JP4656594B2 - 記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラム - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク媒体に対しデータをライト又はリードする際に設定するパラメータを最適化する記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラムに関し、特に、磁気ディスク媒体にデータをライトした後にリードしながらパラメータを最適化する記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラムに関する。

従来の磁気ディスク装置においては、磁気ディスクに対しデータをライトする際には、ホストから受信したライトデータをハードディスクコントローラで所定のデータ形式に変換すると共にＥＣＣ符号化処理によりＥＣＣ符号を付加し、リードチャネルにおけるライト変調系でスクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償を行った後、ライトアンプからヘッドＩＣを介して選択したヘッドの書込素子から磁気ディスクに書き込んでいる。

また磁気ディスクからデータをリードする際には、ヘッドＩＣのヘッドセレクトで選択されたヘッドの読出素子から読み出された読出信号をプリアンプで増幅した後に、リードチャネルのリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータを復調してＲＬＬ逆符号変換、デスクランブルを行った後、ハードディスクコントローラでＥＣＣ復号処理を行ってエラーを訂正し、リードデータをホストに転送している。

このようなライト、リードの際に必要となるのが、ヘッドや磁気ディスクの特性に応じたライト系及びリード系のパラメータである。このため磁気ディスク装置の製造後の試験工程で、ライト系及びリード系のパラメータをへッドと媒体の特性に応じた最適パラメータとなるように調整している。

このようなライト系とリード系のパラメータ調整は、ヘッド毎に行われ、更に、磁気ディスクの半径方向に分割されたゾーン毎に行っている。即ち、調整したいヘッドと磁気ディスクのゾーンを選択し、選択したゾーン内について予め定めたトラックのセクタ位置を調整箇所としてデータをライトリードしながら、その信号品質（マージン）が最も良くなるようにパラメータを調整して最適化している。

特開平５−１４２３１７号公報 特開平１０−９１９０８号公報

しかしながら、このような従来のパラメータ調整にあっては、ヘッド選択に対応した磁気ディスクについて選択したゾーン内の予め定めたトラックのセクタ位置を固定的な調整箇所としてデータをライトした後にリードしてパラメータを最適化していたため、磁気ディスクによってはパラメータを最適化できず、調整後のライトリードの際に最悪の場合にはリカバリー不能な媒体欠陥エラー（デフェクトエラー）が発生し、交代処理に伴いライトリード性能が低下するという問題がある。

このようにパラメータを最適化しても発生するエラーは、磁気ディスクの製造過程で生じた媒体品質に原因がある。通常、磁気ディスクはその製造工程で媒体自体に不均一性が生じており、媒体を均一にする試みはされているものの、それには限界がある。また、磁気ディスクの記録密度が高くなることで、媒体の不均一性は無視出来なくなってきているのが現状である。

このように製造過程で生じた磁気ディスクの不均一性は、磁気ディスク媒体の保磁力の面内ムラとなって見えてくる。

しかしながら、磁気ディスクの面内保磁力にばらつきがあるような場合であって、決まった場所でデータをライトした後にリードして最も高い信号品質が得られるようにパラメータを調整しているだけであり、保磁力のばらつきを考慮したパラメータ調整は行われていない。

このため磁気ディスクの面内保磁力のばらつきが大きい場合には、仮に面内保磁力の低いセクタ位置を調整箇所としてパラメータを調整した場合、面内保磁力の高い場所では書き込み能力が足りず、最悪な場合は、媒体欠陥によるアンリカバードエラーを招くといった現象が生じている。

本発明は、ディスク媒体の面内保磁力のばらつきによる高低を判断して媒体全域で最適化されたライトとリードのためのパラメータに調整可能とする記憶装置、記憶装置のプロセッサ及びプログラムを提供することを目的とする。

（装置）
本発明は記憶装置を提供する。本発明の記憶装置は、
ヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッドアクチュエータと、
ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードするライトリード部と、
ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択する調整領域選択部と、
選択したパラメータ調整領域を使用してライトリード部によるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを調整するパラメータ調整部と、
を備えたことを特徴とする。

ここで、調整領域選択部は、更に、ディスク媒体を半径方向の複数ゾーンに分割し、各ゾーン毎にパラメータ調整領域を選択する。

調整領域選択部は、信号品質としてライトリード部のビタビ・メトリック・マージン（ＶＴＭ）又はエラレートを測定する。

調整領域選択部は、各領域毎に信号品質を比較し、信号品質が最悪となる領域をパラメータ調整領域に選択する。

調整領域選択部は、各領域毎に予め定めた複数セクタの信号品質を測定し、測定した複数信号品質の平均値を算出して比較する。

調整領域選択部は、各領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、ライトリード部で使用するライト系パラメータを変更して記信号品質を測定する。

調整領域選択部は、ライト系パラメータとして、ヘッドに流すライト電流と、ライトヘッドに流すライト電流の立上り部分のオーバーシュート量を、ライト性能を低下させる方向に変更して信号品質を測定する。

調整領域選択部は、各領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、ライトリード部で使用するリード系パラメータを変更して信号品質を測定する。

調整領域選択部は、リード系パラメータとして、ヘッド読取信号を抽出するフィルタのカットオフ周波数と、ヘッド読取信号の高域周波数成分を強調するブート値を、リード性能を低下させる方向に変更して信号品質を測定する。

調整領域選択部は、各領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、テストデータのデータパターンを、ライトリード性能を低下させる方向に変更して信号品質を測定する。

調整領域選択部は、ライトリード部のライト系に設けたスクランブル処理とリード系に設けたデスクランブル処理を解除した状態で、テストデータのパターン周波数を低い周波数から高い周波数に段階的に変化させながら信号品質を測定する。

本発明の記憶装置は、更に、パラメータ調整部によりパラメータ調整領域で得られたパラメータ最適値を使用してライトリード部により各領域の信号品質を測定して所定の閾値以上の場合に、パラメータ調整領域は適切であることを確認する調整領域確認部を設けたこと特徴とする。

本発明の記憶装置は、更に、パラメータ調整領域以外の残りの各領域を選択してパラメータ調整部によりパラメータを最適値に調整し、パラメータ調整領域及び他の領域の各々で得られたパラメータ最適値を使用してライトリード部により各領域の信号品質を測定して比較することにより、パラメータ調整領域が適切であることを確認する調整領域確認部を設けたこと特徴とする。

この場合の調整領域確認部は、パラメータ調整領域のパラメータ最適値により測定した信号品質が他の領域のパラメータ最適値により測定した信号品質より高い場合に、パラメータ調整領域が適切であることを確認し、パラメータ調整領域のパラメータ最適値により測定した信号品質が他の領域のパラメータ最適値により測定した信号品質より低い場合には、パラメータ調整領域を測定した信号品質の最も高い領域に変更する。

（記憶装置のプロセッサ）
本発明は記憶装置のプロセッサを提供する。本発明のプロセッサは、
ヘッドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッド位置決め指示を行い、
前記ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードする指示を行い、
ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、前記各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択し、
前記選択したパラメータ調整領域を使用して前記ライトリードプロセスによるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを最適値に調整する、
ことを特徴とする。

（プログラム）
本発明は記憶装置のコンピュータで実行されるプログラムを提供する。本発明のプログラムは、記憶装置のコンピュータに、
ヘッドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッド位置決めプロセスと、
ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードするライトリードプロセスと、
ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択する調整領域選択プロセスと、
選択したパラメータ調整領域を使用してライトリードプロセスによるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを調整するパラメータ調整プロセスと、
を実行させることを特徴とする。

本発明によれば、ディスク媒体の面内保磁力のばらつきを判別するために、ディスク媒体を円周方向（トラック方向）に複数の領域に分割し、各領域毎にデータを記録してリードした信号品質、例えばビタビ・メトリック・マージンを測定し、測定した信号品質が高ければ面内保磁力が低く、信号品質が低ければ面内保磁力が高いと判断することができ、これによって各領域の測定箇所の保磁力が高いか低いか判断し、例えば保磁力の最も高い領域、即ち測定した信号品質の最も低い領域を信号品質の測定箇所に選択してパラメータを最適化する。

このためディスク媒体の面内保磁力のばらつきに対し、保磁力の影響を考慮した最適なパラメータの調整値が決定でき、面内保磁力の高い場所では書き込み能力が不足して媒体欠陥によるアンリカバードエラーを招く割合を大幅に低減し、製造段階でリードライトのパラメータが最適化され、ライトマージン及びリードマージンが向上し、出荷後の顧客先での装置使用における性能向上、品質向上、及び信頼性向上を図ることができる。

本発明のパラメータ調整が適用される磁気ディスク装置の実施形態を示したブロック図 図１のリードチャネルの詳細を示したブロック図 磁気ディスクにおける面内保磁力に依存したリードエラーの分布を示した説明図 本実施形態における磁気ディスクの媒体面を円周方向に４つの領域に分割した説明図 図４の各分割領域の複数セクタについてデフォルトのライトパラメータと低下させたライトパラメータによりライトした後にリードして測定されたＶＴＭを示したグラフ図 本実施形態でライトパラメータとして変更するライト電流とオーバーシュートの説明図 本実施形態でリードパラメータとして変更するカットオフ周波数とブート値の説明図 本実施形態でブート値を変更するためのＦＩＲフィルタのタップ係数の説明図 図５のＶＴＭ最悪領域を選択してパラメータを最適化した場合の１トラック分のＶＴＭ分布を従来の最適化によるＶＴＭ分布と対比して示したグラフ図 本実施形態によりＶＴＭ最悪領域を選択して調整したパラメータ最適値によるリードエラー分布を従来のパラメータ最適値によるリードエラー分布と対比して示した説明図 本実施形態によるパラメータ調整処理を示したフローチャート 図１１に続くパラメータ調整処理のフローチャート 図１２のステップＳ２２におけるパラメータ調整領域確認処理の詳細を示したフローチャート 図１２のステップＳ２２におけるパラメータ調整領域確認処理の他の実施形態の詳細を示したフローチャート 図１４のパラメータ調整領域確認処理で生成するワークテーブルの説明図 調整前のパラメータにより測定した１トラック分のＶＴＭ分布の別の例を示した説明図

図１は本発明のパラメータ調整処理が適用される磁気ディスク装置の実施形態を示したブロック図である。図１において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置１０はディスクエンクロージャ１４と制御ボード１６で構成される。

ディスクエンクロージャ１４にはスピンドルモータ１８が設けられ、スピンドルモータ１８の回転軸に磁気ディスク（ディスク媒体）２４−１，２４−２を装着し、例えば４２００ｒｐｍの一定回転速度で回転させる。

またディスクエンクロージャ１４にはボイスコイルモータ２０が設けられ、ボイスコイルモータ２０はアーム先端にヘッド２６−１〜２６−４を支持したヘッドアクチュエータ２２を駆動し、ヘッド２６−１〜２６−４を磁気ディスク２４−１，２４−２の記録媒体面の任意の位置に移動して位置決めする。

ヘッド２６−１〜２６−４は記録素子と再生素子が一体化された複合ヘッドである。記録素子には長手磁気記録型の記録素子または垂直磁気記録型の記録素子が使用される。垂直磁気記録型の記録素子の場合、磁気ディスク２４−１，２４−２には記録層と軟磁性体裏打層を備えた垂直記録媒体を使用する。読出素子にはＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を使用する。

ヘッド２６−１〜２６−４はヘッドＩＣ２８に対し個別に信号線接続されており、ヘッドＩＣ２８は上位装置となるホスト１２からのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドを選択して書込みまたは読出しを行う。またヘッドＩＣ２８には、ライト系についてはライトドライバが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。

制御ボード１６にはプロセッサとして機能するＭＰＵ３０が設けられ、ＭＰＵ３０のバス３２に対し、ＲＡＭを用いたメモリ３４、フラッシュメモリ（ＦＲＯＭ）などを用いた制御プログラム（ファームウェア）や制御データを格納する不揮発メモリ３５が設けられている。

またＭＰＵ３０のバス３２には、ホストインタフェース制御部４０、バッファメモリ４４を制御するバッファメモリ制御部４２、フォーマッタとして機能するハードディスクコントローラ４６、ライト変調部及びリード変調部として機能するリードチャネル４８、スピンドルモータ１８及びボイスコイルモータ２０を制御するモータ駆動制御部３８が設けられている。

更に、制御ボード１６に設けたＭＰＵ３０、メモリ３４、ホストインタフェース制御部４０、バッファメモリ制御部４２、ハードディスクコントローラ４６及びリードチャネル４８は制御回路１５を構成しており、制御回路１５は１つのＬＳＩ回路として実現される。

図２は図１のリードチャネル４８の詳細をヘッドＩＣと共に示したブロック図である。図２において、リードチャネル４８にはライト変調部５６とリード復調部５８が設けられる。ライト変調部５６は、ＨＤＣインタフェーイス回路６０、スクランブル回路６２、ランレングス符号化を行う例えば８／９エンコーダ６４、パラレル／シリアル変換器６６、プリコーダ６８、分周器７０、ドライバ７２を備えている。

このライト変調部５６は、図１のハードディスクコントローラ４６に設けたフォーマッタによりフォーマッティングされたライトデータをＨＤＣインタフェース回路６０から入力し、スクランブル回路６２で所定の擬似ランダム系列との排他論理和を取ることでライトデータにスクランブルを掛けた後、８／９エンコーダ６４でライトデータを８／９符号に変換し、パラレル／シリアル変換器６６でシリアルデータに変換する。

プリコーダ６８はリード復調部５８側におけるパーシャルレスポンスビタビ検出のため、１／（１＋Ｄ）ⁿのプリコードを行った後、書込み補償を行い、分周器７０で分周した後に、ドライバ７２によりヘッドＩＣ２８のドライバ７４を介して、そのとき選択されているヘッドの記録素子に書込電流を供給して磁気ディスクに書き込む。

リードチャネル４８のリード復調部５８は、可変利得増幅器７８、ローパスフィルタ８０、ＡＤ変換器８２、有限インパルス応答フィルタ８４（以下「ＦＩＲフィルタ」という）８４、ビタビ検出器８６、８／９デコーダ８８、シリアル／パラレル変換器９０、デスクランブル回路９２及びＨＤＣインタフェース回路９４を備えている。

リード復調部５８は、可変利得増幅器７８でヘッドＩＣ２８のプリアンプ７６を介して得られたヘッド読取信号を自動利得制御により増幅する。可変利得増幅器７８で増幅された読取信号はローパスフィルタ８０を通過した後、ＡＤ変換器８０でデジタルデータにサンプリングされ、ＦＩＲフィルタ８４とビタビ検出器８６で構成される自動等化型ビタビ検出部でパーシャルレスポンスビタビ検出、例えばＰＲ４ＬＭもしくはＥＰＲ４ＬＭの処理を行う。

このパーシャルレスポンスによるビタビ検出にあっては、ビタビ検出器８６の前にＦＩＲフィルタ８４を用いた自動等化器を備えている。この自動等化器であるＦＩＲフィルタ８４は、磁気ディスクのセクタフォーマットにライトされているトレーニング信号を使用して自動的にタップ係数を調整する自動等化機能を備えている。

ビタビ検出器８６で検出されたデータは、８／９デコーダ８８で元のライトデータに復調される。８／９デコーダ８８からの復調データはシリアル／パラレル変換器９０によりパラレルデータに変換され、デスクランブル回路９２でライト変調部５６側に設けているスクランブル回路６２と同じ擬似ランダム系列との排他論理和をとることでスクランブルを解除し、ハードディスクインタフェース９４から図１のハードディスクコントローラ４６に出力される。

再び図１を参照するに、ＭＰＵ３０は、不揮発メモリ３５にファームウェアとして記憶された制御プログラムの実行により実現される機能としてライトリード部５０が設けられ、また不揮発メモリ３５には、ライトリード部５０のライト時とリード時に使用するライト系パラメータとリード系パラメータの調整済みとなる最適値を格納した調整パラメータ格納部３６が設けられている。

更に本実施形態にあっては、ＭＰＵ３０に調整領域選択部５２とパラメータ調整部５４の機能が設けられている。調整領域選択部５２及びパラメータ調整部５４は、磁気ディスク装置１０の製造ラインで組立が完了した後の試験工程において、試験設備からダウンロードされたパラメータ調整用のファームウェアをＭＰＵ３０で実行することにより実現される機能である。

この試験設備から不揮発メモリ３５にインストールされたパラメータ調整用のファームウェアは、その実行により調整領域選択部５２及びパラメータ調整部５４としての機能を実現し、ライト系パラメータ及びリード系パラメータの最適値を求めて調整パラメータ格納部３６に格納する。

このようにしてパラメータ最適値を求めた後、調整領域選択部５２及びパラメータ調整部５４の機能は必要なくなることから、不揮発メモリ３５からパラメータ調整用のファームウェアを消去する。

なお、パラメータ調整用のファームウェアを不揮発メモリ３５にそのまま残しておき、磁気ディスク装置１０をユーザ側に出荷した後にパラメータ調整用のファームウェアを実行してパラメータ再調整を行えるようにしてもよい。

ＭＰＵ３０に設けたライトリード部５０は、ヘッドアクチュエータ２２の駆動によりヘッド２６−１〜２６−４を磁気ディスク２４−１，２４−２の任意の位置に移動し、そのときヘッドＩＣ２８のヘッドセレクトにより選択しているヘッド、例えばヘッド２６−１により磁気ディスク２４−１の媒体ライト面に対しデータをライトまたはリードする。

調整領域選択部５２は、磁気ディスク２４−１，２４−２の各媒体記録面を円周方向の複数領域に分割し、各領域についてテストデータを用いたライトとリードを行い、磁気ディスクの面内保磁力Ｈｃの分布に対応した信号品質、例えばリードチャネル４８から得られるビタビ・メトリック・マージン（以下「ＶＴＭ」という）を測定し、各領域の信号品質として得られたＶＴＭを比較し、パラメータ調整のためにテストデータをライトしてリードするパラメータ調整領域を選択する。

パラメータ調整部５４は、調整領域選択部５２で選択されたパラメータ調整領域を使用して、ライトリード部５０による磁気ディスクに対してストデータをライトした後にリードし、信号品質が最大となるようにパラメータを最適値に調整する。

本実施形態で調整するパラメータとしては、ライト系パラメータとしては
（１） ヘッドに流すライト電流Ｉｗ、
（２） ヘッドに流すライト電流の立ち上がり部分のオーバーシュート量（Ｏ／Ｓ）、
がある。

また本実施形態で調整するリード系パラメータとしては
（１） ヘッド読取信号を抽出するローパスフィルタ８０のカットオフ周波数ｆｃ、
（２） ヘッド読取信号の高域成分を強調するブート値Ｂ、
とする。

このＭＰＵ３０に設けた調整領域選択部５２及びパラメータ調整部５４による本実施形態のパラメータ調整処理を更に詳細に説明すると、次のようになる。

図３は磁気ディスクにおける面内保磁力に依存したリードエラーの分布を示した説明図である。図３において、磁気ディスク２４は、その製造段階で媒体に不均一性が生じ、この不均一性に起因して、磁気ディスクのライト面における面内保磁力Ｈｃにばらつきを生じている。

磁気ディスク２４における面内保磁力Ｈｃの分布は、磁気ディスク２４に対するリード処理を行った際のリードエラーの発生度合で判断することができる。図３の磁気ディスク２４にあっては、磁気ディスクの外周側にリードエラーが分布しており、特に磁気ディスク２４の左側のアウタ側の部分に集中的にリードエラーが発生するリードエラー集中部９６が存在している。

このリードエラーが発生する部分は、磁気ディスク２４において面内保磁力Ｈｃの高い部分であると判断できる。即ち、磁気ディスク２４における面内保磁力Ｈｃの高い部分についてはヘッドの記録素子による書込み能力が不足することとなり、この結果、リードエラーが発生し、リードエラーの分布が磁気ディスクにおける面内保磁力Ｈｃの高い部分の分布を示している。

そこで本実施形態にあっては、図３のリードエラー分布で推定される面内保磁力のばらつきを考慮し、磁気ディスク面内における面内保磁力の高低を判断する。

図４は本実施形態における磁気ディスクの媒体面を円周方向に４つの領域に分割した説明図であり、この円周方向の４つの領域ごとに面内保磁力の高低を判断する。

図４において、磁気ディスク２４は例えばインデックスがライトされたサーボフレーム２５を起点に、時計回りに円周方向に４分割して、領域９８−１，９８−２，９８−３，９８−４としている。

また本実施形態の磁気ディスク２４にあっては、半径方向に例えば５つのゾーンに分割されているため、円周方向の４つの領域９８−１〜９８−４との組合せにより、磁気ディスク２４は４×５＝２０領域に分割される。

ここで円周方向の領域９８−１〜９８−４については領域名をＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、これに半径方向の５つのゾーンをアウタ側からＺ１〜Ｚ５とすると、図示のように領域９８−１についてはサブ領域Ａ１〜Ａ５、領域９８−２についてはサブ領域Ｂ１〜Ｂ５、９８−３についてはサブ領域Ｃ１〜Ｃ５、更に領域９８−４についてはサブ領域Ｄ１〜Ｄ５に分割される。

本実施形態にあっては、各ゾーンにおける円周方向の４つの領域単位に面内保磁力の高低を判断して、パラメータ調整に使用するパラメータ調整領域を選択する。

図５は図４の円周方向の各分割領域の複数セクタについて、パラメータ調整領域を選択するために測定したＶＴＭの分布を示した説明図である。

図５は、例えば図４における領域９８−１〜９８−４の最アウタゾーンにおける特定のトラックについてデフォルトのパラメータを使用して、各領域９８−１〜９８−４の開始位置から１０セクタにおけるＶＴＭの測定結果を示している。

ここで図５における１トラックのセクタ数を１０００セクタとすると、４分割した領域９８−１〜９８−４のセクタ番号は０〜２４９、２５０〜４９９、５００〜７４９、７５０〜９９９となる。

このうち、図５にあっては各領域の先頭１０セクタ、即ち領域９８−１はセクタ番号０〜９、領域９８−２はセクタ番号２５０〜２５９、領域９８−３はセクタ番号５００〜５０９、更に領域９８−４はセクタ番号７５０〜７５９についてのＶＴＭの測定結果１００−１，１００−２，１００−３，１００−４を示している。

しかしながら、図５のようにデフォルトのパラメータで各領域９８−１〜９８〜４の１０セクタにつき測定したＶＴＭ１００−１〜１００−４を比較してみても、ＶＴＭは約３．０付近に集中しており、ＶＴＭ１００−１〜１００−４の差はそれほど大きくなく、この測定結果から面内保磁力の相違は十分に判断することができない。

そこで本実施形態にあっては、領域９８−１〜９８−４について測定したＶＴＭを比較し、その差が予め定めた閾値以内の場合には、デフォルトパラメータを信号品質を悪化する方向に変更しながら、ＶＴＭを各領域について測定して比較する。

ここで図５のデフォルトパラメータで測定したＶＴＭ１００−１〜１００−４の比較については、領域９８−１〜９８−４につき１０セクタ分のＶＴＭが測定されていることから、それぞれ平均値を算出して比較する。

本実施形態にあっては、デフォルトパラメータによるＶＴＭの差が見えないことに対し、例えばライト系パラメータである書込電流ＩｗとオーバーシュートＯ／Ｓをデフォルトの値より下げて、領域９８−１〜９８−４につきＶＴＭを測定すると、ＶＴＭ分布１０２−１，１０２−２，１０２−３，１０２−４が得られる。

このように、デフォルトパラメータを下げて測定したＶＴＭ分布１０２−１〜１０２−４にあっては、ＶＴＭの値が増加して悪化すると同時に、領域９８−１〜９８−４におけるＶＴＭの相違も大きくなり、面内保磁力Ｈｃに起因した磁気ディスク媒体面上の書込み性能の相違が見えるようになる。

図５の場合には、書込電流とオーバーシュート値をデフォルトより下げた場合のＶＴＭ分布１０２−１〜１０２−４のうち、領域９８−３の悪化が最も大きく、ＶＴＭが最も悪いことが分かる。

このため、ＶＴＭ分布１０２−３が最も悪い領域９８−３で磁気ディスクの面内保磁力Ｈｃが高く、データを書き込み難い特性となっていることを示している。

このような図５のＶＴＭの測定結果から、本実施形態にあっては、磁気ディスクにおける面内保磁力Ｈｃが最も高いことが予想されるＶＴＭ分布１０２−３の最も悪い領域９８−３をパラメータ調整領域として選択する。

ここで、本実施形態における複数領域のＶＴＭ測定で測定したＶＴＭの差が閾値以内となった場合の信号品質を悪化させるためのパラメータ変更としては、ライト系パラメータについては、前述したように書込電流Ｉｗとオーバーシュート値Ｏ／Ｓの２つがある。

図６は本実施形態でライトパラメータとして変更する書込電流とオーバーシュートの説明図である。図６（Ａ）は図２のドライバ７２に入力するライトパルス波形であり、書込電流Ｉｗはライトパルス１０６の波高値で決まり、このライトパルス１０６の立ち上がり部分にオーバーシュートパルス１０４を加えており、このオーバーシュートパルス１０４がオーバーシュート値Ｏ／Ｓを決めている。

図６（Ａ）に示すオーバーシュートパルス１０４を付加したライトパルス１０６を、ヘッドＩＣ２８のドライバ７４によりヘッドの記録素子に流すと、図６（Ｂ）のようなライト電流波形が得られ、立ち上がりのオーバーシュート電流１０４−１が磁気ディスクに対する書込磁界を発生することになる。

オーバーシュート電流１０４−１は、磁気ディスクの面内保磁力により書込みが妨げられることから、面内保磁力の高い部分についてはオーバーシュート電流１０４−１を高くする必要がある。

また図５のようにＶＴＭ測定における各領域の差を大きくするためには、オーバーシュート電流１０４−１を下げ、これによって面内保磁力の高い部分については書込性能を下げることでＶＴＭを悪化させることができる。

一方、本実施形態においてＶＴＭを悪化させるためのパラメータ調整としては、リード系パラメータについてはカットオフ周波数ｆｃとブート値Ｂの２つがある。

図７は本実施形態でリードパラメータとして変更するカットオフ周波数とブート値の説明図である。図７は図２に示したリード復調部５８のローパスフィルタ８０及びＦＩＲフィルタ８４で決まる周波数特性であり、磁気ディスクに対する最高記録周波数で決まるカットオフ周波数ｆｃに対し利得０ｄＢとなるフラットな周波数特性１０８に対し、実際には高域成分を強調した周波数特性１１０または１１２としており、この周波数特性１１０，１１２における高域の盛り上がり量がブート値Ｂとして設定される。

周波数特性１１０，１１２におけるブート値は、図２に設けたＦＩＲフィルタ８４のタップ係数を変更することで調整できる。

図８は本実施形態でブート値を変更するためのＦＩＲフィルタのタップ係数の説明図である。図８において、横軸はＦＩＲフィルタのタップ値Ｃ０〜Ｃ９であり、縦軸は各タップにおける利得を示している。

タップ特性１１４はデフォルトのタップ値であり、この場合には例えば図７の周波数特性１１２に示すようなブート値が得られている。本実施形態にあっては、デフォルトパラメータによるＶＴＭ測定で４つの分割領域のＶＴＭに差が出ない場合には信号品質を悪化させる方向にパラメータを変更するが、ブート値についてはブート値を下げる方向にＦＩＲフィルタのタップ値を変更する。

図８にあってはＦＩＲタップのＣ３とＣ５を下げており、これによって図７の周波数特性１１０のようにブート値を下げることができる。

一方、図７におけるカットオフ周波数ｆｃについては、図２に示したローパスフィルタ８０のカットオフ周波数を変更させることになる。

図９は、図５においてライト系パラメータの変更によりＶＴＭ最悪領域として領域９８−３を選択してパラメータ最適化を行った場合の１トラック分のＶＴＭ分布を、従来の最適化によるＶＴＭと対比して示したグラフ図である。

図９において、従来はＶＴＭ分布１１８であり、本発明がＶＴＭ分布１２０となる。従来のＶＴＭ分布１１８は、磁気ディスクの面内保磁力の分布を考慮せずに、磁気ディスクの予め定めた所定セクタ範囲についてパラメータを調整して最適値を求め、求めた最適値を使用して１トラック分のＶＴＭを測定した結果である。

これに対し本発明のＶＴＭ分布１２０は、図５に示したＶＴＭが最悪となる面内保磁力Ｈｃが最も高い領域９８−３の１０セクタを使用して、ＶＴＭが最小、即ち信号品質が最大となるようにライト系パラメータとリード系パラメータをそれぞれ調整して最適値を求め、このようにして求めた最適値を使用して１トラック分のＶＴＭを測定した結果である。

従来のＶＴＭ分布１１８と本実施形態によるＶＴＭ分布１２０を対比して明らかなように、例えばＶＴＭにおいて、仮にアンリカバリドエラーの閾値ＴＨがＴＨ＝３．５であったとすると、従来のＶＴＭ分布１１８については、面内保磁力Ｈｃが最も高い領域９８−３において閾値ＴＨを超えるＶＴＭとなり、このため磁気ディスク装置はアンリカバリードエラーを発生することになる。

これに対し本実施形態によるＶＴＭ分布１２０にあっては、面内保磁力Ｈｃが最も高い領域９８−３を使用したパラメータ調整により最適値を得ていることで、調整済みの最適値を用いたＶＴＭ測定によるＶＴＭ分布１２０は閾値ＴＨ＝３．５を超えることがなく、アンリカバリードエラーが発生しない。

即ち、本実施形態のように面内保磁力Ｈｃが高い箇所を使用して最適化されたパラメータによれば、エラーが発生しにくい調整結果が得られていることが分かる。

図１０は本実施形態によりＶＴＭ最悪領域を選択して調整したパラメータ最適値によるリードエラー分布を、従来のパラメータ最適値によるリードエラー分布と対比して示した説明図である。

図１０（Ａ）が本実施形態によるパラメータ最適値を用いた際の磁気ディスク全域におけるリードエラー分布であり、この磁気ディスクはシリンダ数が横軸に示すシリンダ番号０〜５００であり、また１トラック当たりのセクタ数が縦軸に示すようにセクタ番号０〜１２００としており、磁気ディスクの記憶媒体面全体におけるリードエラー数は１２であり、しかも全体的に広がって分散している。

図１０（Ｂ）は従来のパラメータ最適値によるリードエラー分布であり、リードエラーはセクタ番号６００を中心にシリンダ番号０〜５０で示す半径方向に集中して発生しており、その上側、下側においても部分的な集中が見られ、図１０（Ａ）に比べるとリードエラー分布は多数に亘る。

このため図１０（Ａ）の本実施形態によるＶＴＭ最悪領域を選択して調整したパラメータ最適値によりリードエラーが大幅に改善していることが確認できる。

図１１及び図１２は本実施形態によるパラメータ調整処理を示したフローチャートであり、図１を参照して説明すると次のようになる。

図１１において、本実施形態のパラメータ調整処理は、まずステップＳ１でヘッド番号ＨＨとゾーン番号Ｚを、ＨＨ＝１，Ｚ＝１に初期化する。ヘッド番号ＨＨ＝１により、例えば図１のヘッド２６−１が選択され、またＺ＝１により、ヘッド２６−１に対応した磁気ディスク２４−１のライト媒体面における図４の例えば最アウタのサブ領域Ａ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｄ１を含むゾーンが選択される。

次にステップＳ２でライト系パラメータとリード系パラメータを上限値に設定する。ライト系パラメータは書込電流Ｉｗとオーバーシュート値Ｏ／Ｓであり、リード系パラメータはカットオフ周波数ｆｃとブート値Ｂである。

続いてステップＳ３で円周方向にｎ分割例えば４分割した領域の測定セクタを設定する。例えば各領域につき、図５に示したように先頭から１０セクタを測定セクタに設定する。続いてステップＳ４で、領域の測定セクタを対象に、ステップＳ２で設定したライト系パラメータ及びリード系パラメータを使用して、所定のテストデータのライトリードにより、リードチャネル４８から得られるＶＴＭ１〜ｎを測定する。

続いてステップＳ５で各領域のＶＴＭ分布につき平均値を求め、その平均値の差が予め定めた閾値以内か否かチェックする。例えば４領域の測定平均値をＶＴＭ１〜４とすると、
ΔＶＴＭ１２＝ＶＴＭ１−ＶＴＭ２
ΔＶＴＭ１３＝ＶＴＭ１−ＶＴＭ３
ΔＶＴＭ１４＝ＶＴＭ１−ＶＴＭ４
ΔＶＴＭ２３＝ＶＴＭ２−ＶＴＭ３
ΔＶＴＭ２４＝ＶＴＭ２−ＶＴＭ４
ΔＶＴＭ３４＝ＶＴＭ３−ＶＴＭ４
を求め、すべての差が閾値以内であればステップＳ６に進み、１つでも閾値を超える差があれば図１２のステップＳ１９に進む。

ステップＳ５で複数領域のＶＴＭの差のすべてが閾値以内であった場合には、各領域のＶＴＭに閾値を超える差を出すために、パラメータをＶＴＭを悪化させる方向に変更する。

ここでパラメータを信号品質を悪化させる方向に変更する処理は
（１） ステップＳ６〜Ｓ９のライト系パラメータの変更、
（２） ステップＳ１０〜Ｓ１３のリード系パラメータの変更、
（３） ステップＳ１４〜Ｓ１７のデータパターンの変更、
の３つがある。

まずステップＳ６にあっては、ライト系パラメータとして書込電流Ｉｗとオーバーシュート値Ｏ／Ｓを予め定めた変化分、ステップＳ２で設定した上限値から下げる。そしてステップＳ７で変更後のライト系パラメータを使用して各領域ごとにＶＴＭ１〜ｎを測定し、ステップＳ８で複数領域のＶＴＭの差のすべてが閾値以内かどうかチェックする。閾値を超えていれば図１２のステップＳ１９に進む。

閾値以内であった場合には、ステップＳ９でライト系パラメータが下限値に達しているか否かチェックし、下限値に達していなければ、ステップＳ６に戻り、ライト系パラメータを更に変更して同様な処理を繰り返す。

ステップＳ９でライト系パラメータが下限値に達した場合には、ステップＳ１０でリード系パラメータを変更する。リード系パラメータは、カットオフ周波数ｆｃとブート値Ｂを、ＶＴＭを悪化させる方向に、ステップＳ２で設定した上限値から所定値単位で減少させる。

続いてステップＳ１１で領域ごとにＶＴＭ１〜ｎを測定し、ステップＳ１２で複数領域のＶＴＭの差が閾値以内か否かチェックし、閾値を超えていれば、図１２のステップＳ１９に進む。ステップＳ１２で閾値以内の場合には、ステップＳ１３でリードパラメータが下限値に達することが判別されるまで、ステップＳ１０からの処理を繰り返す。

ステップＳ１３でリードパラメータが下限値に達した場合には、図１２のステップＳ１４に進み、ＶＴＭの測定に使用するテストデータのデータパターンを、信号品質を悪化させる方向に変更する。

データパターンの変更にあっては、まずステップＳ１４で図２のリードチャネル４８に設けているスクランブル回路６２及びデスクランブル回路９２によるスクランブルとデスクランブルを解除してテストデータのパターン周波数を変更する。

図２のリードチャネル４８に設けたスクランブル回路６２に対し、通常のユーザデータを通した場合には、ユーザデータと所定の擬似ランダム系列の排他論理和を取ることで、書込データパターンはほぼ、１６進で「Ｆ２」、２進で「１１１１００１０」近辺のデータに変換される。このためテストデータのパターン周波数を変化させても、スクランブルが掛かることでパターン周波数の変化が相殺されるため、スクランブル回路６２のスクランブルを解除させる。

またステップＳ１４におけるテストデータのパターン周波数としては、例えば１セクタ長のテストデータを準備しており、初期データとしてはライト最低周波数に対応した「ＦＦＦ・・・Ｆ０００・・・０」の繰り返しデータとしている。

このようなテストデータのデータパターンにつき、信号品質を悪化させるためにパターン周波数を段階的に高い周波数に変更する。この場合の上限周波数は、ライト最高周波数に対応した例えば「Ｆ０Ｆ０Ｆ０・・・Ｆ０」の繰り返しデータである。

次にステップＳ１５で各領域ごとにパターン周波数を変更したテストデータを使用してＶＴＭ１〜４を測定し、ステップＳ１６で複数領域のＶＴＭの差が閾値以内か否かチェックし、閾値を超えていればステップＳ１９に進む。閾値以内であればステップＳ１７に進み、パターン周波数が上限値に達するまで、ステップＳ１４からの処理を繰り返す。

ステップＳ１７でパターン周波数が上限値に達したことが判別されると、この場合にはパラメータ及びパターン周波数を変更しても複数領域のＶＴＭの差が閾値以内に収まっており、即ち磁気ディスクの面内保磁力の分布がほぼ均一であることから、ステップＳ１８に進み、この場合には予め定めた特定領域を固定的にパラメータ調整領域として選択する。

ステップＳ１９にあっては、図１１のステップＳ５，Ｓ８，Ｓ１２または図１２のステップＳ１６のいずれかで複数領域のＶＴＭの差が閾値を超えた場合であり、この場合には複数領域における面内保磁力Ｈｃに大きな相違があることから、ステップＳ１９で複数領域の中のＶＴＭ最悪領域をパラメータ調整領域に選択する。

続いてステップＳ２０に進み、選択したパラメータ調整領域について所定数のパラメータ調整セクタ、例えば図５に示したように各領域の先頭から１０セクタを使用してパラメータ調整処理を実行する。

即ち、パラメータ調整領域の調整セクタに対し、テストデータをライトした後にリードしながら、ＶＴＭが最小、即ち信号品質が最大となるように、ライト系パラメータについては書込電流Ｉｗとオーバーシュート値Ｏ／Ｓを調整し、リード系パラメータについてはカットオフ周波数ｆｃとブート値Ｂを調整する。

続いてステップＳ２１で、調整したパラメータをパラメータ最適値として、図１の不揮発メモリ３５に設けた調整パラメータ格納部３６に保存する。

続いてステップＳ２２で後の説明で明らかにするパラメータ調整領域の確認処理を実行する。

続いてステップＳ２３で全ゾーンを終了したか否かチェックし、未終了であればステップＳ２４でゾーン番号Ｚを１つアップさせ、図１１のステップＳ２に戻り、次のゾーンにつき同様な処理を繰り返す。

ステップＳ２３で全ゾーンの処理の終了が判別されると、ステップＳ２５で全ヘッドの処理が終了したか否かチェックし、未終了であれば、ステップＳ２６でヘッド番号ＨＨを１つ増加させ、ゾーン番号ＺをＺ＝１に初期化した後、図１１のステップＳ２に戻り、次のヘッドに対応した磁気ディスクの媒体面に対し同様な処理を繰り返す。

次に図１２のステップＳ２２におけるパラメータ調整領域の確認処理を説明する。図１３は本実施形態におけるパラメータ調整領域確認処理の詳細を示したフローチャートであり、図１のＭＰＵ３０に設けた調整領域確認部５５により処理する。なお本実施形態におけるパラメータ調整領域確認処理は必要に応じて実行される選択的な機能であり、必ずしも実行しなくてもよい。

図１３において、パラメータ調整領域確認処理は、ステップＳ１において、図１２のステップＳ２１で保存した調整済みのパラメータ最適値を使用して各領域のＶＴＭを測定する。

この調整済みのパラメータ最適値を使用した各領域のＶＴＭの測定は、図９に示した調整済みのパラメータで測定したＶＴＭ分布１２０における領域９８−１〜９８−４の境界から１０セクタのＶＴＭ測定値の平均値の測定に対応する。

次にステップＳ２で、各領域のＶＴＭ測定値につき、アンリカバリードエラーとなる閾値ＴＨ、例えば図９に示したＴＨ＝３．５を超える測定ＶＴＭがあるか否かチェックする。閾値ＴＨを超えるＶＴＭがなければ、ステップＳ３に進み、この場合のパラメータ調整領域は適切であるとして確認し、例えばパラメータ調整領域となった領域９８−あのパラメータ調整セクタを示すセクタ番号５００〜５０９を保持する。

一方、ステップＳ２で閾値ＴＨを超えるＶＴＭがあった場合には、現在選択したパラメータ調整領域は不適切であることから、ステップＳ４に進み、閾値ＴＨを超える領域を新たなパラメータ調整領域に選択し、ステップＳ５で新たに選択したパラメータ調整領域についてパラメータの最適値を測定し、測定したパラメータ最適値を用いてステップＳ１からの処理を繰り返す。

このパラメータ調整確認処理により、調整されたパラメータ最適値を用いてトラック全体につきＶＴＭを測定して評価することで、パラメータ調整領域が適切であるか否かを判断し、不適切であった場合には、改めてパラメータ調整領域を選択し直してパラメータ最適値を求めることができる。

図１４は図１２のステップＳ２２におけるパラメータ調整領域確認処理の他の実施形態を示したフローチャートである。

図１４において、この本実施形態のパラメータ調整領域確認処理は、ステップＳ１で未選択の残りの各領域を選択してパラメータ調整により最適値を取得する。

その結果、図１５（Ａ）のワークテーブル１２２に示すような選択した調整領域９８−３以外に未選択の調整領域９８−１，９８−２及び９８−４についても、ライトパラメータ及びリードパラメータのそれぞれの最適値が得られる。

続いてステップＳ２で、図１５（Ａ）のワークテーブル１２２のように、各領域９８−１〜９８−４につき求めたパラメータ最適値を使用して、ＶＴＭを各領域ごとに測定する。

このステップＳ２による測定結果として、例えば図１５（Ｂ）のワークテーブル１２４に示すように、調整領域９８−１〜９８−４について、領域９８−１〜９８−２につき得られている図１５（Ａ）のパラメータ最適値を用いた領域９８−１〜９８−４の測定結果がＶＴＭａａ〜ＶＴＭｄｄに示すように得られる。

続いてステップＳ４で、初期選択したパラメータ調整領域、即ち調整領域９８−３のパラメータ最適値により得られた測定値ＶＴＭｃａ〜ＶＴＭｃｄが、他の領域９８−１，９８−２，９８−４の測定ＶＴＭに対し最良か否か、即ち最小値となっているか否か判別する。最良であればステップＳ５に進み、初期設定したパラメータ調整領域９８−３が適切であることを確認する。

一方、ステップＳ４で初期選択したパラメータ調整領域９８−３のＶＴＭが最良でなかった場合にはステップＳ６に進み、残りの領域９８−１，９８−２，９８−４の中から最良ＶＴＭとなる領域を選択し、ステップＳ７で新たに選択したパラメータ調整領域とその領域につきステップＳ２で求めているパラメータ最適値に変更する。

このような図１４のパラメータ調整領域確認処理は、例えばパラメータを信号品質を悪化させる方向に変更して測定した１トラック分のＶＴＭ分布が図１６のような場合に効果的である。

図１６の１トラック分のＶＴＭ分布１２６にあっては、閾値ＴＨ＝３．５を超えるアンリカバリードエラーとなるＶＴＭは領域９８−２に存在するが、本実施形態のパラメータ調整領域の選択処理にあっては、領域９８−１〜９８−４の先頭から１０セクタについてＶＴＭの平均値を求めて閾値ＴＨと比較しているため、領域９８−２は先頭１０セクタ部分１２８のＶＴＭ平均値、また領域９８−３は先頭１０セクタ部分１３０のＶＴＭ平均値を求めることとなり、その結果、最もＶＴＭが大きい信号品質の悪化した領域として領域９８−３が選択される。

そして、選択した領域９８−３の先頭１０セクタに対するテストデータのライトとリードによりパラメータ最適値を取得することになる。

しかしながら、パラメータ領域の選択の段階では図１６のような１トラックに亘るＶＴＭ分布１２６は見えていないことから、面内保磁力Ｈｃが最も高い領域９８−２ではなく、隣の領域９８−３をパラメータ選択領域に選択してしまう。

その結果、面内保磁力Ｈｃが高くない領域９８−３を選択してパラメータを最適値に調整しても、この領域９８−３を使用して得られたパラメータ最適値では領域９８−２につきアンリカバリードエラーを発生する可能性が残る。

このような場合、図１４のパラメータ調整領域確認処理によれば、未選択の領域９８−１，９８−２，９８−４についてもパラメータ調整により最適値を取得し、各領域９８−１〜９８−４につき、それぞれで求めたパラメータ最適値を使用してＶＴＭを測定しており、その結果、初期的に選択した領域９８−３によるパラメータ最適値によるＶＴＭより、領域９８−２を選択して調整したパラメータ最適値によるＶＴＭの方が低い値となり、領域９８−２のＶＴＭが最良であることが判別される。

その結果、初期的に選択した領域９８−３を使用したパラメータ最適値ではなく、パラメータ調整領域確認処理で得られた最も面内保磁力Ｈｃの高い領域９８−２をパラメータ調整領域として調整したパラメータ最適値に変更することができる。

このようなパラメータ調整領域確認処理により、調整結果が実際の磁気ディスクの面内保磁力Ｈｃの最も高い領域でなかったような場合にも、確認処理を通じて面内保磁力Ｈｃの最も高い領域を調整領域としたパラメータ最適値に変更することが可能となる。

また本発明は、磁気ディスク装置のＭＰＵ３０（ＣＰＵやＭＣＵなどであってもよい）で実行可能なプログラム、即ちパラメータ調整のためのファームウェアを提供する。このパラメータ調整のためのファームウェアとしてのプログラムは、図１１，図１２，図１３及び図１４のフローチャートに示した内容を持つ。

なお上記の実施形態にあっては、磁気ディスクを半径方向に分割した領域について測定したＶＴＭが最悪となる領域、即ち面内保磁力Ｈｃが最も高い領域をパラメータ調整領域に選択しているが、逆にＶＴＭが最良となる領域、即ち面内保磁力Ｈｃが最も低い領域をパラメータ調整領域に選択してもよい。

また上記の実施形態では、磁気ディスクを円周方向に４分割してパラメータ調整領域を選択する処理を実行しているが、円周方向における分割数は４分割以上の任意の複数分割としてもよい。

また上記の実施形態にあっては、磁気ディスクの円周方向に分割した領域につき、領域先頭位置から連続して例えば１０セクタをパラメータ調整セクタに設定しているが、１つの領域に含まれるセクタ範囲につき均一に分散するようにパラメータ調整セクタを振り分けてもよいし、処理性能に余裕があれば各領域の全セクタをパラメータ調整セクタとしてもよい。

また上記の実施形態にあっては、磁気ディスクを半径方向に分割した各領域のＶＴＭ測定で閾値を超える差が出なかった場合、ライトパラメータ、リードパラメータ、データパターンの順に信号品質を悪化する方向に変更してＶＴＭに差を出すようにしているが、これら３つの組合せによらず、１つまたは２つのパラメータの変更としてもよい。

また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。

Claims (20)

1. ヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッドアクチュエータと、
   前記ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードするライトリード部と、
   ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、前記各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択する調整領域選択部と、
   前記選択したパラメータ調整領域を使用して前記ライトリード部によるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを最適値に調整するパラメータ調整部と、
   を備えたことを特徴とする記憶装置。
2. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、更に、前記ディスク媒体を半径方向の複数ゾーンに分割し、前記各ゾーン毎に前記パラメータ調整領域を選択することを特徴とする記憶装置。
3. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記信号品質として前記ライトリード部のビタビ・メトリック・マージン又はエラレートを測定することを特徴とする記憶装置。
4. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、各領域毎に信号品質を比較し、前記信号品質が最悪となる領域を前記パラメータ調整領域に選択することを特徴とする記憶装置。
5. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記各領域毎に予め定めた複数セクタの信号品質を測定し、測定した複数信号品質の平均値を算出して比較することを特徴とする記憶装置。
6. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記各領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、前記ライトリード部で使用するライト系パラメータを変更して前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
7. 請求項６記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記ライト系パラメータとして、前記ヘッドに流すライト電流と、前記ライトヘッドに流すライト電流の立上り部分のオーバーシュート量を、ライト性能を低下させる方向に変更して前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
8. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記各領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、前記ライトリード部で使用するリード系パラメータを変更して前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
9. 請求項８記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記リード系パラメータとして、前記ヘッド読取信号を抽出するフィルタのカットオフ周波数と、前記ヘッド読取信号の高域周波数成分を強調するブート値を、リード性能を低下させる方向に変更して前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
10. 請求項１記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記領域の信号品質の差が所定の閾値以内であった場合、前記テストデータのデータパターンを、ライト性能及びリード性能を低下させる方向に変更して前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
11. 請求項１０記載の記憶装置に於いて、前記調整領域選択部は、前記ライトリード部のライト系に設けたスクランブル処理とリード系に設けたデスクランブル処理を解除した状態で、前記テストデータのパターン周波数を低い周波数から高い周波数に段階的に変化させながら前記信号品質を測定することを特徴とする記憶装置。
12. 請求項１記載の記憶装置に於いて、更に、前記パラメータ調整部により前記パラメータ調整領域で得られたパラメータ最適値を使用して前記ライトリード部により各領域の信号品質を測定して所定の閾値以上の場合に、前記パラメータ調整領域は適切であることを確認する調整領域確認部を設けたこと特徴とする記憶装置。
13. 請求項１記載の記憶装置に於いて、更に、前記パラメータ調整領域以外の残りの各領域を選択して前記パラメータ調整部によりパラメータを最適値に調整し、前記パラメータ調整領域及び他の領域の各々で得られたパラメータ最適値を使用して前記ライトリード部により各領域の信号品質を測定して比較することにより、前記パラメータ調整領域が適切であることを確認する調整領域確認部を設けたこと特徴とする記憶装置。
14. 請求項１３記載の記憶装置に於いて、前記調整領域確認部は、
    前記パラメータ調整領域のパラメータ最適値により測定した信号品質が他の領域のパラメータ最適値により測定した信号品質より高い場合に、前記パラメータ調整領域が適切であることを確認し、前記パラメータ調整領域のパラメータ最適値により測定した信号品質が他の領域のパラメータ最適値により測定した信号品質より低い場合には、前記パラメータ調整領域を測定した信号品質の最も高い領域に変更することを特徴とする記憶装置。
15. ヘッドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッド位置決め指示を行い、
    前記ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードする指示を行い、
    ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、前記各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択し、
    前記選択したパラメータ調整領域を使用して前記ライトリードプロセスによるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを最適値に調整する、
    ことを特徴とする記憶装置のプロセッサ。
16. 請求項１５記載の記憶装置のプロセッサに於いて、調整領域設定の際、前記信号品質として前記ライトリードプロセスのビタビ・メトリック・マージン又はエラレートを測定することを特徴とする記憶装置のプロセッサ。
17. 請求項１５記載の記憶装置のプロセッサに於いて、調整領域選択の際、各領域毎に信号品質を比較し、前記信号品質が最悪となる領域を前記パラメータ調整領域に選択することを特徴とする記憶装置のプロセッサ。
18. 記憶装置のコンピュータに、
    ヘッドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の任意の位置に移動するヘッド位置決めプロセスと、
    前記ヘッドによりディスク媒体にデータをライト又はリードするライトリードプロセスと、
    ディスク媒体を円周方向の複数領域に分割して各領域毎にテストデータをライトした後にリードして信号品質を測定し、前記各領域の信号品質を比較してパラメータ調整領域を選択する調整領域選択プロセスと、
    前記選択したパラメータ調整領域を使用して前記ライトリードプロセスによるディスク媒体のライト及びリードに使用するパラメータを最適値に調整するパラメータ調整プロセスと、
    を実行させることを特徴とするプログラム。
19. 請求項１８記載のプログラムに於いて、前記調整領域選択プロセスは、更に、前記ディスク媒体を半径方向の複数ゾーンに分割し、前記各ゾーン毎に前記パラメータ調整領域を選択することを特徴とするプログラム。
20. 請求項１８記載のプログラムに於いて、前記調整領域選択プロセスは、前記信号品質として前記ライトリードプロセスのビタビ・メトリック・マージン又はエラレートを測定することを特徴とするプログラム。

Images