JP2003218441A - Light emitting unit - Google Patents

Light emitting unit

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JP2003218441A
JP2003218441A JP2002011322A JP2002011322A JP2003218441A JP 2003218441 A JP2003218441 A JP 2003218441A JP 2002011322 A JP2002011322 A JP 2002011322A JP 2002011322 A JP2002011322 A JP 2002011322A JP 2003218441 A JP2003218441 A JP 2003218441A
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JP
Japan
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semiconductor laser
optical waveguide
waveguide type
light
shg
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Application number
JP2002011322A
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Japanese (ja)
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Masakazu Yokoo
雅一 横尾
Kozo Mano
晃造 眞野
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Noritsu Koki Co Ltd
Original Assignee
Noritsu Koki Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting unit that can introduce light irradiated from a semiconductor laser device to an optical waveguide type SHG device by a simple adjustment. <P>SOLUTION: The light emitting unit includes the semiconductor laser device 51 and the optical waveguide type SHG device 56 that generates a second higher harmonic of the light irradiated from the semiconductor laser device 51, wherein an optical fiber 42 is provided that guides the light irradiated from the semiconductor laser device 51 to an optical waveguide 56a formed on the optical waveguide type SHG device 56, by which a relative positional relation between the semiconductor laser device 51 and the optical fiber 42 and a relative positional relation between the optical fiber 42 and the optical waveguide type SHG device 56 can be independent each other and can be adjusted separately each other to reduce complexity in collimation. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
と、その半導体レーザ素子の出射光の第2高調波を生成
する光導波路型SHG素子とを備えた発光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device including a semiconductor laser element and an optical waveguide type SHG element that generates a second harmonic of the emitted light of the semiconductor laser element.

【0002】[0002]

【従来の技術】かかる発光装置は、半導体レーザ素子の
出射光を光導波路型SHG素子の光導波路に入射させ
て、その入射光の1/2の波長の第2高調波を光出力と
して取り出す装置であり、高出力で長波長の半導体レー
ザ素子を用いて短波長のレーザ光を生成して各種の用途
に利用する。この種の発光装置は、従来、同一の支持基
板上に半導体レーザ素子と光導波路型SHG素子とを配
置すると共に、半導体レーザ素子の出射光を光導波路型
SHG素子の光導波路の入射端に集光するレンズ光学系
を備えて構成していた。
2. Description of the Related Art Such a light emitting device is a device for making emitted light of a semiconductor laser element incident on an optical waveguide of an optical waveguide type SHG element and taking out a second harmonic having a wavelength of 1/2 of the incident light as an optical output. Therefore, a high-power and long-wavelength semiconductor laser device is used to generate short-wavelength laser light for use in various applications. In this type of light emitting device, conventionally, a semiconductor laser element and an optical waveguide type SHG element are arranged on the same support substrate, and emitted light of the semiconductor laser element is collected at an incident end of an optical waveguide of the optical waveguide type SHG element. It was equipped with a lens optical system that emits light.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来構成では、光導波路型SHG素子を用いることで半導
体レーザ素子の出射光を高い変換効率で第2高調波に変
換できるものの、半導体レーザ素子の発光スポット幅及
び光導波路型SHG素子の光導波路幅がミクロンオーダ
ーと狭いため、前記レンズ光学系の光軸調整が非常に困
難であり、それによって装置コストが上昇してしまう不
都合があった。本発明は、かかる実情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、簡単な調整で、半導体レー
ザ素子の出射光を光導波路型SHG素子に入射させるこ
とができる発光装置を提供する点にある。
However, in the above-mentioned conventional configuration, although the emitted light of the semiconductor laser element can be converted into the second harmonic with high conversion efficiency by using the optical waveguide type SHG element, the emission of the semiconductor laser element is high. Since the spot width and the optical waveguide width of the optical waveguide type SHG element are as narrow as micron order, it is very difficult to adjust the optical axis of the lens optical system, which causes an increase in the device cost. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a light emitting device capable of causing the emitted light of a semiconductor laser element to enter an optical waveguide type SHG element with simple adjustment. is there.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記請求項1記載の構成
を備えることにより、半導体レーザ素子と、その半導体
レーザ素子の出射光の第2高調波を生成する光導波路型
SHG素子とを備えた発光装置において、前記半導体レ
ーザ素子の出射光を前記光導波路型SHG素子に形成さ
れた光導波路に案内する光ファイバーが設けられてい
る。すなわち、半導体レーザ素子と光導波路型SHG素
子とをレンズ光学系によって光学的に結合させる際の基
本的な困難さは、半導体レーザ素子とレンズ光学系との
間の相対的な位置関係、レンズ光学系自体の相対的な位
置関係及びレンズ光学系と光導波路型SHG素子との間
の相対的な位置関係が相互に連関しており、これらの調
整を一体的に行う必要がある点である。そこで、半導体
レーザ素子と光導波路型SHG素子との間の光路を光フ
ァイバーにて構成することで、半導体レーザ素子と光フ
ァイバーとの相対的な位置関係と、光ファイバーと光導
波路型SHG素子との相対的な位置関係とを互いに独立
させることが可能となり、夫々個別に調整を行うことが
可能となって光軸調整の複雑さが軽減される。しかも、
光ファイバーと半導体レーザ素子等との間の位置関係の
調整技術が確立していることもあって、半導体レーザ素
子と光ファイバーとの相対的な位置関係及び光ファイバ
ーと光導波路型SHG素子との相対的な位置関係の調整
もそれほど困難ではない。もって、簡単な調整で、半導
体レーザ素子の出射光を光導波路型SHG素子に入射さ
せることができる発光装置を提供できるに至った。
According to the present invention, the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device for generating the second harmonic of the emitted light of the semiconductor laser device are provided. In the light emitting device, an optical fiber is provided for guiding the emitted light of the semiconductor laser element to an optical waveguide formed in the optical waveguide type SHG element. That is, the basic difficulty in optically coupling the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device by the lens optical system is the relative positional relationship between the semiconductor laser device and the lens optical system, the lens optical system. The relative positional relationship of the system itself and the relative positional relationship between the lens optical system and the optical waveguide type SHG element are linked to each other, and it is necessary to integrally perform these adjustments. Therefore, by configuring the optical path between the semiconductor laser element and the optical waveguide type SHG element with an optical fiber, the relative positional relationship between the semiconductor laser element and the optical fiber, and the relative optical fiber and the optical waveguide type SHG element. Such positional relationships can be made independent of each other, and adjustments can be made individually, thereby reducing the complexity of optical axis adjustment. Moreover,
Since the adjustment technology of the positional relationship between the optical fiber and the semiconductor laser element and the like has been established, the relative positional relationship between the semiconductor laser element and the optical fiber and the relative positional relationship between the optical fiber and the optical waveguide type SHG element. Adjusting the positional relationship is not so difficult. Therefore, it has become possible to provide a light emitting device capable of causing the light emitted from the semiconductor laser element to enter the optical waveguide type SHG element with a simple adjustment.

【0005】又、上記請求項2記載の構成を備えること
により、前記半導体レーザ素子の出射光が前記光ファイ
バーに直接的に入射し、且つ、前記光ファイバーの出射
光が前記光導波路型SHG素子の前記光導波路に直接的
に入射するように構成されている。すなわち、光導波路
型SHG素子からの第2高調波の光出射強度を大きくす
るために、光導波路型SHG素子自体の変換効率の向上
と共に、半導体レーザ素子と光導波路型SHG素子との
光学的な結合効率の向上が図られており、高精度のレン
ズ光学系を精密調整することによって半導体レーザ素子
の出射光の利用効率を可及的に向上させることが大前提
として従来から研究が進められており、半導体レーザ素
子の出射光の利用効率を低下させる虞のある光学系が研
究対象として関心を持たれることはなかった。一方、光
ファイバーと半導体レーザ素子及び光導波路型SHG素
子をレンズを介することなく直接的に結合させる構成で
は、光の結合効率が低下するものの位置調整自体は簡便
に行うことができ、これらを支持する部材の機械精度の
みによって位置決めして位置調整を不要とすることも可
能である。そこで、近年の半導体レーザ素子の高出力化
及び光導波路型SHG素子の高効率化の進展と発光装置
の組立調整コストとを鑑みて発想の転換を図り、光ファ
イバーと半導体レーザ素子及び光導波路型SHG素子の
夫々とをレンズを介することなく直接的に結合させる構
成として、あえて半導体レーザ素子の出射光の利用効率
を若干犠牲にして位置調整を簡便化することで、発光装
置全体としての製造コストを低減することができたので
ある。
Further, by providing the structure according to claim 2, the emitted light of the semiconductor laser element is directly incident on the optical fiber, and the emitted light of the optical fiber is the optical waveguide type SHG element. It is configured to directly enter the optical waveguide. That is, in order to increase the light emission intensity of the second harmonic from the optical waveguide type SHG element, the conversion efficiency of the optical waveguide type SHG element itself is improved and the optical efficiency of the semiconductor laser element and the optical waveguide type SHG element is increased. The coupling efficiency has been improved, and research has been advanced on the premise that the utilization efficiency of the emitted light of the semiconductor laser device is improved as much as possible by precisely adjusting the high-precision lens optical system. However, an optical system that may reduce the utilization efficiency of the emitted light of the semiconductor laser device has not been of interest as a research target. On the other hand, in the configuration in which the optical fiber, the semiconductor laser element, and the optical waveguide type SHG element are directly coupled without passing through a lens, although the coupling efficiency of light is lowered, the position adjustment itself can be easily performed, and these are supported. It is also possible to position the member only by the mechanical accuracy of the member and eliminate the need for position adjustment. Therefore, in view of the recent progress in higher output of semiconductor laser devices and higher efficiency of optical waveguide type SHG devices and the cost of assembling and adjusting light emitting devices, the idea is changed, and an optical fiber, a semiconductor laser device and an optical waveguide type SHG are made. As a configuration in which each of the elements is directly coupled without passing through a lens, the manufacturing cost of the light emitting device as a whole is reduced by intentionally sacrificing the utilization efficiency of the emitted light of the semiconductor laser element and simplifying the position adjustment. It was possible to reduce.

【0006】又、上記請求項3記載の構成を備えること
により、前記半導体レーザ素子を支持するレーザ支持部
材と、前記光導波路型SHG素子を支持するSHG支持
部材とが別体に形成されている。すなわち、光導波路型
SHG素子で半導体レーザ素子の出射光の第2高調波を
発生させる構成では、一般に効率良く第2高調波を取り
出すための夫々の素子の最適動作温度が異なり、しか
も、夫々高精度で温度制御を行う必要がある。このた
め、両素子を単一の支持部材上に配置したのでは、両素
子の熱的な相互作用を弱めるために相当の距離をおいて
配置する必要がある。このため、両素子の熱的な相互作
用の回避を考慮すると発光装置が大型化してしまう不都
合がある。そこで、半導体レーザ素子の支持部材と光導
波路型SHG素子の支持部材とを別個の支持部材とし
て、熱的な相互作用を十分弱めることを可能としてい
る。しかも、上記のように光ファイバーにて半導体レー
ザ素子と光導波路型SHG素子を光学的に結合させるこ
ととあいまって、半導体レーザ素子と光導波路型SHG
素子との間の相対的な位置関係の自由度を飛躍的に大き
くできるので、半導体レーザ素子と光導波路型SHG素
子との熱的な相互作用を更に弱める位置関係に配置する
ことが可能となると共に、発光装置を設置する装置にお
いて、その装置の適当な空きスペースを利用して半導体
レーザ素子等を配置して省スペース化を図ることや、半
導体レーザ素子等の配置の自由度が高いことを利用し
て、発光装置を設置する装置における他の装置部品の配
置設計の簡単化を図ることも可能となる。更に、半導体
レーザ素子の支持部材と光導波路型SHG素子の支持部
材とが別個の支持部材となり調整自由度が増大しても、
これらの部品の位置調整が複雑化してしまうのを可及的
に回避できる。
Further, by providing the structure according to claim 3, the laser supporting member for supporting the semiconductor laser device and the SHG supporting member for supporting the optical waveguide type SHG device are separately formed. . That is, in the configuration in which the optical waveguide type SHG element generates the second harmonic of the emitted light of the semiconductor laser element, generally, the optimum operating temperature of each element for efficiently extracting the second harmonic is different, and the high temperature is high. It is necessary to control the temperature with accuracy. Therefore, if both elements are arranged on a single supporting member, it is necessary to arrange them at a considerable distance in order to weaken the thermal interaction between both elements. Therefore, considering the avoidance of thermal interaction between both elements, there is a disadvantage that the light emitting device becomes large. Therefore, the supporting member of the semiconductor laser element and the supporting member of the optical waveguide type SHG element are used as separate supporting members, so that the thermal interaction can be sufficiently weakened. In addition, as described above, the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device are optically coupled to each other by the optical fiber, and the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device are coupled with each other.
Since the degree of freedom of the relative positional relationship with the element can be dramatically increased, it is possible to arrange the semiconductor laser element and the optical waveguide type SHG element in a positional relationship that further weakens the thermal interaction. At the same time, in a device in which a light emitting device is installed, it is possible to use a suitable empty space of the device to arrange a semiconductor laser element or the like to save space and to have a high degree of freedom in the arrangement of the semiconductor laser element or the like. By utilizing this, it becomes possible to simplify the layout design of other device parts in the device in which the light emitting device is installed. Furthermore, even if the support member of the semiconductor laser device and the support member of the optical waveguide type SHG device become separate support members and the degree of freedom in adjustment increases,
It is possible to prevent the position adjustment of these components from becoming complicated.

【0007】又、上記請求項4記載の構成を備えること
により、前記半導体レーザ素子を温度調整するためのレ
ーザ用温度調整手段と前記光導波路型SHG素子を温度
調整するためのSHG用温度調整手段とが別個に備えら
れている。すなわち、上述のように、光導波路型SHG
素子で半導体レーザ素子の出射光の第2高調波を発生さ
せる構成では、一般に夫々の素子の最適動作温度が異な
るため、これらの素子を別個に温度調整できるように発
光装置を構成することで、半導体レーザ素子の出射光の
第2高調波を効率良く取り出すことができる。しかも、
上記のように光ファイバーにて半導体レーザ素子と光導
波路型SHG素子を光学的に結合させることとあいまっ
て、半導体レーザ素子及びレーザ用温度調整手段と、光
導波路型SHG素子及びSHG用温度調整手段との間の
相対的な位置関係の自由度を飛躍的に大きくできるの
で、半導体レーザ素子とSHG用温度調整手段との間の
熱的な干渉、並びに、光導波路型SHG素子とレーザ用
温度調整手段との間の熱的な干渉を可及的に小さくする
位置関係に配置することが可能となる。
Further, by providing the structure according to claim 4, a laser temperature adjusting means for adjusting the temperature of the semiconductor laser element and an SHG temperature adjusting means for adjusting the temperature of the optical waveguide type SHG element. And are provided separately. That is, as described above, the optical waveguide type SHG
In the configuration in which the elements generate the second harmonic of the light emitted from the semiconductor laser element, the optimum operating temperatures of the respective elements are generally different. Therefore, by configuring the light emitting device so that the temperature of these elements can be adjusted separately, The second harmonic of the light emitted from the semiconductor laser device can be efficiently extracted. Moreover,
Along with optically coupling the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device with the optical fiber as described above, the semiconductor laser device and the laser temperature adjusting means, and the optical waveguide type SHG element and the SHG temperature adjusting means are provided. Since the degree of freedom of the relative positional relationship between the two can be dramatically increased, thermal interference between the semiconductor laser element and the SHG temperature adjusting means, and the optical waveguide type SHG element and the laser temperature adjusting means. It is possible to arrange them in a positional relationship that minimizes thermal interference between them.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の発光装置を写真プ
リントシステムにおける露光用の光源として備えた場合
の実施の形態を図面に基づいて説明する。本実施の形態
で例示する写真プリントシステムDPは、いわゆるデジ
タルミニラボ機として知られているものであり、図5の
ブロック構成図に示すように、現像処理済みの写真フィ
ルムやメモリーカード,MOあるいはCD−R等から写
真プリントを作製するための画像データを入力する画像
入力装置IRと、画像入力装置IRにて入力した画像デ
ータを印画紙2に露光処理する露光・現像装置EPとか
ら構成されている。 〔画像入力装置IRの概略構成〕画像入力装置IRに
は、図5に概略的に示すように、写真フィルムの駒画像
を読み取るフィルムスキャナ3と、メモリーリーダ,M
Oドライブ及びCD−Rドライブ等を備えた外部入出力
装置4と、汎用小型コンピュータシステムにて構成され
てフィルムスキャナ3や外部入出力装置4の制御のほか
写真プリントシステムDP全体の管理を実行する主制御
装置5とが備えられ、更に、主制御装置5には、仕上が
りプリント画像をシミュレートしたシミュレート画像や
各種の制御用の情報を表示するモニタ5aと、露光条件
の手動設定等や制御情報の入力操作をするための操作卓
5bとが接続されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments in which the light emitting device of the present invention is provided as a light source for exposure in a photographic printing system will be described below with reference to the drawings. The photographic print system DP illustrated in the present embodiment is known as a so-called digital minilab machine, and as shown in the block diagram of FIG. 5, a photographic film, a memory card, an MO or a CD that has been developed. An image input device IR for inputting image data for producing a photographic print from R or the like, and an exposure / developing device EP for exposing the image data input by the image input device IR to the photographic paper 2. There is. [Schematic Configuration of Image Input Device IR] The image input device IR includes a film scanner 3 for reading frame images of photographic film, a memory reader, and M as shown in FIG.
An external input / output device 4 including an O drive and a CD-R drive, and a general-purpose small computer system are used to control the film scanner 3 and the external input / output device 4 as well as manage the entire photo print system DP. A main controller 5 is further provided, and the main controller 5 further includes a monitor 5a for displaying a simulated image of a finished print image and various control information, and manual setting of exposure conditions and control. An operation console 5b for inputting information is connected.

【0009】〔露光・現像装置EPの全体構成〕露光・
現像装置EPは、筐体内部に、画像露光装置EXと、画
像露光装置EXにて露光された印画紙2を現像処理する
現像処理装置PPと、筐体内に配置された印画紙マガジ
ン6から引き出された印画紙2を多数の搬送ローラ9等
にて現像処理装置PPへ搬送する印画紙搬送系PTとが
設けられている。図示を省略するが、露光・現像装置E
Pの筐体外部には、現像処理装置PPにて現像処理及び
乾燥処理された印画紙2をオーダ毎に分類するためのソ
ータが備えられ、このソータへ印画紙2を搬送するコン
ベア10が筐体上面に備えられている。更に、印画紙搬
送系PTの搬送経路の途中には、印画紙マガジン6から
引き出された長尺の印画紙2を設定プリントサイズに切
断するカッタ11と、一列で搬送される印画紙2を複数
の搬送列に振り分けるための振り分け装置12が備えら
れている。
[Overall Structure of Exposure / Development Device EP]
The developing device EP is drawn out from an image exposure device EX, a developing device PP for developing the photographic paper 2 exposed by the image exposure device EX, and a photographic paper magazine 6 arranged in the housing inside the housing. A printing paper transport system PT that transports the printed printing paper 2 to the development processing device PP by a number of transport rollers 9 and the like is provided. Although not shown, the exposure / developing device E
Outside the casing of P, a sorter for sorting the photographic paper 2 developed and dried by the developing device PP for each order is provided, and the conveyor 10 that conveys the photographic paper 2 to this sorter is a casing. It is provided on the upper surface of the body. Further, in the middle of the conveyance path of the photographic paper conveyance system PT, a cutter 11 for cutting the long photographic paper 2 pulled out from the photographic paper magazine 6 into a set print size, and a plurality of photographic papers 2 conveyed in a line. The sorting device 12 is provided for sorting to the transport rows.

【0010】〔画像露光装置EXの構成〕画像露光装置
EXは、印画紙2に対して光ビームを走査することによ
り印画紙2上に露光画像を形成する画像露光ユニット1
3と、画像露光ユニット13を制御する露光制御装置1
4とを主要部として構成されている。 〔画像露光ユニット13の構成〕画像露光ユニット13
は、レーザを光源として印画紙2上に画像を露光するい
わゆるレーザ露光式を採用しており、その概略構成を図
4のブロック構成図に示す。画像露光ユニット13に
は、赤色,緑色及び青色の単色光をコリメート光として
夫々出射する赤色レーザ光源20r,緑色レーザ光源2
0g及び青色レーザ光源20bと、各レーザ光源20
r,20g,20bの出射光を強度変調するための音響
光学変調素子21(以下、「AOM素子21」と略称す
る)と、各レーザ光源20r、20g、20bから出射
される光ビームLBのビーム径を調整するためのビーム
エキスパンダ22と、シリンドリカルレンズ23と、赤
色,緑色及び青色の3本の光ビームLBの光軸を1本の
光軸にまとめるプリズム24と、光ビームLBを走査す
るためのポリゴンミラー25と、f−θ特性と面倒れ補
正機能とを有する結像レンズ群26とが備えられる他、
光ビームLBの光路を屈曲させるミラー27やプリズム
24へ入射する光を規制するアパーチャ28が配置され
ている。
[Structure of Image Exposure Device EX] The image exposure device EX forms an exposure image on the photographic paper 2 by scanning the photographic paper 2 with a light beam.
3 and an exposure control device 1 for controlling the image exposure unit 13
4 and the main part. [Structure of Image Exposure Unit 13] Image Exposure Unit 13
Adopts a so-called laser exposure method in which an image is exposed on the photographic printing paper 2 using a laser as a light source, and a schematic configuration thereof is shown in a block configuration diagram of FIG. The image exposure unit 13 includes a red laser light source 20r and a green laser light source 2 which respectively emit red, green and blue monochromatic light as collimated light.
0g and blue laser light source 20b and each laser light source 20
An acousto-optic modulator 21 (hereinafter abbreviated as "AOM element 21") for intensity-modulating emitted light of r, 20g, and 20b, and a beam of a light beam LB emitted from each of the laser light sources 20r, 20g, and 20b. The beam expander 22 for adjusting the diameter, the cylindrical lens 23, the prism 24 that combines the optical axes of the three red, green, and blue light beams LB into one optical axis, and the light beam LB are scanned. In addition to a polygon mirror 25 for the purpose and an imaging lens group 26 having an f-θ characteristic and a surface tilt correction function,
A mirror 27 that bends the optical path of the light beam LB and an aperture 28 that restricts light incident on the prism 24 are arranged.

【0011】〔各レーザ光源20r,20g,20bの
構成〕各レーザ光源20r,20g,20bは、何れも
半導体レーザ素子を光源としているのであるが、赤色レ
ーザ光源20rが半導体レーザ素子の出射光をそのまま
光ビームLBとしているのに対し、緑色レーザ光源20
g及び青色レーザ光源20bは、半導体レーザ素子の出
射光を光導波路型SHG素子に入射させて第2高調波を
生成し、その第2高調波を光ビームLBとしている。以
下、緑色レーザ光源20g及び青色レーザ光源20bの
構成について更に説明するが、これらのレーザ光源20
g,20bは基本的に同一構成であるので、両者を併せ
て説明する。
[Structure of each laser light source 20r, 20g, 20b] Each of the laser light sources 20r, 20g, 20b uses a semiconductor laser element as a light source. The red laser light source 20r emits light emitted from the semiconductor laser element. While the light beam LB is used as it is, the green laser light source 20
The g and blue laser light source 20b makes the light emitted from the semiconductor laser element incident on the optical waveguide type SHG element to generate a second harmonic, and the second harmonic is used as the light beam LB. Hereinafter, the configurations of the green laser light source 20g and the blue laser light source 20b will be further described.
Since g and 20b have basically the same configuration, both will be described together.

【0012】本発明を適用した発光装置LSである緑色
レーザ光源20g及び青色レーザ光源20bは、図1に
概略的に説明するように、LDユニット40とSHGユ
ニット41とから構成され、両者が光ファイバー42に
て光学的に接続されている。この光ファイバー42は、
ガラスファイバーであっても良いし、プラスチックファ
イバーであっても良い。LDユニット40は、筐体50
内に半導体レーザ素子51と、半導体レーザ素子51を
支持するレーザ支持部材52と、半導体レーザ素子51
の温度調整をするためのレーザ用温度調整手段LTとし
てのペルチェ素子53とが備えられて構成されている。
ここで使用する半導体レーザ素子51は、緑色レーザ光
源20g及び青色レーザ光源20bの何れについてもI
nGaAs系の材料を採用しており、両者の波長の相違
によって材料の組成比が異なる。
The green laser light source 20g and the blue laser light source 20b, which are the light emitting device LS to which the present invention is applied, are composed of an LD unit 40 and an SHG unit 41, both of which are optical fibers, as schematically illustrated in FIG. Optically connected at 42. This optical fiber 42
It may be glass fiber or plastic fiber. The LD unit 40 has a housing 50.
A semiconductor laser element 51, a laser support member 52 for supporting the semiconductor laser element 51, and a semiconductor laser element 51.
And a Peltier element 53 as a laser temperature adjusting means LT for adjusting the temperature.
The semiconductor laser element 51 used here is I for both the green laser light source 20g and the blue laser light source 20b.
An nGaAs-based material is used, and the composition ratio of the material differs depending on the difference in wavelength between the two.

【0013】LDユニット40内の各部品の配置等を更
に詳細に説明すると、筐体50内の部品配置を斜視図で
示す図2のように、ペルチェ素子53上にレーザ支持部
材52が固定され、更にレーザ支持部材52上に半導体
レーザ素子51及び光ファイバー42の一端(光入射
端)が固定されている。レーザ支持部材52には、光フ
ァイバー42の光入射端を位置決めするためのV字状溝
52aが形成され、光ファイバー42の光入射端を、V
字状溝52aを利用して位置決めした状態で、半導体レ
ーザ素子51の光出射端面に近接させて固定すること
で、半導体レーザ素子51の出射光が光ファイバー42
に直接的に且つ効率良く入射する。レーザ支持部材52
を上記のような形状に形成するには、例えば、レーザ支
持部材52としてSi単結晶の基板を使用し、エッチン
グによってV字状溝52aを形成すれば良い。
The arrangement of each component in the LD unit 40 will be described in more detail. The laser support member 52 is fixed on the Peltier element 53 as shown in FIG. Further, one end (light incident end) of the semiconductor laser element 51 and the optical fiber 42 is fixed on the laser support member 52. A V-shaped groove 52a for positioning the light incident end of the optical fiber 42 is formed in the laser support member 52, and the light incident end of the optical fiber 42 is connected to the V-shaped groove 52a.
The light emitted from the semiconductor laser element 51 is fixed to the optical fiber 42 by positioning the light using the groove 52a in proximity to the light emitting end surface of the semiconductor laser element 51.
Directly and efficiently. Laser support member 52
To form the above-mentioned shape, for example, a substrate of Si single crystal is used as the laser supporting member 52, and the V-shaped groove 52a may be formed by etching.

【0014】SHGユニット41は、筐体55内に光導
波路型SHG素子56と、光導波路型SHG素子56を
支持するSHG支持部材57と、光導波路型SHG素子
56の温度調整をするためのSHG用温度調整手段ST
としてのペルチェ素子58とが備えられて構成されてい
る。SHGユニット41内の各部品の配置等を更に詳細
に説明すると、筐体55内の部品配置を斜視図で示す図
3のように、ペルチェ素子58上にSHG支持部材57
が固定され、更にSHG支持部材57上に光導波路型S
HG素子56及び光ファイバー42の一端(光出射端)
が固定されている。
The SHG unit 41 includes an optical waveguide type SHG element 56 in a housing 55, an SHG support member 57 for supporting the optical waveguide type SHG element 56, and an SHG for adjusting the temperature of the optical waveguide type SHG element 56. Temperature adjustment means ST
And a Peltier element 58 as a component. The arrangement of each component in the SHG unit 41 will be described in more detail. As shown in FIG. 3, which shows the component arrangement in the housing 55 in a perspective view, the SHG support member 57 is provided on the Peltier element 58.
Is fixed, and the optical waveguide type S is further mounted on the SHG support member 57.
One end of the HG element 56 and the optical fiber 42 (light emitting end)
Is fixed.

【0015】光導波路型SHG素子56の光導波路56
aが上方寄りに形成されていることとの関係で、SHG
支持部材57は、それの上面が2段の階段状に形成さ
れ、上段側に光ファイバー42の光出射端を位置決めす
るためのV字状溝57aが形成されている。光ファイバ
ー42の光出射端を、V字状溝57aを利用して位置決
めした状態で、光導波路型SHG素子56の光導波路5
6aに近接させて固定することで、光ファイバー42の
出射光が光導波路56aに直接的に且つ効率良く入射す
る。このように光ファイバー42を取り付けることによ
って、光ファイバー42が、半導体レーザ素子51の出
射光を光導波路型SHG素子56に形成された光導波路
56aに案内する。SHG支持部材57を上記のような
形状に形成するについても、レーザ支持部材52と同様
に、例えば、SHG支持部材57としてSi単結晶の基
板を使用し、エッチングによってV字状溝57a及び段
差を形成すれば良い。
Optical Waveguide 56 of Optical Waveguide Type SHG Element 56
a is formed on the upper side, the SHG
The upper surface of the support member 57 is formed in a two-step shape, and a V-shaped groove 57a for positioning the light emitting end of the optical fiber 42 is formed on the upper side. The optical waveguide 5 of the optical waveguide type SHG element 56 with the light emitting end of the optical fiber 42 positioned using the V-shaped groove 57a.
The light emitted from the optical fiber 42 directly and efficiently enters the optical waveguide 56a by being fixed close to the optical fiber 6a. By mounting the optical fiber 42 in this way, the optical fiber 42 guides the emitted light of the semiconductor laser element 51 to the optical waveguide 56 a formed in the optical waveguide type SHG element 56. When the SHG support member 57 is formed in the above-described shape, like the laser support member 52, for example, a Si single crystal substrate is used as the SHG support member 57, and the V-shaped groove 57a and the step are formed by etching. It should be formed.

【0016】上記のように構成された緑色レーザ光源2
0g及び青色レーザ光源20bは、レーザ支持部材52
及びSHG支持部材57が別体に形成され、並びに、ペ
ルチェ素子53,58が別個に備えられているので、半
導体レーザ素子51及び光導波路型SHG素子56が個
別に温度制御可能であり、図示しない温度コントローラ
によって制御されるペルチェ素子53,58の作動によ
って半導体レーザ素子51及び光導波路型SHG素子5
6が個別に最適温度に制御される。この状態で、半導体
レーザ素子51から出射されたレーザ光が光ファイバー
42を経て光導波路型SHG素子56の光導波路56a
に入射すると、光導波路56aを伝搬するレーザ光の一
部が、波長が1/2のレーザ光に変換されて出射され、
印画紙2を露光するために前記光ビームLBとなる。
The green laser light source 2 configured as described above
0g and the blue laser light source 20b are the laser support member 52
Since the SHG support member 57 and the SHG support member 57 are separately formed and the Peltier devices 53 and 58 are separately provided, the temperature of the semiconductor laser device 51 and the optical waveguide type SHG device 56 can be controlled individually and are not shown. The semiconductor laser device 51 and the optical waveguide type SHG device 5 are operated by the operation of the Peltier devices 53 and 58 controlled by the temperature controller.
6 are individually controlled to the optimum temperature. In this state, the laser light emitted from the semiconductor laser device 51 passes through the optical fiber 42 and the optical waveguide 56a of the optical waveguide type SHG device 56.
When incident on, part of the laser light propagating through the optical waveguide 56a is converted into laser light having a wavelength of ½ and emitted.
The light beam LB is used to expose the printing paper 2.

【0017】〔露光制御装置14の構成〕露光制御装置
14には、図4に概略的に示すように、上記構成の画像
露光ユニット13を制御するために、画像入力装置IR
から入力される画像データを画像露光ユニット13の露
光特性を考慮した画像データに補正演算する画像処理回
路30と、画像処理回路30にて求められた画像データ
を赤色,緑色及び青色の各色毎に記憶する画像データメ
モリ31と、赤色,緑色及び青色の各色毎に備えられて
画像データメモリ31の出力データをD/A変換するD
/Aコンバータ32と、各D/Aコンバータ32からの
入力信号に応じた振幅を有する制御信号をAOM素子2
1に出力するAOM制御回路33と、各D/Aコンバー
タ32から送出する画像信号の送出タイミングを制御す
るタイミング制御回路34とが備えられている。
[Structure of Exposure Control Device 14] The exposure control device 14 includes an image input device IR for controlling the image exposure unit 13 having the above structure, as schematically shown in FIG.
An image processing circuit 30 that corrects and calculates the image data input from the image data into image data in consideration of the exposure characteristics of the image exposure unit 13, and the image data obtained by the image processing circuit 30 for each color of red, green, and blue. An image data memory 31 for storing and a D provided for each color of red, green and blue for D / A converting output data of the image data memory 31.
A / A converter 32 and a control signal having an amplitude corresponding to an input signal from each D / A converter 32, to the AOM element 2
An AOM control circuit 33 for outputting to 1 and a timing control circuit 34 for controlling the sending timing of the image signal sent from each D / A converter 32 are provided.

【0018】〔画像露光装置EXの露光動作〕次に、上
記構成の画像露光ユニット13及び露光制御装置14の
動作を説明する。画像入力装置IRから入力された露光
用画像データは、画像処理回路30によって補正演算さ
れて、画像露光ユニット13によって露光されたときに
良好なプリント画像が得られる画像データに変換され、
画像データメモリ31に順次書き込まれる。画像データ
メモリ31に一旦記憶されたデータは、各画素のデータ
毎に、タイミング制御回路34から入力されるクロック
信号と同期して画素単位でD/Aコンバータ32に送ら
れ、アナログ信号に変換された後にAOM制御回路33
に送られる。タイミング制御回路34は、印画紙搬送系
PTから得られる印画紙2の搬送情報に基づいて、印画
紙2の前端が所定の露光開始位置まで搬送されて来たこ
とを検知すると、光ビームLBの走査位置の検出信号と
同期をとりながら、画像露光ユニット13の露光処理ス
ピードに対応した速度で画像信号を画像露光ユニット1
3へ順次送信するように前記クロック信号を生成する。
[Exposure Operation of Image Exposure Device EX] Next, operations of the image exposure unit 13 and the exposure control device 14 having the above-described configurations will be described. The exposure image data input from the image input device IR is corrected and calculated by the image processing circuit 30, and is converted into image data that gives a good print image when exposed by the image exposure unit 13.
The data is sequentially written in the image data memory 31. The data once stored in the image data memory 31 is sent to the D / A converter 32 pixel by pixel in synchronization with the clock signal input from the timing control circuit 34 for each pixel data, and converted into an analog signal. After AOM control circuit 33
Sent to. When the timing control circuit 34 detects that the front end of the photographic paper 2 has been conveyed to a predetermined exposure start position based on the conveyance information of the photographic paper 2 obtained from the photographic paper conveyance system PT, the timing of the light beam LB The image exposure unit 1 outputs the image signal at a speed corresponding to the exposure processing speed of the image exposure unit 13 while synchronizing with the detection signal of the scanning position.
The clock signal is generated so as to be sequentially transmitted to the signal generator 3.

【0019】AOM制御回路33は、入力信号に応じた
振幅の制御信号をAOM素子21に出力し、AOM素子
21は入力制御信号の振幅に応じた回折率で各レーザ光
源20b,20g,20rから入射するレーザ光を変調
する。上記のようにして変調された各光ビームLBは、
ビームエキスパンダ22等を通過した後にプリズム24
に入射し、赤色,緑色及び青色の3本の光ビームLBが
1本の光ビームLBにまとめられ、ポリゴンミラー25
の反射面に照射される。
The AOM control circuit 33 outputs a control signal having an amplitude corresponding to the input signal to the AOM element 21, and the AOM element 21 outputs from the laser light sources 20b, 20g, 20r with a diffraction index according to the amplitude of the input control signal. Modulates the incident laser light. Each light beam LB modulated as described above is
After passing through the beam expander 22 etc., the prism 24
Is incident on the polygon mirror 25 and the three light beams LB of red, green and blue are combined into one light beam LB.
It is irradiated on the reflective surface of.

【0020】駆動モータ25aにて回転駆動されている
ポリゴンミラー25の反射面で反射された光ビームLB
は、ポリゴンミラー25の回転軸芯と直交する面内で走
査され、搬送移動される印画紙2上に結像レンズ群26
によって集光される。光ビームLBの走査方向は印画紙
2の搬送方向と交差(より具体的には、直交)してお
り、光ビームLBの走査方向が主走査方向、印画紙2の
搬送方向が副走査方向となる。光ビームLBの走査と印
画紙2の搬送移動によって、印画紙2上にプリントする
画像が潜像として形成される。
The light beam LB reflected by the reflecting surface of the polygon mirror 25 which is rotationally driven by the drive motor 25a.
Is formed on the photographic printing paper 2 which is scanned and conveyed in a plane orthogonal to the rotation axis of the polygon mirror 25.
Is collected by. The scanning direction of the light beam LB intersects (more specifically, orthogonally) the conveyance direction of the photographic paper 2, the scanning direction of the light beam LB is the main scanning direction, and the conveyance direction of the photographic paper 2 is the sub-scanning direction. Become. An image to be printed on the printing paper 2 is formed as a latent image by scanning the light beam LB and moving the printing paper 2.

【0021】〔写真プリントの作製動作〕次に、上記構
成の写真プリントシステムDPによる写真プリントの作
製動作を概略的に説明する。操作者が写真フィルムの駒
画像について写真プリントの作製を指示入力したとき
は、主制御装置5は、フィルムスキャナ3に対して写真
フィルムの読み取りを指令し、フィルムスキャナ3から
その写真フィルムの画像データを順次受取って、内蔵さ
れているメモリに記録する。一方、操作者がメモリーカ
ード,MOあるいはCD−R等の記録媒体に記録された
画像データについて写真プリントの作製を指示入力した
ときは、主制御装置5は、外部入出力装置4の該当する
ドライブに画像データの読み取りを指令し、そのドライ
ブから画像データを順次受取ってメモリに記録する。
[Manufacturing Operation of Photographic Print] Next, the manufacturing operation of the photographic print by the photographic print system DP having the above-described configuration will be schematically described. When the operator inputs an instruction to make a photographic print for a frame image of a photographic film, the main control unit 5 commands the film scanner 3 to read the photographic film, and the film scanner 3 sends the image data of the photographic film. Are sequentially received and recorded in the built-in memory. On the other hand, when the operator inputs an instruction to make a photographic print for image data recorded on a recording medium such as a memory card, MO or CD-R, the main control unit 5 causes the external I / O unit 4 to drive the corresponding drive. To read the image data, sequentially receive the image data from the drive and record it in the memory.

【0022】主制御装置5は、上記のようにして入力さ
れた画像データに基づいて、その画像データによってプ
リントを作製した場合に得られるであろうシミュレート
画像を図示を省略する画像処理回路にて演算して求め、
それをモニタ5aに表示する。操作者は、このモニタ5
a上のシミュレート画像を観察して、適正な画像が得ら
れていなければ、操作卓5bから露光条件の修正入力操
作を行う。主制御装置5の画像処理回路は、入力された
画像データとその修正入力とに従って予め設定された演
算条件で赤色、緑色、青色毎の露光用画像データを生成
する。
Based on the image data input as described above, the main control unit 5 sends a simulated image, which will be obtained when a print is made from the image data, to an image processing circuit (not shown). And calculate it,
It is displayed on the monitor 5a. The operator uses this monitor 5
Observing the simulated image on a, and if an appropriate image is not obtained, a correction input operation of the exposure condition is performed from the console 5b. The image processing circuit of the main controller 5 generates exposure image data for each of red, green, and blue under preset calculation conditions according to the input image data and the correction input.

【0023】この露光用画像データは、露光・現像装置
EPの露光制御装置14に送られ、上述のようにして印
画紙2にプリント画像の潜像が形成される。画像露光ユ
ニット13にて露光処理された印画紙2は、印画紙搬送
系PTにて現像処理装置PPへ搬送されて、各現像処理
タンクを順次通過することにより現像され、現像処理さ
れた印画紙2は、更に乾燥処理された後にコンベア10
上に排出され、ソータにてオーダー毎にまとめられる。
The image data for exposure is sent to the exposure control device 14 of the exposure / developing device EP, and a latent image of a print image is formed on the photographic printing paper 2 as described above. The photographic printing paper 2 exposed by the image exposure unit 13 is transported to the development processing device PP by the photographic printing paper transport system PT, and is developed by sequentially passing through the respective development processing tanks, and the development processing is performed. 2 is a conveyor 10 after being further dried.
It is discharged to the top and collected by the sorter for each order.

【0024】〔別実施形態〕以下、本発明の別実施形態
を列記する。 (1)上記実施の形態では、本発明の発光装置LSを、
写真プリントシステムDPの画像露光装置EXにおいて
印画紙2に露光画像を形成するための光源に適用する場
合を例示しているが、光ディスク装置の読取り及び記録
用の光源として用いる等、種々の用途に用いることがで
きる。 (2)上記実施の形態では、発光装置LSを構成するL
Dユニット40及びSHGユニット41を近接して配置
する場合を例示しているが、光ファイバー42を採用す
ることでレーザ用温度調整手段LTとSHG用温度調整
手段STとの配置自由度が従来に比べて飛躍的に向上す
る点をより有効に活用して、光ファイバー42を延伸し
て更に離間させて配置しても良く、例えば、LDユニッ
ト40を露光制御装置14に配置し、SHGユニット4
1を画像露光ユニット13に配置しても良い。あるい
は、レーザ用温度調整手段LTとSHG用温度調整手段
STとを個別の密封室に格納して、これらの密封室間を
光ファイバー42にて結ぶ構成としても良い。このよう
に構成することで、半導体レーザ素子51と光導波路型
SHG素子56とに要求される個々の温度設定を、相互
の熱的な干渉を排除して的確に行うことができると共
に、レーザ用温度調整手段LT及びSHG用温度調整手
段STを格納する夫々の前記密封室を適当な空きスペー
スを利用して配置することで、他の装置部品の配置に制
限を与えてしまうようなことも回避できる。 (3)上記実施の形態では、LDユニット40とSHG
ユニット41とを別筐体に収納しているが、これらを同
一の筐体に収納するように構成しても良い。
[Other Embodiments] Other embodiments of the present invention will be listed below. (1) In the above embodiment, the light emitting device LS of the present invention is
The case where the image exposure device EX of the photographic print system DP is applied to a light source for forming an exposure image on the photographic printing paper 2 is illustrated, but it is used for various applications such as a light source for reading and recording of an optical disk device. Can be used. (2) In the above embodiment, L constituting the light emitting device LS
Although the case where the D unit 40 and the SHG unit 41 are arranged close to each other is illustrated, by adopting the optical fiber 42, the degree of freedom in arranging the laser temperature adjusting means LT and the SHG temperature adjusting means ST is higher than that in the conventional case. The optical fiber 42 may be stretched and arranged further apart from each other by more effectively utilizing the point of dramatic improvement. For example, the LD unit 40 may be arranged in the exposure control device 14, and the SHG unit 4 may be arranged.
1 may be arranged in the image exposure unit 13. Alternatively, the laser temperature adjusting means LT and the SHG temperature adjusting means ST may be stored in separate sealed chambers, and the sealed chambers may be connected by an optical fiber 42. With such a configuration, individual temperature settings required for the semiconductor laser device 51 and the optical waveguide type SHG device 56 can be accurately performed by eliminating mutual thermal interference, and at the same time, for laser use. By arranging each of the sealed chambers that store the temperature adjusting means LT and the temperature adjusting means ST for SHG using an appropriate empty space, it is possible to avoid limiting the arrangement of other device parts. it can. (3) In the above embodiment, the LD unit 40 and the SHG
Although the unit 41 and the unit 41 are housed in separate housings, they may be housed in the same housing.

【0025】[0025]

【発明の効果】上記請求項1記載の構成によれば、半導
体レーザ素子と光導波路型SHG素子との間の光路を光
ファイバーにて構成することで、半導体レーザ素子と光
ファイバーとの相対的な位置関係と、光ファイバーと光
導波路型SHG素子との相対的な位置関係とを互いに独
立させることが可能となり、夫々個別に調整を行うこと
が可能となって光軸調整の複雑さが軽減される。しか
も、光ファイバーと半導体レーザ素子等との間の位置関
係の調整技術が確立していることもあって、半導体レー
ザ素子と光ファイバーとの相対的な位置関係及び光ファ
イバーと光導波路型SHG素子との相対的な位置関係の
調整もそれほど困難ではない。もって、簡単な調整で、
半導体レーザ素子の出射光を光導波路型SHG素子に入
射させることができる発光装置を提供できるに至った。
According to the structure of the above-mentioned claim 1, the optical path between the semiconductor laser element and the optical waveguide type SHG element is constituted by an optical fiber, so that the relative position between the semiconductor laser element and the optical fiber. It is possible to make the relationship and the relative positional relationship between the optical fiber and the optical waveguide type SHG element independent from each other, and it is possible to individually adjust each, and the complexity of the optical axis adjustment is reduced. In addition, the relative positional relationship between the semiconductor laser device and the optical fiber and the relative relationship between the optical fiber and the optical waveguide type SHG device have been established because the technology for adjusting the positional relationship between the optical fiber and the semiconductor laser device has been established. It is not so difficult to adjust the physical relationship. With simple adjustment,
It has become possible to provide a light emitting device capable of allowing the light emitted from the semiconductor laser element to enter the optical waveguide type SHG element.

【0026】又、上記請求項2記載の構成によれば、近
年の半導体レーザ素子の高出力化及び光導波路型SHG
素子の高効率化の進展と発光装置の組立調整コストとを
鑑みて発想の転換を図り、光ファイバーと半導体レーザ
素子及び光導波路型SHG素子の夫々とをレンズを介す
ることなく直接的に結合させる構成として、あえて半導
体レーザ素子の出射光の利用効率を若干犠牲にして位置
調整を簡便化することで、発光装置全体としての製造コ
ストを低減することができた。又、上記請求項3記載の
構成によれば、半導体レーザ素子の支持部材と光導波路
型SHG素子の支持部材とを別個の支持部材として、熱
的な相互作用を十分弱めることを可能とし、しかも、上
記のように光ファイバーにて半導体レーザ素子と光導波
路型SHG素子を光学的に結合させることとあいまっ
て、半導体レーザ素子と光導波路型SHG素子との間の
相対的な位置関係の自由度を飛躍的に大きくできると共
に、半導体レーザ素子の支持部材と光導波路型SHG素
子の支持部材とが別個の支持部材となり調整自由度が増
大しても、これらの部品の位置調整が複雑化してしまう
のを可及的に回避できる。又、上記請求項4記載の構成
によれば、光導波路型SHG素子で半導体レーザ素子の
出射光の第2高調波を発生させる構成では、一般に夫々
の素子の最適動作温度が異なるため、これらの素子を別
個に温度調整できるように発光装置を構成することで、
半導体レーザ素子の出射光の第2高調波を効率良く取り
出すことができる。
Further, according to the structure of the above-mentioned claim 2, the recent high output of the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG.
A structure in which the idea is changed in view of the progress of high efficiency of the element and the assembly and adjustment cost of the light emitting device, and the optical fiber and each of the semiconductor laser element and the optical waveguide type SHG element are directly coupled without a lens. As a result, the manufacturing cost of the light emitting device as a whole can be reduced by intentionally sacrificing the utilization efficiency of the emitted light of the semiconductor laser element and simplifying the position adjustment. Further, according to the structure described in claim 3, the supporting member of the semiconductor laser device and the supporting member of the optical waveguide type SHG device are used as separate supporting members, and it is possible to sufficiently weaken the thermal interaction. In addition to the optical coupling of the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device by the optical fiber as described above, the degree of freedom of the relative positional relationship between the semiconductor laser device and the optical waveguide type SHG device is increased. The size can be dramatically increased, and even if the support member for the semiconductor laser device and the support member for the optical waveguide type SHG device become separate support members and the degree of freedom in adjustment increases, the position adjustment of these components becomes complicated. Can be avoided as much as possible. Further, according to the structure described in claim 4, in the structure in which the optical waveguide type SHG element generates the second harmonic of the emitted light of the semiconductor laser element, the optimum operating temperature of each element is generally different. By configuring the light emitting device so that the temperature of each element can be adjusted separately,
The second harmonic of the light emitted from the semiconductor laser device can be efficiently extracted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる発光装置の概略構
成図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a light emitting device according to an embodiment of the invention.

【図2】本発明の実施の形態にかかるLDユニットの斜
視図
FIG. 2 is a perspective view of an LD unit according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態にかかるSHGユニットの
斜視図
FIG. 3 is a perspective view of an SHG unit according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態にかかる画像露光装置の概
略構成図
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an image exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態にかかる写真プリントシス
テムのブロック構成図
FIG. 5 is a block configuration diagram of a photographic print system according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

42 光ファイバー 51 半導体レーザ素子 52 レーザ支持部材 56 光導波路型SHG素子 56a 光導波路 57 SHG支持部材 LT レーザ用温度調整手段 ST SHG用温度調整手段 42 optical fiber 51 Semiconductor laser device 52 Laser support member 56 Optical Waveguide SHG Device 56a optical waveguide 57 SHG support member LT Laser temperature adjustment means ST SHG temperature adjustment means

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザ素子と、その半導体レーザ
素子の出射光の第2高調波を生成する光導波路型SHG
素子とを備えた発光装置であって、 前記半導体レーザ素子の出射光を前記光導波路型SHG
素子に形成された光導波路に案内する光ファイバーが設
けられた発光装置。
1. A semiconductor laser device and an optical waveguide type SHG for generating a second harmonic of emitted light of the semiconductor laser device.
A light emitting device including an element, wherein the light emitted from the semiconductor laser element is the optical waveguide type SHG.
A light emitting device provided with an optical fiber that guides an optical waveguide formed in an element.
【請求項2】 前記半導体レーザ素子の出射光が前記光
ファイバーに直接的に入射し、且つ、前記光ファイバー
の出射光が前記光導波路型SHG素子の前記光導波路に
直接的に入射するように構成されている請求項1記載の
発光装置。
2. The light emitted from the semiconductor laser element is directly incident on the optical fiber, and the light emitted from the optical fiber is directly incident on the optical waveguide of the optical waveguide type SHG element. The light emitting device according to claim 1.
【請求項3】 前記半導体レーザ素子を支持するレーザ
支持部材と、前記光導波路型SHG素子を支持するSH
G支持部材とが別体に形成されている請求項1又は2記
載の発光装置。
3. A laser supporting member for supporting the semiconductor laser device, and an SH for supporting the optical waveguide type SHG device.
The light emitting device according to claim 1, wherein the G support member is formed separately.
【請求項4】 前記半導体レーザ素子を温度調整するた
めのレーザ用温度調整手段と前記光導波路型SHG素子
を温度調整するためのSHG用温度調整手段とが別個に
備えられている請求項3記載の発光装置。
4. A laser temperature adjusting means for adjusting the temperature of the semiconductor laser element and an SHG temperature adjusting means for adjusting the temperature of the optical waveguide type SHG element are separately provided. Light emitting device.
JP2002011322A 2002-01-21 2002-01-21 Light emitting unit Pending JP2003218441A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005266523A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Noritsu Koki Co Ltd Light source unit
JP2005274880A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Noritsu Koki Co Ltd Light source unit
JP2007128017A (en) * 2005-10-03 2007-05-24 Osaka Univ Uv laser generator

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