JP2003223701A - 目標応答波形を磁気ヘッド／ゾーン毎に設定した磁気ディスク装置 - Google Patents
目標応答波形を磁気ヘッド／ゾーン毎に設定した磁気ディスク装置Info
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- JP2003223701A JP2003223701A JP2002019340A JP2002019340A JP2003223701A JP 2003223701 A JP2003223701 A JP 2003223701A JP 2002019340 A JP2002019340 A JP 2002019340A JP 2002019340 A JP2002019340 A JP 2002019340A JP 2003223701 A JP2003223701 A JP 2003223701A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、このような特性バラツキに対
応して、各ヘッド／ゾーンで最適な目標応答波形（ター
ゲット）を設定する手段を提供することにある。 【解決手段】本発明では、装置を組立てた組立工程の後
の調整工程でのヘッド／ゾーン毎の記録再生パラメータ
学習において、複数のターゲットを準備し、トラック幅
方向で最も広い記録再生のオフトラックマージン（ＯＴ
Ｍ）を有するターゲットを選択し、このターゲットを装
置毎に各ヘッド／ゾーンに対応させて記憶することで実
現される。
応して、各ヘッド／ゾーンで最適な目標応答波形（ター
ゲット）を設定する手段を提供することにある。 【解決手段】本発明では、装置を組立てた組立工程の後
の調整工程でのヘッド／ゾーン毎の記録再生パラメータ
学習において、複数のターゲットを準備し、トラック幅
方向で最も広い記録再生のオフトラックマージン（ＯＴ
Ｍ）を有するターゲットを選択し、このターゲットを装
置毎に各ヘッド／ゾーンに対応させて記憶することで実
現される。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は、磁気ディスク装置
のヘッド毎及び半径方向のゾーン毎の信号処理の最適化
の方法に関する。
のヘッド毎及び半径方向のゾーン毎の信号処理の最適化
の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に、磁気ディスク装置の製造工程の
フローを示す。
フローを示す。
【０００３】ＨＤＡ１００とＰＣＢ２００からＨＤＤ３
００を組み立てる組立工程１７の後に、調整工程１８を
設けてサーボ制御や記録再生パラメータ等を調整し、試
験工程１９で欠陥検出やエージングを実施して出荷２０
される。
００を組み立てる組立工程１７の後に、調整工程１８を
設けてサーボ制御や記録再生パラメータ等を調整し、試
験工程１９で欠陥検出やエージングを実施して出荷２０
される。
【０００４】この際、調整工程１８の記録再生パラメー
タ学習では、記録時のビット毎の遅延補正、再生時の増
幅利得や波形等化特性をＨＤＤ毎に実施している。
タ学習では、記録時のビット毎の遅延補正、再生時の増
幅利得や波形等化特性をＨＤＤ毎に実施している。
【０００５】しかし、従来技術では装置毎に目標とする
応答波形（ターゲット）は変えてはいなかった。
応答波形（ターゲット）は変えてはいなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以下の理由
で、ＨＤＤ毎に目標とする応答波形（ターゲット）を微
妙に変える必要が生じた。例えば、一例として挙げれ
ば、ＥＥＰＲ４ＭＬならターゲットは１３３１、ＭＥＥ
ＰＲ４ＭＬなら２４３１や２３２１等である。
で、ＨＤＤ毎に目標とする応答波形（ターゲット）を微
妙に変える必要が生じた。例えば、一例として挙げれ
ば、ＥＥＰＲ４ＭＬならターゲットは１３３１、ＭＥＥ
ＰＲ４ＭＬなら２４３１や２３２１等である。
【０００７】近年のＨＤＤでは、装置の記録密度を高め
るために、磁気ヘッドには薄膜プロセスを用いた記録再
生素子を有する複合ヘッドが採用され、磁気ディスクに
は非常に薄い磁性膜が適用されている。また、ヘッドと
ディスク間の浮上量も十ｎｍ程度に狭小化している。
るために、磁気ヘッドには薄膜プロセスを用いた記録再
生素子を有する複合ヘッドが採用され、磁気ディスクに
は非常に薄い磁性膜が適用されている。また、ヘッドと
ディスク間の浮上量も十ｎｍ程度に狭小化している。
【０００８】更に具体的には、複合ヘッドの再生ヘッド
には、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドが採用され、磁界の検
出感度を上げるために磁気抵抗効果を有する薄膜素子を
研磨等で更に幅方向にも狭く機械加工して適用する。こ
のためヘッドの抵抗値や感度等の再生特性は、膜厚制御
プロセスのバラツキや加工バラツキで再生特性の変動が
増加する。
には、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドが採用され、磁界の検
出感度を上げるために磁気抵抗効果を有する薄膜素子を
研磨等で更に幅方向にも狭く機械加工して適用する。こ
のためヘッドの抵抗値や感度等の再生特性は、膜厚制御
プロセスのバラツキや加工バラツキで再生特性の変動が
増加する。
【０００９】記録ヘッドでも、再生ヘッドと同様に、薄
膜プロセスや加工技術のバラツキによって、記録時の磁
界強度にバラツキが増加する。
膜プロセスや加工技術のバラツキによって、記録時の磁
界強度にバラツキが増加する。
【００１０】また、磁気ディスクも磁性薄膜の膜厚制御
プロセスのバラツキや磁性粒子の粒径のバラツキ等で磁
気特性がバラツキが増加する。
プロセスのバラツキや磁性粒子の粒径のバラツキ等で磁
気特性がバラツキが増加する。
【００１１】更には、ヘッドの浮上量も絶対値が小さく
なり、小さなバラツキが記録再生特性のバラツキに影響
し易い。ヘッド間のバラツキは基より、同一ヘッドの内
外周での浮上のバラツキによっても特性のバラツキが増
加する。
なり、小さなバラツキが記録再生特性のバラツキに影響
し易い。ヘッド間のバラツキは基より、同一ヘッドの内
外周での浮上のバラツキによっても特性のバラツキが増
加する。
【００１２】これらのヘッド／ディスク特性、浮上量の
バラツキは、装置（ＨＤＤ）の高密度化によってより顕
在化し、再生時の応答波形がＨＤＤの機種で特定しにく
い。
バラツキは、装置（ＨＤＤ）の高密度化によってより顕
在化し、再生時の応答波形がＨＤＤの機種で特定しにく
い。
【００１３】このため、従来は固定していた目標応答波
形（ターゲット）を、ヘッドやディスクの半径方向の分
割領域（以下ゾーンと言う）毎に最適化する必要があ
る。
形（ターゲット）を、ヘッドやディスクの半径方向の分
割領域（以下ゾーンと言う）毎に最適化する必要があ
る。
【００１４】本発明の目的は、このような特性バラツキ
に対応して、各ヘッド／ゾーンで最適な目標応答波形
（ターゲット）を設定する手段を提供することにある。
に対応して、各ヘッド／ゾーンで最適な目標応答波形
（ターゲット）を設定する手段を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明では、装置を組立
てた組立工程の後の調整工程でのヘッド／ゾーン毎の記
録再生パラメータ学習において、複数のターゲットを準
備し、トラック幅方向で最も広い記録再生のオフトラッ
クマージン（ＯＴＭ）を有するターゲットを選択し、こ
のターゲットを装置毎に各ヘッド／ゾーンに対応させて
記憶することで実現される。
てた組立工程の後の調整工程でのヘッド／ゾーン毎の記
録再生パラメータ学習において、複数のターゲットを準
備し、トラック幅方向で最も広い記録再生のオフトラッ
クマージン（ＯＴＭ）を有するターゲットを選択し、こ
のターゲットを装置毎に各ヘッド／ゾーンに対応させて
記憶することで実現される。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する。
【００１７】本実施例では、１枚ディスク、２本ヘッド
（Ｈ０／Ｈ１）の装置で、４つのターゲット（ＴＡＲＧ
ＥＴ０〜ＴＡＲＧＥＴ３）から最適なターゲットの選定
を各ヘッド／ゾーンで実施する。
（Ｈ０／Ｈ１）の装置で、４つのターゲット（ＴＡＲＧ
ＥＴ０〜ＴＡＲＧＥＴ３）から最適なターゲットの選定
を各ヘッド／ゾーンで実施する。
【００１８】図３に磁気ディスク装置（ＨＤＤ）３００
の構成図を、図４にブロック図を示す。
の構成図を、図４にブロック図を示す。
【００１９】ＨＤＤ３００は、主に機構系からなるヘッ
ドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１００と、主に回路系
からなるパッケージ基板（ＰＣＢ）２００とから構成さ
れる。
ドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１００と、主に回路系
からなるパッケージ基板（ＰＣＢ）２００とから構成さ
れる。
【００２０】ＨＤＡ１００は、筐体（ベース）８にスピ
ンドル５を介して組み込まれた磁気ディスク２と、ボイ
スコイルモータ（ＶＣＭ）７で駆動されるアクチュエー
タ４に接続されたサスペンション３の先端に採り付けた
ＭＲ素子で構成された磁気ヘッド１と、磁気ヘッド１を
電気的に駆動するリードライトＩＣ（Ｒ／ＷＩＣ）１１
が搭載されたフレキシブルプリントケーブル（ＦＰＣ）
６とから構成される。
ンドル５を介して組み込まれた磁気ディスク２と、ボイ
スコイルモータ（ＶＣＭ）７で駆動されるアクチュエー
タ４に接続されたサスペンション３の先端に採り付けた
ＭＲ素子で構成された磁気ヘッド１と、磁気ヘッド１を
電気的に駆動するリードライトＩＣ（Ｒ／ＷＩＣ）１１
が搭載されたフレキシブルプリントケーブル（ＦＰＣ）
６とから構成される。
【００２１】電源コネクタ９から供給される電源１６に
より磁気ディスク２を一定回転数で回しながら、アクチ
ュエータ４で磁気ヘッド１を移動する。磁気ヘッド１で
再生されたサーボ信号領域１３の信号は、Ｒ／ＷＩＣ１
１で増幅してからＰＣＢ２００のＲｅａｄ Ｃｈａｎｎ
ｅｌ ＩＣ（ＲＤＣ）３８のサーボ復調回路でサーボ復
調する。この復調結果に基づいてマイクロプロセッサ
（ＭＰＵ）３４が磁気ヘッド１の位置を認識し、ＤＳＰ
３３を制御する。ＤＳＰ３３は、この制御に基づいて、
スピンドル５の回転をコンボドライバ（ＣＯＭＢ）３９
を介して精密に制御すると共に、アクチュエータ４のＶ
ＣＭ７の電流を制御して、シーク動作やフォロイング動
作を実施する。
より磁気ディスク２を一定回転数で回しながら、アクチ
ュエータ４で磁気ヘッド１を移動する。磁気ヘッド１で
再生されたサーボ信号領域１３の信号は、Ｒ／ＷＩＣ１
１で増幅してからＰＣＢ２００のＲｅａｄ Ｃｈａｎｎ
ｅｌ ＩＣ（ＲＤＣ）３８のサーボ復調回路でサーボ復
調する。この復調結果に基づいてマイクロプロセッサ
（ＭＰＵ）３４が磁気ヘッド１の位置を認識し、ＤＳＰ
３３を制御する。ＤＳＰ３３は、この制御に基づいて、
スピンドル５の回転をコンボドライバ（ＣＯＭＢ）３９
を介して精密に制御すると共に、アクチュエータ４のＶ
ＣＭ７の電流を制御して、シーク動作やフォロイング動
作を実施する。
【００２２】インタフェースコネクタ１０を経由して入
ってくる外部からの制御によってデータ１５を記録する
時には、データ１５と同じくインタフェースコネクタ１
０を経由して入力された制御信号１４をＭＰＵ３４が解
読し、ＨＤＣ３２がＢＲＡＭ３７（データ１５がバッフ
ァリングされている）のデータを受け取り、これを処理
してＲＤＣ３８に入力する。ＲＤＣ３８では、変調され
たシリアルデータ列が記録補正処理でビット毎の遅延補
正されて、Ｒ／ＷＩＣ１１の記録ドライバ部に入力さ
れ、磁気ヘッド１で磁気ディスク２上に記録される。
ってくる外部からの制御によってデータ１５を記録する
時には、データ１５と同じくインタフェースコネクタ１
０を経由して入力された制御信号１４をＭＰＵ３４が解
読し、ＨＤＣ３２がＢＲＡＭ３７（データ１５がバッフ
ァリングされている）のデータを受け取り、これを処理
してＲＤＣ３８に入力する。ＲＤＣ３８では、変調され
たシリアルデータ列が記録補正処理でビット毎の遅延補
正されて、Ｒ／ＷＩＣ１１の記録ドライバ部に入力さ
れ、磁気ヘッド１で磁気ディスク２上に記録される。
【００２３】再生時には、磁気ヘッド１の再生信号をＲ
／ＷＩＣ１１で増幅し、この出力がＲＤＣ３８に入力さ
れる。増幅利得や波形等化特性を調整して目標とする応
答波形（ＴＡＲＧＥＴ）に等化してデータ復調し、ＨＤ
Ｃ３２を介してエラー訂正等の処理をした上でバッファ
メモリ（ＢＲＡＭ）３７に記録し、インタフェースコネ
クタ１０を経由して外部に出力する。
／ＷＩＣ１１で増幅し、この出力がＲＤＣ３８に入力さ
れる。増幅利得や波形等化特性を調整して目標とする応
答波形（ＴＡＲＧＥＴ）に等化してデータ復調し、ＨＤ
Ｃ３２を介してエラー訂正等の処理をした上でバッファ
メモリ（ＢＲＡＭ）３７に記録し、インタフェースコネ
クタ１０を経由して外部に出力する。
【００２４】これらのサーボ及び記録再生の制御シーケ
ンス等はＦＲＯＭ３１に記憶されている。
ンス等はＦＲＯＭ３１に記憶されている。
【００２５】次に記録再生動作を簡単に説明する。
【００２６】磁気ディスク２は、半径方向に１２のゾー
ン（Ｚ０〜Ｚ１１）に分割され、各ゾーンの内周側の記
録密度が各ゾーンでほぼ同じになるように割り当てられ
る。各ゾーンは数百〜数千のトラックで構成され、各ト
ラックには、数百のデータセクタが記録される。また、
１つのデータセクタには、概ね５１２Ｂｙｔｅｓのユー
ザデータが記録される。
ン（Ｚ０〜Ｚ１１）に分割され、各ゾーンの内周側の記
録密度が各ゾーンでほぼ同じになるように割り当てられ
る。各ゾーンは数百〜数千のトラックで構成され、各ト
ラックには、数百のデータセクタが記録される。また、
１つのデータセクタには、概ね５１２Ｂｙｔｅｓのユー
ザデータが記録される。
【００２７】記録再生可能な領域に磁気ヘッド１が位置
決めできると、ＨＤＣ３２が記録再生制御をＲＤＣ３８
やＲ／ＷＩＣ１１に指示する。記録時には、データ１５
を取り込んだＢＲＡＭ３７の値をＨＤＣ３２を介して、
エラー訂正コード（ＥＣＣ）等を付加し、ＲＤＣ３８と
Ｒ／ＷＩＣ１１を介して磁気ヘッド１に記録電流を供給
して磁気ディスク２の所定の領域に記録する。再生時に
は、所定の位置にある磁気ヘッド１から読み出された磁
化信号をＲＤＣ３８がデジタルデータに復調する。更に
ＨＤＣ３２でエラーを訂正／チェックして、そのデータ
をＢＲＡＭ３７に記録し、制御信号１４を介して上位に
再生できたことを報告する。
決めできると、ＨＤＣ３２が記録再生制御をＲＤＣ３８
やＲ／ＷＩＣ１１に指示する。記録時には、データ１５
を取り込んだＢＲＡＭ３７の値をＨＤＣ３２を介して、
エラー訂正コード（ＥＣＣ）等を付加し、ＲＤＣ３８と
Ｒ／ＷＩＣ１１を介して磁気ヘッド１に記録電流を供給
して磁気ディスク２の所定の領域に記録する。再生時に
は、所定の位置にある磁気ヘッド１から読み出された磁
化信号をＲＤＣ３８がデジタルデータに復調する。更に
ＨＤＣ３２でエラーを訂正／チェックして、そのデータ
をＢＲＡＭ３７に記録し、制御信号１４を介して上位に
再生できたことを報告する。
【００２８】ＦＲＯＭ３１には、サーボ及び記録再生の
制御シーケンスや、記録再生パラメータ等を記録する。
制御シーケンスや、記録再生パラメータ等を記録する。
【００２９】ここで、図１を用いて、ＲＤＣ３８の詳細
な動作を説明する。
な動作を説明する。
【００３０】記録時には、ＨＤＣ３２からのデータ１５
がＩ／Ｆ３０を介してスクランブラ（ＳＣ）４１に入力
され、この出力は変調器（エンコーダ：ＥＮＣ）４２で
コード化及びパリティービットが付加され、パラレル／
シリアル変換器（Ｐ／Ｓ）４３でシリアルに変換され
る。更に、プリコーダ（ＰＲＣ）４４を介した後に記録
補正回路（ライトプリコンペ：ＷＰＣ）４５でシリアル
ビット列に応じたビット位置の遅延補正（ＤＥＬＡＹ）
５１を実施する。更に擬似ＥＣＬドライバ（ＰＥＣＬ）
４６で差動シリアルデータ列に変換して出力され、Ｒ／
ＷＩＣ１１の記録ドライバに入力される。
がＩ／Ｆ３０を介してスクランブラ（ＳＣ）４１に入力
され、この出力は変調器（エンコーダ：ＥＮＣ）４２で
コード化及びパリティービットが付加され、パラレル／
シリアル変換器（Ｐ／Ｓ）４３でシリアルに変換され
る。更に、プリコーダ（ＰＲＣ）４４を介した後に記録
補正回路（ライトプリコンペ：ＷＰＣ）４５でシリアル
ビット列に応じたビット位置の遅延補正（ＤＥＬＡＹ）
５１を実施する。更に擬似ＥＣＬドライバ（ＰＥＣＬ）
４６で差動シリアルデータ列に変換して出力され、Ｒ／
ＷＩＣ１１の記録ドライバに入力される。
【００３１】再生時には、Ｒ／ＷＩＣ１１のプリアンプ
出力がＲＤＣ３８の可変利得増幅器（ＶＧＡ）２１に入
力されて適切な利得（ＧＡＩＮ）４７で増幅され、アク
ティブフィルタ（ＡＦ）２２のカットオフ周波数（Ｆ
Ｃ）４８／ブースト（ＢＯＯＳＴ）５１の等化特性で粗
等化される。更に、Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）２３でディ
ジタル化された後で適応等化器（ＡＥＱ）２４の係数値
列（ＣＯＥＦ）５０によって、目標とする応答波形（Ｔ
ＡＲＧＥＴ）４９に精密等化される。この等化された信
号は、最尤復号器（ＭＬＤ）２５で識別されると共に、
予め記録時に数Ｂｙｔｅｓ単位で付加したパリティー信
号のＭＬＤ復号結果から、パリティー訂正器（ＰＣ）２
６で誤り訂正を経て復調出力される。復調されたシリア
ルｂｉｔ列は、シリアル／パラレル変換器（Ｓ／Ｐ）２
７でパラレルに変換され（パリティーも除去）、復調器
（デコーダ：ＤＥＣ）２８でデコードされる。更に、デ
スクランブラ（ＤＥＳＣ）２９でデータに復元され、イ
ンターフェイス（Ｉ／Ｆ）３０からコントローラ（ＨＤ
Ｃ）３２に出力される。ここで、ＡＥＱ２４の目標応答
波形（ターゲット：ＴＡＲＧＥＴ）４９とＭＬＤ２５の
設定は１対１に対応しており、幾つかのターゲットに切
り換えが可能である。
出力がＲＤＣ３８の可変利得増幅器（ＶＧＡ）２１に入
力されて適切な利得（ＧＡＩＮ）４７で増幅され、アク
ティブフィルタ（ＡＦ）２２のカットオフ周波数（Ｆ
Ｃ）４８／ブースト（ＢＯＯＳＴ）５１の等化特性で粗
等化される。更に、Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）２３でディ
ジタル化された後で適応等化器（ＡＥＱ）２４の係数値
列（ＣＯＥＦ）５０によって、目標とする応答波形（Ｔ
ＡＲＧＥＴ）４９に精密等化される。この等化された信
号は、最尤復号器（ＭＬＤ）２５で識別されると共に、
予め記録時に数Ｂｙｔｅｓ単位で付加したパリティー信
号のＭＬＤ復号結果から、パリティー訂正器（ＰＣ）２
６で誤り訂正を経て復調出力される。復調されたシリア
ルｂｉｔ列は、シリアル／パラレル変換器（Ｓ／Ｐ）２
７でパラレルに変換され（パリティーも除去）、復調器
（デコーダ：ＤＥＣ）２８でデコードされる。更に、デ
スクランブラ（ＤＥＳＣ）２９でデータに復元され、イ
ンターフェイス（Ｉ／Ｆ）３０からコントローラ（ＨＤ
Ｃ）３２に出力される。ここで、ＡＥＱ２４の目標応答
波形（ターゲット：ＴＡＲＧＥＴ）４９とＭＬＤ２５の
設定は１対１に対応しており、幾つかのターゲットに切
り換えが可能である。
【００３２】本実施例の調整工程における記録再生パラ
メータ学習フローを図２に示す。
メータ学習フローを図２に示す。
【００３３】記録再生パラメータ学習フローでは、調整
するヘッド（Ｈｉ）／ゾーン（Ｚｋ）の最内周側の学習
トラックに位置決めする（６１）。
するヘッド（Ｈｉ）／ゾーン（Ｚｋ）の最内周側の学習
トラックに位置決めする（６１）。
【００３４】次に、予めｍ種のターゲット選択候補
（（ＴＡＲＧＥＴ０〜ＴＡＲＧＥＴｍ−１）を記憶した
のターゲットテーブル（７３）からＴＡＲＧＥＴ０をデ
フォルトとして選択する（６２）。
（（ＴＡＲＧＥＴ０〜ＴＡＲＧＥＴｍ−１）を記憶した
のターゲットテーブル（７３）からＴＡＲＧＥＴ０をデ
フォルトとして選択する（６２）。
【００３５】このデフォルトのターゲット（ＴＡＲＧＥ
Ｔ０）で、記録再生しながら、最適なＷＰＣの遅延補正
（ＤＥＬＡＹｉｋ）、ＡＦのカットオフ周波数／ブース
ト量（ＦＣｉｋ／ＢＯＯＳＴｉｋ）とを決める（６
３）。この際、再生時はＶＧＡとＡＥＱは、再生波形に
適応させる。
Ｔ０）で、記録再生しながら、最適なＷＰＣの遅延補正
（ＤＥＬＡＹｉｋ）、ＡＦのカットオフ周波数／ブース
ト量（ＦＣｉｋ／ＢＯＯＳＴｉｋ）とを決める（６
３）。この際、再生時はＶＧＡとＡＥＱは、再生波形に
適応させる。
【００３６】次に、ＷＰＣのＤＥＬＡＹｉｋを用いて、
パラメータ学習に使用する学習トラックに、数十〜数百
セクタ分を記録し（６４）、ｎ＝０とする（６５）。
パラメータ学習に使用する学習トラックに、数十〜数百
セクタ分を記録し（６４）、ｎ＝０とする（６５）。
【００３７】ターゲットテーブル（７３）から、ＴＡＲ
ＧＥＴｎを選択する（６６）。
ＧＥＴｎを選択する（６６）。
【００３８】次に、ＶＧＡとＡＥＱとを適応させて再生
しながら、オフトラックマージン（ＯＴＭｎ）を測定
し、これを記憶する（６７）。ここで、オフトラックマ
ージン（ＯＴＭｎ：ｎ＝０〜３）は、学習トラックの中
心から両側方向にずらした時に、ＨＤＣ３２で訂正可能
なオフトラック量の幅である。
しながら、オフトラックマージン（ＯＴＭｎ）を測定
し、これを記憶する（６７）。ここで、オフトラックマ
ージン（ＯＴＭｎ：ｎ＝０〜３）は、学習トラックの中
心から両側方向にずらした時に、ＨＤＣ３２で訂正可能
なオフトラック量の幅である。
【００３９】次に、ｎ＝ｍ−１かをチェックし（６
８）、偽（Ｎ）ならｎ＝ｎ＋１として（６９）、６６に
戻り、ＴＡＲＧＥＴｎについてＯＴＭｎの測定を継続す
る。真（Ｙ）なら、次ステップのＴＡＲＧＥＴｏの選定
に移る。
８）、偽（Ｎ）ならｎ＝ｎ＋１として（６９）、６６に
戻り、ＴＡＲＧＥＴｎについてＯＴＭｎの測定を継続す
る。真（Ｙ）なら、次ステップのＴＡＲＧＥＴｏの選定
に移る。
【００４０】ＴＡＲＧＥＴ選定では、記憶したＯＴＭ０
〜ＯＴＭｍ−１の中で最大なＯＴＭｏをサーチし、この
時のＴＡＲＧＥＴｏを選定する（７０）。
〜ＯＴＭｍ−１の中で最大なＯＴＭｏをサーチし、この
時のＴＡＲＧＥＴｏを選定する（７０）。
【００４１】ＴＡＲＧＥＴｏでオントラックで適応動作
させて、ＧＡＩＮｉｋとＣＯＥＦｉｋを求める（７
１）。
させて、ＧＡＩＮｉｋとＣＯＥＦｉｋを求める（７
１）。
【００４２】即ち、このヘッド／ゾーン（Ｈｉ／Ｚｋ）
での記録再生パラメータは、ＷＰＣの遅延補正ＤＥＬＡ
ＹがＤＥＬＡＹｉｋ、ＡＦのカットオフ周波数ＦＣがＦ
Ｃｉｋ、ＡＦのブースト量ＢＯＯＳＴがＢＯＯＳＴｉ
ｋ、ＶＧＡの利得ＧＡＩＮがＧＡＩＮｉｋ、ＡＥＱの係
数値列ＣＯＥＦがＣＯＥＦｉｋ、ＴＡＲＧＥＴがＴＡＲ
ＧＥＴｏとなる。
での記録再生パラメータは、ＷＰＣの遅延補正ＤＥＬＡ
ＹがＤＥＬＡＹｉｋ、ＡＦのカットオフ周波数ＦＣがＦ
Ｃｉｋ、ＡＦのブースト量ＢＯＯＳＴがＢＯＯＳＴｉ
ｋ、ＶＧＡの利得ＧＡＩＮがＧＡＩＮｉｋ、ＡＥＱの係
数値列ＣＯＥＦがＣＯＥＦｉｋ、ＴＡＲＧＥＴがＴＡＲ
ＧＥＴｏとなる。
【００４３】このようにして、Ｈ０／Ｚ１…Ｈ０／Ｚ１
１、…Ｈ１／Ｚ１１が求められ、最もオフトラックマー
ジン（ＯＴＭ）が広くなる目標応答波形（ターゲット）
が、各ヘッド／ゾーン毎に選定できる。
１、…Ｈ１／Ｚ１１が求められ、最もオフトラックマー
ジン（ＯＴＭ）が広くなる目標応答波形（ターゲット）
が、各ヘッド／ゾーン毎に選定できる。
【００４４】本学習によるターゲットの選定によれば、
ＯＴＭがトラックピッチの約６％向上した。
ＯＴＭがトラックピッチの約６％向上した。
【００４５】尚、本実施例では学習トラックの両側の隣
接トラックの情報について言及しなかったが、各ゾーン
で数トラック程度外周側のトラックを学習トラックに設
定し、予め適当に学習トラック方向にオフトラックさせ
て記録させておいても良い。これによって、隣接トラッ
クから攻め込まれた時にＯＴＭが最大となるターゲット
が選定できる。
接トラックの情報について言及しなかったが、各ゾーン
で数トラック程度外周側のトラックを学習トラックに設
定し、予め適当に学習トラック方向にオフトラックさせ
て記録させておいても良い。これによって、隣接トラッ
クから攻め込まれた時にＯＴＭが最大となるターゲット
が選定できる。
【００４６】また、本実施例では、ＤＥＬＡＹとＦＣ／
ＢＯＯＳＴをデフォルトのターゲットで決めたが、全タ
ーゲットでこれらも学習して、ＯＴＭｏのサーチ後のタ
ーゲットに合わせてこれらも選定して良い。
ＢＯＯＳＴをデフォルトのターゲットで決めたが、全タ
ーゲットでこれらも学習して、ＯＴＭｏのサーチ後のタ
ーゲットに合わせてこれらも選定して良い。
【００４７】更には、磁気ヘッドの特性や浮上量の絶対
値のバラツキが磁気ディスクのバラツキに対して相対的
に大きい場合は、磁気ヘッド毎のみにターゲットを変え
ても良い。
値のバラツキが磁気ディスクのバラツキに対して相対的
に大きい場合は、磁気ヘッド毎のみにターゲットを変え
ても良い。
【００４８】また、磁気ディスクの特性やヘッド浮上量
の内外周でのバラツキが磁気ヘッドのバラツキに対して
相対的に大きい場合は、記録ゾーン毎のみにターゲット
を変えても良い。
の内外周でのバラツキが磁気ヘッドのバラツキに対して
相対的に大きい場合は、記録ゾーン毎のみにターゲット
を変えても良い。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、高密度に記録再生する
磁気ディスク装置において、ヘッド／ディスクの特性や
ヘッドの浮上バラツキに対応して、各ヘッド／ゾーンで
オフトラックマージンが最大となる目標応答波形（ター
ゲット）を設定できる。
磁気ディスク装置において、ヘッド／ディスクの特性や
ヘッドの浮上バラツキに対応して、各ヘッド／ゾーンで
オフトラックマージンが最大となる目標応答波形（ター
ゲット）を設定できる。
【図１】リードチャネルＩＣの構成を示す図である。
【図２】ヘッド／ゾーンの記録再生パラメータの学習シ
ーケンスを示すフロー図である。
ーケンスを示すフロー図である。
【図３】ヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）の構成を
示す図である。
示す図である。
【図４】ＨＤＡのブロック図を説明する図である。
【図５】従来技術の組立工程から試験工程の概略を説明
するフロー図である。
するフロー図である。
１：磁気ヘッド、２：磁気ディスク、３：サスペンショ
ン、４：アクチュエータ、５：スピンドル、７：ボイス
コイルモータ（ＶＣＭ）、８：筐体（ベース）、１１：
リード／ライトドライバ（Ｒ／ＷＩＣ）、１２：モー
タ、１３：サーボ信号領域、２０：ＦＲＯＭ、２４：適
応等化器（ＡＥＱ）、２５：最尤複合器（ＭＬＤ）、３
２：ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、３３：Ｄ
ＳＰ、３４：マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、３７：Ｂ
ＲＡＭ、３８：リードチャネルＩＣ（ＲＤＣ）、４９：
ＴＡＲＧＥＴ、１００：ヘッドディスクアセンブリ（Ｈ
ＤＡ）、２００：パッケージボード（ＰＣＢ）、３０
０：磁気ディスク装置（ＨＤＤ）、
ン、４：アクチュエータ、５：スピンドル、７：ボイス
コイルモータ（ＶＣＭ）、８：筐体（ベース）、１１：
リード／ライトドライバ（Ｒ／ＷＩＣ）、１２：モー
タ、１３：サーボ信号領域、２０：ＦＲＯＭ、２４：適
応等化器（ＡＥＱ）、２５：最尤複合器（ＭＬＤ）、３
２：ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、３３：Ｄ
ＳＰ、３４：マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、３７：Ｂ
ＲＡＭ、３８：リードチャネルＩＣ（ＲＤＣ）、４９：
ＴＡＲＧＥＴ、１００：ヘッドディスクアセンブリ（Ｈ
ＤＡ）、２００：パッケージボード（ＰＣＢ）、３０
０：磁気ディスク装置（ＨＤＤ）、
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フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 祐史
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会
社日立製作所ストレージ事業部内
(72)発明者 桑村 信博
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会
社日立製作所ストレージ事業部内
Ｆターム(参考） 5D031 AA04 EE08 FF10 HH01 HH15
5D044 BC01 CC05 GK12 GK18
Claims (5)
- 【請求項１】磁気ヘッド毎に再生信号処理の目標応答波
形を記憶する目標応答記憶手段を備えた磁気ディスク装
置。 - 【請求項２】磁気ディスクの半径方向の記録再生領域
で、再生信号処理の目標応答波形を記憶する目標応答記
憶手段を備えた磁気ディスク装置。 - 【請求項３】磁気ヘッドと磁気ディスクの半径方向の記
録再生領域とで、再生信号処理の目標応答波形を記憶す
る目標応答記憶手段を備えた磁気ディスク装置。 - 【請求項４】目標応答波形を設定する再生信号処理手段
と、磁気ヘッド及び磁気ディスクの半径方向の記録再生
領域とで前記再生信号処理手段の目標応答波形を記憶す
る目標応答記憶手段と、磁気ヘッドの切り換え及び磁気
ディスクの半径方向の記録再生領域切り換え時に前記目
標応答記憶手段を参照して前記再生信号処理手段の目標
応答波形を設定する目標応答設定手段とを備えた磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項５】磁気ディスク装置の調整工程の記録再生パ
ラメータ学習手段において、複数の目標応答波形を保有
した目標応答波形テーブルからトラック幅方向で最も広
い記録再生のオフトラックマージンを有する目標応答波
形を選定する目標応答波形選定手段を備え、この目標応
答波形選定手段で磁気ヘッド或いは磁気ディスクの半径
方向の記録再生領域毎に目標応答波形を選定し、この選
定した目標応答波形を記憶する磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002019340A JP2003223701A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 目標応答波形を磁気ヘッド／ゾーン毎に設定した磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002019340A JP2003223701A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 目標応答波形を磁気ヘッド／ゾーン毎に設定した磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003223701A true JP2003223701A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27743234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002019340A Pending JP2003223701A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 目標応答波形を磁気ヘッド／ゾーン毎に設定した磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003223701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005216476A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | データ保存システムでの自動データアップデート方法及びそれを利用したディスクドライブ |
| WO2008149411A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Fujitsu Limited | 記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラム |
-
2002
- 2002-01-29 JP JP2002019340A patent/JP2003223701A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005216476A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | データ保存システムでの自動データアップデート方法及びそれを利用したディスクドライブ |
| JP4733400B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-07-27 | 三星電子株式会社 | データ保存システムでの自動データアップデート方法及びそれを利用したディスクドライブ |
| WO2008149411A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Fujitsu Limited | 記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラム |
| JPWO2008149411A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2010-08-19 | 東芝ストレージデバイス株式会社 | 記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラム |
| JP4656594B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2011-03-23 | 東芝ストレージデバイス株式会社 | 記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラム |
| US8000046B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-08-16 | Toshiba Storage Device Corporation | Storage device, processor or storage device, and computer program product for providing parameter adjustment during read/write operations |
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