JP2003275884A - Board cutting method and cutting device using laser - Google Patents

Board cutting method and cutting device using laser

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JP2003275884A
JP2003275884A JP2002080394A JP2002080394A JP2003275884A JP 2003275884 A JP2003275884 A JP 2003275884A JP 2002080394 A JP2002080394 A JP 2002080394A JP 2002080394 A JP2002080394 A JP 2002080394A JP 2003275884 A JP2003275884 A JP 2003275884A
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Japan
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substrate
beam spot
laser
mask
cutting method
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JP2002080394A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiji Iso
圭二 礒
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting method by which a board can be cut along a fine pattern. <P>SOLUTION: The second harmonic wave of a laser beam generated by using a solid dielectric including ions as a laser medium is made incident on a surface of the board. The board is cut while at least one of a beam spot or the board is made to move so that the beam spot moves on the surface of the board. By converging the beam spot small, the board can be cut along a fine pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザを用いた基
板切断方法及び切断装置に関し、特にフレキシブル基板
の切断に適した基板切断方法及び切断装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cutting method and a cutting device using a laser, and more particularly to a substrate cutting method and a cutting device suitable for cutting a flexible substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯用電子機器に使用されるフレキシブ
ル基板を切断する方法として、機械ドリルを使用する方
法、及び金型を用いる方法が知られている。高密度実装
が進むに従って、微細なパターンに沿って切断する技術
が求められている。
2. Description of the Related Art As a method for cutting a flexible substrate used in a portable electronic device, a method using a mechanical drill and a method using a die are known. As high-density packaging progresses, a technique for cutting along a fine pattern is required.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】量産用途に用いられる
機械ドリルのドリル径の最小寸法は、0.3mm程度で
ある。このため、微細なパターン、例えば微小間隔で並
ぶ櫛歯状のパターンに沿って切断することが困難であ
る。金型を用いる方法の切断最小幅は0.5mm程度で
あり、それよりも微小な間隔で並ぶ櫛歯状のパターンに
沿って切断することは困難である。
The minimum diameter of a mechanical drill used for mass production is about 0.3 mm. For this reason, it is difficult to cut along a fine pattern, for example, a comb-shaped pattern lined up at minute intervals. The minimum cutting width of the method using a mold is about 0.5 mm, and it is difficult to cut along a comb-shaped pattern arranged at intervals smaller than that.

【0004】本発明の目的は、微細なパターンに沿って
基板を切断することが可能な切断方法及び切断装置を提
供することである。
An object of the present invention is to provide a cutting method and a cutting apparatus capable of cutting a substrate along a fine pattern.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、イオンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用い
るレーザの2倍高調波を、基板の表面に入射させ、該基
板の表面上をビームスポットが移動するように、ビーム
スポット及び該基板の少なくとも一方を移動させなが
ら、該基板を切断する工程を有する基板切断方法が提供
される。
According to one aspect of the present invention, a second harmonic of a laser using a solid dielectric containing ions as a laser medium is incident on the surface of a substrate, and the second harmonic of the laser is applied to the surface of the substrate. There is provided a substrate cutting method including a step of cutting the substrate while moving at least one of the beam spot and the substrate so that the beam spot moves.

【0006】ビームスポットを小さく絞ることにより、
微細なパターンに沿って基板を切断することができる。
本発明の他の観点によると、レーザビームを出射するレ
ーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザビー
ムを透過させるビーム透過孔が形成されたマスクであっ
て、該ビーム透過孔の外周が直線部分を含み、該レーザ
ビームのビーム断面を整形するマスクと、加工対象物を
保持するステージと、前記ステージに保持された加工対
象物の表面上に、前記マスクのビーム透過孔を結像させ
る結像光学系と、前記ステージに保持された加工対象物
の表面上をレーザビームのビームスポットが移動するよ
うに、ビームスポット及び加工対象物の少なくとも一方
を移動させる移動機構と、前記ステージに保持された加
工対象物の表面上に形成される前記マスクのビーム透過
孔の像の外周の直線部分が、該加工対象物の表面上のビ
ームスポットの軌跡の各位置における接線と平行になる
ように、前記マスク及び加工対象物の少なくとも一方を
回転させる回転機構とを有するレーザ切断装置が提供さ
れる。
By narrowing the beam spot to a small size,
The substrate can be cut along a fine pattern.
According to another aspect of the present invention, there is provided a mask having a laser light source for emitting a laser beam and a beam transmission hole for transmitting the laser beam emitted from the laser light source, the outer periphery of the beam transmission hole being a straight line. A mask for shaping the beam cross section of the laser beam including a portion, a stage for holding the object to be processed, and a beam transmitting hole of the mask on the surface of the object to be processed held by the stage. An image optical system, a moving mechanism that moves at least one of the beam spot and the object to be processed so that the beam spot of the laser beam moves on the surface of the object held on the stage, and the moving mechanism that is held on the stage. The linear portion of the outer periphery of the image of the beam transmission hole of the mask formed on the surface of the processed object is the track of the beam spot on the surface of the processed object. So as to be parallel to the tangential line at each position of the laser cutting apparatus is provided with a rotation mechanism for rotating at least one of the mask and workpiece.

【0007】ビームスポットを小さく絞ることにより、
微細なパターンに沿って基板を切断することができる。
ビーム透過孔の像の外周の直線部分によって描かれた軌
跡に対応する切断面を、加工対象物の表面に対して垂直
に近づけることができる。
By narrowing the beam spot to a small size,
The substrate can be cut along a fine pattern.
The cut surface corresponding to the locus drawn by the straight line portion on the outer periphery of the image of the beam transmission hole can be brought close to being perpendicular to the surface of the object to be processed.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1(A)に、本発明の実施例に
よる切断装置の概略図を示す。レーザ光源1が、イオン
を含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用いる固体レー
ザ発振器と、波長変換素子とを含んで構成される。レー
ザ光源1は、レーザ媒質から誘導放出される基本波の2
倍高調波を出射する。レーザ媒質としてNd:YAGを
用いた場合には、2倍高調波の波長は532nmであ
る。
1A shows a schematic view of a cutting device according to an embodiment of the present invention. The laser light source 1 includes a solid-state laser oscillator that uses a solid dielectric containing ions as a laser medium, and a wavelength conversion element. The laser light source 1 has a fundamental wave 2 which is a stimulated emission from a laser medium.
Emit double harmonics. When Nd: YAG is used as the laser medium, the wavelength of the second harmonic is 532 nm.

【0009】レーザ光源1から出射されたレーザビーム
が、マスク2のビーム透過孔を通過することにより、そ
のビーム断面が整形される。ビーム透過孔の形状は、例
えば正方形である。マスク2のビーム透過孔を通過した
レーザビームが、折り返しミラー3で、加工対象物10
に向けて反射される。加工対象物10は、XYステージ
5の保持面に保持されている。
The laser beam emitted from the laser light source 1 passes through the beam transmission hole of the mask 2 to shape the beam cross section. The shape of the beam transmission hole is, for example, a square. The laser beam that has passed through the beam transmission hole of the mask 2 is reflected by the folding mirror 3 to be processed 10
Is reflected toward. The processing object 10 is held on the holding surface of the XY stage 5.

【0010】折り返しミラー3とXYステージ5との間
のレーザビームの光路上に凸レンズ4が配置されてい
る。凸レンズ4は、マスク2に設けられているビーム透
過孔を、XYステージに保持されている加工対象物10
の表面上に結像させる。このため、加工対象物10の表
面におけるビームスポットは正方形になる。XYステー
ジ5は、制御装置7から制御を受け、加工対象物10を
XY面に平行な方向に移動させる。XY面は、加工対象
物10に入射するレーザビームの中心軸に対して垂直で
ある。
A convex lens 4 is arranged on the optical path of the laser beam between the folding mirror 3 and the XY stage 5. The convex lens 4 has a beam transmission hole provided in the mask 2, and the object to be processed 10 held on the XY stage.
Image on the surface of. Therefore, the beam spot on the surface of the processing object 10 becomes a square. The XY stage 5 is controlled by the control device 7 and moves the object 10 to be processed in a direction parallel to the XY plane. The XY plane is perpendicular to the central axis of the laser beam incident on the processing object 10.

【0011】回転機構6が、制御装置7から制御を受
け、マスク2のビーム透過孔を透過するレーザビームの
中心軸を中心として、マスク2を回転移動させる。マス
ク2が回転移動すると、加工対象物10の表面上に結ば
れているビーム透過孔の像も回転移動する。
The rotating mechanism 6 is controlled by the controller 7 to rotate the mask 2 about the central axis of the laser beam transmitted through the beam transmitting hole of the mask 2. When the mask 2 is rotationally moved, the image of the beam transmission hole formed on the surface of the processing object 10 is also rotationally moved.

【0012】加工対象物10は、例えばポリイミドフィ
ルムの表面上に銅配線パターンがプリントされたフレキ
シブル基板である。レーザ光源1の平均出力は5W、パ
ルス周波数は40kHz、パルス幅は30ns、加工対
象物10の表面のビームスポットは、一辺の長さが50
μmの正方形、パルスエネルギ密度は10J/cm2
ある。この条件でパルスレーザビームを40ショット入
射させると、厚さ9μmの銅箔と厚さ25μmのポリイ
ミドフィルムとを貫通する穴を形成することができる。
The object 10 to be processed is, for example, a flexible substrate having a copper wiring pattern printed on the surface of a polyimide film. The average output of the laser light source 1 is 5 W, the pulse frequency is 40 kHz, the pulse width is 30 ns, and the beam spot on the surface of the processing object 10 has a side length of 50.
μm square, pulse energy density is 10 J / cm 2 . When 40 shots of the pulse laser beam are incident under this condition, a hole penetrating the copper foil having a thickness of 9 μm and the polyimide film having a thickness of 25 μm can be formed.

【0013】レーザビームのパルス幅を100ns以
下、平均出力を5W以上、パルス周波数を5kHz以上
とすることが好ましい。このような条件を満たすレーザ
ビームを使用することにより、熱影響による銅箔の盛り
上がり、及びポリイミドフィルムからの銅箔の剥離を防
止しつつ、高速で基板の切断を行うことができる。
It is preferable that the pulse width of the laser beam is 100 ns or less, the average output is 5 W or more, and the pulse frequency is 5 kHz or more. By using the laser beam satisfying such conditions, it is possible to cut the substrate at high speed while preventing the copper foil from rising due to the heat effect and peeling of the copper foil from the polyimide film.

【0014】また、ポリイミドフィルムの表面に形成さ
れた銅箔を切断するために、銅箔表面におけるパルスエ
ネルギ密度を10J/cm2以上とすることが好まし
い。なお、加工対象物がポリイミドフィルムのみの場
合、または切断するときのビームスポットの軌跡上に銅
箔が形成されていない場合には、加工対象物の表面にお
けるパルスエネルギ密度は1J/cm2以上であれば十
分である。
In order to cut the copper foil formed on the surface of the polyimide film, it is preferable that the pulse energy density on the surface of the copper foil is 10 J / cm 2 or more. When the object to be processed is only a polyimide film, or when the copper foil is not formed on the trajectory of the beam spot when cutting, the pulse energy density on the surface of the object to be processed is 1 J / cm 2 or more. It is enough.

【0015】次に、加工対象物10の切断方法について
説明する。XYステージ5を動作させて加工対象物10
の表面上でビームスポットを移動させる。前回のショッ
トでレーザビームに照射された領域と、今回のショット
で照射される領域とが部分的に重なり、結果的に、ビー
ムスポットの軌跡上の全ての点に40ショット以上のレ
ーザビームが入射するように、加工対象物10の移動速
度が調整される。例えば、一辺の長さが50μmの正方
形のビームスポットの場合、ビームスポットの移動速度
を50μm/(40ショット/40kHz)=50mm
/s以下にすればよい。この条件を満たすようにビーム
スポットを移動させると、加工対象物10をビームスポ
ットの軌跡に沿って切断することができる。
Next, a method of cutting the object 10 will be described. The XY stage 5 is operated to move the workpiece 10
Move the beam spot over the surface of the. The area irradiated by the laser beam in the previous shot partially overlaps the area irradiated by the current shot, and as a result, the laser beam of 40 shots or more is incident on all points on the trajectory of the beam spot. The moving speed of the processing target object 10 is adjusted so that. For example, in the case of a square beam spot having a side length of 50 μm, the moving speed of the beam spot is 50 μm / (40 shots / 40 kHz) = 50 mm.
/ S or less. When the beam spot is moved so as to satisfy this condition, the object 10 to be processed can be cut along the trajectory of the beam spot.

【0016】ビームスポットの大きさが50μm程度で
あるため、微細なパターンに沿って切断することが可能
である。例えば、100μm間隔で配列した櫛歯状のパ
ターンに沿って切断することも可能である。
Since the size of the beam spot is about 50 μm, it is possible to cut along a fine pattern. For example, it is possible to cut along a comb-shaped pattern arranged at 100 μm intervals.

【0017】図1(B)に、切断時のビームスポットの
移動の様子を示す。切断すべきパターン20が、閉じた
曲線で構成されている。切断すべきパターン20の内側
が、電子回路基板として使用される部分である。正方形
のビームスポット21の1つの辺が、パターン20の接
線方向と平行になるようにビームスポット21の向きが
制御される。例えば、加工対象物10のx方向への移動
速度をVx、y方向への移動速度をVy、ビームスポッ
ト21の1つの辺とx軸とのなす角度をθとすると、
FIG. 1B shows how the beam spot moves during cutting. The pattern 20 to be cut comprises a closed curve. The inside of the pattern 20 to be cut is a portion used as an electronic circuit board. The direction of the beam spot 21 is controlled so that one side of the square beam spot 21 is parallel to the tangential direction of the pattern 20. For example, if the moving speed of the workpiece 10 in the x direction is Vx, the moving speed in the y direction is Vy, and the angle between one side of the beam spot 21 and the x axis is θ,

【0018】[0018]

【数1】tanθ=Vy/Vx が成立するようにビームスポット21の向きが制御され
る。
## EQU1 ## The orientation of the beam spot 21 is controlled so that tan θ = Vy / Vx is satisfied.

【0019】ビームスポット21の向きの制御は、図1
(A)に示したマスク2を回転移動させることにより行
われる。すなわち、ビームスポットは、その外周の1つ
の辺と平行な方向に移動する。以下、ビームスポットの
向きを制御する効果について説明する。
The control of the direction of the beam spot 21 is as shown in FIG.
This is performed by rotating the mask 2 shown in FIG. That is, the beam spot moves in a direction parallel to one side of its outer circumference. Hereinafter, the effect of controlling the direction of the beam spot will be described.

【0020】図1(D)に、円形のビームスポットを用
いてフレキシブル基板を切断した場合の切断部分の断面
図を示す。円形のビームスポットを有するレーザビーム
で切断した場合には、切断部分の端面が斜めになってい
る。これは、ビームスポットの軌跡の幅方向の端におけ
る累積の露光量が、中心における累積の露光量よりも少
ないためである。
FIG. 1D shows a sectional view of a cut portion when the flexible substrate is cut using a circular beam spot. When cutting with a laser beam having a circular beam spot, the end face of the cut portion is oblique. This is because the cumulative exposure amount at the widthwise end of the beam spot trajectory is smaller than the cumulative exposure amount at the center.

【0021】図1(E)に、上記実施例による方法で切
断した場合の切断部分の断面図を示す。正方形のビーム
スポットが、その1つの辺と平行な方向に移動するた
め、ビームスポットの軌跡の端と中心との累積の露光量
がほぼ等しくなる。このため、切断部分の端面が、加工
対象物10の上面に対してほぼ垂直になる。
FIG. 1 (E) shows a cross-sectional view of a cut portion when cut by the method according to the above embodiment. Since the square beam spot moves in the direction parallel to one side of the square beam spot, the cumulative exposure amount at the end and the center of the trajectory of the beam spot becomes substantially equal. Therefore, the end surface of the cut portion is substantially perpendicular to the upper surface of the processing object 10.

【0022】図1(C)に示すように、ビームスポット
21の形状が三角形になるようにしてもよい。このと
き、三角形の1つの辺が、切断すべきパターン20のビ
ームスポットの位置における接線方向と平行になるよう
に、ビームスポットの向きを制御する。なお、ビームス
ポット21が、電子回路基板として使用する部分(図1
(C)においては、切断すべきパターン20の内側)よ
りも外側に配置されるように、ビームスポット21の位
置を制御する。これにより、電子回路基板として使用す
る部分の端面を、基板表面に対してほぼ垂直にすること
ができる。
As shown in FIG. 1C, the beam spot 21 may have a triangular shape. At this time, the direction of the beam spot is controlled so that one side of the triangle is parallel to the tangential direction at the position of the beam spot of the pattern 20 to be cut. The beam spot 21 is used as an electronic circuit board (see FIG. 1).
In (C), the position of the beam spot 21 is controlled so that the beam spot 21 is arranged outside of the pattern 20 to be cut. As a result, the end surface of the portion used as the electronic circuit board can be made substantially vertical to the board surface.

【0023】上記実施例では、Nd:YAGレーザの2
倍高調波を使用したが、その他の固体レーザを使用して
もよい。固体レーザの例として、Nd:YLFレーザ、
Nd:YVO4レーザ等が挙げられる。
In the above embodiment, two Nd: YAG lasers are used.
Double harmonics were used, but other solid state lasers may be used. As an example of the solid-state laser, an Nd: YLF laser,
Nd: YVO 4 laser and the like.

【0024】また、上記実施例では、XYステージ5で
加工対象物10を移動させたが、加工対象物10を固定
して、レーザビームを走査することにより、ビームスポ
ットを移動させてもよい。レーザビームの走査は、例え
ばガルバノスキャナを使用して行うことができる。
In the above embodiment, the object 10 to be processed is moved by the XY stage 5, but the object 10 may be fixed and the beam spot may be moved by scanning the laser beam. The scanning of the laser beam can be performed using, for example, a galvano scanner.

【0025】また、上記実施例では、ビームスポットの
形状を正方形または三角形としたが、少なくとも一部に
直線部分を含む外周を有する形状としてもよい。この場
合、この直線部分を、ビームスポットの軌跡の接線方向
と平行にすればよい。
Further, in the above embodiment, the shape of the beam spot is square or triangular, but it may be a shape having an outer periphery including a linear portion at least in part. In this case, this straight line portion may be parallel to the tangential direction of the locus of the beam spot.

【0026】上記実施例では、フレキシブル基板を切断
する場合を示したが、切断すべき加工対象物は、必ずし
もフレキシブル基板である必要はない。例えば、ガラス
エポキシ等を使用したプリント配線板を切断することも
可能である。
In the above embodiment, the case where the flexible substrate is cut has been shown, but the object to be cut need not necessarily be the flexible substrate. For example, it is possible to cut a printed wiring board using glass epoxy or the like.

【0027】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
The present invention has been described above with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
機械ドリルのドリル径に比べて小さなビームスポットを
有するレーザビームを用いることにより、微細なパター
ンに沿って加工対象物を切断することができる。
As described above, according to the present invention,
By using a laser beam having a beam spot smaller than the drill diameter of a mechanical drill, it is possible to cut an object to be processed along a fine pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 (A)は、本発明の実施例による切断装置の
断面図であり、(B)及び(C)は、ビームスポットの
移動の様子を示すための加工対象物の平面図であり、
(D)は、円形のビームスポットを有するレーザビーム
を使用して切断したときの切断部分の断面図であり、
(E)は、実施例による方法で切断したときの切断部分
の断面図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view of a cutting device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 1B and 1C are plan views of an object to be processed to show how a beam spot moves. ,
(D) is a cross-sectional view of a cut portion when cut using a laser beam having a circular beam spot,
(E) is a cross-sectional view of a cut portion when cut by the method according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源 2 マスク 3 折り返しミラー 4 凸レンズ 5 XYステージ 6 回転機構 7 制御装置 10 加工対象物 20 切断すべきパターン 21 ビームスポット 1 laser light source 2 mask 3 folding mirror 4 convex lens 5 XY stage 6 rotation mechanism 7 Control device 10 Object to be processed 20 patterns to cut 21 beam spot

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:42 B23K 101:42 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) // B23K 101: 42 B23K 101: 42

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 イオンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質
として用いるレーザの2倍高調波を、基板の表面に入射
させ、該基板の表面上をビームスポットが移動するよう
に、ビームスポット及び該基板の少なくとも一方を移動
させながら、該基板を切断する工程を有する基板切断方
法。
1. A beam spot and a beam spot so that the second harmonic of a laser using a solid dielectric containing ions as a laser medium is incident on the surface of the substrate and the beam spot moves on the surface of the substrate. A substrate cutting method comprising a step of cutting at least one of the substrates while moving the substrate.
【請求項2】 前記基板に入射するレーザビームがパル
スレーザビームであり、そのパルス幅が100ns以
下、平均出力が5W以上、パルス周波数が5kHz以上
である請求項1に記載の基板切断方法。
2. The substrate cutting method according to claim 1, wherein the laser beam incident on the substrate is a pulse laser beam, the pulse width is 100 ns or less, the average output is 5 W or more, and the pulse frequency is 5 kHz or more.
【請求項3】 前記基板が、樹脂フィルムの表面に金属
パターンが形成された基板であり、該基板の表面におけ
るパルスエネルギ密度が10J/cm2以上である請求
項2に記載の基板切断方法。
3. The substrate cutting method according to claim 2, wherein the substrate is a substrate having a metal pattern formed on the surface of a resin film, and the pulse energy density on the surface of the substrate is 10 J / cm 2 or more.
【請求項4】 さらに、前記基板に入射するレーザビー
ムのビームスポットが、少なくとも一部に直線部分を含
む外周を有する形状であり、前記基板の表面上のビーム
スポットの軌跡が曲線部分を含み、ビームスポットの外
周の直線部分が、ビームスポットの軌跡の各位置におけ
る接線と平行になるようにビームスポットの向きを制御
する工程を含む請求項1〜3のいずれかに記載の基板切
断方法。
4. The beam spot of the laser beam incident on the substrate has a shape having an outer periphery including a linear portion at least in part, and the trajectory of the beam spot on the surface of the substrate includes a curved portion, The substrate cutting method according to claim 1, further comprising a step of controlling a direction of the beam spot so that a straight line portion of an outer periphery of the beam spot is parallel to a tangent line at each position of a trajectory of the beam spot.
【請求項5】 前記基板がフレキシブル基板である請求
項1〜4のいずれかに記載の基板切断方法。
5. The substrate cutting method according to claim 1, wherein the substrate is a flexible substrate.
【請求項6】 レーザビームを出射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたレーザビームを透過させ
るビーム透過孔が形成されたマスクであって、該ビーム
透過孔の外周が直線部分を含み、該レーザビームのビー
ム断面を整形するマスクと、 加工対象物を保持するステージと、 前記ステージに保持された加工対象物の表面上に、前記
マスクのビーム透過孔を結像させる結像光学系と、 前記ステージに保持された加工対象物の表面上をレーザ
ビームのビームスポットが移動するように、ビームスポ
ット及び加工対象物の少なくとも一方を移動させる移動
機構と、 前記ステージに保持された加工対象物の表面上に形成さ
れる前記マスクのビーム透過孔の像の外周の直線部分
が、該加工対象物の表面上のビームスポットの軌跡の各
位置における接線と平行になるように、前記マスク及び
加工対象物の少なくとも一方を回転させる回転機構とを
有するレーザ切断装置。
6. A mask having a laser light source for emitting a laser beam and a beam transmission hole for transmitting the laser beam emitted from the laser light source, the outer periphery of the beam transmission hole including a straight line portion, A mask for shaping the beam cross section of the laser beam, a stage for holding an object to be processed, and an image forming optical system for forming an image of a beam transmission hole of the mask on the surface of the object to be processed held by the stage. A moving mechanism that moves at least one of the beam spot and the processing target so that the beam spot of the laser beam moves on the surface of the processing target held by the stage; and the processing target held by the stage The linear portion of the outer periphery of the image of the beam transmission hole of the mask formed on the surface of the mask is the position of the locus of the beam spot on the surface of the workpiece. So as to be parallel to the definitive tangent, laser cutting device and a rotating mechanism for rotating at least one of the mask and workpiece.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7598103B2 (en) 2005-06-08 2009-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel with different substrate materials and method of making the liquid crystal display panel
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