JP2003298086A - Solar cell and its fabricating method - Google Patents

Solar cell and its fabricating method

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JP2003298086A
JP2003298086A JP2002095361A JP2002095361A JP2003298086A JP 2003298086 A JP2003298086 A JP 2003298086A JP 2002095361 A JP2002095361 A JP 2002095361A JP 2002095361 A JP2002095361 A JP 2002095361A JP 2003298086 A JP2003298086 A JP 2003298086A
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solar cell
texture
layer
cell according
substrate
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JP2002095361A
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Hisao Morooka
久雄 師岡
Kazuo Katai
一夫 片井
Masaru Takayama
勝 高山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a texture structure contributive to enhancement of conversion efficiency of a solar cell inexpensively with high reproducibility. <P>SOLUTION: The solar cell comprises a texture layer 3 having a texture structure on the upper surface thereof, a lower electrode 4, a photoelectric conversion layer 5 and an upper electrode 6 formed sequentially on a substrate 2 of flexible film wherein the texture structure has protrusions and recesses arranged regularly. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に光電変換
層を設けた構造の太陽電池およびその製造方法に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a solar cell having a structure in which a photoelectric conversion layer is provided on a substrate and a method for manufacturing the solar cell.

【0002】[0002]

【従来の技術】太陽電池は、乾電池等に代わる電源とし
て種々の電子機器に利用されている。特に、電子卓上計
算機、時計、携帯型電子機器(カメラ、携帯電話、民生
用レーダー探知機)、リモコン等といった低消費電力の
電子機器では、太陽電池の起電力で十分駆動することが
でき、電池の交換を不要とし、半永久的に動作させるこ
とができるとともに、環境面に対してもクリーンである
ため、注目されている。
2. Description of the Related Art Solar cells are used in various electronic devices as a power source to replace dry cells and the like. In particular, low-power electronic devices such as electronic desk calculators, clocks, portable electronic devices (cameras, mobile phones, consumer radar detectors), remote controllers, etc. can be sufficiently driven by the electromotive force of the solar cell, and It has attracted attention because it requires no replacement and can be operated semi-permanently, and is environmentally clean.

【0003】太陽電池の構造は、剛性または可撓性の基
板の表面に、金属からなる下部電極、光電変換層および
透明電極をこの順に設けたものが一般的である。光電変
換層としては、プラズマCVD法により形成したSi層
が一般に利用されている。前記基板としては、有機フレ
キシブル基板がよく用いられている。有機フレキシブル
基板は、可撓性を有し、巻き取り、展開が可能であるた
め、生産上、以下のような利点をもつ。太陽電池を製造
する際には、光電変換層や電極層等の機能性薄膜を真空
プロセスで積層する工程、配線電極や層間絶縁膜等をス
クリーン印刷法等によりパターニングして前記機能性薄
膜表面に形成する工程、太陽電池の最表面に保護層を設
ける工程等を設ける。このような各工程において、長尺
の有機フレキシブル基板をロール・ツー・ロールで用い
れば、すなわち、繰り出しロールから長尺の有機フレキ
シブル基板を繰り出して巻き取りロールに巻き取る過程
で、基板上に機能性薄膜や電極、絶縁膜等を形成すれ
ば、タクトタイムが短縮できる、基板の搬送を行う必要
がなくなる、基板のハンドリングが容易となる、といっ
た効果が生じ、スループットを向上できる。また、太陽
電池の集積度の向上、大規模量産化を図る場合でも、同
様な効果が得られる。
The structure of a solar cell is generally one in which a lower electrode made of metal, a photoelectric conversion layer and a transparent electrode are provided in this order on the surface of a rigid or flexible substrate. A Si layer formed by a plasma CVD method is generally used as the photoelectric conversion layer. An organic flexible substrate is often used as the substrate. The organic flexible substrate has flexibility and can be wound and developed, and therefore has the following advantages in production. When manufacturing a solar cell, a step of stacking a functional thin film such as a photoelectric conversion layer or an electrode layer by a vacuum process, a wiring electrode or an interlayer insulating film is patterned on the functional thin film surface by a screen printing method or the like. A step of forming, a step of providing a protective layer on the outermost surface of the solar cell, etc. are provided. In each of these processes, if the long organic flexible substrate is used in roll-to-roll, that is, in the process of unwinding the long organic flexible substrate from the unwinding roll and winding it up to the winding roll, the function is performed on the substrate. By forming a thin film, an electrode, an insulating film, or the like, the tact time can be shortened, the substrate need not be carried, and the substrate can be easily handled, and the throughput can be improved. Further, similar effects can be obtained even when the integration degree of solar cells is improved and large-scale mass production is aimed at.

【0004】太陽電池では、効率向上のために、光電変
換層自体の変換効率の向上のほか、光電変換層に入射す
る光の量を増大させる試みもなされている。具体的に
は、基板の光電変換層と対向する表面に、光拡散効果を
示すいわゆるテクスチャ構造を設ける。
In the solar cell, in order to improve efficiency, attempts have been made to improve the conversion efficiency of the photoelectric conversion layer itself and to increase the amount of light incident on the photoelectric conversion layer. Specifically, a so-called texture structure exhibiting a light diffusion effect is provided on the surface of the substrate facing the photoelectric conversion layer.

【0005】太陽電池の高効率化を妨げる要因として、
(1)光電変換層表面における太陽光の反射による損
失、(2)光電変換層に入射した光の不完全な収集によ
る損失が挙げられる。(1)については、光電変換層の
光入射側表面のテクスチャ構造によって改善され、
(2)については、下部電極表面および光電変換層表面
のテクスチャ構造によって改善される。たとえば、基板
表面に、テクスチャ構造として微細なピラミッド状の凹
凸を形成した場合、この凹凸は下部電極および光電変換
層の表面性に反映する。そのため、外部から光電変換層
の凹凸表面に到達し、凹凸の傾斜面で反射した光は、凹
凸の他の傾斜面に当たって光電変換層内に進入し、光電
変換層に吸収される。また、入射した光のうち光電変換
層で吸収されずに光電変換層裏面まで到達したものは、
下部電極と光電変換層との凹凸界面で散乱反射し、斜め
方向に光電変換層内に戻るため、反射光が光電変換層内
を進む距離が長くなり、効率よく吸収される。さらに、
光電変換層内に戻った光のうち、吸収されずに再び光電
変換層表面に到達した光は、光電変換層の凹凸表面で再
び斜め方向に反射する。このような繰り返し反射によ
り、光電変換層に光が効率よく吸収され、電池の効率が
高くなる。
Factors that hinder the high efficiency of solar cells include:
(1) Loss due to reflection of sunlight on the surface of the photoelectric conversion layer, and (2) loss due to incomplete collection of light incident on the photoelectric conversion layer. Regarding (1), it is improved by the texture structure of the light incident side surface of the photoelectric conversion layer,
Regarding (2), it is improved by the texture structure of the lower electrode surface and the photoelectric conversion layer surface. For example, when fine pyramidal unevenness is formed as a texture structure on the substrate surface, this unevenness is reflected on the surface properties of the lower electrode and the photoelectric conversion layer. Therefore, light that reaches the uneven surface of the photoelectric conversion layer from the outside and is reflected by the inclined surface of the unevenness hits the other inclined surface of the unevenness, enters the photoelectric conversion layer, and is absorbed by the photoelectric conversion layer. In addition, among the incident light, the light that reaches the back surface of the photoelectric conversion layer without being absorbed by the photoelectric conversion layer is
Since the light is scattered and reflected at the uneven interface between the lower electrode and the photoelectric conversion layer and obliquely returns to the inside of the photoelectric conversion layer, the distance that the reflected light travels in the photoelectric conversion layer becomes long and is efficiently absorbed. further,
Of the light that has returned to the inside of the photoelectric conversion layer, the light that has not reached the surface of the photoelectric conversion layer and has reached the surface of the photoelectric conversion layer again is reflected obliquely again on the uneven surface of the photoelectric conversion layer. Due to such repeated reflection, light is efficiently absorbed in the photoelectric conversion layer, and the efficiency of the battery is increased.

【0006】従来のテクスチャの作製方法としては、た
とえば以下のようなものがある。結晶シリコン太陽電池
の場合、加温した水酸化ナトリウム(NaOH)または
水酸化カリウム(KOH)水溶液にイソプロピルアルコ
ールを添加し、得られた混合液にSi(100)ウェハ
を浸漬することにより、四角錐状の突起を有するテクス
チャ構造が得られる。また、炭酸ナトリウム(Na2
3)水溶液をエッチング液とし、シリコン基板をその
水溶液に浸漬して前記シリコン基板の表面に微細な凹凸
形状を形成する方法も提案されている(特開2000−
183378号公報)。
As a conventional texture producing method, there are the following methods, for example. In the case of a crystalline silicon solar cell, isopropyl alcohol is added to a heated sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) aqueous solution, and a Si (100) wafer is dipped in the resulting mixed solution to form a quadrangular pyramid. A textured structure is obtained which has ridge-like protrusions. In addition, sodium carbonate (Na 2 C
A method has also been proposed in which an O 3 ) aqueous solution is used as an etching solution and a silicon substrate is dipped in the aqueous solution to form fine irregularities on the surface of the silicon substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-
183378).

【0007】一方、薄膜型太陽電池の場合、下部電極と
して、シリコンを0.1〜6.0質量%含有するアルミ
ニウムターゲットを用い、基板を50〜200℃に昇温
してスパッタすることにより、テクスチャ構造を有する
アルミニウム膜を得る提案がなされている(特開平9−
69642号公報)。また、金属基板上に酸化チタン、
アルミナ、シリカなどの顔料を配合した電気絶縁性を有
する耐熱性樹脂をコートすることにより、表面粗さRma
xが0.3〜1.5μmの凹凸を有する基板を形成する提
案もなされている(特開平11−177111号公
報)。
On the other hand, in the case of a thin film solar cell, an aluminum target containing 0.1 to 6.0 mass% of silicon is used as the lower electrode, and the temperature of the substrate is raised to 50 to 200 ° C. to perform sputtering. It has been proposed to obtain an aluminum film having a textured structure (Japanese Patent Laid-Open No. 9-
69642). Also, titanium oxide on the metal substrate,
By coating a heat-resistant resin having electrical insulation with a pigment such as alumina or silica, the surface roughness Rma
It has also been proposed to form a substrate having irregularities with x of 0.3 to 1.5 μm (JP-A-11-177111).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のテクスチャ構造形成方法には、以下に述べる問題点が
ある。
However, the above-described conventional texture structure forming method has the following problems.

【0009】1)結晶シリコン太陽電池においてウェッ
トエッチングを用いる方法 i)ウェットエッチングによるテクスチャ構造の作製に
は、Siのエッチング速度が結晶面によって異なること
(異方性エッチング)を利用している。Siのエッチン
グ速度は、(100)面が最も速く(111)面が最も
遅い。したがって(100)面を初期表面としてエッチ
ングを行うと、エッチング速度の遅い(111)面が優
先的に表面に残る。この(111)面は(100)面に
対して約54度の傾斜をもつため、エッチングにより形
成される凸部および凹部はいずれも四角錐状、すなわち
急峻に尖った形状である。そのため、この凹凸上に光電
変換層を形成すると、凸部上では光電変換層の膜厚が薄
くなるためリークが発生しやすく、凹部上では欠陥が生
じ易いことから、変換効率がかえって低下することがあ
る。また、エッチングが完全に一様に進むわけではない
ので、凹凸の分布が一様にならず、その結果、テクスチ
ャ効果にばらつきが生じ、変換効率の向上に十分寄与し
なくなる。 ii)酸やアルカリによるウェットエッチングは、設備お
よび廃液の処理に伴うランニングコストが高く、環境問
題などの課題があり、好ましくない。
1) Method of using wet etching in crystalline silicon solar cell i) Fabrication of a textured structure by wet etching utilizes the fact that the etching rate of Si differs depending on the crystal plane (anisotropic etching). The etching rate of Si is highest in the (100) plane and lowest in the (111) plane. Therefore, when etching is performed with the (100) plane as the initial surface, the (111) plane having a slow etching rate is preferentially left on the surface. Since the (111) plane has an inclination of about 54 degrees with respect to the (100) plane, both the convex portion and the concave portion formed by etching have a quadrangular pyramid shape, that is, a sharply pointed shape. Therefore, when the photoelectric conversion layer is formed on the unevenness, the thickness of the photoelectric conversion layer becomes thin on the convex portion, so that a leak is likely to occur and a defect is likely to occur on the concave portion, which rather lowers the conversion efficiency. There is. Further, since the etching does not proceed completely uniformly, the unevenness distribution is not uniform, and as a result, the texture effect varies, which does not sufficiently contribute to the improvement of the conversion efficiency. ii) Wet etching with an acid or an alkali is not preferable because it has high running costs associated with equipment and waste liquid treatment, and has problems such as environmental problems.

【0010】2)スパッタによるテクスチャ構造の作製 基板温度を上げ、添加物を導入することによりAl膜の
結晶成長を制御することでテクスチャ構造を作製してい
るが、得られる形状がファセットを有する粒状であるこ
とから、基板表面に対して急峻な形状をしている。その
ため、ウェットエッチングの場合と同様な問題が生じ、
一方、面内の分布も一様ではないことから、テクスチャ
効果にばらつきが生じ、変換効率の向上に十分寄与しな
くなる。
2) Fabrication of Textured Structure by Sputtering The textured structure is produced by controlling the crystal growth of the Al film by raising the substrate temperature and introducing an additive, but the obtained shape is a grain with facets. Therefore, the shape is steep with respect to the substrate surface. Therefore, the same problem as in the case of wet etching occurs,
On the other hand, since the in-plane distribution is not uniform, the texture effect varies and does not sufficiently contribute to the improvement of conversion efficiency.

【0011】3)CVD法によるテクスチャ構造の作製 i)設備が高価で製造工程が煩雑化し、製造コストを上
昇させることになる。 ii)CVD法を用いる場合、SnO2電極膜は一般的な
ITO電極膜に比べ製法が特殊となるため、コストアッ
プを招く。また、反応温度が高温であるとともに、効果
的なテクスチャ構造を得るためには膜厚を数百から数千
ナノメートルと厚くする必要があり、この点でもコスト
アップになる。また、完全に規則的に配列した凹凸から
なるテクスチャ構造を形成できないため、テクスチャ効
果にばらつきが生じ、変換効率の向上に十分寄与しなく
なる。
3) Fabrication of textured structure by CVD method i) Equipment is expensive, the manufacturing process is complicated, and the manufacturing cost is increased. ii) When the CVD method is used, the SnO 2 electrode film has a special manufacturing method as compared with a general ITO electrode film, which causes an increase in cost. In addition, the reaction temperature is high, and in order to obtain an effective texture structure, it is necessary to increase the film thickness to several hundreds to several thousands of nanometers, which also increases the cost. Further, since it is not possible to form a texture structure composed of concavities and convexities that are perfectly regularly arranged, the texture effect varies and does not sufficiently contribute to the improvement of conversion efficiency.

【0012】4)塗料によるコーティング テクスチャ効果を付与するために塗料中に酸化チタン、
アルミナ、シリカなどの微粒子を配合すると、絶縁皮膜
表面に形成されるテクスチャの形状および面内分布にば
らつきが生じ、変換効率の向上に十分寄与しなくなる。
また、絶縁皮膜表面に突出した微粒子や、絶縁皮膜表面
からの微粒子の脱落により形成された穴が、絶縁皮膜表
面に対して急峻な傾斜を形成するため、この上に形成さ
れる光電変換層に膜切れ等の欠陥が生じやすい。
4) Titanium oxide in the paint to impart a coating texture effect by the paint,
When fine particles such as alumina and silica are blended, the shape and in-plane distribution of the texture formed on the surface of the insulating film will vary, and it will not sufficiently contribute to the improvement of conversion efficiency.
In addition, since the fine particles protruding on the surface of the insulating film and the holes formed by dropping of the fine particles from the surface of the insulating film form a steep slope with respect to the surface of the insulating film, the photoelectric conversion layer formed on this surface Defects such as film breakage are likely to occur.

【0013】本発明は、太陽電池の変換効率の向上に寄
与するテクスチャ構造を再現性よく、かつ安価に提供す
ることを目的とする。
An object of the present invention is to provide a texture structure which contributes to improvement of conversion efficiency of a solar cell with good reproducibility and at low cost.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1)
〜(14)の本発明により達成される。 (1) フレキシブル性をもつフィルムからなる基板上
に、上面にテクスチャ構造をもつテクスチャ層、下部電
極、光電変換層および上部電極をこの順で有する太陽電
池であって、前記テクスチャ構造は、それぞれ規則的に
配列した凹部および凸部を有する凹凸からなる太陽電
池。 (2) 前記凸部の頂部が平面であるか凸曲面である上
記(1)の太陽電池。 (3) 前記凹部の底部が平面であるか凹曲面である上
記(1)または(2)の太陽電池。 (4) 前記凸部は、角錐台状または円錐台状である
か、それぞれ頂部が凸曲面である角錐状または円錐状で
ある上記(1)〜(3)のいずれかの太陽電池。 (5) 前記凹部は、角錐台状または円錐台状である
か、それぞれ底部が凹曲面である角錐状または円錐状で
ある上記(1)〜(4)のいずれかの太陽電池。 (6) テクスチャ層が樹脂から構成される上記(1)
〜(5)のいずれかの太陽電池。 (7) テクスチャ層がポリイミドから構成される上記
(1)〜(5)のいずれかの太陽電池。 (8) 基板が、金属箔、ポリエチレンナフタレート、
ポリエーテルサルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
イミドアミドまたはポリアリレートから構成される上記
(1)〜(7)のいずれかの太陽電池。 (9) テクスチャ層の厚さが0.1〜5μmである上
記(1)〜(8)のいずれかの太陽電池。 (10) 上記(1)〜(9)のいずれかの太陽電池を
製造する方法であって、前記凹凸の母型パターンを周面
に有するテクスチャロールをグラビア印刷ロールとして
使用し、グラビア印刷により塗料を塗布して、基板表面
にテクスチャ層を形成する工程を有する太陽電池の製造
方法。 (11) 前記塗料が樹脂を主成分とするものであり、
塗料中の固形分濃度が5〜30質量%である上記(1
0)の太陽電池の製造方法。 (12) 上記(1)〜(9)のいずれかの太陽電池を
製造する方法であって、基板表面に塗膜を形成した後、
前記凹凸の母型パターンが形成されたテクスチャロール
で前記塗膜を押圧することにより、前記塗膜の表面に前
記凹凸を形成してテクスチャ層とする工程を有する太陽
電池の製造方法。 (13) 前記母型パターンにおいて、前記凸部の母型
となる凹部の頂部が、平面であるか凹曲面である上記
(10)〜(12)のいずれかの太陽電池の製造方法。 (14) 前記母型パターンにおいて、前記凹部の母型
となる凸部の頂部が、平面であるか凸曲面である上記
(10)〜(13)のいずれかの太陽電池の製造方法。
[Means for Solving the Problems] The above-mentioned object is as follows (1)
It is achieved by the present invention of (14). (1) A solar cell having a textured layer having a textured structure on the upper surface, a lower electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode in this order on a substrate made of a film having flexibility, wherein the textured structure has a regular structure. A solar cell comprising unevenness having concave and convex portions arranged in a regular pattern. (2) The solar cell according to (1), wherein the top of the convex portion is a flat surface or a convex curved surface. (3) The solar cell according to (1) or (2), wherein the bottom of the recess is a flat surface or a concave curved surface. (4) The solar cell according to any one of the above (1) to (3), wherein the convex portion has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or the apex portion has a convex curved surface. (5) The solar cell according to any one of the above (1) to (4), wherein the concave portion has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or the bottom portion has a pyramidal shape or a cone shape having a concave curved surface. (6) The above (1) in which the texture layer is made of resin.
The solar cell according to any one of to (5). (7) The solar cell according to any one of (1) to (5) above, wherein the texture layer is made of polyimide. (8) The substrate is a metal foil, polyethylene naphthalate,
The solar cell according to any one of (1) to (7) above, which is made of polyether sulfone, polyimide, polyamide, polyimide amide, or polyarylate. (9) The solar cell according to any one of (1) to (8), wherein the texture layer has a thickness of 0.1 to 5 μm. (10) The method for producing the solar cell according to any one of (1) to (9), wherein a texture roll having the uneven master pattern on the peripheral surface is used as a gravure printing roll, and the coating is applied by gravure printing. Is applied to form a textured layer on the substrate surface. (11) The paint has a resin as a main component,
The solid content concentration in the paint is 5 to 30% by mass (1)
The method for manufacturing a solar cell according to 0). (12) A method for manufacturing the solar cell according to any one of (1) to (9) above, which comprises forming a coating film on the substrate surface,
A method for manufacturing a solar cell, comprising the step of pressing the coating film with a texture roll on which the matrix pattern of the projections and depressions is formed to form the projections and depressions on the surface of the coating film to form a texture layer. (13) The method for manufacturing a solar cell according to any one of (10) to (12), wherein in the mother die pattern, the top of the concave portion serving as the mother die of the convex portion is a flat surface or a concave curved surface. (14) The method for manufacturing a solar cell according to any one of (10) to (13), wherein, in the mother die pattern, a top of a protrusion serving as a mother die of the recess is a flat surface or a convex curved surface.

【0015】[0015]

【作用および効果】本発明の第1の態様では、母型パタ
ーンを有するテクスチャロールをグラビア印刷ロールと
して用いたグラビア印刷により、基板表面にテクスチャ
層を形成する。また、第2の態様では、基板表面に塗膜
を形成した後、この塗膜をテクスチャロールで押圧し
て、母型パターンを塗膜に転写することによりテクスチ
ャ層を得る。
In the first aspect of the present invention, the texture layer is formed on the surface of the substrate by gravure printing using a texture roll having a master pattern as a gravure printing roll. In the second aspect, after forming a coating film on the surface of the substrate, the coating film is pressed by a texture roll to transfer the master pattern to the coating film to obtain the texture layer.

【0016】本発明で用いるテクスチャロールは製版技
術を用いて製造できるので、微小パターンを高精度に形
成できる。また、製版技術では、前記従来技術と異な
り、規則的に配列した凹凸パターンを正確に形成でき
る。また、長尺のフィルムを送りながらテクスチャ層を
連続的に形成できるので、テクスチャ構造を高速にしか
も再現性よく形成でき、しかもフィルムの寸法が実質的
に制限されないので、大量処理が可能である。そのため
本発明では、高い変換効率が再現性よく得られ、しかも
安価な太陽電池が実現する。
Since the texture roll used in the present invention can be manufactured by using the plate-making technique, a fine pattern can be formed with high precision. Further, in the plate-making technique, unlike the above-mentioned conventional technique, it is possible to accurately form a regularly arranged uneven pattern. Further, since the texture layer can be continuously formed while feeding a long film, the texture structure can be formed at high speed and with good reproducibility, and the size of the film is not substantially limited, so that mass processing is possible. Therefore, in the present invention, a high conversion efficiency can be obtained with good reproducibility, and an inexpensive solar cell can be realized.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明の太陽電池の構成例を、図
1に部分断面図として示す。この太陽電池は、基板2上
に、テクスチャ層3、下部電極4、光電変換層5および
上部電極6をこの順で有する。また、図示していない
が、太陽電池の機械的ダメージ、酸化、腐食等を抑える
ために、図示する太陽電池の少なくとも上部電極6形成
側表面に、樹脂などからなる封止部材を設けることが好
ましい。また、このような封止部材は、基板2の裏面側
にも設けることが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A structural example of a solar cell of the present invention is shown in FIG. 1 as a partial sectional view. This solar cell has a texture layer 3, a lower electrode 4, a photoelectric conversion layer 5, and an upper electrode 6 on a substrate 2 in this order. Although not shown, in order to suppress mechanical damage, oxidation, corrosion, etc. of the solar cell, it is preferable to provide a sealing member made of resin or the like on at least the surface of the illustrated solar cell on which the upper electrode 6 is formed. . Further, such a sealing member is preferably provided also on the back surface side of the substrate 2.

【0018】なお、図1には太陽電池セルを示してあ
り、太陽電池は、通常、複数のセルが直列に接続された
構成とされる。その場合、各セルの上部電極6上には、
通常、収集電極および配線電極が設けられる。収集電極
は、各セルにおいて発電された電力を、比抵抗の比較的
高い上部電極6表面から収集するための電極である。配
線電極は、各セルの収集電極と、隣接するセルの下部電
極とを接続するための電極である。また、セルの直列接
続の両末端には、プラス側およびマイナス側の引き出し
電極がそれぞれ設けられる。
Incidentally, FIG. 1 shows a solar battery cell, and the solar battery is usually constructed by connecting a plurality of cells in series. In that case, on the upper electrode 6 of each cell,
Usually, a collecting electrode and a wiring electrode are provided. The collecting electrode is an electrode for collecting the electric power generated in each cell from the surface of the upper electrode 6 having a relatively high specific resistance. The wiring electrode is an electrode for connecting the collecting electrode of each cell and the lower electrode of the adjacent cell. In addition, positive and negative lead electrodes are provided at both ends of the series connection of the cells.

【0019】本発明は、上部電極6を通して光電変換層
5に光を入射させる構造の太陽電池に適用する場合に効
果が高いが、基板2を通して光電変換層5に光を入射さ
せる構造の太陽電池にも適用できる。
The present invention is highly effective when applied to a solar cell having a structure in which light is incident on the photoelectric conversion layer 5 through the upper electrode 6, but a solar cell having a structure in which light is incident on the photoelectric conversion layer 5 through the substrate 2. Can also be applied to.

【0020】以下、本発明の太陽電池の各部の構成につ
いて、詳細に説明する。
The structure of each part of the solar cell of the present invention will be described in detail below.

【0021】基板2 基板2は、フレキシブル性をもつフィルムから構成され
る。フィルム構成材料は特に限定されないが、光電変換
層形成の際の加熱に耐えるために比較的耐熱性の良好な
材料が好ましく、具体的には、金属箔または樹脂膜が好
ましい。樹脂膜としては、ポリエチレンナフタレート
(PEN)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリイ
ミド、ポリアミドまたはポリイミドアミド、特にPEN
またはPESが好ましい。これらは、プラズマCVD膜
形成時の耐熱性、長期使用時の耐熱性、ヤング率(ステ
ィフネス)、機械的特性等の面で優れた性能を有してい
る。PENおよびPESは、透明性にも優れている。ま
た、これらのほか、ポリアリレートも好ましい。
Substrate 2 The substrate 2 is made of a flexible film. The material for forming the film is not particularly limited, but a material having relatively good heat resistance in order to withstand heating during the formation of the photoelectric conversion layer is preferable, and specifically, a metal foil or a resin film is preferable. As the resin film, polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyimide, polyamide or polyimide amide, especially PEN
Alternatively, PES is preferred. These have excellent performance in terms of heat resistance during plasma CVD film formation, heat resistance during long-term use, Young's modulus (stiffness), mechanical properties, and the like. PEN and PES also have excellent transparency. In addition to these, polyarylate is also preferable.

【0022】基板2を通して光電変換層5に光を入射さ
せる場合、基板2は透光性を有することが必要である。
When light is incident on the photoelectric conversion layer 5 through the substrate 2, the substrate 2 must have a light-transmitting property.

【0023】基板2の厚さは、要求される強度、曲げ剛
性等に応じて適宜決定すればよいが、樹脂膜では、通
常、25〜100μmであることが好ましい。基板2が
薄すぎると、ハンドリングが困難になり、折れなどによ
る不良品が発生することがある。一方、基板2が厚すぎ
ると、基板2を通して光を入射させる構成とした場合に
光透過量が少なくなって太陽電池特性が低くなってしま
う。
The thickness of the substrate 2 may be appropriately determined according to the required strength, bending rigidity, etc., but in the case of a resin film, it is usually preferable that the thickness is 25 to 100 μm. If the substrate 2 is too thin, it may be difficult to handle, and defective products may occur due to breakage. On the other hand, if the substrate 2 is too thick, the amount of light transmission will be small and the solar cell characteristics will be degraded when light is made to enter through the substrate 2.

【0024】テクスチャ層3 テクスチャ層3の光電変換層5に対向する表面には、そ
れぞれ規則的に配列した凹部および凸部を有する凹凸か
らなるテクスチャ構造が存在する。規則的に配列してい
るとは、特定形状の凸部と特定形状の凹部とからなる単
位凹凸構造が、繰り返し配列していることを意味する。
前記凹凸の形状は特に限定されない。たとえば、基板表
面に垂直な断面における凹部および凸部の形状(断面形
状)は、楔形、矩形、台形、凹レンズ状(凹部の場
合)、凸レンズ状(凸部の場合)などのいずれであって
もよく、凹部と凸部とで形状が異なっていてもよい。
[0024] On the surface opposite to the photoelectric conversion layer 5 Texture layer 3 texture layer 3, a texture structure made of irregularities with depressions and protrusions regularly arranged respectively exists. “Regularly arrayed” means that the unit concavo-convex structure composed of convex parts of a specific shape and concave parts of a specific shape is repeatedly arranged.
The shape of the unevenness is not particularly limited. For example, the shape (cross-sectional shape) of the concave portion and the convex portion in a cross section perpendicular to the substrate surface may be any of a wedge shape, a rectangle, a trapezoid, a concave lens shape (in the case of a concave portion), a convex lens shape (in the case of a convex portion), and the like. Of course, the concave portion and the convex portion may have different shapes.

【0025】凹凸は、互いに独立した孤立凹部と、それ
を包囲する凸部とから構成されてもよく、互いに独立し
た孤立凸部と、それを包囲する凹部とから構成されても
よく、互いに独立した孤立凹部と互いに独立した孤立凸
部とが隣接して配列するパターンであってもよく、多数
の溝が互いにほぼ平行に配列するパターンであってもよ
い。
The unevenness may be composed of an isolated concave portion independent of each other and a convex portion surrounding the concave portion, or may be formed of an isolated convex portion independent of each other and a concave portion surrounding the isolated convex portion, and are independent from each other. The isolated concave portions and the isolated convex portions independent of each other may be arranged adjacent to each other, or a large number of grooves may be arranged substantially parallel to each other.

【0026】ただし、テクスチャ構造の上に形成される
光電変換層5に膜切れなどの欠陥を生じさせないために
は、凸部の頂部が平坦であるか凸曲面であることが好ま
しく、また、凹部の底面が平坦であるか凹曲面であるこ
とが好ましい。また、テクスチャ構造としての効果を高
くするためには、すなわち光利用効率を高くするために
は、凸部は、角錐台状または円錐台状であるか、それぞ
れ頂部が凸曲面である角錐状または円錐状であることが
好ましい。また、凹部は、角錐台状または円錐台状であ
るか、それぞれ底部が凹曲面である角錐状または円錐状
であることが好ましい。凸部および/または凹部がこの
ような形状であれば、テクスチャ構造による光利用効率
向上が光の入射角に依存しにくくなるので、安定した効
率向上が実現する。
However, in order to prevent defects such as film breakage from occurring in the photoelectric conversion layer 5 formed on the textured structure, it is preferable that the tops of the projections are flat or have a convex curved surface. It is preferable that the bottom surface of the is flat or has a concave curved surface. Further, in order to enhance the effect as a texture structure, that is, in order to enhance the light utilization efficiency, the convex portion has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or the apex portion has a convex curved surface or a truncated pyramid shape, respectively. It is preferably conical. Further, it is preferable that the recess has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or a pyramid shape or a cone shape with a concave surface at the bottom. If the convex portion and / or the concave portion has such a shape, the improvement in light utilization efficiency due to the texture structure is less likely to depend on the incident angle of light, so that stable efficiency improvement is realized.

【0027】凹凸の寸法およびその配列密度は特に限定
されず、発電効率の向上度が高くなるように実験的に決
定してもよいが、通常、凹部の深さ(凸部の高さ)は
0.05μm以上かつテクスチャ層の厚さ以下であるこ
とが好ましく、また、凹部の配列ピッチまたは凸部の配
列ピッチは0.1〜60μmであることが好ましい。
The size of the concavities and convexities and the arrangement density thereof are not particularly limited, and may be determined experimentally so that the degree of improvement in power generation efficiency is high, but normally the depth of the concavities (height of the convexities) is It is preferably 0.05 μm or more and less than the thickness of the texture layer, and the arrangement pitch of the concave portions or the arrangement pitch of the convex portions is preferably 0.1 to 60 μm.

【0028】なお、凹凸に関する以上の説明は、図1に
おいて上部から光が入射する太陽電池についてのもので
ある。図1において下部から光が入射する太陽電池に本
発明を適用する場合には、上記説明において凹部と凸部
に、凸部を凹部にそれぞれ読み替える。
The above description regarding the unevenness is for the solar cell in which light is incident from above in FIG. When the present invention is applied to a solar cell in which light is incident from below in FIG. 1, the terms “concave” and “convex” are replaced with “convex” in the above description.

【0029】テクスチャ構造は、発電に寄与する領域に
少なくとも設ければよいが、この領域より広く設けても
よく、基板表面の全面を覆うように設けてもよい。しか
し、テクスチャ構造の上に配線電極を形成すると、配線
電極に厚みむらが生じて配線抵抗増大による特性の低下
やばらつきが生じることがある。また、太陽電池の製造
工程では、セル構造を形成するためにレーザースクライ
ブ加工を行うが、スクライブ加工箇所にテクスチャ構造
が存在すると、レーザー光が乱反射して加工不良を招く
ことがある。したがって、このような問題が発生するお
それがある場合には、配線電極直下やスクライブ加工箇
所など、発電に寄与しない領域には設けないことが好ま
しい。
The texture structure may be provided at least in a region that contributes to power generation, but may be provided wider than this region or may be provided so as to cover the entire surface of the substrate. However, when the wiring electrode is formed on the textured structure, the wiring electrode may have uneven thickness, and the wiring resistance may increase, resulting in deterioration or variation in characteristics. Further, in the manufacturing process of a solar cell, laser scribing is performed to form a cell structure. However, if a textured structure exists at the scribing location, the laser light may be diffusely reflected to cause processing defects. Therefore, if such a problem may occur, it is preferable not to provide it in a region that does not contribute to power generation, such as immediately below the wiring electrode or a scribing process location.

【0030】テクスチャ層3の構成材料は特に限定され
ないが、凹凸の母型パターンを有する型から、母型パタ
ーンを容易かつ高精度に転写できることから、樹脂を用
いることが好ましい。樹脂の種類は特に限定されない
が、光電変換層5形成時の加熱に耐えられるように耐熱
性が高く、かつ、テクスチャ構造を後述する方法によっ
て形成できるものが好ましく、たとえばポリイミドが好
ましい。なお、テクスチャ層3には、たとえば熱膨張係
数調整などのために無機粒子などのフィラーを混入させ
てもよいが、光電変換層5の膜切れを防ぐために表面が
滑らかなテクスチャ構造を形成するためには、フィラー
は混入しないことが好ましい。
The constituent material of the texture layer 3 is not particularly limited, but it is preferable to use a resin because the master pattern can be easily and highly accurately transferred from a mold having an uneven master pattern. The type of resin is not particularly limited, but a resin having high heat resistance so that it can withstand heating during formation of the photoelectric conversion layer 5 and having a texture structure that can be formed by a method described later is preferable, and for example, polyimide is preferable. It should be noted that the texture layer 3 may be mixed with a filler such as an inorganic particle for adjusting the thermal expansion coefficient, but for forming a texture structure having a smooth surface in order to prevent the photoelectric conversion layer 5 from being broken. It is preferable that no filler is mixed in the above.

【0031】テクスチャ層3の厚さは好ましくは0.1
〜5μm、好ましくは0.5〜4μmである。テクスチャ
層3が薄すぎると、十分なテクスチャ効果が得られる深
さのテクスチャ構造を形成することが困難となる。一
方、テクスチャ層3が厚すぎると、テクスチャ層3にク
ラックが発生したり、テクスチャ層3が基板2から剥離
したりしやすくなる。また、基板2を通して光が入射す
る構成とする場合には、テクスチャ層が厚すぎると光透
過量が少なくなるため、太陽電池特性が低くなってしま
う。
The thickness of the texture layer 3 is preferably 0.1.
-5 μm, preferably 0.5-4 μm. If the texture layer 3 is too thin, it becomes difficult to form a texture structure having a depth that can obtain a sufficient texture effect. On the other hand, if the texture layer 3 is too thick, cracks are likely to occur in the texture layer 3 or the texture layer 3 is likely to peel off from the substrate 2. Further, in the case where light is incident through the substrate 2, if the texture layer is too thick, the amount of light transmission decreases, resulting in poor solar cell characteristics.

【0032】通常、下部電極4はセル単位に区切られた
構造とし、かつ、テクスチャ層3は基板2上に一様に設
けるため、隣り合う下部電極4同士を短絡させないため
に、テクスチャ層3は絶縁性を有している必要がある。
テクスチャ層3のシート抵抗は、100kΩ/□以上、特
に1MΩ/□以上であることが好ましい。
Usually, the lower electrode 4 has a structure divided into cell units, and the texture layer 3 is provided uniformly on the substrate 2. Therefore, in order to prevent the adjacent lower electrodes 4 from being short-circuited, the texture layer 3 is It must have insulating properties.
The sheet resistance of the texture layer 3 is preferably 100 kΩ / □ or more, and particularly preferably 1 MΩ / □ or more.

【0033】次に、テクスチャ層3の形成方法について
説明する。
Next, a method of forming the texture layer 3 will be described.

【0034】本発明の第1の態様では、テクスチャ層に
形成される前記凹凸の母型パターンを周面に有するテク
スチャロールを、グラビア印刷ロールとして用い、グラ
ビア印刷を利用してテクスチャ層3を形成する。図2
に、第1の態様に用いる装置の構成例を示す。図2に示
す装置では、繰り出しロール11に巻回されているフィ
ルム21が繰り出され、テクスチャロール10(グラビ
ア印刷ロール)とバックアップロール15との間を通過
して塗膜が形成された後、乾燥炉31を通過し、次い
で、巻き取りロール13に巻き取られる。テクスチャロ
ール10は、その一部が塗布液32を入れた液槽33に
浸された状態で回転している。テクスチャロール10の
周面に付着した塗布液は、余分なものがドクターブレー
ドで掻き落とされた後、フィルム21の表面に塗布さ
れ、同時に、テクスチャロール10周面の母型パターン
が塗膜に転写される。塗膜が形成されたフィルム21は
乾燥炉31で乾燥され、テクスチャ層を有する基板が得
られる。
In the first aspect of the present invention, the texture roll having the uneven master pattern formed on the texture layer on the peripheral surface is used as a gravure printing roll, and the texture layer 3 is formed by utilizing gravure printing. To do. Figure 2
2 shows an example of the configuration of the device used in the first aspect. In the apparatus shown in FIG. 2, the film 21 wound around the pay-out roll 11 is paid out, passed between the texture roll 10 (gravure printing roll) and the backup roll 15 to form a coating film, and then dried. It passes through a furnace 31 and is then wound on a winding roll 13. The texture roll 10 is rotated with a part thereof immersed in a liquid tank 33 containing the coating liquid 32. The coating liquid adhering to the peripheral surface of the texture roll 10 is scraped off by a doctor blade and then applied to the surface of the film 21. At the same time, the master pattern on the peripheral surface of the texture roll 10 is transferred to the coating film. To be done. The film 21 having the coating film formed thereon is dried in a drying oven 31 to obtain a substrate having a texture layer.

【0035】第1の態様において、前記塗料が樹脂を主
成分とするものである場合、塗料中の固形分濃度が5〜
30質量%であることが好ましい。塗料濃度が低すぎる
場合、希釈溶媒の量が多いので、塗布後の乾燥工程の複
雑化や乾燥設備の大型化を招き、また、乾燥に要するエ
ネルギー量の増加に伴うコストアップが問題となる。ま
た、塗料の粘性が低くなるため、塗布時に塗料が飛散し
やすく、飛散物が製品へ飛び散って不良製品の発生原因
となることがある。また、塗料の粘性が低くなると、転
写された塗料が乾燥するまでの間、表面張力や塗布ライ
ン搬送時の影響で液流れ(レベリング)現象が生じて、
転写パターンの崩れが生じやすくなる。一方、塗料濃度
が高すぎる場合、塗料の粘性が高すぎるために、かすれ
状のプリントとなるなど、正確な転写ができにくくな
る。
In the first aspect, when the coating material contains a resin as a main component, the solid content concentration in the coating material is 5 to 5.
It is preferably 30% by mass. If the paint concentration is too low, the amount of the diluting solvent is large, so that the drying process after coating becomes complicated and the drying equipment becomes large, and the cost increases due to the increase in the amount of energy required for drying. In addition, since the viscosity of the paint is low, the paint is likely to be scattered during application, and scattered substances may scatter on the product, which may cause defective products. When the viscosity of the paint becomes low, a liquid flow (leveling) phenomenon occurs due to the influence of the surface tension and the transportation of the coating line until the transferred paint dries.
The transfer pattern is likely to collapse. On the other hand, when the paint concentration is too high, the viscosity of the paint is too high, which makes it difficult to perform accurate transfer such as faint print.

【0036】本発明の第2の態様では、基板表面に塗膜
を形成した後、前記テクスチャロールで塗膜を押圧する
ことにより母型パターンを塗膜に転写して、テクスチャ
層を得る。図3に、第2の態様に用いる装置の構成例を
示す。図3に示す装置では、繰り出しロール11に巻回
されているフィルム21が繰り出され、塗布機41によ
りフィルム21の表面に塗膜が形成され、次いで、乾燥
炉31を通過した後、テクスチャロール10と平滑ロー
ル12とからなる一対のプレスロールの間を通過し、次
いで、巻き取りロール13に巻き取られる。フィルム2
1がテクスチャロール10と平滑ロール12との間を通
過することにより、塗膜に前記母型パターンが転写さ
れ、テクスチャ構造が形成される。
In the second aspect of the present invention, after a coating film is formed on the surface of the substrate, the matrix pattern is transferred to the coating film by pressing the coating film with the texture roll to obtain a texture layer. FIG. 3 shows a configuration example of the device used in the second mode. In the apparatus shown in FIG. 3, the film 21 wound around the pay-out roll 11 is paid out, a coating film is formed on the surface of the film 21 by the coating machine 41, and then, the film 21 is passed through a drying furnace 31, and then the texture roll 10 is applied. It passes between a pair of press rolls composed of a smooth roll 12 and a smooth roll 12, and is then wound around a winding roll 13. Film 2
When 1 passes between the texture roll 10 and the smooth roll 12, the matrix pattern is transferred to the coating film and a texture structure is formed.

【0037】第2の態様において、テクスチャロールで
加圧する際には、変形が容易となるように塗膜は加熱さ
れた状態であることが好ましい。そのためには、テクス
チャロールおよび/または平滑ロールを加熱する手段を
設けて、ロール表面を加熱することが好ましい。テクス
チャロールにより押圧される際の塗膜の温度は、30〜
450℃、特に50〜400℃であることが好ましい。
加熱温度が低すぎると、塗膜が変形しにくく、凹凸パタ
ーンを精度よく転写することが困難となる。一方、加熱
温度が高すぎると、フィルムが歪み、形状および寸法に
狂いが生じやすい。具体的な最適加熱温度は塗膜の構成
材料によって異なるので、たとえば実験的に決定すれば
よい。なお、フィルムおよび塗膜は薄いため、加熱した
ロールと接触するとフィルムおよび塗膜は瞬時にロール
温度と同じ温度まで昇温する。
In the second aspect, it is preferable that the coating film is in a heated state so as to be easily deformed when it is pressed by the texture roll. For that purpose, it is preferable to provide a means for heating the texture roll and / or the smooth roll to heat the roll surface. The temperature of the coating film when pressed by the texture roll is 30 to
It is preferably 450 ° C., particularly 50 to 400 ° C.
If the heating temperature is too low, the coating film is unlikely to be deformed, and it becomes difficult to accurately transfer the uneven pattern. On the other hand, if the heating temperature is too high, the film is distorted, and the shape and dimensions are likely to be distorted. Since the specific optimum heating temperature differs depending on the constituent material of the coating film, it may be experimentally determined. Since the film and the coating film are thin, the film and the coating film are instantly heated to the same temperature as the roll temperature when brought into contact with a heated roll.

【0038】テクスチャロールが塗膜を押圧するときの
圧力は、40〜150MPa、特に50〜120MPaである
ことが好ましい。圧力が低すぎると、塗膜が変形しにく
く、凹凸パターンを精度よく転写することが困難とな
る。一方、圧力が高すぎると、フィルムが歪み、形状お
よび寸法に狂いが生じやすい。
The pressure at which the texture roll presses the coating film is preferably 40 to 150 MPa, particularly 50 to 120 MPa. If the pressure is too low, the coating film is less likely to be deformed, and it becomes difficult to accurately transfer the uneven pattern. On the other hand, if the pressure is too high, the film is likely to be distorted and the shape and dimensions are likely to be distorted.

【0039】なお、テクスチャロール10および平滑ロ
ール12は加熱せず、これらの直前に電熱ヒータ等のヒ
ータを設けて塗膜を加熱する構成としてもよい。
The texture roll 10 and the smooth roll 12 may not be heated, and a heater such as an electric heater may be provided immediately before them to heat the coating film.

【0040】なお、基板2を通して光を入射させる場
合、基板2の両面にテクスチャ構造が形成されているこ
とが好ましいので、第1の態様および第2の態様のいず
れにおいても、必要に応じ、フィルム21の両面にテク
スチャ層を形成してよい。また、図3に示す第2の態様
において、平滑ロール12に替えてテクスチャロールを
設け、フィルム21を一対のテクスチャロールで挟む構
成とすれば、塗膜形成面の反対側表面がテクスチャロー
ルによってプレス成形されるので、フィルム21の両面
に同時にテクスチャ構造を形成することができる。
When light is incident through the substrate 2, it is preferable that textured structures are formed on both surfaces of the substrate 2. Therefore, in both the first and second aspects, the film may be formed as necessary. Texture layers may be formed on both sides of 21. Further, in the second embodiment shown in FIG. 3, if a texture roll is provided instead of the smooth roll 12 and the film 21 is sandwiched between the pair of texture rolls, the surface opposite to the coating film forming surface is pressed by the texture roll. Since it is formed, the texture structure can be formed on both surfaces of the film 21 at the same time.

【0041】第1の態様と第2の態様とで特に優劣はな
く、いずれにおいても転写性は良好であり、寸法精度の
高いテクスチャ層が得られる。特に、第1の態様では、
塗膜形成と同時にパターン転写を行うので、塗膜のスト
レス解放による形状の戻りがなく、転写性がきわめて良
好となる。ただし、第2の態様においても、形状の戻り
はほとんどない。
The first aspect and the second aspect are not particularly inferior and superior, and in both cases, transferability is good and a texture layer with high dimensional accuracy can be obtained. In particular, in the first aspect,
Since the pattern transfer is carried out at the same time as the formation of the coating film, there is no return of the shape due to the release of the stress of the coating film, and the transferability becomes extremely good. However, even in the second mode, the shape hardly returns.

【0042】なお、フィルムの送り速度は特に限定され
ず、高速で送っても母型パターンの転写が可能である
が、送り速度が速すぎると塗料の飛散が生じやすくなる
ので、好ましくは1〜200m/min、より好ましくは3
〜100m/minとする。
The feeding speed of the film is not particularly limited, and it is possible to transfer the master pattern even if it is fed at a high speed. However, if the feeding speed is too fast, scattering of the paint is likely to occur, so 1 to 1 is preferable. 200 m / min, more preferably 3
~ 100 m / min.

【0043】次に、テクスチャロールの製造方法につい
て説明する。テクスチャロールの周面への母型パターン
形成には、製版技術を利用することが好ましい。製版技
術としては、ダイレクト製版または電子彫刻製版が好ま
しい。
Next, a method for manufacturing the texture roll will be described. It is preferable to use a plate making technique for forming the master pattern on the peripheral surface of the texture roll. As the plate making technique, direct plate making or electronic engraving plate making is preferable.

【0044】ダイレクト製版では、まず、鉄等からなる
ロール母材の周面に、必要に応じNi等からなる下地層
をめっきにより設けた後、めっきによりCu層を形成す
る。次いで、必要に応じ、ロール断面が真円になるよう
にCu層表面を研磨した後、Cu層表面に感光液を塗布
し、感光層を形成する。次いで、母型パターンが写し込
まれたフィルムを感光層に密着させた状態で紫外線等に
より露光し、感光層に潜像を形成した後、現像する。次
いで、パターニングされた感光層から露出しているCu
層を塩化第二銅液等によりエッチングした後、感光層を
剥離する。
In direct plate making, first, an underlayer made of Ni or the like is provided on the peripheral surface of a roll base material made of iron or the like by plating, and then a Cu layer is formed by plating. Then, if necessary, the surface of the Cu layer is polished so that the cross section of the roll is a perfect circle, and then a photosensitive solution is applied to the surface of the Cu layer to form a photosensitive layer. Next, the film on which the master block pattern is transferred is exposed to ultraviolet rays or the like in a state of being brought into close contact with the photosensitive layer to form a latent image on the photosensitive layer, and then development is performed. Then, Cu exposed from the patterned photosensitive layer
After etching the layer with a cupric chloride solution or the like, the photosensitive layer is peeled off.

【0045】電子彫刻製版では、ダイレクト製版と同様
にしてCu層を形成した後、CAD(computer-aided d
esign)や画像処理等により作成したデータを用いてC
u層表面を直接形状加工する。形状加工には、ダイヤモ
ンド針やレーザービームを用いる。
In electronic engraving plate making, after forming a Cu layer in the same manner as in direct plate making, CAD (computer-aided d)
C using data created by esign) or image processing
The surface of the u layer is directly shaped. A diamond needle or a laser beam is used for shape processing.

【0046】上述した手法によってパターニングされた
Cu層表面に、硬度および耐久性向上のために保護層を
形成する。保護層は、通常、めっきにより形成したCr
層および/またはNi層を用いる。保護層の厚さは、好
ましくは10〜50μmである。保護層が薄すぎると、
めっきむらの発生により保護層が不均一になることがあ
り、保護層が厚すぎると、保護層にクラックが生じるこ
とがある。
A protective layer is formed on the surface of the Cu layer patterned by the above-mentioned method to improve hardness and durability. The protective layer is usually Cr formed by plating.
Layers and / or Ni layers are used. The thickness of the protective layer is preferably 10 to 50 μm. If the protective layer is too thin,
The protective layer may become non-uniform due to uneven plating, and if the protective layer is too thick, cracks may occur in the protective layer.

【0047】母型パターンとしては、基板の凸部の母型
となる凹部の頂部が、平面であるか凹曲面であるものが
好ましい。また、基板の凹部の母型となる凸部の頂部
が、平面であるか凸曲面であるものが好ましい。なお、
図4に示すように、テクスチャロール10周面の母型パ
ターンにおいて、凹凸を構成する斜面、頂面、底面など
の各面がほぼ平面で、これら各面の境界(エッジ)が鋭
いものであっても、押圧により母型パターンをテクスチ
ャ層3に転写すると、通常、転写されたパターンのエッ
ジは鈍る。たとえば、母型パターンの凹部が四角錐台で
あっても、その転写により形成されたテクスチャ層3の
凸部は、頂部が平面とはならず滑らかな凸面となること
が多い。
As the mother die pattern, it is preferable that the tops of the concave portions which are the mother die of the convex portions of the substrate are flat or concave. In addition, it is preferable that the top of the convex portion that is the mother die of the concave portion of the substrate is a flat surface or a convex curved surface. In addition,
As shown in FIG. 4, in the mother die pattern of the peripheral surface of the texture roll 10, each surface such as a slope, a top surface, and a bottom surface that form the unevenness is a substantially flat surface, and the boundaries (edges) of these surfaces are sharp. However, when the master pattern is transferred to the texture layer 3 by pressing, the edges of the transferred pattern are usually blunt. For example, even if the concave portion of the matrix pattern is a truncated pyramid, the convex portion of the texture layer 3 formed by the transfer often has a smooth convex surface instead of a flat top portion.

【0048】下部電極4 上部電極6を通して光電変換層5に光を入射させる場
合、下部電極4は、通常、金属から構成する。下部電極
を構成する金属は特に限定されず、例えば、Al、ステ
ンレス鋼、Tiなどを用いればよいが、好ましくはAl
を用いる。Alは比抵抗が低いため、直列抵抗増大に伴
う特性の低下が少ない。ところで、太陽電池では、光電
変換層5を通って下部電極4で反射された光が再び光電
変換層5に入射し、この反射光も電気エネルギーに変換
される。そのため、下部電極4は反射率が高い方が好ま
しいが、光反射率の高いAlはこの点でも優れている。
さらに、Alは安価である。金属から構成される下部電
極4の厚さは特に限定されないが、好ましくは0.01
〜10μmである。下部電極4は、スパッタ法等の真空
成膜法により形成することが好ましい。
When light is incident on the photoelectric conversion layer 5 through the lower electrode 4 and the upper electrode 6, the lower electrode 4 is usually made of metal. The metal forming the lower electrode is not particularly limited, and for example, Al, stainless steel, Ti or the like may be used, but Al is preferably used.
To use. Since Al has a low specific resistance, there is little deterioration in characteristics due to an increase in series resistance. By the way, in the solar cell, the light reflected by the lower electrode 4 through the photoelectric conversion layer 5 enters the photoelectric conversion layer 5 again, and this reflected light is also converted into electric energy. Therefore, the lower electrode 4 preferably has a high reflectance, but Al having a high light reflectance is also excellent in this respect.
Furthermore, Al is inexpensive. The thickness of the lower electrode 4 made of metal is not particularly limited, but is preferably 0.01
10 μm. The lower electrode 4 is preferably formed by a vacuum film forming method such as a sputtering method.

【0049】一方、基板2を通して光電変換層5に光を
入射させる場合、下部電極4を透明導電材料から構成す
る。用いる透明導電材料は特に限定されないが、透明
性、導電性に優れた材料、たとえばSnO2、ITO
(酸化インジウム錫)、ZnOが好ましい。ただし、下
部電極4は光電変換層5形成時に水素プラズマに曝さ
れ、これによって透光性が劣化することがあるので、耐
水素プラズマ性に優れた材料、たとえばSnO2、Zn
Oを用いることがより好ましい。透明導電材料からなる
下部電極の厚さは、通常、10〜100nmとすることが
好ましい。
On the other hand, when light is incident on the photoelectric conversion layer 5 through the substrate 2, the lower electrode 4 is made of a transparent conductive material. The transparent conductive material used is not particularly limited, but a material having excellent transparency and conductivity, such as SnO 2 or ITO.
(Indium tin oxide) and ZnO are preferable. However, since the lower electrode 4 may be exposed to hydrogen plasma when the photoelectric conversion layer 5 is formed, and the translucency thereof may be deteriorated, a material excellent in hydrogen plasma resistance, such as SnO 2 or Zn.
It is more preferable to use O. The thickness of the lower electrode made of a transparent conductive material is usually preferably 10 to 100 nm.

【0050】拡散防止層 下部電極4を金属から構成する場合、下部電極4と光電
変換層5との間には、下部電極4構成成分が光電変換層
5に拡散することを防ぎ、また、両者の界面を低抵抗に
するために、ステンレス鋼、Ti、Cr等の金属からな
る拡散防止層を設けることが好ましい。拡散防止層の厚
さは、好ましくは3〜5nmである。拡散防止層は、通
常、スパッタ法等の真空成膜法により形成すればよい。
When the lower electrode 4 of the diffusion prevention layer is made of a metal, it prevents the constituent components of the lower electrode 4 from diffusing into the photoelectric conversion layer 5 between the lower electrode 4 and the photoelectric conversion layer 5. It is preferable to provide a diffusion prevention layer made of a metal such as stainless steel, Ti, or Cr in order to reduce the resistance of the interface. The thickness of the diffusion barrier layer is preferably 3 to 5 nm. The diffusion prevention layer may be usually formed by a vacuum film forming method such as a sputtering method.

【0051】光電変換層5 光電変換層5は、pn接合またはpin接合、好ましく
はpin接合を有する。本発明の効果は、テクスチャ構
造を設けることによる光利用効率の向上であるため、光
電変換層5の構成は特に限定されず、どのような光電変
換層を設けた場合でも本発明の効果は実現する。たとえ
ば、光電変換層構成材料としては、よく用いられるSi
のほか、GaAs、InP、Cd/CdTeなどのいず
れであってもよい。また、利用可能な波長範囲を拡大す
るために、異なる化合物からなる層を積層したタンデム
型の光電変換層としてもよい。光電変換層5の厚さは、
通常、0.2〜50μm程度である。
Photoelectric conversion layer 5 The photoelectric conversion layer 5 has a pn junction or a pin junction, preferably a pin junction. Since the effect of the present invention is the improvement of the light utilization efficiency by providing the texture structure, the structure of the photoelectric conversion layer 5 is not particularly limited, and the effect of the present invention is realized no matter what kind of photoelectric conversion layer is provided. To do. For example, Si is often used as a material for forming the photoelectric conversion layer.
Besides, any of GaAs, InP, Cd / CdTe, or the like may be used. Further, in order to expand the usable wavelength range, a tandem photoelectric conversion layer in which layers made of different compounds are laminated may be used. The thickness of the photoelectric conversion layer 5 is
Usually, it is about 0.2 to 50 μm.

【0052】光電変換層5は、プラズマCVD法などの
真空成膜法により形成することが好ましい。形成条件は
特に限定されず、構成材料に応じて適宜設定すればよ
い。
The photoelectric conversion layer 5 is preferably formed by a vacuum film forming method such as a plasma CVD method. The formation conditions are not particularly limited and may be set appropriately according to the constituent materials.

【0053】上部電極6 上部電極6の構成材料は、光透過性が要求されるかどう
かに応じて、下部電極4と同様に透明導電材料または金
属材料から適宜選択すればよい。ただし、上部電極6構
成材料には、耐水素プラズマ性は必要とされない。ま
た、上部電極6の厚さは、下部電極4と同様に、その構
成材料に応じて決定すればよい。
[0053] the material of the upper electrode 6 upper electrode 6, depending on whether the optical transparency is required, may be suitably selected from a transparent conductive material or a metal material similarly to the lower electrode 4. However, the upper electrode 6 constituent material is not required to have hydrogen plasma resistance. Further, the thickness of the upper electrode 6 may be determined according to the constituent material thereof, similarly to the lower electrode 4.

【0054】[0054]

【実施例】以下の手順で太陽電池を作製し、特性を評価
した。
Example A solar cell was manufactured by the following procedure and its characteristics were evaluated.

【0055】基板2 厚さ50μmのステンレス鋼箔からなる基板2の一方の
表面に、図2に示す構成の装置を用い、 塗布液:ポリイミド系樹脂を溶媒(N−メチル−2−ピ
ロリドン)で希釈したもの(固形分17質量%)、 フィルム走行速度:2m/min、 乾燥温度:110℃ の条件で厚さ2μmのテクスチャ層3を形成した。な
お、テクスチャロール10は、前記した電子彫刻製版を
利用して作製した。テクスチャロール10の表面は、厚
さ20μmのCrめっき層から構成した。テクスチャロ
ール10周面の平面図を図5(A)に、断面図を図5
(B)に示す。図5(A)および図5(B)に示す母型
パターンは、四角錐台状の孤立凹部10Dが凸部10P
に包囲された構造である。孤立凹部10Dは、深さD、
配列ピッチP、底面の幅Wおよび側面の傾斜角θが D=3μm、 P=28μm、 W=18μm、 θ=60° である。
Substrate 2 On one surface of a substrate 2 made of a stainless steel foil having a thickness of 50 μm, an apparatus having the structure shown in FIG. 2 was used. Coating liquid: polyimide resin was used as a solvent (N-methyl-2-pyrrolidone). Diluted product (solid content: 17% by mass), film running speed: 2 m / min, and drying temperature: 110 ° C. A texture layer 3 having a thickness of 2 μm was formed. The texture roll 10 was produced using the electronic engraving process described above. The surface of the texture roll 10 was composed of a Cr plating layer having a thickness of 20 μm. A plan view of the peripheral surface of the texture roll 10 is shown in FIG.
It shows in (B). In the matrix pattern shown in FIGS. 5A and 5B, the truncated pyramid-shaped isolated concave portion 10D is the convex portion 10P.
It is a structure surrounded by. The isolated recess 10D has a depth D,
The array pitch P, the width W of the bottom surface and the inclination angle θ of the side surface are D = 3 μm, P = 28 μm, W = 18 μm, and θ = 60 °.

【0056】下部電極4 次に、厚さ300nmのAl層および厚さ90nmのGa添
加ZnO層からなる下部電極4を、DCスパッタ法によ
り形成した。なお、ZnO層は、光学干渉による増反射
効果を得るための層である。スパッタ条件は、Al層で
は 使用ガス:Ar、 圧力:66.7Pa、 投入電力:2.2W/cm2、 基板温度:室温 とし、ZnO層では 使用ガス:Ar、 圧力:66.7Pa、 投入電力:0.5W/cm2、 基板温度:室温 とした。
Lower electrode 4 Next, a lower electrode 4 consisting of an Al layer having a thickness of 300 nm and a Ga-doped ZnO layer having a thickness of 90 nm was formed by DC sputtering. The ZnO layer is a layer for obtaining the effect of increasing reflection due to optical interference. The sputtering conditions are as follows: Al layer, used gas: Ar, pressure: 66.7 Pa, input power: 2.2 W / cm 2 , substrate temperature: room temperature, ZnO layer, used gas: Ar, pressure: 66.7 Pa, input power : 0.5 W / cm 2 , substrate temperature: room temperature.

【0057】光電変換層5 次いで、下部電極4上に、n層、i層およびp層からな
る多結晶Si光電変換層を下記条件でプラズマCVD法
により形成した。
Photoelectric Conversion Layer 5 Next, a polycrystalline Si photoelectric conversion layer consisting of an n layer, an i layer and ap layer was formed on the lower electrode 4 by the plasma CVD method under the following conditions.

【0058】n層 使用ガスおよび流量:PH3/H2/SiH4=0.06s
ccm/800sccm/5sccm、 圧力:133.3Pa、 投入電力:50mW/cm2、 基板温度:220℃、 厚さ:50nm
N layer Gas used and flow rate: PH 3 / H 2 / SiH 4 = 0.06 s
ccm / 800sccm / 5sccm, pressure: 133.3Pa, input power: 50mW / cm 2 , substrate temperature: 220 ° C, thickness: 50nm

【0059】i層 使用ガスおよび流量:H2/SiH4=1000sccm/2
0sccm、 圧力:26.7Pa、 投入電力:600mW/cm2、 基板温度:220℃、 厚さ:1600nm
I layer Gas used and flow rate: H 2 / SiH 4 = 1000 sccm / 2
0sccm, pressure: 26.7Pa, input power: 600mW / cm 2 , substrate temperature: 220 ° C, thickness: 1600nm

【0060】p層 使用ガスおよび流量:B26/H2/SiH4=0.02
sccm/900sccm/4sccm、 圧力:66.7Pa、 投入電力:180mW/cm2、 基板温度:120℃、 厚さ:15nm
P layer Gas used and flow rate: B 2 H 6 / H 2 / SiH 4 = 0.02
sccm / 900sccm / 4sccm, pressure: 66.7Pa, input power: 180mW / cm 2 , substrate temperature: 120 ° C, thickness: 15nm

【0061】上部電極6 次に、ITOからなる厚さ60nmの上部電極6を、DC
スパッタ法により形成した。スパッタ条件は、 使用ガスおよび圧力:Ar/O2=0.4Pa/0.08P
a、 投入電力:0.3W/cm2、 基板温度:室温 とした。
Upper Electrode 6 Next, the upper electrode 6 made of ITO and having a thickness of 60 nm is DC
It was formed by the sputtering method. The sputtering conditions are: gas and pressure used: Ar / O 2 = 0.4Pa / 0.08P
a, input power: 0.3 W / cm 2 , substrate temperature: room temperature.

【0062】次いで、配線電極および取り出し電極を形
成して、太陽電池とした。
Next, a wiring electrode and an extraction electrode were formed to obtain a solar cell.

【0063】評価 上記太陽電池について、ソーラーシュミレーターを用
い、上部電極6側から光を照射し、太陽電池特性を測定
した。その結果、 開放電圧Voc:0.508V、 短絡電流Isc:24.3mA/cm2、 形状因子FF:0.652、 変換効率Eff:8.05% であった。
Evaluation With respect to the above solar cell, the solar cell characteristics were measured by irradiating light from the upper electrode 6 side using a solar simulator. As a result, the open circuit voltage Voc was 0.508 V, the short circuit current Isc was 24.3 mA / cm 2 , the form factor FF was 0.652, and the conversion efficiency Eff was 8.05%.

【0064】一方、テクスチャ層を設けなかったほかは
上記太陽電池と同様にして比較電池を作製し、これにつ
いても太陽電池特性を測定したところ、 開放電圧Voc:0.51V、 短絡電流Isc:19.8mA/cm2、 形状因子FF:0.645、 変換効率Eff:6.51% であった。
On the other hand, a comparative cell was prepared in the same manner as the above solar cell except that the texture layer was not provided, and the solar cell characteristics were measured. The open circuit voltage Voc: 0.51 V, the short circuit current Isc: 19 It was 0.8 mA / cm 2 , form factor FF: 0.645, and conversion efficiency Eff: 6.51%.

【0065】この結果から、テクスチャ層を設けること
により光電電流が増大し、変換効率が約24%改善され
たことがわかる。
From these results, it can be seen that the provision of the texture layer increased the photoelectric current and improved the conversion efficiency by about 24%.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の太陽電池の構成例を示す部分断面図で
ある。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a configuration example of a solar cell of the present invention.

【図2】テクスチャ層の形成装置の構成例を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a texture layer forming apparatus.

【図3】テクスチャ層の形成装置の他の構成例を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of a texture layer forming apparatus.

【図4】テクスチャロールで塗膜を押圧した状態を示す
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where a coating film is pressed by a texture roll.

【図5】テクスチャ層の形成に用いるテクスチャロール
の表面構造を示し、(A)は平面図、(B)は断面図で
ある。
5A and 5B show a surface structure of a texture roll used for forming a texture layer, FIG. 5A is a plan view, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 基板 21 フィルム 3 テクスチャ層 4 下部電極 5 光電変換層 6 上部電極 10 テクスチャロール 11 繰り出しロール 12 平滑ロール 13 巻き取りロール 2 substrates 21 film 3 texture layers 4 Lower electrode 5 Photoelectric conversion layer 6 Upper electrode 10 texture rolls 11 Roll out 12 smooth roll 13 Take-up roll

フロントページの続き (72)発明者 高山 勝 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5F051 BA15 GA03 GA05 GA16 Continued front page    (72) Inventor Masaru Takayama             1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             -In DC Inc. F-term (reference) 5F051 BA15 GA03 GA05 GA16

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フレキシブル性をもつフィルムからなる
基板上に、上面にテクスチャ構造をもつテクスチャ層、
下部電極、光電変換層および上部電極をこの順で有する
太陽電池であって、 前記テクスチャ構造は、それぞれ規則的に配列した凹部
および凸部を有する凹凸からなる太陽電池。
1. A textured layer having a textured structure on an upper surface of a substrate made of a flexible film,
A solar cell having a lower electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode in this order, wherein the textured structure is unevenness having regularly arranged recesses and protrusions, respectively.
【請求項2】 前記凸部の頂部が平面であるか凸曲面で
ある請求項1の太陽電池。
2. The solar cell according to claim 1, wherein the top of the convex portion is a flat surface or a convex curved surface.
【請求項3】 前記凹部の底部が平面であるか凹曲面で
ある請求項1または2の太陽電池。
3. The solar cell according to claim 1, wherein the bottom of the concave portion is a flat surface or a concave curved surface.
【請求項4】 前記凸部は、角錐台状または円錐台状で
あるか、それぞれ頂部が凸曲面である角錐状または円錐
状である請求項1〜3のいずれかの太陽電池。
4. The solar cell according to claim 1, wherein the convex portion has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or a pyramid shape or a cone shape having a convex curved surface at the top.
【請求項5】 前記凹部は、角錐台状または円錐台状で
あるか、それぞれ底部が凹曲面である角錐状または円錐
状である請求項1〜4のいずれかの太陽電池。
5. The solar cell according to claim 1, wherein the recess has a truncated pyramid shape or a truncated cone shape, or a pyramid shape or a cone shape with a concave curved surface at the bottom.
【請求項6】 テクスチャ層が樹脂から構成される請求
項1〜5のいずれかの太陽電池。
6. The solar cell according to claim 1, wherein the texture layer is made of resin.
【請求項7】 テクスチャ層がポリイミドから構成され
る請求項1〜5のいずれかの太陽電池。
7. The solar cell according to claim 1, wherein the texture layer is composed of polyimide.
【請求項8】 基板が、金属箔、ポリエチレンナフタレ
ート、ポリエーテルサルホン、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリイミドアミドまたはポリアリレートから構成さ
れる請求項1〜7のいずれかの太陽電池。
8. The solar cell according to claim 1, wherein the substrate is made of metal foil, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polyimide, polyamide, polyimide amide or polyarylate.
【請求項9】 テクスチャ層の厚さが0.1〜5μmで
ある請求項1〜8のいずれかの太陽電池。
9. The solar cell according to claim 1, wherein the texture layer has a thickness of 0.1 to 5 μm.
【請求項10】 請求項1〜9のいずれかの太陽電池を
製造する方法であって、 前記凹凸の母型パターンを周面に有するテクスチャロー
ルをグラビア印刷ロールとして使用し、グラビア印刷に
より塗料を塗布して、基板表面にテクスチャ層を形成す
る工程を有する太陽電池の製造方法。
10. The method for manufacturing a solar cell according to claim 1, wherein a texture roll having the concave-convex mother die pattern on its peripheral surface is used as a gravure printing roll, and a paint is applied by gravure printing. A method for manufacturing a solar cell, which comprises a step of applying to form a texture layer on a substrate surface.
【請求項11】 前記塗料が樹脂を主成分とするもので
あり、塗料中の固形分濃度が5〜30質量%である請求
項10の太陽電池の製造方法。
11. The method of manufacturing a solar cell according to claim 10, wherein the coating material contains a resin as a main component, and a solid content concentration in the coating material is 5 to 30 mass%.
【請求項12】 請求項1〜9のいずれかの太陽電池を
製造する方法であって、 基板表面に塗膜を形成した後、前記凹凸の母型パターン
が形成されたテクスチャロールで前記塗膜を押圧するこ
とにより、前記塗膜の表面に前記凹凸を形成してテクス
チャ層とする工程を有する太陽電池の製造方法。
12. The method of manufacturing a solar cell according to claim 1, wherein a coating film is formed on the surface of the substrate, and then the coating film is formed by a texture roll on which the uneven master pattern is formed. A method of manufacturing a solar cell, comprising the step of forming a texture layer by forming the unevenness on the surface of the coating film by pressing.
【請求項13】 前記母型パターンにおいて、前記凸部
の母型となる凹部の頂部が、平面であるか凹曲面である
請求項10〜12のいずれかの太陽電池の製造方法。
13. The method for manufacturing a solar cell according to claim 10, wherein, in the master pattern, the top of the recess serving as the master of the protrusion is a flat surface or a concave curved surface.
【請求項14】 前記母型パターンにおいて、前記凹部
の母型となる凸部の頂部が、平面であるか凸曲面である
請求項10〜13のいずれかの太陽電池の製造方法。
14. The method of manufacturing a solar cell according to claim 10, wherein, in the master pattern, the top of the convex that serves as the master of the concave is a flat surface or a convex curved surface.
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