JP2003229771A - Transmitter - Google Patents

Transmitter

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JP2003229771A
JP2003229771A JP2002027076A JP2002027076A JP2003229771A JP 2003229771 A JP2003229771 A JP 2003229771A JP 2002027076 A JP2002027076 A JP 2002027076A JP 2002027076 A JP2002027076 A JP 2002027076A JP 2003229771 A JP2003229771 A JP 2003229771A
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JP
Japan
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circuit
impedance
variable capacitance
antenna
diode
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Application number
JP2002027076A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Yamaguchi
喜弘 山口
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transmitter capable of BPSK-modulating reflected waves with a diode being set off. <P>SOLUTION: A transmission circuit 4 is connected to a transmission antenna 3 and a control circuit 5 and is composed of a diode circuit 6 having two series connected varactors 7, and an impedance adjusting circuit 10 composed of a main line 11 and capacitors 12, 13. The control circuit 5 applies reverse-bias voltages of 3 V and 0 V to the diodes 7 to change the impedance of the diode circuit 6. Thus the impedance adjusting circuit 10 changes the impedance of the diode circuit 6, to change the impedance of the transmission circuit 4 with a phase difference of 180°, thereby conducting BPSK-modulation of waves reflected from the antenna 3. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば非接触IC
カード、RFタグ等の移動体識別用応答機に用いて好適
な反射型の送信装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a non-contact IC, for example.
The present invention relates to a reflection-type transmission device suitable for use as a transponder for identifying a moving object such as a card or an RF tag.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、送信装置として、質問器(相
手)から発信された例えばマイクロ波、ミリ波等の高周
波の電磁波をアンテナで反射すると共に、この反射波に
2相位相変調(以下、BPSK変調という)をかけて質
問器に対してデータを送信するものが知られている(例
えば、特開平6−104945号公報等)。
2. Description of the Related Art Generally, as a transmitter, a high frequency electromagnetic wave such as a microwave or a millimeter wave transmitted from an interrogator (counterpart) is reflected by an antenna, and the reflected wave is subjected to two-phase phase modulation (hereinafter referred to as BPSK). It is known that data is transmitted to an interrogator by applying (modulation) (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-104945).

【0003】このような従来技術による送信装置は、ア
ンテナに対してダイオードを用いた回路を接続してい
る。そして、質問器に対してデータを送信するときに
は、該データに基づいてダイオードに印加するバイアス
電圧を順方向と逆方向(またはゼロバイアス)とで切換
え、ダイオードのON状態とOFF状態とを切換える。
これにより、アンテナからみた回路のインピーダンスが
変化するから、このインピーダンス変化に応じて反射波
に変調をかけている。この結果、従来技術では、送信装
置自身は搬送波を発生させず、反射波を搬送波として用
いるから、消費電力を極力抑えることができる。
In such a conventional transmitter, a circuit using a diode is connected to the antenna. Then, when transmitting data to the interrogator, the bias voltage applied to the diode is switched between the forward direction and the reverse direction (or zero bias) based on the data, and the ON state and the OFF state of the diode are switched.
As a result, the impedance of the circuit viewed from the antenna changes, so that the reflected wave is modulated according to the change in impedance. As a result, in the related art, the transmitting device itself does not generate a carrier wave and uses a reflected wave as a carrier wave, so that power consumption can be suppressed as much as possible.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による送信装置では、ダイオードのON状態とO
FF状態とを切換えることによって反射波に対してBP
SK変調を行うから、ダイオードがON状態となったと
きに、ダイオードを通じて例えば数μA〜数百μA程度
の電流が流れる。このため、ダイオードを流れる電流に
よって、送信装置の消費電力が増大するという問題があ
った。
By the way, in the above-mentioned transmitter according to the prior art, the diode is in the ON state and the O state.
BP for reflected waves by switching between FF state
Since SK modulation is performed, when the diode is turned on, a current of, for example, several μA to several hundreds μA flows through the diode. Therefore, there is a problem that the power consumption of the transmitter increases due to the current flowing through the diode.

【0005】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的はダイオードをOFF状態
に保持しつつ反射波にBPSK変調を行うことができる
送信装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a transmitting apparatus capable of performing BPSK modulation on a reflected wave while keeping a diode in an OFF state. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1の発明による送信装置は、アンテナ
と、該アンテナに接続された可変容量ダイオードと、該
可変容量ダイオードに印加する逆バイアス電圧を制御し
て前記アンテナから送信する反射波に2相位相変調を行
う制御回路とによって構成している。
In order to solve the above-mentioned problems, the transmitting device according to the invention of claim 1 is an antenna, a variable capacitance diode connected to the antenna, and a reverse capacitor for applying to the variable capacitance diode. And a control circuit that controls the bias voltage to perform two-phase phase modulation on the reflected wave transmitted from the antenna.

【0007】このように構成したことにより、制御回路
を用いて逆バイアス電圧を変化させ、可変容量ダイオー
ドの静電容量を調整することができる。これにより、可
変容量ダイオードを含む回路のインピーダンスが変化す
るから、アンテナから反射する反射波に対してBPSK
変調を行うことができる。また、可変容量ダイオードに
は常に逆バイアス電圧を印加するから、可変容量ダイオ
ードはOFF状態に保持される。このため、可変容量ダ
イオードを通じて順方向の電流が流れることがなくな
る。
With this configuration, the control circuit can be used to change the reverse bias voltage and adjust the electrostatic capacitance of the variable capacitance diode. As a result, the impedance of the circuit including the variable capacitance diode changes, so that BPSK is applied to the reflected wave reflected from the antenna.
Modulation can be performed. Further, since the reverse bias voltage is always applied to the variable capacitance diode, the variable capacitance diode is held in the OFF state. Therefore, no forward current flows through the variable capacitance diode.

【0008】請求項2の発明は、可変容量ダイオードを
アンテナとアースとの間に複数個に亘って直列接続した
ことにある。
According to a second aspect of the present invention, a plurality of variable capacitance diodes are connected in series between the antenna and the ground.

【0009】これにより、単一の可変容量ダイオードを
用いた回路に比べて複数個の可変容量ダイオードを直列
接続した回路は、回路のリアクタンス値を複数個の可変
容量ダイオードによるリアクタンス値の和にすることが
できる。この結果、例えば制御回路を用いて逆バイアス
電圧を2つの値で切換えときに、一方の逆バイアス電圧
印加時のリアクタンス値と他方の逆バイアス電圧印加時
のリアクタンス値との差を大きくすることができる。
As a result, in a circuit in which a plurality of variable capacitance diodes are connected in series as compared with a circuit using a single variable capacitance diode, the reactance value of the circuit is the sum of the reactance values of the plurality of variable capacitance diodes. be able to. As a result, when the reverse bias voltage is switched between two values using a control circuit, for example, it is possible to increase the difference between the reactance value when one reverse bias voltage is applied and the reactance value when the other reverse bias voltage is applied. it can.

【0010】請求項3の発明では、複数個の可変容量ダ
イオードは互いに隣合うダイオードの向きが反対の極性
となるように接続している。
According to the third aspect of the invention, the plurality of variable capacitance diodes are connected so that the adjacent diodes have opposite polarities.

【0011】これにより、互いに隣合う可変容量ダイオ
ードはこれらのアノード端子同士またはカソード端子同
士を接続することができる。このため、この接続点に対
して共通の逆バイアス電圧を印加することができるか
ら、各可変容量ダイオード毎に直流遮断用のコンデンサ
や交流遮断用のチョークコイルを接続する必要がなく、
可変容量ダイオードを駆動するための回路を簡略化する
ことができる。
As a result, the variable capacitance diodes adjacent to each other can have their anode terminals or cathode terminals connected to each other. Therefore, since a common reverse bias voltage can be applied to this connection point, it is not necessary to connect a DC blocking capacitor or an AC blocking choke coil to each variable capacitance diode,
The circuit for driving the variable capacitance diode can be simplified.

【0012】請求項4の発明による送信装置は、アンテ
ナと、該アンテナに接続された可変容量ダイオードと、
該可変容量ダイオードとアンテナとの間に設けられ該可
変容量ダイオード側のインピーダンスを調整するインピ
ーダンス調整回路と、前記可変容量ダイオードに印加す
る逆バイアス電圧を2つの値で切換え制御して前記アン
テナから送信する反射波に2相位相変調を行う制御回路
とによって構成している。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a transmitting device, an antenna, a variable capacitance diode connected to the antenna,
An impedance adjustment circuit provided between the variable capacitance diode and the antenna for adjusting the impedance on the variable capacitance diode side, and a reverse bias voltage applied to the variable capacitance diode are controlled to be switched between two values and transmitted from the antenna. And a control circuit that performs two-phase modulation on the reflected wave.

【0013】このように構成したことにより、制御回路
は逆バイアス電圧を2つの値で切換え、可変容量ダイオ
ードの静電容量を調整して可変容量ダイオードを含む回
路のインピーダンスが2つの値で変化させる。そして、
インピーダンス調整回路は、可変容量ダイオードを含む
回路のインピーダンスを調整する。これにより、アンテ
ナからみた送信信号の搬送波の周波数におけるインピー
ダンスを、反射係数の絶対値がほぼ1程度に設定しつつ
180°の位相差をもって2つの値で変化させることが
できる。このため、アンテナから反射する反射波に対し
てBPSK変調を行うことができる。また、可変容量ダ
イオードには常に逆バイアス電圧を印加するから、可変
容量ダイオードはOFF状態に保持される。このため、
可変容量ダイオードを通じて順方向の電流が流れること
がなくなる。
With this configuration, the control circuit switches the reverse bias voltage between two values and adjusts the capacitance of the variable capacitance diode to change the impedance of the circuit including the variable capacitance diode between two values. . And
The impedance adjustment circuit adjusts the impedance of the circuit including the variable capacitance diode. As a result, the impedance at the frequency of the carrier wave of the transmission signal viewed from the antenna can be changed by two values with a phase difference of 180 ° while setting the absolute value of the reflection coefficient to about 1. Therefore, BPSK modulation can be performed on the reflected wave reflected from the antenna. Further, since the reverse bias voltage is always applied to the variable capacitance diode, the variable capacitance diode is held in the OFF state. For this reason,
A forward current does not flow through the variable capacitance diode.

【0014】請求項5の発明によるインピーダンス調整
回路は、アンテナと可変容量ダイオードとを接続する主
線路と、該主線路のうち可変容量ダイオード側に位置し
て設けられたコンデンサ、コイルまたは位相回路と、前
記主線路のうちアンテナ側に位置して主線路に接続され
た終端が短絡されたコンデンサ、コイルもしくは短絡ス
タブまたは終端が開放された開放スタブとによって構成
している。
An impedance adjusting circuit according to a fifth aspect of the present invention includes a main line connecting the antenna and the variable capacitance diode, and a capacitor, a coil or a phase circuit provided on the variable capacitance diode side of the main line. Of the main line, which is located on the antenna side and connected to the main line, is composed of a capacitor having a short-circuited end, a coil or a short-circuit stub, or an open stub having an open end.

【0015】これにより、可変容量ダイオード側に設け
たコンデンサ、コイルまたは位相回路は、可変容量ダイ
オード側のインピーダンスを変換し、制御回路が一方の
逆バイアス電圧を印加したときの可変容量ダイオード側
の送信信号の搬送波の周波数におけるインピーダンスを
スミスチャート上の短絡点近傍に配置することができ
る。また、アンテナ側に設けたコンデンサ、コイル、短
絡スタブまたは開放スタブは、変換後のインピーダンス
をさらに変換し、制御回路が一方の逆バイアス電圧を印
加したときの可変容量ダイオード側のインピーダンスを
スミスチャート上の短絡点近傍に配置し、他方の逆バイ
アス電圧を印加したときの可変容量ダイオード側のイン
ピーダンスをスミスチャート上の開放点近傍に配置する
ことができる。
Thus, the capacitor, coil or phase circuit provided on the variable capacitance diode side converts the impedance on the variable capacitance diode side, and the transmission on the variable capacitance diode side when the control circuit applies one reverse bias voltage. The impedance at the frequency of the carrier wave of the signal can be arranged near the short circuit point on the Smith chart. In addition, the capacitor, coil, short-circuit stub or open stub provided on the antenna side further converts the converted impedance, and the impedance on the variable capacitance diode side when the control circuit applies one reverse bias voltage is shown on the Smith chart. Of the variable capacitance diode when the other reverse bias voltage is applied can be arranged near the open point on the Smith chart.

【0016】このため、アンテナから可変容量ダイオー
ド側を見たときには、2値の逆バイアス電圧に対応した
2つのインピーダンスの位相差を180°程度に設定で
きると共に、これら2つのインピーダンスによる反射係
数の絶対値をほぼ等しくすることができる。これによ
り、送信するデータに基づいて逆バイアス電圧を2つの
値で切換えることによって、アンテナから反射される反
射波にBPSK変調をかけることができる。
Therefore, when the variable capacitance diode side is viewed from the antenna, the phase difference between the two impedances corresponding to the binary reverse bias voltage can be set to about 180 ° and the absolute reflection coefficient by these two impedances can be set. The values can be approximately equal. Thus, by switching the reverse bias voltage between two values based on the data to be transmitted, the reflected wave reflected from the antenna can be BPSK modulated.

【0017】請求項6の発明によるインピーダンス調整
回路は、アンテナと可変容量ダイオードとを接続する主
線路と、該主線路のうち可変容量ダイオード側に設けら
れ前記制御回路が一方の逆バイアス電圧を印加したとき
の前記可変容量ダイオード側の送信信号の搬送波の周波
数におけるインピーダンスをスミスチャート上の短絡点
近傍に配置する短絡点配置器と、前記主線路のうちアン
テナ側に設けられ前記制御回路が一方の逆バイアス電圧
を印加したときの前記可変容量ダイオード側の送信信号
の搬送波の周波数におけるインピーダンスをスミスチャ
ート上の短絡点近傍に配置し、他方の逆バイアス電圧を
印加したときの前記可変容量ダイオード側の送信信号の
搬送波の周波数におけるインピーダンスをスミスチャー
ト上の開放点近傍に配置する開放点配置器とによって構
成している。
According to another aspect of the impedance adjusting circuit of the present invention, a main line connecting the antenna and the variable capacitance diode, and the control circuit provided on the variable capacitance diode side of the main line applies one reverse bias voltage. When the impedance at the carrier frequency of the transmission signal of the variable capacitance diode side is arranged near the short-circuit point on the Smith chart, and the control circuit provided on the antenna side of the main line The impedance at the frequency of the carrier wave of the transmission signal on the variable capacitance diode side when a reverse bias voltage is applied is arranged near the short-circuit point on the Smith chart, and the impedance of the variable capacitance diode side when the other reverse bias voltage is applied. Impedance at the frequency of the carrier wave of the transmission signal is near the open point on the Smith chart It is constituted by the opening point placer to place.

【0018】これにより、送信信号の搬送波の周波数に
対して、アンテナから可変容量ダイオード側を見たとき
のインピーダンスが2値の逆バイアス電圧に応じて2つ
の値で切換わるときに、これら2つのインピーダンスの
位相差を180°程度に設定できると共に、各インピー
ダンスに対応する2つの反射係数の絶対値をほぼ等しく
することができる。このため、送信するデータに基づい
て逆バイアス電圧を2つの値で切換えることによって、
アンテナから反射される反射波にBPSK変調をかける
ことができる。
As a result, when the impedance when the variable capacitance diode side is viewed from the antenna is switched between two values in accordance with the binary reverse bias voltage with respect to the frequency of the carrier wave of the transmission signal, these two values are switched. The impedance phase difference can be set to about 180 °, and the absolute values of the two reflection coefficients corresponding to each impedance can be made substantially equal. Therefore, by switching the reverse bias voltage between two values based on the data to be transmitted,
The reflected wave reflected from the antenna can be BPSK modulated.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
送信装置を欧州等で使用されている通行料金自動課金シ
ステムの車載器に適用した場合を例に挙げ、添付図面を
参照しつつ詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The following is a detailed description with reference to the accompanying drawings, taking as an example the case where a transmitting device according to an embodiment of the present invention is applied to an on-vehicle device of an automatic toll charging system used in Europe and the like. Explained.

【0020】まず、図1ないし図5は第1の実施の形態
を示し、図において、1は受信アンテナで、該受信アン
テナ1には質問器としての路側器(図示せず)から発信
される電磁波を受信して復調する受信回路2が接続され
ている。一方、3は送信アンテナで、該送信アンテナ3
には送信回路4が接続されている。
First, FIGS. 1 to 5 show a first embodiment, in which 1 is a receiving antenna, and the receiving antenna 1 is transmitted from a roadside device (not shown) as an interrogator. A receiving circuit 2 for receiving and demodulating electromagnetic waves is connected. On the other hand, 3 is a transmitting antenna, and the transmitting antenna 3
A transmission circuit 4 is connected to the.

【0021】そして、受信回路2と送信回路4には制御
回路5が接続され、該制御回路5は受信回路2によって
復調した信号に基づいて送信回路4を制御し、必要なデ
ータ(情報)を送信回路4を通じて路側器に向けて伝達
する。このため、受信アンテナ1、受信回路2および制
御回路5は受信装置を構成し、送信アンテナ3、送信回
路4および制御回路5は送信装置を構成している。
A control circuit 5 is connected to the reception circuit 2 and the transmission circuit 4, and the control circuit 5 controls the transmission circuit 4 based on the signal demodulated by the reception circuit 2 to obtain necessary data (information). The signal is transmitted to the roadside device through the transmission circuit 4. Therefore, the receiving antenna 1, the receiving circuit 2 and the control circuit 5 form a receiving device, and the transmitting antenna 3, the transmitting circuit 4 and the control circuit 5 form a transmitting device.

【0022】なお、制御回路5は、送信するディジタル
のデータが「0」のときに例えば0Vの電圧を送信回路
4に印加し、データが「1」のときに例えば3Vの電圧
を送信回路4に印加する構成となっている。
The control circuit 5 applies a voltage of, for example, 0 V to the transmission circuit 4 when the digital data to be transmitted is "0", and a voltage of, for example, 3 V when the data is "1". It is configured to be applied to.

【0023】次に、送信回路4を構成するダイオード回
路6とインピーダンス調整回路10について図2を参照
しつつ説明する。なお、以降に示す全てのインピーダン
スは、搬送波(反射波)の周波数におけるインピーダン
スをいうものとする。
Next, the diode circuit 6 and the impedance adjusting circuit 10 which constitute the transmitting circuit 4 will be described with reference to FIG. It should be noted that all the impedances described below are impedances at the frequency of the carrier wave (reflected wave).

【0024】6は送信回路4を構成するダイオード回路
で、該ダイオード回路6は、2個の可変容量ダイオード
7を直列接続することによって構成されている。また、
互い隣合う2個の可変容量ダイオード7は、ダイオード
の向きが反対の極性となるように接続され、例えばカソ
ード端子同士が接続されている。そして、ダイオード回
路6の一端側をなす一方の可変容量ダイオード7のアノ
ード端子は直接的にアースに接続されると共に、他端側
をなす他方の可変容量ダイオード7のアノード端子はイ
ンピーダンス調整回路10を通じて送信アンテナ3に接
続されている。
Reference numeral 6 denotes a diode circuit which constitutes the transmission circuit 4, and the diode circuit 6 is constituted by connecting two variable capacitance diodes 7 in series. Also,
Two variable capacitance diodes 7 adjacent to each other are connected so that the directions of the diodes are opposite polarities, for example, cathode terminals are connected to each other. The anode terminal of one variable capacitance diode 7 forming one end of the diode circuit 6 is directly connected to the ground, and the anode terminal of the other variable capacitance diode 7 forming the other end is connected through the impedance adjusting circuit 10. It is connected to the transmitting antenna 3.

【0025】また、2個の可変容量ダイオード7間の接
続点αは交流遮断用のチョークコイル8を介して制御回
路5に接続されている。これに対し、他方の可変容量ダ
イオード7とインピーダンス調整回路10との間の接続
点βはチョークコイル9を介してアースに接続されてい
る。
The connection point α between the two variable capacitance diodes 7 is connected to the control circuit 5 via a choke coil 8 for AC interruption. On the other hand, the connection point β between the other variable capacitance diode 7 and the impedance adjustment circuit 10 is connected to the ground via the choke coil 9.

【0026】ここで、制御回路5が接続点αに対して0
Vまたは3Vの逆バイアス電圧を印加したときには、一
方の可変容量ダイオード7とアースとの間に逆バイアス
電圧が加わると共に、他方の可変容量ダイオード7にも
チョークコイル9を介してアースとの間にほぼ同じ値の
逆バイアス電圧が加わる。このため、1箇所の接続点α
に逆バイアス電圧を印加することによって、2個の可変
容量ダイオード7に一緒に逆バイアス電圧を印加するこ
とができる。
Here, the control circuit 5 sets 0 for the connection point α.
When a reverse bias voltage of V or 3 V is applied, a reverse bias voltage is applied between one variable capacitance diode 7 and the ground, and the other variable capacitance diode 7 is also grounded via the choke coil 9. A reverse bias voltage of approximately the same value is applied. Therefore, one connection point α
The reverse bias voltage can be applied to the two variable capacitance diodes 7 together by applying the reverse bias voltage to.

【0027】10は送信アンテナ3とダイオード回路6
との間に設けられたインピーダンス調整回路で、該イン
ピーダンス調整回路10は、ダイオード回路6と送信ア
ンテナ3とを接続する主線路11と、該主線路11のう
ちダイオード回路6側に位置して主線路11の途中に直
列接続された短絡点配置器としてのコンデンサ12と、
前記主線路11のうち送信アンテナ3側に位置して主線
路11とアースとの間に接続された開放点配置器として
のコンデンサ13とによって構成されている。
Reference numeral 10 is a transmitting antenna 3 and a diode circuit 6.
An impedance adjustment circuit provided between the main circuit 11 and the main line 11 that connects the diode circuit 6 and the transmission antenna 3 to each other. A capacitor 12 as a short-circuit point locator connected in series in the middle of the line 11,
The main line 11 includes a capacitor 13 which is located on the side of the transmitting antenna 3 and which is connected between the main line 11 and the ground and which serves as an open point arranger.

【0028】そして、コンデンサ12は、後述するよう
に可変容量ダイオード7に0Vと3Vとのうちいずれか
一方の逆バイアス電圧(例えば3V)を印加したとき
に、コンデンサ12,13間の点γからダイオード回路
6とコンデンサ12とを見たときのインピーダンスA2
をスミスチャート上の短絡点近傍に配置するものである
(図4参照)。
As will be described later, the capacitor 12 has a point γ between the capacitors 12 and 13 when a reverse bias voltage (for example, 3 V) of either 0 V or 3 V is applied to the variable capacitance diode 7. Impedance A2 when looking at the diode circuit 6 and the capacitor 12
Is arranged near the short-circuit point on the Smith chart (see FIG. 4).

【0029】また、コンデンサ13は、後述するように
可変容量ダイオード7に0Vと3Vとのうちいずれか一
方の逆バイアス電圧(例えば3V)を印加したときに、
送信アンテナ3とコンデンサ13との間の点δからダイ
オード回路6とインピーダンス調整回路10とを見たと
きのインピーダンスA3をスミスチャート上の短絡点近
傍に配置する。これに加えて、コンデンサ13は、他方
の逆バイアス電圧(例えば0V)を印加したときに、点
δからダイオード回路6とインピーダンス調整回路10
とを見たときのインピーダンスB3をスミスチャート上
の開放点近傍に配置する(図5参照)。
Further, the capacitor 13, when a reverse bias voltage (for example, 3V) of either 0V or 3V is applied to the variable capacitance diode 7 as described later,
The impedance A3 when the diode circuit 6 and the impedance adjusting circuit 10 are viewed from the point δ between the transmitting antenna 3 and the capacitor 13 is arranged near the short-circuit point on the Smith chart. In addition to this, when the other reverse bias voltage (for example, 0 V) is applied, the capacitor 13 starts from the point δ to the diode circuit 6 and the impedance adjusting circuit 10.
The impedance B3 at the time of and is arranged near the open point on the Smith chart (see FIG. 5).

【0030】これにより、送信アンテナ3からダイオー
ド回路6とインピーダンス調整回路10からなる送信回
路4を見たときのインピーダンスA3,B3が2値の逆バ
イアス電圧に応じて2つの値で切換わるときに、これら
2つのインピーダンスA3,B3の位相差を180°程度
に設定できると共に、各インピーダンスA3,B3に対応
する2つの反射係数の絶対値をほぼ等しくすることがで
きる。このため、逆バイアス電圧を送信するデータに基
づいて0Vと3Vで切換えることによって、送信アンテ
ナ3から反射される反射波にBPSK変調をかけること
ができる。
As a result, when the impedance A3, B3 when the transmission circuit 4 including the diode circuit 6 and the impedance adjustment circuit 10 is viewed from the transmission antenna 3 is switched between two values according to the binary reverse bias voltage. The phase difference between the two impedances A3 and B3 can be set to about 180 °, and the absolute values of the two reflection coefficients corresponding to the impedances A3 and B3 can be made substantially equal. Therefore, the reflected wave reflected from the transmitting antenna 3 can be BPSK-modulated by switching between 0 V and 3 V based on the data for transmitting the reverse bias voltage.

【0031】本実施の形態による通行料金自動課金シス
テムの車載器は上述の如き構成を有するもので、次にそ
の作動について説明する。
The on-vehicle device of the automatic toll charging system according to the present embodiment has the above-mentioned configuration, and its operation will be described below.

【0032】まず、自動車が課金ゲートに到達すると、
道路脇に立設された路側器(質問器)は、自動車に向け
て該自動車の情報を催促する信号を発信する。このと
き、自動車に搭載された車載器は、受信アンテナ1から
路側器からの信号を受信すると共に、該信号を受信回路
2を用いて復調し、制御回路5に伝達する。これによ
り、制御回路5は、必要な情報(データ)に基づいてダ
イオード回路6に対して0Vまたは3Vの逆バイアス電
圧を印加し、送信回路4のインピーダンスを180°の
位相差をもって切換える。
First, when the car reaches the charging gate,
A roadside device (interrogator) erected on the side of the road sends a signal to the automobile to urge information on the automobile. At this time, the vehicle-mounted device mounted on the vehicle receives the signal from the roadside device from the receiving antenna 1, demodulates the signal using the receiving circuit 2, and transmits the signal to the control circuit 5. Thereby, the control circuit 5 applies a reverse bias voltage of 0 V or 3 V to the diode circuit 6 based on necessary information (data), and switches the impedance of the transmission circuit 4 with a phase difference of 180 °.

【0033】一方、路側器は、情報を催促する信号を発
信した後に例えば5.8GHz程度の一定周波数の単一
トーン信号を発信する。これにより、車載器の送信アン
テナ3は路側器によるトーン信号を反射すると共に、送
信回路4は、このトーン信号の反射波を搬送波として用
い、送信回路4のインピーダンス変化によってこの反射
波にBPSK変調をかける。この結果、自動車側のデー
タを路側器側に伝達することができ、通行料金を自動的
に課金することができる。
On the other hand, the roadside device transmits a single tone signal having a constant frequency of, for example, 5.8 GHz after transmitting a signal prompting information. As a result, the transmission antenna 3 of the vehicle-mounted device reflects the tone signal from the roadside device, and the transmission circuit 4 uses the reflected wave of this tone signal as a carrier wave and BPSK-modulates this reflected wave by the impedance change of the transmission circuit 4. Call. As a result, the data on the automobile side can be transmitted to the roadside device, and the toll can be automatically charged.

【0034】次に、送信回路4を用いて搬送波をなす反
射波にBPSK変調をかける作用について図3ないし図
5を参照しつつ説明する。
Next, the operation of applying the BPSK modulation to the reflected wave forming the carrier using the transmission circuit 4 will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

【0035】まず、送信回路4を用いてBPSK変調を
かけるための理想的な条件は、制御回路5によって3V
の逆バイアス電圧を印加したときの送信回路4のインピ
ーダンスをZA、0Vの逆バイアス電圧を印加したとき
の送信回路4のインピーダンスをZBとすると、以下に
示す通りである。
First, the ideal condition for applying BPSK modulation using the transmission circuit 4 is 3 V by the control circuit 5.
Assuming that the impedance of the transmission circuit 4 when the reverse bias voltage of 1 is applied is ZA and the impedance of the transmission circuit 4 when the reverse bias voltage of 0V is applied is ZB, the results are as follows.

【0036】即ち、(1)ZAとZBの位相差が180°
である(スミスチャートの中心点に対して対称な方向に
ある)こと、(2)ZAの反射係数の絶対値とZBの反射
係数の絶対値が等しい(スミスチャートの中心点からの
距離が等しい)こと、(3)ZA,ZBの反射係数の絶対
値がいずれも限りなく1に近い(スミスチャートの外周
側にある)こと、の3条件を満たすことが必要である。
That is, (1) the phase difference between ZA and ZB is 180 °
(2) The absolute value of the reflection coefficient of ZA is equal to the absolute value of the reflection coefficient of ZB (distance from the center point of Smith chart is equal). ), And (3) the absolute values of the reflection coefficients of ZA and ZB are both extremely close to 1 (on the outer peripheral side of the Smith chart).

【0037】このため、本実施の形態による送信回路4
は、3V印加時のダイオード回路6のインピーダンスA
1と0V印加時のダイオード回路6のインピーダンスB1
とをインピーダンス調整回路10を用いてインピーダン
ス変換し、これらの3条件を満たす構成となっている。
Therefore, the transmission circuit 4 according to the present embodiment
Is the impedance A of the diode circuit 6 when 3 V is applied.
Impedance B1 of diode circuit 6 when 1 and 0 V are applied
Are impedance-converted using the impedance adjusting circuit 10 to satisfy these three conditions.

【0038】そこで、最初にダイオード回路6のインピ
ーダンスについて検討する。ここで、可変容量ダイオー
ド7を単一とした場合、3V印加時のダイオード回路6
のインピーダンスA0と0V印加時のダイオード回路6
のインピーダンスB0とは、例えばスミスチャート上で
図3に示すような位置に配置される。このとき、可変容
量ダイオード7は一般的に逆バイアス電圧の値に拘わら
ず抵抗成分が比較的小さいから、インピーダンスA0,
B0は、抵抗成分だけ外周円よりも僅かに中心点O側に
位置ずれするもののいずれもスミスチャートの外周側近
傍に配置される。また、これらのインピーダンスA0,
B0間には位相差θ0(∠A0OB0)が形成される。
Therefore, first, the impedance of the diode circuit 6 will be examined. Here, when the variable capacitance diode 7 is single, the diode circuit 6 when 3V is applied
Diode circuit 6 when impedance of A0 and 0V is applied
The impedance B0 of is arranged at a position shown in FIG. 3 on the Smith chart, for example. At this time, since the variable capacitance diode 7 generally has a relatively small resistance component regardless of the value of the reverse bias voltage, the impedance A0,
B0, which is slightly displaced to the center point O side from the outer circumference circle by the resistance component, is located near the outer circumference side of the Smith chart. Also, these impedances A0,
A phase difference θ0 (∠A0OB0) is formed between B0.

【0039】なお、インピーダンスA0,B0のスミスチ
ャート上での位置は、可変容量ダイオード7の容量成
分、可変容量ダイオード7のリード端子(アノード端
子、カソード端子)による誘導成分、搬送波の周波数等
によって決定される。そして、可変容量ダイオード7
は、その容量成分と誘導成分とからなる直列共振回路を
構成している。このため、例えば5.8GHzのように
搬送波の周波数が可変容量ダイオード7の共振周波数よ
りも高いときには、インピーダンスA0,B0はスミスチ
ャート上で短絡点よりも誘導性側に位置し、搬送波の周
波数が可変容量ダイオード7の共振周波数よりも低いと
きには、インピーダンスA0,B0はスミスチャート上で
短絡点よりも容量性側に位置する。
The positions of the impedances A0 and B0 on the Smith chart are determined by the capacitance component of the variable capacitance diode 7, the induction component by the lead terminals (anode terminal, cathode terminal) of the variable capacitance diode 7, the frequency of the carrier wave, and the like. To be done. Then, the variable capacitance diode 7
Form a series resonance circuit composed of the capacitive component and the inductive component. Therefore, when the frequency of the carrier is higher than the resonance frequency of the variable capacitance diode 7 such as 5.8 GHz, the impedances A0 and B0 are located on the inductive side of the short-circuit point on the Smith chart, and the frequency of the carrier is When it is lower than the resonance frequency of the variable capacitance diode 7, the impedances A0 and B0 are located on the capacitive side of the short-circuit point on the Smith chart.

【0040】ここで、後述するように位相差θ0が小さ
いときに比べて大きいとき(180°の近いとき)の方
が、インピーダンスA0,B0をBPSK変調の条件に適
合するようにインピーダンス調整回路10を用いてイン
ピーダンス変換することは比較的容易である。このた
め、本実施の形態では、2個の可変容量ダイオード7を
直列接続し、ダイオード回路6を形成している。
As will be described later, the impedance adjusting circuit 10 adjusts the impedances A0 and B0 when the phase difference θ0 is larger (closer to 180 °) than when the phase difference θ0 is small so that the impedances A0 and B0 meet the BPSK modulation condition. It is relatively easy to perform impedance conversion by using. Therefore, in this embodiment, the two variable capacitance diodes 7 are connected in series to form the diode circuit 6.

【0041】これにより、単一の可変容量ダイオード7
を用いた場合に比べて2個の可変容量ダイオード7を直
列接続したダイオード回路6は、そのリアクタンス値が
2個の可変容量ダイオード7のリアクタンス値を加算し
た値(和)になる。このとき、0V印加時のダイオード
回路6のリアクタンス値と3V印加時のダイオード回路
6のリアクタンス値との差も、単一の可変容量ダイオー
ド7の場合における0V印加時のリアクタンス値と3V
印加時とのリアクタンス値の差を2個分だけ加算した値
(和)となる。この結果、制御回路5を用いて逆バイア
ス電圧を3Vと0Vとで切換えときに、3V印加時のリ
アクタンスと0V印加時のリアクタンスとの差が、単一
の可変容量ダイオード7を用いた場合に比べて2倍にな
る。
As a result, the single variable capacitance diode 7
In the diode circuit 6 in which two variable capacitance diodes 7 are connected in series, the reactance value becomes a value (sum) obtained by adding the reactance values of the two variable capacitance diodes 7 as compared with the case of using. At this time, the difference between the reactance value of the diode circuit 6 when 0V is applied and the reactance value of the diode circuit 6 when 3V is applied is also the difference between the reactance value when 0V is applied and 3V when the single variable capacitance diode 7 is used.
It is a value (sum) obtained by adding two reactance values different from the applied value. As a result, when the control circuit 5 is used to switch the reverse bias voltage between 3V and 0V, the difference between the reactance when 3V is applied and the reactance when 0V is applied is when the single variable capacitance diode 7 is used. It is twice as much.

【0042】従って、接続点βからダイオード回路6を
見たとき、3V印加時のダイオード回路6のインピーダ
ンスA1と0V印加時のダイオード回路6のインピーダ
ンスB1は、例えばスミスチャート上で図3に示すよう
な位置に配置される。これにより、インピーダンスA
1,B1はインピーダンスA0,B0に比べて誘導性側(中
心点Oを中心として時計回り)にそれぞれ移動すると共
に、インピーダンスA1,B1間の位相差θ1(∠A1OB
1)はインピーダンスA0,B0間の位相差θ0よりも大き
くなる。
Therefore, when the diode circuit 6 is viewed from the connection point β, the impedance A1 of the diode circuit 6 when 3V is applied and the impedance B1 of the diode circuit 6 when 0V is applied are as shown in FIG. 3 on the Smith chart, for example. It is placed in a proper position. As a result, the impedance A
1 and B1 move toward the inductive side (clockwise around the center point O) as compared with the impedances A0 and B0, and the phase difference θ1 between the impedances A1 and B1 (∠A1OB
1) becomes larger than the phase difference θ0 between the impedances A0 and B0.

【0043】次に、インピーダンス調整回路10を用い
たインピーダンス変換について検討する。
Next, the impedance conversion using the impedance adjusting circuit 10 will be examined.

【0044】まず、コンデンサ12によるインピーダン
ス変換について検討する。ここで、コンデンサ12は主
線路11のうちダイオード回路6側に位置して主線路1
1の途中に直列接続されているから、ダイオード回路6
のインピーダンスA1は、コンデンサ12によってイン
ピーダンス変換され、例えばスミスチャート上で図4に
示すようにインピーダンスA1と開放点とを通る円上を
容量性側(中心点Oを中心として反時計回り)に向けて
移動する。また、ダイオード回路6のインピーダンスB
1も、同様にスミスチャート上でインピーダンスB1と開
放点とを通る円上を容量性側に向けて移動する。
First, the impedance conversion by the capacitor 12 will be examined. Here, the capacitor 12 is located on the diode circuit 6 side of the main line 11,
Since it is connected in series in the middle of 1, diode circuit 6
The impedance A1 is converted by the capacitor 12 and the circle passing through the impedance A1 and the open point is directed to the capacitive side (counterclockwise about the center point O) as shown in FIG. 4 on the Smith chart. To move. Also, the impedance B of the diode circuit 6
Similarly, 1 also moves on the circle passing through the impedance B1 and the open point toward the capacitive side on the Smith chart.

【0045】このとき、インピーダンスA1,B1はスミ
スチャートの外周近傍に配置されているから、インピー
ダンスA1,B1は外周近傍に沿って移動し、コンデンサ
12によって変換された後のインピーダンスA2,B2も
外周近傍に配置される。
At this time, since the impedances A1 and B1 are arranged near the outer circumference of the Smith chart, the impedances A1 and B1 move along the vicinity of the outer circumference, and the impedances A2 and B2 after being converted by the capacitor 12 are also the outer circumference. It is placed in the vicinity.

【0046】そして、本実施の形態では、コンデンサ1
2の容量は、インピーダンスA1のインダクタンス成分
をほぼ相殺する値に設定されている。これにより、主線
路11のうちコンデンサ12,13間の点γからダイオ
ード回路6側を見たとき、3V印加時のインピーダンス
A2と0V印加時のインピーダンスB2とは、コンデンサ
12の容量に応じてインピーダンスA1,B1に比べて容
量性側にそれぞれ配置されるから、3V印加時のインピ
ーダンスA2は短絡点の近傍に配置される。なお、本実
施の形態では、コンデンサ12の容量を調整し、インピ
ーダンスA2は短絡点の最近点よりも僅かに誘導性側に
配置している。
In the present embodiment, the capacitor 1
The capacitance of 2 is set to a value that substantially cancels the inductance component of the impedance A1. As a result, when the diode circuit 6 side is viewed from the point γ between the capacitors 12 and 13 on the main line 11, the impedance A2 when 3V is applied and the impedance B2 when 0V is applied are impedances depending on the capacitance of the capacitor 12. Since they are arranged on the capacitive side of A1 and B1, respectively, the impedance A2 when 3 V is applied is arranged near the short-circuit point. In this embodiment, the capacitance of the capacitor 12 is adjusted so that the impedance A2 is located slightly on the inductive side of the shortest point of the short circuit point.

【0047】次に、コンデンサ13によるインピーダン
ス変換について検討する。ここで、コンデンサ13は主
線路11のうち送信アンテナ3側に位置して主線路11
とアースとの間に接続されているから、点γのインピー
ダンスA2は、コンデンサ13によってインピーダンス
変換され、例えばスミスチャート上で図5に示すように
インピーダンスA2と短絡点とを通る円上を誘導性側
(中心点Oを中心として時計回り)に向けて移動する。
また、点γのインピーダンスB2も、同様にスミスチャ
ート上でインピーダンスB2と短絡点とを通る円上を誘
導性側に向けて移動する。
Next, the impedance conversion by the capacitor 13 will be examined. Here, the capacitor 13 is located on the transmission antenna 3 side of the main line 11,
Since the impedance A2 at the point γ is converted by the capacitor 13 because it is connected between the impedance A2 and the ground, for example, as shown in FIG. 5 on the Smith chart, it is inductive on a circle passing through the impedance A2 and the short-circuit point. Move toward the side (clockwise around the center point O).
Similarly, the impedance B2 at the point γ also moves on the Smith chart on the circle passing through the impedance B2 and the short circuit point toward the inductive side.

【0048】このとき、インピーダンスA2は短絡点の
近傍に配置されているから、インピーダンスA2と短絡
点とを通る円はその半径が極めて小さい値となる。この
ため、スミスチャート上でのインピーダンスA2の移動
は微小になるから、主線路11のうちコンデンサ13と
送信アンテナ3との間の点δからダイオード回路6側を
見たとき、3V印加時のインピーダンスA3は、コンデ
ンサ13の容量に拘わらず短絡点近傍に保持される。
At this time, since the impedance A2 is arranged in the vicinity of the short-circuit point, the circle passing through the impedance A2 and the short-circuit point has a very small radius. Therefore, the movement of the impedance A2 on the Smith chart becomes very small. Therefore, when the diode circuit 6 side is viewed from the point δ between the capacitor 13 and the transmitting antenna 3 in the main line 11, the impedance when 3V is applied. A3 is held near the short-circuit point regardless of the capacity of the capacitor 13.

【0049】一方、インピーダンスB2はインピーダン
スA2との位相差θ2(∠A2OB2)に応じて短絡点から
離れた位置に配置されているから、インピーダンスB2
と短絡点とを通る円はその半径が例えばスミスチャート
の外周円の半径に近い値となる。そして、本実施の形態
では、コンデンサ13の容量は、コンデンサ13による
容量性サセプタンスがインピーダンスB2の誘導性サセ
プタンス成分をほぼ相殺する値に設定されている。これ
により、点δからダイオード回路6側を見たとき、0V
印加時のインピーダンスB3は、コンデンサ13による
容量性サセプタンスに応じてインピーダンスB2に比べ
て誘導性側に配置されるから、変換後のインピーダンス
B3は開放点の近傍に配置される。
On the other hand, the impedance B2 is arranged at a position distant from the short-circuit point according to the phase difference θ2 (∠A2OB2) with the impedance A2.
The radius of the circle passing through and the short circuit point is close to the radius of the outer circle of the Smith chart, for example. Then, in the present embodiment, the capacitance of the capacitor 13 is set to a value at which the capacitive susceptance of the capacitor 13 substantially cancels the inductive susceptance component of the impedance B2. As a result, when the diode circuit 6 side is viewed from the point δ, 0 V
Since the impedance B3 at the time of application is arranged closer to the inductive side than the impedance B2 according to the capacitive susceptance of the capacitor 13, the converted impedance B3 is arranged near the open point.

【0050】ここで、図5中に比較例として示すインピ
ーダンスC2のようにインピーダンスA2との位相差θ3
(∠A2OC2)が小さい場合には、インピーダンスC2
と短絡点とを通る円の半径は、位相差θ3に応じて小さ
くなり、例えば外周円の半径の半分以下になることがあ
る。この場合、コンデンサ13によってインピーダンス
C2を変換しても、変換後のインピーダンスC3が中心点
Oよりも短絡点側に配置されることになる。この結果、
インピーダンスA3,C3間の位相差が0°になってBP
SK変調の条件(1)を満たさないから、BPSK変調
ができなくなる。
Here, the phase difference θ3 with the impedance A2 is the same as the impedance C2 shown as a comparative example in FIG.
When (∠A2OC2) is small, impedance C2
The radius of the circle passing through the short circuit point and the short circuit point becomes smaller according to the phase difference θ3, and may be, for example, half or less of the radius of the outer circle. In this case, even if the impedance C2 is converted by the capacitor 13, the converted impedance C3 is arranged closer to the short-circuit point side than the center point O. As a result,
Phase difference between impedances A3 and C3 becomes 0 ° and BP
Since the condition (1) for SK modulation is not satisfied, BPSK modulation cannot be performed.

【0051】また、位相差θ3が小さい場合には変換後
のインピーダンスC3が中心点Oよりも開放点側に配置
されたときでも、インピーダンスC3が開放点に比べて
中心点Oに近い位置に配置される。この結果、BPSK
変調の条件(3)を満たさないから、反射係数が低下し
てBPSK変調の際の変換損失が大きくなる。
When the phase difference θ3 is small, the impedance C3 is located closer to the center point O than the open point, even when the converted impedance C3 is located closer to the open point than the center point O. To be done. As a result, BPSK
Since the modulation condition (3) is not satisfied, the reflection coefficient decreases and the conversion loss in BPSK modulation increases.

【0052】一方、位相差θ2は位相差θ1に応じて増減
するため、位相差θ1は大きい方が位相差θ2も大きくな
る。このため、本実施の形態では、可変容量ダイオード
7を2個に亘って直列接続し、単一の可変容量ダイオー
ド7を用いた場合に比べて位相差θ1を大きくしてい
る。
On the other hand, since the phase difference θ2 increases / decreases in accordance with the phase difference θ1, the larger the phase difference θ1, the larger the phase difference θ2. Therefore, in this embodiment, the variable capacitance diodes 7 are connected in series over two, and the phase difference θ1 is made larger than in the case where a single variable capacitance diode 7 is used.

【0053】また、本実施の形態によるインピーダンス
B3は、可変容量ダイオード7の抵抗成分の影響によっ
て開放点よりも僅かに中心点O側に位置ずれする。これ
に対し、本実施の形態では、インピーダンスA2を予め
誘導性側に配置したから、変換後のインピーダンスA3
は短絡点よりも僅かに中心点O側に位置ずれする。この
結果、インピーダンスA3と中心点Oとの距離をインピ
ーダンスB3と中心点Oとの距離とほぼ等しくすること
ができ、BPSK変調の条件(2)を満たすことができ
る。
Further, the impedance B3 according to the present embodiment is slightly displaced from the open point to the center point O side due to the influence of the resistance component of the variable capacitance diode 7. On the other hand, in the present embodiment, since the impedance A2 is arranged in advance on the inductive side, the converted impedance A3
Is slightly displaced to the center point O side from the short-circuit point. As a result, the distance between the impedance A3 and the center point O can be made substantially equal to the distance between the impedance B3 and the center point O, and the condition (2) for BPSK modulation can be satisfied.

【0054】以上より、本実施の形態では、送信アンテ
ナ3から見たときに、3V印加時の送信回路4のインピ
ーダンスA3と0V印加時の送信回路4のインピーダン
スB3は、BPSK変調の3条件を満たすことができる
から、制御回路5を用いて逆バイアス電圧を0Vと3V
で切換えることによって、送信アンテナ3から反射する
反射波に対して効率良くBPSK変調を行うことができ
る。
As described above, in the present embodiment, when viewed from the transmitting antenna 3, the impedance A3 of the transmitting circuit 4 when 3V is applied and the impedance B3 of the transmitting circuit 4 when 0V is applied satisfy the three conditions of BPSK modulation. Since it can be satisfied, the reverse bias voltage is set to 0V and 3V by using the control circuit 5.
By switching with, the BPSK modulation can be efficiently performed on the reflected wave reflected from the transmitting antenna 3.

【0055】かくして、本実施の形態では、送信アンテ
ナ3に可変容量ダイオード7を接続し、該可変容量ダイ
オード7に印加する逆バイアス電圧を制御回路5を用い
て制御する構成としたから、制御回路5を用いて逆バイ
アス電圧を変化させ、可変容量ダイオード7の静電容量
を調整することができる。これにより、可変容量ダイオ
ード7を含む送信回路4のインピーダンスが変化するか
ら、送信アンテナ3から反射する反射波に対してBPS
K変調を行うことができる。
Thus, in this embodiment, since the variable capacitance diode 7 is connected to the transmission antenna 3 and the reverse bias voltage applied to the variable capacitance diode 7 is controlled by using the control circuit 5, the control circuit is controlled. 5, the reverse bias voltage can be changed to adjust the capacitance of the variable capacitance diode 7. As a result, the impedance of the transmission circuit 4 including the variable capacitance diode 7 changes, so that the BPS is applied to the reflected wave reflected from the transmission antenna 3.
K modulation can be performed.

【0056】また、可変容量ダイオード7には常に0V
または3Vの逆バイアス電圧を印加するから、可変容量
ダイオード7はOFF状態に保持される。このため、可
変容量ダイオード7を通じて順方向の電流が流れること
がほとんどないから、送信回路4の消費電力(消費電
流)を低減することができる。
Further, the variable capacitance diode 7 always has 0V.
Alternatively, since the reverse bias voltage of 3V is applied, the variable capacitance diode 7 is held in the OFF state. Therefore, almost no forward current flows through the variable capacitance diode 7, so that the power consumption (current consumption) of the transmission circuit 4 can be reduced.

【0057】また、可変容量ダイオード7を送信アンテ
ナ3とアースとの間に2個直列接続したから、単一の可
変容量ダイオード7を用いた場合に比べて0V印加時の
ダイオード回路6のリアクタンス値と3V印加時のダイ
オード回路6のリアクタンス値との差を2倍にすること
ができる。これにより、3V印加時のダイオード回路6
のインピーダンスA1と0V印加時のダイオード回路6
のインピーダンスB1との位相差θ1を大きくすることが
できるから、2個のコンデンサ12,13からなるイン
ピーダンス調整回路10を用いることによって、BPS
K変調の条件を満たす送信回路4を容易に形成すること
ができる。
Since two variable capacitance diodes 7 are connected in series between the transmitting antenna 3 and the ground, the reactance value of the diode circuit 6 at the time of applying 0 V is higher than that when a single variable capacitance diode 7 is used. And the reactance value of the diode circuit 6 when 3 V is applied can be doubled. As a result, the diode circuit 6 when applying 3 V
Diode circuit 6 when impedance of A1 and 0V is applied
Since the phase difference θ1 with the impedance B1 of the BPS can be increased, by using the impedance adjustment circuit 10 including the two capacitors 12 and 13, the BPS
It is possible to easily form the transmission circuit 4 that satisfies the K modulation condition.

【0058】さらに、2個の可変容量ダイオード7は互
いに反対の極性となるように接続したから、これらの接
続点αに対して共通の逆バイアス電圧を印加することが
できる。このため、各可変容量ダイオード7に直流遮断
用のコンデンサや交流遮断用のチョークコイルを別個に
接続する必要がなく(図12参照)、可変容量ダイオー
ド7を駆動するための回路を簡略化することができる。
Further, since the two variable capacitance diodes 7 are connected so as to have polarities opposite to each other, a common reverse bias voltage can be applied to these connection points α. Therefore, it is not necessary to separately connect a DC blocking capacitor or an AC blocking choke coil to each variable capacitance diode 7 (see FIG. 12), and simplify the circuit for driving the variable capacitance diode 7. You can

【0059】また、送信アンテナ3と可変容量ダイオー
ド7との間には、インピーダンスを調整するインピーダ
ンス調整回路10を設け、該インピーダンス調整回路1
0を主線路11と、該主線路11のダイオード回路6側
に設けられたコンデンサ12と、前記主線路11の送信
アンテナ3側に位置して主線路11とアースとの間に接
続されたコンデンサ13とによって構成したから、コン
デンサ12を用いて3V印加時のダイオード回路6のイ
ンピーダンスA1を変換し、点γから見た変換後のイン
ピーダンスA2をスミスチャート上の短絡点の近傍に配
置することができる。
An impedance adjusting circuit 10 for adjusting the impedance is provided between the transmitting antenna 3 and the variable capacitance diode 7, and the impedance adjusting circuit 1 is provided.
0 is a main line 11, a capacitor 12 provided on the diode circuit 6 side of the main line 11, and a capacitor connected to the transmitting antenna 3 side of the main line 11 and connected between the main line 11 and ground. It is possible to convert the impedance A1 of the diode circuit 6 when 3 V is applied using the capacitor 12 and arrange the converted impedance A2 seen from the point γ near the short-circuit point on the Smith chart. it can.

【0060】このため、コンデンサ13を用いてインピ
ーダンス変換を行っても、送信アンテナ3から見た3V
印加時の送信回路4のインピーダンスA3はコンデンサ
13の容量に拘わらずスミスチャート上の短絡点の近傍
に保持することができる。一方、コンデンサ13の容量
を適宜設定することによって、0V印加時の送信回路4
のインピーダンスB3をスミスチャート上の開放点の近
傍に配置することができる。
Therefore, even if impedance conversion is performed using the capacitor 13, the voltage of 3 V as seen from the transmitting antenna 3 is obtained.
The impedance A3 of the transmission circuit 4 at the time of application can be maintained near the short-circuit point on the Smith chart regardless of the capacity of the capacitor 13. On the other hand, by appropriately setting the capacitance of the capacitor 13, the transmission circuit 4 when 0V is applied
Impedance B3 can be placed near the open point on the Smith chart.

【0061】これにより、3V印加時のインピーダンス
A3と0V印加時のインピーダンスB3との間の位相差を
180°程度に設定できると共に、これらのインピーダ
ンスA3,B3の反射係数の絶対値をほぼ等しくすること
ができる。このため、送信するデータに基づいて逆バイ
アス電圧を3Vと0Vで切換えることによって、送信ア
ンテナ3から反射される反射波に効率良くBPSK変調
をかけることができる。
As a result, the phase difference between the impedance A3 when 3 V is applied and the impedance B3 when 0 V is applied can be set to about 180 °, and the absolute values of the reflection coefficients of these impedances A3 and B3 are made substantially equal. be able to. Therefore, by switching the reverse bias voltage between 3V and 0V based on the data to be transmitted, the reflected wave reflected from the transmitting antenna 3 can be efficiently BPSK modulated.

【0062】また、インピーダンス調整回路10は2個
のコンデンサ12,13による簡単な構成となっている
から、搬送波(反射波)の周波数が高く、可変容量ダイ
オード7の容量変化による2つのインピーダンスA1,
B1の位相差θ1が180°に比べて小さい場合でも、イ
ンピーダンス調整回路10を容易に設計することができ
ると共に、ほぼ理想的な条件を満たすBPSK変調用の
送信回路4を構成することができる。
Further, since the impedance adjusting circuit 10 has a simple structure of two capacitors 12 and 13, the frequency of the carrier wave (reflected wave) is high, and the two impedances A1 and A1 due to the capacitance change of the variable capacitance diode 7 are generated.
Even when the phase difference θ1 of B1 is smaller than 180 °, the impedance adjusting circuit 10 can be easily designed and the transmitting circuit 4 for BPSK modulation that satisfies almost ideal conditions can be configured.

【0063】次に、図6および図7は本発明の第2の実
施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、インピーダン
ス調整回路のうち主線路の途中に直列接続されたコンデ
ンサに代えて位相をずらす(位相シフトを行う)位相回
路を接続する構成としたことにある。なお、本実施の形
態では、第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符
号を付し、その説明を省略するものとする。
Next, FIGS. 6 and 7 show a second embodiment of the present invention. The feature of this embodiment is that an impedance adjusting circuit is replaced by a capacitor connected in series in the middle of the main line. It is configured to connect a phase circuit that shifts the phase (performs a phase shift). In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0064】21は本実施の形態によるインピーダンス
調整回路で、該インピーダンス調整回路21は、第1の
実施の形態によるインピーダンス調整回路10と同様に
送信アンテナ3とダイオード回路6との間に設けられて
いる。そして、インピーダンス調整回路21は、ダイオ
ード回路6と送信アンテナ3とを接続する主線路22
と、該主線路22のダイオード回路6側に接続された短
絡点配置器としての位相回路23と、前記主線路22の
送信アンテナ3側に位置して主線路22とアースとの間
に接続された開放点配置器としてのコンデンサ24とに
よって構成されている。
Reference numeral 21 is an impedance adjusting circuit according to the present embodiment. The impedance adjusting circuit 21 is provided between the transmitting antenna 3 and the diode circuit 6 like the impedance adjusting circuit 10 according to the first embodiment. There is. Then, the impedance adjusting circuit 21 includes a main line 22 that connects the diode circuit 6 and the transmitting antenna 3.
And a phase circuit 23 as a short-circuit point locator connected to the diode circuit 6 side of the main line 22 and connected between the main line 22 and the ground located on the transmission antenna 3 side of the main line 22. And a capacitor 24 as an open point locator.

【0065】また、位相回路23は、例えば主線路22
と等しい特性インピーダンスを有する同軸線路、ストリ
ップライン等の伝送線路によって構成され、該伝送線路
の長さ寸法に応じてダイオード回路6のインピーダンス
A1,B1をスミスチャート上で中心点Oを中心として時
計回り方向にシフトさせる。このため、位相回路23
は、図7に示すように例えばインピーダンスA1と短絡
点との間の時計回りの位相差φに応じてその伝送線路の
長さ寸法が設定されている。
The phase circuit 23 is, for example, the main line 22.
It is constituted by a transmission line such as a coaxial line or a strip line having a characteristic impedance equal to, and the impedances A1 and B1 of the diode circuit 6 are rotated clockwise around the center point O on the Smith chart according to the length dimension of the transmission line. Shift in the direction. Therefore, the phase circuit 23
For example, as shown in FIG. 7, the length dimension of the transmission line is set according to the clockwise phase difference φ between the impedance A1 and the short circuit point.

【0066】これにより、位相回路23とコンデンサ2
4との間の点γから見たインピーダンスA2′,B2′の
うち3V印加時のインピーダンスA2′を短絡点の近傍
に配置することができるから、第1の実施の形態と同様
にコンデンサ24を用いてインピーダンスA2′を短絡
点の近傍に移動させ、インピーダンスB2′を開放点の
近傍に移動させることができる。
As a result, the phase circuit 23 and the capacitor 2
Among the impedances A2 'and B2' seen from the point γ between the point 4 and 4, the impedance A2 'at the time of applying 3V can be arranged in the vicinity of the short-circuit point, so that the capacitor 24 is provided in the same manner as in the first embodiment. It can be used to move the impedance A2 'to the vicinity of the short-circuit point and the impedance B2' to the vicinity of the open point.

【0067】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。
Thus, in this embodiment, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment.

【0068】次に、図8および図9は本発明の第3の実
施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、インピーダン
ス調整回路のうち主線路とアースとの間に接続されたコ
ンデンサに代えてコイル(インダクタ)を接続する構成
としたことにある。なお、本実施の形態では、第1の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。
Next, FIGS. 8 and 9 show a third embodiment of the present invention, which is characterized in that a capacitor connected between the main line and ground in the impedance adjusting circuit. Instead, the configuration is such that a coil (inductor) is connected. In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0069】31は本実施の形態によるインピーダンス
調整回路で、該インピーダンス調整回路31は、第1の
実施の形態によるインピーダンス調整回路10と同様に
送信アンテナ3とダイオード回路6との間に設けられて
いる。そして、インピーダンス調整回路31は、ダイオ
ード回路6と送信アンテナ3とを接続する主線路32
と、該主線路32のダイオード回路6側に接続された短
絡点配置器としてのコンデンサ33と、前記主線路32
の送信アンテナ3側に位置して主線路32とアースとの
間に接続された開放点配置器としてのコイル34とによ
って構成されている。
Reference numeral 31 denotes an impedance adjusting circuit according to the present embodiment. The impedance adjusting circuit 31 is provided between the transmitting antenna 3 and the diode circuit 6 like the impedance adjusting circuit 10 according to the first embodiment. There is. Then, the impedance adjustment circuit 31 includes a main line 32 that connects the diode circuit 6 and the transmission antenna 3.
A capacitor 33 as a short-circuit point locator connected to the diode circuit 6 side of the main line 32;
Is located on the transmission antenna 3 side and is constituted by a coil 34 as an open point locator connected between the main line 32 and the ground.

【0070】そして、コンデンサ33は第1の実施の形
態によるコンデンサ12よりも小さい容量を有してい
る。これにより、コンデンサ33によってダイオード回
路6のインピーダンスがスミスチャートの容量性側に移
動する移動量を大きくすることができるから、図9に示
すようにコンデンサ33とコイル34との間の点γから
みたインピーダンスA2″,B2″のうち0V印加時のイ
ンピーダンスB2″をスミスチャート上で短絡点の近傍
に配置することができる。このとき、0V印加時のイン
ピーダンスB2″は短絡点よりも僅かに容量性側に配置
すると共に、3V印加時のインピーダンスA2″も短絡
点よりも容量性側に配置される。
The capacitor 33 has a smaller capacity than the capacitor 12 according to the first embodiment. As a result, the capacitor 33 can increase the amount of movement of the impedance of the diode circuit 6 to the capacitive side of the Smith chart. Therefore, as seen from the point γ between the capacitor 33 and the coil 34, as shown in FIG. Of the impedances A2 "and B2", the impedance B2 "when 0 V is applied can be arranged near the short circuit point on the Smith chart. At this time, the impedance B2" when 0 V is applied is slightly more capacitive than the short circuit point. The impedance A2 ″ at the time of applying 3V is also arranged on the capacitive side with respect to the short-circuit point.

【0071】一方、コイル34は主線路32の送信アン
テナ3側に位置して主線路32とアースとの間に接続さ
れているから、点γのインピーダンスA2″,B2″は、
コイル34によってインピーダンス変換され、例えばス
ミスチャート上で図9に示すようにインピーダンスA
2″,B2″と短絡点とを通る円上を容量性側(中心点O
を中心として反時計回り)に向けてそれぞれ移動する。
On the other hand, since the coil 34 is located on the transmission antenna 3 side of the main line 32 and is connected between the main line 32 and the ground, the impedances A2 "and B2" at the point .gamma.
The impedance is converted by the coil 34, and for example, the impedance A as shown in FIG. 9 on the Smith chart.
On the circle passing through 2 "and B2" and the short-circuit point, the capacitive side (center point O
Counterclockwise around) as a center.

【0072】このとき、インピーダンスB2″は短絡点
の近傍に配置されているから、点δから見たとき0V印
加時のインピーダンスB3″は、コイル34のインダク
タンスに拘わらず短絡点近傍に保持される。
At this time, since the impedance B2 ″ is arranged near the short-circuit point, the impedance B3 ″ when 0 V is applied as viewed from the point δ is maintained near the short-circuit point regardless of the inductance of the coil 34. .

【0073】これに対し、インピーダンスA2″と短絡
点とを通る円はその半径が例えばスミスチャートの外周
円の半径に近い値となるから、コイル34のインダクタ
ンスを適宜設定することによって、点δから見た3V印
加時のインピーダンスA3″は開放点の近傍に配置する
ことができる。
On the other hand, the radius of the circle passing through the impedance A2 ″ and the short-circuit point is close to the radius of the outer circle of the Smith chart, for example. The impedance A3 ″ at the time of applying 3 V can be arranged near the open point.

【0074】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。
Thus, in this embodiment, the same operational effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0075】次に、図10および図11は本発明の第4
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、インピー
ダンス調整回路の主線路には、ダイオード回路側にコイ
ルを直列接続し、送信アンテナ側には主線路とアースと
の間にコイルを接続する構成としたことにある。なお、
本実施の形態では、第1の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
Next, FIGS. 10 and 11 show the fourth embodiment of the present invention.
The embodiment is characterized in that a coil is connected in series to the diode circuit side on the main line of the impedance adjustment circuit, and a coil is connected between the main line and ground on the transmitting antenna side. It is configured to do. In addition,
In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0076】41は本実施の形態によるインピーダンス
調整回路で、該インピーダンス調整回路41は、第1の
実施の形態によるインピーダンス調整回路10と同様に
送信アンテナ3とダイオード回路6との間に設けられて
いる。そして、インピーダンス調整回路41は、ダイオ
ード回路6と送信アンテナ3とを接続する主線路42
と、該主線路42のダイオード回路6側に接続された短
絡点配置器としてのコイル43と、前記主線路42の送
信アンテナ3側に位置して主線路42とアースとの間に
接続された開放点配置器としてのコイル44とによって
構成されている。
Reference numeral 41 denotes an impedance adjusting circuit according to the present embodiment. The impedance adjusting circuit 41 is provided between the transmitting antenna 3 and the diode circuit 6 as in the impedance adjusting circuit 10 according to the first embodiment. There is. Then, the impedance adjustment circuit 41 includes a main line 42 that connects the diode circuit 6 and the transmission antenna 3.
And a coil 43 as a short-circuit point locator connected to the diode circuit 6 side of the main line 42, and connected between the main line 42 and the ground located on the transmission antenna 3 side of the main line 42. It is constituted by a coil 44 as an open point disposing device.

【0077】本実施の形態による送信回路4は上述の如
き構成を有するもので、次にインピーダンス調整回路4
1の作用について説明する。なお、本実施の形態では搬
送波の周波数は3V印加時、0V印加時のいずれの可変
容量ダイオード7の共振周波数よりも低いものとする。
The transmission circuit 4 according to the present embodiment has the above-mentioned configuration, and next, the impedance adjustment circuit 4
The operation of No. 1 will be described. In the present embodiment, the frequency of the carrier wave is lower than the resonance frequency of the variable capacitance diode 7 when 3V is applied or when 0V is applied.

【0078】この場合、可変容量ダイオード7を単一と
した場合、3V印加時のダイオード回路6のインピーダ
ンスA0′と0V印加時のダイオード回路6のインピー
ダンスB0′とは、図11に示すように例えばスミスチ
ャート上でいずれも短絡点に対して容量性側の位置に配
置され、これらのインピーダンスA0′,B0′間には位
相差θ0′(∠A0′OB0′)が形成される。
In this case, when the variable capacitance diode 7 is single, the impedance A0 'of the diode circuit 6 when 3V is applied and the impedance B0' of the diode circuit 6 when 0V is applied are, for example, as shown in FIG. All of them are arranged on the Smith chart at a position on the capacitive side with respect to the short-circuit point, and a phase difference θ0 ′ (∠A0′OB0 ′) is formed between these impedances A0 ′ and B0 ′.

【0079】そして、ダイオード回路6は可変容量ダイ
オード7を2個直列接続するから、単一の可変容量ダイ
オード7を用いた場合に比べてダイオード回路6は、そ
のリアクタンス値が2個の可変容量ダイオード7のリア
クタンス値を加算した値(和)になる。これにより、接
続点βからダイオード回路6を見たとき、3V印加時の
ダイオード回路6のインピーダンスA1′と0V印加時
のダイオード回路6のインピーダンスB1′は、インピ
ーダンスA0′,B0′に比べて容量性側にそれぞれ移動
すると共に、インピーダンスA1′,B1′間の位相差θ
1′はインピーダンスA0′,B0′間の位相差θ0′より
も大きくなる。
Since the diode circuit 6 has two variable capacitance diodes 7 connected in series, the diode circuit 6 has a reactance value of two variable capacitance diodes 7 as compared with the case where a single variable capacitance diode 7 is used. It becomes a value (sum) obtained by adding the reactance values of 7. As a result, when the diode circuit 6 is viewed from the connection point β, the impedance A1 'of the diode circuit 6 when 3V is applied and the impedance B1' of the diode circuit 6 when 0V is applied are larger than the impedances A0 'and B0'. The phase difference θ between the impedances A1 'and B1'.
1'becomes larger than the phase difference .theta.0 'between the impedances A0' and B0 '.

【0080】次に、コイル43はこれらのインピーダン
スA1′,B1′をスミスチャート上でインピーダンスA
1′,B1′と開放点とを通る円上を誘導性側に向けて移
動させる。そして、本実施の形態では、コイル43のイ
ンダクタンス値を例えばインピーダンスB1′の容量成
分をほぼ相殺する値に設定する。これにより、点γから
ダイオード回路6側を見たとき、0V印加時のインピー
ダンスは図9中のインピーダンスB2″と同様に短絡点
の近傍に配置される。
Next, the coil 43 compares these impedances A1 'and B1' with the impedance A1 on the Smith chart.
A circle passing through 1 ', B1' and the open point is moved toward the inductive side. Then, in the present embodiment, the inductance value of the coil 43 is set to a value that substantially cancels the capacitance component of the impedance B1 ', for example. As a result, when the diode circuit 6 side is viewed from the point γ, the impedance when 0 V is applied is arranged in the vicinity of the short-circuit point, like the impedance B2 ″ in FIG.

【0081】また、コイル44は点γのインピーダンス
に対して更なるインピーダンス変換を施す。これによ
り、点δからダイオード回路6側を見たとき、0V印加
時のインピーダンスを短絡点の近傍に配置し、3V印加
時のインピーダンスを開放点の近傍に配置することがで
きる。
The coil 44 further performs impedance conversion on the impedance at the point γ. As a result, when the diode circuit 6 side is viewed from the point δ, the impedance when 0 V is applied can be arranged near the short-circuit point, and the impedance when 3 V is applied can be arranged near the open point.

【0082】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。
Thus, this embodiment can also obtain the same operational effect as that of the first embodiment.

【0083】なお、第4の実施の形態では、コイル43
のインダクタンス値を例えばインピーダンスB1′の容
量成分をほぼ相殺する値に設定するものとした。しか
し、本発明はこれに限るものではなく、例えば図12に
示す第1の変形例のようにコイル43に代えてインダク
タンス値がインピーダンスA1′の容量成分をほぼ相殺
する値に設定したコイル45を用いると共に、コイル4
4に代えてコンデンサ46を用いる構成としてもよい。
In the fourth embodiment, the coil 43
Is set to a value that substantially cancels the capacitance component of the impedance B1 '. However, the present invention is not limited to this. For example, as in the first modification shown in FIG. 12, instead of the coil 43, a coil 45 whose inductance value is set to a value that substantially cancels out the capacitance component of the impedance A1 ′ is provided. Used and coil 4
Instead of 4, the capacitor 46 may be used.

【0084】この場合、点γからダイオード回路6側を
見たとき、3V印加時のインピーダンスと0V印加時の
インピーダンスは図5中のインピーダンスA2,B2と同
様にいずれも短絡点よりも誘導性側に配置される。この
ため、コンデンサ46を用いて点δからみたダイオード
回路6側を見たとき、3V印加時のインピーダンスを短
絡点の近傍に配置し、0V印加時のインピーダンスを開
放点の近傍に配置することができる。
In this case, when the diode circuit 6 side is viewed from the point γ, the impedance when 3 V is applied and the impedance when 0 V is applied are both inductive to the short-circuit point, similar to the impedances A2 and B2 in FIG. Is located in. Therefore, when the diode 46 is viewed from the point δ using the capacitor 46, it is possible to arrange the impedance when 3V is applied near the short-circuit point and the impedance when 0V is applied near the open point. it can.

【0085】また、第4の実施の形態では、搬送波の周
波数を3V印加時、0V印加時のいずれの可変容量ダイ
オード7の共振周波数よりも低いものとした。しかし、
本発明はこれに限らず、例えば搬送波の周波数を3V印
加時の可変容量ダイオード7の共振周波数と0V印加時
の可変容量ダイオード7の共振周波数との間の値に設定
してもよい。
In the fourth embodiment, the carrier frequency is lower than the resonance frequency of the variable capacitance diode 7 when 3V is applied or when 0V is applied. But,
The present invention is not limited to this, and the carrier frequency may be set to a value between the resonance frequency of the variable capacitance diode 7 when 3V is applied and the resonance frequency of the variable capacitance diode 7 when 0V is applied.

【0086】この場合、図13に示す第2の変形例のよ
うに単一の可変容量ダイオード7に対して、3V印加時
のインピーダンスA0″は短絡点よりも容量性側に配置
され、0V印加時のインピーダンスB0″は短絡点より
も誘導性側に配置される。これに対し、2個の可変容量
ダイオード7が直列接続されたダイオード回路6は、3
V印加時のインピーダンスA1″がインピーダンスA0″
よりも容量性側に移動し、0V印加時のインピーダンス
B1″がインピーダンスB0″よりも誘導性側に移動す
る。このため、ダイオード回路6のインピーダンスA
1″,B1″間の位相差θ1″がインピーダンスA0″,B
0″間の位相差θ0″よりも大きくなる点は、第1,第4
の実施の形態と同様である。
In this case, as in the second modification shown in FIG. 13, the impedance A 0 ″ when 3 V is applied is arranged on the capacitive side of the short-circuit point with respect to the single variable capacitance diode 7, and 0 V is applied. The impedance B0 ″ at that time is arranged on the inductive side of the short-circuit point. On the other hand, the diode circuit 6 in which two variable capacitance diodes 7 are connected in series is
Impedance A1 ″ when V is applied is impedance A0 ″
The impedance B1 ″ when 0V is applied moves to the inductive side of the impedance B0 ″. Therefore, the impedance A of the diode circuit 6
Phase difference θ1 ″ between 1 ″ and B1 ″ is impedance A0 ″, B
The points that are larger than the phase difference θ0 ″ between 0 ″ are the first and fourth points.
This is the same as the embodiment.

【0087】そして、インピーダンスA1″は短絡点よ
りも容量性側に配置されているから、図12と同様なイ
ンピーダンス調整回路41を用いることによって、点δ
からみたダイオード回路6側を見たとき、3V印加時の
インピーダンスを短絡点の近傍に配置し、0V印加時の
インピーダンスを開放点の近傍に配置することができ
る。
Since the impedance A1 ″ is arranged on the capacitive side of the short-circuit point, the point δ can be obtained by using the impedance adjusting circuit 41 similar to that shown in FIG.
When looking at the side of the diode circuit 6 viewed from the above, the impedance when 3 V is applied can be arranged near the short-circuit point, and the impedance when 0 V is applied can be arranged near the open point.

【0088】一方、インピーダンスB1″は短絡点より
も誘導性側に配置されているから、図8と同様なインピ
ーダンス調整回路31を用いることによって、点δから
みたダイオード回路6側を見たとき、0V印加時のイン
ピーダンスを短絡点の近傍に配置し、3V印加時のイン
ピーダンスを開放点の近傍に配置することができる。
On the other hand, since the impedance B1 ″ is arranged on the inductive side with respect to the short-circuit point, the impedance adjusting circuit 31 similar to that shown in FIG. The impedance when 0 V is applied can be arranged near the short-circuit point, and the impedance when 3 V is applied can be arranged near the open point.

【0089】なお、第4の実施の形態、第1の変形例で
は主線路42にコイル43,45を直列接続するものと
したが、第2の実施の形態と同様にコイル43,45に
代えて位相回路を接続する構成としてもよい。
In the fourth embodiment and the first modification, the coils 43 and 45 are connected in series to the main line 42, but instead of the coils 43 and 45, as in the second embodiment. Alternatively, the phase circuits may be connected together.

【0090】また、前記第1,第2の実施の形態では、
インピーダンス調整回路10,21の主線路11,22
とアースとの間にコンデンサ13,24を接続するもの
としたが、例えば図14に示す第3の変形例のようにア
ースに接続されたコンデンサに代えて先端が開放された
開放スタブ51または開放スタブ51の長さ寸法に(2
n+1)λ/4を加えた長さ寸法をもつ短絡スタブ(但
し、λ:搬送波の波長、n:整数)を主線路11に接続
する構成としてもよい。
Further, in the first and second embodiments,
Main lines 11 and 22 of impedance adjustment circuits 10 and 21
It is assumed that the capacitors 13 and 24 are connected between the ground and the ground, but instead of the capacitor connected to the ground as in the third modification shown in FIG. The length of the stub 51 (2
A configuration may be adopted in which a short-circuit stub (where λ: wavelength of carrier wave, n: integer) having a length dimension obtained by adding (n + 1) λ / 4 is connected to the main line 11.

【0091】また、前記第3の実施の形態では、インピ
ーダンス調整回路31の主線路32とアースとの間にコ
イル34を接続するものとしたが、例えば図15に示す
第4の変形例のようにアースに接続されたコイルに代え
て先端が短絡された(アースに接続された)短絡スタブ
52または短絡スタブ52の長さ寸法に(2n+1)λ
/4を加えた長さ寸法をもつ開放スタブを主線路11に
接続する構成としてもよい。
Further, in the third embodiment, the coil 34 is connected between the main line 32 of the impedance adjusting circuit 31 and the ground. However, as in the fourth modification shown in FIG. The short-circuit stub 52 whose end is short-circuited instead of the coil connected to the ground (ground-connected) or the length dimension of the short-circuit stub 52 is (2n + 1) λ
An open stub having a length dimension obtained by adding / 4 may be connected to the main line 11.

【0092】さらに、前記各実施の形態では、ダイオー
ド回路6は2個の可変容量ダイオード7を互いに逆向き
(反対の極性)となるように直列接続する構成とした。
しかし、本発明はこれに限らず、例えば図16に示す第
5の変形例のようにダイオード回路61は2個の可変容
量ダイオード62,63を互いに同じ向き(同じ極性)
となるように直列接続する構成としてもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the diode circuit 6 has a structure in which two variable capacitance diodes 7 are connected in series so as to be in opposite directions (opposite polarities).
However, the present invention is not limited to this, and for example, as in the fifth modification shown in FIG. 16, the diode circuit 61 includes two variable capacitance diodes 62 and 63 in the same direction (same polarity).
It may be configured to be connected in series so that.

【0093】この場合、2個の可変容量ダイオード6
2,63間には直流遮断用のコンデンサ64が接続され
ると共に、可変容量ダイオード62のカソード端子はイ
ンピーダンス調整回路10に接続され、可変容量ダイオ
ード63のアノード端子はアースに接続される。また、
可変容量ダイオード62のカソード端子にはチョークコ
イル65を介して制御回路5を接続すると共に、可変容
量ダイオード63のカソード端子にもチョークコイル6
6を介して制御回路5を接続する。さらに、可変容量ダ
イオード62のカソード端子はチョークコイル67を介
してアースに接続されるものである。
In this case, two variable capacitance diodes 6
A DC blocking capacitor 64 is connected between the two and 63, the cathode terminal of the variable capacitance diode 62 is connected to the impedance adjustment circuit 10, and the anode terminal of the variable capacitance diode 63 is connected to ground. Also,
The control circuit 5 is connected to the cathode terminal of the variable capacitance diode 62 via the choke coil 65, and the choke coil 6 is also connected to the cathode terminal of the variable capacitance diode 63.
The control circuit 5 is connected via 6. Further, the cathode terminal of the variable capacitance diode 62 is connected to the ground via the choke coil 67.

【0094】また、前記各実施の形態では、2個の可変
容量ダイオード7を直列接続してダイオード回路6を構
成としたが、単一の可変容量ダイオードを用いてダイオ
ード回路を構成してもよく、3個以上の可変容量ダイオ
ードを直列接続してダイオード回路を構成してもよい。
Further, in each of the above embodiments, the two variable capacitance diodes 7 are connected in series to form the diode circuit 6, but a single variable capacitance diode may be used to form the diode circuit. You may comprise a diode circuit by connecting three or more variable capacitance diodes in series.

【0095】さらに、前記各実施の形態では、通行料金
自動課金システムの車載器に適用した場合を例に挙げて
説明したが、本発明はこれに限らず、反射型のBPSK
変調を行う送信装置に広く適用できるものである。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the case where the invention is applied to the vehicle-mounted device of the automatic toll charging system has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the reflection type BPSK is used.
The present invention can be widely applied to transmitters that perform modulation.

【0096】[0096]

【発明の効果】以上詳述した如く、請求項1の発明によ
れば、アンテナに可変容量ダイオードを接続し、制御回
路を用いて該可変容量ダイオードに印加する逆バイアス
電圧を制御する構成としたから、制御回路を用いて可変
容量ダイオードの静電容量を調整することができ、アン
テナから反射する反射波に対してBPSK変調を行うこ
とができる。また、逆バイアス電圧によって可変容量ダ
イオードをOFF状態に保持することができるから、可
変容量ダイオードを通じて順方向の電流が流れることが
なく、送信装置の消費電力を低減することができる。
As described above in detail, according to the invention of claim 1, the variable capacitance diode is connected to the antenna, and the control circuit controls the reverse bias voltage applied to the variable capacitance diode. Therefore, the capacitance of the variable capacitance diode can be adjusted using the control circuit, and the reflected wave reflected from the antenna can be BPSK modulated. Further, since the variable capacitance diode can be held in the OFF state by the reverse bias voltage, a forward current does not flow through the variable capacitance diode, and the power consumption of the transmission device can be reduced.

【0097】請求項2の発明によれば、可変容量ダイオ
ードをアンテナとアースとの間に複数個に亘って直列接
続したから、制御回路を用いて逆バイアス電圧を2つの
値で切換えときに、可変容量ダイオード側のインピーダ
ンス変化による位相差を大きくすることができ、BPS
K変調の条件を満たす送信装置を容易に形成することが
できる。
According to the invention of claim 2, since a plurality of variable capacitance diodes are connected in series between the antenna and the ground, when the reverse bias voltage is switched between two values by using the control circuit, It is possible to increase the phase difference due to the impedance change on the variable capacitance diode side.
It is possible to easily form a transmitter that satisfies the condition of K modulation.

【0098】請求項3の発明によれば、複数個の可変容
量ダイオードを互いに反対の極性となるように接続した
から、隣合う可変容量ダイオード間の接続点に対して共
通の逆バイアス電圧を印加することができ、可変容量ダ
イオードを駆動するための回路を簡略化することができ
る。
According to the third aspect of the invention, since the plurality of variable capacitance diodes are connected so as to have polarities opposite to each other, a common reverse bias voltage is applied to the connection point between adjacent variable capacitance diodes. Therefore, the circuit for driving the variable capacitance diode can be simplified.

【0099】請求項4の発明によれば、アンテナと、該
アンテナに接続された可変容量ダイオードと、該可変容
量ダイオードとアンテナとの間に設けられインピーダン
ス調整回路と、前記可変容量ダイオードに印加する逆バ
イアス電圧を制御する制御回路とによって構成してい
る。これにより、制御回路は、可変容量ダイオード側の
インピーダンスが2つの値で変化させると共に、インピ
ーダンス調整回路は、可変容量ダイオード側のインピー
ダンスを変換し、アンテナからみた送信信号の搬送波の
周波数におけるインピーダンスを、反射係数の絶対値が
ほぼ1程度に設定しつつ180°の位相差をもって2つ
の値で変化させることができる。このため、アンテナか
ら反射する反射波に対してBPSK変調を行うことがで
きる。また、逆バイアス電圧によって可変容量ダイオー
ドをOFF状態に保持することができるから、可変容量
ダイオードを通じて順方向の電流が流れることがなく、
送信装置の消費電力を低減することができる。
According to the invention of claim 4, an antenna, a variable capacitance diode connected to the antenna, an impedance adjusting circuit provided between the variable capacitance diode and the antenna, and applied to the variable capacitance diode. And a control circuit for controlling the reverse bias voltage. As a result, the control circuit changes the impedance on the variable capacitance diode side by two values, and the impedance adjustment circuit converts the impedance on the variable capacitance diode side to change the impedance at the carrier frequency of the transmission signal viewed from the antenna, The absolute value of the reflection coefficient can be changed to two values with a phase difference of 180 ° while setting the absolute value to about 1. Therefore, BPSK modulation can be performed on the reflected wave reflected from the antenna. Further, since the variable capacitance diode can be held in the OFF state by the reverse bias voltage, the forward current does not flow through the variable capacitance diode,
The power consumption of the transmitter can be reduced.

【0100】請求項5の発明によれば、インピーダンス
調整回路を、アンテナと可変容量ダイオードとを接続す
る主線路と、該主線路のうち可変容量ダイオード側に位
置して設けられたコンデンサ、コイルまたは位相回路
と、前記主線路のうちアンテナ側に位置して主線路に接
続された終端が短絡されたコンデンサ、コイルもしくは
短絡スタブまたは終端が開放された開放スタブとによっ
て構成しているから、可変容量ダイオード側のインピー
ダンスを変換することができる。これにより、アンテナ
からインピーダンス調整回路を含めて可変容量ダイオー
ド側を見たときのインピーダンスをBPSK変調が可能
となる条件に適合させることができる。このため、送信
するデータに基づいて逆バイアス電圧を2つの値で切換
えることによって、アンテナから反射される反射波にB
PSK変調をかけることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the impedance adjusting circuit is provided with a main line connecting the antenna and the variable capacitance diode, and a capacitor, a coil or a capacitor provided on the variable capacitance diode side of the main line. Variable capacitance because it is composed of a phase circuit and a capacitor which is located on the antenna side of the main line and which is connected to the main line and whose end is short-circuited, a coil or a short-circuit stub, or an open stub whose end is open. The impedance on the diode side can be converted. This makes it possible to adapt the impedance when the variable-capacitance diode side is viewed from the antenna including the impedance adjustment circuit to the condition that enables BPSK modulation. Therefore, by switching the reverse bias voltage between two values based on the data to be transmitted, the reflected wave reflected from the antenna is
PSK modulation can be applied.

【0101】請求項6の発明によれば、インピーダンス
調整回路を主線路、短絡点配置器、開放点配置器によっ
て構成している。これにより、アンテナから可変容量ダ
イオード側を見たときのインピーダンスが2値の逆バイ
アス電圧に応じて2つの値で切換わるときに、これら2
つのインピーダンスの位相差を180°程度に設定でき
ると共に、各インピーダンスに対応する2つの反射係数
の絶対値をほぼ等しくすることができる。このため、送
信するデータに基づいて逆バイアス電圧を2つの値で切
換えることによって、アンテナから反射される反射波に
BPSK変調をかけることができる。
According to the sixth aspect of the invention, the impedance adjusting circuit is constituted by the main line, the short-circuit point arranging device, and the open point arranging device. As a result, when the impedance when the variable capacitance diode side is viewed from the antenna switches between two values according to the binary reverse bias voltage, these two
The phase difference between two impedances can be set to about 180 °, and the absolute values of the two reflection coefficients corresponding to each impedance can be made substantially equal. Therefore, by switching the reverse bias voltage between two values based on the data to be transmitted, the reflected wave reflected from the antenna can be BPSK modulated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施の形態による通行料金自動課金シス
テムの車載器を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a vehicle-mounted device of an automatic toll charging system according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a transmission antenna, a transmission circuit, and a control circuit according to the first embodiment.

【図3】図2中の接続点βから見たダイオード回路のイ
ンピーダンスを示すスミスチャートである。
FIG. 3 is a Smith chart showing the impedance of the diode circuit seen from the connection point β in FIG.

【図4】図2中の点γから見たインピーダンスを示すス
ミスチャートである。
FIG. 4 is a Smith chart showing impedance viewed from a point γ in FIG.

【図5】図2中の点δから見た送信回路のインピーダン
スを示すスミスチャートである。
5 is a Smith chart showing the impedance of the transmission circuit viewed from the point δ in FIG. 2. FIG.

【図6】第2の実施の形態による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a second embodiment.

【図7】図6中の点β,γから見たインピーダンスを示
すスミスチャートである。
FIG. 7 is a Smith chart showing impedance viewed from points β and γ in FIG.

【図8】第3の実施の形態による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a third embodiment.

【図9】図8中の点γ,δから見たインピーダンスを示
すスミスチャートである。
FIG. 9 is a Smith chart showing impedance viewed from points γ and δ in FIG.

【図10】第4の実施の形態による送信アンテナ、送信
回路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a fourth embodiment.

【図11】図10中の接続点βから見たインピーダンス
を示すスミスチャートである。
11 is a Smith chart showing the impedance viewed from the connection point β in FIG.

【図12】第1の変形例による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a first modification.

【図13】第2の変形例によるダイオード回路のインピ
ーダンスを示すスミスチャートである。
FIG. 13 is a Smith chart showing impedance of a diode circuit according to a second modification.

【図14】第3の変形例による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 14 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a third modification.

【図15】第4の変形例による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a fourth modified example.

【図16】第5の変形例による送信アンテナ、送信回
路、制御回路を示す回路図である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a transmitting antenna, a transmitting circuit, and a control circuit according to a fifth modification.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 送信アンテナ(アンテナ) 4 送信回路 5 制御回路 6,61 ダイオード回路 7,62,63 可変容量ダイオード 10,21,31,41 インピーダンス調整回路 11,22,32,42 主線路 12,33 コンデンサ(短絡点配置器) 13,24,46 コンデンサ(開放点配置器) 23 位相回路(短絡点配置器) 34 コイル(開放点配置器) 43,45 コイル(短絡点配置器) 51 開放スタブ(開放点配置器) 52 短絡スタブ(開放点配置器) 3 Transmit antenna (antenna) 4 transmitter circuit 5 control circuit 6,61 Diode circuit 7,62,63 Variable capacitance diode 10, 21, 31, 41 Impedance adjustment circuit 11,22,32,42 Main line 12,33 Capacitor (Short Point Arranger) 13,24,46 Capacitor (Open Point Arranger) 23 Phase Circuit (Short Point Arranger) 34 Coil (Open Point Arranger) 43, 45 coil (short-circuit point placement device) 51 Open Stub (Open Point Placer) 52 Short-circuit stub (Open-point placement device)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アンテナと、該アンテナに接続された可
変容量ダイオードと、該可変容量ダイオードに印加する
逆バイアス電圧を制御して前記アンテナから送信する反
射波に2相位相変調を行う制御回路とによって構成して
なる送信装置。
1. An antenna, a variable capacitance diode connected to the antenna, and a control circuit for controlling a reverse bias voltage applied to the variable capacitance diode to perform two-phase phase modulation on a reflected wave transmitted from the antenna. A transmitter configured by.
【請求項2】 前記可変容量ダイオードは前記アンテナ
とアースとの間に複数個に亘って直列接続してなる請求
項1に記載の送信装置。
2. The transmitter according to claim 1, wherein a plurality of the variable capacitance diodes are connected in series between the antenna and the ground.
【請求項3】 前記複数個の可変容量ダイオードは互い
に隣合うダイオードの向きが反対の極性となるように接
続してなる請求項2に記載の送信装置。
3. The transmitter according to claim 2, wherein the plurality of variable capacitance diodes are connected so that the adjacent diodes have opposite polarities.
【請求項4】 アンテナと、該アンテナに接続された可
変容量ダイオードと、該可変容量ダイオードとアンテナ
との間に設けられ該可変容量ダイオード側のインピーダ
ンスを調整するインピーダンス調整回路と、前記可変容
量ダイオードに印加する逆バイアス電圧を2つの値で切
換え制御して前記アンテナから送信する反射波に2相位
相変調を行う制御回路とによって構成してなる送信装
置。
4. An antenna, a variable capacitance diode connected to the antenna, an impedance adjustment circuit provided between the variable capacitance diode and the antenna for adjusting impedance on the variable capacitance diode side, and the variable capacitance diode. And a control circuit for performing two-phase phase modulation on a reflected wave transmitted from the antenna by controlling switching of a reverse bias voltage applied to the two values.
【請求項5】 前記インピーダンス調整回路は、前記ア
ンテナと可変容量ダイオードとを接続する主線路と、該
主線路のうち可変容量ダイオード側に位置して設けられ
たコンデンサ、コイルまたは位相回路と、前記主線路の
うちアンテナ側に位置して主線路に接続された終端が短
絡されたコンデンサ、コイルもしくは短絡スタブまたは
終端が開放された開放スタブとによって構成してなる請
求項4に記載の送信装置。
5. The impedance adjustment circuit, a main line connecting the antenna and the variable capacitance diode, a capacitor, a coil or a phase circuit provided on the variable capacitance diode side of the main line, The transmitter according to claim 4, wherein the transmitter is formed by a capacitor, a coil, a short-circuit stub or an open stub whose end is opened, which is located on the antenna side of the main line and is connected to the main line.
【請求項6】 前記インピーダンス調整回路は、 前記アンテナと可変容量ダイオードとを接続する主線路
と、 該主線路のうち可変容量ダイオード側に設けられ前記制
御回路が一方の逆バイアス電圧を印加したときの前記可
変容量ダイオード側の送信信号の搬送波の周波数におけ
るインピーダンスをスミスチャート上の短絡点近傍に配
置する短絡点配置器と、 前記主線路のうちアンテナ側に設けられ前記制御回路が
一方の逆バイアス電圧を印加したときの前記可変容量ダ
イオード側の送信信号の搬送波の周波数におけるインピ
ーダンスをスミスチャート上の短絡点近傍に配置し、他
方の逆バイアス電圧を印加したときの前記可変容量ダイ
オード側の送信信号の搬送波の周波数におけるインピー
ダンスをスミスチャート上の開放点近傍に配置する開放
点配置器とによって構成してなる請求項4に記載の送信
装置。
6. The impedance adjusting circuit is provided with a main line connecting the antenna and the variable capacitance diode, and when the control circuit is provided on the variable capacitance diode side of the main line and one of the reverse bias voltages is applied by the control circuit. A short-circuit point arranging device that arranges the impedance at the frequency of the carrier wave of the transmission signal on the variable capacitance diode side in the vicinity of the short-circuit point on a Smith chart; The impedance at the frequency of the carrier of the transmission signal on the side of the variable capacitance diode when a voltage is applied is arranged near the short-circuit point on the Smith chart, and the transmission signal on the side of the variable capacitance diode when a reverse bias voltage is applied The impedance at the carrier frequency of is placed near the open point on the Smith chart The transmitter according to claim 4, wherein the transmitter comprises an open point locator.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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