JP2003212962A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 流動性に優れ、かつ耐半田クラック性に優れ
た特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）ビフェニレン骨格を有するフェノ
ールアラルキル型エポキシ樹脂の二核体含有量が１０〜
６０％であるエポキシ樹脂と、４，４’−ビフェノール
のジグリシジルエーテルの混合物を含み、４，４’−ビ
フェノールのジグリシジルエーテルの含有量が１〜５０
％であるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）
無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とすること
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、流動性、硬化性、
耐半田クラック性に優れた特性を有する半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形による
方法が低コスト、大量生産に適した方法として採用され
て久しく、信頼性もエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノ
ール樹脂の改良により向上が図られてきた。しかし、近
年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向に
おいて、半導体の高集積化も年々進み、又半導体装置の
表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決
できない問題点も出てきている。特に半導体装置の表面
実装化が一般的になっている現状では、吸湿した半導体
装置が半田リフロー処理時に高温にさらされ、半導体素
子やリードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との
界面に剥離が発生し、ひいては硬化物にクラックを生じ
るなど、半導体装置の信頼性を大きく損なう不良が生
じ、これらの不良の防止、即ち耐半田クラック性の向上
が大きな課題となっている。

【０００３】更に環境負荷物質の撤廃の一環として、鉛
を含まない半田への代替が進められている。鉛を含まな
い半田では、従来の半田に比べ融点が高いため表面実装
時の半田リフロー温度は、従来より２０℃程度高く、２
６０℃が必要とされる。鉛を含まない半田対応のための
半田リフロー温度の変更によりエポキシ樹脂組成物の硬
化物と半導体素子、リードフレーム、インナーリード上
の各種メッキされた接合部分との各界面での剥離に起因
する半導体装置のクラックの問題が生じてきた。これら
半田クラックや剥離は、半田リフロー処理前に半導体装
置自身が吸湿し、半田リフロー処理時の高温下でその水
分が水蒸気爆発を起こすことによって生じると考えられ
ており、それを防ぐためにエポキシ樹脂組成物に低吸湿
性を付与するなどの手法がよく用いられ、その低吸湿化
の手法の一つとして、例えば低吸湿性のビフェニレン骨
格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を用い
て、エポキシ樹脂組成物の硬化物の低吸湿化を図る方法
がある。しかしながら低吸湿性のエポキシ樹脂を用いた
エポキシ樹脂組成物といえども、鉛を含まない耐半田ク
ラック性対応樹脂としては不十分であった。このため２
６０℃での表面実装時の耐半田クラック性向上を目的と
して様々な改良が進められてきたが、そのいずれにおい
ても完全なる解決策とはならず、更なる改良が望まれて
いる。

【０００４】更に、近年半導体装置の薄型化に伴い、半
導体装置中に占めるエポキシ樹脂組成物の硬化物の厚み
が一段と薄くなってきており、６４Ｍ、２５６ＭＤＲＡ
Ｍ用の半導体装置は、１ｍｍ厚のＴＳＯＰが主流となり
つつある。これらの薄型半導体装置には、エポキシ樹脂
組成物の成形時の充填性が良好で、金線変形が少なく、
半導体素子やリードフレームの変形（半導体素子のシフ
トやダイパッドシフトと呼ぶ）がないことが要求され、
そのためエポキシ樹脂組成物には、成形時の流動性に優
れることが必要である。

【０００５】一方エポキシ樹脂組成物には難燃剤成分と
して臭素原子含有難燃剤及び三酸化、四酸化、五酸化ア
ンチモンなどのアンチモン化合物が配合されている。し
かしながら、世界的環境保護の意識の高まりのなか、臭
素原子含有有機化合物やアンチモン化合物を使用しない
で難燃性を有するエポキシ樹脂組成物の要求が大きくな
ってきている。更に半導体装置を１５０〜２００℃での
高温で長時間保管すると、難燃剤である臭素原子やアン
チモン化合物は半導体素子の抵抗値増加や金線の断線を
引き起こすことが知られている。この観点からも臭素原
子含有有機化合物やアンチモン化合物を使用しないで高
温保管特性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
開発が求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、流動性と硬
化性に優れ、半導体素子、リードフレーム等の各種部材
との接着性の向上、低弾性率化による低応力化により、
２６０℃での基板実装時における半導体装置の耐半田ク
ラック性を著しく向上させ、更に臭素原子含有有機化合
物、アンチモン化合物を使用せずに難燃性を維持できる
特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれ
を用いた半導体装置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
二核体含有量が１０〜６０％の一般式（１）で示される
エポキシ樹脂と、式（２）で示される４，４’−ビフェ
ノールのジグリシジルエーテルの混合物を含み、４，
４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が
１〜５０重量％であるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成
分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、

【０００８】

【化４】 （Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は炭素数１〜
４のアルキル基で、ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整
数で、互いに同一でも異なってもよい、ｍは平均値で０
〜１０の数）

【０００９】

【化５】

【００１０】［２］一般式（１）で示されるエポキシ樹
脂が式（２）である第［１］項記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物、

【００１１】

【化６】 （ｍは平均値で０〜１０の数）

【００１２】［３］第［１］又は［２］項記載のエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを
特徴とする半導体装置、である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる一般式（１）
で示されるエポキシ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物
は、ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低く、
低吸湿性であり、表面実装の半田付け時における熱スト
レスを低減させることができ、樹脂組成物の硬化物と半
導体素子或いはリードフレーム（４２アロイ、銅合金）
との接着性に優れており、剥離や樹脂組成物の硬化物の
クラックの発生を抑えることができ、優れたエポキシ樹
脂組成物を得ることができる。

【００１４】本発明では一般式（１）の二核体含有量が
１０〜６０％のエポキシ樹脂を用いるが、二核体とは一
般式（１）においてｍ＝０の構造をいう。二核体量はＧ
ＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔ
ｏｇｒａｐｈｙ）法によりポリスチレン換算して求めた
値である。即ち、東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ１０
００Ｈ×Ｌ：１本、Ｇ２０００Ｈ×Ｌ：２本、Ｇ３００
０Ｈ×Ｌ：１本）を用い、流量１．０ｃｍ³／６０秒、
溶出溶媒としてテトラヒドロフラン、カラム温度４０℃
の条件で示差屈折計を検出器に用いて測定しポリスチレ
ン換算して求めた値である。二核体含有量が下限値を下
回るとエポキシ樹脂の粘度が高くなりすぎ、成形時の樹
脂組成物の流動性が劣り、より一層の低吸湿化のための
無機充填材の高充填化が困難となる。二核体含有量が上
限値を越えるとエポキシ樹脂の軟化点や粘度が低くなり
すぎ、樹脂の取扱いの点で問題がある。又架橋密度の低
下により熱時強度が低下し、耐半田クラック性が低下す
るという問題がある。

【００１５】一般式（１）のＲ１は炭素数１〜４のアル
キル基、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３
の整数、ｂは０〜４の整数で、ｍは平均値で０〜１０の
数であるが、これらの内では硬化性の点から式（３）で
示される樹脂がより好ましい。またｍの値が上限値を越
えると樹脂の粘度が増大し、成形時の樹脂組成物の流動
性が劣り、より一層の低吸湿化のための無機充填材の高
充填化が不可能となるので好ましくない。

【００１６】成形時の樹脂組成物の流動性を維持したま
ま無機充填材を高充填化するには、樹脂の低粘度化が必
要である。然し、低粘度化のために一般式（１）のエポ
キシ樹脂の二核体含有量を高くした場合、６０％を越え
るとエポキシ樹脂の軟化点や粘度が低くなりすぎ、樹脂
の取扱いの点で問題がある。また架橋密度の低下により
熱時強度が低下し、耐半田クラック性が低下するという
問題がある。そこで、本発明では式（２）で示される
４，４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルを併用
する。一般式（１）のエポキシ樹脂と４，４’−ビフェ
ノールのジグリシジルエーテルとを併用することで、軟
化点を下げることなく低粘度化が可能となり、また樹脂
の取扱いの点においても問題ない。

【００１７】本発明で用いるエポキシ樹脂中の４，４’
−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量は１〜
５０％が好ましい。下限値を下回ると、流動性の向上が
十分に得られない。上限値を越えると架橋密度の低下に
より熱時強度が低下し、耐半田クラック性が低下すると
いう問題がある。

【００１８】本発明で用いるエポキシ樹脂は、一般式
（１）のエポキシ樹脂と、式（２）の４，４’−ビフェ
ノールのジグリシジルエーテルの混合物を用いても良い
が、均一分散性の点から、一般式（１）のエポキシ樹脂
の前駆体であるフェノール樹脂と式（２）の前駆体であ
る４，４’−ビフェノールの混合物を、エピクロロヒド
リン等のエピハロヒドリンと反応させエポキシ化したも
のを用いるのがより好ましい。このエポキシ化の反応は
定法に従って行わせることが出来、特に制限するもので
はない。また、この反応で共重合はほとんど起こらな
い。

【００１９】本発明で用いるエポキシ樹脂は、その特性
が損なわれない範囲で他のエポキシ樹脂と併用してもか
まわないが、このエポキシ樹脂の配合量を調節すること
により、耐半田クラック性と難燃性を最大限に引き出す
ことができる。これらの効果を引き出すためには、本発
明で用いるエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂量に対して３
０重量％以上の使用が好ましく、５０重量％以上の使用
が更に好ましい。下限値を下回ると高温時の強度や低吸
湿性が十分に得られず、耐半田クラック性が不十分とな
るおそれがあり、又難燃性も低下する傾向にあるからで
ある。

【００２０】併用するエポキシ樹脂としては、分子内に
エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全
般を指す。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールアラルキル（フェニレン骨格を有する）型エポキ
シ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂などが挙げられる。
又これらは単独でも混合して用いてもよい。

【００２１】本発明で用いられるフェノール樹脂は、分
子内にフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー全般を指し、例えばフェノールノボラック
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、テルペン変性フェノ
ール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、
トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル
（フェニレン骨格を有する）樹脂、ナフトールアラルキ
ル樹脂などが挙げられる。又これらは単独でも混合して
用いてもよい。

【００２２】本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポ
キシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の
当量比としては、好ましくは０．５〜２であり、特に
０．７〜１．５がより好ましい。下限値を下回るか、上
限値を超えると、耐湿性、硬化性などが低下するので好
ましくない。

【００２３】本発明に用いる無機充填材としては、特に
制限はなく、一般に封止材料に使用されているものを使
用することができる。例えば溶融シリカ、結晶シリカ、
２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素
などが挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。これらの内では、球形度の高い溶融シリカを全量或
いは一部破砕シリカと併用することが望ましい。特に限
定するものではないが、無機充填材の平均粒径として
は、５〜３０μｍ、最大粒径としては１５０μｍ以下が
好ましく、特に平均粒径５〜２０μｍ、最大粒径７４μ
ｍ以下がより好ましい。又粒子の大きさの異なるものを
混合することにより充填量を多くすることができる。無
機充填材は、予めシランカップリング剤などで表面処理
されているものを用いてもよい。

【００２４】無機充填材の含有量としては、特に限定す
るものではないが、全エポキシ樹脂組成物中７０〜９４
重量％が好ましい。加熱されても燃焼しない無機充填材
は、炎に曝されたときに熱エネルギーを奪い、エポキシ
樹脂組成物の硬化物の難燃性を向上させる作用がある。
配合量が下限値を下回ると、熱容量が小さなエポキシ樹
脂組成物の硬化物となり、難燃試験において燃焼し易く
なるので好ましくない。上限値を越えると、成形時の流
動性が劣るので好ましくない。

【００２５】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ樹
脂とフェノール樹脂の反応を促進できるものであれば特
に限定しないが、例えば１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７、トリブチルアミン等のアミン
化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホス
フォニウム・テトラフェニルボレート塩などの有機リン
系化合物、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール
化合物などが挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。

【００２６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じてエポキシシランなどのシ
ランカップリング剤、カーボンブラックなどの着色剤、
シリコーンオイル、シリコーンゴムなどの低応力成分、
天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属
塩類もしくはパラフィンなどの離型剤、酸化防止剤など
の各種添加剤を配合することができる。本発明のエポキ
シ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分及びその他の添加
剤などをミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出機
等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明
のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部
品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファ
ーモールド、コンプレッションモールド、インジェクシ
ョンモールドなどの従来からの成形方法で硬化成形すれ
ばよい。本発明のエポキシ樹脂組成物が適用される半導
体装置としては、ＱＦＰ、ＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＢＧＡ、
その他特に限定はしない。

【００２７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。尚、実施例、及び比較例で用いたエポキシ樹脂の内
容について、以下に示す。 エポキシ樹脂１：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６０℃、溶融粘度０．１Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量２９％）と式（２）で示される４，４’−ビフ
ェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，４’
−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が２０
％であるエポキシ樹脂（軟化点９７℃、溶融粘度０．０
６Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂２：式（５）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点５１℃、溶融粘度０．０５Ｐａ・ｓ／１５０℃、二
核体含有量６７％）と式（２）で示される４，４’−ビ
フェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，
４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が
２０％であるエポキシ樹脂（軟化点８９℃、溶融粘度
０．０３Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂３：式（６）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点７８℃、溶融粘度０．６Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量６％）と式（２）で示される４，４’−ビフェ
ノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，４’−
ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が２０％
であるエポキシ樹脂（軟化点１１２℃、溶融粘度０．３
６Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂４：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６０℃、溶融粘度０．１Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量２９％）と式（２）で示される４，４’−ビフ
ェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，４’
−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が０．
５％であるエポキシ樹脂（軟化点６１℃、溶融粘度０．
０９Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂５：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６０℃、溶融粘度０．１Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量２９％） エポキシ樹脂６：式（７）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点５８℃、溶融粘度０．０９Ｐａ・ｓ／１５０℃、二
核体含有量３９％）と式（２）で示される４，４’−ビ
フェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，
４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が
２０％であるエポキシ樹脂（軟化点９５℃、溶融粘度
０．０５Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂７：式（８）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６３℃、溶融粘度０．２２Ｐａ・ｓ／１５０℃、二
核体含有量１９％）と式（２）で示される４，４’−ビ
フェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，
４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が
２０％であるエポキシ樹脂（軟化点１００℃、溶融粘度
０．１８Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂８：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６０℃、溶融粘度０．１Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量２９％）と式（２）で示される４，４’−ビフ
ェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，４’
−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が３０
％であるエポキシ樹脂（軟化点１０９℃、溶融粘度０．
０４Ｐａ・ｓ／１５０℃） エポキシ樹脂９：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟
化点６０℃、溶融粘度０．１Ｐａ・ｓ／１５０℃、二核
体含有量２９％）と式（２）で示される４，４’−ビフ
ェノールのジグリシジルエーテルの混合物で、４，４’
−ビフェノールのジグリシジルエーテルの含有量が１５
％であるエポキシ樹脂（軟化点８１℃、溶融粘度０．０
７Ｐａ・ｓ／１５０℃） ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製、ＹＸ−４０００ＨＫ、融点１０５、エポキシ当量１
９１） フェノールノボラック樹脂（軟化点８１℃、水酸基当量
１０５）

【００２８】

【化７】

【００２９】

【化８】

【００３０】

【化９】

【００３１】

【化１０】

【００３２】

【化１１】

【００３３】

【化１２】

【００３４】 実施例１ エポキシ樹脂１ ８．５重量部 フェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ＸＬ−２２５、軟化点７５℃ 、水酸基当量１７４） ５．８重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ） ８５．０重量部 １、８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 カーボンブラック ０．２重量部 カルナバワックス ０．３重量部 を常温でミキサーを用いて混合した後、二軸ロールを用
いて混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得
た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価し
た。結果を表１に示す。

【００３５】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位
はｃｍ。 熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率：２４０℃での曲げ強度
・弾性率をＪＩＳ Ｋ６９１１に準じて測定した。単位
はＮ／ｍｍ²。 硬化性：エポキシ樹脂組成物を金型温度１７５℃、硬化
時間１２０秒で成形し、型開き１０秒後のバコール硬度
（硬度計：Ｎｏ．９３５）を測定した値。バコール硬度
は硬化性の指標であり、数値が大きい方が硬化性が良好
である。 吸湿率：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度
１７５℃、注入圧力７．５ＭＰａ、硬化時間１２０秒で
直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化し、８５℃、相対湿度８５％の環境下で
１６８時間放置し、重量変化を測定して吸湿率を求め
た。単位は重量％。 耐半田性：１００ピンＴＱＦＰパッケージ（パッケージ
サイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチ
ップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレーム
は４２アロイ製）を１７５℃の金型温度、注入圧力７．
５ＭＰａで１２０秒間トランスファー成形を行い、１７
５℃で８時間の後硬化をした。成形品パッケージを８５
℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その
後成形品パッケージを別々に２４０℃と２６０℃の半田
槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観察し、
外部クラック率［（クラック発生パッケージ数）／（全
パッケージ数）×１００］を％で表示した。又チップと
樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を超音波探傷装
置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（チップ面
積）×１００］を％で表示した。 難燃性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７
５℃、注入圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で、長さ１
２７ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ３．２ｍｍと１．６ｍ
ｍの成形品を成形し、ＵＬ−９４に準じてΣＦ、Ｆｍａ
ｘを測定し、難燃性を判定した。 高温保管特性：模擬素子を２５μｍ径の金線で配線した
１６ピンＳＯＰを１８５℃の高温槽で処理し、一定時間
ごとピン間の抵抗値を測定した。初期値の抵抗値から２
０％抵抗値が増大したパッケージ数が１５個中８個以上
になった高温槽処理時間を高温保管特性として表示し
た。この時間が長いと、高温安定性に優れていることを
示す。

【００３６】実施例２〜９、比較例１〜５ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にしてエポ
キシ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。
結果を表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】

【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動性
と硬化性に優れ、半導体素子、リードフレーム等の各種
部材との接着性の向上、硬化物の高温時における低弾性
率化による低応力化により、２６０℃での基板実装時に
おける半導体装置の耐半田クラック性を著しく向上さ
せ、更に臭素原子含有有機化合物、アンチモン化合物を
使用せずに難燃性を維持できる特性を有している。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）二核体含有量が１０〜６０％の一
   般式（１）で示されるエポキシ樹脂と、式（２）で示さ
   れる４，４’−ビフェノールのジグリシジルエーテルの
   混合物を含み、４，４’−ビフェノールのジグリシジル
   エーテルの含有量が１〜５０重量％であるエポキシ樹
   脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材及び
   （Ｄ）硬化促進剤を必須成分とすることを特徴とする半
   導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は炭素数１〜
   ４のアルキル基で、ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整
   数で、互いに同一でも異なってもよい、ｍは平均値で０
   〜１０の数） 【化２】
2. 【請求項２】 一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
   が、式（３）である請求項１記載の半導体封止用エポキ
   シ樹脂組成物。 【化３】 （ｍは平均値で０〜１０の数）
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
   物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする
   半導体装置。