JP2003208105A - Display device and manufacturing method therefor - Google Patents
Display device and manufacturing method thereforInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ELディスプ
レイに代表される自発光膜を用いたフラット・パネル・
ディスプレイ装置の構成およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel using a self-luminous film represented by an organic EL display.
The present invention relates to a configuration of a display device and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、フラット・パネル・ディスプレイ
としての有機ELディスプレイが注目されている。その
有機ELディスプレイにおける有機EL素子は形成時の
ダメージ等を回避するために、基板裏面方向へ光を取り
出す方法が一般的によく知られている。2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to organic EL displays as flat panel displays. A method of extracting light toward the back surface of the substrate is generally well known in order to avoid damages during formation of the organic EL element in the organic EL display.
【0003】図9は、発光素子としての有機EL素子の
概略構成図であり、図9において、ガラス基板100上
に透明導電膜よりなるアノード電極膜101、P型有機
薄膜である正孔輸送層102、発光層103、N型有機
薄膜である電子輸送層104、カソード電極膜105が
形成されている。この有機EL素子のアノード電極膜1
01とカソード電極膜105間に電圧を印加すると正孔
輸送層102と電子輸送層104との間の発光層103
およびその近傍で発光する。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an organic EL element as a light emitting element. In FIG. 9, an anode electrode film 101 made of a transparent conductive film on a glass substrate 100 and a hole transport layer which is a P-type organic thin film are shown in FIG. 102, a light emitting layer 103, an electron transport layer 104 which is an N-type organic thin film, and a cathode electrode film 105 are formed. Anode electrode film 1 of this organic EL device
01 and the cathode electrode film 105, a light emitting layer 103 between the hole transport layer 102 and the electron transport layer 104 when a voltage is applied.
And emits light in the vicinity thereof.
【0004】ここで、カソード電極膜105を形成する
場合にスパッタ法などプラズマ等を用いた成膜方法で
は、電子輸送層104にダメージを与えるため、カソー
ド電極膜105から電子輸送層104への電子の注入効
率が低下し、素子の発光効率が悪くなってしまう。そこ
で、従来方法では抵抗加熱などの真空蒸着等でイオン性
のダメージのない電極を形成しているが、真空蒸着によ
って低ダメージで電子注入可能な透明電極は形成できな
い(電極の抵抗が高い、透過率が低い、電子注入効率が
悪い)ため、一般にアルミニュウム膜をカソード電極膜
105として用いている。Here, when the cathode electrode film 105 is formed, a film forming method using plasma or the like such as a sputtering method damages the electron transport layer 104, so that electrons from the cathode electrode film 105 to the electron transport layer 104 are damaged. Injection efficiency is lowered, and the luminous efficiency of the device is deteriorated. Therefore, in the conventional method, an electrode without ionic damage is formed by vacuum deposition such as resistance heating, but a transparent electrode capable of electron injection with low damage cannot be formed by vacuum deposition (high electrode resistance, transmission Since the rate is low and the electron injection efficiency is low), an aluminum film is generally used as the cathode electrode film 105.
【0005】よって、アルミニュウム膜は光の透過率が
極めて悪い(反射する)ので、発光層103で発光した
光は直接透明電極であるアノード電極膜101を通過し
てガラス基板100側へ放出、または、カソード電極膜
105により反射されてガラス基板100側へ放出され
る。Therefore, since the aluminum film has an extremely low light transmittance (reflects), the light emitted from the light emitting layer 103 directly passes through the anode electrode film 101, which is a transparent electrode, and is emitted to the glass substrate 100 side. , Is reflected by the cathode electrode film 105 and is emitted to the glass substrate 100 side.
【0006】図10は、上述の有機EL素子を用いた従
来の有機ELディスプレイの概略断面図であり、図10
において、110はスイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスタ116をマトリックス状に形成したガラス基板
であり、薄膜トランジスタの出力側に接続されたアノー
ド電極膜としての透明導電材料(例えばITO)よりな
る画素電極111、P型有機薄膜である正孔輸送層11
2、発光層113、N型有機薄膜である電子輸送層11
4、カソード電極膜としての(例えばアルミ膜よりな
る)共通電極115、対向の裏面ガラス117が図示し
ない封止手段により空隙を設けて形成されている。FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional organic EL display using the above-mentioned organic EL element.
In the figure, 110 is a glass substrate on which thin film transistors 116 as switching elements are formed in a matrix, a pixel electrode 111 made of a transparent conductive material (for example, ITO) as an anode electrode film connected to the output side of the thin film transistor, and a P-type organic material. Hole transport layer 11 that is a thin film
2, light emitting layer 113, electron transport layer 11 which is an N-type organic thin film
4, a common electrode 115 (made of, for example, an aluminum film) as a cathode electrode film, and a back glass 117 facing the common electrode 115 are formed with a gap provided by a sealing means (not shown).
【0007】ここで、それぞれの薄膜トランジスタ11
6によりそれぞれの画素電極に電圧を印加して電流を流
すことにより、画素電極ごとに発光させることができ
る。マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ11
6を(図示しない)周辺回路により制御して画素ごとの
電流を制御することで各画素の発光量を制御でき、有機
ELディスプレイを得ることができる。また、発光層1
13にR/G/Bに対応した発光材料を用い、画素をR
/G/Bそれぞれに対応して作成・駆動することによっ
て、カラー有機ELディスプレイを得ることができる。Here, each thin film transistor 11
By applying a voltage to each pixel electrode and applying a current by 6, a pixel electrode can emit light. Thin film transistors 11 arranged in a matrix
By controlling 6 by a peripheral circuit (not shown) to control the current for each pixel, the light emission amount of each pixel can be controlled, and an organic EL display can be obtained. In addition, the light emitting layer 1
The light emitting material corresponding to R / G / B is used for 13
A color organic EL display can be obtained by producing and driving corresponding to / G / B respectively.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機ELディスプレイでは、以下に記す課題を有してい
る。However, the conventional organic EL display has the following problems.
【0009】まず、薄膜トランジスタなどのマトリック
ス状に配置されたスイッチング素子を形成したガラス基
板上に有機EL素子などの発光素子を形成する必要があ
る。そのため、1枚のガラス基板上に多数のパネルを形
成する場合、スイッチング素子の形成段階で1つまたは
数個のパネルに不良が発生し使用できなくなっても、そ
の後の発光素子の形成は(割断しないで)ガラス基板全
面で行なわれ、不良パネル上にも発光素子を形成するこ
とになり、製造効率が悪いという課題がある。First, it is necessary to form a light emitting element such as an organic EL element on a glass substrate on which switching elements arranged in a matrix such as a thin film transistor are formed. Therefore, when a large number of panels are formed on one glass substrate, even if one or several panels become defective at the stage of forming switching elements and cannot be used, the subsequent formation of light emitting elements is This is performed on the entire surface of the glass substrate, and the light emitting element is formed even on the defective panel, which causes a problem of low manufacturing efficiency.
【0010】次に、上述した有機EL素子などの発光素
子を形成する際の制約により、従来の有機ELディスプ
レイでは、スイッチング素子やスイッチング素子の駆動
配線が形成されているガラス基板110方向に光を取り
出す必要がある。そのため、ガラス基板上に形成された
スイッチング素子部やスイッチング素子の駆動配線部が
光を遮るため、有効な発光面積を制限し縮小してしまう
という課題がある。Next, due to the limitation in forming the light emitting element such as the organic EL element described above, in the conventional organic EL display, light is emitted toward the glass substrate 110 on which the switching element and the drive wiring of the switching element are formed. I need to take it out. Therefore, since the switching element portion formed on the glass substrate and the drive wiring portion of the switching element block light, there is a problem that the effective light emitting area is limited and reduced.
【0011】本発明の目的は、上述の課題に対して、製
造効率の向上とディスプレイの発光面積の拡大を図る表
示装置およびその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device and a method of manufacturing the same for improving the manufacturing efficiency and expanding the light emitting area of the display, in order to solve the above problems.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明の表示装置およびその製造方法では、請求項
1〜請求項12に記載する手段を講じている。In order to achieve the above object, the display device of the present invention and the manufacturing method thereof have the measures described in claims 1 to 12.
【0013】具体的に、請求項1の発明が講じた手段
は、マトリックス駆動により発光素子に電力を供給して
画像を表示する表示装置であって、共通透明電極と前記
共通透明電極上の発光素子が形成された第1の基板と、
マトリックス駆動のスイッチング素子および駆動用配線
とそれぞれのスイッチング素子に接続された画素電極が
形成された第2の基板を、前記画素電極と前記発光素子
を電気接続して重ね合わせた構成とするものである。[0013] Specifically, the means taken by the invention of claim 1 is a display device for supplying electric power to a light emitting element by matrix driving to display an image, wherein a common transparent electrode and light emission on the common transparent electrode are provided. A first substrate on which elements are formed,
A second substrate on which a matrix-driving switching element and a driving wiring and a pixel electrode connected to each switching element are formed, and the pixel electrode and the light-emitting element are electrically connected and overlapped with each other. is there.
【0014】請求項2の発明が講じた手段は、マトリッ
クス駆動により発光素子に電力を供給して画像を表示す
る表示装置であって、共通透明電極と前記共通透明電極
上の発光素子が形成された第1の基板と、マトリックス
駆動のスイッチング素子および駆動用配線とそれぞれの
スイッチング素子に接続された画素電極が形成された第
2の基板を、異方性導電性材料を介して重ね合わせた構
成とするものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a display device for displaying an image by supplying power to a light emitting element by matrix driving, wherein a common transparent electrode and a light emitting element on the common transparent electrode are formed. A structure in which a first substrate and a second substrate on which matrix-driving switching elements and driving wirings and pixel electrodes connected to the respective switching elements are formed are stacked via an anisotropic conductive material. It is what
【0015】請求項3の発明が講じた手段は、請求項1
または請求項2の構成に、発光素子は複数の層からなる
有機EL層であり、共通透明電極は有機EL層のアノー
ド電極となる構成を付加するものである。The means taken by the invention of claim 3 is claim 1
Alternatively, the light emitting element is an organic EL layer composed of a plurality of layers, and the common transparent electrode is an anode electrode of the organic EL layer.
【0016】請求項4の発明が講じた手段は、請求項1
または請求項2の構成に、第1の基板はフレキシブル・
フィルムである構成を付加するものである。The means taken by the invention of claim 4 is as follows:
Alternatively, in the configuration of claim 2, the first substrate is a flexible substrate.
This is to add a structure that is a film.
【0017】請求項5の発明が講じた手段は、表示装置
の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に共
通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発
光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリック
ス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する
工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画
素電極を形成する工程と、前記画素電極表面に導電性材
料を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の
基板表面を対向させて重ね合わせ前記発光素子と前記画
素電極を前記導電性材料により電気接続する工程よりな
る構成とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises forming a common transparent electrode on at least a surface of a first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. A step of forming a matrix-driven switching element and a drive wiring on the surface of the second substrate, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a conductive layer on the surface of the pixel electrode. And a step of forming a material, and stacking the first substrate surface and the second substrate surface so as to face each other and electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by the conductive material. is there.
【0018】請求項6の発明が講じた手段は、表示装置
の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に共
通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発
光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリック
ス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する
工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画
素電極を形成する工程と、前記画素電極領域以外の所望
の領域に収縮性接着剤を形成する工程と、前記第1の基
板表面と前記第2の基板表面を対向させて前記収縮性接
着剤により重ね合わせた後、前記収縮性接着剤を硬化収
縮させることにより前記発光素子と前記画素電極を電気
接続する工程よりなる構成とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises forming a common transparent electrode on at least a surface of a first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. A step of forming a matrix-driving switching element and a driving wiring on the surface of the second substrate, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a step other than the pixel electrode region. A step of forming a shrinkable adhesive in the area of, and the surface of the first substrate and the surface of the second substrate are opposed to each other and overlapped by the shrinkable adhesive, and then the shrinkable adhesive is cured and shrunk. Thus, the light emitting element and the pixel electrode are electrically connected.
【0019】請求項7の発明が講じた手段は、表示装置
の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に共
通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発
光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリック
ス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する
工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画
素電極を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第
2の基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟んで重
ね合わせることにより前記発光素子と前記画素電極を電
気接続する工程よりなる構成とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises at least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. The step of forming a matrix driving switching element and a driving wiring on the second substrate surface, the step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and the first substrate surface. The second substrate surface is made to face each other, and an anisotropic conductive material is sandwiched between the second substrate surfaces, and the second substrate surfaces are overlapped with each other to electrically connect the light emitting element and the pixel electrode.
【0020】請求項8の発明が講じた手段は、表示装置
の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に共
通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発
光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリック
ス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する
工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画
素電極を形成する工程と、前記画素電極表面に導電性材
料を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の
基板表面を対向させて重ね合わせ前記発光素子と前記画
素電極を前記導電性材料により電気接続する工程と、前
記第2の基板を除去する工程よりなる構成とするもので
ある。According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises at least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. A step of forming a matrix-driven switching element and a drive wiring on the surface of the second substrate, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a conductive layer on the surface of the pixel electrode. A step of forming a material, a step of superposing the first substrate surface and the second substrate surface so as to face each other, and electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by the conductive material; and the second substrate It is configured to include a step of removing.
【0021】請求項9の発明が講じた手段は、表示装置
の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に共
通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発
光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリック
ス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する
工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画
素電極を形成する工程と、前記画素電極領域以外の所望
の領域に収縮性接着剤を形成する工程と、前記第1の基
板表面と前記第2の基板表面を対向させて前記収縮性接
着剤により重ね合わせた後、前記収縮性接着剤を硬化収
縮させることにより前記発光素子と前記画素電極を電気
接続する工程と、前記第2の基板を除去する工程よりな
る構成とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises at least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. A step of forming a matrix-driving switching element and a driving wiring on the surface of the second substrate, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a step other than the pixel electrode region. A step of forming a shrinkable adhesive in the area of, and the surface of the first substrate and the surface of the second substrate are opposed to each other and overlapped by the shrinkable adhesive, and then the shrinkable adhesive is cured and shrunk. As a result, the light emitting element and the pixel electrode are electrically connected, and the second substrate is removed.
【0022】請求項10の発明が講じた手段は、表示装
置の製造方法であって、少なくとも、第1の基板表面に
共通透明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に
発光素子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリッ
クス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形成す
る工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続された
画素電極を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記
第2の基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟んで
重ね合わせることにより前記発光素子と前記画素電極を
電気接続する工程と、前記第2の基板を除去する工程よ
りなる構成とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, which comprises forming a common transparent electrode on at least a surface of a first substrate, and forming a light emitting element on the common transparent electrode. The step of forming a matrix driving switching element and a driving wiring on the second substrate surface, the step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and the first substrate surface. A step of electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by stacking the second substrate surfaces so as to face each other with an anisotropic conductive material sandwiched therebetween; and a step of removing the second substrate. To do.
【0023】請求項11の発明が講じた手段は、請求項
5〜請求項10のいずれかに記載の構成に、発光素子は
複数の層からなる有機EL層であり、共通透明電極は有
機EL層のアノード電極となる構成を付加するものであ
る。According to an eleventh aspect of the present invention, in the structure according to any one of the fifth to tenth aspects, the light emitting element is an organic EL layer composed of a plurality of layers, and the common transparent electrode is an organic EL layer. The structure which becomes the anode electrode of the layer is added.
【0024】請求項12の発明が講じた手段は、請求項
5〜請求項10のいずれかに記載の構成に、第1の基板
がフレキシブル・フィルムである構成を付加するもので
ある。According to a twelfth aspect of the present invention, means for adding a configuration in which the first substrate is a flexible film to the configuration according to any one of the fifth to tenth aspects.
【0025】以上の表示装置およびその製造方法によ
り、以下のような作用が奏される。The above-described display device and manufacturing method thereof have the following effects.
【0026】マトリックス駆動のスイッチング素子に接
続された画素電極と発光素子を電気接続して重ね合わせ
た構造にすることにより、スイッチング素子により供給
される電圧(または電流)が画素電極を介して発光素子
に供給され、発光素子が光る。各スイッチング素子の駆
動(ON/OFF)および信号(電圧または電流)を制
御することで、自発光型のディスプレイが構成される。The pixel electrode connected to the matrix-driven switching element and the light emitting element are electrically connected to each other to form a structure in which the voltage (or current) supplied by the switching element passes through the pixel electrode. Is supplied to the light emitting element. A self-luminous display is configured by controlling the driving (ON / OFF) of each switching element and the signal (voltage or current).
【0027】ここで、発光素子は第1の基板上に形成さ
れているため、上述した従来の有機EL素子と同様に発
光した光は第1の基板側に取り出される。また、スイッ
チング素子などは第1の基板に形成されていないため
に、従来の有機EL素子等の製造方法を用いても、スイ
ッチング素子やスイッチング素子の駆動用の配線領域が
発光面積に影響せず、発光面積の拡大を図ることができ
る。Here, since the light emitting element is formed on the first substrate, the emitted light is extracted to the first substrate side as in the conventional organic EL element described above. Further, since the switching element and the like are not formed on the first substrate, the switching element and the wiring region for driving the switching element do not affect the light emitting area even when the conventional manufacturing method of the organic EL element or the like is used. It is possible to increase the light emitting area.
【0028】また、第1の基板上への発光素子の形成と
第2の基板上へのスイッチング素子等の形成はそれぞれ
独立して行なえ、不良の発生したそれぞれの基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、1枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第1の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。Further, the formation of the light emitting element on the first substrate and the formation of the switching element and the like on the second substrate can be carried out independently, and the other substrate is formed on each of the defective substrates. Since sticking can be avoided, even when a large number of panels are manufactured on one substrate, it is not necessary to stick the first substrate on which the light emitting layer is formed to the defective panel portion, which improves manufacturing efficiency. It is possible to improve.
【0029】また、請求項5の発明において、画素電極
表面の導電性材料により接続することで、画素電極の導
電性材料を形成した領域が発光素子と接するため導電性
材料を形成した領域を発光領域とすることができる。Further, in the invention of claim 5, since the area of the pixel electrode on which the conductive material is formed is in contact with the light emitting element by connecting with the conductive material on the surface of the pixel electrode, the area on which the conductive material is formed emits light. It can be a region.
【0030】また、請求項6の発明において、収縮性接
着剤を用いて基板を重ね合わせることによって、画素電
極と発光素子を押圧状態に保つことができ電気接続をよ
り安定化することができる。In the sixth aspect of the present invention, by overlapping the substrates with the shrinkable adhesive, the pixel electrode and the light emitting element can be kept in a pressed state, and the electrical connection can be further stabilized.
【0031】また、請求項7の発明において、異方性導
電性材料を介して画素電極と発光素子を接続すること
で、上述の作用に加えて、簡便に基板の貼り合わせが行
なえる上、画素電極間を短絡することなく良好な接続が
実現できる。Further, in the invention of claim 7, by connecting the pixel electrode and the light emitting element through the anisotropic conductive material, in addition to the above-described action, the substrate can be simply bonded. Good connection can be realized without short-circuiting the pixel electrodes.
【0032】また、請求項8〜請求項10の発明におい
て、前記第2の基板を除去することにより、表示装置の
軽量化を図ることができる。Further, in the inventions of claims 8 to 10, by removing the second substrate, the weight of the display device can be reduced.
【0033】[0033]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る表
示装置およびその製造方法について図面を参照しながら
説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A display device and a method for manufacturing the same according to embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0034】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図1において、13は第1の基板としてのフレ
キシブル基板であり、フレキシブル基板13の表面(図
中下側)には発光素子としての有機EL素子が形成され
ており、共通透明電極としての14は透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極、15は正孔輸送
層、16−1、16−2、16−3は発光層、17は電
子輸送層である。10は第2の基板としてのガラス基板
であり、ガラス基板10の表面(図中上側)には、(図
示しないが)マトリックス状に配置されたスイッチング
素子11、画素電極12、およびスイッチング素子駆動
のための配線が形成されている。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining the display device according to the embodiment. In FIG. 1, 13 is a flexible substrate as a first substrate, an organic EL element as a light emitting element is formed on the surface (lower side in the figure) of the flexible substrate 13, and 14 as a common transparent electrode is An anode electrode formed of a transparent material (for example, an ITO film), 15 is a hole transport layer, 16-1, 16-2 and 16-3 are light emitting layers, and 17 is an electron transport layer. Reference numeral 10 denotes a glass substrate serving as a second substrate. On the surface (upper side in the drawing) of the glass substrate 10, switching elements 11, pixel electrodes 12, and switching element driving elements arranged in a matrix (not shown) are arranged. Wiring is formed.
【0035】フレキシブル基板13とガラス基板10は
電子輸送層17と画素電極12により電気的に接続され
ており、画素電極12は有機EL素子のカソード電極を
兼ねている。The flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are electrically connected by the electron transport layer 17 and the pixel electrode 12, and the pixel electrode 12 also serves as the cathode electrode of the organic EL element.
【0036】図示しない駆動回路によりマトリックス状
に配置された任意のスイッチング素子11を選択し、画
素電極12に電圧(または電流)を供給することで、有
機EL素子の発光層16で発光を生じる。画素電極12
を反射材料とすることで発光した光を上方に取り出すこ
とができる。By selecting an arbitrary switching element 11 arranged in a matrix by a driving circuit (not shown) and supplying a voltage (or current) to the pixel electrode 12, light emission is generated in the light emitting layer 16 of the organic EL element. Pixel electrode 12
By using as a reflective material, the emitted light can be extracted upward.
【0037】ここで、駆動回路により、選択するスイッ
チング素子と供給する電圧(または電流)を順次制御す
ることにより二次元画像を構成することができ、有機E
Lディスプレイが得られる。Here, a two-dimensional image can be formed by sequentially controlling the switching element to be selected and the voltage (or current) to be supplied by the drive circuit, and the organic E
An L display is obtained.
【0038】また、発光層16−1、16−2、16−
3をR/G/Bに対応した材料で形成することで、カラ
ー有機ELディスプレイが得られる。Further, the light emitting layers 16-1, 16-2, 16-
A color organic EL display can be obtained by forming 3 with a material corresponding to R / G / B.
【0039】ここで、図1で示した有機ELディスプレ
イでは、発光素子として従来の有機EL素子と同様の製
造方法を用いることができ、かつ、スイッチング素子や
スイッチング素子の駆動用の配線領域が発光面積に影響
せず、発光面積の拡大を図ることができる。また、第1
の基板と第2の基板を重ね合わせた構造としているた
め、その製造工程において、不良の発生した基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、1枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第1の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。Here, in the organic EL display shown in FIG. 1, a manufacturing method similar to that of a conventional organic EL element can be used as a light emitting element, and a switching element or a wiring region for driving the switching element emits light. It is possible to increase the light emitting area without affecting the area. Also, the first
Since the second substrate and the second substrate are superposed on each other, it is possible to avoid sticking the other substrate to the defective substrate in the manufacturing process, so that a large number of panels are formed on one substrate. Even in the case of manufacturing, it is not necessary to attach the first substrate on which the light emitting layer is formed to the defective panel portion, so that the manufacturing efficiency can be improved.
【0040】尚、第1の実施形態において、画素電極1
2と電子輸送層17を直接接続して説明したが、これ
は、間に導電性の接着材料を介して接続しても同様であ
る。In the first embodiment, the pixel electrode 1
Although 2 and the electron transport layer 17 are directly connected to each other, this is the same even if they are connected to each other via a conductive adhesive material.
【0041】(第2の実施形態)図2は、本発明の第2
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図2において、ほぼ図1と同様であり、発光素
子として有機EL素子の形成されたフレキシブル基板1
3と第2の基板としてのガラス基板10は、電子輸送層
17と画素電極12の間に異方性導電性材料18を挟ん
で接続されている。異方性導電性材料18は厚さ方向
(図中上下方向)にのみ電流を通すため、画素電極12
間を短絡することなくそれぞれの電子輸送層17と画素
電極12を簡便に電気接続することができる。(Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining the display device according to the embodiment. 2 is almost the same as FIG. 1, and is a flexible substrate 1 on which an organic EL element is formed as a light emitting element.
3 and the glass substrate 10 as the second substrate are connected with the anisotropic conductive material 18 sandwiched between the electron transport layer 17 and the pixel electrode 12. Since the anisotropic conductive material 18 allows a current to flow only in the thickness direction (vertical direction in the drawing), the pixel electrode 12
Each electron transport layer 17 and the pixel electrode 12 can be easily electrically connected without short-circuiting between them.
【0042】他の効果は上述の第1の実施形態と同様で
ある。Other effects are similar to those of the above-described first embodiment.
【0043】尚、第1の実施形態〜第2の実施形態にお
いて、第2の基板としてガラス基板を用いて説明した
が、これは、無機または有機(樹脂)フィルムであって
も同様であり、透明である必要はない。Although the glass substrate is used as the second substrate in the first to second embodiments, the same applies to an inorganic or organic (resin) film. It need not be transparent.
【0044】また、発光素子として有機EL素子を用い
て説明したが、これは他の発光素子であっても同様の効
果が得られることは容易に推測できる。Although the organic EL element is used as the light emitting element in the above description, it can be easily inferred that the same effect can be obtained with other light emitting elements.
【0045】(第3の実施形態)図3は、本発明の第3
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。まず、図3(a)に示すよう
に、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Third Embodiment) FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. First, as shown in FIG. 3A, an anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, an ITO film) as a common transparent electrode is formed on the surface (lower surface in the drawing) of a flexible substrate 13 as a first substrate. To do.
【0046】次に、図3(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 3B, the hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels R / R.
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0047】次に、図3(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子11
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 3C, a switching element 11 composed of thin film transistors and the like arranged in a matrix on a glass substrate 10 as a second substrate.
A wiring for driving a switching element (not shown) and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0048】次に、図3(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12と画素電極上の導電接着
層19を形成する。Next, as shown in FIG. 3D, the pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 and the conductive adhesive layer 19 on the pixel electrode are formed.
【0049】次に、図3(e)に示すように、フレキシ
ブル基板13とガラス基板10を重ね合わせ、導電接着
層19により画素電極12と電子輸送層17を電気接続
する。これにより、導電接着層19がカソード電極とな
る。Next, as shown in FIG. 3E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are superposed on each other, and the pixel electrode 12 and the electron transport layer 17 are electrically connected by the conductive adhesive layer 19. As a result, the conductive adhesive layer 19 becomes a cathode electrode.
【0050】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained through the above steps.
【0051】(第4の実施形態)図4は、本発明の第4
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第4の実施形態は上述の第3の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図4(a)に示すよ
うに、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Fourth Embodiment) FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. The fourth embodiment is almost the same as the above-described third embodiment. First, as shown in FIG. 4A, a common transparent film is formed on the surface (lower surface in the figure) of the flexible substrate 13 as the first substrate. The anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, ITO film) as an electrode is formed.
【0052】次に、図4(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 4 (b), a hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels R / R.
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0053】次に、図4(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子11
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 4C, a switching element 11 composed of thin film transistors and the like arranged in a matrix on a glass substrate 10 as a second substrate.
A wiring for driving a switching element (not shown) and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0054】次に、図4(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12と画素電極12以外の任
意の領域(例えば画素間を分離するための領域)に収縮
性接着剤20を形成する。Next, as shown in FIG. 4D, a pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 and an arbitrary region other than the pixel electrode 12 (for example, pixels are separated from each other). The shrinkable adhesive 20 is formed in the area (for
【0055】次に、図4(e)に示すように、収縮性接
着剤20によりフレキシブル基板13とガラス基板10
を重ね合わせる。その後、収縮性接着剤20を硬化収縮
させることにより画素電極12と電子輸送層17をより
確実に電気接続する。これにより、画素電極12がカソ
ード電極となる。Next, as shown in FIG. 4E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are coated with the shrinkable adhesive 20.
Overlap. Thereafter, the shrinkable adhesive 20 is cured and shrunk to more securely electrically connect the pixel electrode 12 and the electron transport layer 17. As a result, the pixel electrode 12 becomes a cathode electrode.
【0056】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained by the above steps.
【0057】(第5の実施形態)図5は、本発明の第5
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第5の実施形態も上述の第3の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図5(a)に示すよ
うに、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Fifth Embodiment) FIG. 5 shows the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. The fifth embodiment is also almost the same as the above-described third embodiment. First, as shown in FIG. 5A, a common transparent film is formed on the surface (lower surface in the figure) of the flexible substrate 13 as the first substrate. The anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, ITO film) as an electrode is formed.
【0058】次に、図5(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 5B, the hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels R / R.
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0059】次に、図5(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子11
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 5C, a switching element 11 composed of thin film transistors and the like arranged in a matrix on a glass substrate 10 as a second substrate.
A wiring for driving a switching element (not shown) and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0060】次に、図5(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12を形成する。Next, as shown in FIG. 5D, the pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 is formed.
【0061】次に、図5(e)に示すように、異方性導
電性材料18を挟んでフレキシブル基板13とガラス基
板10を重ね合わせる。異方性導電性材料18により、
画素電極12はその領域の電子輸送層17と電気接続す
る。これにより、異方性導電性材料18がカソード電極
となる。Next, as shown in FIG. 5E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are superposed with the anisotropic conductive material 18 sandwiched therebetween. By the anisotropic conductive material 18,
The pixel electrode 12 is electrically connected to the electron transport layer 17 in that region. As a result, the anisotropic conductive material 18 becomes the cathode electrode.
【0062】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained through the above steps.
【0063】(第6の実施形態)図6は、本発明の第6
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第6の実施形態は上述の第3の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図6(a)に示すよ
うに、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Sixth Embodiment) FIG. 6 shows a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. The sixth embodiment is almost the same as the above-described third embodiment. First, as shown in FIG. 6A, a common transparent film is formed on the surface (lower surface in the figure) of the flexible substrate 13 as the first substrate. The anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, ITO film) as an electrode is formed.
【0064】次に、図6(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 6B, the hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels by R /
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0065】次に、図6(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上に剥離層21と保護膜22
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子11および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 6C, a peeling layer 21 and a protective film 22 are formed on the glass substrate 10 as the second substrate.
After forming, the switching element 11 formed of thin film transistors and the like arranged in a matrix, a wiring for driving the switching element (not shown), and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0066】次に、図6(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12と画素電極上の導電接着
層19を形成する。Next, as shown in FIG. 6D, the pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 and the conductive adhesive layer 19 on the pixel electrode are formed.
【0067】次に、図6(e)に示すように、フレキシ
ブル基板13とガラス基板10を重ね合わせ、導電接着
層19により画素電極12と電子輸送層17を電気的に
接続する。これにより、導電接着層19がカソード電極
となる。Next, as shown in FIG. 6E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are superposed, and the pixel electrode 12 and the electron transport layer 17 are electrically connected by the conductive adhesive layer 19. As a result, the conductive adhesive layer 19 becomes a cathode electrode.
【0068】次に、図6(f)に示すように、剥離層2
1をエッチングすることによりガラス基板10を除去す
る。Next, as shown in FIG. 6 (f), the release layer 2
The glass substrate 10 is removed by etching 1.
【0069】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained by the above steps.
【0070】(第7の実施形態)図7は、本発明の第7
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第7の実施形態は上述の第4の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図7(a)に示すよ
うに、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Seventh Embodiment) FIG. 7 shows a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. The seventh embodiment is almost the same as the above-described fourth embodiment. First, as shown in FIG. 7A, a common transparent film is formed on the surface (lower surface in the figure) of the flexible substrate 13 as the first substrate. The anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, ITO film) as an electrode is formed.
【0071】次に、図7(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 7B, the hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels R / R.
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0072】次に、図7(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上に剥離層21と保護膜22
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子11および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 7C, a peeling layer 21 and a protective film 22 are formed on the glass substrate 10 as the second substrate.
After forming, the switching element 11 formed of thin film transistors and the like arranged in a matrix, a wiring for driving the switching element (not shown), and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0073】次に、図7(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12と画素電極12以外の任
意の領域(例えば画素間を分離するための領域)に収縮
性接着剤20を形成する。Next, as shown in FIG. 7D, a pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 and an arbitrary region other than the pixel electrode 12 (for example, pixels are separated from each other). The shrinkable adhesive 20 is formed in the area (for
【0074】次に、図7(e)に示すように、収縮性接
着剤20によりフレキシブル基板13とガラス基板10
を重ね合わせる。その後、収縮性接着剤20を硬化収縮
させることにより画素電極12と電子輸送層17をより
確実に電気接続する。これにより、画素電極12がカソ
ード電極となる。Next, as shown in FIG. 7E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are coated with the shrinkable adhesive 20.
Overlap. Thereafter, the shrinkable adhesive 20 is cured and shrunk to more securely electrically connect the pixel electrode 12 and the electron transport layer 17. As a result, the pixel electrode 12 becomes a cathode electrode.
【0075】次に、図7(f)に示すように、剥離層2
1をエッチングすることによりガラス基板10を除去す
る。Next, as shown in FIG. 7 (f), the release layer 2
The glass substrate 10 is removed by etching 1.
【0076】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained through the above steps.
【0077】(第8の実施形態)図8は、本発明の第8
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第8の実施形態も上述の第5の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図8(a)に示すよ
うに、第1の基板としてのフレキシブル基板13の表面
(図中下面)に共通透明電極としての透明材料(例えば
ITO膜)で形成されたアノード電極14を形成する。(Eighth Embodiment) FIG. 8 shows an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the embodiment. The eighth embodiment is almost the same as the above-described fifth embodiment. First, as shown in FIG. 8A, a common transparent film is formed on the surface (lower surface in the figure) of the flexible substrate 13 as the first substrate. The anode electrode 14 formed of a transparent material (for example, ITO film) as an electrode is formed.
【0078】次に、図8(b)に示すように、アノード
電極14の表面に正孔輸送層15を形成し、正孔輸送層
15の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されR/
G/Bに対応した波長の発光材料である発光層16−
1、16−2、16−3を形成する。その後、発光層1
6−1、16−2、16−3を覆うように電子輸送層1
7を形成する。Next, as shown in FIG. 8B, the hole transport layer 15 is formed on the surface of the anode electrode 14, and the surface of the hole transport layer 15 is divided into matrix-like pixels by R /
Light-emitting layer 16-which is a light-emitting material having a wavelength corresponding to G / B
1, 16-2, 16-3 are formed. Then, the light emitting layer 1
Electron transport layer 1 so as to cover 6-1, 16-2, 16-3
Form 7.
【0079】次に、図8(c)に示すように、第2の基
板としてのガラス基板10上に剥離層21と保護膜22
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子11および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。Next, as shown in FIG. 8C, the peeling layer 21 and the protective film 22 are formed on the glass substrate 10 as the second substrate.
After forming, the switching element 11 formed of thin film transistors and the like arranged in a matrix, a wiring for driving the switching element (not shown), and an insulating film covering the switching element and the wiring are formed.
【0080】次に、図8(d)に示すように、スイッチ
ング素子11の出力側に接続された(例えばアルミニュ
ウム材料による)画素電極12を形成する。Next, as shown in FIG. 8D, the pixel electrode 12 (for example, made of an aluminum material) connected to the output side of the switching element 11 is formed.
【0081】次に、図8(e)に示すように、異方性導
電性材料18を挟んでフレキシブル基板13とガラス基
板10を重ね合わせる。異方性導電性材料18により、
画素電極12はその領域の電子輸送層17と電気接続す
る。これにより、異方性導電性材料18がカソード電極
となる。Next, as shown in FIG. 8E, the flexible substrate 13 and the glass substrate 10 are superposed with the anisotropic conductive material 18 sandwiched therebetween. By the anisotropic conductive material 18,
The pixel electrode 12 is electrically connected to the electron transport layer 17 in that region. As a result, the anisotropic conductive material 18 becomes the cathode electrode.
【0082】次に、図8(f)に示すように、剥離層2
1をエッチングすることによりガラス基板10を除去す
る。Next, as shown in FIG. 8F, the release layer 2
The glass substrate 10 is removed by etching 1.
【0083】以上の工程によりカラー有機ELディスプ
レイを得る。A color organic EL display is obtained through the above steps.
【0084】第3の実施形態〜第8の実施形態におい
て、図示しない駆動回路によりマトリックス状に配置さ
れた任意のスイッチング素子11を選択し、画素電極1
2に任意の電圧(または電流)を供給することで、有機
EL素子の発光層16で発光を生じる。画素電極12ま
たは導電接着層19を反射材料とすることで、発光層で
発生した光を上方に取り出すことができる。In the third to eighth embodiments, the arbitrary switching elements 11 arranged in a matrix are selected by the drive circuit (not shown), and the pixel electrode 1 is selected.
By supplying an arbitrary voltage (or current) to 2, the light emitting layer 16 of the organic EL element emits light. By using the pixel electrode 12 or the conductive adhesive layer 19 as a reflective material, the light generated in the light emitting layer can be extracted upward.
【0085】よって、第3の実施形態〜第8の実施形態
における表示装置の製造方法によると、発光素子を形成
した第1の基板(フレキシブル基板)をパネルごとに分
割した後に第2の基板(分割されていないガラス基板)
に貼り付けることにより、スイッチング素子の形成工程
において不良(素子や配線の形成不良)の発生したパネ
ルに対して、発光素子を形成した第1の基板(フレキシ
ブル基板)を用いる必要がなく、製造効率の向上を図る
ことができる。Therefore, according to the manufacturing method of the display device in the third to eighth embodiments, the first substrate (flexible substrate) on which the light emitting elements are formed is divided into panels, and then the second substrate ( Undivided glass substrate)
By sticking to the panel, it is not necessary to use the first substrate (flexible substrate) on which the light emitting element is formed for a panel in which a defect (element or wiring formation defect) has occurred in the process of forming the switching element, and the manufacturing efficiency is improved. Can be improved.
【0086】尚、第3の実施形態〜第8の実施形態にお
いて、発光層をR/G/Bに対応させるために画素ごと
に分割して形成したが、これは、単色の表示の場合には
全面に発光層を形成してもよい。In the third to eighth embodiments, the light-emitting layer is divided into pixels to correspond to R / G / B, but this is formed in the case of monochrome display. A light emitting layer may be formed on the entire surface.
【0087】また、第6の実施形態〜第8の実施形態に
おいて、剥離層21を除去することでガラス基板10を
除去するよう説明したが、これは、ガラス基板10をエ
ッチングや研磨によって除去または薄くすることであっ
ても同様である。Further, in the sixth to eighth embodiments, the glass substrate 10 is removed by removing the peeling layer 21, but the glass substrate 10 is removed by etching or polishing. The same applies to thinning.
【0088】また、第1の実施形態〜第8の実施形態に
おいて、第1の基板としてフレキシブル基板として説明
したが、これは、樹脂基板や樹脂フィルムであり、ガラ
ス基板等に比べ軽量化や高可動化を図ることができる
が、ガラス基板等の硬質透明基板を用いてもまったく問
題はなく、ほぼ透明であれば他の材料を用いても目的の
効果は同じであることは容易に理解できる。また、第2
の基板としてガラス基板を用いて説明したが、これは、
スイッチング素子等の形成に耐える基板であれば何でも
よく、不透明な基板を用いても問題ない。Further, in the first to eighth embodiments, the flexible substrate is explained as the first substrate, but this is a resin substrate or a resin film, which is lighter and higher than a glass substrate or the like. It can be mobilized, but it is easy to understand that using a hard transparent substrate such as a glass substrate does not cause any problem, and if it is almost transparent, the same effect can be obtained by using other materials. . Also, the second
I explained using a glass substrate as the substrate of, but this is
Any substrate can be used as long as it can withstand the formation of switching elements, and an opaque substrate can be used.
【0089】[0089]
【発明の効果】以上、本発明の表示装置およびその製造
方法によると、特に自発光素子を有する表示装置におい
て製造効率の向上および有効発光面積の拡大を図ること
ができる。As described above, according to the display device and the method of manufacturing the same of the present invention, it is possible to improve the manufacturing efficiency and increase the effective light emitting area particularly in the display device having the self-luminous element.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る表示装置を説明
するための概略断面図FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining a display device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態に係る表示装置を説明
するための概略断面図FIG. 2 is a schematic sectional view for explaining a display device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 3 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 4 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the display device according to the fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 5 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method for the display device according to the fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 6 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the display device according to the sixth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第7の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 7 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the display device according to the seventh embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第8の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図FIG. 8 is a schematic process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the display device according to the eighth embodiment of the present invention.
【図9】発光素子としての有機EL素子の概略構成図FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an organic EL element as a light emitting element.
【図10】従来の有機ELディスプレイの概略断面図FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional organic EL display.
10 ガラス基板 11 スイッチング素子 12 画素電極 13 フレキシブル基板 14 アノード電極 15 正孔輸送層 16−1,16−2,16−3 発光層 17 電子輸送層 18 異方性導電性材料 19 導電接着層 20 収縮性接着剤 21 剥離層 22 保護膜 100 ガラス基板 101 アノード電極膜 102 正孔輸送層 103 発光層 104 電子輸送層 105 カソード電極膜 110 ガラス基板 111 画素電極 112 正孔輸送層 113 発光層 114 電子輸送層 115 共通電極 116 薄膜トランジスタ 117 裏面ガラス 10 glass substrates 11 Switching element 12 pixel electrodes 13 Flexible substrate 14 Anode electrode 15 Hole transport layer 16-1, 16-2, 16-3 Light emitting layer 17 Electron transport layer 18 Anisotropically conductive material 19 Conductive adhesive layer 20 Shrinkable adhesive 21 Release layer 22 Protective film 100 glass substrates 101 Anode electrode film 102 hole transport layer 103 light emitting layer 104 electron transport layer 105 cathode electrode film 110 glass substrate 111 pixel electrode 112 Hole Transport Layer 113 light emitting layer 114 electron transport layer 115 common electrode 116 thin film transistor 117 Back glass
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB18 BA07 CA06 CB01 DB03 GA00 5C094 AA10 AA15 AA43 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 CA25 DA12 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 FA02 FB01 FB20 GB10 5G435 AA03 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 AF term (reference) 3K007 AB18 BA07 CA06 CB01 DB03 GA00 5C094 AA10 AA15 AA43 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 CA25 DA12 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 FA02 FB01 FB20 GB10 5G435 AA03 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05
Claims (12)
を供給して画像を表示する表示装置であって、共通透明
電極と前記共通透明電極上の発光素子が形成された第1
の基板と、マトリックス駆動のスイッチング素子および
駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子に接続された
画素電極が形成された第2の基板を、前記画素電極と前
記発光素子を電気接続して重ね合わせた構造であること
を特徴とする表示装置。1. A display device for displaying an image by supplying electric power to a light emitting element by matrix driving, comprising a common transparent electrode and a light emitting element on the common transparent electrode.
And a second substrate on which a matrix driving switching element and a driving wiring and pixel electrodes connected to the respective switching elements are formed, and the pixel electrode and the light emitting element are electrically connected to each other and stacked. A display device characterized by:
を供給して画像を表示する表示装置であって、共通透明
電極と前記共通透明電極上の発光素子が形成された第1
の基板と、マトリックス駆動のスイッチング素子および
駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子に接続された
画素電極が形成された第2の基板を、異方性導電性材料
を介して重ね合わせた構造であることを特徴とする表示
装置。2. A display device for displaying an image by supplying electric power to a light emitting element by matrix driving, wherein a first transparent electrode and a light emitting element on the common transparent electrode are formed.
And the second substrate on which the matrix-driving switching element and the driving wiring and the pixel electrode connected to each switching element are formed, are superposed with an anisotropic conductive material interposed therebetween. A display device characterized by.
であり、共通透明電極は有機EL層のアノード電極とな
ることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか
に記載の表示装置。3. The display according to claim 1, wherein the light emitting element is an organic EL layer including a plurality of layers, and the common transparent electrode is an anode electrode of the organic EL layer. apparatus.
あることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれ
かに記載の表示装置。4. The display device according to claim 1, wherein the first substrate is a flexible film.
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆動
のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記画素電極表面に導電性材料を
形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の基板
表面を対向させて重ね合わせ前記発光素子と前記画素電
極を前記導電性材料により電気接続する工程よりなる表
示装置の製造方法。5. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light emitting element on the common transparent electrode, and a switching element for driving a matrix and a driving element on the surface of the second substrate. A step of forming wiring, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, a step of forming a conductive material on the surface of the pixel electrode, the first substrate surface and the second A method of manufacturing a display device, comprising the steps of stacking the substrate surfaces so as to face each other and electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode with the conductive material.
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆動
のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記画素電極領域以外の所望の領
域に収縮性接着剤を形成する工程と、前記第1の基板表
面と前記第2の基板表面を対向させて前記収縮性接着剤
により重ね合わせた後、前記収縮性接着剤を硬化収縮さ
せることにより前記発光素子と前記画素電極を電気接続
する工程よりなる表示装置の製造方法。6. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light-emitting element on the common transparent electrode, and a matrix-driven switching element and a driving element on the surface of the second substrate. Forming a wiring, forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, forming a shrinkable adhesive in a desired region other than the pixel electrode region, and the first substrate A display device comprising a step of electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by causing the surface and the surface of the second substrate to face each other and overlapping them with the shrinkable adhesive, and then curing and shrinking the shrinkable adhesive. Manufacturing method.
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆動
のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の
基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合
わせることにより前記発光素子と前記画素電極を電気接
続する工程よりなる表示装置の製造方法。7. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light emitting element on the common transparent electrode, and a switching element and a driving element for driving a matrix on the surface of the second substrate. A step of forming wiring, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a surface of the first substrate and a surface of the second substrate facing each other, and sandwiching an anisotropic conductive material. A method for manufacturing a display device, which comprises the step of electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by overlapping with each other.
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆動
のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記画素電極表面に導電性材料を
形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の基板
表面を対向させて重ね合わせ前記発光素子と前記画素電
極を前記導電性材料により電気接続する工程と、前記第
2の基板を除去する工程よりなる表示装置の製造方法。8. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light emitting element on the common transparent electrode, and a switching element and a driving element for driving a matrix on the surface of the second substrate. A step of forming wiring, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, a step of forming a conductive material on the surface of the pixel electrode, the first substrate surface and the second A method of manufacturing a display device comprising: a step of superposing the surface of a substrate so as to face each other and electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode with the conductive material; and a step of removing the second substrate.
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆動
のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記画素電極領域以外の所望の領
域に収縮性接着剤を形成する工程と、前記第1の基板表
面と前記第2の基板表面を対向させて前記収縮性接着剤
により重ね合わせた後、前記収縮性接着剤を硬化収縮さ
せることにより前記発光素子と前記画素電極を電気接続
する工程と、前記第2の基板を除去する工程よりなる表
示装置の製造方法。9. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light emitting element on the common transparent electrode, and a switching element and a driving element for driving a matrix on the surface of the second substrate. Forming a wiring, forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, forming a shrinkable adhesive in a desired region other than the pixel electrode region, and the first substrate A step of electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by causing the surface and the surface of the second substrate to face each other and overlapping them with the shrinkable adhesive, and then curing and shrinking the shrinkable adhesive; 2. A method for manufacturing a display device, which comprises the step of removing the substrate 2.
明電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素
子を形成する工程と、第2の基板表面にマトリックス駆
動のスイッチング素子および駆動用配線を形成する工程
と、前記スイッチング素子の出力側に接続された画素電
極を形成する工程と、前記第1の基板表面と前記第2の
基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合
わせることにより前記発光素子と前記画素電極を電気接
続する工程と、前記第2の基板を除去する工程よりなる
表示装置の製造方法。10. At least a step of forming a common transparent electrode on the surface of the first substrate, a step of forming a light emitting element on the common transparent electrode, and a matrix-driven switching element and a driving element on the surface of the second substrate. A step of forming wiring, a step of forming a pixel electrode connected to the output side of the switching element, and a surface of the first substrate and a surface of the second substrate facing each other, and sandwiching an anisotropic conductive material. And a step of electrically connecting the light emitting element and the pixel electrode by overlapping with each other, and a step of removing the second substrate.
層であり、共通透明電極は有機EL層のアノード電極と
なることを特徴とする請求項5〜請求項10のいずれか
に記載の表示装置の製造方法。11. A light emitting device is an organic EL device comprising a plurality of layers.
11. The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein the common transparent electrode is a layer, and the common transparent electrode serves as an anode electrode of the organic EL layer.
であることを特徴とする請求項5〜請求項10のいずれ
かに記載の表示装置の製造方法。12. The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein the first substrate is a flexible film.
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