JP2003258386A - 光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラム - Google Patents
光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラムInfo
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- JP2003258386A JP2003258386A JP2002052047A JP2002052047A JP2003258386A JP 2003258386 A JP2003258386 A JP 2003258386A JP 2002052047 A JP2002052047 A JP 2002052047A JP 2002052047 A JP2002052047 A JP 2002052047A JP 2003258386 A JP2003258386 A JP 2003258386A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体光増幅素子の利得変動を容易に判別す
る。 【解決手段】 半導体光増幅素子１ＡＳＥ出力低下をモ
ニタし、利得変化とＡＳＥ出力変化との相関関係を用い
ることにより、半導体光増幅素子１の利得低下を監視し
て、半導体光増幅素子１の劣化の程度を見積もる。
る。 【解決手段】 半導体光増幅素子１ＡＳＥ出力低下をモ
ニタし、利得変化とＡＳＥ出力変化との相関関係を用い
ることにより、半導体光増幅素子１の利得低下を監視し
て、半導体光増幅素子１の劣化の程度を見積もる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光増幅器の監視装
置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増
幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光
増幅器の補償化プログラムに関し、特に、半導体光増幅
器を安定動作させる場合に適用して好適なものである。
置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増
幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光
増幅器の補償化プログラムに関し、特に、半導体光増幅
器を安定動作させる場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の通信容量の増大に伴う大容量化の
要求に対し、光ファイバ通信の実用化に向けた研究開発
が盛んに行われ、大容量光ネットワークの構築が進めら
れている。ここで、大容量光ネットワークを構築するた
めに重要となるのは、光信号を電気信号に変換すること
なく、光信号のまま信号処理を行う高性能な光機能デバ
イスである。
要求に対し、光ファイバ通信の実用化に向けた研究開発
が盛んに行われ、大容量光ネットワークの構築が進めら
れている。ここで、大容量光ネットワークを構築するた
めに重要となるのは、光信号を電気信号に変換すること
なく、光信号のまま信号処理を行う高性能な光機能デバ
イスである。
【０００３】また、大容量光ネットワークの実現には、
光ネットワークの重要な構成要素である半導体光素子の
高機能化、集積化、低コスト化などが重要であり、特
に、半導体光増幅素子は、小型であるという利点に伴う
集積化の容易性や優れた特性から注目されている。この
ため、半導体光増幅素子は、光信号の増幅あるいは波長
変換のためのキーデバイスとして必要不可欠な素子とな
っている。
光ネットワークの重要な構成要素である半導体光素子の
高機能化、集積化、低コスト化などが重要であり、特
に、半導体光増幅素子は、小型であるという利点に伴う
集積化の容易性や優れた特性から注目されている。この
ため、半導体光増幅素子は、光信号の増幅あるいは波長
変換のためのキーデバイスとして必要不可欠な素子とな
っている。
【０００４】また、最近では、半導体光増幅素子にスポ
ットサイズ変換領域を付け加えることで、結合損の低減
や、偏波依存性をなくすなどの高機能化が達成され、半
導体光増幅素子の重要性は一層高まっている。ここで、
半導体光増幅素子の利得は、半導体活性層内のキャリア
と入力光との間の誘導放出過程に基づく光増幅作用によ
って生じる。
ットサイズ変換領域を付け加えることで、結合損の低減
や、偏波依存性をなくすなどの高機能化が達成され、半
導体光増幅素子の重要性は一層高まっている。ここで、
半導体光増幅素子の利得は、半導体活性層内のキャリア
と入力光との間の誘導放出過程に基づく光増幅作用によ
って生じる。
【０００５】このため、半導体光増幅素子では、長期間
の動作に伴う特性劣化を避けることが困難となり、半導
体光増幅素子の特性劣化により、キャリア密度の低下が
生じると、利得を始めとした諸特性が悪化し、システム
全体に支障が出ることになる。このため、半導体光増幅
素子では、長期間の動作に伴う利得の劣化を監視し、半
導体光増幅素子の故障を予測できるようにすることが望
まれている。
の動作に伴う特性劣化を避けることが困難となり、半導
体光増幅素子の特性劣化により、キャリア密度の低下が
生じると、利得を始めとした諸特性が悪化し、システム
全体に支障が出ることになる。このため、半導体光増幅
素子では、長期間の動作に伴う利得の劣化を監視し、半
導体光増幅素子の故障を予測できるようにすることが望
まれている。
【０００６】ここで、半導体レーザの場合では、入射光
がないため、半導体レーザ素子の背面にモニタ用フォト
ダイオード素子を配置し、半導体レーザの出力変化を調
べることで、半導体レーザ素子の劣化の程度をモニタす
ることができる。
がないため、半導体レーザ素子の背面にモニタ用フォト
ダイオード素子を配置し、半導体レーザの出力変化を調
べることで、半導体レーザ素子の劣化の程度をモニタす
ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
光増幅素子では、入射光が素子内に入射されるため、増
幅信号光の光出力はモニタ可能だが、入射光パワーが一
定でない場合、増幅信号光の出力も変化する。従って、
増幅信号光の出力変化をモニタしただけでは、半導体光
増幅素子の利得変化分を判別することが困難となり、半
導体光増幅器の特性劣化の程度をモニタする手法が未確
立のままだった。
光増幅素子では、入射光が素子内に入射されるため、増
幅信号光の光出力はモニタ可能だが、入射光パワーが一
定でない場合、増幅信号光の出力も変化する。従って、
増幅信号光の出力変化をモニタしただけでは、半導体光
増幅素子の利得変化分を判別することが困難となり、半
導体光増幅器の特性劣化の程度をモニタする手法が未確
立のままだった。
【０００８】このため、従来のモニタ手法では、半導体
光増幅素子の故障を予測することができず、光通信シス
テム全体の信頼性が低下する要因となるとともに、光ネ
ットワークの低コスト化の阻害要因になるという問題が
あった。そこで、本発明の目的は、光増幅素子の利得変
動を容易に判別することが可能な増幅器の監視装置、光
増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の
補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器
の補償化プログラムを提供することである。
光増幅素子の故障を予測することができず、光通信シス
テム全体の信頼性が低下する要因となるとともに、光ネ
ットワークの低コスト化の阻害要因になるという問題が
あった。そこで、本発明の目的は、光増幅素子の利得変
動を容易に判別することが可能な増幅器の監視装置、光
増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の
補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器
の補償化プログラムを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１記載の光増幅器の監視装置によれば、
光増幅器の自然放出光の強度変動を検出する強度変動検
出手段と、前記強度変動検出手段により検出された自然
放出光の強度変動に基づいて、光増幅器の利得を監視す
る利得監視手段とを備えることを特徴とする。
ために、請求項１記載の光増幅器の監視装置によれば、
光増幅器の自然放出光の強度変動を検出する強度変動検
出手段と、前記強度変動検出手段により検出された自然
放出光の強度変動に基づいて、光増幅器の利得を監視す
る利得監視手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】これにより、入力光の影響を排除しつつ、
光増幅器からの出射光の出力変動を検出することが可能
となり、半導体光増幅素子自体の劣化のみに依存するパ
ラメータを抽出することが可能となる。このため、光増
幅器からの出射光の強度変動を監視することで、半導体
光増幅素子の利得変化分を判別することが可能となり、
半導体光増幅器の特性劣化の程度を容易に監視すること
が可能となることから、光通信システム全体の信頼性を
向上させることが可能となるとともに、光通信システム
の保守保全を容易化して、光ネットワークの低コスト化
を図ることが可能となる。
光増幅器からの出射光の出力変動を検出することが可能
となり、半導体光増幅素子自体の劣化のみに依存するパ
ラメータを抽出することが可能となる。このため、光増
幅器からの出射光の強度変動を監視することで、半導体
光増幅素子の利得変化分を判別することが可能となり、
半導体光増幅器の特性劣化の程度を容易に監視すること
が可能となることから、光通信システム全体の信頼性を
向上させることが可能となるとともに、光通信システム
の保守保全を容易化して、光ネットワークの低コスト化
を図ることが可能となる。
【００１１】また、請求項２記載の光増幅器の監視装置
によれば、光増幅器の利得変動と自然放出光の強度変動
との相関関係が登録された相関テーブルをさらに備え、
前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結果に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出することを特徴
とする。これにより、光増幅器からの自然放出光の強度
変動を検出することで、光増幅器の利得変動を容易に算
出することが可能となり、半導体光増幅器の特性劣化の
程度を容易に監視することが可能となる。
によれば、光増幅器の利得変動と自然放出光の強度変動
との相関関係が登録された相関テーブルをさらに備え、
前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結果に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出することを特徴
とする。これにより、光増幅器からの自然放出光の強度
変動を検出することで、光増幅器の利得変動を容易に算
出することが可能となり、半導体光増幅器の特性劣化の
程度を容易に監視することが可能となる。
【００１２】また、請求項３記載の光増幅器の監視装置
によれば、光増幅器の自然放出光のピーク波長変動を検
出するピーク波長変動検出手段と、前記ピーク波長変動
検出手段により検出された自然放出光のピーク波長変動
に基づいて、光増幅器の利得を監視する利得監視手段と
を備えることを特徴とする。これにより、入力光の影響
を排除しつつ、光増幅器からの出射光の出力変動を検出
することが可能となり、半導体光増幅素子自体の劣化の
みに依存するパラメータを抽出することが可能となる。
によれば、光増幅器の自然放出光のピーク波長変動を検
出するピーク波長変動検出手段と、前記ピーク波長変動
検出手段により検出された自然放出光のピーク波長変動
に基づいて、光増幅器の利得を監視する利得監視手段と
を備えることを特徴とする。これにより、入力光の影響
を排除しつつ、光増幅器からの出射光の出力変動を検出
することが可能となり、半導体光増幅素子自体の劣化の
みに依存するパラメータを抽出することが可能となる。
【００１３】このため、光増幅器からの出射光のピーク
波長変動を監視することで、半導体光増幅素子の利得変
化分を判別することが可能となり、半導体光増幅器の特
性劣化の程度を容易に監視することが可能となることか
ら、光通信システム全体の信頼性を向上させることが可
能となるとともに、光通信システムの保守保全を容易化
して、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能と
なる。
波長変動を監視することで、半導体光増幅素子の利得変
化分を判別することが可能となり、半導体光増幅器の特
性劣化の程度を容易に監視することが可能となることか
ら、光通信システム全体の信頼性を向上させることが可
能となるとともに、光通信システムの保守保全を容易化
して、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能と
なる。
【００１４】また、請求項４記載の光増幅器の監視装置
によれば、光増幅器の利得変動と自然放出光のピーク波
長変動との相関関係が登録された相関テーブルをさらに
備え、前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結
果に基づいて、前記光増幅器の利得変動を算出すること
を特徴とする。これにより、光増幅器からの自然放出光
のピーク波長変動を検出することで、光増幅器の利得変
動を容易に算出することが可能となり、半導体光増幅器
の特性劣化の程度を容易に監視することが可能となる。
によれば、光増幅器の利得変動と自然放出光のピーク波
長変動との相関関係が登録された相関テーブルをさらに
備え、前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結
果に基づいて、前記光増幅器の利得変動を算出すること
を特徴とする。これにより、光増幅器からの自然放出光
のピーク波長変動を検出することで、光増幅器の利得変
動を容易に算出することが可能となり、半導体光増幅器
の特性劣化の程度を容易に監視することが可能となる。
【００１５】また、請求項５記載の光増幅器の監視装置
によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出する強度
検出手段と、前記強度検出手段により検出された出射光
の強度に基づいて、自然放出光か、増幅信号光かを判断
する自然放出光判断手段をさらに備えることを特徴とす
る。これにより、光増幅器に信号光が入射される場合に
おいても、入力信号光の影響を排除しつつ、光増幅器か
らの出射光の出力変動を監視することが可能となり、半
導体光増幅素子の利得変化分を容易に判別することが可
能となる。
によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出する強度
検出手段と、前記強度検出手段により検出された出射光
の強度に基づいて、自然放出光か、増幅信号光かを判断
する自然放出光判断手段をさらに備えることを特徴とす
る。これにより、光増幅器に信号光が入射される場合に
おいても、入力信号光の影響を排除しつつ、光増幅器か
らの出射光の出力変動を監視することが可能となり、半
導体光増幅素子の利得変化分を容易に判別することが可
能となる。
【００１６】また、請求項６記載の光増幅器の補償化装
置によれば、光増幅器の自然放出光の強度変動を検出す
る強度変動検出手段と、前記強度変動検出手段により検
出された自然放出光の強度変動に基づいて、光増幅器の
駆動電流を制御する駆動電流制御手段とを備えることを
特徴とする。これにより、光増幅器からの出射光の出力
変動を検出することで、半導体光増幅素子の利得変化分
を補償することが可能となり、半導体光増幅器の長寿命
化を図ることが可能となることから、光ネットワークの
低コスト化を図ることが可能となる。
置によれば、光増幅器の自然放出光の強度変動を検出す
る強度変動検出手段と、前記強度変動検出手段により検
出された自然放出光の強度変動に基づいて、光増幅器の
駆動電流を制御する駆動電流制御手段とを備えることを
特徴とする。これにより、光増幅器からの出射光の出力
変動を検出することで、半導体光増幅素子の利得変化分
を補償することが可能となり、半導体光増幅器の長寿命
化を図ることが可能となることから、光ネットワークの
低コスト化を図ることが可能となる。
【００１７】また、請求項７記載の光増幅器の補償化装
置によれば、光増幅器の自然放出光の強度変動に基づい
て、前記光増幅器の利得の変動分を算出する利得変動算
出手段と、前記光増幅器の利得の変動分を補償するため
の駆動電流値を算出する駆動電流算出手段とをさらに備
え、前記駆動電流制御手段は、前記駆動電流算出手段に
より算出された駆動電流値に基づいて、前記光増幅器を
駆動することを特徴とする。
置によれば、光増幅器の自然放出光の強度変動に基づい
て、前記光増幅器の利得の変動分を算出する利得変動算
出手段と、前記光増幅器の利得の変動分を補償するため
の駆動電流値を算出する駆動電流算出手段とをさらに備
え、前記駆動電流制御手段は、前記駆動電流算出手段に
より算出された駆動電流値に基づいて、前記光増幅器を
駆動することを特徴とする。
【００１８】これにより、増幅器の自然放出光の強度変
動を検出することで、半導体光増幅素子の劣化を補正し
つつ、半導体光増幅素子を駆動することが可能となるこ
とから、光通信システムの信頼性を向上させることが可
能となるとともに、半導体光増幅器の寿命を延命させ
て、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能とな
る。
動を検出することで、半導体光増幅素子の劣化を補正し
つつ、半導体光増幅素子を駆動することが可能となるこ
とから、光通信システムの信頼性を向上させることが可
能となるとともに、半導体光増幅器の寿命を延命させ
て、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能とな
る。
【００１９】また、請求項８記載の光増幅器の補償化装
置によれば、光増幅器の自然放出光のピーク波長変動を
検出するピーク波長変動検出手段と、前記ピーク波長変
動検出手段により検出された自然放出光のピーク波長変
動に基づいて、光増幅器の駆動電流を制御する駆動電流
制御手段とを備えることを特徴とする光増幅器の補償化
装置。
置によれば、光増幅器の自然放出光のピーク波長変動を
検出するピーク波長変動検出手段と、前記ピーク波長変
動検出手段により検出された自然放出光のピーク波長変
動に基づいて、光増幅器の駆動電流を制御する駆動電流
制御手段とを備えることを特徴とする光増幅器の補償化
装置。
【００２０】これにより、光増幅器からの出射光のピー
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の利得
変化分を補償することが可能となり、半導体光増幅器の
長寿命化を図ることが可能となることから、光ネットワ
ークの低コスト化を図ることが可能となる。また、請求
項９記載の光増幅器の補償化装置によれば、光増幅器の
自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増幅器
の利得の変動分を算出する利得変動算出手段と、前記光
増幅器の利得の変動分を補償するための駆動電流値を算
出する駆動電流算出手段とをさらに備え、前記駆動電流
制御手段は、前記駆動電流算出手段により算出された駆
動電流値に基づいて、前記光増幅器を駆動することを特
徴とする。
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の利得
変化分を補償することが可能となり、半導体光増幅器の
長寿命化を図ることが可能となることから、光ネットワ
ークの低コスト化を図ることが可能となる。また、請求
項９記載の光増幅器の補償化装置によれば、光増幅器の
自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増幅器
の利得の変動分を算出する利得変動算出手段と、前記光
増幅器の利得の変動分を補償するための駆動電流値を算
出する駆動電流算出手段とをさらに備え、前記駆動電流
制御手段は、前記駆動電流算出手段により算出された駆
動電流値に基づいて、前記光増幅器を駆動することを特
徴とする。
【００２１】これにより、増幅器の自然放出光のピーク
波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の劣化を
補正しつつ、半導体光増幅素子を駆動することが可能と
なることから、光通信システムの信頼性を向上させるこ
とが可能となるとともに、半導体光増幅器の寿命を延命
させて、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能
となる。
波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の劣化を
補正しつつ、半導体光増幅素子を駆動することが可能と
なることから、光通信システムの信頼性を向上させるこ
とが可能となるとともに、半導体光増幅器の寿命を延命
させて、光ネットワークの低コスト化を図ることが可能
となる。
【００２２】また、請求項１０記載の光増幅器の監視方
法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出するス
テップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自
然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前記
自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出するス
テップと、前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記
光増幅器の利得変動を算出するステップとを備えること
を特徴とする。
法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出するス
テップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自
然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前記
自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出するス
テップと、前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記
光増幅器の利得変動を算出するステップとを備えること
を特徴とする。
【００２３】これにより、光増幅器に信号光が入射され
る場合においても、光増幅器からの出射光を監視するこ
とで、半導体光増幅素子の利得変化分を容易に算出する
ことが可能となり、半導体光増幅素子の特性劣化を容易
に判別することが可能となることから、光通信システム
全体の信頼性を向上させることが可能となる。また、請
求項１１記載の光増幅器の監視方法によれば、光増幅器
からの出射光の強度を検出するステップと、前記出射光
の強度の検出結果に基づいて、自然放出光か、増幅信号
光かを判断するステップと、前記自然放出光と判断され
た出射光のピーク波長変動を検出するステップと、前記
自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増幅器
の利得変動を算出するステップとを備えることを特徴と
する。
る場合においても、光増幅器からの出射光を監視するこ
とで、半導体光増幅素子の利得変化分を容易に算出する
ことが可能となり、半導体光増幅素子の特性劣化を容易
に判別することが可能となることから、光通信システム
全体の信頼性を向上させることが可能となる。また、請
求項１１記載の光増幅器の監視方法によれば、光増幅器
からの出射光の強度を検出するステップと、前記出射光
の強度の検出結果に基づいて、自然放出光か、増幅信号
光かを判断するステップと、前記自然放出光と判断され
た出射光のピーク波長変動を検出するステップと、前記
自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増幅器
の利得変動を算出するステップとを備えることを特徴と
する。
【００２４】これにより、光増幅器に信号光が入射され
る場合においても、入射光の影響を排除しつつ、半導体
光増幅素子の利得変化分を算出することが可能となり、
半導体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可
能となる。また、請求項１２記載の光増幅器の補償化方
法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出するス
テップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自
然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前記
自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出するス
テップと、前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記
光増幅器の利得変動を算出するステップと、前記光増幅
器の利得変動に対応する電流値の差分を算出するステッ
プと、前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を
増加させるステップとを備えることを特徴とする。
る場合においても、入射光の影響を排除しつつ、半導体
光増幅素子の利得変化分を算出することが可能となり、
半導体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可
能となる。また、請求項１２記載の光増幅器の補償化方
法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出するス
テップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自
然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前記
自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出するス
テップと、前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記
光増幅器の利得変動を算出するステップと、前記光増幅
器の利得変動に対応する電流値の差分を算出するステッ
プと、前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を
増加させるステップとを備えることを特徴とする。
【００２５】これにより、光増幅器に信号光が入射され
る場合においても、光増幅器からの出射光を監視するこ
とで、半導体光増幅素子の特性劣化を容易に補正するこ
とが可能となることから、光通信システム全体の信頼性
を向上させることが可能となるとともに、光増幅器の寿
命を延命させて、光通信システムのコストダウンを図る
ことが可能となる。
る場合においても、光増幅器からの出射光を監視するこ
とで、半導体光増幅素子の特性劣化を容易に補正するこ
とが可能となることから、光通信システム全体の信頼性
を向上させることが可能となるとともに、光増幅器の寿
命を延命させて、光通信システムのコストダウンを図る
ことが可能となる。
【００２６】また、請求項１３記載の光増幅器の補償化
方法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出する
ステップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、
自然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前
記自然放出光と判断された出射光のピーク波長変動を検
出するステップと、記自然放出光のピーク波長変動に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出するステップ
と、前記光増幅器の利得変動に対応する電流値の差分を
算出するステップと、前記電流値の差分だけ前記光増幅
器の駆動電流を増加させるステップとを備えることを特
徴とする。
方法によれば、光増幅器からの出射光の強度を検出する
ステップと、前記出射光の強度の検出結果に基づいて、
自然放出光か、増幅信号光かを判断するステップと、前
記自然放出光と判断された出射光のピーク波長変動を検
出するステップと、記自然放出光のピーク波長変動に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出するステップ
と、前記光増幅器の利得変動に対応する電流値の差分を
算出するステップと、前記電流値の差分だけ前記光増幅
器の駆動電流を増加させるステップとを備えることを特
徴とする。
【００２７】これにより、光増幅器からの出射光のピー
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の特性
劣化を容易に補正することが可能となり、光通信システ
ム全体の信頼性を向上させることが可能となるととも
に、光増幅器の寿命を延命させて、光通信システムのコ
ストダウンを図ることが可能となる。また、請求項１４
記載の光増幅器の監視プログラムによれば、光増幅器か
ら出射された自然放出光の強度変動データを取得するス
テップと、前記自然放出光の強度変動データに基づい
て、前記光増幅器の利得変動値を算出するステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の特性
劣化を容易に補正することが可能となり、光通信システ
ム全体の信頼性を向上させることが可能となるととも
に、光増幅器の寿命を延命させて、光通信システムのコ
ストダウンを図ることが可能となる。また、請求項１４
記載の光増幅器の監視プログラムによれば、光増幅器か
ら出射された自然放出光の強度変動データを取得するス
テップと、前記自然放出光の強度変動データに基づい
て、前記光増幅器の利得変動値を算出するステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２８】これにより、光増幅器から出射された自然
放出光の強度変動データを取得することで、半導体光増
幅素子の利得変化分を算出することが可能となり、半導
体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可能と
なる。また、請求項１５記載の光増幅器の監視プログラ
ムによれば、光増幅器から出射された自然放出光のピー
ク波長変動データを取得するステップと、前記自然放出
光のピーク波長変動データに基づいて、前記光増幅器の
利得変動値を算出するステップとをコンピュータに実行
させることを特徴とする。
放出光の強度変動データを取得することで、半導体光増
幅素子の利得変化分を算出することが可能となり、半導
体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可能と
なる。また、請求項１５記載の光増幅器の監視プログラ
ムによれば、光増幅器から出射された自然放出光のピー
ク波長変動データを取得するステップと、前記自然放出
光のピーク波長変動データに基づいて、前記光増幅器の
利得変動値を算出するステップとをコンピュータに実行
させることを特徴とする。
【００２９】これにより、光増幅器の自然放出光のピー
ク波長変動データを取得することで、半導体光増幅素子
の利得変化分を算出することが可能となり、半導体光増
幅素子の特性劣化を容易に判別することが可能となる。
また、請求項１６記載の光増幅器の補償化プログラムに
よれば、光増幅器から出射された自然放出光の強度変動
データを取得するステップと、前記自然放出光の強度変
動データに基づいて、前記光増幅器の利得変動値を算出
するステップと、前記光増幅器の利得変動値に対応する
電流値の差分を算出するステップと、前記電流値の差分
だけ前記光増幅器の駆動電流を増加させるステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
ク波長変動データを取得することで、半導体光増幅素子
の利得変化分を算出することが可能となり、半導体光増
幅素子の特性劣化を容易に判別することが可能となる。
また、請求項１６記載の光増幅器の補償化プログラムに
よれば、光増幅器から出射された自然放出光の強度変動
データを取得するステップと、前記自然放出光の強度変
動データに基づいて、前記光増幅器の利得変動値を算出
するステップと、前記光増幅器の利得変動値に対応する
電流値の差分を算出するステップと、前記電流値の差分
だけ前記光増幅器の駆動電流を増加させるステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
【００３０】これにより、光増幅器からの出射光を監視
することで、半導体光増幅素子の特性劣化を容易に補正
することが可能となり、光通信システム全体の信頼性を
向上させることが可能となるとともに、光通信システム
のコストダウンを図ることが可能となる。また、請求項
１７記載の光増幅器の補償化プログラムによれば、光増
幅器から出射された自然放出光のピーク波長変動データ
を取得するステップと、前記自然放出光のピーク波長変
動データに基づいて、前記光増幅器の利得変動値を算出
するステップと、前記光増幅器の利得変動値に対応する
電流値の差分を算出するステップと、前記電流値の差分
だけ前記光増幅器の駆動電流を増加させるステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
することで、半導体光増幅素子の特性劣化を容易に補正
することが可能となり、光通信システム全体の信頼性を
向上させることが可能となるとともに、光通信システム
のコストダウンを図ることが可能となる。また、請求項
１７記載の光増幅器の補償化プログラムによれば、光増
幅器から出射された自然放出光のピーク波長変動データ
を取得するステップと、前記自然放出光のピーク波長変
動データに基づいて、前記光増幅器の利得変動値を算出
するステップと、前記光増幅器の利得変動値に対応する
電流値の差分を算出するステップと、前記電流値の差分
だけ前記光増幅器の駆動電流を増加させるステップとを
コンピュータに実行させることを特徴とする。
【００３１】これにより、光増幅器からの出射光のピー
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の特性
劣化を容易に補正することが可能となり、光通信システ
ム全体の信頼性を向上させることが可能となるととも
に、光通信システムのコストダウンを図ることが可能と
なる。
ク波長変動を検出することで、半導体光増幅素子の特性
劣化を容易に補正することが可能となり、光通信システ
ム全体の信頼性を向上させることが可能となるととも
に、光通信システムのコストダウンを図ることが可能と
なる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る光
増幅器の監視装置および補償化装置について、図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体光増幅器の監視装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。
増幅器の監視装置および補償化装置について、図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体光増幅器の監視装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。
【００３３】図１において、半導体光増幅器１の監視装
置には、分波器３、パワーメータ４およびパーソナルコ
ンピュータ５が設けられ、パーソナルコンピュータ５に
は、半導体光増幅器１の動作条件における利得変動とＡ
ＳＥパワー変動との相関関係が登録された相関テーブル
が設けられている。ここで、半導体光増幅器１の動作条
件としては、例えば、半導体光増幅器１の駆動電流や、
入力光強度などを挙げることができる。
置には、分波器３、パワーメータ４およびパーソナルコ
ンピュータ５が設けられ、パーソナルコンピュータ５に
は、半導体光増幅器１の動作条件における利得変動とＡ
ＳＥパワー変動との相関関係が登録された相関テーブル
が設けられている。ここで、半導体光増幅器１の動作条
件としては、例えば、半導体光増幅器１の駆動電流や、
入力光強度などを挙げることができる。
【００３４】そして、半導体光増幅素子１には、駆動電
源２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリアの反
転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子１に入射すると、信号光ＬＳは半導体光増幅素子１
にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器３に出射される。そ
して、分波器３に出射された増幅光ＬＡは、分波器３に
て分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が出射される。
源２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリアの反
転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子１に入射すると、信号光ＬＳは半導体光増幅素子１
にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器３に出射される。そ
して、分波器３に出射された増幅光ＬＡは、分波器３に
て分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が出射される。
【００３５】そして、分波器３で分波された分波光ＬＤ
２は、パワーメータ４に入射され、パワーメータ４に
て、分波光ＬＤ２の光出力強度が測定される。ここで、
信号光ＬＳがない場合には、半導体光増幅素子１にて自
然放出光が増幅される。このため、パワーメータ４に
は、増幅された自然放出光（以下、ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉ
ｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）
と呼ぶ）が入射され、ＡＳＥ出力強度が測定される。
２は、パワーメータ４に入射され、パワーメータ４に
て、分波光ＬＤ２の光出力強度が測定される。ここで、
信号光ＬＳがない場合には、半導体光増幅素子１にて自
然放出光が増幅される。このため、パワーメータ４に
は、増幅された自然放出光（以下、ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉ
ｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）
と呼ぶ）が入射され、ＡＳＥ出力強度が測定される。
【００３６】そして、パワーメータ４にて分波光ＬＤ２
の光出力強度が測定されると、その測定データがパーソ
ナルコンピュータ５に取り込まれる。パーソナルコンピ
ュータ５は、分波光ＬＤ２の光出力強度の測定データを
取り込むと、その測定データに基づいて信号光かＡＳＥ
かを判断する。ここで、パーソナルコンピュータ５は、
信号光かＡＳＥかを判断する場合、例えば、分波光ＬＤ
２の光パワーを用いることができる。すわわち、分波光
ＬＤ２の光パワーが所定値以上の場合は信号光と判断
し、分波光ＬＤ２の光パワーが所定値より小さい場合は
ＡＳＥと判断することができる。
の光出力強度が測定されると、その測定データがパーソ
ナルコンピュータ５に取り込まれる。パーソナルコンピ
ュータ５は、分波光ＬＤ２の光出力強度の測定データを
取り込むと、その測定データに基づいて信号光かＡＳＥ
かを判断する。ここで、パーソナルコンピュータ５は、
信号光かＡＳＥかを判断する場合、例えば、分波光ＬＤ
２の光パワーを用いることができる。すわわち、分波光
ＬＤ２の光パワーが所定値以上の場合は信号光と判断
し、分波光ＬＤ２の光パワーが所定値より小さい場合は
ＡＳＥと判断することができる。
【００３７】そして、パーソナルコンピュータ５は、分
波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥパワーを初
期値と比較し、ＡＳＥパワーの差分を計算する。そし
て、利得変動とＡＳＥパワー変動との相関関係を参照す
ることにより、半導体光増幅素子１の利得変化を算出す
る。以下、ＡＳＥパワー変動に基づいて半導体光増幅素
子１の利得変化を見積もるための原理について、より詳
細に説明する。
波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥパワーを初
期値と比較し、ＡＳＥパワーの差分を計算する。そし
て、利得変動とＡＳＥパワー変動との相関関係を参照す
ることにより、半導体光増幅素子１の利得変化を算出す
る。以下、ＡＳＥパワー変動に基づいて半導体光増幅素
子１の利得変化を見積もるための原理について、より詳
細に説明する。
【００３８】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体
光増幅素子１の概略構成を示す断面図である。図２にお
いて、半導体光増幅素子１は、半導体レーザとほぼ同様
に、活性煤質をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を
有している。ただし、半導体レーザとは、導波路端面の
反射率や活性層の長さなどの構造設計が異なっている。
光増幅素子１の概略構成を示す断面図である。図２にお
いて、半導体光増幅素子１は、半導体レーザとほぼ同様
に、活性煤質をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を
有している。ただし、半導体レーザとは、導波路端面の
反射率や活性層の長さなどの構造設計が異なっている。
【００３９】すなわち、例えば、１．５５μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層１２の両側には、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層よりも禁制帯幅の大きなｎ−ＩｎＰクラッド層１１
とｐ−ＩｎＰクラッド層１３が形成され、ダブルヘテロ
構造とされている。そして、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１
側にはｎ側電極１４が形成されるとともに、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層１３１側にはｐ側電極１５が形成され、ｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２およ
びｐ−ＩｎＰクラッド層１３の両端面には、反射防止膜
１６、１７がそれぞれ形成されている。
ｎＧａＡｓＰ活性層１２の両側には、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層よりも禁制帯幅の大きなｎ−ＩｎＰクラッド層１１
とｐ−ＩｎＰクラッド層１３が形成され、ダブルヘテロ
構造とされている。そして、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１
側にはｎ側電極１４が形成されるとともに、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層１３１側にはｐ側電極１５が形成され、ｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２およ
びｐ−ＩｎＰクラッド層１３の両端面には、反射防止膜
１６、１７がそれぞれ形成されている。
【００４０】そして、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１を介
し、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２に電子（キャリア）が注
入されると、ｐ−ＩｎＰクラッド層１３によって形成さ
れるエネルギー障壁により、キャリアはＩｎＧａＡｓＰ
活性層１２内に閉じ込められ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
２に反転分布が形成される。また、ＩｎＧａＡｓＰ活性
層１２の屈折率は、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１およびｐ
−ＩｎＰクラッド層１３の屈折率より大きいため、光閉
じ込め効果が生じ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２が光導波
路となる。
し、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２に電子（キャリア）が注
入されると、ｐ−ＩｎＰクラッド層１３によって形成さ
れるエネルギー障壁により、キャリアはＩｎＧａＡｓＰ
活性層１２内に閉じ込められ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
２に反転分布が形成される。また、ＩｎＧａＡｓＰ活性
層１２の屈折率は、ｎ−ＩｎＰクラッド層１１およびｐ
−ＩｎＰクラッド層１３の屈折率より大きいため、光閉
じ込め効果が生じ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２が光導波
路となる。
【００４１】そして、半導体光増幅素子１に入射光ＬＩ
が入射されると、注入されたキャリアの再結合により、
入射光ＬＩと同波長かつ同位相の誘導放出光が生成さ
れ、入射光ＬＩの光強度が増幅された出射光ＬＯが出射
される。図３は、本発明の一実施形態に係る半導体光増
幅素子の電流−利得特性を示す図である。
が入射されると、注入されたキャリアの再結合により、
入射光ＬＩと同波長かつ同位相の誘導放出光が生成さ
れ、入射光ＬＩの光強度が増幅された出射光ＬＯが出射
される。図３は、本発明の一実施形態に係る半導体光増
幅素子の電流−利得特性を示す図である。
【００４２】図３において、強度が−２０ｄＢｍ、波長
が１．５５ｎｍの入射光ＬＩが半導体光増幅素子１に入
射されたものとすると、動作電流の増加に伴って利得が
上昇し、出射光ＬＯが増幅されることがわかる。一方、
半導体光増幅素子１に注入されるキャリアは、高エネル
ギー状態にあるため、ある一定の寿命で低エネルギー状
態に遷移し、自然放出光として観測することができる。
が１．５５ｎｍの入射光ＬＩが半導体光増幅素子１に入
射されたものとすると、動作電流の増加に伴って利得が
上昇し、出射光ＬＯが増幅されることがわかる。一方、
半導体光増幅素子１に注入されるキャリアは、高エネル
ギー状態にあるため、ある一定の寿命で低エネルギー状
態に遷移し、自然放出光として観測することができる。
【００４３】また、半導体光増幅素子１では、入射光Ｌ
Ｉがなくても、自然放出光が増幅され、誘導放出光とし
て出射されるため、ＡＳＥ出力として観測することがで
きる。図４は、本発明の一実施形態に係る半導体光増幅
素子の電流−ＡＳＥ出力特性を示す図である。
Ｉがなくても、自然放出光が増幅され、誘導放出光とし
て出射されるため、ＡＳＥ出力として観測することがで
きる。図４は、本発明の一実施形態に係る半導体光増幅
素子の電流−ＡＳＥ出力特性を示す図である。
【００４４】図４において、半導体光増幅素子１から
は、入射光ＬＩがなくても、ＡＳＥが出力され、注入電
流の増加に伴って、ＡＳＥ出力が上昇することがわか
る。一方、半導体光増幅素子１では、長期間動作させる
と、利得を始めとする諸特性が劣化する。図５は、本発
明の一実施形態に係る半導体光増幅器の利得の経時変化
を示す図、図６は、本発明の一実施形態に係る半導体光
増幅器のＡＳＥ出力特性の経時変化を示す図である。
は、入射光ＬＩがなくても、ＡＳＥが出力され、注入電
流の増加に伴って、ＡＳＥ出力が上昇することがわか
る。一方、半導体光増幅素子１では、長期間動作させる
と、利得を始めとする諸特性が劣化する。図５は、本発
明の一実施形態に係る半導体光増幅器の利得の経時変化
を示す図、図６は、本発明の一実施形態に係る半導体光
増幅器のＡＳＥ出力特性の経時変化を示す図である。
【００４５】図５、６において、半導体光増幅素子１の
過酷動作試験（温度８５℃、動作電流３２０ｍＡ）を行
った場合、通電時間（例えば、０ｈ、３００ｈ、１７０
０ｈ、３２３７ｈ）に伴って、利得およびＡＳＥ出力の
いずれも減少することがわかる。実使用では、これほど
過酷な条件ではないが、通電時間とともに、半導体光増
幅素子１の利得およびＡＳＥ出力が徐々に低下する。
過酷動作試験（温度８５℃、動作電流３２０ｍＡ）を行
った場合、通電時間（例えば、０ｈ、３００ｈ、１７０
０ｈ、３２３７ｈ）に伴って、利得およびＡＳＥ出力の
いずれも減少することがわかる。実使用では、これほど
過酷な条件ではないが、通電時間とともに、半導体光増
幅素子１の利得およびＡＳＥ出力が徐々に低下する。
【００４６】ここで、光の増幅（利得）は、ＡＳＥ出力
とともに、キャリア密度に関係しているため、両者は高
い相関関係にあり、ＡＳＥ出力変化は、利得変化の指標
とすることができる。すなわち、増幅信号光の光出力は
モニタ可能だが、入力光パワーが一定でない場合、増幅
信号光の出力変化だけから、利得変化分を識別すること
は困難である。
とともに、キャリア密度に関係しているため、両者は高
い相関関係にあり、ＡＳＥ出力変化は、利得変化の指標
とすることができる。すなわち、増幅信号光の光出力は
モニタ可能だが、入力光パワーが一定でない場合、増幅
信号光の出力変化だけから、利得変化分を識別すること
は困難である。
【００４７】それに対し、ＡＳＥ出力の変化は、信号光
ＬＳに関係なく、半導体光増幅素子１自体の劣化のみに
依存する。しかも、ＡＳＥ出力は、比較的容易にモニタ
できるため、ＡＳＥ出力は半導体光増幅素子の劣化の程
度を知るための重要なパラメータである。また、キャリ
ア密度に関係するパラメータ、例えば、ＡＳＥピーク波
長も同様に、半導体光増幅器の劣化を知る指標とするこ
とができる。
ＬＳに関係なく、半導体光増幅素子１自体の劣化のみに
依存する。しかも、ＡＳＥ出力は、比較的容易にモニタ
できるため、ＡＳＥ出力は半導体光増幅素子の劣化の程
度を知るための重要なパラメータである。また、キャリ
ア密度に関係するパラメータ、例えば、ＡＳＥピーク波
長も同様に、半導体光増幅器の劣化を知る指標とするこ
とができる。
【００４８】図７は、本発明の一実施形態に係る半導体
光増幅素子の利得変化とＡＳＥ出力変化の相関関係を示
す図である。なお、図７では、半導体光増幅素子１の動
作電流が８０ｍＡでの利得変化とＡＳＥ出力変化との相
関を示す。ここで、半導体光増幅素子１の利得変化とＡ
ＳＥ出力変化には比例関係があり、利得ｌｄＢの低下は
ＡＳＥ出力ｌｄＢの低下に相当することがわかる。
光増幅素子の利得変化とＡＳＥ出力変化の相関関係を示
す図である。なお、図７では、半導体光増幅素子１の動
作電流が８０ｍＡでの利得変化とＡＳＥ出力変化との相
関を示す。ここで、半導体光増幅素子１の利得変化とＡ
ＳＥ出力変化には比例関係があり、利得ｌｄＢの低下は
ＡＳＥ出力ｌｄＢの低下に相当することがわかる。
【００４９】従って、半導体光増幅素子１のＡＳＥ出力
を監視し、図７の相関関係を参照することで、半導体光
増幅素子１の利得の低下の程度を知ることができる。ま
た、利得一定動作の場合も、図７の相関関係から、利得
ｌｄＢの変化が動作電流の何％の増加に相当するかがわ
かる。すなわち、図５に示すように、動作電流に対する
ＡＳＥ出力はほぼ直線的に増加し、ある程度の半導体光
増幅素子１の劣化に対しても、この関係は維持されるこ
とから、ＡＳＥ出力のｌｄＢの変化、すなわち、利得ｌ
ｄＢの変化は、動作電流の何％増加に相当するかを判別
することができる。従って、動作電流の増加からも、利
得低下を監視することが可能である。
を監視し、図７の相関関係を参照することで、半導体光
増幅素子１の利得の低下の程度を知ることができる。ま
た、利得一定動作の場合も、図７の相関関係から、利得
ｌｄＢの変化が動作電流の何％の増加に相当するかがわ
かる。すなわち、図５に示すように、動作電流に対する
ＡＳＥ出力はほぼ直線的に増加し、ある程度の半導体光
増幅素子１の劣化に対しても、この関係は維持されるこ
とから、ＡＳＥ出力のｌｄＢの変化、すなわち、利得ｌ
ｄＢの変化は、動作電流の何％増加に相当するかを判別
することができる。従って、動作電流の増加からも、利
得低下を監視することが可能である。
【００５０】このように、上述した第１実施形態によれ
ば、キャリア密度に関係するパラメータのうち、特に、
利得変化とＡＳＥ出力変化との相関関係を用いること
で、ＡＳＥ出力低下をモニタするだけで、半導体光増幅
素子１の利得低下を監視することができる。このため、
半導体光増幅素子１の劣化を容易に監視することが可能
となり、光通信システムの保守保全を容易化して、シス
テムの高信頼化を達成することが可能となるとともに、
低コスト化を図ることができる。
ば、キャリア密度に関係するパラメータのうち、特に、
利得変化とＡＳＥ出力変化との相関関係を用いること
で、ＡＳＥ出力低下をモニタするだけで、半導体光増幅
素子１の利得低下を監視することができる。このため、
半導体光増幅素子１の劣化を容易に監視することが可能
となり、光通信システムの保守保全を容易化して、シス
テムの高信頼化を達成することが可能となるとともに、
低コスト化を図ることができる。
【００５１】なお、上述した第１実施形態では、半導体
光増幅器１の動作条件における利得変動と自然放出光の
強度変動との相関関係を、パーソナルコンピュータ５に
記憶しておく方法について説明したが、ＬＡＮやインタ
ーネットなどの通信ネットワークを介して、半導体光増
幅器１の動作条件における利得変動と自然放出光の強度
変動との相関関係を取得するようにしてもよい。
光増幅器１の動作条件における利得変動と自然放出光の
強度変動との相関関係を、パーソナルコンピュータ５に
記憶しておく方法について説明したが、ＬＡＮやインタ
ーネットなどの通信ネットワークを介して、半導体光増
幅器１の動作条件における利得変動と自然放出光の強度
変動との相関関係を取得するようにしてもよい。
【００５２】図８は、本発明の第２実施形態に係る半導
体光増幅器の監視装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図８において、半導体光増幅器２１の監視装置に
は、分波器２３、パワーメータ２４およびパーソナルコ
ンピュータ２５が設けられ、パーソナルコンピュータ２
５には、半導体光増幅器２１の動作条件における利得変
動とＡＳＥピーク波長変動との相関関係が登録された相
関テーブルが設けられている。
体光増幅器の監視装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図８において、半導体光増幅器２１の監視装置に
は、分波器２３、パワーメータ２４およびパーソナルコ
ンピュータ２５が設けられ、パーソナルコンピュータ２
５には、半導体光増幅器２１の動作条件における利得変
動とＡＳＥピーク波長変動との相関関係が登録された相
関テーブルが設けられている。
【００５３】そして、半導体光増幅素子２１には、駆動
電源２２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリア
の反転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光
増幅素子２１に入射すると、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子２１にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器２３に出射
される。そして、分波器２３に出射された増幅光ＬＡ
は、分波器２３にて分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が
出射される。
電源２２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリア
の反転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光
増幅素子２１に入射すると、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子２１にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器２３に出射
される。そして、分波器２３に出射された増幅光ＬＡ
は、分波器２３にて分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が
出射される。
【００５４】そして、分波器２３で分波された分波光Ｌ
Ｄ２は、光スペクトルアナライザ２４に入射され、光ス
ペクトルアナライザ２４にて、分波光ＬＤ２の光スペク
トル分布が測定される。ここで、信号光ＬＳがない場合
には、半導体光増幅素子２１にて自然放出光が増幅され
る。
Ｄ２は、光スペクトルアナライザ２４に入射され、光ス
ペクトルアナライザ２４にて、分波光ＬＤ２の光スペク
トル分布が測定される。ここで、信号光ＬＳがない場合
には、半導体光増幅素子２１にて自然放出光が増幅され
る。
【００５５】このため、光スペクトルアナライザ２４に
はＡＳＥが入射され、ＡＳＥ出力のスペクトル分布が測
定される。そして、光スペクトルアナライザ２４にてＡ
ＳＥピーク波長が測定されると、その測定データがパー
ソナルコンピュータ２５に取り込まれる。また、パーソ
ナルコンピュータ２５は、分波光ＬＤ２の光パワーデー
タを取り込み、その光パワーデータに基づいて、分波光
ＬＤ２が信号光かＡＳＥかを判断する。
はＡＳＥが入射され、ＡＳＥ出力のスペクトル分布が測
定される。そして、光スペクトルアナライザ２４にてＡ
ＳＥピーク波長が測定されると、その測定データがパー
ソナルコンピュータ２５に取り込まれる。また、パーソ
ナルコンピュータ２５は、分波光ＬＤ２の光パワーデー
タを取り込み、その光パワーデータに基づいて、分波光
ＬＤ２が信号光かＡＳＥかを判断する。
【００５６】そして、パーソナルコンピュータ２５は、
分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、分波光ＬＤ２の
ＡＳＥピーク波長を初期値と比較し、ＡＳＥピーク波長
の差分を計算する。そして、利得変動とＡＳＥピーク波
長変動との相関関係を参照することにより、半導体光増
幅素子２１の利得変化を算出する。図９は、本発明の一
実施形態に係る半導体光増幅素子２１の利得変化とＡＳ
Ｅピーク波長変化の相関関係を示す図である。なお、図
９では、半導体光増幅素子２１の動作電流が４０ｍＡで
の利得変化とＡＳＥピーク波長変化の相関関係を示す。
分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、分波光ＬＤ２の
ＡＳＥピーク波長を初期値と比較し、ＡＳＥピーク波長
の差分を計算する。そして、利得変動とＡＳＥピーク波
長変動との相関関係を参照することにより、半導体光増
幅素子２１の利得変化を算出する。図９は、本発明の一
実施形態に係る半導体光増幅素子２１の利得変化とＡＳ
Ｅピーク波長変化の相関関係を示す図である。なお、図
９では、半導体光増幅素子２１の動作電流が４０ｍＡで
の利得変化とＡＳＥピーク波長変化の相関関係を示す。
【００５７】ここで、半導体光増幅素子２１の利得変化
とＡＳＥ出力変化には比例関係があり、利得ｌｄＢの低
下は、ＡＳＥピーク波長１ｎｍの長波長側への変化に相
当することがわかる。従って、半導体光増幅素子２１の
ＡＳＥピーク波長を監視し、図９の相関関係を参照する
ことで、半導体光増幅素子２１の利得の低下の程度を知
ることができる。
とＡＳＥ出力変化には比例関係があり、利得ｌｄＢの低
下は、ＡＳＥピーク波長１ｎｍの長波長側への変化に相
当することがわかる。従って、半導体光増幅素子２１の
ＡＳＥピーク波長を監視し、図９の相関関係を参照する
ことで、半導体光増幅素子２１の利得の低下の程度を知
ることができる。
【００５８】このように、上述した第２実施形態によれ
ば、キャリア密度に関係するパラメータのうち、特に、
利得変化とＡＳＥピーク波長との相関関係を用いること
で、ＡＳＥピーク波長変化をモニタするだけで、半導体
光増幅素子２１の利得低下を監視することができる。こ
のため、半導体光増幅素子２１の劣化を容易に監視する
ことが可能となり、光通信システムの保守保全を容易化
して、システムの高信頼化を達成することが可能となる
とともに、低コスト化を図ることができる。
ば、キャリア密度に関係するパラメータのうち、特に、
利得変化とＡＳＥピーク波長との相関関係を用いること
で、ＡＳＥピーク波長変化をモニタするだけで、半導体
光増幅素子２１の利得低下を監視することができる。こ
のため、半導体光増幅素子２１の劣化を容易に監視する
ことが可能となり、光通信システムの保守保全を容易化
して、システムの高信頼化を達成することが可能となる
とともに、低コスト化を図ることができる。
【００５９】なお、上述した第２実施形態では、半導体
光増幅器２１の動作条件における利得変動と自然放出光
のピーク波長変動との相関関係を、パーソナルコンピュ
ータ２５に記憶しておく方法について説明したが、ＬＡ
Ｎやインターネットなどの通信ネットワークを介して、
半導体光増幅器２１の動作条件における利得変動と自然
放出光のピーク波長変動との相関関係を取得するように
してもよい。
光増幅器２１の動作条件における利得変動と自然放出光
のピーク波長変動との相関関係を、パーソナルコンピュ
ータ２５に記憶しておく方法について説明したが、ＬＡ
Ｎやインターネットなどの通信ネットワークを介して、
半導体光増幅器２１の動作条件における利得変動と自然
放出光のピーク波長変動との相関関係を取得するように
してもよい。
【００６０】図１０は、本発明の第３実施形態に係る半
導体光増幅器の補償化装置の概略構成を示すブロック図
である。図１０において、半導体光増幅器３１の監視装
置には、分波器３３、パワーメータ３４およびパーソナ
ルコンピュータ３５が設けられ、パーソナルコンピュー
タ３５には、半導体光増幅器３１の利得変動とＡＳＥパ
ワー変動との相関関係に加え、半導体光増幅器３１の動
作条件におけるＡＳＥ出力と駆動電流との相関関係が登
録された相関テーブルが設けられている。
導体光増幅器の補償化装置の概略構成を示すブロック図
である。図１０において、半導体光増幅器３１の監視装
置には、分波器３３、パワーメータ３４およびパーソナ
ルコンピュータ３５が設けられ、パーソナルコンピュー
タ３５には、半導体光増幅器３１の利得変動とＡＳＥパ
ワー変動との相関関係に加え、半導体光増幅器３１の動
作条件におけるＡＳＥ出力と駆動電流との相関関係が登
録された相関テーブルが設けられている。
【００６１】ここで、半導体光増幅器３１の動作条件と
しては、例えば、半導体光増幅器３１の駆動電流や、入
力光強度、通電時間などを挙げることができる。そし
て、半導体光増幅素子３１には、駆動電源３２から駆動
電流が供給され、活性領域にキャリアの反転分布が形成
された状態で、信号光ＬＳが半導体光増幅素子３１に入
射すると、信号光ＬＳは半導体光増幅素子３１にて増幅
され、増幅光ＬＡが分波器３３に出射される。そして、
分波器３３に出射された増幅光ＬＡは、分波器３３にて
分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が出射される。
しては、例えば、半導体光増幅器３１の駆動電流や、入
力光強度、通電時間などを挙げることができる。そし
て、半導体光増幅素子３１には、駆動電源３２から駆動
電流が供給され、活性領域にキャリアの反転分布が形成
された状態で、信号光ＬＳが半導体光増幅素子３１に入
射すると、信号光ＬＳは半導体光増幅素子３１にて増幅
され、増幅光ＬＡが分波器３３に出射される。そして、
分波器３３に出射された増幅光ＬＡは、分波器３３にて
分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が出射される。
【００６２】そして、分波器３３で分波された分波光Ｌ
Ｄ２は、パワーメータ３４に入射され、パワーメータ３
４にて分波光ＬＤ２の光出力強度が測定される。ここ
で、信号光ＬＳがない場合には、半導体光増幅素子３１
にて自然放出光が増幅される。このため、パワーメータ
３４にはＡＳＥが入射され、ＡＳＥ出力強度が測定され
る。
Ｄ２は、パワーメータ３４に入射され、パワーメータ３
４にて分波光ＬＤ２の光出力強度が測定される。ここ
で、信号光ＬＳがない場合には、半導体光増幅素子３１
にて自然放出光が増幅される。このため、パワーメータ
３４にはＡＳＥが入射され、ＡＳＥ出力強度が測定され
る。
【００６３】そして、パワーメータ３４にて分波光ＬＤ
２の光出力強度が測定されると、その測定データがパー
ソナルコンピュータ３５に取り込まれる。パーソナルコ
ンピュータ３５は、分波光ＬＤ２の光出力強度の測定デ
ータを取り込むと、例えば、分波光ＬＤ２の光パワーを
用いて、信号光かＡＳＥかを判断する。
２の光出力強度が測定されると、その測定データがパー
ソナルコンピュータ３５に取り込まれる。パーソナルコ
ンピュータ３５は、分波光ＬＤ２の光出力強度の測定デ
ータを取り込むと、例えば、分波光ＬＤ２の光パワーを
用いて、信号光かＡＳＥかを判断する。
【００６４】そして、パーソナルコンピュータ３５は、
分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥパワーを
初期値と比較し、ＡＳＥパワーの差分を計算する。そし
て、利得変動とＡＳＥパワー変動との相関関係を参照す
ることにより、半導体光増幅素子３１の利得変化を算出
し、半導体光増幅素子３１の劣化の程度を見積もる。さ
らに、パーソナルコンピュータ３５は、ＡＳＥ出力と駆
動電流との相関関係を参照し、ＡＳＥパワーの差分がゼ
ロになるまで、駆動電源３２の電流を増加させる。
分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥパワーを
初期値と比較し、ＡＳＥパワーの差分を計算する。そし
て、利得変動とＡＳＥパワー変動との相関関係を参照す
ることにより、半導体光増幅素子３１の利得変化を算出
し、半導体光増幅素子３１の劣化の程度を見積もる。さ
らに、パーソナルコンピュータ３５は、ＡＳＥ出力と駆
動電流との相関関係を参照し、ＡＳＥパワーの差分がゼ
ロになるまで、駆動電源３２の電流を増加させる。
【００６５】これにより、半導体光増幅素子３１のＡＳ
Ｅ出力を一定に保つことができ、利得も一定に保持する
ことが可能となることから、導体光増幅素子３１が劣化
した場合においても、導体光増幅素子３１の寿命の延長
を図ることができる。図１１は、本発明の第３実施形態
に係る半導体光増幅器の補償化方法を示す図である。
Ｅ出力を一定に保つことができ、利得も一定に保持する
ことが可能となることから、導体光増幅素子３１が劣化
した場合においても、導体光増幅素子３１の寿命の延長
を図ることができる。図１１は、本発明の第３実施形態
に係る半導体光増幅器の補償化方法を示す図である。
【００６６】図１１において、半導体光増幅素子３１の
通電時間（例えば、０ｈ、３００ｈ、１７００ｈ、３２
３７ｈ）が増加すると、ＡＳＥ出力が減少し、例えば、
ＡＳＥ出力が５ｍＷの条件で、半導体光増幅素子３１を
３００ｈだけ動作させると、ＡＳＥ出力が５ｍＷ→４ｍ
Ｗ（１ｄＢ相当）に低下することがわかる。一方、図７
の関係を参照することにより、ＡＳＥ出力の１ｄＢの変
化は、利得１ｄＢの変化に対応することがわかる。
通電時間（例えば、０ｈ、３００ｈ、１７００ｈ、３２
３７ｈ）が増加すると、ＡＳＥ出力が減少し、例えば、
ＡＳＥ出力が５ｍＷの条件で、半導体光増幅素子３１を
３００ｈだけ動作させると、ＡＳＥ出力が５ｍＷ→４ｍ
Ｗ（１ｄＢ相当）に低下することがわかる。一方、図７
の関係を参照することにより、ＡＳＥ出力の１ｄＢの変
化は、利得１ｄＢの変化に対応することがわかる。
【００６７】このため、例えば、１ｄＢの利得変化を補
償するには、ＡＳＥ出力を１ｄＢｂだけ上昇させて、Ａ
ＳＥ出力を５ｍＷに戻せばよく、通電時間が３００ｈの
時に、ＡＳＥ出力を５ｍＷにするには、図１１の関係か
ら、動作電流を初期値から１３％だけ増加させればよい
ことがわかる。この結果、パーソナルコンピュータ３５
は、通電時間が３００ｈの時に、動作電流が初期値から
１３％だけ増加するように、駆動電源３２を制御するこ
とにより、半導体光増幅素子３１の利得を一定に維持す
ることができる。
償するには、ＡＳＥ出力を１ｄＢｂだけ上昇させて、Ａ
ＳＥ出力を５ｍＷに戻せばよく、通電時間が３００ｈの
時に、ＡＳＥ出力を５ｍＷにするには、図１１の関係か
ら、動作電流を初期値から１３％だけ増加させればよい
ことがわかる。この結果、パーソナルコンピュータ３５
は、通電時間が３００ｈの時に、動作電流が初期値から
１３％だけ増加するように、駆動電源３２を制御するこ
とにより、半導体光増幅素子３１の利得を一定に維持す
ることができる。
【００６８】このように、上述した第３実施形態によれ
ば、半導体光増幅素子３１の劣化の程度をＡＳＥ出力変
化から見積もるとともに、駆動電流を増加させて半導体
光増幅素子３１の劣化分を補償することで、半導体光増
幅素子３１の長寿命化が可能となり、光通信システムの
信頼性向上を図りつつ、光通信システムのコストダウン
を図ることが可能となる。
ば、半導体光増幅素子３１の劣化の程度をＡＳＥ出力変
化から見積もるとともに、駆動電流を増加させて半導体
光増幅素子３１の劣化分を補償することで、半導体光増
幅素子３１の長寿命化が可能となり、光通信システムの
信頼性向上を図りつつ、光通信システムのコストダウン
を図ることが可能となる。
【００６９】図１２は、本発明の第４実施形態に係る半
導体光増幅器の補償化装置の概略構成を示すブロック図
である。図１２において、半導体光増幅素子４１の監視
装置には、分波器４３、パワーメータ４４およびパーソ
ナルコンピュータ４５が設けられ、パーソナルコンピュ
ータ４５には、半導体光増幅素子４１の利得変動とＡＳ
Ｅピーク波長変動との相関関係に加え、半導体光増幅素
子４１のＡＳＥピーク波長と駆動電流との相関関係が登
録された相関テーブルが設けられている。
導体光増幅器の補償化装置の概略構成を示すブロック図
である。図１２において、半導体光増幅素子４１の監視
装置には、分波器４３、パワーメータ４４およびパーソ
ナルコンピュータ４５が設けられ、パーソナルコンピュ
ータ４５には、半導体光増幅素子４１の利得変動とＡＳ
Ｅピーク波長変動との相関関係に加え、半導体光増幅素
子４１のＡＳＥピーク波長と駆動電流との相関関係が登
録された相関テーブルが設けられている。
【００７０】そして、半導体光増幅素子４１には、駆動
電源４２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリア
の反転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光
増幅素子４１に入射すると、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子４１にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器４３に出射
される。そして、分波器４３に出射された増幅光ＬＡ
は、分波器４３にて分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が
出射される。
電源４２から駆動電流が供給され、活性領域にキャリア
の反転分布が形成された状態で、信号光ＬＳが半導体光
増幅素子４１に入射すると、信号光ＬＳが半導体光増幅
素子４１にて増幅され、増幅光ＬＡが分波器４３に出射
される。そして、分波器４３に出射された増幅光ＬＡ
は、分波器４３にて分波され、分波光ＬＤ１、ＬＤ２が
出射される。
【００７１】そして、分波器４３で分波された分波光Ｌ
Ｄ２は、光スペクトラムアナライザ４４に入射され、光
スペクトラムアナライザ４４にて、分波光ＬＤ２の光ス
ペクトル分布が測定される。ここで、信号光ＬＳがない
場合には、半導体光増幅素子４１にて自然放出光が増幅
される。
Ｄ２は、光スペクトラムアナライザ４４に入射され、光
スペクトラムアナライザ４４にて、分波光ＬＤ２の光ス
ペクトル分布が測定される。ここで、信号光ＬＳがない
場合には、半導体光増幅素子４１にて自然放出光が増幅
される。
【００７２】このため、光スペクトラムアナライザ４４
にはＡＳＥが入射され、ＡＳＥピーク波長が測定され
る。そして、光スペクトラムアナライザ４４にて分波光
ＬＤ２のＡＳＥピーク波長が測定されると、その測定デ
ータがパーソナルコンピュータ４５に取り込まれる。
にはＡＳＥが入射され、ＡＳＥピーク波長が測定され
る。そして、光スペクトラムアナライザ４４にて分波光
ＬＤ２のＡＳＥピーク波長が測定されると、その測定デ
ータがパーソナルコンピュータ４５に取り込まれる。
【００７３】また、パーソナルコンピュータ４５は、分
波光ＬＤ２の光出力強度の測定データを取り込み、例え
ば、分波光ＬＤ２の光パワーを用いて、信号光かＡＳＥ
かを判断する。そして、パーソナルコンピュータ４５
は、分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥピー
ク波長を初期値と比較し、ＡＳＥピーク波長の差分を計
算する。そして、利得変動とＡＳＥピーク波長変動との
相関関係を参照することにより、半導体光増幅素子４１
の利得変化を算出し、半導体光増幅素子４１の劣化の程
度を見積もる。
波光ＬＤ２の光出力強度の測定データを取り込み、例え
ば、分波光ＬＤ２の光パワーを用いて、信号光かＡＳＥ
かを判断する。そして、パーソナルコンピュータ４５
は、分波光ＬＤ２がＡＳＥと判断した場合、ＡＳＥピー
ク波長を初期値と比較し、ＡＳＥピーク波長の差分を計
算する。そして、利得変動とＡＳＥピーク波長変動との
相関関係を参照することにより、半導体光増幅素子４１
の利得変化を算出し、半導体光増幅素子４１の劣化の程
度を見積もる。
【００７４】さらに、パーソナルコンピュータ４５は、
ＡＳＥピーク波長と駆動電流との相関関係を参照し、Ａ
ＳＥピーク波長の差分がゼロになるまで、駆動電源４２
の電流を増加させる。これにより、半導体光増幅素子４
１のＡＳＥピーク波長を一定に保つことができ、利得も
一定に保持することが可能となることから、導体光増幅
素子４１が劣化した場合においても、導体光増幅素子４
１の寿命の延長を図ることができる。
ＡＳＥピーク波長と駆動電流との相関関係を参照し、Ａ
ＳＥピーク波長の差分がゼロになるまで、駆動電源４２
の電流を増加させる。これにより、半導体光増幅素子４
１のＡＳＥピーク波長を一定に保つことができ、利得も
一定に保持することが可能となることから、導体光増幅
素子４１が劣化した場合においても、導体光増幅素子４
１の寿命の延長を図ることができる。
【００７５】このように、上述した第４実施形態によれ
ば、半導体光増幅素子４１の劣化の程度をＡＳＥピーク
波長変化から見積もるとともに、駆動電流を増加させて
半導体光増幅素子４１の劣化分を補償することで、半導
体光増幅素子４１の長寿命化が可能となり、光通信シス
テムの信頼性向上を図りつつ、光通信システムのコスト
ダウンを図ることが可能となる。
ば、半導体光増幅素子４１の劣化の程度をＡＳＥピーク
波長変化から見積もるとともに、駆動電流を増加させて
半導体光増幅素子４１の劣化分を補償することで、半導
体光増幅素子４１の長寿命化が可能となり、光通信シス
テムの信頼性向上を図りつつ、光通信システムのコスト
ダウンを図ることが可能となる。
【００７６】なお、上述した実施形態では、半導体光増
幅器の利得変化を見積もるために、ＡＳＥパワーを用い
る方法とＡＳＥピーク波長を用いる方法を例にとって説
明したが、ＡＳＥパワーまたはＡＳＥピーク波長以外に
も、キャリア密度に関係するパラメータならば何でもよ
く、例えば、ＡＳＥ平均波長などを用いるようにしても
よい。
幅器の利得変化を見積もるために、ＡＳＥパワーを用い
る方法とＡＳＥピーク波長を用いる方法を例にとって説
明したが、ＡＳＥパワーまたはＡＳＥピーク波長以外に
も、キャリア密度に関係するパラメータならば何でもよ
く、例えば、ＡＳＥ平均波長などを用いるようにしても
よい。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光増幅器からの出射光を監視することで、半導体光増幅
素子の利得変化分を容易に算出することが可能となり、
半導体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可
能となることから、光通信システム全体の信頼性を向上
させることが可能となる。
光増幅器からの出射光を監視することで、半導体光増幅
素子の利得変化分を容易に算出することが可能となり、
半導体光増幅素子の特性劣化を容易に判別することが可
能となることから、光通信システム全体の信頼性を向上
させることが可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体光増幅器の
監視装置の概略構成を示すブロック図である。
監視装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の電
流−利得特性を示す図である。
流−利得特性を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の電
流−ＡＳＥ出力特性を示す図である。
流−ＡＳＥ出力特性を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の利
得の経時変化を示す図である。
得の経時変化を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器のＡ
ＳＥ出力特性の経時変化を示す図である。
ＳＥ出力特性の経時変化を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の利
得変化とＡＳＥ出力変化の相関関係を示す図である。
得変化とＡＳＥ出力変化の相関関係を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る半導体光増幅器の
監視装置の概略構成を示すブロック図である。
監視装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体光増幅器の利
得変化とＡＳＥピーク波長変化の相関関係を示す図であ
る。
得変化とＡＳＥピーク波長変化の相関関係を示す図であ
る。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る半導体光増幅器
の補償化装置の概略構成を示すブロック図である。
の補償化装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る半導体光増幅器
の補償化方法を示す図である。
の補償化方法を示す図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る半導体光増幅器
の補償化装置の概略構成を示すブロック図である。
の補償化装置の概略構成を示すブロック図である。
１、２１、３１、４１ 半導体光増幅素子
２、２２、３２、４２ 駆動電源
３、２３、３３、４３ 分波器
４、３４ パワーメータ
５、２５、３５、４５ パーソナルコンピュータ
ＬＳ 信号光
ＬＡ 増幅光
ＬＤ１、ＬＤ２ 分波光
１１ ｎ−ＩｎＰクラッド層
１２ ＩｎＧａＡｓＰ活性層
１３ ｐ−ＩｎＰクラッド層
１４ ｎ側電極
１５ ｐ側電極
１６、１７ 反射防止膜
ＬＩ 入射光
ＬＯ 出射光
２４、４４ 光スペクトルアナライザ
フロントページの続き
(72)発明者 曲 克明
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
Ｆターム(参考） 5F072 AB13 HH02 JJ09 RR01 YY17
5F073 AA02 AA83 BA02 CA12 EA03
EA15 FA01 GA13 HA05 HA08
5K102 AA13 LA07 LA12 PH11
Claims (17)
- 【請求項１】 光増幅器の自然放出光の強度変動を検出
する強度変動検出手段と、 前記強度変動検出手段により検出された自然放出光の強
度変動に基づいて、光増幅器の利得を監視する利得監視
手段とを備えることを特徴とする光増幅器の監視装置。 - 【請求項２】 光増幅器の利得変動と自然放出光の強度
変動との相関関係が登録された相関テーブルをさらに備
え、 前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結果に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出することを特徴
とする請求項１記載の光増幅器の監視装置。 - 【請求項３】 光増幅器の自然放出光のピーク波長変動
を検出するピーク波長変動検出手段と、 前記ピーク波長変動検出手段により検出された自然放出
光のピーク波長変動に基づいて、光増幅器の利得を監視
する利得監視手段とを備えることを特徴とする光増幅器
の監視装置。 - 【請求項４】 光増幅器の利得変動と自然放出光のピー
ク波長変動との相関関係が登録された相関テーブルをさ
らに備え、 前記利得監視手段は、前記相関テーブルの参照結果に基
づいて、前記光増幅器の利得変動を算出することを特徴
とする請求項３記載の光増幅器の監視装置。 - 【請求項５】 光増幅器からの出射光の強度を検出する
強度検出手段と、 前記強度検出手段により検出された出射光の強度に基づ
いて、自然放出光か、増幅信号光かを判断する自然放出
光判断手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜
４のいずれか１項記載の光増幅器の監視装置。 - 【請求項６】 光増幅器の自然放出光の強度変動を検出
する強度変動検出手段と、 前記強度変動検出手段により検出された自然放出光の強
度変動に基づいて、光増幅器の駆動電流を制御する駆動
電流制御手段とを備えることを特徴とする光増幅器の補
償化装置。 - 【請求項７】 光増幅器の自然放出光の強度変動に基づ
いて、前記光増幅器の利得の変動分を算出する利得変動
算出手段と、 前記光増幅器の利得の変動分を補償するための駆動電流
値を算出する駆動電流算出手段とをさらに備え、 前記駆動電流制御手段は、前記駆動電流算出手段により
算出された駆動電流値に基づいて、前記光増幅器を駆動
することを特徴とする請求項６記載の光増幅器の補償化
装置。 - 【請求項８】 光増幅器の自然放出光のピーク波長変動
を検出するピーク波長変動検出手段と、 前記ピーク波長変動検出手段により検出された自然放出
光のピーク波長変動に基づいて、光増幅器の駆動電流を
制御する駆動電流制御手段とを備えることを特徴とする
光増幅器の補償化装置。 - 【請求項９】 光増幅器の自然放出光のピーク波長変動
に基づいて、前記光増幅器の利得の変動分を算出する利
得変動算出手段と、 前記光増幅器の利得の変動分を補償するための駆動電流
値を算出する駆動電流算出手段とをさらに備え、 前記駆動電流制御手段は、前記駆動電流算出手段により
算出された駆動電流値に基づいて、前記光増幅器を駆動
することを特徴とする請求項８記載の光増幅器の補償化
装置。 - 【請求項１０】 光増幅器からの出射光の強度を検出す
るステップと、 前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自然放出光
か、増幅信号光かを判断するステップと、 前記自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出す
るステップと、 前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記光増幅器の
利得変動を算出するステップとを備えることを特徴とす
る光増幅器の監視方法。 - 【請求項１１】 光増幅器からの出射光の強度を検出す
るステップと、 前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自然放出光
か、増幅信号光かを判断するステップと、 前記自然放出光と判断された出射光のピーク波長変動を
検出するステップと、 前記自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増
幅器の利得変動を算出するステップとを備えることを特
徴とする光増幅器の監視方法。 - 【請求項１２】 光増幅器からの出射光の強度を検出す
るステップと、 前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自然放出光
か、増幅信号光かを判断するステップと、 前記自然放出光と判断された出射光の強度変動を検出す
るステップと、 前記自然放出光の強度変動に基づいて、前記光増幅器の
利得変動を算出するステップと、 前記光増幅器の利得変動に対応する電流値の差分を算出
するステップと、 前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を増加さ
せるステップとを備えることを特徴とする光増幅器の補
償化方法。 - 【請求項１３】 光増幅器からの出射光の強度を検出す
るステップと、 前記出射光の強度の検出結果に基づいて、自然放出光
か、増幅信号光かを判断するステップと、 前記自然放出光と判断された出射光のピーク波長変動を
検出するステップと、 前記自然放出光のピーク波長変動に基づいて、前記光増
幅器の利得変動を算出するステップと、 前記光増幅器の利得変動に対応する電流値の差分を算出
するステップと、 前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を増加さ
せるステップとを備えることを特徴とする光増幅器の補
償化方法。 - 【請求項１４】 光増幅器から出射された自然放出光の
強度変動データを取得するステップと、 前記自然放出光の強度変動データに基づいて、前記光増
幅器の利得変動値を算出するステップとをコンピュータ
に実行させることを特徴とする光増幅器の監視プログラ
ム。 - 【請求項１５】 光増幅器から出射された自然放出光の
ピーク波長変動データを取得するステップと、 前記自然放出光のピーク波長変動データに基づいて、前
記光増幅器の利得変動値を算出するステップとをコンピ
ュータに実行させることを特徴とする光増幅器の監視プ
ログラム。 - 【請求項１６】 光増幅器から出射された自然放出光の
強度変動データを取得するステップと、 前記自然放出光の強度変動データに基づいて、前記光増
幅器の利得変動値を算出するステップと、 前記光増幅器の利得変動値に対応する電流値の差分を算
出するステップと、 前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を増加さ
せるステップとをコンピュータに実行させることを特徴
とする光増幅器の補償化プログラム。 - 【請求項１７】 光増幅器から出射された自然放出光の
ピーク波長変動データを取得するステップと、 前記自然放出光のピーク波長変動データに基づいて、前
記光増幅器の利得変動値を算出するステップと、 前記光増幅器の利得変動値に対応する電流値の差分を算
出するステップと、 前記電流値の差分だけ前記光増幅器の駆動電流を増加さ
せるステップとをコンピュータに実行させることを特徴
とする光増幅器の補償化プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052047A JP3953837B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052047A JP3953837B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラム |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258386A true JP2003258386A (ja) | 2003-09-12 |
| JP3953837B2 JP3953837B2 (ja) | 2007-08-08 |
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| JP2002052047A Expired - Fee Related JP3953837B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010161263A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Fujitsu Ltd | 光増幅器、制御回路、および光増幅器の制御方法 |
| JP2011108850A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fujitsu Ltd | 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法 |
| JP2015115556A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ装置、光アンプおよび判定方法 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002052047A patent/JP3953837B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8472110B2 (en) | 2009-01-09 | 2013-06-25 | Fujitsu Limited | Optical amplifier, control circuit, and method of controlling optical amplifier |
| JP2011108850A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fujitsu Ltd | 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法 |
| US8564878B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-10-22 | Fujitsu Limited | Optical amplifier, control circuit, and optical amplifier control method |
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