JP2003304682A - Semiconductor device for controlling switching power supply - Google Patents

Semiconductor device for controlling switching power supply

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JP2003304682A
JP2003304682A JP2002104596A JP2002104596A JP2003304682A JP 2003304682 A JP2003304682 A JP 2003304682A JP 2002104596 A JP2002104596 A JP 2002104596A JP 2002104596 A JP2002104596 A JP 2002104596A JP 2003304682 A JP2003304682 A JP 2003304682A
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理 高橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device for controlling switching power supply, wherein soft start is accomplished and current loss due to a switching element can be reduced under lightload. <P>SOLUTION: Under lightload, two reference voltages are switched and compared with an error voltage VEAO through a light load detection circuit 18, and one of the reference voltages is set a light load detection lower limit voltage for stopping the oscillations of the switching element 1. The other is a light load detection upper limit voltage for starting oscillation of the switching element 1. Thus, the switching element 1 is caused to oscillate intermittently. The actuation start voltage V c<SB>-</SB>on of a start/stop circuit 9 is set to a value higher than a supply voltage V c<SB>-</SB>cnt1 when the error voltage VEAO matches with the light-load detection lower limit voltage. Thus, the switching element 1 is prevented from starting oscillation, until the error voltage VEAO exceeds the light load detection upper limit voltage, after the supply voltage VCC reaches the actuation start voltage V c<SB>-</SB>on at start time. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、始動時におけるソ
フトスタートと、軽負荷時や無負荷時における消費電力
の削減とを実現することができるスイッチング電源制御
用半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device for controlling a switching power supply, which can realize soft start at the time of starting and reduction of power consumption at the time of light load or no load.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下、従来のスイッチング電源制御用半
導体装置について説明する。図10は、従来のスイッチ
ング電源制御用半導体装置の一例を示す回路図である。
この半導体装置29は、パワーMOSFETなどのスイ
ッチング素子1とスイッチング素子1のスイッチング制
御を行うための制御回路がワンチップに集積化されてお
り、スイッチング素子1の高電圧端子(DRAIN端
子)とGND端子(SOURCE端子)、およびスイッ
チング素子1の制御信号を入力するための制御回路の制
御端子(CONTROL端子)の3端子で構成されてい
る。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor device for controlling a switching power supply will be described below. FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor device for controlling a switching power supply.
In this semiconductor device 29, a switching element 1 such as a power MOSFET and a control circuit for performing switching control of the switching element 1 are integrated in one chip, and a high voltage terminal (DRAIN terminal) and a GND terminal of the switching element 1 are integrated. (SOURCE terminal) and the control terminal (CONTROL terminal) of the control circuit for inputting the control signal of the switching element 1.

【0003】図10において、誤差増幅器2のマイナス
入力端子へは半導体装置29の電源電圧Vccが与えら
れ、プラス入力端子へは予め設定された所定の基準電圧
が与えられている。誤差増幅器2は、電源電圧Vccと
基準電圧とを比較し、電源電圧Vccが基準電圧を下回
っているとき、誤差電圧VEAOをドレイン電流検出用
比較器4のプラス入力端子へ出力する。つまり電源電圧
Vccと誤差電圧VEAOは、電源電圧Vccが上昇す
ると誤差電圧VEAOが低下する関係にある。ドレイン
電流検出用比較器4のマイナス入力端子には、スイッチ
ング素子1の高電圧端子に接続されているドレイン電流
検出回路3から出力される検出電圧VCLが与えられて
いる。ドレイン電流検出回路3は、スイッチング素子1
に流れるスイッチング素子電流IDを検出して電圧に変
換し、検出電圧VCLとして出力する。
In FIG. 10, the negative input terminal of the error amplifier 2 is supplied with the power supply voltage Vcc of the semiconductor device 29, and the positive input terminal thereof is supplied with a predetermined reference voltage. The error amplifier 2 compares the power supply voltage Vcc with the reference voltage, and when the power supply voltage Vcc is below the reference voltage, outputs the error voltage VEAO to the plus input terminal of the drain current detection comparator 4. That is, the power supply voltage Vcc and the error voltage VEAO have a relationship that the error voltage VEAO decreases as the power supply voltage Vcc increases. The negative input terminal of the drain current detection comparator 4 is supplied with the detection voltage VCL output from the drain current detection circuit 3 connected to the high voltage terminal of the switching element 1. The drain current detection circuit 3 includes a switching element 1
The switching element current ID flowing in is detected, converted into a voltage, and output as a detection voltage VCL.

【0004】ドレイン電流検出用比較器4は、スイッチ
ング素子電流IDに応じた検出電圧VCLと、半導体装
置29の電源電圧Vccと基準電圧との誤差電圧VEA
Oとを比較し、両者が等しくなったときRSフリップフ
ロップ回路13のリセット端子へ信号を出力する。
The drain current detection comparator 4 detects an error voltage VEA between the detection voltage VCL corresponding to the switching element current ID and the power supply voltage Vcc of the semiconductor device 29 and the reference voltage.
O is compared, and when both are equal, a signal is output to the reset terminal of the RS flip-flop circuit 13.

【0005】過電流保護回路5は、誤差増幅器2から出
力される誤差電圧VEAOの最大値を固定し、スイッチ
ング素子1に過電流が流れるのを防止している。発振器
6は、スイッチング素子1のスイッチング周波数を決定
するためのクロック信号7と、スイッチング素子1の最
大デューティーサイクルを決定するための最大デューテ
ィーサイクル信号8とをそれぞれ出力する。発振器6か
ら出力されるクロック信号7は、RSフリップフロップ
回路13のセット端子に与えられており、RSフリップ
フロップ回路13の出力は、NAND回路16へ出力さ
れている。発振器6から出力される最大デューティーサ
イクル信号8は、NAND回路16に直接入力されてい
る。
The overcurrent protection circuit 5 fixes the maximum value of the error voltage VEAO output from the error amplifier 2 to prevent an overcurrent from flowing through the switching element 1. The oscillator 6 outputs a clock signal 7 for determining the switching frequency of the switching element 1 and a maximum duty cycle signal 8 for determining the maximum duty cycle of the switching element 1, respectively. The clock signal 7 output from the oscillator 6 is applied to the set terminal of the RS flip-flop circuit 13, and the output of the RS flip-flop circuit 13 is output to the NAND circuit 16. The maximum duty cycle signal 8 output from the oscillator 6 is directly input to the NAND circuit 16.

【0006】スイッチング素子1の高電圧端子には、半
導体装置29の電源電流を供給するための内部回路電流
供給回路14が接続されている。内部回路電流供給回路
14は、半導体装置29の起動および停止を制御する起
動/停止回路27によって、電源投入時など電源電圧V
ccが起動開始電圧よりも低いときにのみ動作するよう
になっている。起動/停止回路27の出力は、NAND
回路16に入力されている。
An internal circuit current supply circuit 14 for supplying a power supply current of the semiconductor device 29 is connected to the high voltage terminal of the switching element 1. The internal circuit current supply circuit 14 controls the start / stop circuit 27 for controlling the start and stop of the semiconductor device 29 so that the power supply voltage V
It operates only when cc is lower than the starting voltage. The output of the start / stop circuit 27 is NAND
It is input to the circuit 16.

【0007】過熱保護回路15は、半導体装置29のチ
ップ温度が設定値以上に上昇した場合に、スイッチング
素子1の発振を停止させるための回路であり、過熱保護
回路15の出力は、NAND回路16に入力されてい
る。
The overheat protection circuit 15 is a circuit for stopping the oscillation of the switching element 1 when the chip temperature of the semiconductor device 29 rises above a set value. The output of the overheat protection circuit 15 is the NAND circuit 16 Has been entered in.

【0008】NAND回路16には、RSフリップフロ
ップ回路13を介して発振器6から出力されるスイッチ
ング素子1のクロック信号7と、発振器6から出力され
るスイッチング素子1の最大デューティーサイクル信号
8と、起動/停止回路27から出力される起動信号Von
_offと、過熱保護回路15から出力される信号の4つが
入力されており、その出力は、スイッチング素子1のス
イッチング制御信号としてスイッチング素子1のドライ
ブ回路17に与えられている。
In the NAND circuit 16, the clock signal 7 of the switching element 1 output from the oscillator 6 via the RS flip-flop circuit 13, the maximum duty cycle signal 8 of the switching element 1 output from the oscillator 6, and the activation. / Start signal Von output from the stop circuit 27
_off and four signals output from the overheat protection circuit 15 are input, and the output is given to the drive circuit 17 of the switching element 1 as a switching control signal of the switching element 1.

【0009】ドライブ回路17は、NAND回路16か
ら与えられるスイッチング制御信号に基づいて、スイッ
チング素子1をスイッチング制御する。図11は、従来
のスイッチング電源制御用半導体装置を用いて構成した
スイッチング電源装置の一例を示す回路図である。この
スイッチング電源装置では、商用の交流電圧が、ダイオ
ードブリッジなどの整流器19により整流され、コンデ
ンサ20により平滑化され、直流電圧VINとされて電
力変換用のトランス21に与えられている。
The drive circuit 17 controls the switching of the switching element 1 based on the switching control signal given from the NAND circuit 16. FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of a switching power supply device configured using a conventional semiconductor device for switching power supply control. In this switching power supply device, a commercial AC voltage is rectified by a rectifier 19 such as a diode bridge, smoothed by a capacitor 20, converted into a DC voltage VIN, and applied to a power conversion transformer 21.

【0010】電力変換用のトランス21は、第1の一次
巻線21aおよび第2の一次巻線21bと、二次巻線2
1cとを有しており、直流電圧VINが第1の一次巻線
21aに与えられる。
The transformer 21 for power conversion includes a first primary winding 21a, a second primary winding 21b, and a secondary winding 2
1c, and the DC voltage VIN is applied to the first primary winding 21a.

【0011】トランス21の第1の一次巻線21aに与
えられた直流電圧VINは、半導体装置29内に設けら
れたスイッチング素子1によりスイッチングされる。そ
して、そのスイッチング素子1のスイッチング動作によ
ってトランス21の二次巻線21cに磁気誘導による起
電力が発生し、トランス21の二次巻線21cに電流が
取り出される。二次巻線21cに取り出された電流は、
二次巻線21cに接続されたダイオード24およびコン
デンサ25により整流および平滑化され、出力電圧Vo
として負荷26へ供給される。
The DC voltage VIN applied to the first primary winding 21a of the transformer 21 is switched by the switching element 1 provided in the semiconductor device 29. Then, due to the switching operation of the switching element 1, an electromotive force due to magnetic induction is generated in the secondary winding 21c of the transformer 21, and a current is taken out to the secondary winding 21c of the transformer 21. The current extracted to the secondary winding 21c is
The output voltage Vo is rectified and smoothed by the diode 24 and the capacitor 25 connected to the secondary winding 21c.
Is supplied to the load 26.

【0012】トランス21の第2の一次巻線21bに
も、スイッチング素子1のスイッチング動作によって磁
気誘導による起電力が発生し、電流が取り出される。第
2の一次巻線21bから出力される電流は、補助電源部
であるダイオード22およびコンデンサ23により整流
および平滑化され、電源電圧Vccとして出力される。
そして、補助電源部から出力される電源電圧Vccが、
半導体装置29の制御端子に入力され、半導体装置29
の電源電圧として用いられている。この電源電圧Vcc
は、トランス21の二次巻線21cから負荷26に供給
される出力電圧Voと比例する電圧であり、出力電圧V
oを安定化させるための帰還信号としても用いられてい
る。
In the second primary winding 21b of the transformer 21, electromotive force due to magnetic induction is also generated by the switching operation of the switching element 1, and a current is taken out. The current output from the second primary winding 21b is rectified and smoothed by the diode 22 and the capacitor 23, which are auxiliary power supply units, and output as the power supply voltage Vcc.
The power supply voltage Vcc output from the auxiliary power supply unit is
The semiconductor device 29 is input to the control terminal of the semiconductor device 29 and
It is used as the power supply voltage of. This power supply voltage Vcc
Is a voltage proportional to the output voltage Vo supplied from the secondary winding 21c of the transformer 21 to the load 26.
It is also used as a feedback signal for stabilizing o.

【0013】このように構成されたスイッチング電源装
置の動作を以下に説明する。整流器19に商用電源から
の交流電圧が入力されると、整流器19とコンデンサ2
0とにより整流および平滑化され、直流電圧VINに変
換される。この直流電圧VINがトランス21の第1の
一次巻線21aに印加される。また、直流電圧VIN
は、半導体装置29内の内部回路電流供給回路14を介
して第2の一次巻線21bに印加され、電源電圧Vcc
用のコンデンサ23を充電する。
The operation of the thus configured switching power supply device will be described below. When the AC voltage from the commercial power source is input to the rectifier 19, the rectifier 19 and the capacitor 2
It is rectified and smoothed by 0 and converted into a DC voltage VIN. This DC voltage VIN is applied to the first primary winding 21a of the transformer 21. In addition, DC voltage VIN
Is applied to the second primary winding 21b via the internal circuit current supply circuit 14 in the semiconductor device 29, and the power supply voltage Vcc
The capacitor 23 for charging is charged.

【0014】その後、電源電圧Vccが半導体装置29
内の起動/停止回路27で設定された起動開始電圧に達
すると、起動/停止回路27からNAND回路16に出
力される起動信号Von_offがハイレベルの信号となり、
制御回路が起動してスイッチング素子1によるスイッチ
ング動作の制御が開始される。また同時に、起動/停止
回路27から、内部回路電流供給回路14からの電流供
給を停止するための信号Son_offが出力される。このよ
うな動作により、通常動作時における半導体装置29の
消費電力は低く抑えられている。
Thereafter, the power supply voltage Vcc is changed to the semiconductor device 29.
When the start-up voltage set by the start-up / stop circuit 27 in the internal circuit reaches the start-up voltage, the start-up signal Von_off output from the start-up / stop circuit 27 to the NAND circuit 16 becomes a high-level signal,
The control circuit is activated and control of the switching operation by the switching element 1 is started. At the same time, the start / stop circuit 27 outputs a signal Son_off for stopping the current supply from the internal circuit current supply circuit 14. By such an operation, the power consumption of the semiconductor device 29 during the normal operation is kept low.

【0015】半導体装置29は、負荷26に対する出力
電圧Voが、所定の電圧にて安定化するように、電源電
圧Vccに基づいてスイッチング素子1によるスイッチ
ング動作を制御している。出力電圧Voと電源電圧Vc
cとは、トランス21の第2の一次巻線21bと二次巻
線21cの巻数比に比例した電圧になっている。
The semiconductor device 29 controls the switching operation of the switching element 1 based on the power supply voltage Vcc so that the output voltage Vo to the load 26 is stabilized at a predetermined voltage. Output voltage Vo and power supply voltage Vc
The voltage c is a voltage proportional to the turn ratio between the second primary winding 21b and the secondary winding 21c of the transformer 21.

【0016】すなわち、図12のタイムチャートに示す
ように、直流電圧VINが、半導体装置29内の内部回
路電流供給回路14を介して第2の一次巻線21bに印
加され、電源電圧Vcc用のコンデンサ23を充電する
ことで半導体装置29の電源電圧Vccが上昇する(図
12(c))。そして、電源電圧Vccが起動開始電圧
Vc_onに達すると、起動/停止回路27の出力する起
動信号Von_offはローレベルからハイレベルになり(図
12(e))、NAND回路16に入力され、スイッチ
ング素子1の発振が開始される。それと同時に内部回路
電流供給回路14からの電源電圧Vcc用のコンデンサ
23への充電電流がOFFされる。スイッチング素子1
の発振が開始されると、負荷26へ供給される電流Io
が定常状態となるまで出力電圧Voは上昇し、電源電圧
Vccは出力電圧Voに応じた値となる。
That is, as shown in the time chart of FIG. 12, the DC voltage VIN is applied to the second primary winding 21b via the internal circuit current supply circuit 14 in the semiconductor device 29 to supply the power supply voltage Vcc. The power supply voltage Vcc of the semiconductor device 29 rises by charging the capacitor 23 (FIG. 12 (c)). Then, when the power supply voltage Vcc reaches the activation start voltage Vc_on, the activation signal Von_off output from the activation / stop circuit 27 changes from low level to high level (FIG. 12 (e)), and is input to the NAND circuit 16 to switch the switching element. Oscillation of 1 is started. At the same time, the charging current from the internal circuit current supply circuit 14 to the capacitor 23 for the power supply voltage Vcc is turned off. Switching element 1
Is started, the current Io supplied to the load 26 is increased.
The output voltage Vo rises until the output voltage reaches the steady state, and the power supply voltage Vcc becomes a value according to the output voltage Vo.

【0017】しかしながら、この従来のスイッチング電
源制御用半導体装置29では、起動開始電圧Vc_onは
低く設定され、電源電圧Vccが起動開始電圧Vc_on
に達すると同時にスイッチング素子1の発振を開始する
ようにしてある。そのため、スイッチング素子1の発振
開始時(始動時)の誤差増幅器2からの誤差電圧VEA
Oの値は高い値となり(図12(d))、誤差増幅器2
からの誤差電圧VEAOが負荷26に対応した一定電圧
に低下するまでの期間において、スイッチング素子電流
IDは負荷26に対応した一定の値以上の電流状態で発
振し、その後、負荷に対応した一定の値になる(図12
(f))。そのため始動時には、負荷26へ電流Ioが
急速に供給され(図12(b))、出力電圧Voの立ち
上がりが急峻になる(図12(a))。
However, in the conventional semiconductor device 29 for switching power supply control, the starting voltage Vc_on is set low, and the power supply voltage Vcc is set to the starting voltage Vc_on.
The oscillation of the switching element 1 is started at the same time. Therefore, the error voltage VEA from the error amplifier 2 at the time of starting the oscillation of the switching element 1 (at the time of starting)
The value of O becomes a high value (FIG. 12 (d)), and the error amplifier 2
During the period until the error voltage VEAO from the voltage drop to a constant voltage corresponding to the load 26, the switching element current ID oscillates in a current state equal to or higher than a constant value corresponding to the load 26, and thereafter, a constant voltage corresponding to the load. Value (Fig. 12
(F)). Therefore, at the time of starting, the current Io is rapidly supplied to the load 26 (FIG. 12 (b)), and the rise of the output voltage Vo becomes steep (FIG. 12 (a)).

【0018】また、スイッチング電源装置の出力に接続
された負荷26への供給電流Ioが小さくなる待機時な
どの軽負荷時おいては、負荷26への供給電流Ioが低
下し(図12(b))、負荷26への出力電圧Voが上
昇し(図12(a))、これに比例して電源電圧Vcc
が上昇し(図12(c))、誤差増幅器2からの誤差電
圧VEAOが低下する(図12(d))。そして、誤差
電圧VEAOと検出電圧VCLが等しくなると、ドレイ
ン電流検出用比較器4から、RSフリップフロップ回路
13のリセット端子へリセット信号が出力される。これ
により、NAND回路16からは、スイッチング素子1
をオフにする信号が出力される。その結果、スイッチン
グ素子1はオン時間が短くなり、スイッチング素子1を
流れるスイッチング素子電流IDが低下する(図12
(e))。
Further, during a light load such as a standby time when the current Io supplied to the load 26 connected to the output of the switching power supply becomes small, the current Io supplied to the load 26 decreases (see FIG. 12 (b)). )), The output voltage Vo to the load 26 rises (FIG. 12A), and in proportion to this, the power supply voltage Vcc
Rises (FIG. 12 (c)), and the error voltage VEAO from the error amplifier 2 falls (FIG. 12 (d)). Then, when the error voltage VEAO becomes equal to the detection voltage VCL, the drain current detection comparator 4 outputs a reset signal to the reset terminal of the RS flip-flop circuit 13. As a result, the NAND circuit 16 causes the switching element 1
A signal to turn off is output. As a result, the switching element 1 has a shorter on-time, and the switching element current ID flowing through the switching element 1 is reduced (FIG. 12).
(e)).

【0019】また、負荷26への供給電流Ioが零とな
る無負荷時においても、軽負荷時と同様にスイッチング
素子1を流れるスイッチング素子電流IDを低下させる
ことができる。
Further, even when there is no load at which the current Io supplied to the load 26 becomes zero, the switching element current ID flowing through the switching element 1 can be reduced as in the case of a light load.

【0020】以上のように、この従来のスイッチング電
源制御用半導体装置では、半導体装置の内部回路電流を
トランスを介して供給する必要があるので、軽負荷時あ
るいは無負荷時においても、スイッチング素子に流れる
電流をゼロにすることはできず、ある大きさの電流が流
れることになる。そこで、スイッチング電源装置の出力
に接続された負荷に供給される電流に応じてスイッチン
グ素子電流を制御することにより、軽負荷時や無負荷時
の消費電力を低減することのできる電流モード制御方式
としている。つまり、軽負荷時や無負荷時においては、
スイッチング素子1のオン時間を短くしてスイッチング
素子1を流れるスイッチング素子電流を低下させること
で、軽負荷時あるいは無負荷時のスイッチング素子によ
る消費電力の削減を図っている。
As described above, in this conventional semiconductor device for controlling a switching power supply, since it is necessary to supply the internal circuit current of the semiconductor device through the transformer, the switching element can be used even under light load or no load. The current that flows cannot be zero, and a certain amount of current will flow. Therefore, by controlling the switching element current according to the current supplied to the load connected to the output of the switching power supply device, as a current mode control method that can reduce the power consumption during light load or no load There is. In other words, at light load and no load,
By shortening the ON time of the switching element 1 to reduce the switching element current flowing through the switching element 1, the power consumption of the switching element during light load or no load is reduced.

【0021】しかしながら、発振器からのクロック信号
に同期してスイッチング素子電流を流しているため、こ
の従来の方式による消費電力の削減には限界があり、軽
負荷時あるいは無負荷時の省電力化という要望を実現で
きないという問題がある。
However, since the switching element current is passed in synchronism with the clock signal from the oscillator, there is a limit to the reduction of power consumption by this conventional method, which is called power saving at light load or no load. There is a problem that the request cannot be realized.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するために、軽負荷検出下限電圧と軽負荷検出上
限電圧を設け、誤差電圧VEAOが軽負荷検出下限電圧
を下回るとスイッチング素子のスイッチング動作を停止
させ、誤差電圧VEAOが軽負荷検出上限電圧を上回る
とスイッチング素子のスイッチング動作を開始させるこ
とにより、軽負荷時や無負荷時において、スイッチング
素子のスイッチング動作を停止と再開の繰り返す間欠発
振とし、スイッチング素子における電流損失を低減させ
るとともに、誤差電圧VEAOが前記軽負荷検出下限電
圧と一致したときの電源電圧Vccよりも高い電圧に制
御回路(半導体装置)を起動状態とするための起動開始
電圧を設定し、始動時(スイッチング素子の発振開始
時)において、電源電圧Vccが起動開始電圧に達した
後、誤差電圧VEAOが軽負荷検出上限電圧を上回った
ときにスイッチング素子のスイッチング動作を開始させ
ることにより、誤差電圧VEAOの低い状態でスイッチ
ング素子のスイッチング動作が行われるようにし、ソフ
トスタートを実現して負荷への電流供給と出力電圧の立
ち上がりが緩やかとなるようにするスイッチング電源制
御用半導体装置を提供することを目的とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides a light load detection lower limit voltage and a light load detection upper limit voltage, and when the error voltage VEAO falls below the light load detection lower limit voltage, a switching element is provided. The switching operation of the switching element is stopped and the switching operation of the switching element is started when the error voltage VEAO exceeds the light load detection upper limit voltage, so that the switching operation of the switching element is repeatedly stopped and restarted under light load or no load. Intermittent oscillation is used to reduce the current loss in the switching element and to activate the control circuit (semiconductor device) to a voltage higher than the power supply voltage Vcc when the error voltage VEAO matches the light load detection lower limit voltage. Set the starting voltage and start the power supply (when the switching element starts oscillating). After the voltage Vcc reaches the starting voltage, the switching operation of the switching element is started when the error voltage VEAO exceeds the light load detection upper limit voltage, so that the switching operation of the switching element is performed in a state where the error voltage VEAO is low. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device for controlling a switching power supply that realizes a soft start and supplies a current to a load and a rise of an output voltage is gentle.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
スイッチング電源制御用半導体装置は、スイッチング電
源用のスイッチング素子と、前記スイッチング素子のス
イッチング動作を制御する制御回路とを備え、前記制御
回路の電源電圧と予め設定された基準電圧との誤差電圧
と、前記スイッチング素子を流れる電流に応じた電圧と
を比較し、この比較結果に基づいて前記スイッチング素
子のスイッチング動作を制御するスイッチング電源制御
用半導体装置において、前記制御回路が、前記制御回路
の電源電圧が上昇して前記誤差電圧が軽負荷検出下限電
圧を下回ると前記スイッチング素子のスイッチング動作
を停止させ、前記制御回路の電源電圧が低下して前記誤
差電圧が軽負荷検出上限電圧を上回ると前記スイッチン
グ素子のスイッチング動作を開始させる軽負荷検出回路
と、前記制御回路が起動するための起動開始電圧が、前
記誤差電圧が前記軽負荷検出下限電圧と一致したときの
前記制御回路の電源電圧よりも高い電圧に設定されてお
り、前記制御回路の電源電圧に応じて前記制御回路の起
動/停止状態を切り換える起動/停止回路とを具備し、
始動時においては、前記制御回路の電源電圧が前記起動
開始電圧に達すると前記起動/停止回路により前記制御
回路を起動状態とし、その後前記制御回路の電源電圧が
低下して前記誤差電圧が軽負荷検出上限電圧を上回ると
前記軽負荷検出回路により前記スイッチング素子のスイ
ッチング動作を開始させ、軽負荷時や無負荷時において
は、前記軽負荷検出回路によりスイッチング素子のスイ
ッチング動作の停止と再開を繰り返すことを特徴とす
る。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 1 of the present invention comprises a switching element for a switching power supply and a control circuit for controlling a switching operation of the switching element, A switching power supply control for comparing an error voltage between a power supply voltage of a circuit and a preset reference voltage with a voltage according to a current flowing through the switching element, and controlling a switching operation of the switching element based on the comparison result. In the semiconductor device for use, the control circuit stops the switching operation of the switching element when the power supply voltage of the control circuit rises and the error voltage falls below the light load detection lower limit voltage, and the power supply voltage of the control circuit decreases. When the error voltage exceeds the light load detection upper limit voltage, the switch of the switching element is switched. The light load detection circuit that starts the power supply operation and the start voltage for starting the control circuit have a voltage higher than the power supply voltage of the control circuit when the error voltage matches the light load detection lower limit voltage. And a start / stop circuit for switching the start / stop state of the control circuit according to the power supply voltage of the control circuit,
At the time of starting, when the power supply voltage of the control circuit reaches the start-up start voltage, the start-up / stop circuit sets the control circuit in the start-up state, and thereafter, the power-supply voltage of the control circuit decreases and the error voltage is lightly loaded. When the voltage exceeds the detection upper limit voltage, the switching operation of the switching element is started by the light load detection circuit, and during light load or no load, the switching operation of the switching element is repeatedly stopped and restarted by the light load detection circuit. Is characterized by.

【0024】また、本発明の請求項2記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項1記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置であって、前記軽負荷検出回路
は、前記軽負荷検出下限電圧と前記軽負荷検出上限電圧
とを切り換えて出力する軽負荷基準電圧源と、前記誤差
電圧と前記軽負荷基準電圧源の出力電圧とを比較し、前
記誤差電圧が前記軽負荷検出下限電圧を下回ると前記ス
イッチング素子のスイッチング動作を停止させるための
信号を出力し、前記誤差電圧が前記軽負荷検出上限電圧
を上回ると前記スイッチング素子のスイッチング動作を
開始させるための信号を出力する軽負荷検出用比較器と
を具備することを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to a second aspect of the present invention is the semiconductor device for controlling a switching power supply according to the first aspect, wherein the light load detection circuit includes the light load detection lower limit voltage. When the light load reference voltage source that switches and outputs the light load detection upper limit voltage is compared with the error voltage and the output voltage of the light load reference voltage source, and the error voltage falls below the light load detection lower limit voltage. A light load detection comparator that outputs a signal for stopping the switching operation of the switching element, and outputs a signal for starting the switching operation of the switching element when the error voltage exceeds the light load detection upper limit voltage. And is provided.

【0025】また、本発明の請求項3記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項1または2のいずれ
かに記載のスイッチング電源制御用半導体装置であっ
て、前記起動/停止回路が、前記起動開始電圧と前記制
御回路を停止させるための停止電圧とを切り換えて出力
する起動/停止基準電圧源と、前記制御回路の電源電圧
と前記起動/停止基準電圧源の出力電圧とを比較し、前
記制御回路の電源電圧が前記起動開始電圧を上回ると前
記制御回路を起動状態とするための信号を出力し、前記
制御回路の電源電圧が前記停止電圧を下回ると前記制御
回路を停止状態とするための信号を出力する第1の起動
/停止比較器とを具備することを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 3 of the present invention is the semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 1 or 2, wherein the start / stop circuit is A start / stop reference voltage source for switching and outputting a start start voltage and a stop voltage for stopping the control circuit, and a power supply voltage of the control circuit and an output voltage of the start / stop reference voltage source are compared, When the power supply voltage of the control circuit exceeds the start start voltage, a signal for putting the control circuit into the start state is output, and when the power supply voltage of the control circuit falls below the stop voltage, the control circuit is put into the stop state. A first start / stop comparator that outputs a signal for

【0026】また、本発明の請求項4記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項1または2のいずれ
かに記載のスイッチング電源制御用半導体装置であっ
て、前記起動/停止回路が、抵抗分割された一方の前記
制御回路の電源電圧と内部基準電圧とを比較し、前記制
御回路の電源電圧が前記起動開始電圧を上回ると前記制
御回路を起動状態とするための信号を出力する起動用比
較器と、抵抗分割された他方の前記制御回路の電源電圧
と前記内部基準電圧とを比較し、前記制御回路の電源電
圧が前記停止電圧を下回ると前記制御回路を停止状態と
するための信号を出力する停止用比較器とを具備するこ
とを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 4 of the present invention is the semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 1 or 2, wherein the start / stop circuit is a resistor. A start-up for comparing the power supply voltage of one of the divided control circuits with an internal reference voltage, and outputting a signal for putting the control circuit into an activated state when the power supply voltage of the control circuit exceeds the activation start voltage. A signal for comparing the power supply voltage of the other resistance-divided control circuit and the internal reference voltage with each other and bringing the control circuit into a stopped state when the power supply voltage of the control circuit falls below the stop voltage. And a stop comparator for outputting.

【0027】また、本発明の請求項5記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項1または2のいずれ
かに記載のスイッチング電源制御用半導体装置であっ
て、前記起動/停止回路が、抵抗分割された一方の前記
制御回路の電源電圧と内部基準電圧とを比較する場合、
前記制御回路の電源電圧が前記起動開始電圧を上回ると
前記制御回路を起動状態とするための信号を出力し、抵
抗分割された他方の前記制御回路の電源電圧と前記内部
基準電圧とを比較する場合、前記制御回路の電源電圧が
前記停止電圧を下回ると前記制御回路を停止状態とする
ための信号を出力する第2の起動/停止比較器を具備す
ることを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to a fifth aspect of the present invention is the semiconductor device for controlling a switching power supply according to the first or second aspect, wherein the start / stop circuit is a resistor. When comparing the power supply voltage of one of the divided control circuits and the internal reference voltage,
When the power supply voltage of the control circuit exceeds the startup start voltage, a signal for putting the control circuit into a startup state is output, and the power supply voltage of the other resistance-divided control circuit is compared with the internal reference voltage. In this case, a second start / stop comparator is provided, which outputs a signal for bringing the control circuit into a stopped state when the power supply voltage of the control circuit falls below the stop voltage.

【0028】また、本発明の請求項6記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項3から5のいずれか
に記載の半導体装置であって、前記起動/停止回路が前
記制御回路の電源電圧をクランプ電圧にクランプするた
めのクランプ用回路を具備することを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to a sixth aspect of the present invention is the semiconductor device according to any of the third to fifth aspects, in which the start / stop circuit is a power supply voltage of the control circuit. Is provided with a clamp circuit for clamping to a clamp voltage.

【0029】また、本発明の請求項7記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置は、請求項6記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置であって、前記クランプ電圧が
ヒステリシスを持つことを特徴とする。
A semiconductor device for controlling a switching power supply according to a seventh aspect of the present invention is the semiconductor device for controlling a switching power supply according to the sixth aspect, wherein the clamp voltage has hysteresis.

【0030】以上のように、本発明のスイッチング電源
制御用半導体装置によれば、軽負荷時や無負荷時におい
て、スイッチング素子のスイッチング動作を停止と再開
の繰り返す間欠発振とし、スイッチング素子における電
流損失を低減させるとともに、始動時において、誤差電
圧の低い状態でスイッチング素子のスイッチング動作が
開始されるようにし、ソフトスタートを実現して負荷へ
の電流供給と出力電圧の立ち上がりを緩やかなものとす
ることができる。
As described above, according to the semiconductor device for controlling a switching power supply of the present invention, the switching operation of the switching element is intermittently oscillated by repeating stop and restart under light load or no load, and current loss in the switching element is caused. At the same time, the switching operation of the switching element is started with a low error voltage at the time of starting, and a soft start is realized to make the current supply to the load and the rise of the output voltage gentle. You can

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本実施の形態におけるス
イッチング電源制御用半導体装置の一例を示す回路図で
ある。なお、図10に基づいて説明した部材に対応する
部材には同一の符号を付して説明を省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a semiconductor device for controlling a switching power supply according to the present embodiment. The members corresponding to those described with reference to FIG. 10 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0032】図1に示す半導体装置28には、誤差増幅
器2の出力である誤差電圧VEAOが与えられる軽負荷
検出回路18が設けられている。この軽負荷検出回路1
8には、軽負荷検出用比較器11が設けられている。軽
負荷検出用比較器11のプラス入力端子には誤差増幅器
2から出力される誤差電圧VEAOが与えられており、
マイナス入力端子には軽負荷基準電圧源10から出力さ
れる基準電圧VRが与えられている。軽負荷検出用比較
器11は、入力される誤差電圧VEAOと基準電圧VR
とを比較して、AND回路12に所定の出力信号VO1
を出力するようになっている。これにより、この軽負荷
検出回路18は軽負荷状態および無負荷状態を検出でき
るようになっている。
The semiconductor device 28 shown in FIG. 1 is provided with a light load detection circuit 18 to which the error voltage VEAO output from the error amplifier 2 is applied. This light load detection circuit 1
8 is provided with a light load detecting comparator 11. The error voltage VEAO output from the error amplifier 2 is applied to the positive input terminal of the light load detection comparator 11.
A reference voltage VR output from the light load reference voltage source 10 is applied to the negative input terminal. The light load detection comparator 11 receives the input error voltage VEAO and the reference voltage VR.
And a predetermined output signal VO1 is output to the AND circuit 12.
Is output. As a result, the light load detection circuit 18 can detect the light load state and the no load state.

【0033】また、軽負荷検出用比較器11の出力信号
VO1は、軽負荷基準電圧源10にも与えられており、
軽負荷基準電圧源10は、軽負荷検出用比較器11の出
力信号VO1を受けて基準電圧VRが変化するようにな
っている。
The output signal VO1 of the light load detection comparator 11 is also supplied to the light load reference voltage source 10,
The light load reference voltage source 10 receives the output signal VO1 of the light load detection comparator 11 and changes the reference voltage VR.

【0034】軽負荷検出回路18の動作としては、図2
に示すように、軽負荷検出用比較器11の出力信号VO
1に応じて、軽負荷基準電圧源10からの基準電圧VR
が軽負荷検出下限電圧VR1と軽負荷検出上限電圧VR
2とに切り換る。
The operation of the light load detection circuit 18 is shown in FIG.
, The output signal VO of the light load detection comparator 11
According to 1, the reference voltage VR from the light load reference voltage source 10
Is light load detection lower limit voltage VR1 and light load detection upper limit voltage VR
Switch to 2.

【0035】即ち、誤差電圧VEAOが軽負荷検出下限
電圧VR1を下回ると、軽負荷検出用比較器11がAN
D回路12へローレベルの信号を出力するので、スイッ
チング素子1の発振が停止する。またこのとき、軽負荷
基準電圧源10はこの信号を受けて出力電圧を軽負荷検
出上限電圧VR2へ変化させる。そして、誤差電圧VE
AOが軽負荷検出上限電圧VR2を上回ると、軽負荷検
出用比較器11がAND回路12へハイレベルの信号を
出力するので、スイッチング素子1の発振が再開する。
またこのとき、軽負荷基準電圧源10はこの信号を受け
て出力電圧を軽負荷検出下限電圧VR1へ変化させる。
このように軽負荷検出回路18が動作することで、軽負
荷時や無負荷時において、スイッチング素子のスイッチ
ング動作が停止と再開を繰り返す間欠発振状態を作り出
すことができる。また、誤差電圧VEAOが軽負荷検出
下限電圧VR1と一致するときの電源電圧VccをVc
_cnt1、誤差電圧VEAOが軽負荷検出上限電圧VR2
と一致するときの電源電圧VccをVc_cnt2とする
と、それらの関係はVc_cnt1>Vc_cnt2となる。
That is, when the error voltage VEAO falls below the light load detection lower limit voltage VR1, the light load detection comparator 11 operates as AN.
Since the low level signal is output to the D circuit 12, the oscillation of the switching element 1 is stopped. At this time, the light load reference voltage source 10 receives this signal and changes the output voltage to the light load detection upper limit voltage VR2. Then, the error voltage VE
When AO exceeds the light load detection upper limit voltage VR2, the light load detection comparator 11 outputs a high level signal to the AND circuit 12, and the oscillation of the switching element 1 restarts.
At this time, the light load reference voltage source 10 receives this signal and changes the output voltage to the light load detection lower limit voltage VR1.
By operating the light load detection circuit 18 in this manner, it is possible to create an intermittent oscillation state in which the switching operation of the switching element is repeatedly stopped and restarted under light load or no load. Further, the power supply voltage Vcc when the error voltage VEAO matches the light load detection lower limit voltage VR1 is set to Vc.
_cnt1, error voltage VEAO is light load detection upper limit voltage VR2
If the power supply voltage Vcc when Vcc_cnt2 is equal to Vc_cnt2, the relationship between them is Vc_cnt1> Vc_cnt2.

【0036】AND回路12には、発振器6から出力さ
れるクロック信号7が他の入力として与えられており、
AND回路12の出力が、RSフリップフロップ回路1
3のセット端子に与えられている。つまり、通常動作時
には、AND回路12には軽負荷検出用比較器11から
のハイレベルの信号と発振器6からのクロック信号7が
与えられ、クロック信号7に従ったスイッチング周波数
にてスイッチング素子1のスイッチング動作が行われ
る。RSフリップフロップ回路13の出力は、NAND
回路16へ出力されている。従って、NAND回路16
には、RSフリップフロップ回路13の出力信号と、発
振器6から出力されるスイッチング素子1の最大デュー
ティーサイクル信号8と、起動/停止回路9からの出力
信号と、過熱保護回路15からの出力信号とがそれぞれ
入力されている。そして、NAND回路16の出力が、
スイッチング素子1のスイッチング制御信号としてスイ
ッチング素子1のドライブ回路17に与えられている。
The AND circuit 12 is supplied with the clock signal 7 output from the oscillator 6 as another input,
The output of the AND circuit 12 is the RS flip-flop circuit 1
3 is given to the set terminal. In other words, during normal operation, the AND circuit 12 is supplied with the high-level signal from the light load detection comparator 11 and the clock signal 7 from the oscillator 6, and the switching element 1 operates at the switching frequency according to the clock signal 7. Switching operation is performed. The output of the RS flip-flop circuit 13 is NAND
It is output to the circuit 16. Therefore, the NAND circuit 16
Include the output signal of the RS flip-flop circuit 13, the maximum duty cycle signal 8 of the switching element 1 output from the oscillator 6, the output signal from the start / stop circuit 9, and the output signal from the overheat protection circuit 15. Have been entered respectively. Then, the output of the NAND circuit 16 is
It is given to the drive circuit 17 of the switching element 1 as a switching control signal of the switching element 1.

【0037】ドライブ回路17は、NAND回路16か
ら与えられるスイッチング制御信号に基づいて、スイッ
チング素子1をスイッチング制御する。図3は、本実施
の形態におけるスイッチング電源制御用半導体装置を用
いて構成したスイッチング電源装置の一例を示す回路図
である。なお、図11に基づいて説明した部材に対応す
る部材には同一の符号を付して説明を省略する。
The drive circuit 17 controls the switching of the switching element 1 based on the switching control signal provided from the NAND circuit 16. FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a switching power supply device configured using the switching power supply control semiconductor device according to the present embodiment. The members corresponding to the members described with reference to FIG. 11 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0038】続いて、起動/停止回路9の本実施の形態
での構成例を図4、図5、図6に示す。従来の半導体装
置では、起動/停止回路において、制御回路(半導体装
置)の起動状態と停止状態とを設定するための基準電圧
が低く設定され、電源電圧Vccの低い状態でスイッチ
ング素子の発振を開始していた。そのためスイッチング
素子発振時の誤差電圧VEAOが高くなり、結果、負荷
へ急速に電流が供給され、かつ出力電圧Voの立ち上が
りが急峻となった。
Next, examples of the configuration of the start / stop circuit 9 in the present embodiment are shown in FIGS. 4, 5 and 6. In the conventional semiconductor device, in the start / stop circuit, the reference voltage for setting the start state and the stop state of the control circuit (semiconductor device) is set low, and the oscillation of the switching element is started in the state where the power supply voltage Vcc is low. Was. Therefore, the error voltage VEAO at the time of oscillation of the switching element becomes high, and as a result, the current is rapidly supplied to the load and the output voltage Vo rises sharply.

【0039】そこで、当該半導体装置では、起動/停止
回路において、制御回路(半導体装置)を起動状態とす
るための基準電圧(起動開始電圧Vc_on)と停止状態
とするための基準電圧(停止電圧Vc_off)を分けて設
定し、起動開始電圧Vc_onをスイッチング素子1の発
振を停止させるための電圧Vc_cnt1よりも高く設定す
ることにより、電源電圧Vccが高い状態でスイッチン
グ素子の発振が開始されるようにする。このようにすれ
ば、スイッチング素子発振時の誤差電圧VEAOを低く
することができ、ソフトスタートが実現できる。
Therefore, in the semiconductor device, in the start / stop circuit, the reference voltage (start start voltage Vc_on) for setting the control circuit (semiconductor device) in the start state and the reference voltage (stop voltage Vc_off) for setting the stop state. ) Are separately set, and the starting voltage Vc_on is set higher than the voltage Vc_cnt1 for stopping the oscillation of the switching element 1, so that the oscillation of the switching element is started in the state where the power supply voltage Vcc is high. . By doing so, the error voltage VEAO during oscillation of the switching element can be lowered, and soft start can be realized.

【0040】まず、図4に示す起動/停止回路について
説明する。図4に示す起動/停止回路には、制御回路の
起動開始電圧および停止電圧を設定するための起動/停
止比較器(第1の起動/停止比較器)40が設けられて
いる。この起動/停止比較器40のマイナス入力端子に
は起動/停止基準電圧源41からの基準電圧が入力さ
れ、プラス入力端子には電源電圧Vccを検出するため
に電源電圧Vccを抵抗分割した信号が入力される。そ
して、起動/停止基準電圧源41は起動/停止比較器4
0の出力を受けて二つの基準電圧に変化する。つまり、
電源電圧Vccが起動開始電圧Vc_onを上回ると、電
源電圧Vccが停止電圧Vc_offと比較されるように、
また電源電圧Vccが停止電圧Vc_offを下回ると、電
源電圧Vccが起動開始電圧Vc_onと比較されるよう
に基準電圧を切り換える。そして、電源電圧Vccが起
動開始電圧Vc_onを上回ったときに起動信号Von_off
および内部回路電流供給回路14からの電流供給を停止
するための信号Son_offがハイレベルの信号となり、ま
た電源電圧Vccが停止電圧Vc_offを下回ったときに
起動信号Von_offおよび上記信号Son_offがローレベル
の信号となるようにする。
First, the start / stop circuit shown in FIG. 4 will be described. The start / stop circuit shown in FIG. 4 is provided with a start / stop comparator (first start / stop comparator) 40 for setting the start start voltage and the stop voltage of the control circuit. A reference voltage from the start / stop reference voltage source 41 is input to the negative input terminal of the start / stop comparator 40, and a signal obtained by resistance-dividing the power supply voltage Vcc for detecting the power supply voltage Vcc is input to the positive input terminal. Is entered. Then, the start / stop reference voltage source 41 is the start / stop comparator 4
When it receives an output of 0, it changes to two reference voltages. That is,
When the power supply voltage Vcc exceeds the start voltage Vc_on, the power supply voltage Vcc is compared with the stop voltage Vc_off.
Further, when the power supply voltage Vcc falls below the stop voltage Vc_off, the reference voltage is switched so that the power supply voltage Vcc is compared with the activation start voltage Vc_on. Then, when the power supply voltage Vcc exceeds the startup start voltage Vc_on, the startup signal Von_off
And the signal Son_off for stopping the current supply from the internal circuit current supply circuit 14 becomes a high level signal, and when the power supply voltage Vcc is below the stop voltage Vc_off, the start signal Von_off and the signal Son_off are low level signals. So that

【0041】さらに、図4に示す起動/停止回路には、
クランプ用比較器42とクランプ用のスイッチング素子
43を具備するクランプ用回路が設けられている。クラ
ンプ用比較器42のプラス入力端子には基準電圧(内部
基準電圧)Vb1が入力され、マイナス入力端子には電
源電圧Vccを検出するために電源電圧Vccを抵抗分
割した信号が入力される。そして、クランプ用比較器4
2の出力電圧がクランプ用のスイッチング素子43へ入
力されることにより、電源電圧Vccのクランプを行
う。このクランプ用のスイッチング素子43がオンとな
るときの電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpとなる
ように、また、クランプ電圧Vc_clpと起動開始電圧/
停止電圧の関係が、 Vc_clp>Vc_on>Vc_off (1) となるように、電源電圧Vccを検出するための抵抗と
基準電圧Vb1を設定する。
Further, the start / stop circuit shown in FIG.
A clamp circuit including a clamp comparator 42 and a clamp switching element 43 is provided. A reference voltage (internal reference voltage) Vb1 is input to the positive input terminal of the clamp comparator 42, and a signal obtained by resistance-dividing the power supply voltage Vcc for detecting the power supply voltage Vcc is input to the negative input terminal. And the clamp comparator 4
The power supply voltage Vcc is clamped by inputting the output voltage of 2 to the switching element 43 for clamping. The power supply voltage Vcc when the switching element 43 for clamping is turned on becomes the clamp voltage Vc_clp, and the clamp voltage Vc_clp and the activation start voltage /
The resistance for detecting the power supply voltage Vcc and the reference voltage Vb1 are set so that the relationship of the stop voltage is Vc_clp>Vc_on> Vc_off (1).

【0042】さらに、誤差電圧VEAOが軽負荷検出下
限電圧VR1と一致するときの電源電圧Vc_cnt1、お
よび、誤差電圧VEAOが軽負荷検出上限電圧VR2と
一致するときの電源電圧Vc_cnt2との関係が、 Vc_clp>Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2>Vc_off (2) となるように、電源電圧Vccを検出するための抵抗と
基準電圧Vb1を設定する。このように、電源電圧Vc
cがクランプ電圧Vc_clpを上回ったときに電源電圧V
ccをクランプ電圧Vc_clpでクランプさせることによ
り、発振停止状態からの復帰時間を短くすることができ
る。
Further, the relationship between the power supply voltage Vc_cnt1 when the error voltage VEAO matches the light load detection lower limit voltage VR1 and the power supply voltage Vc_cnt2 when the error voltage VEAO matches the light load detection upper limit voltage VR2 is Vc_clp. >Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2> Vc_off (2) The resistance for detecting the power supply voltage Vcc and the reference voltage Vb1 are set. Thus, the power supply voltage Vc
When c exceeds the clamp voltage Vc_clp, the power supply voltage V
By clamping cc with the clamp voltage Vc_clp, the recovery time from the oscillation stopped state can be shortened.

【0043】次に、図5に示す起動/停止回路について
説明する。図5に示す起動/停止回路には、起動開始電
圧検出用の比較器(起動用比較器)50と停止電圧検出
用の比較器(停止用比較器)51が別々に設けられてい
る。この起動開始電圧検出用の比較器50のマイナス入
力端子には基準電圧(内部基準電圧)Vb1が入力さ
れ、プラス入力端子には電源電圧Vccを検出するため
に電源電圧Vccを抵抗分割した信号が入力される。ま
た、停止電圧検出用の比較器51のマイナス入力端子に
は基準電圧(内部基準電圧)Vb1が入力され、プラス
入力端子には電源電圧Vccを検出するために電源電圧
Vccを抵抗分割した信号が入力される。そして、起動
開始電圧検出用の比較器50の出力をRSフリップフロ
ップ回路52のセット端子へ、また停止電圧検出用の比
較器51の出力をRSフリップフロップ回路52のリセ
ット端子へ入力することにより、起動開始電圧Vc_on
および停止電圧Vc_offを設定する。つまり、電源電圧
Vccが起動開始電圧Vc_onとなるときにセット端子
へ信号が出力されて起動信号Von_offおよび内部回路電
流供給回路14からの電流供給を停止するための信号S
on_offがハイレベルの信号となるように、また電源電圧
Vccが停止電圧Vc_offとなるときにリセット端子へ
信号が出力されて起動信号Von_offおよび上記信号Son
_offがローレベルの信号となるように、電源電圧Vcc
を抵抗分割するとともに、基準電圧(内部基準電圧)V
b1を設定する。
Next, the start / stop circuit shown in FIG. 5 will be described. The start / stop circuit shown in FIG. 5 is provided with a comparator for starting start voltage (comparator for start) 50 and a comparator for detecting stop voltage (stop comparator) 51 separately. A reference voltage (internal reference voltage) Vb1 is input to the negative input terminal of the comparator 50 for detecting the start-up voltage, and a signal obtained by resistance-dividing the power supply voltage Vcc for detecting the power supply voltage Vcc is input to the positive input terminal. Is entered. Further, a reference voltage (internal reference voltage) Vb1 is input to the minus input terminal of the comparator 51 for detecting the stop voltage, and a signal obtained by resistance-dividing the power supply voltage Vcc for detecting the power supply voltage Vcc is input to the plus input terminal. Is entered. Then, the output of the comparator 50 for detecting the start voltage is input to the set terminal of the RS flip-flop circuit 52, and the output of the comparator 51 for detecting the stop voltage is input to the reset terminal of the RS flip-flop circuit 52. Start voltage Vc_on
And the stop voltage Vc_off are set. That is, when the power supply voltage Vcc becomes the activation start voltage Vc_on, a signal is output to the set terminal to activate the activation signal Von_off and the signal S for stopping the current supply from the internal circuit current supply circuit 14.
A signal is output to the reset terminal so that on_off becomes a high level signal, and when the power supply voltage Vcc becomes the stop voltage Vc_off, the start signal Von_off and the signal Son
The power supply voltage Vcc is set so that _off becomes a low level signal.
Is divided by resistors and the reference voltage (internal reference voltage) V
Set b1.

【0044】さらに、図4に示す起動/停止回路と同様
に、クランプ用比較器42とクランプ用のスイッチング
素子43を具備するクランプ用回路が設けられており、
クランプ用のスイッチング素子43がオンとなるときの
電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpとなるように、
電源電圧Vccを検出するための抵抗と基準電圧(内部
基準電圧)Vb1を設定する。
Further, similarly to the start / stop circuit shown in FIG. 4, a clamp circuit having a clamp comparator 42 and a clamp switching element 43 is provided.
The power supply voltage Vcc when the switching element 43 for clamping is turned on becomes the clamp voltage Vc_clp,
A resistance for detecting the power supply voltage Vcc and a reference voltage (internal reference voltage) Vb1 are set.

【0045】この図5に示す起動/停止回路において
は、起動開始電圧検出用の比較器50、停止電圧検出用
の比較器51、クランプ用比較器42の基準電圧を全て
同一値Vb1(内部基準電圧)とすることで、起動開始
電圧Vc_onと、停止電圧Vc_offと、クランプ電圧V
c_clpの関係を Vc_clp>Vc_on>Vc_off (3) の状態に、より安定して設定できるという特徴がある。
In the start / stop circuit shown in FIG. 5, the reference voltages of the comparator 50 for detecting the start voltage, the comparator 51 for detecting the stop voltage, and the clamp comparator 42 are all the same value Vb1 (internal reference). Voltage), the start voltage Vc_on, the stop voltage Vc_off, and the clamp voltage Vc
It is characterized in that the relationship of c_clp can be more stably set to the state of Vc_clp>Vc_on> Vc_off (3).

【0046】さらに、図4に示す起動/停止回路と同様
に、Vc_cnt1、Vc_cnt2との関係が、 Vc_clp>Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2>Vc_off (4) となるように、電源電圧Vccを検出するための抵抗と
基準電圧(内部基準電圧)Vb1を設定する。
Further, similar to the start / stop circuit shown in FIG. 4, the power supply voltage Vcc is detected so that the relationship between Vc_cnt1 and Vc_cnt2 is Vc_clp>Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2> Vc_off (4). A resistance and a reference voltage (internal reference voltage) Vb1 are set.

【0047】次に、図6に示す起動/停止回路について
説明する。図6に示す起動/停止回路には、制御回路の
起動開始電圧および停止電圧を設定するための起動/停
止比較器(第2の起動/停止比較器)60が設けられて
いる。この起動/停止比較器60のプラス入力端子には
基準電圧(内部基準電圧)Vb1が入力される。また、
マイナス入力端子には電源電圧Vccを抵抗分割した2
つの電圧信号がスイッチング素子62、63を介して入
力される。このように起動/停止比較器60のマイナス
入力端子に入力する信号を切り換えることで、起動開始
電圧Vc_onと停止電圧Vc_offを設定している。
Next, the start / stop circuit shown in FIG. 6 will be described. The start / stop circuit shown in FIG. 6 is provided with a start / stop comparator (second start / stop comparator) 60 for setting the start start voltage and the stop voltage of the control circuit. A reference voltage (internal reference voltage) Vb1 is input to the positive input terminal of the start / stop comparator 60. Also,
The power source voltage Vcc is divided into two resistors by the negative input terminal.
Two voltage signals are input via the switching elements 62 and 63. By thus switching the signal input to the negative input terminal of the start / stop comparator 60, the start voltage Vc_on and the stop voltage Vc_off are set.

【0048】以下、この起動/停止回路の動作について
説明する。まず制御回路が起動状態となる前は、NAN
D回路61へ入力される信号PUはローベルになってお
り、その結果、制御回路が起動状態となる前は、NAN
D回路61の出力はハイレベルとなっており、スイッチ
ング素子62はオン状態となる。またインバータ回路6
4の出力はローレベルとなるので、起動信号Von_offお
よび内部回路電流供給回路14からの電流供給を停止す
るための信号Son_offもローレベルとなり、スイッチン
グ素子63はオフ状態となり、スイッチング素子62に
接続された抵抗からの電圧信号が起動/停止比較器60
へ入力される。
The operation of the start / stop circuit will be described below. First, before the control circuit is activated, NAN
The signal PU input to the D circuit 61 is at a low level, and as a result, before the control circuit is activated, the signal PU is NAN.
The output of the D circuit 61 is at a high level, and the switching element 62 is turned on. In addition, the inverter circuit 6
Since the output of 4 becomes low level, the start signal Von_off and the signal Son_off for stopping the current supply from the internal circuit current supply circuit 14 also become low level, the switching element 63 is turned off, and the signal is connected to the switching element 62. The voltage signal from the resistor is the start / stop comparator 60.
Is input to.

【0049】そして、この電圧信号が基準電圧Vb1を
上回ると、つまり、電源電圧Vccが起動開始電圧Vc
_onを上回ると、起動/停止比較器60からハイレベル
の信号がNAND回路61に入力されるとともに、信号
PUもハイレベルとなるので、NAND回路61の出力
はローレベルとなり、スイッチング素子62はオフ状態
となる。またインバータ回路64の出力はハイレベルと
なるので、起動信号Von_offおよび上記信号Son_offも
ハイレベルとなり、スイッチング素子63はオン状態と
なり、スイッチング素子63に接続された抵抗からの電
圧信号が起動/停止比較器60へ入力される。
When this voltage signal exceeds the reference voltage Vb1, that is, the power supply voltage Vcc changes to the start-up voltage Vc.
When it exceeds _on, a high level signal is input from the start / stop comparator 60 to the NAND circuit 61 and the signal PU also becomes high level, so the output of the NAND circuit 61 becomes low level and the switching element 62 is turned off. It becomes a state. Further, since the output of the inverter circuit 64 becomes high level, the activation signal Von_off and the signal Son_off also become high level, the switching element 63 is turned on, and the voltage signal from the resistor connected to the switching element 63 is activated / deactivated. Input to the container 60.

【0050】つまり、電源電圧Vccが起動開始電圧V
c_onを上回ると、電源電圧Vccが停止電圧Vc_off
と比較されるように、また電源電圧Vccが停止電圧V
c_offを下回ると、電源電圧Vccが起動開始電圧Vc
_onと比較されるように電源電圧Vccを検出するため
の抵抗と基準電圧(内部基準電圧)Vb1を設定する。
That is, the power supply voltage Vcc is the start voltage V
When it exceeds c_on, the power supply voltage Vcc is the stop voltage Vc_off.
And the power supply voltage Vcc is equal to the stop voltage V
When it falls below c_off, the power supply voltage Vcc is the start-up voltage Vc.
A resistor for detecting the power supply voltage Vcc and a reference voltage (internal reference voltage) Vb1 are set so as to be compared with _on.

【0051】さらに、図4に示す起動/停止回路と同様
に、クランプ用比較器42とクランプ用のスイッチング
素子43を具備するクランプ用回路が設けられており、
クランプ用のスイッチング素子43がオンとなるときの
電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpとなるように、
電源電圧Vccを検出するための抵抗と基準電圧(内部
基準電圧)Vb1を設定する。
Further, similar to the start / stop circuit shown in FIG. 4, a clamp circuit having a clamp comparator 42 and a clamp switching element 43 is provided.
The power supply voltage Vcc when the switching element 43 for clamping is turned on becomes the clamp voltage Vc_clp,
A resistance for detecting the power supply voltage Vcc and a reference voltage (internal reference voltage) Vb1 are set.

【0052】この図6に示す起動/停止回路において
は、起動/停止比較器60、クランプ用比較器42の基
準電圧を全て同一値Vb1(内部基準電圧)とすること
で、起動開始電圧Vc_onと、停止電圧Vc_offと、ク
ランプ電圧Vc_clpの関係を Vc_clp>Vc_on>Vc_off (5) の状態に、より安定して設定できるという特徴がある。
また、起動開始電圧、停止電圧を一つの比較器60で検
出しているので、回路の構成素子を少なくすることがで
きる。
In the start / stop circuit shown in FIG. 6, all the reference voltages of the start / stop comparator 60 and the clamp comparator 42 are set to the same value Vb1 (internal reference voltage), so that the start start voltage Vc_on is obtained. The relationship between the stop voltage Vc_off and the clamp voltage Vc_clp can be more stably set to a state of Vc_clp>Vc_on> Vc_off (5).
Further, since the start voltage and the stop voltage are detected by the single comparator 60, the number of constituent elements of the circuit can be reduced.

【0053】さらに、図4に示す起動/停止回路と同様
に、Vc_cnt1、Vc_cnt2との関係が、 Vc_clp>Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2>Vc_off (6) となるように、電源電圧Vccを検出するための抵抗と
基準電圧Vb1を設定する。
Further, similar to the start / stop circuit shown in FIG. 4, the power supply voltage Vcc is detected so that the relationship between Vc_cnt1 and Vc_cnt2 is Vc_clp>Vc_on>Vc_cnt1>Vc_cnt2> Vc_off (6). The resistance and the reference voltage Vb1 are set.

【0054】このように構成されたスイッチング電源制
御用半導体装置を使用するスイッチング電源装置の動作
を、図7に示すタイムチャートに基づいて説明する。ま
ず、直流電圧VINが、半導体装置29内の内部回路電
流供給回路14を介して第2の一次巻線21bに印加さ
れ、電源電圧Vcc用のコンデンサ23を充電すること
で半導体装置29の電源電圧Vccが上昇する(図7
(c))。
The operation of the switching power supply device using the semiconductor device for switching power supply control configured as described above will be described with reference to the time chart shown in FIG. First, the DC voltage VIN is applied to the second primary winding 21b via the internal circuit current supply circuit 14 in the semiconductor device 29, and the capacitor 23 for the power supply voltage Vcc is charged to supply the power supply voltage of the semiconductor device 29. Vcc rises (Fig. 7
(C)).

【0055】そして、電源電圧Vccが起動開始電圧V
c_onに達すると、起動/停止回路9の出力する起動信
号Von_offはローレベルからハイレベルになり(図7
(e))、NAND回路16に入力され、制御回路は起
動状態となるが、この時点では既に電源電圧Vccが電
圧Vc_cnt1より大きくなっているため(図7
(c))、軽負荷検出用比較器11の出力信号VO1が
ローレベルとなっており(図7(g))、スイッチング
素子1のスイッチング動作は開始しない(図7
(h))。
Then, the power supply voltage Vcc is equal to the starting voltage V
When it reaches c_on, the start signal Von_off output from the start / stop circuit 9 changes from low level to high level (see FIG. 7).
(E)) It is input to the NAND circuit 16 and the control circuit is activated, but at this point the power supply voltage Vcc is already higher than the voltage Vc_cnt1 (FIG. 7).
(C)), the output signal VO1 of the light load detection comparator 11 is at a low level (FIG. 7 (g)), and the switching operation of the switching element 1 does not start (FIG. 7).
(H)).

【0056】電源電圧Vccが起動開始電圧Vc_onに
達すると、起動信号Von_offがローレベルからハイレベ
ルになり、高電圧端子から内部回路電流供給回路14を
介しての制御端子への電流供給が無くなり、電源電圧V
ccが低下する。そして電源電圧Vccが電圧Vc_cnt
2まで低下すると、軽負荷検出用比較器11の出力信号
VO1がローレベルからハイレベルとなり(図7
(g))、この時点で初めてスイッチング素子1のスイ
ッチング動作を開始する(図7(h))。
When the power supply voltage Vcc reaches the activation start voltage Vc_on, the activation signal Von_off changes from the low level to the high level, and the current supply from the high voltage terminal to the control terminal via the internal circuit current supply circuit 14 disappears. Power supply voltage V
cc decreases. The power supply voltage Vcc is the voltage Vc_cnt
When it decreases to 2, the output signal VO1 of the light load detection comparator 11 changes from low level to high level (see FIG.
(G)), the switching operation of the switching element 1 is started at this point for the first time (FIG. 7 (h)).

【0057】このとき電源電圧Vccは負荷26へ供給
される電流Ioが定常状態となるときの電圧値よりも高
い状態にあるので、誤差電圧VEAOが低く、スイッチ
ング素子電流IDが小さい値からスイッチング素子1の
発振が開始される(図7(h))。その後、電源電圧V
ccの低下にともない、スイッチング素子電流IDが上
昇し、負荷の状態に応じた一定の値に落ち着く。この動
作よって、スイッチング素子の始動時のスイッチング素
子電流IDが大きくなることを防ぎ、またスイッチング
素子電流IDが小さい値から徐々に大きな値へ変化する
ので、ソフトスタートを実現することができる(図7
(h))。
At this time, the power supply voltage Vcc is higher than the voltage value when the current Io supplied to the load 26 is in a steady state, so that the error voltage VEAO is low and the switching element current ID is small. Oscillation of No. 1 is started (FIG. 7 (h)). After that, the power supply voltage V
As the cc decreases, the switching element current ID increases and settles to a constant value according to the load state. By this operation, the switching element current ID at the time of starting the switching element is prevented from increasing, and the switching element current ID gradually changes from a small value to a large value, so that a soft start can be realized (FIG. 7).
(H)).

【0058】続いて、負荷26への供給電流Ioが小さ
くなる待機時などの軽負荷時における動作を、図7のタ
イムチャートに基づいて説明する。まず、定常負荷状態
から軽負荷状態への移行動作を説明する。軽負荷検出用
比較器11は、誤差増幅器2からの誤差電圧VEAOと
軽負荷基準電圧源10からの基準電圧VRとを比較す
る。軽負荷基準電圧源10からの基準電圧VRは、定常
負荷状態では、軽負荷検出下限電圧VR1となっている
(図7(f))。スイッチング電源装置の出力に接続さ
れた負荷26への供給電流Ioが低下すると(図7
(b))、出力電圧VOが上昇し(図7(a))、これ
に比例して電源電圧Vccが上昇して(図7(c))、
誤差増幅器2の出力電圧VEAOが低下する(図7
(d))。
Next, the operation during a light load such as a standby time when the current Io supplied to the load 26 becomes small will be described with reference to the time chart of FIG. First, the transition operation from the steady load state to the light load state will be described. The light load detection comparator 11 compares the error voltage VEAO from the error amplifier 2 with the reference voltage VR from the light load reference voltage source 10. The reference voltage VR from the light load reference voltage source 10 is the light load detection lower limit voltage VR1 in the steady load state (FIG. 7 (f)). When the supply current Io to the load 26 connected to the output of the switching power supply device decreases (see FIG. 7).
(B)), the output voltage VO rises (FIG. 7 (a)), the power supply voltage Vcc rises in proportion to this (FIG. 7 (c)),
The output voltage VEAO of the error amplifier 2 decreases (see FIG. 7).
(D)).

【0059】そして、誤差電圧VEAOが軽負荷検出下
限電圧VR1を下回ると、即ち、電源電圧Vccが電圧
Vc_cnt1まで上昇すると、軽負荷検出用比較器11の
出力信号VO1はローレベルになる(図7(g))。こ
れにより、AND回路12の出力はローレベルになり、
スイッチング素子1のスイッチング動作が停止する。こ
れと同時に、軽負荷検出用比較器11の出力信号VO1
を受けて、軽負荷基準電圧源10からの基準電圧VR
は、軽負荷検出下限電圧VR1から軽負荷検出上限電圧
VR2へ切り換える(図7(f))。
When the error voltage VEAO falls below the light load detection lower limit voltage VR1, that is, when the power supply voltage Vcc rises to the voltage Vc_cnt1, the output signal VO1 of the light load detection comparator 11 becomes low level (FIG. 7). (G)). As a result, the output of the AND circuit 12 becomes low level,
The switching operation of the switching element 1 stops. At the same time, the output signal VO1 of the light load detection comparator 11
In response to the reference voltage VR from the light load reference voltage source 10.
Switches from the light load detection lower limit voltage VR1 to the light load detection upper limit voltage VR2 (FIG. 7 (f)).

【0060】スイッチング素子1によるスイッチング動
作が停止して、スイッチング素子1がオフ状態になる
と、スイッチング素子1には電流が流れない状態になる
(図7(h))。そのため、負荷26への電力供給がな
くなるため、負荷26への出力電圧VOは徐々に低下す
る。これにより、誤差電圧VEAOが徐々に上昇する
が、軽負荷基準電圧源10からの基準電圧が軽負荷検出
下限電圧VR1よりも高い軽負荷検出上限電圧VR2に
なっているため、図7に示すように、スイッチング素子
1によるスイッチング動作が直ちに再開されることはな
い。そして、さらに負荷26への出力電圧VOが低下し
て、誤差電圧VEAOが軽負荷検出上限電圧VR2を上
回ると、即ち、電源電圧Vccが電圧Vc_cnt2まで低
下すると、軽負荷検出用比較器11の出力信号VO1は
ハイレベルとなり、スイッチング素子1のスイッチング
動作が再開される。これと同時に、軽負荷検出用比較器
11の出力信号VO1を受けて、軽負荷基準電圧源10
からの基準電圧VRは、軽負荷検出下限電圧VR2から
軽負荷検出上限電圧VR1へ切り換える(図7
(f))。
When the switching operation by the switching element 1 is stopped and the switching element 1 is turned off, no current flows in the switching element 1 (FIG. 7 (h)). Therefore, the power supply to the load 26 is lost, and the output voltage VO to the load 26 gradually decreases. As a result, the error voltage VEAO gradually rises, but the reference voltage from the light load reference voltage source 10 becomes the light load detection upper limit voltage VR2 which is higher than the light load detection lower limit voltage VR1, and as shown in FIG. Moreover, the switching operation by the switching element 1 is not immediately restarted. When the output voltage VO to the load 26 further decreases and the error voltage VEAO exceeds the light load detection upper limit voltage VR2, that is, when the power supply voltage Vcc drops to the voltage Vc_cnt2, the output of the light load detection comparator 11 is output. The signal VO1 becomes high level, and the switching operation of the switching element 1 is restarted. At the same time, the light load reference voltage source 10 receives the output signal VO1 of the light load detection comparator 11.
Reference voltage VR is switched from the light load detection lower limit voltage VR2 to the light load detection upper limit voltage VR1 (FIG. 7).
(F)).

【0061】スイッチング素子1によるスイッチング動
作が再開されると、負荷への電流が供給されて出力電圧
VOが上昇し、誤差増幅器2の出力電圧VEAOが低下
する。そして、再び、誤差電圧VEAOが軽負荷検出下
限電圧VR1を下回ると、即ち、電源電圧Vccが電圧
Vc_cnt1まで上昇すると、軽負荷検出用比較器11の
出力信号VO1はローレベルになる(図7(g))。こ
れにより、AND回路12の出力はローレベルになり、
スイッチング素子1のスイッチング動作が停止する。
When the switching operation by the switching element 1 is restarted, a current is supplied to the load, the output voltage VO rises, and the output voltage VEAO of the error amplifier 2 falls. Then, when the error voltage VEAO falls below the light load detection lower limit voltage VR1 again, that is, when the power supply voltage Vcc rises to the voltage Vc_cnt1, the output signal VO1 of the light load detection comparator 11 becomes low level (see FIG. g)). As a result, the output of the AND circuit 12 becomes low level,
The switching operation of the switching element 1 stops.

【0062】このように、軽負荷基準電圧源10からの
基準電圧VRが、軽負荷検出用比較器11の出力信号V
O1に応じて軽負荷検出下限電圧VR1と軽負荷検出上
限電圧VR2とを切り換えるため、軽負荷時におけるス
イッチング素子1のスイッチング動作は、停止と再開と
が繰り返される間欠発振状態となる。負荷26への出力
電圧VOは、間欠発振の停止期間中に低下するが、この
低下の度合いは負荷26への供給電流に依存する。つま
り、負荷26へ供給する電流が小さくなるほど負荷26
への出力電圧VOの低下が緩やかになり、間欠発振の停
止期間は長くなる。つまり、軽負荷になるほど、スイッ
チング素子1のスイッチング動作が減少することにな
る。
Thus, the reference voltage VR from the light load reference voltage source 10 is the output signal V of the light load detection comparator 11.
Since the light load detection lower limit voltage VR1 and the light load detection upper limit voltage VR2 are switched according to O1, the switching operation of the switching element 1 at the time of a light load is in an intermittent oscillation state in which stop and restart are repeated. The output voltage VO to the load 26 decreases during the period during which the intermittent oscillation is stopped, and the degree of this decrease depends on the supply current to the load 26. That is, the smaller the current supplied to the load 26, the smaller the load 26.
The output voltage VO to the output decreases gradually, and the intermittent oscillation stop period becomes longer. That is, the lighter the load, the less the switching operation of the switching element 1.

【0063】また、負荷26への供給電流Ioが零とな
る無負荷時においても、軽負荷時と同様にスイッチング
素子1のスイッチング動作を停止と再開とが繰り返され
る間欠発振状態とすることができる。
Even when there is no load when the current Io supplied to the load 26 is zero, the switching operation of the switching element 1 can be brought into an intermittent oscillation state in which stop and restart are repeated as in the case of a light load. .

【0064】なお、上記スイッチング電源制御用半導体
装置においては、電源電圧Vccのクランプ電圧がクラ
ンプ用比較器42により、Vc_clpに設定されており、
電源電圧Vccが電圧Vc_clpを超えるとクランプ用の
スイッチング素子43がオンし、電源電圧Vccが電圧
Vc_clpを下回ると、クランプ用のスイッチング素子4
3がオフする動作となっている。
In the switching power supply control semiconductor device, the clamp voltage of the power supply voltage Vcc is set to Vc_clp by the clamp comparator 42.
When the power supply voltage Vcc exceeds the voltage Vc_clp, the switching element 43 for clamping is turned on, and when the power supply voltage Vcc falls below the voltage Vc_clp, the switching element 4 for clamping.
3 is turned off.

【0065】ここで、クランプ電圧がヒステリシスを持
った値に設定された方が、より良い。具体的には一度ク
ランプ電圧Vc_clpに達した後に、このクランプされた
状態から復帰するためのクランプ解除電圧Vc_clpRを
クランプ電圧Vc_clpよりも低い値に設定する。また、
起動開始電圧Vc_onと停止電圧Vc_offとの関係は Vc_clp>Vc_on>Vc_clpR>Vc_off (7) に設定する。このようにクランプ解除電圧Vc_clpRを
設定すれば、電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpに
達した後、電源電圧Vccがクランプ解除電圧Vc_clp
Rに達するまでクランプ用のスイッチング素子43がオ
ンするので、電源電圧Vccの電圧降下を速めることが
できる。即ち、スイッチング電源装置の二次側の異常状
態や、急峻な出力電圧変動により電源電圧Vccが瞬間
的に上昇し、電源電圧Vccが電圧Vc_cnt1以上とな
り、スイッチング素子1の発振が停止し、さらに、クラ
ンプ電圧Vc_clpに達した場合でも、この発振停止状態
からの復帰時間を短くできるという特徴がある。
Here, it is better to set the clamp voltage to a value having hysteresis. Specifically, after reaching the clamp voltage Vc_clp once, the clamp release voltage Vc_clpR for recovering from the clamped state is set to a value lower than the clamp voltage Vc_clp. Also,
The relationship between the start voltage Vc_on and the stop voltage Vc_off is set to Vc_clp>Vc_on>Vc_clpR> Vc_off (7). If the clamp release voltage Vc_clpR is set in this way, after the power supply voltage Vcc reaches the clamp voltage Vc_clp, the power supply voltage Vcc is released from the clamp release voltage Vc_clp.
Since the switching element 43 for clamping is turned on until reaching R, the voltage drop of the power supply voltage Vcc can be accelerated. That is, the power supply voltage Vcc instantaneously rises due to an abnormal state on the secondary side of the switching power supply device or a sudden output voltage fluctuation, the power supply voltage Vcc becomes equal to or higher than the voltage Vc_cnt1, the oscillation of the switching element 1 stops, and further, Even when the clamp voltage Vc_clp is reached, the recovery time from the oscillation stopped state can be shortened.

【0066】以上のように、クランプ電圧にヒステリシ
スを設けるための回路を起動/開始回路に付加した例を
図8、図9に示す。図8に示す起動/停止回路は、図4
に示す起動/停止回路において、クランプ電圧にヒステ
リシスを設けるためにクランプ用の基準電圧源80が付
加されている。基準電圧源80は、クランプ用比較器4
2のプラス入力端子に接続されており、クランプ用比較
器42の出力を受けて、異なる基準電圧を出力する。つ
まり、電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpを超える
とクランプ用のスイッチング素子43がオンし、電源電
圧Vccをクランプすると同時に、基準電圧源80から
出力される基準電圧を変化させて、電源電圧Vccがク
ランプ解除電圧Vc_clpRと比較されるようにすること
により、クランプ電圧にヒステリシスを設けている。
An example in which a circuit for providing hysteresis in the clamp voltage is added to the start / start circuit as described above is shown in FIGS. The start / stop circuit shown in FIG.
In the start / stop circuit shown in (1), a reference voltage source 80 for clamping is added in order to provide hysteresis in the clamp voltage. The reference voltage source 80 is the clamp comparator 4
It is connected to the positive input terminal of 2 and receives the output of the clamp comparator 42 and outputs different reference voltages. That is, when the power supply voltage Vcc exceeds the clamp voltage Vc_clp, the switching element 43 for clamping is turned on to clamp the power supply voltage Vcc, and at the same time, the reference voltage output from the reference voltage source 80 is changed to clamp the power supply voltage Vcc. Hysteresis is provided in the clamp voltage by making it compared with the release voltage Vc_clpR.

【0067】図9に示す起動/停止回路は、図6に示す
起動/停止回路において、クランプ電圧にヒステリシス
を設けるため、NAND回路90、スイッチング素子9
1、92、インバータ回路93が付加されており、クラ
ンプ用のスイッチング素子43がオンするときの電源電
圧Vccがクランプ電圧Vc_clpとなるように、またク
ランプ用のスイッチング素子43がオンからオフへ変動
するときの電源電圧Vccがクランプ解除電圧Vc_clp
Rとなるように、電源電圧Vccを抵抗分割している。
The start / stop circuit shown in FIG. 9 is different from the start / stop circuit shown in FIG.
1, 92 and an inverter circuit 93 are added so that the power supply voltage Vcc when the switching element 43 for clamping turns on becomes the clamp voltage Vc_clp, and the switching element 43 for clamping changes from on to off. Power supply voltage Vcc at this time is the clamp release voltage Vc_clp
The power supply voltage Vcc is resistance-divided so that it becomes R.

【0068】以下、この起動/停止回路の動作について
説明する。まず、電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_c
lpを上回る前は、NAND回路90へ入力される信号P
Uはローレベルになっており、その結果、NAND回路
90の出力はハイレベルとなり、スイッチング素子91
はオン状態となる。またインバータ回路93の出力はロ
ーレベルとなるので、スイッチング素子92もオフ状態
となり、スイッチング素子91に接続された抵抗からの
電圧信号がクランプ用比較器42へ入力される。
The operation of the start / stop circuit will be described below. First, the power supply voltage Vcc is the clamp voltage Vc_c.
Before it exceeds lp, the signal P input to the NAND circuit 90
U is at a low level, and as a result, the output of the NAND circuit 90 is at a high level, and the switching element 91
Is turned on. Further, since the output of the inverter circuit 93 becomes low level, the switching element 92 is also turned off, and the voltage signal from the resistor connected to the switching element 91 is input to the clamp comparator 42.

【0069】そして、電源電圧Vccが上昇し、この電
圧信号が基準電圧(内部基準電圧)Vb1を上回ると、
即ち、電源電圧Vccがクランプ電圧Vc_clpを上回る
と、クランプ用のスイッチング素子43がオンし、電源
電圧Vccをクランプすると同時に、信号PUもハイレ
ベルとなり、クランプ用比較器42からハイレベルの信
号がNAND回路90に入力されるので、NAND回路
90の出力はローレベルとなり、スイッチング素子91
はオフ状態となる。またインバータ回路93の出力はハ
イレベルとなるので、スイッチング素子92はオン状態
となり、スイッチング素子92に接続された抵抗からの
電圧信号がクランプ用比較器42へ入力され、電源電圧
Vccをクランプ解除電圧Vc_clpRと比較する。
When the power supply voltage Vcc rises and this voltage signal exceeds the reference voltage (internal reference voltage) Vb1,
That is, when the power supply voltage Vcc exceeds the clamp voltage Vc_clp, the clamping switching element 43 is turned on to clamp the power supply voltage Vcc, and at the same time, the signal PU also becomes high level, and the high-level signal from the clamp comparator 42 is NAND. Since it is input to the circuit 90, the output of the NAND circuit 90 becomes low level and the switching element 91
Is turned off. Further, since the output of the inverter circuit 93 becomes high level, the switching element 92 is turned on, the voltage signal from the resistor connected to the switching element 92 is input to the clamp comparator 42, and the power supply voltage Vcc is released from the clamp release voltage. Compare with Vc_clpR.

【0070】そして、電源電圧Vccが下降し、この電
圧信号が基準電圧b1を下回ると、即ち、電源電圧Vc
cがクランプ解除電圧Vc_clpRを下回ると、クランプ
用のスイッチング素子43がオフする。
Then, when the power supply voltage Vcc drops and this voltage signal falls below the reference voltage b1, that is, the power supply voltage Vc.
When c falls below the clamp release voltage Vc_clpR, the switching element 43 for clamping is turned off.

【0071】この起動/停止回路では、このようにクラ
ンプ電圧Vc_clpとクランプ解除電圧Vc_clpRを設定
し、クランプ電圧にヒステリシスを設けている。また、
この起動/停止回路においては、クランプ電圧Vc_clp
とクランプ解除電圧Vc_clpRと起動開始電圧Vc_on、
停止電圧Vc_offの関係をより安定させるために、起動
/停止比較器60とクランプ用比較器42の基準電圧を
同一のVb1(内部基準電圧)としている。
In this start / stop circuit, the clamp voltage Vc_clp and the clamp release voltage Vc_clpR are set in this way, and the clamp voltage has hysteresis. Also,
In this start / stop circuit, the clamp voltage Vc_clp
And clamp release voltage Vc_clpR and start voltage Vc_on,
In order to stabilize the relationship of the stop voltage Vc_off, the reference voltages of the start / stop comparator 60 and the clamp comparator 42 are set to the same Vb1 (internal reference voltage).

【0072】[0072]

【発明の効果】以上のように、本発明のスイッチング電
源制御用半導体装置は、始動時において、誤差電圧の低
い状態でスイッチング素子のスイッチング動作が開始さ
れるようにし、ソフトスタートを実現して負荷への電流
供給と出力電圧の立ち上がりを緩やかなものにすること
ができ、さらに、軽負荷時や無負荷時において、スイッ
チング素子のスイッチング動作を停止と再開の繰り返す
間欠発振とし、スイッチング動作期間を減少させてスイ
ッチング素子における電流損失を低減させることができ
る。
As described above, according to the semiconductor device for controlling a switching power supply of the present invention, at the time of starting, the switching operation of the switching element is started in a state where the error voltage is low, and the soft start is realized. The current supply to the IC and the rise of the output voltage can be made gradual.In addition, the switching operation of the switching element is intermittently oscillated by repeatedly stopping and restarting at light load or no load to reduce the switching operation period. Thus, the current loss in the switching element can be reduced.

【0073】また、クランプ用回路を設けることで、ス
イッチング電源装置の二次側の異常状態や、急峻な出力
電圧変動により電源電圧が過渡的に上昇してスイッチン
グ素子の発振が停止した場合でも、この異常な発振停止
状態からの復帰時間を最小限とすることができる。
Further, by providing the clamp circuit, even if the power supply voltage transiently rises due to an abnormal state of the secondary side of the switching power supply device or a sudden output voltage fluctuation, the oscillation of the switching element is stopped, The recovery time from this abnormal oscillation stop state can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態におけるスイッチング電源
制御用半導体装置の一例を示す回路図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a semiconductor device for controlling a switching power supply according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態における軽負荷検出回路の
動作を説明するためのタイムチャート図
FIG. 2 is a time chart diagram for explaining the operation of the light load detection circuit according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態におけるスイッチング電源
制御用半導体装置を用いて構成したスイッチング電源装
置の一例を示す回路図
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a switching power supply device configured using the switching power supply control semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態における起動/停止回路の
一例を示す回路図
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a start / stop circuit according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態における起動/停止回路の
一例を示す回路図
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a start / stop circuit according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態における起動/停止回路の
一例を示す回路図
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a start / stop circuit according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態におけるスイッチング電源
制御用半導体装置を用いて構成したスイッチング電源装
置の動作を説明するためのタイムチャート図
FIG. 7 is a time chart diagram for explaining the operation of the switching power supply device configured using the semiconductor device for controlling the switching power supply according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施の形態における起動/停止回路の
一例を示す回路図
FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a start / stop circuit according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施の形態における起動/停止回路の
一例を示す回路図
FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of a start / stop circuit according to an embodiment of the present invention.

【図10】従来のスイッチング電源制御用半導体装置の
一例を示す回路図
FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor device for controlling a switching power supply.

【図11】従来のスイッチング電源制御用半導体装置を
用いて構成したスイッチング電源装置の一例を示す回路
FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of a switching power supply device configured by using a conventional semiconductor device for controlling a switching power supply.

【図12】従来のスイッチング電源制御用半導体装置を
用いて構成したスイッチング電源装置の動作を説明する
ためのタイムチャート図
FIG. 12 is a time chart diagram for explaining the operation of a switching power supply device configured using a conventional semiconductor device for controlling a switching power supply.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スイッチング素子 2 誤差増幅器 3 ドレイン電流検出回路 4 ドレイン電流検出用比較器 5 過電流保護回路 6 発振器 7 クロック信号 8 最大デューティーサイクル信号 9、27 起動/停止回路 10 軽負荷基準電圧源 11 軽負荷検出用比較器 12 AND回路 13 RSフリップフロップ回路 14 内部回路電流供給回路 15 過熱保護回路 16 NAND回路 17 ドライブ回路 18 軽負荷検出回路 19、22、24 整流器 20、23、25 コンデンサ 21 トランス 21a 第1の一次巻線 21b 第2の一次巻線 21c 二次巻線 26 負荷 28、29 スイッチング電源制御用半導体装置 40 起動/停止比較器(第1の起動/停止比較器) 41 起動/停止基準電圧源 42 クランプ用比較器 43 クランプ用のスイッチング素子 50 起動開始電圧検出用の比較器(起動用比較器) 51 停止電圧検出用の比較器(停止用比較器) 52 RSフリップフロップ回路 60 起動/停止比較器(第2の起動/停止比較器) 61、90 NAND回路 62、63、91、92 スイッチング素子 64、93 インバータ回路 80 クランプ用の基準電圧源 1 switching element 2 Error amplifier 3 Drain current detection circuit 4 Drain current detection comparator 5 Overcurrent protection circuit 6 oscillators 7 clock signals 8 Maximum duty cycle signal 9, 27 Start / stop circuit 10 Light load reference voltage source 11 Light load detection comparator 12 AND circuit 13 RS flip-flop circuit 14 Internal circuit Current supply circuit 15 Overheat protection circuit 16 NAND circuit 17 Drive circuit 18 Light load detection circuit 19, 22, 24 Rectifier 20, 23, 25 capacitors 21 transformer 21a First primary winding 21b Second primary winding 21c Secondary winding 26 load 28, 29 Semiconductor device for controlling switching power supply 40 Start / Stop Comparator (First Start / Stop Comparator) 41 Start / stop reference voltage source 42 Clamp comparator 43 Switching element for clamp 50 Comparator for detecting start-up voltage (start-up comparator) 51 Comparator for detecting stop voltage (comparator for stop) 52 RS flip-flop circuit 60 Start / Stop Comparator (Second Start / Stop Comparator) 61, 90 NAND circuit 62, 63, 91, 92 switching elements 64, 93 Inverter circuit Reference voltage source for 80 clamps

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5H730 AA14 AS01 BB43 BB57 CC01 DD04 EE02 EE07 EE56 FD25 FD41 FF01 FF05 FG01 FG21 VV03 VV06 XC04 XC14    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 5H730 AA14 AS01 BB43 BB57 CC01                       DD04 EE02 EE07 EE56 FD25                       FD41 FF01 FF05 FG01 FG21                       VV03 VV06 XC04 XC14

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】スイッチング電源用のスイッチング素子
と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御す
る制御回路とを備え、前記制御回路の電源電圧と予め設
定された基準電圧との誤差電圧と、前記スイッチング素
子を流れる電流に応じた電圧とを比較し、この比較結果
に基づいて前記スイッチング素子のスイッチング動作を
制御するスイッチング電源制御用半導体装置において、
前記制御回路が、 前記制御回路の電源電圧が上昇して前記誤差電圧が軽負
荷検出下限電圧を下回ると前記スイッチング素子のスイ
ッチング動作を停止させ、前記制御回路の電源電圧が低
下して前記誤差電圧が軽負荷検出上限電圧を上回ると前
記スイッチング素子のスイッチング動作を開始させる軽
負荷検出回路と、 前記制御回路が起動するための起動開始電圧が、前記誤
差電圧が前記軽負荷検出下限電圧と一致したときの前記
制御回路の電源電圧よりも高い電圧に設定されており、
前記制御回路の電源電圧に応じて前記制御回路の起動/
停止状態を切り換える起動/停止回路とを具備し、始動
時においては、前記制御回路の電源電圧が前記起動開始
電圧に達すると前記起動/停止回路により前記制御回路
を起動状態とし、その後前記制御回路の電源電圧が低下
して前記誤差電圧が軽負荷検出上限電圧を上回ると前記
軽負荷検出回路により前記スイッチング素子のスイッチ
ング動作を開始させ、軽負荷時や無負荷時においては、
前記軽負荷検出回路によりスイッチング素子のスイッチ
ング動作の停止と再開を繰り返すことを特徴とするスイ
ッチング電源制御用半導体装置。
1. A switching element for a switching power supply, and a control circuit for controlling the switching operation of the switching element, wherein an error voltage between a power supply voltage of the control circuit and a preset reference voltage, and the switching element. In the semiconductor device for switching power supply control, which compares the voltage according to the current flowing through the device, and controls the switching operation of the switching element based on the comparison result,
The control circuit stops the switching operation of the switching element when the power supply voltage of the control circuit rises and the error voltage falls below the light load detection lower limit voltage, and the power supply voltage of the control circuit decreases to cause the error voltage. Is above the light load detection upper limit voltage, the light load detection circuit that starts the switching operation of the switching element, and the start voltage for starting the control circuit, the error voltage is equal to the light load detection lower limit voltage Is set to a voltage higher than the power supply voltage of the control circuit when
Start-up of the control circuit according to the power supply voltage of the control circuit
A start / stop circuit for switching the stop state, and at the time of start, when the power supply voltage of the control circuit reaches the start start voltage, the start / stop circuit sets the control circuit in the start state, and then the control circuit When the power supply voltage decreases and the error voltage exceeds the light load detection upper limit voltage, the light load detection circuit starts the switching operation of the switching element, and at the time of light load or no load,
A semiconductor device for controlling a switching power supply, wherein stop and restart of switching operation of a switching element are repeated by the light load detection circuit.
【請求項2】前記軽負荷検出回路は、 前記軽負荷検出下限電圧と前記軽負荷検出上限電圧とを
切り換えて出力する軽負荷基準電圧源と、 前記誤差電圧と前記軽負荷基準電圧源の出力電圧とを比
較し、前記誤差電圧が前記軽負荷検出下限電圧を下回る
と前記スイッチング素子のスイッチング動作を停止させ
るための信号を出力し、前記誤差電圧が前記軽負荷検出
上限電圧を上回ると前記スイッチング素子のスイッチン
グ動作を開始させるための信号を出力する軽負荷検出用
比較器とを具備することを特徴とする請求項1記載のス
イッチング電源制御用半導体装置。
2. A light load reference voltage source for switching and outputting the light load detection lower limit voltage and the light load detection upper limit voltage, the light load detection circuit, and the output of the error voltage and the light load reference voltage source. A voltage, and outputs a signal for stopping the switching operation of the switching element when the error voltage is below the light load detection lower limit voltage, and the switching when the error voltage is above the light load detection upper limit voltage. The semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 1, further comprising a light load detection comparator that outputs a signal for starting a switching operation of the element.
【請求項3】前記起動/停止回路が、 前記起動開始電圧と前記制御回路を停止させるための停
止電圧とを切り換えて出力する起動/停止基準電圧源
と、 前記制御回路の電源電圧と前記起動/停止基準電圧源の
出力電圧とを比較し、前記制御回路の電源電圧が前記起
動開始電圧を上回ると前記制御回路を起動状態とするた
めの信号を出力し、前記制御回路の電源電圧が前記停止
電圧を下回ると前記制御回路を停止状態とするための信
号を出力する第1の起動/停止比較器とを具備すること
を特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のスイ
ッチング電源制御用半導体装置。
3. A start / stop reference voltage source for the start / stop circuit to switch and output the start start voltage and a stop voltage for stopping the control circuit, a power supply voltage of the control circuit, and the start. / Comparing with the output voltage of the stop reference voltage source, when the power supply voltage of the control circuit exceeds the start start voltage, a signal for putting the control circuit into a start state is output, and the power supply voltage of the control circuit is 3. The switching power supply control according to claim 1, further comprising a first start / stop comparator which outputs a signal for bringing the control circuit into a stopped state when the voltage falls below a stop voltage. Semiconductor device.
【請求項4】前記起動/停止回路が、 抵抗分割された一方の前記制御回路の電源電圧と内部基
準電圧とを比較し、前記制御回路の電源電圧が前記起動
開始電圧を上回ると前記制御回路を起動状態とするため
の信号を出力する起動用比較器と、 抵抗分割された他方の前記制御回路の電源電圧と前記内
部基準電圧とを比較し、前記制御回路の電源電圧が前記
停止電圧を下回ると前記制御回路を停止状態とするため
の信号を出力する停止用比較器とを具備することを特徴
とする請求項1または2のいずれかに記載のスイッチン
グ電源制御用半導体装置。
4. The start / stop circuit compares a power supply voltage of one of the resistance-divided control circuits with an internal reference voltage, and when the power supply voltage of the control circuit exceeds the start start voltage, the control circuit The comparator for start-up that outputs a signal for setting the start-up state and the power-supply voltage of the other resistance-divided control circuit and the internal reference voltage are compared, and the power-supply voltage of the control circuit determines the stop voltage. 3. The switching power supply control semiconductor device according to claim 1, further comprising a stop comparator which outputs a signal for stopping the control circuit when the voltage falls below the limit.
【請求項5】前記起動/停止回路が、抵抗分割された一
方の前記制御回路の電源電圧と内部基準電圧とを比較す
る場合、前記制御回路の電源電圧が前記起動開始電圧を
上回ると前記制御回路を起動状態とするための信号を出
力し、抵抗分割された他方の前記制御回路の電源電圧と
前記内部基準電圧とを比較する場合、前記制御回路の電
源電圧が前記停止電圧を下回ると前記制御回路を停止状
態とするための信号を出力する第2の起動/停止比較器
を具備することを特徴とする請求項1または2のいずれ
かに記載のスイッチング電源制御用半導体装置。
5. When the start / stop circuit compares the power supply voltage of one of the resistance-divided control circuits with an internal reference voltage, the control is performed when the power supply voltage of the control circuit exceeds the start start voltage. When the power supply voltage of the control circuit is output below the stop voltage when outputting the signal for activating the circuit and comparing the power supply voltage of the other resistance-divided control circuit with the internal reference voltage. 3. The semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 1, further comprising a second start / stop comparator that outputs a signal for turning off the control circuit.
【請求項6】請求項3から5のいずれかに記載の半導体
装置であって、前記起動/停止回路が前記制御回路の電
源電圧をクランプ電圧にクランプするためのクランプ用
回路を具備することを特徴とするスイッチング電源制御
用半導体装置。
6. The semiconductor device according to claim 3, wherein the start / stop circuit includes a clamp circuit for clamping a power supply voltage of the control circuit to a clamp voltage. A characteristic semiconductor device for switching power supply control.
【請求項7】前記クランプ電圧がヒステリシスを持つこ
とを特徴とする請求項6記載のスイッチング電源制御用
半導体装置。
7. The semiconductor device for controlling a switching power supply according to claim 6, wherein the clamp voltage has hysteresis.
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