JP2003315775A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/02—Materials and properties organic material
- G02F2202/022—Materials and properties organic material polymeric
- G02F2202/023—Materials and properties organic material polymeric curable
- G02F2202/025—Materials and properties organic material polymeric curable thermocurable
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間の保管をしても、あるいは使用時の外
力印加によっても成膜した各種の薄膜、特に平滑層の有
機材料膜からの気泡の発生を防止する。 【解決手段】 内面に有機材料の薄膜（平滑層ＯＣ、上
下配向膜ＯＲＩ２，１）及び酸化物導電膜の薄膜（ＩＴ
Ｏ１、ＩＴＯ２）を形成した一対の基板ＳＵＢ１，ＳＵ
Ｂ２の対向間隙に液晶ＬＣを封入し、その周縁をシール
材ＳＬで接着して構成した液晶表示装置で、前記有機材
料の薄膜（平滑層ＯＣ、上下配向膜ＯＲＩ２，１）の熱
分解温度が、前記酸化物導電膜の薄膜（ＩＴＯ１、ＩＴ
Ｏ２）の形成温度以上で、かつ前記有機材料の薄膜の熱
変形温度が前記酸化物導電膜の薄膜の形成温度以下であ
る有機材料の薄膜を用いた。
力印加によっても成膜した各種の薄膜、特に平滑層の有
機材料膜からの気泡の発生を防止する。 【解決手段】 内面に有機材料の薄膜（平滑層ＯＣ、上
下配向膜ＯＲＩ２，１）及び酸化物導電膜の薄膜（ＩＴ
Ｏ１、ＩＴＯ２）を形成した一対の基板ＳＵＢ１，ＳＵ
Ｂ２の対向間隙に液晶ＬＣを封入し、その周縁をシール
材ＳＬで接着して構成した液晶表示装置で、前記有機材
料の薄膜（平滑層ＯＣ、上下配向膜ＯＲＩ２，１）の熱
分解温度が、前記酸化物導電膜の薄膜（ＩＴＯ１、ＩＴ
Ｏ２）の形成温度以上で、かつ前記有機材料の薄膜の熱
変形温度が前記酸化物導電膜の薄膜の形成温度以下であ
る有機材料の薄膜を用いた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に基板の内面に形成した各種の有機材料の薄膜か
らのガス発生を抑制して表示不良を防止した液晶表示装
置及びその製造方法に関する。
り、特に基板の内面に形成した各種の有機材料の薄膜か
らのガス発生を抑制して表示不良を防止した液晶表示装
置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコンやワープロ、その他の情報機器
のための表示デバイスとして、近年、液晶表示素子を用
いた薄型、軽量かつ低消費電力の表示装置が多用される
ようになった。液晶表示素子は、基本的には水平と垂直
に配列された多数の電極で形成されるマトリクスと上記
水平と垂直の電極の間に液晶層を有し、２つの電極の対
向部分に画素を構成して２次元画像を表示するものであ
る。
のための表示デバイスとして、近年、液晶表示素子を用
いた薄型、軽量かつ低消費電力の表示装置が多用される
ようになった。液晶表示素子は、基本的には水平と垂直
に配列された多数の電極で形成されるマトリクスと上記
水平と垂直の電極の間に液晶層を有し、２つの電極の対
向部分に画素を構成して２次元画像を表示するものであ
る。
【０００３】この種の液晶表示素子には、水平と垂直の
電極に印加するパルスのタイミングで所定の画素を選択
する所謂単純マトリクス方式と、垂直と水平の電極の交
点に構成する画素毎にトランジスタ等の非線型素子を配
置して所定の画素を選択する所謂アクティブ・マトリク
ス方式とがある。
電極に印加するパルスのタイミングで所定の画素を選択
する所謂単純マトリクス方式と、垂直と水平の電極の交
点に構成する画素毎にトランジスタ等の非線型素子を配
置して所定の画素を選択する所謂アクティブ・マトリク
ス方式とがある。
【０００４】例えば、アクティブ・マトリクス方式の液
晶表示素子を用いた液晶表示装置は、マトリクス状に配
列された複数の画素電極のそれぞれに対応して非線形素
子（スイッチング素子）を設けたものである。各画素に
おける液晶は理論的には常時駆動（デューティ比１．
０）されているので、時分割駆動方式を採用している所
謂単純マトリクス方式と比べてアクティブ・マトリクス
方式はコントラストが良く、特にカラー液晶表示装置で
は欠かせない技術となりつつある。スイッチング素子と
して代表的なものとしては薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
がある。
晶表示素子を用いた液晶表示装置は、マトリクス状に配
列された複数の画素電極のそれぞれに対応して非線形素
子（スイッチング素子）を設けたものである。各画素に
おける液晶は理論的には常時駆動（デューティ比１．
０）されているので、時分割駆動方式を採用している所
謂単純マトリクス方式と比べてアクティブ・マトリクス
方式はコントラストが良く、特にカラー液晶表示装置で
は欠かせない技術となりつつある。スイッチング素子と
して代表的なものとしては薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
がある。
【０００５】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した１
２．５型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディス
プレイ」( 日経エレクトロニクス、１９３〜２１０頁、
１９８６年１２月１５日、日経マグロウヒル社発行）で
知られている。
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した１
２．５型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディス
プレイ」( 日経エレクトロニクス、１９３〜２１０頁、
１９８６年１２月１５日、日経マグロウヒル社発行）で
知られている。
【０００６】又、この種のカラー液晶表示装置では、液
晶層を挟持する一方の基板（カラーフィルタ基板、以下
対向基板と称する）に複数（一般に、赤、緑、青）のカ
ラーフィルタを備えている。一般に、カラーフィルタは
有機材料に染料や顔料などの有機着色材を混入したもの
を塗布し、フォトリソグラフィ技法を用いたパターニン
グを３色フィルタのそれぞれ毎に繰り返して形成され
る。なお、カラーフィルタの形成前あるいは後に各色を
隔てる遮光膜すなわちブラックマトリクスを同様の手法
で形成する。
晶層を挟持する一方の基板（カラーフィルタ基板、以下
対向基板と称する）に複数（一般に、赤、緑、青）のカ
ラーフィルタを備えている。一般に、カラーフィルタは
有機材料に染料や顔料などの有機着色材を混入したもの
を塗布し、フォトリソグラフィ技法を用いたパターニン
グを３色フィルタのそれぞれ毎に繰り返して形成され
る。なお、カラーフィルタの形成前あるいは後に各色を
隔てる遮光膜すなわちブラックマトリクスを同様の手法
で形成する。
【０００７】更に、一対の基板の対向面の間隙すなわち
セルギャップを均一化するためにカラーフィルタ基板の
内面を平滑化するためにカラーフィルタを覆って例えば
特開平５−１４０２６７号公報に開示されている様な有
機材料の平滑層（保護膜：オーバーコート層）を形成し
ている。
セルギャップを均一化するためにカラーフィルタ基板の
内面を平滑化するためにカラーフィルタを覆って例えば
特開平５−１４０２６７号公報に開示されている様な有
機材料の平滑層（保護膜：オーバーコート層）を形成し
ている。
【０００８】このような有機材料の薄膜類を形成したカ
ラーフィルタ基板を使用して他方の基板（アクティブマ
トリクス基板、以下電極基板と称する）と貼り合わせて
構成した液晶表示装置では、衝撃を与えると気泡が発生
することがあった。
ラーフィルタ基板を使用して他方の基板（アクティブマ
トリクス基板、以下電極基板と称する）と貼り合わせて
構成した液晶表示装置では、衝撃を与えると気泡が発生
することがあった。
【０００９】この対策として従来は、特開平８−２３４
１８８号公報に開示されているように、カラーフィルタ
基板あるいはアクティブマトリクス基板と貼り合わせて
液晶を注入前の状態の所謂空セルをベーキングする方
法、主として水和水に代表される吸着ガス抜き処理で漠
然と対応していた。
１８８号公報に開示されているように、カラーフィルタ
基板あるいはアクティブマトリクス基板と貼り合わせて
液晶を注入前の状態の所謂空セルをベーキングする方
法、主として水和水に代表される吸着ガス抜き処理で漠
然と対応していた。
【００１０】又、特開２０００−１７１７８５号公報に
は、液晶表示装置の有機材料の薄膜を昇温脱離発生ガス
発生装置で二酸化炭素の検出イオン強度の室温から２５
０゜Ｃまでの積算量が７００００以下にすることによ
り、液晶表示装置の表示面に衝撃が加わった時の気泡発
生を抑制する発明が開示されている。
は、液晶表示装置の有機材料の薄膜を昇温脱離発生ガス
発生装置で二酸化炭素の検出イオン強度の室温から２５
０゜Ｃまでの積算量が７００００以下にすることによ
り、液晶表示装置の表示面に衝撃が加わった時の気泡発
生を抑制する発明が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】通常、カラーフィルタ
を形成した対向基板を用いた液晶表示装置では、対向基
板が電極基板と異なり基板構成要素の大部分が有機系の
材料であるために、それ自身がガス発生ポテンシャルを
持ち、あるいは外部要因によるダメージにより分解性ガ
スが発生するため、常温常圧下で保管あるいは使用する
ことにより、ガスが液晶内に溶け込むことが確認されて
いる。
を形成した対向基板を用いた液晶表示装置では、対向基
板が電極基板と異なり基板構成要素の大部分が有機系の
材料であるために、それ自身がガス発生ポテンシャルを
持ち、あるいは外部要因によるダメージにより分解性ガ
スが発生するため、常温常圧下で保管あるいは使用する
ことにより、ガスが液晶内に溶け込むことが確認されて
いる。
【００１２】このようにして液晶内に溶け込んだガスが
飽和状態に達した場合、一般には外力により変形し易い
薄いガラス基板からなる対向基板のような可撓性の高い
基板で構成される液晶表示装置の特性から、例えば指で
押されたり、落下等により、表示面に衝撃が加わったと
き、液晶表示装置内に気泡が発生して表示不良となるこ
とがある。
飽和状態に達した場合、一般には外力により変形し易い
薄いガラス基板からなる対向基板のような可撓性の高い
基板で構成される液晶表示装置の特性から、例えば指で
押されたり、落下等により、表示面に衝撃が加わったと
き、液晶表示装置内に気泡が発生して表示不良となるこ
とがある。
【００１３】更に、ガスが液晶内に溶け込むことにより
液晶自体の特性、例えば液晶比抵抗値が劣下し、表示不
良の原因となることがある。
液晶自体の特性、例えば液晶比抵抗値が劣下し、表示不
良の原因となることがある。
【００１４】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消することにあり、長時間の保管をしても、あるいは使
用時の外力印加によっても成膜した各種の薄膜、特に平
滑層等の有機材料膜からの気泡の発生を防止して高い信
頼性を有する液晶表示装置を提供することにある。
消することにあり、長時間の保管をしても、あるいは使
用時の外力印加によっても成膜した各種の薄膜、特に平
滑層等の有機材料膜からの気泡の発生を防止して高い信
頼性を有する液晶表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、平滑層などの有機薄膜を有し、内面の最
上層に液晶を構成する液晶分子を配向させるための配向
膜を形成した一対の基板を一定の間隙で対向させ、その
周囲をシール材で接着し、当該間隙に液晶を封入してな
る液晶表示装置で、前記有機薄膜の特性及び酸化物導電
膜の薄膜の形成温度を特定した点に特徴を有する。
に、本発明は、平滑層などの有機薄膜を有し、内面の最
上層に液晶を構成する液晶分子を配向させるための配向
膜を形成した一対の基板を一定の間隙で対向させ、その
周囲をシール材で接着し、当該間隙に液晶を封入してな
る液晶表示装置で、前記有機薄膜の特性及び酸化物導電
膜の薄膜の形成温度を特定した点に特徴を有する。
【００１６】本発明の代表的な構成は、下記の（１）〜
（６）に記載したとおりである。すなわち、 （１）、内面に有機材料の薄膜及びこの有機材料の薄膜
の少なくとも一部を覆って形成された酸化物導電膜の薄
膜とを有する基板を持ち、この基板と対向する他の基板
間に液晶を封入し、その周縁をシール材で接着して構成
した液晶表示装置であって、前記有機材料の薄膜の熱分
解温度が、前記酸化物導電膜の薄膜の形成温度以上で、
かつ前記有機材料の薄膜の熱変形温度が前記酸化物導電
膜の薄膜の形成温度以下あることを特徴とする。
（６）に記載したとおりである。すなわち、 （１）、内面に有機材料の薄膜及びこの有機材料の薄膜
の少なくとも一部を覆って形成された酸化物導電膜の薄
膜とを有する基板を持ち、この基板と対向する他の基板
間に液晶を封入し、その周縁をシール材で接着して構成
した液晶表示装置であって、前記有機材料の薄膜の熱分
解温度が、前記酸化物導電膜の薄膜の形成温度以上で、
かつ前記有機材料の薄膜の熱変形温度が前記酸化物導電
膜の薄膜の形成温度以下あることを特徴とする。
【００１７】（２）、前記（１）で、前記有機材料の薄
膜の熱分解温度が２２０゜Ｃ以上であることを特徴とす
る。
膜の熱分解温度が２２０゜Ｃ以上であることを特徴とす
る。
【００１８】（３）、前記（１）又は（２）で、前記有
機材料の薄膜の熱変形温度が２００゜Ｃ以上であること
を特徴とする。
機材料の薄膜の熱変形温度が２００゜Ｃ以上であること
を特徴とする。
【００１９】（４）、前記（１）乃至（３）の何れか
で、前記有機材料はエポキシ樹脂であることを特徴とす
る。
で、前記有機材料はエポキシ樹脂であることを特徴とす
る。
【００２０】（５）、前記（１）乃至（４）の何れか
で、前記液晶の液晶比抵抗の保持率が未使用液晶、すな
わちバ−ジン液晶の液晶比抵抗の１０％以上であること
を特徴とする。
で、前記液晶の液晶比抵抗の保持率が未使用液晶、すな
わちバ−ジン液晶の液晶比抵抗の１０％以上であること
を特徴とする。
【００２１】（６）、内面に有機材料の薄膜及びこの有
機材料の薄膜の少なくとも一部を覆って形成された酸化
物導電膜の薄膜とを有する基板を持ち、この基板と対向
する他の基板間に液晶を封入し、その周縁をシール材で
接着して構成した液晶表示装置の製造であって、前記酸
化物導電膜の薄膜の形成を、前記有機材料の薄膜の熱分
解温度以下で、かつ熱変形温度以上で行うことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
機材料の薄膜の少なくとも一部を覆って形成された酸化
物導電膜の薄膜とを有する基板を持ち、この基板と対向
する他の基板間に液晶を封入し、その周縁をシール材で
接着して構成した液晶表示装置の製造であって、前記酸
化物導電膜の薄膜の形成を、前記有機材料の薄膜の熱分
解温度以下で、かつ熱変形温度以上で行うことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
【００２２】（７）前記（６）において、前記有機材料
の薄膜の形成を２００゜Ｃ以上、２２０゜Ｃ以下で行う
ことを特徴とする。
の薄膜の形成を２００゜Ｃ以上、２２０゜Ｃ以下で行う
ことを特徴とする。
【００２３】（８）、前記（６）または（７）におい
て、有機材料にエポキシ樹脂を用いることを特徴とす
る。
て、有機材料にエポキシ樹脂を用いることを特徴とす
る。
【００２４】上記基板を用いることにより、有機材料膜
からの気泡の発生が防止され、更に保管中、あるいは使
用中に液晶表示装置の内部にガス（気泡）が発生するこ
とが抑制され、高品質かつ高信頼性の液晶表示装置が得
られる。
からの気泡の発生が防止され、更に保管中、あるいは使
用中に液晶表示装置の内部にガス（気泡）が発生するこ
とが抑制され、高品質かつ高信頼性の液晶表示装置が得
られる。
【００２５】また、上記酸化物導電膜の薄膜の形成を、
前記有機材料の薄膜の熱分解温度以下で、かつ熱変形温
度以上で行うことにより、保管中、あるいは使用中に液
晶表示装置の内部にガス（気泡）が発生することが抑制
され、高品質かつ高信頼性の液晶表示装置を製造するこ
とができる。
前記有機材料の薄膜の熱分解温度以下で、かつ熱変形温
度以上で行うことにより、保管中、あるいは使用中に液
晶表示装置の内部にガス（気泡）が発生することが抑制
され、高品質かつ高信頼性の液晶表示装置を製造するこ
とができる。
【００２６】なお、本発明は、上記の構成に限定される
ものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変更
が可能である。
ものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変更
が可能である。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本
発明による液晶表示装置の一実施例の構成を説明する要
部断面図である。ここで、ＳＵＢ１は第１の基板（以
下、電極基板）、ＳＵＢ２は第２の基板（以下、対向基
板）である。電極基板ＳＵＢ１は通常の薄膜トランジス
タＴＦＴが形成されている。すなわち、薄膜トランジス
タＴＦＴはアモルファスシリコン層ＡＳを挟んでゲート
電極ＧＴとドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２
を有し、電極基板ＳＵＢ１の内面には薄膜トランジスタ
ＴＦＴを覆って絶縁膜ＰＳＶが成膜され、この上に一端
をソース電極ＳＤ２に接続した画素電極ＩＴＯ１が形成
され、さらにその上に下配向膜ＯＲＩ１が成膜されてい
る。
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本
発明による液晶表示装置の一実施例の構成を説明する要
部断面図である。ここで、ＳＵＢ１は第１の基板（以
下、電極基板）、ＳＵＢ２は第２の基板（以下、対向基
板）である。電極基板ＳＵＢ１は通常の薄膜トランジス
タＴＦＴが形成されている。すなわち、薄膜トランジス
タＴＦＴはアモルファスシリコン層ＡＳを挟んでゲート
電極ＧＴとドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２
を有し、電極基板ＳＵＢ１の内面には薄膜トランジスタ
ＴＦＴを覆って絶縁膜ＰＳＶが成膜され、この上に一端
をソース電極ＳＤ２に接続した画素電極ＩＴＯ１が形成
され、さらにその上に下配向膜ＯＲＩ１が成膜されてい
る。
【００２８】一方、対向基板ＳＵＢ２の内面には、ブラ
ックマトリクスＢＭで区画された下フィルタＦＩＬ（こ
こでは、緑フィルタＦＩＬ（Ｇ）及び赤フィルタＦＩＬ
（Ｒ）のみを示してある）が形成され、その上に平滑層
（保護膜）ＯＣが形成されている。この平滑層ＯＣを覆
って共通電極ＩＴＯ２が成膜され、最上層に上配向膜Ｏ
ＲＩ２が形成されている。
ックマトリクスＢＭで区画された下フィルタＦＩＬ（こ
こでは、緑フィルタＦＩＬ（Ｇ）及び赤フィルタＦＩＬ
（Ｒ）のみを示してある）が形成され、その上に平滑層
（保護膜）ＯＣが形成されている。この平滑層ＯＣを覆
って共通電極ＩＴＯ２が成膜され、最上層に上配向膜Ｏ
ＲＩ２が形成されている。
【００２９】上記平滑層ＯＣは主剤として多環式エポキ
シ樹脂（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉ
ｎ）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ｂｉｓｐｈｅ
ｎｏｌ Ａ−ｔｙｐｅ ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）を用
い、これにフェノール類（ｐｈｅｎｏｌｓ）、イミダゾ
ール化合物（ｉｍｉｄａｚｏｌｒ ｃｏｍｐｏｕｎｄ
ｓ）等を添加した有機系樹脂のエポキシ樹脂の薄膜から
形成されている。この有機系樹脂のエポキシ樹脂はその
熱分解温度が２７０°Ｃの特性を備えており、この熱分
解温度は前記共通電極ＩＴＯ２を構成する酸化物導電膜
の薄膜の形成温度以上の特性となっている。
シ樹脂（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉ
ｎ）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ｂｉｓｐｈｅ
ｎｏｌ Ａ−ｔｙｐｅ ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）を用
い、これにフェノール類（ｐｈｅｎｏｌｓ）、イミダゾ
ール化合物（ｉｍｉｄａｚｏｌｒ ｃｏｍｐｏｕｎｄ
ｓ）等を添加した有機系樹脂のエポキシ樹脂の薄膜から
形成されている。この有機系樹脂のエポキシ樹脂はその
熱分解温度が２７０°Ｃの特性を備えており、この熱分
解温度は前記共通電極ＩＴＯ２を構成する酸化物導電膜
の薄膜の形成温度以上の特性となっている。
【００３０】又、このエポキシ樹脂の熱変形温度は２２
０°Ｃで、この実施例ではこの熱変形温度は前記共通電
極ＩＴＯ２の形成温度と同一のものである。
０°Ｃで、この実施例ではこの熱変形温度は前記共通電
極ＩＴＯ２の形成温度と同一のものである。
【００３１】ここで、前記平滑層ＯＣ材料としては、前
記エポキシ樹脂の他に例えばアクリル樹脂（ａｃｒｙ
ｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等が使用で
き、これらの使用により発ガス量が低く抑えられてい
る。
記エポキシ樹脂の他に例えばアクリル樹脂（ａｃｒｙ
ｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等が使用で
き、これらの使用により発ガス量が低く抑えられてい
る。
【００３２】この様な構成から成るこれら一対の基板Ｓ
ＵＢ１とＳＵＢ２はスペーサＳＰを介在させて所定の間
隙で貼り合わせ、その間隙に液晶ＬＣを封入してある。
なお、一対の基板の各表面には偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ
２がそれぞれ積層されて液晶表示装置を構成している。
ＵＢ１とＳＵＢ２はスペーサＳＰを介在させて所定の間
隙で貼り合わせ、その間隙に液晶ＬＣを封入してある。
なお、一対の基板の各表面には偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ
２がそれぞれ積層されて液晶表示装置を構成している。
【００３３】この様な構成からなる本発明の液晶表示装
置において、前記対向基板ＳＵＢ２側の発生ガスポテン
シャルは、前述した特開２０００−１７１７８５号公報
に開示されている電子科学株式会社製の「ＥＭＤ−ＷＡ
１０００型」（商品名）高精度昇温離脱ガス分析装置を
用いて測定を行った。
置において、前記対向基板ＳＵＢ２側の発生ガスポテン
シャルは、前述した特開２０００−１７１７８５号公報
に開示されている電子科学株式会社製の「ＥＭＤ−ＷＡ
１０００型」（商品名）高精度昇温離脱ガス分析装置を
用いて測定を行った。
【００３４】先ず、質量分析計ＭＳの測定条件として
は、エミッション電流を５０μＡ，２次電子増倍管の電
圧を２ｋＶとして、ｍ／ｅ＝２，１８，２８，４４の４
チャンネルを約２秒間隔で測定するマスフラグメント法
で測定した。質量分析計ＭＳのその他の条件調整は当該
装置添付の説明書に従い実施した。なお、ｍ／ｅ＝２は
水素（Ｈ2 ）、１８は水（Ｈ2 Ｏ）、２８は一酸化炭素
（ＣＯ）、４４は二酸化炭素（ＣＯ2 ）の各質量であ
る。
は、エミッション電流を５０μＡ，２次電子増倍管の電
圧を２ｋＶとして、ｍ／ｅ＝２，１８，２８，４４の４
チャンネルを約２秒間隔で測定するマスフラグメント法
で測定した。質量分析計ＭＳのその他の条件調整は当該
装置添付の説明書に従い実施した。なお、ｍ／ｅ＝２は
水素（Ｈ2 ）、１８は水（Ｈ2 Ｏ）、２８は一酸化炭素
（ＣＯ）、４４は二酸化炭素（ＣＯ2 ）の各質量であ
る。
【００３５】ここで、試料の対向基板ＳＵＢ２は、１０
ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断してチャンバーＣＨ内の
石英ロッドＲＯＤ上に配置した。
ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断してチャンバーＣＨ内の
石英ロッドＲＯＤ上に配置した。
【００３６】質量分析は、加熱チャンバーＣＨ内を１×
１０-6Ｐａ．以下の真空度に達した後に、約１０°Ｃ／
分の昇温速度で室温から２５０°Ｃまで昇温させ、ｍ／
ｅ＝４４（ＣＯ2 ）のイオンピークと加熱チャンバーＣ
Ｈの内圧を測定した。その結果、上記のイオンピークに
関しては、その積算値は２５０００であった。
１０-6Ｐａ．以下の真空度に達した後に、約１０°Ｃ／
分の昇温速度で室温から２５０°Ｃまで昇温させ、ｍ／
ｅ＝４４（ＣＯ2 ）のイオンピークと加熱チャンバーＣ
Ｈの内圧を測定した。その結果、上記のイオンピークに
関しては、その積算値は２５０００であった。
【００３７】又、上記した図１に示す液晶表示装置を５
０°Ｃで３０日間保温した後に、常温常圧下で直径約１
ｃｍの硬球を２ｋｇ×３秒間押圧して液晶表示装置内に
約１ｍｍの気泡核を作り、その消滅時間を測定する衝撃
気泡試験を行った。なお、衝撃気泡試験は前述した特開
２０００−１７１７８５号公報に開示されている装置と
方法で行った。
０°Ｃで３０日間保温した後に、常温常圧下で直径約１
ｃｍの硬球を２ｋｇ×３秒間押圧して液晶表示装置内に
約１ｍｍの気泡核を作り、その消滅時間を測定する衝撃
気泡試験を行った。なお、衝撃気泡試験は前述した特開
２０００−１７１７８５号公報に開示されている装置と
方法で行った。
【００３８】その結果、硬球で押圧された部分に小さな
気泡が発生したが、押圧を解除して５分後に気泡は消失
した。更に、前記図１に示す液晶表示装置ＬＣＤの対向
基板（カラーフィルタ基板）ＳＵＢ２の平滑層ＯＣを５
０ｍｇ削り取り、これをシアノ系液晶３ｇとサンプル瓶
中で混合し、１００°Ｃ、７２時間エ−ジングした後、
液晶比抵抗を測定した。
気泡が発生したが、押圧を解除して５分後に気泡は消失
した。更に、前記図１に示す液晶表示装置ＬＣＤの対向
基板（カラーフィルタ基板）ＳＵＢ２の平滑層ＯＣを５
０ｍｇ削り取り、これをシアノ系液晶３ｇとサンプル瓶
中で混合し、１００°Ｃ、７２時間エ−ジングした後、
液晶比抵抗を測定した。
【００３９】その結果、未処理液晶、すなわちバ−ジン
液晶の液晶比抵抗に対する保持率は１２％であり、平滑
層ＯＣの影響が軽微で有ることが確認できた。ここで、
前記液晶比抵抗としては、バ−ジン液晶の液晶比抵抗に
対する保持率が１０％未満では応答性の低下や表示むら
の発生の恐れがあって実用上問題となり、回避が望まし
い。
液晶の液晶比抵抗に対する保持率は１２％であり、平滑
層ＯＣの影響が軽微で有ることが確認できた。ここで、
前記液晶比抵抗としては、バ−ジン液晶の液晶比抵抗に
対する保持率が１０％未満では応答性の低下や表示むら
の発生の恐れがあって実用上問題となり、回避が望まし
い。
【００４０】一方、前記平滑層ＯＣ材として前述した特
開平５−１４０２６７号公報に開示されたエポキシ樹脂
を主剤とし、これに硬化促進剤として四国化成製の２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ（商品名）を１重量部添加し、熱変形温度
１８５°Ｃ、熱分解温度２４０°Ｃの特性としたものを
用いた比較例１の液晶表示装置に対し、前述の実施例と
同一条件で同様に衝撃気泡試験、液晶比抵抗等を測定し
た。なお、共通電極ＩＴＯ２の成膜温度は２２０°Ｃで
あった。
開平５−１４０２６７号公報に開示されたエポキシ樹脂
を主剤とし、これに硬化促進剤として四国化成製の２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ（商品名）を１重量部添加し、熱変形温度
１８５°Ｃ、熱分解温度２４０°Ｃの特性としたものを
用いた比較例１の液晶表示装置に対し、前述の実施例と
同一条件で同様に衝撃気泡試験、液晶比抵抗等を測定し
た。なお、共通電極ＩＴＯ２の成膜温度は２２０°Ｃで
あった。
【００４１】その結果、上記のイオンピークに関して
は、その積算値は１０００００であり、又衝撃気泡試験
では硬球で押圧された部分に小さな気泡が発生し、押圧
を解除した後もその気泡は消失せず、室温にて２５０時
間経過後この気泡は直径約１５ｍｍまで拡大してしまっ
た。更に液晶比抵抗の測定では未処理液晶、すなわちバ
ージン液晶の液晶比抵抗に対する保持率は０．０５％迄
低下していた。
は、その積算値は１０００００であり、又衝撃気泡試験
では硬球で押圧された部分に小さな気泡が発生し、押圧
を解除した後もその気泡は消失せず、室温にて２５０時
間経過後この気泡は直径約１５ｍｍまで拡大してしまっ
た。更に液晶比抵抗の測定では未処理液晶、すなわちバ
ージン液晶の液晶比抵抗に対する保持率は０．０５％迄
低下していた。
【００４２】更にこの比較例１の液晶表示装置では、前
記共通電極ＩＴＯ２の膜面にしわの発生が見られ、これ
はガス貯蔵スペ−スとなる要因を有すると共に、膜の透
明性を損なう等の問題となる。
記共通電極ＩＴＯ２の膜面にしわの発生が見られ、これ
はガス貯蔵スペ−スとなる要因を有すると共に、膜の透
明性を損なう等の問題となる。
【００４３】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法を
説明する。先ず、液晶表示装置に用いられる対向基板
（カラーフィルタ基板）として、厚さ０．７ｍｍまたは
１．１ｍｍのガラス基板の上に感光性の黒色樹脂レジス
トを塗布し、露光、現像して焼成することによりブラッ
クマトリクスＢＭを形成する。次に、感光性の赤色、緑
色、青色の樹脂レジストを使用して上記と同様の工程を
繰り返し、赤色の着色層ＦＩＬ（Ｒ）、緑色の着色層Ｆ
ＩＬ（Ｇ）、青色の着色層ＦＩＬ（Ｂ）を形成する。
説明する。先ず、液晶表示装置に用いられる対向基板
（カラーフィルタ基板）として、厚さ０．７ｍｍまたは
１．１ｍｍのガラス基板の上に感光性の黒色樹脂レジス
トを塗布し、露光、現像して焼成することによりブラッ
クマトリクスＢＭを形成する。次に、感光性の赤色、緑
色、青色の樹脂レジストを使用して上記と同様の工程を
繰り返し、赤色の着色層ＦＩＬ（Ｒ）、緑色の着色層Ｆ
ＩＬ（Ｇ）、青色の着色層ＦＩＬ（Ｂ）を形成する。
【００４４】次に、前述した熱分解温度が２７０°Ｃ、
熱変形温度は２２０°Ｃの特性を備えた有機系樹脂のエ
ポキシ樹脂を塗布し焼成して平滑層（保護膜）ＯＣを形
成し、その上に最高２２０°Ｃの低温スパッタリング法
で透明電極ＩＴＯを成膜し、これを共通電極とする。こ
の透明電極ＩＴＯの成膜最高温度２２０°Ｃは、前記熱
分解温度の２７０℃以下で、かつ熱変形温度の２２０℃
以上（同一温度）となっている。
熱変形温度は２２０°Ｃの特性を備えた有機系樹脂のエ
ポキシ樹脂を塗布し焼成して平滑層（保護膜）ＯＣを形
成し、その上に最高２２０°Ｃの低温スパッタリング法
で透明電極ＩＴＯを成膜し、これを共通電極とする。こ
の透明電極ＩＴＯの成膜最高温度２２０°Ｃは、前記熱
分解温度の２７０℃以下で、かつ熱変形温度の２２０℃
以上（同一温度）となっている。
【００４５】次に、上配向膜ＯＲＩ２を塗布し、ラビン
グ処理して液晶配向制御能を付与する。一方、電極基板
（アクティブマトリクス基板）側は一般的な薄膜トラン
ジスタＴＦＴを形成するプロセスと同様の方法で製造す
る。すなわち、厚さ０．７ｍｍあるいは１．１ｍｍのガ
ラス基板の上に成膜とパターニングを繰り返して、アモ
ルファスシリコンＡＳからなる薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、付加容量、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、ゲート電極ＧＴ、画素電極ＩＴＯ１、およびドレイ
ン線、ゲート線等の各種配線群、電極群が形成される。
その後、これらを覆って絶縁膜ＰＳＶが被覆され、その
上に下配向膜ＯＲＩ１が塗布される。上下の配向膜はオ
フセット印刷で塗布され、これを焼成し、所定の方向に
擦って（ラビング処理して）液晶配向制御能を付与す
る。
グ処理して液晶配向制御能を付与する。一方、電極基板
（アクティブマトリクス基板）側は一般的な薄膜トラン
ジスタＴＦＴを形成するプロセスと同様の方法で製造す
る。すなわち、厚さ０．７ｍｍあるいは１．１ｍｍのガ
ラス基板の上に成膜とパターニングを繰り返して、アモ
ルファスシリコンＡＳからなる薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、付加容量、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、ゲート電極ＧＴ、画素電極ＩＴＯ１、およびドレイ
ン線、ゲート線等の各種配線群、電極群が形成される。
その後、これらを覆って絶縁膜ＰＳＶが被覆され、その
上に下配向膜ＯＲＩ１が塗布される。上下の配向膜はオ
フセット印刷で塗布され、これを焼成し、所定の方向に
擦って（ラビング処理して）液晶配向制御能を付与す
る。
【００４６】このようにして形成した対向基板と電極基
板の一方の周縁にファイバー等のギャップ規制材を混入
したエポキシ系接着材をスクリーン印刷し、スペーサと
してプラスチックビーズをスプレー散布し、他方の基板
と貼り合わせて接着する。スペーサの散布密度は１５０
個／ｍｍ2 程度である。
板の一方の周縁にファイバー等のギャップ規制材を混入
したエポキシ系接着材をスクリーン印刷し、スペーサと
してプラスチックビーズをスプレー散布し、他方の基板
と貼り合わせて接着する。スペーサの散布密度は１５０
個／ｍｍ2 程度である。
【００４７】上記シール材には、その一部に液晶注入用
の開口を形成してあり、その硬化後、真空注入法により
当該開口から液晶を充填し、開口をエポキシ系接着材で
封止して図１に示す構成の液晶表示装置を製造する。こ
こで、ガス発生を更に抑制するためには、平滑層ＯＣの
硬度を上げるか、硬度が最も高くなる焼成条件で硬化さ
せる等を付加させることも可能である。また、ＩＴＯの
成膜後、大気圧でベーキングすることも有効である。
の開口を形成してあり、その硬化後、真空注入法により
当該開口から液晶を充填し、開口をエポキシ系接着材で
封止して図１に示す構成の液晶表示装置を製造する。こ
こで、ガス発生を更に抑制するためには、平滑層ＯＣの
硬度を上げるか、硬度が最も高くなる焼成条件で硬化さ
せる等を付加させることも可能である。また、ＩＴＯの
成膜後、大気圧でベーキングすることも有効である。
【００４８】この様な製造方法によれば、酸化物導電膜
の薄膜からなる透明電極ＩＴＯの成膜最高温度を、有機
材料の薄膜からなる平滑層（保護膜）ＯＣの熱分解温度
以下で、かつ熱変形温度以上としたことにより、保管中
あるいは使用中に液晶表示装置の内部にガス（気泡）が
発生することが抑制され、さらに液晶比抵抗の保持率の
低下も抑制されて高品質かつ高信頼性の液晶表示装置が
得られる。
の薄膜からなる透明電極ＩＴＯの成膜最高温度を、有機
材料の薄膜からなる平滑層（保護膜）ＯＣの熱分解温度
以下で、かつ熱変形温度以上としたことにより、保管中
あるいは使用中に液晶表示装置の内部にガス（気泡）が
発生することが抑制され、さらに液晶比抵抗の保持率の
低下も抑制されて高品質かつ高信頼性の液晶表示装置が
得られる。
【００４９】一方、前記実施例と同じ条件下で平滑層
（保護膜）ＯＣまで形成した対向基板に、スパッタリン
グ法により成膜最高温度２５０°Ｃのプロセス条件下で
透明電極ＩＴＯを前記平滑層（保護膜）ＯＣの表面に成
膜し、この対向基板と前記実施例の電極基板とを組合せ
てて比較例２の液晶表示装置を製造した。すなわち、こ
の比較例２の液晶表示装置は、透明電極ＩＴＯの成膜最
高温度２５０°Ｃが前記平滑層（保護膜）ＯＣの熱分解
温度２２０°Ｃを越えたものである。
（保護膜）ＯＣまで形成した対向基板に、スパッタリン
グ法により成膜最高温度２５０°Ｃのプロセス条件下で
透明電極ＩＴＯを前記平滑層（保護膜）ＯＣの表面に成
膜し、この対向基板と前記実施例の電極基板とを組合せ
てて比較例２の液晶表示装置を製造した。すなわち、こ
の比較例２の液晶表示装置は、透明電極ＩＴＯの成膜最
高温度２５０°Ｃが前記平滑層（保護膜）ＯＣの熱分解
温度２２０°Ｃを越えたものである。
【００５０】この比較例２の液晶表示装置に対し、前述
の実施例と同一条件で衝撃気泡試験、液晶比抵抗等を測
定した。その結果、上記のイオンピークに関しては、そ
の積算値は９０００００であり、又衝撃気泡試験では硬
球で押圧された部分に小さな気泡が発生し、押圧を解除
した後もその気泡は消失せず、室温にて２５０時間経過
後この気泡は直径約１３ｍｍまで拡大してしまった。更
に液晶比抵抗の測定では未処理液晶、すなわちバ−ジン
液晶の液晶比抵抗に対する保持率は１％迄低下してい
た。
の実施例と同一条件で衝撃気泡試験、液晶比抵抗等を測
定した。その結果、上記のイオンピークに関しては、そ
の積算値は９０００００であり、又衝撃気泡試験では硬
球で押圧された部分に小さな気泡が発生し、押圧を解除
した後もその気泡は消失せず、室温にて２５０時間経過
後この気泡は直径約１３ｍｍまで拡大してしまった。更
に液晶比抵抗の測定では未処理液晶、すなわちバ−ジン
液晶の液晶比抵抗に対する保持率は１％迄低下してい
た。
【００５１】次に、本発明を適用する液晶表示装置の具
体的構成例を図２〜図５を参照して詳細に説明する。
体的構成例を図２〜図５を参照して詳細に説明する。
【００５２】図２は本発明を適用した液晶表示装置の一
画素とその周辺の構成を説明する平面図である。各画素
は隣接する２本のゲート線ＧＬ（図中、ゲートラインＧ
Ｌ（ｇ２））と、隣接する２本のドレイン線ＤＬ（デー
タラインＤＬ（ｄ２，ｄ３））との交差領域内（４本の
信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
画素とその周辺の構成を説明する平面図である。各画素
は隣接する２本のゲート線ＧＬ（図中、ゲートラインＧ
Ｌ（ｇ２））と、隣接する２本のドレイン線ＤＬ（デー
タラインＤＬ（ｄ２，ｄ３））との交差領域内（４本の
信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
【００５３】各画素はスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ（２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１とＴ
ＦＴ２で構成されている）、透明画素電極ＩＴＯ１およ
び付加容量（保持容量素子）Ｃａｄｄを含む。ゲート線
ＧＬはｘ方向（列方向）に延在し、ｙ方向（行方向）に
複数本配置されている。ドレイン線ＤＬはｙ方向に延在
し、ｘ方向に複数本配置されている。
ンジスタＴＦＴ（２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１とＴ
ＦＴ２で構成されている）、透明画素電極ＩＴＯ１およ
び付加容量（保持容量素子）Ｃａｄｄを含む。ゲート線
ＧＬはｘ方向（列方向）に延在し、ｙ方向（行方向）に
複数本配置されている。ドレイン線ＤＬはｙ方向に延在
し、ｘ方向に複数本配置されている。
【００５４】ゲート線ＧＬにはゲート電極ＧＴ（ｇ２）
が接続され、ドレイン線ＤＬにはドレイン電極ＳＤ２
（ｄ２，ｄ３）が接続される。また、ＩＴＯ１（ｄ１）
は画素電極で、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｓ
Ｄ１（ｄ２，ｄ３）に接続されている。なお、ＡＳは非
晶質Ｓｉ層を示し、ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｇ２は各電極あ
るいは配線を形成する導体層を示す。図中、カラーフィ
ルタＦＩＬとブラックマトリクスＢＭはカラーフィルタ
基板に形成されたもので、この図ではその配置位置のみ
を示してある。
が接続され、ドレイン線ＤＬにはドレイン電極ＳＤ２
（ｄ２，ｄ３）が接続される。また、ＩＴＯ１（ｄ１）
は画素電極で、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｓ
Ｄ１（ｄ２，ｄ３）に接続されている。なお、ＡＳは非
晶質Ｓｉ層を示し、ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｇ２は各電極あ
るいは配線を形成する導体層を示す。図中、カラーフィ
ルタＦＩＬとブラックマトリクスＢＭはカラーフィルタ
基板に形成されたもので、この図ではその配置位置のみ
を示してある。
【００５５】図３は液晶表示装置を構成する液晶パネル
の等価回路とその外周部に配置される駆動回路等の回路
構成図である。この構成では、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）型の液晶パネルＰＮＬ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の下側に
のみドレイン駆動回路部１０３が配置され、８００×６
００画素から構成されるＸＧＡ仕様の液晶パネルの側面
部にはゲート駆動回路部１０４、コントローラ部１０
１、電源部１０２が配置されている。
の等価回路とその外周部に配置される駆動回路等の回路
構成図である。この構成では、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）型の液晶パネルＰＮＬ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の下側に
のみドレイン駆動回路部１０３が配置され、８００×６
００画素から構成されるＸＧＡ仕様の液晶パネルの側面
部にはゲート駆動回路部１０４、コントローラ部１０
１、電源部１０２が配置されている。
【００５６】薄膜トランジスタＴＦＴは、隣接する２本
のドレイン線ＤＬと、隣接する２本のゲート線ＧＬとの
交差領域に配置される。薄膜トランジスタＴＦＴのドレ
イン電極とゲート電極は、それぞれドレイン線ＤＬとゲ
ート線ＧＬに接続される。
のドレイン線ＤＬと、隣接する２本のゲート線ＧＬとの
交差領域に配置される。薄膜トランジスタＴＦＴのドレ
イン電極とゲート電極は、それぞれドレイン線ＤＬとゲ
ート線ＧＬに接続される。
【００５７】薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極は画
素電極に接続され、画素電極と共通電極（コモン電極）
との間に液晶層が介在しているので、薄膜トランジスタ
ＴＦＴのソース電極との間には液晶容量（ＣLC）が等価
的に接続される。薄膜トランジスタＴＦＴはゲート電極
に正のバイアス電圧を印加すると導通し、負のバイアス
電圧を印加すると不導通となる。また、薄膜トランジス
タＴＦＴのソース電極と前ラインのゲート信号線との間
には、保持容量Ｃadd が接続される。
素電極に接続され、画素電極と共通電極（コモン電極）
との間に液晶層が介在しているので、薄膜トランジスタ
ＴＦＴのソース電極との間には液晶容量（ＣLC）が等価
的に接続される。薄膜トランジスタＴＦＴはゲート電極
に正のバイアス電圧を印加すると導通し、負のバイアス
電圧を印加すると不導通となる。また、薄膜トランジス
タＴＦＴのソース電極と前ラインのゲート信号線との間
には、保持容量Ｃadd が接続される。
【００５８】なお、ソース電極、ドレイン電極は本来そ
の間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表
示装置ではその極性は動作中反転するので、ソース電
極、ドレイン電極は動作中入れ替わるものと理解された
い。
の間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表
示装置ではその極性は動作中反転するので、ソース電
極、ドレイン電極は動作中入れ替わるものと理解された
い。
【００５９】図４は照明手段などと共にモジュール化し
た液晶表示装置の各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは金属製シールドケース（上フレーム）、ＷＤは
その表示窓、ＰＮＬは液晶パネル、ＳＰＳは光拡散板、
ＧＬＢは導光体、ＲＦＳは反射板、ＢＬはバックライ
ト、ＭＣＡは下側ケース（下フレーム）であり、図に示
すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられて所謂
液晶表示モジュールＭＤＬが組み立てられる。
た液晶表示装置の各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは金属製シールドケース（上フレーム）、ＷＤは
その表示窓、ＰＮＬは液晶パネル、ＳＰＳは光拡散板、
ＧＬＢは導光体、ＲＦＳは反射板、ＢＬはバックライ
ト、ＭＣＡは下側ケース（下フレーム）であり、図に示
すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられて所謂
液晶表示モジュールＭＤＬが組み立てられる。
【００６０】この液晶表示モジュールＭＤＬは上フレー
ムＳＨＤに設けられた爪と下フレームＭＣＡに形成した
フックによって全体が固定されるようになっている。上
フレームＳＨＤの周辺には駆動回路基板（ゲート側回路
基板、ドレイン側回路基板）ＰＣＢ１，ＰＣＢ２、イン
タフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキャリアパッドＴ
ＣＰ１，ＴＣＰ２、あるいはジョイナＪＮ１，ＪＮ２，
ＪＮ３で液晶パネルＰＭＬおよび回路基板相互間が接続
されている。
ムＳＨＤに設けられた爪と下フレームＭＣＡに形成した
フックによって全体が固定されるようになっている。上
フレームＳＨＤの周辺には駆動回路基板（ゲート側回路
基板、ドレイン側回路基板）ＰＣＢ１，ＰＣＢ２、イン
タフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキャリアパッドＴ
ＣＰ１，ＴＣＰ２、あるいはジョイナＪＮ１，ＪＮ２，
ＪＮ３で液晶パネルＰＭＬおよび回路基板相互間が接続
されている。
【００６１】下フレームＭＣＡは、その開口ＭＯに照明
手段であるバックライトＢＬを構成する光拡散シートＳ
ＰＳ、導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状にな
っている。なお、導光体ＧＬＢの側面には線状ランプ
（蛍光管）ＬＰと反射シートＬＳが配置される。線状ラ
ンプＬＰの端部からはゴムブッシュＧＢで保持されたラ
ンプケーブルＬＰＣが引き出されており、図示しないイ
ンバータ電源に接続している。
手段であるバックライトＢＬを構成する光拡散シートＳ
ＰＳ、導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状にな
っている。なお、導光体ＧＬＢの側面には線状ランプ
（蛍光管）ＬＰと反射シートＬＳが配置される。線状ラ
ンプＬＰの端部からはゴムブッシュＧＢで保持されたラ
ンプケーブルＬＰＣが引き出されており、図示しないイ
ンバータ電源に接続している。
【００６２】線状ランプＬＰから出射される光を導光体
ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳにより表示面で
一様な照明光として液晶表示パネルＰＮＬ側に出射す
る。
ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳにより表示面で
一様な照明光として液晶表示パネルＰＮＬ側に出射す
る。
【００６３】バックライトＢＬと液晶表示パネルＰＮＬ
の間に設置されたプリズムシートＰＲＳは照明光の進路
を調整するためのもので、遮光スペーサＩＬＳを介して
積層されている。
の間に設置されたプリズムシートＰＲＳは照明光の進路
を調整するためのもので、遮光スペーサＩＬＳを介して
積層されている。
【００６４】図５は本発明による液晶表示装置の実装例
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。この
ノート型コンピユータ（可搬型パソコン）はキーボード
部（本体部）と、このキーボード部にヒンジで連結した
表示部から構成される。キーボード部にはキーボードと
ホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰＵ等の信号生成機
能部を収納し、表示部には前記図４で説明した液晶表示
モジュールが実装され、その表示面を構成する液晶表示
パネルＰＮＬが露出されている。そして、この液晶パネ
ルＰＮＬの周辺に駆動回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２、コ
ントロールチップＴＣＯＮを搭載したＰＣＢ、およびバ
ックライト電源であるインバータ電源基板ＩＶなどが実
装される。
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。この
ノート型コンピユータ（可搬型パソコン）はキーボード
部（本体部）と、このキーボード部にヒンジで連結した
表示部から構成される。キーボード部にはキーボードと
ホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰＵ等の信号生成機
能部を収納し、表示部には前記図４で説明した液晶表示
モジュールが実装され、その表示面を構成する液晶表示
パネルＰＮＬが露出されている。そして、この液晶パネ
ルＰＮＬの周辺に駆動回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２、コ
ントロールチップＴＣＯＮを搭載したＰＣＢ、およびバ
ックライト電源であるインバータ電源基板ＩＶなどが実
装される。
【００６５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
長時間の保管をしても、あるいは使用時の外力印加によ
っても液晶表示パネルの内面に成膜した各種の薄膜、特
に平滑層（オーバーコート層）等の有機材料膜からの気
泡の発生が防止され、表示不良の無い高い信頼性を有す
る液晶表示装置を提供することができる。
長時間の保管をしても、あるいは使用時の外力印加によ
っても液晶表示パネルの内面に成膜した各種の薄膜、特
に平滑層（オーバーコート層）等の有機材料膜からの気
泡の発生が防止され、表示不良の無い高い信頼性を有す
る液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例の構成を
説明する要部断面図である。
説明する要部断面図である。
【図２】本発明を適用した液晶表示装置の一画素とその
周辺の構成を説明する平面図である。
周辺の構成を説明する平面図である。
【図３】液晶表示装置を構成する液晶パネルの等価回路
とその外周部に配置される駆動回路等の回路構成図であ
る。
とその外周部に配置される駆動回路等の回路構成図であ
る。
【図４】照明手段などと共にモジュール化した液晶表示
装置の各構成部品を示す分解斜視図である。
装置の各構成部品を示す分解斜視図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の実装例を説明する
ノート型コンピユータの斜視図である。
ノート型コンピユータの斜視図である。
ＳＵＢ１ 第１基板（電極基板）
ＳＵＢ２ 第２基板（対向基板）
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＡＳ アモルファスシリコン層
ＧＴ ゲート電極
ＳＤ１ ドレイン電極
ＳＤ２ ソース電極
ＰＳＶ 絶縁膜
ＩＴＯ１ 画素電極
ＯＲＩ１ 下配向膜
ＢＭ ブラックマトリクス
ＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ） 赤および緑のカラーフィ
ルタ ＯＣ 平滑層（保護膜：オーバーコート層） ＩＴＯ２ 共通電極 ＯＲＩ２ 上配向膜。
ルタ ＯＣ 平滑層（保護膜：オーバーコート層） ＩＴＯ２ 共通電極 ＯＲＩ２ 上配向膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 美備
千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス
エンジニアリング株式会社内
(72)発明者 松山 茂
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB07X HB07Y HD03
LA01
2H092 HA04 JB58 KB22 KB23 KB26
MA01 NA18 NA19
Claims (8)
- 【請求項１】内面に有機材料の薄膜及びこの有機材料の
薄膜の少なくとも一部を覆って形成された酸化物導電膜
の薄膜とを有する基板を持ち、この基板と対向する他の
基板間に液晶を封入し、その周縁をシール材で接着して
構成した液晶表示装置であって、 前記有機材料の薄膜の熱分解温度が、前記酸化物導電膜
の薄膜の形成温度以上で、かつ前記有機材料の薄膜の熱
変形温度が前記酸化物導電膜の薄膜の形成温度以下ある
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記有機材料の薄膜の熱分解温度が２２０
゜Ｃ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３】前記有機材料の薄膜の熱変形温度が２００
゜Ｃ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記有機材料はエポキシ樹脂であることを
特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の液晶
表示装置。 - 【請求項５】前記液晶の液晶比抵抗の保持率が未使用液
晶の液晶比抵抗の１０％以上であることを特徴とする請
求項１乃至請求項４の何れかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】内面に有機材料の薄膜及びこの有機材料の
薄膜の少なくとも一部を覆って形成された酸化物導電膜
の薄膜とを有する基板を持ち、この基板と対向する他の
基板間に液晶を封入し、その周縁をシール材で接着して
構成した液晶表示装置の製造であって、 前記酸化物導電膜の薄膜の形成を、前記有機材料の薄膜
の熱分解温度以下で、かつ熱変形温度以上で行うことを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】前記有機材料の薄膜の形成を２００゜Ｃ以
上、２２０゜Ｃ以下で行うことを特徴とする請求項６に
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】前記有機材料にエポキシ樹脂を用いること
を特徴とする請求項６又は７に記載の液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2002126578A JP2003315775A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US10/411,196 US6833895B2 (en) | 2002-04-26 | 2003-04-11 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002126578A JP2003315775A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003315775A true JP2003315775A (ja) | 2003-11-06 |
Family
ID=29243809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002126578A Pending JP2003315775A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003315775A (ja) |
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| JP6035081B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2016-11-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
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| CA2168529A1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-03 | Tatsuichiro Kon | Transparent conductive sheet |
| JPH08234188A (ja) | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Nippondenso Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2823040B2 (ja) * | 1995-06-29 | 1998-11-11 | 東洋製罐株式会社 | アクリルプラスチゾル接着構造物 |
| JP2000171785A (ja) | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002126578A patent/JP2003315775A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-11 US US10/411,196 patent/US6833895B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030202142A1 (en) | 2003-10-30 |
| US6833895B2 (en) | 2004-12-21 |
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