JP2003300326A - Electrostatic actuator and process for making ink jet head utilizing it - Google Patents

Electrostatic actuator and process for making ink jet head utilizing it

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JP2003300326A
JP2003300326A JP2002105693A JP2002105693A JP2003300326A JP 2003300326 A JP2003300326 A JP 2003300326A JP 2002105693 A JP2002105693 A JP 2002105693A JP 2002105693 A JP2002105693 A JP 2002105693A JP 2003300326 A JP2003300326 A JP 2003300326A
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film
diaphragm
teos
electrostatic actuator
nozzle
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Koji Kitahara
浩司 北原
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To control the direction and the amount of deflection of a diaphragm even if the diaphragm is 1 μm thick or less. <P>SOLUTION: TEOS films are formed on the opposite sides of a diaphragm 9 by plasma CVD. TEOS films of different thickness are formed independently on the opposite sides or TEOS films are formed independently on the opposite sides under different film deposition conditions. Since the TEOS films formed on the opposite sides have different film stress, deflection of the diaphragm 9 can be controlled easily by the difference of film stress. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットヘ
ッド等の駆動機構として用いられている静電アクチュエ
ータおよび、静電アクチュエータを利用したインクジェ
ットヘッドの製造方法に関するものである。更に詳しく
は、本発明は、静電気力により相対変位する部材の表面
に絶縁膜が形成された静電アクチュエータにおける当該
絶縁膜の形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic actuator used as a drive mechanism for an inkjet head and the like, and a method for manufacturing an inkjet head using the electrostatic actuator. More specifically, the present invention relates to a method of forming an insulating film in an electrostatic actuator in which an insulating film is formed on the surface of a member that is relatively displaced by electrostatic force.

【0002】[0002]

【従来の技術】静電アクチュエータをインク液滴吐出用
の駆動機構として採用している静電駆動式のインクジェ
ットヘッドは、例えば、本願人により、特開平5―50
601号公報において提案されている。
2. Description of the Related Art An electrostatic drive type ink jet head which employs an electrostatic actuator as a drive mechanism for ejecting ink droplets is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-50.
It is proposed in Japanese Patent No. 601.

【0003】この形式のインクジェットヘッドは、イン
クノズルに連通しているインク流路の底面が面外方向に
弾性変形可能な振動板として形成されている。また、こ
の振動板には、一定の間隔でガラス基板が対向配置さ
れ、これら振動板およびガラス基板にそれぞれ対向電極
が配置された構成となっている。更に、この振動板の表
面には絶縁膜が施されている。この絶縁膜は、振動板が
静電吸引された時の絶縁破壊やショートを防止するため
の膜である。対向電極間に電圧を印加すると、それらの
間に発生する静電気力によって、振動板は基板の側に静
電吸引されて振動する。この振動板の振動によって発生
するインク流路(インク圧力室)の内圧変動によって、
インクノズルからインク液滴が吐出される。
In this type of ink jet head, the bottom surface of the ink flow path communicating with the ink nozzle is formed as a vibrating plate which is elastically deformable in the out-of-plane direction. Further, the vibrating plate has a structure in which glass substrates are arranged to face each other at regular intervals, and counter electrodes are respectively arranged on the vibrating plate and the glass substrate. Furthermore, an insulating film is applied to the surface of this diaphragm. This insulating film is a film for preventing dielectric breakdown and short circuit when the diaphragm is electrostatically attracted. When a voltage is applied between the opposing electrodes, the diaphragm is electrostatically attracted to the substrate side and vibrates due to the electrostatic force generated between them. Due to fluctuations in the internal pressure of the ink flow path (ink pressure chamber) caused by the vibration of this diaphragm,
Ink droplets are ejected from the ink nozzle.

【0004】ここで、振動板の表面の絶縁膜は、100
0℃以上の高温で熱酸化を行って形成された熱酸化膜で
あり、振動板形成後に施されたものである。
The insulating film on the surface of the diaphragm is 100
A thermal oxide film formed by thermal oxidation at a high temperature of 0 ° C. or higher, which is applied after forming the diaphragm.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚みが
1μm以下の振動板に熱酸化膜による絶縁膜を施した場
合、前述したように1000℃以上の高温中で熱酸化を
行うため、その振動板が高温によって、また熱酸化膜自
体の応力によって大きく撓んでしまい、撓み方向及び撓
み量の制御ができないという問題があった。
However, when an insulating film made of a thermal oxide film is applied to a diaphragm having a thickness of 1 μm or less, the thermal oxidation is performed at a high temperature of 1000 ° C. or more as described above. However, there is a problem in that the bending direction and the bending amount cannot be controlled due to the large bending due to the high temperature and the stress of the thermal oxide film itself.

【0006】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、振動板の厚みが1μm以下であっても撓
み方向及び撓み量を制御することが可能な静電アクチュ
エータ、およびそれを利用したインクジェットヘッドの
製造方法を提案することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and utilizes an electrostatic actuator capable of controlling the bending direction and the bending amount even if the thickness of the diaphragm is 1 μm or less, and the electrostatic actuator. Another object of the present invention is to propose a method for manufacturing the inkjet head.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明による静電アクチュエータは、振動板と、前
記振動板に対向して配置された対向電極と、前記振動板
と前記対向電極とによって形成される振動室とを有する
静電アクチュエータにおいて、前記振動板の両面にプラ
ズマCVD(Chemical Vaper Depo
sit)によりTEOS(Tetra ethyl o
rthosilicate)膜を成膜することを特徴と
している。プラズマCVDでTEOS膜を成膜する場
合、成膜温度は、高温による熱酸化で成膜する従来と比
べかなり低いため、振動板の撓み量の大きな変化を抑制
することができる。
In order to solve the above-mentioned problems, an electrostatic actuator according to the present invention comprises a diaphragm, a counter electrode arranged to face the diaphragm, the diaphragm and the counter electrode. In an electrostatic actuator having a vibration chamber formed by, a plasma CVD (Chemical Vapor Depo) is formed on both surfaces of the vibration plate.
TEOS (Tetra ethyl o)
It is characterized by forming an rthosilicate film. When the TEOS film is formed by plasma CVD, the film formation temperature is considerably lower than that of the conventional film formation by thermal oxidation at a high temperature, and therefore a large change in the bending amount of the diaphragm can be suppressed.

【0008】また、本発明を適用可能な静電アクチュエ
ータは、インクジェット記録装置に用いるインクジェッ
トヘッドである。この場合には、ノズルと、前記ノズル
に連通し一部に前記振動板が形成されているインク流路
とを有する構成とし、前記振動板と前記対向電極の間に
静電気を発生させて振動板を変位させる駆動手段とを有
し、前記駆動手段は、前記振動板と前記対向電極の間に
電気パルスを印加する電圧印加手段とを備えた構成と
し、前記電気パルスの印加に応じて前記ノズルからイン
ク液滴が吐出させるようにすればよい。
The electrostatic actuator to which the present invention is applicable is an ink jet head used in an ink jet recording apparatus. In this case, it is configured to have a nozzle and an ink flow path that communicates with the nozzle and is partially formed with the vibrating plate, and generates static electricity between the vibrating plate and the counter electrode to generate the vibrating plate. A driving means for displacing the nozzle, the driving means being configured to include a voltage applying means for applying an electric pulse between the diaphragm and the counter electrode, and the nozzle according to the application of the electric pulse. Ink droplets may be ejected from.

【0009】また、前記振動板の撓み方向及び撓み量を
所望の撓み方向及び撓み量に制御するには、前記振動板
の一方の面に成膜されたTEOS膜の膜応力と他方の面
に成膜されたTEOS膜の膜応力を変えて成膜すればよ
い。プラズマCVDでTEOS膜を成膜する場合、TE
OS流量、O2流量、RF Power、圧力、温度な
どの成膜条件を変更することにより、膜の応力を容易に
変えることができる。
In order to control the bending direction and the bending amount of the diaphragm to the desired bending direction and bending amount, the film stress of the TEOS film formed on one surface of the diaphragm and the other surface of the TEOS film are adjusted. The film stress may be changed in the formed TEOS film. When forming a TEOS film by plasma CVD, TE
The film stress can be easily changed by changing the film forming conditions such as the OS flow rate, the O2 flow rate, the RF power, the pressure, and the temperature.

【0010】また、前記振動板の撓み方向及び撓み量を
制御するその他の方法としては、前記振動板の一方の面
に成膜されたTEOS膜の膜厚と他方の面に成膜された
TEOS膜の膜厚が異なるように成膜すればよい。
As another method of controlling the bending direction and the bending amount of the diaphragm, the thickness of the TEOS film formed on one surface of the diaphragm and the TEOS film formed on the other surface of the diaphragm are controlled. The films may be formed so that the film thicknesses are different.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明の製造方法により形
成されたインクジェットヘッドの一例を示した図であ
る。図1に示すように、薄肉部1にノズル2を形成した
ノズル板3と、キャビティ板4と配線板5とから成って
いる。
1 is a diagram showing an example of an ink jet head formed by a manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 1, it comprises a nozzle plate 3 having a nozzle 2 formed in a thin portion 1, a cavity plate 4 and a wiring board 5.

【0012】図2は、図1中の矢印6の方向から見た断
面図である。キャビティ板4には、一方がノズル2と連
通し、他方が供給口7と連通した圧力室8が形成され、
前記圧力室8の別の一方には振動板9が一体に形成され
ている。振動板9の配線板5側には空気室10が形成さ
れ、空気室10の振動板9に対向する位置に電極11が
設けてある。また、図中に示す振動板9は、キャビティ
板4を異方性エッチングして約0.8μmの厚さに形成
されたもので、配線板5に配置された電極11に対向す
る面上には絶縁膜13が施されている。また、圧力室8
は、インクの流路となっているため、振動板9の圧力室
8側の面上には、保護膜14が施されている。
FIG. 2 is a sectional view seen from the direction of arrow 6 in FIG. In the cavity plate 4, a pressure chamber 8 is formed, one of which communicates with the nozzle 2 and the other of which communicates with the supply port 7.
A vibrating plate 9 is integrally formed with the other one of the pressure chambers 8. An air chamber 10 is formed on the wiring plate 5 side of the vibration plate 9, and an electrode 11 is provided at a position facing the vibration plate 9 of the air chamber 10. Further, the diaphragm 9 shown in the figure is formed by anisotropically etching the cavity plate 4 to a thickness of about 0.8 μm, and is formed on the surface facing the electrode 11 arranged on the wiring board 5. Is provided with an insulating film 13. Also, the pressure chamber 8
Is a flow path for ink, and therefore a protective film 14 is provided on the surface of the vibration plate 9 on the pressure chamber 8 side.

【0013】電極11と振動板9に電圧を印加すると、
発生する静電吸引力により振動板9が撓み、前記電圧の
印加を停止すると前記撓みが復元するという振動動作を
行い、圧力室8内の液体インク(以降インクと略記す
る。)には圧力振動が発生する。前記圧力振動により、
ノズル2よりインクが押し出されてインク滴12を吐出
する。
When a voltage is applied to the electrode 11 and the diaphragm 9,
The vibrating plate 9 is bent by the generated electrostatic attraction force, and when the application of the voltage is stopped, the bending is restored, and the vibration operation is performed. Occurs. By the pressure vibration,
Ink is pushed out from the nozzle 2 to eject an ink droplet 12.

【0014】次に、振動板9の製造方法について説明す
る。まず、キャビティ板4を水酸化カリウム水溶液、
(KOH)、TMAH(Tetra methyl A
mmonnium Hydroxide)等のエッチン
グ液を用いて、異方性エッチングにより厚さ約0.8μ
mの振動板9を形成する。次に、振動板9の空気室10
側の面上に、500℃以下の温度でTEOS膜を成膜
し、絶縁膜13を形成する。
Next, a method of manufacturing the diaphragm 9 will be described. First, the cavity plate 4 is put in a potassium hydroxide aqueous solution,
(KOH), TMAH (Tetra methyl A
thickness of about 0.8μ by anisotropic etching using an etching solution such as mmmonium Hydroxide).
The diaphragm 9 of m is formed. Next, the air chamber 10 of the diaphragm 9
A TEOS film is formed on the side surface at a temperature of 500 ° C. or lower to form an insulating film 13.

【0015】この際、TEOS膜を成膜する前に、振動
板9の面上をO2プラズマ処理によってクリーニングす
ると、絶縁耐圧の良好な絶縁膜13が形成される。更
に、TEOS膜を成膜した後、600℃以上の高温でア
ニール処理することにより、絶縁耐圧をより向上させる
ことができる。
At this time, if the surface of the diaphragm 9 is cleaned by O 2 plasma treatment before the TEOS film is formed, the insulating film 13 having a good withstand voltage is formed. Furthermore, after forming the TEOS film, by performing an annealing treatment at a high temperature of 600 ° C. or higher, the withstand voltage can be further improved.

【0016】ここで、TEOS膜の成膜に用いた装置
は、日本ASM社製のCVD装置であり、プラズマCV
Dで成膜する場合、成膜条件を変更することにより、膜
の応力を容易に変えることができる。そこで、成膜条件
を変更し、膜の応力を変えることによって、振動板9の
撓み量がどのように変化するのか調査した。その結果、
撓み量を小さくするためには、 TEOS流量を増やす。 O2流量を減らす。 RF Powerを下げる。 圧力を上げる。 温度を下げる。 ことで、所望の撓み量に制御することができることが分
かった。
The apparatus used for forming the TEOS film is a CVD apparatus manufactured by Japan ASM Co.
When the film is formed by D, the stress of the film can be easily changed by changing the film forming conditions. Therefore, it was investigated how the deflection amount of the diaphragm 9 changes by changing the film forming conditions and changing the film stress. as a result,
In order to reduce the amount of bending, the TEOS flow rate is increased. Reduce the O2 flow rate. Lower RF Power. Increase pressure. Lower the temperature. By doing so, it was found that the amount of bending can be controlled to a desired value.

【0017】例えば、 TEOS流量:100cc/min O2流量:800cc/min RF Power:300W 圧力:2.0Torr 温度:390℃ の成膜条件で、振動板9の面上に膜厚0.1μmのTE
OS膜を成膜すると、振動板9の撓み量は概ね0.01
μmとなり、また、撓みの方向は空気室10側に凸形状
となった。
For example, TEOS flow rate: 100 cc / min O 2 flow rate: 800 cc / min RF Power: 300 W Pressure: 2.0 Torr Temperature: 390 ° C. Under the film forming conditions, a film having a thickness of 0.1 μm TE is formed on the surface of the diaphragm 9.
When the OS film is formed, the bending amount of the diaphragm 9 is about 0.01.
In addition, the bending direction was convex toward the air chamber 10 side.

【0018】次に、厚さ約0.8μmの振動板9の圧力
室8側の面上に500℃以下の温度で再度TEOS膜を
成膜し、保護膜14として形成する。保護膜14を形成
する場合においても、絶縁膜13を形成する場合と同様
に、TEOS膜を成膜する前に、振動板9の面上をO2
プラズマ処理によってクリーニングを実施し、更に、T
EOS膜を成膜した後、600℃以上の高温でアニール
処理することで、より緻密な膜を形成することができ、
耐インク性を向上させることができる。また、保護膜1
4は、インクの流路を保護するだけでなく、保護膜14
を形成することによって、振動板9の撓み量も制御する
ことができる。
Next, a TEOS film is formed again on the surface of the vibration plate 9 having a thickness of about 0.8 μm on the pressure chamber 8 side at a temperature of 500 ° C. or lower to form a protective film 14. Even when the protective film 14 is formed, as in the case of forming the insulating film 13, before the TEOS film is formed, the O 2 on the surface of the diaphragm 9 is formed.
Cleaning is performed by plasma treatment, and then T
After forming the EOS film, by performing annealing treatment at a high temperature of 600 ° C. or higher, a more dense film can be formed,
Ink resistance can be improved. In addition, the protective film 1
4 not only protects the flow path of the ink, but also the protective film 14
The amount of bending of the diaphragm 9 can also be controlled by forming the.

【0019】また、所望の撓み方向、及び所望の撓み量
に制御するには、振動板9の空気室10側のTEOS膜
の成膜条件及び膜厚と、振動板9の圧力室8側のTEO
S膜の成膜条件及び膜厚を変更すればよい。
In order to control the desired bending direction and the desired bending amount, the film forming conditions and film thickness of the TEOS film on the air chamber 10 side of the diaphragm 9 and the pressure chamber 8 side of the diaphragm 9 are controlled. TEO
The film forming conditions and film thickness of the S film may be changed.

【0020】例えば、振動板9の撓み方向を、空気室1
0側に凸形状にしたい場合は、振動板9の空気室10側
のTEOS膜の応力より、振動板9の圧力室8側のTE
OS膜の応力を小さくする。具体的には、振動板9の空
気室10側のTEOS膜の膜厚より、振動板9の圧力室
8側のTEOS膜の膜厚を薄くするか、または、成膜条
件において、振動板9の空気室10側のTEOS膜の成
膜条件より、TEOS流量を増やす、O2流量を減
らす、RF Powerを下げる、圧力を上げる、
温度を下げる等により膜応力を下げることができる。
For example, the bending direction of the diaphragm 9 is set to the air chamber 1
When it is desired to form a convex shape on the 0 side, the TEOS film on the side of the pressure chamber 8 of the diaphragm 9 is affected by the stress of the TEOS film on the side of the air chamber 10 of the diaphragm 9.
The stress of the OS film is reduced. Specifically, the film thickness of the TEOS film on the pressure chamber 8 side of the diaphragm 9 is made smaller than the film thickness of the TEOS film on the air chamber 10 side of the diaphragm 9, or the diaphragm 9 is formed under film forming conditions. The TEOS flow rate is increased, the O2 flow rate is decreased, the RF power is lowered, and the pressure is increased, depending on the film forming conditions of the TEOS film on the side of the air chamber 10
The film stress can be reduced by lowering the temperature.

【0021】逆に、振動板9の撓み方向を、圧力室8側
に凸形状にしたい場合は、振動板9の圧力室8側のTE
OS膜の応力より、振動板9の空気室10側のTEOS
膜の応力を小さくする。具体的には、振動板9の圧力室
8側のTEOS膜の膜厚より、振動板9の空気室10側
のTEOS膜の膜厚を薄くするか、または、成膜条件に
おいて、振動板9の圧力室8側のTEOS膜の成膜条件
より、TEOS流量を増やす、O2流量を減らす、
RF Powerを下げる、圧力を上げる、温度
を下げる等により膜応力を下げることができる。以上の
方法によって、振動板9の撓み方向及び撓み量を容易に
制御することができる。
On the contrary, when it is desired that the bending direction of the diaphragm 9 is convex toward the pressure chamber 8, the TE on the pressure chamber 8 side of the diaphragm 9 is TE.
Due to the stress of the OS film, TEOS on the air chamber 10 side of the diaphragm 9
Reduce the stress on the film. Specifically, the film thickness of the TEOS film of the diaphragm 9 on the side of the air chamber 10 is made smaller than the film thickness of the TEOS film of the diaphragm 9 on the side of the pressure chamber 8, or the diaphragm 9 is formed under film forming conditions. The TEOS flow rate is increased, the O2 flow rate is decreased, depending on the film formation conditions of the TEOS film on the pressure chamber 8 side of
The film stress can be lowered by lowering RF Power, raising pressure, lowering temperature, and the like. By the above method, the bending direction and the bending amount of the diaphragm 9 can be easily controlled.

【0022】(その他の実施の形態)なお、上記の例
は、静電アクチュエータを利用したインクジェットヘッ
ドに対して本発明を適用したものである。しかし、本発
明は、インクジェットヘッド以外の静電アクチュエー
タ、例えば、静電駆動式のセンサに対しても同様に適用
することができる。
(Other Embodiments) In the above example, the present invention is applied to an ink jet head using an electrostatic actuator. However, the present invention can be similarly applied to an electrostatic actuator other than the inkjet head, for example, an electrostatically driven sensor.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、振動
板の両面に、膜応力の異なるTEOS膜をプラズマCV
Dによって別々に成膜するため、振動板の撓み量を容易
に制御することができる。
As described above, according to the present invention, the TEOS films having different film stresses are formed on both surfaces of the diaphragm by the plasma CV.
Since the films are separately formed according to D, the bending amount of the diaphragm can be easily controlled.

【0024】また、本発明では、一方の面に成膜された
TEOS膜の膜厚と他方の面に成膜されたTEOS膜の
膜厚を異なる膜厚とすることができるため、振動板の撓
み量を容易に制御することができる。
Further, in the present invention, since the thickness of the TEOS film formed on one surface and the thickness of the TEOS film formed on the other surface can be made different, the diaphragm The amount of bending can be easily controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のインクジェットヘッドの外形説明図。FIG. 1 is an external view of an inkjet head of the present invention.

【図2】本発明のインクジェットヘッドの断面説明図。FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view of an inkjet head of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 薄肉部 2 ノズル 3 ノズル板 4 キャビティ板 5 配線板 6 矢印 7 供給口 8 圧力室 9 振動板 10 空気室 11 電極 12 インク滴 13 絶縁膜・・・TEOS膜 14 保護膜・・・TEOS膜 1 Thin part 2 nozzles 3 nozzle plate 4 cavity plate 5 wiring board 6 arrows 7 supply port 8 pressure chambers 9 diaphragm 10 air chambers 11 electrodes 12 ink drops 13 Insulating film: TEOS film 14 Protective film: TEOS film

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 振動板と、前記振動板に対向して配置さ
れた対向電極と、前記振動板と前記対向電極とによって
形成される振動室とを有する静電アクチュエータにおい
て、前記振動板の両面にプラズマCVDによりTEOS
膜を成膜することを特徴とする静電アクチュエータ。
1. An electrostatic actuator having a vibrating plate, a counter electrode arranged to face the vibrating plate, and a vibrating chamber formed by the vibrating plate and the counter electrode, wherein both sides of the vibrating plate are provided. TEOS by plasma CVD
An electrostatic actuator characterized by forming a film.
【請求項2】 ノズルと、前記ノズルに連通し一部に前
記振動板が形成されているインク流路と、前記振動板と
前記対向電極の間に静電気を発生させて振動板を変位さ
せる駆動手段とを有し、前記駆動手段は、前記振動板と
前記対向電極の間に電気パルスを印加する電圧印加手段
とを備え、前記電気パルスの印加に応じて前記ノズルか
らインク液滴が吐出されるようになっていることを特徴
とする請求項1記載の静電アクチュエータを利用したイ
ンクジェットヘッドの製造方法。
2. A drive for displacing a nozzle, an ink flow path communicating with the nozzle and having the vibration plate formed in a part thereof, and generating static electricity between the vibration plate and the counter electrode. The driving means includes a voltage applying means for applying an electric pulse between the diaphragm and the counter electrode, and ink droplets are ejected from the nozzle in response to the application of the electric pulse. The method of manufacturing an inkjet head using an electrostatic actuator according to claim 1, wherein:
【請求項3】 請求項1において、前記振動板の一方の
面に成膜されたTEOS膜の膜応力と他方の面に成膜さ
れたTEOS膜の膜応力が異なることを特徴とする静電
アクチュエータ。
3. The electrostatic capacitor according to claim 1, wherein the film stress of the TEOS film formed on one surface of the diaphragm is different from the film stress of the TEOS film formed on the other surface. Actuator.
【請求項4】 請求項1において、前記振動板の一方の
面に成膜されたTEOS膜の膜厚と他方の面に成膜され
たTEOS膜の膜厚が異なることを特徴とする静電アク
チュエータ。
4. The electrostatic capacitor according to claim 1, wherein the film thickness of the TEOS film formed on one surface of the diaphragm is different from the film thickness of the TEOS film formed on the other surface. Actuator.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7188932B2 (en) 2003-12-17 2007-03-13 Seiko Epson Corporation Electrostatic actuator, droplet ejection head and droplet ejection device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7188932B2 (en) 2003-12-17 2007-03-13 Seiko Epson Corporation Electrostatic actuator, droplet ejection head and droplet ejection device

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