプ８１の高さばらつきやウエハ
の反りなどは、導電粒子６が加熱・加圧されて変形する
ことによって吸収されるので、バンプ８１とパッド９３
とに接続不良が発生しない。
【００４４】さらにまた、溶融、固化した基材９１（熱
可塑性樹脂）によってＩＣチップ８が回路基板９に接着
固定されるので、接着剤を用いなくても、ＩＣチップ８
を回路基板９上に固定することができる。
可塑性樹脂）によってＩＣチップ８が回路基板９に接着
固定されるので、接着剤を用いなくても、ＩＣチップ８
を回路基板９上に固定することができる。
【００４５】また、導電粒子６を介してバンプ８１とパ
ッド９３とを電気的に接続するので、国際公開番号ＷＯ
９７／１６８４８号に開示の構成と違って、バンプがは
んだでなければならないという制約がないので、バンプ
の狭ピッチ化が可能である。
ッド９３とを電気的に接続するので、国際公開番号ＷＯ
９７／１６８４８号に開示の構成と違って、バンプがは
んだでなければならないという制約がないので、バンプ
の狭ピッチ化が可能である。
【００４６】さらに本形態では、基材９１の厚さは、バ
ンプ８１の高さと同等、あるいはバンプ８１の高さより
わずかに厚いため、基材９１が溶融し、その後、固化し
た状態において、ＩＣチップ８と回路基板９との間を基
材９１によって確実に埋めることができる。従って、バ
ンプ８１を確実に保護することができ、かつ、ＩＣチッ
プ８を回路基板９上に確実に接着固定することができ
る。
ンプ８１の高さと同等、あるいはバンプ８１の高さより
わずかに厚いため、基材９１が溶融し、その後、固化し
た状態において、ＩＣチップ８と回路基板９との間を基
材９１によって確実に埋めることができる。従って、バ
ンプ８１を確実に保護することができ、かつ、ＩＣチッ
プ８を回路基板９上に確実に接着固定することができ
る。
【００４７】（その他の実施の形態）なお、上記形態で
は、導電粒子６として、樹脂粒子に金属がめっきされて
なるものを用いたが、金属粒子を用いてもよい。
は、導電粒子６として、樹脂粒子に金属がめっきされて
なるものを用いたが、金属粒子を用いてもよい。
【００４８】［液晶装置の構成］本発明に係る実装構
造、実装方法を採用したＩＣモジュール３の使用例とし
て、パッシブマトリクス型の液晶装置を説明する。
造、実装方法を採用したＩＣモジュール３の使用例とし
て、パッシブマトリクス型の液晶装置を説明する。
【００４９】図４および図５はそれぞれ、本発明を適用
した液晶装置の斜視図、および分解斜視図である。図６
は、本発明を適用した液晶装置を図４のＩ−Ｉ′線で切
断したときのＩ′側の端部の断面図である。なお、図４
および図５には、電極パターンおよび端子などを模式的
に示してあるだけであり、実際の液晶装置では、より多
数の電極パターンや端子が形成されている。
した液晶装置の斜視図、および分解斜視図である。図６
は、本発明を適用した液晶装置を図４のＩ−Ｉ′線で切
断したときのＩ′側の端部の断面図である。なお、図４
および図５には、電極パターンおよび端子などを模式的
に示してあるだけであり、実際の液晶装置では、より多
数の電極パターンや端子が形成されている。
【００５０】図４および図５において、本形態の液晶装
置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッ
シブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この液晶
装置１に用いたパネル１′において、所定の間隙を介し
てシール材３０によって貼り合わされた矩形の無アルカ
リガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどのガラス基板か
らなる一対の基板１０、２０間には、シール材３０によ
って液晶封入領域３５が区画されているとともに、この
液晶封入領域３５内に電気光学物質として液晶３６が封
入されている。シール材３０は、基板間に液晶３６を注
入するための注入口３２として一部が途切れているが、
この注入口３２は、基板間に液晶３６を注入した後、塗
布、硬化された封止材３１で塞がれている。
置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッ
シブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この液晶
装置１に用いたパネル１′において、所定の間隙を介し
てシール材３０によって貼り合わされた矩形の無アルカ
リガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどのガラス基板か
らなる一対の基板１０、２０間には、シール材３０によ
って液晶封入領域３５が区画されているとともに、この
液晶封入領域３５内に電気光学物質として液晶３６が封
入されている。シール材３０は、基板間に液晶３６を注
入するための注入口３２として一部が途切れているが、
この注入口３２は、基板間に液晶３６を注入した後、塗
布、硬化された封止材３１で塞がれている。
【００５１】ここに示す液晶装置１は透過型の例であ
り、第２の基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、
第１の基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られてい
る。また、第２の基板２０の外側にはバックライト装置
２が配置されている。
り、第２の基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、
第１の基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られてい
る。また、第２の基板２０の外側にはバックライト装置
２が配置されている。
【００５２】第１の基板１０は、図６に示すように、第
１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交
点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカ
ラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成されたカラーフ
ィルタ基板であり、これらのカラーフィルタ層７Ｒ、７
Ｇ、７Ｂの表面側には、第１の電極パターン４０および
配向膜１２がこの順に形成されている。また、各カラー
フィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの境界部分には、各カラー
フィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側に遮光膜１６が形
成されている。これに対して、第２の基板２０には、第
２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および
配向膜２２がこの順に形成されている。
１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交
点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカ
ラーフィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成されたカラーフ
ィルタ基板であり、これらのカラーフィルタ層７Ｒ、７
Ｇ、７Ｂの表面側には、第１の電極パターン４０および
配向膜１２がこの順に形成されている。また、各カラー
フィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの境界部分には、各カラー
フィルタ層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側に遮光膜１６が形
成されている。これに対して、第２の基板２０には、第
２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および
配向膜２２がこの順に形成されている。
【００５３】本形態の液晶装置１において、第１の電極
パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれ
も、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に
代表される透明導電膜によって形成されている。なお、
第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニ
ングされたアルミニウム等の膜を薄く形成すれば、半透
過・半反射型の液晶装置を構成できる。さらに、偏向板
６１に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・
半反射型の液晶装置１を構成できる。さらにまた、第２
の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反
射型の液晶装置を構成でき、この場合には、第２の基板
２０の裏面側からバックライト装置２を省略すればよ
い。
パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれ
も、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に
代表される透明導電膜によって形成されている。なお、
第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニ
ングされたアルミニウム等の膜を薄く形成すれば、半透
過・半反射型の液晶装置を構成できる。さらに、偏向板
６１に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・
半反射型の液晶装置１を構成できる。さらにまた、第２
の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反
射型の液晶装置を構成でき、この場合には、第２の基板
２０の裏面側からバックライト装置２を省略すればよ
い。
【００５４】再び図４および図５において、本形態の液
晶装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通
のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板
２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近
に形成されている第１の端子形成領域１１および第２の
端子形成領域２１が用いられる。
晶装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通
のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板
２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近
に形成されている第１の端子形成領域１１および第２の
端子形成領域２１が用いられる。
【００５５】従って、第２の基板２０としては、第１の
基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の基板１０
と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１
０の基板辺１０１から第２の基板２０が張り出す部分２
５を利用して、図４に示すように、フレキシブル基板か
らなる回路基板９に、駆動用ＩＣとしてのＩＣチップ８
を実装したＩＣモジュール３が接続されている。このよ
うな液晶装置のＩＣモジュールではバンプピッチ６０μ
ｍ以下が要求され、はんだ接合では対応できない。
基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の基板１０
と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１
０の基板辺１０１から第２の基板２０が張り出す部分２
５を利用して、図４に示すように、フレキシブル基板か
らなる回路基板９に、駆動用ＩＣとしてのＩＣチップ８
を実装したＩＣモジュール３が接続されている。このよ
うな液晶装置のＩＣモジュールではバンプピッチ６０μ
ｍ以下が要求され、はんだ接合では対応できない。
【００５６】このようなＩＣモジュール３として、本発
明を適用したものを用いることができる。ここで、実施
の形態で説明したＩＣモジュール３では、バンプの狭ピ
ッチ化が可能であるため、液晶装置１のように、多数の
信号線の各々に信号を出力するような装置に用いるのに
適している。
明を適用したものを用いることができる。ここで、実施
の形態で説明したＩＣモジュール３では、バンプの狭ピ
ッチ化が可能であるため、液晶装置１のように、多数の
信号線の各々に信号を出力するような装置に用いるのに
適している。
【００５７】［その他の使用例］なお、本発明を適用し
たＩＣモジュールは、液晶装置の他、ＩＣカードなどに
使用することもできる。
たＩＣモジュールは、液晶装置の他、ＩＣカードなどに
使用することもできる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、回路
基板の基材が熱硬化性樹脂より安価な熱可塑性樹脂から
形成されているため、電子部品の実装コストを低減する
ことができる。また、バンプは、溶融した基材を貫通し
て、固化した基材で覆われた状態になるので、ＩＣチッ
プと回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注入しなく
てもバンプを保護できる。さらに、バンプは、基材内に
埋もれた状態で導電粒子を介してパッドに電気的に接続
されているため、隣接するバンプ同士、あるいは隣接す
るパッド同士が導電粒子によって短絡することがない。
しかも、バンプの高さばらつきやウエハの反りなどは、
導電粒子が加熱・加圧されて変形することによって吸収
されるので、バンプとパッドとに接続不良が発生しな
い。また、バンプがはんだでなければならないという制
約がないので、バンプの狭ピッチ化が可能である。ま
た、加熱時に基材が溶融し、その後、固化した基材によ
って電子部品が回路基板に接着されるので、接着剤を用
いなくても、電子部品を回路基板上に固定することがで
きる。
基板の基材が熱硬化性樹脂より安価な熱可塑性樹脂から
形成されているため、電子部品の実装コストを低減する
ことができる。また、バンプは、溶融した基材を貫通し
て、固化した基材で覆われた状態になるので、ＩＣチッ
プと回路基板との間にアンダーフィル樹脂を注入しなく
てもバンプを保護できる。さらに、バンプは、基材内に
埋もれた状態で導電粒子を介してパッドに電気的に接続
されているため、隣接するバンプ同士、あるいは隣接す
るパッド同士が導電粒子によって短絡することがない。
しかも、バンプの高さばらつきやウエハの反りなどは、
導電粒子が加熱・加圧されて変形することによって吸収
されるので、バンプとパッドとに接続不良が発生しな
い。また、バンプがはんだでなければならないという制
約がないので、バンプの狭ピッチ化が可能である。ま
た、加熱時に基材が溶融し、その後、固化した基材によ
って電子部品が回路基板に接着されるので、接着剤を用
いなくても、電子部品を回路基板上に固定することがで
きる。
【図１】本発明を適用した電子部品の実装構造、および
実装構造を採用したＩＣモジュールの説明図である。
実装構造を採用したＩＣモジュールの説明図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明を適用した電子部品
の実装方法を示す説明図である。
の実装方法を示す説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した電子部品
の実装方法を示す説明図である。
の実装方法を示す説明図である。
【図４】図１に示すＩＣモジュールを備えた液晶晶装置
の斜視図である。
の斜視図である。
【図５】図４に示す液晶装置の分解斜視図である。
【図６】図４に示す液晶装置をＩ−Ｉ′線で切断したと
きのＩ′側の端部の断面図である。
きのＩ′側の端部の断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、従来のＩ
Ｃモジュールの実装構造を示す説明図である。
Ｃモジュールの実装構造を示す説明図である。
１ 液晶装置
３ ＩＣモジュール（電子部品モジュール）
６ 導電粒子
６′ 不要導電粒子
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ カラーフィルタ層
８ ＩＣチップ（電子部品）
９ 回路基板
１０ 第１の基板
２０ 第２の基板
３６ 液晶
４０ 第１の電極パターン
５０ 第２の電極パターン
８１ バンプ
９１ 基材
９３ パッド
９４ 穴
Claims (16)
- 【請求項１】 熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも
片面に電子部品実装用のパッドを備えた回路基板と、該
回路基板において前記パッドが形成されている側とは反
対側の面に実装される電子部品とを有し、前記基材を貫
通して前記電子部品のバンプが前記パッドに電気的に接
続した電子部品の実装構造において、 前記バンプは、前記基材内に埋もれた状態で導電粒子を
介して前記パッドに電気的に接続されていることを特徴
とする電子部品の実装構造。 - 【請求項２】 請求項１において、前記電子部品は、前
記バンプが形成されている側の面が前記基材を介して前
記回路基板に接着された状態にあることを特徴とする電
子部品の実装構造。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記導電粒
子は、樹脂粒子に金属がめっきされてなることを特徴と
する電子部品の実装構造。 - 【請求項４】 請求項１または２において、前記導電粒
子は、金属粒子からなることを特徴とする電子部品の実
装構造。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記基材の厚さは、前記バンプの高さと同等、あるいは
前記バンプの高さよりわずかに厚いことを特徴とする電
子部品の実装構造。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記電子部品は、半導体チップであることを特徴とする
電子部品の実装構造。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに規定する
実装構造を備えていることを特徴とする電子部品モジュ
ール。 - 【請求項８】 熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも
片面に電子部品実装用のパッドを備え、当該パッドと平
面的に重なる位置には前記基材を貫通する穴が形成され
た回路基板に対して、前記パッドが形成されている側と
は反対の面側から前記穴内に導電粒子を配置する導電粒
子配置工程と、 前記回路基板において前記パッドが形成されている側と
は反対側の面に対して前記穴にバンプが平面的に重なる
ように電子部品を配置した状態で、当該電子部品を前記
基材の溶融温度以上にまで加熱しながら前記回路基板に
向けて加圧する加熱加圧工程とを有することを特徴とす
る電子部品の実装方法。 - 【請求項９】 請求項８において、前記穴は、前記バン
プよりも小さいことを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項１０】 請求項８または９において、前記導電
粒子配置工程では、前記回路基板において前記パッドが
形成されている側とは反対の面側に対して前記導電粒子
を散布する散布工程と、前記穴の外に散布された不要導
電粒子を前記回路基板から除去する不要導電粒子除去工
程とを行うことを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において、前記散布工程で
は、前記導電粒子を溶媒に分散させた状態で散布し、前
記不要導電粒子除去工程では、前記溶媒および前記不要
導電粒子を前記回路基板から除去することを特徴とする
電子部品の実装方法。 - 【請求項１２】 請求項１１において、前記溶媒は、有
機溶剤であることを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項１３】 請求項８ないし１２のいずれかにおい
て、前記導電粒子は、樹脂粒子に金属がめっきされてな
ることを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項１４】 請求項８ないし１２のいずれかにおい
て、前記導電粒子は、金属粒子からなることを特徴とす
る電子部品の実装方法。 - 【請求項１５】 請求項８ないし１４のいずれかにおい
て、前記基材の厚さは、前記バンプの高さと同等、ある
いは前記バンプの高さよりわずかに厚いことを特徴とす
る電子部品の実装方法。 - 【請求項１６】 請求項８ないし１５のいずれかにおい
て、前記電子部品は、半導体チップであることを特徴と
する電子部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002130835A JP2003324126A (ja) | 2002-05-02 | 2002-05-02 | 電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002130835A JP2003324126A (ja) | 2002-05-02 | 2002-05-02 | 電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003324126A true JP2003324126A (ja) | 2003-11-14 |
Family
ID=29543742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002130835A Withdrawn JP2003324126A (ja) | 2002-05-02 | 2002-05-02 | 電子部品の実装構造、電子部品モジュール、および電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003324126A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100665288B1 (ko) | 2005-11-15 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 패키지 제조방법 |
| US7278564B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-10-09 | Seiko Epson Corporation | Method of mounting electronic component, structure for mounting electronic component, electronic component module, and electronic apparatus |
| US7422974B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-09-09 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electronic component mounting body, electronic component mounting body, and electro-optical device |
| US8728873B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-05-20 | Infineon Technologies Ag | Methods for filling a contact hole in a chip package arrangement and chip package arrangements |
-
2002
- 2002-05-02 JP JP2002130835A patent/JP2003324126A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7422974B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-09-09 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electronic component mounting body, electronic component mounting body, and electro-optical device |
| KR100665288B1 (ko) | 2005-11-15 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 패키지 제조방법 |
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