JP2003309454A - Variable attenuator - Google Patents

Variable attenuator

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JP2003309454A
JP2003309454A JP2002111732A JP2002111732A JP2003309454A JP 2003309454 A JP2003309454 A JP 2003309454A JP 2002111732 A JP2002111732 A JP 2002111732A JP 2002111732 A JP2002111732 A JP 2002111732A JP 2003309454 A JP2003309454 A JP 2003309454A
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variable attenuator
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英司 谷口
Chiemi Sawaumi
千恵美 澤海
Kenji Suematsu
憲治 末松
Kenichi Maeda
憲一 前田
Takayuki Ikushima
貴之 生島
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    • H03H11/02Multiple-port networks
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a variable attenuator capable of reducing pass band phase fluctuations of a high frequency signal transmitted from an input terminal to an output terminal at passing amplitude switching. <P>SOLUTION: The variable attenuator comprises: a series circuit section 8a including a switching transistor 3a and a series resistor 5a in parallel connection; a first parallel circuit section 9a including a switching transistor 3b and a parallel resistor 6a in series connection; and a second parallel circuit section 9b including a switching transistor 3c and a parallel resistor 6b in series connection, and varies the amplitude of a high frequency signal received from an input terminal 1 and outputs the result to an output terminal 2. Phase correction reactance elements 7a, 7b are provided to at least one of the first and second parallel circuit sections 9a, 9b to correct a passing phase difference of the high frequency signal from the input terminal 1 to the output terminal 2. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、通過振幅切替時
に生じる通過位相差を、通過位相補正用リアクタンス素
子を設けることにより、通過位相差を減じることができ
る可変減衰器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable attenuator capable of reducing the pass phase difference by providing a pass phase correcting reactance element when the pass amplitude is changed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図12は、例えば、1999年電子情報
通信学会総合大会予稿集に記載の従来の可変減衰器の構
成図である。この可変減衰器は、図12に示すように抵
抗及びスイッチ用トランジスタのみで構成されるもので
ある。
2. Description of the Related Art FIG. 12 is a block diagram of a conventional variable attenuator described in, for example, the proceedings of the 1999 IEICE General Conference. As shown in FIG. 12, this variable attenuator is composed only of resistors and switching transistors.

【0003】図12において、1は高周波信号の入力端
子、2は高周波信号の出力端子、3a、3b、3cはス
イッチ用トランジスタ、4a、4bは通過振幅切替のた
めスイッチ用トランジスタ3a、3b、3cのオン/オ
フを制御する制御端子、5aは直列抵抗、6a、6bは
並列抵抗、8はスイッチ用トランジスタ3a及び直列抵
抗5aからなる直列回路部、9aはスイッチ用トランジ
スタ3b、並列抵抗6aからなる第1の並列回路部、9
bはスイッチ用トランジスタ3c、並列抵抗6bからな
る第2の並列回路部、15は電源端子、16a、16
b、16cはスイッチ用トランジスタ3a、3b、3c
にそれぞれ接続されるゲート抵抗、17は制御端子4a
から印加される制御信号を反転するインバータ、18は
直列回路部8、並列回路部9a、9b、ゲート抵抗16
a、16b、16c、インバータ17より構成される単
ビット可変減衰器である。
In FIG. 12, 1 is a high frequency signal input terminal, 2 is a high frequency signal output terminal, 3a, 3b and 3c are switching transistors, 4a and 4b are switching transistors 3a, 3b and 3c for switching the passing amplitude. Control terminal for controlling ON / OFF of the switch, 5a is a series resistance, 6a and 6b are parallel resistances, 8 is a series circuit section including a switching transistor 3a and a series resistance 5a, 9a is a switching transistor 3b and a parallel resistance 6a. First parallel circuit section, 9
b is a second parallel circuit section including a switching transistor 3c and a parallel resistor 6b, 15 is a power supply terminal, 16a, 16
b and 16c are switching transistors 3a, 3b and 3c
And a gate resistor 17 connected to the control terminal 4a, respectively.
An inverter that inverts a control signal applied from the device, 18 is a series circuit unit 8, parallel circuit units 9a and 9b, and a gate resistor 16
This is a single-bit variable attenuator composed of a, 16b, 16c and an inverter 17.

【0004】次に、動作について示す。図12に示す従
来の可変減衰器は、入力端子1より入力された高周波信
号の振幅を単ビット可変減衰器5つから構成される5ビ
ット可変減衰器により、32状態に振幅値を切り替えて
出力端子2より出力するものである。ここでは、本発明
に関わる可変減衰器との比較を容易にするため、単ビッ
ト可変減衰器18について説明する。従来の可変減衰器
は、この単ビット可変減衰器18の組み合わせのため、
単ビット可変減衰器18のみについて述べることで本発
明に関わる可変減衰器との比較は可能である。
Next, the operation will be described. The conventional variable attenuator shown in FIG. 12 outputs the amplitude of the high frequency signal input from the input terminal 1 by switching the amplitude value to 32 states by a 5-bit variable attenuator composed of five single-bit variable attenuators. It is output from the terminal 2. Here, in order to facilitate comparison with the variable attenuator according to the present invention, the single-bit variable attenuator 18 will be described. The conventional variable attenuator has a combination of the single-bit variable attenuator 18,
By describing only the single-bit variable attenuator 18, comparison with the variable attenuator according to the present invention is possible.

【0005】単ビット可変減衰器18においては、制御
端子4a、4bから印加された制御信号は、そのままス
イッチ用トランジスタ3b、3cに入力されるととも
に、インバータ17を介して、反転した信号がスイッチ
用トランジスタ3aに入力され、3aと、3b及び3c
がそれぞれオン/オフすることにより、入力端子1より
入力された高周波信号の振幅を可変させるものである。
基準状態、すなわちスイッチ用トランジスタ3aがオン
状態で、3b及び3cがオフ状態の時、入力端子1より
入力された高周波信号はスイッチ用トランジスタ3aが
呈するオン抵抗が非常に小さいとし、3b及び3cが呈
するオフ容量が非常に小さいとするならば、ほとんど減
衰することなく単ビット可変減衰器18を通過する。
In the single-bit variable attenuator 18, the control signals applied from the control terminals 4a and 4b are directly input to the switch transistors 3b and 3c, and the inverted signal is passed through the inverter 17 to the switch. Input to the transistor 3a, 3a, 3b and 3c
Is turned on / off to change the amplitude of the high frequency signal input from the input terminal 1.
In the reference state, that is, when the switching transistor 3a is on and 3b and 3c are off, the high frequency signal input from the input terminal 1 has a very small on-resistance exhibited by the switching transistor 3a. If the off-capacitance presented is very small, it passes through the single-bit variable attenuator 18 with little attenuation.

【0006】一方、減衰状態、すなわちスイッチ用トラ
ンジスタ3aがオフ状態で、3b及び3cがオン状態の
時、入力端子1より入力された高周波信号はスイッチ用
トランスタ3aが呈するオフ容量が非常に小さいとし、
3b及び3cが呈するオン抵抗が非常に小さいとするな
らば、直列抵抗5a、並列抵抗6a及び6cからなるπ
形減衰器と見なすことができ、入力端子1から入力され
た高周波信号は、π形減衰器を構成する直列抵抗5a、
並列抵抗6a及び6cにより設定される減衰量で減衰す
るものである。
On the other hand, when the switching transistor 3a is in the off state and the switching transistors 3b and 3c are in the on state, the high frequency signal input from the input terminal 1 has a very small off capacitance exhibited by the switching transformer 3a. ,
Assuming that the on-resistances exhibited by 3b and 3c are very small, π consisting of a series resistor 5a and parallel resistors 6a and 6c
Can be regarded as a type attenuator, and the high frequency signal input from the input terminal 1 is a series resistor 5a forming a π type attenuator,
It is attenuated by the attenuation amount set by the parallel resistors 6a and 6c.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の可
変減衰器では、スイッチ用トランジスタによる通過振幅
切替時に、トランジスタが有するオフ時の容量成分や寄
生成分(トランジスタ製造における技術的制約から生じ
る寄生素子)、あるいはIC化した場合における伝送線
路の長さの経路差により、通過位相の変動が生じるとい
う問題点がある。この発明は、上記のような課題を解決
するためになされたものであり、通過振幅切替時の通過
位相変動を減ずることができる可変減衰器を実現するこ
とを目的とする。
In the conventional variable attenuator described above, when the switching amplitude is switched by the switching transistor, the off-state capacitance component and parasitic component of the transistor (parasitic components caused by technical restrictions in manufacturing the transistor). There is a problem that the passing phase fluctuates due to the path difference in the length of the transmission line in the case of an element) or an IC. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to realize a variable attenuator capable of reducing the fluctuation of the passing phase when switching the passing amplitude.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、並列接続
された第1のスイッチ用トランジスタと第1の抵抗とを
有する直列回路部と、直列接続された第2のスイッチ用
トランジスタと第2の抵抗とを有する第1の並列回路部
と、直列接続された第3のスイッチ用トランジスタと第
3の抵抗とを有する第2の並列回路部とにより構成さ
れ、入力端子より入力された高周波信号の振幅を可変し
出力端子に出力する可変減衰器において、前記第1の並
列回路部と前記第2の並列回路部との少なくとも一方
に、前記入力端子から前記出力端子に送信する高周波信
号の通過位相差を補正する位相補正用リアクタンス素子
を備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a series circuit section having a first switching transistor and a first resistor connected in parallel, a second switching transistor connected in series and a second switching transistor. A first parallel circuit section having a second resistance, a second parallel circuit section having a third switching transistor and a third resistance connected in series, and a high frequency wave inputted from an input terminal In a variable attenuator that changes the amplitude of a signal and outputs it to an output terminal, at least one of the first parallel circuit section and the second parallel circuit section is provided with a high-frequency signal to be transmitted from the input terminal to the output terminal. A phase-correcting reactance element for correcting the passing phase difference is provided.

【0009】第2の発明は、前記第2の抵抗とグランド
との間又は前記第3の抵抗とグランドとの間に接続する
か、あるいは前記第2のスイッチ用トランジスタと前記
第2の抵抗との間又は前記第3のスイッチ用トランジス
タと前記第3の抵抗との間に接続する位相補正用リアク
タンス素子を備えたものである。
A second aspect of the present invention is to connect between the second resistor and the ground or between the third resistor and the ground, or to connect the second switch transistor and the second resistor. And a phase-correcting reactance element connected between the third switching transistor and the third resistor.

【0010】第3の発明は、前記第1のスイッチ用トラ
ンジスタと前記第1の抵抗との少なくとも一端と接続す
る位相補正用リアクタンス素子を備えたものである。
A third aspect of the invention comprises a phase-correcting reactance element connected to at least one end of the first switching transistor and the first resistor.

【0011】第4の発明は、前記位相補正用リアクタン
ス素子と並列に接続され、直流動作点の不定状態を回避
する直流動作点決定用抵抗を備えたものである。
A fourth aspect of the invention comprises a DC operating point determining resistor which is connected in parallel with the phase correcting reactance element and which avoids an indefinite state of the DC operating point.

【0012】第5の発明は、並列接続された第1のスイ
ッチ用トランジスタと第1の抵抗とを有する第1の直列
回路部と、並列接続された第2のスイッチ用トランジス
タと第2の抵抗とを有する第2の直列回路部と、直列接
続された第3のスイッチ用トランジスタと第3の抵抗と
を有する並列回路部とにより構成され、入力端子より入
力された高周波信号の振幅を可変し出力端子に出力する
可変減衰器において、前記並列回路部に前記入力端子か
ら前記出力端子に送信する高周波信号の通過位相差を補
正する位相補正用リアクタンス素子を備えたものであ
る。
According to a fifth aspect of the invention, a first series circuit portion having a first switching transistor and a first resistor connected in parallel, a second switching transistor and a second resistor connected in parallel are provided. And a parallel circuit section having a third switching transistor and a third resistor connected in series, and changing the amplitude of the high frequency signal input from the input terminal. In the variable attenuator for outputting to an output terminal, the parallel circuit section is provided with a phase correcting reactance element for correcting a passing phase difference of a high frequency signal transmitted from the input terminal to the output terminal.

【0013】第6の発明は、前記第3の抵抗とグランド
との間に接続するか、あるいは前記第3のスイッチ用ト
ランジスタと前記第3の抵抗との間に接続する位相補正
用リアクタンス素子を備えたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a phase-correcting reactance element connected between the third resistor and the ground or between the third switching transistor and the third resistor. Be prepared.

【0014】第7の発明は、前記位相補正用リアクタン
ス素子は、前記第1のスイッチ用トランジスタと前記第
2のスイッチ用トランジスタと前記第1の抵抗と前記第
2の抵抗との少なくとも一端と接続する位相補正用リア
クタンス素子を備えたものである。
In a seventh aspect of the invention, the phase-correction reactance element is connected to at least one end of the first switching transistor, the second switching transistor, the first resistor and the second resistor. The phase-correcting reactance element is provided.

【0015】第8の発明は、前記位相補正用リアクタン
ス素子と並列に接続され、直流動作点の不定状態を回避
する直流動作点決定用抵抗を備えたものである。
An eighth aspect of the invention comprises a DC operating point determining resistor which is connected in parallel with the phase correcting reactance element and which avoids an indefinite state of the DC operating point.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、この発明
の実施の形態1の可変減衰器の構成図(回路図)であ
る。図1において、1は高周波信号の入力端子、2は高
周波信号の出力端子、3a、3b、3cはスイッチ用ト
ランジスタ、4a、4bは通過振幅切替のためスイッチ
用トランジスタ3a、3b、3cのオン/オフを制御す
る制御端子、5aは直列抵抗、6a、6bは並列抵抗、
7a、7bは位相補正用リアクタンス素子、8aはスイ
ッチ用トランジスタ3a及び直列抵抗5aからなる直列
回路部、9aはスイッチ用トランジスタ3b、並列抵抗
6a及び位相補正用リアクタンス素子7aからなる第1
の並列回路部、9bはスイッチ用トランジスタ3c、並
列抵抗6b及び位相補正用リアクタンス素子7bからな
る第2の並列回路部である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiment 1. 1 is a configuration diagram (circuit diagram) of a variable attenuator according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a high frequency signal input terminal, 2 is a high frequency signal output terminal, 3a, 3b and 3c are switching transistors, 4a and 4b are on / off states of the switching transistors 3a, 3b and 3c for switching the passing amplitude. Control terminal for controlling OFF, 5a is series resistance, 6a and 6b are parallel resistance,
Reference numerals 7a and 7b are phase-correcting reactance elements, 8a is a series circuit section including a switching transistor 3a and a series resistor 5a, and 9a is a first circuit including a switching transistor 3b, a parallel resistor 6a, and a phase-correcting reactance element 7a.
The parallel circuit section 9b is a second parallel circuit section including the switching transistor 3c, the parallel resistor 6b, and the phase correction reactance element 7b.

【0017】次に、動作及び効果について説明する。本
実施の形態の可変減衰器は、制御端子4a及び4bから
印加される制御信号によりスイッチ用トランジスタ3
a、3b、3cをオン/オフすることにより、入力端子
1より入力された高周波信号の振幅を可変させ、出力端
子2より取り出すものである。
Next, the operation and effect will be described. The variable attenuator of the present embodiment uses the switching transistor 3 according to the control signal applied from the control terminals 4a and 4b.
By turning on / off a, 3b, and 3c, the amplitude of the high-frequency signal input from the input terminal 1 is changed, and is extracted from the output terminal 2.

【0018】図2は、スイッチ用トランジスタ3aがオ
ン状態、スイッチ用トランジスタ3b及び3cがオフ状
態である可変減衰器の基準状態の等価回路図である。図
3は、スイッチ用トランジスタ3aがオフ状態、スイッ
チ用トランジスタ3b及び3cがオン状態である可変減
衰器の減衰状態の等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the reference state of the variable attenuator in which the switching transistor 3a is on and the switching transistors 3b and 3c are off. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the attenuation state of the variable attenuator in which the switching transistor 3a is off and the switching transistors 3b and 3c are on.

【0019】図2において、10aはオン状態のスイッ
チ用トランジスタ3aのオン抵抗、11b、11cはそ
れぞれオフ状態のスイッチ用トランジスタ3b及び3c
のオフ容量である。ここで、オン抵抗10aは理想的に
は無視できるほど小さく、オフ容量11b、11cは無
視できるほど小さいとすると、入力端子1より入力され
た高周波信号の振幅はほとんど減衰することなく出力端
子2から出力される。
In FIG. 2, 10a is the on resistance of the switch transistor 3a in the on state, and 11b and 11c are the switch transistors 3b and 3c in the off state, respectively.
Is the off capacity of. Here, assuming that the on-resistance 10a is ideally small enough to be ignored and the off-capacitances 11b and 11c are small enough to be ignored, the amplitude of the high-frequency signal input from the input terminal 1 is hardly attenuated from the output terminal 2. Is output.

【0020】一方、図3においても同様に、オフ容量1
1aは無視できるとほど小さく、オン抵抗10b、10
cは理想的に無視できるほど小さいとし、位相補正用リ
アクタンス素子7a、7bがないとすると、図3に示す
回路は直列抵抗5a、並列抵抗6a及び6bからなるπ
形減衰器と見なすことができ、入力端子1から入力され
た高周波信号は、π形減衰器を構成する直列抵抗5a、
並列抵抗6a及び6bにより設定される減衰量で減衰
し、出力端子2より出力される。
On the other hand, also in FIG.
1a is so small that it can be ignored, and the on resistances 10b, 10
Assuming that c is ideally small enough to be ignored, and the phase-correcting reactance elements 7a and 7b are not provided, the circuit shown in FIG. 3 has a series resistor 5a and parallel resistors 6a and 6b.
Can be regarded as a type attenuator, and the high frequency signal input from the input terminal 1 is a series resistor 5a forming a π type attenuator,
It is attenuated by the attenuation amount set by the parallel resistors 6a and 6b, and is output from the output terminal 2.

【0021】所望の周波数が高い場合には、オフ容量1
1a、11b、11cによる通過位相変動が無視でき
ず、図2に示す基準状態及び図3に示す減衰状態おいて
通過位相差が生じる。この時、位相補正用リアクタンス
素子7a、7bを並列回路部9a及び9bに接続するこ
とにより、基準状態の位相をほとんど変化させることな
く減衰状態の位相を調整することが可能である。
When the desired frequency is high, the off capacitance 1
The passing phase fluctuations due to 1a, 11b, and 11c cannot be ignored, and a passing phase difference occurs in the reference state shown in FIG. 2 and the damping state shown in FIG. At this time, by connecting the phase-correction reactance elements 7a and 7b to the parallel circuit units 9a and 9b, it is possible to adjust the phase in the attenuated state with almost no change in the phase in the reference state.

【0022】図4は、位相補正用リアクタンス素子7
a、7bとして位相補正用インダクタ12a、12bを
接続した等価回路図である。図5は、位相補正用リアク
タンス素子7a、7bとして位相補正用キャパシタ13
a、13bを接続した等価回路図である。基準状態の位
相が減衰状態に比べ進んでいる場合には、図4に示すよ
うに位相補正用リアクタンス素子7a、7bとして位相
補正用インダクタ12a、12bを、遅れている場合に
は、図5に示すように位相補正用キャパシタ13a、1
3bを接続することにより、通過位相差を補正すること
ができる。
FIG. 4 shows the reactance element 7 for phase correction.
It is the equivalent circuit diagram which connected the phase correction inductors 12a and 12b as a and 7b. FIG. 5 shows a phase correction capacitor 13 as the phase correction reactance elements 7a and 7b.
It is the equivalent circuit diagram which connected a and 13b. When the phase in the reference state is advanced as compared to the attenuated state, the phase correction inductors 12a and 12b are used as the phase correction reactance elements 7a and 7b, as shown in FIG. As shown, the phase correction capacitors 13a, 1
By connecting 3b, the passing phase difference can be corrected.

【0023】このように、本実施の形態によれば、制御
端子4a及び4bから印加される制御信号によりスイッ
チ用トランジスタ3a、3b、3cをオン/オフし、こ
れにより入力端子1から入力された高周波信号の振幅を
可変させることができると共に、入力端子1から出力端
子2に送信する高周波信号の通過位相差を補正すること
ができるので、入力端子1から入力された高周波信号の
通過振幅切替時に発生する通過位相変動を減ずることが
できる。
As described above, according to the present embodiment, the switching transistors 3a, 3b and 3c are turned on / off by the control signal applied from the control terminals 4a and 4b, so that the input from the input terminal 1 is performed. Since the amplitude of the high frequency signal can be varied and the passing phase difference of the high frequency signal transmitted from the input terminal 1 to the output terminal 2 can be corrected, when the passing amplitude of the high frequency signal input from the input terminal 1 is switched. It is possible to reduce the passing phase fluctuation that occurs.

【0024】なお、ここでは第1の並列回路部9a及び
第2の並列回路部9bの両方に位相補正用リアクタンス
素子7a、7bを接続しているが、少なくともどちらか
一方に接続することで通過位相差の補正は可能である。
また、ここでは位相補正用リアクタンス素子7a、7b
を、並列抵抗6a、6bとグランドの間に接続している
が、スイッチ用トランジスタ3b、3cと並列抵抗6
a、6bの間に接続してもよい。さらに、ここではオフ
容量11a、11b、11cによる通過位相変動につい
て述べたが、スイッチ用トランジスタの寄生成分、IC
化した場合における伝送線路により生じる通過位相差も
補正することが可能である。
Although the phase-correcting reactance elements 7a and 7b are connected to both the first parallel circuit section 9a and the second parallel circuit section 9b here, they are connected by connecting to at least one of them. It is possible to correct the phase difference.
Further, here, the phase correction reactance elements 7a and 7b are used.
Are connected between the parallel resistors 6a and 6b and the ground, but are connected to the switching transistors 3b and 3c and the parallel resistor 6
You may connect between a and 6b. Furthermore, here, the passing phase variation due to the off capacitors 11a, 11b, and 11c is described, but the parasitic component of the switching transistor, the IC
It is also possible to correct the passing phase difference caused by the transmission line in the case of conversion.

【0025】実施の形態2.図6は、この発明の実施の
形態2の可変減衰器の構成図(回路図)である。図6に
おいて、直列回路部8aは、スイッチ用トランジスタ3
aと直列抵抗5aと位相補正用リアクタンス素子7a、
7bとからなる。また、第1の並列回路部9aは、スイ
ッチ用トランジスタ3bと並列抵抗6aとからなり、第
2の並列回路部9bは、スイッチ用トランジスタ3cと
並列抵抗6bとからなる。
Embodiment 2. 6 is a configuration diagram (circuit diagram) of a variable attenuator according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 6, the series circuit portion 8a is a switching transistor 3
a, the series resistance 5a, and the phase correction reactance element 7a,
7b and. The first parallel circuit section 9a includes a switching transistor 3b and a parallel resistor 6a, and the second parallel circuit section 9b includes a switching transistor 3c and a parallel resistor 6b.

【0026】動作は、基本的に実施の形態1と同様であ
り、位相補正用リアクタンス素子7a、7bを、直列回
路部8aを構成する直列抵抗5aに直列に接続した点が
異なる。ここでは、基準状態の位相が減衰状態に比べ進
んでいる場合には、位相補正用リアクタンス素子として
位相補正用キャパシタを、遅れている場合には位相補正
用インダクタを接続することにより、実施の形態1と同
様の効果が得られる。なお、ここでは直列抵抗5aの両
端に位相補正用リアクタンス素子7a、7bを接続して
いるが、少なくともどちらか一方に接続されていればよ
い。
The operation is basically the same as that of the first embodiment, except that the phase-correcting reactance elements 7a and 7b are connected in series to the series resistor 5a forming the series circuit section 8a. Here, in the case where the phase in the reference state is advanced as compared with the attenuated state, the phase correction capacitor is connected as the phase correction reactance element, and the phase correction inductor is connected in the case where the phase is delayed, the embodiment is realized. The same effect as 1 can be obtained. Although the phase-correcting reactance elements 7a and 7b are connected to both ends of the series resistor 5a here, they may be connected to at least one of them.

【0027】図7は、実施の形態2の可変減衰器の他の
構成図(回路図)である。図7に示すように、スイッチ
用トランジスタ3aに位相補正用リアクタンス素子7
a、7bを接続しても同様の効果が得らる。この場合に
は、基準状態の位相が減衰状態に比べ進んでいる場合に
は、位相補正用リアクタンス素子として位相補正用キャ
パシタを、遅れている場合には位相補正用インダクタを
接続する。この時も、スイッチ用トランジスタ3aの両
端に位相補正用リアクタンス素子7a、7bを接続して
いるが、少なくともどちらか一方に接続されていればよ
い。
FIG. 7 is another configuration diagram (circuit diagram) of the variable attenuator of the second embodiment. As shown in FIG. 7, the phase correction reactance element 7 is connected to the switching transistor 3a.
The same effect can be obtained by connecting a and 7b. In this case, when the phase in the reference state is advanced compared to the attenuated state, the phase correction capacitor is connected as the phase correction reactance element, and when it is delayed, the phase correction inductor is connected. Also at this time, the phase-correcting reactance elements 7a and 7b are connected to both ends of the switching transistor 3a, but it is sufficient that they are connected to at least one of them.

【0028】なお、図6では直列抵抗5aの両端の少な
くともどちらか一方に位相補正用リアクタンス素子7
a、7bが接続され、図7ではスイッチ用トランジスタ
3aの両端の少なくともどちらか一方に位相補正用リア
クタンス素子7a、7bが接続された場合について説明
したが、直列抵抗5aの両端とスイッチ用トランジスタ
3aの両端の全て又はどこか一端に位相補正用リアクタ
ンス素子が接続されても同様の効果を得ることができ
る。
In FIG. 6, the phase-correcting reactance element 7 is provided on at least one of both ends of the series resistor 5a.
7A and 7b are connected, and in FIG. 7, the case where the phase correction reactance elements 7a and 7b are connected to at least one of both ends of the switching transistor 3a has been described, but both ends of the series resistor 5a and the switching transistor 3a are described. The same effect can be obtained even if the phase-correction reactance element is connected to all or some one of both ends of the.

【0029】実施の形態3.図8は、この発明の実施の
形態3の可変減衰器の構成図(回路図)である。図8に
おいて、8aは第1の直列回路部、8bは第2の直列回
路部である。第1の直列回路部8aはスイッチ用トラン
ジスタ3aと直列抵抗5aとからなり、第2の直列回路
部8bはスイッチ用トランジスタ3dと直列抵抗5bと
からなる。また、第1の並列回路部9aはスイッチ用ト
ランジスタ3bと並列抵抗6aと位相補正用リアクタン
ス素子7aとからなる。
Embodiment 3. FIG. 8 is a configuration diagram (circuit diagram) of a variable attenuator according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 8, 8a is a first series circuit section and 8b is a second series circuit section. The first series circuit part 8a is composed of a switching transistor 3a and a series resistor 5a, and the second series circuit part 8b is composed of a switching transistor 3d and a series resistor 5b. The first parallel circuit section 9a includes a switching transistor 3b, a parallel resistor 6a, and a phase correction reactance element 7a.

【0030】動作及び効果は基本的に実施の形態1と同
様であり、直列回路部8a、8bを2つとし、並列回路
部9aを1つとしたT形可変減衰器とした点が異なる。
なお、ここでは位相補正用リアクタンス素子7aを、並
列抵抗6aとグランドの間に接続しているが、スイッチ
用トランジスタ3bと並列抵抗6aとの間に接続しても
よい。
The operation and effect are basically the same as those of the first embodiment, except that the T-type variable attenuator has two series circuit parts 8a and 8b and one parallel circuit part 9a.
Although the phase correction reactance element 7a is connected between the parallel resistor 6a and the ground here, it may be connected between the switching transistor 3b and the parallel resistor 6a.

【0031】実施の形態4.図9は、この発明の実施の
形態4の可変減衰器の構成図(回路図)である。図9に
おいて、第1の直列回路部8aは、スイッチ用トランジ
スタ3aと直列抵抗5aと位相補正用リアクタンス素子
7a、7bとからなり、第2の直列回路部8bは、スイ
ッチ用トランジスタ3dと直列抵抗5bと位相補正用リ
アクタンス素子7c、7dとからなる。また、第1の並
列回路部9aはスイッチ用トランジスタ3bと並列抵抗
6aとからなる。
Fourth Embodiment 9 is a configuration diagram (circuit diagram) of a variable attenuator according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 9, the first series circuit portion 8a includes a switching transistor 3a, a series resistor 5a, and phase correction reactance elements 7a and 7b, and the second series circuit portion 8b includes a switching transistor 3d and a series resistor. 5b and phase correcting reactance elements 7c and 7d. The first parallel circuit section 9a is composed of a switching transistor 3b and a parallel resistor 6a.

【0032】動作及び効果は基本的に実施の形態3と同
様であり、位相補正用リアクタンス素子7a、7b、7
c、7dを、直列回路部8a及び8bを構成する直列抵
抗5a及び5bにそれぞれ直列に接続した点が異なる。
なお、ここでは直列抵抗5aの両端に位相補正用リアク
タンス素子7a、7bを、直列抵抗5bのそれぞれ両端
に位相補正用リアクタンス素子7c、7dを接続してい
るが、少なくともこれら4つの位相補正用リアクタンス
素子7a、7b、7c、7dの1つが接続されていれば
よい。
The operation and effect are basically the same as those of the third embodiment, and the phase correcting reactance elements 7a, 7b, 7 are used.
The difference is that c and 7d are connected in series to the series resistors 5a and 5b that form the series circuit units 8a and 8b, respectively.
Although the phase correction reactance elements 7a and 7b are connected to both ends of the series resistor 5a and the phase correction reactance elements 7c and 7d are connected to both ends of the series resistor 5b, at least these four phase correction reactances are connected. One of the elements 7a, 7b, 7c, 7d may be connected.

【0033】図10は、実施の形態4の可変減衰器の他
の構成図(回路図)である。図10に示すように、スイ
ッチ用トランジスタ3a及び3dに位相補正用リアクタ
ンス素子を接続しても同様の効果が得られる。この時
も、スイッチ用トランジスタ3aの両端に位相補正用リ
アクタンス素子7a、7bを、スイッチ用トランジスタ
3dのそれぞれ両端に位相補正用リアクタンス素子7
c、7dを接続しているが、少なくともこれら4つの位
相補正用リアクタンス素子7a、7b、7c、7dの1
つが接続されていればよい。
FIG. 10 is another configuration diagram (circuit diagram) of the variable attenuator of the fourth embodiment. As shown in FIG. 10, the same effect can be obtained by connecting the phase correction reactance element to the switching transistors 3a and 3d. Also at this time, the phase correction reactance elements 7a and 7b are provided at both ends of the switching transistor 3a, and the phase correction reactance element 7 is provided at both ends of the switching transistor 3d.
c and 7d are connected, but at least one of these four phase correction reactance elements 7a, 7b, 7c and 7d
It only has to be connected.

【0034】なお、図9では直列抵抗5aの両端に位相
補正用リアクタンス素子7a、7bが、直列抵抗5bの
それぞれ両端に位相補正用リアクタンス素子7c、7d
が接続され、図10ではスイッチ用トランジスタ3aの
両端に位相補正用リアクタンス素子7a、7bが、スイ
ッチ用トランジスタ3dのそれぞれ両端に位相補正用リ
アクタンス素子7c、7dが接続された場合について説
明したが、直列抵抗5a、5b、スイッチ用トランジス
タ3a、3dの全ての両端に、上記の接続関係のとおり
位相補正用リアクタンス素子7a、7b、7c、7dが
接続されても同様の効果を得ることができる。
In FIG. 9, phase correction reactance elements 7a and 7b are provided at both ends of the series resistor 5a, and phase correction reactance elements 7c and 7d are provided at both ends of the series resistor 5b.
In FIG. 10, the case where the phase correction reactance elements 7a and 7b are connected to both ends of the switching transistor 3a and the phase correction reactance elements 7c and 7d are connected to both ends of the switching transistor 3d has been described. Similar effects can be obtained even if the phase correction reactance elements 7a, 7b, 7c, and 7d are connected to both ends of the series resistors 5a and 5b and the switching transistors 3a and 3d as described above.

【0035】実施の形態5.図11は、この発明の実施
の形態5の可変減衰器の構成図(回路図)である。図1
1において、14a、14b、14c、14dは直流動
作点決定用抵抗である。直列回路部8aは、スイッチ用
トランジスタ3aと直列抵抗5aとからなる。また、第
1の並列回路部9aは、スイッチ用トランジスタ3bと
並列抵抗6aと直流動作点決定用抵抗14a、14bと
からなり、第2の並列回路部9bは、スイッチ用トラン
ジスタ3cと並列抵抗6bと直流動作点決定用抵抗14
c、14dとからなる。
Embodiment 5. 11 is a configuration diagram (circuit diagram) of a variable attenuator according to a fifth embodiment of the present invention. Figure 1
In FIG. 1, 14a, 14b, 14c and 14d are DC operating point determining resistors. The series circuit section 8a includes a switching transistor 3a and a series resistor 5a. The first parallel circuit section 9a includes a switching transistor 3b, a parallel resistor 6a, and DC operating point determining resistors 14a and 14b. The second parallel circuit section 9b includes a switching transistor 3c and a parallel resistor 6b. And DC operating point determination resistor 14
c and 14d.

【0036】実施の形態1〜4において、並列回路部を
構成するスイッチ用トランジスタ3b、3c及び並列抵
抗6a、6bの接続部は、スイッチ用トランジスタ3
b、3cがオフ状態でオフ容量を呈する時、及び位相補
正用リアクタンス素子7a、7bがキャパシタンスの場
合、直流動作点が定まらず直流的に不安定な状態にな
り、実使用では不具合を生じる可能性がある。
In the first to fourth embodiments, the connecting portions of the switching transistors 3b and 3c and the parallel resistors 6a and 6b which form the parallel circuit portion are the switching transistor 3
When 3b and 3c exhibit off-capacitance in the off state, and when the phase-correction reactance elements 7a and 7b are capacitances, the DC operating point is not fixed and the DC becomes unstable, which may cause a problem in actual use. There is a nature.

【0037】これに対し、直流動作点決定用抵抗14
a、14cをスイッチ用トランジスタ3b、3cに、直
流動作点決定用抵抗14b、14dを位相補正用リアク
タンス素子7a、7bにそれぞれ並列に接続することに
より、これら直流動作点決定用抵抗の抵抗値をスイッチ
用トランジスタ3b、3cのオン抵抗及び位相補正用リ
アクタンス素子の所望周波数におけるインピーダンスに
比べ十分大きくすることにより、所望周波数における動
作にはほとんど影響を与えることなく、このような直流
動作点の不安定状態を避けることができる。
On the other hand, the DC operating point determining resistor 14
a and 14c are connected in parallel to the switching transistors 3b and 3c, and the DC operating point determining resistors 14b and 14d are connected in parallel to the phase correcting reactance elements 7a and 7b, respectively. The on-resistances of the switching transistors 3b and 3c and the impedance of the phase-correcting reactance element are set sufficiently higher than the impedance at the desired frequency, so that the operation at the desired frequency is hardly affected and the DC operating point becomes unstable. You can avoid the situation.

【0038】なお、図11では実施の形態1に適用した
場合を示したが、実施の形態2〜4に適用しても同様の
効果が得られる。ただし、実施の形態2及び4において
は、位相補正用リアクタンス素子は直列回路部に接続さ
れているため、直流動作点決定用抵抗はスイッチ用トラ
ンジスタ3a(実施の形態2の図6の場合)又はスイッ
チ用トランジスタ3a、3d(実施の形態4の図9の場
合)に接続すればよい。また実施の形態1及び3におい
ては位相補正用リアクタンス素子がインダクタの場合に
は、同様に直流動作点決定用抵抗はスイッチ用トランジ
スタ3b、3c(実施の形態1の図1の場合)又はスイ
ッチ用トランジスタ3b(実施の形態3の図8の場合)
に接続すればよい。
Although FIG. 11 shows the case where the present invention is applied to the first embodiment, the same effect can be obtained when applied to the second to fourth embodiments. However, in the second and fourth embodiments, since the phase-correction reactance element is connected to the series circuit portion, the DC operating point determining resistor is the switching transistor 3a (in the case of FIG. 6 of the second embodiment) or It may be connected to the switch transistors 3a and 3d (in the case of FIG. 9 of the fourth embodiment). Further, in the first and third embodiments, when the phase correction reactance element is an inductor, the DC operating point determining resistors are similarly used for the switch transistors 3b and 3c (in the case of FIG. 1 of the first embodiment) or the switch. Transistor 3b (in the case of FIG. 8 of the third embodiment)
Connect to.

【0039】[0039]

【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects.

【0040】第1、第2の発明では、並列接続された第
1のスイッチ用トランジスタと第1の抵抗とを有する直
列回路部と、直列接続された第2のスイッチ用トランジ
スタと第2の抵抗とを有する第1の並列回路部と、直列
接続された第3のスイッチ用トランジスタと第3の抵抗
とを有する第2の並列回路部とにより構成され、入力端
子より入力された高周波信号の振幅を可変し出力端子に
出力する可変減衰器において、第1の並列回路部と第2
の並列回路部との少なくとも一方に、入力端子から出力
端子に送信する高周波信号の通過位相差を補正する位相
補正用リアクタンス素子を備えることにより、高周波信
号の通過位相差を補正することができるので、通過振幅
切替時に発生する通過位相変動を減ずることができる。
In the first and second inventions, the series circuit section having the first switching transistor and the first resistor connected in parallel, the second switching transistor and the second resistor connected in series are provided. And a second parallel circuit unit having a third switching transistor and a third resistor connected in series, and the amplitude of the high-frequency signal input from the input terminal. In a variable attenuator for varying the output of the first parallel circuit and the second attenuator.
Since at least one of the parallel circuit section and the parallel circuit section is provided with a phase correction reactance element that corrects the passing phase difference of the high frequency signal transmitted from the input terminal to the output terminal, the passing phase difference of the high frequency signal can be corrected It is possible to reduce the fluctuation of the passing phase that occurs when the passing amplitude is switched.

【0041】第3の発明では、位相補正用リアクタンス
素子が、第1のスイッチ用トランジスタと第1の抵抗と
の少なくとも一端と接続することにより、高周波信号の
通過位相差を補正することができるので、通過振幅切替
時に発生する通過位相変動を減ずることができる。
In the third aspect of the invention, the phase-correcting reactance element is connected to at least one end of the first switching transistor and the first resistor, so that the passing phase difference of the high-frequency signal can be corrected. It is possible to reduce the fluctuation of the passing phase that occurs when the passing amplitude is switched.

【0042】第4、第8の発明では、位相補正用リアク
タンス素子と並列に接続され、直流動作点の不定状態を
回避する直流動作点決定用抵抗を備えたことにより、直
流動作点の不安定状態を避けることができる。
In the fourth and eighth inventions, the DC operating point is unstable because the DC operating point determining resistor for avoiding the uncertain state of the DC operating point is connected in parallel with the phase correcting reactance element. You can avoid the situation.

【0043】第5、第6の発明では、並列接続された第
1のスイッチ用トランジスタと第1の抵抗とを有する第
1の直列回路部と、並列接続された第2のスイッチ用ト
ランジスタと第2の抵抗とを有する第2の直列回路部
と、直列接続された第3のスイッチ用トランジスタと第
3の抵抗とを有する並列回路部とにより構成され、入力
端子より入力された高周波信号の振幅を可変し出力端子
に出力する可変減衰器において、並列回路部に入力端子
から出力端子に送信する高周波信号の通過位相差を補正
する位相補正用リアクタンス素子を備えることにより、
高周波信号の通過位相差を補正することができるので、
通過振幅切替時に発生する通過位相変動を減ずることが
できる。
In the fifth and sixth inventions, the first series circuit portion having the first switching transistor and the first resistor connected in parallel, the second switching transistor connected in parallel and the first series circuit portion are connected. An amplitude of a high-frequency signal input from the input terminal, the second serial circuit section having two resistors, and the parallel circuit section having the third switch transistor and the third resistor connected in series. In the variable attenuator that varies the output to the output terminal, by providing the parallel circuit unit with the phase correction reactance element that corrects the passing phase difference of the high frequency signal transmitted from the input terminal to the output terminal,
Since the passing phase difference of high frequency signals can be corrected,
It is possible to reduce the fluctuation of the passing phase that occurs when the passing amplitude is switched.

【0044】第7の発明では、位相補正用リアクタンス
素子は、第1のスイッチ用トランジスタと第2のスイッ
チ用トランジスタと第1の抵抗と第2の抵抗との少なく
とも一端と接続することにより、高周波信号の通過位相
差を補正することができるので、通過振幅切替時に発生
する通過位相変動を減ずることができる。
In the seventh invention, the phase-correcting reactance element is connected to at least one end of the first switching transistor, the second switching transistor, the first resistor and the second resistor, so that the high frequency Since it is possible to correct the passing phase difference between the signals, it is possible to reduce the passing phase fluctuation that occurs when the passing amplitude is switched.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施の形態1の可変減衰器の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a variable attenuator according to a first embodiment.

【図2】 実施の形態1における可変減衰器の基準状態
の等価回路図。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a reference state of the variable attenuator according to the first embodiment.

【図3】 実施の形態1における可変減衰器の減衰状態
の等価回路図。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a damping state of the variable attenuator according to the first embodiment.

【図4】 実施の形態1において位相補正用リアクタン
ス素子7a、7bとして位相補正用インダクタ12a、
12bを接続した等価回路図。
FIG. 4 is a phase correction reactance element 7a, 7b in the first embodiment as a phase correction inductor 12a,
The equivalent circuit diagram which connected 12b.

【図5】 実施の形態1において位相補正用リアクタン
ス素子7a、7bとして位相補正用キャパシタ13a、
13bを接続した等価回路図。
FIG. 5 is a phase correction reactance element 7a, 7b in the first embodiment as a phase correction capacitor 13a,
The equivalent circuit diagram which connected 13b.

【図6】 実施の形態2の可変減衰器の構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a variable attenuator according to a second embodiment.

【図7】 実施の形態2の可変減衰器の他の構成図。FIG. 7 is another configuration diagram of the variable attenuator according to the second embodiment.

【図8】 実施の形態3の可変減衰器の構成図。FIG. 8 is a configuration diagram of a variable attenuator according to a third embodiment.

【図9】 実施の形態4の可変減衰器の構成図。FIG. 9 is a configuration diagram of a variable attenuator according to a fourth embodiment.

【図10】 実施の形態4の可変減衰器の他の構成図。FIG. 10 is another configuration diagram of the variable attenuator of the fourth embodiment.

【図11】 実施の形態5の可変減衰器の構成図。FIG. 11 is a configuration diagram of a variable attenuator according to a fifth embodiment.

【図12】 従来の可変減衰器の構成図。FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional variable attenuator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子、2 出力端子、3a、3b、3c スイ
ッチ用トランジスタ、4a、4b 制御端子、5a 直
列抵抗、6a、6b 並列抵抗、7a、7b位相補正用
リアクタンス素子、8a 直列回路部、9a 第1の並
列回路部、9b 第2の並列回路部。
1 input terminal, 2 output terminal, 3a, 3b, 3c switch transistor, 4a, 4b control terminal, 5a series resistance, 6a, 6b parallel resistance, 7a, 7b phase correction reactance element, 8a series circuit section, 9a 1st Parallel circuit part, 9b second parallel circuit part.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末松 憲治 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 前田 憲一 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 生島 貴之 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J098 AA03 AA11 AA14 AA16 AB32 AB34 AC04 AC05 AC10 AC20 AD14 DA08 EA01 GA09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kenji Suematsu             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kenichi Maeda             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Takayuki Ikushima             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. F term (reference) 5J098 AA03 AA11 AA14 AA16 AB32                       AB34 AC04 AC05 AC10 AC20                       AD14 DA08 EA01 GA09

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 並列接続された第1のスイッチ用トラン
ジスタと第1の抵抗とを有する直列回路部と、直列接続
された第2のスイッチ用トランジスタと第2の抵抗とを
有する第1の並列回路部と、直列接続された第3のスイ
ッチ用トランジスタと第3の抵抗とを有する第2の並列
回路部とにより構成され、入力端子より入力された高周
波信号の振幅を可変し出力端子に出力する可変減衰器に
おいて、 前記第1の並列回路部と前記第2の並列回路部との少な
くとも一方に、前記入力端子から前記出力端子に送信す
る高周波信号の通過位相差を補正する位相補正用リアク
タンス素子を備えたことを特徴とする可変減衰器。
1. A series circuit unit having a first switching transistor and a first resistor connected in parallel, and a first parallel circuit having a second switching transistor and a second resistor connected in series. A circuit part and a second parallel circuit part having a third switching transistor and a third resistor connected in series, the amplitude of a high-frequency signal input from the input terminal is varied, and output to the output terminal. In the variable attenuator, a phase-correcting reactance that corrects a passing phase difference of a high-frequency signal transmitted from the input terminal to the output terminal in at least one of the first parallel circuit section and the second parallel circuit section. A variable attenuator comprising an element.
【請求項2】 前記位相補正用リアクタンス素子は、前
記第2の抵抗とグランドとの間又は前記第3の抵抗とグ
ランドとの間に接続するか、あるいは前記第2のスイッ
チ用トランジスタと前記第2の抵抗との間又は前記第3
のスイッチ用トランジスタと前記第3の抵抗との間に接
続することを特徴とする請求項1記載の可変減衰器。
2. The phase-correcting reactance element is connected between the second resistor and the ground or between the third resistor and the ground, or the second switching transistor and the second switching transistor. Between the two resistors or the third
The variable attenuator according to claim 1, wherein the variable attenuator is connected between the switching transistor and the third resistor.
【請求項3】 前記位相補正用リアクタンス素子は、前
記第1のスイッチ用トランジスタと前記第1の抵抗との
少なくとも一端と接続することを特徴とする請求項1記
載の可変減衰器。
3. The variable attenuator according to claim 1, wherein the phase-correction reactance element is connected to at least one end of the first switching transistor and the first resistor.
【請求項4】 前記位相補正用リアクタンス素子と並列
に接続され、直流動作点の不定状態を回避する直流動作
点決定用抵抗を備えたことを特徴とする請求項1乃至請
求項3のいずれかに記載の可変減衰器。
4. The DC operating point determining resistor for avoiding an indefinite state of the DC operating point, which is connected in parallel with the phase-correcting reactance element, and is provided with any one of claims 1 to 3. Variable attenuator described in.
【請求項5】 並列接続された第1のスイッチ用トラン
ジスタと第1の抵抗とを有する第1の直列回路部と、並
列接続された第2のスイッチ用トランジスタと第2の抵
抗とを有する第2の直列回路部と、直列接続された第3
のスイッチ用トランジスタと第3の抵抗とを有する並列
回路部とにより構成され、入力端子より入力された高周
波信号の振幅を可変し出力端子に出力する可変減衰器に
おいて、 前記並列回路部に前記入力端子から前記出力端子に送信
する高周波信号の通過位相差を補正する位相補正用リア
クタンス素子を備えたことを特徴とする可変減衰器。
5. A first series circuit section having a first switching transistor and a first resistor connected in parallel, and a second series transistor having a second switching transistor and a second resistor connected in parallel. 2 series circuit part and 3rd connected in series
A variable attenuator configured to change the amplitude of a high frequency signal input from an input terminal and output the output to an output terminal. A variable attenuator comprising a phase-correcting reactance element that corrects a passing phase difference of a high-frequency signal transmitted from a terminal to the output terminal.
【請求項6】 前記位相補正用リアクタンス素子は、前
記第3の抵抗とグランドとの間に接続するか、あるいは
前記第3のスイッチ用トランジスタと前記第3の抵抗と
の間に接続することを特徴とする請求項5記載の可変減
衰器。
6. The phase-correcting reactance element is connected between the third resistor and ground or between the third switching transistor and the third resistor. The variable attenuator according to claim 5, which is characterized in that:
【請求項7】 前記位相補正用リアクタンス素子は、前
記第1のスイッチ用トランジスタと前記第2のスイッチ
用トランジスタと前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との
少なくとも一端と接続することを特徴とする請求項5記
載の可変減衰器。
7. The phase-correcting reactance element is connected to at least one end of the first switching transistor, the second switching transistor, the first resistor and the second resistor. The variable attenuator according to claim 5.
【請求項8】 前記位相補正用リアクタンス素子と並列
に接続され、直流動作点の不定状態を回避する直流動作
点決定用抵抗を備えたことを特徴とする請求項5乃至請
求項7のいずれかに記載の可変減衰器。
8. A DC operating point determining resistor that is connected in parallel with the phase correcting reactance element and that avoids an indefinite state of the DC operating point. Variable attenuator described in.
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