JP2003211398A - 3次元構造体の組立方法 - Google Patents

3次元構造体の組立方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 2次元的な平面構造体から3次元的な構造体
を簡易に作製することのできる、新規な組立方法を提供
する。 【解決手段】 折り曲げ部位101の一部分が固定され
た基板103を磁場105中に配置する。折り曲げ部位
101の上面には磁気異方性材料104が設けられてい
る。磁気異方性材料104は磁場105との相互作用に
よって所定の外力Tfが生じ、折り曲げ部位101は上
方へ持ち上げられる。一方、折り曲げ部位101のヒン
ジ部102には、前記折り曲げに対する反力Thが作用
し、折り曲げ部位101は外力Tf及び反力Thが釣り
合う角度θの位置において固定され、3次元的に変形し
た構造体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の部位を折り
曲げて構造体を作成する組立方法にかかり、特にMEM
S(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いた
微細構造体の組立方法に関する。
【0002】
【従来の技術】MEMS(Micro Electro Mechanical S
ystems)技術の発展に伴い、半導体プロセスを用いて作
成した微細な電気機械構造体の、産業への応用が広がっ
ている。半導体プロセスは、基本的には半板状の基板の
面を加工する2次元加工であるが、加工面の上に別の加
工面を積層する2.5次元加工と呼ばれる手法により、
擬似的な3次元形状を作製していた。それに対し最近、
基板上に2次元加工で展開図構造を作っておき、それを
基板から起こして組み立てて薄膜3次元構造体を作る技
術が開発されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】2次元展開構造体を折
り曲げて起こし、薄膜3次元構造を組み立てるために
は、以下のような問題がある。 1)対象とする構造体が微小である。そのため、先端を
尖らせたガラス棒のような道具を使い、顕微鏡下で組み
立て作業が行われているが、作業性、生産性の点から非
効率的である。 2)対象とする構造体の数が多い。半導体プロセスを用
いると、1枚の基板上に複数の構造体を一度に作製する
ことができる。用途にもよるが、1枚の基板上に数万個
もの構造体を作製することもある。これらの素子をひと
つひとつ組み立てるのは、非常に困難を伴う。 3)対象とする構造体の組立にあたり、構造体の構成部
位を、順序立てて組み立てる必要がある。
【0004】本発明は上述した問題を生じることのな
い、2次元的な平面構造体から3次元的な構造体を簡易
に作製することのできる、新規な組立方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明においては、2次元的な平面状の部材の所定部位
において、場との相互作用によって所定の外力を生じさ
せる作用物質を貼付、又は前記所定部位を前記作用物質
から直接的に構成する。そして、前記部材を前記場中に
配置し、前記場と前記作用物質との間に生じる前記外力
によって、前記部材の前記所定部位を3次元的に変形さ
せ、目的とする3次元的な構造体を作製する。
【0006】このとき、前記部材の複数の部位に対して
前記作用物質を貼付する、又は前記複数の部位を前記作
用物質から直接的に構成することによって、これら複数
の部位を3次元的に変形させることができ、比較的複雑
な構造体をも簡易に作製することができる。
【0007】前記場としては、磁場、電場、加速度を例
示することができる。磁場との間で力の作用を起こす物
質としては、磁気モーメントを持つ物質があり、半導体
プロセスではたとえば磁気異方性材料が好適である。具
体的には、Ni、NiFe及びNiCoを例示すること
ができる。
【0008】電場との間に力の作用を起こす物質として
は、電気双極子モーメントを有する電気分極性材料が好
適であり、具体的には、ZnO、BaTiO及びSr
TiOを例示することができる。同様に、加速度との
間に力の作用を起こす物質は、材料の種類などは限定さ
れず、負荷された加速度に対して感応するに足る所定の
質量を有する総ての物質を用いることができる。これら
により、外部から場を印加するだけで、折り曲げるべき
部位を基板から起こすような力を働かせることができ
る。
【0009】前記部材の複数の部位を変形させる場合に
おいても、半導体プロセス技術を用いれば、前記部材の
複数の部位において前記作用物質を一度の操作で貼付す
ることができる。
【0010】前記複数の部位は同時に折曲げて変形させ
ることもできるが、例えば、前記作用物質の貼付面積、
貼付量(貼付体積)、貼付位置、又は前記複数の部位の
折曲部の剛性を適宜に変化させることによって、前記複
数の部位を順次に変形させることもできる。また、場の
強度を適当に変化させることによっても、前記複数の部
位を順次に変形させて、3次元構造体を作製することが
できる。この場合は、前記複数の部位に対して前記作用
物質を貼付する場合に限らず、前記複数の部位を前記作
用物質から直接的に構成する場合についても適用するこ
とができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の基本原理
を示す図である。折り曲げ部位101は、その一部が基
板103に固定されている。折曲部位101は、曲がり
やすいように剛性を下げたヒンジ部102を持つ。折り
曲げ部位101には上述したような磁気異方性材料10
4が貼付されている。磁気異方性材料104は、図1に
示す矢印の方向に磁化されており、その磁化量をIとす
る。
【0012】図1に示す矢印の方向において強さFの磁
場105中に基板103を配置すると、磁気異方性材料
104には、前記磁場より内部の磁化が磁場の方向を向
くような力(回転力)Tfが発生する。なお、力Tfは
I・F/sinθに比例し、この力Tfにより折り曲げ
部位101は持ち上げられる。一方、ヒンジ部102に
おいては、前述した折曲げに抗する反力Thが発生する
ので、折り曲げ部位102は、力Tfと反力Thとが釣
り合う角度θで止まる。このとき、印加する磁場Fの大
きさを変えることで、折り曲げ部位101を持ち上げる
角度θを制御することができる。
【0013】なお、磁気異方性材料の代わりに上述した
電気双極子モーメントを持つ電気分極性材料、又は所定
の質量を有する材料を用いることもできる。これらの場
合においては、前述した磁場に変えてそれぞれ電場又は
加速度を用いる。
【0014】図2は、単一の平板上に複数の折り曲げ部
位を有する場合の、組み立て順序を説明するための図で
ある。図2(a)においては、基板201の上に、薄板
202からなる2次元の平面構造体(展開構造体)が作
製されている。薄膜202の中には、第1の折り曲げ部
位203と、支持部位204が作り込まれている。この
例において、支持部位204も折り曲げ部位であるが、
ここではその機能に着目して支持部位とする。薄板20
2は、斜線を記した部分で基板201に固定されてい
る。また折り曲げ部位203及び支持部位204には、
磁気異方性材料が貼付されているものとする。
【0015】図2(b)に示すように、弱い磁場Fを印
加すると、折り曲げ部位203が持ち上がる。次に図2
(c)に示すように、強い磁場Fを印加すると、支持部
位204が持ち上がり、折り曲げ部位203を保持する
ようになる。もし逆に支持部位204が先に持ち上がっ
てしまうと、折り曲げ部位203を挟み込んで保持する
ことができない。この例で示したように、構造体を組み
立てるには、各部位を順序つけて持ち上げる必要があ
る。折り曲げ部位を順次に変形させる方法については後
に詳述する。
【0016】なお、図2においては、強弱2種類の磁場
Fを用いて折り曲げ部位203及び支持部位204を順
次に折り曲げて変形させたが、特に折り曲げ部位及び支
持部位を同方向に折り曲げて変形させる場合などにおい
ては、印加する磁場の方向などを変化させることなどに
よって、これらを同時に折り曲げ、変形させることもで
きる。
【0017】図3は、単一の基板上に上述した折り曲げ
部位と指示部位とを複数設け、図2に示す組み立て手順
に従って変形させることにより作製した3次元構造体の
一例を示す図である。このように本発明の組立方法によ
れば、多数の折り曲げ部位を有する場合においても、上
述したような極めて簡易な方法でこれらを順次に又は同
時に折り曲げ、変形させることができ、図3に示すよう
な複雑な3次元構造体をも簡易に作製することができ
る。
【0018】図4は、単一の基板上に複数の折り曲げ部
位を有し、これを順次に折り曲げて変形させる組立方法
を説明するための図である。図4(a)においては、基
板301上に折り曲げ部位302〜304がその一部を
基板301に固定されることによって配置されている。
また、折り曲げ部位302〜304の上面には厚さが一
定であり、面積が異なる磁気異方性材料305〜307
が取り付けられている。なお、貼付面積は、305、3
06、307の順に大きく、磁化の大きさもこの順に大
きくなっている。
【0019】このような状態の基板301に一様な磁場
Fが印加されると、折り曲げ部位を起こす力は磁気異方
性材料305、306、307の順に大きくなり、持ち
上がり量も、図4(a)に示すように、折り曲げ部位3
02、303、304の順に大きくなる。このように、
磁気異方性材料の貼付面積を制御することにより、ある
大きさの磁場での持ち上がり量を変化させることができ
るため、磁場の大きさを制御する、具体的には増加させ
ていくことによって複数の折り曲げ部位の組立順序を制
御することができる。
【0020】図4(b)は、磁気異方性材料の体積を換
えることにより組立順序を制御する例である。折り曲げ
部位302〜304の上面に設けられた磁気異方性材料
308〜310の体積は308、309、310の順に
大きく、磁化の大きさもこの順に大きくなっている。し
たがって、磁場Fを印加したときの外力は磁気異方性材
料308、309、310の順に大きくなり、折り曲げ
部位302〜304の持ち上がり量もこの順に大きくな
る。このように、磁気異方性材料の貼付体積を制御する
ことにより、ある大きさの磁場での持ち上がり量を変化
させることができるため、磁場の大きさを制御する、具
体的には増加させていくことによって複数の折り曲げ部
位の組立順序を制御することができる。
【0021】図4(c)は、折り曲げ部位のヒンジ部の
剛性を変えることにより組立順序を制御する例である。
折り曲げ部位302〜304の上面には磁気異方性材料
306が設けられており、その面積及び体積は一定に保
持されている。なお、折り曲げ部位302〜304の、
ヒンジ部311〜313の曲げに対する剛性はk1、k
2、k3であり、k1<k2<k3なる関係を有する。
すなわち、ヒンジ部311〜313の剛性はこの順に大
きくなっているので、磁場Fを印加したときの発生する
外力は同じであっても、ヒンジ部の曲がり量はヒジ部3
13、312、311の順に多くなり、持ち上が量もこ
の順に大きくなる。
【0022】このように、ヒンジ部311〜313の剛
性を制御することにより、ある大きさの磁場での折り曲
げ部位の持ち上がり量を変化させることができるため、
磁場の大きさを制御する、具体的には増加させていくこ
とによって複数の折り曲げ部位の組立順序を制御するこ
とができる。
【0023】なお、図4(a)〜(c)においては、磁
気異方性材料を用い、これに対して磁場を印加すること
によって、折り曲げ部位を順次に変形させる場合につい
て説明してきたが、電気分極性材料を用い、これに対し
て電場を印加することによって、折り曲げ部位を順次に
変形させることもできる。
【0024】図4(d)は、上述した磁場に代えて加速
度を用いて組立順序を制御する例である。折り曲げ部位
302〜304の上面には、質量体314〜316が貼
付されている。質量体314〜316の大きさはそれぞ
れm1、m2、m3であり、m1>m2>m3なる関係
を有する。なお、質量の貼付位置は同じする。加速度F
を印加したときの発生力は質量314、315、316
の順に大きく、持ち上がり量もこの順に大きくなる。こ
のように、加速度と異なる質量の質量体とを用いること
によっても、複数の折り曲げ部位の組立順序を制御する
ことができる。
【0025】図4(e)は、質量体の質量を変化させる
代わりに、貼付位置を変化させることにより組み立て順
序を制御する例である。折り曲げ部位302〜304の
上面には質量体314が取り付けられており、その面積
及び体積は一定に保持されている。但し、質量体315
の貼付位置が異なり、左側から右側に向かうにつれて固
定部分から外方に取り付けられている。このような状態
で加速度Fが印加されると、質量体315の折り曲げ部
位の固定部分からより外方に取り付けられている場合に
おいてより大きな外力が発生し、折り曲げ部位の持ち上
がり量も大きくなる。
【0026】このように、質量体の、折り曲げ部位にお
ける取り付け位置を制御することにより、所定の加速度
による折り曲げ部位の持ち上がり量を変化させることが
でき、複数の折り曲げ部位の組立順序を制御することが
できる。
【0027】以上、本発明を発明の実施の形態に即して
詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定される
ものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおい
て、あらゆる変型や変更が可能である。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、2次元的な平面部材の
所定部位に対して、場との相互作用によって所定の外力
を生じさせる作用物質を貼付し、前記部材を前記場中に
配置することにより、前記場と前記作用物質との間で生
じる前記外力によって、前記部材の前記所定部位を3次
元的に変形させるようにしたので、3次元的な構造体を
極めて簡易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基本原理を示す図である。
【図2】 単一の平板上に複数の折り曲げ部位を有する
場合の、組み立て順序を説明するための図である。
【図3】 複数の折り曲げ部位と支持部位とを具える3
次元構造体の一例を示す図である。
【図4】 単一の基板上に複数の折り曲げ部位を有し、
これを順次に折り曲げて変形させる組立方法を説明する
ための図である。
【符号の説明】
101 折り曲げ部位 102 ヒンジ部 103 基板 104 磁気異方性材料 105 磁場 201 基板 202 薄膜 203 折り曲げ部位 204 支持部位 301 基板 302〜304 折り曲げ部位 305〜310 磁気異方性材料 311〜313 ヒンジ部 314〜316 質量体

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平面状の部材の所定部位において、場と
    の相互作用によって所定の外力を生じさせる作用物質を
    貼付し、前記部材を前記場中に配置することにより、前
    記場と前記作用物質との間で生じる前記外力によって、
    前記部材の前記所定部位を3次元的に変形させ、3次元
    的な構造体を作製することを特徴とする、3次元構造体
    の組立方法。
  2. 【請求項2】 平面状の部材の所定部位を、場との相互
    作用によって所定の外力を生じさせる作用物質から構成
    し、前記部材を前記場中に配置することにより、前記場
    と前記作用物質との間で生じる前記外力によって、前記
    部材の前記所定部位を3次元的に変化させ、3次元的な
    構造体を作製することを特徴とする、3次元構造体の組
    立方法。
  3. 【請求項3】 前記場は磁場であって、前記作用物質は
    磁気異方性を有する物質であることを特徴とする、請求
    項1又は2に記載の3次元構造体の組立方法。
  4. 【請求項4】 前記場は電場であって、前記作用物質は
    電気分極性を有する物質であることを特徴とする、請求
    項1又は2に記載の3次元構造体の組立方法。
  5. 【請求項5】 前記場は加速度であって、前記作用物質
    は所定の質量を有する物質であることを特徴とする、請
    求項1又は2に記載の3次元構造体の組立方法。
  6. 【請求項6】 前記部材は薄膜から構成されることを特
    徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載の3次元構
    造体の組立方法。
  7. 【請求項7】 前記部材の前記所定部位は、前記3次元
    構造体の展開部位であることを特徴とする、請求項1〜
    6のいずれか一に記載の3次元構造体の組立方法。
  8. 【請求項8】 平面状の部材の複数の部位において、場
    との相互作用によって所定の外力を生じさせる作用物質
    を貼付し、前記部材を前記場中に配置することにより、
    前記場と前記作用物質との間で生じる前記外力によっ
    て、前記複数の部位を3次元的に変形させ、3次元的な
    構造体を作製することを特徴とする、3次元構造体の組
    立方法。
  9. 【請求項9】 平面状の部材の複数の部位を、場との相
    互作用によって所定の外力を生じさせる作用物質から構
    成し、前記部材を前記場中に配置することにより、前記
    場と前記作用物質との間で生じる前記外力によって、前
    記複数の部位を3次元的に変形させ、3次元的な構造体
    を作製することを特徴とする、3次元構造体の組立方
    法。
  10. 【請求項10】 前記場の強度を変化させることによっ
    て、前記複数の部位の変形順序を制御することを特徴と
    する、請求項8又は9に記載の3次元構造体の組立方
    法。
  11. 【請求項11】 前記部材の前記複数の部位に貼付する
    前記作用物質の貼付面積を変化させることによって、前
    記複数の部位の変形順序を制御することを特徴とする、
    請求項8に記載の3次元構造体の組立方法。
  12. 【請求項12】 前記部材の前記複数の部位に貼付する
    前記作用物質の貼付体積を変化させることによって、前
    記複数の部位の変形順序を制御することを特徴とする、
    請求項8に記載の3次元構造体の組立方法。
  13. 【請求項13】 前記部材の前記複数の部位に貼付する
    前記作用物質の貼付位置を変化させることによって、前
    記複数の部位の変形順序を制御することを特徴とする、
    請求項8に記載の3次元構造体の組立方法。
  14. 【請求項14】 前記複数の部位の折曲部の剛性を変化
    させることによって、前記複数の部位の変形順序を制御
    することを特徴とする、請求項8に記載の3次元構造体
    の組立方法。
  15. 【請求項15】 前記場は磁場であって、前記作用物質
    は磁気異方性を有する物質であることを特徴とする、請
    求項8〜14のいずれか一に記載の3次元構造体の組立
    方法。
  16. 【請求項16】 前記場は電場であって、前記作用物質
    は電気分極性を有する物質であることを特徴とする、請
    求項8〜14のいずれか一に記載の3次元構造体の組立
    方法。
  17. 【請求項17】 前記場は加速度であって、前記作用物
    質は所定の質量を有する物質であることを特徴とする、
    請求項8〜14のいずれか一に記載の3次元構造体の組
    立方法。
  18. 【請求項18】 前記部材は薄膜から構成されることを
    特徴とする、請求項8〜17のいずれか一に記載の3次
    元構造体の組立方法。
  19. 【請求項19】 前記部材の前記所定部位は、前記3次
    元構造体の展開部位であることを特徴とする、請求項8
    〜18のいずれか一に記載の3次元構造体の組立方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208248A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Univ Of Tokyo 触覚センサ及びその製造方法
JP2007210094A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 F Hoffmann La Roche Ag 2d基板に基づく3d構造
JP2007218906A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Univ Of Tokyo 3次元構造体およびその製造方法
JP2007331069A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Optoelectronic Industry & Technology Development Association ナノ構造体の折曲げ方法
JP2008026178A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Advanced Telecommunication Research Institute International 触覚センサ装置
JP2008254110A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Canon Inc 面外角度付構造部を有する構造体の作製方法
US8482086B2 (en) 2008-03-13 2013-07-09 The University Of Tokyo Three-dimensional structure and its manufacturing method
TWI594942B (zh) * 2015-02-16 2017-08-11 國立清華大學 具圖案化磁性薄膜之微奈米磁性致動器與磁性夾取器及其形成方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7825567B2 (en) 2006-01-20 2010-11-02 Panasonic Corporation Three-dimensional structure and its manufacturing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208248A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Univ Of Tokyo 触覚センサ及びその製造方法
JP2007218906A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Univ Of Tokyo 3次元構造体およびその製造方法
JP2007210094A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 F Hoffmann La Roche Ag 2d基板に基づく3d構造
JP4648341B2 (ja) * 2006-02-09 2011-03-09 エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲー 2d基板に基づく3d構造
JP2007331069A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Optoelectronic Industry & Technology Development Association ナノ構造体の折曲げ方法
JP2008026178A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Advanced Telecommunication Research Institute International 触覚センサ装置
JP2008254110A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Canon Inc 面外角度付構造部を有する構造体の作製方法
US8482086B2 (en) 2008-03-13 2013-07-09 The University Of Tokyo Three-dimensional structure and its manufacturing method
TWI594942B (zh) * 2015-02-16 2017-08-11 國立清華大學 具圖案化磁性薄膜之微奈米磁性致動器與磁性夾取器及其形成方法

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