JP2003270068A - 半導体式力学量センサの製造方法 - Google Patents
半導体式力学量センサの製造方法Info
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサチップが接着材を介して基台上に搭載
された半導体式力学量センサの製造方法において、ビー
ズを用いることなく接着剤の厚みを確保し、基台からセ
ンサチップに伝達される熱応力を緩和すること。 【解決手段】 本発明の半導体式力学量センサの製造方
法では、液状の接着剤１６に熱を加えて半硬化させた後
に、接着剤１６上にセンサチップ１１及びガラス台座１
３を搭載しているため、センサチップ１１及びガラス台
座１３の自重による接着剤１６の変形を防止することが
できる。よって、接着剤１６の厚みを大きくするに従っ
て接着剤１６の体積を大きくすることができるため、温
度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、この厚
みを大きくした接着剤１６により、パッケージ材１５か
らセンサチップ１１に伝達される熱応力を緩和すること
ができ、センサ特性の変動を防止することができる。
された半導体式力学量センサの製造方法において、ビー
ズを用いることなく接着剤の厚みを確保し、基台からセ
ンサチップに伝達される熱応力を緩和すること。 【解決手段】 本発明の半導体式力学量センサの製造方
法では、液状の接着剤１６に熱を加えて半硬化させた後
に、接着剤１６上にセンサチップ１１及びガラス台座１
３を搭載しているため、センサチップ１１及びガラス台
座１３の自重による接着剤１６の変形を防止することが
できる。よって、接着剤１６の厚みを大きくするに従っ
て接着剤１６の体積を大きくすることができるため、温
度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、この厚
みを大きくした接着剤１６により、パッケージ材１５か
らセンサチップ１１に伝達される熱応力を緩和すること
ができ、センサ特性の変動を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサチップが接
着材を介して基台上に搭載された半導体式力学量センサ
の製造方法に関する。
着材を介して基台上に搭載された半導体式力学量センサ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の半導体式力学量センサとし
て、特開平１０−１７０３６７号公報に開示されている
ような半導体式圧力センサがある。ここで、この半導体
式圧力センサについて、図５を用いて説明する。
て、特開平１０−１７０３６７号公報に開示されている
ような半導体式圧力センサがある。ここで、この半導体
式圧力センサについて、図５を用いて説明する。
【０００３】図５に示されるように、この半導体式圧力
センサは、印加圧力によって変位可能なダイヤフラム１
ａが形成されたセンサチップ１と、このセンサチップ１
に接着固定されたガラス台座３とを備えている。尚、セ
ンサチップ１とガラス台座３との間には真空室４が形成
されている。
センサは、印加圧力によって変位可能なダイヤフラム１
ａが形成されたセンサチップ１と、このセンサチップ１
に接着固定されたガラス台座３とを備えている。尚、セ
ンサチップ１とガラス台座３との間には真空室４が形成
されている。
【０００４】また、ダイヤフラム１ａには、圧力を受け
たことによって生じるダイヤフラム１ａの歪みを検出す
る拡散ゲージ２が複数形成されており、この拡散ゲージ
２により半導体式圧力センサに印加された圧力を検出し
ている。
たことによって生じるダイヤフラム１ａの歪みを検出す
る拡散ゲージ２が複数形成されており、この拡散ゲージ
２により半導体式圧力センサに印加された圧力を検出し
ている。
【０００５】さらに、センサチップ１が接着固定された
ガラス台座３は、接着剤６を介してパッケージ材５上に
接着されている。この接着剤６には、接着剤６の厚みを
確保するために、ミクロビーズ７が多数混入されてい
る。
ガラス台座３は、接着剤６を介してパッケージ材５上に
接着されている。この接着剤６には、接着剤６の厚みを
確保するために、ミクロビーズ７が多数混入されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体式圧力センサに温度変化が生じると、センサチップ
１やガラス台座３、パッケージ材５は熱膨張するが、こ
れら各部材の熱膨張率は相違しているため、温度上昇と
ともにセンサには熱応力が発生し、この熱応力がセンサ
チップ１に伝達されると、センサ特性が変動してしま
う。
導体式圧力センサに温度変化が生じると、センサチップ
１やガラス台座３、パッケージ材５は熱膨張するが、こ
れら各部材の熱膨張率は相違しているため、温度上昇と
ともにセンサには熱応力が発生し、この熱応力がセンサ
チップ１に伝達されると、センサ特性が変動してしま
う。
【０００７】そこで、センサチップ１に伝達する熱応力
を緩和する方法として、接着剤６の厚みを大きくしてパ
ッケージ材５からの熱応力を緩和することが考えられる
が、上記従来技術では、接着剤６にはその厚みを確保す
るためのミクロビーズが混入されているため、接着剤６
の厚みを大きくするに従ってミクロビーズ７も大きくす
る必要がある。
を緩和する方法として、接着剤６の厚みを大きくしてパ
ッケージ材５からの熱応力を緩和することが考えられる
が、上記従来技術では、接着剤６にはその厚みを確保す
るためのミクロビーズが混入されているため、接着剤６
の厚みを大きくするに従ってミクロビーズ７も大きくす
る必要がある。
【０００８】その結果、接着剤６の厚みを大きくしたと
しても、それ程接着剤６の体積を大きくすることはでき
ず、センサチップ１に伝達する熱応力を抑制することは
できない。尚、ミクロビーズ７は、接着剤６の厚さを確
保する目的で混入されているため、弾性率の高い材質で
形成されているので、ミクロビーズ７自体は熱応力の抑
制に作用しない。
しても、それ程接着剤６の体積を大きくすることはでき
ず、センサチップ１に伝達する熱応力を抑制することは
できない。尚、ミクロビーズ７は、接着剤６の厚さを確
保する目的で混入されているため、弾性率の高い材質で
形成されているので、ミクロビーズ７自体は熱応力の抑
制に作用しない。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、センサチップが接着材を介して基台上に搭載された
半導体式力学量センサの製造方法において、ビーズを用
いることなく接着剤の厚みを確保し、基台からセンサチ
ップに伝達される熱応力を緩和することにある。
み、センサチップが接着材を介して基台上に搭載された
半導体式力学量センサの製造方法において、ビーズを用
いることなく接着剤の厚みを確保し、基台からセンサチ
ップに伝達される熱応力を緩和することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
式力学量センサの製造方法は、センサチップと基台とを
備え、センサチップが接着材を介して基台上に搭載され
た半導体式力学量センサにおいて、液状の接着剤を容器
に充填し、この液状の接着剤に熱を加えて半硬化させる
第１工程と、半硬化した接着剤を基台上に配設する第２
工程と、センサチップを接着剤上に搭載する第３工程
と、接着剤に再び熱を加えて本硬化し、接着剤を介して
センサチップを基台に固着させる第４工程とを備えたこ
とを特徴としている。
式力学量センサの製造方法は、センサチップと基台とを
備え、センサチップが接着材を介して基台上に搭載され
た半導体式力学量センサにおいて、液状の接着剤を容器
に充填し、この液状の接着剤に熱を加えて半硬化させる
第１工程と、半硬化した接着剤を基台上に配設する第２
工程と、センサチップを接着剤上に搭載する第３工程
と、接着剤に再び熱を加えて本硬化し、接着剤を介して
センサチップを基台に固着させる第４工程とを備えたこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項１に記載の発明によれば、液状の接
着剤に熱を加えて半硬化させる第１工程を実行した後
に、センサチップを接着剤上に搭載する第３工程を実行
しているため、センサチップの自重による接着剤の変形
を防止することができるので、ビーズを用いることな
く、接着剤の厚みを確保することができる。
着剤に熱を加えて半硬化させる第１工程を実行した後
に、センサチップを接着剤上に搭載する第３工程を実行
しているため、センサチップの自重による接着剤の変形
を防止することができるので、ビーズを用いることな
く、接着剤の厚みを確保することができる。
【００１２】それによって、接着剤の厚みを大きくする
に従って接着剤の体積を大きくすることができるため、
温度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、この
厚みを大きくした接着剤により、基台からセンサチップ
に伝達される熱応力を緩和することができ、センサ特性
の変動を防止することができる。
に従って接着剤の体積を大きくすることができるため、
温度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、この
厚みを大きくした接着剤により、基台からセンサチップ
に伝達される熱応力を緩和することができ、センサ特性
の変動を防止することができる。
【００１３】尚、接着剤としては、請求項２に記載の発
明のように、シリコン系の接着剤を用いることができ
る。
明のように、シリコン系の接着剤を用いることができ
る。
【００１４】請求項３に記載の半導体式力学量センサの
製造方法は、液状の接着剤に熱を加えて半硬化させる第
１工程を実行した後の接着剤の弾性率は、接着剤に再び
熱を加えて本硬化させる第４工程を実行した後の接着剤
の弾性率の１／１００から１／２の範囲であることを特
徴としている。
製造方法は、液状の接着剤に熱を加えて半硬化させる第
１工程を実行した後の接着剤の弾性率は、接着剤に再び
熱を加えて本硬化させる第４工程を実行した後の接着剤
の弾性率の１／１００から１／２の範囲であることを特
徴としている。
【００１５】請求項３に記載の発明によれば、第１工程
を実行した後の接着剤の弾性率を、第４工程を実行した
後の接着剤の弾性率の１／１００から１／２の範囲にな
るまで硬化すると、センサチップを接着剤上に搭載する
第３工程を実行した際に、センサチップの自重により接
着剤が変形しない状態であるとともに、接着剤が完全に
固まらず接着力を残した状態に硬化させることができ
る。
を実行した後の接着剤の弾性率を、第４工程を実行した
後の接着剤の弾性率の１／１００から１／２の範囲にな
るまで硬化すると、センサチップを接着剤上に搭載する
第３工程を実行した際に、センサチップの自重により接
着剤が変形しない状態であるとともに、接着剤が完全に
固まらず接着力を残した状態に硬化させることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体式力学量セ
ンサを半導体式圧力センサに適用した一実施形態を、図
面に従って説明する。図１には、本発明の一実施形態に
係る半導体式圧力センサの断面構造を示す。
ンサを半導体式圧力センサに適用した一実施形態を、図
面に従って説明する。図１には、本発明の一実施形態に
係る半導体式圧力センサの断面構造を示す。
【００１７】まず、図１に示されるように、センサチッ
プ１１の裏面側には、異方性エッチングによりダイヤフ
ラム１１ａが形成されており、このダイヤフラム１１ａ
の表面には、ダイヤフラム１１ａの変位を検出する拡散
ゲージ１２が複数形成されている。
プ１１の裏面側には、異方性エッチングによりダイヤフ
ラム１１ａが形成されており、このダイヤフラム１１ａ
の表面には、ダイヤフラム１１ａの変位を検出する拡散
ゲージ１２が複数形成されている。
【００１８】この拡散ゲージ１２は、図１には３個図示
されているが、実際には、ダイヤフラム１１ａの表面に
４個形成されており、これら４個の拡散ゲージ１２にて
フルブリッジ回路が構成されている。尚、図示しない
が、拡散ゲージ１２は、センサチップ１１上に形成され
たＡｌ薄膜による配線パターン及びボンディングワイヤ
により、外部の信号処理回路に電気的に接続されてい
る。
されているが、実際には、ダイヤフラム１１ａの表面に
４個形成されており、これら４個の拡散ゲージ１２にて
フルブリッジ回路が構成されている。尚、図示しない
が、拡散ゲージ１２は、センサチップ１１上に形成され
たＡｌ薄膜による配線パターン及びボンディングワイヤ
により、外部の信号処理回路に電気的に接続されてい
る。
【００１９】また、センサチップ１１はガラス台座１３
と陽極接合されており、それにより、センサチップ１１
とガラス台座１３との間には真空室４が形成されてい
る。
と陽極接合されており、それにより、センサチップ１１
とガラス台座１３との間には真空室４が形成されてい
る。
【００２０】そして、センサチップ１１に圧力が印加さ
れると、この印加圧力と真空室１４の圧力との差圧に応
じてダイヤフラム１１ａが変位し、各々の拡散ゲージ１
２は、ダイヤフラム１１ａへの印加圧力の変化に応じて
各々の抵抗値が増減変化し、この抵抗値の増減変化によ
って発生する電位差を信号処理回路にて増幅することに
より、センサ出力を得ている。
れると、この印加圧力と真空室１４の圧力との差圧に応
じてダイヤフラム１１ａが変位し、各々の拡散ゲージ１
２は、ダイヤフラム１１ａへの印加圧力の変化に応じて
各々の抵抗値が増減変化し、この抵抗値の増減変化によ
って発生する電位差を信号処理回路にて増幅することに
より、センサ出力を得ている。
【００２１】さらに、センサチップ１１及びガラス台座
１３は、シリコン系の熱硬化性接着剤１６を介してパッ
ケージ材（基台）１５上に搭載されている。
１３は、シリコン系の熱硬化性接着剤１６を介してパッ
ケージ材（基台）１５上に搭載されている。
【００２２】ここで、本実施形態の半導体式圧力センサ
の製造工程について、図２及び図３を用いて説明する。
の製造工程について、図２及び図３を用いて説明する。
【００２３】まず、図２（ａ）に示されるように、開口
部１８ｃを備えたスクリーン１８ａと周囲に接着剤１６
が塗布されたロール１８ｂとで構成されたスクリーン印
刷装置（容器）１８を用意する。
部１８ｃを備えたスクリーン１８ａと周囲に接着剤１６
が塗布されたロール１８ｂとで構成されたスクリーン印
刷装置（容器）１８を用意する。
【００２４】続いて、図２（ａ）におけるＡ―Ａ断面図
である図２（ｂ）に示されるように、予めその周囲に接
着剤１６が塗布されたロール１８ｂを、図中の矢印方向
へ進行させつつ反時計回りに回転させることによって、
図２（ｃ）に示されるように、スクリーン１８ａの開口
部１８ｃの深さＴだけ、接着剤１６を均一の厚さで充填
する。
である図２（ｂ）に示されるように、予めその周囲に接
着剤１６が塗布されたロール１８ｂを、図中の矢印方向
へ進行させつつ反時計回りに回転させることによって、
図２（ｃ）に示されるように、スクリーン１８ａの開口
部１８ｃの深さＴだけ、接着剤１６を均一の厚さで充填
する。
【００２５】続いて、スクリーン１８ａの開口部１８ｃ
に接着剤１６が充填された状態で、例えば、熱板（図示
せず）上にスクリーン１８ａを配設することにより、接
着剤１６に熱を加えて半硬化させる。
に接着剤１６が充填された状態で、例えば、熱板（図示
せず）上にスクリーン１８ａを配設することにより、接
着剤１６に熱を加えて半硬化させる。
【００２６】この半硬化とは、センサチップ１１及びガ
ラス台座１３を接着剤１６を介してパッケージ材１５上
に搭載した際に、センサチップ１１及びガラス台座１３
の自重により接着剤１６が変形しない状態であるととも
に、接着剤１６が完全に固まらず接着力を残した状態に
硬化させることである。
ラス台座１３を接着剤１６を介してパッケージ材１５上
に搭載した際に、センサチップ１１及びガラス台座１３
の自重により接着剤１６が変形しない状態であるととも
に、接着剤１６が完全に固まらず接着力を残した状態に
硬化させることである。
【００２７】ここで、接着剤１６を半硬化させるために
必要な温度や時間は接着剤の種類に応じて異なるが、例
えば、本実施形態のように、接着剤１６としてシリコン
系の熱硬化性接着剤を用いた場合、１２０℃程度の温度
で約６０秒間熱を加えるのが適当である。尚、接着剤１
６を半硬化させるために１２０℃程度の温度で約６０秒
間熱を加えた理由については、後に詳しく述べる。
必要な温度や時間は接着剤の種類に応じて異なるが、例
えば、本実施形態のように、接着剤１６としてシリコン
系の熱硬化性接着剤を用いた場合、１２０℃程度の温度
で約６０秒間熱を加えるのが適当である。尚、接着剤１
６を半硬化させるために１２０℃程度の温度で約６０秒
間熱を加えた理由については、後に詳しく述べる。
【００２８】続いて、図２（ｄ）に示されるように、半
硬化した接着剤１６をスクリーン１８ａの開口部１８ｃ
の内部から取り外し、所望の形状に分割切断する。
硬化した接着剤１６をスクリーン１８ａの開口部１８ｃ
の内部から取り外し、所望の形状に分割切断する。
【００２９】続いて、図３（ａ）に示されるように、予
めガラス台座１３が陽極接合された半導体ウェハ１７を
用意し、この半導体ウェハ１７を複数のセンサチップ１
１に分割切断する。尚、図示しないが、センサチップ１
１に形成されるダイヤフラム１１ａ及び拡散ゲージ１２
は、半導体ウェハ１７の状態で形成されている。
めガラス台座１３が陽極接合された半導体ウェハ１７を
用意し、この半導体ウェハ１７を複数のセンサチップ１
１に分割切断する。尚、図示しないが、センサチップ１
１に形成されるダイヤフラム１１ａ及び拡散ゲージ１２
は、半導体ウェハ１７の状態で形成されている。
【００３０】続いて、図３（ｂ）に示されるように、ダ
イマウント装置１９を用いて、図２（ｄ）において所望
の形状に分割切断された接着剤１６を、パッケージ材１
５の所定領域に配設する。
イマウント装置１９を用いて、図２（ｄ）において所望
の形状に分割切断された接着剤１６を、パッケージ材１
５の所定領域に配設する。
【００３１】続いて、図３（ｃ）に示されるように、ダ
イマウント装置１９を用いて、分割切断されたセンサチ
ップ１１及びガラス台座１３を、パッケージ材１５の所
定領域に配設された接着剤１６上に搭載する。
イマウント装置１９を用いて、分割切断されたセンサチ
ップ１１及びガラス台座１３を、パッケージ材１５の所
定領域に配設された接着剤１６上に搭載する。
【００３２】その後、例えばオーブンを用いて接着剤１
６に再び熱を加えて本硬化させ、それにより、接着剤１
６を介してセンサチップ１１及びガラス台座１３をパッ
ケージ材１５に固着させる。
６に再び熱を加えて本硬化させ、それにより、接着剤１
６を介してセンサチップ１１及びガラス台座１３をパッ
ケージ材１５に固着させる。
【００３３】この本硬化とは、接着剤１６を介してセン
サチップ１１及びガラス台座１３がパッケージ材１５に
固着する状態まで硬化することである。
サチップ１１及びガラス台座１３がパッケージ材１５に
固着する状態まで硬化することである。
【００３４】ここで、上記半硬化と同様に、接着剤１６
を本硬化させるために必要な温度や時間は接着剤の種類
に応じて異なるが、例えば、本実施形態のように、接着
剤１６としてシリコン系の熱硬化性接着剤を用いた場
合、１５０℃程度の温度で約３０分間熱を加えるのが適
当である。
を本硬化させるために必要な温度や時間は接着剤の種類
に応じて異なるが、例えば、本実施形態のように、接着
剤１６としてシリコン系の熱硬化性接着剤を用いた場
合、１５０℃程度の温度で約３０分間熱を加えるのが適
当である。
【００３５】このように、本実施形態では、液状の接着
剤１６に熱を加えて半硬化させた後に、接着剤１６上に
センサチップ１１及びガラス台座１３を搭載しているた
め、センサチップ１１及びガラス台座１３の自重による
接着剤１６の変形を防止することができる。
剤１６に熱を加えて半硬化させた後に、接着剤１６上に
センサチップ１１及びガラス台座１３を搭載しているた
め、センサチップ１１及びガラス台座１３の自重による
接着剤１６の変形を防止することができる。
【００３６】その結果、従来技術において、接着剤１６
の厚さを確保する目的で接着剤１６に混入させていたビ
ーズを用いることなく、接着剤１６の厚みを確保するこ
とができる。
の厚さを確保する目的で接着剤１６に混入させていたビ
ーズを用いることなく、接着剤１６の厚みを確保するこ
とができる。
【００３７】よって、接着剤１６の厚みを大きくするに
従って接着剤１６の体積を大きくすることができるた
め、温度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、
この厚みを大きくした接着剤１６により、パッケージ材
１５からセンサチップ１１に伝達される熱応力を緩和す
ることができ、センサ特性の変動を防止することができ
る。
従って接着剤１６の体積を大きくすることができるた
め、温度変化によりセンサに熱応力が発生した際には、
この厚みを大きくした接着剤１６により、パッケージ材
１５からセンサチップ１１に伝達される熱応力を緩和す
ることができ、センサ特性の変動を防止することができ
る。
【００３８】さらに、上述のように、接着剤１６の厚さ
を確保する目的で接着剤１６に混入させていたビーズが
不要となるため、それによって、コストの低減や製造工
程の簡略化を図ることができる。
を確保する目的で接着剤１６に混入させていたビーズが
不要となるため、それによって、コストの低減や製造工
程の簡略化を図ることができる。
【００３９】ここで、シリコン系の熱硬化性接着材１６
に熱を加えて半硬化させる時間を可変したときの接着強
度の変化を示す図４を用いて、先に定義した半硬化に必
要な接着剤１６の弾性率について説明する。尚、この図
４に示すグラフにおいて、接着剤１６を半硬化させるた
めに加える熱の温度を１２０℃とし、接着剤１６を本硬
化させるためには１５０℃の温度で３０分間熱を加えて
いる。
に熱を加えて半硬化させる時間を可変したときの接着強
度の変化を示す図４を用いて、先に定義した半硬化に必
要な接着剤１６の弾性率について説明する。尚、この図
４に示すグラフにおいて、接着剤１６を半硬化させるた
めに加える熱の温度を１２０℃とし、接着剤１６を本硬
化させるためには１５０℃の温度で３０分間熱を加えて
いる。
【００４０】また、縦軸に示す接着強度とは、接着剤１
６を本硬化させた後に、センサチップ１１及びガラス台
座１３と同じの厚みを有した冶具を用いて、センサチッ
プ１１及びガラス台座１３の側面から徐々に圧力を加え
ていき、接着剤１６からセンサチップ１１が剥離したと
きの圧力のことである。
６を本硬化させた後に、センサチップ１１及びガラス台
座１３と同じの厚みを有した冶具を用いて、センサチッ
プ１１及びガラス台座１３の側面から徐々に圧力を加え
ていき、接着剤１６からセンサチップ１１が剥離したと
きの圧力のことである。
【００４１】この図４に示されるように、接着剤１６を
半硬化させる時間を９０秒にした場合、接着剤１６を半
硬化させる時間を６０秒にした場合と比較すると、大幅
に接着強度が低下しているが、これは、接着剤１６を半
硬化させる時間が長くなることにより接着剤１６の接着
力が低下してしまい、センサチップ１１及びガラス台座
１３との接着強度が弱まったと考えられる。
半硬化させる時間を９０秒にした場合、接着剤１６を半
硬化させる時間を６０秒にした場合と比較すると、大幅
に接着強度が低下しているが、これは、接着剤１６を半
硬化させる時間が長くなることにより接着剤１６の接着
力が低下してしまい、センサチップ１１及びガラス台座
１３との接着強度が弱まったと考えられる。
【００４２】よって、接着剤１６を半硬化させるために
加える熱の温度を１２０℃とした場合、接着剤１６が完
全に固まらず接着力を残した状態に硬化させるために必
要な時間は６０秒以内が好ましく、この場合の接着剤１
６の弾性率は、接着剤１６が完全に固まった状態の弾性
率の１／２以下になっている。尚、本実施形態では、シ
リコン系の熱硬化性接着剤１６を半硬化させるために１
２０℃程度の温度で約６０秒間熱を加えているため、半
硬化した接着剤１６の弾性率は、接着剤１６が完全に固
まった状態の弾性率の１／２になっている。
加える熱の温度を１２０℃とした場合、接着剤１６が完
全に固まらず接着力を残した状態に硬化させるために必
要な時間は６０秒以内が好ましく、この場合の接着剤１
６の弾性率は、接着剤１６が完全に固まった状態の弾性
率の１／２以下になっている。尚、本実施形態では、シ
リコン系の熱硬化性接着剤１６を半硬化させるために１
２０℃程度の温度で約６０秒間熱を加えているため、半
硬化した接着剤１６の弾性率は、接着剤１６が完全に固
まった状態の弾性率の１／２になっている。
【００４３】また、本発明者等の検討によれば、シリコ
ン系の熱硬化性接着材１６において、センサチップ１１
及びガラス台座１３を接着剤１６を介してパッケージ材
１５上に搭載した際に、センサチップ１１及びガラス台
座１３の自重により接着剤１６が変形しない状態の接着
剤１６の弾性率は、接着剤１６が完全に固まった状態の
弾性率の１／１００以上であることがわかっている。
ン系の熱硬化性接着材１６において、センサチップ１１
及びガラス台座１３を接着剤１６を介してパッケージ材
１５上に搭載した際に、センサチップ１１及びガラス台
座１３の自重により接着剤１６が変形しない状態の接着
剤１６の弾性率は、接着剤１６が完全に固まった状態の
弾性率の１／１００以上であることがわかっている。
【００４４】これらのことから、半硬化した接着剤１６
の弾性率を、接着剤１６が完全に固まった状態の弾性率
の１／１００から１／２の範囲にすると、センサチップ
１１及びガラス台座１３を接着剤１６を介してパッケー
ジ材１５上に搭載した際に、センサチップ１１及びガラ
ス台座１３の自重により接着剤１６が変形しない状態で
あるとともに、接着剤１６が完全に固まらず接着力を残
した状態に硬化させることができる。
の弾性率を、接着剤１６が完全に固まった状態の弾性率
の１／１００から１／２の範囲にすると、センサチップ
１１及びガラス台座１３を接着剤１６を介してパッケー
ジ材１５上に搭載した際に、センサチップ１１及びガラ
ス台座１３の自重により接着剤１６が変形しない状態で
あるとともに、接着剤１６が完全に固まらず接着力を残
した状態に硬化させることができる。
【００４５】尚、本発明は、上記実施形態に限られるも
のではなく、様々な態様に適用可能である。
のではなく、様々な態様に適用可能である。
【００４６】例えば、上記実施形態では、半導体式力学
量センサとして半導体式圧力センサについて説明した
が、これに限られるものではなく、加速度センサなどの
ような他の半導体式力学量センサにも適用可能である。
量センサとして半導体式圧力センサについて説明した
が、これに限られるものではなく、加速度センサなどの
ような他の半導体式力学量センサにも適用可能である。
【００４７】また、上記実施形態では、接着剤１６とし
て、シリコン系の熱硬化性接着剤を用いたが、これに限
られるものではなく、エポキシ系やポリイミド系の熱硬
化性接着剤を用いてもよい。
て、シリコン系の熱硬化性接着剤を用いたが、これに限
られるものではなく、エポキシ系やポリイミド系の熱硬
化性接着剤を用いてもよい。
【００４８】また、半導体式圧力センサとしては、ガラ
ス台座１３を貫通してダイヤフラム１１ａに測定媒体の
圧力を導入するタイプのものでもよく、また、台座とし
てはガラス台座に限らずシリコン台座でもよい。
ス台座１３を貫通してダイヤフラム１１ａに測定媒体の
圧力を導入するタイプのものでもよく、また、台座とし
てはガラス台座に限らずシリコン台座でもよい。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体式圧力センサ
の断面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
【図２】（ａ）から（ｄ）は、図１に示す半導体式圧力
センサの製造工程を示す図である。
センサの製造工程を示す図である。
【図３】（ａ）から（ｃ）は、図１に示す半導体式圧力
センサの製造工程を示す図である。
センサの製造工程を示す図である。
【図４】半硬化に必要な時間と接着強度との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】従来技術の半導体式圧力センサの断面構造を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】
１１…センサチップ、
１１ａ…ダイヤフラム、
１２…拡散ゲージ、
１３…ガラス台座、
１４…真空室、
１５…パッケージ材
１６…熱硬化性接着剤、
１７…半導体ウェハ、
１８…スクリーン印刷装置、
１８ａ…スクリーン、
１８ｂ…ロール、
１８ｃ…スクリーンの開口部、
１９…ダイマウント装置、
Ｔ…スクリーンの開口部の深さ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 斉藤 隆重
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE14
FF01 FF15 FF43 GG12
4M112 AA01 AA02 BA01 CA01 CA08
CA15 DA16 DA18 EA02 EA11
EA13 EA14 FA05 FA09
5F047 BA23 BA33 BB13
Claims (3)
- 【請求項１】 センサチップと基台とを備え、前記セン
サチップが接着材を介して前記基台上に搭載された半導
体式力学量センサにおいて、 液状の接着剤を容器に充填し、前記液状の接着剤に熱を
加えて半硬化させる第１工程と、 前記半硬化した接着剤を前記基台上に配設する第２工程
と、 前記センサチップを前記接着剤上に搭載する第３工程
と、 前記接着剤に再び熱を加えて本硬化し、前記接着剤を介
して前記センサチップを前記基台に固着させる第４工程
とを備えたことを特徴とする半導体式力学量センサの製
造方法。 - 【請求項２】 前記接着剤は、シリコン系の接着剤であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体式力学量セ
ンサの製造方法。 - 【請求項３】 前記液状の接着剤に熱を加えて半硬化さ
せる第１工程を実行した後の前記接着剤の弾性率は、前
記接着剤に再び熱を加えて本硬化させる第４工程を実行
した後の前記接着剤の弾性率の１／１００から１／２の
範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の
半導体式力学量センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076195A JP2003270068A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体式力学量センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076195A JP2003270068A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体式力学量センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003270068A true JP2003270068A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29205045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002076195A Withdrawn JP2003270068A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体式力学量センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003270068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10955305B2 (en) * | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Sensor chip junction structure and pressure sensor |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002076195A patent/JP2003270068A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10955305B2 (en) * | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Sensor chip junction structure and pressure sensor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |