JP2003313518A - Heat-resistant adhesive tape - Google Patents

Heat-resistant adhesive tape

Info

Publication number
JP2003313518A
JP2003313518A JP2002117982A JP2002117982A JP2003313518A JP 2003313518 A JP2003313518 A JP 2003313518A JP 2002117982 A JP2002117982 A JP 2002117982A JP 2002117982 A JP2002117982 A JP 2002117982A JP 2003313518 A JP2003313518 A JP 2003313518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
resistant
adhesive tape
adhesive
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002117982A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4128795B2 (en
Inventor
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2002117982A priority Critical patent/JP4128795B2/en
Publication of JP2003313518A publication Critical patent/JP2003313518A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4128795B2 publication Critical patent/JP4128795B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a removable heat-resistant acrylic adhesive tape which is used for fixing semiconductor devices in a process for manufacturing the semiconductor devices and for protecting electrodes in a process for molding a resin, has an adhesive characteristic enough for holding chips on the electrodes in a wire bonding process and for preventing the contamination of a resin on the surfaces of the electrodes in a molding process, does not produce an outer gas, when heated, and can easily be peeled, after used. <P>SOLUTION: This removable heat-resistant adhesive tape for fixing the semiconductor devices is characterized by laminating a radiation-curable acrylic adhesive to the roughed surface of a heat-resistant film having a heat shrinkage constant of ≤0.2%, when heated at 200°C. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基材フィルムの片
面に粘着剤層を設け、粘着剤層側にセパレータを設けて
なる粘着テープに関するものである。さらに詳しくは、
半導体装置を製造するにあたりウェハ等を固定し、ワイ
ヤーボンドした後、さらに樹脂封止工程でモールド樹脂
の流れに抗してチップを保持しながらモールド樹脂の漏
れを抑制するために使用される半導体固定用再剥離型耐
熱性粘着テープに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of a base film and a separator provided on the pressure-sensitive adhesive layer side. For more details,
Used in manufacturing semiconductor devices, after fixing the wafer, wire-bonding, etc., semiconductor fixing used to suppress the leakage of mold resin while holding the chip against the flow of mold resin in the resin encapsulation process. The present invention relates to a removable heat resistant adhesive tape.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICなどの半導体装置の組立工程におい
ては、パターン形成後の半導体ウェハ等は個々のチップ
に切断分離(ダイシング)する工程と、チップをリード
フレーム等にマウントする工程、チップと電極間のワイ
ヤーボンド工程、さらに樹脂等で封止する工程からなっ
ている。QFN(Quad Flat Non-Lead)パッケージの組
み立て工程では、ワイヤーボンド工程から樹脂モールド
工程までの間でリードフレームとチップの保持およびリ
ードフレーム電極面を保護するために粘着テープが使用
されるが、工程を通じて180℃前後の高温度に晒され
る。したがって、加熱の前後でも粘着力が変化しにくい
耐熱性の粘着テープとして、耐熱性のポリイミドフィル
ム基材を用いたシリコーン系粘着テープが使用されてい
る。ワイヤーボンド時にはリードフレームを保持し、樹
脂モールド工程では、電極面への樹脂漏れを抑制するこ
とが求められているうえ、使用後には容易に剥離できる
ことと糊残りによる汚染のないことも必要とされてい
る。
2. Description of the Related Art In a process of assembling a semiconductor device such as an IC, a semiconductor wafer or the like after pattern formation is cut into individual chips (dicing), a process of mounting the chips on a lead frame or the like, a process of mounting the chips and electrodes. It is composed of a wire bonding step between them and a step of sealing with a resin or the like. In the assembly process of a QFN (Quad Flat Non-Lead) package, adhesive tape is used to hold the lead frame and chip and protect the lead frame electrode surface between the wire bonding process and the resin molding process. Exposed to high temperature around 180 ℃. Therefore, a silicone-based adhesive tape using a heat-resistant polyimide film base material is used as a heat-resistant adhesive tape whose adhesive force does not easily change before and after heating. It is required to hold the lead frame during wire bonding and to prevent resin leakage to the electrode surface in the resin molding process, and it is also necessary to be able to easily peel off after use and to prevent contamination due to adhesive residue. ing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記工程で使用されて
いるシリコーン系粘着剤の問題点は、加熱時に粘着剤構
成成分であるシロキサンが揮発ガス成分として放出され
ることである。放出されるシロキサンは高沸点のものが
多いことから、低温部位に接触して皮膜を形成しやす
く、ワイヤーボンドされるはんだボール上に付着するよ
うな場合にはワイヤーボンド不良の原因となり易いこと
が懸念されている。シリコーン系粘着剤をアクリル系粘
着剤へと変更することで、シロキサンガスによる汚染は
無くなり、材料コストも低減されることが容易に推測で
きる。しかし、一般的なアクリル系粘着剤ではその耐熱
性が低く加熱前後では粘着特性が変化し易いことから上
記工程での利用が難しいと考えられている。そこで、本
発明は半導体製造工程における半導体装置の固定および
樹脂モールド工程での電極保護に使用されるのに好適な
半導体固定用再剥離型耐熱性テープを提供することを目
的とする。より詳しく言えば、ワイヤーボンド時には電
極とチップを保持しモールド工程では電極表面への樹脂
汚染を抑止するに十分な粘着特性を有するが、加熱時に
はシロキサン等のアウトガスを生じることが無く、使用
後には容易に剥離可能な耐熱性のアクリル系粘着テープ
を提供することを目的とするものである。
The problem with the silicone adhesive used in the above process is that siloxane, which is a constituent of the adhesive, is released as a volatile gas component when heated. Since many of the released siloxanes have high boiling points, it is easy to form a film by contacting low temperature parts, and if they adhere to the solder balls to be wire bonded, they may easily cause wire bond failure. There is concern. It can be easily inferred that by changing the silicone adhesive to an acrylic adhesive, contamination by siloxane gas is eliminated and the material cost is reduced. However, it is considered that a general acrylic pressure-sensitive adhesive is difficult to use in the above process because its heat resistance is low and the pressure-sensitive adhesive property is likely to change before and after heating. Therefore, an object of the present invention is to provide a removable heat-resistant tape for fixing a semiconductor, which is suitable for fixing a semiconductor device in a semiconductor manufacturing process and protecting an electrode in a resin molding process. More specifically, it has an adhesive property sufficient to hold the electrode and the chip during wire bonding and to prevent resin contamination on the electrode surface during the molding process, but it does not generate outgas such as siloxane when heated and does not generate after-use. An object of the present invention is to provide a heat-resistant acrylic pressure-sensitive adhesive tape that can be easily peeled off.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前述した課題を達成する
ために鋭意検討した結果、耐熱性フィルムの粗面化され
た表面に特定の放射線硬化型アクリル系粘着剤を積層す
ることにより、半導体製造工程においてシロキサンガス
を生じないアクリル系粘着テープは加熱前後の粘着特性
変化が低減できることを見いだし、耐熱性粘着テープを
開発するに至った。すなわち、本発明は、(1)200
℃加熱の熱収縮率が0.2%以下である耐熱性フィルム
の粗面化された表面に放射線硬化型アクリル系粘着剤を
積層したことを特徴とする半導体固定用再剥離型耐熱性
粘着テープ、(2)前記耐熱性フィルムは、粘着剤塗工
面の表面粗さRzが1μmを越えるものであることを特
徴とする(1)に記載の半導体固定用再剥離型耐熱性粘
着テープ、及び、(3)前記放射線硬化型アクリル系粘
着剤が少なくとも側鎖に放射線硬化性炭素−炭素二重結
合、水酸基及びカルボキシル基を有するアクリル系共重
合体を主成分とし、かつゲル分率が60%以上であるこ
とを特徴とする(1)又は(2)に記載の半導体固定用
再剥離型耐熱性粘着テープ、を提供するものである。な
お、ここで言う放射線とは、紫外線のような光線、又は
電子線のような電離性放射線をさす。
[Means for Solving the Problems] As a result of earnest studies to achieve the above-mentioned problems, as a result of laminating a specific radiation-curable acrylic pressure-sensitive adhesive on the roughened surface of a heat-resistant film, semiconductor manufacturing We found that an acrylic adhesive tape that does not generate siloxane gas in the process can reduce the change in adhesive properties before and after heating, and developed a heat-resistant adhesive tape. That is, the present invention provides (1) 200
A radiation-curable acrylic pressure-sensitive adhesive is laminated on the roughened surface of a heat-resistant film having a heat shrinkage rate of 0.2% or less when heated at 0 ° C. (2) The heat-resistant film has a surface roughness Rz of a pressure-sensitive adhesive coated surface of more than 1 μm, and the removable heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor fixing according to (1), (3) The radiation-curable acrylic pressure-sensitive adhesive is mainly composed of an acrylic copolymer having a radiation-curable carbon-carbon double bond, a hydroxyl group and a carboxyl group in at least a side chain, and has a gel fraction of 60% or more. The releasable heat-resistant adhesive tape for fixing semiconductor according to (1) or (2) is provided. The radiation referred to here means a light ray such as an ultraviolet ray or an ionizing radiation such as an electron beam.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明に用いられる粘着剤は、少
なくとも側鎖に放射線硬化性炭素−炭素二重結合、水酸
基及びカルボキシル基を有するアクリル系重合体を含む
ものが好ましい。本発明におけるこのアクリル系共重合
体(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、
例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合
体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するもの
で、かつ、官能基をもつ化合物Iと、その官能基と反応
し得る官能基をもつ化合物IIとを反応させて得たものが
用いられる。このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素
二重結合および官能基を有する化合物Iは、アクリル酸
アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル
などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体
I−1と、官能基を有する単量体I−2とを共重合させ
て得ることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The pressure-sensitive adhesive used in the present invention preferably contains at least a side chain containing an acrylic polymer having a radiation-curable carbon-carbon double bond, a hydroxyl group and a carboxyl group. The acrylic copolymer (A) in the present invention may be produced by any method,
For example, a compound having a radiation-curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer, and having a compound I having a functional group and a functional group capable of reacting with the functional group. The one obtained by reacting with Compound II is used. Of these, the compound I having a radiation-curable carbon-carbon double bond and a functional group is a monomer I-having a radiation-curable carbon-carbon double bond such as an acrylic acid alkyl ester or a methacrylic acid alkyl ester. It can be obtained by copolymerizing 1 with a monomer I-2 having a functional group.

【0006】単量体I−1としては、炭素数6〜12の
ヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イ
ソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレ
ート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、ま
たは炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレー
ト、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレー
ト、エチルアクリレート、メチルアクリレート、または
これらと同様のメタクリレートなどを列挙することがで
きる。単量体I−1として、炭素数の大きな単量体を使
用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス
転移点のものを作製することができる。また、ガラス転
移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニ
ル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重
結合をもつ低分子化合物を配合することも5重量%以下
の範囲内でできる。単量体I−2が有する官能基として
は、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水
基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることが
でき、単量体I−2の具体例としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル
酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒド
ロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアク
リレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メ
チロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルア
ミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルア
クリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレー
ト類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マ
レイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル
酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化
合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキ
シル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する
単量体でウレタン化したものなどを列挙することができ
る。前記化合物IIにおいて、用いられる官能基として
は、化合物I、つまり単量体I−2の有する官能基が、
カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水
酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げること
ができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシ
アネート基などを挙げることができ、アミノ基である場
合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げるこ
とができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル
基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、
具体例としては、単量体I−2の具体例で列挙したもの
と同様のものを列挙することができる。前記の化合物I
と化合物IIの反応において、未反応の官能基を残すこと
により、酸価または水酸基価などの特性に関して、所望
のものを製造することができる。
The monomer I-1 is hexyl acrylate having 6 to 12 carbon atoms, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a monomer having 5 or less carbon atoms. Can be listed as pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these. As the monomer I-1 having a larger carbon number is used, the glass transition point becomes lower, so that a monomer having a desired glass transition point can be prepared. In addition to the glass transition point, a low molecular weight compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene and acrylonitrile can be blended within the range of 5% by weight or less for the purpose of improving compatibility and various performances. . Examples of the functional group contained in the monomer I-2 include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group and an isocyanate group. Specific examples of the monomer I-2 include: Acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylol acrylamide, N- Methylol methacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl Methacrylate, allyl glycidyl ether, a portion of the isocyanate groups of the polyisocyanate compound a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation-curable carbon - can enumerate such as those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond. In the compound II, the functional group used is a compound I, that is, a functional group contained in the monomer I-2,
When it is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, it may include a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and the like, and when it is a hydroxyl group, it may include a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, etc., and an amino group. When it is, an epoxy group, an isocyanate group, etc. can be mentioned, and when it is an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, etc. can be mentioned,
Specific examples include the same as those listed in the specific examples of the monomer I-2. Compound I as described above
By leaving unreacted functional groups in the reaction of the compound II with the compound II, desired ones can be produced in terms of properties such as acid value or hydroxyl value.

【0007】上記の共重合体(A)の合成において、反
応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン
系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用
することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イ
ソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなど
の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜
120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,
α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、
ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラ
ジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触
媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および
重合時間を調節することにより、所望の分子量の共重合
体(A)を得ることができる。また、分子量を調節する
ことに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を
用いることが好ましい。なお、この重合反応は溶液重合
に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別
の方法でもさしつかえない。以上のようにして、共重合
体(A)を得ることができるが、本発明において、共重
合体(A)の分子量は、10万〜80万程度が好まし
い。分子量が小さすぎると、粘着剤の凝集力が小さくな
って、最終剥離工程での剥離力が上昇して糊残りを生じ
やすくなり電極表面が汚染されることがある。分子量が
大きすぎると、合成時および塗工時にゲル化する可能性
があるからである。なお、本発明における分子量とは、
ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
In the synthesis of the above-mentioned copolymer (A), ketone-based, ester-based, alcohol-based or aromatic-based solvents can be used as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone and the like are generally good solvents for acrylic polymers, and have a boiling point of 60-
A solvent at 120 ° C. is preferable, and as the polymerization initiator, α,
azobis series such as α'-azobisisobutylnitrile,
Radical generators such as organic peroxides such as benzobell peroxide are usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, if necessary, and the copolymer (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. Further, for adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or a carbon tetrachloride-based solvent. The polymerization reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used. The copolymer (A) can be obtained as described above, but in the present invention, the molecular weight of the copolymer (A) is preferably about 100,000 to 800,000. When the molecular weight is too small, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive becomes small, the peeling force in the final peeling step increases, and adhesive residue is likely to occur, which may contaminate the electrode surface. This is because if the molecular weight is too large, gelation may occur during synthesis and coating. Incidentally, the molecular weight in the present invention,
It is a weight average molecular weight in terms of polystyrene.

【0008】つぎに、本発明の粘着剤は主成分の1つと
して、ポリイソシアネート類、またはメラミン・ホルム
アルデヒド樹脂、またはエポキシ樹脂(B)を、共重合
体(A)100重量部に対して0.1〜10重量部、好
ましくは0.4〜3重量部の割合で含有する。(B)は
架橋剤として働き、共重合体(A)または基材フィルム
と反応した結果できる架橋構造により、共重合体(A)
および(B)を主成分とした粘着剤の凝集力を粘着剤塗
布後に向上することができる。(B)の添加量を共重合
体(A)100重量部に対して0.1〜10重量部とす
る。その量が0.1重量部未満では凝集力向上効果が十
分でなく、10重量部を越えると粘着剤の配合および塗
布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成さ
れるため、作業性が損なわれる。このようにして得られ
た粘着剤の放射線照射後の粘着力低減効果を向上し、な
おかつ放射線照射後の粘着剤の流動性を損なわないた
め、さらに、共重合体(A)100重量部に対して放射
線硬化性の炭素−炭素二重結合を少なくとも1個有する
分子量1万未満のシアヌレート化合物またはイソシアヌ
レート化合物(C)を0.1〜10重量部を含有させて
も良い。さらに、この発明に用いられる放射線硬化型粘
着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活
性剤など、あるいはその他の改質剤および慣用成分を配
合することができる。
Next, the pressure-sensitive adhesive of the present invention contains, as one of the main components, polyisocyanates, a melamine-formaldehyde resin, or an epoxy resin (B) in an amount of 0 based on 100 parts by weight of the copolymer (A). 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.4 to 3 parts by weight. (B) acts as a cross-linking agent and has a cross-linking structure formed as a result of reaction with the copolymer (A) or the base film, so that the copolymer (A)
The cohesive force of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of (B) and (B) can be improved after the pressure-sensitive adhesive is applied. The addition amount of (B) is 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the copolymer (A). If the amount is less than 0.1 parts by weight, the effect of improving the cohesive force is not sufficient, and if it exceeds 10 parts by weight, the curing reaction proceeds rapidly during the mixing and application of the pressure-sensitive adhesive, and a crosslinked structure is formed. Workability is impaired. The pressure-sensitive adhesive obtained as described above improves the effect of reducing the pressure-sensitive adhesive strength after irradiation with radiation and does not impair the fluidity of the pressure-sensitive adhesive after irradiation with radiation. 0.1 to 10 parts by weight of a cyanurate compound or isocyanurate compound (C) having a molecular weight of less than 10,000 and having at least one radiation-curable carbon-carbon double bond may be contained. Further, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention may contain a tackifier, a tackifier, a surfactant, etc., or other modifiers and conventional components, if necessary.

【0009】放射線硬化性粘着剤層の厚さは特に制限さ
れるものではないが、通常2〜50μmである。ワイヤ
ーボンド時に加えれられる超音波振動エネルギーを減衰
させることなく電極およびワイヤーへ伝えるためには出
来る限り薄くすることが好ましいが、樹脂漏れに抗する
ための粘着特性を維持するためには2〜10μm程度が
好ましく、被着体へ接する糊表面の表面粗さは小さいほ
うが好ましい。本発明における耐熱性フィルムは、例え
ば銅箔、アルミ箔、リードフレーム用合金箔、ポリイミ
ドフィルム、芳香族ポリアミドフィルム等の金属、プラ
スチックなどを用いるのが好ましく、200℃加熱の熱
収縮率が0.2%以下、好ましくは0.18%以下であ
る限りにおいて特に制限されるものではないが、半導体
製品に使用されるリードフレーム材と同程度の線膨張係
数を有する材料が好ましい。200℃加熱の熱収縮率が
0.2%を越えると、加熱による基材フィルムの収縮に
より粘着剤層に被着体方向への応力が働き、粘着剤が被
着体へ強固に食い込み、剥離が困難で糊残り等が生ず
る。なお、ここでいう200℃加熱の熱収縮率とは、J
IS C2151により200℃で加熱し測定した場合
の熱収縮率である。また、耐熱性フィルムの糊塗工面の
表面粗さRzは、アクリル系粘着剤層との密着力を確保
するために1μmを越え12μm以下程度であることが
好ましい。1μm以下の表面粗さでは、アクリル系粘着
剤の硬化収縮に伴う接着界面への応力集中から耐熱性フ
ィルムと粘着剤層間で剥離が生じやすくなるため、再剥
離工程で粘着剤層が被着体リードフレームへ転着しやす
い。12μm以上では、表面粗さを吸収して粘着剤表面
を平滑に塗工するために必要となる粘着剤使用量が増加
するため経済的でない上に、加熱時に粘着剤層から発生
する有機ガス成分も増加することから好ましくない。
The thickness of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is usually 2 to 50 μm. It is preferable to make it as thin as possible in order to transmit the ultrasonic vibration energy applied during wire bonding to the electrodes and wires without attenuating it, but in order to maintain the adhesive properties to resist resin leakage, it is about 2-10 μm. Is preferred, and the surface roughness of the adhesive surface in contact with the adherend is preferably small. The heat-resistant film in the present invention is preferably a metal such as copper foil, aluminum foil, alloy foil for lead frame, polyimide film, aromatic polyamide film, or plastic, and has a heat shrinkage ratio of 200 ° C. of 0. It is not particularly limited as long as it is 2% or less, preferably 0.18% or less, but a material having a linear expansion coefficient similar to that of a lead frame material used for semiconductor products is preferable. When the heat shrinkage rate of heating at 200 ° C exceeds 0.2%, the base material film shrinks due to heating, which causes stress in the direction of the adherend to act on the adhesive layer, causing the adhesive to bite firmly into the adherend and release. Is difficult to remove, and adhesive residue, etc. may occur. In addition, the thermal contraction rate of heating at 200 ° C. referred to here is J
It is the heat shrinkage ratio when measured at 200 ° C. by IS C2151. Further, the surface roughness Rz of the paste-coated surface of the heat resistant film is preferably more than 1 μm and about 12 μm or less in order to secure the adhesion with the acrylic pressure-sensitive adhesive layer. When the surface roughness is 1 μm or less, peeling easily occurs between the heat resistant film and the pressure-sensitive adhesive layer due to stress concentration on the adhesive interface due to curing shrinkage of the acrylic pressure-sensitive adhesive. Easy to transfer to the lead frame. When it is 12 μm or more, it is not economical because the amount of the adhesive used for absorbing the surface roughness and coating the surface of the adhesive increases, which is not economical, and also the organic gas component generated from the adhesive layer during heating. Also increases, which is not preferable.

【0010】[0010]

【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例に基づき、
更に詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定され
るものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内で
さまざまな実施の形態を取り得るものである。アクリル
系共重合体Aの合成例ブチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、アクリル酸を原料として、下
記表1に示した配合比で周知の溶液重合法にて重合を行
い共重合体Aを得た。この重合体に2−イソシアネート
エチルメタクリレートを下記表1の配合比で付加反応さ
せ、共重合体A1、A2を得た。A3については、2−
イソシアネートエチルメタクリレートの付加を行わない
ものである。
EXAMPLES Next, the present invention will be described based on Examples and Comparative Examples.
Although described in more detail, the present invention is not limited to this embodiment, and various embodiments can be taken within the scope of the claims. Synthesis Example of Acrylic Copolymer A By using butyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and acrylic acid as raw materials, polymerization was performed by a known solution polymerization method at a compounding ratio shown in Table 1 below to obtain a copolymer A. . 2-Isocyanate ethylmethacrylate was added to this polymer at a compounding ratio shown in Table 1 below to obtain copolymers A1 and A2. For A3, 2-
Isocyanate ethyl methacrylate is not added.

【0011】[0011]

【表1】 [Table 1]

【0012】粘着テープの作成例 (実施例1)前記の共重合体A1の100重量部に対し
て硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウ
レタン社製、商品名コロネートL)を1重量部の配合比
で混合し、粘着剤を得た。得られた粘着剤を厚さ18μ
m耐熱性銅箔フィルム(古河サーキットフォイル社製、
STD−GTS、質量厚さ158g/m、200℃加
熱のMD方向、TD方向共に熱収縮率0%)のM面(表
面粗さRz=8μm)にコンマコータを用いて塗工後、
加熱乾燥し厚さ27μmの半導体固定用再剥離型耐熱性
粘着テープを作成した。 (実施例2)実施例1において、耐熱性銅箔フィルムを
STD−GTS35μm(古河サーキットフォイル社
製、質量厚さ285g/m、200℃加熱の熱収縮率
0%、M面表面粗さRz=10μm)および加熱乾燥後
の粘着テープ厚さを40μmとした以外は実施例1と同
様にして、半導体固定用再剥離型耐熱性粘着テープを作
成した。 (実施例3)実施例1において、共重合体A1の替わり
にA2を使用し、耐熱性銅箔フィルムをF3−WS18
μm(古河サーキットフォイル社製、質量厚さ158g
/m 、200℃加熱の熱収縮率0%、処理面表面粗さ
Rz=2μm)とした以外は同様にして、半導体固定用
再剥離型耐熱性粘着テープを作成した。
Example of making an adhesive tape (Example 1) 100 parts by weight of the above-mentioned copolymer A1
Polyisocyanate compound as a curing agent
Mixing ratio of 1 part by weight of Retan Co., Ltd., trade name Coronate L)
To obtain an adhesive. The thickness of the obtained adhesive is 18μ
m Heat-resistant copper foil film (Furukawa Circuit Foil,
STD-GTS, mass thickness 158 g / mTwo, 200 ℃
Heat shrinkage of 0% in both MD and TD directions on the M surface (front)
After applying a surface roughness Rz = 8 μm using a comma coater,
Heat-dried removable heat-resistant 27 μm thick semiconductor fixing
An adhesive tape was created. (Example 2) In Example 1, the heat-resistant copper foil film was added.
STD-GTS 35 μm (Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.
Made, mass thickness 285g / mTwo, Heat shrinkage of 200 ℃ heating
0%, M surface roughness Rz = 10 μm) and after heat drying
Same as Example 1 except that the thickness of the adhesive tape was 40 μm.
In the same way, we made a removable heat-resistant adhesive tape for fixing semiconductors.
I made it. (Example 3) In place of the copolymer A1 in Example 1.
Use A2 for heat resistant copper foil film F3-WS18
μm (Furukawa Circuit Foil, mass thickness 158g
/ M Two, Heat shrinkage of heating at 200 ℃ 0%, surface roughness of treated surface
For fixing semiconductors in the same manner except that Rz = 2 μm)
A removable heat-resistant adhesive tape was prepared.

【0013】(比較例1)実施例1において、耐熱性銅
箔フィルムをF0−WS18μm(古河サーキットフォ
イル社製、質量厚さ158g/m、200℃加熱の熱
収縮率0%、処理面表面粗さRz=1μm)とした以外
は同様にして、半導体固定用再剥離型耐熱性粘着テープ
を作成した。 (比較例2)実施例1において、共重合体A1の替わり
に、共重合体A3を使用した以外は実施例1と同様にし
て、半導体固定用再剥離型耐熱性粘着テープを作成し
た。 (比較例3)実施例1において、耐熱性銅箔フィルムの
替わりに厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム(200℃加熱のMD方向熱収縮率2%、TD方
向熱収縮率0.5%)を用い、加熱乾燥後のテープ厚を
30μmとした以外は実施例1と同様にして、半導体固
定用再剥離型耐熱性粘着テープを作成した。
(Comparative Example 1) In Example 1, a heat-resistant copper foil film was used as F0-WS 18 μm (manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., mass thickness 158 g / m 2 , heat shrinkage rate at heating at 200 ° C. 0%, treated surface). A removable heat-resistant adhesive tape for fixing a semiconductor was prepared in the same manner except that the roughness Rz was set to 1 μm. (Comparative Example 2) A removable heat-resistant adhesive tape for fixing a semiconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the copolymer A3 was used instead of the copolymer A1. Comparative Example 3 In Example 1, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm (heat shrinkage in MD direction at 200 ° C. of 2%, heat shrinkage in TD direction at 0.5%) was used instead of the heat resistant copper foil film. A removable heat-resistant adhesive tape for fixing semiconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the tape after heating and drying was 30 μm.

【0014】実施例及び比較例で作成した粘着テープに
ついて、その各特性を次のように試験し、その得られた
結果を下記の表2、表3に示した。 (1)ゲル分率:粘着剤層約0.05gを秤取し、キシ
レン50mlに120℃で24時間浸漬した後、200
メッシュのステンレス製金網で濾過し、金網上の不溶解
分を110℃にて120分間乾燥する。次に、乾燥した
不溶解分の重量を秤量し、下記に示す式にてゲル分率を
算出した。 ゲル分率(%)=(不溶解分の重量/秤取した粘着剤層
の重量)×100 (2)剥離力:銅板を被着体とし耐熱性テープを貼合し
た後、剥離速度50mm/分にて180度剥離にかかる
剥離力を測定した。「初期」とは、貼合した後60分放
置した後、剥離した場合であり、「加熱後」とは貼合し
た後180℃で30分加熱後に室温に戻し、剥離した場
合である。 (3)糊残り:銅板に耐熱テープ゜を貼合した後180
℃で30分加熱後に室温に戻し、上記と同様に紫外線を
照射し、剥離速度50mm/分にて180度剥離した際
の銅板表面の糊残りを目視にて検査した。 評価基準 ○:糊残りがない ×:糊残り有る、あるいは糊が全て被着体へ移行してい
る。 (4)モールド評価(樹脂漏れ):0.3mm間隔のス
リット形状を有するリードフレーム(古河電工製、EFTE
C64T)に耐熱性粘着テープを貼合し、リードフレーム面
側から10×10×3mmの形状にモールド樹脂(住友
ベークライト社製、EME-6300)を180℃トランスファ
ーモールド成形し、リードフレームスリット間への樹脂
漏れを顕微鏡観察により検査した。 評価基準 ○:倍率50倍の顕微鏡観察で0.3mmのスリット間
隔がはっきりと認識でき、樹脂とフレームの境界が明瞭
な場合 △:倍率50倍の顕微鏡観察により樹脂とフレームの境
界が不明瞭であり、0.01mm程度のスリット幅変動
が確認できる場合 ×:目視により、スリット形状の変形が確認できる場合
The adhesive tapes prepared in Examples and Comparative Examples were tested for their respective properties as follows, and the obtained results are shown in Tables 2 and 3 below. (1) Gel fraction: About 0.05 g of the pressure-sensitive adhesive layer was weighed and immersed in 50 ml of xylene at 120 ° C. for 24 hours, and then 200
The mixture is filtered through a mesh stainless steel wire net, and the insoluble matter on the wire net is dried at 110 ° C. for 120 minutes. Next, the weight of the dried insoluble matter was weighed, and the gel fraction was calculated by the formula shown below. Gel fraction (%) = (weight of insoluble matter / weight of weighed pressure-sensitive adhesive layer) × 100 (2) Peeling force: peeling speed of 50 mm / after attaching a heat resistant tape to a copper plate as an adherend The peeling force required for 180 degree peeling was measured in minutes. "Initial" means the case of peeling after being left for 60 minutes after bonding, and "after heating" is the case of heating at 180 ° C for 30 minutes and then returning to room temperature and peeling. (3) Adhesive residue: 180 after attaching a heat-resistant tape to a copper plate
After heating at 30 ° C. for 30 minutes, the temperature was returned to room temperature, irradiation with ultraviolet rays was performed in the same manner as above, and the adhesive residue on the surface of the copper plate when peeled 180 degrees at a peeling speed of 50 mm / min was visually inspected. Evaluation Criteria ◯: No adhesive residue is present ×: Adhesive residue is present, or all the adhesive is transferred to the adherend. (4) Mold evaluation (resin leakage): Lead frame with slit shape with 0.3 mm interval (Furukawa Electric, EFTE
C64T) with a heat-resistant adhesive tape, and transfer resin molding of a molding resin (Sumitomo Bakelite Co., Ltd., EME-6300) into a shape of 10 x 10 x 3 mm from the lead frame surface side at 180 ° C, and between the lead frame slits. Of the resin was inspected by a microscope. Evaluation Criteria: 0.3 mm slit spacing can be clearly recognized by microscope observation at a magnification of 50 times, and the boundary between the resin and the frame is clear. Δ: The boundary between the resin and the frame is unclear by a microscope observation at the magnification of 50 times. Yes, if slit width variation of about 0.01 mm can be confirmed x: If slit shape deformation can be visually confirmed

【0015】[0015]

【表2】 [Table 2]

【0016】[0016]

【表3】 [Table 3]

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明の半導体固定用再剥離型耐熱性粘
着テープは、アクリル系粘着剤を熱収縮率の低い耐熱性
フィルムに積層したものであり、ワイヤーボンド工程か
ら樹脂モールド工程まで使用できる。そして、加熱時で
の接着力は充分でシロキサンガスの発生が無いので、絶
縁不良やワイヤーボンド不良が起こらず、また、電極表
面への樹脂汚染も殆ど無い。そのうえ、使用後の剥離は
容易で糊残りも検知できない。さらに、シリコーン系粘
着テープに比べ安価である。
EFFECTS OF THE INVENTION The removable heat-resistant adhesive tape for fixing a semiconductor of the present invention is obtained by laminating an acrylic adhesive on a heat-resistant film having a low heat shrinkage, and can be used from the wire bonding step to the resin molding step. . Further, since the adhesive force at the time of heating is sufficient and siloxane gas is not generated, defective insulation or defective wire bond does not occur, and there is almost no resin contamination on the electrode surface. Moreover, peeling after use is easy and no adhesive residue can be detected. Further, it is cheaper than the silicone adhesive tape.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 200℃加熱の熱収縮率が0.2%以下
である耐熱性フィルムの粗面化された表面に放射線硬化
型アクリル系粘着剤を積層したことを特徴とする半導体
固定用再剥離型耐熱性粘着テープ。
1. A semiconductor fixing remanufacturing characterized by laminating a radiation-curable acrylic pressure-sensitive adhesive on the roughened surface of a heat-resistant film having a heat shrinkage of 200% or less when heated at 200 ° C. Peelable heat resistant adhesive tape.
【請求項2】 前記耐熱性フィルムは、粘着剤塗工面の
表面粗さRzが1μmを越えるものであることを特徴と
する請求項1に記載の半導体固定用再剥離型耐熱性粘着
テープ。
2. The releasable heat-resistant adhesive tape for semiconductor fixing according to claim 1, wherein the heat-resistant film has a surface roughness Rz of an adhesive coated surface of more than 1 μm.
【請求項3】 前記放射線硬化型アクリル系粘着剤が少
なくとも側鎖に放射線硬化性炭素−炭素二重結合、水酸
基及びカルボキシル基を有するアクリル系共重合体を主
成分とし、かつゲル分率が60%以上であることを特徴
とする請求項1又は2に記載の半導体固定用再剥離型耐
熱性粘着テープ。
3. The radiation-curable acrylic pressure-sensitive adhesive mainly contains an acrylic copolymer having a radiation-curable carbon-carbon double bond, a hydroxyl group and a carboxyl group in at least a side chain, and has a gel fraction of 60. % Or more, the removable heat-resistant adhesive tape for fixing semiconductor according to claim 1 or 2.
JP2002117982A 2002-04-19 2002-04-19 Heat resistant adhesive tape Expired - Lifetime JP4128795B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002117982A JP4128795B2 (en) 2002-04-19 2002-04-19 Heat resistant adhesive tape

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002117982A JP4128795B2 (en) 2002-04-19 2002-04-19 Heat resistant adhesive tape

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003313518A true JP2003313518A (en) 2003-11-06
JP4128795B2 JP4128795B2 (en) 2008-07-30

Family

ID=29535020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002117982A Expired - Lifetime JP4128795B2 (en) 2002-04-19 2002-04-19 Heat resistant adhesive tape

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4128795B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169480A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Lintec Corp Heat resistant adhesive tape used for semiconductor
JP2006299226A (en) * 2005-03-23 2006-11-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond sheet
WO2008029569A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, film adhesive, and process for production of the composition
WO2008062603A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive film
WO2008065801A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive film
US8124685B2 (en) 2009-01-13 2012-02-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and film adhesive
JP2014201636A (en) * 2013-04-03 2014-10-27 日立化成株式会社 Heat-resistant adhesive film

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169480A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Lintec Corp Heat resistant adhesive tape used for semiconductor
JP4679896B2 (en) * 2004-12-20 2011-05-11 リンテック株式会社 Heat-resistant adhesive tape for semiconductors
JP2006299226A (en) * 2005-03-23 2006-11-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond sheet
WO2008029569A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, film adhesive, and process for production of the composition
US7999052B2 (en) 2006-09-07 2011-08-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for producing an adhesive composition
WO2008062603A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive film
US8148457B2 (en) 2006-11-22 2012-04-03 Tokyo Ohta Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and film adhesive
WO2008065801A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive film
US8426543B2 (en) 2006-11-29 2013-04-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive film
US8124685B2 (en) 2009-01-13 2012-02-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition and film adhesive
JP2014201636A (en) * 2013-04-03 2014-10-27 日立化成株式会社 Heat-resistant adhesive film

Also Published As

Publication number Publication date
JP4128795B2 (en) 2008-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4804921B2 (en) Adhesive sheet, semiconductor wafer surface protection method and workpiece processing method
KR101492629B1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
WO1998023700A1 (en) Thermally conductive pressure-sensitive adhesive and adhesive sheet containing the same
JP4002236B2 (en) Wafer sticking adhesive tape
JP6138259B2 (en) Adhesive film and method for manufacturing semiconductor device
WO2005112091A1 (en) Adhesive bonding sheet, semiconductor device using same, and method for manufacturing such semiconductor device
JP4610168B2 (en) Heat resistant masking tape
TWI382468B (en) Dicing die bond tape
TW201631092A (en) Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor and dicing die-bonding film
JP6220488B1 (en) Adhesive sheet
KR102530711B1 (en) adhesive sheet
JP2008144047A (en) Heat-resistant masking tape and method for using the same
WO2017159343A1 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing and method for processing semiconductor wafer
JP5027321B2 (en) Semiconductor processing tape
JPWO2015016352A1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP4128795B2 (en) Heat resistant adhesive tape
JP4300393B2 (en) Adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002256237A (en) Adhesive sheet, method for producing semiconductor device and semiconductor device
JP2009209345A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet
JP3549173B2 (en) Adhesives for wafer processing and their adhesive sheets
JP2018203973A (en) Tape for semiconductor processing
JP2009124096A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet
JP4679896B2 (en) Heat-resistant adhesive tape for semiconductors
JP5184685B1 (en) Semiconductor wafer processing tape
JP2013199580A (en) Pressure-sensitive adhesive tape for sticking wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080415

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080515

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4128795

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140523

Year of fee payment: 6

EXPY Cancellation because of completion of term