JP2003218312A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2003218312A JP2002009650A JP2002009650A JP2003218312A JP 2003218312 A JP2003218312 A JP 2003218312A JP 2002009650 A JP2002009650 A JP 2002009650A JP 2002009650 A JP2002009650 A JP 2002009650A JP 2003218312 A JP2003218312 A JP 2003218312A
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信也 小池
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the separation of a periphery of a tab which is disposed on the under surface of a sealing resin member from occurring. <P>SOLUTION: The semiconductor device QFT.IC38 is provided with the tab 18 which has a bonded pellet 32 via an adhesive layer 31, a plurality of inner leads 19 which are connected electrically to electrodes of the pellet 32 with wires 33, a plurality of outer leads 20 each of which is connected to each inner lead 19 respectively, and the sealing resin member 35 which seals the pellet 32, the tab 18 and the inner leads 19. At the periphery of the tab 18, rising portions 21 which are anchored in the resin of the sealing resin member 35 and non-rising portions 22 are alternately formed, and a back surface of the tab 18 is exposed outside the under surface of the sealing resin member 35. The separation of the periphery of the tab, which is exposed outside the sealing resin member from the resin around the periphery of the tab, can be prevented, since a plurality of the rising portions formed around the periphery of the tab have anchoring effects to the sealing resin member. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、樹脂封止パッケージの放熱性を向上させる技術に関
し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えた半
導体集積回路装置(以下、表面実装形パッケージICと
いう。)に利用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique for improving the heat dissipation of a resin-sealed package. Type IC package).

【0002】[0002]

【従来の技術】表面実装形パッケージICは、半導体素
子を含む集積回路が作り込まれた半導体ペレット(以
下、ペレットという。)と、ペレットが銀ペースト等に
よって接着されたタブと、ペレットの各電極パッドにワ
イヤを介して電気的に接続された複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ連結された複数本のアウ
タリードと、ペレット、タブおよびインナリード群を樹
脂封止した樹脂封止体とを備えている。このICの表面
実装形パッケージにおいて放熱性能を高める手段として
タブのペレットと反対側の主面(以下、下面とする。)
を樹脂封止体の下面から露出させることが、一般的に考
えられる。
2. Description of the Related Art A surface mount type package IC is a semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet) in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed, a tab to which the pellet is adhered with silver paste, and each electrode of the pellet. A plurality of inner leads electrically connected to the pad via a wire, a plurality of outer leads connected to each inner lead, and a resin encapsulant in which a pellet, a tab, and an inner lead group are resin-encapsulated. Is equipped with. As a means for improving the heat dissipation performance of the surface mount type package of this IC, the main surface of the tab opposite to the pellet (hereinafter referred to as the lower surface).
It is generally considered that the resin is exposed from the lower surface of the resin sealing body.

【0003】なお、樹脂封止体の下面にタブが露出され
た表面実装形パッケージを述べている例としては、特開
平5−291459号公報がある。
As an example of describing a surface mount type package in which a tab is exposed on the lower surface of a resin sealing body, there is Japanese Patent Laid-Open No. 5-291459.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂封
止体の下面にタブが露出された表面実装形パッケージに
おいては、樹脂封止体の下面におけるタブの外周に剥離
ないしは隙間が発生すると、ペレットとタブとの接着層
に剥離ないしはクラックが発生するため、放熱性能が低
下してしまう場合があることが本発明者によって明らか
にされた。
However, in the surface mount type package in which the tab is exposed on the lower surface of the resin encapsulation body, if peeling or a gap occurs on the outer periphery of the tab on the lower surface of the resin encapsulation body, the pellet and the It has been clarified by the present inventor that peeling or cracking may occur in the adhesive layer with the tab, and thus the heat dissipation performance may be deteriorated.

【0005】本発明の目的は、樹脂封止体の下面におけ
るタブの外周の剥離ないしは隙間の発生を防止すること
ができる半導体装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of preventing the outer periphery of the tab on the lower surface of the resin encapsulant from being peeled off or from forming a gap.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0008】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットが接着層によってボンディングされたタブと、半導
体ペレットの各電極に電気的に接続された複数本のイン
ナリードと、各インナリードにそれぞれ一連に連設され
た複数本のアウタリードと、半導体ペレット、タブおよ
びインナリード群を樹脂封止した樹脂封止体とを備えて
いる半導体装置において、前記タブの前記半導体ペレッ
トと反対側の主面が前記樹脂封止体の前記半導体ペレッ
トと反対側の主面で露出しており、前記タブの外周には
前記樹脂封止体に投錨した切り起こし部が複数個、周方
向に非切り起こし部と交互に形成されていることを特徴
とする。
That is, a semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded by an adhesive layer, a plurality of inner leads electrically connected to each electrode of the semiconductor pellet, and a plurality of inner leads are connected in series. In a semiconductor device including a plurality of outer leads and a resin encapsulation body in which a semiconductor pellet, a tab, and an inner lead group are resin-encapsulated, a main surface of the tab opposite to the semiconductor pellet is encapsulating the resin. It is exposed on the main surface of the body opposite to the semiconductor pellet, and a plurality of cut-and-raised parts anchored to the resin-sealed body are formed on the outer periphery of the tab alternately with non-cut-and-raised parts in the circumferential direction. It is characterized by

【0009】前記した手段によれば、半導体ペレットが
接着層によってボンディングされたタブが樹脂封止体の
主面において露出しているため、半導体装置の放熱性能
を向上することができる。しかも、タブの外周に形成さ
れた複数個の切り起こし部が樹脂封止体の内部に埋没し
て投錨効果を発揮するため、樹脂封止体から露出したタ
ブであっても樹脂封止体から剥離するのを防止すること
ができる。
According to the above means, since the tab to which the semiconductor pellet is bonded by the adhesive layer is exposed on the main surface of the resin encapsulant, the heat dissipation performance of the semiconductor device can be improved. Moreover, since a plurality of cut-and-raised portions formed on the outer circumference of the tab are buried inside the resin sealing body to exert the anchoring effect, even if the tab is exposed from the resin sealing body, It can prevent peeling.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施の形態であ
る半導体装置を示しており、(a)は正面断面図、
(b)は一部切断底面図である。図2以降はその製造方
法を示す各説明図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which (a) is a front sectional view,
(B) is a partially cut bottom view. FIG. 2 and subsequent drawings are explanatory views showing the manufacturing method thereof.

【0011】本実施の形態において、本発明に係る半導
体装置は図1に示されているように、表面実装形パッケ
ージの一例であるクワット・フラット・パッケージ(以
下、QFPという。)37を備えた半導体集積回路装置
38として構成されている。このQFPを備えた半導体
集積回路装置(以下、QFP・ICという。)38のQ
FP37は、絶縁性を有する樹脂が用いられて略正方形
の平盤形状に形成された樹脂封止体35と、樹脂封止体
35の四枚の側面からそれぞれ一列に揃えられて突出さ
れガル・ウイング形状に屈曲された複数本のアウタリー
ド20とを備えている。樹脂封止体35の内部には、半
導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体ペレット
(以下、ペレットという。)32と、ペレット32が接
着層31によって接着されたタブ18と、ペレット32
の各電極パッド32aにワイヤ33を介して電気的に接
続された複数本のインナリード19とが樹脂封止されて
おり、各インナリード19は各アウタリード20にそれ
ぞれ一体的に連設されている。また、アウタリード20
群は樹脂封止体35の四辺から水平面内で直角にそれぞ
れ突出されてガル・ウイング形状に屈曲されているとと
もに、樹脂封止体35の下側主面の高さ位置に略揃えら
れている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the semiconductor device according to the present invention includes a quat flat package (hereinafter referred to as QFP) 37 which is an example of a surface mount type package. It is configured as a semiconductor integrated circuit device 38. Q of a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as QFP / IC) 38 provided with this QFP
The FP 37 is made of a resin having an insulating property and is formed into a substantially square flat plate shape. A plurality of outer leads 20 bent into a wing shape are provided. Inside the resin encapsulant 35, a semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet) 32 in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed, a tab 18 to which the pellet 32 is adhered by an adhesive layer 31, and a pellet 32 are provided.
A plurality of inner leads 19 electrically connected to the respective electrode pads 32 a of the above with the wires 33 are resin-sealed, and each inner lead 19 is integrally connected to each outer lead 20. . Also, the outer lead 20
The groups project from the four sides of the resin encapsulation body 35 at right angles in a horizontal plane and are bent in a gull wing shape, and are substantially aligned with the height position of the lower main surface of the resin encapsulation body 35. .

【0012】本実施の形態において、タブ18のペレッ
ト32と反対側の主面が樹脂封止体35のペレット32
と反対側の主面で露出されており、タブ18の外周には
樹脂封止体35の内部に埋没した切り起こし部21が複
数個、周方向に間隔を置いて互いに並列に整列してタブ
18の径方向に向いて外端側上がりに傾斜するように切
り起こされている。
In this embodiment, the main surface of the tab 18 on the side opposite to the pellet 32 is the pellet 32 of the resin sealing body 35.
A plurality of cut-and-raised parts 21 which are exposed on the main surface on the opposite side and are buried in the resin encapsulant 35 are arranged on the outer periphery of the tab 18 in parallel with each other at intervals in the circumferential direction. It is cut and raised so as to face the radial direction of 18 and incline upward toward the outer end.

【0013】以下、本発明の一実施の形態であるQFP
・ICの製造方法を説明する。この説明によって、前記
QFP・ICの構成の詳細が共に明らかにされる。
A QFP according to an embodiment of the present invention will be described below.
-Explain the method of manufacturing an IC. This description will clarify the details of the configuration of the QFP IC.

【0014】本実施の形態において、QFP・ICの製
造方法には、図2に示された多連リードフレーム11が
使用されており、この多連リードフレーム11は多連リ
ードフレーム成形工程によって製作されて準備される。
この多連リードフレーム11は、鉄−ニッケル合金や燐
青銅等の比較的大きい機械的強度を有するばね材料から
なる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工により一体
成形されている。多連リードフレーム11の表面には銀
(Ag)等を用いためっき処理が、後述するワイヤボン
ディングが適正に実施されるように部分的または全体的
に施されている(図示せず)。この多連リードフレーム
11には複数の単位リードフレーム12が横方向に一列
に並設されている。但し、説明および図示は一単位につ
いて行われる。
In this embodiment, the multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 is used in the manufacturing method of the QFP / IC, and this multiple lead frame 11 is manufactured by the multiple lead frame molding process. Be prepared to be.
The multiple lead frame 11 is integrally formed by punching and pressing using a thin plate made of a spring material having a relatively large mechanical strength such as iron-nickel alloy or phosphor bronze. A plating process using silver (Ag) or the like is partially or entirely applied to the surface of the multiple lead frame 11 so as to appropriately perform the wire bonding described later (not shown). A plurality of unit lead frames 12 are arranged side by side in a row in the multiple lead frame 11. However, the description and illustration will be made for one unit.

【0015】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設された外枠13を一対備えており、両外枠1
3、13は所定の間隔で平行になるように配されて一連
にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレー
ム12、12間には一対のセクション枠14が両外枠1
3、13間に互いに平行に配されて一体的に架設されて
おり、これら外枠13、13、セクション枠14、14
により形成される略正方形の枠体(フレーム)内に単位
リードフレーム12が構成されている。
The unit lead frame 12 has a positioning hole 13
a is provided with a pair of outer frames 13 that are opened, and both outer frames 1
The reference numerals 3 and 13 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. A pair of section frames 14 is provided between the unit lead frames 12 and 12 adjacent to each other.
The outer frames 13 and 13 and the section frames 14 and 14 are arranged integrally with each other in parallel with each other.
The unit lead frame 12 is formed in a substantially square frame body (frame) formed by.

【0016】各単位リードフレーム12において、外枠
13およびセクション枠14の接続部にはダム吊り部材
15が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材15には四本のダム部材16が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
In each unit lead frame 12, a dam suspension member 15 is provided at the connecting portion of the outer frame 13 and the section frame 14 so as to be disposed in a substantially right angle direction and integrally projected. The four dam members 16 are arranged so as to have a substantially square frame shape and are integrally suspended.

【0017】セクション枠14側の各ダム部材16には
タブ吊りリード17がそれぞれの一端に配されて、略4
5度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード17の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ18が、ダム部材16群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード17により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。各タブ吊りリード17は
タブ18の付近においてそれぞれ屈曲されており、この
タブ吊りリード17の屈曲によって、タブ18は後記す
るリード群の面よりも、後記するペレットの厚さ分程度
だけ下げられている(所謂タブ下げである。)。
A tab suspension lead 17 is arranged at one end of each dam member 16 on the side of the section frame 14, and the tab suspension leads 17 are arranged at approximately 4
The tabs 18, which are integrally provided so as to face each other in the direction of 5 degrees and are formed in a substantially square flat plate shape at the tips of the tab suspension leads 17, are substantially concentric with the frame shape of the dam member 16 group. The tab suspension leads 17 are integrally arranged so as to be suspended by the tab suspension leads 17. Each tab suspension lead 17 is bent in the vicinity of the tab 18, and due to the bending of the tab suspension lead 17, the tab 18 is lowered from the surface of the lead group described later by the thickness of the pellet described later. There is so-called tab lowering.

【0018】各ダム部材16の内側辺にはインナリード
19が複数本、長手方向に等間隔に配されて互いに平行
でダム部材16と直交するように一体的に突設されてお
り、各ダム部材16における各インナリード19の先端
部はタブ18の外周に近接した状態で略一直線に揃うよ
うに敷設されている。他方、各ダム部材16の外側辺に
はアウタリード20が複数本、各インナリード19に一
連に連続するように一体的に突設されており、各ダム部
材16における各アウタリード20の先端部は外枠13
およびセクション枠14にそれぞれ接続されている。各
ダム部材16における隣り合うアウタリード20、20
間の部分は、後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れ
をせき止めるダム16aをそれぞれ構成している。
On the inner side of each dam member 16, a plurality of inner leads 19 are arranged at equal intervals in the longitudinal direction and are integrally projected so as to be parallel to each other and orthogonal to the dam member 16. The front end portions of the inner leads 19 of the member 16 are laid so as to be aligned in a substantially straight line in the state of being close to the outer circumference of the tab 18. On the other hand, a plurality of outer leads 20 are integrally projectingly provided on the outer side of each dam member 16 so as to be continuous with each inner lead 19 in series, and the tips of the outer leads 20 of each dam member 16 are external. Frame 13
And section frame 14 respectively. Adjacent outer leads 20, 20 in each dam member 16
The intervening portions respectively form dams 16a that block the flow of the resin at the time of molding a resin encapsulating body, which will be described later.

【0019】本実施の形態において、図1に示されてい
るように、また、図4(b)で参照されるように、タブ
18の四辺には複数個の切り起こし部21と複数個の非
切り起こし部22とが周方向に交互に配置されてそれぞ
れ形成されており、各切り起こし部21は略正方形に形
成されて外端側が立ち上がるように径方向に傾斜されて
いる。各切り起こし部21は周方向の両脇に非切り起こ
し部22、22を平坦に残すようにする切り起こしプレ
ス加工によって成形されている。ちなみに、切り起こし
プレス加工においては剪断加工(shearing)と曲げ型を
プレス(press )に取り付けて行う型曲げ加工とが同時
に実施される。この切り起こし部21の切り起こしプレ
ス加工はインナリード19の打ち抜きプレス加工と同時
に実施してもよいし、タブ18のタブ下げプレス加工と
同時に、実施してもよいし、それらと別工程で実施して
もよい。
In this embodiment, as shown in FIG. 1 and as shown in FIG. 4B, a plurality of cut-and-raised portions 21 and a plurality of cut-and-raised portions 21 are provided on the four sides of the tab 18. The non-cut-and-raised parts 22 are alternately arranged in the circumferential direction and formed, and the cut-and-raised parts 21 are formed in a substantially square shape and are inclined in the radial direction so that the outer end side rises. Each of the cut-and-raised parts 21 is formed by a cut-and-raised press work for leaving the non-cut-and-raised parts 22, 22 flat on both sides in the circumferential direction. Incidentally, in the cut-and-raised press working, a shearing work and a die bending work carried out by attaching a bending die to a press (press) are simultaneously carried out. The cut-and-raised press work of the cut-and-raised part 21 may be carried out simultaneously with the punching press work of the inner lead 19, or with the tab lowering press work of the tab 18, or in a separate process from them. You may.

【0020】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。これらボンディング作業に際して、タブ1
8に形成された切り起こし部21は上面側に切り起こさ
れているため、多連リードフレーム11の送りを妨害す
ることはない。
The multiple lead frame 11 having the above-mentioned structure prepared in the multiple lead frame molding step is
In the pellet bonding process and the wire bonding process, the pellet bonding work and then the wire bonding work are performed. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame by laterally pitching multiple lead frames. Tab 1 for these bonding operations
Since the cut-and-raised portion 21 formed in 8 is cut and raised on the upper surface side, it does not interfere with the feeding of the multiple lead frame 11.

【0021】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、ICの製造工程における所謂前工程において半導体
素子を含む集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造
物としてのペレット32が、図3および図4に示されて
いるように、各単位リードフレーム12におけるタブ1
8上の略中央部に配されて、タブ18とペレット32と
の間に形成された接着層31によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。接着層31の形成手
段としては、銀ペースト接着層によるボンディング法が
使用される。
First, a pellet 32 as a semiconductor integrated circuit structure in which an integrated circuit including a semiconductor element is formed by a pellet bonding operation in a so-called pre-process in the IC manufacturing process is shown in FIGS. 3 and 4. As shown in FIG.
8 is disposed at a substantially central portion and is bonded mechanically by an adhesive layer 31 formed between the tab 18 and the pellet 32. As a method for forming the adhesive layer 31, a bonding method using a silver paste adhesive layer is used.

【0022】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図3および図4に示されているように、タブ18の上に
ボンディングされたペレット32の電極パッド32a
と、各単位リードフレーム12におけるインナリード1
9との間には、ワイヤ33が超音波熱圧着式ワイヤボン
ディング装置等のワイヤボンディング装置(図示せず)
が使用されることにより、その両端部をそれぞれボンデ
ィングされて橋絡される。これにより、ペレット32に
作り込まれた集積回路は電極パッド32a、ワイヤ3
3、インナリード19およびアウタリード20を介して
電気的に外部に引き出された状態になる。
Then, by wire bonding work,
As shown in FIGS. 3 and 4, the electrode pad 32a of the pellet 32 bonded onto the tab 18 is bonded.
And the inner lead 1 in each unit lead frame 12
The wire 33 is connected to the wire bonding device 9 such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device (not shown).
Is used, the both ends thereof are respectively bonded and bridged. As a result, the integrated circuit built in the pellet 32 is connected to the electrode pad 32a and the wire 3
3, the inner lead 19 and the outer lead 20 are electrically pulled out to the outside.

【0023】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた組立体34には各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止体が、図5に示されているトランスファ
成形装置40が使用されて、各単位リードフレームにつ
いて同時成形される。
As described above, pellets and wires
In the bonded assembly 34, a resin sealing body for each unit lead frame is molded at the same time for each unit lead frame by using the transfer molding device 40 shown in FIG.

【0024】図5に示されたトランスファ成形装置40
はシリンダ装置(図示せず)によって互いに型締めされ
る上下で一対の上型41と下型42とを備えており、上
型41と下型42との合わせ面には上型キャビティー凹
部43aと下型キャビティー凹部43bとが互いに協働
してキャビティー43を形成するようにそれぞれ複数組
没設されている。
The transfer molding apparatus 40 shown in FIG.
Is provided with a pair of upper and lower molds 41 and 42 which are clamped to each other by a cylinder device (not shown). The upper mold cavity recess 43a is formed on the mating surface of the upper mold 41 and the lower mold 42. And a plurality of lower mold cavity recesses 43b cooperate with each other to form a plurality of cavities 43.

【0025】上型41の合わせ面にはポット44が開設
されており、ポット44にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ45が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型42の合わせ面にはカル46がポット4
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ47がカル46にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ47の他端
部は下側キャビティー凹部43bにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート48がレジンをキャビティ
ー43内に注入し得るように形成されている。また、下
型42の合わせ面には逃げ凹所49がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
A pot 44 is opened on the mating surface of the upper die 41, and a cylinder device (not shown) is provided in the pot 44.
A plunger 45 that is advanced and retracted by is inserted so that a resin (hereinafter, referred to as a resin) as a molding material can be fed. Cull 46 is in pot 4 on the mating surface of lower mold 42.
4, the runners 47 are radially arranged so as to be connected to the culls 46, respectively. The other end of each runner 47 is connected to the lower cavity recess 43b, and a gate 48 is formed at that connection so that the resin can be injected into the cavity 43. Further, on the mating surface of the lower mold 42, a rectangular shape slightly larger than the outer shape of the multiple lead frame 11 is provided so that an escape recess 49 can escape the thickness of the lead frame, and a constant depth having a dimension substantially equal to the thickness thereof. It is buried in.

【0026】トランスファ成形に際して、図3および図
4に示された組立体34は多連リードフレーム11が下
型42に没設された逃げ凹所49内に収容され、各単位
リードフレーム12におけるペレット32が各キャビテ
ィー43内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。続いて、上型41と下型42とが型締めされ
る。この状態において、タブ18の下面は下型キャビテ
ィー凹部43bの上面に押接された状態になる。
During transfer molding, the assembly 34 shown in FIGS. 3 and 4 has the multiple leadframes 11 housed in the recesses 49 recessed in the lower die 42, and the pellets in each unit leadframe 12 are pelletized. 32 are arranged and set so as to be housed in the respective cavities 43. Subsequently, the upper mold 41 and the lower mold 42 are clamped. In this state, the lower surface of the tab 18 is pressed against the upper surface of the lower mold cavity recess 43b.

【0027】次いで、レジン50がポット44からプラ
ンジャ45によってランナ47およびゲート48を通じ
て各キャビティー43に送給されて圧入される。キャビ
ティー43に圧入されたレジン50はキャビティー43
に隙間なく充填されるため、レジン50はタブ18に形
成された切り起こし部21と下側空間であって両脇の非
切り起こし部22、22間に形成された空所23にも隙
間なく充填される。
Next, the resin 50 is fed from the pot 44 to the respective cavities 43 through the runner 47 and the gate 48 by the plunger 45 and press-fitted. The resin 50 press-fitted into the cavity 43 is
Since the resin 50 is filled without any gaps, the resin 50 does not have any gaps in the cut-and-raised portions 21 formed on the tab 18 and the lower space and the void 23 formed between the non-cut-and-raised portions 22 on both sides. Is filled.

【0028】レジンの充填後に、レジンが熱硬化されて
樹脂封止体35が成形されると、上型41および下型4
2は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示せ
ず)によって樹脂封止体35群が離型される。このよう
にして、図6に示されているように、樹脂封止体35群
が成形された組立体36はトランスファ成形装置40か
ら脱装される。
After the resin is filled, the resin is thermoset and the resin encapsulant 35 is molded, so that the upper mold 41 and the lower mold 4 are formed.
The mold 2 is opened, and the group of resin sealing bodies 35 is released from the mold by ejector pins (not shown). In this way, as shown in FIG. 6, the assembly 36 in which the group of resin sealing bodies 35 is molded is detached from the transfer molding device 40.

【0029】図6に示されているように、樹脂封止体3
5の内部にはタブ18の下面が樹脂封止体35の下面に
おいて露出された状態において、タブ18、ペレット3
2、インナリード19およびワイヤ33が樹脂封止され
た状態になる。タブ18の周辺部に切り起こされた複数
個の切り起こし部21は樹脂封止体35の内部に埋め込
まれた状態になっており、切り起こし部21は樹脂封止
体35の樹脂に投錨した状態になっている。隣合う非切
り起こし部22、22との間に形成された切り起こし部
21の切り起こされた空所23内には樹脂封止体35の
樹脂がそれぞれ充填された状態になっており、非切り起
こし部22、22は両脇の空所充填樹脂部24によって
挟まれた状態になっている。
As shown in FIG. 6, the resin sealing body 3
In the state where the lower surface of the tab 18 is exposed at the lower surface of the resin sealing body 35 inside the tab 5, the tab 18 and the pellet 3
2, the inner lead 19 and the wire 33 are resin-sealed. A plurality of cut-and-raised portions 21 cut and raised around the tab 18 are in a state of being embedded inside the resin sealing body 35, and the cut-and-raised portions 21 are anchored in the resin of the resin sealing body 35. It is in a state. The cut-and-raised portions 21 formed between the adjacent non-cut-and-raised portions 22, 22 are filled with the resin of the resin sealing body 35 in the cut-and-raised spaces 23, respectively. The cut-and-raised parts 22, 22 are sandwiched by the void-filling resin parts 24 on both sides.

【0030】樹脂封止体35を成形された半完成品とし
ての組立体36は、リード切断成形工程(図示せず)に
おいて、外枠13、セクション枠14およびダム16a
を各単位リードフレーム12毎に切り落とされるととも
に、アウタリード20群をガル・ウイング形状に屈曲さ
れる。その結果、複数本のアウタリード20が略正方形
の平盤形状の樹脂封止体35の四枚の側面からそれぞれ
一列に揃えられて突出されてガル・ウイング形状に屈曲
され、かつ、タブ18の下面が樹脂封止体35の下面に
おいて露出されたQFP37が形成された状態になり、
図1に示された前記構成に係るQFP・IC38が製造
されたことになる。
The assembly 36, which is a semi-finished product in which the resin sealing body 35 is molded, is used to form the outer frame 13, the section frame 14 and the dam 16a in a lead cutting process (not shown).
Is cut off for each unit lead frame 12, and the outer lead 20 group is bent into a gull wing shape. As a result, the plurality of outer leads 20 are aligned in a row from each of the four side surfaces of the substantially square flat plate-shaped resin encapsulation body 35 and protruded to be bent into a gull wing shape, and the lower surface of the tab 18 is formed. Becomes a state in which the exposed QFP 37 is formed on the lower surface of the resin sealing body 35,
This means that the QFP / IC 38 having the configuration shown in FIG. 1 is manufactured.

【0031】以上のようにして製造されたQFP・IC
38は、図1(a)に想像線で示されているようにプリ
ント配線基板51に実装される。すなわち、プリント配
線基板51にはランド52が複数個、実装対象物となる
QFP・IC38における各アウタリード20にそれぞ
れ対応するように配されて長方形の薄板形状に形成され
ているとともに、樹脂封止体35の下面から露出したタ
ブ18に対応するタブ用ランド53が同様に形成されて
いる。QFP・IC38の各アウタリード20が各ラン
ド52にそれぞれ当接されるとともに、タブ18がタブ
用ランド53に当接された状態で、リフロー半田付け処
理されると、QFP・IC38はプリント配線基板51
に半田付け部54によって機械的かつ電気的に接続され
る。
QFP / IC manufactured as described above
38 is mounted on the printed wiring board 51 as shown by the imaginary line in FIG. That is, a plurality of lands 52 are arranged on the printed wiring board 51 so as to correspond to the respective outer leads 20 of the QFP / IC 38 to be mounted, and are formed in a rectangular thin plate shape. Similarly, a tab land 53 corresponding to the tab 18 exposed from the lower surface of the tab 35 is formed. When the outer leads 20 of the QFP / IC 38 are respectively brought into contact with the respective lands 52 and the tabs 18 are brought into contact with the tab lands 53, the QFP / IC 38 is subjected to the reflow soldering process.
Is mechanically and electrically connected by the soldering portion 54.

【0032】このQFP・IC38のプリント配線基板
51での実装状態において、ペレット32の発熱はタブ
18へ接着層31を経由して熱伝導され、さらに、タブ
18からタブ用ランド53へ半田付け部54を経由して
熱伝導されることにより、放熱される。このようにペレ
ット32の発熱はプリント配線基板51へ熱伝導によっ
て直接放熱されるため、放熱効率はきわめて良好にな
る。
In the mounted state of the QFP / IC 38 on the printed wiring board 51, the heat generated by the pellet 32 is conducted to the tab 18 via the adhesive layer 31, and further the soldered portion from the tab 18 to the tab land 53 is formed. The heat is dissipated by being thermally conducted via 54. In this way, the heat generated by the pellet 32 is directly radiated to the printed wiring board 51 by heat conduction, so that the heat radiation efficiency becomes extremely good.

【0033】次に、QFP・IC38の切り起こし部2
1の作用を説明する。
Next, the cut-and-raised portion 2 of the QFP / IC 38
The action of 1 will be described.

【0034】半導体装置の製造工場で製造されたQFP
・IC38は出荷前に抜き取り検査を実施される。抜き
取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含む
環境試験が実施される。このような環境試験に際して、
熱ストレスが前記構成に係るQFP・ICに加わった場
合には、ペレット、樹脂封止体およびタブの構成材料の
熱膨張係数差に起因して樹脂封止体の内部に応力が発生
する。このような度重なる熱ストレスによる繰り返しの
応力により、樹脂封止体35の下面においてタブ18の
外周の樹脂との界面に剥離ないしは隙間が発生すること
がある。
QFP manufactured in a semiconductor device manufacturing factory
-The IC38 is inspected before shipment. Environmental tests including temperature cycle tests and thermal shock tests are carried out as sampling inspections. In such environmental tests,
When thermal stress is applied to the QFP / IC according to the above configuration, stress is generated inside the resin encapsulant due to the difference in thermal expansion coefficient between the constituent materials of the pellet, the resin encapsulant, and the tab. Due to repeated stress due to such repeated thermal stress, peeling or a gap may occur on the lower surface of the resin sealing body 35 at the interface with the resin on the outer periphery of the tab 18.

【0035】万一、樹脂封止体35の下面においてタブ
18の外周の樹脂との界面に剥離ないしは隙間が発生す
ると、樹脂封止体35の外部の水分がその隙間を通って
ペレット32とタブ18を接着している接着層31に達
して接着層31に吸湿される。接着層31に吸湿された
水分はQFP・IC38の加熱時に膨張することによっ
て所謂水蒸気爆発を引き起こすため、接着層31の剥離
ないしはクラックが発生する場合がある。そして、前述
した通り、ペレット32の発熱はペレット32とタブ1
8との接着層31を経由して熱伝導によって放熱される
ため、接着層31に剥離ないしはクラックが発生する
と、ペレット32の発熱のタブ18への熱伝導が妨げら
れ、タブ18が樹脂封止体35の下面で露出されたQF
P・IC38の放熱が低下してしまう。
In the unlikely event that peeling or a gap occurs on the lower surface of the resin encapsulation body 35 at the interface with the resin on the outer periphery of the tab 18, the moisture outside the resin encapsulation body 35 will pass through the gap and the pellet 32 and the tab. The adhesive layer 31 adhering 18 is reached and absorbed by the adhesive layer 31. Moisture absorbed by the adhesive layer 31 expands when the QFP / IC 38 is heated to cause a so-called steam explosion, so that peeling or cracking of the adhesive layer 31 may occur. Then, as described above, the heat generated by the pellet 32 is generated by the pellet 32 and the tab 1.
Since heat is radiated by heat conduction via the adhesive layer 31 with the adhesive layer 8, the peeling or cracking of the adhesive layer 31 hinders heat conduction of the heat generated by the pellet 32 to the tab 18, and the tab 18 is sealed with resin. QF exposed on the underside of body 35
The heat dissipation of the P / IC 38 is reduced.

【0036】しかし、本実施の形態に係るQFP・IC
38においては、タブ18の外周に複数個の切り起こし
部21が形成されていることにより、接着層31の剥離
ないしはクラックの発生を防止することができるため、
タブ18が樹脂封止体35の下面で露出されたQFP・
IC38の放熱性能が低下するのを防止することができ
る。
However, the QFP / IC according to the present embodiment
In 38, since a plurality of cut-and-raised portions 21 are formed on the outer periphery of the tab 18, peeling or cracking of the adhesive layer 31 can be prevented,
The QFP in which the tab 18 is exposed on the lower surface of the resin sealing body 35.
It is possible to prevent the heat radiation performance of the IC 38 from deteriorating.

【0037】すなわち、温度サイクル試験や熱衝撃試験
を含む環境試験等の熱ストレスによる繰り返し応力が発
生しても、タブ18の外周に形成された複数個の切り起
こし部21が樹脂封止体35の樹脂に投錨した状態にな
っているため、タブ18と樹脂封止体35の樹脂との界
面で剥離ないしは隙間が形成されることはない。
That is, even if repeated stress due to thermal stress such as an environmental test including a temperature cycle test and a thermal shock test is generated, a plurality of cut-and-raised parts 21 formed on the outer periphery of the tab 18 have the resin-sealed body 35. Since the resin is anchored in the resin of No. 1, no peeling or gap is formed at the interface between the tab 18 and the resin of the resin sealing body 35.

【0038】したがって、樹脂封止体35の外部の水分
がタブ18と樹脂封止体35の樹脂との界面との間に形
成された剥離ないしは隙間から接着層31へ侵入して引
き起こされる所謂水蒸気爆発による接着層31の剥離な
いしはクラックの発生は未然に防止されるため、接着層
31における熱抵抗の増加による放熱性能の低下現象の
発生を未然に回避することができる。
Therefore, so-called water vapor caused by moisture outside the resin encapsulant 35 entering the adhesive layer 31 through the peeling or gap formed between the interface between the tab 18 and the resin of the resin encapsulant 35. Since the peeling or cracking of the adhesive layer 31 due to the explosion is prevented in advance, it is possible to avoid the phenomenon of the deterioration of the heat radiation performance due to the increase of the thermal resistance in the adhesive layer 31.

【0039】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

【0040】1) タブが樹脂封止体の下面で露出したQ
FP・ICのタブの外周に複数個の切り起こし部を形成
することにより、切り起こし部の投錨効果によってタブ
と樹脂封止体との界面に剥離ないしは隙間が発生するの
を防止することができるため、樹脂封止体の外部の水分
が接着層に侵入するのを防止することができる。
1) Q where the tab is exposed on the lower surface of the resin encapsulant
By forming a plurality of cut-and-raised parts on the outer periphery of the tab of the FP / IC, it is possible to prevent peeling or a gap from being generated at the interface between the tab and the resin sealing body due to the anchoring effect of the cut-and-raised parts. Therefore, it is possible to prevent moisture outside the resin encapsulant from entering the adhesive layer.

【0041】2) 切り起こし部の投錨効果によってタブ
と樹脂封止体との界面に剥離ないしは隙間が発生するの
を防止することにより、樹脂封止体の外部の水分がタブ
と樹脂封止体の樹脂との界面の間に形成された剥離ない
しは隙間から接着層へ侵入するのを防止することができ
るため、その侵入によって引き起こされる所謂水蒸気爆
発による接着層の剥離ないしはクラックの発生を未然に
防止することができる。
2) By preventing peeling or a gap from being generated at the interface between the tab and the resin encapsulant due to the anchoring effect of the cut-and-raised part, moisture outside the resin encapsulant can prevent moisture from outside the tab and the resin encapsulant. Since it is possible to prevent peeling formed between the interface with the resin and entering into the adhesive layer through a gap, it is possible to prevent peeling or cracking of the adhesive layer due to so-called steam explosion caused by the entry. can do.

【0042】3) 所謂水蒸気爆発による接着層の剥離な
いしはクラックの発生を防止することにより、接着層に
おける熱抵抗の増加による放熱性能の低下現象の発生を
未然に回避することができるため、タブが樹脂封止体の
下面で露出した放熱性能の良好なQFP・ICの市場へ
の提供を実現することができる。
3) By preventing the peeling or cracking of the adhesive layer due to so-called steam explosion, it is possible to avoid the occurrence of the phenomenon of deterioration of the heat radiation performance due to the increase of the thermal resistance in the adhesive layer. The QFP / IC exposed on the lower surface of the resin encapsulant and having excellent heat dissipation performance can be provided to the market.

【0043】4) 切り起こし部は多連リードフレームの
成形時にタブと同時に成形することができるため、生産
性の低下を抑制することができる。
4) Since the cut-and-raised portion can be formed simultaneously with the tab when forming the multiple lead frame, it is possible to suppress a decrease in productivity.

【0044】図7は本発明の第二の実施の形態であるQ
FP・ICの主要部を示しており、(a)は正面断面
図、(b)はタブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜
視図である。
FIG. 7 shows a second embodiment Q of the present invention.
The main part of FP * IC is shown, (a) is front sectional drawing, (b) is the perspective view which abbreviate | omitted the resin part which shows the outer peripheral part of a tab.

【0045】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、切り起こし部21Aが互いに直列に並ぶようにタブ
18の周方向に向いて切り起こされている点である。
The present embodiment differs from the previous embodiments in that the cut-and-raised portions 21A are cut and raised in the circumferential direction of the tab 18 so as to be arranged in series with each other.

【0046】本実施の形態においては、タブ18の外周
辺部に切り起こし部21Aが形成されているため、前記
実施の形態と同様の作用効果が奏される。
In this embodiment, since the cut-and-raised portion 21A is formed on the outer peripheral portion of the tab 18, the same operational effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0047】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0048】例えば、切り起こし部の形状は、矩形波形
状に形成するに限らず、三角形やU字形状、多角形、半
円形あるいは直線と曲線の組合せ形状等であってもよ
く、特に、その形状は問わない。
For example, the shape of the cut-and-raised portion is not limited to the rectangular wave shape, but may be a triangular shape, a U-shape, a polygonal shape, a semicircular shape, a combined shape of straight lines and curved lines, and the like. The shape does not matter.

【0049】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるQFP
・ICに適用した場合について主に説明したが、それに
限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体装置全般に適用することができる。特に、本
発明は、低熱抵抗が要求される厚さが薄い表面実装形樹
脂封止パッケージを備えている半導体装置の製造技術に
利用して優れた効果が得られる。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor is a field of application which is the background of the invention.
The case of application to an IC has been mainly described, but the present invention is not limited to this and can be applied to all semiconductor devices including a resin-sealed package. In particular, the present invention can be applied to a manufacturing technique of a semiconductor device having a thin surface-mounted resin-sealed package that requires a low thermal resistance, and an excellent effect can be obtained.

【0050】[0050]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0051】タブが樹脂封止体の下面で露出した表面実
装形樹脂封止パッケージの樹脂封止体下面におけるタブ
の外周に複数個の切り起こし部を形成することにより、
切り起こし部の樹脂封止体の樹脂への投錨効果によって
タブと樹脂封止体の樹脂との間の界面の剥離ないしは隙
間の発生を防止することができる。
By forming a plurality of cut-and-raised parts on the outer periphery of the tab on the lower surface of the resin sealing body of the surface mount type resin sealing package in which the tab is exposed on the lower surface of the resin sealing body,
The effect of anchoring the cut-and-raised portion onto the resin of the resin encapsulant can prevent the interface between the tab and the resin of the resin encapsulant from peeling or a gap from occurring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態であるQFP・ICを示
しており、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面
図である。
FIG. 1 shows a QFP / IC which is an embodiment of the present invention, in which (a) is a front sectional view and (b) is a partially cut bottom view.

【図2】そのQFP・ICの製造方法に使用される多連
リードフレームを示しており、(a)は一部省略平面
図、(b)は正面断面図である。
FIG. 2 shows a multiple lead frame used in the method for manufacturing the QFP / IC, in which (a) is a partially omitted plan view and (b) is a front sectional view.

【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
FIG. 3 is a partially omitted plan view showing a state after a pellet and wire bonding step.

【図4】(a)は図3のIV−IV線に沿う正面断面図、
(b)はタブの外周部分を示す斜視図である。
4A is a front sectional view taken along line IV-IV in FIG.
(B) is a perspective view showing an outer peripheral portion of the tab.

【図5】樹脂封止体の成形工程を示しており、(a)は
一部省略縦断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断
面図である。
5A and 5B show a molding step of the resin encapsulation body, where FIG. 5A is a partially omitted vertical sectional view, and FIG. 5B is a sectional view taken along line bb of FIG.

【図6】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
(a)は一部切断平面図、(b)は正面断面図である。
FIG. 6 shows the assembly after molding the resin encapsulant,
(A) is a partially cutaway plan view and (b) is a front sectional view.

【図7】本発明の第二の実施の形態であるQFP・IC
の主要部を示しており、(a)は正面断面図、(b)は
タブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜視図である。
FIG. 7 is a QFP / IC according to a second embodiment of the present invention.
4A is a front cross-sectional view, and FIG. 6B is a perspective view in which a resin portion showing an outer peripheral portion of the tab is omitted.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、13a…位置決め孔、14…セクショ
ン枠、15…ダム吊り部材、16…ダム部材、16a…
ダム、17…タブ吊りリード、18…タブ、19…イン
ナリード、20…アウタリード、21、21A…切り起
こし部、22…非切り起こし部、23…空所、24…空
所充填樹脂部、31…接着層、32…ペレット、32a
…電極パッド、33…ワイヤ、34…組立体、35…樹
脂封止体、36…樹脂封止体成形後の組立体、37…Q
FP(表面実装形樹脂封止パッケージ)、38…QFP
・IC(表面実装形樹脂封止パッケージを備えている半
導体装置)、40…トランスファ成形装置、41…上
型、42…下型、43…キャビティー、43a…上型キ
ャビティー凹部、43b…下型キャビティー凹部、44
…ポット、45…プランジャ、46…カル、47…ラン
ナ、48…ゲート、49…逃げ凹所、50…レジン、5
1…プリント配線基板、52…ランド、53…タブ用ラ
ンド、54…半田付け部。
11 ... Multiple lead frame, 12 ... Unit lead frame, 13 ... Outer frame, 13a ... Positioning hole, 14 ... Section frame, 15 ... Dam suspension member, 16 ... Dam member, 16a ...
Dam, 17 ... Tab suspension lead, 18 ... Tab, 19 ... Inner lead, 20 ... Outer lead, 21, 21A ... Cut and raised part, 22 ... Non-cut and raised part, 23 ... Vacancy, 24 ... Vacancy filling resin part, 31 ... Adhesive layer, 32 ... Pellet, 32a
... Electrode pad, 33 ... Wire, 34 ... Assembly, 35 ... Resin encapsulant, 36 ... Assembly after resin encapsulation, 37 ... Q
FP (Surface mount type resin sealed package), 38 ... QFP
IC (semiconductor device provided with surface mount type resin sealing package), 40 ... Transfer molding device, 41 ... Upper mold, 42 ... Lower mold, 43 ... Cavity, 43a ... Upper mold cavity recess, 43b ... Bottom Mold cavity recess, 44
… Pot, 45… Plunger, 46… Cull, 47… Lanna, 48… Gate, 49… Escape recess, 50… Resin, 5
1 ... Printed wiring board, 52 ... Land, 53 ... Tab land, 54 ... Soldering part.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 信也 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 清水 一男 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5F067 AA03 AA06 AA07 AB03 BD05 BD08 BD10 BE05 BE07 CA03 CA04 DA11    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Shinya Koike             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company within Hitachi Semiconductor Group (72) Inventor Kazuo Shimizu             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company within Hitachi Semiconductor Group F-term (reference) 5F067 AA03 AA06 AA07 AB03 BD05                       BD08 BD10 BE05 BE07 CA03                       CA04 DA11

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ペレットと、半導体ペレットが接
着層によってボンディングされたタブと、半導体ペレッ
トの各電極に電気的に接続された複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ一連に連設された複数本
のアウタリードと、半導体ペレット、タブおよびインナ
リード群を樹脂封止した樹脂封止体とを備えている半導
体装置において、前記タブの前記半導体ペレットと反対
側の主面が前記樹脂封止体の前記半導体ペレットと反対
側の主面で露出しており、前記タブの外周には前記樹脂
封止体に投錨した切り起こし部が複数個、周方向に非切
り起こし部と交互に形成されていることを特徴とする半
導体装置。
1. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded by an adhesive layer, a plurality of inner leads electrically connected to each electrode of the semiconductor pellet, and a plurality of inner leads connected in series to each inner lead. In a semiconductor device including a plurality of outer leads and a resin encapsulation body in which a semiconductor pellet, a tab, and an inner lead group are resin-encapsulated, a main surface of the tab opposite to the semiconductor pellet is encapsulating the resin. It is exposed on the main surface of the body opposite to the semiconductor pellet, and a plurality of cut-and-raised parts anchored to the resin-sealed body are formed on the outer periphery of the tab alternately with non-cut-and-raised parts in the circumferential direction. A semiconductor device characterized in that.
【請求項2】 前記切り起こし部が互いに並列に並ぶよ
うに前記タブの径方向に向いて切り起こされていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the cut-and-raised portions are cut and raised in a radial direction of the tab so that the cut-and-raised portions are arranged in parallel with each other.
【請求項3】 前記切り起こし部が互いに直列に並ぶよ
うに前記タブの周方向に向いて切り起こされていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the cut-and-raised parts are cut-and-raised in the circumferential direction of the tab so as to be arranged in series with each other.
【請求項4】 前記切り起こし部が切り起こしプレス加
工によって成形されていることを特徴とする請求項1、
2または3に記載の半導体装置。
4. The cut-and-raised portion is formed by cut-and-raised press working.
The semiconductor device according to 2 or 3.
【請求項5】 前記切り起こし部が前記タブの打ち抜き
プレス加工と同時に切り起こしプレス加工によって成形
されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装
置。
5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the cut-and-raised part is formed by cut-and-raised press working simultaneously with punching press working of the tab.
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