JP2003241180A - Image display device - Google Patents

Image display device

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JP2003241180A
JP2003241180A JP2002039921A JP2002039921A JP2003241180A JP 2003241180 A JP2003241180 A JP 2003241180A JP 2002039921 A JP2002039921 A JP 2002039921A JP 2002039921 A JP2002039921 A JP 2002039921A JP 2003241180 A JP2003241180 A JP 2003241180A
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JP
Japan
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signal line
gate signal
pixel
liquid crystal
electrode
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Application number
JP2002039921A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Tanaka
武 田中
Kimitoshi Ougiichi
公俊 扇一
Kazuhiko Yanagawa
和彦 柳川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely perform a matching of one substrate with the other substrate. <P>SOLUTION: On a liquid-crystal side surface of one of substrates which are arranged opposite to each other across a liquid crystal, respective areas encircled with a plurality of parallel gate signal lines and a plurality of parallel drain signal lines crossing the gate signal lines are formed as pixel areas, and in each pixel area, a switching element which operates with a scanning signal from a gate signal line and a pixel electrode supplied with a video signal from a drain signal line through the switching element are provided; and a black matrix is formed on a liquid-crystal side surface of the other substrate opposite to the gate signal lines and a projection part or recessed part is formed on at least one of sides nearly parallel to the gate signal lines of the black matrix at a position opposite to the drain signal lines. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置に係
り、たとえば液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device, for example, a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば液晶表示装置は、液晶を介して
対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶側の面
に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信
号線と交差して並設された複数のドレイン信号線が形成
されている。
2. Description of the Related Art For example, in a liquid crystal display device, a plurality of gate signal lines arranged in parallel with each other on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween and the gate signal lines intersect each other. Then, a plurality of drain signal lines arranged in parallel are formed.

【0003】これら各信号線に囲まれた各領域は画素領
域を構成し、この画素領域にはゲート信号線からの走査
信号によって作動する薄膜トランジスタと、この薄膜ト
ランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供
給される画素電極が備えられている。
Each region surrounded by each of these signal lines constitutes a pixel region, and in this pixel region, a thin film transistor operated by a scanning signal from the gate signal line and a video signal from the drain signal line via this thin film transistor are formed. Are provided.

【0004】この画素電極は対向電極との間に電界を生
じせしめ、これら各電極の間の液晶の光透過率を制御す
るようにしている。
An electric field is generated between the pixel electrode and the counter electrode so as to control the light transmittance of liquid crystal between these electrodes.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成される液晶表示装置は、近年の高精細化にとも
ない一方の基板に対する他方の基板の合わせを精度よく
行なうことが要請されてきている。
However, in the liquid crystal display device having such a structure, it has been demanded that one substrate be accurately aligned with the other substrate with the recent trend toward higher definition.

【0006】また、上述した信号線、薄膜トランジス
タ、あるいは電極等は、導電層,半導体層、絶縁層をフ
ォトリソグラフィ技術による選択エッチングにより形成
するが、それらの位置ずれによってたとえば薄膜トラン
ジスタの寄生容量値等にばらつきが生じ、それらの対策
が要請されていた。
Further, the above-mentioned signal line, thin film transistor, electrode or the like is formed by selectively etching a conductive layer, a semiconductor layer, and an insulating layer by a photolithography technique. There were variations, and measures for them were required.

【0007】さらに、高精細化にともない、信号線と電
極との短絡、あるいは信号線の切断による不都合が生
じ、簡単な作業でそれらの修復ができることも要請され
ていた。
Further, with the increase in definition, it has been demanded that a short-circuit between the signal line and the electrode or a disconnection of the signal line causes inconvenience, and that these can be repaired by a simple operation.

【0008】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、一方の基板に対する他方
の基板の合わせを精度よく行なうことができる画像表示
装置を提供することにある。
The present invention has been made under these circumstances, and an object thereof is to provide an image display device capable of accurately aligning one substrate with the other substrate.

【0009】また、本発明の他の目的は、薄膜トランジ
スタの寄生容量値等にばらつきが生ずるのを回避した画
像表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an image display device in which variations in parasitic capacitance values of thin film transistors and the like are avoided.

【0010】さらに、本発明の他の目的は、信号線と電
極との短絡、あるいは信号線の切断等において、簡単な
作業で修復できる画像表示装置を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide an image display device capable of repairing a short circuit between a signal line and an electrode, a disconnection of the signal line or the like by a simple operation.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段1.本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲー
ト信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線と
で囲まれた各領域を画素領域とし、各画素領域に、ゲー
ト信号線からの走査信号によって作動されるスイッチン
グ素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号
線からの映像信号が供給される画素電極とが備えられ、
前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面に前記ゲート
信号線に対向するようにしてブラックマトリクスが形成
され、このブラックマトリクスの前記ゲート信号線とほ
ぼ平行な辺のうち少なくとも一方の辺に前記ドレイン信
号線に対向する部分に凸部あるいは凹部が形成されてい
ることを特徴とするものである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows. Means 1. In the liquid crystal display device according to the present invention, for example, a plurality of gate signal lines juxtaposed to each other on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween and the gate signal lines intersecting the gate signal lines. Each region surrounded by a plurality of drain signal lines arranged in parallel is a pixel region, and in each pixel region, a switching element operated by a scanning signal from a gate signal line and a drain signal line via this switching element And a pixel electrode to which a video signal from
A black matrix is formed on the liquid crystal side surface of the other substrate of the respective substrates so as to face the gate signal lines, and at least one side of the sides of the black matrix substantially parallel to the gate signal lines is formed. It is characterized in that a convex portion or a concave portion is formed in a portion facing the drain signal line.

【0012】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば,手段1の構成を前提に、ブラックマトリクスに
形成された前記凸部あるいは凹部は、ドレイン信号線の
走行方向に沿って形成された各画素領域にて複数おき
に、またゲート信号線の走行方向に沿って形成された各
画素領域にて複数おきに形成されていることを特徴とす
るものである。
Means 2. In the liquid crystal display device according to the present invention, for example, on the premise of the configuration of means 1, a plurality of the convex portions or the concave portions formed in the black matrix are provided in each pixel region formed along the running direction of the drain signal line. In addition, a plurality of pixel regions are formed in each pixel region formed along the traveling direction of the gate signal line.

【0013】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、各画素
領域に、ゲート信号線に接続されたゲート電極を有する
スイッチング素子と、このスイッチング素子のドレイン
電極が接続されたドレイン信号線からの映像信号がソー
ス電極を通して供給される画素電極とが備えられ、前記
各基板のうち他方の基板の液晶側の面に前記ゲート信号
線に対向するようにしてブラックマトリクスが形成さ
れ、このブラックマトリクスの前記ゲート信号線とほぼ
平行な辺に前記ソース電極に対向する部分に凸部あるい
は凹部が形成されていることを特徴とするものである。
Means 3. In the liquid crystal display device according to the present invention, for example, a plurality of gate signal lines juxtaposed to each other on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween and the gate signal lines intersecting the gate signal lines. A region surrounded by a plurality of drain signal lines arranged in parallel is a pixel region, and a switching element having a gate electrode connected to the gate signal line and a drain electrode of this switching element are connected to each pixel region. And a pixel electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied through the source electrode, and a black matrix is formed on the liquid crystal side surface of the other substrate of the substrates so as to face the gate signal line. In addition, a convex portion or a concave portion is formed in a portion of the black matrix, which is substantially parallel to the gate signal line, facing the source electrode. Than it is.

【0014】手段4.本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の表面に並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイ
ン信号線が形成され、これら各信号線に囲まれた各領域
を画素領域とし、該画素領域にその画素領域を囲む一対
のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信
号によって作動する薄膜トランジスタと、この薄膜トラ
ンジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される表示用電極と、この表示用電極と接続され該画素
領域を囲む一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号
線に絶縁膜を介して重畳されて形成される容量素子の一
方の容量電極とを備え、前記表示用電極は前記一方のゲ
ート信号線上に形成された前記薄膜トランジスタのソー
ス電極から引き出されて形成されているとともに、前記
容量電極は前記他方のゲート信号線の当該画素領域と隣
接する画素領域側の辺から突出して形成されていること
を特徴とするものである。
Means 4. In the image display device according to the present invention, for example, a plurality of gate signal lines arranged in parallel on the surface of the substrate and a plurality of drain signal lines arranged in parallel so as to intersect these gate signal lines are formed, and each of these signal lines is formed. A thin film transistor which operates by a scanning signal from one gate signal line of a pair of gate signal lines surrounding the pixel region in each pixel region, and a drain signal line through the thin film transistor. A display electrode to which the image signal is supplied, and a capacitive element formed by being superimposed on the other gate signal line of the pair of gate signal lines connected to the display electrode and surrounding the pixel region via an insulating film. One of the capacitance electrodes, and the display electrode is formed by being drawn from the source electrode of the thin film transistor formed on the one gate signal line. Both the capacitor electrodes is characterized in that it is formed to protrude from the pixel area and the adjacent pixel region side edge of the other gate signal lines.

【0015】手段5.本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段4の構成を前提として、前記他方のゲート
信号線は当該画素領域側に延在部を有し、前記容量電極
は該延在部であるゲート信号線に重畳されて形成されて
いることを特徴とするものである。
Means 5. In the image display device according to the present invention, for example, on the premise of the configuration of the means 4, the other gate signal line has an extending portion on the pixel region side, and the capacitance electrode is the gate signal line which is the extending portion. It is characterized in that it is formed so as to be superimposed on.

【0016】手段6.本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段4、5のいずれかの構成を前提として、前
記画素領域に形成される容量素子は2個設けられ、その
うち一方の容量素子であって、その容量電極が前記他方
のゲート信号線の当該画素領域と隣接する画素領域側の
辺から突出して形成される容量素子の容量は他の容量素
子の容量よりも小さくなっていることを特徴とするもの
である。
Means 6. In the image display device according to the present invention, for example, on the premise of the configuration of any one of means 4 and 5, two capacitive elements formed in the pixel region are provided, and one of the capacitive elements is the capacitive electrode. Is characterized in that the capacitance of the capacitive element formed so as to project from the side of the other gate signal line adjacent to the pixel area on the pixel area side is smaller than the capacitance of the other capacitive element. .

【0017】手段7.本発明による画像表示装置は、た
とえば、基板の表面に並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイ
ン信号線が形成され、これら各信号線によって囲まれた
各領域を画素領域とし、この画素領域にゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される表示用電極とを備えるとともに、前記
各ゲート信号線に走査信号を供給する半導体装置から構
成される走査信号駆動回路、および各ドレイン信号線に
映像信号を供給する半導体装置から構成される映像信号
駆動回路とを備え、前記走査信号駆動回路および映像信
号駆動回路のうち少なくとも一方の回路が基板側に形成
された支柱状の突起体に支持されるとともに、該回路と
基板の間に配置された異方性導電シートを介して対応す
る信号線に接続されていることを特徴とするものであ
る。
Means 7. In the image display device according to the present invention, for example, a plurality of gate signal lines arranged in parallel on the surface of the substrate and a plurality of drain signal lines arranged in parallel so as to intersect these gate signal lines are formed. Each of the enclosed regions is used as a pixel region, and a switching element that operates by a scanning signal from the gate signal line and a display electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied through the switching element are provided in the pixel region. A scanning signal drive circuit including a semiconductor device that supplies a scanning signal to each of the gate signal lines, and a video signal drive circuit including a semiconductor device that supplies a video signal to each of the drain signal lines. When at least one circuit of the scanning signal drive circuit and the video signal drive circuit is supported by a pillar-shaped protrusion formed on the substrate side. To, and is characterized in that it is connected to a corresponding signal line via the anisotropic conductive sheet disposed between the circuit and the substrate.

【0018】手段8.本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段7の構成を前提として、前記半導体装置は
TCP方式の半導体装置であることを特徴とするもので
ある。
Means 8. The image display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of the means 7, characterized in that the semiconductor device is a TCP type semiconductor device.

【0019】手段9.本発明による画像表示装置は、た
とえば、手段7の構成を前提として、前記半導体装置は
COG方式の半導体装置であることを特徴とするもので
ある。
Means 9. The image display device according to the present invention is, for example, on the premise of the configuration of the means 7, characterized in that the semiconductor device is a COG type semiconductor device.

【0020】手段10.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号
線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた各
領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続さ
れ前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極と
を備え、前記対向電極はドレイン信号線と絶縁層を介し
て重畳されるものを含み、ゲート信号線と絶縁層を介し
て重畳されて形成される対向電圧信号線と接続されて形
成され、該対向電圧信号線は前記画素電極の一部と絶縁
層を介して重畳されているとともに、前記絶縁層は少な
くともその上層が有機材料層からなる多層構造をなし、
前記対向電圧信号線と重畳する画素電極の一部に前記有
機材料層の除去部分を有することを特徴とするものであ
る。
Means 10. The liquid crystal display device according to the present invention,
For example, a plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of drain signals juxtaposed to these gate signal lines on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other via the liquid crystal. Lines are formed, and each region surrounded by these signal lines is a pixel region, and in this pixel region, a switching element operated by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal line from the drain signal line via this switching element are formed. A pixel electrode to which a video signal is supplied and a counter electrode which is connected to a counter voltage signal line and generates an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode are overlapped with the drain signal line through an insulating layer. And a counter voltage signal line formed by being overlapped with a gate signal line through an insulating layer, the counter voltage signal line being overlapped with a part of the pixel electrode through an insulating layer. Together and, the insulating layer without at least a multi-layer structure in which the upper layer comprises an organic material layer,
A part of the pixel electrode that overlaps with the counter voltage signal line has a removed portion of the organic material layer.

【0021】手段11.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号
線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた各
領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極とを備え、当該画素領域の画
素電極の一部が、当該画素領域とドレイン信号線に沿っ
て隣接される画素領域の画素電極から引き出された配線
層と絶縁層を介して重畳されていることを特徴とするも
のである。
Means 11. The liquid crystal display device according to the present invention,
For example, a plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of drain signals juxtaposed to these gate signal lines on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other via the liquid crystal. Lines are formed, and each region surrounded by these signal lines is a pixel region, and in this pixel region, a switching element operated by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal line from the drain signal line via this switching element are formed. A wiring layer and an insulating layer, each of which is provided with a pixel electrode to which a video signal is supplied, and a part of the pixel electrode in the pixel region is drawn from the pixel electrode in the pixel region adjacent to the pixel region along the drain signal line. It is characterized in that it is superposed through.

【0022】手段12.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号
線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた各
領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続さ
れ前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極と
を備え、前記対向電極はドレイン信号線と絶縁層を介し
て重畳されるものを含み、ゲート信号線と絶縁層を介し
て重畳されて形成される対向電圧信号線と接続されて形
成されているとともに、前記対向電極の対向電圧信号線
との接続部には分岐部を有し、その分岐部の間にドレイ
ン信号線が位置づけられていることを特徴とするもので
ある。
Means 12. The liquid crystal display device according to the present invention,
For example, a plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of drain signals juxtaposed to these gate signal lines on the liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other via the liquid crystal. Lines are formed, and each region surrounded by these signal lines is a pixel region, and in this pixel region, a switching element operated by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal line from the drain signal line via this switching element are formed. A pixel electrode to which a video signal is supplied and a counter electrode which is connected to a counter voltage signal line and generates an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode are overlapped with the drain signal line through an insulating layer. And a counter voltage signal line formed by being overlapped with the gate signal line via an insulating layer, and formed at the connection portion of the counter electrode with the counter voltage signal line. Has a part, is characterized in that the drain signal line is positioned between the branch portion.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《全体構成》図2は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す構成図である。同図は等価回路で示している
が、実際の幾何学的配置に対応している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. << Overall Configuration >> FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. The figure shows an equivalent circuit, which corresponds to the actual geometrical arrangement.

【0024】図2において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該
液晶は一方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板
SUB2の固定を兼ねるシール材SLによって封入され
ている。
In FIG. 2, there is a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and the liquid crystal is enclosed by a sealing material SL which also fixes one transparent substrate SUB1 to the other transparent substrate SUB2. ing.

【0025】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しx方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
On the liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the seal material SL, the gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and the x extending in the y direction are provided. A drain signal line DL is formed side by side in the direction.

【0026】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Each gate signal line GL and each drain signal line D
The region surrounded by L and L constitutes a pixel region, and the matrix-shaped aggregate of these pixel regions is the liquid crystal display unit A.
It constitutes R.

【0027】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
In each pixel region, a thin film transistor TFT which is operated by a scanning signal from the gate signal line GL on one side and a pixel electrode to which a video signal from the drain signal line DL on one side is supplied via the thin film transistor TFT. PX is formed.

【0028】この画素電極PXは、他方の透明基板SU
B2の液晶側の面に各画素領域に共通に形成した対向電
極CT(図示せず)との間に電界を発生させ、この電界
によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。
This pixel electrode PX is the other transparent substrate SU.
An electric field is generated between the counter electrode CT (not shown) commonly formed in each pixel region on the surface of B2 on the liquid crystal side, and the light transmittance of the liquid crystal is controlled by this electric field.

【0029】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the sealing material SL, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the vertical scanning drive circuit V is connected. . Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel is inputted to an input terminal of the vertical scanning drive circuit V.

【0030】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
The vertical scanning drive circuit V comprises a plurality of semiconductor devices, a plurality of gate signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is applied to each of these groups. There is.

【0031】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SL, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the video signal driving circuit He is connected. Has become. Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel is input to the input terminal of the video signal drive circuit He.

【0032】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
The video signal driving circuit He is also composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each of these groups. ing.

【0033】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査駆動
回路Vからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
One of the gate signal lines GL is sequentially selected by a scanning signal from the vertical scanning drive circuit V.

【0034】また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
A video signal is supplied to each of the drain signal lines DL by a video signal drive circuit He at the timing of selecting the gate signal line GL.

【0035】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Vおよび映像信号駆動回路Heは透明基板SUB1
に搭載された半導体装置を示したもの(COG方式)で
あるが、たとえば透明基板SUB1とプリント基板との
間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式(T
CP方式)の半導体装置であってもよく、さらに、前記
薄膜トランジスタTFTの半導体層が多結晶シリコン
(p−Si)から構成される場合、透明基板SUB1面
に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とと
もに形成されたものであってもよい。
In the above-described embodiment, the vertical scanning drive circuit V and the video signal drive circuit He are the transparent substrate SUB1.
1 shows a semiconductor device mounted on a substrate (COG system), for example, a so-called tape carrier system (T) which is connected across the transparent substrate SUB1 and the printed circuit board.
(CP method) semiconductor device, and when the semiconductor layer of the thin film transistor TFT is made of polycrystalline silicon (p-Si), the semiconductor element made of polycrystalline silicon is provided on the surface of the transparent substrate SUB1. It may be formed with a layer.

【0036】《透明基板SUB1側の画素の構成》図1
(a)は透明基板SUB1側における画素領域の一実施
例を示す平面図である。また、図1(b)は図1(a)
のb−b線における断面図、図1(c)は図1(a)の
c−c線における断面図を示している。
<< Structure of Pixels on Transparent Substrate SUB1 Side >> FIG.
FIG. 6A is a plan view showing an example of a pixel region on the transparent substrate SUB1 side. Further, FIG. 1 (b) is shown in FIG. 1 (a).
1 is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 1, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line cc in FIG.

【0037】図1において、透明基板SUB1の液晶側
の面に、まず、x方向に延在しy方向に並設される一対
のゲート信号線GLが形成されている。
In FIG. 1, a pair of gate signal lines GL extending in the x direction and arranged side by side in the y direction are first formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side.

【0038】これらゲート信号線GLは後述の一対のド
レイン信号線DLとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
These gate signal lines GL surround a rectangular region together with a pair of drain signal lines DL which will be described later, and this region is configured as a pixel region.

【0039】このようにゲート信号線GLが形成された
透明基板SUB1の表面にはたとえばSiNからなる絶
縁膜GIが該ゲート信号線GLをも被って形成されてい
る。
An insulating film GI made of, for example, SiN is formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the gate signal lines GL have been formed as described above so as to cover the gate signal lines GL as well.

【0040】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
TFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子の形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。
The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in the formation region of the drain signal line DL described later, and functions as the gate insulation film in the formation region of the thin film transistor TFT described later. In the formation area of the capacitive element, which will be described later, it has a function as a dielectric film.

【0041】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。
On the surface of the insulating film GI,
A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL.

【0042】この半導体層ASは、薄膜トランジスタT
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1お
よびソース電極SD2を形成することにより、ゲート信
号線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
(metal insulator semiconductor)型トランジスタを
構成することができる。
This semiconductor layer AS is a thin film transistor T.
By forming the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the upper surface of the FT, the MIS having the inverted stagger structure in which a part of the gate signal line GL is used as the gate electrode
A (metal insulator semiconductor) type transistor can be configured.

【0043】ここで、前記ドイレン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed at the same time when the drain signal line DL is formed.

【0044】すなわち、y方向に延在されx方向に並設
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。
That is, the drain signal line DL extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction is formed, and a part of the drain signal line DL extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form the drain electrode SD.
1 is formed, and the source electrode SD2 is formed apart from the drain electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT.

【0045】このソース電極SD2は半導体層AS面か
ら画素領域側の絶縁膜GIの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極PXとの接続を図るためのコンタク
ト部CNが形成されている。
The source electrode SD2 extends slightly from the surface of the semiconductor layer AS to the upper surface of the insulating film GI on the pixel region side, and a contact portion CN for connecting to a pixel electrode PX described later is formed. .

【0046】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、およびソース電極
SD2が形成された透明基板SUB1の表面にはたとえ
ばSiNからなる保護膜PASと樹脂材等の有機材料層
からなる保護膜OPASの順次積層体が形成されてい
る。これら保護膜PAS、OPASは前記薄膜トランジ
スタTFTの液晶との直接の接触を回避する層で、該薄
膜トランジスタの特性劣化を防止せんとするようになっ
ている。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are thus formed, a protective film PAS made of, for example, SiN and an organic material layer such as a resin material are formed. A sequential laminated body of the protective film OPAS is formed. These protective films PAS and OPAS are layers for avoiding direct contact with the liquid crystal of the thin film transistor TFT, and prevent the characteristic deterioration of the thin film transistor.

【0047】ここで、保護膜として有機材料層からなる
保護膜OPASを用いているのは保護膜自体の誘電率を
小さくすることにある。
Here, the reason why the protective film OPAS made of an organic material layer is used as the protective film is to reduce the dielectric constant of the protective film itself.

【0048】保護膜O−PASの上面には画素電極PX
が形成されている。この画素電極PXはたとえばITO
(Indium-Tin-Oxide)膜からなる透光性の導電膜から構成
されている。この画素電極PXとしては、他に、ITZO(I
ndium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、S
nO2(酸化スズ)、In2O3(酸化インジウム)等のような
材料であってもよい。
The pixel electrode PX is formed on the upper surface of the protective film O-PAS.
Are formed. This pixel electrode PX is, for example, ITO.
(Indium-Tin-Oxide) film is formed of a translucent conductive film. As the pixel electrode PX, the ITZO (I
ndium Tin Zinc Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), S
It may be a material such as nO 2 (tin oxide), In 2 O 3 (indium oxide), or the like.

【0049】この画素電極PXは、薄膜トランジスタT
FTの形成領域を回避して画素領域の大部分を占めるよ
うにして形成されている。この実施例では、画素電極P
Xのドレイン信号線DLと平行な各辺はそれぞれ該ドレ
イン信号線DLに重畳されて形成され、かつ、x方向に
隣接される他の各画素領域の画素電極PXとは分離され
て形成されている。保護膜として有機材料からなる保護
膜O−PASを用いていることから、ドレイン信号線D
Lと画素電極PXとの間に生じる寄生容量を回避するこ
とができる。
This pixel electrode PX is a thin film transistor T.
It is formed so as to avoid the FT formation region and occupy most of the pixel region. In this embodiment, the pixel electrode P
Each side of the X parallel to the drain signal line DL is formed so as to be overlapped with the drain signal line DL, and is formed separately from the pixel electrodes PX of other pixel regions adjacent to each other in the x direction. There is. Since the protective film O-PAS made of an organic material is used as the protective film, the drain signal line D
It is possible to avoid the parasitic capacitance generated between L and the pixel electrode PX.

【0050】そして、画素電極PXの一部において、前
記保護膜O−PAS、PASを貫通するコンタクトホー
ルを通して薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2
(コンタクト部CN)に電気的に接続されている。
Then, in a part of the pixel electrode PX, the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT is provided through a contact hole penetrating the protective films O-PAS and PAS.
It is electrically connected to the (contact portion CN).

【0051】さらに、画素電極PXはこれに接続される
前記薄膜トランジスタTFTを駆動するゲート信号線G
Lとは異なる他の隣接するゲート信号線GLの上方に至
るまで延在されて、該他のゲート信号線GLと重畳する
部分を形成している。この部分において、画素電極PX
と他のゲート信号線GLとの間に保護膜O−PAS、保
護膜PAS、絶縁膜GIを誘電体膜とする容量素子Ca
ddが形成されるようになっている。
Further, the pixel electrode PX is a gate signal line G for driving the thin film transistor TFT connected thereto.
It extends up to another adjacent gate signal line GL different from L and forms a portion overlapping with the other gate signal line GL. In this portion, the pixel electrode PX
Of the protective film O-PAS, the protective film PAS, and the insulating film GI as a dielectric film between the gate and another gate signal line GL.
dd is formed.

【0052】この容量素子Caddは、たとえば画素電
極PXに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
The capacitive element Cadd has a function of storing the video signal supplied to the pixel electrode PX for a relatively long time, for example.

【0053】そして、このように画素電極PXが形成さ
れた透明基板SUB1の上面には該画素電極PXをも被
って配向膜ALが形成されている。この配向膜ALは液
晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビン
グによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるよ
うになっている。
Then, an alignment film AL is formed on the upper surface of the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrodes PX are formed so as to cover the pixel electrodes PX as well. The alignment film AL is a film that directly contacts the liquid crystal, and the rubbing formed on the surface of the alignment film AL determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal.

【0054】《透明基板SUB2側の画素の構成》前記
透明基板SUB1と液晶を介して対向配置される透明基
板SUB2の液晶側の面には、まずブラックマトリクス
BMが形成されている。
<< Structure of Pixels on Transparent Substrate SUB2 Side >> A black matrix BM is first formed on the surface of the transparent substrate SUB2 facing the transparent substrate SUB1 with a liquid crystal therebetween on the liquid crystal side.

【0055】このブラックマトリクスBMはx方向に延
在されy方向に並設され、ゲート信号線GLを充分に被
うようにして形成されている。
The black matrix BM extends in the x direction, is arranged in parallel in the y direction, and is formed so as to sufficiently cover the gate signal line GL.

【0056】このブラックマトリクスBMは表示のコン
トラストの向上を図るとともに、透明基板SUB1側の
薄膜トランジスタTFTを充分被うようにして形成さ
れ、該薄膜トランジスタTFTへの外来光の照射を妨げ
ることによって該薄膜トランジスタTFTの特性劣化を
回避するようになっている。
The black matrix BM is formed so as to improve the display contrast and sufficiently covers the thin film transistor TFT on the transparent substrate SUB1 side, and prevents the external light from illuminating the thin film transistor TFT. It is designed to avoid the deterioration of characteristics.

【0057】この実施例において、ドレイン信号線DL
を被うようにしてブラックマトリクスBMを形成してい
ないのは、ドレイン信号線DL自体にブラックマトリク
スの機能をもたせているからである。
In this embodiment, the drain signal line DL
The reason why the black matrix BM is not formed so as to cover the above is that the drain signal line DL itself has the function of the black matrix.

【0058】また、このようにゲート信号線GLを被う
ブラックマトリクスBMは、該ゲート信号線GLと平行
な各辺において、その延在端が鋭角をなす三角形状の凸
部BMPを有するパターンとして形成されている。
Further, the black matrix BM covering the gate signal line GL in this way is a pattern having a triangular convex portion BMP whose extending end forms an acute angle on each side parallel to the gate signal line GL. Has been formed.

【0059】この凸部BMPはその先端がドレイン信号
線DLの中心軸に一致づけられて形成されている。
The tip of this convex portion BMP is formed so as to coincide with the central axis of the drain signal line DL.

【0060】すなわち、この凸部BMPは透明基板SU
B1に対して透明基板SUB2をx方向のずれなく配置
させるための位置決めマークとして機能させている。
That is, this convex portion BMP is the transparent substrate SU.
It functions as a positioning mark for arranging the transparent substrate SUB2 with respect to B1 without displacement in the x direction.

【0061】後述するカラーフィルタCFが透明基板S
UB1側の各画素領域に位置づれなく配置できるように
するためである。
A color filter CF described later is a transparent substrate S.
This is because they can be arranged in the respective pixel areas on the UB1 side without being positioned.

【0062】該ブラックマトリクスBMが形成された透
明基板SUB2の面には該ブラックマトリクスBMをも
被ってカラーフィルタCFが形成されている。
A color filter CF is formed on the surface of the transparent substrate SUB2 on which the black matrix BM is formed so as to cover the black matrix BM.

【0063】このカラーフィルタCFはたとえば赤
(R)、緑(G)、青(B)の各色のフィルタからなり、y
方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色(R)の
フィルタが共通に形成され、該画素領域群にx方向に順
次隣接する画素領域群に共通に緑(G)色、青(B)色、
赤(R)色、……、というような配列で形成されてい
る。
The color filter CF is composed of filters of respective colors of red (R), green (G) and blue (B), and y
For example, a red (R) filter is commonly formed in each pixel region group arranged in parallel in the direction, and a green (G) color and a blue (B) color are commonly shared by the pixel region groups that are sequentially adjacent to the pixel region group in the x direction. )color,
They are formed in an array such as red (R) color ....

【0064】したがって、互いに色の異なる隣接された
各カラーフィルタCFの境界はドレイン信号線DL上に
位置づけられることになる。
Therefore, the boundary between the adjacent color filters CF having different colors is located on the drain signal line DL.

【0065】カラーフィルタCFが形成された透明基板
CFの表面には該カラーフィルタCFをも被って、たと
えばITO膜等からなる透光性の導電膜が形成され、こ
の導電膜によって各画素領域に共通の対向電極CTが形
成されている。
A transparent conductive film made of, for example, an ITO film is formed on the surface of the transparent substrate CF on which the color filter CF is formed so as to cover the color filter CF. A common counter electrode CT is formed.

【0066】この対向電極CTの表面には配向膜ALが
形成され、この配向膜ALは液晶と直接に当接する膜
で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分
子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
An alignment film AL is formed on the surface of the counter electrode CT, and the alignment film AL is a film that directly contacts the liquid crystal. The rubbing formed on the surface determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal. It is like this.

【0067】このように構成された液晶表示装置は、透
明基板SUB1に対する透明基板SUB2の位置合わせ
を、ブラックマトリクスBMの突起部BMPとドレイン
信号線DLによって行なうことから、極めて精度よく行
なうことができる。
In the liquid crystal display device configured as described above, the alignment of the transparent substrate SUB2 with respect to the transparent substrate SUB1 is performed by the protrusion BMP of the black matrix BM and the drain signal line DL, so that it can be performed extremely accurately. .

【0068】この場合、x方向の位置ずれを回避し、透
明基板SUB1側の画素領域とそれに対応するカラーフ
ィルタCFのずれをなくすことができる。
In this case, displacement in the x direction can be avoided and displacement between the pixel region on the transparent substrate SUB1 side and the corresponding color filter CF can be eliminated.

【0069】実施例2.上述した実施例では、ブラック
マトリクスBMの開口部の辺の一部に形成する凸部BM
Pは三角形状としたものであるが、この形状に限定され
ることはなく、たとえば図3(a)ないし(i)に示す
ような形状としてもよいことはいうまでもない。この場
合の凸部の形状は、そのy方向に延びる延在端(先端)
において一点を指す形状が好ましい。該一点がドレイン
信号線DLの幅のどの位置に位置付けられるかが容易に
確認できるからである。また、この実施例に示した変形
例は後に示す実施例にも同様に適用することができる。
Example 2. In the above-described embodiment, the convex portion BM formed on a part of the side of the opening of the black matrix BM.
Although P has a triangular shape, it is needless to say that it is not limited to this shape and may have a shape as shown in FIGS. 3 (a) to 3 (i), for example. In this case, the shape of the protrusion is the extension end (tip) extending in the y direction.
A shape that points to one point is preferable. This is because it is possible to easily confirm at which position in the width of the drain signal line DL the one point is located. Further, the modification shown in this embodiment can be similarly applied to the embodiment described later.

【0070】実施例3.また、実施例1に示したブラッ
クマトリクスBMに形成する凸部BMPは、図4(a)
に示すように、各画素毎に形成したものであるが、図4
(b)ないし(d)に示すように複数画素毎に形成する
ようにしてもよいことはいうまでもよい。
Example 3. Further, the convex portion BMP formed on the black matrix BM shown in the first embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, it is formed for each pixel.
It goes without saying that they may be formed for each of a plurality of pixels as shown in (b) to (d).

【0071】さらに図4(e)に示すように、特定の色
を担当する画素毎に形成してもよい。この場合、比較的
透過率の高い緑色(G)を担当する画素毎に形成するこ
とによって、他の色との透過光量のバランスがとれる効
果を奏する。また、この実施例に示した変形例は後に示
す実施例にも適用することができる。
Further, as shown in FIG. 4E, it may be formed for each pixel in charge of a specific color. In this case, by forming each pixel in charge of green (G), which has a relatively high transmittance, the effect of balancing the amount of transmitted light with other colors is achieved. Further, the modified example shown in this embodiment can be applied to the embodiment described later.

【0072】実施例4.図5は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に対応した
図となっている。
Example 4. FIG. 5 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 1 (a).

【0073】この実施例では、ブラックマトリクスBM
に形成する凸部BMPは、薄膜トランジスタTFTのソ
ース電極SD2に対向するようにして位置づけるように
したものである。このようにした場合も実施例1と同様
な効果が得られる。
In this embodiment, the black matrix BM
The convex portion BMP formed at is positioned so as to face the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT. Even in this case, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0074】実施例5.図6は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に対応した
図となっている。
Example 5. FIG. 6 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 1 (a).

【0075】この実施例では、ブラックマトリクスBM
に形成する凸部BMPは、ゲート信号線GLに形成した
凸部GLPに対向するようにして位置づけるようにした
ものである。
In this embodiment, the black matrix BM
The convex portion BMP formed at is positioned so as to face the convex portion GLP formed at the gate signal line GL.

【0076】実施例6.図7は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図1(a)に対応した
図となっている。
Example 6. FIG. 7 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 1 (a).

【0077】この実施例は、透明基板SUB1側の画素
領域内にたとえば方形状の目視可能な材料層MK1を形
成するとともに、透明基板SUB2側の画素領域内にブ
ラックマトリクスBMの形成と同時に形成される材料層
MK2を前記材料層MK1と対向するようにして位置づ
けるようにしたものである。
In this embodiment, for example, a square visible material layer MK1 is formed in the pixel region on the transparent substrate SUB1 side, and at the same time as the black matrix BM is formed in the pixel region on the transparent substrate SUB2 side. The material layer MK2 is positioned so as to face the material layer MK1.

【0078】この場合、材料層MK1と材料層MK2と
は完全に重畳されるのではなく、該材料層MK1に対し
て材料層MK2の位置を認識できるように形成すること
が好ましい。
In this case, it is preferable that the material layer MK1 and the material layer MK2 are not completely overlapped, but formed so that the position of the material layer MK2 can be recognized with respect to the material layer MK1.

【0079】実施例7.図8は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示すもので、図1(a)に対応した
図となっている。
Example 7. FIG. 8 shows another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 1 (a).

【0080】この実施例は、透明基板SUB2側に形成
されるブラックマトリクスBMは透明基板SUB1側に
形成されている薄膜トランジスタTFTを充分に覆うだ
けに形成されたもので、該薄膜トランジスタTFTに近
接して配置されるドレイン信号線DLに対向するように
して凸部BMPが形成されていることにある。
In this embodiment, the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side is formed so as to sufficiently cover the thin film transistor TFT formed on the transparent substrate SUB1 side. The convex portion BMP is formed so as to face the arranged drain signal line DL.

【0081】実施例8.図9は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示すもので、図7に対応した図とな
っている。
Example 8. FIG. 9 shows another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0082】図7の場合と異なる構成は、ブラックマト
リクスBMはドレイン信号線DLに対向するようにして
凸部BMPが形成されているばかりでなく、ゲート信号
線GLにも対向するようにして形成された凸部BMPも
形成されていることにある。
The structure different from the case of FIG. 7 is that not only the convex portion BMP is formed in the black matrix BM so as to face the drain signal line DL, but also the black matrix BM is formed so as to face the gate signal line GL. The raised convex portion BMP is also formed.

【0083】この場合、ゲート信号線GLはドレイン信
号線DLよりも線幅が大きく形成されていることから、
その各長手方向辺にそれぞれ対向する一対の凸部BMP
で構成されている。これにより、図中y方向の合わせに
対しても精度を向上させることができるようになる。
In this case, since the gate signal line GL is formed to have a line width larger than that of the drain signal line DL,
A pair of convex portions BMP facing the respective longitudinal sides
It is composed of. As a result, the accuracy can be improved even in the y-direction alignment in the drawing.

【0084】実施例9.図10は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。同図
は、以上の各実施例の画素がいわゆる縦電界方式と称さ
れるのに対して、横電界方式と称される画素の構成を示
した図である。
Example 9. FIG. 10 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention. This figure is a diagram showing a configuration of a pixel referred to as a horizontal electric field system, while a pixel according to each of the above-described embodiments is referred to as a so-called vertical electric field system.

【0085】横電界方式と称される液晶表示装置は、液
晶を介して対向配置される各透明基板の一方の透明基板
SUB1の液晶側の面の画素領域に画素電極PXとこの
画素電極PXとの間に電界を発生せしめる対向電極CT
とを備え、該電界のうち透明基板SUB1とほぼ平行な
成分によって液晶を挙動させる構成となっている。
In the liquid crystal display device called the horizontal electric field system, the pixel electrode PX and the pixel electrode PX are provided in the pixel region on the liquid crystal side surface of one transparent substrate SUB1 of each transparent substrate which is opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween. Counter electrode CT that generates an electric field between
And the liquid crystal behaves by a component of the electric field that is substantially parallel to the transparent substrate SUB1.

【0086】前記画素電極PXは、ゲート信号線GLか
らの走査信号によって作動する薄膜トランジスタTFT
を介してドレイン信号線DLからの映像信号が供給され
ことは図1(a)に示した画素の構成と同様である。
The pixel electrode PX is a thin film transistor TFT operated by a scanning signal from the gate signal line GL.
The video signal is supplied from the drain signal line DL via the same as in the pixel configuration shown in FIG.

【0087】ここで、画素電極PXと対向電極CTはそ
れぞれ一方向に延在する帯状のパターンとして形成さ
れ、それら各電極は2個あるいはそれ以上の個数で形成
して交互に配置させている。
Here, the pixel electrode PX and the counter electrode CT are each formed as a strip-shaped pattern extending in one direction, and two or more of these electrodes are formed and arranged alternately.

【0088】また、対向電極CTはドレイン信号線DL
をも被って形成される絶縁膜の上面に形成させ、該ドレ
イン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号
線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿っ
て形成されている。
The counter electrode CT is the drain signal line DL.
Is formed on the upper surface of the insulating film formed so as to cover the drain signal line, and the central axis of the drain signal line is substantially aligned with the drain signal line and has a width larger than the width of the drain signal line. ing.

【0089】ドレイン信号線DLからの電気力線がその
上方の対向電極CTに終端させやすくし、画素電極PX
に終端させるのを防止するためである。画素電極PXに
該電気力線が終端するとそれがノイズとなってしまうか
らである。
The line of electric force from the drain signal line DL facilitates termination to the counter electrode CT above it, and the pixel electrode PX
This is to prevent the terminal from being terminated. This is because if the line of electric force terminates at the pixel electrode PX, it becomes noise.

【0090】このような構成において、透明基板SUB
2側に形成したブラックマトリクスBMは、一の画素電
極PXに対向するようにして凸部BMPが形成されてい
る。
In such a structure, the transparent substrate SUB
In the black matrix BM formed on the second side, the convex portion BMP is formed so as to face the one pixel electrode PX.

【0091】実施例10.図11は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図10に
対応した図となっている。
Example 10. FIG. 11 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0092】図10と比較して異なる構成は、透明基板
SUB2側に形成したブラックマトリクスBMは、一の
対向電極CTに対向するようにして凸部BMPが形成さ
れていることにある。
The configuration different from that of FIG. 10 is that the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side is provided with the convex portion BMP so as to face one counter electrode CT.

【0093】実施例11.図12は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図11に
対応した図となっている。
Example 11. FIG. 12 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0094】図11と比較して異なる構成は、透明基板
SUB2側に形成したブラックマトリクスBMは一の画
素電極PXの一方の側に対向するようにした凸部BMP
と、一の対向電極CTの他方の側に対向するようにした
凸部BMPとが形成されている。
The configuration different from that of FIG. 11 is that the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side is opposed to one side of one pixel electrode PX.
And a convex portion BMP facing the other side of the one counter electrode CT.

【0095】実施例12.図13は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図12に
対応した図となっている。
Example 12. FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0096】図12と比較して異なる構成は、透明基板
SUB2側に形成したブラックマトリクスBMには一の
画素電極PXの一方の側に対向するようにした凸部BM
Pと、一の対向電極CTの一方の側に対向するようにし
た凸部BMPとが形成されている。
The configuration different from that of FIG. 12 is that the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side is provided with a convex portion BM which is opposed to one side of one pixel electrode PX.
P and a convex portion BMP that is opposed to one side of one counter electrode CT are formed.

【0097】実施例13.図14は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図13に
対応した図となっている。
Example 13 FIG. 14 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0098】図13と比較して異なる構成は、透明基板
SUB2側に形成したブラックマトリクスBMはドレイ
ン信号線DLに対向するようにして凸部BMPが形成さ
れていることにある。
The structure different from that of FIG. 13 is that the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side is formed with a convex portion BMP so as to face the drain signal line DL.

【0099】実施例14.図15は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図1
(a)に対応した図となっている。
Example 14. FIG. 15 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
It is a diagram corresponding to (a).

【0100】図1(a)の場合と比較して異なる構成
は、薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2を画素
領域内に延在させ、その延在端を他方の側のゲート信号
線GLの一部に重畳させて第2の容量素子Cadd2を
形成させていることにある。
A different structure from the case of FIG. 1A is that the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT extends in the pixel region, and the extending end is part of the gate signal line GL on the other side. The second capacitive element Cadd2 is formed by being overlapped.

【0101】この場合、該第2の容量素子Cadd2の
前記延在端と他方の側のゲート信号線GLとの重畳面積
は、画素電極PXと前記他方側のゲート信号線GLとの
間に形成される容量素子Caddの該画素電極PXとゲ
ート信号線GLとの重畳面積よりも小さく設定されてい
る。
In this case, the overlapping area of the extending end of the second capacitive element Cadd2 and the gate signal line GL on the other side is formed between the pixel electrode PX and the gate signal line GL on the other side. It is set smaller than the overlapping area of the pixel electrode PX of the capacitive element Cadd and the gate signal line GL.

【0102】実施例15.図16は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図15に
対応した図となっている。
Example 15. 16 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0103】図15の場合と比較して異なる構成は、薄
膜トランジスタTFTのソース電極SD2から前記第2
の容量素子Cadd2の電極に至る延在部において、ゲ
ート信号線GLと平行となる部分を有するように屈曲部
が形成されていることにある。
The structure different from that of FIG. 15 is different from that of the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT to the second electrode.
The bent portion is formed so as to have a portion parallel to the gate signal line GL in the extending portion reaching the electrode of the capacitive element Cadd2.

【0104】この場合、ゲート信号線GLと平行になる
部分の延在部は該ゲート信号線GLと該ゲート信号線の
幅以上に離間されていることが望ましい。薄膜トランジ
スタTFTの寄生容量Cgsの低減のためである。
In this case, it is desirable that the extending portion of the portion which is parallel to the gate signal line GL is separated from the gate signal line GL by a width equal to or larger than the width of the gate signal line. This is for reducing the parasitic capacitance Cgs of the thin film transistor TFT.

【0105】実施例16.図17は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図15に
対応した図となっている。
Example 16. FIG. 17 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0106】図15の場合と比較して異なる構成は、薄
膜トランジスタTFTのソース電極SD2の延在端によ
って一方の電極とする第2の容量素子Cadd2を形成
する場合において、他方の電極となるゲート信号線GL
はその一部を突出させて形成される専用の電極を設けて
いることにある。
The structure different from the case of FIG. 15 is that when the second capacitive element Cadd2 to be one electrode is formed by the extended end of the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT, the other gate electrode is used. Line GL
Is to provide a dedicated electrode formed by protruding a part thereof.

【0107】この場合、該専用の電極はゲート信号線G
Lと平行に延在する部分を有する鉤型状となっており、
この部分と重畳されるソース電極SD2側の前記一方の
電極は前記専用の電極のうち当該画素領域と隣接する画
素領域側の辺から突出させて形成されている。
In this case, the dedicated electrode is the gate signal line G
It has a hook shape with a part extending parallel to L,
The one electrode on the side of the source electrode SD2 that overlaps with this portion is formed so as to project from the side of the dedicated electrode adjacent to the pixel region on the pixel region side.

【0108】このような構成によれば、たとえば図18
に示すように、ゲート信号線GLおよび半導体層ASに
対してソース電極SD2の形成が図中y方向の上方へず
れが生じた場合、第2の容量素子Cadd2の容量値が
減少することになるが、これにともない薄膜トランジス
タTFTの寄生容量Cgsも減少することになる(図1
8(b))。同様に、ソース電極SD2の形成が図中y
方向の下方へずれが生じた場合、第2の容量素子Cad
d2の容量値が増加することになるが、これにともない
薄膜トランジスタTFTの寄生容量Cgsも増加するこ
とになる(図18(c))。
According to such a configuration, for example, FIG.
As shown in, when the formation of the source electrode SD2 with respect to the gate signal line GL and the semiconductor layer AS deviates upward in the y direction in the drawing, the capacitance value of the second capacitance element Cadd2 decreases. However, along with this, the parasitic capacitance Cgs of the thin film transistor TFT also decreases (FIG. 1).
8 (b)). Similarly, the formation of the source electrode SD2 is y in the figure.
If a shift in the downward direction occurs, the second capacitive element Cad
Although the capacitance value of d2 increases, the parasitic capacitance Cgs of the thin film transistor TFT also increases accordingly (FIG. 18C).

【0109】このように構成した液晶表示装置は、ゲー
ト信号線GLに対してドレイン信号線DL(ソース電極
SD1)のy方向のずれが生じて形成されても、薄膜ト
ランジスタTFTの寄生容量を主とする画素定数の変動
を防止することができるようになる。
In the liquid crystal display device having such a structure, even if the drain signal line DL (source electrode SD1) is formed with a shift in the y direction with respect to the gate signal line GL, the parasitic capacitance of the thin film transistor TFT is mainly present. It becomes possible to prevent the fluctuation of the pixel constant.

【0110】このような効果は必ずしも図17に示す構
成だけでなく、たとえば、図19(a)ないし(f)の
それぞれに示すように構成しても同様に得られる。
Such effects can be obtained not only by the configuration shown in FIG. 17 but also by the configurations shown in FIGS. 19A to 19F, for example.

【0111】ここで、図19(c)および(d)は、ゲ
ート信号線GLに延在部を設けることなく、本来のゲー
ト信号線GLの一部を電極としたもの、図19(e)お
よび(f)は、ゲート信号線GLに開口あるいは切欠き
を設けるようにしたものである。いずれも、一方の容量
電極は前記ゲート信号線GL(延在部、開口、切欠きを
形成したパターンのものを含む)の当該画素領域と隣接
する他の画素領域側の辺から突出して形成させるように
構成している。
Here, in FIGS. 19C and 19D, the gate signal line GL is not provided with an extending portion and a part of the original gate signal line GL is used as an electrode, FIG. 19E. In and (f), the gate signal line GL is provided with an opening or a notch. In either case, one capacitance electrode is formed so as to project from a side of the gate signal line GL (including a pattern in which an extension, an opening, and a cutout are formed) on the side of another pixel region adjacent to the pixel region. Is configured as follows.

【0112】また、同様の趣旨で、たとえば図20に示
すように画素電極PXが薄膜トランジスタTFTからy
方向に引き出されている場合、ゲート信号線GLにy方
向に辺を有する延在部を形成し、この延在部の前記辺に
重なるようにして一方の容量電極を形成することにより
同様の効果を奏することができる。
Further, for the same purpose, for example, as shown in FIG. 20, the pixel electrode PX is formed from the thin film transistor TFT to y.
When extending in the direction, the gate signal line GL is formed with an extending portion having a side in the y direction, and one capacitance electrode is formed so as to overlap with the side of the extending portion, and the same effect is obtained. Can be played.

【0113】なお、この実施例では第2の容量素子Ca
dd2の専用の電極が形成されたのはゲート信号線GL
と接続されたものであるが、必ずしもゲート信号線GL
に限定されることはなく、一定の電圧が印加される容量
信号線であってもよいことはもちろんである。
In this embodiment, the second capacitive element Ca
The dedicated electrode of dd2 is formed on the gate signal line GL.
Although it is connected to the gate signal line GL
The capacitance signal line is not limited to the above, and may be a capacitance signal line to which a constant voltage is applied.

【0114】この実施例では、液晶表示装置の画素領域
を一例として説明したものであるが、必ずしも液晶表示
装置に限定されることはなく、たとえば有機EL、無機
EL等を用いた画像表示装置に適用できるものである。
In this embodiment, the pixel region of the liquid crystal display device has been described as an example, but the present invention is not necessarily limited to the liquid crystal display device, and may be applied to an image display device using an organic EL, an inorganic EL or the like. It is applicable.

【0115】実施例17.図21(a)は、走査信号駆
動回路Vあるいは映像信号駆動回路Heの構成としてT
CP方式を用いた場合、透明基板SUB1面の配線端子
とTCP方式の半導体装置TCPの出力端子との接続部
の断面を示す図である。
Example 17 FIG. 21A shows the configuration of the scanning signal drive circuit V or the video signal drive circuit He as T
When the CP method is used, it is a diagram showing a cross section of a connecting portion between a wiring terminal on the surface of the transparent substrate SUB1 and an output terminal of the TCP type semiconductor device TCP.

【0116】同図から明らかなように、透明基板SUB
1に支柱状の突起体SPが形成され、その突起体SPは
前記半導体装置TCPを支持するとともに、その間に導
電性シートACFが介在されるようになっている。
As is clear from the figure, the transparent substrate SUB
A pillar-shaped protrusion SP is formed on the substrate 1. The protrusion SP supports the semiconductor device TCP, and the conductive sheet ACF is interposed therebetween.

【0117】導電性シートACFは多数の導電ビーズが
散在された樹脂シートであり、該導電ビーズを介して透
明基板SUB1面の配線端子と半導体装置TCPの出力
端子との電気的接続を図っている。
The conductive sheet ACF is a resin sheet in which a large number of conductive beads are scattered, and electrically connects the wiring terminals on the surface of the transparent substrate SUB1 and the output terminals of the semiconductor device TCP through the conductive beads. .

【0118】透明基板SUB1の面に形成された前記突
起体SPは、平面図である図21(b)に示すように、
透明基板SUB1面の配線端子の両脇に形成されている
とともに、該配線端子の延在方向に並設された複数の島
状のパターンで形成されている。
The protrusion SP formed on the surface of the transparent substrate SUB1 is, as shown in FIG. 21 (b) which is a plan view,
It is formed on both sides of the wiring terminal on the surface of the transparent substrate SUB1 and is formed with a plurality of island-shaped patterns arranged in parallel in the extending direction of the wiring terminal.

【0119】このように形成することによって、導電性
シートACFを介する透明基板SUB1と半導体装置T
CPとの接着力を制御でき、たとえば透明基板SUB1
に対して半導体装置TCPを接着した後に、再び剥がさ
なければならないリペア等において、その作業を容易に
し、また、導電性シートACFの剥離も容易に行えると
いう効果を奏する。
By forming in this way, the transparent substrate SUB1 and the semiconductor device T via the conductive sheet ACF.
Adhesive force with CP can be controlled, for example, transparent substrate SUB1
On the other hand, when the semiconductor device TCP is bonded and then must be peeled off again, the work can be facilitated, and the conductive sheet ACF can be peeled off easily.

【0120】ここで、前記突起体SPを島状に形成する
ことなく、たとえば配線端子に沿って延在するようにラ
イン状にした場合、導電性シートACFの逃げ場が無く
なり、盛り上がってしまう結果、接触抵抗の増大という
不都合をもたらすことになる。
Here, when the projection SP is formed in a line shape so as to extend along the wiring terminal without being formed in an island shape, there is no escape place for the conductive sheet ACF and the conductive sheet ACF rises, resulting in swelling. This results in the disadvantage of increased contact resistance.

【0121】なお、島状に形成された各突起体SPは、
たとえば図21(c)に示すように、互い違いに配置さ
せるようにしてもよいことはもちろんである。この場
合、導電性シートACF内の導電ビーズが均一に配置さ
れて、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
The projections SP formed in an island shape are
For example, as shown in FIG. 21C, it goes without saying that they may be arranged alternately. In this case, the conductive beads in the conductive sheet ACF are uniformly arranged, and the reliability of electrical connection can be improved.

【0122】実施例18.図22(a)は、走査信号駆
動回路Vあるいは映像信号駆動回路Heの構成としてC
OG方式を用いた場合、透明基板SUB1面の配線端子
とCOG方式の半導体装置COGの出力端子との接続部
の断面を示す図で、図21(a)と対応した図となって
いる。
Example 18. FIG. 22A shows the configuration of the scanning signal drive circuit V or the video signal drive circuit He as C.
When the OG method is used, it is a view showing a cross section of a connection portion between the wiring terminal on the transparent substrate SUB1 surface and the output terminal of the COG method semiconductor device COG, and corresponds to FIG.

【0123】図22(b)は平面図を示し、半導体装置
の各バンプをそれぞれ間にして挟むように支柱状の突起
体が配置されている。また、図22(c)あるいは図2
2(d)は、半導体装置COGの各バンプに対して三方
向あるいは四方向における各近傍に支柱状の突起体が配
置されている。バンプへの応力集中を低減させるために
は、このようにバンプの周辺に多数の突起体を設けるこ
とが望ましい。しかし、この場合における各突起体の離
間距離は導電性シートACF内の導電ビーズの経の約2
倍以上に相当する値とすることが望ましい。
FIG. 22B shows a plan view, and pillar-shaped projections are arranged so as to sandwich each bump of the semiconductor device therebetween. In addition, FIG. 22 (c) or FIG.
2 (d), pillar-shaped projections are arranged in the vicinity of each bump in the three directions or four directions with respect to each bump of the semiconductor device COG. In order to reduce the stress concentration on the bumps, it is desirable to provide a large number of protrusions around the bumps in this way. However, the distance between the protrusions in this case is about 2 times that of the conductive beads in the conductive sheet ACF.
It is desirable to make the value equivalent to twice or more.

【0124】この場合も上述した実施例と同様に透明基
板SUB1に支柱状の突起体SPが形成され、その突起
体SPは半導体装置COGを支持するとともに、その間
に導電性シートACFが介在されるようになっている。
In this case as well, similarly to the above-mentioned embodiment, the pillar-shaped projection SP is formed on the transparent substrate SUB1, and the projection SP supports the semiconductor device COG, and the conductive sheet ACF is interposed therebetween. It is like this.

【0125】このように構成することによって、熱圧着
の際の導電性シートACFの流動が抑制でき、半導体装
置COGと透明基板SUB1(特にガラス基板で構成さ
れている場合)との間の膨張収縮差を緩和することがで
きるようになる。
With this structure, the flow of the conductive sheet ACF at the time of thermocompression bonding can be suppressed, and the expansion and contraction between the semiconductor device COG and the transparent substrate SUB1 (particularly when it is composed of a glass substrate). You will be able to reduce the difference.

【0126】前記支柱状の突起SPが形成されていない
場合、熱圧着の際の半導体装置COGと透明基板SUB
1の熱膨張の差により透明基板SUB1に歪みが発生
し、その光弾性効果により半導体装置COGの周辺で光
ぬけが生じる。本実施例はこのような不都合を解消する
ことができる。
When the pillar-shaped protrusion SP is not formed, the semiconductor device COG and the transparent substrate SUB during thermocompression bonding are formed.
The transparent substrate SUB1 is distorted due to the difference in thermal expansion of No. 1 and the photoelastic effect causes light leakage in the periphery of the semiconductor device COG. The present embodiment can eliminate such inconvenience.

【0127】実施例19.図23(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す断面図である。同図
は、上述した実施例に示したように、半導体層装置の搭
載領域に支柱状の突起体SPを形成する場合、該突起体
SPを液晶表示部ARにおいて透明基板SUB1と透明
基板SUB2との間のギャップ(液晶の層厚に相当)を
確保するための支柱状の突起体SP1であるスペーサと
同時に形成するように構成したものである。
Example 19 FIG. 23A is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, as shown in the above-described embodiment, when the pillar-shaped projection SP is formed in the mounting region of the semiconductor layer device, the projection SP is formed in the liquid crystal display unit AR as the transparent substrate SUB1 and the transparent substrate SUB2. It is configured to be formed at the same time as the spacer, which is a pillar-shaped projection SP1 for ensuring a gap (corresponding to the layer thickness of the liquid crystal) between them.

【0128】このように構成することによって、半導体
層装置の搭載領域に形成する支柱状の突起体SPを工程
を増加させずに形成することができる。
With this structure, the pillar-shaped projection SP formed in the mounting region of the semiconductor layer device can be formed without increasing the number of steps.

【0129】実施例20.図23(b)は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す断面図で、図23
(a)に対応した図となっている。
Example 20. FIG. 23B is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
It is a diagram corresponding to (a).

【0130】図23(a)の場合と比較して異なる構成
は、透明基板SUB1の液晶側の面の液晶表示部ARに
カラーフィルタCFを設け、このカラーフィルタCFの
上面に支柱状の突起体SP1からなるスペーサを形成し
ていることにある。
23A is different from that shown in FIG. 23A in that a color filter CF is provided in the liquid crystal display portion AR on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB1 and a pillar-shaped projection is provided on the upper surface of the color filter CF. This is in forming a spacer made of SP1.

【0131】薄膜トランジスタTFT等が形成されてい
る透明基板SUB1側にカラーフィルタCFを形成する
ことにより、透明基板SUB2に対するアライメント裕
度が大幅に向上し、これにより画素の開口率を大きくで
き、100dpi以上の高精細化が容易になる。
By forming the color filter CF on the side of the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT and the like are formed, the alignment margin with respect to the transparent substrate SUB2 is significantly improved, and the aperture ratio of the pixel can be increased to 100 dpi or more. It becomes easy to achieve high definition.

【0132】このことからゲート信号線GLあるいはド
レイン信号線DLの本数が増大し、これらに接続される
半導体装置の修正(修復)もより頻繁化されることにな
る。このため、該半導体装置と透明基板SUB1との間
に支柱状の突起体SP1を形成しておくことは極めて効
果的となる。
As a result, the number of gate signal lines GL or drain signal lines DL is increased, and the semiconductor devices connected to these are also repaired more frequently. Therefore, it is extremely effective to form the pillar-shaped projection SP1 between the semiconductor device and the transparent substrate SUB1.

【0133】実施例21.この実施例は、透明基板SU
B1に搭載された複数の各半導体装置にフレキシブルプ
リント基板を介して入力信号を供給するものであって、
該透明基板SUB1に走査信号駆動回路Vあるいは映像
信号駆動回路Heを構成する前記各半導体装置の間でデ
ータを転送するデータ転送配線が形成されている場合を
前提構成としたものである。
Example 21. In this embodiment, the transparent substrate SU
An input signal is supplied to a plurality of semiconductor devices mounted on B1 via a flexible printed circuit board.
This is based on the premise that the transparent substrate SUB1 is provided with a data transfer wiring for transferring data between the semiconductor devices forming the scanning signal drive circuit V or the video signal drive circuit He.

【0134】すなわち、このような構成において、たと
えば図24(a)に示すように該フレキシブルプリント
基板FPCの端子部と透明基板SUB1の端子部を導電
シートを介して互いに面接触させて接続させるが、それ
らの間に支柱状の突起体を形成して、物理的に離間させ
るようにしている。
That is, in such a structure, as shown in FIG. 24A, for example, the terminal portion of the flexible printed circuit board FPC and the terminal portion of the transparent substrate SUB1 are brought into surface contact with each other through the conductive sheet to be connected. The columnar projections are formed between them so that they are physically separated from each other.

【0135】フレキシブルプリント基板FPCの配線層
と透明基板SUB1のデータ転送配線DTSとの間の寄
生容量を低減させ、これによりデータ転送配線DTSに
伝達される信号の波形歪みを抑制せんとするものであ
る。
The parasitic capacitance between the wiring layer of the flexible printed circuit board FPC and the data transfer wiring DTS of the transparent substrate SUB1 is reduced, thereby suppressing the waveform distortion of the signal transmitted to the data transfer wiring DTS. is there.

【0136】図24(b)は図24(a)のb−b線に
おける断面図である。透明基板SUB1のフレキシブル
プリント基板FPCの接続個所にデータ転送配線DTS
が形成されており、該接続個所に複数の支柱状の突起体
SPが形成されている。透明基板SUB1のフレキシブ
ルプリント基板FPSとの接続はそれらの間に介在され
る導電シートによってなされる。
FIG. 24 (b) is a sectional view taken along line bb of FIG. 24 (a). The data transfer wiring DTS is provided at the connection point of the flexible printed circuit board FPC of the transparent substrate SUB1.
Are formed, and a plurality of pillar-shaped projections SP are formed at the connection points. The transparent substrate SUB1 is connected to the flexible printed circuit board FPS by a conductive sheet interposed therebetween.

【0137】また、図24(b)に示す突起体SPは散
在的に形成されているのを示しているのに対し、図24
(c)は帯状の突起体SPが並設されている場合を示し
ており、この場合においても同様の効果を奏する。
Further, while the projections SP shown in FIG. 24 (b) are shown to be scattered, FIG.
(C) shows the case where the strip-shaped projections SP are arranged in parallel, and the same effect is obtained in this case as well.

【0138】なお、透明基板SUB1とフレキシブル基
板FPCとの間に形成する支柱状の突起体SPは該透明
基板SUB1の辺に沿って並設させることが望ましい。
It is desirable that the pillar-shaped projections SP formed between the transparent substrate SUB1 and the flexible substrate FPC are arranged in parallel along the sides of the transparent substrate SUB1.

【0139】フレキシブル基板FPCを透明基板SUB
1側に屈曲させた場合に、該フレキシブル基板FPCに
形成された配線層が該透明基板SUB1の角部に擦れて
断線が生じるおそれがあるため、該支柱状の突起体SP
によって該フレキシブル基板FPCを透明基板SUB1
に対して浮かせることにより該擦れを防止するためであ
る。
Flexible substrate FPC is replaced with transparent substrate SUB
When bent to the 1st side, the wiring layer formed on the flexible substrate FPC may rub against the corners of the transparent substrate SUB1 to cause disconnection.
The flexible substrate FPC is replaced by the transparent substrate SUB1
This is for preventing the rubbing by floating it.

【0140】また、このような構成において、該透明基
板SUB1の角部を合わせて面取りするようにして、さ
らなる効果を図るようにしてもよいことはいうまでもな
い。
It is needless to say that in such a structure, the corners of the transparent substrate SUB1 may be chamfered together so as to obtain a further effect.

【0141】実施例22.図25(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図であ
る。また、図25(b)は、図25(a)のb−b線に
おける断面図である。
Example 22. FIG. 25A is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention. Further, FIG. 25B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG.

【0142】図25(a)は、図10と対応する図であ
り、図10と比較して異なる構成は、たとえば2本の画
素電極を互いに接続する部分において、その一部に重畳
する保護膜O−PASにその除去領域(開口部)を形成
していることにある。
FIG. 25 (a) is a diagram corresponding to FIG. 10. The structure different from that of FIG. 10 has, for example, a protective film which overlaps a part of the two pixel electrodes which are connected to each other. The removal region (opening) is formed in the O-PAS.

【0143】このような構成は、たとえば異物の残存に
よって,図中に示すようにドレイン信号線DLと画素電
極PXの電気的短絡が生じた場合、該画素電極PXをド
レイン信号線DLから切り離すとともに、対向電極CT
と同電位にしようとするものである。
With such a configuration, when an electrical short circuit occurs between the drain signal line DL and the pixel electrode PX as shown in the figure due to the remaining foreign matter, the pixel electrode PX is disconnected from the drain signal line DL and , Counter electrode CT
And the same electric potential.

【0144】上述のように、画素電極PXと対向電極C
Tとの重畳領域における保護膜OPASの一部に予め開
口部を設けておくことにより、この部分にレーザ光照射
することで画素電極PXと対向電極CTとの接続を図る
ことができる。
As described above, the pixel electrode PX and the counter electrode C
By providing an opening in a part of the protective film OPAS in the overlapping region with T, the pixel electrode PX and the counter electrode CT can be connected by irradiating this part with laser light.

【0145】保護膜OPASに予め開口部を形成する理
由は、有機材料からなる保護膜OPASに直接レーザ光
を照射すると、その際に発生するガスにより大きな穴が
形成されて画素電極PXと対向電極Cとの信頼性ある接
続が図れないからである。
The reason why the opening is formed in advance in the protective film OPAS is that when the protective film OPAS made of an organic material is directly irradiated with laser light, a large hole is formed by the gas generated at that time and the pixel electrode PX and the counter electrode are formed. This is because reliable connection with C cannot be achieved.

【0146】そして、薄膜トランジスタTFTのソース
電極SD2と前記開口部との間の画素電極PXのうち、
短絡発生部に対して前記ソース電極SD2よりも遠い側
でレーザ切断するようにする。
Of the pixel electrode PX between the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT and the opening,
Laser cutting is performed on the side farther from the source electrode SD2 with respect to the short-circuit generating portion.

【0147】実施例23.図26(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図であ
り、図25(a)と対応した図となっている。また、図
26(b)は、図26(a)のb−b線における断面図
である。
Example 23. FIG. 26 (a) is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 25 (a). In addition, FIG. 26B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG.

【0148】図26(a)において、一の画素の画素電
極PXと該一の画素とy方向側に隣接する他の画素の画
素電極とに重畳される部分を有している構成になってい
る。
In FIG. 26A, the pixel electrode PX of one pixel and the pixel electrode of another pixel adjacent to the one pixel in the y direction are overlapped with each other. There is.

【0149】すなわち、一の画素の画素電極PXは、そ
の上層の保護膜OPASと保護膜PASに貫通して形成
されたスルーホールを通して該保護膜OPAS上の画素
電極PX(対向電極CTと同一の材料で形成されてい
る)を一部としている。
That is, the pixel electrode PX of one pixel is provided with a pixel electrode PX P (same as the counter electrode CT) on the protective film OPAS through a through hole formed penetrating the protective film OPAS and the protective film PAS in the upper layer. Made of material).

【0150】一方、他の画素の画素電極PXはたとえば
その薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2から延
在され、その延在端は前記一の画素の前記画素電極PX
の先端と前記保護膜OPAS、保護膜PASを介して
重畳されている。
On the other hand, the pixel electrode PX of another pixel is extended, for example, from the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT, and the extension end thereof is the pixel electrode PX of the one pixel.
The tip of P is overlapped with the protective film OPAS and the protective film PAS.

【0151】同図に示すように、一の画素において、ド
レイン信号線DLとそれに隣接する画素電極PXとの間
に異物が残存し該ドレイン信号線DLと画素電極PXと
が短絡した場合、該画素電極PXの該異物が存在する個
所の前後においてたとえばレーザ光の照射による切断を
するとともに、前記画素電極PXと重畳する隣接する
他の画素の画素電極PXとの接続をレーザ光の照射によ
って行なうようにする。
As shown in the figure, when foreign matter remains between the drain signal line DL and the pixel electrode PX adjacent to it in one pixel and the drain signal line DL and the pixel electrode PX are short-circuited, Before and after the portion of the pixel electrode PX where the foreign matter exists, the pixel electrode PX is cut by, for example, irradiation with laser light, and the connection with the pixel electrode PX of another adjacent pixel which overlaps with the pixel electrode PX P is irradiated with laser light. Try to do it.

【0152】画素電極PXに全く映像信号が供給されな
い場合、その部分は比較的目視されやすいという事実に
基づき、たとえ隣接する他の画素の映像信号であっても
それを供給するようにしている。
When no video signal is supplied to the pixel electrode PX, that portion is relatively easily visible, and even if it is the video signal of another adjacent pixel, it is supplied.

【0153】図26(c)は図26(b)に対応する図
で、画素電極PXの先端の部分における保護膜OPA
Sに穴あけをし、該先端と隣接する他の画素の画素電極
PXとの間の介在層の層厚を小さくしている。レーザ光
の照射による接続を容易にするためである。
FIG. 26C is a diagram corresponding to FIG. 26B and shows a protective film OPA at the tip of the pixel electrode PX P.
A hole is formed in S to reduce the layer thickness of the intervening layer between the tip and the pixel electrode PX of another pixel adjacent thereto. This is to facilitate connection by irradiation with laser light.

【0154】実施例24.図27(a)は、本発明によ
る液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図であ
り、図26(a)と対応した図となっている。また、図
27(b)は、図27(a)のb−b線における断面
図、図27(c)は、図27(a)のc−c線における
断面図である。
Example 24. FIG. 27A is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 26A. 27B is a sectional view taken along the line bb of FIG. 27A, and FIG. 27C is a sectional view taken along the line cc of FIG. 27A.

【0155】図26(a)と比較して異なる構成は、一
の画素の画素電極PXのうち実質的な画素領域に形成さ
れる画素電極のPXを保護膜OPASの上面において対
向電極CTと同一の材料で形成していることにある。こ
れにより低電圧駆動化の効果を奏することができる。
26A is different from that shown in FIG. 26A in that the pixel electrode PX of the pixel electrode PX of one pixel formed in a substantial pixel region is the same as the counter electrode CT on the upper surface of the protective film OPAS. It is formed of the material of. As a result, the effect of lower voltage driving can be achieved.

【0156】また、対向電極CTがITO等のような透
光性の材料からなる場合に画素の開口率の向上が図れる
という効果を奏する。また、実施例23に示した効果も
そのまま得られるようになる。
Further, when the counter electrode CT is made of a translucent material such as ITO, there is an effect that the aperture ratio of the pixel can be improved. Further, the effect shown in the twenty-third embodiment can be directly obtained.

【0157】実施例25.図28は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図25と対応し
た図となっている。
Example 25. FIG. 28 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0158】図28は、画素電極PXのうち容量素子C
stgの電極を構成する部分、すなわち保護膜OPAS
上の対向電極CTと重畳する部分において、その一部に
保護膜OPASの除去部分を形成していることにある。
FIG. 28 shows the capacitive element C of the pixel electrode PX.
The part that constitutes the electrode of stg, that is, the protective film OPAS
The removal portion of the protective film OPAS is formed in a portion of the portion overlapping the upper counter electrode CT.

【0159】薄膜トランジスタTFTのソース電極SD
2がその下層のゲート信号線GLと短絡した場合に、該
短絡個所に対しソース電極SD2と反対側の画素電極P
Xを切断するとともに、前記保護膜OPASの除去部分
にて対向電極CTと画素電極PXとの接続を図るように
する。
Source electrode SD of thin film transistor TFT
When 2 is short-circuited with the gate signal line GL in the lower layer, the pixel electrode P on the side opposite to the source electrode SD2 with respect to the short-circuited portion.
X is cut, and the counter electrode CT and the pixel electrode PX are connected to each other at the removed portion of the protective film OPAS.

【0160】実施例26.図29は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図27(a)と
対応した図となっている。
Example 26. FIG. 29 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 27 (a).

【0161】図29は図27(a)と同様の構成となっ
ている。この場合において、薄膜トランジスタTFTの
ソース電極SD2がその下層のゲート信号線GLと短絡
した場合に、該ソース電極SD2と画素電極PXとを切
断して切り離すとともに、当該画素の画素電極PXと該
画素とy方向に隣接する他の画素の画素電極PXとの接
続を図るようにするものである。
FIG. 29 has the same structure as FIG. 27 (a). In this case, when the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT is short-circuited with the gate signal line GL in the lower layer, the source electrode SD2 and the pixel electrode PX are cut and separated, and the pixel electrode PX of the pixel and the pixel are separated from each other. The connection is made with the pixel electrode PX of another pixel adjacent in the y direction.

【0162】実施例27.図30は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図25と対応し
た図となっている。
Example 27. FIG. 30 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0163】図30は、ドレイン信号線DLに重畳され
て形成される対向電極CTにおいて、ゲート信号線GL
に重畳される対向電圧信号線CLと完全に切り離しがで
きるように、該対向電圧信号線CLに近接する個所にて
分岐部を形成し、該ドレイン信号線DLは該分岐部の間
に走行されるようにしている。
FIG. 30 shows the gate signal line GL in the counter electrode CT formed so as to overlap the drain signal line DL.
In order to be completely separated from the counter voltage signal line CL superimposed on the counter voltage signal line CL, a branch portion is formed at a position close to the counter voltage signal line CL, and the drain signal line DL is run between the branch portions. I am trying to do it.

【0164】ドレイン信号線DLとそれに重畳される対
向電極CTの間に短絡が生じた場合に、ドレイン信号線
DLは基準電位(コモン電位)になるため、ドレイン信
号線欠陥となってしまう。
When a short circuit occurs between the drain signal line DL and the counter electrode CT superimposed on the drain signal line DL, the drain signal line DL becomes the reference potential (common potential), resulting in a drain signal line defect.

【0165】このため、前記対向電極CTの分岐部をた
とえばレーザ光で切断し、該短絡が生じた対向電極CT
を対向電圧信号線CLから切り離すようにしたものであ
る。
Therefore, the branched portion of the counter electrode CT is cut by, for example, a laser beam, and the counter electrode CT in which the short circuit has occurred is generated.
Is separated from the counter voltage signal line CL.

【0166】この場合、保護膜OPASを残すことが望
ましい。レーザ光照射による保護膜OPASの発ガスに
より切断された導電層を広く飛散させ、該切断部で導通
が生じてしまうのを抑制するためである。
In this case, it is desirable to leave the protective film OPAS. This is to prevent the conductive layer cut by the gas emission of the protective film OPAS due to the laser light irradiation from being widely scattered and to prevent conduction at the cut portion.

【0167】なお、対向電極CTの前記分岐部は該対向
電極CTに矩形状の開口を形成することによって形成さ
れるが、ドレイン信号線DLに対してたとえば図31
(a)のように形成するよりは図31(b)のように形
成するのが望ましい。
Although the branch portion of the counter electrode CT is formed by forming a rectangular opening in the counter electrode CT, for example, as shown in FIG. 31 with respect to the drain signal line DL.
It is preferable to form the structure as shown in FIG. 31B rather than the structure as shown in FIG.

【0168】すなわち、図31(b)に示すように、対
向電極CTに形成された開口部による分岐部は該対向電
極CTを横切る線状に存在している。
That is, as shown in FIG. 31 (b), the branch portion formed by the opening formed in the counter electrode CT exists in a line shape that crosses the counter electrode CT.

【0169】ドレイン信号線DLを切断することなく対
向電極CTのみを切断するためにレーザ光の走査制御に
高い精度を要することに基づくものである。レーザ光の
透明基板SUB1に対する走査はx方向のみの走査で足
り、y方向の移動を全く必要としなくなることから、高
い位置精度で制御することができるようになる。
This is based on the fact that the scanning control of the laser light requires high accuracy in order to cut only the counter electrode CT without cutting the drain signal line DL. Scanning of the transparent substrate SUB1 with the laser light need only be performed in the x direction, and no movement in the y direction is required. Therefore, control can be performed with high positional accuracy.

【0170】実施例28.図32は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図30と対応し
た図となっている。
Example 28. FIG. 32 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0171】図30の場合とほぼ同様の構成となってい
るが、この場合、ゲート信号線GLとこのゲート信号線
GLに重畳する対向電圧信号線CLとの間に短絡が生じ
た場合に、該ゲート信号線GLを境界とする上下方向の
各画素領域の各対向電極CTを前記対向電圧信号線CL
から切り離すようにしている。
Although the configuration is almost the same as that of the case of FIG. 30, in this case, when a short circuit occurs between the gate signal line GL and the counter voltage signal line CL superimposed on the gate signal line GL, Each counter electrode CT in each pixel region in the vertical direction with the gate signal line GL as a boundary is connected to the counter voltage signal line CL.
I'm trying to separate it from.

【0172】実施例29.図33は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図28と対応し
た図となっている。
Example 29. FIG. 33 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. 28.

【0173】図28と比較して異なる構成は、画素電極
PXの一部がゲート信号線GLとの間に容量素子Cad
dを有するようになっている。ちなみに図33では画素
電極PXの一部は対向電極CTとの間で容量素子Cst
gをも有するようになっている。
The structure different from that of FIG. 28 is that a part of the pixel electrode PX is provided between the gate signal line GL and the capacitive element Cad.
to have d. Incidentally, in FIG. 33, a part of the pixel electrode PX is formed between the counter electrode CT and the capacitive element Cst.
It also has g.

【0174】この場合において、画素電極PXに断線が
生じた場合、前記容量素子Caddの近傍における画素
電極PXを対向電極CTに接続するための領域を保護膜
OPASの除去領域として形成している。
In this case, when a disconnection occurs in the pixel electrode PX, the region for connecting the pixel electrode PX in the vicinity of the capacitive element Cadd to the counter electrode CT is formed as the removal region of the protective film OPAS.

【0175】容量素子Caddに接続される画素電極P
Xに断線が生じた場合、該画素電極PXはフローティン
グとなり、ゲート信号線GLに印加される走査信号の電
位に近づくことになり、画素にちらつきが生じてしまう
ことになる。
Pixel electrode P connected to the capacitive element Cadd
When X is broken, the pixel electrode PX becomes floating and approaches the potential of the scanning signal applied to the gate signal line GL, which causes flickering in the pixel.

【0176】このことから、積極的に断線が生じた画素
電極PXを対向電極CTに接続させるようにしている。
For this reason, the pixel electrode PX in which the disconnection is positively generated is connected to the counter electrode CT.

【0177】実施例30.図34は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図29と対応し
た図となっている。図29と比較して異なる構成は、画
素電極PXの一端がゲート信号線GLとの間に容量素子
Caddを構成していることにある。
Example 30. FIG. 34 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. A different structure from that of FIG. 29 is that one end of the pixel electrode PX forms a capacitive element Cadd between the pixel electrode PX and the gate signal line GL.

【0178】この場合において、画素電極PXと薄膜ト
ランジスタTFTのソース電極SD2との間に短絡が生
じた場合、該画素電極PXをy方向に隣接する他の画素
の薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2と接続さ
せるようになっている。
In this case, when a short circuit occurs between the pixel electrode PX and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT, the pixel electrode PX is connected to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT of another pixel adjacent in the y direction. It is like this.

【0179】実施例31.図35は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図32と対応し
た図となっている。
Example 31. FIG. 35 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0180】ドレイン信号線DLが断線した場合、その
断線個所を間にした該ドレイン信号線DLの各部を対向
電極CTと接続するとともに、該対向電極CTを対向電
圧信号線CLから切り離すようにしている。
When the drain signal line DL is disconnected, each part of the drain signal line DL with the disconnection point in between is connected to the counter electrode CT, and the counter electrode CT is disconnected from the counter voltage signal line CL. There is.

【0181】これにより、対向電圧信号線CLから切り
離された対向電極CTはその機能を喪失するとともに、
ドレイン信号線DLの接続のための導電層とすることが
できる。
As a result, the counter electrode CT separated from the counter voltage signal line CL loses its function and
It can be a conductive layer for connecting the drain signal line DL.

【0182】実施例32.図36は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図35と対応し
た図となっている。
Example 32. FIG. 36 is a constitutional view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG.

【0183】図35と比較して異なる構成は、ドレイン
信号線DLの一部において対向電極CTとの接続を容易
にするため、幅広の個所を設けていることにある。
A structure different from that of FIG. 35 is that a wide portion is provided in a part of the drain signal line DL to facilitate connection with the counter electrode CT.

【0184】比較的幅を小さくして形成するドレイン信
号線DLに上述した幅広の個所を形成しておくことによ
り、修復の容易化を図っている。
The drain signal line DL having a relatively small width is formed with the above-described wide portion to facilitate repair.

【0185】[0185]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による画像表示装置によれば、一方の基板に対す
る他方の基板の合わせを精度よく行なうことができる。
As is apparent from the above description,
According to the image display device of the present invention, it is possible to accurately align one substrate with the other substrate.

【0186】また、薄膜トランジスタの寄生容量値等に
ばらつきが生ずるのを回避することができる。
Further, it is possible to avoid variations in the parasitic capacitance value of the thin film transistor.

【0187】さらに、信号線と電極との短絡、あるいは
信号線の切断等において、簡単な作業で修復することが
できる。
Furthermore, a short circuit between the signal line and the electrode, a disconnection of the signal line, or the like can be repaired by a simple operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】本発明による液晶表示装置のブラックマトリク
スに形成される凸部の種々のパターンを示す図である。
FIG. 3 is a view showing various patterns of convex portions formed on a black matrix of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示装置のブラックマトリク
スに形成される凸部の種々の配置態様を示す図である。
FIG. 4 is a view showing various arrangement modes of convex portions formed on a black matrix of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図9】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図10】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図11】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図12】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図13】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図14】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図15】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 15 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図16】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 16 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図17】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 17 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図18】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明
図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing an effect of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図19】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す要部構成図である。
FIG. 19 is a main part configuration diagram showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図20】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す要部構成図である。
FIG. 20 is a main part configuration diagram showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図21】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
FIG. 21 is a configuration diagram showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図22】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
FIG. 22 is a configuration diagram showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図23】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
FIG. 23 is a cross-sectional view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図24】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
FIG. 24 is a configuration diagram showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図25】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 25 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図26】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 26 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図27】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 27 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図28】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 28 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図29】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 29 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図30】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 30 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図31】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 31 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図32】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 32 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図33】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 33 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図34】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 34 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図35】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 35 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図36】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 36 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB1、SUB2…透明基板、GL…ゲート信号線、
DL…ドレイン信号線、TFT…薄膜トランジスタ、C
add、Cstg…容量素子、PX…画素電極、CT…
対向電極、BM…ブラックマトリクス、BMP…ブラッ
クマトリクスの凸部、V…走査信号駆動回路、He…映
像信号駆動回路、SP…支柱状の突起部。
SUB1, SUB2 ... Transparent substrate, GL ... Gate signal line,
DL ... Drain signal line, TFT ... Thin film transistor, C
add, Cstg ... Capacitance element, PX ... Pixel electrode, CT ...
Counter electrode, BM ... Black matrix, BMP ... Black matrix convex portion, V ... Scan signal driving circuit, He ... Video signal driving circuit, SP ... Column-shaped projection portion.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 348 G09F 9/00 348L 348Z 9/30 349 9/30 349C 9/35 9/35 (72)発明者 柳川 和彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H090 HA02 HB03X JB01 JC02 KA04 LA01 2H091 FA35Y FD03 GA02 LA30 2H092 GA40 GA51 GA59 GA60 HA06 JA24 JB23 JB52 NA12 NA25 5C094 AA43 BA03 BA43 CA19 DB02 EC03 EC10 ED15 FA01 FA02 HA08 5G435 AA17 BB12 CC09 EE32 EE36 EE37 EE42 EE47 FF13 LL06 LL07 LL08 Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/00 348 G09F 9/00 348L 348Z 9/30 349 9/30 349C 9/35 9/35 (72) Inventor Kazuhiko Yanagawa 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba F-term in the Hitachi, Ltd. display group (reference) 2H090 HA02 HB03X JB01 JC02 KA04 LA01 2H091 FA35Y FD03 GA02 LA30 2H092 GA40 GA51 GA59 GA60 HA06 JA24 JB23 JB52 NA12 NA43 DB02 BA23 BA02 BA03 4A09A4 EC03 EC10 ED15 FA01 FA02 HA08 5G435 AA17 BB12 CC09 EE32 EE36 EE37 EE42 EE47 FF13 LL06 LL07 LL08

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、 各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極とが備えられ、 前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面に前記ゲート
信号線に対向するようにしてブラックマトリクスが形成
され、このブラックマトリクスの前記ゲート信号線とほ
ぼ平行な辺のうち少なくとも一方の辺に前記ドレイン信
号線に対向する部分に凸部あるいは凹部が形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。
1. A plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of gate signal lines juxtaposed to these gate signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Each region surrounded by the drain signal line of is a pixel region, and in each pixel region, a switching element operated by a scanning signal from the gate signal line and a video signal from the drain signal line are passed through this switching element. A pixel electrode to be supplied is provided, and a black matrix is formed on the liquid crystal side surface of the other substrate of the respective substrates so as to face the gate signal line, and the black matrix is formed to be substantially the same as the gate signal line of the black matrix. A liquid crystal display device, wherein a convex portion or a concave portion is formed at a portion facing the drain signal line on at least one of the parallel sides.
【請求項2】 ブラックマトリクスに形成された前記凸
部あるいは凹部は、ドレイン信号線の走行方向に沿って
形成された各画素領域にて複数おきに、またゲート信号
線の走行方向に沿って形成された各画素領域にて複数お
きに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置。
2. The convex portions or the concave portions formed on the black matrix are formed at every plural pixel regions formed along the running direction of the drain signal line and along the running direction of the gate signal line. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a plurality of pixels are formed in each of the formed pixel regions.
【請求項3】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、 各画素領域に、ゲート信号線に接続されたゲート電極を
有するスイッチング素子と、このスイッチング素子のド
レイン電極が接続されたドレイン信号線からの映像信号
がソース電極を通して供給される画素電極とが備えら
れ、 前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面に前記ゲート
信号線に対向するようにしてブラックマトリクスが形成
され、このブラックマトリクスの前記ゲート信号線とほ
ぼ平行な辺に前記ソース電極に対向する部分に凸部ある
いは凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
3. A plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of gate signal lines juxtaposed to these gate signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Each region surrounded by the drain signal line of is a pixel region, and in each pixel region, a switching element having a gate electrode connected to the gate signal line and a drain signal line connected to the drain electrode of this switching element And a pixel electrode to which the video signal is supplied through a source electrode, and a black matrix is formed on the surface of the other substrate of the substrates on the liquid crystal side so as to face the gate signal line. 2. A liquid crystal display device, wherein a convex portion or a concave portion is formed in a portion facing the source electrode on a side substantially parallel to the gate signal line.
【請求項4】 基板の表面に並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数の
ドレイン信号線が形成され、 これら各信号線に囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域にその画素領域を囲む一対のゲート信号線のうち
一方のゲート信号線からの走査信号によって作動する薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される表示用電極と、
この表示用電極と接続され該画素領域を囲む一対のゲー
ト信号線のうち他方のゲート信号線に絶縁膜を介して重
畳されて形成される容量素子の一方の容量電極とを備
え、 前記表示用電極は前記一方のゲート信号線上に形成され
た前記薄膜トランジスタのソース電極から引き出されて
形成されているとともに、 前記容量電極は前記他方のゲート信号線の当該画素領域
と隣接する画素領域側の辺から突出して形成されている
ことを特徴とする画像表示装置。
4. A plurality of gate signal lines juxtaposed on the surface of the substrate and a plurality of drain signal lines juxtaposed to intersect these gate signal lines are formed, and each region surrounded by these signal lines. Is a pixel region, and a thin film transistor which operates by a scanning signal from one of the pair of gate signal lines surrounding the pixel region and a video signal from the drain signal line is supplied to the pixel region through the thin film transistor. Display electrodes,
One of the pair of gate signal lines that is connected to the display electrode and surrounds the pixel region and is overlapped with the other gate signal line via an insulating film, and one capacitance electrode of the capacitance element is provided. The electrode is formed by being drawn out from the source electrode of the thin film transistor formed on the one gate signal line, and the capacitance electrode is formed from the side of the other gate signal line on the pixel region side adjacent to the pixel region. An image display device, which is formed so as to project.
【請求項5】 前記他方のゲート信号線は当該画素領域
側に延在部を有し、前記容量電極は該延在部であるゲー
ト信号線に重畳されて形成されていることを特徴とする
請求項4に記載の画像表示装置。
5. The other gate signal line has an extending portion on the pixel region side, and the capacitance electrode is formed so as to overlap with the gate signal line that is the extending portion. The image display device according to claim 4.
【請求項6】 前記画素領域に形成される容量素子は2
個設けられ、そのうち一方の容量素子であって、その容
量電極が前記他方のゲート信号線の当該画素領域と隣接
する画素領域側の辺から突出して形成される容量素子の
容量は他の容量素子の容量よりも小さくなっていること
を特徴とする請求項4、5のうちいずれかに記載の画像
表示装置。
6. The capacitive element formed in the pixel region is 2
One of the capacitive elements is provided, and the capacitance of the capacitive element formed by projecting the capacitive electrode from the side of the other gate signal line on the pixel area side adjacent to the pixel area is the other capacitive element. The image display device according to claim 4, wherein the image display device has a capacity smaller than that of the image display device.
【請求項7】 基板の表面に並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数の
ドレイン信号線が形成され、 これら各信号線によって囲まれた各領域を画素領域と
し、この画素領域にゲート信号線からの走査信号によっ
て作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される表
示用電極とを備えるとともに、 前記各ゲート信号線に走査信号を供給する半導体装置か
ら構成される走査信号駆動回路、および各ドレイン信号
線に映像信号を供給する半導体装置から構成される映像
信号駆動回路とを備え、 前記走査信号駆動回路および映像信号駆動回路のうち少
なくとも一方の回路が基板側に形成された支柱状の突起
体に支持されるとともに、該回路と基板の間に配置され
た異方性導電シートを介して対応する信号線に接続され
ていることを特徴とする画像表示装置。
7. A plurality of gate signal lines juxtaposed on the surface of the substrate and a plurality of drain signal lines juxtaposed to intersect these gate signal lines are formed, and each region surrounded by these signal lines. And a switching element that operates by a scanning signal from the gate signal line in the pixel area, and a display electrode to which a video signal from the drain signal line is supplied via the switching element, and A scanning signal drive circuit including a semiconductor device that supplies a scanning signal to a gate signal line; and a video signal drive circuit that includes a semiconductor device that supplies a video signal to each drain signal line. And at least one circuit of the video signal drive circuit is supported by a pillar-shaped projection formed on the board side, and between the circuit and the board. An image display device, characterized in that the image display device is connected to a corresponding signal line through an arranged anisotropic conductive sheet.
【請求項8】 前記半導体装置はTCP方式の半導体装
置であることを特徴とする請求項7に記載の画像表示装
置。
8. The image display device according to claim 7, wherein the semiconductor device is a TCP type semiconductor device.
【請求項9】 前記半導体装置はCOG方式の半導体装
置であることを特徴とする請求項7に記載の画像表示装
置。
9. The image display device according to claim 7, wherein the semiconductor device is a COG type semiconductor device.
【請求項10】 液晶を介して対向配置される各基板の
うち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲー
ト信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた各領域を画素領域とし、この画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
るスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極とを備え、 前記対向電極はドレイン信号線と絶縁層を介して重畳さ
れるものを含み、ゲート信号線と絶縁層を介して重畳さ
れて形成される対向電圧信号線と接続されて形成され、
該対向電圧信号線は前記画素電極の一部と絶縁層を介し
て重畳されているとともに、 前記絶縁層は少なくともその上層が有機材料層からなる
多層構造をなし、前記対向電圧信号線と重畳する画素電
極の一部に前記有機材料層の除去部分を有することを特
徴とする液晶表示装置。
10. A plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of gate signal lines juxtaposed to these gate signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Drain signal line is formed, and each region surrounded by these signal lines is defined as a pixel region. In this pixel region, a switching element that operates by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal via this switching element are formed. A pixel electrode supplied with a video signal from a line, and a counter electrode connected to a counter voltage signal line and generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, the counter electrode via a drain signal line and an insulating layer. Including those to be overlapped, the gate signal line is formed to be connected to the counter voltage signal line formed to be overlapped via the insulating layer,
The counter voltage signal line overlaps with a part of the pixel electrode via an insulating layer, and the insulating layer has a multilayer structure in which at least an upper layer thereof is an organic material layer, and overlaps with the counter voltage signal line. A liquid crystal display device, wherein a part of the pixel electrode has a removed portion of the organic material layer.
【請求項11】 液晶を介して対向配置される各基板の
うち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲー
ト信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた各領域を画素領域とし、この画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
るスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と
を備え、 当該画素領域の画素電極の一部が、当該画素領域とドレ
イン信号線に沿って隣接される画素領域の画素電極から
引き出された配線層と絶縁層を介して重畳されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
11. A plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of juxtaposed these gate signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Drain signal line is formed, and each region surrounded by these signal lines is defined as a pixel region. In this pixel region, a switching element that operates by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal via this switching element are formed. And a pixel electrode to which a video signal from the line is supplied, and a part of the pixel electrode in the pixel region is drawn out from the pixel electrode in the pixel region adjacent to the pixel region along the drain signal line. And a liquid crystal display device, which is overlapped with an insulating layer.
【請求項12】 液晶を介して対向配置される各基板の
うち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲー
ト信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた各領域を画素領域とし、この画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
るスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極とを備え、 前記対向電極はドレイン信号線と絶縁層を介して重畳さ
れるものを含み、ゲート信号線と絶縁層を介して重畳さ
れて形成される対向電圧信号線と接続されて形成されて
いるとともに、 前記対向電極の対向電圧信号線との接続部には分岐部を
有し、その分岐部の間にドレイン信号線が位置づけられ
ていることを特徴とする液晶表示装置。
12. A plurality of gate signal lines juxtaposed to each other and a plurality of gate signal lines juxtaposed to the gate signal lines on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Drain signal line is formed, and each region surrounded by these signal lines is defined as a pixel region. In this pixel region, a switching element that operates by a scanning signal from the gate signal line and a drain signal via this switching element are formed. A pixel electrode supplied with a video signal from a line, and a counter electrode connected to a counter voltage signal line and generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, the counter electrode via a drain signal line and an insulating layer. Including a portion to be overlapped, the gate signal line is formed to be connected to a counter voltage signal line which is formed to be overlapped via an insulating layer, and a connecting portion of the counter electrode with the counter voltage signal line. A liquid crystal display device, characterized in that the liquid crystal display device has a branch portion, and a drain signal line is positioned between the branch portions.
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