JP2003267949A - Pyrenesulfonic acid onium salt compound, method for producing the same compound, photosensitive resin composition using the same compound and photosensitive material using the same - Google Patents
Pyrenesulfonic acid onium salt compound, method for producing the same compound, photosensitive resin composition using the same compound and photosensitive material using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は近紫外光の照射によ
り露光部に酸を発生させる光酸発生剤としてのピレンス
ルホン酸オニウム塩化合物、このピレンスルホン酸オニ
ウム塩化合物の製造方法、少なくともこのピレンスルホ
ン酸オニウム塩化合物とこのピレンスルホン酸オニウム
塩化合物による酸を触媒とする反応によって露光部と未
露光部の現像液に対する溶解性を変化させる樹脂を含有
する感光性樹脂組成物、およびこの感光性樹脂組成物に
よる樹脂層を支持体上に形成させる感光性材料に関する
ものである。例えばLSIなどの微細加工、印刷、プリン
ト回路形成、UV硬化樹脂、液晶パネルなどの製造に用い
ることができる感光性樹脂組成物及び感光性材料に関す
るものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pyrenesulfonic acid onium salt compound as a photoacid generator for generating an acid in an exposed area by irradiation with near-ultraviolet light, a method for producing the pyrenesulfonic acid onium salt compound, and at least the pyrene. A photosensitive resin composition containing a resin in which the solubility of an exposed portion and an unexposed portion in a developing solution is changed by an acid-catalyzed reaction of an onium sulfonate compound and a pyrenesulfonic acid onium salt compound, and this photosensitive composition The present invention relates to a photosensitive material for forming a resin layer of a resin composition on a support. For example, the present invention relates to a photosensitive resin composition and a photosensitive material that can be used for microfabrication of LSI and the like, printing, printed circuit formation, UV curable resin, and production of liquid crystal panels and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のノボラックとナフトキノンジアジ
ド化合物からなるレジストを遠紫外光やエキシマレーザ
ー光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いる
と、ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外光領
域における吸収が強いために光がレジスト底部まで到達
しにくく、低感度でテーパーのついたパターンしか得ら
れなかった。2. Description of the Related Art When a conventional resist composed of novolak and naphthoquinonediazide compound is used for pattern formation of lithography using far ultraviolet light or excimer laser light, novolak and naphthoquinonediazide are strongly absorbed in the far ultraviolet light region and light It was difficult to reach the bottom of the resist, and only a pattern with low sensitivity and a taper was obtained.
【0003】この問題を解決する手段の一つが、米国特
許第4,491,628号、欧州特許第29,139号等
に記載されている化学増幅系レジスト組成物である。化
学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光の照射によ
り露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によ
って、遠紫外光の照射部と非照射部の現像液に対する溶
解性を変化させパターンを基板上に形成させるパターン
形成材料である。One of means for solving this problem is a chemically amplified resist composition described in US Pat. No. 4,491,628 and European Patent 29,139. A chemically amplified positive resist composition generates an acid in an exposed area by irradiation with far ultraviolet light, and a reaction catalyzed by this acid improves solubility in a developing solution in a portion irradiated with far ultraviolet light and a non-irradiated portion. It is a pattern forming material that is changed to form a pattern on a substrate.
【0004】このように化学増幅系レジスト組成物は、
半導体産業の微細加工用の遠紫外光用パターン形成材料
として開発されたが、高感度化、高細線化が容易なこと
から近紫外光にも応用したいという要望が高まってい
る。しかし、遠紫外領域に分光感度を有する光酸発生剤
化合物は多く存在しているが、365nm光に分光感度
を示す光酸発生剤はあまりないのが現状である。Thus, the chemically amplified resist composition is
It was developed as a patterning material for far-ultraviolet light for microfabrication in the semiconductor industry, but there is an increasing demand for application to near-ultraviolet light because it is easy to achieve high sensitivity and thin lines. However, although there are many photoacid generator compounds having spectral sensitivity in the far-ultraviolet region, there are currently few photoacid generators exhibiting spectral sensitivity to 365 nm light.
【0005】これらの例として特開平10−22185
4にフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂に
おける該フェノール性水酸基の10〜80%が特定構造
の官能基で置換されている樹脂と、下記に示された光酸
発生剤を用いた例がある。As an example of these, Japanese Patent Laid-Open No. 22185/1998
4 is an example in which 10 to 80% of the phenolic hydroxyl group in the alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group is substituted with a functional group having a specific structure and a photoacid generator shown below.
【0006】[0006]
【化7】 [Chemical 7]
【0007】しかしながら、これら組成物は低感度であ
るという問題があった。光酸発生剤が低感度であると、
パターン形成に必要な露光量が多くなりその分露光時間
が増し時間的な低効率を招く。However, there is a problem that these compositions have low sensitivity. When the photoacid generator has low sensitivity,
The amount of exposure required for pattern formation is increased, and the exposure time is increased accordingly, resulting in low temporal efficiency.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】近年、365nm光に
高感度な分光感度を示す光酸発生剤が求められている。In recent years, there has been a demand for a photoacid generator exhibiting high spectral sensitivity to 365 nm light.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる現
状に鑑み、鋭意検討した結果、活性光線又は放射線の照
射により酸を発生するピレンスルホン酸オニウム塩化合
物と、酸存在下熱を加えることにより脱保護されアルカ
リ溶解性となるポリマーを基本的に有する化学増幅系ポ
ジ型レジスト組成物において、ピレンスルホン酸オニウ
ム塩化合物の高感度化を行うにあたり、ピレン環に少な
くともスルホン酸オニウム塩部を2個以上有することを
特徴とした一般式(1)で表される少なくとも一種の化
合物を使用する事により本発明を完成したものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made earnest studies in view of the present situation, and as a result, added pyrenesulfonic acid onium salt compounds which generate an acid upon irradiation with actinic rays or heat, and heat in the presence of an acid. In the chemically amplified positive resist composition basically having a polymer that is deprotected and becomes alkali-soluble by doing so, in order to increase the sensitivity of the pyrene sulfonic acid onium salt compound, at least the sulfonic acid onium salt moiety should be present in the pyrene ring. The present invention has been completed by using at least one compound represented by the general formula (1) characterized by having two or more.
【0010】[0010]
【化8】
〔上記式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、無置換又は置換アリール基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基、ヒドロキシル基、アルケニル基、アシ
ル基、アシルオキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、シ
アノ基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は
置換アリールチオ基、アラルキル基、ハロアルキル基、
無置換又は置換シクロアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、メルカプト基、またはハロゲン(フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素)原子を表し、R1は縮合環の4つの環の
どの位置に付ても良く、aは0〜8までの整数を表し、
スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置に付ても良
く、eは2〜10までの整数を表し、dは0〜8までの整
数を表す。また、Xは硫黄原子またはヨウ素原子を表
し、オキソヨードニウム、オキソスルホニウム構造をと
ってもよい。Yはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム又は4級アンモニウムを表す。
R2、R3およびR4はアルキル基、無置換又は置換ア
リール基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又
は置換アリールチオ基、アシル基、無置換又は置換シク
ロアルキル基又は複素環基を表す。また、R2、R3お
よびR4が連結して環を形成してもよい。b、cおよび
fは0〜3の整数を表す。なお、アルキル基、芳香族炭
化水素環および複素環は、さらにアルキル基、アルコキ
シ基、ヒドロキシル基、無置換又は置換アリール基、無
置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は置換アリー
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルケニル基、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、無置換又は置換芳
香族スルホン酸基、置換アミノ基または複素環基などの
置換基を有してもよい。mは1,2又は3を表す。〕[Chemical 8] [In the above formula, each R 1 is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, a hydroxyl group, an alkenyl group, an acyl group, an acyloxy group, a nitro group, a carboxyl group, or a cyano group. Group, unsubstituted or substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, aralkyl group, haloalkyl group,
Unsubstituted or substituted cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, mercapto group, or halogen (fluorine, chlorine,
Bromine, iodine) atom, R 1 may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and a represents an integer of 0 to 8,
The sulfonic acid group may be attached at any position of the four rings of the condensed ring, e represents an integer of 2 to 10, and d represents an integer of 0 to 8. X represents a sulfur atom or an iodine atom and may have an oxoiodonium or oxosulfonium structure. Y represents lithium, sodium, potassium, magnesium, calcium or quaternary ammonium.
R 2 , R 3 and R 4 represent an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, an unsubstituted or substituted cycloalkyl group or a heterocyclic group. . R 2 , R 3 and R 4 may be linked to form a ring. b, c and f represent the integer of 0-3. Incidentally, the alkyl group, the aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring are further an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, Acyloxy group, alkenyl group,
It may have a substituent such as a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an unsubstituted or substituted aromatic sulfonic acid group, a substituted amino group or a heterocyclic group. m represents 1, 2 or 3. ]
【0011】一般式(1)で表されるピレンスルホン酸
オニウム塩化合物は下記反応式に従い、スルホン酸塩
(6)の溶液にオニウム塩(7)の溶液を添加し反応さ
せることにより、ほぼ定量的に高純度で製造することが
出来る。The pyrenesulfonic acid onium salt compound represented by the general formula (1) is almost quantitatively determined by adding a solution of the onium salt (7) to the solution of the sulfonate (6) according to the following reaction formula and reacting the solution. Can be manufactured with high purity.
【0012】[0012]
【化9】
〔上記式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、無置換又は置換アリール基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基、ヒドロキシル基、アルケニル基、アシ
ル基、アシルオキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、シ
アノ基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は
置換アリールチオ基、アラルキル基、ハロアルキル基、
無置換又は置換シクロアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、メルカプト基、またはハロゲン(フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素)原子を表し、R1は縮合環の4つの環の
どの位置に付ても良く、aは0〜8までの整数を表し、
スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置に付ても良
く、eは2〜10までの整数を表し、dは0〜8までの
整数を表す。また、Xは硫黄原子またはヨウ素原子を表
し、オキソヨードニウム、オキソスルホニウム構造をと
ってもよい。Yはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム又は4級アンモニウムを表す。
R2、R3およびR4はアルキル基、無置換又は置換ア
リール基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又
は置換アリールチオ基、アシル基、無置換又は置換シク
ロアルキル基又は複素環基を表す。また、R2、R3お
よびR4が連結して環を形成してもよい。b、cおよび
fは0〜3の整数を表す。なお、アルキル基、芳香族炭
化水素環および複素環は、さらにアルキル基、アルコキ
シ基、ヒドロキシル基、無置換又は置換アリール基、無
置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は置換アリー
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルケニル基、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、無置換又は置換芳
香族スルホン酸基、置換アミノ基または複素環基などの
置換基を有してもよい。mは1,2又は3を表す。Zは
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子またはヒドロキシル基
を表す。〕上記式中、反応に用いる溶媒は水あるいはメ
タノール、エタノールなどのアルコール系溶媒が好適に
使用できる。反応温度の条件は0〜90℃の範囲で行う
ことが出来るが、10〜40℃が好ましい。[Chemical 9] [In the above formula, each R 1 is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, a hydroxyl group, an alkenyl group, an acyl group, an acyloxy group, a nitro group, a carboxyl group, or a cyano group. Group, unsubstituted or substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, aralkyl group, haloalkyl group,
Unsubstituted or substituted cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, mercapto group, or halogen (fluorine, chlorine,
Bromine, iodine) atom, R 1 may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and a represents an integer of 0 to 8,
The sulfonic acid group may be attached at any position of the four rings of the condensed ring, e represents an integer of 2 to 10, and d represents an integer of 0 to 8. X represents a sulfur atom or an iodine atom and may have an oxoiodonium or oxosulfonium structure. Y represents lithium, sodium, potassium, magnesium, calcium or quaternary ammonium.
R 2 , R 3 and R 4 represent an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, an unsubstituted or substituted cycloalkyl group or a heterocyclic group. . R 2 , R 3 and R 4 may be linked to form a ring. b, c and f represent the integer of 0-3. Incidentally, the alkyl group, the aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring are further an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, Acyloxy group, alkenyl group,
It may have a substituent such as a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an unsubstituted or substituted aromatic sulfonic acid group, a substituted amino group or a heterocyclic group. m represents 1, 2 or 3. Z represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or a hydroxyl group. In the above formula, the solvent used in the reaction is preferably water or an alcohol solvent such as methanol or ethanol. The reaction temperature may be in the range of 0 to 90 ° C, preferably 10 to 40 ° C.
【0013】スルホン酸塩(6)の具体例として表1〜
4に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。下記構造式はYを省いたものを記載した。Specific examples of the sulfonate (6) are shown in Tables 1 to 1.
4, but not limited thereto. The following structural formula is shown without Y.
【0014】[0014]
【表1】 [Table 1]
【0015】[0015]
【表2】 [Table 2]
【0016】[0016]
【表3】 [Table 3]
【0017】[0017]
【表4】 [Table 4]
【0018】オニウム塩(7)の具体例を表5〜7に示
すが、これらに制限されるものではない。Specific examples of the onium salt (7) are shown in Tables 5 to 7, but are not limited thereto.
【表5】 [Table 5]
【0019】[0019]
【表6】 [Table 6]
【0020】[0020]
【表7】
上記スルホン酸塩(6)とオニウム塩(7)との反応で
製造できるピレンスルホン酸オニウム塩化合物(以下光
酸発生剤と呼ぶ)の具体例を下記に示すが、これらに限
定されるものではない。[Table 7] Specific examples of the pyrenesulfonic acid onium salt compound (hereinafter referred to as a photoacid generator) which can be produced by the reaction of the sulfonate (6) and the onium salt (7) are shown below, but the invention is not limited thereto. Absent.
【0021】光酸発生剤−1Photoacid generator-1
【化10】 [Chemical 10]
【0022】光酸発生剤−2Photoacid generator-2
【化11】 [Chemical 11]
【0023】光酸発生剤−3Photoacid generator-3
【化12】 [Chemical 12]
【0024】光酸発生剤−4Photoacid generator-4
【化13】 [Chemical 13]
【0025】光酸発生剤−5Photoacid generator-5
【化14】 [Chemical 14]
【0026】光酸発生剤−6Photoacid generator-6
【化15】 [Chemical 15]
【0027】光酸発生剤−7Photoacid generator-7
【化16】 [Chemical 16]
【0028】光酸発生剤−8Photoacid generator-8
【化17】 [Chemical 17]
【0029】光酸発生剤−9Photoacid generator-9
【化18】 [Chemical 18]
【0030】光酸発生剤−10Photoacid generator-10
【化19】 [Chemical 19]
【0031】光酸発生剤−11Photoacid generator-11
【化20】 [Chemical 20]
【0032】光酸発生剤−12Photoacid generator-12
【化21】 [Chemical 21]
【0033】光酸発生剤−13Photoacid generator-13
【化22】 [Chemical formula 22]
【0034】光酸発生剤−14Photoacid generator-14
【化23】 [Chemical formula 23]
【0035】光酸発生剤−15Photoacid generator-15
【化24】 [Chemical formula 24]
【0036】光酸発生剤−16Photoacid generator-16
【化25】 [Chemical 25]
【0037】光酸発生剤−17Photoacid generator-17
【化26】 [Chemical formula 26]
【0038】これら光酸発生剤は単独で使用されてもよ
く、あるいは2種類以上を混合して使用してもよい。そ
の使用量は重量%で、ポリマー成分に対して1〜45重
量%の範囲がよく、好ましくは3〜30重量%の範囲が
よい。These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. The amount thereof used is in the range of 1 to 45% by weight, preferably 3 to 30% by weight, based on the polymer component.
【0039】本発明で使用されるポリマーは酸存在下熱
を加えることにより脱保護されアルカリ可溶性となるも
のである。フェノール性水酸基を有するポリマー系とし
ては、例えばp−ヒドロキシスチレンと、エトキシエチ
ル基もしくはt−ブトキシカルボニル基もしくはピラニ
ル基で水酸基を保護したp−ヒドロキシスチレン等との
共重合物などが挙げられる。また、カルボキシル基を有
するポリマー系としては、例えばアクリル酸またはメタ
クリル酸、アセタールあるいはケタールで保護されたア
クリレート又はメタクリレート、アルコールでエステル
化されたアクリレート又はメタクリレート等の2成分又
は3成分による共重合体などが挙げられる。共重合物の
平均分子量は2,000〜200,000の範囲である
ことが好ましい。2,000未満では未露光部が現像に
よる膜減りが大きく、200,000を超えるとアルカ
リ可溶性樹脂自体のアルカリ溶解速度が遅くなり感度が
低下してしまう。より好ましくは6,000〜150,
000の範囲がよく、さらに好ましくは10,000〜
140,000の範囲がよい。本発明におけるポリマー
の使用量は全固形分に対して10〜99重量%の範囲が
よく、好ましくは15〜40重量%の範囲がよい。以下
に本発明で使用されるポリマーの具体例を示すが、これ
らに制限されるものではない。The polymer used in the present invention is one that is deprotected and becomes alkali-soluble by applying heat in the presence of an acid. Examples of the polymer system having a phenolic hydroxyl group include a copolymer of p-hydroxystyrene and p-hydroxystyrene having a hydroxyl group protected by an ethoxyethyl group, a t-butoxycarbonyl group or a pyranyl group. As the polymer system having a carboxyl group, for example, a two-component or three-component copolymer such as acrylic acid or methacrylic acid, acrylate or methacrylate protected with acetal or ketal, and acrylate or methacrylate esterified with alcohol. Is mentioned. The average molecular weight of the copolymer is preferably in the range of 2,000 to 200,000. If it is less than 2,000, the unexposed portion is greatly reduced in film thickness due to development, and if it exceeds 200,000, the alkali dissolution rate of the alkali-soluble resin itself becomes slow and the sensitivity is lowered. More preferably 6,000-150,
The range of 000 is good, and more preferably 10,000 to
The range of 140,000 is preferable. The amount of the polymer used in the present invention is 10 to 99% by weight, preferably 15 to 40% by weight, based on the total solid content. Specific examples of the polymer used in the present invention are shown below, but the invention is not limited thereto.
【0040】[0040]
【化27】 [Chemical 27]
【0041】[0041]
【化28】 [Chemical 28]
【0042】本発明は必要に応じて、更に界面活性剤及
び現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性水酸
基を2個以上有する化合物、フォトレジスト膜の保存時
の安定性および露光後加熱による線幅変化を少なくする
有機塩基性化合物などを添加してもよい。The present invention further comprises, if necessary, a compound having two or more phenolic hydroxyl groups which promotes solubility in a surfactant and a developing solution, stability of a photoresist film during storage and line width by heating after exposure. You may add the organic basic compound etc. which reduce a change.
【0043】好適に使用される界面活性剤の具体例とし
ては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセ
チルエーテルおよびポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオ
キシエチレンオクチルフェノールエーテルおよびポリオ
キシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシ
エチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレ
ン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソル
ビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエートお
よびソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸
エステル類などが挙げられる。Specific examples of suitable surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, and polyoxyethylene alkyl ethers. Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as oxyethylene octylphenol ether and polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate and sorbitan fatty acid esters such as tristearate And the like.
【0044】これらの界面活性剤は単独でも、2種類以
上混合して使用してもよい。These surfactants may be used alone or in admixture of two or more.
【0045】現像液に対する溶解性を促進させるフェノ
ール性水酸基を2個以上有する化合物の具体例として
は、レゾルシン、フロログルシン、フロログルシド、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
4,4´―テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリ
ヒドロキシ化合物が挙げられる。Specific examples of the compound having two or more phenolic hydroxyl groups which promote solubility in a developing solution include resorcin, phloroglucin, phlorogluside,
2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3
Examples include polyhydroxy compounds such as 4,4′-tetrahydroxybenzophenone.
【0046】有機塩基性化合物の具体例としては、グア
ニジン、1,1´―ジメチルグアニジン、3―アミノピ
リジン、4―アミノピリジン、2―ジメチルアミノピリ
ジン、2―ジエチルアミノピリジン、2―アミノ―3―
メチルピリジン、2―アミノ―4―メチルピリジン、2―
アミノ―5―メチルピリジン、2―アミノ―6―メチルピ
リジン、3―エチルアミノピリジン、4―エチルアミノピ
リジン、3―アミノピロリジン、ピペラジン、4―ピペ
リジノピペリジン、2―イミノピペリジン、3―アミノ
―5―メチルピラゾール、ピラジン、2,4―ジアミノ
ピリミジン、2―ピラゾリン、3―ピラゾリンおよびN
―アミノモルフォリンなどが挙げられる。Specific examples of the organic basic compound include guanidine, 1,1'-dimethylguanidine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine and 2-amino-3-
Methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-
Amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-ethylaminopyridine, 4-ethylaminopyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 3-amino -5-methylpyrazole, pyrazine, 2,4-diaminopyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline and N
—Aminomorpholine and the like.
【0047】本発明の光酸発生剤を含む感光性樹脂組成
物は、例えば金属製の基板上にレジストパターンを描
き、エッチング、めっき等の加工によって半導体材料を
製造するための感光性材料に用いることが出来る。また
本発明の感光性材料は、感光性樹脂組成物の溶液をシリ
コンウエハ上に液体レジストとして塗布、乾燥して感光
層とする事で作成出来る。The photosensitive resin composition containing the photo-acid generator of the present invention is used as a photosensitive material for manufacturing a semiconductor material by drawing a resist pattern on a metal substrate and processing such as etching and plating. You can Further, the photosensitive material of the present invention can be prepared by applying a solution of a photosensitive resin composition onto a silicon wafer as a liquid resist and drying it to form a photosensitive layer.
【0048】塗布しやすい溶液を作成するために感光性
樹脂組成物は、エチレンジクロライド、シクロペンタノ
ン、2―ヘプタノン、メチルエチルケトン、2―メトキシ
エチルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチ
ル、アセトン、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチ
ル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸プロピル、N,N―ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N―メチルピ
ロリドン、テトラヒドロフランメチルセロソルブ、メタ
ノ−ル、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテルあるいはテトラヒ
ドロフランなどの溶剤、またはこれらの混合溶剤で希釈
して塗布しやすい溶液にすることができる。In order to prepare a solution that is easy to apply, the photosensitive resin composition is ethylene dichloride, cyclopentanone, 2-heptanone, methyl ethyl ketone, 2-methoxyethyl acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, acetone, ethyl lactate. , Methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, ethyl pyruvate,
Solvents such as methyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran methyl cellosolve, methanol, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether or tetrahydrofuran, or these solvents. It can be diluted with a mixed solvent to give a solution that is easy to apply.
【0049】塗布は、ロ−ルコ−タ−、エアナイフコ−
タ−、バ−コ−タ−またはスピンコ−タ−などでおこな
うことができる。乾燥は40〜160℃の範囲がよく、
好ましくは60〜130℃の範囲がよい。乾燥後の感光
層の厚さは1〜2μmであることが好ましい。The coating is performed by a roll coater or an air knife coater.
It can be carried out with a counter, a bar coater or a spin coater. Drying is good in the range of 40-160 ℃,
It is preferably in the range of 60 to 130 ° C. The thickness of the photosensitive layer after drying is preferably 1 to 2 μm.
【0050】感光層の露光は、超高圧水銀灯などの光源
をカットフィルター(東芝製)で365nmの波長を選
択して行う事ができる。感光層の現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、燐酸ナトリウムおよびメタケイ
酸ナトリウム、等の無機アルカリ類、アンモニア水、エ
チルアミンおよびn―プロピルアミン等の第一級アミン
類、ジエチルアミンおよびジ―n―ブチルアミン等の第
2級アミン類、トリエチルアミンおよびメチルジエチル
アミン等の第3級アミン類、ジメチルエタノールアミン
およびトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
ホルムアミドおよびアセトアミド等のアミド類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル(2―ヒ
ドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリブチルメチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラエタノールアンモニウム
ヒドロキシド、メチルトリエタノールアンモニウムヒド
ロキシド、ベンジルメチルジエタノールアンモニウムヒ
ドロキシド、ベンジルジメチルエタノールアンモニウム
ヒドロキシド、ベンジルトリエタノールアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド
およびテトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第4
級アンモニウムヒドロキシド類、およびピロールならび
にピペリジン等の環状アミン類の水溶液などが用いられ
る。The exposure of the photosensitive layer can be carried out by selecting a wavelength of 365 nm with a cut filter (manufactured by Toshiba) using a light source such as an ultra-high pressure mercury lamp. Examples of the developing solution for the photosensitive layer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium phosphate and sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine and n-propylamine. Primary amines, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine,
Amides such as formamide and acetamide, tetramethylammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tributylmethylammonium hydroxide, tetraethanolammonium hydroxide, methyltriethanolammonium hydroxide, benzyl The fourth such as methyldiethanolammonium hydroxide, benzyldimethylethanolammonium hydroxide, benzyltriethanolammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.
Aqueous solutions of primary ammonium hydroxides and cyclic amines such as pyrrole and piperidine are used.
【0051】エッチング、めっきは公知の方法でおこな
われる。感光層の剥離には強アルカリ性水溶液などを用
いることが出来る。Etching and plating are performed by known methods. A strong alkaline aqueous solution or the like can be used for peeling the photosensitive layer.
【0052】[0052]
【発明の実施の形態】以下に本発明を合成例および実施
例により具体的に説明するが、本発明はこれらの例によ
って限定されるものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be specifically described below with reference to Synthesis Examples and Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
【0053】[0053]
【実施例】(合成例1)光酸発生剤−7の合成
温度計、冷却管、滴下ロート、攪拌機を備えた四つ口フ
ラスコ中に1.51gのジフェニルヨードニウムクロラ
イド(試薬)を含有する水溶液200gを入れ、攪拌し
つつ、室温で0.5gのピラニン(試薬)水溶液20gを
滴下した。滴下し終えると徐々に白色の固体が析出し
た。攪拌を2時間継続した後、濾過、水洗、減圧下室温
で乾燥し1.23gの白色固体を得た。得られた白色固
体はNMR分析の結果光酸発生剤−7であることが同定で
きた。
1H―NMR(ppm)
7.52, 7.64, 8.15, 8.24, 8.28,
8.86, 8.98, 9.01, 10.63
融点
181.3〜184.9℃EXAMPLES (Synthesis Example 1) Synthesis of Photoacid Generator-7 Aqueous solution containing 1.51 g of diphenyliodonium chloride (reagent) in a four-necked flask equipped with a thermometer, a cooling tube, a dropping funnel and a stirrer. After adding 200 g and stirring, 20 g of 0.5 g pyranine (reagent) aqueous solution was added dropwise at room temperature. When the dropping was completed, a white solid gradually precipitated. After continuing stirring for 2 hours, filtration, washing with water, and drying under reduced pressure at room temperature gave 1.23 g of a white solid. As a result of NMR analysis, the obtained white solid could be identified as photoacid generator-7. 1H-NMR (ppm) 7.52, 7.64, 8.15, 8.24, 8.28,
8.86, 8.98, 9.01, 10.63 Melting point 181.3-184.9 ° C
【0054】光酸発生剤−7の4.96×10−6モル
/Lメタノール溶液を日立U-3000スペクトロフォトメー
ターで測定した。吸収スペクトルの最大吸収波長は41
2nmであった。その吸収スペクトルを図1に示す。A 4.96 × 10 −6 mol / L methanol solution of photo-acid generator-7 was measured with a Hitachi U-3000 spectrophotometer. The maximum absorption wavelength of the absorption spectrum is 41
It was 2 nm. The absorption spectrum is shown in FIG.
【0055】(実施例1)p−ヒドロキシスチレンとt−
ブトキシカルボニル基でフェノール性水酸基を保護され
たp−ヒドロキシスチレンを共重合させて、分子量6
0,000のフェノール性水酸基を有する共重合物を作
成した。この共重合物100gに、溶剤を表8に示した
ように配合して樹脂溶液を得た。Example 1 p-Hydroxystyrene and t-
The molecular weight of 6 was obtained by copolymerizing p-hydroxystyrene in which the phenolic hydroxyl group was protected with a butoxycarbonyl group.
A copolymer having 20,000 phenolic hydroxyl groups was prepared. A solvent was added to 100 g of this copolymer as shown in Table 8 to obtain a resin solution.
【0056】[0056]
【表8】 [Table 8]
【0057】暗所で上記の樹脂溶液に合成例1で得られ
た光酸発生剤−7の9.3gをメタノール125gで溶
解した溶液を添加し、感光性樹脂組成物を得た。A solution of 9.3 g of the photo-acid generator-7 obtained in Synthesis Example 1 dissolved in 125 g of methanol was added to the above resin solution in the dark to obtain a photosensitive resin composition.
【0058】この感光性樹脂組成物の溶液をシリコンウ
エハ(住友ベークライト製)上にスピンコーターで塗工
し、120℃のホットプレートで10分間乾燥させて膜
厚1μmの感光性レジスト膜を有する感光性材料を作製
した。A solution of this photosensitive resin composition was applied onto a silicon wafer (Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) with a spin coater and dried on a hot plate at 120 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive resist film having a photosensitive resist film with a thickness of 1 μm. A flexible material was prepared.
【0059】この感光性材料上に露光パターンを載せ、
超高圧水銀灯光源をカットフィルター(東芝製)、減光
フィルター(東芝製)を通して得られる365nm光を
照射し感光させた。 次に、120℃で露光後加熱(PE
B : post exposure bake)をし、現像は1.5重量%テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に20℃で
1.5分浸漬して振とうすることにより、露光部分を除
去した。シリコンウエハ上に感光膜が残存しない最低露
光量を感度とした。An exposure pattern is placed on this photosensitive material,
The ultrahigh-pressure mercury lamp light source was irradiated with 365 nm light obtained through a cut filter (made by Toshiba) and a neutral density filter (made by Toshiba) to expose it. Next, post-exposure heating (PE
B: post exposure bake) was performed, and for development, the exposed portion was removed by immersing in a 1.5 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 20 ° C. for 1.5 minutes and shaking. The minimum exposure amount at which the photosensitive film did not remain on the silicon wafer was defined as the sensitivity.
【0060】(実施例2)実施例1の光酸発生剤−7の
代わりに光酸発生剤―17を使用した以外は実施例1と
同様にして感度を測定した。Example 2 Sensitivity was measured in the same manner as in Example 1 except that photoacid generator-17 in place of photoacid generator-7 in Example 1 was used.
【0061】(実施例3)実施例1の光酸発生剤−7の
代わりに光酸発生剤―14を使用した以外は実施例1と
同様にして感度を測定した。Example 3 Sensitivity was measured in the same manner as in Example 1 except that photoacid generator-14 was used instead of photoacid generator-7 in Example 1.
【0062】(実施例4)実施例1の光酸発生剤−7の
代わりに光酸発生剤―11を使用した以外は実施例1と
同様にして感度を測定した。Example 4 The sensitivity was measured in the same manner as in Example 1 except that the photo-acid generator-11 in place of the photo-acid generator-7 in Example 1 was used.
【0063】(比較例)実施例1の光酸発生剤−7の代
わりに化合物29を使用した以外は実施例1と同様にし
て感度を測定した。Comparative Example The sensitivity was measured in the same manner as in Example 1 except that the compound 29 was used in place of the photoacid generator-7 of Example 1.
【化29】 [Chemical 29]
【0064】実施例1、実施例2及び実施例3の感度評
価結果を表2に示す。感度は露光部が現像時間内に完全
に溶解した時の最低露光量で表し、数字が低いほど高感
度であることを示す。Table 2 shows the results of sensitivity evaluation of Examples 1, 2 and 3. The sensitivity is represented by the minimum exposure amount when the exposed area is completely dissolved within the developing time, and the lower the number, the higher the sensitivity.
【0065】[0065]
【表9】 [Table 9]
【0066】表2の結果より、本発明の感光性樹脂組成
物は、ピレン環にピレンスルホン酸オニウム塩部をより
多く含有するほうが高感度であることが実証された。From the results shown in Table 2, it was demonstrated that the photosensitive resin composition of the present invention was more sensitive when the pyrene ring contained more onium salt of pyrenesulfonic acid.
【0067】[0067]
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物およびこれを
用いた感光性材料は容易に調整でき、高感度である。The photosensitive resin composition of the present invention and the photosensitive material using the same can be easily prepared and have high sensitivity.
【0068】[0068]
【図1】光酸発生剤−7の吸収スペクトルである。FIG. 1 is an absorption spectrum of photoacid generator-7.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 309/43 C07C 309/43 C07D 333/46 C07D 333/46 C08K 5/42 C08K 5/42 C08L 101/00 C08L 101/00 G03F 7/004 503 G03F 7/004 503A H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 山崎 元 茨城県つくば市御幸が丘45番地 保土谷化 学工業株式会社筑波研究所内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AB16 AC01 AD03 BE07 BG00 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA02 AB76 AC61 4J002 CC011 CC031 EV296 FD206 GP03 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) C07C 309/43 C07C 309/43 C07D 333/46 C07D 333/46 C08K 5/42 C08K 5/42 C08L 101/00 C08L 101 / 00 G03F 7/004 503 G03F 7/004 503A H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72) Gen Yamazaki 45 Miyukigaoka, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Hodogaya Chemical Co., Ltd. Reference) 2H025 AA01 AB16 AC01 AD03 BE07 BG00 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA02 AB76 AC61 4J002 CC011 CC031 EV296 FD206 GP03
Claims (8)
ン酸オニウム塩化合物。 【化1】 〔上記式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、無置換又は置換アリール基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基、ヒドロキシル基、アルケニル基、アシ
ル基、アシルオキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、シ
アノ基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は
置換アリールチオ基、アラルキル基、ハロアルキル基、
無置換又は置換シクロアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、メルカプト基、またはハロゲン(フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素)原子を表し、R1は縮合環の4つの環の
どの位置に付ても良く、aは0〜8までの整数を表し、
スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置に付ても良
く、eは2〜10までの整数を表し、dは0〜8までの整
数を表す。また、Xは硫黄原子またはヨウ素原子を表
し、オキソヨードニウム、オキソスルホニウム構造をと
ってもよい。Yはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム又は4級アンモニウムを表す。
R2、R3よびR4はアルキル基、無置換又は置換アリ
ール基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は
置換アリールチオ基、アシル基、無置換又は置換シクロ
アルキル基又は複素環基を表す。また、R2、R3およ
びR4が連結して環を形成してもよい。b、cおよびf
は0〜3の整数を表す。なお、アルキル基、芳香族炭化
水素環および複素環は、さらにアルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシル基、無置換又は置換アリール基、無置
換又は置換アリールオキシ基、無置換又は置換アリール
チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルケニル基、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、無置換又は置換芳香
族スルホン酸基、置換アミノ基または複素環基などの置
換基を有してもよい。mは1,2又は3を表す。〕1. A pyrenesulfonic acid onium salt compound represented by the following general formula (1). [Chemical 1] [In the above formula, each R 1 is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, a hydroxyl group, an alkenyl group, an acyl group, an acyloxy group, a nitro group, a carboxyl group, or a cyano group. Group, unsubstituted or substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, aralkyl group, haloalkyl group,
Unsubstituted or substituted cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, mercapto group, or halogen (fluorine, chlorine,
Bromine, iodine) atom, R 1 may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and a represents an integer of 0 to 8,
The sulfonic acid group may be attached at any position of the four rings of the condensed ring, e represents an integer of 2 to 10, and d represents an integer of 0 to 8. X represents a sulfur atom or an iodine atom and may have an oxoiodonium or oxosulfonium structure. Y represents lithium, sodium, potassium, magnesium, calcium or quaternary ammonium.
R 2 , R 3 and R 4 represent an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, an unsubstituted or substituted cycloalkyl group or a heterocyclic group. . R 2 , R 3 and R 4 may be linked to form a ring. b, c and f
Represents an integer of 0 to 3. Incidentally, the alkyl group, the aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring are further an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, It may have a substituent such as an acyloxy group, an alkenyl group, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an unsubstituted or substituted aromatic sulfonic acid group, a substituted amino group or a heterocyclic group. m represents 1, 2 or 3. ]
塩化合物が下記一般式(2)で表されるピレンスルホン
酸ヨードニウム塩化合物。 【化2】 〔上記式中、R7はそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、又はハロゲン(フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素)原子を表し、R7は縮合環の4
つの環のどの位置に付いてもよく、hは0〜4までの整
数を表す。スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置
に付てもよく、gは2〜4までの整数を表す。また、R5
とR6は無置換又は置換アリール基を表す。R5とR6
は連結して環を形成してもよい。なお、芳香族炭化水素
環は、さらにアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル
基、ハロゲン原子などの置換基を有してもよい。〕2. A pyrenesulfonic acid iodonium salt compound represented by the following general formula (2), wherein the pyrenesulfonic acid onium salt compound according to claim 1 is represented. [Chemical 2] [In the above formula, each R 7 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, or a halogen (fluorine, chlorine, bromine, iodine) atom, and R 7 is a condensed ring 4
It may be attached at any position of one ring, and h represents an integer of 0 to 4. The sulfonic acid group may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and g represents an integer of 2 to 4. Also, R 5
And R 6 represent an unsubstituted or substituted aryl group. R 5 and R 6
May combine to form a ring. The aromatic hydrocarbon ring may further have a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group and a halogen atom. ]
塩化合物が下記一般式(3)で表されるピレンスルホン
酸スルホニウム塩化合物。 【化3】 〔上記式中、R8、R9及びR10はアルキル基、無置
換又は置換アリール基、無置換又は置換アリールオキシ
基、無置換又は置換アリールチオ基又は複素環基を表
す。R8、R9及びR10は連結して環を形成してもよ
い。またアルキル基、芳香族炭化水素環、アリールオキシ
基、アリールチオ基又は複素環基は、さらにアルキル
基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子などの
置換基を有してもよい。なお、スルホン酸基は縮合環の
4つの環のどの位置に付てもよく、gは2〜4までの整
数を表す。R7、hは一般式(2)で定義したと同じで
ある。〕3. A pyrenesulfonic acid sulfonium salt compound represented by the following general formula (3), wherein the pyrenesulfonic acid onium salt compound according to claim 1 is represented by the following general formula (3). [Chemical 3] [In the above formula, R 8 , R 9 and R 10 represent an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group or a heterocyclic group. R 8 , R 9 and R 10 may combine to form a ring. The alkyl group, aromatic hydrocarbon ring, aryloxy group, arylthio group or heterocyclic group may further have a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group and a halogen atom. The sulfonic acid group may be attached at any position of the four rings of the condensed ring, and g represents an integer of 2 to 4. R 7 and h are the same as defined in the general formula (2). ]
塩化合物又は請求項2記載のピレンスルホン酸ヨードニ
ウム塩化合物が下記一般式(4)で表されるピレンスル
ホン酸ヨードニウム塩化合物。 【化4】 〔上記式中、R11はそれぞれ独立に水素原子又はヒド
ロキシル基を表し、R1 1は縮合環の4つの環のどの位
置に付てもよく、jは0〜2までの整数を表す。スルホ
ン酸基は縮合環の4つの環のどの位置に付けてもよく、
iは2〜4までの整数を表す。〕4. A pyrenesulfonic acid iodonium salt compound in which the pyrenesulfonic acid onium salt compound according to claim 1 or the pyrenesulfonic acid iodonium salt compound according to claim 2 is represented by the following general formula (4). [Chemical 4] [In the formula, R 11 each independently represent a hydrogen atom or a hydroxyl group, R 1 1 may be attached to any position of the four condensed rings, j represents an integer of 0 to 2. The sulfonic acid group may be attached to any position of the four rings of the condensed ring,
i represents an integer of 2 to 4. ]
塩化合物又は請求項3記載のピレンスルホン酸スルホニ
ウム塩化合物が下記一般式(5)で表されるピレンスル
ホン酸スルホニウム塩化合物。 【化5】 〔上記式中、R11、jは一般式(4)で定義したと同
じである。スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置
に付けてもよく、iは2〜4までの整数を表す。〕5. A pyrenesulfonic acid sulfonium salt compound represented by the following general formula (5), wherein the pyrenesulfonic acid onium salt compound according to claim 1 or the pyrenesulfonic acid sulfonium salt compound according to claim 3 is represented by the following general formula (5). [Chemical 5] [In the above formula, R 11 and j are the same as defined in the general formula (4). The sulfonic acid group may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and i represents an integer of 2 to 4. ]
とオニウム塩(7)を反応させる請求項1に記載の一般
式(1)で表される化合物の製造方法 【化6】 〔上記式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、無置換又は置換アリール基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基、ヒドロキシル基、アルケニル基、アシ
ル基、アシルオキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、シ
アノ基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は
置換アリールチオ基、アラルキル基、ハロアルキル基、
無置換又は置換シクロアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、メルカプト基、またはハロゲン(フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素)原子を表し、R1は縮合環の4つの環の
どの位置に付ても良く、aは0〜8までの整数を表し、
スルホン酸基は縮合環の4つの環のどの位置に付ても良
く、eは2〜10までの整数を表し、dは0〜8までの
整数を表す。また、Xは硫黄原子またはヨウ素原子を表
し、オキソヨードニウム、オキソスルホニウム構造をと
ってもよい。Yはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム又は4級アンモニウムを表す。
R2、R3およびR4はアルキル基、無置換又は置換ア
リール基、無置換又は置換アリールオキシ基、無置換又
は置換アリールチオ基、アシル基、無置換又は置換シク
ロアルキル基又は複素環基を表す。また、R2、R3お
よびR4が連結して環を形成してもよい。b、cおよび
fは0〜3の整数を表す。なお、アルキル基、芳香族炭
化水素環および複素環は、さらにアルキル基、アルコキ
シ基、ヒドロキシル基、無置換又は置換アリール基、無
置換又は置換アリールオキシ基、無置換又は置換アリー
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アルケニル基、
ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、無置換又は置換芳
香族スルホン酸基、置換アミノ基または複素環基などの
置換基を有してもよい。mは1,2又は3を表す。Zは
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子またはヒドロキシル基
を表す。〕6. A sulfonate (6) represented by the following reaction formula:
A method for producing a compound represented by the general formula (1) according to claim 1, wherein an onium salt (7) is reacted with [In the above formula, each R 1 is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, a hydroxyl group, an alkenyl group, an acyl group, an acyloxy group, a nitro group, a carboxyl group, or a cyano group. Group, unsubstituted or substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, aralkyl group, haloalkyl group,
Unsubstituted or substituted cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, mercapto group, or halogen (fluorine, chlorine,
Bromine, iodine) atom, R 1 may be attached to any position of the four rings of the condensed ring, and a represents an integer of 0 to 8,
The sulfonic acid group may be attached at any position of the four rings of the condensed ring, e represents an integer of 2 to 10, and d represents an integer of 0 to 8. X represents a sulfur atom or an iodine atom and may have an oxoiodonium or oxosulfonium structure. Y represents lithium, sodium, potassium, magnesium, calcium or quaternary ammonium.
R 2 , R 3 and R 4 represent an alkyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, an unsubstituted or substituted cycloalkyl group or a heterocyclic group. . R 2 , R 3 and R 4 may be linked to form a ring. b, c and f represent the integer of 0-3. Incidentally, the alkyl group, the aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring are further an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted aryl group, an unsubstituted or substituted aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an acyl group, Acyloxy group, alkenyl group,
It may have a substituent such as a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an unsubstituted or substituted aromatic sulfonic acid group, a substituted amino group or a heterocyclic group. m represents 1, 2 or 3. Z represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or a hydroxyl group. ]
ウム塩化合物を少なくとも1種類以上を用いることを特
徴とする感光性樹脂組成物7. A photosensitive resin composition comprising at least one pyrene sulfonic acid onium salt compound according to any one of claims 1 to 5.
ことを特徴とする感光性材料8. A photosensitive material comprising the photosensitive resin composition according to claim 7.
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