JP2003288978A - Microwave irradiation device - Google Patents
Microwave irradiation deviceInfo
- Publication number
- JP2003288978A JP2003288978A JP2002088484A JP2002088484A JP2003288978A JP 2003288978 A JP2003288978 A JP 2003288978A JP 2002088484 A JP2002088484 A JP 2002088484A JP 2002088484 A JP2002088484 A JP 2002088484A JP 2003288978 A JP2003288978 A JP 2003288978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- frequency
- microwaves
- heated
- microwave source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波加熱
を利用してセラミックス同士を接合するマイクロ波照射
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave irradiation device for joining ceramics to each other by utilizing microwave heating.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の第1のセラミックス接合技術につ
いては、例えば、特公平02−62516号公報に示されたマ
イクロ波照射装置に係るものがあった。その公報には、
マイクロ波照射装置(セラミックス接合装置)の構成が
その図7に示されている。その図7において、Iはマイ
クロ波発生手段、IIは空胴共振器、IIIはセラミックス
の接合面に圧縮力をかけるための加圧手段、IVは温度制
御手段、20はセラミックス、201はセラミックスの
接合面、202はセラミックスの両端部を示している。2. Description of the Related Art As a first conventional ceramics joining technique, for example, there is one relating to a microwave irradiator disclosed in Japanese Patent Publication No. 02-62516. In that bulletin,
The structure of the microwave irradiation device (ceramic bonding device) is shown in FIG. In FIG. 7, I is a microwave generating means, II is a cavity resonator, III is a pressurizing means for applying a compressive force to the joint surface of ceramics, IV is a temperature control means, 20 is ceramics, and 201 is ceramics. Bonding surfaces, 202 indicate both ends of the ceramic.
【0003】次に、その動作について説明する。マイク
ロ波発生手段から送られてくるマイクロ波は空胴共振器
IIに導かれる。空胴共振器IIは高い無負荷Q値を持って
おり、大きな電界強度で共振するように設計されてい
る。セラミックス20は共振状態の電界の中の電界強度
が最大になる部分に、接合面201が電界の振動方向と
平行になるように位置している。空胴共振器II内の電界
分布は中心部で大きくその両端部で小さいので、接合部
分201の温度が最大になり、両端部202に向かうに
従い温度が急激に低下する温度分布を形成することによ
り、接合部を高温に加熱して接合する。セラミックス
が、例えばアルミナである場合には、アルミナのマイク
ロ波吸収係数は1000℃付近から急激に増大するため、正
帰還がかかってさらに温度上昇が加速され、電界分布が
あることから発生する温度分布はさらに強調され、接合
部の温度と両端部の温度との差が大きくなる。また、温
度制御手段IVは、外部から強制的にこのような温度分布
を形成させるために両端部を冷却するなどのことが考慮
されている。Next, the operation will be described. Microwaves sent from the microwave generator are cavity resonators.
Guided by II. The cavity resonator II has a high unloaded Q value and is designed to resonate with a large electric field strength. The ceramics 20 is located in a portion where the electric field strength of the electric field in the resonance state is maximum so that the joint surface 201 is parallel to the vibration direction of the electric field. Since the electric field distribution in the cavity resonator II is large at the central portion and small at both ends thereof, the temperature of the junction 201 becomes maximum, and by forming a temperature distribution in which the temperature drops sharply toward both ends 202. , The joint is heated to a high temperature to join. When the ceramic is alumina, for example, the microwave absorption coefficient of alumina increases sharply from around 1000 ° C, so positive feedback is applied to further accelerate the temperature rise and the electric field distribution causes a temperature distribution. Is further emphasized, and the difference between the temperature at the joint and the temperature at both ends is increased. Further, it is considered that the temperature control means IV cools both end portions in order to forcibly form such a temperature distribution from the outside.
【0004】次に、従来の第2のセラミックス接合技術
について説明する。図8は、特開平4-137391号公報に示
されたマイクロ波加熱装置の主要部分の図である。図8
において、1はビーム状マイクロ波発生器、2はマイク
ロ波ビーム、3はマイクロ波集束装置、4は入射口、5
は第1の反射体、6は第2の反射体、7は被加熱体であ
る。 ここで、その装置における動作を説明する。ビー
ム状マイクロ波発生器1により発生されたマイクロ波ビ
ーム2は入射口4よりマイクロ波集束装置3に入射し、
第1の反射体5および第2の反射体6で反射されてこの
2つの反射体の間を往復する。その間に被加熱体7を通
過するので、その時に被加熱体7を加熱するものであ
る。Next, the second conventional ceramics joining technique will be described. FIG. 8 is a diagram of a main part of the microwave heating apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-137391. Figure 8
In the figure, 1 is a beam-shaped microwave generator, 2 is a microwave beam, 3 is a microwave focusing device, 4 is an entrance, and 5
Is a first reflector, 6 is a second reflector, and 7 is an object to be heated. Here, the operation of the apparatus will be described. The microwave beam 2 generated by the beam-shaped microwave generator 1 enters the microwave focusing device 3 through the entrance 4,
It is reflected by the first reflector 5 and the second reflector 6 and travels back and forth between the two reflectors. Since it passes through the heated body 7 during that time, the heated body 7 is heated at that time.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、第1の
従来のセラミックス接合技術によるセラミックス接合装
置は、必ず空胴共振器内でマイクロ波をセラミックスに
照射して加熱するように構成されている。したがって、
対象となるセラミックスの大きさ、形状に制約があり、
実用に向かないという問題点があった。また、空胴共振
器内に収まらない部分は加熱されないので温度上昇せ
ず、セラミックス内での温度差が大きくなり、割れ易い
という問題点があった。As described above, the ceramics bonding apparatus according to the first conventional ceramics bonding technique is configured to always irradiate the ceramics with microwaves for heating in the cavity resonator. There is. Therefore,
There are restrictions on the size and shape of the target ceramics,
There was a problem that it was not suitable for practical use. Further, there is a problem that a portion that does not fit in the cavity resonator is not heated, so that the temperature does not rise, the temperature difference in the ceramic becomes large, and the ceramic is easily cracked.
【0006】また、第2の従来のセラミックス技術によ
るセラミックス接合装置は、複数の反射体の間でマイク
ロ波を往復させながら被加熱体を加熱するようになって
いるが、実際には被加熱体によりマイクロ波は反射され
たり、屈折したりするので、マイクロ波を何回も繰り返
し被加熱体を通過させて加熱するという効果は期待する
ほど得られないという問題点があり、均一に加熱するこ
とが実際には困難であるので、被加熱体内での温度差が
大きくなり割れ易いという問題点あった。また、いずれ
の従来の技術においても、被加熱体の接合が完了したか
どうかの判断方法が示されおらず、実用的でないという
問題点もあった。Further, the second conventional ceramics joining apparatus using the ceramics technique heats the object to be heated while reciprocating the microwaves between the plurality of reflectors, but in reality, the object to be heated is heated. The microwaves are reflected or refracted by the heat treatment, so there is a problem that the effect of heating the microwaves by repeatedly passing through the object to be heated is not obtained as expected. However, there is a problem in that the temperature difference in the object to be heated becomes large and cracks easily because it is difficult. Further, in any of the conventional techniques, there is no method for judging whether or not the joining of the objects to be heated is completed, and there is a problem that it is not practical.
【0007】そこで、本発明はこのような問題点を解決
するためになされたもので、マイクロ波をビーム状にし
て伝搬させ、さらにマイクロ波ビームを絞り込むことに
より電界強度を高め、電力密度を増大させることによ
り、空胴共振器を利用しなくてもセラミックスを接合可
能な高温まで加熱することが可能な新規なマイクロ波照
射装置を提供することを目的とする。また、本発明は、
対象となるセラミックスの形状、大きさの選択の幅を拡
大しつつ実用化を図り、加熱中の被加熱体内の温度差を
小さくするとともに、被加熱体の割れや破壊を防止し、
さらに接合完了を検知するための手段を設けることによ
り、確実にセラミックスを接合しうる新規なマイクロ波
照射装置を提供することをも目的とする。Therefore, the present invention has been made to solve such a problem, in which a microwave is propagated in the form of a beam, and the microwave beam is further narrowed to increase the electric field strength and the power density. By doing so, it is an object of the present invention to provide a novel microwave irradiation device capable of heating ceramics to a high temperature at which they can be bonded without using a cavity resonator. Further, the present invention is
While expanding the range of choices for the shape and size of the target ceramics, we aim to put it into practical use, reduce the temperature difference inside the heated object during heating, and prevent cracking and destruction of the heated object.
Another object of the present invention is to provide a novel microwave irradiating device capable of reliably joining ceramics by providing a means for detecting the completion of joining.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項1に係るマイクロ
波照射装置は、高周波マイクロ波を発生する高周波マイ
クロ波源と、この高周波マイクロ波源からの導波管内伝
搬モードを空中のビーム状伝搬モードに変換し、そのビ
ーム状伝搬モードの高周波マイクロ波を反射して被照射
体に照射するモード変換器と、低周波マイクロ波を発生
し、低周波マイクロ波を前記被照射体に照射する低周波
マイクロ波源とを有し、前記高周波マイクロ波源及び前
記低周波マイクロ波源により前記被照射体に対するマイ
クロ波の照射を行うようにしたものである。A microwave irradiator according to a first aspect of the present invention includes a high frequency microwave source for generating a high frequency microwave and a propagation mode in a waveguide from the high frequency microwave source to a beam-like propagation mode in the air. A mode converter that converts and reflects the high frequency microwave of the beam-like propagation mode to irradiate the irradiation target, and a low frequency microwave that generates low frequency microwave and irradiates the irradiation target with the low frequency microwave. A microwave source, and the microwave is irradiated to the irradiation target by the high frequency microwave source and the low frequency microwave source.
【0009】請求項2に係るマイクロ波照射装置は、
マイクロ波を発生するマイクロ波源と、このマイクロ波
源からの導波管内伝搬モードを空中のビーム状伝搬モー
ドに変換してマイクロ波を被照射体に照射するモード変
換器と、前記被照射体を加熱する加熱手段とを有し、こ
の加熱手段により前記被照射体を加熱するとともに、前
記マイクロ波源からのマイクロ波を前記被照射体に照射
するようにしたものである。The microwave irradiator according to claim 2 is
A microwave source that generates microwaves, a mode converter that converts the propagation mode in the waveguide from the microwave source into a beam-like propagation mode in the air and irradiates the irradiation target with microwaves, and heats the irradiation target And heating the irradiation target by the heating unit, and irradiating the irradiation target with the microwave from the microwave source.
【0010】請求項3に係るマイクロ波照射装置は、前
記モード変換器がマイクロ波を反射するアンテナを具備
し、このアンテナの中心軸の周りに回転可能に配設した
請求項1又は2に記載のものである。A microwave radiating device according to a third aspect of the present invention is the microwave radiating device according to the first or second aspect, wherein the mode converter includes an antenna that reflects microwaves and is rotatably arranged around a central axis of the antenna. belongs to.
【0011】請求項4に係るマイクロ波照射装置は、
前記被照射体を回転可能な台座上に配置した請求項1乃
至3のいずれかに記載のものである。The microwave irradiator according to claim 4 is
4. The object according to claim 1, wherein the object to be irradiated is arranged on a rotatable pedestal.
【0012】請求項5に係るマイクロ波照射装置は、前
記被照射体をセラミックス同士を接合するためのセラミ
ックス材料とした請求項1乃至4のいずれかに記載のも
のである。A microwave irradiating device according to a fifth aspect of the present invention is the microwave radiating device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the object to be irradiated is a ceramic material for bonding ceramics to each other.
【0013】請求項6に係るマイクロ波照射装置は、高
周波マイクロ波を発生する高周波マイクロ波源と、この
高周波マイクロ波源からの導波管内伝搬モードを空中の
ビーム状伝搬モードに変換し、そのビーム状伝搬モード
の高周波マイクロ波を反射して被照射体に照射するモー
ド変換器と、低周波マイクロ波を発生し、前記被照射体
に低周波マイクロ波を照射する低周波マイクロ波源と、
前記被照射体の近傍に配置され、前記被照射体の温度を
検知する検知手段と、この検知手段により前記高周波マ
イクロ波源の出力を制御する制御手段とを備えたもので
ある。A microwave irradiator according to a sixth aspect of the present invention is a high-frequency microwave source for generating high-frequency microwaves, and a waveguide propagation mode from the high-frequency microwave source is converted into a beam-like propagation mode in air, and the beam-like propagation mode is obtained. A mode converter that reflects a high-frequency microwave of a propagation mode to irradiate an irradiation target, a low-frequency microwave source that generates a low-frequency microwave and irradiates the irradiation target with a low-frequency microwave,
It is provided in the vicinity of the irradiated body, and is provided with a detection means for detecting the temperature of the irradiated body, and a control means for controlling the output of the high frequency microwave source by the detecting means.
【0014】請求項7に係るマイクロ波照射装置は、前
記検知手段を前記被照射体の温度を検知する受光部であ
る請求項6に記載のものである。The microwave radiating device according to a seventh aspect of the present invention is the microwave radiating device according to the sixth aspect, wherein the detecting means is a light receiving section for detecting the temperature of the object to be irradiated.
【0015】請求項8に係るマイクロ波照射装置は、前
記制御手段を前記高周波マイクロ波源の電源供給を低下
又は停止するように制御するようにした請求項6又は7
に記載のものである。A microwave irradiating device according to an eighth aspect of the present invention is characterized in that the control means is controlled so as to reduce or stop the power supply of the high frequency microwave source.
As described in.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、実施の形態
1について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、
実施の形態1に係るマイクロ波照射装置を説明するため
の側面図である。図2は、その正面図である。図1及び
図2において、11はマイクロ波を発振する、例えばジ
ャイロトロンなどの電子管、12は電子管11の動作に
必要な磁場を形成する、例えば電磁石などの磁場発生装
置、13は電子管11、磁場発生装置12及び電子管1
1に電力を供給する図示しない電源などからなる高周波
マイクロ波源である。14は、後述のアンテナや曲面ミ
ラーを取り付けるための板、15は導波管を伝搬してき
たマイクロ波が曲面ミラーに照射されるアンテナ、16
は曲面ミラーを支えるミラー支持具、17はアンテナ1
5により照射されたマイクロ波をビーム状になるように
反射し、被加熱体に照射する曲面ミラー、18はマイク
ロ波が装置外部へ漏洩するのを防止するための筐体、1
9はマイクロ波の伝搬の様子を示す矢印である。40は
板14、アンテナ15、ミラー支持具16、曲面ミラー
17からなるモード変換器である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiment 1. Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Figure 1
FIG. 3 is a side view for explaining the microwave irradiation device according to the first embodiment. FIG. 2 is a front view thereof. In FIG. 1 and FIG. 2, 11 is an electron tube such as a gyrotron that oscillates microwaves, 12 is a magnetic field generating device such as an electromagnet that forms a magnetic field necessary for the operation of the electron tube 11, and 13 is the electron tube 11 and a magnetic field. Generator 12 and electron tube 1
1 is a high-frequency microwave source including a power source (not shown) for supplying electric power to the unit 1. Reference numeral 14 is a plate for attaching an antenna or curved mirror described later, 15 is an antenna with which the curved mirror is irradiated with microwaves propagating through the waveguide, 16
Is a mirror support for supporting the curved mirror, and 17 is an antenna 1.
A curved mirror that reflects the microwave radiated by 5 into a beam shape and irradiates the object to be heated. Reference numeral 18 denotes a housing for preventing the microwave from leaking to the outside of the apparatus.
Reference numeral 9 is an arrow indicating the state of microwave propagation. Reference numeral 40 is a mode converter including a plate 14, an antenna 15, a mirror support 16, and a curved mirror 17.
【0017】また、20、21はマイクロ波照射により
加熱され接合されるセラミックスなどの被照射体(以
下、被加熱体ともいう。)、22は被加熱体20、21
を適切な位置関係に保つための加熱治具、23は被加熱
体20、21や加熱治具22を乗せる台座、24は台座
23がなめらかに移動できるようにするためのローラ、
25はローラの軸、26は軸25の軸受けである。27
は電子管11および磁場発生装置12を乗せる架台であ
る。また、31は、例えばマグネトロンなどのジャイロ
トロンより低い周波数で効率良くマイクロ波を出力する
低周波数マイクロ波源である。32は低周波数マイクロ
波源31から出力されたマイクロ波を導くための導波管
である。また、図2における33、34は、マイクロ波
の装置外への漏洩を防止すると共に、被加熱体20,2
1を出し入れするための扉である。Further, 20 and 21 are objects to be irradiated (hereinafter also referred to as objects to be heated) such as ceramics which are heated and joined by microwave irradiation, and 22 are objects to be heated 20, 21.
Is a heating jig for maintaining an appropriate positional relationship, 23 is a pedestal on which the objects to be heated 20, 21 and the heating jig 22 are placed, 24 is a roller for allowing the pedestal 23 to move smoothly,
Reference numeral 25 is a roller shaft, and 26 is a bearing of the shaft 25. 27
Is a mount on which the electron tube 11 and the magnetic field generator 12 are placed. Reference numeral 31 is a low-frequency microwave source that efficiently outputs microwaves at a frequency lower than that of a gyrotron such as a magnetron. Reference numeral 32 is a waveguide for guiding the microwave output from the low frequency microwave source 31. Further, reference numerals 33 and 34 in FIG. 2 prevent the microwave from leaking out of the device, and the objects to be heated 20, 2 are heated.
It is a door for putting 1 in and out.
【0018】次に、実施の形態1に係るマイクロ波照射
装置の動作について説明する。電子管11は、、図示し
ない電源装置からの電力と磁場発生装置12からの磁場
の供給を受けてマイクロ波を出力する。このマイクロ波
の周波数は、例えば24.125GHzである。この周
波数は工業用途などでの使用に割り当てられている周波
数であり、波長は12.4mmである。このマイクロ波
は電子管11から放出され、アンテナ15に達し、曲面
ミラー17に照射される。曲面ミラー17はマイクロ波
を矢印19のようなビーム状に反射すると同時に、被加
熱体20、21のところで焦点を結ぶような形状に設計
されている。被加熱体20及び21のマイクロ波照射を
受ける箇所に被加熱体20,21の接合部分が位置する
ように配置し、ここを加熱して接合する。Next, the operation of the microwave irradiation apparatus according to the first embodiment will be described. The electron tube 11 receives electric power from a power supply device (not shown) and magnetic field from the magnetic field generation device 12, and outputs microwaves. The frequency of this microwave is, for example, 24.125 GHz. This frequency is a frequency assigned for use in industrial applications and has a wavelength of 12.4 mm. This microwave is emitted from the electron tube 11, reaches the antenna 15, and irradiates the curved mirror 17. The curved mirror 17 is designed to have a shape in which the microwave is reflected in a beam shape as shown by an arrow 19 and at the same time, the heated objects 20 and 21 are focused. The objects to be heated 20 and 21 are arranged so that the joining portions of the objects to be heated 20 and 21 are located at positions where they are subjected to microwave irradiation, and the parts to be heated are joined by heating.
【0019】このような実施の形態1に係るマイクロ波
照射装置によってマイクロ波加熱をする場合には、マイ
クロ波の焦点でのマイクロ波ビームの直径は、マイクロ
波の波長が小さいほど小さく絞ることができる。この技
術分野でよく利用される電子管にはマグネトロンがある
が、マグネトロンの周波数は2.45GHzであること
が多く、本発明に係るセラミックス接合装置で利用して
いるマイクロ波の周波数は24.125GHzでありそ
の約10倍であるので、波長は約1/10、すなわちビ
ーム径は1/10に絞ることができる。したがって、そ
れだけ大きな電力密度のマイクロ波ビームを得ることが
できることを意味する。When microwave heating is performed by the microwave irradiation apparatus according to the first embodiment, the diameter of the microwave beam at the focus of the microwave can be narrowed down as the wavelength of the microwave becomes smaller. it can. An electron tube often used in this technical field is a magnetron, but the frequency of the magnetron is often 2.45 GHz, and the frequency of the microwave used in the ceramics bonding apparatus according to the present invention is 24.125 GHz. Since it is about 10 times that, the wavelength can be reduced to about 1/10, that is, the beam diameter can be narrowed to 1/10. Therefore, it means that a microwave beam having a higher power density can be obtained.
【0020】被加熱体のマイクロ波加熱による到達温度
は、入射するマイクロ波の電力密度と周囲の温度により
決まる。すなわち、周囲の温度が低くても、マイクロ波
の電力密度が高ければ容易に到達温度を高温にできるこ
とになる。例えば、被加熱体としてアルミナを用い、ジ
ャイロトロンで3.6kW程度のマイクロ波を発振し、
マイクロ波ビームを直径50mm程度まで絞るならば、アル
ミナの表面温度は1分程度で1380℃程度に達する。マイ
クロ波加熱は内部加熱であるので、この時の内部温度は
表面温度よりさらに高温になっており、計算に依れば17
00℃以上になっていることになる。The temperature reached by the microwave heating of the object to be heated is determined by the power density of the incident microwave and the ambient temperature. That is, even if the ambient temperature is low, the reached temperature can be easily increased to a high temperature if the microwave power density is high. For example, using alumina as the object to be heated and oscillating a microwave of about 3.6 kW with a gyrotron,
If the diameter of the microwave beam is reduced to about 50 mm, the surface temperature of alumina will reach about 1380 ° C in about 1 minute. Since microwave heating is internal heating, the internal temperature at this time is even higher than the surface temperature.
It means that the temperature is over 00 ℃.
【0021】また、低周波数マイクロ波源31からは、
例えば2.45GHzのマイクロ波が供給されている。このマ
イクロ波による電界は、家庭用電子レンジと同様にし
て、筐体18内に広く分布しており、その中にあるマイ
クロ波吸収性の物体を加熱する。したがって、被加熱体
20及び21は、この低い周波数のマイクロ波により全
体がほぼ一様に加熱される。この状態の被加熱体20,
21にさらに高周波数のマイクロ波ビームを照射すれ
ば、被加熱体20,21内での温度差が小さくなる。セ
ラミックスが加熱中に割れたり破壊したりするのは、セ
ラミックス内に大きな温度差が生じ、膨張差により応力
が発生することによる。したがって、セラミックス内の
温度差を小さくすれば割れや破壊などが起りにくくな
る。From the low frequency microwave source 31,
For example, 2.45 GHz microwave is supplied. The electric field generated by the microwaves is widely distributed in the housing 18 and heats a microwave-absorbing object therein, as in a household microwave oven. Therefore, the objects to be heated 20 and 21 are heated almost uniformly by the microwave of the low frequency. The object to be heated 20 in this state,
By irradiating 21 with a microwave beam of a higher frequency, the temperature difference within the objects to be heated 20, 21 becomes smaller. Ceramics are cracked or broken during heating because a large temperature difference occurs in the ceramics and stress is generated due to the difference in expansion. Therefore, if the temperature difference in the ceramics is reduced, cracking or breakage is less likely to occur.
【0022】以上説明したように、本発明の実施の形態
1によれば、従来のこの種の技術で用いられていた空胴
共振器を用いることなく、被加熱体であるセラミックス
を接合可能な温度まで加熱できるので、対象となる被加
熱体の大きさや形状の選択の幅が格段に広がり、また加
熱治具に被加熱体を回転させる機能を持たせれば、被加
熱体を回転させながらマイクロ波照射することも可能で
あるので、様々な用途で利用可能なセラミックス接合装
置を提供できるという効果を奏する。また、実施の形態
1によれば、低い周波数のマイクロ波による加熱を併用
しているので、被加熱体内の温度差を小さくすることが
でき、被加熱体の割れや破壊が起りにくくなり、さらに
低い周波数のマイクロ波の供給装置としてマグネトロン
を利用すれば、一般にマグネトロンは効率の高い電子管
であるので、例えばジャイロトロンのみで接合温度まで
加熱する場合より加熱の一部をマグネトロンが受け持つ
ことになるので、全体として電力効率の高い装置が得ら
れる。As described above, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to bond the ceramics to be heated without using the cavity resonator used in the conventional technique of this type. Since it can be heated up to the temperature, the range of selection of the size and shape of the target heated object is greatly expanded, and if the heating jig has the function of rotating the heated object, the micro object can be rotated while rotating the heated object. Since it is also possible to perform wave irradiation, it is possible to provide a ceramics bonding apparatus that can be used for various purposes. Further, according to the first embodiment, since the heating by the microwave of the low frequency is also used, it is possible to reduce the temperature difference inside the object to be heated, and it becomes difficult for the object to be heated to crack or break. If a magnetron is used as a low-frequency microwave supply device, the magnetron is generally a highly efficient electron tube, so for example, part of the heating is handled by the magnetron compared to the case of heating to the junction temperature only with a gyrotron. As a whole, a device with high power efficiency can be obtained.
【0023】ここで、図2においては、扉は入り口、出
口それぞれ一枚だけになっているが、これを二重扉とす
れば被加熱体を装置へ出し入れする時にも高周波及び低
周波マイクロ波源を停止させることなく、連続して運転
が可能となるマイクロ波照射装置が得られる。Here, in FIG. 2, the door has only one entrance and one exit, but if this door is a double door, the high-frequency and low-frequency microwave sources will be used even when the object to be heated is taken in and out of the apparatus. It is possible to obtain a microwave irradiation device that can be continuously operated without stopping.
【0024】実施の形態2.次に、本発明の実施の形態
2に係るマイクロ波照射装置について、図3を用いて説
明する。図3は、実施の形態2を説明するための構成図
である。図3において、図1及び図2と同一符号は同一
又は相当部分を示すため、説明を省略する。実施の形態
2では、電子管11を縦置きにすることにより、最終的
に被加熱体20、21に対してマイクロ波ビーム19を
横方向から照射するようにしている。このようにすれ
ば、図3に示すように、積み重ねた状態の被加熱体2
0,21に対して都合良くマイクロ波を照射することが
できる。このため、接合のための治具を省略できるなど
の利点がある。また、台座23を回転台にすることによ
り、被加熱体20,21を回転させながら加熱すること
も容易になり、接合強度を接合面全体にわたって均一に
することが可能となる。なお、被加熱体20,21を回
転させながらマイクロ波照射することにより均一な接合
を得ることができるのは、実施の形態2に限ったことで
はなく、他の実施の形態においても同様の効果を得るこ
とができる。Embodiment 2. Next, the microwave irradiation apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a configuration diagram for explaining the second embodiment. In FIG. 3, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 indicate the same or corresponding portions, and thus the description thereof will be omitted. In the second embodiment, the electron tube 11 is placed vertically so that the microwave beams 19 are finally irradiated to the objects to be heated 20, 21 from the lateral direction. In this way, as shown in FIG. 3, the heated objects 2 in the stacked state are
Microwaves can be conveniently irradiated to 0 and 21. Therefore, there is an advantage that a jig for joining can be omitted. Further, by using the pedestal 23 as a rotating table, it becomes easy to heat the objects to be heated 20, 21 while rotating them, and it becomes possible to make the bonding strength uniform over the entire bonding surface. It should be noted that the fact that uniform bonding can be obtained by irradiating microwaves while rotating the objects to be heated 20, 21 is not limited to the second embodiment, and similar effects can be obtained in other embodiments. Can be obtained.
【0025】実施の形態3.次に、本発明の実施の形態
3について、図4を用いて説明する。図4は、実施の形
態3を説明するための構成図である。図4において、図
1及び図2と同一符号は同一又は相当部分を示すため、
説明を省略する。これまでに説明した実施の形態1,2
では、被加熱体20,21の全体を加熱するためにマグ
ネトロンなどの低周波数マイクロ波源を利用していた
が、実施の形態3のように構成してもよい。すなわち、
図4において、36は、筐体18及びその内部の空間を
加熱するためのヒータ、37はヒータに流す電流を制御
するヒータ制御装置である。このヒータ36は、筐体1
8内をある温度に加熱しているので、装置内に入ってき
た被加熱体は加熱されその温度まで温度上昇する。この
ようにすれば、マイクロ波ビームで接合部分を局所加熱
した場合でも被加熱体内の温度差が小さくなり、割れや
破壊などが起りにくくなる。図4には図示していない
が、筐体18を断熱材等で覆っておけば消費電力を小さ
く抑える効果が得られる。Embodiment 3. Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a configuration diagram for explaining the third embodiment. 4, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 indicate the same or corresponding portions,
The description is omitted. Embodiments 1 and 2 described so far
In the above, a low frequency microwave source such as a magnetron is used to heat the whole of the objects to be heated 20, 21, but the configuration may be made as in the third embodiment. That is,
In FIG. 4, reference numeral 36 is a heater for heating the housing 18 and the space inside the housing 18, and 37 is a heater control device for controlling the current passed through the heater. The heater 36 is provided in the housing 1
Since the inside of 8 is heated to a certain temperature, the object to be heated that has entered the inside of the apparatus is heated and its temperature rises to that temperature. By doing so, even when the joining portion is locally heated by the microwave beam, the temperature difference in the heated body becomes small, and cracking or breakage hardly occurs. Although not shown in FIG. 4, if the housing 18 is covered with a heat insulating material or the like, the effect of suppressing the power consumption can be obtained.
【0026】また、ヒータ温度は、次のようなことを考
慮して決定すればよい。すなわち、ヒータ温度が低過ぎ
ると被加熱体内の温度差を小さくすることができず、割
れや破壊を抑えることが困難になる。また、高過ぎると
ヒータ材料が高価な物となるのと同時に比較的短い周期
で交換する必要が生じ、維持費がかかる。これらのこと
を考慮して、最適なヒータ温度を決定する。 このよう
な手段でも、割れや破壊などが起りにくくしたセラミッ
クス接合装置を提供することができる。The heater temperature may be determined in consideration of the following. That is, if the heater temperature is too low, the temperature difference inside the heated object cannot be reduced, and it becomes difficult to suppress cracking or destruction. Further, if it is too high, the heater material becomes expensive, and at the same time, the heater material needs to be replaced in a relatively short period, resulting in maintenance costs. Considering these things, the optimum heater temperature is determined. Even with such means, it is possible to provide a ceramics bonding apparatus in which cracking or breakage is unlikely to occur.
【0027】また、ヒータと実施の形態1で説明した低
周波マイクロ波源を使い分けるための考え方の一例を次
に説明する。ヒータを利用すると筐体が高温になるの
で、筐体の材料としては高温でも変質しにくい材料が求
められるが、そのような材料は一般に高価である。した
がって、筐体の温度をそれほど高くする必要がない場
合、すなわちセラミックスが比較的低温で接合できる材
料の場合には、ヒータを利用する方が装置全体として消
費電力やコストを低く抑えることができる場合がある。
低周波マイクロ波源を利用する利点は、被加熱体のみが
温度上昇するので、筐体などは入手しやすい材料で製作
できることにある。An example of the idea for properly using the heater and the low frequency microwave source described in the first embodiment will be described below. Since the housing is heated to a high temperature when a heater is used, a material that does not easily deteriorate even at high temperatures is required as a material for the housing, but such a material is generally expensive. Therefore, when it is not necessary to raise the temperature of the housing so much, that is, when ceramics is a material that can be bonded at a relatively low temperature, using a heater can reduce power consumption and cost of the entire device. There is.
The advantage of using the low-frequency microwave source is that the temperature of only the object to be heated rises, so that the housing and the like can be made of easily available materials.
【0028】実施の形態4.次に、本発明の実施の形態
4に係るマイクロ波照射装置について、図5を用いて説
明する。図5は、実施の形態4を説明するための構成図
である。図5において、図1及び図2と同一符号は同一
又は相当部分を示すため、説明を省略する。図5におい
て、41は被加熱体の温度を測定する、例えば放射温度
計などの温度測定手段のうちの受光部、42は受光部で
受けた赤外線を伝搬する、温度測定手段の一部を構成す
る光ファイバー、43は光ファイバーにより伝搬してき
た赤外線から温度を算出し、高周波および低周波マイク
ロ波源の出力を制御する、温度測定手段の本体および制
御装置、44は信号線、45は高周波マイクロ波源の一
部を構成する電源、46は電源から電子管11に電力を
送る電力線である。Fourth Embodiment Next, a microwave irradiation apparatus according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a configuration diagram for explaining the fourth embodiment. In FIG. 5, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 indicate the same or corresponding portions, and thus the description thereof will be omitted. In FIG. 5, reference numeral 41 denotes a light receiving portion of temperature measuring means such as a radiation thermometer for measuring the temperature of the object to be heated, and 42 denotes a part of temperature measuring means for propagating infrared rays received by the light receiving portion. An optical fiber, 43 is a body of temperature measuring means and a control device for calculating the temperature from infrared rays propagated by the optical fiber and controlling the output of the high frequency and low frequency microwave sources, 44 is a signal line, and 45 is a high frequency microwave source. A power source constituting the unit, 46 is a power line for sending power from the power source to the electron tube 11.
【0029】このような構成の実施の形態4において、
被加熱体の接合が完了したことを検知・判断する手段に
ついて説明する。制御装置43には、様々な被加熱体の
材料について、それらの材料が接合されるために必要な
温度や加熱パターンをデータとして予め入力してある。
運転時には運転者によってこれから接合しようとする材
料が何であるかが入力される。制御装置43は予め入力
されたデータに従い高周波および低周波マイクロ波源1
3および31を動作させる。この時、同時に温度測定手
段により被加熱体の温度を監視しながら、高周波および
低周波マイクロ波源の出力パワーを制御する。そして、
例えば被加熱体がアルミナの場合であれば、1700℃まで
温度上昇し、3分間程度1700℃を保持する。予め入力さ
れたデータの通りに被加熱体の温度が変化した場合は、
その時点で接合が完了したと検知・判断して、後はマイ
クロ波のパワーを下げるなどして徐々に被加熱体の温度
を下げる。このようにすることによって、実施の形態1
で得られる効果に加えて、様々な材料について確実に接
合させることが可能なセラミックス接合装置を提供する
ことが可能となる。In the fourth embodiment having such a configuration,
A means for detecting and determining that the joining of the objects to be heated is completed will be described. The temperature and heating pattern required for joining various materials to be heated are preliminarily input as data to the control device 43.
During operation, the driver inputs what the material to be joined is. The controller 43 controls the high-frequency and low-frequency microwave source 1 according to the previously input data.
3 and 31 are activated. At this time, the output power of the high frequency and low frequency microwave sources is controlled while simultaneously monitoring the temperature of the object to be heated by the temperature measuring means. And
For example, when the object to be heated is alumina, the temperature is raised to 1700 ° C. and the temperature is maintained at 1700 ° C. for about 3 minutes. If the temperature of the heated object changes according to the data entered in advance,
At that time, it is detected and judged that the joining is completed, and thereafter, the microwave power is lowered to gradually lower the temperature of the object to be heated. By doing so, the first embodiment
In addition to the effect obtained in (1), it becomes possible to provide a ceramics bonding apparatus capable of reliably bonding various materials.
【0030】実施の形態5.次に、本発明の実施の形態
5に係るマイクロ波照射装置について、図6を用いて説
明する。図6は、実施の形態5を説明するための構成図
である。図6において、図1及び図2等と同一符号は同
一又は相当部分を示すため、説明を省略する。実施の形
態5では、モード変換器40がアンテナ15の中心軸の
回りに、例えばモータ駆動により回転できる構造となっ
ている。このようにすれば、接合部分が長い場合でも、
モード変換器40を回転させることによりマイクロ波ビ
ームの照射位置を移動させることができるので、さらに
対象とする被加熱体の形状の選択幅が大きくなる。Embodiment 5. Next, a microwave irradiation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a configuration diagram for explaining the fifth embodiment. 6, the same reference numerals as those in FIG. 1 and FIG. 2 indicate the same or corresponding portions, and the description thereof will be omitted. In the fifth embodiment, the mode converter 40 has a structure capable of rotating around the central axis of the antenna 15 by, for example, driving a motor. By doing this, even if the joint is long,
Since the irradiation position of the microwave beam can be moved by rotating the mode converter 40, the selection range of the shape of the target object to be heated further increases.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
イクロ波ビームを絞り込むことにより電界強度を高め、
電力密度を増大させることにより、空胴共振器を利用し
なくてもセラミックスを接合可能な高温まで加熱するこ
とができるという効果を奏する。As described above, according to the present invention, the electric field strength is increased by narrowing down the microwave beam,
By increasing the power density, it is possible to heat the ceramics to a high temperature at which they can be bonded without using the cavity resonator.
【0032】また、本発明によれば、対象となるセラミ
ックスの形状、大きさの選択の幅を拡大しつつ実用化を
図り、加熱中の被加熱体内の温度差を小さくするととも
に、被加熱体の割れや破壊を防止することができるとい
う効果を奏する。Further, according to the present invention, the range of selection of the shape and size of the target ceramics is expanded and the ceramics are put into practical use to reduce the temperature difference in the heated body during heating and to heat the heated body. The effect of being able to prevent cracking and destruction of
【0033】さらに、この発明によれば、接合完了を検
知・判断するための手段を設けることにより、確実にセ
ラミックスを接合することができるという効果を奏す
る。Further, according to the present invention, by providing a means for detecting / determining the completion of joining, it is possible to reliably join the ceramics.
【図1】 実施の形態1に係るマイクロ波照射装置の側
面図である。FIG. 1 is a side view of a microwave irradiation device according to a first embodiment.
【図2】 実施の形態1に係るマイクロ波照射装置の正
面図である。FIG. 2 is a front view of the microwave irradiation device according to the first embodiment.
【図3】 実施の形態2に係るマイクロ波照射装置の構
成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a microwave irradiation device according to a second embodiment.
【図4】 実施の形態3に係るマイクロ波照射装置の構
成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a microwave irradiation device according to a third embodiment.
【図5】 実施の形態4に係るマイクロ波照射装置の構
成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a microwave irradiation device according to a fourth embodiment.
【図6】 実施の形態5に係るマイクロ波照射装置の構
成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a microwave irradiation device according to a fifth embodiment.
【図7】 従来の技術による第1のマイクロ波照射装置
を示す構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram showing a first microwave irradiation device according to a conventional technique.
【図8】 従来の技術による第2のマイクロ波照射装置
を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing a second microwave irradiation device according to a conventional technique.
1…マイクロ波発生器、2…マイクロ波ビーム、3…マ
イクロ波集束装置、4…入射口、5… 第1の反射体、
6…第2の反射体、7…被加熱体、11…電子管、12
…磁場発生装置、13 …高周波マイクロ波源、14…
ミラーを取り付けるための板、15…アンテナ、16…
ミラー支持具、17…曲面ミラー、18…筐体、19…
マイクロ波の伝搬の様子を示す矢印、20、21 …被
加熱体、22…加熱治具、23…台座、24…ローラ、
25…ローラの軸、26…軸受け、27…架台、31…
低周波数マイクロ波源、32…導波管、33、34…
扉、36、36…ヒータ、37…ヒータ制御装置、40
…モード変換器、41…温度測定手段のうちの受光部、
42…光ファイバー、43…本体及び制御装置、44…
信号線、45…高周波マイクロ波源の一部を構成する電
源、46…電力線DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Microwave generator, 2 ... Microwave beam, 3 ... Microwave focusing device, 4 ... Inlet, 5 ... 1st reflector,
6 ... 2nd reflector, 7 ... Heated object, 11 ... Electron tube, 12
... Magnetic field generator, 13 ... High frequency microwave source, 14 ...
A plate for attaching a mirror, 15 ... Antenna, 16 ...
Mirror support, 17 ... Curved mirror, 18 ... Housing, 19 ...
Arrows showing the state of microwave propagation, 20, 21 ... Object to be heated, 22 ... Heating jig, 23 ... Pedestal, 24 ... Roller,
25 ... Roller shaft, 26 ... Bearing, 27 ... Stand, 31 ...
Low frequency microwave source, 32 ... Waveguide, 33, 34 ...
Door, 36, 36 ... Heater, 37 ... Heater control device, 40
... Mode converter, 41 ... Light receiving part of temperature measuring means,
42 ... Optical fiber, 43 ... Main body and control device, 44 ...
Signal line, 45 ... Power source forming part of high-frequency microwave source, 46 ... Power line
Claims (8)
クロ波源と、この高周波マイクロ波源からの導波管内伝
搬モードを空中のビーム状伝搬モードに変換し、そのビ
ーム状伝搬モードの高周波マイクロ波を反射して被照射
体に照射するモード変換器と、低周波マイクロ波を発生
し、低周波マイクロ波を前記被照射体に照射する低周波
マイクロ波源とを有し、前記高周波マイクロ波源及び前
記低周波マイクロ波源により前記被照射体に対するマイ
クロ波の照射を行うようにしたことを特徴とするマイク
ロ波照射装置。1. A high-frequency microwave source for generating high-frequency microwaves and a waveguide propagation mode from the high-frequency microwave source are converted into a beam-like propagation mode in the air, and the high-frequency microwaves in the beam-like propagation mode are reflected. And a low-frequency microwave source for generating a low-frequency microwave and irradiating the irradiated body with a low-frequency microwave. The high-frequency microwave source and the low-frequency microwave A microwave irradiating device, wherein a microwave source irradiates the object to be irradiated with microwaves.
このマイクロ波源からの導波管内伝搬モードを空中のビ
ーム状伝搬モードに変換してマイクロ波を被照射体に照
射するモード変換器と、前記被照射体を加熱する加熱手
段とを有し、この加熱手段により前記被照射体を加熱す
るとともに、前記マイクロ波源からのマイクロ波を前記
被照射体に照射するようにしたことを特徴とするマイク
ロ波照射装置。2. A microwave source for generating microwaves,
The microwave source has a mode converter that converts the propagation mode in the waveguide into a beam-like propagation mode in the air to irradiate the irradiation target with microwaves, and a heating unit that heats the irradiation target. A microwave irradiating device, wherein the object to be irradiated is heated by a heating means and the microwave from the microwave source is applied to the object to be irradiated.
するアンテナを具備し、このアンテナの中心軸の周りに
回転可能に配設されたことを特徴とする請求項1又は2
に記載のマイクロ波照射装置。3. The mode converter comprises an antenna that reflects microwaves and is rotatably arranged around a central axis of the antenna.
The microwave irradiator described in.
置されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに
記載のマイクロ波照射装置。4. The microwave irradiation apparatus according to claim 1, wherein the object to be irradiated is arranged on a rotatable pedestal.
合するためのセラミックス材料であることを特徴とする
請求項1乃至4のいずれかに記載のマイクロ波照射装
置。5. The microwave irradiation apparatus according to claim 1, wherein the irradiation target is a ceramic material for bonding ceramics to each other.
クロ波源と、この高周波マイクロ波源からの導波管内伝
搬モードを空中のビーム状伝搬モードに変換し、そのビ
ーム状伝搬モードの高周波マイクロ波を反射して被照射
体に照射するモード変換器と、低周波マイクロ波を発生
し、前記被照射体に低周波マイクロ波を照射する低周波
マイクロ波源と、前記被照射体の近傍に配置され、前記
被照射体の温度を検知する検知手段と、この検知手段に
より前記高周波マイクロ波源の出力を制御する制御手段
とを備えたことを特徴とするマイクロ波照射装置。6. A high-frequency microwave source for generating high-frequency microwaves and a waveguide propagation mode from the high-frequency microwave source are converted into a beam-like propagation mode in the air, and the high-frequency microwaves in the beam-like propagation mode are reflected. And a low-frequency microwave source for generating low-frequency microwaves to irradiate the irradiated body with low-frequency microwaves, and a mode converter for irradiating the irradiated body with the low-frequency microwaves, A microwave irradiating device comprising: a detection unit that detects the temperature of the irradiation body; and a control unit that controls the output of the high-frequency microwave source by the detection unit.
検知する受光部であることを特徴とする請求項6に記載
のマイクロ波照射装置。7. The microwave irradiation apparatus according to claim 6, wherein the detection unit is a light receiving unit that detects the temperature of the irradiation target.
源の電源供給を低下又は停止するように制御するように
したことを特徴とする請求項6又は7に記載のマイクロ
波照射装置。8. The microwave irradiating device according to claim 6, wherein the control unit controls the power supply of the high frequency microwave source so as to reduce or stop the power supply.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002088484A JP2003288978A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Microwave irradiation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002088484A JP2003288978A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Microwave irradiation device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003288978A true JP2003288978A (en) | 2003-10-10 |
Family
ID=29234336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002088484A Pending JP2003288978A (en) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | Microwave irradiation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003288978A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035613A1 (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 三井金属鉱業株式会社 | Bonded ceramic and process for producing same |
CN104470020A (en) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 宏硕系统股份有限公司 | Microwave heating and drying device |
JP2015187955A (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 日本碍子株式会社 | microwave irradiation method |
JP2015213053A (en) * | 2014-04-18 | 2015-11-26 | 日本碍子株式会社 | Microwave irradiation device and microwave irradiation method |
JP2016192266A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日本碍子株式会社 | Microwave irradiation device and microwave irradiation method |
CN108696958A (en) * | 2018-07-24 | 2018-10-23 | 电子科技大学 | A kind of double source double frequency micro-wave oven |
CN111226501A (en) * | 2017-10-26 | 2020-06-02 | Bsh家用电器有限公司 | Food processing apparatus |
CN114698176A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | Microwave heating device and cooking equipment |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002088484A patent/JP2003288978A/en active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035613A1 (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 三井金属鉱業株式会社 | Bonded ceramic and process for producing same |
JP2013053047A (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Ceramic joined body and method for producing the same |
CN104470020A (en) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 宏硕系统股份有限公司 | Microwave heating and drying device |
JP2015187955A (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 日本碍子株式会社 | microwave irradiation method |
JP2015213053A (en) * | 2014-04-18 | 2015-11-26 | 日本碍子株式会社 | Microwave irradiation device and microwave irradiation method |
JP2016192266A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日本碍子株式会社 | Microwave irradiation device and microwave irradiation method |
CN111226501A (en) * | 2017-10-26 | 2020-06-02 | Bsh家用电器有限公司 | Food processing apparatus |
CN111226501B (en) * | 2017-10-26 | 2022-07-08 | Bsh家用电器有限公司 | Food processing apparatus |
CN108696958A (en) * | 2018-07-24 | 2018-10-23 | 电子科技大学 | A kind of double source double frequency micro-wave oven |
CN108696958B (en) * | 2018-07-24 | 2024-03-19 | 电子科技大学 | Dual-source dual-frequency microwave oven |
CN114698176A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | Microwave heating device and cooking equipment |
CN114698176B (en) * | 2020-12-31 | 2024-05-24 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | Microwave heating device and cooking equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100555865B1 (en) | Radiation assisted friction welding | |
US6979420B2 (en) | Method of molding balloon catheters employing microwave energy | |
KR20030009459A (en) | A method for the rapid thermal treatment of glass and glass-like materials using microwave radiation | |
JP2003288978A (en) | Microwave irradiation device | |
JPS60258928A (en) | Device and method for heating semiconductor wafer | |
JP2011099567A (en) | Infrared heating device, infrared irradiating device, and infrared irradiating direction adjusting device | |
JP2003261344A (en) | Method for manufacturing thermally tempered glass article and manufacturing apparatus used for the same | |
JP2001085152A (en) | Microwave device containing mesh member | |
JPH10291084A (en) | Laser machining method for brittle material and its device | |
US20220369430A1 (en) | Annealing system and annealing method integrated with laser and microwave | |
CN114518620B (en) | High-power fiber grating laser annealing system and method | |
US11845202B2 (en) | Near-field microwave heating system and method | |
KR100873286B1 (en) | Apparatus and method for mounting silicon ingot to mounter | |
US6424090B1 (en) | Modification of millimetric wavelength microwave beam power distribution | |
JP4093781B2 (en) | Ultrasonic head | |
KR20140078758A (en) | Device for determining the temperature of a substrate | |
JP3238220U (en) | Annealing system that integrates laser and microwave | |
JP2009277559A (en) | Heating cooker | |
Kirchhoff | Thermal shock fracture by laser irradiation | |
JP2591242Y2 (en) | Microwave heating equipment | |
JP2001135473A (en) | Millimeter-wave heating device | |
JP2004047428A (en) | Switch gap adjusting method of reed switch | |
JP2001153370A (en) | High-frequency heating equipment | |
CN113681909B (en) | Laser welding device and welding method | |
JP2004035958A (en) | Film deposition system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060915 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070306 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |