JP2003292878A - Coating liquid for forming insulating film - Google Patents

Coating liquid for forming insulating film

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JP2003292878A
JP2003292878A JP2003009635A JP2003009635A JP2003292878A JP 2003292878 A JP2003292878 A JP 2003292878A JP 2003009635 A JP2003009635 A JP 2003009635A JP 2003009635 A JP2003009635 A JP 2003009635A JP 2003292878 A JP2003292878 A JP 2003292878A
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JP
Japan
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group
carbon atoms
formula
coating liquid
insulating film
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Application number
JP2003009635A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Yoshida
祐司 吉田
Nobutaka Kunimi
信孝 国見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating liquid for forming an insulating film which can form an insulating film having a low relative dielectric constant and exhibiting excellent insulating performances. <P>SOLUTION: The coating liquid for forming an insulating film comprises at least one selected from the group consisting of a compound represented by formula (1) and a resin obtained by polymerizing the compound represented by formula (1). The method for forming an insulating film comprises applying the coating liquid on a substrate and effecting a heat treatment. The method for forming an insulating film comprises applying the coating liquid on a substrate and effecting a heat treatment thereby causing three-dimensional crosslinking. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜形成用塗布
液に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating liquid for forming an insulating film.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスは配線微細化に伴
い、電子信号の伝達速度が遅くなる、いわゆる配線遅延
が問題となっている。配線遅延の問題を解決するために
は、配線自体の性能向上、配線間の干渉を低減するなど
の方策が挙げられる。配線間の干渉を低減する方法とし
ては、絶縁膜の性能向上が挙げられる。絶縁膜の性能向
上のため、より比誘電率が低い絶縁膜の開発が望まれて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of wiring in semiconductor devices, there has been a problem of so-called wiring delay in which the transmission speed of electronic signals becomes slow. In order to solve the problem of wiring delay, measures such as improving the performance of the wiring itself and reducing the interference between the wirings can be given. As a method for reducing the interference between wirings, there is a performance improvement of the insulating film. In order to improve the performance of the insulating film, development of an insulating film having a lower relative dielectric constant is desired.

【0003】比誘電率は、電子分極性に比例することが
知られているので、電子分極率が低い有機材料が注目さ
れている。電子分極率が低い有機材料としては、ベンゾ
シクロブテン系のポリマーが知られているが、該ポリマ
ーの比誘電率は2.6であり(非特許文献1参照)、絶
縁性能は十分なものではなかった。よって、絶縁性能に
優れた絶縁膜を形成し得る塗布液の開発が望まれてい
た。
Since the relative permittivity is known to be proportional to the electronic polarizability, an organic material having a low electronic polarizability is drawing attention. A benzocyclobutene-based polymer is known as an organic material having a low electronic polarizability, but the relative dielectric constant of the polymer is 2.6 (see Non-Patent Document 1), and the insulating performance is not sufficient. There wasn't. Therefore, it has been desired to develop a coating liquid that can form an insulating film having excellent insulating performance.

【0004】[0004]

【非特許文献1】ファインケミカル, Vol.28(No.14),
p16, (1999)
[Non-Patent Document 1] Fine Chemicals, Vol.28 (No.14),
p16, (1999)

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、比誘
電率が低い絶縁性能に優れた絶縁膜を形成し得る絶縁膜
形成用塗布液を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a coating liquid for forming an insulating film, which can form an insulating film having a low relative permittivity and an excellent insulating performance.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
ような問題を解決し得る絶縁膜形成用塗布液を見出すべ
く、鋭意検討を重ねた結果、アダマンタン誘導体及びア
ダマンタン誘導体を重合して得られる樹脂からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種を含有してなる塗布液が、比
誘電率が低い絶縁膜を形成し得ることを見出し、本発明
を完成させるに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive studies in order to find a coating liquid for forming an insulating film that can solve the above problems, and as a result, polymerized adamantane derivatives and adamantane derivatives. The inventors have found that a coating liquid containing at least one selected from the group consisting of the obtained resins can form an insulating film having a low relative dielectric constant, and completed the present invention.

【0007】即ち、本発明は、式(1)で示される化合
物及び式(1)で示される化合物を重合して得られる樹
脂からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有してな
ることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液を提供するもの
である。 (1) (式中、X1は、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数
2〜6のアルキニル基、式(2)で示される1価の有機
基、または式(3)で示される1価の有機基を表わし、
互いに同一でも異なっていてもよく、X2は、水素原子
またはハロゲン原子を表わすか、水酸基、炭素数1〜6
のアルキル基、炭素数1〜6のアルキコシ基、フェノキ
シ基、または置換されていてもよいアリール基を表わ
し、複数の場合は互いに同一でも異なっていてもよく、
nは2〜16の整数を表わし、m=16−nである。) −Y1−Ar1 (2) (式中、Y1は、炭素数2〜6のアルケニレン基または
炭素数2〜6のアルキニレン基を表わし、Ar1は置換
されていてもよいアリール基を表わす。) −Y2−Ar2−(Y3−A) (3) (式中、Y2は、直接結合、炭素数1〜6のアルキレン
基、炭素数2〜6のアルケニレン基、または炭素数2〜
6のアルキニレン基を表わし、Y3は、炭素数1〜6の
アルキレン基、炭素数2〜6のアルケニレン基、または
炭素数2〜6のアルキニレン基を表わし、Y2、Y3のい
ずれかが炭素数2〜6のアルケニレン基または炭素数2
〜6のアルキニレン基であり、pは1〜5の整数であ
り、Ar2は置換されていてもよいアリーレン基を表わ
し、Aは水素原子を表わすか、置換されていてもよいア
リール基を表わし、pが2以上の場合、Y3およびAは
同一でも異なっていてもよい。)
That is, the present invention is characterized by containing at least one selected from the group consisting of a compound represented by the formula (1) and a resin obtained by polymerizing the compound represented by the formula (1). The present invention provides a coating liquid for forming an insulating film. (1) (In the formula, X 1 is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a monovalent organic group represented by formula (2), or represented by formula (3). Represents a monovalent organic group,
They may be the same or different from each other, and X 2 represents a hydrogen atom or a halogen atom, a hydroxyl group, or a carbon number of 1 to 6
Represents an alkyl group, an alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group, or an aryl group which may be substituted, and when there are a plurality of groups, they may be the same or different from each other,
n represents an integer of 2 to 16 and m = 16-n. ) —Y 1 —Ar 1 (2) (In the formula, Y 1 represents an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, and Ar 1 represents an aryl group which may be substituted. represents) -Y 2 -Ar 2 -. ( Y 3 -A) p (3) ( wherein, Y 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or, 2 to 2 carbon atoms
6 represents an alkynylene group, Y 3 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, or an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, and either Y 2 or Y 3 is present. Alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or 2 carbon atoms
To 6 are alkynylene groups, p is an integer of 1 to 5, Ar 2 represents an optionally substituted arylene group, and A represents a hydrogen atom or an optionally substituted aryl group. , P is 2 or more, Y 3 and A may be the same or different. )

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の絶縁膜形成用塗布液は、
上記式(1)で示される化合物、及び式(1)で示される
化合物を重合して得られる樹脂からなる群から選ばれる
少なくとも1種を含有してなる。ここで、X1は、炭素
数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル
基、上記式(2)で示される1価の有機基、または上記
式(3)で示される1価の有機基を表わし、互いに同一
でも異なっていてもよい。X1は、炭素数2〜6のアル
キニル基、式(2)で示される1価の有機基または式
(3)で示される1価の有機基であることが好ましい。
炭素数2〜6のアルケニル基としては、例えば、ビニル
基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジニル
基、ヘキセニル基などが挙げられ、二重結合の位置は特
に限定されるものではない。炭素数2〜6のアルキニル
基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチ
ニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、三重結合の位置
は特に限定されるものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The coating liquid for forming an insulating film of the present invention is
It contains at least one selected from the group consisting of the compound represented by the above formula (1) and a resin obtained by polymerizing the compound represented by the formula (1). Here, X 1 is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a monovalent organic group represented by the above formula (2), or a monovalent group represented by the above formula (3). Represents an organic group, and may be the same or different from each other. X 1 is preferably an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a monovalent organic group represented by the formula (2) or a monovalent organic group represented by the formula (3).
Examples of the alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms include vinyl group, allyl group, propenyl group, butenyl group, butazinyl group and hexenyl group, and the position of double bond is not particularly limited. Examples of the alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms include an ethynyl group, a propynyl group, a butynyl group and a hexynyl group, and the position of the triple bond is not particularly limited.

【0009】式(2)で示される1価の有機基のY1とし
ては、例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレ
ン基などの炭素数2〜6のアルケニレン基、またはエチ
ニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ブタジニレ
ン基などの炭素数2〜6のアルキニレン基が挙げられ
る。
Examples of Y 1 of the monovalent organic group represented by the formula (2) include alkenylene groups having 2 to 6 carbon atoms such as vinylene group, propenylene group and butenylene group, or ethynylene group, propynylene group, butynylene group. Group, an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms such as a butadinylene group.

【0010】Ar1は、置換されていてもよいアリール基
を表わし、具体例としては、フェニル基、メチルフェニ
ル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチ
ルフェニル基、トリメチルフェニル基、テトラメチルフ
ェニル基、ペンタメチルフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェ
ノキシフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニ
ル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、ニトロフ
ェニル基、シアノフェニル基、カルボキシフェニル基、
メチルオキシカルボニルフェニル基、アミノフェニル
基、ナフチル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル
基、エチルナフチル基、ジエチルナフチル基、トリメチ
ルナフチル基、テトラメチルナフチル基、ペンタメチル
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メトキシナフチル
基、エトキシナフチル基、フェノキシナフチル基、フル
オロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル
基、ヨードナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフ
チル基、カルボキシナフチル基、メチルオキシカルボニ
ルナフチル基、アミノナフチル基、ビフェニル基、アン
トラセニル基などが挙げられる。
Ar 1 represents an optionally substituted aryl group, and specific examples thereof include a phenyl group, a methylphenyl group, a dimethylphenyl group, an ethylphenyl group, a diethylphenyl group, a trimethylphenyl group and a tetramethylphenyl group. , Pentamethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, iodophenyl group, nitrophenyl group, cyanophenyl group, carboxyphenyl group,
Methyloxycarbonylphenyl group, aminophenyl group, naphthyl group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group, ethylnaphthyl group, diethylnaphthyl group, trimethylnaphthyl group, tetramethylnaphthyl group, pentamethylnaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methoxynaphthyl group , Ethoxynaphthyl group, phenoxynaphthyl group, fluoronaphthyl group, chloronaphthyl group, bromonaphthyl group, iodonaphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group, carboxynaphthyl group, methyloxycarbonylnaphthyl group, aminonaphthyl group, biphenyl group, Examples thereof include anthracenyl group.

【0011】式(3)で示される1価の有機基のY2は、
直接結合、炭素数1〜6のアルキレン基、炭素数2〜6
のアルケニレン基、または炭素数2〜6のアルキニレン
基を表わす。炭素数1〜6のアルキレン基としては、例
えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、へキシ
レン基などが挙げられる。炭素数2〜6のアルケニレン
基、炭素数2〜6のアルキニレン基としては、前記と同
じ基が挙げられる。
Y 2 of the monovalent organic group represented by the formula (3) is
Direct bond, alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms
Or an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms. Examples of the alkylene group having 1 to 6 carbon atoms include methylene group, ethylene group, propylene group and hexylene group. Examples of the alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms and the alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms include the same groups as described above.

【0012】Y3は、炭素数2〜6のアルケニル基または
炭素数2〜6のアルキニル基を表わす。pは1〜5の整
数を表し、pは1または2であることが好ましい。炭素
数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基
としては、前記と同じ基が挙げられる。
Y 3 represents an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms. p represents an integer of 1 to 5, and p is preferably 1 or 2. Examples of the alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms and the alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms include the same groups as described above.

【0013】Ar2は、置換されていてもよいアリーレン
基を表し、具体例としては、フェニレン基、メチルフェ
ニレン基、ジメチルフェニレン基、エチルフェニレン
基、ジエチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、
テトラメチルフェニレン基、ペンタメチルフェニレン基
などのアルキルフェニレン基、メトキシフェニレン基、
エトキシフェニレン基などのアルコキシフェニレン基、
フルオロフェニレン基、クロロフェニレン基、ブロモフ
ェニレン基、ヨードフェニレン基などのハロフェニレン
基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、エチ
ルナフチレン基、ジエチルナフチレン基、トリメチルナ
フチレン基、テトラメチルナフチレン基、ペンタメチル
ナフチレン基などのアルキルナフチレン基、メトキシナ
フチレン基、エトキシナフチレン基などのアルコキシナ
フチレン基、フルオロナフチレン基、クロロナフチレン
基、ブロモナフチレン基、ヨードナフチレン基などのハ
ロナフチレン基、ヒドロキシフェニレン基、フェノキシ
フェニレン基、ニトロフェニレン基、シアノフェニレン
基、カルボキシフェニレン基、メチルオキシカルボニル
フェニレン基、アミノフェニレン基、ナフチレン基、ヒ
ドロキシナフチレン基、フェノキシナフチレン基、ニト
ロナフチレン基、シアノナフチレン基、カルボキシナフ
チレン基、メチルオキシカルボニルナフチレン基、アミ
ノナフチレン基、ビフェニレン基、アントラセレン基な
どが挙げられる。
Ar 2 represents an optionally substituted arylene group, and specific examples thereof include a phenylene group, a methylphenylene group, a dimethylphenylene group, an ethylphenylene group, a diethylphenylene group, a trimethylphenylene group,
Alkylphenylene groups such as tetramethylphenylene group, pentamethylphenylene group, methoxyphenylene group,
An alkoxyphenylene group such as an ethoxyphenylene group,
Fluorophenylene group, chlorophenylene group, bromophenylene group, halophenylene group such as iodophenylene group, methylnaphthylene group, dimethylnaphthylene group, ethylnaphthylene group, diethylnaphthylene group, trimethylnaphthylene group, tetramethylnaphthylene group, Alkylnaphthylene group such as pentamethylnaphthylene group, alkoxynaphthylene group such as methoxynaphthylene group, ethoxynaphthylene group, fluoronaphthylene group, halonaphthylene group such as chloronaphthylene group, bromonaphthylene group, halonaphthylene group such as iodonaphthylene group, hydroxyphenylene group Group, phenoxyphenylene group, nitrophenylene group, cyanophenylene group, carboxyphenylene group, methyloxycarbonylphenylene group, aminophenylene group, naphthylene group, hydroxynaphthylene group Group, phenoxy Sina border alkylene group, Nitoronafuchiren group, Shianonafuchiren group, carboxyanhydride Sina border alkylene group, methyloxycarbonyl naphthylene group, Aminonafuchiren group, biphenylene group, etc. Antoraseren group.

【0014】Aは、水素原子または置換されていてもよ
いアリール基を表わす。置換されていてもよいアリール
基としては、前記と同じものが挙げられる。
A represents a hydrogen atom or an optionally substituted aryl group. Examples of the aryl group which may be substituted include the same ones as described above.

【0015】X1は、重合時の反応性が高くなるため、
炭素−炭素3重結合を含むことが好ましい。X1が炭素
数2〜6のアルキニル基、Y1が炭素数2〜6のアルキ
ニレン基である式(2)で示される1価の有機基または
2、Y3のいずれかが炭素数2〜6のアルキニレン基で
ある式(3)で示される1価の有機基であることが好ま
しい。
Since X 1 has high reactivity during polymerization,
It is preferable to include a carbon-carbon triple bond. X 1 is an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, Y 1 is an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, and the monovalent organic group represented by the formula (2) or Y 2 or Y 3 has 2 carbon atoms. It is preferably a monovalent organic group represented by the formula (3), which is an alkynylene group represented by any of the formulas 1 to 6.

【0016】X1は下記の群から選ばれる1価の有機基
であることがより好ましい。 式中、Ar1、Ar2、A、pは、前記と同じものを表わ
す。X1が下記の群から選ばれる1価の有機基である場
合、アルキニレン基同士が反応し、化学構造が芳香環、
ポリビニレン骨格またはポリアセチレン骨格となるた
め、得られる絶縁膜の機械的強度が高くなり、より好ま
しい。
More preferably, X 1 is a monovalent organic group selected from the following group. In the formula, Ar 1 , Ar 2 , A and p have the same meanings as described above. When X 1 is a monovalent organic group selected from the following group, alkynylene groups react with each other, and the chemical structure is an aromatic ring,
Since it has a polyvinylene skeleton or a polyacetylene skeleton, the mechanical strength of the obtained insulating film is increased, which is more preferable.

【0017】X1は、分極性が低く、比誘電率が低い絶縁
膜が得られるため、下記の群から選ばれる1価の有機基
であることがさらに好ましい。 式中、q、r、s、tは、それぞれ独立に、0〜5の整
数を表わし、q+rは1〜5であり、s+tは0〜5以
下である。
X 1 is more preferably a monovalent organic group selected from the following group, because an insulating film having a low polarizability and a low relative dielectric constant can be obtained. In the formula, q, r, s, and t each independently represent an integer of 0 to 5, q + r is 1 to 5 and s + t is 0 to 5 or less.

【0018】X1は、下記の群から選ばれる1価の有機基
であることが特に好ましい。下記の群から選ばれる1価
の有機基は、原料であるアセチレン、エチニルベンゼ
ン、ジフェニルアセチレン、エチニルジフェニルアセチ
レンの入手が容易であるため、特に好ましい。
X 1 is particularly preferably a monovalent organic group selected from the following group. A monovalent organic group selected from the following group is particularly preferable because the raw materials acetylene, ethynylbenzene, diphenylacetylene, and ethynyldiphenylacetylene are easily available.

【0019】X2は、水素原子またはハロゲン原子を表
わすか、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6のアルキコシ基、フェノキシ基、または置換されて
いてもよいアリール基を表わし、互いに同一でも異なっ
ていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭素数1
〜6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等が挙げられ
る。炭素数1〜6のアルキコシ基としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘ
キソキシ基等が挙げられる。置換されていてもよいアリ
ール基としては、例えば、メチルフェニル基、ジメチル
フェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、
トリメチルフェニル基、テトラメチルフェニル基、ペン
タメチルフェニル基などのアルキルフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基などのアルコキシフ
ェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブ
ロモフェニル基、ヨードフェニル基などのアルコキシフ
ェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、エ
チルナフチル基、ジエチルナフチル基、トリメチルナフ
チル基、テトラメチルナフチル基、ペンタメチルナフチ
ル基などのアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、
エトキシナフチル基などのアルコキシナフチル基、フル
オロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル
基、ヨードナフチル基などのハロナフチル基、フェニル
基、ヒドロキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニ
トロフェニル基、シアノフェニル基、カルボキシフェニ
ル基、メチルオキシカルボニルフェニル基、アミノフェ
ニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、フェノキ
シナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、
カルボキシナフチル基、メチルオキシカルボニルナフチ
ル基、アミノナフチル基、ビフェニル基、アントラセニ
ル基等が挙げられるX2は、水素原子、水酸基、置換さ
れていてもよいアリール基であることが好ましく、より
好ましくは水素原子である。また、nは2〜16の整数
を表わし、m=16−nである。
X 2 represents a hydrogen atom or a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 1 carbon atom.
Represents an alkyloxy group, a phenoxy group, or an optionally substituted aryl group of 6 to 6, and may be the same or different from each other. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Carbon number 1
Examples of the alkyl group of to 6 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group and the like. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and a hexoxy group. Examples of the optionally substituted aryl group include, for example, a methylphenyl group, a dimethylphenyl group, an ethylphenyl group, a diethylphenyl group,
Alkylphenyl groups such as trimethylphenyl group, tetramethylphenyl group, pentamethylphenyl group, alkoxyphenyl groups such as methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, alkoxyphenyl such as iodophenyl group Group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group, ethylnaphthyl group, diethylnaphthyl group, trimethylnaphthyl group, tetramethylnaphthyl group, alkylnaphthyl group such as pentamethylnaphthyl group, methoxynaphthyl group,
Alkoxynaphthyl group such as ethoxynaphthyl group, fluoronaphthyl group, chloronaphthyl group, halonaphthyl group such as bromonaphthyl group, iodonaphthyl group, phenyl group, hydroxyphenyl group, phenoxyphenyl group, nitrophenyl group, cyanophenyl group, carboxyphenyl group Group, methyloxycarbonylphenyl group, aminophenyl group, naphthyl group, hydroxynaphthyl group, phenoxynaphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group,
X 2, which includes a carboxynaphthyl group, a methyloxycarbonylnaphthyl group, an aminonaphthyl group, a biphenyl group, an anthracenyl group, and the like, is preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, or an optionally substituted aryl group, and more preferably hydrogen. Is an atom. Further, n represents an integer of 2 to 16, and m = 16−n.

【0020】式(1)で示される化合物のうち、アダマ
ンタンのメチレン基に置換基にX2を有する化合物は、
例えば、アダマンタンのメチレン基を硫酸、硝酸、発煙
硫酸等の強酸で酸化してカルボニル基とし、水素化する
ことにより、X2が水酸基であるものを製造できる。更
に、この水酸基を塩素、臭素、ヨウ素等によりハロゲン
化することにより、X2がハロゲン原子であるものを製
造することができる。該ハロゲン原子と反応可能な炭素
数1〜6のアルキルリチウム、アリールリチウム、炭素
数1〜6のアルコール、フェノールを反応させることに
より、X2がアルキル基、アリール基、アルコキシ基、
フェノキシ基であるものを製造することができる。式
(1)で示される化合物のうち、アダマンタンのメチレ
ン基に置換基にX1を有する化合物は、例えば、アダマ
ンタンのメチレン基を硫酸、硝酸、発煙硫酸等の強酸で
酸化し、これを塩素、臭素、ヨウ素等によりハロゲン化
し、該ハロゲン原子と、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン等の炭素数2〜6アルケン類、アセチレン、プロピニ
ン等の炭素数2〜6のアルキン類に対しては、その不飽
和基に結合する水素原子、(2)〜(3)式で示される
基は、Y1、Ar1、Y2、Ar2に直接結合する水素原子
をリチウム等で活性化したものとを反応することにより
製造することができる。
Among the compounds represented by the formula (1), the compound having a substituent X 2 in the methylene group of adamantane is
For example, by oxidizing a methylene group of adamantane with a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid or fuming sulfuric acid to form a carbonyl group and hydrogenating the compound, X 2 having a hydroxyl group can be produced. Further, by halogenating this hydroxyl group with chlorine, bromine, iodine or the like, it is possible to produce a compound in which X 2 is a halogen atom. X 2 is an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, by reacting an alkyllithium having 1 to 6 carbon atoms, an aryllithium, an alcohol having 1 to 6 carbon atoms, and a phenol capable of reacting with the halogen atom.
Those that are phenoxy groups can be produced. Among the compounds represented by the formula (1), the compound having a substituent X 1 in the methylene group of adamantane is, for example, the methylene group of adamantane is oxidized with a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid or fuming sulfuric acid, and chlorine, Halogenated with bromine, iodine, etc., and the unsaturated group for the halogen atom and alkynes having 2 to 6 carbon atoms such as ethylene, propylene and butylene, and alkynes having 2 to 6 carbon atoms such as acetylene and propyne. The hydrogen atom bonded to the group represented by the formulas (2) to (3) reacts with a hydrogen atom directly bonded to Y 1 , Ar 1 , Y 2 or Ar 2 activated with lithium or the like. Can be manufactured by.

【0021】また、式(1)で示される化合物のうち、
アダマンタンの橋かけメチン基に置換基X1および/ま
たはX2を有する化合物は、例えば、アダマンタンの橋
かけメチン基を塩素、臭素、ヨウ素等によりハロゲン化
し、X1−Hおよび/またはX2−Hとカップリング反応
することにより製造することができ、X1−Hおよび/
またはX2−Hの水素原子をリチウム、アルミニウム、
チタン、アンチモン等の金属イオンで活性化させていて
もよい。
Further, among the compounds represented by the formula (1),
The compound having a substituent X 1 and / or X 2 on the cross-linking methine group of adamantane is, for example, halogenated the cross-linking methine group of adamantane with chlorine, bromine, iodine or the like to obtain X 1 -H and / or X 2-. It can be produced by reacting with H to produce X 1 -H and / or
Alternatively, the hydrogen atom of X 2 —H may be lithium, aluminum,
It may be activated with a metal ion such as titanium or antimony.

【0022】前記カップリング反応のなかで、橋かけメ
チン基に置換基X1を有する化合物を製造する反応は、
塩化アルミニウム、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化チ
タン、臭化アルミニウム、臭化スズ、臭化アンチモン、
臭化チタン等のルイス酸を触媒として用いることが好ま
しく、該触媒に加えてt−ブチルクロリド、t−ブチル
ブロミド、t−ブチルヨージド等を共存させることがよ
り好ましい。
Among the above coupling reactions, the reaction for producing a compound having a substituent X 1 on the cross-linked methine group is
Aluminum chloride, tin chloride, antimony chloride, titanium chloride, aluminum bromide, tin bromide, antimony bromide,
It is preferable to use a Lewis acid such as titanium bromide as a catalyst, and it is more preferable to coexist with t-butyl chloride, t-butyl bromide, t-butyl iodide and the like in addition to the catalyst.

【0023】出発原料であるアダマンタン誘導体とし
て、アダマンタンが工業的に入手しやすく、アダマンタ
ン分子のメチン基が反応性が高いため、式(1)で示さ
れる化合物は下記の化合物であることが好ましい。X1
はアダマンタン1分子に対して2〜3個であることが簡
便に製造できるため特に好ましい。
As the adamantane derivative as a starting material, adamantane is industrially easily available and the methine group of the adamantane molecule has high reactivity. Therefore, the compound represented by the formula (1) is preferably the following compound. It is particularly preferable that the number of X 1 groups is 2 to 3 per 1 molecule of adamantane because it can be easily produced.

【0024】本発明の絶縁膜形成用塗布液は、式(1)
で示される化合物、該化合物を重合して得られる樹脂、
またはこれらの混合物を有機溶剤に溶解することによっ
て得ることができる。式(1)で示される化合物を重合
する方法としては、公知の重合方法を適用することが可
能であり、例えば、過酸化ベンゾイル、t-ブチルパーオ
キシド、アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル開始
剤によるラジカル重合、硫酸、リン酸、トリエチルアル
ミニウム、塩化タグステン等の触媒によるカチオン重
合、リチウムナフタレン等の触媒によるアニオン重合、
光照射等の光ラジカル重合などを挙げることができる。
重合は、通常、X1同士が反応することにより進行す
る。得られる樹脂の具体例としては、ポリ(ジエチニル
アダマンタン)、ポリ(トリエチニルアダマンタン)、
ポリ(テトラエチニルアダマンタン)ポリ(ビス(エチ
ニルフェニル)アダマンタン)、ポリ(トリス(エチニ
ルフェニル)アダマンタン)、ポリ(ビス(ジエチニル
フェニル)アダマンタン)、ポリ(トリス(ジエチニル
フェニル)アダマンタン)、ポリ(ビス(エチニルフェ
ニルエチニル)アダマンタン)、ポリ(トリス(エチニ
ルフェニルエチニル)アダマンタン)等が挙げられる。
The coating liquid for forming an insulating film of the present invention has the formula (1)
A compound represented by, a resin obtained by polymerizing the compound,
Alternatively, it can be obtained by dissolving these mixtures in an organic solvent. As a method of polymerizing the compound represented by the formula (1), a known polymerization method can be applied, and examples thereof include radical initiation of benzoyl peroxide, t-butyl peroxide, azobisisobutyronitrile, and the like. Radical polymerization with agents, cationic polymerization with catalysts such as sulfuric acid, phosphoric acid, triethylaluminum, and tagsten chloride, anionic polymerization with catalysts such as lithium naphthalene,
Examples thereof include photoradical polymerization such as light irradiation.
The polymerization usually proceeds by reacting X 1's with each other. Specific examples of the obtained resin include poly (diethynyl adamantane), poly (triethynyl adamantane),
Poly (tetraethynyladamantane) Poly (bis (ethynylphenyl) adamantane), Poly (tris (ethynylphenyl) adamantane), Poly (bis (diethynylphenyl) adamantane), Poly (tris (diethynylphenyl) adamantane), Poly ( And bis (ethynylphenylethynyl) adamantane) and poly (tris (ethynylphenylethynyl) adamantane).

【0025】用いられる有機溶剤は、特に限定されない
が、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、1−ブタノール、2−ブタノール、1−ヘキサノー
ル、2−エトキシメタノール、3−メトキシプロパノー
ル等のアルコール系溶剤;アセチルアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ペンタノ
ン、3−ペンタノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン
等のケトン系溶剤;酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブ
チル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プ
ロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γブ
チロラクトン等のエステル系溶剤;ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ア
ニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系
溶剤;メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼ
ン、プロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤などが
工業的に入手可能であり、安全であるため溶剤として好
適であり、これらは単独でも2種以上を混合して用いて
もよい。
The organic solvent used is not particularly limited, but examples thereof include alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-hexanol, 2-ethoxymethanol and 3-methoxypropanol; acetylacetone. , Methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 2-heptanone, 3-heptanone and other ketone solvents; ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, pentyl acetate, ethyl propionate, propyl propionate , Ester solvents such as butyl propionate, isobutyl propionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone; diisopropyl ether, dibutyl ether Ether-based solvents such as vinyl ether, ethyl propyl ether, anisole, phenetol, and veratrol; aromatic hydrocarbon solvents such as mesitylene, ethylbenzene, diethylbenzene, and propylbenzene are industrially available, and are suitable as solvents because they are safe. These may be used alone or in admixture of two or more.

【0026】更に、本発明の絶縁膜形成用塗布液には、
式(1)で示される化合物の反応性、塗布性等の性能を
損なわない範囲で、ラジカル発生剤、非イオン界面活性
剤、フッ素系非イオン界面活性剤、シランカップリング
剤などの添加剤を添加してもよい。ラジカル発生剤とし
ては、例えば、t−ブチルパーオキシド、ペンチルパー
オキシド、ヘキシルパーオキシド、ラウロイルパーオキ
シド、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル
等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては、例え
ば、オクチルポリエチレンオキシド、デシルポリエチレ
ンオキシド、ドデシルポリエチレンオキシド、オクチル
ポリプロピレンオキシド、デシルポリプロピレンオキシ
ド、ドデシルポリプロピレンオキシド等が挙げられる。
フッ素系非イオン界面活性剤としては、例えば、パーフ
ルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデ
シルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリ
エチレンオキシド等が挙げられる。シランカップリング
剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、アリ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ア
リルトリエトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、
トリビニルエトキシシラン等が挙げられる。また、本発
明の絶縁膜形成用塗布液には、発泡剤を添加してもよ
く、発泡剤を添加することにより、多孔質の絶縁膜を得
ることができる。ここで、用いられる発泡剤としては、
例えば、ビニポール、セルラー、ネオセルボン、スパン
セル(以上、永和化成製)、ファインブロー(三菱化学
製)、ユニフォーム(大塚化学製)等の市販発泡剤、ま
たは特開2001-181577号公報に記載の易分解性樹脂など
が挙げられる。
Further, the coating liquid for forming an insulating film of the present invention comprises
Additives such as radical generators, nonionic surfactants, fluorine-based nonionic surfactants, silane coupling agents, etc., within a range that does not impair the performance of the compound represented by the formula (1) such as reactivity and coating property. You may add. Examples of the radical generator include t-butyl peroxide, pentyl peroxide, hexyl peroxide, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, azobisisobutyronitrile and the like. Examples of the nonionic surfactant include octyl polyethylene oxide, decyl polyethylene oxide, dodecyl polyethylene oxide, octyl polypropylene oxide, decyl polypropylene oxide, and dodecyl polypropylene oxide.
Examples of the fluorine-based nonionic surfactant include perfluorooctyl polyethylene oxide, perfluorodecyl polyethylene oxide, perfluorododecyl polyethylene oxide and the like. As the silane coupling agent, for example, vinyltrimethoxysilane, allyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltriethoxysilane, divinyldiethoxysilane,
Examples thereof include trivinylethoxysilane. A foaming agent may be added to the insulating film-forming coating liquid of the present invention, and a porous insulating film can be obtained by adding the foaming agent. Here, as the foaming agent used,
For example, commercially available foaming agents such as vinylpol, cellular, neocerbon, spancell (above, manufactured by Eiwa Chemical Co., Ltd.), fine blow (manufactured by Mitsubishi Chemical), uniform (manufactured by Otsuka Chemical), or easily decomposed as described in JP 2001-181577A. And the like.

【0027】本発明の絶縁膜形成用塗布液は、スピンコ
ーティング法、ローラーコーティング法、ディップコー
ティング法、スキャン法等の任意の方法により、基板に
塗布した後、溶剤を加熱処理で除去することにより絶縁
膜を形成することができる。加熱の方法は、特に限定さ
れないが、一般的に使用されているホットプレート加
熱、ファーネスを使用した方法、RTP(Rapid
Thermal Processor)等によるキセノ
ンランプを使用した光照射加熱等を適用することができ
る。
The coating solution for forming an insulating film of the present invention is applied to a substrate by any method such as a spin coating method, a roller coating method, a dip coating method and a scanning method, and then the solvent is removed by heat treatment. An insulating film can be formed. The heating method is not particularly limited, but commonly used hot plate heating, furnace method, RTP (Rapid)
A light irradiation heating using a xenon lamp by a Thermal Processor or the like can be applied.

【0028】加熱処理によってX1同士がカップリング
し、3次元構造を形成した結果、機械的強度、耐熱性に
優れた絶縁膜を形成することが可能となる。加熱処理の
温度は、200〜450℃が好ましく、より好ましくは250〜4
00℃であり、加熱時間は、通常、1分〜10時間であ
る。得られた絶縁膜は、比誘電率2.5以下であること
が好ましく、高速演算デバイス用途に有用である。
As a result of coupling of X 1's by heat treatment to form a three-dimensional structure, it becomes possible to form an insulating film having excellent mechanical strength and heat resistance. The temperature of the heat treatment is preferably 200 to 450 ° C, more preferably 250 to 4
It is 00 ° C., and the heating time is usually 1 minute to 10 hours. The obtained insulating film preferably has a relative dielectric constant of 2.5 or less, and is useful for high-speed arithmetic device applications.

【0029】[0029]

【実施例】本発明を実施例に基いてさらに詳細に説明す
るが、本発明が実施例により限定されるものではないこ
とは言うまでもない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail based on examples, but it goes without saying that the present invention is not limited to the examples.

【0030】製造例1 300ml4つ口フラスコにアダマンタン2.72g(20mmol)、
t-ブチルブロミド55.3g(400mmol)及びジフェニルアセ
チレン14.2g(80mmol)を仕込み、室温攪拌し、溶解さ
せた。次いで、無水塩化アルミニウム0.53gを少量ず
つ、1時間かけて添加した。室温で1時間攪拌後、内温
を50℃に昇温し、1時間反応させた。冷却後、塩化メチ
レン200gで希釈し、20mlの濃塩酸を溶解させた氷水200g
に投入した。塩酸層を分液後、塩化メチレン層を飽和食
塩水洗浄、水洗を行った。塩化メチレン層を20gまで濃
縮し、メタノール200gに投入し、析出した結晶をろ過
し、50℃/8時間減圧乾燥を行い、ビス(フェニルエチ
ニルフェニル)アダマンタン4.67gを得た。これを固形
分が10%になるように溶解した。これを溶液aとす
る。
Production Example 1 2.72 g (20 mmol) of adamantane in a 300 ml four-necked flask,
55.3 g (400 mmol) of t-butyl bromide and 14.2 g (80 mmol) of diphenylacetylene were charged, and the mixture was stirred at room temperature and dissolved. Then, 0.53 g of anhydrous aluminum chloride was added little by little over 1 hour. After stirring at room temperature for 1 hour, the internal temperature was raised to 50 ° C. and the reaction was carried out for 1 hour. After cooling, dilute with 200 g of methylene chloride and dissolve 200 ml of concentrated hydrochloric acid in 200 g of ice water.
I put it in. After separating the hydrochloric acid layer, the methylene chloride layer was washed with saturated brine and washed with water. The methylene chloride layer was concentrated to 20 g, poured into 200 g of methanol, the precipitated crystals were filtered, and dried under reduced pressure at 50 ° C. for 8 hours to obtain 4.67 g of bis (phenylethynylphenyl) adamantane. This was dissolved so that the solid content was 10%. This is referred to as solution a.

【0031】製造例2 200ml4つ口フラスコにジブロモアダマンタン5.0g(17m
mol)、臭化アルミニウム2.3g(9mmol)及びm−ジブロ
モベンゼン100mLを仕込み、60℃で10時間攪拌した。冷
却後、反応液を濃塩酸10gを溶解させた氷水150gに添加
し、攪拌後、水相を除去した。過剰ジブロモベンゼンを
減圧蒸留で除去した後、残さに塩化メチレン100mLを添
加・溶解させ、水及び食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥させた。乾燥剤をろ別後、エバポレータで塩化
メチレンを濃縮し、メタノール100mLを加えて攪拌し
た。析出した結晶をろ別し、減圧乾燥させた。この結晶
6.0gを200mL4つ口フラスコに仕込み、ジクロロビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム200mg、トリフ
ェニルホスフィン400mg、よう化銅(I)180mg及びトリ
エチルアミン100mLを加え、70〜80℃まで昇温した。ト
リメチルシリルアセチレン6.7gを1時間かけて滴下し、
同温度で4時間反応させた。冷却後、溶媒を留去し、残
渣にジエチルエーテル200mLを加え、不溶塩をろ過し
た。ろ液を1N塩酸、飽和食塩水および超純水で洗浄
し、エーテル相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥
剤をろ別し、エーテルを留去し、残渣をカラム(固定
相;シリカゲル60、展開液;ヘキサン/塩化メチレ
ン)で生成した。主生成物5.9gをメタノール150mL、テ
トラヒドロフラン100mLに溶解させ、炭酸カリウム0.5g
を加え、室温で4時間攪拌した。溶媒を減圧留去し、残
渣に塩化メチレン200mL、1N塩酸100mLを加え、攪拌
後、塩酸相を除去した。塩化メチレン相を超純水100mL
で3回洗浄し、塩化メチレン相から溶媒を留去・減圧乾
燥し、ビス(ジエチニルフェニル)アダマンタン3.2gを
得た。これをアニソールで固形分10%になるように溶
解した。これを溶液bとする。
Production Example 2 In a 200 ml four-necked flask, 5.0 g of dibromoadamantane (17 m
mol), aluminum bromide 2.3 g (9 mmol) and m-dibromobenzene 100 mL were charged, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 10 hours. After cooling, the reaction solution was added to 150 g of ice water in which 10 g of concentrated hydrochloric acid was dissolved, and after stirring, the aqueous phase was removed. After removing excess dibromobenzene by distillation under reduced pressure, 100 mL of methylene chloride was added and dissolved in the residue, washed with water and brine, and dried over magnesium sulfate. After filtering off the desiccant, methylene chloride was concentrated with an evaporator, 100 mL of methanol was added, and the mixture was stirred. The precipitated crystals were filtered out and dried under reduced pressure. This crystal
6.0 g was placed in a 200 mL four-necked flask, 200 mg of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, 400 mg of triphenylphosphine, 180 mg of copper (I) iodide and 100 mL of triethylamine were added, and the temperature was raised to 70 to 80 ° C. Trimethylsilylacetylene 6.7g was added dropwise over 1 hour,
The reaction was carried out at the same temperature for 4 hours. After cooling, the solvent was distilled off, 200 mL of diethyl ether was added to the residue, and the insoluble salt was filtered. The filtrate was washed with 1N hydrochloric acid, saturated saline and ultrapure water, and the ether phase was dried over magnesium sulfate. The desiccant was filtered off, the ether was distilled off, and the residue was produced with a column (stationary phase; silica gel 60, developing solution: hexane / methylene chloride). Dissolve 5.9 g of the main product in 150 mL of methanol and 100 mL of tetrahydrofuran, 0.5 g of potassium carbonate
Was added, and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. The solvent was distilled off under reduced pressure, 200 mL of methylene chloride and 100 mL of 1N hydrochloric acid were added to the residue, and after stirring, the hydrochloric acid phase was removed. 100 mL of ultrapure water for methylene chloride phase
It was washed 3 times with water, the solvent was distilled off from the methylene chloride phase, and the residue was dried under reduced pressure to obtain 3.2 g of bis (diethynylphenyl) adamantane. This was dissolved with anisole to a solid content of 10%. This is referred to as solution b.

【0032】製造例3 製造例2と同様にビス(ジブロモフェニル)アダマンタ
ンを得、この結晶6.0gを200mL4つ口フラスコに仕込
み、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ム200mg、トリフェニルホスフィン400mg、よう化銅
(I)180mg及びトリエチルアミン100mLを加え、70〜80
℃まで昇温した。エチニルベンゼン8.0gを1時間かけて
滴下し、同温度で4時間反応させた。冷却後、溶媒を留
去し、残渣にジエチルエーテル200mLを加え、不溶塩を
ろ過した。ろ液を1N塩酸、飽和食塩水および超純水で
洗浄し、エーテル相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。
乾燥剤をろ別し、エーテルを留去し、残渣をカラム(固
定相;シリカゲル60、展開液;ヘキサン/塩化メチレ
ン)で生成した。主生成物にメタノール200mLを加え、
攪拌し、析出した結晶をろ過し、減圧乾燥し、ビス
[(ジフェニルエチニル)フェニル]]アダマンタン5.
8gを得た。これをアニソールで固形分10%になるよう
に溶解した。これを溶液cとする。
Production Example 3 Bis (dibromophenyl) adamantane was obtained in the same manner as in Production Example 2, and 6.0 g of this crystal was placed in a 200 mL four-necked flask and 200 mg of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, 400 mg of triphenylphosphine, and copper iodide. (I) 180 mg and triethylamine 100 mL were added to 70-80
The temperature was raised to ° C. 8.0 g of ethynylbenzene was added dropwise over 1 hour, and the reaction was carried out at the same temperature for 4 hours. After cooling, the solvent was distilled off, 200 mL of diethyl ether was added to the residue, and the insoluble salt was filtered. The filtrate was washed with 1N hydrochloric acid, saturated saline and ultrapure water, and the ether phase was dried over magnesium sulfate.
The desiccant was filtered off, the ether was distilled off, and the residue was produced with a column (stationary phase; silica gel 60, developing solution: hexane / methylene chloride). Add 200 mL of methanol to the main product,
After stirring, the precipitated crystals are filtered, dried under reduced pressure, and bis [(diphenylethynyl) phenyl]] adamantane 5.
8g was obtained. This was dissolved with anisole to a solid content of 10%. This is designated as solution c.

【0033】製造例4 m−ジブロモベンゼンを1−ブロモビフェニルに変えた
以外は製造例2と同等の処理を行い、ビス(エチニルビ
フェニル)アダマンタン0.7gを得た。これをアニソール
で固形分10%になるように溶解した。これを溶液dと
する。
Production Example 4 The same treatment as in Production Example 2 was carried out except that 1-bromobiphenyl was used in place of m-dibromobenzene to obtain 0.7 g of bis (ethynylbiphenyl) adamantane. This was dissolved with anisole to a solid content of 10%. This is referred to as solution d.

【0034】製造例5 ジブロモアダマンタンをトリブロモアダマンタンに変え
た以外は製造例2と同様な処理を行い、トリス(ジエチ
ニルフェニル)アダマンタン4.5gを得た。これをアニソ
ールで固形分10%になるように溶解した。これを溶液
eとする。
Production Example 5 The same treatment as in Production Example 2 was carried out except that dibromoadamantane was changed to tribromoadamantane to obtain 4.5 g of tris (diethynylphenyl) adamantane. This was dissolved with anisole to a solid content of 10%. This is referred to as solution e.

【0035】製造例6 トリメチルシリルアセチレンをトリメチルシリルアセチ
レン3.3g、エチニルベンゼン3.5gの混合物に変えた以外
は製造例3と同様の処理を行い、ビス[エチニル(フェ
ニルエチニル)フェニル]アダマンタン6.9gを得た。こ
れをアニソールで固形分10%になるように溶解した。
これを溶液fとする。
Production Example 6 The same treatment as in Production Example 3 was carried out except that trimethylsilylacetylene was changed to a mixture of 3.3 g of trimethylsilylacetylene and 3.5 g of ethynylbenzene to obtain 6.9 g of bis [ethynyl (phenylethynyl) phenyl] adamantane. . This was dissolved with anisole to a solid content of 10%.
This is referred to as solution f.

【0036】製造例7 文献(A.A.Marik et al.,J.Polym.Sci.PART A Polym.Ch
em. ,Vol.30,1747-1757,1992)記載の方法によりトリエ
チニルアダマンタンを得た。これを固形分10%になる
ようにアニソールに溶解し、140〜150゜Cで10時間攪
拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量4200のポリトリ
エチニルアダマンタン溶液を得た。これを溶液gとす
る。
Production Example 7 Reference (AAMarik et al., J.Polym.Sci.PART A Polym.Ch
Em., Vol. 30, 1747-1757, 1992), triethynyl adamantane was obtained. This was dissolved in anisole so as to have a solid content of 10% and stirred at 140 to 150 ° C. for 10 hours to obtain a polytriethynyl adamantane solution having a polystyrene reduced weight average molecular weight of 4,200. This is designated as solution g.

【0037】製造例8 ジブロモアダマンタン5.8g(20mmol)、スチレン10.2
g(100mmol)、炭酸カリウム10g及び10%パラジウム/
カーボン1.0gをジメチルアセトアミド100mLに溶解し、1
00℃で8時間反応させた。冷却後、反応液をセライトを
通じて、減圧濾過した。ろ液に塩化メチレン250mLを加
え、2N塩酸100mLで洗浄し、超純水200mLで3回洗浄
し、塩化メチレン相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。
乾燥剤をろ別後、塩化メチレン相を約40mLになるよう
に濃縮し、これをメタノール500mLに滴下した。析出し
た結晶をろ別し、減圧乾燥を行い、ビススチリルアダマ
ンタン8.5gを得た。これをアニソールで固形分10%に
なるように溶解した。これを溶液hとする。
Production Example 8 5.8 g (20 mmol) of dibromoadamantane, 10.2 of styrene
g (100 mmol), potassium carbonate 10 g and 10% palladium /
Dissolve 1.0 g of carbon in 100 mL of dimethylacetamide, and
The reaction was carried out at 00 ° C for 8 hours. After cooling, the reaction solution was filtered under reduced pressure through Celite. 250 mL of methylene chloride was added to the filtrate, washed with 100 mL of 2N hydrochloric acid, washed with 200 mL of ultrapure water three times, and the methylene chloride phase was dried over magnesium sulfate.
After the desiccant was filtered off, the methylene chloride phase was concentrated to about 40 mL, and this was added dropwise to 500 mL of methanol. The precipitated crystals were separated by filtration and dried under reduced pressure to obtain 8.5 g of bisstyryl adamantane. This was dissolved with anisole to a solid content of 10%. This is referred to as solution h.

【0038】実施例1〜8 製造例1〜8で得られたアニソール溶液を0.2μmフ
ィルターでろ過して塗布液を調整した。得られた塗布液
を4インチシリコンウェハーに回転数2000rpmで
スピンコートした後、150℃で1分間プリベークを行
い、更に、表1に示す条件で窒素雰囲気下、加熱処理し
た。得られた絶縁膜の比誘電率を水銀プローブ法(日本
エス・エス・エム SSM495)で測定した。結果を
表1に示す。
Examples 1 to 8 Anisole solutions obtained in Production Examples 1 to 8 were filtered with a 0.2 μm filter to prepare coating solutions. The obtained coating solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer at a rotation speed of 2000 rpm, prebaked at 150 ° C. for 1 minute, and further heat-treated under a nitrogen atmosphere under the conditions shown in Table 1. The relative dielectric constant of the obtained insulating film was measured by the mercury probe method (Japan SSM SSM495). The results are shown in Table 1.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、比誘電率が低い絶縁膜
を形成し得る絶縁膜形成用塗布液を提供することが可能
となる。
According to the present invention, it becomes possible to provide an insulating film forming coating liquid capable of forming an insulating film having a low relative dielectric constant.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 3/44 H01B 3/44 J H01L 21/312 H01L 21/312 A Fターム(参考) 4J038 CN001 CR061 GA12 MA07 NA21 PA19 5F058 AC10 AF04 AG01 AH02 5G305 AA07 AA11 AB10 BA09 CA34 DA22 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01B 3/44 H01B 3/44 J H01L 21/312 H01L 21/312 A F term (reference) 4J038 CN001 CR061 GA12 MA07 NA21 PA19 5F058 AC10 AF04 AG01 AH02 5G305 AA07 AA11 AB10 BA09 CA34 DA22

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】式(1)で示される化合物及び式(1)で
示される化合物を重合して得られる樹脂からなる群から
選ばれる少なくとも1種を含有してなることを特徴とす
る絶縁膜形成用塗布液。 (1) (式中、X1は、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数
2〜6のアルキニル基、式(2)で示される1価の有機
基、または式(3)で示される1価の有機基を表わし、
互いに同一でも異なっていてもよく、X2は、水素原子
またはハロゲン原子を表わすか、水酸基、炭素数1〜6
のアルキル基、炭素数1〜6のアルキコシ基、フェノキ
シ基、または置換されていてもよいアリール基を表わ
し、複数の場合は互いに同一でも異なっていてもよく、
nは2〜16の整数を表わし、m=16−nである。) −Y1−Ar1 (2) (式中、Y1は、炭素数2〜6のアルケニレン基または
炭素数2〜6のアルキニレン基を表わし、Ar1は置換
されていてもよいアリール基を表わす。) −Y2−Ar2−(Y3−A) (3) (式中、Y2は、直接結合、炭素数1〜6のアルキレン
基、炭素数2〜6のアルケニレン基、または炭素数2〜
6のアルキニレン基を表わし、Y3は、炭素数1〜6の
アルキレン基、炭素数2〜6のアルケニレン基、または
炭素数2〜6のアルキニレン基を表わし、Y2、Y3のい
ずれかが炭素数2〜6のアルケニレン基または炭素数2
〜6のアルキニレン基であり、pは1〜5の整数であ
り、Ar2は置換されていてもよいアリーレン基を表わ
し、Aは水素原子を表わすか、置換されていてもよいア
リール基を表わし、pが2以上の場合、Y3およびAは
同一でも異なっていてもよい。)
1. An insulating film comprising at least one selected from the group consisting of a compound represented by the formula (1) and a resin obtained by polymerizing the compound represented by the formula (1). Forming coating liquid. (1) (In the formula, X 1 is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a monovalent organic group represented by formula (2), or represented by formula (3). Represents a monovalent organic group,
They may be the same or different from each other, and X 2 represents a hydrogen atom or a halogen atom, a hydroxyl group, or a carbon number of 1 to 6
Represents an alkyl group, an alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group, or an aryl group which may be substituted, and when there are a plurality of groups, they may be the same or different from each other,
n represents an integer of 2 to 16 and m = 16-n. ) —Y 1 —Ar 1 (2) (In the formula, Y 1 represents an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, and Ar 1 represents an aryl group which may be substituted. represents) -Y 2 -Ar 2 -. ( Y 3 -A) p (3) ( wherein, Y 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or, 2 to 2 carbon atoms
6 represents an alkynylene group, Y 3 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, or an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, and either Y 2 or Y 3 is present. Alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms or 2 carbon atoms
To 6 are alkynylene groups, p is an integer of 1 to 5, Ar 2 represents an optionally substituted arylene group, and A represents a hydrogen atom or an optionally substituted aryl group. , P is 2 or more, Y 3 and A may be the same or different. )
【請求項2】X1が、炭素数2〜6のアルキニル基、Y1
が炭素数2〜6のアルキニレン基である式(2)で示さ
れる1価の有機基、またはY2、Y3のいずれかが炭素数
2〜6のアルキニレン基である式(3)で示される1価
の有機基である請求項1記載の塗布液。
2. X 1 is an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, Y 1
Is a monovalent organic group represented by the formula (2) in which is an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms, or is represented by the formula (3) in which either Y 2 or Y 3 is an alkynylene group having 2 to 6 carbon atoms. The coating liquid according to claim 1, which is a monovalent organic group.
【請求項3】X1が、下記の群から選ばれる1価の有機
基である請求項1または2記載の塗布液。 (式中、Ar1、Ar2、A、pは、前記と同じものを表
す。)
3. The coating solution according to claim 1, wherein X 1 is a monovalent organic group selected from the following group. (In the formula, Ar 1 , Ar 2 , A and p represent the same as above.)
【請求項4】X1が、下記の群から選ばれる1価の有機
基である請求項1〜3のいずれかに記載の塗布液。 (式中、q、r、s、tは、それぞれ独立に、0〜5の
整数を表わし、q+rは、1〜5であり、s+tは、0
〜5である。)
4. The coating liquid according to claim 1, wherein X 1 is a monovalent organic group selected from the following group. (In the formula, q, r, s, and t each independently represent an integer of 0 to 5, q + r is 1 to 5, and s + t is 0.
~ 5. )
【請求項5】X1が、下記の群から選ばれる1価の有機
基である請求項1〜4のいずれかに記載の塗布液。
5. The coating liquid according to claim 1, wherein X 1 is a monovalent organic group selected from the following group.
【請求項6】式(1)で示される化合物が、下記式から
選ばれる化合物である請求項1〜5のいずれかに記載の
塗布液。 (式中、X1は、前記と同じ基を表わす。)
6. The coating liquid according to claim 1, wherein the compound represented by the formula (1) is a compound selected from the following formulas. (In the formula, X 1 represents the same group as described above.)
【請求項7】請求項1〜6のいずれかに記載の塗布液を
基板に塗布し、熱処理することを特徴とする絶縁膜の形
成方法。
7. A method for forming an insulating film, which comprises applying the coating liquid according to claim 1 to a substrate and heat-treating the substrate.
【請求項8】請求項1〜6のいずれかに記載の塗布液を
基板に塗布し、熱処理を行い、3次元架橋することを特
徴とする絶縁膜の形成方法。
8. A method for forming an insulating film, which comprises applying the coating liquid according to claim 1 to a substrate, heat-treating it, and performing three-dimensional crosslinking.
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