JP2003231969A - Film-forming apparatus - Google Patents
Film-forming apparatusInfo
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- JP2003231969A JP2003231969A JP2002032218A JP2002032218A JP2003231969A JP 2003231969 A JP2003231969 A JP 2003231969A JP 2002032218 A JP2002032218 A JP 2002032218A JP 2002032218 A JP2002032218 A JP 2002032218A JP 2003231969 A JP2003231969 A JP 2003231969A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、製膜装置に関し、
特に、フィルム、レンズ等に製膜を行う気相化学反応堆
積法の製膜装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film forming apparatus,
In particular, the present invention relates to a film forming apparatus of a vapor phase chemical reaction deposition method for forming a film, a lens, or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＣＲＴ、ＰＤＰ、有機ＥＬディ
スプレイ、液晶画像表示装置等の画像表示装置の画面に
ついては、近年、その透過率やコントラストの向上、映
り込み低減のために表面反射を減少させる反射防止技術
が多数提案されており、その一つの反射防止技術として
は、複数の屈折率の異なる膜を積層することによって、
光の反射を減少させることが有効であるということが知
られている。2. Description of the Related Art For example, a screen of an image display device such as a CRT, a PDP, an organic EL display, a liquid crystal image display device, etc., has recently been reduced in surface reflection in order to improve its transmittance and contrast and reduce glare. Many antireflection techniques have been proposed, and one of the antireflection techniques is to stack a plurality of films having different refractive indexes,
It is known that reducing light reflection is effective.
【０００３】このように基材に機能性の膜を複数積層す
ることにより、新たな機能を持たせることができ、複数
の機能性の膜を有する基材は、様々な技術分野で用いら
れている。By laminating a plurality of functional films on the base material in this way, a new function can be given, and the base material having a plurality of functional films is used in various technical fields. There is.
【０００４】基材に複数の膜を連続して形成する製膜装
置としては、例えば、特開平１１−２４１１６５号に記
載される製膜装置等が挙げられる。As a film forming apparatus for continuously forming a plurality of films on a substrate, for example, the film forming apparatus described in JP-A No. 11-241165 can be cited.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製膜装置は、膜間への不純物混入の防止、複数の膜の形
成を容易とする等の理由から、基材に形成する膜の数だ
け熱源・電極等の製膜の設備を有する製膜室を必要とし
ていた。これにより、基材に形成する膜が多くなれば多
くなるほど製膜室の数も多くなり製膜装置は大型化する
ことになる。さらに、設備コストがかかる等の問題も生
じる。However, in the conventional film forming apparatus, in order to prevent impurities from being mixed between the films and to facilitate the formation of a plurality of films, the number of films to be formed on the substrate should be reduced. A film forming chamber having a film forming facility such as a heat source and electrodes was required. As a result, as the number of films formed on the base material increases, the number of film forming chambers also increases, and the film forming apparatus becomes larger. Further, there is a problem that equipment costs are required.
【０００６】本発明はかかる課題に鑑みてなされたもの
であり、本発明の目的は、装置を小型化し、コストを削
減した産業用の製膜装置を提供することである。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an industrial film forming apparatus in which the apparatus is downsized and the cost is reduced.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の目的は下記構成
によって達成された。The object of the present invention has been achieved by the following constitution.
【０００８】（１） 基材に製膜を行う製膜室を１又は
複数有する製膜装置であって、前記製膜装置は前記基材
に複数の膜を形成する製膜装置であり、前記製膜室の少
なくとも一つが前記基材に２層以上の膜を形成する複数
膜製膜室である製膜装置。(1) A film forming apparatus having one or a plurality of film forming chambers for forming a film on a substrate, wherein the film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a plurality of films on the substrate, A film forming apparatus, wherein at least one of the film forming chambers is a multi-film forming chamber for forming two or more layers of film on the substrate.
【０００９】（２） 基材に製膜を行う製膜室を１又は
複数有する製膜装置であって、前記製膜装置は前記基材
に複数の膜を形成する製膜装置であり、前記製膜室の数
が前記基材に形成される膜数よりも少ない製膜装置。(2) A film forming apparatus having one or a plurality of film forming chambers for forming a film on a substrate, wherein the film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a plurality of films on the substrate, A film forming apparatus in which the number of film forming chambers is smaller than the number of films formed on the substrate.
【００１０】（３） 前記製膜室の少なくとも一つは前
記基材に２層以上の膜を形成する複数膜製膜室であるこ
とを特徴とする（２）に記載の製膜装置。(3) At least one of the film forming chambers is a multi-film forming chamber for forming two or more layers of film on the base material, (2).
【００１１】（４） 前記複数膜製膜室はガス排気手段
を少なくとも一つ有することを特徴とする（１）又は
（３）に記載の製膜装置。(4) The film forming apparatus according to (1) or (3), wherein the multi-film forming chamber has at least one gas exhaust unit.
【００１２】（５） 前記製膜装置が気相化学反応堆積
法であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１
項に記載の製膜装置。(5) Any one of (1) to (4), wherein the film forming apparatus is a vapor phase chemical reaction deposition method.
The film forming apparatus according to item.
【００１３】（６） 前記複数膜製膜室で形成される膜
の製膜時の圧力条件が全て同一であることを特徴とする
（１）〜（５）のいずれか１項に記載の製膜装置。(6) The production conditions according to any one of (1) to (5), wherein the pressure conditions during film formation of the films formed in the multi-film film forming chamber are all the same. Membrane device.
【００１４】（７） 前記膜がストライプ膜であること
を特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の製
膜装置。(7) The film forming apparatus as described in any one of (1) to (6), wherein the film is a stripe film.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の製膜装置について、以下
にその実施の形態を図を用いて説明するが、本発明はこ
れに限定されない。また、以下の説明には用語等に対す
る断定的な表現が含まれている場合があるが、本発明の
好ましい例を示すものであって、本発明の用語の意義や
技術的な範囲を限定するものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the film forming apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. Further, although the following description may include affirmative expressions for terms and the like, they are preferable examples of the present invention and limit the meaning and technical scope of the terms of the present invention. Not a thing.
【００１６】図１は本発明の気相化学反応堆積法の製膜
装置の一例を示す断面図である。１は複数膜製膜室であ
る。複数膜製膜室１は、基材に複数の膜を形成すること
が可能な製膜室である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a film forming apparatus of the vapor phase chemical reaction deposition method of the present invention. Reference numeral 1 is a multi-film deposition chamber. The multi-film deposition chamber 1 is a film deposition chamber capable of forming a plurality of films on a base material.
【００１７】複数膜製膜室１には電極２，３が設けられ
ている。図１に示される製膜装置は、大気圧プラズマ処
理を用いた製膜装置である。大気圧プラズマ処理とは、
対向する電極間に基材を位置させ、さらに、反応ガス及
び不活性ガスを対向する電極間に存在させ、大気圧又は
大気圧近傍の圧力下において前記電極間に電圧を印加し
て放電プラズマを発生させ、この放電プラズマによっ
て、基材に製膜を行う処理のことである。Electrodes 2 and 3 are provided in the multi-film deposition chamber 1. The film forming apparatus shown in FIG. 1 is a film forming apparatus using atmospheric pressure plasma treatment. What is atmospheric pressure plasma processing?
A base material is positioned between the electrodes facing each other, and a reaction gas and an inert gas are present between the electrodes facing each other, and a voltage is applied between the electrodes under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure to generate discharge plasma. It is a process of generating a film and forming a film on the substrate by the discharge plasma.
【００１８】電極２，３は、誘電体を被覆しており、該
誘電体は、Ａｌ2Ｏ3セラミックスの溶射膜をアルコキシ
シランで封孔処理したものである。The electrodes 2 and 3 are coated with a dielectric, and the dielectric is obtained by sealing a sprayed film of Al 2 O 3 ceramics with an alkoxysilane.
【００１９】本発明の大気圧プラズマ処理装置に用いら
れる電極は、少なくとも一方の電極が誘電体で被覆され
ている。電極材料には、銀、白金、ステンレス、アルミ
ニウム、鉄等の金属を用いることができる。ステンレス
は加工し易く好ましく用いることができる。誘電体とし
ては、ケイ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩
系ガラス・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス
・アルミン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いる
ことが出来る。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易
い。また、気密性の高い高耐熱性のセラミックを焼結し
たセラミックスを用いることも好ましい。セラミックス
の材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化
珪素系、炭化珪素系のセラミックスが挙げられるが、中
でもアルミナ系のセラミックスが好ましく、アルミナ系
のセラミックスの中でも特にＡｌ 2Ｏ3を用いるのが好ま
しい。アルミナ系のセラミックスの厚みは１ｍｍ程度が
好ましく、体積固有抵抗は１０8Ω・ｃｍ以上が好まし
い。It is used in the atmospheric pressure plasma processing apparatus of the present invention.
At least one electrode is covered with a dielectric.
ing. Electrode materials include silver, platinum, stainless steel, aluminum
Metals such as nickel and iron can be used. stainless
Is easily processed and can be preferably used. As a dielectric
For silicate glass, borate glass, phosphate
Glass, germanate glass, tellurite glass
・ Use aluminate glass, vanadate glass, etc.
You can Among them, borate glass is easy to process
Yes. Also, by sintering a highly heat-resistant ceramic with high airtightness,
It is also preferable to use ceramics. Ceramics
Examples of the material include alumina, zirconia, nitriding
Examples include silicon-based and silicon carbide-based ceramics.
However, alumina-based ceramics are preferable, and alumina-based ceramics are preferable.
Al among the ceramics 2O3Prefer to use
Good The thickness of alumina ceramics is about 1 mm
Preferably, the volume resistivity is 108Ω · cm or more is preferred
Yes.
【００２０】セラミックスは、無機質材料で封孔処理さ
れているのが好ましく、これにより電極の耐久性を向上
させることができる。The ceramic is preferably sealed with an inorganic material so that the durability of the electrode can be improved.
【００２１】封孔処理はセラミックスに封孔剤である金
属アルコキシドを主原料とするゾルをセラミックス上に
塗布した後に、ゲル化させて硬化させることで、強固な
３次元結合を形成させ均一な構造を有する金属酸化物に
よって、セラミックスの封孔処理をすることができる。In the sealing treatment, a sol containing a metal alkoxide as a sealing agent as a main raw material is applied to the ceramics, and then gelled and cured to form a strong three-dimensional bond to form a uniform structure. By using the metal oxide having, it is possible to perform the pore sealing treatment of the ceramics.
【００２２】また、ゾルゲル反応を促進するためにエネ
ルギー処理を行うことが好ましい。具体的には、ゾルに
エネルギー処理をすることによって、金属−酸素−金属
の３次元結合を促進することができる。Further, it is preferable to perform energy treatment in order to accelerate the sol-gel reaction. Specifically, by subjecting the sol to energy treatment, the three-dimensional metal-oxygen-metal bond can be promoted.
【００２３】エネルギー処理には、プラズマ処理や、２
００℃以下の加熱処理、ＵＶ処理が好ましい。The energy treatment includes plasma treatment and 2
A heat treatment at 00 ° C. or lower and a UV treatment are preferable.
【００２４】電極２，３間の距離は、放電がより効率よ
く行われるという観点から、好ましくは２ｍｍ〜１０ｍ
ｍである。The distance between the electrodes 2 and 3 is preferably 2 mm to 10 m from the viewpoint of more efficient discharge.
m.
【００２５】電極２，３には電極内に保温水を流す等、
電極２，３の温度調節を行う手段を有することが好まし
い。For the electrodes 2 and 3, warm water is poured into the electrodes,
It is preferable to have a means for adjusting the temperature of the electrodes 2, 3.
【００２６】図１において、８は基材である。本発明の
製膜装置で処理される基材の材質は特に限定はないが、
セルローストリアセテート等のセルロースエステル基
体、ポリエステル基体、ポリカーボネート基体、ポリス
チレン基体、ポリオレフィン基体、等を処理することが
できる。In FIG. 1, reference numeral 8 is a base material. The material of the substrate processed by the film forming apparatus of the present invention is not particularly limited,
Cellulose ester substrates such as cellulose triacetate, polyester substrates, polycarbonate substrates, polystyrene substrates, polyolefin substrates and the like can be treated.
【００２７】具体的には、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジ
アセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロ
ースアセテートプロピオネート、セルロースアセテート
フタレート、セルローストリアセテート、セルロースナ
イトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチ
レンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチ
レン系、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメ
チルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ
エーテルスルホン、ポリスルホン系、ポリエーテルケト
ンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメ
チルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート
等を挙げることができる。これらの素材は単独であるい
は適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネ
ックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成
ゴム（株）製）などの市販品を使用することができる。Specifically, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, cellulose acetate phthalate, cellulose triacetate, cellulose nitrate, etc. Cellulose ester or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyetherketone, polyimide, polyethersulfone, polysulfone, polyether Ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate And acrylic or polyarylate. These materials may be used alone or in an appropriate mixture. Among them, commercially available products such as Zeonex (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and ARTON (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) can be used.
【００２８】図１に示される複数膜製膜室１は、ガス導
入口４を有する。ガス導入口４は電極２を貫通する構造
となっており、複数の異なる反応ガスをそれぞれ電極
２，３間に別々に導入することができる。また、ガス導
入口４は、同時に不活性ガスも電極２、３間に導入する
ことができる。反応ガス導入口４については、基材８に
形成する膜の数に応じてそれぞれ別々に設けてもよい。
複数の異なる反応ガスは、通常成分の異なる反応ガスで
あり、基材８に形成される複数の膜の成分となる反応ガ
スである。The multi-film deposition chamber 1 shown in FIG. 1 has a gas inlet 4. The gas inlet 4 has a structure penetrating the electrode 2, and a plurality of different reaction gases can be separately introduced between the electrodes 2 and 3. Further, the gas inlet 4 can simultaneously introduce an inert gas between the electrodes 2 and 3. The reaction gas inlets 4 may be provided separately depending on the number of films formed on the substrate 8.
The plurality of different reaction gases are usually reaction gases having different components, which are the components of the plurality of films formed on the base material 8.
【００２９】反応ガスは、機能性層の膜を形成するに必
要なガスである。特に反射防止フィルムの場合には、中
屈折率層、高屈折率層及び低屈折率層の各屈折率層及び
防汚層の薄膜を形成するのに使用するガスであり、また
直接薄膜を形成する化合物だけの場合もあるが、水素ガ
ス、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガス等の補助的ガスを合
わせて使用する場合がある。The reaction gas is a gas necessary for forming the film of the functional layer. Particularly in the case of an antireflection film, it is a gas used to form the thin films of the medium-refractive index layer, the high-refractive index layer, the low-refractive index layer, and the antifouling layer, and also directly forms the thin film. In some cases, it is only the compound to be used, but in some cases, auxiliary gas such as hydrogen gas, oxygen gas, nitrogen gas, carbon dioxide gas is used together.
【００３０】反射防止層や防汚層を有する反射防止フィ
ルムは、異なった屈折率を有する複数の層（反射防止
層）や他の機能を有する層（防汚層や帯電防止層）を基
材上に直接または他の層を介して複数層積層して得られ
るものである。An antireflection film having an antireflection layer or an antifouling layer is composed of a plurality of layers having different refractive indexes (antireflection layer) or layers having other functions (antifouling layer or antistatic layer) as a base material. It is obtained by laminating a plurality of layers directly on or with another layer interposed.
【００３１】反射防止フィルムの反応ガスには、適切な
屈折率を得ることの出来る化合物であれば制限なく使用
出来るが、高屈折率層形成用の反応ガスとしてはチタン
化合物を、中屈折率層形成用の反応ガスとしては錫化合
物、またはチタン化合物と珪素化合物の混合物（または
高屈折率形成用のチタン化合物で形成した層と低屈折率
層を形成する珪素化合物で形成した層を積層してもよ
い）を、また低屈折率層形成用の反応ガスとしては珪素
化合物、フッ素化合物、あるいは珪素化合物とフッ素化
合物の混合物を好ましく用いることが出来る。これらの
化合物を屈折率を調節するために、何れかの層の形成用
の反応ガスとして２種以上混合して使用してもよい。The reaction gas of the antireflection film can be used without limitation as long as it is a compound capable of obtaining an appropriate refractive index, but a titanium compound is used as the reaction gas for forming the high refractive index layer, and a medium refractive index layer. As a reaction gas for formation, a tin compound or a mixture of a titanium compound and a silicon compound (or a layer formed of a titanium compound for forming a high refractive index and a layer formed of a silicon compound for forming a low refractive index layer are laminated. And a silicon compound, a fluorine compound, or a mixture of a silicon compound and a fluorine compound can be preferably used as the reaction gas for forming the low refractive index layer. Two or more kinds of these compounds may be mixed and used as a reaction gas for forming any layer in order to adjust the refractive index.
【００３２】中屈折率層形成用の反応ガスに使用し得る
錫化合物としては、有機錫化合物、錫水素化合物、ハロ
ゲン化錫等であり、有機錫化合物としては、例えば、テ
トラエチル錫、テトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル
錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫、テトラエトキ
シ錫、メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、
トリイソプロピルエトキシ錫、ジエチル錫、ジメチル
錫、ジイソプロピル錫、ジブチル錫、ジエトキシ錫、ジ
メトキシ錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、錫ジ
ブチラート、錫ジアセトアセトナート、エチル錫アセト
アセトナート、エトキシ錫アセトアセトナート、ジメチ
ル錫ジアセトアセトナート等、錫水素化合物等、ハロゲ
ン化錫としては、二塩化錫、四塩化錫等を挙げることが
出来、何れも本発明において、好ましく用いることが出
来る。また、これらの反応ガスを２種以上同時に混合し
て使用してもよい。なお、このようにして、形成された
酸化錫層は表面比抵抗値を１０11Ω／ｃｍ2以下に下げ
ることが出来るため、帯電防止層としても有用である。
なお、中屈折率層については、後述の珪素化合物、上記
チタン化合物または上記錫化合物を、目標とする屈折率
に合わせて適宜混合することによっても得ることが出来
る。Examples of tin compounds that can be used as the reaction gas for forming the medium refractive index layer include organic tin compounds, tin hydrogen compounds, tin halides, and the like. Examples of organic tin compounds include tetraethyltin and tetramethyltin. , Di-n-butyltin diacetate, tetrabutyltin, tetraoctyltin, tetraethoxytin, methyltriethoxytin, diethyldiethoxytin,
Triisopropylethoxytin, diethyltin, dimethyltin, diisopropyltin, dibutyltin, diethoxytin, dimethoxytin, diisopropoxytin, dibutoxytin, tin dibutyrate, tin diacetoacetonate, ethyltin acetoacetonate, ethoxytin acetoacetate Examples of tin halides such as nato, dimethyltin diacetoacetonate, tin hydrogen compounds and the like include tin dichloride, tin tetrachloride and the like, and any of them can be preferably used in the present invention. Further, two or more kinds of these reaction gases may be mixed and used at the same time. The tin oxide layer thus formed has a surface specific resistance value of 10 11 Ω / cm 2 or less and is therefore useful as an antistatic layer.
The medium refractive index layer can also be obtained by appropriately mixing the below-described silicon compound, the above titanium compound or the above tin compound in accordance with the target refractive index.
【００３３】高屈折率層形成用の反応ガスに使用し得る
チタン化合物としては、有機チタン化合物、チタン水素
化合物、ハロゲン化チタン等があり、有機チタン化合物
としては、例えば、トリエチルチタン、トリメチルチタ
ン、トリイソプロピルチタン、トリブチルチタン、テト
ラエチルチタン、テトライソプロピルチタン、テトラブ
チルチタン、トリエトキシチタン、トリメトキシチタ
ン、トリイソプロポキシチタン、トリブトキシチタン、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
メチルジメトキシチタン、エチルトリエトキシチタン、
メチルトリイソプロポキシチタン、テトラジメチルアミ
ノチタン、ジメチルチタンジアセトアセトナート、エチ
ルチタントリアセトアセトナート等、チタン水素化合物
としてはモノチタン水素化合物、ジチタン水素化合物
等、ハロゲン化チタンとしては、トリクロロチタン、テ
トラクロロチタン等を挙げることが出来、何れも本発明
において好ましく用いることが出来る。またこれらの反
応性ガスを２種以上を同時に混合して使用することが出
来る。Titanium compounds that can be used in the reaction gas for forming the high refractive index layer include organic titanium compounds, titanium hydrogen compounds, titanium halides, and the like, and examples of the organic titanium compounds include triethyl titanium, trimethyl titanium, and the like. Triisopropyl titanium, tributyl titanium, tetraethyl titanium, tetraisopropyl titanium, tetrabutyl titanium, triethoxy titanium, trimethoxy titanium, triisopropoxy titanium, tributoxy titanium,
Tetraethoxy titanium, tetraisopropoxy titanium,
Methyldimethoxytitanium, ethyltriethoxytitanium,
Methyltriisopropoxytitanium, tetradimethylaminotitanium, dimethyltitanium diacetoacetonate, ethyltitanium triacetoacetonate, etc., titanium titanium compounds such as monotitanium hydrogen compounds, dititanium hydrogen compounds, etc., and titanium halides such as trichlorotitanium, Examples thereof include tetrachlorotitanium, and any of them can be preferably used in the present invention. Further, two or more kinds of these reactive gases can be mixed and used at the same time.
【００３４】本発明において低屈折率層形成用の反応ガ
スに使用し得る珪素化合物としては、有機珪素化合物、
珪素水素化合物、ハロゲン化珪素化合物等を挙げること
が出来、有機珪素化合物としては、例えば、テトラエチ
ルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピルシ
ラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラン、テ
トライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、
ジエチルシランジアセトアセトナート、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエ
トキシシラン等、珪素水素化合物としては、テトラ水素
化シラン、ヘキサ水素化ジシラン等、ハロゲン化珪素化
合物としては、テトラクロロシラン、メチルトリクロロ
シラン、ジエチルジクロロシラン等を挙げることが出
来、何れも本発明において好ましく用いることが出来
る。また、フッ素化合物も使用することが出来る。これ
らの反応ガスを２種以上を同時に混合して使用すること
が出来る。また、屈折率の微調整にこれら錫化合物、チ
タン化合物、珪素化合物を適宜２種以上同時に混合して
使用してもよい。In the present invention, the silicon compound that can be used as the reaction gas for forming the low refractive index layer is an organic silicon compound,
Examples thereof include a silicon hydrogen compound and a silicon halide compound. Examples of the organic silicon compound include tetraethylsilane, tetramethylsilane, tetraisopropylsilane, tetrabutylsilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane and tetrabutoxysilane. , Dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane,
Diethylsilane diacetoacetonate, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, etc., silicon hydrogen compounds such as tetrahydrogenated silane, hexahydrogenated disilane, etc., and halogenated silicon compounds such as tetrachlorosilane, Methyltrichlorosilane, diethyldichlorosilane and the like can be mentioned, and any of them can be preferably used in the present invention. Further, a fluorine compound can also be used. Two or more kinds of these reaction gases can be mixed and used at the same time. Further, for fine adjustment of the refractive index, two or more kinds of these tin compounds, titanium compounds and silicon compounds may be appropriately mixed and used at the same time.
【００３５】上記反射防止フィルムの他の光学フィルム
には、反応ガスを適宜選択して、本発明の薄膜形成方法
に使用することにより様々な高機能性の薄膜の光学フィ
ルムを得ることが出来る。その一例を以下に示すが、本
発明はこれに限られるものではない。For the other optical films of the antireflection film, various functional thin film optical films can be obtained by appropriately selecting a reaction gas and using it in the thin film forming method of the present invention. One example is shown below, but the present invention is not limited to this.
【００３６】電極膜 Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｓｉ
誘電体保護膜 ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3
透明導電膜 Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2
エレクトロクロミック膜 ＷＯ3、ＩｒＯ2、ＭｏＯ3、
Ｖ2Ｏ5
蛍光膜 ＺｎＳ、ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ、ＺｎＳ＋ＣｄＳ
磁気記録膜 Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、γ−Ｆｅ
2Ｏ3、Ｃｏ、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｒ、ＳｉＯ2、ＡｌＯ3
超導電膜 Ｎｂ、Ｎｂ−Ｇｅ、ＮｂＮ
太陽電池膜 ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
反射膜 Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜 ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜 Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2
反射防止膜 ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2
シャドーマスク Ｃｒ
耐摩耗性膜 Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜 Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜 Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜 ＭｏＳ2
装飾膜 Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
上記の反応ガスとして、有機亜鉛化合物、有機インジウ
ム化合物、有機アルミニウム化合物、有機銅化合物、有
機銀化合物を好ましく用いることが出来る。これらの反
応ガスの混合割合は同様に０．０１〜１０体積％であ
る。Electrode film Au, Al, Ag, Ti, Ti,
Pt, Mo, Mo-Si Dielectric protective film SiO 2 , SiO, Si 3 N 4 , Al
2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 transparent conductive film In 2 O 3 , SnO 2 electrochromic film WO 3 , IrO 2 , MoO 3 ,
V 2 O 5 phosphor layer ZnS, ZnS + ZnSe, ZnS + CdS Magnetic recording film Fe-Ni, Fe-Si- Al, γ-Fe
2 O 3 , Co, Fe 3 O 4 , Cr, SiO 2 , AlO 3 superconductive film Nb, Nb-Ge, NbN solar cell film a-Si, Si reflective film Ag, Al, Au, Cu selective absorption film ZrC -Zr selectively permeable membrane In 2 O 3, SnO 2 antireflective film SiO 2, TiO 2, SnO 2 shadow mask Cr abrasion resistance film Cr, Ta, Pt, TiC, TiN corrosion film Al, Zn, Cd, Ta, Ti, Cr heat-resistant film W, Ta, Ti lubricating film MoS 2 decorative film Cr, Al, Ag, Au, TiC, Cu As the above reaction gas, organic zinc compound, organic indium compound, organic aluminum compound, organic copper compound, organic A silver compound can be preferably used. Similarly, the mixing ratio of these reaction gases is 0.01 to 10% by volume.
【００３７】防汚層には珪素化合物、フッ素と珪素を有
する化合物を好ましく用いることが出来る。珪素化合物
としては有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハロゲン化
珪素化合物等を挙げることが出来、有機珪素化合物とし
て、例えば、テトラエチルシラン、テトラメチルシラ
ン、テトライソプロピルシラン、テトラブチルシラン、
テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、
テトラブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジ
エチルジエトキシシラン、ジエチルシランジアセトアセ
トナート、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエト
キシシラン、エチルトリエトキシシラン等、珪素水素化
合物として、テトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラ
ン等を挙げることが出来、何れも本発明において好まし
く用いることが出来る。For the antifouling layer, a silicon compound or a compound containing fluorine and silicon can be preferably used. Examples of the silicon compound include organic silicon compounds, silicon hydrogen compounds and silicon halide compounds. Examples of the organic silicon compounds include tetraethylsilane, tetramethylsilane, tetraisopropylsilane, tetrabutylsilane,
Tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane,
Tetrabutoxysilane, dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethylsilanediacetacetonate, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, etc., as silicon hydrogen compounds, tetrahydrogenated silane, hexahydrogenated disilane And the like, and any of them can be preferably used in the present invention.
【００３８】更に、フッ素と珪素を有する化合物とし
て、例えば、テトラ（トリフルオロメチル）シラン、テ
トラ（ペンタフルオロエチル）シラン、テトラ（セプタ
フルオロプロピル）シラン、ジメチルジ（トリフルオロ
メチル）シラン、ジエチルジ（ペンタフルオロエチル）
シラン、テトラ（トリフルオロメトキシ）シラン、テト
ラ（ペンタフルオロエトキシ）シラン、メチルトリ（ト
リフルオロメトキシ）シラン、パーフルオロオクチルエ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリ（トリフルオロメ
チル）シラン、トリパーフルオロメチルアクリロイルオ
キシシラン等のフルオロシラン化合物を挙げることが出
来、これらの化合物を２種以上混合して使用してもよ
い。また重合性のシランモノマーのオリゴマーも使用出
来る。Further, as the compound containing fluorine and silicon, for example, tetra (trifluoromethyl) silane, tetra (pentafluoroethyl) silane, tetra (ceptafluoropropyl) silane, dimethyldi (trifluoromethyl) silane, diethyldi (penta) Fluoroethyl)
Silane, tetra (trifluoromethoxy) silane, tetra (pentafluoroethoxy) silane, methyltri (trifluoromethoxy) silane, perfluorooctylethyltriethoxysilane, vinyltri (trifluoromethyl) silane, triperfluoromethylacryloyloxysilane, etc. The fluorosilane compound may be mentioned, and two or more kinds of these compounds may be mixed and used. Also, an oligomer of a polymerizable silane monomer can be used.
【００３９】上記フッ素化合物、珪素化合物、フッ素及
び珪素を有する化合物を適宜２種以上混合して使用して
もよい。Two or more kinds of the above-mentioned fluorine compounds, silicon compounds, and compounds containing fluorine and silicon may be appropriately mixed and used.
【００４０】不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガ
スが好ましく用いられるが、ＨｅとＡｒを混合した希ガ
スも好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は、９
０体積％〜９９．９体積％であることが好ましい。大気
圧プラズマを効率よく発生させるという点から不活性ガ
ス中のＡｒガス成分を多くするのも好ましいが、コスト
的な観点からもＡｒガス成分を９０体積％〜９９．９体
積％を用いるのが好ましい。A rare gas such as He or Ar is preferably used as the inert gas, but a rare gas obtained by mixing He and Ar is also preferable, and the ratio of the inert gas in the gas is 9%.
It is preferably 0% by volume to 99.9% by volume. It is also preferable to increase the Ar gas component in the inert gas from the viewpoint of efficiently generating atmospheric pressure plasma, but from the viewpoint of cost, it is preferable to use the Ar gas component at 90% by volume to 99.9% by volume. preferable.
【００４１】なお、不活性ガスには水素ガスや酸素ガス
を不活性ガスに対して０．１体積％〜１０体積％混合さ
せて使用してもよく、このように補助的に使用すること
により薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。The inert gas may be hydrogen gas or oxygen gas mixed with the inert gas in an amount of 0.1% to 10% by volume. The hardness of the thin film can be significantly improved.
【００４２】複数膜製膜室１は、ガス排出口５を有す
る。ガス排出口５は、電極２，３間に導入された反応ガ
スで基材８への膜形成に関与しなかった余分な反応ガス
等を複数膜製膜室１から排出するためのものである。The multi-film deposition chamber 1 has a gas outlet 5. The gas discharge port 5 is for discharging from the multi-film deposition chamber 1 excess reaction gas or the like that has not been involved in film formation on the substrate 8 due to the reaction gas introduced between the electrodes 2 and 3. .
【００４３】６は電極２，３間に高周波電圧を印加する
ための高周波電源である。７はアースであり、電極３は
アース７に接地している。高周波電源６は、放電出力が
１Ｗ／ｃｍ2〜５０Ｗ／ｃｍ2であることが好ましく、こ
れにより、より放電プラズマのプラズマ密度を上げるこ
とができる。Reference numeral 6 is a high frequency power source for applying a high frequency voltage between the electrodes 2 and 3. Reference numeral 7 is a ground, and the electrode 3 is grounded to the ground 7. High-frequency power source 6 is preferably discharge power is 1W / cm 2 ~50W / cm 2 , which makes it possible to increase the plasma density more discharge plasma.
【００４４】次に、図１に示される製膜装置を用いて、
基材に製膜を行う方法について説明する。今回は、例と
して反応ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを用いて、基材８に膜Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する方法について説明する。Next, using the film forming apparatus shown in FIG.
A method of forming a film on the base material will be described. This time, as an example, using the reaction gases A, B, C, and D, the film A,
A method of forming B, C and D will be described.
【００４５】図１に示される製膜装置の電極２，３間に
基材８を配置する。さらに、複数膜製膜室１の電極２，
３間にガス導入口４から反応ガスＡ及び不活性ガスを導
入する。電極２，３間に高周波電源６により、電圧を印
加して、放電プラズマを発生させ、基材８に膜Ａを形成
させる。その後、複数膜製膜室１に残存している反応ガ
スＡ等をガス排出口５より排出する。排出が終了した後
に、複数膜製膜室１内の電極間２，３間にガス導入口４
から反応ガスＢ及び不活性ガス導入口不活性ガスを導入
する。同様に電極２，３間に高周波電源６により電圧を
印加して放電プラズマを発止させ、基材８の膜Ａの上に
膜Ｂを形成する。その後、複数膜製膜室１に残存してい
る反応ガスＢ等をガス排出口５より排出する。以下、反
応ガスＣ、Ｄについても同様の操作を行い、膜Ｃ，Ｄを
順に形成する。A substrate 8 is placed between the electrodes 2 and 3 of the film forming apparatus shown in FIG. Furthermore, the electrodes 2 of the multi-film deposition chamber 1
During the period 3, the reaction gas A and the inert gas are introduced from the gas introduction port 4. A voltage is applied between the electrodes 2 and 3 by the high frequency power supply 6 to generate discharge plasma, and the film A is formed on the base material 8. Then, the reaction gas A or the like remaining in the multi-film deposition chamber 1 is discharged from the gas discharge port 5. After the discharge is completed, the gas introduction port 4 is provided between the electrodes 2 and 3 in the multi-film deposition chamber 1.
A reaction gas B and an inert gas inlet inert gas are introduced from. Similarly, a voltage is applied between the electrodes 2 and 3 by the high frequency power source 6 to stop the discharge plasma, and the film B is formed on the film A of the base material 8. Then, the reaction gas B or the like remaining in the multi-film deposition chamber 1 is discharged from the gas discharge port 5. Hereinafter, the same operation is performed for the reaction gases C and D to form the films C and D in order.
【００４６】このときに、各膜の形成の間に行う残存反
応ガス等の排気の工程は、残存する反応ガス等が次の膜
の形成に問題にならない程度の量であるような場合には
省略してもよい。At this time, the step of exhausting the residual reaction gas or the like during the formation of each film is performed when the amount of the residual reaction gas or the like does not pose a problem in the formation of the next film. It may be omitted.
【００４７】図１に示される製膜装置は、基材に複数の
膜を形成する製膜装置であるが、複数膜製膜室１を有す
ることにより、製膜室の個数を抑えることができ、製膜
装置を小型している。また、基材を製膜室から製膜室に
移動することもなくなることから作業工程が簡略化され
ている。さらに、製膜室の個数を少なくしていることか
ら、製膜室の設備等のコストの削減も達成している。The film forming apparatus shown in FIG. 1 is a film forming apparatus for forming a plurality of films on a substrate. However, by having the plural film forming chambers 1, the number of film forming chambers can be suppressed. , The film forming device is downsized. Further, since the base material is not moved from the film forming chamber to the film forming chamber, the working process is simplified. Furthermore, since the number of film forming chambers is reduced, the cost of equipment for the film forming chambers is reduced.
【００４８】図１に示される製膜装置は、複数膜製膜室
１において基材８に全て膜を形成しているが、さらに、
製膜室を設けて膜の形成を分担しても良い。例えば、膜
Ａと膜Ｂの形成を複数膜製膜室１で行い、膜Ｃと膜Ｄに
ついては、それぞれ、新たに設けた製膜室で行ってもよ
い。このような構造としても、複数膜製膜室１において
複数の膜を形成しているので、製膜装置の小型化は達成
され、コストの削減が図れるからである。In the film forming apparatus shown in FIG. 1, all the films are formed on the substrate 8 in the multi-film forming chamber 1.
A film forming chamber may be provided to share the film formation. For example, the film A and the film B may be formed in the multi-film film forming chamber 1, and the film C and the film D may be respectively formed in newly provided film forming chambers. Even with such a structure, since a plurality of films are formed in the multi-film forming chamber 1, the film forming apparatus can be downsized and the cost can be reduced.
【００４９】図２は従来の気相化学反応堆積法で複数の
膜を形成するための産業用の製膜装置の一例を示す断面
図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of an industrial film forming apparatus for forming a plurality of films by the conventional vapor phase chemical reaction deposition method.
【００５０】尚、図２以降の説明においては、前述の図
１の説明で説明された符号と同じ符号のものの説明及び
それに関連する説明について省略されている場合がある
が、特に説明がない限りは前述の図１の説明と同じであ
る。In the description of FIG. 2 and subsequent figures, the description of the same reference numerals as those used in the description of FIG. 1 and the description related thereto may be omitted, but unless otherwise specified. Is the same as the description of FIG. 1 above.
【００５１】図２に示される従来の製膜装置は、基材８
に膜の形成を行う製膜室１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄを有す
る。この製膜室１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄは、それぞれ１
種類の膜しか形成することがきず、基材に複数の膜を形
成する場合には、製膜室の数が、その膜数分だけ必要と
なる。さらに各製膜室は、それぞれ電極２、３とガス導
入口４を有する。The conventional film forming apparatus shown in FIG.
It has film forming chambers 1a, 1b, 1c, 1d for forming films. Each of the film forming chambers 1a, 1b, 1c and 1d has 1
When only a plurality of types of films can be formed and a plurality of films are formed on the base material, the number of film forming chambers is required for the number of films. Further, each film forming chamber has electrodes 2 and 3 and a gas introduction port 4, respectively.
【００５２】次に、図２に示される製膜装置を用いて、
基材に製膜を行う方法について説明する。今回も前述の
ように、例として反応ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを用いて、基
材８に膜Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する方法について説明す
る。Next, using the film forming apparatus shown in FIG.
A method of forming a film on the base material will be described. As described above, a method of forming the films A, B, C, D on the base material 8 by using the reaction gases A, B, C, D as an example will be described.
【００５３】図２に示される製膜装置の製膜室１ａの電
極２，３間に基材８を配置する。さらに、製膜室１ａの
電極２，３間にガス導入口４から反応ガスＡ及び不活性
ガスを導入する。電極２，３間に高周波電源６により、
電圧を印加して、放電プラズマを発生させ、基材８に膜
Ａを形成させる。その後、膜Ａを形成した基材８を製膜
室１ｂの電極２，３間に移動させる。さらに、製膜室１
ｂの電極２，３間にガス導入口４から反応ガスＢ及び不
活性ガスを導入する。同様に電極２，３間に高周波電源
６により電圧を印加して放電プラズマを発生させ、基材
８の膜Ａの上に膜Ｂを形成する。その後、以下、反応ガ
スＣ、Ｄについても同様の操作を行い、膜Ｃ，Ｄを順に
形成する。The substrate 8 is placed between the electrodes 2 and 3 of the film forming chamber 1a of the film forming apparatus shown in FIG. Further, the reaction gas A and the inert gas are introduced from the gas introduction port 4 between the electrodes 2 and 3 of the film forming chamber 1a. By the high frequency power source 6 between the electrodes 2 and 3,
A voltage is applied to generate discharge plasma, and the film A is formed on the base material 8. Then, the base material 8 on which the film A is formed is moved between the electrodes 2 and 3 of the film forming chamber 1b. Furthermore, the film forming chamber 1
The reaction gas B and the inert gas are introduced from the gas introduction port 4 between the electrodes 2 and 3 of b. Similarly, a voltage is applied between the electrodes 2 and 3 by the high frequency power source 6 to generate discharge plasma, and the film B is formed on the film A of the base material 8. After that, the same operation is performed for the reaction gases C and D to form the films C and D in order.
【００５４】図２に示される製膜装置は、基材に複数の
膜を形成する場合は製膜室の数が多くなり、製膜装置が
大型化する。これにより、その分の設備投資等のコスト
もかかることになる。In the film forming apparatus shown in FIG. 2, when a plurality of films are formed on the substrate, the number of film forming chambers increases, and the film forming apparatus becomes large. As a result, the cost of facility investment and the like will be incurred.
【００５５】図３に示される製膜装置は、本発明の製膜
装置の他の例を示す斜視図である。図３に示される製膜
装置は、基材８がフィルム形状の様に連続しているよう
な場合に用いる装置である。The film forming apparatus shown in FIG. 3 is a perspective view showing another example of the film forming apparatus of the present invention. The film forming apparatus shown in FIG. 3 is an apparatus used when the substrate 8 is continuous like a film.
【００５６】図３に示される製膜装置は、複数膜製膜室
１を有し、複数膜製膜室１の中には電極２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄとそれに対向する位置に電極３が設けられてい
る。電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄの材料としては前述の
電極２と同様のものを用いることができる。The film-forming apparatus shown in FIG. 3 has a multi-film forming chamber 1 in which electrodes 2a, 2b, 2 are provided.
The electrodes 3 are provided at c and 2d and at positions facing them. As the material of the electrodes 2a, 2b, 2c, 2d, the same material as that of the electrode 2 described above can be used.
【００５７】電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄにはそれぞ
れ、ガス導入口４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが設けられてい
る。ガス導入口４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄはそれぞれ電極
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを貫通する構造となっており、
それぞれの電極間に反応ガス及び不活性ガスを導入する
ことができるようになっている。The electrodes 2a, 2b, 2c, 2d are provided with gas inlets 4a, 4b, 4c, 4d, respectively. The gas inlets 4a, 4b, 4c, 4d have a structure that penetrates the electrodes 2a, 2b, 2c, 2d, respectively.
A reaction gas and an inert gas can be introduced between the respective electrodes.
【００５８】ガス導入口４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの電極
間に吹き出す吹き出し口は、それぞれの電極間に反応ガ
スがまんべんなく広がるようにそれぞれの電極幅に口を
広げた形状をしている。また、基材８は一定の進行方向
に一定速度で移動することから、ガス導入口４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄの電極間への吹き出し口の形状（貫通口
の形状）は、スリット状としており、基材８の進行方向
に対して直角となるように配置している。吹き出し口の
形状はスリット形状の他に、パンチ穴を一列に並べた形
状としてもよい。The gas outlets 4a, 4b, 4c and 4d which are blown out between the electrodes are shaped so that the reaction gas is evenly spread between the respective electrodes so that the respective electrodes are widened. Further, since the base material 8 moves in a constant traveling direction at a constant speed, the gas inlet ports 4a, 4a, 4
The shape of the blow-out opening (the shape of the through-opening) between the electrodes b, 4c, and 4d is a slit shape, and is arranged so as to be perpendicular to the traveling direction of the base material 8. The shape of the blowout port may be a shape in which punch holes are arranged in a line in addition to the slit shape.
【００５９】さらに、電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄには
それぞれ、ガス排出口５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが設けら
れている。ガス排出口５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄはそれぞ
れ電極２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを貫通する構造となって
おり、それぞれの電極間に残存した反応ガス等を排出で
きるようになっている。ガス排出口５ａ、５ｂ、５ｃ、
５ｄはそれぞれガス導入口４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの両
側を挟むように２つずつ設けられている。ガス排出口５
ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの吸い込み口はそれぞれの電極間
に残存した反応ガス等を効率よく排出できるように、反
応ガス導入口と同様に電極幅に口を広げた形状をしてい
る。図３の製膜装置では、ガス排出口５ａ、５ｂ、５
ｃ、５ｄの吸い込み口の形状は、スリット状としてい
る。ガス排出口５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄはガス導入口４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを挟むように設けることで、電極
間に残存した反応ガス等が他の電極間に移動するのを防
ぐ。Further, the electrodes 2a, 2b, 2c and 2d are provided with gas outlets 5a, 5b, 5c and 5d, respectively. The gas outlets 5a, 5b, 5c and 5d have a structure that penetrates the electrodes 2a, 2b, 2c and 2d, respectively, so that the reaction gas and the like remaining between the respective electrodes can be discharged. Gas outlets 5a, 5b, 5c,
Two 5d are provided so as to sandwich both sides of the gas inlets 4a, 4b, 4c and 4d, respectively. Gas outlet 5
The suction ports a, 5b, 5c, and 5d have a shape that widens to the electrode width similarly to the reaction gas introduction port so that the reaction gas and the like remaining between the electrodes can be efficiently discharged. In the film forming apparatus of FIG. 3, gas discharge ports 5a, 5b, 5
The suction ports of c and 5d are slit-shaped. The gas outlets 5a, 5b, 5c and 5d are the gas inlet 4
By providing them so as to sandwich a, 4b, 4c, and 4d, it is possible to prevent the reaction gas or the like remaining between the electrodes from moving between the other electrodes.
【００６０】次に、図３に示される製膜装置を用いて、
基材に製膜を行う方法について説明する。今回も前述の
ように、例として反応ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを用いて、基
材８に膜Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する方法について説明す
る。Next, using the film forming apparatus shown in FIG.
A method of forming a film on the base material will be described. As described above, a method of forming the films A, B, C, D on the base material 8 by using the reaction gases A, B, C, D as an example will be described.
【００６１】図３に示される製膜装置のロール状の基材
８を連続的に繰り出して複数膜製膜室１の中に基材８を
送り込み、電極２ａ、３間に位置させる。このとき、電
極２ａ、３間にガス導入口４より、反応ガスＡ及び不活
性ガスを導入する。電極２ａ、３間に高周波電源６によ
り、電圧を印加して、放電プラズマを発生させ、基材８
に膜Ａを形成させる。基材８は膜Ａの形成中も一定速度
で移動を続けている。その後、膜Ａの形成に関与しなか
った反応ガスＡ等をガス導入口４ａを挟んで設けられて
いるガス排出口５より排出する。膜Ａを形成した基材８
は、さらに移動して、電極２ｂ、３間に位置する。この
とき、電極２ｂ、３間にガス導入口４ｂより、反応ガス
Ｂ及び不活性ガスを導入する。電極２ｂ、３間に高周波
電源６により、電圧を印加して、放電プラズマを発生さ
せ、基材８の膜Ａの上に膜Ｂを形成させる。以下、反応
ガスＣ、Ｄについても同様の操作を行い、膜Ｃ，Ｄを順
に形成する。膜Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを積層した基材８は複数
膜製膜室１の外へ繰り出される。The roll-shaped base material 8 of the film forming apparatus shown in FIG. 3 is continuously fed out to feed the base material 8 into the multi-film forming chamber 1 and position it between the electrodes 2a and 3. At this time, the reaction gas A and the inert gas are introduced through the gas introduction port 4 between the electrodes 2a and 3. A voltage is applied between the electrodes 2a and 3 by the high frequency power source 6 to generate discharge plasma, and the base material 8
A film A is formed on. The base material 8 continues to move at a constant speed even during the formation of the film A. After that, the reaction gas A or the like not involved in the formation of the film A is discharged from the gas discharge port 5 provided with the gas introduction port 4a sandwiched therebetween. Base material 8 on which film A is formed
Moves further and is located between the electrodes 2b and 3. At this time, the reaction gas B and the inert gas are introduced between the electrodes 2b and 3 through the gas introduction port 4b. A voltage is applied between the electrodes 2b and 3 by the high frequency power source 6 to generate discharge plasma, and the film B is formed on the film A of the base material 8. Hereinafter, the same operation is performed for the reaction gases C and D to form the films C and D in order. The base material 8 in which the films A, B, C and D are laminated is fed out of the multi-film forming chamber 1.
【００６２】このとき、基材８に膜Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを積
層するときの条件の一つである圧力条件は、すべての膜
の形成において同一とすることが好ましい。これにより
設備を単純にすることができ、低コスト化を図ることが
できる。At this time, it is preferable that the pressure condition, which is one of the conditions for laminating the films A, B, C, and D on the base material 8, is the same in the formation of all the films. As a result, the equipment can be simplified and the cost can be reduced.
【００６３】次に、図３に示される製膜装置を用いて、
基材にストライプ膜を複数形成する方法について説明す
る。ストライプ膜とは、スジ状の膜のことをいう。例と
して反応ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを用いて、基材８にストラ
イプ膜Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する方法について説明す
る。Next, using the film forming apparatus shown in FIG.
A method of forming a plurality of stripe films on the base material will be described. The stripe film means a stripe film. As an example, a method of forming the stripe films A, B, C and D on the base material 8 using the reaction gases A, B, C and D will be described.
【００６４】図３に示される製膜装置のロール状の基材
８を繰り出して複数膜製膜室１の中に基材８を送り込
み、基材８が、電極２ａ、３間、電極２ｂ、３間、電極
２ｃ、３間、電極２ｄ、３間それぞれに基材８一部が位
置するように配置する。それぞれの電極間にガス導入口
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄより反応ガス及び不活性ガスを
導入し、さらにそれぞれの電極間に高周波電源６によ
り、電圧を印加して、放電プラズマを発生させ、基材８
にストライプ膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成させる。その後、
膜形成に関与しなかった反応ガス等をガス導入口４ａ、
４ｂ、４ｃ、４ｄを挟んで設けられているガス排出口５
ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄより排出する。その後、ストライ
プ膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成した基材８は繰り出し手段に
よって複数膜製膜室１の外への繰り出される。The roll-shaped base material 8 of the film forming apparatus shown in FIG. 3 is fed out and fed into the multi-film forming chamber 1, and the base material 8 is placed between the electrodes 2a, 3 and the electrode 2b. 3, the electrodes 2c, 3 and the electrodes 2d, 3 are arranged such that a part of the base material 8 is positioned. A reaction gas and an inert gas are introduced between the respective electrodes through the gas introduction ports 4a, 4b, 4c, 4d, and a voltage is applied between the respective electrodes by a high frequency power source 6 to generate discharge plasma. Material 8
Stripe films A, B, C and D are formed on. afterwards,
The reaction gas or the like not involved in the film formation is supplied to the gas inlet 4a,
Gas discharge port 5 provided with 4b, 4c and 4d sandwiched therebetween
It is discharged from a, 5b, 5c and 5d. After that, the base material 8 on which the striped films A, B, C and D are formed is delivered to the outside of the multi-film deposition chamber 1 by the delivery means.
【００６５】即ち、ストライプ膜は、基材８を放電プラ
ズマにさらしている最中に基材８を移動させないように
するか、若しくは移動を微量とすることで形成すること
ができる。That is, the stripe film can be formed by preventing the base material 8 from moving during the exposure of the base material 8 to the discharge plasma, or by making the movement of the base material 8 small.
【００６６】ガス排出口５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄによる
排気の工程は、電極間に残存する反応ガス等が、他の電
極間へと移動し、他の電極間における膜の形成に問題に
ならない程度の量であるような場合には省略してもよ
い。In the step of exhausting gas through the gas outlets 5a, 5b, 5c and 5d, the reaction gas or the like remaining between the electrodes moves to between the other electrodes, and there is no problem in forming a film between the other electrodes. It may be omitted if it is a moderate amount.
【００６７】図３に示される製膜装置も、複数膜製膜室
１を有することにより、製膜室の個数を抑えることがで
き、製膜装置を小型化している。また、製膜室の個数を
少なくしていることから、製膜室の設備等のコストの削
減も達成している。The film forming apparatus shown in FIG. 3 also has a plurality of film forming chambers 1, so that the number of film forming chambers can be suppressed and the film forming apparatus can be miniaturized. In addition, since the number of film forming chambers is reduced, the cost of equipment for the film forming chambers is reduced.
【００６８】[0068]
【発明の効果】本発明により、装置を小型化し、コスト
を削減した製膜装置を提供することができた。According to the present invention, it is possible to provide a film forming apparatus in which the apparatus is downsized and the cost is reduced.
【図１】本発明の製膜装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a film forming apparatus of the present invention.
【図２】従来の製膜装置の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a conventional film forming apparatus.
【図３】本発明の製膜装置の他の例を示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view showing another example of the film forming apparatus of the present invention.
１ 被数膜製膜室 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 製膜室 ２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ 電極 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ ガス導入口 ５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ ガス排出口 ６ 高周波電源 ７ アース ８ 基材 1 Number film deposition chamber 1a, 1b, 1c, 1d Film forming chamber 2, 2a, 2b, 2c, 2d, 3 electrodes 4, 4a, 4b, 4c, 4d gas inlet 5, 5a, 5b, 5c, 5d Gas outlet 6 high frequency power supply 7 Earth 8 base materials
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村本 雅信 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA06 BB13 BB28 CC02 CC03 CC26 CC42 DD09 EE05 4G075 AA24 AA30 BA05 BC04 BD14 CA47 DA02 EC21 4K030 BB12 BB14 CA07 FA03 GA12 HA01 JA09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masanobu Muramoto Konica Stock Market, 1 Sakura-cho, Hino City, Tokyo In-house F term (reference) 2K009 AA06 BB13 BB28 CC02 CC03 CC26 CC42 DD09 EE05 4G075 AA24 AA30 BA05 BC04 BD14 CA47 DA02 EC21 4K030 BB12 BB14 CA07 FA03 GA12 HA01 JA09
Claims (7)
する製膜装置であって、前記製膜装置は前記基材に複数
の膜を形成する製膜装置であり、前記製膜室の少なくと
も一つが前記基材に２層以上の膜を形成する複数膜製膜
室である製膜装置。1. A film forming apparatus having one or a plurality of film forming chambers for forming a film on a substrate, wherein the film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a plurality of films on the substrate. A film forming apparatus in which at least one of the film chambers is a multi-film forming chamber for forming two or more layers of film on the substrate.
する製膜装置であって、前記製膜装置は前記基材に複数
の膜を形成する製膜装置であり、前記製膜室の数が前記
基材に形成される膜数よりも少ない製膜装置。2. A film forming apparatus having one or a plurality of film forming chambers for forming a film on a substrate, wherein the film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a plurality of films on the substrate. A film forming apparatus in which the number of film chambers is smaller than the number of films formed on the base material.
に２層以上の膜を形成する複数膜製膜室であることを特
徴とする請求項２に記載の製膜装置。3. The film forming apparatus according to claim 2, wherein at least one of the film forming chambers is a multi-film forming chamber that forms two or more layers of films on the base material.
くとも一つ有することを特徴とする請求項１又は３に記
載の製膜装置。4. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the multi-film forming chamber has at least one gas exhaust unit.
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
の製膜装置。5. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming apparatus is a vapor phase chemical reaction deposition method.
時の圧力条件が全て同一であることを特徴とする請求項
１〜５のいずれか１項に記載の製膜装置。6. The film forming apparatus according to claim 1, wherein pressure conditions during film formation of the films formed in the multiple film forming chambers are all the same.
とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の製膜装置。7. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film is a stripe film.
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