JP2003315520A - 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 - Google Patents
回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路Info
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分散補償用の非線形チャープトグレーティン
グの群遅延特性におけるゆらぎ、クロストークの少ない
光ファイバー、光導波路用の高精度な回折格子形成用位
相マスク。 【解決手段】 異なる次数の回折光相互の干渉縞により
回折格子を形成するための位相マスクであって、回折格
子２０の周期が非線形に増加する回折格子形成用位相マ
スクにおいて、異なる周期を有する複数の回折格子
Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ・・・が周期の小さいものから大きい
ものの順に平面上に格子の向きが同一方向になるように
集合されており、回折格子の周期が非線形にかつ不連続
に変化する際に、その周期の変化率の大きい領域程単位
長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く存在するよう
に集合されている回折格子形成用位相マスク。
グの群遅延特性におけるゆらぎ、クロストークの少ない
光ファイバー、光導波路用の高精度な回折格子形成用位
相マスク。 【解決手段】 異なる次数の回折光相互の干渉縞により
回折格子を形成するための位相マスクであって、回折格
子２０の周期が非線形に増加する回折格子形成用位相マ
スクにおいて、異なる周期を有する複数の回折格子
Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ・・・が周期の小さいものから大きい
ものの順に平面上に格子の向きが同一方向になるように
集合されており、回折格子の周期が非線形にかつ不連続
に変化する際に、その周期の変化率の大きい領域程単位
長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く存在するよう
に集合されている回折格子形成用位相マスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバー、光
導波路に回折格子を形成するための回折格子形成用位相
マスクと、この位相マスクを使用して作製されたブラッ
グ回折格子付き光ファイバー、光導波路に関し、特に、
光通信等に用いられる光導波路、光ファイバー内に紫外
線を用いて回折格子を形成するための位相マスクの製造
方法と、そのマスクを用いて作製されたブラッグ回折格
子付き光導波路、光ファイバーに関するものである。
導波路に回折格子を形成するための回折格子形成用位相
マスクと、この位相マスクを使用して作製されたブラッ
グ回折格子付き光ファイバー、光導波路に関し、特に、
光通信等に用いられる光導波路、光ファイバー内に紫外
線を用いて回折格子を形成するための位相マスクの製造
方法と、そのマスクを用いて作製されたブラッグ回折格
子付き光導波路、光ファイバーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバー通信システムにおいては、
膨大な量の情報を非常に高速に伝送する必要がある。光
ファイバーシステムは情報を運ぶ光信号ソース、光ファ
イバー伝送ライン及び光信号が運ぶ情報を復調するため
の受信機からなる。
膨大な量の情報を非常に高速に伝送する必要がある。光
ファイバーシステムは情報を運ぶ光信号ソース、光ファ
イバー伝送ライン及び光信号が運ぶ情報を復調するため
の受信機からなる。
【０００３】光通信システムにおいては、一般に、伝送
媒体として高純度のシリカ光ファイバーが用いられる。
従来、光通信システムは典型的に光信号をある波長範囲
を用いて伝送するように設計されており、そのシステム
においてはより長い波長成分はより短い波長成分より若
干長い伝搬時間の遅延を受ける。ただし、この分散は、
今までは光信号の情報をそれ程劣化させることはなかっ
た。これは、初期のシステムにおいては単一のチャネル
を分散の小さい波長領域から選んで使用されていたため
である。
媒体として高純度のシリカ光ファイバーが用いられる。
従来、光通信システムは典型的に光信号をある波長範囲
を用いて伝送するように設計されており、そのシステム
においてはより長い波長成分はより短い波長成分より若
干長い伝搬時間の遅延を受ける。ただし、この分散は、
今までは光信号の情報をそれ程劣化させることはなかっ
た。これは、初期のシステムにおいては単一のチャネル
を分散の小さい波長領域から選んで使用されていたため
である。
【０００４】ところが、光ファイバーを使った高速伝送
技術である波長分割多重（ＷＤＭ）システムに見られる
ように、今日では、より多数の情報を運ぶために多数の
チャネルをより広い波長領域に渡って用いることが必要
となっており、これに伴って群速度分散をより精密に補
償することが要求されるようになってきた。例えば、Ｗ
ＤＭシステムに関しては、ＷＤＭシステム内に提供され
るチャネルの数の増加に伴って分散の補償がますます重
要な課題となっている。
技術である波長分割多重（ＷＤＭ）システムに見られる
ように、今日では、より多数の情報を運ぶために多数の
チャネルをより広い波長領域に渡って用いることが必要
となっており、これに伴って群速度分散をより精密に補
償することが要求されるようになってきた。例えば、Ｗ
ＤＭシステムに関しては、ＷＤＭシステム内に提供され
るチャネルの数の増加に伴って分散の補償がますます重
要な課題となっている。
【０００５】また、最近、光ファイバー中に形成するブ
ラッグ回折格子として、格子のピッチが格子に直交する
方向（格子の繰り返し方向）の位置に応じて線形あるい
は非線形に増加あるいは減少しているチャープトグレー
ティングが要求されることになってきた。このようなグ
レーティングは、例えば反射帯域を広げた高反射ミラ
ー、遅延時間を調整する手段等として用いられる。
ラッグ回折格子として、格子のピッチが格子に直交する
方向（格子の繰り返し方向）の位置に応じて線形あるい
は非線形に増加あるいは減少しているチャープトグレー
ティングが要求されることになってきた。このようなグ
レーティングは、例えば反射帯域を広げた高反射ミラ
ー、遅延時間を調整する手段等として用いられる。
【０００６】本発明者は、上記のようなチャープトグレ
ーティングに対する要求が高まったことに対応して、透
明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターン
が設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光フ
ァイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞に
より、光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバ
ー加工用位相マスクの製造方法において、ピッチが異な
る凹溝と凸条からなる複数のパターンを並列させて描画
することにより、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパター
ンを作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法
を提案した（特開平１１−７２６３１号）。
ーティングに対する要求が高まったことに対応して、透
明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターン
が設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光フ
ァイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞に
より、光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバ
ー加工用位相マスクの製造方法において、ピッチが異な
る凹溝と凸条からなる複数のパターンを並列させて描画
することにより、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパター
ンを作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法
を提案した（特開平１１−７２６３１号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の分散補償を目的
とした非線形チャープトグレーティング用の位相マスク
製造方法では、マスク上の周期の変化率は区間により変
化する。この場合、区間による周期の変化率が大きい位
置程、群遅延特性のリップル（ゆらぎ）の増大等の性能
劣化を招く。
とした非線形チャープトグレーティング用の位相マスク
製造方法では、マスク上の周期の変化率は区間により変
化する。この場合、区間による周期の変化率が大きい位
置程、群遅延特性のリップル（ゆらぎ）の増大等の性能
劣化を招く。
【０００８】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、分散補償用の非
線形チャープトグレーティングの群遅延特性におけるゆ
らぎ（リップル）、クロストークの少ない光ファイバ
ー、光導波路用の高精度な回折格子形成用位相マスクを
提供することである。
みてなされたものであり、その目的は、分散補償用の非
線形チャープトグレーティングの群遅延特性におけるゆ
らぎ（リップル）、クロストークの少ない光ファイバ
ー、光導波路用の高精度な回折格子形成用位相マスクを
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の回折格子形成用位相マスクは、異なる次数の回折光
相互の干渉縞により回折格子を形成するための位相マス
クであって、回折格子の周期が非線形に増加する回折格
子形成用位相マスクにおいて、異なる周期を有する複数
の回折格子が周期の小さいものから大きいものの順に平
面上に格子の向きが同一方向になるように集合されてい
ることを特徴とするものである。
明の回折格子形成用位相マスクは、異なる次数の回折光
相互の干渉縞により回折格子を形成するための位相マス
クであって、回折格子の周期が非線形に増加する回折格
子形成用位相マスクにおいて、異なる周期を有する複数
の回折格子が周期の小さいものから大きいものの順に平
面上に格子の向きが同一方向になるように集合されてい
ることを特徴とするものである。
【００１０】本発明のもう１つの回折格子形成用位相マ
スクは、異なる次数の回折光相互の干渉縞により回折格
子を形成するための位相マスクであって、回折格子の周
期が不連続に変化する回折格子形成用位相マスクにおい
て、異なる周期を有する複数の回折格子が平面上に格子
の向きが同一方向になるように集合されていることを特
徴とするものである。
スクは、異なる次数の回折光相互の干渉縞により回折格
子を形成するための位相マスクであって、回折格子の周
期が不連続に変化する回折格子形成用位相マスクにおい
て、異なる周期を有する複数の回折格子が平面上に格子
の向きが同一方向になるように集合されていることを特
徴とするものである。
【００１１】これらにおいて、回折格子の周期が非線形
にかつ不連続に変化する際に、その周期の変化率の大き
い領域程単位長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く
存在するように集合されていることが望ましい。
にかつ不連続に変化する際に、その周期の変化率の大き
い領域程単位長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く
存在するように集合されていることが望ましい。
【００１２】なお、このような回折格子形成用位相マス
クは、電子線あるいはレーザー描画装置で描画して形成
されることが望ましい。
クは、電子線あるいはレーザー描画装置で描画して形成
されることが望ましい。
【００１３】本発明は、このような回折格子形成用位相
マスクを用いて、その位相マスクからの異なる次数の回
折光相互の干渉縞により回折格子が形成されている光フ
ァイバー及び光導波路を含むものであり、形成されてい
る回折格子は、例えば分散補償を目的とするものであ
り、その場合に、群遅延特性におけるノイズ（ゆらぎ、
リップル）が±１０ｐｓ以下であるものとすることがで
きる。
マスクを用いて、その位相マスクからの異なる次数の回
折光相互の干渉縞により回折格子が形成されている光フ
ァイバー及び光導波路を含むものであり、形成されてい
る回折格子は、例えば分散補償を目的とするものであ
り、その場合に、群遅延特性におけるノイズ（ゆらぎ、
リップル）が±１０ｐｓ以下であるものとすることがで
きる。
【００１４】本発明の回折格子形成用位相マスク及びこ
のマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバ
ー、光導波路は、異なる周期を有する複数の回折格子
が、周期の小さいものから大きいものの順に平面上に格
子の向きが同一方向になるように集合されているか、あ
るいは、平面上に格子の向きが同一方向になるように集
合されており、特に、その周期の変化率の大きい領域程
単位長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く存在する
ように集合されているので、高性能のチャープトグレー
ティングを作製するための位相マスクを描画時間の増大
なしに容易に製造することができ、また、その位相マス
クから高性能のチャープトブラッグ回折格子付き光ファ
イバー及び光導波路を容易に作製することができる。
のマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバ
ー、光導波路は、異なる周期を有する複数の回折格子
が、周期の小さいものから大きいものの順に平面上に格
子の向きが同一方向になるように集合されているか、あ
るいは、平面上に格子の向きが同一方向になるように集
合されており、特に、その周期の変化率の大きい領域程
単位長さ当たり周期の不連続相が割合的に多く存在する
ように集合されているので、高性能のチャープトグレー
ティングを作製するための位相マスクを描画時間の増大
なしに容易に製造することができ、また、その位相マス
クから高性能のチャープトブラッグ回折格子付き光ファ
イバー及び光導波路を容易に作製することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の回折格子形成用位
相マスクの基本原理と実施例について説明する。
相マスクの基本原理と実施例について説明する。
【００１６】回折格子形成用位相マスクにおけるチャー
プトグレーティング２０は、図１に模式的に示すように
異なる周期Λ（ｋ）を有するグレーティングＧ1 ，
Ｇ2 ，Ｇ 3 ・・・Ｇk ・・・ＧN-1 ，ＧN が同一平面上
に格子の向きが同一方向になるように並列された集合体
として表現される。このようなチャープはステップチャ
ープと呼ばれる。
プトグレーティング２０は、図１に模式的に示すように
異なる周期Λ（ｋ）を有するグレーティングＧ1 ，
Ｇ2 ，Ｇ 3 ・・・Ｇk ・・・ＧN-1 ，ＧN が同一平面上
に格子の向きが同一方向になるように並列された集合体
として表現される。このようなチャープはステップチャ
ープと呼ばれる。
【００１７】Ｎ個に分割されたグレーテイングのｋ番目
のものＧk の周期Λは、 Λ（ｋ）= Λ0 ＋ΔΛｆ（ｋ） ・・・（１） で表せる。ここで、Λ0 は１番目のグレーティングＧ1
上の周期、ΔΛは周期の変化率を決める係数、ｆ（ｋ）
は周期の変化を決める任意の関数である。
のものＧk の周期Λは、 Λ（ｋ）= Λ0 ＋ΔΛｆ（ｋ） ・・・（１） で表せる。ここで、Λ0 は１番目のグレーティングＧ1
上の周期、ΔΛは周期の変化率を決める係数、ｆ（ｋ）
は周期の変化を決める任意の関数である。
【００１８】ｆ（ｋ）が１次の関数である場合、どの区
間においても周期の変化率は一定であるが、ｆ（ｘ）が
非線形の場合、周期の変化率は区間により変化する。こ
の場合、区間により周期の変化率が大きく変わってしま
い、それにより群遅延特性のリップルの増大等の性能劣
化を招く。
間においても周期の変化率は一定であるが、ｆ（ｘ）が
非線形の場合、周期の変化率は区間により変化する。こ
の場合、区間により周期の変化率が大きく変わってしま
い、それにより群遅延特性のリップルの増大等の性能劣
化を招く。
【００１９】そこで、本発明は、周期の変化率の変化を
低減する方法である。具体的には、周期の変化率に応じ
てチャープトグレーティング２０の分割数Ｎを変えるも
のである。つまり、周期の変化率の大きい領域では分割
数を増やし、変化率の小さい領域では分割数を減らす。
これにより、位相マスクの描画時間の増大なしに位相マ
スクを製造することができ、その位相マスクから形成さ
れたチャープトグレーティングの性能を向上させること
ができるものである。
低減する方法である。具体的には、周期の変化率に応じ
てチャープトグレーティング２０の分割数Ｎを変えるも
のである。つまり、周期の変化率の大きい領域では分割
数を増やし、変化率の小さい領域では分割数を減らす。
これにより、位相マスクの描画時間の増大なしに位相マ
スクを製造することができ、その位相マスクから形成さ
れたチャープトグレーティングの性能を向上させること
ができるものである。
【００２０】このような回折格子形成用位相マスク２０
は、従来と同様に、電子線あるいはレーザー描画装置に
より作成することができる。
は、従来と同様に、電子線あるいはレーザー描画装置に
より作成することができる。
【００２１】また、この位相マスクの複製物は、分散補
償用途を目的として、群遅延特性を±１０ｐｓ以下まで
向上することが可能である。
償用途を目的として、群遅延特性を±１０ｐｓ以下まで
向上することが可能である。
【００２２】本発明に基づくと、原理的には様々な非線
形チャープトファイバーグレーティングが作製できる
が、光ファイバーの高次分散補償という観点からは、ブ
ラッグ波長の分布が次の式（２）と式（３）で表される
２種類の非線形チャープトグレーティングＡ，Ｂが重要
かつ有用である（T. Komukai et al, "The design of d
ispersion equalizers using chirped fiber Bragg gra
tings", IEEE J. Quantum electron., vol. 36, no. 4,
pp. 409-417, 2000. ）。
形チャープトファイバーグレーティングが作製できる
が、光ファイバーの高次分散補償という観点からは、ブ
ラッグ波長の分布が次の式（２）と式（３）で表される
２種類の非線形チャープトグレーティングＡ，Ｂが重要
かつ有用である（T. Komukai et al, "The design of d
ispersion equalizers using chirped fiber Bragg gra
tings", IEEE J. Quantum electron., vol. 36, no. 4,
pp. 409-417, 2000. ）。
【００２３】以下の説明で、チャープトファイバーグレ
ーティングを作製するための位相マスクをチャープトマ
スクと称する。
ーティングを作製するための位相マスクをチャープトマ
スクと称する。
【００２４】ここで、チャープトファイバーグレーティ
ングの最短波長の点の位置座標をｚ＝０とし、最長波長
の点をｚ＝Ｌg とする。また、Δλはチャープトファイ
バーグレーティングの帯域である。
ングの最短波長の点の位置座標をｚ＝０とし、最長波長
の点をｚ＝Ｌg とする。また、Δλはチャープトファイ
バーグレーティングの帯域である。
【００２５】
λA （ｚ）＝λA0＋Δλ（ｚ／Ｌg ）1/2 ・・・（２）
λB （ｚ）＝λB0＋Δλ｛１−（１−ｚ／Ｌg ）1/2 ｝ ・・・（３）
これらを作製するための非線形ステップチャープトマス
クＡ，Ｂのピッチは、 ΛA （ｋ）＝ΛA0＋ΔΛ（ｋ／Ｎ）1/2 ・・・（４） ΛB （ｋ）＝ΛB0＋ΔΛ｛１−（１−ｋ／Ｎ）1/2 ｝ ・・・（５） となる。ただし、Ｎは非線形ステップチャープトマスク
Ａ，Ｂのパターンが等分割された領域数であり、ある程
度の値が必要である。また、ｋはパターンの番号である
（ピッチの短い方から数える）。
クＡ，Ｂのピッチは、 ΛA （ｋ）＝ΛA0＋ΔΛ（ｋ／Ｎ）1/2 ・・・（４） ΛB （ｋ）＝ΛB0＋ΔΛ｛１−（１−ｋ／Ｎ）1/2 ｝ ・・・（５） となる。ただし、Ｎは非線形ステップチャープトマスク
Ａ，Ｂのパターンが等分割された領域数であり、ある程
度の値が必要である。また、ｋはパターンの番号である
（ピッチの短い方から数える）。
【００２６】一方、線形チャープトファイバーグレーテ
ィングの場合は、ブラッグ波長の分布と作製に用いられ
る線形ステップチャープトマスクのピッチは以下のよう
になる。
ィングの場合は、ブラッグ波長の分布と作製に用いられ
る線形ステップチャープトマスクのピッチは以下のよう
になる。
【００２７】
λFG（ｚ）＝λS ＋Δλ（ｚ／Ｌg ） ・・・（６）
ΛFG（ｋ）＝Λ0 ＋Λ（ｋ／Ｎ） ・・・（７）
線形パターンの場合、ｍ番目とｍ＋１番目の領域のピッ
チの差ΔΛ（ｍ）は、 ΔΛFG（ｍ）＝ΛFG（ｍ＋１）−ΛFG（ｍ）＝Λ／Ｎ ・・・（８） となり、これはどこでも一定である。非線形チャープト
マスクＡの場合は、 ΔΛA （ｍ）＝ΛA （ｍ＋１）−ΛA （ｍ） ＝ΔΛ［｛（ｍ＋１）／Ｎ｝1/2 −（ｍ／Ｎ）1/2 ］・・・（９） となる。したがって、 ΔΛA （１）＝ΛA （２）−ΛA （１）＝ΔΛ｛（√２−１）／√Ｎ｝ ・・・（10） ΔΛA （Ｎ−１）＝ΛA （Ｎ）−ΛA （Ｎ−１） ＝ΔΛ［１−｛（Ｎ−１）／Ｎ｝1/2 ］・・・（11） すなわち、ｋが１に近づく程ピッチの差は大きくなり、
ｋがＮに近づく程ピッチの差は小さくなる。
チの差ΔΛ（ｍ）は、 ΔΛFG（ｍ）＝ΛFG（ｍ＋１）−ΛFG（ｍ）＝Λ／Ｎ ・・・（８） となり、これはどこでも一定である。非線形チャープト
マスクＡの場合は、 ΔΛA （ｍ）＝ΛA （ｍ＋１）−ΛA （ｍ） ＝ΔΛ［｛（ｍ＋１）／Ｎ｝1/2 −（ｍ／Ｎ）1/2 ］・・・（９） となる。したがって、 ΔΛA （１）＝ΛA （２）−ΛA （１）＝ΔΛ｛（√２−１）／√Ｎ｝ ・・・（10） ΔΛA （Ｎ−１）＝ΛA （Ｎ）−ΛA （Ｎ−１） ＝ΔΛ［１−｛（Ｎ−１）／Ｎ｝1/2 ］・・・（11） すなわち、ｋが１に近づく程ピッチの差は大きくなり、
ｋがＮに近づく程ピッチの差は小さくなる。
【００２８】逆に、マスクＢの場合は、同様にして、ｋ
が１に近づく程ピッチの差は小さくなり、ｋがＮに近づ
く程ピッチの差は大きくなる。
が１に近づく程ピッチの差は小さくなり、ｋがＮに近づ
く程ピッチの差は大きくなる。
【００２９】このため、非線形チャープトパターンの場
合、不連続性の大きい領域が存在することが分かる。こ
のような領域がそのままチャープトファイバーグレーテ
ィングに転写されると、群遅延リップルが生じることに
なる。また、逆に、隣同士のピッチの変化が極めて小さ
い領域では、描画機の誤差が入りやすく、やはり作製さ
れるチャープトグレーティングの群遅延特性の劣化を招
くことになる。
合、不連続性の大きい領域が存在することが分かる。こ
のような領域がそのままチャープトファイバーグレーテ
ィングに転写されると、群遅延リップルが生じることに
なる。また、逆に、隣同士のピッチの変化が極めて小さ
い領域では、描画機の誤差が入りやすく、やはり作製さ
れるチャープトグレーティングの群遅延特性の劣化を招
くことになる。
【００３０】そこで、ピッチの変化の大きい領域では単
位長さ当たりの分割数を多くし、ピッチの変化の小さい
領域では単位長さ当たりの分割数を少なくする方がＮを
小さくでき、かつ、不要な特性劣化を防ぐことができ
る。
位長さ当たりの分割数を多くし、ピッチの変化の小さい
領域では単位長さ当たりの分割数を少なくする方がＮを
小さくでき、かつ、不要な特性劣化を防ぐことができ
る。
【００３１】R. Kashyapによれば、線形チャープトグレ
ーティングの場合、最低限必要な分割領域数Ｎmin は以
下のように表される（R. Kashyap, "Design of step-ch
irped fiber Bragg gratings", Opt. Commun., vol. 13
6, pp. 461-469, 1997. ）。ここで、α＝５．５×１０
11（ｍ-2）である。
ーティングの場合、最低限必要な分割領域数Ｎmin は以
下のように表される（R. Kashyap, "Design of step-ch
irped fiber Bragg gratings", Opt. Commun., vol. 13
6, pp. 461-469, 1997. ）。ここで、α＝５．５×１０
11（ｍ-2）である。
【００３２】
Ｎmin ＝αΔλＬg ・・・（12）
この式から、単位長さ当たりの最低限必要な分割領域数
ｎは、 ｎ＝Ｎmin ／Ｌg ＝αΔλ ・・・（13） で与えられる。
ｎは、 ｎ＝Ｎmin ／Ｌg ＝αΔλ ・・・（13） で与えられる。
【００３３】非線形チャープトグレーティングといえど
も、部分的には略線形チャープトグレーティングと見な
せるので、短い領域では式（１３）が適用できると考え
られる。
も、部分的には略線形チャープトグレーティングと見な
せるので、短い領域では式（１３）が適用できると考え
られる。
【００３４】すなわち、非線形チャープトグレーティン
グを長手方向に十分短く分割したとき、それぞれの小グ
レーティングは式（１３）が当てはまる。ただし、帯域
はそれぞれ異なる。これは、ブラッグ波長の変化率ｍ
（ｚ）が一定でないためである。ここで、変化率ｍ
（ｚ）の意味は、 ｍ（ｚ）＝ｄλ／ｄｚ ・・・（14） である。線形チャープトグレーティングの場合、式
（６）を微分して、 ｍFG（ｚ）＝Δλ／Ｌg ＝Ｎmin ／αＬg 2 ＝ｎ／αＬg ・・・（15） であることが分かる。すなわち、 ｎ＝αＬg ｍFG ・・・（16） である。一方、非線形チャープトグレーティングＡの場
合、 ｍA （ｚ）＝Δλ／２√（Ｌg ｚ） ・・・（17） となる。十分短い領域では、式（１６）から類推して、
単位長さ当たりの最低限の分割領域数ｎA （ｚ）は、 ｎA （ｚ）＝αＬg ｍA （ｚ）＝１／２×αΔλ√（Ｌg ／ｚ） ・・・（18） となると考えられる。
グを長手方向に十分短く分割したとき、それぞれの小グ
レーティングは式（１３）が当てはまる。ただし、帯域
はそれぞれ異なる。これは、ブラッグ波長の変化率ｍ
（ｚ）が一定でないためである。ここで、変化率ｍ
（ｚ）の意味は、 ｍ（ｚ）＝ｄλ／ｄｚ ・・・（14） である。線形チャープトグレーティングの場合、式
（６）を微分して、 ｍFG（ｚ）＝Δλ／Ｌg ＝Ｎmin ／αＬg 2 ＝ｎ／αＬg ・・・（15） であることが分かる。すなわち、 ｎ＝αＬg ｍFG ・・・（16） である。一方、非線形チャープトグレーティングＡの場
合、 ｍA （ｚ）＝Δλ／２√（Ｌg ｚ） ・・・（17） となる。十分短い領域では、式（１６）から類推して、
単位長さ当たりの最低限の分割領域数ｎA （ｚ）は、 ｎA （ｚ）＝αＬg ｍA （ｚ）＝１／２×αΔλ√（Ｌg ／ｚ） ・・・（18） となると考えられる。
【００３５】非線形チャープトグレーティングＢの場合
も同様に、 ｍB （ｚ）＝Δλ／｛２Ｌg √（１−ｚ／Ｌg ）｝ ・・・（19） ｎB （ｚ）＝αＬg ｍB （ｚ）＝αΔλ／｛２√（１−ｚ／Ｌg ）｝ ・・・（20） となる。すなわち、非線形チャープトファイバーグレー
ティングＡ，Ｂを実現する位相マスクのパターンは、十
分小さい領域内で式（１８）、（２０）を満たしつつ、
式（４）、（５）で表されるピッチの変化をすることに
なる。このとき、式（４）、（５）のＮの値はそれぞれ
の領域におけるｎA （ｚ）に長さＬg を乗じたもので置
き換えればよい。この十分小さい領域内とは、理想的に
は非線形チャープが略線形と見なせるまで小さな領域で
あるが、実際には例えば全体を３分割した程度でもそれ
に当てはまると考えられる。パターンをＸ分割してＸ個
の領域を形成したときに、それぞれの領域の任意の点ｚ
において、単位長さ当たりの分割領域数の設計値ｎ
d （ｚ）が以下の条件を満たせばよい。
も同様に、 ｍB （ｚ）＝Δλ／｛２Ｌg √（１−ｚ／Ｌg ）｝ ・・・（19） ｎB （ｚ）＝αＬg ｍB （ｚ）＝αΔλ／｛２√（１−ｚ／Ｌg ）｝ ・・・（20） となる。すなわち、非線形チャープトファイバーグレー
ティングＡ，Ｂを実現する位相マスクのパターンは、十
分小さい領域内で式（１８）、（２０）を満たしつつ、
式（４）、（５）で表されるピッチの変化をすることに
なる。このとき、式（４）、（５）のＮの値はそれぞれ
の領域におけるｎA （ｚ）に長さＬg を乗じたもので置
き換えればよい。この十分小さい領域内とは、理想的に
は非線形チャープが略線形と見なせるまで小さな領域で
あるが、実際には例えば全体を３分割した程度でもそれ
に当てはまると考えられる。パターンをＸ分割してＸ個
の領域を形成したときに、それぞれの領域の任意の点ｚ
において、単位長さ当たりの分割領域数の設計値ｎ
d （ｚ）が以下の条件を満たせばよい。
【００３６】
ｎd （ｚ）≧ｎA （ｚ）＝１／２×αΔλ√（Ｌg ／ｚ） ・・・（21）
ｎd （ｚ）≧ｎB （ｚ）＝αΔλ／｛２√（１−ｚ／Ｌg ）｝・・（22）
ただし、チャープトグレーティングＡの場合、ｚ＝０が
含まれる領域は、δを十分小さいある正値として、ｚ＝
δの点で上記が満たされればよい。チャープトグレーテ
ィングＢの場合も、ｚ＝Ｌg が含まれる領域は、δを十
分小さいある正値として、ｚ＝Ｌg −δの点でやはり上
記が満たされればよい。
含まれる領域は、δを十分小さいある正値として、ｚ＝
δの点で上記が満たされればよい。チャープトグレーテ
ィングＢの場合も、ｚ＝Ｌg が含まれる領域は、δを十
分小さいある正値として、ｚ＝Ｌg −δの点でやはり上
記が満たされればよい。
【００３７】次に、本発明の光ファイバー加工用位相マ
スクの製造方法を実施例に基づいて説明する。
スクの製造方法を実施例に基づいて説明する。
【００３８】図２は、本発明の製造方法を１実施例の工
程を示した断面図である。図２中、１０はブランク、１
１は石英基板、１２はクロム薄膜、１２Ａはクロムパタ
ーン、１２Ｂはクロム開口部、１３はレジスト、１３Ａ
はレジストパターン、１３Ｂはレジスト開口部、１４は
電子線（ビーム）、１５は凹溝、１７は位相マスクであ
る。
程を示した断面図である。図２中、１０はブランク、１
１は石英基板、１２はクロム薄膜、１２Ａはクロムパタ
ーン、１２Ｂはクロム開口部、１３はレジスト、１３Ａ
はレジストパターン、１３Ｂはレジスト開口部、１４は
電子線（ビーム）、１５は凹溝、１７は位相マスクであ
る。
【００３９】まず、石英基板１１上に１５０μｍ厚のク
ロム薄膜１２をスパッタにて成膜したブランクス１０を
用意した（図２（ａ））。
ロム薄膜１２をスパッタにて成膜したブランクス１０を
用意した（図２（ａ））。
【００４０】クロム薄膜１２は、後工程のレジストに電
子線を照射する際のチャージアップ防止に役立ち、石英
基板１１に凹溝１５を作製する際のマスクとなるもので
ある。
子線を照射する際のチャージアップ防止に役立ち、石英
基板１１に凹溝１５を作製する際のマスクとなるもので
ある。
【００４１】次いで、レジスト１３としては、電子線レ
ジストＲＥ５１００Ｐ（日立化成株式会社製）を用い、
４００ｎｍに塗布し、乾燥した（図２（ｂ））。
ジストＲＥ５１００Ｐ（日立化成株式会社製）を用い、
４００ｎｍに塗布し、乾燥した（図２（ｂ））。
【００４２】次に、このレジスト１３に電子線１４にて
チャープトグレーティング２０（図１）のパターン描画
をするが、その際の本発明に基づくパターンの分割方法
は以下の通りである。
チャープトグレーティング２０（図１）のパターン描画
をするが、その際の本発明に基づくパターンの分割方法
は以下の通りである。
【００４３】ここでは、非線形チャープトファイバーグ
レーティングＢの例を示す。チャープトファイバーグレ
ーティングの帯域Δλと最長波長の点Ｌg は、Δλ＝１
０ｎｍ、Ｌg ＝１０ｍｍとした。ｚの単位を［ｍｍ］と
すれば、 ｎB （ｚ）＝５．５／｛２√（１−ｚ／１０）｝［１／ｍｍ］・・（23） となる。ｚ→１０ｍｍとなるにつれ、ｎB （ｚ）→∞と
なるため、ｚが大きくなる程単位長さ当たりの分割数を
大きくする必要がある。
レーティングＢの例を示す。チャープトファイバーグレ
ーティングの帯域Δλと最長波長の点Ｌg は、Δλ＝１
０ｎｍ、Ｌg ＝１０ｍｍとした。ｚの単位を［ｍｍ］と
すれば、 ｎB （ｚ）＝５．５／｛２√（１−ｚ／１０）｝［１／ｍｍ］・・（23） となる。ｚ→１０ｍｍとなるにつれ、ｎB （ｚ）→∞と
なるため、ｚが大きくなる程単位長さ当たりの分割数を
大きくする必要がある。
【００４４】３分割とすると、例えば、0 ≦ｚ≦５ｍｍ
（領域Ｉ）、５≦ｚ≦７．５ｍｍ（領域ＩＩ）、７．５
≦ｚ≦１０ｍｍ（領域ＩＩＩ）となる。領域Ｉの単位長
さ当たりの分割数はｎd （ｚ）≧ｎB （ｚ＝５ｍｍ）＝
３．９／ｍｍで、全体として分割数は３．９×５＝１
９．５以上（２０以上）あればよい。
（領域Ｉ）、５≦ｚ≦７．５ｍｍ（領域ＩＩ）、７．５
≦ｚ≦１０ｍｍ（領域ＩＩＩ）となる。領域Ｉの単位長
さ当たりの分割数はｎd （ｚ）≧ｎB （ｚ＝５ｍｍ）＝
３．９／ｍｍで、全体として分割数は３．９×５＝１
９．５以上（２０以上）あればよい。
【００４５】領域ＩＩは、同様に１４以上（この場合、
ｚ＝７．５ｍｍを式（２１）の右辺に代入して計算）、
領域ＩＩＩは、３１以上となる（この場合、ｚ＝９．５
ｍｍを式（２１）の右辺に代入して計算）。
ｚ＝７．５ｍｍを式（２１）の右辺に代入して計算）、
領域ＩＩＩは、３１以上となる（この場合、ｚ＝９．５
ｍｍを式（２１）の右辺に代入して計算）。
【００４６】そこで、３倍の余裕をみて、領域Ｉは６０
分割、領域ＩＩは４０分割、領域ＩＩＩは１００分割と
した。ここで、各領域におけるピッチの式は、式（５）
のＮに、それぞれ６０×１０ｍｍ／５ｍｍ＝１２０、４
０×１０ｍｍ／２．５ｍｍ＝１６０、１００×１０ｍｍ
／２．５ｍｍ＝４００を代入したものになる。また対応
するｋは、１〜６０（領域Ｉ）、８１〜１２０（領域Ｉ
Ｉ）、３０１〜４００（領域ＩＩＩ）となる。
分割、領域ＩＩは４０分割、領域ＩＩＩは１００分割と
した。ここで、各領域におけるピッチの式は、式（５）
のＮに、それぞれ６０×１０ｍｍ／５ｍｍ＝１２０、４
０×１０ｍｍ／２．５ｍｍ＝１６０、１００×１０ｍｍ
／２．５ｍｍ＝４００を代入したものになる。また対応
するｋは、１〜６０（領域Ｉ）、８１〜１２０（領域Ｉ
Ｉ）、３０１〜４００（領域ＩＩＩ）となる。
【００４７】この後、レジスト１３を電子線描画装置Ｍ
ＥＢＥ Ｓ４５００（ＥＴＥＣ社製）にて露光量１. ２
μＣ／ｃｍ2 でチャープトグレーティングパターンを露
光した（図２（ｃ））。
ＥＢＥ Ｓ４５００（ＥＴＥＣ社製）にて露光量１. ２
μＣ／ｃｍ2 でチャープトグレーティングパターンを露
光した（図２（ｃ））。
【００４８】次いで、得られたレジストパターン１３Ａ
（図２（ｄ））をマスクとして、ＣＨ2 ＣＣｌ2 ガスを
用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターン１２Ａ
を形成した（図２（ｅ））。
（図２（ｄ））をマスクとして、ＣＨ2 ＣＣｌ2 ガスを
用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターン１２Ａ
を形成した（図２（ｅ））。
【００４９】次いで、クロム薄膜パターン１２Ａをマス
クとして、ＣＦ4 ガスを用いて石英基板１１を深さ２４
０ｎｍだけエッチングした（図２（ｆ））。深さの制御
はエッチング時間を制御することにより行われ、深さ２
００〜４００ｎｍの範囲で制御してエッチングが可能で
ある。
クとして、ＣＦ4 ガスを用いて石英基板１１を深さ２４
０ｎｍだけエッチングした（図２（ｆ））。深さの制御
はエッチング時間を制御することにより行われ、深さ２
００〜４００ｎｍの範囲で制御してエッチングが可能で
ある。
【００５０】この後、７０℃の硫酸にてレジストパター
ン１３Ａを剥離し（図２（ｇ））、硝酸第二セリウムア
ンモニウム溶液によりクロム薄膜パターン１２Ａをエッ
チングして除去し、洗浄処理を経て、長さ１１０ｍｍ、
深さ２４０ｎｍ、ピッチ１．０７０μｍを中心とするラ
イン＆スペースの凹溝１５を持つ位相マスク１７を完成
した（図２（ｈ））。
ン１３Ａを剥離し（図２（ｇ））、硝酸第二セリウムア
ンモニウム溶液によりクロム薄膜パターン１２Ａをエッ
チングして除去し、洗浄処理を経て、長さ１１０ｍｍ、
深さ２４０ｎｍ、ピッチ１．０７０μｍを中心とするラ
イン＆スペースの凹溝１５を持つ位相マスク１７を完成
した（図２（ｈ））。
【００５１】上記位相マスク１７を用いてファイバーグ
レーティングを作製するために用意した光ファイバー
は、チャープトグレーティング形成時に問題となる放射
モード損失を低減化するよう設計されており（L. Dong
et al., "Optical fibers withdepressed claddings fo
r suppression of coupling into cladding modes infi
ber Bragg gratings", IEEE Photo. Tech. Lett., vol.
9, pp. 64-66, 1997.）、高圧水素充填により高感度化
した（P. J. Lemaire, et al., "High pressure H2 loa
ding as a technique for achieving ultrahigh UV pho
tosensitivityand thermal sensitivity in GeO2 doped
optical fibers", Electron. Lett.,vol. 29, no. 13,
pp. 1191-1193 1993.）。この光ファイバーのコアに、
作製した非線形ステップチャープト位相マスク１７を介
して紫外レーザ光（波長２４４ｎｍ）を照射し、＋１次
回折光と−１次回折光とを光ファイバーのコア内で干渉
させて、長さ１０ｍｍの非線形チャープトファイバーグ
レーティングを作製した（その作製（複製）方法は、例
えば特開平１１−７２６３１号の従来の技術に示されて
いる。）。その際、グレーティングの両端間の反射に伴
う群遅延リップルを抑圧するため、アポディゼーション
を施した（B. Malo et al., "Apodised infiber Bragg
grating reflectors photoimprinted using a phase ma
sk", Electron. Lett., vol. 31, no. 3, pp. 223-225,
1995. ）。
レーティングを作製するために用意した光ファイバー
は、チャープトグレーティング形成時に問題となる放射
モード損失を低減化するよう設計されており（L. Dong
et al., "Optical fibers withdepressed claddings fo
r suppression of coupling into cladding modes infi
ber Bragg gratings", IEEE Photo. Tech. Lett., vol.
9, pp. 64-66, 1997.）、高圧水素充填により高感度化
した（P. J. Lemaire, et al., "High pressure H2 loa
ding as a technique for achieving ultrahigh UV pho
tosensitivityand thermal sensitivity in GeO2 doped
optical fibers", Electron. Lett.,vol. 29, no. 13,
pp. 1191-1193 1993.）。この光ファイバーのコアに、
作製した非線形ステップチャープト位相マスク１７を介
して紫外レーザ光（波長２４４ｎｍ）を照射し、＋１次
回折光と−１次回折光とを光ファイバーのコア内で干渉
させて、長さ１０ｍｍの非線形チャープトファイバーグ
レーティングを作製した（その作製（複製）方法は、例
えば特開平１１−７２６３１号の従来の技術に示されて
いる。）。その際、グレーティングの両端間の反射に伴
う群遅延リップルを抑圧するため、アポディゼーション
を施した（B. Malo et al., "Apodised infiber Bragg
grating reflectors photoimprinted using a phase ma
sk", Electron. Lett., vol. 31, no. 3, pp. 223-225,
1995. ）。
【００５２】図３は、上記実施例に基づいて周期の変化
率の大きい領域では分割数を増やし、変化率の小さい領
域では分割数を減らした非線形ステップチャープトマス
クＢを用いて作製した非線形チャープトファイバーグレ
ーティングの群遅延特性と相対強度を示す図であり、図
４は、比較例として分割密度が長手方向に一定な非線形
ステップチャープトマスクを用いて作製した非線形チャ
ープトファイバーグレーティングの同様の図であり、図
４から明らかなように、分割密度が長手方向に一定な非
線形ステップチャープトマスクを用いたものは、群遅延
リップルが著しく大きいことが分かる。これは、式
（５）において、単にＮ＝２００としたピッチの非線形
ステップチャープトマスクを用いているためである。
率の大きい領域では分割数を増やし、変化率の小さい領
域では分割数を減らした非線形ステップチャープトマス
クＢを用いて作製した非線形チャープトファイバーグレ
ーティングの群遅延特性と相対強度を示す図であり、図
４は、比較例として分割密度が長手方向に一定な非線形
ステップチャープトマスクを用いて作製した非線形チャ
ープトファイバーグレーティングの同様の図であり、図
４から明らかなように、分割密度が長手方向に一定な非
線形ステップチャープトマスクを用いたものは、群遅延
リップルが著しく大きいことが分かる。これは、式
（５）において、単にＮ＝２００としたピッチの非線形
ステップチャープトマスクを用いているためである。
【００５３】一方、図３から明らかなように、本発明に
基づいて上記のように分割密度を長手方向に変化させた
非線形ステップチャープトマスクＢを用いて作製した非
線形チャープトファイバーグレーティングは、群遅延リ
ップルが相当小さいことが分かる。
基づいて上記のように分割密度を長手方向に変化させた
非線形ステップチャープトマスクＢを用いて作製した非
線形チャープトファイバーグレーティングは、群遅延リ
ップルが相当小さいことが分かる。
【００５４】このようにして本発明に基づいて、群遅延
特性におけるノイズ（ゆらぎ、リップル）が±１０ｐｓ
以下に抑えられた分散補償デバイス（ブラッグ回折格子
付き光ファイバー、ブラッグ回折格子付き光導波路）を
得ることが可能になる。
特性におけるノイズ（ゆらぎ、リップル）が±１０ｐｓ
以下に抑えられた分散補償デバイス（ブラッグ回折格子
付き光ファイバー、ブラッグ回折格子付き光導波路）を
得ることが可能になる。
【００５５】以上、本発明の回折格子形成用位相マスク
及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光フ
ァイバー、光導波路をその原理と実施例に基づいて説明
してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の
変形が可能である。
及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光フ
ァイバー、光導波路をその原理と実施例に基づいて説明
してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の
変形が可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複
製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路による
と、異なる周期を有する複数の回折格子が、周期の小さ
いものから大きいものの順に平面上に格子の向きが同一
方向になるように集合されているか、あるいは、平面上
に格子の向きが同一方向になるように集合されており、
特に、その周期の変化率の大きい領域程単位長さ当たり
周期の不連続相が割合的に多く存在するように集合され
ているので、高性能のチャープトグレーティングを作製
するための位相マスクを描画時間の増大なしに容易に製
造することができ、また、その位相マスクから高性能の
チャープトブラッグ回折格子付き光ファイバー及び光導
波路を容易に作製することができる。
の回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複
製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路による
と、異なる周期を有する複数の回折格子が、周期の小さ
いものから大きいものの順に平面上に格子の向きが同一
方向になるように集合されているか、あるいは、平面上
に格子の向きが同一方向になるように集合されており、
特に、その周期の変化率の大きい領域程単位長さ当たり
周期の不連続相が割合的に多く存在するように集合され
ているので、高性能のチャープトグレーティングを作製
するための位相マスクを描画時間の増大なしに容易に製
造することができ、また、その位相マスクから高性能の
チャープトブラッグ回折格子付き光ファイバー及び光導
波路を容易に作製することができる。
【図１】本発明による回折格子形成用位相マスクの原理
と構成を説明するための図である。
と構成を説明するための図である。
【図２】本発明による光ファイバー加工用位相マスクの
製造方法の１実施例の工程を示した断面図である。
製造方法の１実施例の工程を示した断面図である。
【図３】本発明の１実施例の非線形ステップチャープト
マスクを用いて作製した非線形チャープトファイバーグ
レーティングの群遅延特性と相対強度を示す図である。
マスクを用いて作製した非線形チャープトファイバーグ
レーティングの群遅延特性と相対強度を示す図である。
【図４】比較例の非線形ステップチャープトマスクを用
いて作製した非線形チャープトファイバーグレーティン
グの群遅延特性と相対強度を示す図である。
いて作製した非線形チャープトファイバーグレーティン
グの群遅延特性と相対強度を示す図である。
１０…ブランク
１１…石英基板
１２…クロム薄膜
１２Ａ…クロムパターン
１２Ｂ…クロム開口部
１３…レジスト
１３Ａ…レジストパターン
１３Ｂ…レジスト開口部
１４…電子線（ビーム）
１５…凹溝
１７…位相マスク
２０…回折格子形成用位相マスクのチャープトグレーテ
ィング Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ・・・Ｇk ・・・ＧN-1 ，ＧN …グレ
ーティング
ィング Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ・・・Ｇk ・・・ＧN-1 ，ＧN …グレ
ーティング
フロントページの続き
(72)発明者 藤本 茂一
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 小向 哲郎
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 乾 哲郎
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
Ｆターム(参考） 2H047 LA02 LA03 LA19 PA30
2H049 AA34 AA48 AA59 AA62 AA66
2H050 AC82 AC84 AD00
2H095 BA12 BB03 BB08 BB10
Claims (10)
- 【請求項１】 異なる次数の回折光相互の干渉縞により
回折格子を形成するための位相マスクであって、回折格
子の周期が非線形に増加する回折格子形成用位相マスク
において、異なる周期を有する複数の回折格子が周期の
小さいものから大きいものの順に平面上に格子の向きが
同一方向になるように集合されていることを特徴とする
回折格子形成用位相マスク。 - 【請求項２】 異なる次数の回折光相互の干渉縞により
回折格子を形成するための位相マスクであって、回折格
子の周期が不連続に変化する回折格子形成用位相マスク
において、異なる周期を有する複数の回折格子が平面上
に格子の向きが同一方向になるように集合されているこ
とを特徴とする回折格子形成用位相マスク。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、回折格子の周
期が非線形にかつ不連続に変化する際に、その周期の変
化率の大きい領域程単位長さ当たり周期の不連続相が割
合的に多く存在するように集合されていることを特徴と
する回折格子形成用位相マスク。 - 【請求項４】 請求項１から３の何れか１項において、
電子線あるいはレーザー描画装置で描画して形成された
ことを特徴とする回折格子形成用位相マスク。 - 【請求項５】 請求項１から４の何れか１項記載の回折
格子形成用位相マスクを用いて、その位相マスクからの
異なる次数の回折光相互の干渉縞により回折格子が形成
されていることを特徴とする光ファイバー。 - 【請求項６】 形成されている回折格子が分散補償を目
的とするものであることを特徴とする請求項５記載の光
ファイバー。 - 【請求項７】 請求項６において、群遅延特性における
ノイズ（ゆらぎ、リップル）が±１０ｐｓ以下であるこ
とを特徴とする光ファイバー。 - 【請求項８】 請求項１から４の何れか１項記載の回折
格子形成用位相マスクを用いて、その位相マスクからの
異なる次数の回折光相互の干渉縞により回折格子が形成
されていることを特徴とする光導波路。 - 【請求項９】 形成されている回折格子が分散補償を目
的とするものであることを特徴とする請求項８記載の光
導波路。 - 【請求項１０】 請求項９において、群遅延特性におけ
るノイズ（ゆらぎ、リップル）が±１０ｐｓ以下である
ことを特徴とする光導波路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002120694A JP4155440B2 (ja) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 |
| US10/421,634 US6876792B2 (en) | 2002-04-23 | 2003-04-21 | Phase mask for forming diffraction grating, and optical fiber and optical waveguide having diffraction grating duplicated using the phase mask |
| GB0309089A GB2389669B (en) | 2002-04-23 | 2003-04-22 | Phase mask for forming diffraction grating,and optical fiber and optical waveguide having diffraction grating duplicated using the phase mask |
| CA2426443A CA2426443C (en) | 2002-04-23 | 2003-04-23 | Phase mask for forming diffraction grating, and optical fiber and optical waveguide having diffraction grating duplicated using the phase mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002120694A JP4155440B2 (ja) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003315520A true JP2003315520A (ja) | 2003-11-06 |
| JP4155440B2 JP4155440B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=19194123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002120694A Expired - Fee Related JP4155440B2 (ja) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6876792B2 (ja) |
| JP (1) | JP4155440B2 (ja) |
| CA (1) | CA2426443C (ja) |
| GB (1) | GB2389669B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018046309A (ja) * | 2017-12-26 | 2018-03-22 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及び光通信モジュール |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4155440B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2008-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 |
| GB2441557B (en) * | 2006-09-11 | 2010-03-17 | Medway Nhs Trust | Radiation device or signal |
| US7773307B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-08-10 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corporation | Phase mask with continuous azimuthal variation for a coronagraph imaging system |
| US8320722B1 (en) * | 2010-04-13 | 2012-11-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Non-linear optical grating |
| US8422841B1 (en) | 2010-05-13 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Double optical grating |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111645A (en) * | 1991-04-29 | 2000-08-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Grating based phase control optical delay line |
| US5857043A (en) * | 1996-08-12 | 1999-01-05 | Corning Incorporated | Variable period amplitude grating mask and method for use |
| US5945261A (en) * | 1996-11-19 | 1999-08-31 | Northern Telecom Limited | Creation of Bragg reflective gratings in waveguides |
| JP3526215B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2004-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法 |
| JP2001242313A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー |
| US6833954B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-12-21 | Teraxion Inc. | Lithographic method for manufacturing a mask used in the fabrication of a fiber Bragg grating |
| US6898351B2 (en) * | 2000-11-07 | 2005-05-24 | Photon-X, Llc | Optical fiber transmission systems with suppressed light scattering |
| US6778733B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-08-17 | Teraxion Inc. | Lithographic fabrication of phase mask for fiber Bragg gratings |
| US6693701B2 (en) * | 2001-05-29 | 2004-02-17 | Ibsen Photonics A/S | Method and apparatus for diffractive transfer of a mask grating |
| JP4155440B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2008-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 回折格子形成用位相マスク及びこのマスクを用いて複製した回折格子を備えた光ファイバー、光導波路 |
-
2002
- 2002-04-23 JP JP2002120694A patent/JP4155440B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-21 US US10/421,634 patent/US6876792B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-22 GB GB0309089A patent/GB2389669B/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-23 CA CA2426443A patent/CA2426443C/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018046309A (ja) * | 2017-12-26 | 2018-03-22 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及び光通信モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2389669B (en) | 2005-08-24 |
| US6876792B2 (en) | 2005-04-05 |
| GB0309089D0 (en) | 2003-05-28 |
| GB2389669A (en) | 2003-12-17 |
| CA2426443C (en) | 2011-06-21 |
| CA2426443A1 (en) | 2003-10-23 |
| JP4155440B2 (ja) | 2008-09-24 |
| US20040005117A1 (en) | 2004-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041014 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060828 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080605 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080702 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080703 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4155440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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