JP2003248436A - Large-screen plane display device, and method and apparatus for manufacturing the same - Google Patents

Large-screen plane display device, and method and apparatus for manufacturing the same

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JP2003248436A
JP2003248436A JP2002050897A JP2002050897A JP2003248436A JP 2003248436 A JP2003248436 A JP 2003248436A JP 2002050897 A JP2002050897 A JP 2002050897A JP 2002050897 A JP2002050897 A JP 2002050897A JP 2003248436 A JP2003248436 A JP 2003248436A
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JP
Japan
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microelectronic
same
manufacturing
printing
display device
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JP2002050897A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Matsumura
英樹 松村
Kenichiro Kida
健一郎 木田
Shigehira Minami
茂平 南
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Ishikawa Seisakusho Ltd
Original Assignee
Ishikawa Seisakusho Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the weight of a display device and to lower the price by making it possible to use an inexpensive and lightweight plastic substrate which is too weak for a manufacturing process at a high temperature wherein glass is usable as a substrate of the display device. <P>SOLUTION: Many fine crystal silicon integrated circuits, etc., are used as fine electronic devices which are installed nearby respective pixels and control on-off states and densities of the pixels, and stuck on a printed original plate like printing ink; and they are copied to necessary places on a display and fixed by printing technique, etc. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、大画面平面テレビ等に
使用される大画面平面ディスプレイに関する新規製造手
法、その新規製造方法を具現化する製造装置、およびそ
のような手段で作られた平面ディスプレイそのものに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a new manufacturing method for a large screen flat panel display used in a large screen flat panel television, a manufacturing apparatus for embodying the new manufacturing method, and a flat panel manufactured by such means. It is about the display itself.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイに代表される平面ディ
スプレイ(FPD = Flat Panel Display)は、現在、ガラ
ス基板上に化学気相堆積(CVD = Chemical Vapor Depos
ition)法等により絶縁膜、半導体膜等を順次堆積し、
半導体集積回路を製作するのと同じ工程を経て画面を構
成する各画素近傍に薄膜トランジスタ(TFT = Thin Fil
m Transistor)等の微小電子デバイスを形成し、これに
より各画素のオン、オフ、濃淡などを制御することでデ
ィスプレイ画像を構成している。すなわち、実際にディ
スプレイに使用する装置基板上にて能動電子デバイスを
その場で製作しているのである。このため、ディスプレ
イ面積が拡大すると、ガラス基板上に膜を堆積するCVD
装置なども巨大化し、コストも飛躍的に上昇する。さら
に、このようにガラス基板上にその場で電子デバイスを
製作するのであるから、ガラス基板が耐えられる300℃
程度の低温での堆積薄膜でも能動電子デバイスが作れる
アモルファス・シリコン(a-Si)膜などが半導体膜とし
て使用されるため、結晶シリコンを使用する通常の半導
体電子デバイスに較べ動作機能が劣るのが普通である。
そのため、例えばTFTの移動度を向上させてその動作機
能を向上させるため、堆積されたa-Si膜をレーザー照射
により溶融させてポリ・シリコン(poly-Si)を形成
し、そのpoly-Si膜を用いて移動度が大きいTFTを作るこ
とも検討されている。特に、各画素にそれぞれ個別に制
御された電流を流すことで発光させる有機EL等のディス
プレイでは、a-Si TFT の動作機能では不十分であると
の考えが一般的であり、この点でもレーザー溶融poly-S
i膜への期待が拡がっている。
2. Description of the Related Art Flat panel displays (FPDs) typified by liquid crystal displays are currently used for chemical vapor deposition (CVD) on glass substrates.
ition) method, etc., an insulating film, a semiconductor film, etc. are sequentially deposited,
Through the same process as manufacturing a semiconductor integrated circuit, a thin film transistor (TFT = Thin Fil
A display image is configured by forming a microelectronic device such as an m transistor, and controlling the ON / OFF of each pixel and the shading by this. That is, the active electronic device is manufactured on the spot on the device substrate actually used for the display. Therefore, as the display area expands, CVD that deposits a film on the glass substrate
The equipment will become huge, and the cost will rise dramatically. Furthermore, since electronic devices are manufactured on the glass substrate in situ in this way, the glass substrate can withstand 300 ° C.
Amorphous silicon (a-Si) films that can be used to make active electronic devices even with thin films deposited at low temperatures are used as semiconductor films, so their operating functions are inferior to ordinary semiconductor electronic devices that use crystalline silicon. It is normal.
Therefore, for example, in order to improve the mobility of the TFT and improve its operation function, the deposited a-Si film is melted by laser irradiation to form poly-silicon (poly-Si), and the poly-Si film is formed. It is also considered to make a TFT with high mobility by using. In particular, it is generally considered that the operation function of a-Si TFT is not sufficient for displays such as organic EL that emit light by passing individually controlled current to each pixel. Molten poly-S
Expectations for i-film are expanding.

【0003】しかし、レーザー溶融poly-Si膜の製作は
コストを上昇させるもので、限られた範囲でしか使用さ
れないことが予想されており、また、従来のa-Si TFTで
も画面対角寸法が40インチ以上に拡大すると、a-Si膜堆
積とそれに続くパターン転写工程などの困難さと工程コ
ストが供に増大し、大画面平面ディスプレイを液晶等で
現実的な価格で実現することは不可能に近いと信じられ
てきた。
However, the production of the laser-melted poly-Si film raises the cost and is expected to be used only in a limited range. Further, the diagonal size of the screen of the conventional a-Si TFT is also large. Expanding to more than 40 inches will increase the difficulty and process cost of a-Si film deposition and the subsequent pattern transfer process, making it impossible to realize a large screen flat display with liquid crystal etc. at a realistic price. It has been believed to be close.

【0004】一方、各画素を制御するTFT等の微小電子
デバイスを、従来のように薄膜堆積を基本にディスプレ
イ装置基板上で形成していくのとは全く異なり、各画素
用の微小電子デバイスを微小な結晶シリコン集積回路と
してあらかじめ他所で多量に製作しておき、それをディ
スプレイ装置基板内にあらかじめ形成されている型に液
体とともに流し込むことで配置していく「Fluidic Sel
f Assembling(FSA)」なる方法も提案されている。こ
の技術はAlien Technology社が開発したもので、従来に
ない斬新なアイデアとして注目されている。しかし、こ
の方法も、基板上の型にうまく入り込む微小シリコン集
積回路の比率に問題もあり、実際は実用化に迫るレベル
ではないのが現状である。さらに、この方法では、型に
はめ込んだ微小シリコン集積回路どうしの結線は、それ
らを型にはめ込む作業とは独立に行わなければならない
ため、精密な位置合わせを必要とするなど、作業工程が
複雑かつ高価になる。
On the other hand, a microelectronic device for controlling each pixel, such as a TFT, is formed on a display device substrate based on thin film deposition as in the conventional case. A large number of microcrystalline silicon integrated circuits are manufactured in advance at other places, and they are placed by pouring them together with a liquid into a preformed mold in the display device substrate. "Fluidic Sel"
A method called "f Assembling (FSA)" has also been proposed. This technology was developed by Alien Technology and has been attracting attention as an unprecedented novel idea. However, this method also has a problem in the ratio of the minute silicon integrated circuits that can well fit into the mold on the substrate, and in reality, it is not at the level of practical application. Furthermore, in this method, since the connection between the minute silicon integrated circuits fitted in the mold must be performed independently of the work of fitting them into the mold, precise alignment is required, and the work process is complicated. Get expensive.

【0005】さらに、Alien Technology社のFSA技術で
は、多数の微小シリコン集積回路を直接、ディスプレイ
基板に流し込むために、微小シリコン集積回路によっ
て、基板を損傷する恐れがあるほか、微小シリコン集積
回路をディスプレイ基板上に配置後、落下防止のため
に、その上にフィルムをラミネートし、さらにそのラミ
ネート膜に配線用の孔を空ける必要があるという頻雑
で、高価なものとなる。
Further, in the FSA technology of Alien Technology Co., a large number of minute silicon integrated circuits are directly poured into the display substrate, so that the substrate may be damaged by the minute silicon integrated circuits, and the minute silicon integrated circuits are displayed. After the film is placed on the substrate, it is necessary to laminate a film on the film to prevent the film from falling, and it is necessary to make holes for wiring in the laminated film, which is frequent and expensive.

【0006】また、ガラス板を基板として用いるディス
プレイでは、画面サイズが40インチから100インチとも
なると、ガラス強度を持たせるために板厚が増すことも
あり、たとえ平面ディスプレイと言えども、その装置重
量が増大し、設置するための構造も本格的になり、コス
トも上昇する。
Further, in a display using a glass plate as a substrate, when the screen size becomes 40 inches to 100 inches, the plate thickness may increase in order to have glass strength. Will increase, the structure for installation will become full-scale, and the cost will increase.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来、
現実的価格で世に供給することが不可能であると考えら
れていた、40インチから100インチという大画面の液晶
ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の大画面平面ディ
スプレイを、他のディスプレイ方式と同等かもしくは遥
かに廉価な価格で世の中に供給できるようにする。例え
ば、平成14年の諸部品価格にもとづく計算値だが、画
面対角寸法70インチのハイビジョン液晶ディスプレイを
15万円以下の価格で工場出荷できるようにする。
As described above, as described above,
Large screen flat displays such as liquid crystal displays with large screens of 40 to 100 inches, organic EL displays, etc., which were considered impossible to supply to the world at a reasonable price, are equivalent to other display systems or We will be able to supply the world at a much cheaper price. For example, a calculated value based on the prices of various parts in 2002, a high-definition LCD with a diagonal size of 70 inches
Enable factory shipment for a price of 150,000 yen or less.

【0008】また、各画素の制御を行うために、移動度
が高い等の高機能な微小電子デバイスをその各画素近傍
に配置しようとすると、レーザー溶融技術等の高価な手
段を必要としたが、遥かに安価な手法で、各画素近傍に
従来法を超える高い機能を有する電子デバイスを配置す
ることをできるようにする。これにより、有機ELディス
プレイのような電流制御型ディスプレイの制御性も向上
させる。
Further, in order to control each pixel, if an attempt is made to dispose a highly functional microelectronic device having high mobility in the vicinity of each pixel, an expensive means such as a laser melting technique is required. , It becomes possible to arrange an electronic device having a high function exceeding that of the conventional method in the vicinity of each pixel by a much cheaper method. This also improves the controllability of a current control type display such as an organic EL display.

【0009】本発明の技術思想を成就するための一手段
として、上述のAlien Technology社による先願発明があ
るが、その先願発明が提示している手法では各画素制御
用の微小電子デバイスの配置とそれらをつなぐ配線の形
成を独立工程としてしか行えないため作業コストが上昇
する問題があったが、本発明によりそれを解決する。さ
らに、微小シリコン集積回路の落下防止用のラミネート
膜を形成することによる生産効率の悪化についても、本
発明によって解決することが可能である。すなわち、本
発明により提示された一連の技術は、液晶ディスプレ
イ、有機ELディスプレイ等の平面ディスプレイを、従来
のブラウン管を用いた大型ハイビジョンテレビと同等か
それより安価な価格で、さらにその何倍かの画面サイズ
に拡大して市販できるようにすることを解決すべき基本
的課題としている。
As one means for accomplishing the technical idea of the present invention, there is the above-mentioned prior invention by Alien Technology Co., Ltd. In the method presented by the above-mentioned prior invention, a microelectronic device for controlling each pixel is provided. There is a problem that the work cost increases because the arrangement and the formation of the wiring connecting them can be performed only as an independent process, but the present invention solves the problem. Further, the present invention can solve the deterioration of the production efficiency due to the formation of the laminated film for preventing the drop of the minute silicon integrated circuit. That is, the series of techniques presented by the present invention is a flat panel display such as a liquid crystal display or an organic EL display at a price equal to or less than that of a large high-definition television using a conventional cathode ray tube, and several times that price. The basic issue to be solved is to expand the screen size so that it can be marketed.

【0010】ディスプレイ装置の基板として、ガラスが
使用できるような高温での製作工程には耐えられない安
価で軽量なプラスチック基板を用いられるようにし、装
置重量の低減と価格低下を図れるようにする。
As a substrate of a display device, an inexpensive and lightweight plastic substrate that cannot withstand a manufacturing process at a high temperature where glass can be used can be used so that the weight of the device and the price can be reduced.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、各画素近傍に
設置されてそれら各画素のオン、オフ、濃淡を制御する
微小電子デバイスとして多数の微小な結晶シリコン集積
回路等を用い、それを印刷インクのように印刷原版に付
着させ、それを印刷技術等によりディスプレイ上の必要
箇所に写し固定することを骨子としている。この方法に
おいては、印刷転写面積が容易に拡大できるので、画面
対角寸法40インチから100インチの大型画面の製作が安
価にできる。また、この方法により、レーザー溶融など
の高価な技術を用いずに、それよりも高性能な電子デバ
イスを各画素近傍に配置することができる。さらに、微
小結晶シリコン集積回路をディスプレイ上に配置する印
刷の際に同時に各画素どうしを結線する配線回路も印刷
できるので、マスク合わせも不必要になり、さらに一層
安価にディスプレイを製作できる。また、この方法で
は、基板を直に高温にする工程はないので、安価で軽量
なプラスチックを使用することもできる。このように、
本発明により、大画面平面ディスプレイの持つ主たる問
題点は全て同時に解決できる。
The present invention uses a large number of minute crystalline silicon integrated circuits or the like as a minute electronic device which is installed in the vicinity of each pixel and controls ON / OFF and shading of each pixel. The main idea is to attach it to a printing original plate like printing ink, and then copy and fix it onto a required place on the display by a printing technique or the like. In this method, since the print transfer area can be easily expanded, it is possible to inexpensively manufacture a large screen having a screen diagonal dimension of 40 inches to 100 inches. In addition, this method makes it possible to arrange an electronic device having higher performance than each other in the vicinity of each pixel without using an expensive technique such as laser melting. Further, since the wiring circuit for connecting the pixels to each other can be printed at the same time when the microcrystalline silicon integrated circuit is arranged on the display, mask alignment becomes unnecessary and the display can be manufactured at a further lower cost. Further, in this method, since there is no step of directly raising the temperature of the substrate, inexpensive and lightweight plastic can be used. in this way,
According to the present invention, all the main problems of the large screen flat panel display can be solved at the same time.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
図面等を引用しながら説明する。図1乃至図14は、本
発明により画面対角寸法70インチの大画面液晶ディスプ
レイを制作する手順の一例を示すものである。画面サイ
ズがこれより大きくても、小さくても、手順は同じであ
る。また、ここでは液晶ディスプレイを一例として示し
ているが、液晶に代えて有機ELを画面構成要素として
も、一部が変更になるだけで、本発明の核となる工程手
順は図1乃至図14と同じである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
The description will be given with reference to the drawings. 1 to 14 show an example of a procedure for producing a large-screen liquid crystal display having a screen diagonal dimension of 70 inches according to the present invention. The procedure is the same whether the screen size is larger or smaller. Further, although the liquid crystal display is shown here as an example, even if the organic EL is used as a screen constituent element instead of the liquid crystal, only a part is changed, and the process steps that are the core of the present invention are shown in FIGS. Is the same as.

【0013】まず、ディスプレイ基板としては厚さ3mm
から5mmの透明アクリル板等のプラスチック基板Aを用
いる。勿論、以下に示す本発明にもとづく製作手順に合
致するものであれば、基板材料はプラスチック基板に限
定されない。これに、赤、緑、青のカラーフィルターを
順次印刷する。カラーフィルターの形成は印刷以外の手
法を用いても良い。例えばインクジェットを用いてカラ
ーフィルターを付着させる方法もある。ここでは大画面
ディスプレイを取り扱っているので、カラーフィルター
のパターン精度への要求はさほど厳しくなく、安価な印
刷法を用いている。印刷法には色ムラやパターン端の染
み出しなどの不安があるが、これも大画面なので各画素
のサイズが大きく、印刷圧力の調整が容易なので、20イ
ンチ以下の高精細画面製作時のようには問題とならな
い。すなわち、ここでは、色ムラや端の染み出しを起こ
し易い圧着印刷をせず、印刷原版と基板のギャップを制
御して印刷インクの表面張力を利用して基板に写す方式
を採用することができる。この工程の説明を図1に示
す。また、カラーフィルターなしで、背後光源を赤、
緑、青と時経列的に順次点滅してカラー画面を表示する
フィールド・シーケンシャル法を用いると、この工程は
不要である。
First, the thickness of the display substrate is 3 mm
A plastic substrate A such as a transparent acrylic plate having a thickness of 5 mm is used. Of course, the substrate material is not limited to the plastic substrate as long as it conforms to the manufacturing procedure according to the present invention shown below. Red, green, and blue color filters are sequentially printed on this. The color filter may be formed by a method other than printing. For example, there is a method of attaching a color filter using an inkjet. Since a large screen display is handled here, the demand for the color filter pattern accuracy is not so severe, and an inexpensive printing method is used. Although there are concerns about the printing method such as color unevenness and bleeding at the edge of the pattern, this is also a large screen, so the size of each pixel is large and it is easy to adjust the printing pressure, so it seems that when producing a high-definition screen of 20 inches or less. It doesn't matter. That is, here, it is possible to adopt a method in which pressure printing that tends to cause color unevenness or edge bleeding is not performed, and the gap between the printing original plate and the substrate is controlled and the surface tension of the printing ink is used to transfer to the substrate. . An explanation of this step is shown in FIG. Also, without the color filter, the back light source is red,
This step is unnecessary when using the field-sequential method in which green, blue, and time-sequential blinking are performed to display a color screen.

【0014】この基板上全面に透明電極膜を付着させ
る。これはカラーフィルター上に透明電極を形成する場
合に用いる通常の方法と同じ手法を用いれば良い。この
工程の説明を図2に示す。なお、ここでは各画素制御用
の微小電子デバイス設置基板上にカラーフィルターを設
置しているが、大半の液晶ディスプレイのように、対向
基板にカラーフィルターを設置することもできる。その
場合は、上記、カラーフィルター設置は後の工程とな
り、以下に示す透明電極のパターン形成は別工程となる
ので、コスト的には不利である。
A transparent electrode film is attached to the entire surface of this substrate. For this, the same method as the usual method used when forming the transparent electrode on the color filter may be used. An explanation of this step is shown in FIG. Although the color filter is installed on the substrate for mounting the microelectronic device for controlling each pixel here, the color filter can be installed on the counter substrate like most liquid crystal displays. In that case, the above-described color filter installation is a subsequent step, and the transparent electrode pattern formation described below is a separate step, which is disadvantageous in terms of cost.

【0015】この上にフォトレジストを塗布する。この
工程の説明を図3に示す。次に、カラーフィルターをマ
スクパターンに用いて、透明基板Aの背面から紫外線を
照射してフォトレジストを感光させる。これにより、カ
ラーフィルターのない部分のみが露光され、カラーフィ
ルターと自己整合的に透明電極にパターンが転写され
る。この工程の説明を図4に示す。これを現像液に漬け
て、カラーフィルター上のフォトレジスト以外を除去す
る。この現像液は、アクリル等の透明基板Aを損傷しな
い材料であることが望ましいが、透明性を必要とする部
分はすでにカラーフィルター等により保護されているの
で、現像の工程は本質的な問題にはならない。この工程
の説明を図5に示す。
A photoresist is applied on this. An explanation of this step is shown in FIG. Next, using a color filter as a mask pattern, ultraviolet rays are irradiated from the back surface of the transparent substrate A to expose the photoresist. As a result, only the portion without the color filter is exposed, and the pattern is transferred to the transparent electrode in a self-aligned manner with the color filter. An explanation of this step is shown in FIG. This is immersed in a developing solution to remove all but the photoresist on the color filter. This developing solution is preferably a material such as acrylic that does not damage the transparent substrate A, but since the part requiring transparency is already protected by a color filter or the like, the developing process becomes an essential problem. Don't An explanation of this step is shown in FIG.

【0016】この基板上全面に、各カラーフィルター間
の隙間を埋めて光漏れを防ぐブラックマトリクス材Bを
塗布する。この工程の説明を図6に示す。ここで、リフ
ト・オフ法によりフォトレジストを除去すると、赤、
緑、青のカラーフィルター直上に透明電極が付着し、他
の部分は全てブラックマトリクス材が充填されている構
造の基板ができる。このリフト・オフに用いるフォトレ
ジスト除去溶液には、特にブラックマトリクス材料Bお
よび透明電極材料を損傷しないものが選ばれる。この工
程の説明を図7に示す。
A black matrix material B that fills the gaps between the color filters and prevents light leakage is applied over the entire surface of this substrate. An explanation of this step is shown in FIG. Here, when the photoresist is removed by the lift-off method, red,
A substrate having a structure in which a transparent electrode is attached directly on the green and blue color filters and the other parts are all filled with a black matrix material can be formed. The photoresist removing solution used for this lift-off is selected so as not to damage the black matrix material B and the transparent electrode material. An explanation of this step is shown in FIG.

【0017】ここまでは、従来から公知の技術を本発明
に適合するように組み合わせたものであるが、これから
以下が本発明の根幹をなす新規な工程である。まず、基
板上全面に有機膜(インプリント用レジスト)Cを塗布
または薄膜シートのラミネート処理により付着させる。
塗布はインクジェットを用いても良いが、もっと簡単な
噴霧塗布であっても良い。有機膜の厚みは1 μmから10
μm程度とコストと作業性に合わせた任意性がある。こ
の工程の説明を図8に示す。
Up to this point, the conventionally known techniques have been combined so as to be compatible with the present invention, and the following are the new steps forming the basis of the present invention. First, an organic film (imprint resist) C is applied on the entire surface of a substrate or attached by laminating a thin film sheet.
The coating may be performed by using an inkjet, but may be simpler spray coating. The thickness of the organic film is from 1 μm to 10
There is an optionality that matches the cost and workability of about μm. An explanation of this step is shown in FIG.

【0018】これに、図15に示すような構造を持つ印
刷原版を押し付ける。印刷原版には各画素制御用の多数
の微小結晶シリコン集積回路が各画素近傍の所定位置に
対応する箇所に固定されており、それに接続する配線パ
ターンも凹凸パターンとして型取られている。配線パタ
ーン転写用の型の凹凸高さ、透明電極部分の凹凸高さな
どは、対象基板上にすでに存在する凹凸の高さに合わ
せ、必要に応じてそれぞれ別の値に調整することもでき
る。微小結晶シリコン集積回路は、アクリル板等の基板
Aに埋め込んで固定するため、印刷原版の中では一番高
さがあることが普通である。また、この埋め込み作業お
よびその他の配線部等のイン・プリント(凹凸パターン
鋳型の押し付けにより有機膜等に凸凹パターンを転写す
るスタンプ印刷)方式パターン転写を容易にするため、
基板全体をカラーフィルター、透明電極、ブラックマト
リクスB等の既設の材料を損傷しない範囲で昇温する。
この工程の説明を図9に示す。また、この印刷工程終了
後の基板形状の説明を図10に示す。
A printing original plate having a structure as shown in FIG. 15 is pressed against this. A large number of microcrystalline silicon integrated circuits for controlling each pixel are fixed to the printing original plate at a position corresponding to a predetermined position near each pixel, and a wiring pattern connected thereto is also patterned as an uneven pattern. The height of the unevenness of the mold for transferring the wiring pattern, the height of the unevenness of the transparent electrode portion, and the like can be adjusted to different values according to the height of the unevenness already existing on the target substrate. Microcrystalline silicon integrated circuits are substrates such as acrylic plates.
Since it is embedded in A and fixed, it usually has the highest height in the original printing plate. In addition, in order to facilitate this embedding work and imprinting of other wiring parts (stamp printing in which the uneven pattern is transferred to the organic film by pressing the uneven pattern template) method pattern transfer,
The temperature of the entire substrate is raised within a range that does not damage existing materials such as color filters, transparent electrodes, and black matrix B.
An explanation of this step is shown in FIG. Further, FIG. 10 shows an explanation of the substrate shape after this printing process is completed.

【0019】この印刷においてはイン・プリント法を採
用しているが、透明電極等を破損しないため、配線パタ
ーンの凹凸鋳型はその部分は低く設定されて、透明電極
上に有機膜Cを薄く残存させるようにする。一方、各画
素を結線するいわゆるゲート・ライン、データ・ライン
(=シグナル・ライン)に対応するパターンの凹凸鋳型
は、有機膜C、ブラックマトリクス部材Bを突き破り、基
板Aの中に食い込むほどに高めに設定されている。透明
電極上にわずかに残存する有機膜Cは、紫外線を全面に
照射して有機膜全体の耐薬品性を強化した後、ウエット
処理により取り除き、必要部分の透明電極を露出させ
る。この工程の説明を図11に示す。
In this printing, the imprint method is adopted, but since the transparent electrode and the like are not damaged, the concave and convex mold of the wiring pattern is set to a low portion, and the organic film C remains thin on the transparent electrode. I will let you. On the other hand, the concavo-convex mold of the pattern corresponding to the so-called gate line and data line (= signal line) connecting each pixel is so high that it penetrates the organic film C and the black matrix member B and bites into the substrate A. Is set to. The organic film C slightly left on the transparent electrode is removed by wet treatment after irradiating the entire surface with ultraviolet rays to enhance the chemical resistance of the entire organic film, and exposing the necessary portion of the transparent electrode. An explanation of this step is shown in FIG.

【0020】この基板全面にスパッタ法により配線用の
銅を堆積する。この工程の説明を図12に示す。そし
て、リフト・オフ法により有機膜Cとともに不要部分の
銅を除去し、各画素制御用の多数の微小結晶シリコン集
積回路が所定の位置に配置され、その集積回路の電極パ
ッドおよび透明電極上の必要箇所に銅が配線された構造
のディスプレイ基板が完成する。ここまでの工程による
完成図を図16に示す。
Copper for wiring is deposited on the entire surface of this substrate by a sputtering method. An explanation of this step is shown in FIG. Then, unnecessary portions of copper are removed together with the organic film C by a lift-off method, and a large number of microcrystalline silicon integrated circuits for controlling each pixel are arranged at predetermined positions, and electrode pads and transparent electrodes on the integrated circuits are arranged. A display board having a structure in which copper is wired in the required places is completed. A completed drawing of the steps up to this point is shown in FIG.

【0021】この後、実際は検査工程により、微小結晶
シリコン集積回路設置や,配線ラインの欠損箇所の補修
の工程が入るが、ここではその後の工程を続けて説明す
る。すなわち、通常の液晶ディスプレイの製作工程と同
様に上記基板に配向膜を付着、ラビングを行う。これ
と、アクリル等の透明基板に透明電極、配向膜が付着さ
れラビングされた基板を対向させ、液晶を注入して液晶
ディスプレイを完成させる。この工程の説明を図13及
び図14に示す。
After that, a step of installing a microcrystalline silicon integrated circuit and a step of repairing a defective portion of the wiring line are actually carried out by an inspection step, but the subsequent steps will be described here. That is, the alignment film is attached and rubbed on the substrate in the same manner as in a normal liquid crystal display manufacturing process. A transparent electrode such as an acrylic substrate and a substrate rubbed with a transparent electrode and an alignment film are opposed to each other, and liquid crystal is injected to complete a liquid crystal display. An explanation of this step is shown in FIGS.

【0022】本発明では、図15に示す印刷原版の製作
工程も発明を構成する重要な部分である。次にその工程
を説明する。まず、結晶シリコンウエーハ内に画素制御
回路を組み込んだ多数の集積回路を製作する。本実施形
態の例の場合、1個の結晶シリコン集積回路チップの大
きさは約80 μm×100μmである。切断マージンを考える
と、1枚の8インチ・シリコンウェーハから、約150万個
の微小結晶シリコン集積回路チップが得られる。ここで
は、この微小結晶シリコン集積回路に要求される機能と
しては、当該集積回路の設置位置に隣接する4画素それ
ぞれの赤、緑、青の色も含む結局3×4=12 個の周辺画
素を制御する回路が組み込まれている。この集積回路の
模式図を図17に示す。勿論、赤、緑、青も含めて、全
ての画素ごとに1個の微小シリコン集積回路チップを対
応させることもできるが、集積回路製作にかけるコスト
増を招くので、幾つかの周辺画素をまとめて1個の結晶
シリコン集積回路で制御する方が効率的、かつ経済的で
ある。また、この微小シリコン集積回路チップ内に組み
込まれた回路を図18に示す。この回路中の調整用容量
は不要な場合もある。この例では、合計12個の画素を1
個の微小シリコン集積回路チップで制御するので、ゲー
ト・ライン、シグナル・ライン(=データ・ライン)と
も多数本配線しなければならない。この配線本数を減少
させるため、画素選択に例えば、番号1配線と番号2配
線がオンなら画素1番、番号1配線がオンで番号2配線が
オフなら画素2番を選択してデータを送信するといった
論理回路を集積回路内に組み込むこともできる。これを
発展させて、1個の微小シリコン集積回路チップが受け
持つ画素数を大幅に増加させ、ディスプレイ基板に設置
固定する微小シリコン集積回路チップの数を大幅に減少
させることも、本発明の一つの使われ方である。
In the present invention, the process for producing the printing original plate shown in FIG. 15 is also an important part of the invention. Next, the process will be described. First, many integrated circuits in which a pixel control circuit is incorporated in a crystalline silicon wafer are manufactured. In the case of the example of this embodiment, the size of one crystalline silicon integrated circuit chip is about 80 μm × 100 μm. Considering the cutting margin, about 1.5 million microcrystalline silicon integrated circuit chips can be obtained from one 8-inch silicon wafer. Here, as the function required for this microcrystalline silicon integrated circuit, 3 × 4 = 12 peripheral pixels including the red, green, and blue colors of each of the four pixels adjacent to the installation position of the integrated circuit are eventually provided. It has a built-in control circuit. A schematic diagram of this integrated circuit is shown in FIG. Of course, it is possible to correspond to one micro silicon integrated circuit chip for every pixel including red, green and blue, but this will increase the cost of manufacturing the integrated circuit, so some peripheral pixels will be combined. It is more efficient and economical to control with a single crystalline silicon integrated circuit. FIG. 18 shows a circuit incorporated in this micro silicon integrated circuit chip. The adjustment capacitor in this circuit may not be necessary. In this example, 12 pixels in total
Since it is controlled by individual micro silicon integrated circuit chips, many gate lines and signal lines (= data lines) must be wired. In order to reduce the number of wirings, for pixel selection, for example, if the number 1 wiring and the number 2 wiring are on, pixel 1 is selected, and if the number 1 wiring is on and the number 2 wiring is off, pixel 2 is selected and the data is transmitted. Such a logic circuit can be incorporated in an integrated circuit. It is also one of the aspects of the present invention that by developing this, the number of pixels handled by one micro silicon integrated circuit chip is significantly increased, and the number of micro silicon integrated circuit chips mounted and fixed on the display substrate is greatly reduced. It is how it is used.

【0023】上述したように、1枚のシリコンウェーハ
には、図18に示すような約150万個の微小シリコン集
積回路が組み込まれている。微小集積回路チップには、
図19に示すように、次の工程のために、表面の一部の
有機膜コートがなされ、また、微小集積回路チップを印
刷原版の所定位置に配置する方法として特に磁力を用い
る場合には、磁気に感応するニッケル金属を裏面の一部
に付着されている場合もある。これを、マイクロマシン
製作時と同様に、表面の微小集積回路位置に合わせて裏
面に切断パターンを転写した後、ドライ、またはウェッ
トエッチングにより、各微小集積回路ごとに切断する。
この切断にはレーザースクライビング法などの手段を用
いることもできる。この時、切断と後の工程における微
小集積回路チップの取り扱いを容易ならしめるため、シ
リコンウェーハ自体の背面をエッチしてシリコンウェー
ハを薄膜化する場合もある。
As described above, one silicon wafer incorporates about 1.5 million micro silicon integrated circuits as shown in FIG. For micro integrated circuit chips,
As shown in FIG. 19, a part of the surface is coated with an organic film for the next step, and particularly when magnetic force is used as a method for arranging the micro integrated circuit chip at a predetermined position of the printing original plate, In some cases, magnetically sensitive nickel metal is attached to a portion of the back surface. Similar to the case of manufacturing a micromachine, this is transferred to the back surface in accordance with the position of the micro integrated circuit on the front surface, and then cut by dry or wet etching into each micro integrated circuit.
A means such as a laser scribing method may be used for this cutting. At this time, in order to facilitate the cutting and handling of the micro integrated circuit chip in the subsequent steps, the back surface of the silicon wafer itself may be etched to thin the silicon wafer.

【0024】ここで、まず、磁力を用いて微小集積回路
チップを印刷原版の所定位置に配置する本発明の方法に
ついて説明する。多数の微小集積回路チップは図20に
示すチップ配列機に置かれる。これは、丁度、印刷原版
の所定位置に対応する位置に多数のピン状の磁石が配置
されている。これは、一例を示せば、図21に示すよう
に、ニッケルの微小針を多数並べ、その背後に強力磁石
を着けることでも実現する。この多数のピン状磁石を持
つ板を上部に設置し、底からはある一定の風量で窒素ガ
ス、または乾燥空気などを流して、微小な集積回路チッ
プを浮遊かつ上下させ、上部のピン状磁石に微小集積回
路のニッケル付着部分を図22の如く吸着させる。この
状態では、吸着箇所が点であるために、微小集積回路チ
ップには回転の自由度が存在する。十分に各ピン状磁石
に1対1で微小集積回路が吸着されたら、それを印刷原
版に運び、そこで、微小集積回路の方向を揃えるための
図23に示すが如きアパーチャ―を通過させて、適正な
方向を揃えて印刷原版の所定位置に微小集積回路チップ
を置く。その印刷原版は図24に示すが如く、裏面から
真空吸引されていて、その力で印刷原版に密着される。
このような作業の反復により、印刷原版全面の必要箇所
全てに微小集積回路チップを配置する。
First, the method of the present invention for arranging the micro integrated circuit chip at a predetermined position on the printing original plate by using magnetic force will be described. A large number of micro integrated circuit chips are placed in the chip array machine shown in FIG. In this, a large number of pin-shaped magnets are arranged at positions corresponding to predetermined positions of the printing original plate. As an example, this can also be realized by arranging a large number of nickel microneedles and attaching a strong magnet behind them, as shown in FIG. This plate with a large number of pin-shaped magnets is installed on the upper part, and nitrogen gas or dry air is made to flow from the bottom with a certain amount of air to make the minute integrated circuit chips float and move up and down, and the pin-shaped magnets on the upper part. Then, the nickel-attached portion of the micro integrated circuit is adsorbed as shown in FIG. In this state, since the suction points are points, the micro integrated circuit chip has a degree of freedom of rotation. When the micro integrated circuit is sufficiently attracted to each pin-shaped magnet in a one-to-one correspondence, it is carried to the printing original plate, and there, through an aperture as shown in FIG. 23 for aligning the directions of the micro integrated circuit, The micro integrated circuit chip is placed at a predetermined position on the printing original plate in a proper direction. As shown in FIG. 24, the printing original plate is vacuum-sucked from the back surface and is brought into close contact with the printing original plate by its force.
By repeating such an operation, the micro integrated circuit chips are arranged at all the necessary places on the entire surface of the printing original plate.

【0025】微小集積回路チップの印刷原版への配置
は、他の方法でも行うことが可能で、その方法を説明す
る。また、そのチップ配列機の構成概略図を図25に示
す。まず、図26のような、ディスプレイ基板上に微小
集積回路チップをディスプレイ基板に必要とすべき箇所
と同じ位置関係の位置に、微小集積回路チップがはまり
込む孔を空けた型を準備する。その型に、多量の微小集
積回路チップを振り注ぎ、機械的振動、あるいはガス
流、あるいは磁力、あるいはそれらの併用によって、微
小集積回路チップを型にはめ込む。(図27)
The placement of the micro integrated circuit chip on the printing original plate can be performed by another method, which will be described. Further, a schematic configuration diagram of the chip array machine is shown in FIG. First, as shown in FIG. 26, a mold is prepared on the display substrate in which a hole for inserting the micro integrated circuit chip is formed at a position having the same positional relationship as the position where the micro integrated circuit chip is required on the display substrate. A large amount of micro integrated circuit chips are poured into the mold, and the micro integrated circuit chips are fitted into the mold by mechanical vibration, gas flow, magnetic force, or a combination thereof. (Figure 27)

【0026】その際の微小集積回路チップの形状は、画
素制御素子の方向づけを行なうために、長方形で、下方
が、ピラミッド形状、あるいは台形形状であることが好
ましい。また、微小集積回路チップの表面には、次工程
での印刷原版への配置のために、ニッケルなどの磁性体
を蒸着しておく。また、型は、その逆の凹型の孔が空い
ており、その孔と微小集積回路チップが整合するように
なっている(図15)。
At this time, the shape of the micro integrated circuit chip is preferably rectangular, and the lower part is preferably pyramidal or trapezoidal in order to orient the pixel control element. Further, a magnetic material such as nickel is vapor-deposited on the surface of the micro integrated circuit chip in order to arrange it on the printing original plate in the next step. Further, the mold has a concave hole, which is the opposite of the hole, so that the hole and the micro integrated circuit chip are aligned with each other (FIG. 15).

【0027】以上のように、微小集積回路チップを型に
はめ込むが、はめ込まれなかった多量の微小集積回路チ
ップは、ガス流、あるいは磁力、あるいはブラシ、ある
いはそれらの併用で、型表面より除去後、回収し、次ロ
ットにて再利用する。(図29) 以上の型へのチップはめ込みを数回行なっても良い。
As described above, the fine integrated circuit chips are fitted into the mold, but a large amount of the fine integrated circuit chips which are not fitted are removed from the mold surface by gas flow, magnetic force, brush, or a combination thereof. , Collect and reuse in the next lot. (FIG. 29) The chip fitting in the above mold may be performed several times.

【0028】型に、微小集積回路チップをはめ込んだ
後、型の所定の箇所に確実に微小集積回路チップが、は
まり込んでいるかどうかの検査を行なう。検査は、表面
観察、光センサ、接触式センサなどを用いて行なう。検
査を行ない、微小集積回路チップが所定の箇所にない場
合は、その箇所に微小集積回路チップを埋め込み、型の
全ての微小集積回路チップの配置場所に、微小集積回路
チップが埋まるようにする。(図30)
After fitting the micro integrated circuit chip into the mold, it is surely inspected whether the micro integrated circuit chip fits into a predetermined portion of the mold. The inspection is performed using surface observation, an optical sensor, a contact sensor, or the like. When the inspection is performed and the micro integrated circuit chip is not located at a predetermined location, the micro integrated circuit chip is embedded in the location so that the micro integrated circuit chip is embedded in all the micro integrated circuit chip placement locations of the mold. (Figure 30)

【0029】型への微小集積回路チップのはめ込みを確
認後、印刷原版を型に密着させる。(図31) その印刷原版は、電磁石を内蔵し、型に密着後、電磁石
をオンすると、磁力により、磁性体が付着した微小集積
回路チップが、印刷原版に吸着する。(図32) 以上が、印刷原版への微小集積回路チップの配置のもう
一つの方法である。
After confirming the fitting of the micro integrated circuit chip into the mold, the printing original plate is brought into close contact with the mold. (FIG. 31) The printing original plate has an electromagnet built therein, and when the electromagnet is turned on after being brought into close contact with the mold, the micro integrated circuit chip to which the magnetic substance is attached is attracted to the printing original plate by the magnetic force. (FIG. 32) The above is another method for disposing the micro integrated circuit chip on the printing original plate.

【0030】さらに、印刷原版への微小集積回路チップ
を配列するもう一つの方法を説明する。まず、切り分け
た微小集積回路チップを機械的振動によって、溝に並べ
る。(図33)その溝は、ディスプレイ上で微小集積回
路チップを配置すべき間隔で並んだものとする。この並
んだ微小集積回路チップを印刷原版で吸着することによ
り、印刷原版へ微小集積回路チップを配置させる。(図
34) この印刷原版への微小集積回路チップの吸着の方法とし
ては、真空チャック吸着でもよいし、あらかじめ、微小
集積回路チップに磁性体を付着させておき、印刷原版に
磁石を内蔵させて、磁力によって、微小集積回路チップ
を吸着してもよい。この微小集積回路チップの印刷原版
へのピックアップは、複数個の微小チップを同時に吸着
すれば、生産性が高い。
Further, another method for arranging the micro integrated circuit chips on the printing original plate will be described. First, the cut micro integrated circuit chips are arranged in the groove by mechanical vibration. (FIG. 33) The grooves are arranged at intervals where the micro integrated circuit chips should be arranged on the display. The fine integrated circuit chips are arranged on the printing original plate by adsorbing the aligned fine integrated circuit chips on the printing original plate. (FIG. 34) As a method of attracting the micro integrated circuit chip to the printing original plate, vacuum chuck adsorption may be used, or a magnetic material may be attached to the micro integrated circuit chip in advance and a magnet may be built in the printing original plate. Alternatively, the micro integrated circuit chip may be attracted by magnetic force. The pickup of the micro integrated circuit chip onto the printing original plate is highly productive when a plurality of micro chips are adsorbed at the same time.

【0031】以上のように、印刷原版へ微小集積回路チ
ップを配置後、先述の方法のように、微小集積回路チッ
プをディスプレイ基板に埋め込んでもよいが、微小集積
回路チップのディスプレイ基板の埋め込みについて、捕
捉して説明する。印刷原版に配置された微小集積回路チ
ップを基板に埋め込むために、基板材質として、高分子
材料であるアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ま
しい。その際、この片面にスパッタ法により厚さ約1 μ
mのSiO2膜を付着させ、アクリル板の表面を保護する。
この工程は最後に行っても良いし、この保護膜を着けな
くとも機能的にはなんら問題はない。また、ここでは保
護膜付着の方法としてスパッタ法を例示しているが、簡
単な薄板ガラスの貼り付けによるアクリル板表面の保護
を行っても良い。この場合も、表面保護膜形成は、全て
の工程の最後でも良い。(図35)
As described above, after arranging the micro integrated circuit chip on the printing original plate, the micro integrated circuit chip may be embedded in the display substrate as in the above-mentioned method. Regarding the embedding of the micro integrated circuit chip in the display substrate, Capture and explain. In order to embed the micro integrated circuit chip arranged on the printing original plate in the substrate, the substrate material is preferably a polymer material such as acrylic resin or polycarbonate resin. At this time, the thickness of about 1 μm was sputtered on this one side.
A m2 SiO2 film is attached to protect the surface of the acrylic plate.
This step may be performed last, and there is no problem functionally even if this protective film is not applied. Although the sputtering method is exemplified here as the method of attaching the protective film, the surface of the acrylic plate may be protected by simply attaching thin glass. Also in this case, the formation of the surface protective film may be at the end of all steps. (Fig. 35)

【0032】あるいは、ディスプレイ基板にはガラス基
板を使用し、その表面に、高分子フィルムをラミネー
ト、あるいはスピンコート、ロールコートにより形成し
ても良い。その際使用できる高分子フィルムとしては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレンなどが良い。
Alternatively, a glass substrate may be used as the display substrate, and a polymer film may be laminated on the surface thereof, or may be formed by spin coating or roll coating. As the polymer film that can be used at that time,
Polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, etc. are preferable.

【0033】また、印刷原版によって、ディスプレイ基
板、あるいはディスプレイ基板上に形成された高分子フ
ィルムに、微小集積回路チップを埋め込む際に、あらか
じめ、ディスプレイ基板、あるいはディスプレイ基板上
に形成された高分子フィルムの微小集積回路チップの所
定の配置場所に、微小集積回路チップがはまり込む孔を
あけておくと、(図36)微小集積回路チップの埋め込
みが容易となり、好ましい。その孔は、熱成形によって
行なうことが可能である。また、ディスプレイ基板上に
高分子フィルムをラミネートする場合は、基板へのラミ
ネート前に、高分子フィルムにパンチングによって、孔
を空けておいても良い。
Further, when the micro integrated circuit chip is embedded in the display substrate or the polymer film formed on the display substrate by the printing original plate, the display substrate or the polymer film formed on the display substrate in advance. It is preferable that a hole into which the micro integrated circuit chip fits is formed at a predetermined location of the micro integrated circuit chip, because the micro integrated circuit chip can be easily embedded (FIG. 36). The holes can be made by thermoforming. When a polymer film is laminated on a display substrate, holes may be punched in the polymer film before laminating on the substrate.

【0034】そのディスプレイ基板、あるいはディスプ
レイ基板上に形成された高分子フィルムに形成された微
小集積回路チップがはまり込む孔に、先に電磁石を内蔵
した印刷原版にてピックアップした微小集積回路チップ
をはめ込む。(図37) その際、電磁石をオフして、孔に微小集積回路チップを
はめ込む。
The fine integrated circuit chip previously picked up by the printing original plate containing the electromagnet is fitted into the hole into which the fine integrated circuit chip formed on the display substrate or the polymer film formed on the display substrate fits. . (FIG. 37) At that time, the electromagnet is turned off and the fine integrated circuit chip is fitted into the hole.

【0035】さらに、ディスプレイ基板、あるいはディ
スプレイ基板上に形成された高分子フィルムに、微小集
積回路チップを確実に固定するために、印刷原版での微
小集積回路チップのはめ込み時あるいははめ込み後、加
熱プレスによって、微小集積回路チップの埋め込みを確
実なものとする。(図38) その後、微小集積回路チップ表面に付着した磁性体を除
去する。ニッケルを磁性体として使用した場合、その除
去は、塩酸溶液に浸すことによって、行なうことができ
る。(図39) ただし、その際、微小集積回路チップの配線を損傷する
ことのないように、配線材料がその溶液に耐えうる材料
を使用することが必要である。塩酸に耐えうる配線材料
の一例を挙げると、銅である。あるいは、後述するよう
に、配線材料の溶液に耐性のある有機保護膜上に磁性体
を形成しておき、有機保護膜の除去によって、磁性体を
除去してもよい。以上のように、微小集積回路チップ
を、ディスプレイ基板、あるいはディスプレイ基板上に
形成された高分子フィルムに埋め込み、(図40)その
後、配線形成などを行ない、ディスプレイ基板を完成さ
せる。
Further, in order to securely fix the micro integrated circuit chip to the display substrate or the polymer film formed on the display substrate, a heating press is performed during or after the micro integrated circuit chip is fitted in the printing original plate. This secures the embedding of the micro integrated circuit chip. (FIG. 38) After that, the magnetic substance attached to the surface of the micro integrated circuit chip is removed. When nickel is used as the magnetic substance, its removal can be performed by immersing it in a hydrochloric acid solution. (FIG. 39) However, at that time, it is necessary to use a material whose wiring material can withstand the solution so as not to damage the wiring of the micro integrated circuit chip. An example of a wiring material that can withstand hydrochloric acid is copper. Alternatively, as will be described later, a magnetic material may be removed by removing the organic protective film by forming a magnetic material on the organic protective film that is resistant to the wiring material solution. As described above, the micro integrated circuit chip is embedded in the display substrate or the polymer film formed on the display substrate (FIG. 40), and then wiring is formed to complete the display substrate.

【0036】次に、微小集積回路チップの加工方法につ
いて、説明する。まず、小型基板(例えば8インチウェ
ハー)上に、従来の半導体デバイス製造工程によって、
画素制御素子を形成する。(図41) その際使用する基板材料が、微小集積回路チップの材料
となるが、その材料は、結晶シリコン基板を用いると、
高機能のデバイスを製作することができる。あるいは、
微小集積回路チップの加工性を重視する場合は、セラミ
ックス基板を用いても良い。焼結前のセラミックス基板
では、硬度が低く、容易に切断可能なためである。
Next, a method of processing the micro integrated circuit chip will be described. First, by a conventional semiconductor device manufacturing process on a small substrate (for example, an 8-inch wafer),
A pixel control element is formed. (FIG. 41) The substrate material used at that time becomes the material of the micro integrated circuit chip, and when the crystalline silicon substrate is used,
High-performance devices can be manufactured. Alternatively,
When the workability of the micro integrated circuit chip is important, a ceramic substrate may be used. This is because the ceramic substrate before sintering has low hardness and can be easily cut.

【0037】基板上に画素制御素子を形成後、画素制御
素子を形成した基板の表面に有機保護膜を形成する。そ
の上に、ニッケルなどの磁性体をスパッタにて堆積す
る。(図42) 先の、磁石の針で微小集積回路チップをピックアップす
る場合は、この後の基板の裏面研磨後に、基板裏面に、
ニッケルの堆積を行なう。その後、裏面を研磨し、基板
を厚さ30〜300μm程度に薄くする。(図43) もともと薄い基板の場合は、この工程は必要がない。
After forming the pixel control element on the substrate, an organic protective film is formed on the surface of the substrate on which the pixel control element is formed. On top of that, a magnetic material such as nickel is deposited by sputtering. (FIG. 42) In the case of picking up the micro integrated circuit chip with the needle of the magnet, after polishing the back surface of the substrate thereafter,
Deposit nickel. Then, the back surface is polished to reduce the thickness of the substrate to about 30 to 300 μm. (FIG. 43) This step is not necessary if the substrate is originally thin.

【0038】基板厚さを薄くした後、微小集積回路チッ
プの切断を行なうが、先述の方法のように、レーザース
クライビングを使用しても良いが、本例では、安価な薬
液を用いた方法について説明する。裏面を微小集積回路
チップの形状にパターン転写を行ない、(図44)その
際のレジストをマスクとして、基板のウェットエッチン
グを行なって、基板を切断する。(図45) ウェットエッチングによって、微小集積回路チップを切
断した場合、異方性エッチングによって、図46のよう
なピラミッド形状、あるいは台形形状に、加工される。
微小集積回路チップは、先述のとおり、チップ配置での
方向付けを行なうために長方形とする。
After reducing the thickness of the substrate, the micro integrated circuit chip is cut, but laser scribing may be used as in the above method, but in this example, a method using an inexpensive chemical solution is used. explain. A pattern is transferred to the shape of a micro integrated circuit chip on the back surface (FIG. 44), and the resist is used as a mask to perform wet etching on the substrate to cut the substrate. (FIG. 45) When the micro integrated circuit chip is cut by wet etching, it is processed into a pyramid shape or a trapezoidal shape as shown in FIG. 46 by anisotropic etching.
As described above, the micro integrated circuit chip has a rectangular shape for orientation in the chip arrangement.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のようにして、大画面平面ディスプ
レイを製造した場合、そのディスプレイ基板の主要部で
ある画素制御素子を形成するにあたって、CVDなどの
高温、真空プロセスをシリコンウェハーサイズの小型基
板上で行なえるため、数分の1以下の製造設備にて、製
造可能となるため、大幅に製造原価を低減することが可
能となる。さらに、これらの設備はすでに多くの半導体
メーカーが所有しているもので、新規な装置開発、技術
開発は不要となる。さらに、高温プロセスを用いないた
めに、軽量な高分子材料をディスプレイ基板として使用
可能であるため、運搬などが容易となって生産性を高め
られる以外に、壁掛けTVとして使用する場合を例にあ
げれば、設置が容易で、製品としての性能も向上する。
さらに、本方法では、あらかじめ、他所で微小集積回路
チップの配置を確実に行なうために、ディスプレイ基板
上で微小集積回路チップを配置する方法と比較して、デ
ィスプレイ基板の損傷がなく、さらに、確実にチップ配
列を行なうために、歩留まり向上が見込まれる。また、
微小集積回路チップのディスプレイ基板上への埋め込み
と、配線のパターン転写を同時に行なうことで、さらな
る生産性向上が見込まれるものである。
As described above, when a large-screen flat display is manufactured as described above, a high temperature, vacuum process such as CVD is applied to a small substrate of silicon wafer size in forming a pixel control element which is a main part of the display substrate. Since it can be performed above, it can be manufactured with a manufacturing facility of a fraction or less, so that the manufacturing cost can be significantly reduced. Furthermore, since these facilities are already owned by many semiconductor manufacturers, new device development and technological development are unnecessary. Furthermore, since a high-temperature process is not used, a lightweight polymer material can be used as a display substrate, which facilitates transportation and enhances productivity, and is also used as a wall-mounted TV. Therefore, it is easy to install and the product performance is improved.
Further, in this method, compared to the method of arranging the micro integrated circuit chip on the display substrate in advance in order to surely arrange the micro integrated circuit chip at another place, the display substrate is not damaged and further Yield improvement is expected due to the chip arrangement. Also,
By embedding the micro integrated circuit chip on the display substrate and transferring the wiring pattern at the same time, further improvement in productivity is expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(GF印刷)
FIG. 1 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (GF printing)

【図2】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(透明電極製膜)
FIG. 2 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Transparent electrode film formation)

【図3】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(フォトレジスト塗布)
FIG. 3 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Photoresist application)

【図4】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(CFをマスクとして露光)
FIG. 4 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Exposure using CF as a mask)

【図5】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(フォトレジスト除去後)
FIG. 5 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After removing photoresist)

【図6】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(ブラックマトリックス塗布)
FIG. 6 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Black matrix coating)

【図7】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(ブラックマトリックスパターン形成)
FIG. 7 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Black matrix pattern formation)

【図8】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(インプリント用レジスト塗布後)
FIG. 8 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After applying resist for imprint)

【図9】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図であ
る。(インプリント時の基板加熱)
FIG. 9 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Substrate heating during imprint)

【図10】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図で
ある。(配線パターンインプリント後)
FIG. 10 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After imprinting the wiring pattern)

【図11】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図で
ある。(配線パターン転写後)
FIG. 11 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After transferring the wiring pattern)

【図12】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図で
ある。(銅スパッタ後)
FIG. 12 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After copper spatter)

【図13】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図で
ある。(ラビング膜形成後)
FIG. 13 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (After forming the rubbing film)

【図14】液晶ディスプレイを製作する手順を示す図で
ある。(液晶ディスプレイ完成)
FIG. 14 is a diagram showing a procedure for manufacturing a liquid crystal display. (Completion of LCD display)

【図15】本発明の印刷原版を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a printing original plate of the present invention.

【図16】本発明のディスプレイ基盤の完成図である。FIG. 16 is a completed view of a display substrate of the present invention.

【図17】本発明の集積回路の模式図である。(微小画
素制御チップ)
FIG. 17 is a schematic diagram of an integrated circuit of the present invention. (Small pixel control chip)

【図18】本発明の微小画素制御チップ回路図である。FIG. 18 is a circuit diagram of a minute pixel control chip of the present invention.

【図19】本発明の微小画素制御チップ模式図である。FIG. 19 is a schematic diagram of a minute pixel control chip of the present invention.

【図20】本発明のチップ配列機図である。FIG. 20 is a diagram showing a chip array machine of the present invention.

【図21】本発明のチップのピックアップ部を示す図で
ある。
FIG. 21 is a diagram showing a pickup portion of the chip of the present invention.

【図22】本発明のチップをピックアップした状態を示
す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a state where the chip of the present invention is picked up.

【図23】本発明のアパーチャーを示す図である。FIG. 23 is a diagram showing an aperture of the present invention.

【図24】本発明の印刷原版の真空引きを示す図であ
る。
FIG. 24 is a diagram showing vacuum drawing of the printing original plate of the present invention.

【図25】本発明のチップ配列機の構成概略を示す図で
ある。
FIG. 25 is a diagram showing a schematic configuration of a chip arranging machine of the present invention.

【図26】本発明の基板の型を示す図である。FIG. 26 is a view showing a mold of the substrate of the present invention.

【図27】本発明の微小集積回路チップの型への配置を
示す図である。
FIG. 27 is a diagram showing an arrangement of a micro integrated circuit chip of the present invention in a mold.

【図28】本発明の微小集積回路チップ形状と型の孔形
状を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing the shape of a micro integrated circuit chip of the present invention and the shape of holes in a mold.

【図29】本発明の嵌り込まなかった微小集積回路チッ
プの回収を示す図である。
FIG. 29 is a diagram showing the recovery of the non-embedded micro integrated circuit chip of the present invention.

【図30】本発明の微小集積回路チップのリペアを示す
図である。
FIG. 30 is a diagram showing repair of the micro integrated circuit chip of the present invention.

【図31】本発明の印刷原版の型への密着を示す図であ
る。
FIG. 31 is a diagram showing the close contact of the printing original plate of the present invention with a mold.

【図32】本発明の微小集積回路チップが印刷原版に吸
着した状態を示す図である。
FIG. 32 is a view showing a state in which the micro integrated circuit chip of the present invention is adsorbed on a printing original plate.

【図33】本発明の微小集積回路チップの配列を示す図
である。
FIG. 33 is a diagram showing an array of micro integrated circuit chips of the present invention.

【図34】本発明の微小集積回路チップの印刷原版への
ピックアップを示す図である。
FIG. 34 is a diagram showing pickup of a micro integrated circuit chip of the present invention onto a printing original plate.

【図35】本発明のアクリル板へのSIO2膜の貼り付
けを示す図である。
FIG. 35 is a diagram showing the attachment of the SIO 2 film to the acrylic plate of the present invention.

【図36】本発明のディスプレイ基板上のチップ用孔を
示す図である。
FIG. 36 is a view showing a chip hole on the display substrate of the present invention.

【図37】本発明のディスプレイ基板上へのチップの嵌
め込みを示す図である。
FIG. 37 is a diagram showing fitting of a chip onto the display substrate of the present invention.

【図38】本発明のディスプレイ基板上へのチップの熱
圧着を示す図である。
FIG. 38 is a diagram showing thermocompression bonding of a chip onto the display substrate of the present invention.

【図39】本発明のチップ上のニッケルの除去を示す図
である。
FIG. 39 is a diagram showing the removal of nickel on the chip of the present invention.

【図40】本発明のディスプレイ基板上に形成された高
分子フイルムに嵌め込む状態を示す図である。
FIG. 40 is a view showing a state of being fitted into the polymer film formed on the display substrate of the present invention.

【図41】本発明の基板上に形成した画素制御素子を示
す図である。
FIG. 41 is a diagram showing a pixel control element formed on a substrate of the present invention.

【図42】本発明の基板の画素制御素子形成面への有機
保護膜形成とニッケル膜形成を示す図である。
FIG. 42 is a diagram showing the formation of an organic protective film and the formation of a nickel film on the pixel control element formation surface of the substrate of the present invention.

【図43】本発明の基板の裏面研磨を示す図である。FIG. 43 is a diagram showing back surface polishing of the substrate of the present invention.

【図44】本発明の基板裏面のパターンニングを示す図
である。
FIG. 44 is a diagram showing patterning of the back surface of the substrate of the present invention.

【図45】本発明のウエットエッチングによる微小集積
回路チップの作製を示す図である。
FIG. 45 is a diagram showing fabrication of a micro integrated circuit chip by wet etching of the present invention.

【図46】本発明の微小集積回路チップの完成を示す図
である。
FIG. 46 is a diagram showing the completion of the micro integrated circuit chip of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA60 JA03 JA05 JA24 MA05 MA15 MA18 MA30 NA27 PA01 PA08 PA09 PA13 5C094 AA43 AA44 BA03 BA04 BA21 BA27 BA43 CA19 GB10 5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 KK05 KK09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H092 GA60 JA03 JA05 JA24 MA05                       MA15 MA18 MA30 NA27 PA01                       PA08 PA09 PA13                 5C094 AA43 AA44 BA03 BA04 BA21                       BA27 BA43 CA19 GB10                 5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 KK05                       KK09

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶ディスプレイ(LCD)、有機電子発
光(有機EL)ディスプレイ、電界放出型ディスプレイ
(Field Emission Display=FED)等の大画面平面ディス
プレイにおいて、画面を構成する各画素のオン、オフ、
濃淡を各画素近傍に配置された多数の微小なトランジス
タ、ダイオード、金属/絶縁体/金属(Metal/Insulat
or/Metal =MIM)素子等の電子デバイスにより制御す
る構造を有するもので、その多数の微小トランジスタ、
ダイオード、MIM素子等の電子デバイスを、そのディス
プレイ装置以外の他の場所で多量に製作しておき、その
ディスプレイ装置構成基板内の各画素近傍の所定位置
に、印刷技術等の手段により貼り付け固定し、かつ、そ
れら多数の微小電子デバイスを印刷技術等により形成さ
れる回路配線により結合することにより形成されたもの
であることを特徴とする大画面平面ディスプレイ装置お
よびそれを形成する上記製造方法およびそれを実現させ
る製造装置。
1. In a large screen flat panel display such as a liquid crystal display (LCD), an organic electroluminescence (organic EL) display, a field emission display (FED), etc., ON / OFF of each pixel constituting the screen,
A number of minute transistors, diodes, and metal / insulator / metal (Metal / Insulat)
or / Metal = MIM) with a structure controlled by electronic devices such as elements,
A large number of electronic devices such as diodes and MIM elements are manufactured in places other than the display device, and are fixed by sticking to a predetermined position in the vicinity of each pixel in the display device constituent substrate by means such as printing technology. And a large-screen flat display device characterized by being formed by connecting a large number of such microelectronic devices by circuit wiring formed by a printing technique or the like, and the above-mentioned manufacturing method for forming the same. Manufacturing equipment that realizes that.
【請求項2】 特許請求の範囲第1項における、トラン
ジスタ等の多数の微小電子デバイスをそのディスプレイ
装置以外の他の場所で多量に製作しておき、そのディス
プレイ装置構成基板内の各画素近傍の所定位置に、印刷
技術等の手段により貼り付け固定する方法が、印刷原版
に多数の微小電子デバイスをあらかじめ配置しておき、
それをディスプレイ装置構成基板内の各画素近傍の所定
位置に印刷の際に転写する等の方法であることを特徴と
する大画面平面ディスプレイ装置およびそれを形成する
上記製造方法およびそれを実現させる製造装置。
2. A large number of microelectronic devices such as transistors according to claim 1 are manufactured in a large amount in a place other than the display device, and the microelectronic devices are formed in the vicinity of each pixel in the display device constituting substrate. A method of pasting and fixing at a predetermined position by means such as a printing technique is to arrange a large number of microelectronic devices in advance on a printing original plate,
A large screen flat display device characterized by a method of transferring it to a predetermined position near each pixel in a display device constituting substrate at the time of printing, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and manufacturing for realizing the same apparatus.
【請求項3】 特許請求の範囲第1項および第2項におけ
る、多数の微小トランジスタ等の電子デバイスを、印刷
技術等により所定の位置に固定するための印刷技術およ
び、または、多数の各微小電子デバイスを結線する配線
を印刷技術で行うその印刷法が、イン・プリント法ある
いは通常の印刷法においてレジスト等を印刷する等の手
段であることを特徴とする大画面平面ディスプレイの製
造方法および製造装置。
3. A printing technique for fixing a large number of electronic devices such as microtransistors in a predetermined position by a printing technique or the like according to claims 1 and 2 and / or a large number of microdevices. Manufacturing method and manufacturing of large-screen flat display, characterized in that the printing method of wiring for connecting the electronic device by a printing technique is a means of printing a resist or the like in an imprinting method or an ordinary printing method. apparatus.
【請求項4】 特許請求の範囲第1項から第3項におい
て、ディスプレイ装置以外の他の場所で多量に製作した
多数の微小電子デバイスを印刷技術等の手段によりディ
スプレイ装置構成基板の所定位置に貼り付け固定する作
業と、それら微小電子デバイスを印刷技術等により形成
される回路配線により結合する作業が、印刷技術等の手
段により同時になされることを特徴とする大画面平面デ
ィスプレイ装置およびそれを形成する上記製造方法およ
びそれを実現させる製造装置。
4. A plurality of microelectronic devices produced in large quantity in a place other than the display device according to claims 1 to 3 are placed at predetermined positions on a display device constituting substrate by means of printing technology or the like. A large-screen flat display device and a large-screen flat-panel display device, characterized in that the work of sticking and fixing and the work of connecting these microelectronic devices by circuit wiring formed by printing technology or the like are performed simultaneously by means of printing technology or the like. The above-mentioned manufacturing method and manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項5】 特許請求の範囲第1項から第4項におけ
る、大画面平面ディスプレイにおいて、画面を構成する
各画素のオン、オフ、濃淡を制御する、各画素近傍に配
置された多数の微小なトランジスタ、ダイオード、金属
/絶縁体/金属(Metal/Insulator/Metal =MIM)素
子等の電子デバイスが、そのディスプレイ装置以外の他
の場所で製作された多数の微小結晶シリコン集積回路、
または多結晶シリコン集積回路、または非晶質シリコン
集積回路、または金属/絶縁体/金属(MIM)素子およ
びその他、ディスプレイ装置基板の所定位置に上記印刷
法などにより設置される以前に機能が独立に確立された
電子デバイスであることを特徴とする大画面平面ディス
プレイ装置およびそれを形成する上記製造方法およびそ
れを実現させる製造装置。
5. A large screen flat display according to claim 1, wherein a large number of minute pixels arranged near each pixel for controlling ON, OFF and shading of each pixel constituting the screen. Transistor, diode, electronic device such as metal / insulator / metal (Metal / Insulator / Metal = MIM) element, etc. are manufactured in many places other than the display device.
Alternatively, a polycrystalline silicon integrated circuit, an amorphous silicon integrated circuit, a metal / insulator / metal (MIM) element, and other functions may be independently provided before they are installed at a predetermined position on a display device substrate by the printing method or the like. A large-screen flat display device characterized by being an established electronic device, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項6】 特許請求の範囲第1項から第5項におけ
る、多数の微小トランジスタ等の電子デバイス(微小電
子デバイス)を、結晶シリコン基板、あるいはセラミッ
クス基板上で画素制御素子を製作し、それをディスプレ
イ基板上の各画素近傍に配置するための所望の大きさに
切り分けて、製作することを特徴とする大画面平面ディ
スプレイ装置およびそれを形成する上記製造方法および
それを実現させる製造装置。
6. A pixel control element is manufactured from a large number of electronic devices (microelectronic devices) such as microtransistors according to claims 1 to 5 on a crystalline silicon substrate or a ceramic substrate. A large-screen flat display device, which is manufactured by cutting into a desired size for arranging in the vicinity of each pixel on a display substrate, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項7】 特許請求の範囲第1項から第6項におけ
る微小電子デバイスに、複数個の画素を制御する画素制
御素子を形成することにより、1つの微小電子デバイス
にて、複数個の画素を制御するものとし、その微小電子
デバイスをディスプレイ基板上で適切に配置するため
に、微小電子デバイスの画素制御素子が形成された面形
状を長方形とすることを特徴とする大画面平面ディスプ
レイ装置およびそれを形成する上記製造方法およびそれ
を実現させる製造装置。
7. A plurality of pixels are formed in one microelectronic device by forming a pixel control element for controlling a plurality of pixels in the microelectronic device according to claims 1 to 6. A large screen flat display device characterized in that the surface shape on which the pixel control elements of the microelectronic device are formed is a rectangle in order to properly arrange the microelectronic device on the display substrate. The above manufacturing method for forming the same and the manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項8】 特許請求の範囲第1項から第7項におけ
る微小電子デバイスにおいて、微小電子デバイスの印刷
原版への配置の際、あるいは、印刷原版へ配置する前に
前もって型に配置する際に、微小電子デバイスをディス
プレイ基板上で適切に配置するために、微小電子デバイ
スの画素制御素子が形成された面形状を長方形で、かつ
その下方の形状が、ピラミッド型、あるいは台形型とす
ることを特徴とする大画面平面ディスプレイ装置および
それを形成する上記製造方法およびそれを実現させる製
造装置。
8. The microelectronic device according to claims 1 to 7, wherein the microelectronic device is arranged on a printing original plate, or when the microelectronic device is arranged on a mold in advance before the microelectronic device is arranged on the printing original plate. In order to properly arrange the microelectronic device on the display substrate, the surface shape on which the pixel control element of the microelectronic device is formed is rectangular and the shape below it is pyramidal or trapezoidal. A large-screen flat display device having the characteristics, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項9】 特許請求の範囲第2項における、印刷原
版に多数の微小電子デバイスをあらかじめ配置しておく
方法が、多数の微小磁石等を用いてあらかじめニッケル
等の常磁性材料を表面に付着された多数の微小電子デバ
イスを拾い上げ、型に入れて方向を揃える等の方法であ
ることを特徴とする大画面平面ディスプレイ装置および
それを形成する上記製造方法およびそれを実現させる製
造装置。
9. The method of preliminarily arranging a large number of microelectronic devices on a printing original plate according to claim 2, wherein a paramagnetic material such as nickel is previously attached to the surface by using a large number of micromagnets or the like. A large screen flat display device, a manufacturing method for forming the large screen flat display device, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項10】 特許請求の範囲第2項における、印刷
原版に多数の微小電子デバイスをあらかじめ配置してお
く方法が、機械的振動、真空吸引、ガス流の作用などを
用いる方法であることを特徴とする大画面平面ディスプ
レイ装置およびそれを形成する上記製造方法およびそれ
を実現させる製造装置。
10. The method according to claim 2 in which a large number of microelectronic devices are arranged in advance on the printing original plate is a method using mechanical vibration, vacuum suction, action of gas flow, or the like. A large-screen flat display device having the characteristics, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項11】 特許請求の範囲第2項における、印刷
原版に多数の微小電子デバイスをあらかじめ配置してお
く方法が、あらかじめ、微小電子デバイスにニッケルな
どの磁性体を表面に付着しておき、微小電子デバイスが
ディスプレイ基板上に配置すべき位置関係の場所に、微
小電子デバイスがはまり込む凹形状が加工された型に、
微小電子デバイスをふり注ぐ、あるいは機械的振動、ガ
ス流により、微小電子デバイスをはめ込み、はまり込ま
なかった余分の微小電子デバイスを除去後、電磁石を備
えた印刷原版により、型にはめ込まれた微小電子デバイ
スを磁力により吸着することにより、微小電子デバイス
を印刷原版に配置することを特徴とする大画面平面ディ
スプレイ装置およびそれを形成する上記製造方法および
それを実現させる製造装置。
11. A method of preliminarily arranging a large number of microelectronic devices on a printing original plate according to claim 2, wherein a magnetic material such as nickel is attached to the microelectronic devices in advance, In a mold in which a concave shape that fits the microelectronic device is processed in a position where the microelectronic device should be placed on the display substrate,
The microelectronic device is fitted into the mold by the printing original plate equipped with an electromagnet after sprinkling the microelectronic device, fitting the microelectronic device by mechanical vibration or gas flow and removing the extra microelectronic device that did not fit. A large-screen flat display device characterized by disposing a microelectronic device on a printing original plate by attracting the device by magnetic force, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項12】 特許請求の範囲第2項における、印刷
原版に多数の微小電子デバイスをあらかじめ配置してお
く方法が、微小電子デバイスを溝に機械的振動で配列さ
せ、配列させた微小電子デバイスを、あらかじめ、微小
電子デバイスにニッケルなどの磁性体を表面に付着して
おき、その微小電子デバイスを磁力により吸着すること
により、あるいは、真空吸着により吸着することによ
り、微小電子デバイスを印刷原版に配置することを特徴
とする大画面平面ディスプレイ装置およびそれを形成す
る上記製造方法およびそれを実現させる製造装置。
12. The method of preliminarily arranging a large number of microelectronic devices on a printing original plate according to claim 2, wherein the microelectronic devices are arranged in a groove by mechanical vibration, and the microelectronic devices are arranged. In advance, a magnetic substance such as nickel is attached to the surface of the microelectronic device in advance, and the microelectronic device is applied to the printing original plate by magnetically adsorbing the microelectronic device or by vacuum adsorption. A large-screen flat display device characterized by being arranged, the above manufacturing method for forming the same, and a manufacturing device for realizing the same.
【請求項13】 特許請求の範囲第2項及び第10項あ
るいは第11項あるいは第12項における、印刷原版あ
るいは型への多数の微小電子デバイスの配置について、
請求項第10項あるいは第11項あるいは第12項の方
法によって、印刷原版あるいは、微小電子デバイスがデ
ィスプレイ基板上に配置すべき位置関係の場所に微小電
子デバイスがはまり込む凹形状が加工された型への、微
小電子デバイスの配置後、微小電子デバイスが、各配置
場所に配置しているかを、表面観察、あるいは光検査、
あるいは触針検査し、微小電子デバイスが配置していな
い箇所を検査し、微小電子デバイスが所定の場所に配置
していない場合、微小電子デバイスを配置していない場
所に、個別に微小電子デバイスを配置することにより、
全ての微小電子デバイスの所定の配置場所に、微小電子
デバイスを配置することを特徴とする大画面平面ディス
プレイ装置およびそれを形成する上記製造方法およびそ
れを実現させる製造装置。
13. Arrangement of a large number of microelectronic devices on a printing original plate or a mold according to claims 2 and 10 or 11 or 12.
A mold in which a concave shape in which a microelectronic device fits in a printing original plate or a place where the microelectronic device is to be arranged on a display substrate is processed by the method according to claim 10, 11 or 12. After arranging the microelectronic device on the, the surface observation or optical inspection,
Alternatively, stylus inspection is performed to inspect locations where the microelectronic devices are not placed. By placing
A large-screen flat display device characterized by disposing microelectronic devices at predetermined disposition locations of all microelectronic devices, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項14】 特許請求の範囲第1項から第13にお
ける微小電子デバイスを印刷原版により印刷する前に、
あらかじめ印刷対象となるディスプレイ基板、あるいは
ディスプレイ基板上に、ラミネート、あるいはスピンコ
ート、ロールコートにより形成された有機膜に、微小電
子デバイスがはまり込む所定の場所に、請求項7あるい
は8記載の長方形あるいは、長方形でかつ下方がピラミ
ッド型、あるいは台形型の微小電子デバイス形状と整合
するような、逆の凹形状の穴を成形加工あるいは、打ち
抜き加工しておき、そのディスプレイ基板あるいはフィ
ルム上の所定の場所に、微小電子デバイスを印刷するこ
とを特徴とする大画面平面ディスプレイ装置およびそれ
を形成する上記製造方法およびそれを実現させる製造装
置。
14. Before printing the microelectronic device according to claims 1 to 13 on a printing original plate,
The rectangle according to claim 7 or 8 at a predetermined place where a microelectronic device fits in a display substrate to be printed, or an organic film formed on the display substrate by lamination, spin coating, or roll coating. , A rectangular hole with a concave shape that matches the shape of a pyramid-shaped or trapezoidal-shaped microelectronic device, or is punched, and then placed at a predetermined location on the display substrate or film. A large-screen flat display device characterized by printing a microelectronic device, a manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項15】 特許請求の範囲第1項から第14項に
おける微小電子デバイスを印刷原版により印刷する対象
となるディスプレイ基板の材質が、アクリル、ポリスチ
レン、ポリカーボネートであることを特徴とする大画面
平面ディスプレイ装置およびそれを形成する上記製造方
法およびそれを実現させる製造装置。
15. A large screen plane characterized in that the material of the display substrate on which the microelectronic device according to claim 1 is printed with a printing original plate is acrylic, polystyrene, or polycarbonate. A display device, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing device for realizing the same.
【請求項16】 特許請求の範囲第1項から第15項に
おける微小電子デバイスを印刷原版により印刷する対象
となるディスプレイ基板上に、ラミネート、あるいはス
ピンコート、ロールコートにより、ポリエチレン、ある
いはポリプロピレン、あるいはポリ塩化ビニル、あるい
はポリスチレンの有機膜を形成し、それに微小電子デバ
イスを印刷することを特徴とする大画面平面ディスプレ
イ装置およびそれを形成する上記製造方法およびそれを
実現させる製造装置。
16. A display substrate, which is a target for printing the microelectronic device according to any one of claims 1 to 15 on a printing original plate, is laminated, spin-coated, or roll-coated with polyethylene, polypropylene, or A large-screen flat display device characterized by forming an organic film of polyvinyl chloride or polystyrene and printing a microelectronic device thereon, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing device for realizing the same.
【請求項17】 特許請求の範囲第1項から第16にお
ける微小電子デバイスを印刷原版による印刷を、微小電
子デバイスを配置した印刷原版の加熱プレスによって、
微小電子デバイスを基板あるいはフィルムに固定化する
ことを特徴とする大画面平面ディスプレイ装置およびそ
れを形成する上記製造方法およびそれを実現させる製造
装置。
17. A printing original plate for printing a microelectronic device according to any one of claims 1 to 16 is performed by heating a printing original plate on which a microelectronic device is arranged.
A large-screen flat display device characterized by immobilizing a microelectronic device on a substrate or a film, the above-mentioned manufacturing method for forming the same, and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項18】 特許請求の範囲第1項から第17項に
おける、大画面平面ディスプレイが、対角40インチ以
上の大画面ディスプレイであることを特徴とする大画面
平面ディスプレイ装置およびそれを形成する上記製造方
法およびそれを実現させる製造装置。
18. A large screen flat display device and a large screen flat display device according to claim 1, wherein the large screen flat display is a large screen display having a diagonal of 40 inches or more. The above manufacturing method and a manufacturing apparatus for realizing the same.
【請求項19】 特許請求の範囲第1項から第18項に
おける、大画面平面ディスプレイが、ハイビジョン(高
精細)・ディスプレイであることを特徴とする大画面平
面ディスプレイの製造方法および製造装置。
19. A manufacturing method and a manufacturing apparatus for a large-screen flat display, wherein the large-screen flat display in claims 1 to 18 is a high-definition (high definition) display.
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