JP2003228995A - Method and device for analyzing defect of measured device - Google Patents

Method and device for analyzing defect of measured device

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JP2003228995A
JP2003228995A JP2002024001A JP2002024001A JP2003228995A JP 2003228995 A JP2003228995 A JP 2003228995A JP 2002024001 A JP2002024001 A JP 2002024001A JP 2002024001 A JP2002024001 A JP 2002024001A JP 2003228995 A JP2003228995 A JP 2003228995A
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JP
Japan
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device under
under test
search
defective
cell
Prior art date
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JP2002024001A
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Japanese (ja)
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Minoru Nakajima
稔 中島
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To analyze retrieval of various kinds of defect items by simplifying setting of analysis conditions. <P>SOLUTION: This device has a plurality of kinds of patterns for retrieving a defective cell, a data storage part for analyzation 203 in which a retrieval area table is stored, a ROM 201 in which an application program for analyzing defect is stored, and a CPU 200 by which defective data of a device 30 to be measured are taken in by performing the application program for analyzing defect, they are stored in a data storage section for analysis, while in analyzing defect of the device to be measured, addresses of defective cells in each address in the retrieval area table are obtained by referring to the defective data, and it is tested for each defect item whether a fault pattern in the device to be measured coincides with the specified pattern for retrieving a defect cell or not by overlapping the pattern for retrieving a defective cell specified for the noticed cell in the retrieval area table to the cell on the retrieval area table. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリICやロジ
ックIC等の被測定デバイスの不良解析方法及び装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a failure analysis method and apparatus for a device under test such as a memory IC or a logic IC.

【0002】[0002]

【従来の技術】メモリICやロジックIC等の被測定デ
バイスの集積回路試験装置(ICテスタ)による測定結
果により不良データやパスデータを取得することができ
る。取得された不良データのパターンを解析することに
よってどのような原因により不良が発生したかを解析で
きる。
2. Description of the Related Art Defective data and path data can be obtained from a measurement result of an integrated circuit tester (IC tester) of a device under test such as a memory IC or a logic IC. By analyzing the pattern of the acquired failure data, it is possible to analyze what causes the failure.

【0003】従来の被測定デバイスの不良解析において
使用される、不良セル検索パターン(パターン1)と、
前記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアにおけ
る各セルのアドレスと各アドレスにより特定されるセル
において不良検索に使用される不良セル検索用パターン
との関係を示す検索エリアテーブルの一例を図9に示
す。パターン1において、tは検索する不良セル(不良
ビット)の位置を示し、fは不良条件となるセルの位置
を示している。
A defective cell search pattern (pattern 1) used in conventional defect analysis of a device under test,
FIG. 9 shows an example of a search area table showing the relationship between the address of each cell in the search area for performing the defect search of the device under test and the defective cell search pattern used for the defect search in the cell specified by each address. Show. In pattern 1, t indicates the position of the defective cell (defective bit) to be searched, and f indicates the position of the cell that is the defective condition.

【0004】従来の被測定デバイスの不良解析では、図
9に示すようにICのフェイル情報(不良データ)を検
索するパターンは、パターン1の1種類とし、パターン
1を検索エリアテーブルの各注目セル(検索対象とする
不良セル)を基準にして検索エリアテーブルとパターン
1とを重ねて被測定デバイスにおける注目セルに隣り合
うセルが連続してフェイルしている場合に不良項目とし
て「隣接ビットフェイル」と認識していた。
In the conventional failure analysis of the device under test, as shown in FIG. 9, the pattern for searching the fail information (defective data) of the IC is one kind of pattern 1, and the pattern 1 is each cell of interest in the search area table. When the cell adjacent to the target cell in the device under test is continuously failing by superposing the search area table and the pattern 1 on the basis of (defective cell to be searched), "adjacent bit fail" is given as a failure item. I was aware.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
ICの回路構成が複雑化されるにつれ、単純で連続した
隣接ビットの不良データ検索では被測定デバイスの不良
解析を十分に行うことができないという問題が有った。
このために被測定デバイスの不良の原因を細かく指定で
きず、ICの種類や検索する不良項目に対応した不良解
析を行うことができなかった。
However, recently,
As the circuit configuration of the IC has become complicated, there has been a problem that a simple and continuous defect data search of adjacent bits cannot sufficiently analyze the defect of the device under test.
For this reason, the cause of the failure of the device under test cannot be specified in detail, and failure analysis corresponding to the type of IC or the failure item to be searched cannot be performed.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、複雑なビットの不良形状データを検索す
るために検索パターンの種類を多くし、かつ部品化する
ことにより、解析条件の設定を単純化させ多種類の不良
項目の検索について解析することができる被測定デバイ
スの不良解析方法及び装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the number of types of search patterns is increased in order to search for defective bit shape data having complicated bits, and the number of types of search patterns is increased, thereby making it possible to obtain analysis conditions. An object of the present invention is to provide a failure analysis method and apparatus for a device under test, which can simplify setting and analyze a search for many types of failure items.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、集積回路試験装置により
被測定デバイスの試験を行い、該試験により被測定デバ
イスの不良データを取得すると共に、前記被測定デバイ
スの不良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用
パターンと、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索
エリアにおける各セルのアドレスと各アドレスにより特
定されるセルにおいて不良検索に使用される前記複数種
の不良セル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検
索エリアテーブルとを前記被測定デバイスの不良項目毎
に作成し、前記被測定デバイスの不良解析時には、前記
検索エリアテーブルにおける各アドレスにおける不良セ
ルのアドレスを前記試験により取得した不良データを参
照して取得し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブ
ルで注目セルに対して指定された不良セル検索用パター
ンを前記検索エリアテーブル上において該注目セルを基
準にして重ねて被測定デバイスにおける故障パターン
が、前記指定された不良セル検索用パターンに一致する
か否かを前記不良項目毎に検査することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 tests a device under test by an integrated circuit test apparatus, and obtains defective data of the device under test by the test. In addition, a plurality of types of defective cell search patterns used to search for defective cells of the device under test, the address of each cell in the search area for performing a defect search of the device under test, and the cell specified by each address A search area table indicating a relationship with any of the plurality of types of defective cell search patterns used for defect search is created for each defect item of the device under test, and the search is performed during failure analysis of the device under test. The address of the defective cell at each address in the area table is acquired by referring to the defective data acquired by the above test, In addition, the defective cell search pattern specified for the target cell in the search area table is overlapped on the search area table with the target cell as a reference, and the failure pattern in the device under test is the specified failure. It is characterized in that it is inspected for each defective item whether or not it matches the cell search pattern.

【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、前記不良セル検索用パ
ターン及び検索エリアテーブルを部品化して使用するこ
とを特徴とする。
The invention described in claim 2 is the same as claim 1.
In the method of analyzing a failure of a device under test according to the above item 3, the defective cell search pattern and the search area table are used as parts when the failure of the device under test is analyzed.

【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを反転した
形式で使用することを特徴とする。
The invention described in claim 3 is the same as claim 1
In the method of analyzing a failure of a device under test according to the item [4], when the failure of the device under measurement is analyzed, the defective cell search pattern and the search area table which are made into parts are used in an inverted form.

【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを垂直反転
した形式で使用することを特徴とする。
The invention according to claim 4 is the same as claim 1
In the method of analyzing a failure of a device under test as described in (1), when the failure of the device under measurement is analyzed, the defective cell search pattern and the search area table which are made into parts are used in a vertically inverted form.

【0011】また、請求項5に記載の発明は、請求項1
に記載の被測定デバイスの不良解析方法において、前記
被測定デバイスの不良解析時に、部品化された前記不良
セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを垂直反転
後、水平反転した形式で使用することを特徴とする。
The invention described in claim 5 is the same as claim 1.
In the failure analysis method for a device under test described in (1), when the device under test is analyzed for failure, the defective cell search pattern and the search area table that have been made into parts are used after being vertically inverted and then horizontally inverted. And

【0012】また、請求項6に記載の発明は、集積回路
試験装置により被測定デバイスの試験を行うことにより
取得した被測定デバイスの不良データに基づいて不良項
目毎に作成された被測定デバイスの不良セルの検索に使
用する複数種の不良セル検索用パターンと、前記被測定
デバイスの不良検索を行う検索エリアにおける各セルの
アドレスと各アドレスにより特定されるセルにおいて不
良検索に使用される前記複数種の不良セル検索用パター
ンのいずれかとの関係を示す検索エリアテーブルとが記
憶されている第1の記憶手段と、被測定デバイスの不良
解析を行うための不良解析用アプリケーションプログラ
ムが格納されている第2の記憶手段と、前記第2の記憶
手段に格納されている前記不良解析用アプリケーション
プログラムを実行することにより前記被測定デバイスの
試験を行うことにより取得した被測定デバイスの不良デ
ータを取り込み、前記第1の記憶手段に格納すると共
に、前記被測定デバイスの不良解析時には、前記検索エ
リアテーブルにおける各アドレスにおける不良セルのア
ドレスを前記試験により取得した不良データを参照して
取得し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブルで注
目セルに対して指定された不良セル検索用パターンを前
記検索エリアテーブル上において該注目セルを基準にし
て重ねて被測定デバイスにおける故障パターンが、前記
指定された不良セル検索用パターンに一致するか否かを
前記不良項目毎に検査する処理手段とを有することを特
徴とする。
According to the invention of claim 6, the device under test created for each defective item based on the defective data of the device under test acquired by testing the device under test by the integrated circuit test apparatus. A plurality of types of defective cell search patterns used to search for defective cells, an address of each cell in a search area for performing a defect search of the device under test, and a plurality of cells used for defect search in a cell specified by each address First storage means for storing a search area table showing a relationship with any one of the defective cell search patterns, and a failure analysis application program for performing a failure analysis of the device under test are stored. Executes second storage means and the failure analysis application program stored in the second storage means. In this way, the failure data of the device under test acquired by performing the test of the device under test is fetched and stored in the first storage means, and at the time of failure analysis of the device under test, each item in the search area table is read. The address of the defective cell in the address is acquired and stored by referring to the defective data acquired by the test, and the defective cell search pattern designated for the target cell in the search area table is stored on the search area table. Processing means for inspecting, for each of the defective items, whether or not the failure pattern of the device under test that overlaps with the target cell matches the specified defective cell search pattern. .

【0013】また、請求項7に記載の発明は、請求項6
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブルは部品
化されて前記第1の記憶手段に記憶されており、前記処
理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部品
化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブ
ルを使用して被測定デバイスを検査することを特徴とす
る。
The invention according to claim 7 is the same as claim 6
In the defect testing apparatus for a device under test according to claim 7, the defective cell search pattern and the search area table are divided into parts and stored in the first storage means, and the processing means includes a defect of the device under test. At the time of analysis, the device under test is inspected by using the defective cell search pattern and the search area table which have been made into parts.

【0014】また、請求項8に記載の発明は、請求項6
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部
品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテー
ブルを反転した形式で使用して被測定デバイスを検査す
ることを特徴とする。
The invention described in claim 8 is the same as claim 6.
In the device under test for measuring a device under test according to claim 7, the processing means uses the device-under-test device in a form in which the defective cell search pattern and the search area table that have been made into parts at the time of failure analysis of the device under test are inverted. It is characterized by inspecting.

【0015】また、請求項9に記載の発明は、請求項6
に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前記
処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記部
品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテー
ブルを垂直反転した形式で使用して被測定デバイスを検
査することを特徴とする。
The invention according to claim 9 is the same as claim 6
In the defect testing apparatus for a device under test according to claim 7, the processing means uses a pattern of a defective cell search and a search area table, which have been made into parts at the time of failure analysis of the device under test, in a vertically inverted form to be measured. Characterized by inspecting the device.

【0016】また、請求項10に記載の発明は、請求項
6に記載の被測定デバイスの不良試験装置において、前
記処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前記
部品化された不良セル検索用パターン及び検索エリアテ
ーブルを垂直反転後、水平反転した形式で使用して被測
定デバイスを検査することを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the defect testing apparatus for a device under test according to the sixth aspect, the processing means searches for the defective cell that has been made into the component when the device under test is analyzed for defects. The device to be measured is inspected by vertically inverting the use pattern and the search area table and then using the horizontally inverted form.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態に係る被
測定デバイスの不良解析装置の構成を図1に示す。本発
明の実施形態に係る被測定デバイスの不良解析装置は、
集積回路試験装置により被測定デバイスの試験を行い、
該試験により被測定デバイスの不良データを取得すると
共に、前記被測定デバイスの不良セルの検索に使用する
複数種の不良セル検索用パターンと、前記被測定デバイ
スの不良検索を行う検索エリアにおける各セルのアドレ
スと各アドレスにより特定されるセルにおいて不良検索
に使用される前記複数種の不良セル検索用パターンのい
ずれかとの関係を示す検索エリアテーブルとを前記被測
定デバイスの不良項目毎に作成し、前記被測定デバイス
の不良解析時には、前記検索エリアテーブルにおける各
アドレスにおける不良セルのアドレスを前記試験により
取得した不良データを参照して取得し、記憶すると共
に、前記検索エリアテーブルで注目セルに対して指定さ
れた不良セル検索用パターンを前記検索エリアテーブル
上において該注目セルを基準にして重ねて被測定デバイ
スにおける故障パターンが、前記指定された不良セル検
索用パターンに一致するか否かを前記不良項目毎に検査
することを特徴とする被測定デバイスの不良解析方法を
実施するための装置である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of a failure analysis apparatus for a device under test according to an embodiment of the present invention. The failure analysis apparatus for a device under test according to the embodiment of the present invention,
Test the device under test with the integrated circuit test equipment,
The defect data of the device under test is acquired by the test, a plurality of types of defective cell search patterns used for searching for defective cells of the device under test, and each cell in the search area for performing the defect search of the device under test. An address and a search area table showing a relationship with any of the plurality of types of defective cell search patterns used for defective search in cells specified by each address, and creating for each defective item of the device under test, During the failure analysis of the device under test, the address of the defective cell at each address in the search area table is acquired and stored by referring to the defective data acquired by the test, and at the same time, the target cell is searched in the search area table. The designated defective cell search pattern is searched for on the search area table. A failure analysis method for a device under test, wherein the failure pattern in the device under test is checked for each of the defective items to determine whether or not the failure pattern in the device under test overlaps with the specified defective cell search pattern. It is a device for carrying out.

【0018】図1において、本実施形態に係る被測定デ
バイスの不良解析装置20は、CPU200と、ROM
201と、RAM202と、解析用データ記憶部203
と、入出力(I/O)インタフェース204と、各種デ
ータの入力、各種設定を行うための入力操作部205と
を有している。CPU200、ROM201、RAM2
02、解析用データ記憶部203、入出力(I/O)イ
ンタフェース204及び入力操作部205は、相互にバ
ス210を介して接続されている。10は集積回路試験
装置であり、集積回路試験装置10は被測定デバイス3
0の試験を行うことにより取得した被測定デバイス30
の故障データをフェイルメモリ100に書き込むように
なっている。
In FIG. 1, a failure analysis apparatus 20 for a device under test according to this embodiment includes a CPU 200 and a ROM.
201, RAM 202, and analysis data storage unit 203
And an input / output (I / O) interface 204, and an input operation unit 205 for inputting various data and performing various settings. CPU200, ROM201, RAM2
02, the analysis data storage unit 203, the input / output (I / O) interface 204, and the input operation unit 205 are mutually connected via a bus 210. Reference numeral 10 denotes an integrated circuit test apparatus, and the integrated circuit test apparatus 10 is a device under test 3
Device under test 30 obtained by performing 0 test
The failure data of is written in the fail memory 100.

【0019】ROM201には、被測定デバイス30の
不良解析を行うための不良解析用アプリケーションプロ
グラムを含む各種プログラム及び固定データが格納され
ている。RAM202は、CPU200が演算処理する
際に使用するワークエリア及びCPU200により演算
処理されたデータを一時的に記憶するメモリエリアを有
している。
The ROM 201 stores various programs including a failure analysis application program for performing failure analysis of the device under test 30 and fixed data. The RAM 202 has a work area used when the CPU 200 performs arithmetic processing, and a memory area for temporarily storing data processed by the CPU 200.

【0020】解析用データ記憶部203には、集積回路
試験装置10により被測定デバイス30の試験を行うこ
とにより取得した被測定デバイス30の不良データに基
づいて不良項目毎に作成された被測定デバイス30の不
良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用パター
ンと、被測定デバイス30の不良検索を行う検索エリア
における各セルのアドレスと各アドレスにより特定され
るセルにおいて不良検索に使用される複数種の不良セル
検索用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリアテ
ーブルとが記憶されるようになっている。
In the analysis data storage section 203, the device under test created for each defective item based on the defective data of the device under test 30 obtained by testing the device under test 30 by the integrated circuit test apparatus 10. A plurality of types of defective cell search patterns used to search for defective cells of 30 and addresses of each cell in a search area for performing a defective search of the device under test 30 and a cell specified by each address are used for defective search. A search area table indicating a relationship with any of a plurality of types of defective cell search patterns is stored.

【0021】CPU200は、不良解析用アプリケーシ
ョンプログラムを実行することにより、集積回路試験装
置10のフェイルメモリ100に書き込まれた被測定デ
バイス30の不良データを取り込み、解析用データ記憶
部203に格納するととともに、被測定デバイス30の
不良解析時には、検索エリアテーブルにおける各アドレ
スにおける不良セルのアドレスを、上記不良データを参
照して取得し、記憶すると共に、上記検索エリアテーブ
ルで注目セルに対して指定された不良セル検索用パター
ンを上記検索エリアテーブル上において該注目セルを基
準にして重ねて被測定デバイス30における故障パター
ンが、指定された不良セル検索用パターンに一致するか
否かを不良項目毎に検査する。
By executing the failure analysis application program, the CPU 200 fetches the failure data of the device under test 30 written in the fail memory 100 of the integrated circuit test apparatus 10 and stores it in the analysis data storage unit 203. During the failure analysis of the device under test 30, the address of the defective cell at each address in the search area table is acquired and stored by referring to the defective data, and at the same time the address of the target cell is designated in the search area table. The defective cell search pattern is overlaid on the search area table with the target cell as a reference, and it is inspected for each defective item whether or not the failure pattern in the device under test 30 matches the designated defective cell search pattern. To do.

【0022】CPU200は本発明の処理手段に、RO
M201は本発明の第2の記憶手段に、解析用データ記
憶部203は本発明の第1の記憶手段に相当する。ここ
で、被測定デバイス30としてのメモリデバイスの隣接
ビット不良を検索するための3種類の不良セル検索用パ
ターンと、検索エリアテーブル例を図4に示す。ここ
で、「隣接ビット不良」とは被測定デバイス30の不良
項目の1つであり、隣接するセルが不良であるものをい
う。
The CPU 200 is a processing means of the present invention,
M201 corresponds to the second storage unit of the present invention, and the analysis data storage unit 203 corresponds to the first storage unit of the present invention. Here, FIG. 4 shows three types of defective cell search patterns for searching adjacent bit defects of the memory device as the device under test 30 and a search area table example. Here, the "adjacent bit defect" is one of the defect items of the device under test 30, and means that the adjacent cell is defective.

【0023】検索する不良名が一つでも検索エリアテー
ブル上で検索するセルの位置によっ不良検索するパター
ンの形状が異なる。検索エリアテーブル(図4(A))
の内部に書いてある番号は図4(B)に示す不良検索に
使用する検索パターンのパターン番号であり、不良セル
検索用パターン(図4(B))として3種類の異なるパ
ターン1〜3が使用される。
Even if there is only one defect name to be retrieved, the shape of the defect retrieval pattern differs depending on the position of the cell to be retrieved on the retrieval area table. Search area table (Fig. 4 (A))
4 is the pattern number of the search pattern used in the defect search shown in FIG. 4B, and three different patterns 1 to 3 are provided as the defective cell search pattern (FIG. 4B). used.

【0024】パターン1〜3において、"t"は検索する
不良ビット(不良セル)の位置を示し"f"は不良条件と
なるビット(セル)の位置を示す。"@"位置のフェイル
は、不良条件対象外となる。検索条件が一致したと判断
された場合、すなわち検索エリアテーブルで、注目セル
に対して指定された不良セル検索用パターンを検索エリ
アテーブル上において上記注目セルを基準にして重ねた
ときに不良セル検索用パターンと検索エリアテーブルと
が一致した場合には、不良項目が存在したことになり、
検索後の不良データは削除される。
In Patterns 1 to 3, "t" indicates the position of a defective bit (defective cell) to be searched, and "f" indicates the position of a bit (cell) which is a defective condition. Fails at the "@" position are not subject to bad conditions. When it is determined that the search conditions match, that is, when the defective cell search pattern specified for the target cell in the search area table is overlaid on the search area table with the target cell as the reference, the defective cell search is performed. If the search pattern and the search area table match, there is a defective item,
Bad data after the search is deleted.

【0025】次に、本実施形態に係る被測定デバイスの
不良解析装置により被測定デバイスの不良検索を行う手
順について図2及び図3のフローチャートを参照して説
明する。まず、集積回路試験装置10により被測定デバ
イス30について試験を行い、この試験により取得した
被測定デバイス30内のセルの不良データを被測定デバ
イス30のアドレスに関連付けてフェイルメモリ100
に格納する。この後に入力操作部205を操作すること
により、CPU200は、不良解析用アプリケーション
プログラムを実行して、集積回路試験装置10のフェイ
ルメモリ100に書き込まれた被測定デバイス30の不
良データ(アドレスと対応付けられたデータ)を入出力
インタフェース204を介して取り込み、解析用データ
記憶部203に格納する(ステップ300)。
Next, a procedure for searching for a defect of the device under test by the device for analyzing a defect of the device under test according to the present embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS. First, a test is performed on the device under test 30 by the integrated circuit test apparatus 10, and the fail data of the cell in the device under test 30 acquired by this test is associated with the address of the device under test 30 and the fail memory 100.
To store. After that, by operating the input operation unit 205, the CPU 200 executes the failure analysis application program, and writes the failure data (corresponding to the address) of the device under test 30 written in the fail memory 100 of the integrated circuit test apparatus 10. The obtained data) is taken in via the input / output interface 204 and stored in the analysis data storage unit 203 (step 300).

【0026】次に、ユーザは集積回路試験装置10によ
る被測定デバイス30の試験結果に基づいて被測定デバ
イス30に適した各不良項目毎の不良セル検索パターン
及び検索エリアテーブルを作成し、解析用データ記憶部
203に格納する(ステップ301)。さらに、ユーザ
により被測定デバイス30について入力操作部205に
より故障検索する際における複数の不良項目の検索順が
設定され(ステップ302)、検索エリアテーブル上で
の検索方向が設定される(ステップ303)。不良項目
としては、「隣接ビット不良」、「ワード線越え不良」
等がある。
Next, the user creates a defective cell search pattern and a search area table for each defective item suitable for the device under test 30 based on the test result of the device under test 30 by the integrated circuit test apparatus 10 for analysis. The data is stored in the data storage unit 203 (step 301). Further, the user sets the search order of a plurality of defective items when searching for a failure in the device under test 30 using the input operation unit 205 (step 302), and sets the search direction on the search area table (step 303). . Defective items are "adjacent bit defect" and "word line crossing defect".
Etc.

【0027】次いで、ユーザが入力操作部205を操作
して被測定デバイス30の不良検索の開始を指示するこ
とによりCPU200はROM201に格納されている
不良解析用アプリケーションプログラムの実行を開始
し、被測定デバイス30の不良検索が開始される(ステ
ップ304)。不良検索が開始されると、まず、解析用
データ記憶部203に格納されている被測定デバイス3
0の不良データの検索を行い(ステップ305)、不良
セル(フェイルとなったセル)のアドレスを取得する
(ステップ306)。
Then, when the user operates the input operation unit 205 to instruct to start the defect search of the device under test 30, the CPU 200 starts the execution of the defect analysis application program stored in the ROM 201, and the device under test is measured. The defect search of the device 30 is started (step 304). When the defect search is started, first, the device under test 3 stored in the analysis data storage unit 203 is detected.
The defective data of 0 is searched (step 305), and the address of the defective cell (failed cell) is acquired (step 306).

【0028】次に検索エリアテーブルにおける不良セル
の該当アドレスにおいて指定されているパターン番号か
ら不良セル検索用パターンを取得し(ステップ30
7)、注目セルにおいて、不良セル検索用パターンと一
致したか否かを判定する。すなわち、フェイルとなって
いる不良セル、例えば、図4において、検索エリアテー
ブルにおけるX=1、Y=1のアドレスのセルの位置に
パターン3の不良セル検索用パターンの“t”の位置を
合わせて検索エリアテーブルに不良セル検索用パターン
を重ねることにより検索エリアテーブルにおけるパター
ン3を重ねた“f”の位置のすべてにフェイルとなって
いるセルが有るか否かにより注目セルにおいて不良セル
検索用パターンと一致したか否かを判定する(ステップ
308)。この場合は一致しないので、ステップ305
に処理が戻る。
Next, a defective cell search pattern is acquired from the pattern number designated at the address of the defective cell in the search area table (step 30).
7) It is determined whether or not the target cell matches the defective cell search pattern. That is, the defective cell that has failed, for example, the position of the cell at the address X = 1, Y = 1 in the search area table in FIG. The defective cell search pattern is overlaid on the search area table to search the defective cell for the defective cell depending on whether or not there is a fail cell at all the positions of "f" where pattern 3 is overlaid in the search area table. It is determined whether the pattern matches (step 308). In this case, since they do not match, step 305
The process returns to.

【0029】また、ステップ308で注目セルにおいて
不良セル検索用パターンと一致したと判定された場合に
は、そのパターンにおける“t”、“f”の位置に対応
して検索エリアテーブル上に位置する不良セルのアドレ
スを取得し、解析用データ記憶部203におけるそのア
ドレスにおけるセルの不良データを削除する。次いで、
検索エリアテーブルにおける全アドレスについて検索が
終了したか否かを判定し(ステップ310)、検索が終
了していない場合にはステップ305に処理が戻る。
If it is determined in step 308 that the target cell matches the defective cell search pattern, it is located on the search area table in correspondence with the positions of "t" and "f" in the pattern. The address of the defective cell is acquired, and the defective data of the cell at that address in the analysis data storage unit 203 is deleted. Then
It is determined whether the search has been completed for all addresses in the search area table (step 310). If the search has not been completed, the process returns to step 305.

【0030】一方、ステップ310で検索エリアテーブ
ルにおける全アドレスについて検索が終了した判定した
場合には全不良項目について検索が終了したか否かを判
定する(ステップ311)。ステップ311で全不良項
目について検索が終了していないと判定した場合には、
処理はステップ305に戻り、既述したのと同様の処理
を実行する。また、ステップ311で全不良項目につい
て検索を終了したとは判定した場合には故障検索を終了
する。
On the other hand, when it is determined in step 310 that the search has been completed for all addresses in the search area table, it is determined whether the search has been completed for all defective items (step 311). If it is determined in step 311 that the search has not been completed for all defective items,
The process returns to step 305 to execute the same process as described above. If it is determined in step 311 that the search has been completed for all defective items, the failure search is ended.

【0031】図5に実際の故障検索例を示す。図5
(A)は検索エリアテーブルの内容を、図5(B)は不
良セル検索用パターンのうちパターン1(図4に示した
ものと同一である)の内容を示している。同図におい
て、検索エリアテーブル上でフェイルしているビット
(セルの位置)をX方向で検索するとXが1、Yが1の
アドレスが検索される。この位置の故障検索は、図4の
例で説明したように、パターン3で行うが一致せず、検
索エリアテーブルにおける次のフェイル位置(アドレ
ス)を再度検索する。ここで、「フェイルしているセ
ル」(故障セル)とは、集積回路装置10により試験時
に書き込まれたデータと読み出されたデータとが一致し
なかったセルをいうものとする。
FIG. 5 shows an example of actual fault search. Figure 5
FIG. 5A shows the contents of the search area table, and FIG. 5B shows the contents of pattern 1 (the same as that shown in FIG. 4) of the defective cell search patterns. In the figure, when a failing bit (cell position) on the search area table is searched in the X direction, an address where X is 1 and Y is 1 is searched. As described in the example of FIG. 4, the failure search of this position is performed in the pattern 3, but they do not match, and the next fail position (address) in the search area table is searched again. Here, the “failed cell” (failed cell) is a cell in which the data written by the integrated circuit device 10 during the test and the data read out do not match.

【0032】さて、再度検索した際に、検索エリアテー
ブルにおける次のフェイルビットにおいては、Xが2、
Yが2のアドレスが検索され、このアドレスで指定され
た不良セル検索用パターンであるパターン1とフェイル
形状が合致するため、検索していた不良項目が一つ存在
したことになる。
When the search is performed again, X is 2 in the next fail bit in the search area table.
An address with Y = 2 is searched, and since the fail shape matches the pattern 1 which is the defective cell search pattern designated by this address, it means that there is one defective item being searched.

【0033】検索エリアテーブルにおける各アドレスに
おいて故障検索に使用される不良セル検索用パターンは
被測定デバイス30内部のセルの位置によって規則的に
変化している。図6に被測定デバイス30内部における
各検索エリアにおける各セルの故障検索に使用する不良
セル検索用パターンのパターン番号を示した4種類の検
索エリアテーブルの組み合わせの例を、また図7に各検
索エリアに使用する不良セル検索用パターンの組み合わ
せの例を示す。
The defective cell search pattern used for the failure search at each address in the search area table regularly changes depending on the position of the cell in the device under test 30. FIG. 6 shows an example of a combination of four types of search area tables showing the pattern numbers of the defective cell search patterns used for the failure search of each cell in each search area inside the device under test 30, and FIG. 7 shows each search. An example of the combination of the defective cell search patterns used for the areas will be shown.

【0034】被測定デバイス30内部は例えば、4つの
検索エリア(A,B,C,D)に区分けされAの検索エ
リアについて作成された検索エリアテーブルを基本とす
ると検索エリアBに使用する検索エリアテーブルは、検
索エリアAについて使用される検索エリアテーブルの内
容を水平反転した形式のテーブルが使用される。また、
検索エリアAに対して検索エリアCは、検索エリアAに
ついて使用される検索エリアテーブルの内容を垂直反転
した形式のテーブルを、検索エリアDについては、検索
エリアAについて使用される検索エリアテーブルの内容
を垂直反転後、さらに水平反転した形式のテーブルが使
用される。
The inside of the device under test 30 is divided into, for example, four search areas (A, B, C, D), and based on the search area table created for the search area A, the search area used for the search area B is used. As the table, a table in which the contents of the search area table used for the search area A are horizontally inverted is used. Also,
For the search area A, the search area C is a table in which the contents of the search area table used for the search area A are vertically inverted, and for the search area D, the contents of the search area table used for the search area A. After vertically flipping, a table in the form of horizontally flipping is used.

【0035】また、従来の被測定デバイスの不良解析方
法(または不良解析装置)では、検索エリアが異なるご
とに検索パターンを設定しなければならず、検索エリア
Aに一つの検索パターンが存在した場合は、検索エリア
B,C,D用に三種類の不良セル検索用パターンを作成
し、被測定デバイス30の故障検索を行っていた。本発
明の実施形態では、検索エリアB,C,D用の検索パタ
ーンを作成せず、検索エリアA用の不良セル検索用パタ
ーンを部品化して、3種類の反転方向を指定することで
検索条件を指定可能としている。
In the conventional failure analysis method (or failure analysis apparatus) for the device under test, a search pattern must be set for each different search area, and when one search pattern exists in the search area A. Created three types of defective cell search patterns for the search areas B, C, and D, and performed a failure search for the device under test 30. In the embodiment of the present invention, the search conditions for the search areas B, C, D are not created, but the defective cell search pattern for the search area A is made into a component and three types of inversion directions are designated. Can be specified.

【0036】基本となる検索エリアテーブル及び不良セ
ル検索用パターンを部品化し、各検索エリアにおいて、
使用する検索エリアテーブル及び不良セル検索用パター
ンを、基本となる検索エリアテーブル及び不良セル検索
用パターンに対する反転情報の内容を指定することによ
り特定するテーブルの内容を図8に示す。同図に示すよ
うに、検索エリアテーブル及び不良セル検索用パターン
検索エリアA用に作成するだけで、他の検索エリア全て
について対応することが可能となる。
The basic search area table and defective cell search pattern are made into parts, and in each search area,
FIG. 8 shows the contents of the table for specifying the search area table and the bad cell search pattern to be used by specifying the contents of the reverse information for the basic search area table and the bad cell search pattern. As shown in the figure, it is possible to deal with all other search areas only by creating the search area table and the bad cell search pattern search area A.

【0037】本実施形態では、被測定デバイスの不良セ
ルの検索に使用する複数種の不良セル検索用パターン
と、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアに
おける各セルのアドレスと各アドレスにより特定される
セルにおいて不良検索に使用される前記複数種の不良セ
ル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリア
テーブルとを部品化し、その部品化されたデータと反転
情報を用いることで検索情報を単純化させ一定の方法で
検索するようにしている。したがって、本実施形態によ
れば、検索条件の組み合わせを大幅に削減することがで
きるため被測定デバイスについてミスの少ない不良解析
を行うことができ、また検索形状を任意に指定できるた
め細かな解析を行うことが可能となる。
In the present embodiment, a plurality of types of defective cell search patterns used to search for defective cells of the device under test, the address of each cell in the search area for performing the defect search of the device under test, and each address are specified. A search area table showing a relationship with any of the plurality of types of defective cell search patterns used for defective search in a cell to be searched, and the search information is obtained by using the partized data and inversion information. I try to simplify and search in a certain way. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to significantly reduce the combination of search conditions, so that it is possible to perform defect analysis with few mistakes on the device under measurement. Further, since the search shape can be arbitrarily specified, detailed analysis can be performed. It becomes possible to do.

【0038】[0038]

【発明の効果】メモリデバイス等のIC内部の不良解析
は、40〜100種類の不良検索をおこなう。図8の不
良パターン検索の場合、従来の検索条件であれば12種
類の不良セル検索用パターンを記述しなければならない
が、本発明では、3種類と反転情報を条件として設定す
るだけで可能である。以上説明したように、本発明によ
れば、検索条件の組み合わせを大幅に削減することがで
きるため被測定デバイスについてミスの少ない不良解析
を行うことができ、また検索形状を任意に指定できるた
め細かな解析を行うことが可能となる。
EFFECTS OF THE INVENTION In the failure analysis inside an IC such as a memory device, 40 to 100 kinds of failure searches are performed. In the case of the defective pattern search of FIG. 8, 12 types of defective cell search patterns have to be described under the conventional search conditions, but in the present invention, it is possible to set only 3 types and inversion information as conditions. is there. As described above, according to the present invention, it is possible to significantly reduce the number of combinations of search conditions, so that it is possible to perform defect analysis with few mistakes on a device under test and to finely specify a search shape. It is possible to perform various analyzes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る被測定デバイスの不
良解析装置の構成を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a failure analysis apparatus for a device under test according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示した本発明の実施形態に係る被測定
デバイスの不良解析装置の処理内容を示すフローチャー
ト。
FIG. 2 is a flowchart showing the processing contents of the device under test failure analysis apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIG.

【図3】 図1に示した本発明の実施形態に係る被測定
デバイスの不良解析装置の処理内容を示すフローチャー
ト。
FIG. 3 is a flowchart showing the processing contents of a failure analysis apparatus for a device under test according to the embodiment of the present invention shown in FIG.

【図4】 被測定デバイスの不良検索を行う際に使用さ
れる検索エリアテーブルと不良セル検索用パターンの例
を示す説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a search area table and a defective cell search pattern used when performing a defect search of a device under test.

【図5】 実際の不良検索時に使用される検索エリアテ
ーブルと不良セル検索用パターンの一例を示す説明図。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a search area table and a defective cell search pattern used in actual defect search.

【図6】 被測定デバイス内部の各検索エリアにおける
各セルの故障検索に使用する不良セル検索用パターンの
パターン番号を示した4種類の検索エリアテーブルの組
合せ例を示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a combination example of four types of search area tables showing pattern numbers of defective cell search patterns used for failure search of each cell in each search area inside the device under test.

【図7】 各検索エリアに使用する不良セル検索用パタ
ーンの組み合わせの例を示す説明図。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of a combination of defective cell search patterns used in each search area.

【図8】 各検索エリアにおいて、使用する検索エリア
テーブル及び不良セル検索用パターンを、基本となる検
索エリアテーブル及び不良セル検索用パターンに対する
反転情報の内容を指定することにより特定するテーブル
の内容を示す説明図。
FIG. 8 shows the contents of a table for specifying a search area table and a bad cell search pattern to be used in each search area by designating the contents of reverse information for the basic search area table and the bad cell search pattern. FIG.

【図9】 従来の被測定デバイスの不良解析に使用され
る検索エリアテーブルと不良セル検索用パターンの例を
示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory view showing an example of a search area table and a defective cell search pattern used for conventional defect analysis of a device under test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…集積回路試験装置 20…被測定デバイスの不良解析装置 30…被測定デバイス 100…フェイルメモリ 200…CPU 201…ROM 202…RAM 203…解析用データ記憶部 204…I/Oインタフェース 205…入力操作部 10 ... Integrated circuit tester 20. Failure analysis device for device under test 30 ... Device to be measured 100 ... Fail memory 200 ... CPU 201 ... ROM 202 ... RAM 203 ... Data storage unit for analysis 204 ... I / O interface 205 ... Input operation unit

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路試験装置により被測定デバイス
の試験を行い、該試験により被測定デバイスの不良デー
タを取得すると共に、前記被測定デバイスの不良セルの
検索に使用する複数種の不良セル検索用パターンと、前
記被測定デバイスの不良検索を行う検索エリアにおける
各セルのアドレスと各アドレスにより特定されるセルに
おいて不良検索に使用される前記複数種の不良セル検索
用パターンのいずれかとの関係を示す検索エリアテーブ
ルとを前記被測定デバイスの不良項目毎に作成し、 前記被測定デバイスの不良解析時には、前記検索エリア
テーブルにおける各アドレスにおける不良セルのアドレ
スを前記試験により取得した不良データを参照して取得
し、記憶すると共に、前記検索エリアテーブルで注目セ
ルに対して指定された不良セル検索用パターンを前記検
索エリアテーブル上において該注目セルを基準にして重
ねて被測定デバイスにおける故障パターンが、前記指定
された不良セル検索用パターンに一致するか否かを前記
不良項目毎に検査することを特徴とする被測定デバイス
の不良解析方法。
1. A device under test is tested by an integrated circuit test apparatus, defective data of the device under test is acquired by the test, and a plurality of types of defective cell search used for searching for defective cells of the device under test are performed. Pattern and the address of each cell in the search area for performing a defect search of the device under test and one of the plurality of types of defective cell search patterns used for defect search in the cell specified by each address. A search area table shown is created for each defective item of the device under test, and at the time of failure analysis of the device under test, the address of the defective cell at each address in the search area table is referred to by the defective data acquired by the test. Acquired, stored, and specified for the cell of interest in the search area table. For each of the defective items, it is determined whether or not the failure pattern in the device under test is overlapped with the good cell search pattern on the search area table with reference to the cell of interest as a reference. A failure analysis method for a device under test characterized by inspecting.
【請求項2】 前記被測定デバイスの不良解析時に、前
記不良セル検索用パターン及び検索エリアテーブルを部
品化して使用することを特徴とする請求項1に記載の被
測定デバイスの不良解析方法。
2. The failure analysis method for a device under test according to claim 1, wherein the defect cell search pattern and the search area table are used as parts when the device under test is analyzed for defects.
【請求項3】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
テーブルを反転した形式で使用することを特徴とする請
求項1に記載の被測定デバイスの不良解析方法。
3. The device under test according to claim 1, wherein the defective cell search pattern and the search area table, which have been made into components, are used in an inverted form when the device under test is analyzed for defects. Failure analysis method.
【請求項4】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
テーブルを垂直反転した形式で使用することを特徴とす
る請求項1に記載の被測定デバイスの不良解析方法。
4. The device under test according to claim 1, wherein the defective cell search pattern and the search area table, which have been made into components, are used in a vertically inverted form when the device under test is analyzed for defects. Failure analysis method.
【請求項5】 前記被測定デバイスの不良解析時に、部
品化された前記不良セル検索用パターン及び検索エリア
テーブルを垂直反転後、水平反転した形式で使用するこ
とを特徴とする請求項1に記載の被測定デバイスの不良
解析方法。
5. The defective cell search pattern and search area table, which have been made into parts, are used after being vertically inverted and then horizontally inverted when the device under test is analyzed for defects. Of device under test for failure analysis.
【請求項6】 集積回路試験装置により被測定デバイス
の試験を行うことにより取得した被測定デバイスの不良
データに基づいて不良項目毎に作成された被測定デバイ
スの不良セルの検索に使用する複数種の不良セル検索用
パターンと、前記被測定デバイスの不良検索を行う検索
エリアにおける各セルのアドレスと各アドレスにより特
定されるセルにおいて不良検索に使用される前記複数種
の不良セル検索用パターンのいずれかとの関係を示す検
索エリアテーブルとが記憶されている第1の記憶手段
と、 被測定デバイスの不良解析を行うための不良解析用アプ
リケーションプログラムが格納されている第2の記憶手
段と、 前記第2の記憶手段に格納されている前記不良解析用ア
プリケーションプログラムを実行することにより前記被
測定デバイスの試験を行うことにより取得した被測定デ
バイスの不良データを取り込み、前記第1の記憶手段に
格納するととともに、前記被測定デバイスの不良解析時
には、前記検索エリアテーブルにおける各アドレスにお
ける不良セルのアドレスを前記試験により取得した不良
データを参照して取得し、記憶すると共に、前記検索エ
リアテーブルで注目セルに対して指定された不良セル検
索用パターンを前記検索エリアテーブル上において該注
目セルを基準にして重ねて被測定デバイスにおける故障
パターンが、前記指定された不良セル検索用パターンに
一致するか否かを前記不良項目毎に検査する処理手段
と、 を有することを特徴とする被測定デバイスの不良解析装
置。
6. A plurality of types used for searching a defective cell of a device under test created for each defective item based on defect data of the device under test acquired by performing a test of the device under test with an integrated circuit test apparatus. Of the defective cell search pattern, and the plurality of types of defective cell search patterns used for defect search in the address of each cell in the search area for performing the defect search of the device under test and the cell specified by each address A first storage unit that stores a search area table that indicates the relationship between the two; a second storage unit that stores a failure analysis application program for performing a failure analysis of the device under test; By executing the failure analysis application program stored in the second storage means. Address data of a defective cell at each address in the search area table at the time of defect analysis of the device to be measured. Is stored by referring to the defective data obtained by the test, and the defective cell search pattern specified for the target cell in the search area table is stored in the search area table based on the target cell. And a processing unit that inspects for each defective item whether or not the failure pattern in the device under test matches the specified defective cell search pattern. Analyzer.
【請求項7】 前記不良セル検索用パターン及び検索エ
リアテーブルは部品化されて前記第1の記憶手段に記憶
されており、 前記処理手段は、前記被測定デバイスの不良解析時に前
記部品化された不良セル検索用パターン及び検索エリア
テーブルを使用して被測定デバイスを検査することを特
徴とする請求項6に記載の被測定デバイスの不良試験装
置。
7. The defective cell search pattern and the search area table are made into parts and stored in the first storage means, and the processing means is made into the parts at the time of failure analysis of the device under test. 7. The device under test for testing a device under test according to claim 6, wherein the device under test is inspected by using a pattern for searching a defective cell and a search area table.
【請求項8】 前記処理手段は、前記被測定デバイスの
不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パターン
及び検索エリアテーブルを反転した形式で使用して被測
定デバイスを検査することを特徴とする請求項6に記載
の被測定デバイスの不良試験装置。
8. The processing means inspects the device under test by using the defective cell search pattern and the search area table, which have been made into parts, in an inverted form when the device under test is analyzed for defects. The defect test apparatus for a device under test according to claim 6.
【請求項9】 前記処理手段は、前記被測定デバイスの
不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パターン
及び検索エリアテーブルを垂直反転した形式で使用して
被測定デバイスを検査することを特徴とする請求項6に
記載の被測定デバイスの不良試験装置。
9. The processing means inspects the device under test by using the defective cell search pattern and the search area table, which have been made into parts, in a vertically inverted form at the time of failure analysis of the device under test. The defect test apparatus for a device under test according to claim 6.
【請求項10】 前記処理手段は、前記被測定デバイス
の不良解析時に前記部品化された不良セル検索用パター
ン及び検索エリアテーブルを垂直反転後、水平反転した
形式で使用して被測定デバイスを検査することを特徴と
する請求項6に記載の被測定デバイスの不良試験装置。
10. The processing means inspects the device under test by vertically inverting and then horizontally inverting the defective cell search pattern and the search area table, which have been made into parts, during the failure analysis of the device under test. The defect testing apparatus for a device under test according to claim 6, wherein:
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111983338A (en) * 2019-05-21 2020-11-24 仁宝电脑工业股份有限公司 Test method and test system

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