JP2003297710A - Treatment system and method - Google Patents

Treatment system and method

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JP2003297710A
JP2003297710A JP2002094254A JP2002094254A JP2003297710A JP 2003297710 A JP2003297710 A JP 2003297710A JP 2002094254 A JP2002094254 A JP 2002094254A JP 2002094254 A JP2002094254 A JP 2002094254A JP 2003297710 A JP2003297710 A JP 2003297710A
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JP
Japan
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wafer
state
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liquid
level
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JP2002094254A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Suzuki
秀和 鈴木
Toru Iwao
徹 岩生
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment system and method which enables the acquisition of recording useful for investigating a change in the state of the processing system. <P>SOLUTION: The treatment system for treating a work piece W comprises a plurality of detection means 29, 30, 52, 65, and 87 for detecting the state of each part of the treatment system, and recording means 85, 86, 88, and 89 for recording information indicating the state of each part of the treatment system. The recording means 85, 86, 88, and 89 can change information to be recorded according to the state of each part of the treatment system. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,例えば半導体ウェ
ハやLCD基板用ガラス等の基板を処理する処理システ
ム及び処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing system and a processing method for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass for an LCD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程におい
ては,半導体ウェハ(以下「ウェハ」という。)に処理
液を供給して所定の処理を施す基板処理装置,処理を施
したウェハを乾燥させる乾燥装置等から構成される処理
システムが使用されている。かような処理システムに
は,基板処理装置にウェハを搬送する搬送装置,処理シ
ステム内に配設された各種装置及び処理システム全体の
動作制御を行う制御装置,基板処理装置に送液する所定
の処理液を貯蔵する薬液貯蔵装置等の種々の装置が配設
され,さらに,各装置の状態を検出する検出手段が設け
られる。例えば基板処理装置においては,基板に供給す
る処理液の温度を検出する温度計,処理液の濃度を検出
する濃度計等が設置されている。基板処理装置が処理液
を貯留して基板を浸漬処理するPOU式処理槽である場
合は,液面の高さ(位置)を検出する液面センサが設置
される。また,基板処理装置が配設されているユニット
内の温度を検出する温度計,雰囲気の圧力を検出する圧
力計等が設置される。これらの検出手段は制御部に配線
接続されており,検出値は出力信号として制御部に送信
され,制御部において処理システムの状態を検知するこ
とができる。例えば,制御部が処理液の温度制御器に対
して制御信号出力手段として接続されている場合は,検
出値をフィードバック信号として用いることにより,処
理液の温度を所定温度に維持するようになっている。ま
た,処理システム稼働中に障害が発生する恐れがある状
態を検知した場合,例えば検出値が予め設定された許容
値を超えたときは,障害の発生に備え,オペレータに対
しアラームにより警告を行う。そして,オペレータが手
動により,又は制御部が自動的に処理システムを停止さ
せて障害発生を未然に防止するようにしている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, a substrate processing apparatus for supplying a processing solution to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") to perform a predetermined processing, and a drying apparatus for drying the processed wafer. A processing system including the above is used. Such a processing system includes a transfer device for transferring a wafer to the substrate processing device, various devices arranged in the processing system, a control device for controlling the operation of the entire processing system, and a predetermined liquid transfer device for feeding the substrate processing device. Various devices such as a chemical liquid storage device for storing the treatment liquid are provided, and further, a detection means for detecting the state of each device is provided. For example, a substrate processing apparatus is provided with a thermometer for detecting the temperature of the processing liquid supplied to the substrate, a densitometer for detecting the concentration of the processing liquid, and the like. When the substrate processing apparatus is a POU type processing tank that stores the processing liquid and dips the substrate, a liquid level sensor that detects the height (position) of the liquid surface is installed. Further, a thermometer for detecting the temperature in the unit in which the substrate processing apparatus is installed, a pressure gauge for detecting the pressure of the atmosphere, and the like are installed. These detecting means are hard-wired to the control unit, and the detected value is transmitted to the control unit as an output signal so that the control unit can detect the state of the processing system. For example, when the control unit is connected to the temperature controller of the processing liquid as a control signal output means, the detected value is used as a feedback signal to maintain the temperature of the processing liquid at a predetermined temperature. There is. In addition, when a state in which a failure may occur during operation of the processing system is detected, for example, when the detected value exceeds a preset allowable value, an alarm is issued to the operator in preparation for the failure. . Then, the operator manually stops the processing system or the control unit automatically stops the occurrence of trouble.

【0003】一方,各検出手段からの出力信号は,装置
内の状態変化を表す遷移情報として制御部に設けたディ
スクなどの記憶装置に記憶され,読み取り可能なデータ
として保存され,印刷などの出力が可能となる。つま
り,出力信号として得た情報をログとしてログファイル
に書き込むためのログ用ソフトウェアが,予め記憶装置
に記憶されており,処理システム稼働中に制御部におい
てこのログ用ソフトウェアを実行して,遷移情報をログ
ファイルに記録する。そして,処理システムに障害が発
生した場合,又,処理システム稼働中に障害の発生が予
測され稼働を停止した場合に,処理システムの状態遷移
情報が保存されたログファイルは,障害発生に関する調
査に活用される。
On the other hand, the output signal from each detecting means is stored in a storage device such as a disk provided in the control unit as transition information indicating a state change in the apparatus, stored as readable data, and output for printing or the like. Is possible. That is, the log software for writing the information obtained as the output signal as a log in the log file is stored in the storage device in advance, and the control unit executes the log software during the operation of the processing system to change the transition information. To the log file. Then, when a failure occurs in the processing system, or when a failure is predicted while the processing system is operating and the operation is stopped, the log file that stores the state transition information of the processing system can be used for investigating the occurrence of the failure. Be utilized.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,従来の
処理システムにあっては,処理システムの詳細な遷移情
報までログファイルに記録すると,短時間で記憶装置が
有する記憶容量の使用領域が最大となり,以後の遷移情
報の記録が不可能となる問題があった。逆に,長時間の
遷移情報をとるため,記憶容量のオーバーフローを防止
すべく,主要な情報のみをログファイルに記録する設定
にすると,処理システムの状態変化の調査,例えば障害
発生に関する調査において有用性が高い記録を得ること
ができなかった。
However, in the conventional processing system, if the detailed transition information of the processing system is recorded in the log file, the used area of the storage capacity of the storage device becomes maximum in a short time, There has been a problem that the subsequent recording of transition information becomes impossible. On the other hand, since the transition information is taken for a long time, if only the main information is recorded in the log file in order to prevent the overflow of the storage capacity, it is useful in the investigation of the state change of the processing system, for example, the investigation about the failure occurrence. It was not possible to obtain a record with high quality.

【0005】従って,本発明の目的は,処理システムの
状態変化の調査において有用性が高い記録を得ることが
できる処理システム及び処理方法を提供することにあ
る。
Therefore, an object of the present invention is to provide a processing system and a processing method capable of obtaining a record which is highly useful in investigating the state change of the processing system.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,本発明によれば,被処理体を処理する処理システム
であって,処理システムの各部の状態を検出する複数の
検出手段と,前記状態を表す情報を記録する記録手段を
備え,前記記録手段は,前記状態に応じて記録する情報
を変更可能とすることを特徴とする処理システムが提供
される。この処理システムにあっては,例えば,処理シ
ステムが正常に稼働している間は主要な情報のみを記録
し,重要な状態変化が生じた時にのみ,詳細な遷移情報
まで記録することができる。従って,短時間で記憶装置
の記憶容量の使用領域が最大になることがない。また,
処理システムの状態変化に関する有用性が高い記録を得
ることができる。
In order to solve the above problems, according to the present invention, there is provided a processing system for processing an object to be processed, comprising a plurality of detecting means for detecting the states of respective parts of the processing system. A processing system is provided, which is provided with a recording unit that records information representing the state, and the recording unit can change the information to be recorded according to the state. In this processing system, for example, only main information can be recorded while the processing system is operating normally, and detailed transition information can be recorded only when an important state change occurs. Therefore, the used area of the storage capacity of the storage device is not maximized in a short time. Also,
It is possible to obtain a highly useful record regarding the change in the state of the processing system.

【0007】さらに,前記記録手段は,障害が発生する
恐れがある状態を検知したときに,検知前よりも記録す
る情報を増加させることが好ましい。この処理システム
にあっては,処理システムの一部に異常状態が起こり障
害に発展した場合,異常状態発生から障害発生に至るま
での詳細な遷移情報を記録することができる。従って,
障害発生原因の調査において有用性が高い記録を得るこ
とができる。
Further, it is preferable that the recording means, when detecting a state in which a failure may occur, increase the amount of information to be recorded as compared with that before the detection. In this processing system, when an abnormal state occurs in a part of the processing system and develops into a failure, detailed transition information from the occurrence of the abnormal state to the occurrence of the failure can be recorded. Therefore,
It is possible to obtain records that are highly useful in investigating the cause of failure.

【0008】また,前記記録手段は,障害の発生に関連
のある状態を検知したときに,検知前よりも記録する情
報を増加させることが好ましい。この処理システムにあ
っては,処理システムに異常状態が起こり障害に発展し
た場合,最初に発生した異常状態と,その異常状態によ
り誘発された異常状態について,詳細な遷移情報を記録
することができる。従って,障害発生原因が障害に発展
する過程の調査において有用な記録を得ることができ
る。
Further, it is preferable that the recording means, when detecting a state related to the occurrence of a failure, increases the amount of information to be recorded as compared with that before the detection. In this processing system, when an abnormal state occurs in the processing system and develops into a failure, detailed transition information can be recorded for the abnormal state that occurred first and the abnormal state induced by the abnormal state. . Therefore, it is possible to obtain a useful record in the investigation of the process in which the cause of failure develops into a failure.

【0009】前記記録手段は,前記障害が発生する恐れ
が解消した状態を検知したときに,検知前よりも記録す
る情報を減少させることが好ましい。この処理システム
にあっては,例えば,処理システムに異常状態が発生し
たが,オペレータの操作や処理システムの制御機能によ
り障害を防止することができた場合,最初に発生した異
常状態とその異常状態により誘発された異常状態につい
て,詳細な遷移情報を記録することができ,さらに,異
常状態が解消するまでの詳細な遷移情報を記録すること
ができる。従って,異常状態とその解消に至るまでの過
程を調査する際に有用な記録を得ることができる。
[0009] It is preferable that the recording means, when detecting a state in which the fear of occurrence of the failure is eliminated, reduces the information to be recorded as compared with that before the detection. In this processing system, for example, when an abnormal state occurs in the processing system, but the failure can be prevented by the operation of the operator or the control function of the processing system, the abnormal state that occurs first and the abnormal state It is possible to record detailed transition information about the abnormal state induced by, and further record detailed transition information until the abnormal state is resolved. Therefore, it is possible to obtain a useful record when investigating the abnormal state and the process leading to its elimination.

【0010】前記記録手段は,ログファイルを作成する
ソフトウェアを記憶していることが好ましい。また,前
記記録手段は,前記状態に応じてレベルを変更し,その
レベルに属する情報を記録することが好ましい。この場
合,記録する遷移情報の選択を容易に行うことができ
る。
The recording means preferably stores software for creating a log file. Further, it is preferable that the recording means changes a level according to the state and records information belonging to the level. In this case, the transition information to be recorded can be easily selected.

【0011】また,本発明によれば,処理システムによ
って被処理体を処理する方法であって,前記処理システ
ムにおける各部の状態の変化に応じて,前記状態を表す
情報を記録することを特徴とする処理方法が提供され
る。この処理方法にあっては,例えば,処理が正常に行
われている間は主要な情報のみを記録し,処理に異常状
態が発生している間は,詳細な遷移情報まで記録するこ
とができる。従って,処理が正常に行われていた間の情
報が過剰に記録されないので,処理に異常状態が発生し
ていた間の記録が大量の遷移情報に埋もれてしまうこと
を防止できる。これにより,処理システム及び処理方法
の問題点を効率的に追跡することができる。
Further, according to the present invention, there is provided a method for processing an object to be processed by a processing system, characterized in that information representing the state is recorded according to a change in the state of each part in the processing system. A method of processing is provided. In this processing method, for example, only main information can be recorded during normal processing, and detailed transition information can be recorded during abnormal processing. . Therefore, since information is not excessively recorded while the processing is normally performed, it is possible to prevent the recording during the abnormal state of the processing from being buried in a large amount of transition information. As a result, the problems of the processing system and the processing method can be efficiently tracked.

【0012】本発明にあっては,障害が発生する恐れが
ある状態を検知したときに,記録する情報を増加させる
ことが好ましい。また,障害の発生に関連のある状態を
検知したときに,記録する情報を増加させることが好ま
しい。さらにまた,前記障害が発生する恐れが解消した
状態を検知したときに,記録する情報を減少させること
が好ましい。
In the present invention, it is preferable to increase the amount of information to be recorded when a state in which a failure may occur is detected. Further, it is preferable to increase the amount of information to be recorded when a condition related to the occurrence of a failure is detected. Furthermore, it is preferable to reduce the amount of information to be recorded when the state in which the possibility of the occurrence of the failure is eliminated is detected.

【0013】また,前記情報を前記状態の発生原因に基
づいて複数のカテゴリに分類し,前記複数のカテゴリを
組み合わせたレベルを作成し,前記状態に応じて前記レ
ベルを変更し,そのレベルに属する情報を記録すること
が好ましい。この場合,記録する遷移情報の選択を容易
に行うことができる。
Further, the information is classified into a plurality of categories based on the cause of occurrence of the state, a level is created by combining the plurality of categories, the level is changed according to the state, and the level belongs to the level. It is preferable to record information. In this case, the transition information to be recorded can be easily selected.

【0014】さらに,前記情報を前記状態の発生原因に
基づいて複数のカテゴリに分類するに際し,前記処理シ
ステムを構成する複数の異なる構成部に基づいて分類し
ても良い。この場合,構成部の稼働状態に基づいて遷移
情報を記録することができる。
Further, when classifying the information into a plurality of categories based on the cause of the occurrence of the state, the information may be classified based on a plurality of different constituent parts constituting the processing system. In this case, the transition information can be recorded based on the operating state of the constituent parts.

【0015】さらにまた,過去の稼働情報の分析に基づ
き,前記レベルを作成することが好ましい。例えば,あ
る状態に遷移したとき,次に特定の状態に遷移すること
が予測される場合,その特定の状態に遷移する予兆を知
るための情報のみを記録するようにする。この場合,例
えば,障害が発生する恐れがある最初に発生した異常状
態と,その異常状態により誘発されて遷移した障害発生
に関連のある異常状態に関して,詳細な遷移情報を記録
することができる。従って,障害発生原因が障害に発展
する過程の調査において有用な記録を得ることができ
る。
Furthermore, it is preferable to create the level based on an analysis of past operation information. For example, when a transition to a certain state is expected to occur next when a transition is made to a certain state, only information for knowing a sign of transition to the specific state is recorded. In this case, for example, it is possible to record detailed transition information regarding an abnormal state that occurs first when a failure may occur and an abnormal state related to the occurrence of a failure that is triggered by the abnormal state. Therefore, it is possible to obtain a useful record in the investigation of the process in which the cause of failure develops into a failure.

【0016】本発明にあっては,前記情報を記録するロ
グファイルを作成することが好ましい。この場合,処理
システムに備えた制御部によって,遷移情報の記録を容
易に行うことができる。
In the present invention, it is preferable to create a log file for recording the information. In this case, the transition information can be easily recorded by the control unit provided in the processing system.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態を,基板の一例としてウェハを処理する処理システム
に基づいて説明する。図1は,本実施の形態にかかる処
理システム1を示す斜視図であり,図2はその平面図で
ある。図1及び図2に示すように,処理システム1は,
ウェハWが水平状態で収納されたキャリアCを搬入出
し,また保管等する搬入出部2と,ウェハWに所定の薬
液を用いた液処理を行い,また乾燥処理等を行う液処理
部4と,搬入出部2と液処理部4との間でウェハWを搬
送するインターフェイス部3とで主に構成されている。
さらに,処理システム1は,処理システム1の各部の状
態を検出する種々の検出手段の出力信号に基づき,処理
システム1の処理を制御する制御部5を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below based on a processing system for processing a wafer as an example of a substrate. FIG. 1 is a perspective view showing a processing system 1 according to this embodiment, and FIG. 2 is a plan view thereof. As shown in FIGS. 1 and 2, the processing system 1 is
A loading / unloading section 2 for loading / unloading and storing the carrier C in which the wafer W is stored in a horizontal state; , And an interface section 3 for carrying the wafer W between the loading / unloading section 2 and the liquid processing section 4.
Furthermore, the processing system 1 includes a control unit 5 that controls the processing of the processing system 1 based on the output signals of various detection means that detect the states of the respective units of the processing system 1.

【0018】搬入出部2は,所定枚数,例えば25枚の
ウェハWを略水平に所定間隔で収納可能であって,その
一側面がウェハWの搬入出口となっており,この搬入出
口が蓋体により開閉可能となっている構造を有するキャ
リアCを載置するためのステージ11が形成されたキャ
リア搬入出部6と,キャリアCを保持するキャリア保持
部材13が所定数配設され,複数のキャリアCが保管可
能となっているキャリアストック部7が構成されてい
る。ステージ11に載置された液処理前のウェハWが収
納されたキャリアCは,キャリア搬送装置12によりキ
ャリアストック部7へ搬入され,一方,液処理を終了し
たウェハWが収納されたキャリアCは,キャリアストッ
ク部7からキャリア搬送装置12を用いて,ステージ1
1へと搬出される。
The loading / unloading unit 2 can store a predetermined number of wafers W, for example, 25 wafers W substantially horizontally at a predetermined interval, and one side surface thereof serves as a loading / unloading port for the wafer W, and this loading / unloading port is a lid. A predetermined number of carrier loading / unloading portions 6 in which a stage 11 for mounting a carrier C having a structure that can be opened and closed by a body is formed and a carrier holding member 13 for holding the carrier C are arranged, and a plurality of carrier holding members 13 are provided. The carrier stock section 7 is configured so that the carrier C can be stored. The carrier C in which the unprocessed wafer W mounted on the stage 11 is stored is carried into the carrier stock unit 7 by the carrier transfer device 12, while the carrier C in which the liquid-processed wafer W is stored is , Using the carrier transfer device 12 from the carrier stock section 7 to the stage 1
It is carried out to 1.

【0019】キャリア搬入出部6とキャリアストック部
7との間にはシャッター14が設けられており,キャリ
ア搬入出部6とキャリアストック部7との間でのキャリ
アC受け渡しの際にシャッター14が開かれ,それ以外
のときにはキャリア搬入出部6とキャリアストック部7
との間の雰囲気分離を行うべく,シャッター14は閉じ
た状態とされる。
A shutter 14 is provided between the carrier loading / unloading unit 6 and the carrier stock unit 7, and the shutter 14 is used when the carrier C is transferred between the carrier loading / unloading unit 6 and the carrier stock unit 7. The carrier loading / unloading section 6 and the carrier stock section 7 are opened at other times.
The shutter 14 is kept closed so as to separate the atmosphere between the shutter 14 and the shutter.

【0020】キャリア搬送装置12は,例えば,少なく
ともキャリアCをX方向に移動させることが可能なよう
に駆動される多関節アームまたは伸縮アーム等のアーム
12aを有しており,このようなアーム12aがキャリ
アCを把持してキャリアCの搬送を行う。また,キャリ
ア搬送装置12は,図示しないY軸駆動機構とZ軸駆動
機構により,Y方向及びZ方向(高さ方向)へも駆動可
能となっており,これにより所定位置に配設されたキャ
リア保持部材13にキャリアCを載置することが可能と
なっている。
The carrier transfer device 12 has, for example, an arm 12a such as an articulated arm or a telescopic arm which is driven so that at least the carrier C can be moved in the X direction. Holds the carrier C and carries the carrier C. Further, the carrier transfer device 12 can also be driven in the Y direction and the Z direction (height direction) by a Y-axis drive mechanism and a Z-axis drive mechanism (not shown). The carrier C can be placed on the holding member 13.

【0021】キャリア保持部材13は,図2では,キャ
リアストック部7を形成する壁面近傍に設けられてお
り,各箇所において高さ方向に複数段に,例えば4段に
設けられている。キャリアストック部7は,液処理前の
ウェハWが収納されたキャリアCを一時的に保管し,ま
た,ウェハWが取り出された内部が空となったキャリア
Cを保管する役割を果たす。
In FIG. 2, the carrier holding member 13 is provided in the vicinity of the wall surface forming the carrier stock portion 7, and is provided in a plurality of stages in the height direction at each location, for example, four stages. The carrier stock unit 7 plays a role of temporarily storing the carrier C in which the wafer W before liquid processing is stored and storing the carrier C in which the inside of the wafer W from which the wafer W is taken out is empty.

【0022】キャリアストック部7とインターフェイス
部3との境界には窓部16が形成されており,この窓部
16のキャリアストック部7側には,キャリアCの蓋体
が窓部16に対面するようにキャリアCを載置すること
ができるように,キャリア保持部材13と同様の構造を
有する検査/搬入出ステージ15が配設されている。な
お,検査/搬入出ステージ15を配設することなく,窓
部16に対面した所定のスペースにおいてキャリア搬送
装置12がキャリアCを所定時間保持するようにしても
よい。窓部16のキャリアストック部7側には,検査/
搬入出ステージ15に載置されたキャリアCの蓋体の開
閉を行うための蓋体開閉機構17が設けられており,窓
部16およびキャリアCの蓋体を開けた状態とすること
で,キャリアC内のウェハWをインターフェイス部3側
へ搬出することが可能となっており,逆に,インターフ
ェイス部3側から空のキャリアC内へウェハWを搬入す
ることも可能である。なお,蓋体開閉機構17は窓部1
6のインターフェイス部3側に設けてもよい。
A window portion 16 is formed at the boundary between the carrier stock portion 7 and the interface portion 3, and the lid of the carrier C faces the window portion 16 on the side of the carrier stock portion 7 of the window portion 16. An inspection / loading / unloading stage 15 having the same structure as the carrier holding member 13 is provided so that the carrier C can be placed. The carrier transfer device 12 may hold the carrier C for a predetermined time in a predetermined space facing the window 16 without disposing the inspection / loading / unloading stage 15. On the side of the carrier stock 7 of the window 16, inspection /
A lid opening / closing mechanism 17 for opening and closing the lid of the carrier C placed on the carry-in / out stage 15 is provided, and by opening the window 16 and the lid of the carrier C, the carrier The wafer W in C can be carried out to the interface section 3 side, and conversely, the wafer W can be carried in from the interface section 3 side into the empty carrier C. In addition, the lid opening / closing mechanism 17 includes the window 1
6 may be provided on the interface section 3 side.

【0023】窓部16のインターフェイス部3側には,
キャリアC内のウェハWの枚数を計測するためのウェハ
検査装置18が配設されている。ウェハ検査装置18
は,例えば,送信部と受信部を有する赤外線センサヘッ
ドを,キャリアC内に収納されたウェハWのX方向端近
傍においてZ方向にスキャンさせながら,送信部と受信
部との間で赤外線の透過光または反射光の信号を検知し
て,ウェハWの枚数を検査する。ここで,ウェハ検査装
置18としては,ウェハWの枚数の検査と並行して,ウ
ェハWの収納状態,例えば,キャリアC内にウェハWが
所定のピッチで平行に1枚ずつ配置されているかどう
か,ウェハWが段差ずれして斜めに収納されていないか
どうか等を検出する機能を具備したものを用いることが
好ましい。また,ウェハWの収納状態を確認した後に,
同センサを用いてウェハWの枚数を検出するようにして
もよい。なお,ウェハWの枚数のみを検査するウェハ検
査装置は,例えば,キャリアC内でのウェハWの段差ず
れ等が,経験上,殆ど生ずることがない場合等に用いら
れ,ウェハWの収納状態のみを検査するウェハ検出装置
は,例えば,ウェハWの収納枚数に過不足が生ずること
が経験上,極めて少ない回数でしか発生しない場合等に
用いることができる。このウェハ検査装置18は,制御
部5に信号入力機器として配線接続されており,検出し
た収納枚数及び収納状態を出力信号として制御部5に送
信する。
On the interface section 3 side of the window section 16,
A wafer inspection device 18 for counting the number of wafers W in the carrier C is provided. Wafer inspection device 18
Is, for example, an infrared sensor head having a transmitter and a receiver is scanned in the Z direction in the vicinity of the X direction end of the wafer W housed in the carrier C, while transmitting infrared rays between the transmitter and the receiver. The number of wafers W is inspected by detecting the signal of light or reflected light. Here, the wafer inspecting device 18 performs the inspection of the number of the wafers W in parallel with the storage state of the wafers W, for example, whether or not the wafers W are arranged in the carrier C one by one in parallel at a predetermined pitch. It is preferable to use a wafer W having a function of detecting whether or not the wafer W is deviated from the step and is not stored obliquely. Also, after confirming the stored state of the wafer W,
The same sensor may be used to detect the number of wafers W. The wafer inspection apparatus that inspects only the number of the wafers W is used, for example, when a step difference of the wafers W in the carrier C or the like rarely occurs in experience. The wafer detection device for inspecting can be used, for example, when the number of stored wafers W is deficient and empirical, and it occurs only a very small number of times. The wafer inspection device 18 is connected to the controller 5 by wiring as a signal input device, and transmits the detected number of stored sheets and the stored state as an output signal to the controller 5.

【0024】キャリア搬送装置12とウェハ検査装置1
8とは,制御部5によってその動作が制御される。例え
ば,制御部5は,キャリアC内のウェハWの枚数をウェ
ハ検査装置18により検査した後に,そのキャリアCを
キャリアストック部7に保管するように,キャリア搬送
装置12を制御する。なお,制御部5により,シャッタ
ー14の開閉や窓部16の開閉,蓋体開閉機構17の動
作がキャリア搬送装置12の動きに連動して制御され
る。
Carrier transfer device 12 and wafer inspection device 1
The operation of the control unit 8 is controlled by the control unit 5. For example, the control unit 5 controls the carrier transfer device 12 so that the carrier C is stored in the carrier stock unit 7 after the number of wafers W in the carrier C is inspected by the wafer inspection device 18. The control unit 5 controls the opening / closing of the shutter 14, the opening / closing of the window 16, and the operation of the lid opening / closing mechanism 17 in conjunction with the movement of the carrier transfer device 12.

【0025】インターフェイス部3には,ウェハ搬入出
装置19と,ウェハ移し替え装置21と,ウェハ搬送装
置22が配設されており,ウェハ移し替え装置21は,
ウェハ搬入出装置19との間でウェハWの受け渡しを行
い,かつ,ウェハWの姿勢を変換する姿勢変換機構21
aと,姿勢変換機構21aとウェハ搬送装置22との間
でウェハWの受け渡しを行うウェハ垂直保持機構21b
から構成されている。
The interface unit 3 is provided with a wafer loading / unloading device 19, a wafer transfer device 21, and a wafer transfer device 22. The wafer transfer device 21 includes:
Attitude conversion mechanism 21 for transferring the wafer W to and from the wafer loading / unloading device 19 and for converting the attitude of the wafer W
a, a vertical wafer holding mechanism 21b for transferring the wafer W between the posture changing mechanism 21a and the wafer transfer device 22.
It consists of

【0026】ウェハ搬入出装置19は,窓部16を通し
てキャリアC内のウェハWを搬出して姿勢変換機構21
aへ受け渡し,また,液処理が終了したウェハWを姿勢
変換機構21aから受け取ってキャリアCへ搬入する。
このウェハ搬入出装置19は,未処理のウェハWの搬送
を行うアーム19aと,液処理済みのウェハWの搬送を
行うアーム19bの2系統のアームを有し,アーム19
a・19bは,キャリアC内に収納された複数のウェハ
Wを一括して保持することができるように,キャリアC
内におけるウェハWの配列ピッチに適合させて,所定数
ほどZ方向に所定間隔で並べられている。また,図2に
示した状態において,アーム19a・19bは矢印A方
向に移動(スライド)または伸縮自在であり,かつ,Z
方向に所定距離昇降可能となっている。さらに,ウェハ
搬入出装置19全体はθ方向に回転可能に構成されてお
り,これにより,アーム19a・19bは,検査/搬入
出ステージ15に載置されたキャリアCおよび姿勢変換
機構21aのいずれにもアクセス可能となっている。
The wafer loading / unloading device 19 unloads the wafer W in the carrier C through the window portion 16 to move the attitude changing mechanism 21.
Further, the wafer W that has been transferred to a and has undergone the liquid processing is received from the posture changing mechanism 21a and carried into the carrier C.
The wafer loading / unloading device 19 has two systems of arms: an arm 19a for carrying an unprocessed wafer W and an arm 19b for carrying a liquid-processed wafer W.
a. 19b is a carrier C so that a plurality of wafers W accommodated in the carrier C can be collectively held.
A predetermined number of the wafers W are arranged in the Z direction at predetermined intervals in conformity with the arrangement pitch of the wafers W therein. Further, in the state shown in FIG. 2, the arms 19a and 19b are movable (slide) or extendable in the arrow A direction, and Z
It is possible to move up and down in a predetermined direction. Further, the entire wafer loading / unloading device 19 is configured to be rotatable in the θ direction, so that the arms 19a and 19b can be mounted on either the carrier C mounted on the inspection / loading stage 15 or the attitude changing mechanism 21a. Is also accessible.

【0027】ウェハ搬入出装置19の駆動形態は,例え
ば,次の通りである。先ず,アーム19aがウェハ移し
替え装置21側にあり,矢印A方向がX方向と一致して
いる状態において,アーム19aを移動(スライド)ま
たは伸長させてウェハWの下側に挿入し,アーム19a
を所定距離上昇させてウェハWをアーム19aに保持さ
せ,その後アーム19aを逆方向に移動(スライド)ま
たは縮ませることで,キャリアC内のウェハWを搬出す
る。次いで,ウェハ搬入出装置19全体を図2において
反時計回りに90度(°)回転させて,矢印A方向がY
方向と一致し,かつ,アーム19aが液処理部4側にあ
る状態としてアーム19aを移動(スライド)または伸
縮させることで,アーム19aに保持したウェハWを姿
勢変換機構21aへ受け渡すことができる。一方,矢印
A方向がY方向と一致し,かつ,アーム19bが液処理
部4側にある状態として,アーム19bを移動(スライ
ド)または伸縮させて姿勢変換機構21aから液処理済
みのウェハWを取り出した後,ウェハ搬入出装置19全
体を図2において時計回りに90°回転させて矢印A方
向とX方向とを一致させ,かつ,アーム19bがウェハ
移し替え装置21側にある状態として,アーム19bを
移動(スライド)または伸縮させることで,アーム19
bに保持されたウェハWを空のキャリアCへ搬入するこ
とができる。
The driving mode of the wafer loading / unloading device 19 is as follows, for example. First, in a state where the arm 19a is on the wafer transfer device 21 side and the arrow A direction coincides with the X direction, the arm 19a is moved (slide) or extended and inserted into the lower side of the wafer W.
Is lifted by a predetermined distance to hold the wafer W on the arm 19a, and then the arm 19a is moved (slide) or contracted in the opposite direction to carry out the wafer W in the carrier C. Next, the entire wafer loading / unloading device 19 is rotated 90 degrees (°) counterclockwise in FIG.
The wafer W held by the arm 19a can be transferred to the posture changing mechanism 21a by moving (sliding) or expanding and contracting the arm 19a in the same direction as the arm 19a on the side of the liquid processing unit 4. . On the other hand, in a state where the arrow A direction coincides with the Y direction and the arm 19b is on the liquid processing unit 4 side, the arm 19b is moved (slide) or expanded / contracted to move the liquid processed wafer W from the posture changing mechanism 21a. After the removal, the entire wafer loading / unloading device 19 is rotated clockwise by 90 ° in FIG. 2 so that the arrow A direction and the X direction are aligned with each other, and the arm 19b is on the wafer transfer device 21 side. By moving (sliding) or expanding / contracting 19b, the arm 19
The wafer W held by b can be carried into the empty carrier C.

【0028】ウェハ搬入出装置19を用いたウェハWの
搬送は,ウェハWを略水平状態として行われるが,ウェ
ハWの洗浄はウェハWを略垂直状態として行う必要があ
ることから,姿勢変換機構21aにおいてウェハWの姿
勢変換を行う。姿勢変換機構21aは,例えば,ウェハ
搬入出装置19におけるウェハWの配列ピッチに合わせ
てウェハWを保持するための溝等が形成されたガイド部
材等を有しており,このガイド部材等が複数のウェハW
を保持して所定方向に約90°回転することで,複数の
ウェハWを水平状態から垂直状態へと変換する。こうし
て垂直状態に変換されたウェハWは,ウェハ搬送装置2
2へ受け渡される前に,一旦,ウェハ垂直保持機構21
bへ受け渡される。
The transfer of the wafer W using the wafer loading / unloading device 19 is carried out with the wafer W in a substantially horizontal state, but the cleaning of the wafer W needs to be carried out with the wafer W in a substantially vertical state. At 21a, the attitude of the wafer W is changed. The attitude changing mechanism 21a has, for example, a guide member or the like in which grooves or the like for holding the wafers W are formed in accordance with the arrangement pitch of the wafers W in the wafer loading / unloading device 19, and the guide members and the like are plural. Wafer W
The wafers W are converted from the horizontal state to the vertical state by holding the wafer and rotating it by about 90 ° in a predetermined direction. The wafer W thus converted into the vertical state is transferred to the wafer transfer device 2
The wafer vertical holding mechanism 21
Handed over to b.

【0029】ウェハ垂直保持機構21bは,キャリアC
内におけるウェハ配列ピッチの半分の配列ピッチでウェ
ハWを収納することができるように溝部が形成された構
造を有しており,2個のキャリアC内に収納された合計
50枚のウェハWを収納することができるようになって
いる。こうして2個のキャリアC内に収納されたウェハ
Wは同時に液処理することができる。ウェハ垂直保持機
構21bは,姿勢変換機構21aとの間でウェハWの受
け渡しが可能な位置と,ウェハ搬送装置22のチャック
28a〜28cとの間でウェハWの受け渡しが可能な位
置との間でスライド自在であり,略垂直状態のウェハW
をウェハWの下側で保持しつつ,ウェハ搬送装置22側
へスライドした際にウェハ搬送装置22のチャック28
a〜28cと衝突しない構造を有している。
The wafer vertical holding mechanism 21b includes a carrier C.
The wafer W has a structure in which the groove portions are formed so that the wafers W can be housed at an arrangement pitch that is half the wafer arrangement pitch in the inside, and a total of 50 wafers W housed in the two carriers C are stored. It can be stored. In this way, the wafers W stored in the two carriers C can be simultaneously subjected to liquid processing. The wafer vertical holding mechanism 21b is provided between a position where the wafer W can be transferred to and from the attitude changing mechanism 21a and a position where the wafer W can be transferred to and from the chucks 28a to 28c of the wafer transfer device 22. Wafer W that is slidable and is almost vertical
Holding the wafer W on the lower side of the wafer W, the chuck 28 of the wafer transfer device 22 is slid toward the wafer transfer device 22 side.
It has a structure that does not collide with a to 28c.

【0030】ウェハ移し替え装置21におけるウェハW
の配列ピッチの調整は,例えば,次のようにして行われ
る。先ず,1個目のキャリアCから25枚のウェハWを
ウェハ搬入出装置19により姿勢変換機構21aへ移し
替える。次に,姿勢変換機構21aは,ウェハWを略垂
直状態に姿勢変換してウェハ垂直保持機構21bに受け
渡す。この時点では,ウェハ垂直保持機構21bに受け
渡されたウェハWの配列ピッチはキャリアC内での配列
ピッチと同じである。続いて,2個目のキャリアCから
25枚のウェハWをウェハ搬入出装置19により姿勢変
換機構21aへ移し替える。その後に姿勢変換機構21
aはウェハWを略垂直状態に姿勢変換してウェハ垂直保
持機構21bに受け渡すが,このときウェハ垂直保持機
構21bの位置をウェハWの配列方向に配列ピッチの半
分の距離だけずらしておくことで,ウェハ垂直保持機構
21bにキャリアC内での配列ピッチの半分の配列ピッ
チでウェハWを保持することができる。
Wafer W in Wafer Transfer Device 21
The arrangement pitch is adjusted as follows, for example. First, 25 wafers W from the first carrier C are transferred to the posture changing mechanism 21a by the wafer loading / unloading device 19. Next, the posture changing mechanism 21a changes the posture of the wafer W into a substantially vertical state and transfers it to the wafer vertical holding mechanism 21b. At this time, the arrangement pitch of the wafers W transferred to the wafer vertical holding mechanism 21b is the same as the arrangement pitch in the carrier C. Subsequently, 25 wafers W from the second carrier C are transferred to the posture changing mechanism 21a by the wafer loading / unloading device 19. After that, the posture conversion mechanism 21
At a, the attitude of the wafer W is changed to a substantially vertical state and is transferred to the wafer vertical holding mechanism 21b. At this time, the position of the wafer vertical holding mechanism 21b is shifted in the arrangement direction of the wafer W by a distance of half the arrangement pitch. Thus, the wafer W can be held in the wafer vertical holding mechanism 21b at an arrangement pitch that is half the arrangement pitch in the carrier C.

【0031】ウェハ搬送装置22は,ウェハ垂直保持機
構21bとの間で垂直状態のウェハWの受け渡しを行
い,未処理のウェハWを液処理部4へ搬入し,逆に,液
処理等の終了したウェハWを液処理部4から搬出して,
ウェハ垂直保持機構21bに受け渡す。ウェハ搬送装置
22においては,ウェハWは3本のチャック28a〜2
8cにより保持される。ウェハ搬送装置22がウェハ垂
直保持機構21bとの間でウェハWの受け渡しを行い,
また,液処理部4へウェハWを搬送することができるよ
うに,ウェハ搬送装置22は,ガイドレール23に沿っ
てX方向に移動し,液処理部4へ進入/退出することが
できるようになっている。
The wafer transfer device 22 transfers the wafer W in the vertical state to and from the vertical wafer holding mechanism 21b, carries in the unprocessed wafer W to the liquid processing section 4, and conversely ends the liquid processing. The carried wafer W is unloaded from the liquid processing unit 4,
The wafer is vertically transferred to the vertical holding mechanism 21b. In the wafer transfer device 22, the wafer W has three chucks 28 a-2.
It is held by 8c. The wafer transfer device 22 transfers the wafer W to and from the wafer vertical holding mechanism 21b,
Further, the wafer transfer device 22 moves in the X direction along the guide rails 23 so that the wafer W can be transferred to the liquid processing unit 4 and can enter / exit the liquid processing unit 4. Has become.

【0032】また,液処理後のウェハWに損傷や位置ず
れ等の発生がないかどうかを確認するために,ウェハ垂
直保持機構21bとウェハ搬送装置22との間でウェハ
Wの受け渡しが行われる位置に,ウェハWの配列状態を
検査するウェハ検出センサ27が設けられている。な
お,ウェハ検出センサ27は,このような位置に限定さ
れず,ウェハWが,液処理後ウェハ搬入出位置19へ搬
送されるまでの間で検査を行うことができる位置にあれ
ばよい。ウェハ検出センサ27は,制御部5に信号入力
機器として配線接続されており,検出値を出力信号とし
て制御部5に送信する。
The wafer W is transferred between the wafer vertical holding mechanism 21b and the wafer transfer device 22 in order to confirm whether the wafer W after the liquid processing is damaged or displaced. A wafer detection sensor 27 for inspecting the arrangement state of the wafers W is provided at the position. The wafer detection sensor 27 is not limited to such a position and may be any position as long as the wafer W can be inspected after the liquid processing and before being transferred to the wafer loading / unloading position 19. The wafer detection sensor 27 is wire-connected to the control unit 5 as a signal input device, and transmits the detected value as an output signal to the control unit 5.

【0033】インターフェイス部3には,ウェハ垂直保
持機構21bとウェハ搬送装置22との間でウェハWの
受け渡しが行われる場所の横に,パーキングエリア10
aが設けられており,このパーキングエリア10aに
は,例えば,未処理のウェハWを待機させることが可能
となっている。例えば,液処理または乾燥処理があるロ
ットのウェハWについて行われており,ウェハ搬送装置
22を運転させることが必要でない時間を利用して,次
に液処理を開始すべきウェハWをパーキングエリア10
aに搬送しておく。これにより,例えば,キャリアスト
ック部7からウェハWを搬送してくる場合と比較する
と,ウェハWの液処理ユニット8への移動時間を短縮す
ることが可能となり,スループットを向上させることが
できる。
The interface section 3 has a parking area 10 beside the place where the wafer W is transferred between the wafer vertical holding mechanism 21b and the wafer transfer device 22.
a is provided, and, for example, an unprocessed wafer W can be made to wait in this parking area 10a. For example, when the wafer W of a lot having the liquid treatment or the drying treatment is performed and it is not necessary to operate the wafer transfer device 22, the wafer W to be next subjected to the liquid treatment is set in the parking area 10.
It is transported to a. As a result, compared with, for example, the case where the wafer W is transferred from the carrier stock unit 7, it is possible to shorten the time required to move the wafer W to the liquid processing unit 8 and improve the throughput.

【0034】液処理部4は,液処理ユニット8と,乾燥
ユニット9と,パーキングエリア10bから構成されて
おり,インターフェイス部3側から,乾燥ユニット9,
液処理ユニット8,パーキングエリア10bの順で配置
されている。ウェハ搬送装置22は,X方向に延在する
ガイドレール23に沿って液処理部4内を移動すること
ができるようになっている。
The liquid processing unit 4 is composed of a liquid processing unit 8, a drying unit 9 and a parking area 10b.
The liquid processing unit 8 and the parking area 10b are arranged in this order. The wafer transfer device 22 can be moved in the liquid processing section 4 along a guide rail 23 extending in the X direction.

【0035】パーキングエリア10bは,パーキングエ
リア10aと同様に,未処理のウェハWを待機させる場
所である。液処理または乾燥処理があるロットのウェハ
Wについて行われており,ウェハ搬送装置22を運転さ
せることが必要でない時間を利用して,次に液処理を開
始すべきウェハWがパーキングエリア10bへ搬送され
る。パーキングエリア10bは液処理ユニット8に隣接
していることから,液処理開始にあたって,ウェハWの
移動時間を短縮することが可能となり,スループットを
向上させることができる。
The parking area 10b, like the parking area 10a, is a place for waiting an unprocessed wafer W. The wafer W to be started next is transferred to the parking area 10b by using the time when the wafer W of the lot having the liquid processing or the drying processing is performed and it is not necessary to operate the wafer transfer device 22. To be done. Since the parking area 10b is adjacent to the liquid processing unit 8, it is possible to shorten the moving time of the wafer W when starting the liquid processing and improve the throughput.

【0036】液処理ユニット8には,図2に示すよう
に,パーキングエリア10b側から,基板処理装置3
1,32,33,34,35,36が順に配置されてい
る。また,基板処理装置31内の薬液槽(後述する薬液
槽48)と基板処理装置32内の水洗槽との間でウェハ
Wを搬送するための搬送装置37,基板処理装置33内
の薬液槽と基板処理装置34内の水洗槽との間でウェハ
Wを搬送するための搬送装置38,基板処理装置35内
の薬液槽と基板処理装置36内の水洗槽との間でウェハ
Wを搬送するための搬送装置39を備えている。
As shown in FIG. 2, the liquid processing unit 8 includes the substrate processing apparatus 3 from the parking area 10b side.
1, 32, 33, 34, 35 and 36 are arranged in order. Further, a transfer device 37 for transferring the wafer W between a chemical solution tank in the substrate processing apparatus 31 (chemical solution tank 48 described later) and a washing tank in the substrate processing apparatus 32, and a chemical solution tank in the substrate processing apparatus 33. A transfer device 38 for transferring the wafer W to and from the water washing tank in the substrate processing apparatus 34, and a wafer W between the chemical bath in the substrate processing apparatus 35 and the water washing tank in the substrate processing apparatus 36. The transport device 39 of FIG.

【0037】例えば,基板処理装置31内の薬液槽に
は,有機性汚れ除去や表面金属不純物除去を行うための
薬液が貯留されている。有機性汚れ除去や表面金属不純
物除去を行うための薬液としては,例えば130℃前後
に加熱されたSPM液(濃硫酸と過酸化水素水の混合溶
液)が貯留される。また基板処理装置33内の薬液槽に
は,パーティクル等の付着物を除去するための薬液,例
えばSC−1液(アンモニアと過酸化水素と水の混合溶
液)が貯留されており,基板処理装置35内の薬液槽に
は,ウェハWの表面に形成された酸化膜をエッチングす
るためのエッチング液,例えば希フッ酸(DHF)が貯
留されている。エッチング液としては,希フッ酸の他,
フッ酸(HF)とフッ化アンモニウムとの混合物(バッ
ファドフッ酸(BHF))を用いることもできる。ま
た,ウェハWの表面に形成された窒化膜をエッチングす
る場合は,エッチング液としてリン酸を用いることがで
きる。基板処理装置32,34,36内の水洗槽は,そ
れぞれ基板処理装置31,33,35内の薬液槽による
液処理によってウェハWに付着した薬液を除去するもの
であり,例えば,オーバーフローリンスやクイックダン
プリンス等の各種の水洗手法が用いられる。
For example, the chemical solution tank in the substrate processing apparatus 31 stores a chemical solution for removing organic dirt and surface metal impurities. As a chemical solution for removing organic dirt and surface metal impurities, for example, an SPM solution (mixed solution of concentrated sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) heated to about 130 ° C. is stored. Further, a chemical solution for removing adhered substances such as particles, for example, SC-1 solution (a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water) is stored in the chemical solution tank in the substrate processing apparatus 33. An etchant for etching the oxide film formed on the surface of the wafer W, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF) is stored in the chemical bath in the 35. As the etching solution, in addition to dilute hydrofluoric acid,
It is also possible to use a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ammonium fluoride (buffered hydrofluoric acid (BHF)). When etching the nitride film formed on the surface of the wafer W, phosphoric acid can be used as an etching solution. The water washing tanks in the substrate processing devices 32, 34, 36 remove chemicals adhering to the wafer W by liquid treatment in the chemical liquid baths in the substrate processing devices 31, 33, 35, respectively. Various washing methods such as dump rinse are used.

【0038】搬送装置37は,Z方向に昇降可能な駆動
機構を有しており,ウェハ搬送装置22から受け渡され
たウェハWを下降させて基板処理装置31内の薬液槽に
浸して所定時間経過後に引き上げ,次いで,ウェハWを
X方向に平行移動させてウェハWを基板処理装置32内
の水洗槽に浸して所定時間保持し,引き上げるように動
作する。基板処理装置32内の水洗槽での処理を終えた
ウェハWは,一度,ウェハ搬送装置22のチャック28
a〜28cに戻された後,ウェハ搬送装置22から搬送
装置38へ搬送される。搬送装置38,39は,搬送装
置37と同様の構成を有し,また,同様に動作する。な
お,ウェハ搬送装置22と搬送装置37〜39との間で
のウェハWの受け渡しは,それぞれ基板処理装置32,
34,36内の水洗槽上で行うことが好ましい。これ
は,ウェハ搬送装置22を基板処理装置31,33,3
5内の薬液槽の上部に停止させた場合には,薬液の蒸気
等によってウェハ搬送装置22が汚染され,また,損傷
を受けることを防ぐためである。
The transfer device 37 has a drive mechanism capable of moving up and down in the Z direction, and lowers the wafer W transferred from the wafer transfer device 22 to immerse it in the chemical bath in the substrate processing device 31 for a predetermined time. After the lapse of time, the wafer W is moved in parallel with the X direction, so that the wafer W is immersed in a washing bath in the substrate processing apparatus 32, held for a predetermined time, and lifted. The wafer W that has been processed in the washing tank in the substrate processing apparatus 32 is once transferred to the chuck 28 of the wafer transfer apparatus 22.
After being returned to a to 28c, the wafer is transferred from the wafer transfer device 22 to the transfer device 38. The transfer devices 38 and 39 have the same configuration as the transfer device 37 and operate in the same manner. The wafer W is transferred between the wafer transfer device 22 and the transfer devices 37 to 39, respectively.
It is preferable to carry out on the washing tank in 34 and 36. This is to transfer the wafer transfer device 22 to the substrate processing devices 31, 33, 3
This is to prevent the wafer transfer device 22 from being contaminated and damaged by the vapor of the chemical liquid when it is stopped at the upper part of the chemical liquid tank in 5.

【0039】液処理ユニット8には,液処理ユニット8
内の雰囲気の温度を検出する液処理ユニット温度計29
及び圧力を検出する液処理ユニット圧力計30が設置さ
れている。液処理ユニット温度計29及び液処理ユニッ
ト圧力計30は,制御部5に信号入力機器として配線接
続されており,それぞれ検出した温度及び圧力を出力信
号として制御部5に送信する。
The liquid processing unit 8 includes the liquid processing unit 8
Liquid processing unit thermometer 29 for detecting the temperature of the internal atmosphere
And a liquid processing unit pressure gauge 30 for detecting the pressure. The liquid processing unit thermometer 29 and the liquid processing unit pressure gauge 30 are wired and connected to the control unit 5 as signal input devices, and respectively send the detected temperature and pressure to the control unit 5 as output signals.

【0040】乾燥ユニット9には,水洗槽24とウェハ
搬送装置22のチャック28a〜28cを洗浄するチャ
ック洗浄機構26が配設されており,水洗槽24の上部
には,例えばイソプロピルアルコール(IPA)の蒸気
が供給されてウェハWを乾燥する乾燥室(図示せず)が
設けられている。また,水洗槽24と乾燥室との間でウ
ェハWを搬送する搬送装置25が設けられており,水洗
槽24で水洗されたウェハWが搬送装置25で引き上げ
られ,乾燥室においてIPA乾燥されるようになってい
る。搬送装置25はX方向の移動ができない他は前述し
た搬送装置37等と同様に構成されており,ウェハ搬送
装置22との間でウェハWの受け渡しが可能となってい
る。
The drying unit 9 is provided with a washing tank 24 and a chuck cleaning mechanism 26 for cleaning the chucks 28a to 28c of the wafer transfer device 22. Above the washing tank 24, for example, isopropyl alcohol (IPA) is provided. Is provided with a drying chamber (not shown) for drying the wafer W. Further, a transfer device 25 for transferring the wafer W is provided between the washing tank 24 and the drying chamber, and the wafer W washed in the washing tank 24 is pulled up by the transferring device 25 and IPA dried in the drying chamber. It is like this. The transfer device 25 has the same structure as the transfer device 37 described above except that it cannot move in the X direction, and can transfer the wafer W to and from the wafer transfer device 22.

【0041】次に,所定濃度の薬液によってウェハWに
対し有機性汚れ除去や表面金属不純物除去を行う基板処
理装置31について説明する。図4は,薬液を循環流通
させた場合における基板処理装置31の回路系統の説明
図である。基板処理装置31内に備えられた薬液槽48
はウェハWを収納するのに充分な大きさを有する箱形の
内槽50と外槽51から構成されている。内槽50の上
面は開口しており,この上面の開口部を介してウェハW
が内槽50の内部に挿入される。外槽51は,内槽50
の上端からオーバーフローした薬液を受けとめるよう
に,内槽50の開口部を取り囲んで装着されている。さ
らに,外槽51に貯留される薬液の液面には,液面の位
置を計測するための液面センサ52が備えられている。
この液面センサ52は,制御部5に信号入力機器として
配線接続されており,検出した液面の位置を出力信号と
して制御部5に送信する。
Next, a substrate processing apparatus 31 for removing organic stains and surface metal impurities from the wafer W with a chemical solution having a predetermined concentration will be described. FIG. 4 is an explanatory diagram of a circuit system of the substrate processing apparatus 31 when the chemical liquid is circulated and circulated. Chemical bath 48 provided in the substrate processing apparatus 31
Is composed of a box-shaped inner tank 50 and an outer tank 51 having a size large enough to accommodate the wafer W. The upper surface of the inner tank 50 is open, and the wafer W is opened through the opening on the upper surface.
Is inserted into the inner tank 50. The outer tank 51 is the inner tank 50
The inner tank 50 is mounted so as to surround the opening so as to receive the chemical solution overflowing from the upper end of the inner tank 50. Further, the liquid level of the chemical liquid stored in the outer tank 51 is provided with a liquid level sensor 52 for measuring the position of the liquid level.
The liquid level sensor 52 is wired and connected to the control unit 5 as a signal input device, and transmits the detected position of the liquid level to the control unit 5 as an output signal.

【0042】内槽50と外槽51との間には,ウェハW
のエッチング処理中に薬液を循環流通させて供給する循
環供給回路54が接続されている。この循環供給回路5
4の一方は外槽51の底面に接続されており,循環供給
回路54の途中には,ポンプ56,温度制御部58,フ
ィルタ60が順に配列され,循環供給回路54の他方は
内槽50内のノズルに接続されている。従って,内槽5
0から外槽51にオーバーフローした薬液は循環供給回
路54に流入し,ポンプ56の稼働によって温度制御部
58,フィルタ60の順に通過し温調及び清浄化された
後,ノズルを経て再び内槽50内に供給されるようにな
っている。ノズルは外槽51の下方に配置されており,
ウェハWの表面に向かって薬液を供給するように構成さ
れている。
A wafer W is provided between the inner tank 50 and the outer tank 51.
A circulation supply circuit 54 is connected to supply and circulate the chemical solution during the etching process. This circulation supply circuit 5
One of the four is connected to the bottom surface of the outer tank 51, a pump 56, a temperature control unit 58, and a filter 60 are sequentially arranged in the middle of the circulation supply circuit 54, and the other of the circulation supply circuit 54 is inside the inner tank 50. Connected to the nozzle. Therefore, the inner tank 5
The chemical liquid that has overflowed from 0 to the outer tank 51 flows into the circulation supply circuit 54, passes through the temperature control unit 58 and the filter 60 in this order by the operation of the pump 56, is temperature-controlled and cleaned, and then passes through the nozzle again to the inner tank 50. It will be supplied inside. The nozzle is located below the outer tank 51,
It is configured to supply the chemical liquid toward the surface of the wafer W.

【0043】温度制御部58は,内槽50内の薬液が所
定の処理温度よりも低く又は高くならないように,循環
供給回路54から内槽50内に供給される薬液をウェハ
Wの浸漬前に予め冷却又は加熱しておく機能を有してい
る。このように,予め冷却又は加熱された薬液を内槽5
0内に供給することにより,内槽50内の薬液の温度を
維持することが可能となる。また,温度制御部58は制
御部5に信号出力機器として配線接続されており,制御
部5から出力された制御信号を受信する。例えば,温度
制御部58はヒータと熱交換器及び冷却水供給手段とか
ら構成されており,熱交換器内部に冷却水を導入する冷
却水供給路の途中に配置された弁とヒータが,制御部5
に接続されている。そして,制御部5はこの送信に基づ
いて,必要に応じて所定の制御信号をヒータ又は弁の何
れかに送信する構成になっている。
The temperature control unit 58 prevents the chemical liquid in the inner tank 50 from becoming lower or higher than the predetermined processing temperature before the chemical liquid supplied from the circulation supply circuit 54 into the inner tank 50 before the immersion of the wafer W. It has the function of cooling or heating in advance. In this way, the pre-cooled or heated chemical solution is supplied to the inner tank 5
By supplying to the inside of 0, it becomes possible to maintain the temperature of the chemical liquid in the inner tank 50. Further, the temperature control unit 58 is connected to the control unit 5 by wiring as a signal output device and receives the control signal output from the control unit 5. For example, the temperature control unit 58 is composed of a heater, a heat exchanger, and a cooling water supply means, and a valve and a heater arranged in the middle of a cooling water supply path for introducing cooling water into the heat exchanger control the heater. Part 5
It is connected to the. Then, based on this transmission, the control unit 5 is configured to transmit a predetermined control signal to either the heater or the valve as needed.

【0044】循環供給回路54の途中には,循環供給回
路54内の薬液を外槽51に流入させる分岐管62が接
続されており,さらに分岐管62には,薬液の温度及び
濃度を検出するための濃度・温度検出部65が介設され
ている。濃度・温度検出部65は制御部5に信号入力機
器として配線接続されている。濃度・温度検出部65に
は,薬液の温度を検出する温度計と,薬液の濃度を検出
する濃度計が備えられおり,それぞれ検出した温度及び
濃度を出力信号として制御部5に送信する。
In the middle of the circulation supply circuit 54, a branch pipe 62 for connecting the chemical liquid in the circulation supply circuit 54 to the outer tank 51 is connected, and the branch pipe 62 detects the temperature and concentration of the chemical liquid. A concentration / temperature detection unit 65 is provided for this purpose. The concentration / temperature detection unit 65 is connected to the control unit 5 as a signal input device by wiring. The concentration / temperature detection unit 65 includes a thermometer that detects the temperature of the chemical liquid and a concentration meter that detects the concentration of the chemical liquid, and sends the detected temperature and concentration to the control unit 5 as output signals.

【0045】分岐管62は循環供給回路54の管より細
く,例えば分岐管62の直径が循環供給回路54の直径
の1/3となっている。この場合,乱流の発生を防止で
きるので,濃度・温度検出部65において超音波濃度計
を使用した場合であっても,濃度の計測に用いる超音波
は乱流渦の影響を受けない。また,ポンプ56の駆動に
よって生じる薬液の圧力変動が濃度の計測に与える影響
を抑制する。従って,高精度な濃度測定が可能となる。
なお,分岐管62の上流端をフィルタ60のドレインラ
インに接続し,フィルタ60を通過した薬液をドレイン
ラインから外槽51へ流入させるようにしても良い。
The branch pipe 62 is thinner than the pipe of the circulation supply circuit 54, and the diameter of the branch pipe 62 is 1/3 of the diameter of the circulation supply circuit 54, for example. In this case, since turbulent flow can be prevented, even if an ultrasonic densitometer is used in the concentration / temperature detection unit 65, the ultrasonic waves used for measuring the concentration are not affected by the turbulent vortex. Further, the influence of the pressure fluctuation of the chemical liquid caused by the driving of the pump 56 on the measurement of the concentration is suppressed. Therefore, highly accurate concentration measurement is possible.
The upstream end of the branch pipe 62 may be connected to the drain line of the filter 60 so that the chemical liquid that has passed through the filter 60 may flow into the outer tank 51 from the drain line.

【0046】薬液槽48には薬液を槽内に充填するため
の薬液供給回路70が備えられている。薬液供給回路7
0は,薬液供給源71,純水供給源72,及び薬液と純
水を混合する混合供給部73とを備えている。混合供給
部73は制御部5に信号出力機器として配線接続されて
いる。なお,薬液供給回路70は薬液の補充手段として
の機能を有し,薬液槽48内の薬液の濃度が低下した際
に,薬液供給源71,純水供給源72から薬液を補充す
るように制御される。
The chemical liquid tank 48 is provided with a chemical liquid supply circuit 70 for filling the chemical liquid into the chemical liquid tank. Chemical supply circuit 7
Reference numeral 0 includes a chemical solution supply source 71, a pure water supply source 72, and a mixing supply unit 73 for mixing the chemical solution and pure water. The mixing supply unit 73 is connected to the control unit 5 as a signal output device by wiring. The chemical solution supply circuit 70 has a function as a chemical solution replenishing means, and controls the chemical solution to be supplemented from the chemical solution supply source 71 and the pure water supply source 72 when the concentration of the chemical solution in the chemical solution tank 48 decreases. To be done.

【0047】図4に示すように,混合供給部73は,薬
液供給源71から供給される薬液を貯留する薬液メジャ
ータンク80と,純水供給源72から供給される純水を
貯留する純水メジャータンク81と,混合弁82を備え
ている。例えば,薬液メジャータンク80は所定量の薬
液を貯留することができ,純水メジャータンク81は所
定量の純水を貯留することができるようになっており,
これら貯留した処理液を混合弁82において混合するこ
とにより,所望の混合比の薬液を調製することができ,
混合弁82に接続された薬液供給回路70から薬液槽4
8へ供給することができる。このように,薬液メジャー
タンク80と純水メジャータンク81は,処理液を貯留
することによって液量を計測する役割をしている。な
お,薬液供給回路70の他端は外槽51へ接続されてお
り,調整された薬液は一旦循環供給回路54を流れて,
温度を調整された後,内槽50の下方からウェハWに対
して供給されるようになっている。
As shown in FIG. 4, the mixture supply unit 73 includes a chemical solution major tank 80 for storing the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 71 and pure water for storing the pure water supplied from the pure water supply source 72. The measuring tank 81 and the mixing valve 82 are provided. For example, the chemical measure tank 80 can store a predetermined amount of chemical solution, and the pure water measure tank 81 can store a predetermined amount of pure water.
By mixing these stored treatment liquids in the mixing valve 82, a chemical liquid having a desired mixing ratio can be prepared,
From the chemical liquid supply circuit 70 connected to the mixing valve 82 to the chemical liquid tank 4
8 can be supplied. As described above, the chemical liquid major tank 80 and the pure water major tank 81 play a role of measuring the liquid amount by storing the treatment liquid. The other end of the chemical solution supply circuit 70 is connected to the outer tank 51, and the adjusted chemical solution once flows through the circulation supply circuit 54,
After the temperature is adjusted, the wafer W is supplied from below the inner tank 50.

【0048】以上が基板処理装置31の構成と機能であ
るが,液処理ユニット8中の基板処理装置33,35
も,基板処理装置31とほぼ同様の構成と機能を有して
いるので,説明は省略する。基板処理装置33は,薬液
槽48’,内槽50’,外槽51’,液面センサ5
2’,循環供給回路54’,温度計及び濃度計を備えた
温度・濃度検出部65’,薬液槽に例えばSC−1液を
供給する薬液供給回路70’を有している。基板処理装
置35は,薬液槽48”,内槽50”,外槽51”,液
面センサ52”,循環供給回路54”,温度計及び濃度
計を備えた温度・濃度検出部65”,薬液槽にエッチン
グ液を供給する薬液供給回路70”を有している。ま
た,水洗槽を有する基板処理装置32,34,36は,
相互に同様の構成と機能を有している。即ち,内槽と外
槽からなる水洗槽,循環供給回路を有し,水洗槽に対し
て純水供給回路から純水が供給される。
The above is the configuration and function of the substrate processing apparatus 31, but the substrate processing apparatuses 33 and 35 in the liquid processing unit 8 are described.
Also, since it has almost the same configuration and function as the substrate processing apparatus 31, the description thereof will be omitted. The substrate processing apparatus 33 includes a chemical bath 48 ', an inner bath 50', an outer bath 51 ', and a liquid level sensor 5
2 ', a circulation supply circuit 54', a temperature / concentration detector 65 'equipped with a thermometer and a concentration meter, and a chemical solution supply circuit 70' for supplying, for example, SC-1 solution to the chemical solution tank. The substrate processing apparatus 35 includes a chemical solution tank 48 ″, an inner tank 50 ″, an outer tank 51 ″, a liquid level sensor 52 ″, a circulation supply circuit 54 ″, a temperature / concentration detection unit 65 ″ having a thermometer and a concentration meter, a chemical solution. It has a chemical solution supply circuit 70 ″ for supplying an etching solution to the bath. Further, the substrate processing apparatus 32, 34, 36 having a washing bath,
They have the same configuration and function as each other. That is, it has a washing tank including an inner tank and an outer tank and a circulation supply circuit, and pure water is supplied from the pure water supply circuit to the washing tank.

【0049】以上に説明したように,処理システム1
は,処理システム1の各構成部の状態を検知する種々の
検出手段を備えている。ここで,構成部とは,処理シス
テム1を構成するインターフェイス部3,制御部5等の
各部,液処理ユニット8,乾燥ユニット9等のユニッ
ト,及び,これら各ユニットを構成する構成装置,例え
ば,液処理ユニット8内に設置された基板処理装置31
〜36等の装置などである。例えば,液処理ユニット8
内の雰囲気の状態を検出する検出手段としては,液処理
ユニット温度計29及び液処理ユニット圧力計30が設
置されている。また,基板処理装置31の各部の状態を
検出する検出手段としては,液面センサ52,温度・濃
度検出部65の温度計及び濃度計が設置されている。同
様に,基板処理装置33の状態を検出する検出手段とし
ては,液面センサ52’,温度・濃度検出部65’の温
度計及び濃度計が設置されている。基板処理装置35の
状態を検出する検出手段としては,液面センサ52”,
温度・濃度検出部65”の温度計及び濃度計が設置され
ている。他に,ウェハWの収納状態を検出する検出手段
として,インターフェイス部3にウェハ検査装置18が
設置され,ウェハWの配列状態を検出する検出手段とし
て,ウェハ検出センサ27が設置されている。
As described above, the processing system 1
Is provided with various detecting means for detecting the state of each component of the processing system 1. Here, the constituent part means each part such as the interface part 3, the control part 5 and the like constituting the treatment system 1, the liquid treatment unit 8, the unit such as the drying unit 9 and the constituent devices constituting each of these units, for example, Substrate processing apparatus 31 installed in the liquid processing unit 8
Devices such as ~ 36. For example, the liquid processing unit 8
A liquid treatment unit thermometer 29 and a liquid treatment unit pressure gauge 30 are installed as detection means for detecting the state of the internal atmosphere. Further, as the detection means for detecting the state of each part of the substrate processing apparatus 31, a liquid level sensor 52, a thermometer and a densitometer of a temperature / concentration detection part 65 are installed. Similarly, as the detection means for detecting the state of the substrate processing apparatus 33, a liquid level sensor 52 ', a thermometer and a densitometer of a temperature / concentration detection unit 65' are installed. As the detection means for detecting the state of the substrate processing apparatus 35, the liquid level sensor 52 ″,
A thermometer and a densitometer of the temperature / concentration detection unit 65 ″ are installed. In addition, a wafer inspection device 18 is installed in the interface unit 3 as a detection unit for detecting the storage state of the wafer W, and the wafer W array is arranged. A wafer detection sensor 27 is installed as a detection means for detecting the state.

【0050】ウェハ検査装置18,ウェハ検出センサ2
7,液処理ユニット温度計29,液処理ユニット圧力計
30,液面センサ52,52’,52”,各温度・濃度
検出部65,65’,65”に設置された温度計及び濃
度計は,制御部5に信号入力機器として接続されてい
る。ウェハ検査装置18はウェハWの枚数を検出し,ウ
ェハ検出センサ27はウェハWの配列状態を検出し,液
処理ユニット温度計29は液処理ユニット8内の雰囲気
の温度を検出し,液処理ユニット圧力計30は液処理ユ
ニット8内の雰囲気の圧力を検出し,液面センサ52,
52’,52”はそれぞれ外槽51,51’,51”の
液面位置を検出し,各温度・濃度検出部65,65’,
65”に備えた温度計はそれぞれ循環供給回路54内を
流れる各薬液の温度を検出し,各温度・濃度検出部6
5,65’,65”に備えた濃度計はそれぞれ循環供給
回路54内を流れる各薬液の濃度を検出し,検出値を出
力信号として制御部5に送信するようになっている。
Wafer inspection device 18, wafer detection sensor 2
7. Liquid treatment unit thermometer 29, liquid treatment unit pressure gauge 30, liquid level sensors 52, 52 ', 52 ", thermometers and densitometers installed in temperature / concentration detectors 65, 65', 65" , Is connected to the control unit 5 as a signal input device. The wafer inspection device 18 detects the number of wafers W, the wafer detection sensor 27 detects the array state of the wafers W, the liquid processing unit thermometer 29 detects the temperature of the atmosphere in the liquid processing unit 8, and the liquid processing unit The pressure gauge 30 detects the pressure of the atmosphere in the liquid processing unit 8, and the liquid level sensor 52,
52 ′ and 52 ″ detect the liquid surface positions of the outer tanks 51, 51 ′ and 51 ″, and detect the temperature / concentration detection units 65 and 65 ′,
The thermometer provided in the 65 "detects the temperature of each chemical liquid flowing in the circulation supply circuit 54, and detects the temperature / concentration detection unit 6
The densitometers provided in 5, 65 ′ and 65 ″ detect the concentration of each chemical liquid flowing in the circulation supply circuit 54 and transmit the detected value to the control unit 5 as an output signal.

【0051】制御部5は,ウェハ検査装置18,ウェハ
検出センサ27,液処理ユニット温度計29,液処理ユ
ニット圧力計30,液面センサ52,52’,52”,
各温度・濃度検出部65,65’,65”に設置された
温度計及び濃度計の出力信号を受信する。また,制御部
5は,所定の時間間隔にて出力信号を受信し,処理シス
テムの各部の状態を表す検知信号として検知する。これ
により,制御部5は,処理システムの各部の状態変化を
検知することができる。さらに,制御部5は,許容値を
超えた検知信号を検知すると,内蔵された警告機能によ
って,オペレータに対してアラームによる警告を発する
ようになっている。
The control unit 5 includes a wafer inspection device 18, a wafer detection sensor 27, a liquid processing unit thermometer 29, a liquid processing unit pressure gauge 30, liquid level sensors 52, 52 ', 52 ",
The output signals of the thermometer and the densitometer installed in each of the temperature / concentration detectors 65, 65 ', 65 "are received. Further, the control unit 5 receives the output signals at predetermined time intervals, and the processing system The control unit 5 can detect a change in state of each part of the processing system, and the control unit 5 can detect a detection signal that exceeds an allowable value. Then, the built-in warning function gives an alarm to the operator.

【0052】この制御部5は,図3に示すように,ウェ
ハW処理の制御に必要なデータを記憶する記憶装置8
5,記憶装置85のデータ及び検知信号に基づいて処理
を制御するための情報処理を行う情報処理装置86,処
理が開始された時刻や,終了した時刻等を計測する制御
部内蔵タイマ87,これらと相互に接続され,検出手段
の出力信号を検知信号として記憶装置85及び情報処理
装置86に送信する入出力装置88を備えている。記憶
装置85,情報処理装置86,制御部内蔵タイマ87,
入出力装置88は,接続手段89によって相互に接続さ
れ,信号を相互に送受信することができる。本実施の形
態に係る記録手段は,記憶装置85,情報処理装置8
6,入出力装置88,接続手段89からなる。
As shown in FIG. 3, the control unit 5 includes a storage device 8 for storing data necessary for controlling the wafer W process.
5, an information processing device 86 that performs information processing for controlling the process based on the data of the storage device 85 and the detection signal, a timer 87 with a built-in control unit that measures the time when the process starts and the time when the process ends And an input / output device 88 for transmitting the output signal of the detection means as a detection signal to the storage device 85 and the information processing device 86. Storage device 85, information processing device 86, control unit built-in timer 87,
The input / output devices 88 are mutually connected by the connecting means 89, and signals can be mutually transmitted and received. The recording means according to the present embodiment includes a storage device 85, an information processing device 8
6, an input / output device 88 and a connecting means 89.

【0053】記憶装置85は,ログファイルを作成する
ログ用ソフトウェアを予め記憶している。ここで,ログ
ファイルとは,処理システム1の各部の状態を表す種々
の検知信号を,検知情報(ログ)として書き込むファイ
ルである。処理システム1の状態遷移情報が書き込まれ
たログファイルは記憶装置85に記憶され,出力データ
として呼び出すことができる。ログ用ソフトウェアは,
検知信号を検知情報としてログファイルの形式に従って
記憶装置85に記憶させるように設計されている。ま
た,検知信号を検知情報として時々刻々とログファイル
に書き込み,ログファイルの形式に従って状態遷移情報
を記憶装置85に記憶させるように設計されている。情
報処理装置86は,検知情報を記憶装置85に記憶させ
る機能を有している。即ち,記憶装置85に記憶されて
いるログ用ソフトウェアを実行して,検知信号を検知情
報としてログファイルに書き込む情報処理を行う。制御
部内蔵タイマ87は,時間を検出する検出手段であり,
情報処理装置86及び記憶装置85に検知信号を送信す
る。例えば,処理を開始した処理開始時刻,処理が開始
されてからの処理経過時間,処理を終了した処理終了時
刻,時刻を検知信号として記憶装置85に送信する。入
出力装置88は,制御部5に信号入力機器として接続さ
れた検出手段から送信された出力信号を入力信号として
受け取り,入力信号を検知信号として,接続手段89を
介して記憶装置85及び情報処理装置86に送信する。
The storage device 85 stores in advance log software for creating a log file. Here, the log file is a file in which various detection signals representing the state of each part of the processing system 1 are written as detection information (log). The log file in which the state transition information of the processing system 1 is written is stored in the storage device 85 and can be called as output data. The log software is
The detection signal is designed to be stored in the storage device 85 as detection information according to the format of the log file. Further, the detection signal is written into the log file momentarily as detection information, and the state transition information is stored in the storage device 85 according to the format of the log file. The information processing device 86 has a function of storing the detection information in the storage device 85. That is, the log software stored in the storage device 85 is executed, and information processing for writing the detection signal as detection information in the log file is performed. The control unit built-in timer 87 is a detection means for detecting time,
The detection signal is transmitted to the information processing device 86 and the storage device 85. For example, the processing start time when the processing is started, the processing elapsed time after the processing is started, the processing end time when the processing is finished, and the time are transmitted to the storage device 85 as detection signals. The input / output device 88 receives, as an input signal, the output signal transmitted from the detection unit connected to the control unit 5 as a signal input device, and uses the input signal as a detection signal via the connection unit 89 and the information processing apparatus. To the device 86.

【0054】処理システム1の稼働中に,情報処理装置
86によってログ用ソフトウェアを実行すると,入出力
装置88を介して検知された液処理ユニット温度計29
からの温度検知信号,液処理ユニット圧力計30からの
圧力検知信号,各液面センサ52,52’,52”から
の液面位置検知信号,各温度・濃度検出部65,6
5’,65”に設置された温度計からの温度検知信号,
各温度・濃度検出部65,65’,65”に設置された
濃度計からの濃度検知信号,ウェハ検査装置18からの
ウェハWの枚数検知信号,ウェハ検出センサ27からの
ウェハWの配列状態検知信号,制御部内蔵タイマ87の
時間検知信号が,ログ用ソフトウェアによってログファ
イルに書き込む検知情報(入力データ)となる。そし
て,液処理ユニット8内の温度検知情報,液処理ユニッ
ト8内の圧力検知情報,外槽51の液面位置検知情報,
各循環供給回路54,54’54”内の薬液の温度検知
情報,各循環供給回路54,54’54”内の薬液の濃
度検知情報,ウェハWの枚数検知情報,ウェハWの配列
状態検知情報,時間検知情報が,ログファイルに時々刻
々と記録され,処理システム1の状態変化を表す遷移情
報として保存される。処理システム1の状態遷移情報が
保存されたログファイルは,処理システム1に障害が発
生した場合,又,処理システム1稼働中に障害の発生が
予測され稼働を停止した場合に,障害発生の調査に活用
される。
When the log software is executed by the information processing device 86 during the operation of the processing system 1, the liquid processing unit thermometer 29 detected via the input / output device 88.
Temperature detection signal from the liquid processing unit pressure gauge 30, liquid level position detection signal from each liquid level sensor 52, 52 ', 52 ", each temperature / concentration detection unit 65, 6
Temperature detection signals from thermometers installed at 5 ', 65 ",
Concentration detection signals from densitometers installed in the temperature / concentration detectors 65, 65 ′, 65 ″, wafer W number detection signals from the wafer inspection device 18, and wafer W array state detection from the wafer detection sensor 27. The signal and the time detection signal of the control unit built-in timer 87 become detection information (input data) written in the log file by the log software, and temperature detection information in the liquid processing unit 8 and pressure detection in the liquid processing unit 8. Information, liquid surface position detection information of the outer tank 51,
Temperature detection information of the chemical liquid in each circulation supply circuit 54, 54'54 ", concentration detection information of the chemical liquid in each circulation supply circuit 54, 54'54", wafer number detection information, wafer W array state detection information The time detection information is recorded in the log file every moment, and is saved as transition information indicating the state change of the processing system 1. The log file in which the state transition information of the processing system 1 is saved is used to investigate the occurrence of a failure when the processing system 1 has a failure, or when the processing system 1 is predicted to fail and stops operating. Be utilized for.

【0055】ここで,処理システム1に障害が発生する
過程を説明する。先ず,最初の異常状態が発生する根本
的な原因が発生する。根本的な原因とは,例えば,後述
する配管の亀裂発生や,薬液槽内から引き上げられる際
にウェハWに薬液が付着するなど,種々のものが予測さ
れる。これにより,例えば,薬液槽内の液面低下などの
異常状態が発生し,検出手段のいずれかにより検出され
る。そして,根本的な原因から次々と新たな異常状態が
引き起こされ,放置すると最終的な障害が発生するに至
る。なお,根本的な原因は一つに限定されず,複数の場
合もある。処理システム1の各構成部の異常状態として
は,例えば,処理の遅延,薬液供給回路及び循環供給回
路の液漏れ,薬液温度の制御異常,薬液の異常反応な
ど,種々のものが想定される。処理システム1の稼働に
おいて発生する最終的な障害としては,例えば,処理シ
ステム1の火災,爆発など,種々の形態が想定される。
Here, a process in which a failure occurs in the processing system 1 will be described. First, the root cause of the first abnormal condition occurs. Various causes are expected to be the root cause, for example, the occurrence of a crack in a pipe, which will be described later, and the adhesion of the chemical liquid to the wafer W when the chemical liquid is lifted from the chemical liquid tank. As a result, for example, an abnormal state such as a drop in the liquid level in the chemical liquid tank occurs and is detected by any of the detecting means. Then, new abnormal conditions are caused one after another by the root cause, and if left unattended, a final failure occurs. Note that the root cause is not limited to one and may be multiple. As the abnormal state of each component of the processing system 1, for example, various things such as processing delay, liquid leakage of the chemical liquid supply circuit and circulation supply circuit, chemical liquid temperature control abnormality, chemical liquid abnormal reaction, etc. are assumed. Various forms such as a fire and an explosion of the processing system 1 are assumed as a final failure that occurs in the operation of the processing system 1.

【0056】ログ用ソフトウェアは,処理システム1の
各構成部の状態を表す検知情報を,検知情報の発生原因
に基づいて,複数のカテゴリに分類している。つまり,
同一の異常状態に関連する検知情報を同一のカテゴリに
分類する。また,カテゴリは任意の個数に作成すること
ができる。さらに,一つの検知情報を二以上のカテゴリ
に属するように分類しても良い。なお,これらのカテゴ
リは,検出手段が設置されている構成部に基づいて分類
しても良い。即ち,同一の構成装置に設置された検出手
段から得られる検知情報を同一のカテゴリに分類した
り,同一のユニットに設置された検出手段から得られる
検知情報を同一のカテゴリに分類するようにしても良
い。また,カテゴリは,工程の特性別に分類するように
しても良い。例えば,基板処理装置32の水洗槽に誤っ
て薬液が供給される異常状態が想定される場合,このよ
うな処理液供給工程における異常状態を検知するカテゴ
リを作成する必要がある。本実施の形態におけるログ用
ソフトウェアは,例えば後に詳しく説明する図5及び図
6に示す表のごとく,14個の検知情報を4つのカテゴ
リK1,K2A,K2B,K3,K4に分類している。
The log software classifies the detection information indicating the state of each component of the processing system 1 into a plurality of categories based on the cause of the detection information. That is,
The detection information related to the same abnormal state is classified into the same category. Also, categories can be created in any number. Furthermore, one piece of detection information may be classified so as to belong to two or more categories. It should be noted that these categories may be classified based on the components in which the detection means is installed. That is, the detection information obtained from the detection means installed in the same constituent device is classified into the same category, or the detection information obtained from the detection means installed in the same unit is classified into the same category. Is also good. Further, the categories may be classified according to the characteristics of the process. For example, when an abnormal state in which the chemical liquid is erroneously supplied to the washing tank of the substrate processing apparatus 32 is assumed, it is necessary to create a category for detecting the abnormal state in the processing liquid supply process. The log software according to the present embodiment classifies 14 pieces of detection information into four categories K1, K2A, K2B, K3, and K4, as shown in tables shown in FIGS.

【0057】処理システム1の稼働において発生する異
常状態の根本的な原因は,一つ又は複数の異常状態の遷
移を調査することにより解明することができる。即ち,
次々と発生する異常状態の状態遷移を追跡し,根本的な
原因を解明する調査にログファイルを活用する場合,一
つ又は複数のいずれかのカテゴリをログファイルに記録
すれば十分である。一方,処理システム1の稼働におい
て,過去に発生した様々な障害に関して,最初の異常状
態発生から障害発生に至るまでの詳細な遷移情報が記録
されている場合,これらを分析して,各障害に至るまで
の異常状態発生過程の表,即ち各障害へ至る状態遷移テ
ーブルを作成することができる。状態遷移テーブルは,
各障害に対して任意の個数に作成することも可能であ
る。そこで,ログ用ソフトウェアは,このような状態遷
移テーブルに基づいて,カテゴリをさらにグループ分け
している。即ち,ある特定の障害に至るまでの状態遷移
テーブルが作成されている場合,その状態遷移中の各異
常状態を検知する検知情報が属するカテゴリを,同一の
グループとして分類する。従って,同一グループ内のい
ずれかのカテゴリに,このグループをログファイルに遷
移情報として記録した場合に根本的な原因を特定する材
料となる検知情報が潜んでいる。なお,根本的な原因を
調査する材料となる検知情報が潜むカテゴリは,1つに
限定されず,複数のカテゴリ内に潜む場合もある。本実
施の形態においては,例えば後に詳しく説明する図7に
示す表のごとく,4つのカテゴリK1,K2A,K2
B,K3,K4を,4つのグループに重複してグループ
分けしている。
The root cause of the abnormal state that occurs during the operation of the processing system 1 can be clarified by investigating the transition of one or a plurality of abnormal states. That is,
When a log file is used for tracing the state transitions of the abnormal states that occur one after another and for investigating the root cause, it is sufficient to record one or more categories in the log file. On the other hand, in the operation of the processing system 1, regarding various failures that occurred in the past, when detailed transition information from the first abnormal state occurrence to the failure occurrence is recorded, these are analyzed, and each failure is analyzed. It is possible to create a table of abnormal state occurrence processes up to, that is, a state transition table leading to each failure. The state transition table is
It is also possible to create an arbitrary number for each failure. Therefore, the log software further divides the categories into groups based on such a state transition table. That is, when a state transition table up to a specific failure is created, the categories to which the detection information for detecting each abnormal state during the state transition belongs are classified as the same group. Therefore, in any category within the same group, detection information that serves as a material for identifying the root cause when this group is recorded as transition information in a log file is hidden. It should be noted that the category in which the detection information, which is a material for investigating the root cause, is hidden is not limited to one, and it may be hidden in a plurality of categories. In the present embodiment, for example, as shown in the table shown in FIG. 7 which will be described later in detail, four categories K1, K2A, K2 are provided.
B, K3, and K4 are grouped into four groups in an overlapping manner.

【0058】さらに,ログ用ソフトウェアは,過去の稼
働情報の分析から作成した状態遷移テーブルに基づい
て,各グループ内のカテゴリに対してログレベルを設定
している。ここで,ログレベルとは,記憶装置85に残
すログ(検知情報)の階層である。つまり,処理システ
ム1から得られる検知情報があった場合に,例えばログ
レベルL1では,カテゴリK1に分類された処理開始時
刻(ログ1)と処理終了時刻(ログ2)のみ記憶させ
る。ログレベルL2では,カテゴリK1に分類された処
理開始時刻(ログ1),処理終了時刻(ログ2)に追加
して,カテゴリK2Aに分類された循環供給回路54内
の薬液濃度(ログ3),循環供給回路54’内の薬液濃
度(ログ4)及び循環供給回路54”内の薬液濃度(ロ
グ5)を記憶させる。ログレベルL3の設定では,ログ
レベルL2にさらに追加して,液処理ユニット8内の温
度(ログ6),液処理ユニット8内の圧力(ログ7)ま
でを記憶させる。このように,ログレベルを複数に分け
て設定可能にすることで,記憶装置85の有する記憶容
量のオーバーフローを低減できる。本実施の形態におい
ては,後に詳しく説明する図7の表に示すように,4つ
のグループ内のそれぞれのカテゴリに対して,3つのロ
グレベルL1,L2,L3が設定されている。即ち,各
カテゴリK1,K2A,K2B,K3,K4に対してロ
グレベルL1,L2,L3を設定するパターンは,パタ
ーンP1,P2,P3,P4の4通りがある。なお,ロ
グレベルの階層数は,それぞれのグループ別に,任意に
定めることができる。
Furthermore, the log software sets the log level for the category in each group based on the state transition table created from the analysis of past operation information. Here, the log level is a hierarchy of logs (detection information) left in the storage device 85. That is, when there is detection information obtained from the processing system 1, for example, at the log level L1, only the processing start time (log 1) and the processing end time (log 2) classified into the category K1 are stored. At the log level L2, in addition to the process start time (log 1) and the process end time (log 2) classified into the category K1, the chemical concentration in the circulation supply circuit 54 (log 3) classified into the category K2A, The chemical concentration (log 4) in the circulation supply circuit 54 ′ and the chemical concentration (log 5) in the circulation supply circuit 54 ″ are stored. When the log level L3 is set, the liquid treatment unit is added to the log level L2. The temperature (log 6) in 8 and the pressure (log 7) in the liquid processing unit 8 are stored in this manner. In the present embodiment, as shown in the table of FIG. 7 which will be described later in detail, three log levels L1, L2, L are set for each category in the four groups. 3. That is, there are four patterns P1, P2, P3, P4 for setting the log levels L1, L2, L3 for each category K1, K2A, K2B, K3, K4. The number of log level layers can be arbitrarily set for each group.

【0059】ログ用ソフトウェアを実行すると,処理シ
ステム1各構成部の状態に応じて,パターンP1,P
2,P3,P4のいずれかに従って,ログレベルをログ
レベルL1,L2,L3のいずれかに変更し,そのログ
レベルに属するカテゴリ内のログをログファイルに記録
することができる。この場合,パターンP1,P2,P
3,P4のいずれかを選択することにより,処理システ
ム1各構成部の状態に応じて,記録する検知情報を容易
に選択することができる。即ち,異常状態の検知情報
や,異常状態が生じた根本的な原因を調査できる検知情
報のみを選択して記録することができる。また,ログレ
ベルを選択することにより,処理システム1各構成部の
状態に応じて,記録する検知情報の量の増加,減少を容
易に行うことができる。例えば,ログレベルを変更する
ためのトリガーを設定し,トリガーが新しく発生した時
点でログレベルを上げるようにして,異常状態に関連す
る検知情報を記録することができる。逆に,ログレベル
を下げるトリガーが発生したときは,ログレベルを下げ
て必要な検知情報のみを記録することができる。このト
リガーは,例えば予め設定された許容値を超えた値とし
て検出された検知信号などである。
When the log software is executed, patterns P1 and P are generated according to the state of each component of the processing system 1.
It is possible to change the log level to any of the log levels L1, L2, and L3 according to any one of P2, P3, and P4, and record the log in the category belonging to the log level in the log file. In this case, the patterns P1, P2, P
By selecting any one of P3 and P4, the detection information to be recorded can be easily selected according to the state of each component of the processing system 1. That is, it is possible to select and record only the detection information of the abnormal state and the detection information that can investigate the root cause of the abnormal state. Further, by selecting the log level, it is possible to easily increase or decrease the amount of detection information to be recorded according to the state of each component of the processing system 1. For example, a trigger for changing the log level can be set, and when the trigger newly occurs, the log level is raised and the detection information related to the abnormal state can be recorded. Conversely, when a trigger that lowers the log level occurs, the log level can be lowered and only the necessary detection information can be recorded. The trigger is, for example, a detection signal detected as a value exceeding a preset allowable value.

【0060】図5及び図6は,処理システム1を構成す
る構成部の名称の欄と,処理システム1の各部の状態を
検出する検出手段の名称の欄と,検知情報が分類されて
いるカテゴリの名称の欄から構成される表であり,各カ
テゴリK1,K2A,K2B,K3,K4に分類されて
いる各検出手段により検出され制御部6により検知され
る検知情報が示されている。構成部の名称の欄には,イ
ンターフェイス部3,制御部5,液処理ユニット8,基
板処理装置31,33,35が示されている。検出手段
の名称の欄には,ウェハ検査装置18,ウェハ検出セン
サ27,制御部内蔵タイマ87,液処理ユニット温度計
29,液処理ユニット圧力計30,基板処理装置31の
温度・濃度検出部65に設置された濃度計,液面センサ
52及び温度・濃度検出部65に設置された温度計,基
板処理装置32の温度・濃度検出部65’に設置された
濃度計,液面センサ52’及び温度・濃度検出部65’
に設置された温度計,基板処理装置33の温度・濃度検
出部65”に設置された濃度計,液面センサ52”及び
温度・濃度検出部65”に設置された温度計が示されて
いる。検知情報としては,時刻,処理経過時間,処理開
始時刻,処理終了時刻,基板処理装置31の循環供給回
路54内薬液濃度,外槽51内の薬液の液面位置及び循
環供給回路54内薬液温度,基板処理装置33の循環供
給回路内薬液濃度,外槽内の薬液の液面位置及び循環供
給回路内薬液温度,基板処理装置35の循環供給回路内
薬液濃度,外槽内の薬液の液面位置及び循環供給回路内
薬液温度,液処理ユニット8内温度,液処理ユニット8
内圧力,ウェハWの枚数,ウェハWの配列状態が示され
ている。
FIGS. 5 and 6 show the categories of the names of the constituent parts of the processing system 1, the name of the detecting means for detecting the state of each part of the processing system 1, and the categories of detection information. Is a table composed of columns of names, and shows the detection information detected by each detection means classified into each category K1, K2A, K2B, K3, K4 and detected by the control unit 6. The interface section 3, the control section 5, the liquid processing unit 8, and the substrate processing apparatuses 31, 33, and 35 are shown in the column of the name of the constituent section. In the column of the name of the detecting means, the wafer inspection device 18, the wafer detection sensor 27, the control unit built-in timer 87, the liquid processing unit thermometer 29, the liquid processing unit pressure gauge 30, and the temperature / concentration detecting unit 65 of the substrate processing device 31. , A liquid level sensor 52 and a thermometer installed in the temperature / concentration detection unit 65, a concentration meter installed in the temperature / concentration detection unit 65 ′ of the substrate processing apparatus 32, a liquid level sensor 52 ′, and Temperature / concentration detector 65 '
A thermometer installed in the temperature sensor, a concentration meter installed in the temperature / concentration detection unit 65 ″ of the substrate processing apparatus 33, a liquid level sensor 52 ″, and a thermometer installed in the temperature / concentration detection unit 65 ″. The detection information includes the time, the processing elapsed time, the processing start time, the processing end time, the concentration of the chemical liquid in the circulation supply circuit 54 of the substrate processing apparatus 31, the liquid surface position of the chemical liquid in the outer tank 51, and the chemical liquid in the circulation supply circuit 54. Temperature, chemical concentration in circulation supply circuit of substrate processing apparatus 33, liquid surface position of chemical solution in outer tank and chemical temperature in circulation supply circuit, chemical concentration in circulation supply circuit of substrate processing apparatus 35, chemical solution in outer tank Surface position and chemical liquid temperature in circulation supply circuit, internal temperature of liquid processing unit 8, liquid processing unit 8
The internal pressure, the number of wafers W, and the arrangement state of the wafers W are shown.

【0061】カテゴリK1に分類されている処理経過時
間は,ウェハWが基板処理装置31,33,35の各薬
液槽内の薬液に浸漬されてからの経過時間,ウェハWが
液処理ユニット8に搬入されてからの経過時間である。
処理開始時刻は,ウェハWが基板処理装置31,33,
35の各薬液槽内の薬液に浸漬された時間,ウェハWが
基板処理装置32,34,36内の水洗槽内の純水に浸
漬された時間,ウェハWが液処理ユニット8に搬入され
た時間である。処理終了時刻は,ウェハWが薬液から引
き上げられた時間,純水から引き上げられた時間,ウェ
ハWが液処理部4から搬出された時間である。カテゴリ
K1に分類されている検知情報からは,処理システム1
における処理の進行状態を検知することができる。カテ
ゴリK1に分類されている検知情報をログファイルに記
録すると,例えば,処理の遅延や,各搬送装置37,3
8,39,ウェハ搬送装置22の駆動手段の不良を追跡
することができる。
The elapsed processing time classified into the category K1 is the elapsed time since the wafer W was immersed in the chemical solution in each chemical solution tank of the substrate processing apparatus 31, 33, 35, and the wafer W was processed by the solution processing unit 8. This is the time elapsed since the item was delivered.
At the processing start time, the wafer W is processed by the substrate processing apparatus 31, 33,
The wafer W was carried into the liquid processing unit 8 during the time when the wafer W was immersed in the chemical liquid in each of the chemical liquid tanks 35, and the time when the wafer W was immersed in the pure water in the water washing tanks in the substrate processing apparatuses 32, 34, and 36. It's time. The processing end time is the time when the wafer W is pulled up from the chemical solution, the time when it is pulled up from pure water, and the time when the wafer W is unloaded from the liquid processing section 4. From the detection information classified into the category K1, the processing system 1
It is possible to detect the progress state of the processing in. When the detection information classified into the category K1 is recorded in the log file, for example, a processing delay or each of the transport devices 37 and 3 is performed.
8, 39, the defect of the drive means of the wafer transfer device 22 can be traced.

【0062】循環供給回路54,54’,54”内の薬
液濃度は,それぞれ基板処理装置31,33,35の温
度・濃度検出部65,65’65”に設置された濃度計
によって検出される検知情報であり,カテゴリK2Aに
分類されている。基板処理装置31,33,35におけ
る液面位置は,それぞれ液面センサ52,52’52”
によって検出される検知情報であり,カテゴリK2A
に分類されている。カテゴリK2Aに分類されている検
知情報からは,基板処理装置31,33,35の薬液量
に関する状態を検知することができる。カテゴリK2A
に分類されている検知情報をログファイルに記録する
と,薬液供給回路及び循環供給回路の液漏れを検知する
ことができる。例えば,薬液供給回路70の混合供給部
73の不良により,薬液供給回路から薬液槽51へ高濃
度の薬液が漏れ出している場合,液面位置が上昇を継続
すると共に,薬液濃度が上昇を継続する。また,薬液供
給回路から薬液槽51へ低濃度の薬液が漏れ出している
場合,液面位置が上昇を継続すると共に,薬液濃度が低
下を継続する。循環供給回路54の配管に亀裂が生じた
場合は,液面位置が下降を継続するが,薬液濃度は変化
しない。従って,カテゴリK2Aに分類されている検知
情報をログファイルに記録すると,例えば,薬液供給回
路の混合部の不良や,循環供給回路の亀裂の発生を調査
することができる。
The chemical concentration in the circulation supply circuits 54, 54 ', 54 "is detected by the concentration meters installed in the temperature / concentration detecting portions 65, 65'65" of the substrate processing apparatuses 31, 33, 35, respectively. This is detection information and is classified into the category K2A. The liquid surface position in the substrate processing apparatus 31, 33, 35 is the liquid surface sensor 52, 52'52 ", respectively.
This is the detection information detected by category K2A
It is classified into. From the detection information classified into the category K2A, it is possible to detect the state relating to the chemical liquid amount of the substrate processing apparatus 31, 33, 35. Category K2A
By recording the detection information classified into the log file in the log file, it is possible to detect the liquid leakage of the chemical liquid supply circuit and the circulation supply circuit. For example, when a high-concentration chemical liquid leaks from the chemical liquid supply circuit to the chemical liquid tank 51 due to a defect of the mixing supply portion 73 of the chemical liquid supply circuit 70, the liquid surface position continues to rise and the chemical liquid concentration continues to rise. To do. Further, when the low-concentration chemical liquid leaks from the chemical liquid supply circuit to the chemical liquid tank 51, the liquid surface position continues to rise and the chemical liquid concentration continues to decrease. When the pipe of the circulation supply circuit 54 is cracked, the liquid surface position continues to descend, but the chemical concentration does not change. Therefore, if the detection information classified into the category K2A is recorded in the log file, it is possible to investigate, for example, a defect in the mixing portion of the chemical liquid supply circuit or a crack in the circulation supply circuit.

【0063】循環供給回路54,54’,54”内の薬
液温度は,それぞれ基板処理装置31,33,35の温
度・濃度検出部65,65’65”に設置された温度計
によって検出される検知情報であり,カテゴリK2Bに
分類されている。カテゴリK2Bに分類されている情報
からは,基板処理装置31,33,35における薬液の
温度制御の異常状態を検知することができる。従って,
カテゴリK2Bに分類されている検知情報をログファイ
ルに記録すると,例えば,循環供給回路に設置された温
度制御部の故障,温度・濃度検出部自体の検出不良,制
御部5における温度制御信号の演算ミスを追跡すること
ができる。
The temperature of the chemical liquid in the circulation supply circuits 54, 54 ', 54 "is detected by thermometers installed in the temperature / concentration detecting portions 65, 65'65" of the substrate processing apparatuses 31, 33, 35, respectively. This is detection information and is classified into category K2B. From the information classified into the category K2B, it is possible to detect the abnormal state of the temperature control of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31, 33, 35. Therefore,
When the detection information classified into the category K2B is recorded in the log file, for example, a failure of the temperature control unit installed in the circulation supply circuit, a detection failure of the temperature / concentration detection unit itself, calculation of the temperature control signal in the control unit 5 is performed. You can track your mistakes.

【0064】液処理ユニット8内の温度は,液処理ユニ
ット温度計29によって検出される検知情報であり,カ
テゴリK3に分類されている。液処理ユニット8内の圧
力は,液処理ユニット圧力計30によって検出される検
知情報であり,カテゴリK3に分類されている。カテゴ
リK3に分類されている情報からは,液処理ユニット8
内に発生する雰囲気の異常状態を検知することができ
る。カテゴリK3に分類されている検知情報をログファ
イルに記録すると,例えば,薬液の異常な反応によるガ
スが発生したことを追跡することができる。異常反応ガ
スは,例えば薬液が電気配線の被服を溶解することによ
り発生し,この場合,薬液供給回路や循環供給回路の配
管のうち液処理ユニット8に囲まれている部分に亀裂が
生じたことが判明する。
The temperature in the liquid processing unit 8 is the detection information detected by the liquid processing unit thermometer 29 and is classified into the category K3. The pressure in the liquid processing unit 8 is detection information detected by the liquid processing unit pressure gauge 30, and is classified into the category K3. From the information classified in category K3, the liquid processing unit 8
It is possible to detect an abnormal state of the atmosphere generated inside. When the detection information classified into the category K3 is recorded in the log file, for example, it is possible to trace that gas is generated due to an abnormal reaction of the chemical liquid. The abnormal reaction gas is generated, for example, by the chemical liquid dissolving the clothing of the electric wiring, and in this case, a crack is generated in the portion of the pipe of the chemical liquid supply circuit or the circulation supply circuit surrounded by the liquid processing unit 8. Turns out.

【0065】ウェハWの枚数は,インターフェイス部3
に設置されたウェハ検査装置18によって検出される検
知情報であり,ウェハWの配列状態は,ウェハ検出セン
サ27によって検出される検知情報であり,カテゴリK
4に分類されている。カテゴリK4に分類されている情
報は,ログファイルに記録しても,液処理ユニット8内
での状態変化を追跡することができないものである。例
えば,ウェハ検査装置18とウェハ検出センサ27によ
って液処理ユニット8における処理を施す前のウェハW
の状態を検知することができるが,液処理ユニット8内
の状態変化を表す遷移情報ではない。即ち,ウェハWは
ウェハ検査装置18とウェハ検出センサ27によって検
査された後に液処理ユニット8に搬入され,処理が施さ
れるので,ウェハ検査装置18の検知信号は液処理ユニ
ット8における処理の状態遷移とは関係のない検知情報
である。しかし,液処理ユニット8において処理を終え
たウェハWを検査する場合,間接的に液処理ユニット8
内の状態を検知することが可能である。例えば,複数の
ウェハW群を連続的に処理する場合,ウェハ検出センサ
27によって,液処理ユニット8の処理後のウェハWに
損傷がある状態を検知することにより,液処理ユニット
8内の異常状態を追跡することができる。
The number of wafers W is determined by the interface unit 3
Is the detection information detected by the wafer inspecting device 18 installed in the wafer inspection device 18, and the array state of the wafers W is the detection information detected by the wafer detection sensor 27.
It is classified into 4. Even if the information classified into the category K4 is recorded in the log file, the state change in the liquid processing unit 8 cannot be traced. For example, the wafer W before the processing in the liquid processing unit 8 is performed by the wafer inspection device 18 and the wafer detection sensor 27.
Although it is possible to detect the state of, the transition information does not represent the state change in the liquid processing unit 8. That is, since the wafer W is inspected by the wafer inspection device 18 and the wafer detection sensor 27 and then carried into the liquid processing unit 8 and processed, the detection signal of the wafer inspection device 18 indicates the processing state in the liquid processing unit 8. It is the detection information that has nothing to do with the transition. However, when inspecting the wafer W that has been processed in the liquid processing unit 8, the liquid processing unit 8 is indirectly
It is possible to detect the state inside. For example, when a plurality of wafers W are continuously processed, the wafer detection sensor 27 detects a damaged state of the wafer W after the processing of the liquid processing unit 8 to detect an abnormal state in the liquid processing unit 8. Can be tracked.

【0066】以上のようなカテゴリK1,K2A,K2
B,K3,K4を組み合わせて,ログレベルL1,L
2,L3が作成される。初期状態であるレベルL1は,
主要な検知情報のみをログファイルに記録するものであ
り,例えば,時間に関する検知情報のみを記録するよう
になっている。レベルL2は,障害が発生する恐れがあ
る状態を表す異常発生検知信号を検知したときに,レベ
ルL1から切り替えられる。障害が発生する恐れがある
状態を表す異常発生検知信号とは,例えば,予め設定さ
れた許容値を超えた値として検出された検知信号であ
る。レベルL2は,レベルL1より記録する情報を増加
させ,障害の発生に関連のある状態について記録できる
ようにする。即ち,異常発生検知信号が示す異常状態に
関して,詳細な遷移情報を記録するためのレベルであ
る。レベルL3は,障害が発生する恐れがある状態を表
す異常発生検知信号を検知したときから,さらに異常発
生検知信号を検知したときに,レベルL2から切り替え
られ,また,障害が発生する恐れがある状態を表す異常
発生検知信号を検知したときに,レベルL1から切り替
えられる。レベルL3においては,レベルL1又はレベ
ルL2より記録する情報を増加させ,障害の発生に関連
のある状態について記録できるようにする。即ち,最初
に発生した異常状態と,その異常状態により誘発された
障害発生に関連のある異常状態に関して,詳細な遷移情
報を記録するためのレベルである。
Categories K1, K2A, K2 as described above
Log levels L1 and L by combining B, K3 and K4
2, L3 are created. The initial level L1 is
Only the main detection information is recorded in the log file. For example, only the detection information regarding time is recorded. The level L2 is switched from the level L1 when an abnormality occurrence detection signal indicating a state in which a failure may occur is detected. The abnormality occurrence detection signal representing a state in which a failure may occur is, for example, a detection signal detected as a value exceeding a preset allowable value. The level L2 increases the amount of information to be recorded as compared with the level L1 so that the state related to the occurrence of the failure can be recorded. That is, it is a level for recording detailed transition information regarding the abnormal state indicated by the abnormality occurrence detection signal. The level L3 is switched from the level L2 when an abnormality occurrence detection signal indicating a state in which a failure may occur is detected, and when the abnormality occurrence detection signal is further detected, there is a possibility that a failure occurs. The level is switched from L1 when the abnormality occurrence detection signal indicating the state is detected. At the level L3, the information to be recorded is increased from that at the level L1 or the level L2 so that the state related to the occurrence of the failure can be recorded. That is, it is a level for recording detailed transition information regarding an abnormal state that occurred first and an abnormal state related to the occurrence of a fault induced by the abnormal state.

【0067】例えば,基板処理装置31に異常状態が発
生した場合について,ログレベルL1,L2,L3を設
定するパターンは,図7に示すパターンP1,P2,P
3,P4を定めることができる。同様に,基板処理装置
33,35に異常状態が発生した場合について,図7に
示すパターンP1,P2,P3,P4を定めることがで
きる。図示の例では,カテゴリK4はパターンP1,P
2,P3,P4に含まれていないが,処理システム1の
過去の稼働に関する情報に基づきレベルL1,L2,L
3の中に分類しても良い。
For example, when an abnormal state occurs in the substrate processing apparatus 31, patterns for setting the log levels L1, L2, L3 are patterns P1, P2, P shown in FIG.
3, P4 can be defined. Similarly, patterns P1, P2, P3, and P4 shown in FIG. 7 can be determined when an abnormal state occurs in the substrate processing apparatuses 33 and 35. In the illustrated example, the category K4 has patterns P1 and P.
Levels L1, L2, L based on information about past operation of the processing system 1 although not included in P2, P3, P4
You may classify in 3.

【0068】パターンP1において,レベルL1は,カ
テゴリK1に分類されている情報を記録するレベルであ
る。レベルL2は,カテゴリK1,K2Aに分類されて
いる情報を記録するレベルである。レベルL3は,カテ
ゴリK1,K2A,K3に分類されている情報を記録す
るレベルである。このパターンP1は,レベルL1,L
2,L3にカテゴリK2Bを含まないものであり,基板
処理装置31内の薬液の温度に異常状態が発生しない場
合に使用される。例えば,循環供給回路54に亀裂が発
生した場合は,基板処理装置31内の薬液の液面位置に
異常状態が発生するが,温度に異常状態が発生しない。
また,例えば,薬液供給回路70の混合弁が故障した場
合は,基板処理装置31内の薬液の濃度と液面位置に異
常状態が発生するが,温度に異常状態が発生しない。従
って,これらの場合にパターンP1を使用してログを記
録しても,循環供給回路54に亀裂が発生することによ
り生じた状態遷移について,十分に有用性が高い記録を
得ることができる。
In the pattern P1, the level L1 is a level for recording the information classified in the category K1. Level L2 is a level for recording information classified into categories K1 and K2A. Level L3 is a level for recording information classified into categories K1, K2A, and K3. This pattern P1 has levels L1 and L
2 and L3 do not include the category K2B, and are used when there is no abnormal state in the temperature of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31. For example, when a crack is generated in the circulation supply circuit 54, an abnormal state occurs in the liquid surface position of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31, but the abnormal state does not occur in temperature.
Further, for example, when the mixing valve of the chemical solution supply circuit 70 fails, an abnormal state occurs in the concentration and the liquid surface position of the chemical solution in the substrate processing apparatus 31, but the abnormal state does not occur in the temperature. Therefore, even if a log is recorded using the pattern P1 in these cases, it is possible to obtain a record with a sufficiently high degree of usefulness regarding the state transition caused by the crack generation in the circulation supply circuit 54.

【0069】パターンP2において,レベルL1は,カ
テゴリK1に分類されている情報を記録するレベルであ
る。レベルL2は,カテゴリK1,K2Bに分類されて
いる情報を記録するレベルである。レベルL3は,カテ
ゴリK1,K2B,K3に分類されている情報を記録す
るレベルである。このパターンP2は,レベルL1,L
2,L3にカテゴリK2Aを含まないものであり,基板
処理装置31内の薬液の濃度及び液面位置に異常状態が
発生しない場合に使用される。例えば,循環供給回路5
4の温度制御部58に故障が発生した場合は,基板処理
装置31内の薬液の温度検知信号によって異常状態が示
されるが,薬液の濃度及び液面位置の検知信号によって
異常状態が示されないので,パターンP2を使用してロ
グを記録しても,温度制御部58の故障について,十分
に有用性が高い記録を得ることができる。
In the pattern P2, the level L1 is a level for recording the information classified in the category K1. Level L2 is a level for recording information classified into categories K1 and K2B. Level L3 is a level for recording information classified into categories K1, K2B, and K3. This pattern P2 has levels L1 and L
2 and L3 do not include the category K2A, and are used when there is no abnormal state in the concentration of the chemical liquid and the liquid surface position in the substrate processing apparatus 31. For example, the circulation supply circuit 5
When a failure occurs in the temperature control unit 58 of No. 4, the abnormal condition is indicated by the temperature detection signal of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31, but the abnormal condition is not indicated by the detection signals of the concentration of the chemical liquid and the liquid surface position. Even if a log is recorded using the pattern P2, it is possible to obtain a record with a sufficiently high degree of usefulness regarding the failure of the temperature control unit 58.

【0070】パターンP3において,レベルL1は,カ
テゴリK1に分類されている情報を記録するレベルであ
る。レベルL2は,カテゴリK1,K2A,K2Bに分
類されている情報を記録するレベルである。レベルL3
は,カテゴリK1,K2A,K2B,K3に分類されて
いる情報を記録するレベルである。このパターンP2
は,レベルL1,L2,L3にカテゴリK1,K2A,
K2B,K3を含むものであり,基板処理装置31内の
薬液の濃度,液面位置及び温度に異常状態が発生する場
合に使用される。また,基板処理装置31内の薬液の温
度に異常状態が発生しない場合も,濃度及び液面位置に
異常状態が発生しない場合も使用することができる。
In the pattern P3, the level L1 is a level for recording the information classified in the category K1. Level L2 is a level for recording information classified into categories K1, K2A, and K2B. Level L3
Is a level for recording information classified into categories K1, K2A, K2B, and K3. This pattern P2
Are assigned to categories L1, L2, L3 in categories K1, K2A,
It includes K2B and K3 and is used when an abnormal state occurs in the concentration, liquid surface position and temperature of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31. Further, it can be used when there is no abnormal state in the temperature of the chemical liquid in the substrate processing apparatus 31 or when there is no abnormal state in the concentration and liquid surface position.

【0071】パターンP4において,レベルL1は,カ
テゴリK1に分類されている情報を記録するレベルであ
る。レベルL2は,カテゴリK1,K2A,K2Bに分
類されている情報を記録するレベルである。レベルL3
は,カテゴリK1,K2A,K3に分類されている情報
を記録するレベルである。このパターンP4は,レベル
L2において記録していたK2Bを,レベルL3に変更
したときに記録しないようになっている。例えば,ある
FA状態に遷移したとき次にFB状態に遷移する場合
に,レベルL2によってFA状態からFB状態に遷移す
る様子が追跡でき,FB状態はレベルL3によって追跡
できることが知られている場合,使用することができ
る。
In the pattern P4, the level L1 is a level for recording the information classified in the category K1. Level L2 is a level for recording information classified into categories K1, K2A, and K2B. Level L3
Is a level for recording information classified into categories K1, K2A, and K3. This pattern P4 is designed not to be recorded when K2B recorded at level L2 is changed to level L3. For example, when it is known that the state of transition from the FA state to the FB state can be traced by the level L2 and that the FB state can be traced by the level L3 when the transition to the FB state is made after the transition to a certain FA state, Can be used.

【0072】情報処理装置86においてログ用ソフトウ
ェアを実行すると,以上のようなパターンP1,P2,
P3,P4のいずれかに基づいて,ログレベルを変更さ
せ,ログを記録する。これにより,処理システムが正常
に稼働している間は主要な情報のみを記録し,処理シス
テムに重大な状態変化が生じた時にのみ詳細な遷移情報
まで記録することができる。従って,短時間で記憶装置
の記憶容量の使用領域が最大になることがない。また,
処理システムの状態変化に関する有用性が高い記録を得
ることができる。
When the log software is executed in the information processing device 86, the patterns P1, P2 and
The log level is changed based on either P3 or P4, and the log is recorded. As a result, only main information can be recorded while the processing system is operating normally, and detailed transition information can be recorded only when a significant state change occurs in the processing system. Therefore, the used area of the storage capacity of the storage device is not maximized in a short time. Also,
It is possible to obtain a highly useful record regarding the change in the state of the processing system.

【0073】先ず,初期状態においては,パターンP
1,P2,P3,P4に共通したレベルL1が設定され
る。その後,最初の異常状態,即ち障害が発生する恐れ
がある状態を表す検知信号を検知したときは,その検知
信号に基づき,パターンP1,P2,P3,P4のいず
れかが選択される。しかし,レベルL1の記録のよう
に,低いログレベルのみの記録によっては,最初の異常
状態が発生した根本的な原因を明らかにすることは困難
であるため,最初の異常状態から予測される状態遷移パ
ターンに基づいて,パターンP1,P2,P3,P4の
いずれかを選択し,ログレベルをレベルL2に上げる。
これによりログファイルに記録する検知情報を増加させ
る。続いて,最初の異常状態に誘発されて,次の異常状
態が発生した場合は,障害発生の恐れが増加した状態を
表す検知信号が検知され,選択されたパターンに応じ
て,ログレベルをレベルL2からレベルL3に変更し,
これによりログファイルに記録する検知情報を増加させ
る。つまり,レベルL2のように,中間のログレベルの
記録においては,異常状態が発生した根本的な原因を記
録から推測して複数個に限定することが可能であるが,
特定することは困難であるため,最初の異常状態から予
測される状態遷移パターンに基づいて,パターンP1,
P2,P3,P4のいずれかを選択し,ログレベルをレ
ベルL3に上げる。そして,異常状態の根本的な原因か
ら発生する,関連した検知情報を記録する。つまり,レ
ベルL3のように,高いログレベルの記録によれば,異
常状態が発生した根本的な原因を特定することが可能で
ある。このように,障害が発生する恐れの発生又は減少
を表す検知信号を検知したときに,低いログレベルから
高いログレベルに変更することにより,検知前よりも,
ログに記録する情報を増加させる。この場合,処理シス
テム1の一部に異常状態が起こり,障害に発展した場
合,異常状態発生から障害発生に至るまでの詳細な遷移
情報を記録することができる。従って,障害発生原因の
調査における状態変化に関する有用性が高いログファイ
ルを得ることができる。また,障害が発生する恐れがあ
る状態を表す検知信号に基づき,パターンを選択するの
で,障害の発生に関連のある状態について,記録する情
報を増加させることができる。この場合,最初に発生し
た異常状態と,その異常状態により誘発された障害発生
に関連のある異常状態に関して,詳細な遷移情報を記録
することができる。
First, in the initial state, the pattern P
The level L1 common to 1, P2, P3 and P4 is set. After that, when a detection signal indicating the first abnormal state, that is, a state in which a failure may occur is detected, one of the patterns P1, P2, P3, and P4 is selected based on the detection signal. However, since it is difficult to clarify the root cause of the first abnormal state by recording only a low log level like the record of level L1, the state predicted from the first abnormal state. Based on the transition pattern, any one of the patterns P1, P2, P3 and P4 is selected and the log level is raised to the level L2.
This increases the detection information recorded in the log file. Then, when the first abnormal state is triggered and the second abnormal state occurs, a detection signal indicating a state in which the risk of failure increases is detected, and the log level is set according to the selected pattern. Change from L2 to level L3,
This increases the detection information recorded in the log file. That is, in the case of recording at an intermediate log level such as level L2, it is possible to infer the root cause of the abnormal state from the record and limit it to a plurality of items.
Since it is difficult to identify the pattern P1, the pattern P1, based on the state transition pattern predicted from the first abnormal state.
Select one of P2, P3 and P4 and raise the log level to level L3. Then, the related detection information generated from the root cause of the abnormal state is recorded. That is, it is possible to identify the root cause of the abnormal state by recording a high log level like the level L3. In this way, when a detection signal indicating the occurrence or reduction of the risk of failure is detected, by changing from a low log level to a high log level,
Increase the information logged. In this case, when an abnormal state occurs in a part of the processing system 1 and develops into a failure, detailed transition information from the occurrence of the abnormal state to the occurrence of the failure can be recorded. Therefore, it is possible to obtain a log file that is highly useful for status changes in the investigation of the cause of failure. Further, since the pattern is selected based on the detection signal indicating the state in which a failure may occur, it is possible to increase the amount of information to be recorded regarding the status related to the occurrence of the failure. In this case, it is possible to record detailed transition information regarding the abnormal state that occurred first and the abnormal state related to the failure occurrence induced by the abnormal state.

【0074】一方,最初の異常状態発生に応じてログレ
ベルを初期状態であるレベルL1からレベルL2に変更
した後,障害が発生する恐れが解消した状態を表す検知
信号を検知したときは,その検知信号に基づき,選択さ
れたパターンに応じて,ログレベルをレベルL2からレ
ベルL1に変更し,これによりログファイルに記録する
情報を減少させる。同様に,最初の異常状態に誘発され
た次の異常状態発生に応じてログレベルをレベルL2か
らレベルL3に変更した後,障害発生の恐れが減少した
状態を表す検知信号を検知したときは,その検知信号に
基づき,選択されたパターンに応じて,ログレベルをレ
ベルL3からレベルL2に変更する。さらに,障害発生
の恐れの減少に応じてログレベルをレベルL3からレベ
ルL2に変更した後,障害が発生する恐れが解消した状
態を表す検知信号を検知したときは,ログレベルをレベ
ルL2からレベルL1に変更する。このように,障害が
発生する恐れの解消又は減少を表す検知信号を検知した
ときに,高いログレベルから低いログレベルに変更する
ことにより,検知前よりも,ログに記録する情報を減少
させる。この場合,例えば,処理システムに異常状態が
発生したが,オペレータの操作や装置の自動制御により
障害を防止することができた場合,最初に発生した異常
状態と,その異常状態により誘発された異常状態に関し
て,詳細な遷移情報を記録することができ,さらに障害
が発生する恐れが解消するまで詳細な遷移情報を記録す
ることができる。従って,異常状態の発生とその異常状
態の解消に至るまでの過程を調査する際に有用性が高い
記録を得ることができる。なお,障害発生の恐れの減少
に応じてログレベルをレベルL3からレベルL2に変更
した後,再び,障害発生の恐れが増加した状態を表す検
知信号を検知したときは,再び,ログレベルをレベルL
2からレベルL3に変更し,ログに記録する情報を増加
させることができる。即ち,処理システム1の状態に応
じて,ログに記録する情報の量を増減することができ
る。
On the other hand, when the log level is changed from the level L1 which is the initial state to the level L2 in accordance with the occurrence of the first abnormal state and then the detection signal indicating the state in which the possibility of the failure is eliminated is detected, Based on the detection signal, the log level is changed from the level L2 to the level L1 according to the selected pattern, thereby reducing the information recorded in the log file. Similarly, when the log level is changed from the level L2 to the level L3 according to the occurrence of the next abnormal state induced by the first abnormal state, and when the detection signal indicating the state in which the risk of failure is reduced is detected, Based on the detection signal, the log level is changed from level L3 to level L2 according to the selected pattern. Further, when the log level is changed from the level L3 to the level L2 according to the decrease in the risk of occurrence of a failure and then the detection signal indicating the state in which the risk of the failure is eliminated is detected, the log level is changed from the level L2 to the level. Change to L1. In this way, when the detection signal indicating the elimination or reduction of the risk of occurrence of a failure is detected, the log level is changed from the high log level to the low log level, thereby reducing the information recorded in the log. In this case, for example, if an abnormal state occurs in the processing system, but the fault can be prevented by the operator's operation or the automatic control of the device, the abnormal state that occurs first and the abnormal state induced by the abnormal state It is possible to record detailed transition information regarding the state, and further it is possible to record detailed transition information until the risk of a failure is eliminated. Therefore, it is possible to obtain a highly useful record when investigating the process leading to the occurrence of an abnormal state and the elimination of the abnormal state. After changing the log level from the level L3 to the level L2 according to the decrease in the risk of failure occurrence, when the detection signal indicating the increased risk of failure occurrence is detected again, the log level is set to the level again. L
The information recorded in the log can be increased by changing from 2 to level L3. That is, the amount of information recorded in the log can be increased or decreased according to the state of the processing system 1.

【0075】次に,以上のように構成された本実施の形
態に係る処理システム1におけるウェハWの処理工程を
説明する。先ず,図示しない搬送ロボットが未だ処理さ
れていないウェハWを例えば25枚ずつ収納したキャリ
アCを搬入出部2のキャリア搬入出部6に載置する。シ
ャッター14が開かれ,キャリア搬入出部6に載置され
たキャリアCをキャリア搬送装置12によってキャリア
ストック部7へ搬入する。キャリアストック部7では,
窓部16に対面するようにキャリアCを検査/搬入出ス
テージ15に載置する。そして,蓋体開閉機構17によ
って窓部16を開き,ウェハ検査装置18によってキャ
リアC内のウェハWの枚数を計測するとともに,所定の
ピッチで平行に1枚ずつ配置されているかを適宜検出す
る。その後,ウェハ搬入出装置19によって,窓部16
を通して1個のキャリアC内に収納された25枚のウェ
ハWを搬出し,姿勢変換機構21aにおいて25枚のウ
ェハWを水平状態から垂直状態へと姿勢変換する。そし
てウェハ垂直保持機構21bへ受け渡す。続いて,2個
目のキャリアCから25枚のウェハWをウェハ搬入出装
置19により姿勢変換機構21aへ移し替え,ウェハ垂
直保持機構21bへ受け渡す。ここでウェハWの配列ピ
ッチを半分にし,2個のキャリアC内に収納された合計
50枚のウェハWが収納される。そして,ウェハ搬送装
置22がウェハ垂直保持機構21bからウェハWを受け
取り,適宜パーキングエリア10a,10bに待機させ
た後,液処理部4内の搬送装置37へ受け渡す。
Next, the processing steps of the wafer W in the processing system 1 according to this embodiment configured as described above will be described. First, a carrier C (not shown) stores, for example, 25 unprocessed wafers W each in a carrier C on the carrier loading / unloading section 6 of the loading / unloading section 2. The shutter 14 is opened, and the carrier C placed on the carrier loading / unloading unit 6 is loaded into the carrier stock unit 7 by the carrier transport device 12. In the carrier stock section 7,
The carrier C is placed on the inspection / loading / unloading stage 15 so as to face the window 16. Then, the window 16 is opened by the lid opening / closing mechanism 17, the number of wafers W in the carrier C is measured by the wafer inspection device 18, and it is appropriately detected whether or not the wafers W are arranged in parallel at a predetermined pitch. Thereafter, the wafer loading / unloading device 19 is used to move the window 16
The 25 wafers W stored in one carrier C are unloaded through the attitude changing mechanism 21a to change the attitude of the 25 wafers W from the horizontal state to the vertical state. Then, it is transferred to the wafer vertical holding mechanism 21b. Subsequently, 25 wafers W from the second carrier C are transferred to the posture changing mechanism 21a by the wafer loading / unloading device 19 and transferred to the wafer vertical holding mechanism 21b. Here, the arrangement pitch of the wafers W is halved, and a total of 50 wafers W accommodated in the two carriers C are accommodated. Then, the wafer transfer device 22 receives the wafer W from the wafer vertical holding mechanism 21b, appropriately waits in the parking areas 10a and 10b, and then transfers it to the transfer device 37 in the liquid processing unit 4.

【0076】搬送装置37が,ウェハWを薬液が貯留さ
れた基板処理装置31の薬液槽48に下降させる。薬液
槽48には,予め温度,濃度が調整された薬液が充填さ
れている。また,薬液槽48内の薬液は循環供給回路5
4内を循環している。こうして薬液が貯留されている内
槽50に対して,50枚のウェハWを保持した搬送装置
37が下降し,ウェハWは薬液に浸漬されて有機性汚れ
除去や表面金属不純物除去が行われる。そして,搬送装
置37がウェハWを基板処理装置31から所定時間経過
後に引き上げ,基板処理装置32へ搬送する。次いで,
基板処理装置32の水洗槽に浸して所定時間保持し,引
き上げる。基板処理装置32での処理を終えたウェハW
は,水洗槽上で,ウェハ搬送装置22のチャック28a
〜28cに戻され,ウェハ搬送装置22により搬送装置
38へ搬送される。
The transfer device 37 lowers the wafer W into the chemical solution tank 48 of the substrate processing apparatus 31 in which the chemical solution is stored. The chemical liquid tank 48 is filled with a chemical liquid whose temperature and concentration are adjusted in advance. Further, the chemical liquid in the chemical liquid tank 48 is circulated and supplied to the circulation supply circuit 5.
It circulates in 4. In this way, the transfer device 37 holding 50 wafers W descends with respect to the inner tank 50 in which the chemical liquid is stored, and the wafer W is immersed in the chemical liquid to remove organic dirt and surface metal impurities. Then, the transfer device 37 lifts the wafer W from the substrate processing apparatus 31 after a predetermined time elapses, and transfers the wafer W to the substrate processing apparatus 32. Then,
The substrate processing apparatus 32 is dipped in a washing bath, held for a predetermined time, and pulled up. Wafer W that has been processed by the substrate processing apparatus 32
Is the chuck 28a of the wafer transfer device 22 on the washing tank.
To 28c, and is transferred to the transfer device 38 by the wafer transfer device 22.

【0077】ウェハWの処理中は,内槽50の上方から
溢れ出た薬液を外槽51に受けとめて,薬液をポンプ5
6の稼働によって循環供給回路54に流す。温度制御部
58で温度調整しフィルタ60で清浄化した後,内槽5
0の下方に配置されているノズルによって内槽50の下
方から再び供給し薬液を循環させる。以後,この循環を
繰り返し薬液の再利用を図り,薬液の消費量を節約す
る。
During the processing of the wafer W, the chemical liquid overflowing from above the inner tank 50 is received by the outer tank 51, and the chemical solution is pumped by the pump 5.
By the operation of No. 6, it flows to the circulation supply circuit 54. After adjusting the temperature with the temperature controller 58 and cleaning with the filter 60, the inner tank 5
The chemical liquid is circulated by supplying again from the lower part of the inner tank 50 by the nozzle arranged below 0. After that, this circulation is repeated to reuse the chemical solution, and the consumption of the chemical solution is saved.

【0078】温度制御部58では,内槽50内の薬液の
温度が予め定められた所定の値で維持されるように,回
路内を流れる薬液を冷却又は加熱して温度調整する。循
環供給回路54を流れる薬液の一部は分岐管62に流入
し,温度・濃度検出部65において温度と濃度が計測さ
れた後,外槽51に戻され再び循環供給回路54を流れ
る。温度・濃度検出部65の計測値は検知信号として制
御部5に送信される。
The temperature control unit 58 cools or heats the chemical liquid flowing in the circuit to adjust the temperature so that the temperature of the chemical liquid in the inner tank 50 is maintained at a predetermined value. A part of the chemical solution flowing through the circulation supply circuit 54 flows into the branch pipe 62, and after the temperature and concentration are measured by the temperature / concentration detection unit 65, it is returned to the outer tank 51 and flows through the circulation supply circuit 54 again. The measurement value of the temperature / concentration detection unit 65 is transmitted to the control unit 5 as a detection signal.

【0079】続いて搬送装置38は,ウェハWを下降さ
せて基板処理装置33の薬液槽内のSC−1液に浸し,
パーティクル等の付着物を除去し,所定時間経過後に引
き上げる。次いで,基板処理装置34の水洗槽に浸して
所定時間保持し,引き上げる。基板処理装置33での処
理を終えたウェハWは,水洗槽上でウェハ搬送装置22
のチャック28a〜28cに戻された後,ウェハ搬送装
置22から搬送装置39へ搬送される。
Subsequently, the transfer device 38 lowers the wafer W and immerses it in the SC-1 solution in the chemical bath of the substrate processing apparatus 33.
Remove particles and other deposits and pull up after a predetermined time. Then, the substrate is immersed in a washing bath of the substrate processing apparatus 34, held for a predetermined time, and pulled up. The wafer W, which has been processed by the substrate processing apparatus 33, is transferred to the wafer transfer apparatus 22 on the washing tank.
After being returned to the chucks 28a to 28c, the wafer is transferred from the wafer transfer device 22 to the transfer device 39.

【0080】そして搬送装置39が,ウェハWをエッチ
ング液(DHF)が貯留された基板処理装置35の薬液
槽に下降させる。薬液槽には,予め温度,濃度が調整さ
れたDHFが充填されている。また,基板処理装置35
の薬液槽内のDHFは循環供給回路54内を循環してい
る。こうしてDHFが貯留されている内槽50に対し
て,ウェハWを保持した搬送装置39が下降し,ウェハ
WはDHFに浸漬されてエッチング処理が行われる。そ
して,基板処理装置35から基板処理装置36へ搬送す
る。次いで,基板処理装置36の水洗槽に浸して所定時
間保持し,引き上げる。基板処理装置36での処理を終
えたウェハWは,水洗槽上で,ウェハ搬送装置22のチ
ャック28a〜28cに戻される。
Then, the transfer device 39 lowers the wafer W into the chemical bath of the substrate processing apparatus 35 in which the etching liquid (DHF) is stored. The chemical bath is filled with DHF whose temperature and concentration are adjusted in advance. In addition, the substrate processing apparatus 35
The DHF in the chemical solution tank circulates in the circulation supply circuit 54. In this way, the transfer device 39 holding the wafer W descends with respect to the inner tank 50 in which the DHF is stored, and the wafer W is immersed in the DHF to be etched. Then, it is conveyed from the substrate processing apparatus 35 to the substrate processing apparatus 36. Next, the substrate is immersed in a washing bath of the substrate processing apparatus 36, held for a predetermined time, and pulled up. The wafer W that has been processed by the substrate processing apparatus 36 is returned to the chucks 28 a to 28 c of the wafer transfer apparatus 22 on the water washing tank.

【0081】液処理ユニット8内での処理を終えたウェ
ハWは,ウェハ搬送装置22により乾燥ユニット9内に
搬送され,水洗槽24にて水洗された後,搬送装置25
で引き上げられ,乾燥室においてIPA乾燥される。乾
燥処理後のウェハWはウェハ搬送装置22によってイン
ターフェイス部3に戻され,適宜パーキングエリア10
aに待機される。その後,ウェハW群はインターフェイ
ス部3においてピッチ変換,姿勢変換が行われる。そし
て,ウェハWが搬入出部2においてキャリアC内に収納
され,処理後のウェハWを収納したキャリアCはキャリ
ア搬入出部6に載置され,処理システム1外に搬出され
る。
The wafer W which has been processed in the liquid processing unit 8 is transferred into the drying unit 9 by the wafer transfer device 22 and washed in the water washing tank 24, and then transferred by the transfer device 25.
And then IPA dried in the drying chamber. The wafer W after the drying process is returned to the interface unit 3 by the wafer transfer device 22, and the parking area 10 is appropriately used.
Waiting for a. Thereafter, the wafer W group is subjected to pitch conversion and attitude conversion in the interface section 3. Then, the wafer W is stored in the carrier C at the loading / unloading section 2, and the carrier C containing the processed wafer W is placed on the carrier loading / unloading section 6 and carried out of the processing system 1.

【0082】次に,以上のような処理を行う処理システ
ム1が稼動している状態のログファイルの作成について
説明する。また,一例として,図8に示すパターンP3
に基づくレベル変更により,記録されるログについて説
明する。このパターンP3において,レベルL1は,基
板処理装置31についてカテゴリK1に分類されている
情報である処理開始時間及び処理終了時間を記録するレ
ベルである。レベルL2は,基板処理装置31について
カテゴリK1に分類されている情報である時刻と,カテ
ゴリK2Aに分類されている情報である循環供給回路5
4内の薬液濃度及び外槽51の液面位置を記録するレベ
ルである。レベルL3は,基板処理装置31についてカ
テゴリK1に分類されている情報である時刻と,カテゴ
リK2Aに分類されている情報である循環供給回路54
内の薬液濃度及び外槽51の液面位置と,カテゴリK2
Bに分類されている情報である循環供給回路54内の薬
液温度と,カテゴリK3に分類されている情報である液
処理ユニット8内の温度と,液処理ユニット8内の圧力
を記録するレベルである。
Next, the creation of a log file in a state in which the processing system 1 for performing the above processing is operating will be described. In addition, as an example, the pattern P3 shown in FIG.
Logs recorded when the level is changed based on In the pattern P3, the level L1 is a level for recording the processing start time and the processing end time which are information classified into the category K1 for the substrate processing apparatus 31. The level L2 is the time that is information classified into the category K1 of the substrate processing apparatus 31, and the circulation supply circuit 5 that is information classified into the category K2A.
4 is a level for recording the concentration of the chemical liquid in 4 and the liquid surface position of the outer tank 51. The level L3 is the time that is information classified into the category K1 of the substrate processing apparatus 31, and the circulation supply circuit 54 that is the information classified into the category K2A.
The chemical concentration inside and the liquid surface position of the outer tank 51, category K2
At the level of recording the chemical liquid temperature in the circulation supply circuit 54 which is the information classified into B, the temperature in the liquid processing unit 8 which is the information classified into category K3, and the pressure inside the liquid processing unit 8. is there.

【0083】図9に示す処理においては,先ず,液処理
ユニット8にウェハWを搬入することにより,液処理ユ
ニット8における処理を開始する(SA1)。一方,制
御部5では検出手段から送信される検知信号を監視して
いる(SA2)。このとき,図10に示すように,ログ
を記録するログレベルは,初期状態であるレベルL1と
なっており(SA3),液処理ユニット8にウェハWを
搬入した処理開始時刻と,基板処理装置31,33,3
5内の薬液槽と基板処理装置32,34,36内の水洗
槽にウェハWを浸漬した処理開始時刻と,基板処理装置
31,33,35内の薬液槽と基板処理装置32,3
4,36内の水洗槽からウェハWを引き上げた処理終了
時刻と,液処理ユニット8からウェハWを搬出した処理
終了時刻が記録されていく(SA4)。
In the processing shown in FIG. 9, first, the wafer W is loaded into the liquid processing unit 8 to start the processing in the liquid processing unit 8 (SA1). On the other hand, the control unit 5 monitors the detection signal transmitted from the detection means (SA2). At this time, as shown in FIG. 10, the log level for recording the log is the initial level L1 (SA3), the processing start time when the wafer W is loaded into the liquid processing unit 8, and the substrate processing apparatus. 31, 33, 3
Processing start time when the wafer W is immersed in the chemical bath in 5 and the washing bath in the substrate processing apparatus 32, 34, 36, and the chemical bath in the substrate processing apparatus 31, 33, 35 and the substrate processing apparatus 32, 3
The processing end time when the wafer W is pulled up from the water washing tank in 4, 36 and the processing end time when the wafer W is unloaded from the liquid processing unit 8 are recorded (SA4).

【0084】ところで,基板処理装置31の薬液槽48
から浸漬したウェハWを引き上げるときに,ウェハWに
薬液が付着するので,ウェハW群の処理数が増加するに
伴い,循環供給している薬液槽48内の薬液の量が減少
する(SA5)。すると,内槽50から外槽51へ流れ
出す薬液量が減少し,外槽51の液面位置が低下するの
で(SA6),液面センサ52が液面低下を検知し,検
出値を出力信号として制御部5へ送信する。制御部5で
は,この出力信号を検知信号として受信し(SA7),
この検知信号に基づき,薬液供給回路70に設置された
混合供給部73に対して所定濃度の薬液を供給するため
の制御信号を送信する(SA8)。一方,制御部5が液
面低下の検知信号を受信すると,制御部5内のログの記
録手段は,ログレベルをレベルL1からレベルL2へ変
更する(SA9)。そして,レベルL2へ変更した時点
からは,液処理ユニット8にウェハWを搬入した処理開
始時刻と,基板処理装置31,33,35内の薬液槽と
基板処理装置32,34,36内の水洗槽にウェハWを
浸漬した処理開始時刻と,基板処理装置31,33,3
5内の薬液槽と基板処理装置32,34,36内の水洗
槽からウェハWを引き上げた処理終了時刻と,液処理ユ
ニット8からウェハWを搬出した処理終了時刻を含む時
刻と,薬液槽48内の薬液濃度と,外槽51の薬液の液
面位置が記録されていく(SA10)。即ち,ログレベ
ルをレベルL1からレベルL2へ変更することにより,
記録する検知情報を増加させる。
By the way, the chemical bath 48 of the substrate processing apparatus 31.
Since the chemical liquid adheres to the wafer W when the wafer W soaked from the wafer W is pulled up, the amount of the chemical liquid in the chemical liquid tank 48 that is circulated and supplied decreases as the number of wafers W processed increases (SA5). . Then, the amount of the chemical liquid flowing from the inner tank 50 to the outer tank 51 is reduced, and the liquid surface position of the outer tank 51 is lowered (SA6). It is transmitted to the control unit 5. The control unit 5 receives this output signal as a detection signal (SA7),
Based on this detection signal, a control signal for supplying a chemical solution having a predetermined concentration to the mixing supply section 73 installed in the chemical solution supply circuit 70 is transmitted (SA8). On the other hand, when the control unit 5 receives the liquid level drop detection signal, the log recording means in the control unit 5 changes the log level from the level L1 to the level L2 (SA9). Then, from the time of changing to the level L2, the processing start time of loading the wafer W into the liquid processing unit 8, the chemical solution tank in the substrate processing apparatus 31, 33, 35 and the water washing in the substrate processing apparatus 32, 34, 36. Processing start time when the wafer W is immersed in the bath, and the substrate processing apparatus 31, 33, 3
5, a processing end time when the wafer W is pulled up from the chemical bath in the substrate processing apparatus 5 and the washing baths in the substrate processing apparatuses 32, 34 and 36, a time including the processing end time when the wafer W is unloaded from the liquid processing unit 8, and the chemical bath 48. The chemical concentration inside and the liquid surface position of the chemical in the outer tank 51 are recorded (SA10). That is, by changing the log level from level L1 to level L2,
Increase the recorded detection information.

【0085】制御部5からの制御信号に基づき,薬液槽
48に所定濃度の薬液が供給されると(SA11),外
槽51の液面位置が正常値に回復する(SA12)。こ
のようにして,液面高さが所望の高さに維持され,ウェ
ハWの処理が続行される(SA13)。そして,外槽5
1の液面位置が正常値に回復した状態の検出値が,出力
信号として制御部5に送信され,制御部5では,この出
力信号を検知信号として受信する(SA14)。する
と,制御部5内のログの記録手段は,ログレベルをレベ
ルL2からレベルL1へ変更する(SA15)。そし
て,ウェハWの処理の監視が続行され(SA16),レ
ベルL1へ変更した時点からは,液処理ユニット8にウ
ェハWを搬入した処理開始時刻と,基板処理装置31,
33,35内の薬液槽と基板処理装置32,34,36
内の水洗槽にウェハWを浸漬した処理開始時刻と,基板
処理装置31,33,35内の薬液槽と基板処理装置3
2,34,36内の水洗槽からウェハWを引き上げた処
理終了時刻と,液処理ユニット8からウェハWを搬出し
た処理終了時刻が記録されていく(SA17)。即ち,
ログレベルをレベルL2からレベルL1へ変更すること
により,記録する検知情報を減少させる。
When a chemical solution having a predetermined concentration is supplied to the chemical solution tank 48 based on the control signal from the control section 5 (SA11), the liquid surface position of the outer tank 51 is restored to a normal value (SA12). In this way, the liquid level height is maintained at a desired height, and the processing of the wafer W is continued (SA13). And outer tank 5
The detected value of the state where the liquid level position of 1 is restored to the normal value is transmitted to the control unit 5 as an output signal, and the control unit 5 receives this output signal as a detection signal (SA14). Then, the log recording means in the control unit 5 changes the log level from the level L2 to the level L1 (SA15). Then, the processing of the wafer W is continuously monitored (SA16), and from the time of changing to the level L1, the processing start time of loading the wafer W into the liquid processing unit 8 and the substrate processing apparatus 31,
Chemical solution tanks in 33, 35 and substrate processing apparatus 32, 34, 36
Processing start time when the wafer W is immersed in the water washing tank inside, and the chemical liquid tank and the substrate processing apparatus 3 in the substrate processing apparatuses 31, 33, and 35.
The processing end time when the wafer W is pulled up from the washing tank in 2, 34, 36 and the processing end time when the wafer W is unloaded from the liquid processing unit 8 are recorded (SA17). That is,
By changing the log level from the level L2 to the level L1, the recorded detection information is reduced.

【0086】このように,障害が発生する恐れがある異
常状態を検出信号により検知したときに,記録する情報
を増加させ,制御部5の制御機能により異常状態が解消
した状態を検知したときに,記録する情報を減少させる
ようにする。この場合,最初に発生した異常状態とその
異常状態により誘発された異常状態について,詳細な遷
移情報を記録することができ,さらに,異常状態が解消
するまでの詳細な遷移情報を記録することができる。従
って,異常状態とその解消に至るまでの過程を調査する
際に有用な記録を得ることができる。
As described above, when an abnormal state in which a failure may occur is detected by the detection signal, the information to be recorded is increased, and when the control function of the control unit 5 detects the state in which the abnormal state is eliminated, , Try to reduce the information recorded. In this case, it is possible to record detailed transition information about the abnormal state that occurred first and the abnormal state induced by the abnormal state, and further to record detailed transition information until the abnormal state is resolved. it can. Therefore, it is possible to obtain a useful record when investigating the abnormal state and the process leading to its elimination.

【0087】次に,処理システム1に発生する可能性の
ある障害と,その状態遷移における,ログの記録につい
て説明する。処理システム1の障害としては,循環供給
回路54の配管から漏れ出した薬液が,液処理ユニット
8内の電気配線に接触することにより,処理システム1
に火災が発生し,爆発するものが想定される。この障害
においては,障害発生原因を示す情報として,液面セン
サ52の液面位置低下が設定されている。
Next, a description will be given of a fault that may occur in the processing system 1 and the recording of a log in the state transition. One of the obstacles of the processing system 1 is that the chemical liquid leaking from the pipe of the circulation supply circuit 54 comes into contact with the electric wiring in the liquid processing unit 8 to cause a failure of the processing system 1.
It is assumed that there will be a fire and an explosion. For this fault, the liquid level drop of the liquid level sensor 52 is set as information indicating the cause of the fault.

【0088】図11に示す処理においては,先ず,液処
理ユニット8にウェハWを搬入することにより,液処理
ユニット8における処理を開始する(SB1)。一方,
制御部5では検出手段から送信される検知信号を監視し
ている(SB2)。このとき,図12に示すように,ロ
グを記録するログレベルは,初期状態であるレベル1と
なっている(SB3)。即ち,制御部内蔵タイマ87の
時間検知信号に基づき,液処理ユニット8にウェハWを
搬入した処理開始時刻と,基板処理装置31,33,3
5内の薬液槽と基板処理装置32,34,36内の水洗
槽にウェハWを浸漬した処理開始時刻と,基板処理装置
31,33,35内の薬液槽と基板処理装置32,3
4,36内の水洗槽からウェハWを引き上げた処理終了
時刻と,液処理ユニット8からウェハWを搬出した処理
終了時刻が記録されていく(SB4)。
In the processing shown in FIG. 11, first, the wafer W is loaded into the liquid processing unit 8 to start the processing in the liquid processing unit 8 (SB1). on the other hand,
The control unit 5 monitors the detection signal transmitted from the detection means (SB2). At this time, as shown in FIG. 12, the log level at which the log is recorded is level 1 which is the initial state (SB3). That is, based on the time detection signal of the timer 87 built in the control unit, the processing start time when the wafer W is loaded into the liquid processing unit 8 and the substrate processing apparatuses 31, 33, 3
Processing start time when the wafer W is immersed in the chemical bath in 5 and the washing bath in the substrate processing apparatus 32, 34, 36, and the chemical bath in the substrate processing apparatus 31, 33, 35 and the substrate processing apparatus 32, 3
The processing end time when the wafer W is pulled up from the washing tank in 4, 36 and the processing end time when the wafer W is unloaded from the liquid processing unit 8 are recorded (SB4).

【0089】ここで,処理システム1の異常状態発生と
して,例えば循環供給回路54の配管の劣化などによ
り,循環供給回路54の配管に亀裂が発生した場合(S
B5),循環供給回路54の配管からの薬液漏れが発生
する(SB6)。そして,内槽50から外槽51へ流れ
出す薬液量が減少し,外槽51の液面位置が低下するの
で(略),液面センサ52が液面低下を検知し,検出値
を出力信号として制御部5へ送信する。制御部5では,
この出力信号を検知信号として受信し(SB7),この
検知信号に基づき,薬液供給回路70に設置された混合
供給部73に対して所定濃度の薬液を供給するための制
御信号を送信する(SB8)。一方,制御部5が液面低
下の検知信号を受信すると,制御部5内のログの記録手
段は,ログレベルをレベルL1からレベルL2へ変更す
る(SB9)。そして,レベルL2へ変更した時点から
は,制御部内蔵タイマ87の時間検知信号に基づく時刻
と,薬液槽48内の薬液濃度と,外槽51の薬液の液面
位置が記録されていく(SB10)。即ち,ログレベル
をレベルL1からレベルL2へ変更することにより,記
録する検知情報を増加させる。
Here, as an abnormal state of the processing system 1, when the pipe of the circulation supply circuit 54 is cracked due to deterioration of the pipe of the circulation supply circuit 54 or the like (S
B5), chemical liquid leakage from the piping of the circulation supply circuit 54 occurs (SB6). Then, since the amount of the chemical liquid flowing from the inner tank 50 to the outer tank 51 decreases and the liquid surface position of the outer tank 51 lowers (omitted), the liquid surface sensor 52 detects the liquid surface lowering, and the detected value is used as an output signal. It is transmitted to the control unit 5. In the control unit 5,
This output signal is received as a detection signal (SB7), and based on this detection signal, a control signal for supplying a chemical solution having a predetermined concentration to the mixing supply section 73 installed in the chemical solution supply circuit 70 is transmitted (SB8). ). On the other hand, when the control unit 5 receives the liquid level drop detection signal, the log recording unit in the control unit 5 changes the log level from the level L1 to the level L2 (SB9). Then, from the time when the level is changed to L2, the time based on the time detection signal of the control unit built-in timer 87, the chemical concentration in the chemical tank 48, and the liquid surface position of the chemical solution in the outer tank 51 are recorded (SB10). ). That is, by changing the log level from the level L1 to the level L2, the recorded detection information is increased.

【0090】制御部5からの制御信号に基づき,薬液槽
48に所定濃度の薬液が供給されるが(SA11),外
槽51の液面位置が正常値に回復することはない(SA
12)。即ち,薬液漏れが継続しているので,ログレベ
ルL2に設定中のログファイルには,外槽51の薬液の
液面位置低下が継続していることが記録されていく(S
B10)。一方,外槽51の液面位置がさらに低下する
ので(略),液面センサ52が液面低下を検知し,検出
値を出力信号として制御部5へ送信する。制御部5で
は,予め定められた許容値以下となった検知信号を受信
すると(SB13),アラームを発信してオペレータに
対して警告を行う(SB14)。また,処理システム1
におけるウェハWの処理を自動的に停止させる(SB1
5)。
On the basis of the control signal from the control unit 5, the chemical liquid having the predetermined concentration is supplied to the chemical liquid tank 48 (SA11), but the liquid surface position of the outer tank 51 does not recover to the normal value (SA).
12). That is, since the chemical liquid leakage continues, it is recorded in the log file that is set to the log level L2 that the liquid surface position of the chemical liquid in the outer tank 51 continues to decrease (S).
B10). On the other hand, since the liquid surface position of the outer tank 51 is further lowered (not shown), the liquid surface sensor 52 detects the liquid surface lowering and transmits the detected value as an output signal to the control unit 5. When the control unit 5 receives the detection signal which is equal to or less than the predetermined allowable value (SB13), it issues an alarm to warn the operator (SB14). In addition, the processing system 1
Automatically stops the processing of the wafer W (SB1
5).

【0091】しかしながら,循環供給回路54の配管か
ら漏れ出した薬液が,液処理ユニット8内の電気配線に
接触し,電気配線の被服を溶解し始めた場合(SB1
6),液処理ユニット8内でガスが発生する(SB1
7)。一方,発生したガスにより液処理ユニット8内が
高温となった場合,液処理ユニット温度計29により液
処理ユニット8内の雰囲気が高温となったことが検知さ
れ,検出値を出力信号として制御部5へ送信する。制御
部5では,この出力信号を検知信号として受信し(SB
18),制御部5では,予め定められた許容値以上とな
った検知信号を受信すると,アラームを発信してオペレ
ータに対して警告を行う(SB19)。また,制御部5
が許容値以上となった検知信号を受信すると,制御部5
内のログの記録手段は,ログレベルをレベルL2からレ
ベルL3へ変更する(SB20)。レベルL3へ変更し
た時点からは,制御部内蔵タイマ87の時間検知信号に
基づく時刻と,薬液槽48内の薬液濃度と,外槽51の
薬液の液面位置と,薬液槽48内の薬液温度と,液処理
ユニット8内の雰囲気の温度と,液処理ユニット8内の
雰囲気の圧力が記録されていく(SB21)。即ち,ロ
グレベルをレベルL2からレベルL3へ変更することに
より,記録する検知情報を増加させる。ログレベルL3
に設定中のログファイルには,外槽51の薬液の液面位
置低下が継続していること,液処理ユニット8内の雰囲
気の温度が上昇したことが記録されていく(SB2
1)。さらに,発生したガスが液処理ユニット8内の雰
囲気の圧力を上昇させるので,液処理ユニット8内の雰
囲気の圧力が上昇したことが記録される(SB21)。
従って,このログファイルを調べることにより,薬液槽
48から薬液が漏れ出したこと,液処理ユニット8内に
高温の雰囲気が発生したこと,ガスが発生したことが追
跡できる。即ち,障害が発生する恐れがある異常状態が
最初に発生した循環供給回路54と,その異常状態によ
り障害発生に関連のある異常状態が誘発された外槽51
及び液処理ユニット8に関して,詳細な遷移情報を記録
することができる。
However, when the chemical liquid leaking from the pipe of the circulation supply circuit 54 comes into contact with the electric wiring in the liquid processing unit 8 and begins to dissolve the clothing of the electric wiring (SB1
6), gas is generated in the liquid processing unit 8 (SB1
7). On the other hand, when the temperature inside the liquid processing unit 8 becomes high due to the generated gas, it is detected by the liquid processing unit thermometer 29 that the atmosphere inside the liquid processing unit 8 becomes high, and the detected value is used as an output signal for the control unit. Send to 5. The control unit 5 receives this output signal as a detection signal (SB
18) When the control unit 5 receives the detection signal which is equal to or more than the predetermined allowable value, it issues an alarm to warn the operator (SB19). In addition, the control unit 5
When the detection signal that the value exceeds the allowable value is received, the control unit 5
The log recording means therein changes the log level from level L2 to level L3 (SB20). From the time of changing to the level L3, the time based on the time detection signal of the control unit built-in timer 87, the chemical concentration in the chemical tank 48, the liquid surface position of the chemical in the outer tank 51, and the chemical temperature in the chemical tank 48. Then, the temperature of the atmosphere in the liquid processing unit 8 and the pressure of the atmosphere in the liquid processing unit 8 are recorded (SB21). That is, by changing the log level from the level L2 to the level L3, the recorded detection information is increased. Log level L3
In the log file being set to, it is recorded that the liquid surface position of the chemical liquid in the outer tank 51 continues to decrease and the temperature of the atmosphere in the liquid processing unit 8 rises (SB2
1). Furthermore, since the generated gas raises the pressure of the atmosphere in the liquid processing unit 8, it is recorded that the pressure of the atmosphere in the liquid processing unit 8 has risen (SB21).
Therefore, by examining this log file, it is possible to trace that the chemical liquid has leaked from the chemical liquid tank 48, that a high temperature atmosphere has been generated in the liquid processing unit 8, and that gas has been generated. That is, the circulation supply circuit 54 in which an abnormal state that may cause a failure first occurs, and the outer tank 51 in which an abnormal state related to the failure is induced by the abnormal state.
Further, detailed transition information can be recorded regarding the liquid processing unit 8.

【0092】さらに時間が経過し,被服を溶解された電
気配線がショートすることにより(SB22),火災が
発生した場合(SB23),ログレベルL3に設定中の
ログファイルには,液処理ユニット8内の雰囲気の温度
がさらに高温となったことが記録されていく。薬液槽4
8内の薬液は,火災により発生する熱により温度が上昇
し,火災により温度・濃度検出部の温度計が故障して計
測不能となるまで,異常検知信号を送信する。従って,
このログファイルを調べることにより,液処理ユニット
8内に火災が発生したことが追跡できる。また,外槽5
1における薬液の液面位置低下の遷移から,循環供給回
路54の配管の亀裂が進展する様子が追跡され,さら
に,外槽51から薬液が完全に流出した場合,外槽51
における薬液の液面位置が計測不能となる。また,耐火
仕様となっていない場合,火災により温度・濃度検出部
の濃度計,液面センサ52が故障して計測不能となった
ことが追跡できる。このようにして,最終的に処理シス
テム1が爆発する(SB24)まで,ログの記録を継続
する。
When a fire occurs due to a short circuit of the electrical wiring whose clothes have been melted (SB22) after a further lapse of time (SB23), the liquid processing unit 8 is recorded in the log file being set to the log level L3. It is recorded that the temperature of the atmosphere inside has become even higher. Chemical solution tank 4
The temperature of the chemical liquid in 8 rises due to the heat generated by the fire, and an abnormality detection signal is transmitted until the temperature cannot be measured because the thermometer of the temperature / concentration detection unit fails due to the fire. Therefore,
By examining this log file, it is possible to trace the occurrence of a fire in the liquid processing unit 8. Also, the outer tank 5
From the transition of the decrease in the liquid surface position of the chemical liquid in No. 1, it is traced that the cracks in the piping of the circulation supply circuit 54 progress, and when the chemical liquid completely flows out from the outer tank 51,
It becomes impossible to measure the liquid surface position of the chemical liquid in. If the fireproof specifications are not met, it can be tracked that the fire caused a failure of the densitometer of the temperature / concentration detection unit and the liquid level sensor 52 to make measurement impossible. In this way, the log recording is continued until the processing system 1 finally explodes (SB24).

【0093】また,ガスが発生しても液処理ユニット8
内が高温とならなかった場合は,液処理ユニット圧力計
30により液処理ユニット8内の雰囲気が高圧となった
ことを検知し,制御部5が液処理ユニット8内の雰囲気
圧力が許容値以上となった検知信号を受信することによ
り,制御部5内のログの記録手段がログレベルをレベル
L2からレベルL3へ変更する。ログレベルL3に設定
中のログファイルには,外槽51の薬液の液面位置低下
が継続していること,液処理ユニット8内の雰囲気の圧
力が上昇したことが記録される(SB21)。従って,
このログファイルを調べることにより,薬液槽48から
薬液が漏れ出したこと,液処理ユニット8内にガスが発
生したことが追跡できる。
Even if gas is generated, the liquid processing unit 8
If the inside does not reach a high temperature, the liquid treatment unit pressure gauge 30 detects that the atmosphere inside the liquid treatment unit 8 has become high, and the control unit 5 determines that the atmosphere pressure inside the liquid treatment unit 8 is equal to or higher than the allowable value. The log recording means in the control unit 5 changes the log level from the level L2 to the level L3 by receiving the detection signal. In the log file being set to the log level L3, it is recorded that the liquid surface position of the chemical liquid in the outer tank 51 is continuously lowered and the pressure of the atmosphere in the liquid processing unit 8 is increased (SB21). Therefore,
By examining this log file, it is possible to trace that the chemical liquid has leaked from the chemical liquid tank 48 and that gas has been generated in the liquid processing unit 8.

【0094】かかる処理システム1によれば,処理シス
テム1が正常に稼働している間は主要な情報のみを記録
し,処理システム1に重大な状態変化が生じた時にのみ
詳細な遷移情報まで記録することができる。また,障害
が発生する恐れが解消するまで詳細な遷移情報を記録す
ることができる。従って,短時間で記憶装置85の記憶
容量の使用領域が最大になることがない。処理が正常に
行われていた構成部の情報が過剰に記録されないので,
処理に重大な状態が発生していた構成部の記録が大量の
遷移情報に埋もれてしまうことを防止できる。処理シス
テム1の一部に異常状態が起こり障害に発展した場合,
異常状態発生から障害発生に至るまでの詳細な遷移情報
を記録することができる。ログファイルを作成するソフ
トウェアを記憶し実行する制御部5によって,記録する
遷移情報の選択を容易に行うことができる。
According to the processing system 1, only main information is recorded while the processing system 1 is operating normally, and detailed transition information is recorded only when a significant state change occurs in the processing system 1. can do. In addition, detailed transition information can be recorded until the risk of failure is eliminated. Therefore, the used area of the storage capacity of the storage device 85 is not maximized in a short time. Since the information of the component that was processed normally is not recorded excessively,
It is possible to prevent the records of the constituent parts in which a serious processing condition has occurred from being buried in a large amount of transition information. When an abnormal state occurs in a part of the processing system 1 and develops into a failure,
It is possible to record detailed transition information from the occurrence of an abnormal state to the occurrence of a failure. The control unit 5 that stores and executes the software that creates the log file can easily select the transition information to be recorded.

【0095】以上,本発明の好ましい実施の形態の一例
を説明したが,本発明は以上に説明した実施の形態に限
られないことは勿論であり,適宜変更実施することが可
能である。例えば,処理システム1の各部の状態を検出
する検出手段は,上述したものに限定されない。処理シ
ステム1の各部にはその他の種々のセンサが設置し,こ
れらを制御部5に信号入力手段として接続し,検知した
状態を出力信号として制御部5に送信するようにするこ
とが好ましい。例えば,薬液供給回路70及び循環供給
回路54に,回路内の配管を流れる薬液の圧力を計測す
る圧力センサや,流量を計測する流量センサを備えても
良い。また,ウェハ搬送装置22のベルト駆動機構に,
ベルトの寿命を検出する検出手段や,ベルトを駆動する
サーボモータの出力パルス数をモニターする検出手段
や,サーボ機構におけるエンコーダ値をモニターする検
出手段を配設することにより,ウェハ搬送装置22の駆
動の異常を検出するようにしても良い。
An example of the preferred embodiment of the present invention has been described above. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately modified and implemented. For example, the detection means for detecting the state of each part of the processing system 1 is not limited to the above. It is preferable that various other sensors are installed in each unit of the processing system 1, these are connected to the control unit 5 as signal input means, and the detected state is transmitted to the control unit 5 as an output signal. For example, the chemical solution supply circuit 70 and the circulation supply circuit 54 may be provided with a pressure sensor for measuring the pressure of the chemical solution flowing through the piping in the circuit or a flow rate sensor for measuring the flow rate. In addition, in the belt drive mechanism of the wafer transfer device 22,
By arranging a detecting means for detecting the life of the belt, a detecting means for monitoring the output pulse number of the servo motor for driving the belt, and a detecting means for monitoring the encoder value of the servo mechanism, the wafer transfer device 22 is driven. May be detected.

【0096】本実施の形態では,検知情報をカテゴリに
分類する際に,状態の発生原因に基づいて分類したが,
検出手段が設置されている構成部に基づいて分類しても
良い。このカテゴリによりレベルを作成した場合,構成
部の稼働状態に基づいて遷移情報を記録することができ
る。即ち,正常状態の構成部については主要な遷移情報
のみを記録し,異常状態が発生している構成部について
は詳細な遷移情報まで記録することができる。例えば,
温度・濃度検出部65の温度計と濃度計は,共に循環供
給回路54に設置されており,循環供給回路54内を流
れる薬液の状態を検出するための検出手段であるので,
これらの検知信号を同一のカテゴリに分類する。即ち,
例えばカテゴリK2Aに外槽51の液面位置を分類し,
カテゴリK2Bに循環供給回路54内薬液濃度と循環供
給回路54内薬液温度を分類する。このカテゴリK2
A,K2Bを用いると,循環供給回路54内の薬液濃度
が異常な検出値である場合は循環供給回路54内薬液濃
度とともに薬液温度を記録するレベルを作成することが
できる。
In the present embodiment, when the detection information is classified into categories, it is classified based on the cause of occurrence of the state.
You may classify based on the component part in which a detection means is installed. When a level is created in this category, transition information can be recorded based on the operating status of the component. That is, it is possible to record only the main transition information for a component in a normal state and record detailed transition information for a component in which an abnormal state has occurred. For example,
Since the thermometer and the densitometer of the temperature / concentration detection unit 65 are both installed in the circulation supply circuit 54 and are the detection means for detecting the state of the chemical liquid flowing in the circulation supply circuit 54,
These detection signals are classified into the same category. That is,
For example, the liquid surface position of the outer tank 51 is classified into the category K2A,
The chemical liquid concentration in the circulation supply circuit 54 and the chemical liquid temperature in the circulation supply circuit 54 are classified into the category K2B. This category K2
By using A and K2B, it is possible to create a level for recording the chemical liquid temperature together with the chemical liquid concentration in the circulation supply circuit 54 when the chemical liquid concentration in the circulation supply circuit 54 is an abnormal detection value.

【0097】ログレベルを変更する方法としては,本実
施の形態に示したようにある特定の検出値を超えた異常
検知信号を検知したときに変更する他に,その異常検知
信号が検知された頻度をトリガーにして変更するように
設定することができる。例えば,異常検知信号TAが連
続して検知された場合に,3個目の異常検知信号TAを
検知した時点でレベルを上げるように設定する。また,
異なる種類の異常検知信号TA,TB,TCがこの順に
検出されることをトリガーにしても良い。また,その異
常検知信号が検知される間隔をトリガーにして変更する
ように設定しても良い。さらに,これらの頻度と間隔を
組み合わせたトリガーとしても良い。
As a method of changing the log level, as shown in the present embodiment, in addition to changing when the abnormality detection signal exceeding a certain detection value is detected, the abnormality detection signal is detected. It can be set to change with a frequency as a trigger. For example, when the abnormality detection signal TA is continuously detected, the level is set to increase when the third abnormality detection signal TA is detected. Also,
The detection of different types of abnormality detection signals TA, TB, and TC may be used as a trigger. Further, the interval at which the abnormality detection signal is detected may be set as a trigger to change. Furthermore, a trigger that combines these frequencies and intervals may be used.

【0098】本発明の被処理体は基板に限定されず,処
理システムは基板を処理するものに限定されず,種々の
被処理体に対して処理を施す処理システムによって実施
することが可能である。
The object to be processed of the present invention is not limited to the substrate, and the processing system is not limited to the one for processing the substrate, but can be carried out by a processing system for performing processing on various objects to be processed. .

【0099】[0099]

【発明の効果】 本発明の処理システム及び処理方法に
よれば,処理システムの状態変化に関する有用性が高い
記録を得ることができる。障害発生原因の調査,障害発
生原因が障害に発展する過程の調査,又は障害が発生す
る恐れがある状態の発生とその状態の解消に至るまでの
過程の調査に有用性が高い記録を得ることができる。さ
らに,この記録により,処理システム及び処理方法の問
題点を効率的に追跡することができる。また,レベルの
変更によって,記録する情報を容易に選択することがで
きる。
According to the processing system and the processing method of the present invention, it is possible to obtain a highly useful record regarding a state change of the processing system. Obtaining highly useful records for investigating the cause of failure, investigating the process in which the cause of failure develops into failure, or investigating the process leading to the occurrence of a condition that may cause a failure and its elimination You can Furthermore, this record enables efficient tracking of problems with the processing system and method. Also, the information to be recorded can be easily selected by changing the level.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施の形態にかかる処理システムの斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view of a processing system according to the present embodiment.

【図2】本実施の形態にかかる処理システムの平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of the processing system according to the present embodiment.

【図3】基板処理装置において薬液が循環する回路と,
制御部の構成を示した説明図である。
FIG. 3 is a circuit in which a chemical solution circulates in the substrate processing apparatus,
It is explanatory drawing which showed the structure of the control part.

【図4】薬液供給回路の構成を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration of a chemical liquid supply circuit.

【図5】検知信号が検知される検出手段,検知信号が分
類されるカテゴリ,及び検出手段によって検知される処
理システムにおける構成部との関係を示した表である。
FIG. 5 is a table showing a relationship between a detection unit in which a detection signal is detected, a category into which the detection signal is classified, and a component in a processing system detected by the detection unit.

【図6】検知情報が検知される検出手段と,検知情報が
分類されるカテゴリ及び検出手段によって検知される処
理システムにおける構成部との関係を示した表である。
FIG. 6 is a table showing the relationship between the detection means for detecting the detection information, the categories into which the detection information is classified, and the components in the processing system detected by the detection means.

【図7】レベルと,各パターンにおいてレベルを構成す
るカテゴリとの関係を示した表である。
FIG. 7 is a table showing the relationship between levels and the categories that make up the levels in each pattern.

【図8】パターンP3におけるレベルと,各レベルに属
するログとそのカテゴリの関係を示した表である。
FIG. 8 is a table showing the relationship between levels in pattern P3, logs belonging to each level, and their categories.

【図9】薬液槽内において薬液減少が生じた場合の,処
理の状態遷移を示したフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing a state transition of processing when a decrease in chemical liquid occurs in the chemical liquid tank.

【図10】薬液槽内において薬液減少が生じた場合の,
状態遷移を記録する記録手段の処理を示したフローチャ
ートである。
FIG. 10 shows a case where a decrease in the chemical liquid occurs in the chemical liquid tank,
It is a flow chart showing processing of a recording means which records a state transition.

【図11】薬液槽の循環供給回路の配管に亀裂が発生し
た場合の,処理の状態遷移を示したフローチャートであ
る。
FIG. 11 is a flowchart showing a process state transition when a crack occurs in a pipe of a circulation supply circuit of a chemical liquid tank.

【図12】薬液槽の循環供給回路の配管に亀裂が発生し
た場合の,状態遷移を記録する記録手段の処理を示した
フローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing a process of a recording unit that records a state transition when a crack occurs in the pipe of the circulation supply circuit of the chemical liquid tank.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C キャリア K1,K2A,K2B,K3 カテゴリ L1,L2,L3 レベル P1,P2,P3,P4 パターン W ウェハ 1 処理システム 3 インターフェイス部 5 制御部 8 液処理ユニット 18 ウェハ検査装置 27 ウェハ検出センサ 22 ウェハ搬送装置 29 液処理ユニット温度計 30 液処理ユニット圧力計 31〜36 基板処理装置 50 内槽 51 外槽 52,52’52” 液面センサ 54,54’,54” 循環供給回路 58 温度制御部 65,65’65” 濃度・温度検出部 70 薬液供給回路 73 混合供給部 82 混合弁 85 記憶装置 86 情報処理装置 87 制御部内蔵タイマ 88 入出力装置 89 接続手段 C carrier K1, K2A, K2B, K3 categories L1, L2, L3 level P1, P2, P3, P4 pattern W wafer 1 processing system 3 Interface section 5 control unit 8 liquid processing unit 18 Wafer inspection equipment 27 Wafer detection sensor 22 Wafer transfer device 29 Liquid Processing Unit Thermometer 30 Liquid processing unit pressure gauge 31-36 Substrate processing apparatus 50 inner tank 51 outer tank 52,52'52 "Liquid level sensor 54, 54 ', 54 "circulation supply circuit 58 Temperature controller 65,65'65 "Concentration / temperature detector 70 Chemical supply circuit 73 Mixing Supply Section 82 Mixing valve 85 storage 86 Information processing equipment 87 Control unit built-in timer 88 I / O device 89 Connection means

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体を処理する処理システムであっ
て,処理システムの各部の状態を検出する複数の検出手
段と,前記状態を表す情報を記録する記録手段を備え,
前記記録手段は,前記状態に応じて記録する情報を変更
可能とすることを特徴とする処理システム。
1. A processing system for processing an object to be processed, comprising: a plurality of detecting means for detecting a state of each part of the processing system; and a recording means for recording information indicating the state.
The processing system, wherein the recording means can change the information to be recorded according to the state.
【請求項2】 前記記録手段は,障害が発生する恐れが
ある状態を検知したときに,検知前よりも記録する情報
を増加させることを特徴とする,請求項1に記載の処理
システム。
2. The processing system according to claim 1, wherein the recording unit increases the amount of information to be recorded when it detects a state in which a failure may occur, compared to before the detection.
【請求項3】 前記記録手段は,障害の発生に関連のあ
る状態を検知したときに,検知前よりも記録する情報を
増加させることを特徴とする,請求項1又は2に記載の
処理システム。
3. The processing system according to claim 1, wherein the recording unit increases the amount of information to be recorded when a condition related to the occurrence of a failure is detected, compared to before the detection. .
【請求項4】 前記記録手段は,前記障害が発生する恐
れが解消した状態を検知したときに,検知前よりも記録
する情報を減少させることを特徴とする,請求項2又は
3に記載の処理システム。
4. The recording device according to claim 2, wherein the recording unit reduces the information to be recorded when it detects a state in which the risk of occurrence of the failure is eliminated, compared to before the detection. Processing system.
【請求項5】 前記記録手段は,ログファイルを作成す
るソフトウェアを記憶していることを特徴とする,請求
項1〜4のいずれかに記載の処理システム。
5. The processing system according to claim 1, wherein the recording means stores software for creating a log file.
【請求項6】 前記記録手段は,前記状態に応じてレベ
ルを変更し,そのレベルに属する情報を記録することを
特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の処理シス
テム。
6. The processing system according to claim 1, wherein the recording unit changes a level according to the state and records information belonging to the level.
【請求項7】 処理システムによって被処理体を処理す
る方法であって,前記処理システムにおける各部の状態
の変化に応じて,前記状態を表す情報を記録することを
特徴とする処理方法。
7. A method of processing an object by a processing system, wherein information representing the state is recorded according to a change in the state of each part in the processing system.
【請求項8】 障害が発生する恐れがある状態を検知し
たときに,記録する情報を増加させることを特徴とす
る,請求項7に記載の処理方法。
8. The processing method according to claim 7, wherein the information to be recorded is increased when a state in which a failure may occur is detected.
【請求項9】 障害の発生に関連のある状態を検知した
ときに,記録する情報を増加させることを特徴とする,
請求項7又は8に記載の処理方法。
9. The information to be recorded is increased when a condition related to the occurrence of a failure is detected,
The processing method according to claim 7.
【請求項10】 前記障害が発生する恐れが解消した状
態を検知したときに,記録する情報を減少させることを
特徴とする,請求項8又は9に記載の処理方法。
10. The processing method according to claim 8, wherein the information to be recorded is reduced when the state in which the possibility of the occurrence of the failure is eliminated is detected.
【請求項11】 前記情報を前記状態の発生原因に基づ
いて複数のカテゴリに分類し,各カテゴリに対してレベ
ルを設定し,前記状態に応じて前記レベルを変更し,前
記状態に応じたレベルに属する情報を記録することを特
徴とする,請求項7〜10のいずれかに記載の処理方
法。
11. The information is classified into a plurality of categories based on the cause of occurrence of the state, a level is set for each category, the level is changed according to the state, and a level according to the state is set. The processing method according to any one of claims 7 to 10, characterized in that the information belonging to (4) is recorded.
【請求項12】 前記情報を前記状態の発生原因に基づ
いて複数のカテゴリに分類するに際し,前記処理システ
ムを構成する複数の異なる構成部に基づいて分類するこ
とを特徴とする,請求項11に記載の処理方法。
12. The method according to claim 11, wherein when classifying the information into a plurality of categories based on the cause of the occurrence of the state, the information is classified based on a plurality of different constituent parts that configure the processing system. The processing method described.
【請求項13】 過去の稼働情報の分析に基づき,前記
レベルを設定することを特徴とする,請求項11又は1
2に記載の処理方法。
13. The level according to claim 11, wherein the level is set based on an analysis of past operation information.
The processing method according to 2.
【請求項14】 前記情報を記録するログファイルを作
成することを特徴とする,請求項7〜13のいずれかに
記載の処理方法。
14. The processing method according to claim 7, wherein a log file that records the information is created.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2008152981A1 (en) * 2007-06-12 2010-08-26 株式会社アルバック Process management system
US7849363B2 (en) 2006-12-04 2010-12-07 Tokyo Electron Limited Troubleshooting support device, troubleshooting support method and storage medium having program stored therein

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