JP2003255392A - Reflection type liquid crystal display - Google Patents

Reflection type liquid crystal display

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JP2003255392A
JP2003255392A JP2002052142A JP2002052142A JP2003255392A JP 2003255392 A JP2003255392 A JP 2003255392A JP 2002052142 A JP2002052142 A JP 2002052142A JP 2002052142 A JP2002052142 A JP 2002052142A JP 2003255392 A JP2003255392 A JP 2003255392A
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display electrode
liquid crystal
reflective
electrode
crystal display
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Application number
JP2002052142A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Furukawa
雅行 古河
Isao Akima
勇夫 秋間
Takao Yoshimura
岳雄 吉村
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems in a reflection type LCD (liquid crystal display) that, when a reflection display electrode of the LCD is flat, light is reflected in a fixed direction and hence the viewing angle cannot be broadened and, moreover, that a TFT (thin film transistor) and the reflection display electrode comes in contact at a single spot and hence contact failures are brought about in the LCD. <P>SOLUTION: In this reflection type liquid crystal display, a plurality of contact parts of the reflection display electrode and the TFT for driving a pixel are provided almost over the whole surface of the reflection display electrode. As a result, since the surface of the display electrode is made to have an uneven cross-sectional shape, incoming light is reflected to many directions to broaden the viewing angle. Moreover, contact failures are reduced and pixels are prevented from becoming defective. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以
下、「TFT」と称する。)を用い、このTFTに接続
された反射表示電極を備えた反射型液晶表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") as a switching element and having a reflective display electrode connected to the TFT. .

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置には背面からの光を透過さ
せて表示する透過型と、観察者側から入射した光を反射
表示電極にて反射させて表示する反射型とがある。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are classified into a transmissive type in which light from the back surface is transmitted and displayed, and a reflective type in which light incident from the viewer side is reflected by a reflective display electrode for display.

【0003】以下に、従来の表示装置について、TFT
を備えた反射型液晶表示装置を例に説明する。図5に従
来の反射型液晶表示装置の表示画素領域近傍の平面図を
示す。行方向に複数配置されたゲート信号線151と、
列方向に複数配置されたドレイン信号線152との交差
点付近にTFTが設けられている。TFTは、能動層1
13とゲート電極111より構成される。ゲート電極1
11はゲート信号線151の一部に一体的に接続され、
ゲート信号線151を介してゲート信号が供給される。
能動層113のドレイン113dは、ドレイン信号線1
52の一部であるドレイン電極116にコンタクトを介
して接続され、ドレイン信号線152を介して映像信号
であるドレイン信号が供給される。能動層のソース11
3sはコンタクトCTを介して反射表示電極120に接
続されている。
In the following, regarding the conventional display device, the TFT
An example of a reflective liquid crystal display device provided with will be described. FIG. 5 shows a plan view in the vicinity of a display pixel region of a conventional reflective liquid crystal display device. A plurality of gate signal lines 151 arranged in the row direction,
TFTs are provided near the intersections with the drain signal lines 152 arranged in the column direction. TFT is the active layer 1
13 and the gate electrode 111. Gate electrode 1
11 is integrally connected to a part of the gate signal line 151,
A gate signal is supplied via the gate signal line 151.
The drain 113d of the active layer 113 is the drain signal line 1
A drain signal, which is a video signal, is supplied to the drain electrode 116, which is a part of the reference numeral 52, via a contact and a drain signal line 152. Source 11 of active layer
3s is connected to the reflective display electrode 120 via the contact CT.

【0004】図6に図5中のC−C線に沿った断面図を
示す。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板110上に、島状の多結晶シリコン膜からなる能動
層113、SiN膜及びSiO2膜から成るゲート絶縁
膜112、及びCr、Mo等の高融点金属からなるゲー
ト電極111が順に形成されている。能動層113に
は、ゲート電極111下方のチャネル113cと、その
チャネル113cの両側にイオン注入されて形成された
ソース113s及びドレイン113dとが設けられてい
る。以上がTFTの構成である。
FIG. 6 shows a sectional view taken along the line CC in FIG. On an insulating substrate 110 made of quartz glass, alkali-free glass or the like, an active layer 113 made of an island-shaped polycrystalline silicon film, a gate insulating film 112 made of a SiN film and a SiO2 film, and a refractory metal such as Cr or Mo. A gate electrode 111 made of is sequentially formed. The active layer 113 is provided with a channel 113c below the gate electrode 111, and a source 113s and a drain 113d formed by ion implantation on both sides of the channel 113c. The above is the configuration of the TFT.

【0005】そして、ゲート絶縁膜112、能動層11
3上の全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜が積
層された層間絶縁膜115が形成されている。その層間
絶縁膜115に設けたコンタクトホールにドレイン11
3dに対応した位置にAl単体、あるいはMo及びAl
を順に積層した金属を充填してなるドレイン電極11
6、ドレイン信号線152が形成されている。そして全
面に例えば有機樹脂からなる平坦化絶縁膜119が形成
されている。平坦化絶縁膜119、層間絶縁膜115の
ソース113sに対応した位置にコンタクトホールCT
が設けられ、Al等の反射導電材料から成る反射表示電
極120がソース113sと接続されている。その上に
は液晶136を配向させる配向膜121が形成されてい
る。なお、図5において、反射表示電極120はわかり
やすくするために点線で示しているが、その形成する位
置は図6に示すように平坦化絶縁膜119の上層であ
る。以上がTFTを備えた絶縁性基板110の構成であ
る。
Then, the gate insulating film 112 and the active layer 11 are formed.
An interlayer insulating film 115 in which a SiO2 film, a SiN film, and a SiO2 film are laminated is formed on the entire surface of 3. The drain 11 is formed in the contact hole provided in the interlayer insulating film 115.
Al alone or Mo and Al at the position corresponding to 3d
A drain electrode 11 formed by filling a metal in which
6, the drain signal line 152 is formed. Then, a flattening insulating film 119 made of, for example, an organic resin is formed on the entire surface. A contact hole CT is formed at a position corresponding to the source 113s of the planarization insulating film 119 and the interlayer insulating film 115.
And a reflective display electrode 120 made of a reflective conductive material such as Al is connected to the source 113s. An alignment film 121 that aligns the liquid crystal 136 is formed thereon. In FIG. 5, the reflective display electrode 120 is shown by a dotted line for easy understanding, but the position where it is formed is the upper layer of the planarization insulating film 119 as shown in FIG. The above is the configuration of the insulating substrate 110 including the TFT.

【0006】絶縁性基板110に対向電極基板130が
対向配置される。対向電極基板130は、液晶136を
配置する側に赤(R)、緑(G)、青(B)等の各色を
呈するカラーフィルター131、対向電極132及び配
向膜133を備え、その反対側の基板130上には位相
差板134及び偏光板135を備えている。
A counter electrode substrate 130 is arranged opposite to the insulating substrate 110. The counter electrode substrate 130 is provided with a color filter 131 showing each color such as red (R), green (G), and blue (B), a counter electrode 132, and an alignment film 133 on the side where the liquid crystal 136 is arranged, and on the opposite side. A retardation plate 134 and a polarizing plate 135 are provided on the substrate 130.

【0007】絶縁性基板110と対向電極基板130と
を周辺をシール接着剤(不図示)により接着し、形成さ
れた空隙に液晶136を充填して液晶表示装置が完成す
る。
The insulative substrate 110 and the counter electrode substrate 130 are adhered to each other by a seal adhesive (not shown) around the periphery, and the formed voids are filled with the liquid crystal 136 to complete the liquid crystal display device.

【0008】図6において、外部から入射される自然光
101は、矢印で示すように、観察者100側の位相差
板135から入射し、偏光板134、対向電極基板13
0、カラーフィルタ131、対向電極132、配向膜1
33、液晶136、TFT基板110上の配向膜121
を透過して反射表示電極120で反射され、再び対向電
極基板130上の位相差板135から出射し観察者10
0の目に入る。
In FIG. 6, the natural light 101 incident from the outside is incident from the retardation plate 135 on the side of the observer 100, as shown by the arrow, and the polarizing plate 134 and the counter electrode substrate 13 are provided.
0, color filter 131, counter electrode 132, alignment film 1
33, liquid crystal 136, alignment film 121 on the TFT substrate 110
Is reflected by the reflective display electrode 120 and again emitted from the phase difference plate 135 on the counter electrode substrate 130.
Enter the 0s.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の液晶
表示装置の場合、反射表示電極が平坦であるため、反射
光もある特定の角度で出射されることになり、表示を観
察できる範囲、すなわち視野角が狭くなるという欠点が
あった。
By the way, in the case of the conventional liquid crystal display device, since the reflective display electrode is flat, the reflected light is also emitted at a certain angle. It has the drawback of narrowing the viewing angle.

【0010】また、画素は開口部を大きくする必要から
TFTのp−Siをできるだけ小さくし、画素電極とT
FTとのコンタクトCTは1画素内に1箇所であった。
このため、製造工程中におけるダストやマスクあわせず
れなどでコンタクト不良が起こりやすく、画素欠陥が多
くなる問題があった。
Since it is necessary to make the opening of the pixel large, the p-Si of the TFT is made as small as possible, and the pixel electrode and T
There was one contact CT with the FT in one pixel.
For this reason, there is a problem that contact defects are likely to occur due to dust, misalignment of the mask during the manufacturing process, and the number of pixel defects increases.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされ、第1に、絶縁性基板上に、複数のゲート信
号線と複数のドレイン信号線が互いに交差して配置さ
れ、前記両信号線に接続された薄膜トランジスタと、該
薄膜トランジスタに接続され反射材料から成る反射表示
電極とを備えた表示装置であって、前記反射表示電極と
前記薄膜トランジスタとのコンタクトを複数設け、前記
反射表示電極表面を凹凸形状とすることにより解決する
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems. First, a plurality of gate signal lines and a plurality of drain signal lines are arranged on an insulating substrate so as to intersect each other. A display device comprising a thin film transistor connected to both signal lines and a reflective display electrode connected to the thin film transistor and made of a reflective material, wherein a plurality of contacts between the reflective display electrode and the thin film transistor are provided, and the reflective display electrode is provided. This is solved by making the surface uneven.

【0012】上記の構造の如く反射型液晶表示装置で
は、基板下方に設けられた照明装置からの光を透明電極
で透過させて観察する透過型液晶表示装置と異なり、画
素電極の全面が利用できる。つまり、コンタクト数を多
くし、コンタクト面積を大きくしても開口率には影響が
ない。反射表示電極は、半導体層とコンタクトするため
コンタクトの位置が凹み、表面が凹凸形状となる。この
コンタクトを複数設けることで、複数の凹凸を設け、入
射角を多方向に反射することができ、反射型液晶表示装
置の表示を観察できる範囲、即ち視野角を広くすること
ができる。凹凸はコンタクトを形成するのと同時に形成
されるので、別途凹凸を形成するためのプロセスは不要
であり、低コストで視野角の広い反射型液晶表示装置を
製造することができる。更に、コンタクト数が増えるの
で、コンタクト不良を低減できる特徴がある。
In the reflective liquid crystal display device having the above structure, the entire surface of the pixel electrode can be used, unlike the transmissive liquid crystal display device in which the light from the illuminating device provided under the substrate is transmitted through the transparent electrode for observation. . That is, increasing the number of contacts and increasing the contact area does not affect the aperture ratio. Since the reflective display electrode is in contact with the semiconductor layer, the position of the contact is recessed and the surface has an uneven shape. By providing a plurality of these contacts, a plurality of concavities and convexities can be provided, and the incident angle can be reflected in multiple directions, and the range in which the display of the reflective liquid crystal display device can be observed, that is, the viewing angle can be widened. Since the unevenness is formed at the same time when the contact is formed, a separate process for forming the unevenness is unnecessary, and a reflective liquid crystal display device having a wide viewing angle can be manufactured at low cost. Further, since the number of contacts increases, there is a feature that contact defects can be reduced.

【0013】また、前記コンタクトは前記反射表示電極
ほぼ全面にわたって設けられることを特徴とするもので
ある。
The contact is provided over substantially the entire surface of the reflective display electrode.

【0014】これにより、それぞれの方向に均等に光を
反射する事ができる。
Thus, light can be reflected uniformly in each direction.

【0015】また、前記薄膜トランジスタを構成する半
導体層を前記反射表示電極下ほぼ全面に設けることを特
徴とするものである。
A semiconductor layer forming the thin film transistor is provided on substantially the entire surface below the reflective display electrode.

【0016】また、前記反射表示電極および前記半導体
層は前記ドレイン信号線と同層に設けられたパッドを介
してコンタクトすることを特徴とするものである。
Further, the reflective display electrode and the semiconductor layer are in contact with each other through a pad provided in the same layer as the drain signal line.

【0017】更に、前記反射表示電極および前記半導体
層は前記ゲート信号線と同層に設けられたパッドを介し
てコンタクトすることを特徴とするものである。
Further, the reflective display electrode and the semiconductor layer are in contact with each other through a pad provided in the same layer as the gate signal line.

【0018】パッドを形成する層を適切に選択すること
により、反射表示電極の凹凸深さを適切に設定でき、凹
凸の頂点と底面とで光の光路差が著しく異なることを防
止し、良好な表示を実現できる。
By appropriately selecting the layer forming the pad, the depth of the unevenness of the reflective display electrode can be appropriately set, and it is possible to prevent the optical path difference of the light from being remarkably different between the apex and the bottom of the unevenness. Display can be realized.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下に本発明の第1の実施形態に
かかる反射型液晶表示装置について説明する。図1に本
発明の反射型液晶表示装置の表示画素領域付近の平面図
を示す。行方向に複数配置されたゲート信号線51と、
列方向に複数配置されたドレイン信号線52との交差点
付近にTFTが設けられている。TFTは、能動層13
とゲート電極11より構成される。ゲート電極11はゲ
ート信号線51の一部に一体的に接続され、ゲート信号
線51を介してゲート信号が供給される。能動層13の
ドレイン13dは、ドレイン信号線52の一部であるド
レイン電極16にコンタクトを介して接続され、ドレイ
ン信号線52を介して映像信号であるドレイン信号が供
給される。能動層のソース13sはコンタクト17を介
して反射表示電極20に接続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing the vicinity of a display pixel area of a reflective liquid crystal display device of the present invention. A plurality of gate signal lines 51 arranged in the row direction,
TFTs are provided near the intersections with the drain signal lines 52 arranged in the column direction. The TFT has an active layer 13
And a gate electrode 11. The gate electrode 11 is integrally connected to a part of the gate signal line 51, and a gate signal is supplied via the gate signal line 51. The drain 13d of the active layer 13 is connected to the drain electrode 16 which is a part of the drain signal line 52 through a contact, and the drain signal which is a video signal is supplied through the drain signal line 52. The source 13s of the active layer is connected to the reflective display electrode 20 via the contact 17.

【0020】本実施形態の特徴的な点は、反射表示電極
20と接続するTFTの能動層13、特にソース13s
が反射表示電極20下ほぼ全面に延在し、反射表示電極
とTFTとのコンタクトホール17を多数個設けたこと
にある。コンタクトホール17は反射表示電極20ほぼ
全面に渡って多数個配置されるので、1つのコンタクト
がダストなどの原因で導通不良となっても、他のコンタ
クトが良好であれば、TFTと反射表示電極20の導通
がなくなることがない。従って、コンタクト不良を低減
し、画素欠陥を大幅に低減することができる。このコン
タクトホール17上の反射表示電極表面は凹凸形状とな
り、入射した光を多方向に反射することができ、広い視
野角が得られる。本実施形態では、図の如く、円形のコ
ンタクトホールをマトリクス状に配列した。更に、後に
詳述するが、コンタクトホールの短軸方向の開口幅(本
実施形態では直径)は、反射表示電極の膜厚の2倍以上
の開口幅で形成される。
The characteristic point of this embodiment is that the active layer 13 of the TFT connected to the reflective display electrode 20, especially the source 13s.
Lies almost all under the reflective display electrode 20, and a large number of contact holes 17 between the reflective display electrode and the TFT are provided. Since a large number of contact holes 17 are arranged over almost the entire surface of the reflective display electrode 20, even if one contact has poor conduction due to dust or the like, if the other contact is good, the TFT and the reflective display electrode are The conduction of 20 does not disappear. Therefore, contact defects can be reduced and pixel defects can be significantly reduced. The surface of the reflective display electrode on the contact hole 17 has an uneven shape, and the incident light can be reflected in multiple directions, and a wide viewing angle can be obtained. In this embodiment, as shown in the drawing, circular contact holes are arranged in a matrix. Further, as will be described later in detail, the opening width (diameter in the present embodiment) of the contact hole in the minor axis direction is formed to be twice the film thickness of the reflective display electrode or more.

【0021】図2に図1中のA−A線に沿った断面図を
示す。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板10上に、島状の多結晶シリコン膜からなる能動層
13、SiN膜及びSiO2膜から成るゲート絶縁膜1
2、及びCr、Mo等の高融点金属からなるゲート電極
11が順に形成されている。能動層13には、ゲート電
極11下方のチャネル13cと、そのチャネル13cの
両側にイオン注入されて形成されたソース13s及びド
レイン13dとが設けられている。以上がTFTの構成
である。
FIG. 2 shows a sectional view taken along the line AA in FIG. On an insulating substrate 10 made of quartz glass, alkali-free glass or the like, an active layer 13 made of an island-shaped polycrystalline silicon film, a gate insulating film 1 made of a SiN film and a SiO2 film.
2, and a gate electrode 11 made of a refractory metal such as Cr or Mo is sequentially formed. The active layer 13 is provided with a channel 13c below the gate electrode 11 and a source 13s and a drain 13d formed by ion implantation on both sides of the channel 13c. The above is the configuration of the TFT.

【0022】そして、ゲート絶縁膜12、能動層13上
の全面に、SiO2膜、SiN膜及びSiO2膜が積層さ
れた層間絶縁膜15が形成されている。その層間絶縁膜
15に設けたコンタクトホールにドレイン13dに対応
した位置にAl単体、あるいはMo及びAlを順に積層
した金属を充填してなるドレイン電極16、ドレイン信
号線52が形成されている。そして全面に例えば有機樹
脂からなる平坦化絶縁膜19が形成されている。平坦化
絶縁膜19、層間絶縁膜15のソース13sに対応した
位置にコンタクトホール17が設けられ、Al等の反射
導電材料から成る反射表示電極20がソース13sと接
続されている。その上には液晶36を配向させる配向膜
21が形成されている。なお、図1において、反射表示
電極20はわかりやすくするために点線で示している
が、その形成する位置は図2に示すように平坦化絶縁膜
19の上層である。以上がTFTを備えた絶縁性基板1
0の構成である。
An inter-layer insulating film 15 is formed on the entire surface of the gate insulating film 12 and the active layer 13 by laminating a SiO2 film, a SiN film and a SiO2 film. A drain electrode 16 and a drain signal line 52 are formed in the contact hole provided in the interlayer insulating film 15 at a position corresponding to the drain 13d by filling Al alone or a metal in which Mo and Al are sequentially stacked. Then, a flattening insulating film 19 made of, for example, an organic resin is formed on the entire surface. A contact hole 17 is provided at a position corresponding to the source 13s of the flattening insulating film 19 and the interlayer insulating film 15, and a reflective display electrode 20 made of a reflective conductive material such as Al is connected to the source 13s. An alignment film 21 for aligning the liquid crystal 36 is formed thereon. In FIG. 1, the reflective display electrode 20 is shown by a dotted line for easy understanding, but the position where it is formed is the upper layer of the flattening insulating film 19 as shown in FIG. The above is the insulating substrate 1 provided with the TFT
0 configuration.

【0023】図2(b)を参照して、絶縁性基板10に
対向電極基板30が対向配置される。対向電極基板30
は、液晶36を配置する側に赤(R)、緑(G)、青
(B)等の各色を呈するカラーフィルター31、対向電
極32及び配向膜33を備え、その反対側の基板30上
には位相差板34及び偏光板35を備えている。
Referring to FIG. 2B, the counter electrode substrate 30 is arranged to face the insulating substrate 10. Counter electrode substrate 30
Is provided with a color filter 31, a counter electrode 32, and an alignment film 33, each of which has a color of red (R), green (G), blue (B), etc., on the side where the liquid crystal 36 is arranged, and on the opposite side of the substrate 30. Includes a retardation plate 34 and a polarizing plate 35.

【0024】絶縁性基板10と対向電極基板30とを周
辺をシール接着剤(不図示)により接着し、形成された
空隙に液晶36を充填して液晶表示装置が完成する。
The periphery of the insulating substrate 10 and the counter electrode substrate 30 are adhered by a seal adhesive (not shown), and the formed voids are filled with liquid crystal 36 to complete the liquid crystal display device.

【0025】外部から入射される自然光101は、図2
(b)中に矢印で示すように、観察者100側の偏光板
35から入射し、位相差板34、対向電極基板30、カ
ラーフィルタ31、対向電極32、配向膜33、液晶3
6、TFT基板10上の配向膜21を透過して、反射材
料からなり凹凸形状を有する反射表示電極に到達する。
その到達した光は反射表示電極によって反射される。反
射電極の凹凸によって、反射方向が散乱され、視野角が
拡大する。そして反射型液晶表示装置の場合には、観察
者100側から入射光101を反射表示電極20により
反射し、その反射光102により画素を表示するため、
多くのコンタクトを設けても開口率にまったく影響しな
い。
Natural light 101 incident from the outside is shown in FIG.
As indicated by an arrow in (b), the light enters from the polarizing plate 35 on the observer 100 side, and the retardation plate 34, the counter electrode substrate 30, the color filter 31, the counter electrode 32, the alignment film 33, and the liquid crystal 3 are incident.
6. It passes through the alignment film 21 on the TFT substrate 10 and reaches the reflective display electrode made of a reflective material and having an uneven shape.
The reached light is reflected by the reflective display electrode. The unevenness of the reflective electrode scatters the direction of reflection and expands the viewing angle. In the case of a reflective liquid crystal display device, incident light 101 is reflected by the reflective display electrode 20 from the observer 100 side, and pixels are displayed by the reflected light 102.
Even if many contacts are provided, the aperture ratio is not affected at all.

【0026】次に、コンタクト17の形成方法について
述べる。本実施形態のコンタクト17は、同一工程で同
時に形成すれば、コンタクトホール形成工程が従来同様
1回で完了することができる。また、複数のコンタクト
ホールをたとえば2回に分けて形成してもよい。コンタ
クトホールを別々に形成することによって、形成工程で
の不良発生リスクが分散されるので、歩留まり向上のメ
リットが増大する。このときは、奇数列のコンタクトホ
ールをまず形成し、同一マスクをずらして偶数列のコン
タクトホールを形成すると、同一マスクで形成すること
ができる。このようにする場合、このマスクで同時に形
成するのはこのコンタクトと対極パッド(TFT側のガ
ラス基板10と対向電極基板30とを接続する電極:不
図示)や、外部回路接続端子(ガラス基板10と外付け
の制御回路とをFPC(FlexiblePrinted Circuit)に
接続するための端子:不図示)がよい。対極パッドや外
部回路接続端子は例えば200μm程度のサイズであ
る。これに対し、コンタクトホールは高々数μm〜数十
μmであるので、コンタクトホール1列分程度マスクを
ずらしても対極パッドや外部回路接続端子の形成に大き
な支障がない。
Next, a method of forming the contact 17 will be described. If the contacts 17 of this embodiment are formed simultaneously in the same step, the contact hole forming step can be completed in one time as in the conventional case. Also, the plurality of contact holes may be formed, for example, twice. By forming the contact holes separately, the risk of occurrence of defects in the forming process is dispersed, and the merit of improving the yield is increased. In this case, if the contact holes in the odd columns are first formed and the contact holes in the even columns are formed by shifting the same mask, the contact holes can be formed by the same mask. In this case, the contact and the counter electrode pad (electrode connecting the glass substrate 10 on the TFT side and the counter electrode substrate 30: not shown) and the external circuit connecting terminal (glass substrate 10) are formed simultaneously with this mask. And a terminal for connecting an external control circuit to an FPC (Flexible Printed Circuit): not shown) is preferable. The counter electrode pad and the external circuit connection terminal have a size of, for example, about 200 μm. On the other hand, since the contact hole is several μm to several tens of μm at the most, even if the mask is displaced by about one row of the contact hole, there is no great trouble in forming the counter electrode pad and the external circuit connecting terminal.

【0027】コンタクトホール17は、その短軸方向の
開口幅(本実施形態では内径)が反射表示電極20の膜
厚の少なくとも2倍以上で形成される。これにより、反
射表示電極20がコンタクトホール内に埋設されず、反
射表示電極はコンタクトホール内壁に沿った形状に、コ
ンタクトホール内壁を被覆して形成され、その表面が凹
凸形状を有するようになる。凹凸をなだらかな形状とす
るためには、コンタクトホールの内径を反射表示電極2
0の膜厚の3倍以上、好ましくは5倍以上確保するとよ
い。
The contact hole 17 is formed so that its opening width in the minor axis direction (inner diameter in this embodiment) is at least twice the film thickness of the reflective display electrode 20. As a result, the reflective display electrode 20 is not embedded in the contact hole, but the reflective display electrode is formed so as to cover the inner wall of the contact hole in a shape along the inner wall of the contact hole, and the surface thereof has an uneven shape. In order to make the unevenness gentle, the inner diameter of the contact hole is set to the reflective display electrode 2.
It is preferable to secure a film thickness of 0 or more, which is 3 times or more, preferably 5 times or more.

【0028】また、コンタクトホールの形成は、ウェッ
トエッチを用い、コンタクトホールの内壁を、できるだ
け緩やかなテーパーとするとよい。たとえば平坦化膜1
9上にマスクを形成し、まず平坦化膜19を1回目ウェ
ットエッチし、しかる後層間絶縁膜15、ゲート絶縁膜
12を2回目ウェットエッチする。2回目ウェットエッ
チのエッチャントを、平坦化膜19との選択比が小さい
ものを選択し、絶縁膜15、ゲート絶縁膜12と同時に
平坦化膜19の内壁を少しエッチングすれば、緩やかな
テーパー形状とする事ができる。
The contact hole may be formed by wet etching, and the inner wall of the contact hole may be tapered as gently as possible. For example, flattening film 1
A mask is formed on 9, and the flattening film 19 is wet-etched for the first time, and then the interlayer insulating film 15 and the gate insulating film 12 are wet-etched for the second time. If the etchant for the second wet etching is selected to have a small selection ratio to the flattening film 19, and the inner wall of the flattening film 19 is slightly etched at the same time as the insulating film 15 and the gate insulating film 12, a gentle taper shape is obtained. You can do it.

【0029】ここで、反射表示電極表面を凹凸形状にす
ることで視野角を広げる構造そのものは、従来から知ら
れた構造であるが、本発明によれば、コンタクトを多数
設けることで反射表示電極の凹凸を実現している。従来
は、反射表示電極下層の平坦化膜をエッチングして反射
表示電極の凹凸形状を形成していた。この場合、反射表
示電極のコンタクトホール形成と、凹凸形状形成のエッ
チング深さが異なることから、フォトエッチング工程が
別途必要であった。しかし、本発明によれば、通常の平
坦化膜を用い、1回のフォトエッチング工程でコンタク
ト形成と凹凸形成が実施できるので、製造行程の簡素化
が実現する。
Here, the structure itself for widening the viewing angle by making the surface of the reflective display electrode uneven is a conventionally known structure, but according to the present invention, the reflective display electrode is provided by providing a large number of contacts. The unevenness of is realized. Conventionally, the flattening film under the reflective display electrode is etched to form the uneven shape of the reflective display electrode. In this case, since the etching depths for forming the contact hole of the reflective display electrode and for forming the concavo-convex shape are different, a photoetching step is separately required. However, according to the present invention, since the contact formation and the concavo-convex formation can be performed in one photo-etching step using a normal planarization film, the manufacturing process can be simplified.

【0030】次に、本発明の第2の実施形態にかかる反
射型液晶表示装置について説明する。図3に本実施形態
の表示画素領域付近の平面図を示す。図3(a)は、平
面図であり、図3(b)には、B−B線の断面図を示
す。第1の実施形態と同様の構成については同じ番号を
付し、説明を省略する。本実施形態の特徴的な点は、コ
ンタクトホールの平面形状にある。本実施形態では、反
射表示電極20のほぼ全面にわたって、長尺のコンタク
トホール18を形成し、列方向に並べて配置した。中央
のコンタクトホール18cは列方向に長い長方形(設計
上は長方形でも実際にコンタクトホールとして形成する
と角がなまる。)であり、コンタクトホール18cの両
側に配置されるコンタクトホール18sは外側に広がる
ように屈曲している。コンタクトホール18sの屈曲角
度は外側に配置されるものほど大きくなっている。この
ように屈曲させることで、コンタクトホールの、ひいて
は反射表示電極表面の凹凸の傾斜面が様々な方向に向く
ため、例えば、全て平行な線状のコンタクトホールを平
行に配置するのに比較して、より広い視野角を得ること
ができる。
Next, a reflective liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows a plan view of the vicinity of the display pixel area of this embodiment. FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a sectional view taken along line BB. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The characteristic point of this embodiment is the planar shape of the contact hole. In this embodiment, the elongated contact holes 18 are formed over substantially the entire surface of the reflective display electrode 20, and are arranged side by side in the column direction. The contact hole 18c at the center is a rectangle long in the column direction (even if it is a rectangle, the corners are rounded if it is actually formed as a contact hole by design), and the contact holes 18s arranged on both sides of the contact hole 18c are spread outward. Is bent to. The bending angle of the contact hole 18s is larger as it is arranged outside. By bending in this way, the contact holes, and by extension, the sloping surface of the unevenness of the surface of the reflective display electrode, face in various directions, so that, for example, in comparison with arranging all parallel linear contact holes in parallel, , A wider viewing angle can be obtained.

【0031】コンタクトホールは、反射光の偏りを防ぐ
ために、反射表示電極ほぼ全面に渡って設けられること
と、反射表示電極表面が凹凸形状なるように、コンタク
トホールが反射表示電極により埋設されないように形成
すれば、どのような形状および配列でも実施可能であ
る。
The contact hole is provided over almost the entire surface of the reflective display electrode in order to prevent the deviation of the reflected light, and the contact hole is not buried by the reflective display electrode so that the surface of the reflective display electrode becomes uneven. Once formed, any shape and arrangement is feasible.

【0032】また、コンタクトホールの配置は、上述し
た第1、第2の実施形態に限らず、様々なパターンでよ
い。たとえば各画素内でランダムに配置されても良い
が、反射表示電極とのコンタクトであるので、少なくと
も各画素で同じ面積に形成する必要がある。
The arrangement of the contact holes is not limited to the above-described first and second embodiments, and various patterns may be used. For example, it may be arranged randomly in each pixel, but since it is a contact with the reflective display electrode, it must be formed in at least the same area in each pixel.

【0033】次に、本願の第3の実施形態について説明
する。図4は本実施形態の断面図である。本実施形態の
平面図は図1(a)または図3(a)と同様である。本
実施形態の特徴的な点は、反射表示電極20と能動層1
3との間にパッド40を配置し、これを介して反射表示
電極20と能動層13とを導通させる点にある。コンタ
クトホールを覆って反射表示電極を形成する場合、凹凸
が深すぎると、凹凸の頂点と底面とで光路差(光が液晶
に入ってから出るまでの距離の差)が大きくなる。本実
施形態は、パッド40を入れることで、過大な光路差を
なくし、良好な表示を行っている。もちろん、層間絶縁
膜15や平坦化膜19が十分に薄く、光路差が問題とな
らないのであればパッド40を設ける必要はない。パッ
ド40は、ドレイン電極16もしくはゲート電極11の
ような、すでに存在する導電層と同層に設ければ別途の
製造工程を増加させる必要がない。どの層と同層にする
かは、反射電極表面に形成する凹凸の深さに応じて決定
すればよい。より下層の導電層とパッド40とを同層で
形成すれば、コンタクト17(18)はより深くなるた
め、反射表示電極20表面の凹凸も深くなる。凹凸は、
上述したように、深すぎると光路差が過大となり、浅す
ぎると視野角拡大の効果が出にくくなる。平坦化絶縁膜
19が2000Å以上4000Å以下であるときは、パ
ッド40は層間絶縁膜19上、すなわちドレイン電極1
6と同層に形成するとよい。平坦化絶縁膜19が200
0Å未満の場合、パッド40は層間絶縁膜15上、すな
わちゲート電極11と同層に設けるとよい。もちろん、
パッド40の材料としては、ドレイン電極16、ゲート
電極11と同一である必要はなく、それ以外の金属や不
純物を導入したポリシリコンなど導電性材料であればよ
い。
Next, a third embodiment of the present application will be described. FIG. 4 is a sectional view of this embodiment. The plan view of this embodiment is the same as FIG. 1A or FIG. The characteristic point of this embodiment is that the reflective display electrode 20 and the active layer 1 are
The pad 40 is disposed between the reflective display electrode 20 and the active layer 13 and the pad 40 is disposed between the reflective display electrode 20 and the active layer 13. When the reflective display electrode is formed so as to cover the contact hole, if the unevenness is too deep, the optical path difference (difference in the distance from the light entering the liquid crystal to the light exiting) between the top and bottom of the unevenness becomes large. In this embodiment, by inserting the pad 40, an excessive optical path difference is eliminated and a good display is performed. Of course, if the interlayer insulating film 15 and the planarizing film 19 are sufficiently thin and the optical path difference does not matter, the pad 40 need not be provided. If the pad 40 is provided in the same layer as the existing conductive layer such as the drain electrode 16 or the gate electrode 11, it is not necessary to increase the number of additional manufacturing steps. The layer to be the same layer may be determined according to the depth of the unevenness formed on the reflective electrode surface. If the lower conductive layer and the pad 40 are formed in the same layer, the contact 17 (18) becomes deeper, so that the irregularities on the surface of the reflective display electrode 20 also become deeper. The unevenness is
As described above, if the depth is too deep, the optical path difference becomes excessive, and if it is too shallow, the effect of widening the viewing angle becomes difficult to be obtained. When the planarization insulating film 19 is 2000 Å or more and 4000 Å or less, the pad 40 is on the interlayer insulating film 19, that is, the drain electrode 1.
It is preferable to form the same layer as 6. The planarization insulating film 19 is 200
When it is less than 0 Å, the pad 40 is preferably provided on the interlayer insulating film 15, that is, in the same layer as the gate electrode 11. of course,
The material of the pad 40 need not be the same as that of the drain electrode 16 and the gate electrode 11, and may be any other conductive material such as metal or polysilicon into which impurities are introduced.

【0034】なお、本願の実施形態では、補助容量の図
示を省略したが、必要に応じて配置することは言うまで
もない。このときは、補助容量をゲート電極11と同層
に形成し、その部分を避けてコンタクトを配置しても良
いし、図1に示すコンタクト17の間に網目状に補助容
量を配置しても良い。また、能動層13と基板10との
間に導電層を配置してもよい。
Although the auxiliary capacitor is not shown in the embodiment of the present application, it goes without saying that the auxiliary capacitor may be arranged if necessary. At this time, the auxiliary capacitance may be formed in the same layer as the gate electrode 11 and the contact may be arranged while avoiding the portion, or the auxiliary capacitance may be arranged in a mesh shape between the contacts 17 shown in FIG. good. Further, a conductive layer may be arranged between the active layer 13 and the substrate 10.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
反射表示電極と薄膜トランジスタとを導通させるための
コンタクトを複数設けているため、1つのコンタクトが
ダストなどの原因で導通不良となっても、他のコンタク
トが良好であれば、TFTと反射表示電極の導通がなく
なることがない。従って、コンタクト不良を低減し、画
素欠陥を大幅に低減することができる。また、このコン
タクトホール17上の反射表示電極表面は凹凸形状とな
り、入射した光を多方向に反射することができ、広い視
野角が得られる。特に反射型表示装置であるので、基板
下方に設けられた照明装置からの光を透明電極で透過さ
せて観察する透過型液晶表示装置と異なり、画素電極の
全面が利用できる。つまり、コンタクト数を多くし、コ
ンタクト面積を大きくしても開口率には影響がない。
As described above, according to the present invention,
Since a plurality of contacts for electrically connecting the reflective display electrode and the thin film transistor are provided, even if one contact is defective in conduction due to dust or the like, if the other contact is good, the TFT and the reflective display electrode can be connected. There is no loss of continuity. Therefore, contact defects can be reduced and pixel defects can be significantly reduced. In addition, the surface of the reflective display electrode on the contact hole 17 has an uneven shape, so that incident light can be reflected in multiple directions, and a wide viewing angle can be obtained. In particular, since it is a reflective display device, the entire surface of the pixel electrode can be used, unlike a transmissive liquid crystal display device in which light from an illumination device provided below the substrate is transmitted through a transparent electrode for observation. That is, increasing the number of contacts and increasing the contact area does not affect the aperture ratio.

【0036】さらに、コンタクトは反射表示電極ほぼ全
面にわたって設けられるので、反射光が様々な方向に均
等に反射され、良好な視角特性を得ることができる。
Further, since the contact is provided over almost the entire surface of the reflective display electrode, the reflected light is uniformly reflected in various directions, and good viewing angle characteristics can be obtained.

【0037】さらに、反射表示電極と半導体層とは、パ
ッドを介して導通されるので、反射表示電極表面の凹凸
の深さを光路差と視野角拡大の観点から最適な深さにで
き、表示品質を高めることができる。
Further, since the reflective display electrode and the semiconductor layer are electrically connected via the pad, the depth of the unevenness on the surface of the reflective display electrode can be made the optimum depth from the viewpoint of the optical path difference and the widening of the viewing angle. The quality can be improved.

【0038】また、コンタクトホールの側壁をテーパー
形状とすれば、より多方面に反射できる。
If the side wall of the contact hole is tapered, it can be reflected in more directions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態を示す(a)平面図、(b)
断面図である。
FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG.

【図4】本発明の実施形態を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図5】従来技術を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a conventional technique.

【図6】従来の技術を説明する断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 絶縁性基板 11 ゲート電極 13 能動層 13s ソース 13d ドレイン 13c チャネル 15 層間絶縁膜 17 コンタクトホール 19 平坦化絶縁膜 20 反射表示電極 36 液晶 100 観察者 101 入射光 102 反射光 10 Insulating substrate 11 Gate electrode 13 Active layer 13s source 13d drain 13c channel 15 Interlayer insulation film 17 contact holes 19 Flattening insulation film 20 reflective display electrode 36 LCD 100 observer 101 incident light 102 reflected light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 岳雄 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA14Y FB08 FD02 GA01 GA02 LA19 LA30 2H092 GA17 GA29 GA30 HA05 JA24 JB07 JB56 MA13 MA17 NA01 NA12 NA13 5F110 AA26 AA30 BB01 CC02 DD02 DD03 EE04 FF02 FF03 GG02 GG13 HJ13 HL03 HL04 HL08 HL11 HL14 HM12 HM18 HM20 NN03 NN23 NN24 NN27 NN72   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takeo Yoshimura             2-5-3 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Prefecture             Within Yo Denki Co., Ltd. F term (reference) 2H091 FA14Y FB08 FD02 GA01                       GA02 LA19 LA30                 2H092 GA17 GA29 GA30 HA05 JA24                       JB07 JB56 MA13 MA17 NA01                       NA12 NA13                 5F110 AA26 AA30 BB01 CC02 DD02                       DD03 EE04 FF02 FF03 GG02                       GG13 HJ13 HL03 HL04 HL08                       HL11 HL14 HM12 HM18 HM20                       NN03 NN23 NN24 NN27 NN72

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板上に、複数のゲート信号線と
複数のドレイン信号線が互いに交差して配置され、前記
ゲート信号線及び前記ドレイン信号線に接続された複数
の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
反射材料から成る反射表示電極とを備えた反射型液晶表
示装置であって、前記反射表示電極と前記薄膜トランジ
スタとを導通させるためのコンタクトを複数設け、前記
コンタクトによって前記反射表示電極表面を凹凸形状と
することを特徴とする反射型液晶表示装置。
1. A plurality of thin film transistors connected to the gate signal line and the drain signal line, wherein a plurality of gate signal lines and a plurality of drain signal lines intersect with each other on an insulating substrate, and the thin film transistors. A reflective liquid crystal display device comprising: a reflective display electrode made of a reflective material and connected to a plurality of contacts for electrically connecting the reflective display electrode and the thin film transistor, the reflective display electrode surface being formed by the contact. A reflective liquid crystal display device having an uneven shape.
【請求項2】 前記コンタクトは前記反射表示電極ほぼ
全面にわたって設けられることを特徴とする請求項1に
記載の反射型液晶表示装置。
2. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the contact is provided over substantially the entire surface of the reflective display electrode.
【請求項3】 前記薄膜トランジスタを構成する半導体
層を前記反射表示電極下ほぼ全面に設けることを特徴と
する請求項2に記載の反射型液晶表示装置。
3. The reflective liquid crystal display device according to claim 2, wherein a semiconductor layer forming the thin film transistor is provided on substantially the entire surface below the reflective display electrode.
【請求項4】 前記反射表示電極と前記半導体層とは、
導電体よりなるパッドを介して導通され、前記反射表示
電極表面の凹凸を浅く形成することを特徴とする請求項
1に記載の反射型液晶表示装置。
4. The reflective display electrode and the semiconductor layer are
2. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflection type liquid crystal display device is electrically connected through a pad made of a conductor to form the unevenness of the surface of the reflection display electrode shallowly.
【請求項5】 前記パッドは前記ドレイン信号線または
ゲート信号線と同層に設けられていることを特徴とする
請求項4に記載の反射型液晶表示装置。
5. The reflective liquid crystal display device according to claim 4, wherein the pad is provided in the same layer as the drain signal line or the gate signal line.
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Cited By (2)

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