JP2003207546A - Electronic circuit inspection sensor and inspection system using electronic circuit inspection sensor - Google Patents

Electronic circuit inspection sensor and inspection system using electronic circuit inspection sensor

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JP2003207546A
JP2003207546A JP2002359010A JP2002359010A JP2003207546A JP 2003207546 A JP2003207546 A JP 2003207546A JP 2002359010 A JP2002359010 A JP 2002359010A JP 2002359010 A JP2002359010 A JP 2002359010A JP 2003207546 A JP2003207546 A JP 2003207546A
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sensor
inspection
pattern
electronic circuit
sensor element
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JP2002359010A
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Japanese (ja)
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Yuji Odan
祐二 大段
Hideji Yamaoka
秀嗣 山岡
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Original Assignee
OHT Inc
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide and inspection sensor capable of easily inspecting a disconnection in the middle of a pattern, a partial notch, or a short-circuit to an adjacent pattern, regardless of the shape of a conductive pattern which is an inspection object, for example, even in the case of a branch pattern. <P>SOLUTION: This electronic circuit inspection sensor for inspecting the conductive pattern formed on an electronic circuit is equipped with square sensor elements 21, for example, having respectively the side length of, for example, one-third as long as the line width of the conductive pattern which is the inspection object, and disposed mutually close matrically, and an insulating layer formed at least on the surface of the sensor elements 21. The sensor elements 21 are positioned close to the conductive pattern which is the inspection object, and can detect a radiation wave generated from the conductive pattern which is the inspection object. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微細な配線パター
ンを有する回路基板を検査するのに用いられる基板検査
用センサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a board inspection sensor used for inspecting a circuit board having a fine wiring pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】微細パターンを有する回路基板を検査す
るには、従来では、多数のピンを検査対象の基板の各端
子に当てて、このピンに検査信号を印加していた。この
方法では、多数のピンを基板に当てるために、基板に負
荷がかかり、そのために負荷軽減を目的としてゴムを基
板に当てていた。
2. Description of the Related Art In order to inspect a circuit board having a fine pattern, conventionally, a large number of pins are applied to respective terminals of a board to be inspected and an inspection signal is applied to the pins. In this method, since a large number of pins are applied to the substrate, a load is applied to the substrate, and therefore rubber is applied to the substrate for the purpose of reducing the load.

【0003】このために、ゴムを押し当てた部分におい
て接触不良の問題が発生していた。この問題を解消する
ために、例えば、本出願人の出願になる特許文献1で
は、検査対象の配線パターンの幅よりも大きな大きさを
有するプローブ(電極)を用いて非接触式に信号を拾っ
て、基板の不良を検査する方法が実施されている。
For this reason, there has been a problem of poor contact at the portion where the rubber is pressed. In order to solve this problem, for example, in Patent Document 1 filed by the present applicant, signals are picked up in a non-contact manner using a probe (electrode) having a size larger than the width of a wiring pattern to be inspected. Then, a method of inspecting a defective board is implemented.

【0004】また、特許文献2は、図1に示すように、
検査信号を基板に向けて発生する電極(スティミュレー
タ)11A,11Bと、基板からの輻射信号を受信する
ための複数の電極12A,12B,12C・・・とを有
するセンサCを開示する。この特許文献1および特許文
献2に共通する発想は、複数のパターン線を覆う程度の
大きさの電極によりそのパターン線を一括で且つ非接触
で検査を行うということである。
Further, in Patent Document 2, as shown in FIG.
Disclosed is a sensor C having electrodes (stimulators) 11A and 11B that generate inspection signals toward a substrate and a plurality of electrodes 12A, 12B, 12C, ... For receiving radiation signals from the substrate. The idea common to Patent Document 1 and Patent Document 2 is that the pattern lines are collectively and non-contactly inspected by an electrode having a size enough to cover the plurality of pattern lines.

【0005】更に、特許文献3には、一定の間隔でアレ
イ状に配置された多数のセンサ電極を、検査対象基板に
近接させて電子回路の被測定点との間においてセンサ電
極を静電的に結合させて被試験基板の電位分布を非接触
で測定することが可能な基板検査用センサプローブが記
載されている。
Further, in Patent Document 3, a large number of sensor electrodes arranged in an array at regular intervals are brought close to a substrate to be inspected, and the sensor electrodes are electrostatically connected to a measured point of an electronic circuit. There is disclosed a sensor probe for inspecting a substrate, which is capable of measuring the potential distribution of a substrate under test in a non-contact manner by being coupled to the sensor probe.

【0006】[0006]

【特許文献1】特開平9−264919号公報[Patent Document 1] JP-A-9-264919

【特許文献2】特開平8−278342号公報[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-278342

【特許文献3】特開平8−327708号公報[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-327708

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
許文献1および特許文献2に用いられているセンサプロ
ーブは、通常のプリント基板程度のピッチや大きさを有
する回路パターンを検査することを目的としており、集
積度の点では低いものであり、それ故、機械加工、簡易
的なエッチングなどの方法によりセンサ電極部分を形成
することにより十分な精度を得られるものであった。
However, the sensor probe used in Patent Document 1 and Patent Document 2 is intended to inspect a circuit pattern having a pitch and a size of a normal printed circuit board. However, the degree of integration is low, and therefore sufficient accuracy can be obtained by forming the sensor electrode portion by a method such as machining or simple etching.

【0008】これらの先行技術のセンサプローブは、高
い位置決め精度を不要とするために、複数のパターン線
を覆う程度の大きさの電極を用いるものであるから、た
とえば50μm程度及び50μm以下の回路パターンを
分解能高く検査することは不可能であり、また、パター
ンが途中で複数本に枝分かれするものである回路基板に
適用することは不可能であった。
These prior art sensor probes use electrodes of a size large enough to cover a plurality of pattern lines in order to eliminate the need for high positioning accuracy. Therefore, for example, circuit patterns of about 50 μm and 50 μm or less are used. Could not be inspected with high resolution, and it could not be applied to a circuit board in which a pattern is branched into a plurality of patterns on the way.

【0009】また、さらに、例えば、パターンが完全に
断線とならずに一部に欠けが生じているような不良状態
を検査することも不可能であった。
Further, for example, it is impossible to inspect a defective state in which the pattern is not completely broken and a part is broken.

【0010】また、特許文献3に記載されたセンサプロ
ーブは、被検査基板の検査を行うためには、予め信号を
検出するべき被検査基板の検査パターン位置を決め、任
意のセンサ電極が係る検査パターン位置の真下になるよ
うにセンサプローブ移動させ、しかる後に信号の検出を
行う必要があった。
Further, in the sensor probe described in Patent Document 3, in order to inspect the substrate to be inspected, the inspection pattern position of the substrate to be inspected for which a signal should be detected is determined in advance, and the inspection relating to any sensor electrode is performed. It was necessary to move the sensor probe so that it was right under the pattern position, and then detect the signal.

【0011】この結果、センサプローブ位置決めができ
なければ正確な測定が不可能となってしまうため、精密
な位置決め制御が必要であり、検査装置の構造も複雑と
なっていた。また例えば微細パターンの場合などでは位
置決め精度が確保できず、良否検査が不十分となるおそ
れがあった。
As a result, accurate positioning becomes impossible unless the sensor probe can be positioned, so that precise positioning control is required and the structure of the inspection apparatus is complicated. Further, for example, in the case of a fine pattern, the positioning accuracy cannot be ensured, and the quality inspection may be insufficient.

【0012】更に、実装基板の裏面にセンサを位置決め
しているが、この面には実装部品の外部端子が突出して
おり、パターン面との間隙が非常に大きくなり、非常に
感度の小さいものであった。このため、例えば周辺パタ
ーンの影響を避けられないおそれも強かった。
Further, the sensor is positioned on the back surface of the mounting board, and the external terminals of the mounting parts are projected on this surface, the gap between the pattern surface and the sensor is very large, and the sensitivity is very low. there were. Therefore, there is a strong possibility that the influence of the peripheral pattern cannot be avoided.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題を
解決することを目的としてなされたもので、例えば、微
細な配線パターンであっても複雑な検査装置構造を必要
とせずに、かつ正確に検査することが可能なセンサプロ
ーブを提供することにある。
The present invention has been made for the purpose of solving the above-mentioned problems. For example, even a fine wiring pattern does not require a complicated inspection device structure and is accurate. It is to provide a sensor probe that can be inspected.

【0014】係る目的を達成する一手段として例えば以
下の構成を備える。
For example, the following configuration is provided as one means for achieving the above object.

【0015】即ち、電子回路上に形成される導電パター
ンを検査するための電子回路検査用センサであって、少
なくとも検査対象の導電パターンの線幅未満の大きさの
センサ要素を互いに近接させてマトリクス状に配設して
前記センサ要素により前記検査対象の導電パターンより
発生される放射波の強度を検出可能とし、前記各センサ
要素により前記検査対象の導電パターン形状に対応した
前記放射波の検出強度分布を検出可能とすることを特徴
とする。
That is, in an electronic circuit inspection sensor for inspecting a conductive pattern formed on an electronic circuit, at least sensor elements having a size smaller than the line width of the conductive pattern to be inspected are arranged close to each other in a matrix. Arranged so that the sensor element can detect the intensity of the radiation wave generated from the conductive pattern of the inspection target, and the detection intensity of the radiation wave corresponding to the conductive pattern shape of the inspection target by each of the sensor elements. The feature is that the distribution can be detected.

【0016】そして例えば、前記センサ要素は、一辺が
前記検査対象の導電パターンの線幅の約(1/3)であ
ることを特徴とする。あるいは、前記マトリクス状に配
設されるセンサ要素は、検査対象電子基板の配線パター
ン配設領域上部の全域に配置されることを特徴とする。
Further, for example, the sensor element is characterized in that one side is approximately (1/3) of a line width of the conductive pattern to be inspected. Alternatively, the sensor elements arranged in the matrix form are arranged over the entire wiring pattern arrangement area of the electronic substrate to be inspected.

【0017】また例えば、前記センサ要素は、前記検査
対象の導電パターンと非接触に位置決めされることを特
徴とする。
Further, for example, the sensor element is positioned without contact with the conductive pattern to be inspected.

【0018】または、検査対象電子回路の検査対象導電
パターンの一つに交流信号を供給する検査信号供給手段
と、上記のいずれかの電子回路検査用センサと、電子回
路検査用センサの前記センサ要素ごとの検出強度を検知
する検知手段と、前記検知手段の検知結果より前記放射
波を放射している領域を認識する認識手段とを備え、前
記認識手段で認識した前記放射波を放射している領域と
前記検査対象導電パターンとを比較して前記検査対象導
電パターンの良否を判別可能とする検査システムことを
特徴とする。電子回路上に形成される導電パターンを検
査するための電子回路検査用センサであって、少なくと
も検査対象の導電パターンの線幅未満の大きさのセンサ
要素を互いに近接させてマトリクス状に配設して前記セ
ンサ要素により前記検査対象の導電パターンより発生さ
れる放射波の強度を検出可能とし、前記各センサ要素に
より前記検査対象の導電パターン形状に対応した前記放
射波の検出強度分布を検出可能とすることを特徴とす
る。
Alternatively, a test signal supply means for supplying an alternating current signal to one of the test target conductive patterns of the test target electronic circuit, any one of the above electronic circuit test sensors, and the sensor element of the electronic circuit test sensor. Each of the detection units detects the detection intensity, and the recognition unit that recognizes the region radiating the radiation wave based on the detection result of the detection unit, and emits the radiation wave recognized by the recognition unit. An inspection system is characterized in that it is possible to determine the quality of the inspection target conductive pattern by comparing an area and the inspection target conductive pattern. An electronic circuit inspection sensor for inspecting a conductive pattern formed on an electronic circuit, in which at least sensor elements having a size smaller than a line width of a conductive pattern to be inspected are arranged close to each other in a matrix. It is possible to detect the intensity of the radiation wave generated from the conductive pattern of the inspection target by the sensor element, and it is possible to detect the detected intensity distribution of the radiation wave corresponding to the conductive pattern shape of the inspection target by each sensor element. It is characterized by doing.

【0019】そして例えば、更に少なくとも前記センサ
要素の表面に形成された絶縁層を備え、前記センサ要素
は一辺が前記検査対象の導電パターンの線幅未満の電極
を含み、前記絶縁層は前記電極を覆うことを特徴とす
る。
Further, for example, the sensor element further comprises at least an insulating layer formed on a surface of the sensor element, the sensor element including an electrode whose one side is less than a line width of the conductive pattern to be inspected, and the insulating layer includes the electrode. It is characterized by covering.

【0020】また例えば、前記センサ要素は一辺が前記
検査対象の導電パターンの線幅の約(1/3)の電極を
含むことを特徴とする。
Further, for example, the sensor element is characterized in that one side includes an electrode having a width (about 1/3) of a line width of the conductive pattern to be inspected.

【0021】さらに例えば、前記マトリクス状に配設さ
れるセンサ要素は、検査対象電子基板の配線パターン配
設領域上部の全域に配置されることを特徴とする。
Further, for example, the sensor elements arranged in a matrix are arranged in the entire area above the wiring pattern arrangement area of the electronic substrate to be inspected.

【0022】または、検査対象電子回路の検査対象導電
パターンの一つに交流信号を供給する検査信号供給手段
と、上記したいずれかの電子回路検査用センサと、電子
回路検査用センサの前記センサ要素ごとの放射波検出強
度を検知する検知手段と、前記検知手段の検知結果より
前記放射波を放射している領域を認識する認識手段とを
備え、前記認識手段で認識した前記放射波を放射してい
る領域と前記検査対象導電パターンとを比較して前記検
査対象導電パターンの良否を判別可能とすることを特徴
とする検査システムとする。
Alternatively, a test signal supply means for supplying an alternating current signal to one of the test target conductive patterns of the test target electronic circuit, any one of the above electronic circuit test sensors, and the sensor element of the electronic circuit test sensor. Detecting means for detecting the radiated wave detection intensity for each, and a recognition means for recognizing the area emitting the radiated wave from the detection result of the detecting means, radiating the radiated wave recognized by the recognizing means The inspection system is characterized in that it is possible to determine whether the inspection target conductive pattern is good or bad by comparing the region being examined and the inspection target conductive pattern.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る一発明の実施の形態例を詳細に説明する。図2、図3
は本発明に係る一実施の形態例のセンサプローブボード
の構成を説明する図である。図2は、本発明に係る一発
明の実施の形態例の検査システムに用いられるエリア型
のセンサプローブボード20の構成を下から見た底面
図、図3は本実施の形態例のほかのセンサプローブボー
ドであるリニア型のセンサプローブボード50を下から
見た底面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 2 and 3
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a sensor probe board according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a bottom view of the configuration of an area-type sensor probe board 20 used in the inspection system according to the embodiment of the present invention as seen from below, and FIG. 3 is another sensor according to the embodiment. It is the bottom view which looked at the linear type sensor probe board 50 which is a probe board from the bottom.

【0024】図2に示すエリア型のセンサプローブボー
ド20は、2次元状に(マトリクス状に)互いの間隔を
近接させて等間隔で配置された多数のセンサ要素21,
21・・・を有する。本実施の形態例は以上の図2に示
すセンサプローブボード20に限定されるものではな
く、例えば図3に示すリニア型のセンサプローブボード
50の様に、互いの間隔を近接させて一列に配置された
複数のセンサ要素21,21・・・を有する構造とする
ことも可能である。
The area-type sensor probe board 20 shown in FIG. 2 has a large number of sensor elements 21, which are two-dimensionally (matrix-shaped) arranged close to each other at equal intervals.
21 ... The present embodiment is not limited to the sensor probe board 20 shown in FIG. 2 described above, and is arranged in a row with a mutual spacing close to each other, as in the linear type sensor probe board 50 shown in FIG. 3, for example. It is also possible to have a structure having a plurality of sensor elements 21, 21 ,.

【0025】なお、図2に示すセンサプローブボード2
0においても、あるいは図3に示すセンサプローブボー
ド50においても、各センサ要素は他のセンサ要素から
僅かに離間し、その間は電磁波(電界または磁界)のシ
ールドによって隔成されている。
The sensor probe board 2 shown in FIG.
0, or in the sensor probe board 50 shown in FIG. 3, each sensor element is slightly separated from the other sensor elements, and is separated by an electromagnetic wave (electric field or magnetic field) shield.

【0026】各センサ要素21は略正方形に形成されて
おりその大きさは、検査対象の基板の回路パターンの線
幅によって決まる。不良個所を特定するためには、その
パターン線の線幅未満(例えば1/2〜1/3程度)の
大きさが好ましい。以下の本実施形態の説明では、各セ
ンサ要素21の大きさを説明の便宜上、パターン線の線
幅の1/3とした場合を例として説明する。
Each sensor element 21 is formed in a substantially square shape, and its size is determined by the line width of the circuit pattern of the board to be inspected. In order to specify the defective portion, it is preferable that the size is less than the line width of the pattern line (for example, about 1/2 to 1/3). In the following description of the present embodiment, the case where the size of each sensor element 21 is set to 1/3 of the line width of the pattern line will be described as an example for convenience of description.

【0027】図4は、個々のセンサ要素21が各々対応
するパッドに接続される様子を説明するための模式図で
ある。図4において、30はセンサ要素の一つとリード
線で接続されるボンディング用パッドであり、各センサ
要素は例えばセンサプローブボード20(または50)
の側面に列状に配設されたパッドとリード線(配線パタ
ーン)で接続されている。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining how individual sensor elements 21 are connected to their corresponding pads. In FIG. 4, 30 is a bonding pad that is connected to one of the sensor elements by a lead wire, and each sensor element is, for example, the sensor probe board 20 (or 50).
Are connected to the pads arranged in a row on the side surface of the device by a lead wire (wiring pattern).

【0028】図4の例では上部左端のセンサ要素が一番
上部のパッドに接続され、上部左より2番目のセンサ要
素が2番目のパッドと接続される状態を示している。な
お、全てのリード線はセンサプローブボード20(また
は50)内に埋め込まれている。
In the example of FIG. 4, the sensor element at the upper left end is connected to the uppermost pad, and the second sensor element from the upper left is connected to the second pad. Note that all the lead wires are embedded in the sensor probe board 20 (or 50).

【0029】本実施の形態例のセンサプローブボード
は、半導体製造プロセスによって作成されるような、微
細な配線パターンを検査する。従って、パッド間の間隔
も狭いものとなる。従って、各パッドからの信号を拾う
ための検査装置との間のリード線(不図示)はボンディ
ングによりパッド30に接続される。
The sensor probe board according to the present embodiment inspects a fine wiring pattern created by a semiconductor manufacturing process. Therefore, the space between the pads is also narrow. Therefore, the lead wire (not shown) between the pad and the inspection device for picking up the signal from each pad is connected to the pad 30 by bonding.

【0030】図5は、基板上のパターンからの輻射波
が、パターンに対して離間し、非接触状態に維持されて
いるセンサ要素に向けて放射される様子を説明する図で
ある。図5を参照して検査対象のパターン線に検査信号
(交流成分を含む)を印加すると、そのパターン線の端
部からの放射波が個々のセンサ要素21a,21bに届
く様子を説明する。
FIG. 5 is a diagram for explaining how the radiation wave from the pattern on the substrate is radiated toward the sensor element which is separated from the pattern and is kept in a non-contact state. With reference to FIG. 5, description will be given of how a radiation wave from the end of the pattern line reaches each of the sensor elements 21a and 21b when the inspection signal (including the AC component) is applied to the pattern line to be inspected.

【0031】図5に示す例では、パターン線はセンサ要
素21bまで延びていないので、センサ要素21bが受
信する放射波は、センサ要素21aが受信した信号に比
して弱く、その信号の振幅は低いものとなる。図5の例
からもわかるように、本実施の形態例のセンサプローブ
は、個々のセンサ要素が近接して配置されていることに
より、同時に複数のセンサ要素で検査対象のパターン線
からの信号を検出可能であり、かつ個々のセンサ素子と
パターン線の距離に応じて非接触状態の個々のセンサ要
素よりの受信信号の強度に変化がでるほどに、個々のセ
ンサ素子の大きさが微細なものとなっている。
In the example shown in FIG. 5, since the pattern line does not extend to the sensor element 21b, the radiation wave received by the sensor element 21b is weaker than the signal received by the sensor element 21a, and the amplitude of the signal is small. It will be low. As can be seen from the example of FIG. 5, in the sensor probe of the present embodiment, the individual sensor elements are arranged close to each other, so that a plurality of sensor elements simultaneously receive signals from the pattern line to be inspected. The size of each sensor element is so small that it can be detected, and the intensity of the received signal from each sensor element in the non-contact state changes depending on the distance between each sensor element and the pattern line. Has become.

【0032】この結果、複数のセンサ要素からの検出信
号レベルを比較することにより、検査信号が放射される
パターンを検知することも可能である。
As a result, it is also possible to detect the pattern in which the inspection signal is emitted by comparing the detection signal levels from the plurality of sensor elements.

【0033】図6は、本実施の形態例のセンサ要素の構
成を示す断面図である。以下、図6を参照して本実施の
形態例の1つのセンサ素子(センサ要素)の構成例を説
明する。
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of the sensor element of this embodiment. Hereinafter, a configuration example of one sensor element (sensor element) according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0034】本実施の形態例のセンサプローブにおいて
は、最下層の珪素(Si)ベース30上に、二酸化珪素
(SiO2)の絶縁層31が形成されている。更に、絶縁層
31の上には、導電金属材料、例えばアルミニウムから
なるブリッジ柱41が上方に向けて形成され、ブリッジ
柱41の頂上にセンサ電極板40が形成されている。ブ
リッジ柱41と電極板40が1つのセンサ要素を形成す
る。
In the sensor probe of the present embodiment, silicon dioxide is provided on the bottommost silicon (Si) base 30.
An insulating layer 31 of (SiO 2 ) is formed. Further, a bridge pillar 41 made of a conductive metal material such as aluminum is formed on the insulating layer 31 so as to face upward, and a sensor electrode plate 40 is formed on the top of the bridge pillar 41. The bridge post 41 and the electrode plate 40 form one sensor element.

【0035】ブリッジ柱41と電極板40とで形成する
センサ要素の例を図7を参照して説明する。図7は本実
施の形態例のセンサ要素のおける電極、ブリッジ線、リ
ード線の配置を説明する図である。
An example of the sensor element formed by the bridge column 41 and the electrode plate 40 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram for explaining the arrangement of electrodes, bridge wires, and lead wires in the sensor element of this embodiment.

【0036】ブリッジ柱41は、アルミニウムまたは銅
のリード線50b(図6の例ではアルミニウム膜から形
成されているリード線50)に接続されている。図7の
リード線50aは他のセンサ要素(不図示)からのリー
ド線である。なお、ブリッジ柱41は、センサ要素の電
極とリード線との間を橋渡しするもので、柱状形状を有
することにより、集積度の向上に役立たせることができ
る。
The bridge pillar 41 is connected to an aluminum or copper lead wire 50b (lead wire 50 formed of an aluminum film in the example of FIG. 6). The lead wire 50a in FIG. 7 is a lead wire from another sensor element (not shown). The bridge column 41 bridges between the electrode of the sensor element and the lead wire, and has a columnar shape, which can be useful for improving the degree of integration.

【0037】図6に示す様に、絶縁層31の上には配線
層が形成されている。この配線層は、図7に示すよう
に、センサが検出した信号をパッドにまで伝搬するリー
ド線(50,50a,50b)を含む層である。配線層
50の上には、シールド層33が形成されているが、シ
ールド層33と配線層50の間には、両者の絶縁目的の
ために、第1の絶縁層32が設けられている。この第1
の絶縁層32は、例えばSOG(spin of glass)で形成
されている。
As shown in FIG. 6, a wiring layer is formed on the insulating layer 31. As shown in FIG. 7, this wiring layer is a layer including lead wires (50, 50a, 50b) that propagate the signal detected by the sensor to the pad. Although the shield layer 33 is formed on the wiring layer 50, a first insulating layer 32 is provided between the shield layer 33 and the wiring layer 50 for the purpose of insulating the two. This first
The insulating layer 32 is made of, for example, SOG (spin of glass).

【0038】更に、絶縁層32の上の、ブリッジ柱41
及びその周囲部分を除く部分に例えばアルミニウム膜で
形成されるシールド層33が形成されている。
Further, on the insulating layer 32, the bridge pillar 41 is formed.
Also, a shield layer 33 formed of, for example, an aluminum film is formed on a portion excluding the peripheral portion.

【0039】シールド層33の上には、絶縁層34と3
5とが形成されている。絶縁層34と35は例えばSO
G(spin of glass)で形成されている。同じ材料で形成
された2つの絶縁層が存在するのは、後述する製造上の
理由による。
The insulating layers 34 and 3 are formed on the shield layer 33.
And 5 are formed. The insulating layers 34 and 35 are, for example, SO
It is formed of G (spin of glass). The existence of the two insulating layers formed of the same material is due to the manufacturing reason described later.

【0040】ブリッジ柱41の上には電極板40が設け
られている。電極板40は、検査対象の回路基板の配線
幅に対応した面積を有しており、上述したように本実施
の形態例では、一辺の長さ配線幅の1/3程度となるよ
うに形成されている。
An electrode plate 40 is provided on the bridge pillar 41. The electrode plate 40 has an area corresponding to the wiring width of the circuit board to be inspected, and as described above, in the present embodiment, it is formed so as to have a length of one side of about 1/3 of the wiring width. Has been done.

【0041】なお、電極板40の断面形状は、検査対象
の配線パターンの断面形状に合わせて曲率を有するよう
に設定させてもよい。シールド層33は、電極板40
が、他のセンサ要素が受信した信号を、その信号が通る
リード線(50xとする)から拾うのを防止する。即
ち、シールド層33により高いSN比を保証する。
The sectional shape of the electrode plate 40 may be set to have a curvature in accordance with the sectional shape of the wiring pattern to be inspected. The shield layer 33 is an electrode plate 40.
Prevents other sensor elements from picking up the signal received by the other sensor element from the lead (denoted as 50x) through which the signal passes. That is, the shield layer 33 ensures a high SN ratio.

【0042】尚、ブリッジ柱41は、シールド層33と
接触しないように、絶縁層34からのびたSOGにより
絶縁されている。上記のブリッジ柱41の形成は一例で
あって他の方法または工程によって得られてもよいこと
はいうまでもない。
The bridge column 41 is insulated by the SOG extending from the insulating layer 34 so as not to come into contact with the shield layer 33. Needless to say, the formation of the bridge pillar 41 is an example and may be obtained by other methods or steps.

【0043】図6及び図7により説明されたセンサプロ
ーブボードは、個々のセンサ要素が微細なので、半導体
プロセスを用いて製造される。以下、図8乃至図19を
参照して本実施の形態例センサプローブボード20(5
0)の製造プロセスの一例を説明する。図8乃至図19
は、図6に示す本実施の形態例のセンサ要素を半導体プ
ロセスを用いて形成する過程を説明するための図であ
る。なお、図8乃至図19は、説明の便宜上1つのセン
サ要素の製造過程を示しているが、当然のように、全て
のセンサ要素を半導体プロセスにより形成する過程が暗
に示されている。
The sensor probe board described with reference to FIGS. 6 and 7 is manufactured using a semiconductor process because the individual sensor elements are fine. Hereinafter, with reference to FIGS. 8 to 19, the sensor probe board 20 (5
An example of the manufacturing process (0) will be described. 8 to 19
FIG. 9 is a diagram for explaining a process of forming the sensor element of the present embodiment example shown in FIG. 6 using a semiconductor process. Although FIGS. 8 to 19 show a manufacturing process of one sensor element for convenience of description, as a matter of course, a process of forming all the sensor elements by a semiconductor process is implicitly shown.

【0044】まず図8の工程において、珪素ベース30
の表面を酸化することによって二酸化珪素の絶縁層31
を形成する。酸化は、例えばCVD装置(不図示)内
に、ベース30を置き、装置内に酸素ガスを送って行
う。
First, in the step of FIG.
Insulating layer 31 of silicon dioxide by oxidizing the surface of
To form. The oxidation is performed by placing the base 30 in, for example, a CVD device (not shown) and sending oxygen gas into the device.

【0045】二酸化珪素の絶縁層31が形成されたなら
ば、続いて図9に示すように、配線層50bを形成す
る。即ち、絶縁層31の上にフォトレジストを塗布し、
その塗布面上に、全センサ要素のリード線のパターンを
描き、リード線のパターン部分をマスクする(マスクパ
ターンを描く)。図9以下では一つのセンサ要素のみ表
しているが、隣接する多数のセンサ要素も同様の工程で
同様に各層が形成される。
After the insulating layer 31 of silicon dioxide is formed, the wiring layer 50b is subsequently formed as shown in FIG. That is, a photoresist is applied on the insulating layer 31,
A pattern of lead wires of all sensor elements is drawn on the coated surface, and a pattern portion of the lead wires is masked (draw a mask pattern). Although only one sensor element is shown in FIG. 9 and subsequent figures, each layer is similarly formed in a plurality of adjacent sensor elements in the same process.

【0046】その後に露光を行い、その後にマスキング
されていない部分のレジスト層を除去し、アルミ元素を
含む反応ガスを、ベース30を置いたCVD装置内(C
DVチャンバ)に送って、リード線50bのパターンを
絶縁層31の上に形成する。
After that, exposure is performed, then the resist layer in the unmasked portion is removed, and a reaction gas containing an aluminum element is placed in a CVD apparatus (C
DV chamber), and the pattern of the lead wire 50b is formed on the insulating layer 31.

【0047】次に、図10に示すように、絶縁層32
を、少なくとも配線層のリード線50bを隠す高さにな
るまで形成する。更に、図11に示すように絶縁層32
の上に、アルミ金属からなるシールド層33を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 10, the insulating layer 32
Are formed at least to a height at which the lead wire 50b of the wiring layer is hidden. Further, as shown in FIG.
A shield layer 33 made of aluminum metal is formed thereon.

【0048】次に、図12に示すように、シールド層3
3のブリッジ柱41形成部を除去することにより開口7
0を形成する。開口70の大きさは、図6において、ブ
リッジ柱41がシールド層33と接触しないように、ブ
リッジ柱41とシールド層33との間にSOGが入り込
む事ができる程度の大きさでよい。即ち、開口70はブ
リッジ柱41の断面積よりも大きい。
Next, as shown in FIG. 12, the shield layer 3
By removing the bridge pillar 41 forming part of 3
Form 0. The size of the opening 70 may be such that SOG can enter between the bridge pillar 41 and the shield layer 33 so that the bridge pillar 41 does not contact the shield layer 33 in FIG. 6. That is, the opening 70 is larger than the cross-sectional area of the bridge column 41.

【0049】開口70は後にそこにブリッジ柱41が形
成されるものであるから、その形成時点でブリッジ柱4
1がリード線50bと接続することができるように、開
口70(即ち、開口70を形成するマスクパターン)が
位置決め形成される。
Since the bridge column 41 is formed in the opening 70 later, the bridge column 4 is formed at the time of formation.
An opening 70 (that is, a mask pattern forming the opening 70) is positioned and formed so that the wire 1 can be connected to the lead wire 50b.

【0050】開口70の形成は、開口70が形成される
位置以外の表面部分に不活性膜を塗布し、シールド層3
3(例えば図6の例ではアルミニウム)を除去する反応
ガスをベース30を置いたCVD装置内(CDVチャン
バ)に導入する。この反応ガスはSOG層32と反応し
ないので、SOGより下の層は除去されない。
The openings 70 are formed by applying an inactive film to the surface portion other than the positions where the openings 70 are formed, and then forming the shield layer 3
A reaction gas for removing 3 (for example, aluminum in the example of FIG. 6) is introduced into the CVD apparatus (CDV chamber) in which the base 30 is placed. Since this reaction gas does not react with the SOG layer 32, the layers below the SOG are not removed.

【0051】次に、開口70が形成されたシールド層3
3の上に、図13に示すように、SOGからなる絶縁層
34を形成する。この際に、SOGは開口70の内部に
まで入り込んで絶縁膜を形成する。図14に示された工
程は、絶縁層34の上に不活性膜を塗布する工程と、そ
の膜に開口80を形成する工程と、図6に示すような、
ブリッジ柱41を形成する工程とを含む。
Next, the shield layer 3 in which the opening 70 is formed
As shown in FIG. 13, an insulating layer 34 made of SOG is formed on the No. 3 substrate. At this time, SOG penetrates into the inside of the opening 70 to form an insulating film. The steps shown in FIG. 14 are: a step of applying an inactive film on the insulating layer 34, a step of forming an opening 80 in the film, and a step shown in FIG.
Forming the bridge post 41.

【0052】開口80は、ブリッジ柱41(図6)を後
に形成するためのものである。前述のように、ブリッジ
柱41はシールド層33と接触してはならないから、開
口80の大きさは開口70の大きさよりも小さいが、ブ
リッジ柱41の位置を規定する開口80の位置は、開口
70と同心円(または同心矩形)位置であり、かつ、ブ
リッジ柱41がリード線50bと接することとなるよう
に、位置決めされるものの、その大きさは開口70より
も大きい。
The opening 80 is for later forming the bridge post 41 (FIG. 6). As described above, since the bridge pillar 41 should not contact the shield layer 33, the size of the opening 80 is smaller than the size of the opening 70, but the position of the opening 80 that defines the position of the bridge pillar 41 is Although it is positioned so as to be in a concentric circle (or concentric rectangle) position with 70 and the bridge column 41 is in contact with the lead wire 50b, its size is larger than the opening 70.

【0053】まず、絶縁層34の上に不活性膜を塗布す
る。露光により、開口80が形成される位置の不活性材
を除去する。次に、絶縁層34のSOGと開口部70に
入り込んだSOGと絶縁層32のSOGを除去するため
の活性ガスをベース30を置いたCVD装置内(CDV
チャンバ)に導入して、SOGを除去する。
First, an inactive film is applied on the insulating layer 34. The exposure removes the inert material at the position where the opening 80 is formed. Next, the SOG of the insulating layer 34, the SOG that has entered the opening 70, and the active gas for removing the SOG of the insulating layer 32 are placed in the CVD apparatus (CDV) in which the base 30 is placed.
Chamber) to remove SOG.

【0054】この絶縁層32のSOGの除去により形成
された孔81は、図15に示すように、絶縁層34から
配線層50にまで到達するはずである。次に、アルミニ
ウム元素を含む活性ガスをベース30を置いたCVD装
置内(CDVチャンバ)に導入して、孔81内をアルミ
ニウム金属で成膜する。この成膜により、配線層50の
アルミニウム導体に接続し、配線層50から絶縁層34
の頂上にまで到達するブリッジ柱41が完成する。
The holes 81 formed by removing the SOG of the insulating layer 32 should reach the wiring layer 50 from the insulating layer 34, as shown in FIG. Next, an active gas containing an aluminum element is introduced into the CVD apparatus (CDV chamber) on which the base 30 is placed, and the inside of the hole 81 is formed of aluminum metal. By this film formation, the wiring layer 50 is connected to the aluminum conductor, and the wiring layer 50 is connected to the insulating layer 34.
The bridge post 41 reaching the top of the bridge is completed.

【0055】不活性膜は不要なので、図16のように、
これを除去する。ブリッジ柱41の頂上は絶縁層34の
面と略一致する。
Since an inert film is unnecessary, as shown in FIG.
Remove this. The top of the bridge post 41 substantially coincides with the surface of the insulating layer 34.

【0056】続いて図17を参照して電極40を形成す
る過程を説明する。まず、絶縁層34の上に不活性膜を
塗布し、この不活性膜に、図17に示すように、83の
位置の膜材料を除去して開口83を設ける。
Next, the process of forming the electrode 40 will be described with reference to FIG. First, an inactive film is applied on the insulating layer 34, and the film material at the position of 83 is removed to form the opening 83 in the inactive film, as shown in FIG.

【0057】アルミニウム金属を含む反応ガスをベース
30を置いたCVD装置内(CDVチャンバ)に導入し
てアルミニウムにより開口83内に成膜を形成する。
A reaction gas containing aluminum metal is introduced into the CVD apparatus (CDV chamber) in which the base 30 is placed to form a film in the opening 83 with aluminum.

【0058】その後に、表面の不活性膜を除去する。す
ると、図18に示す様に、ブリッジ柱41の上に電極4
0が形成されたことになる。なお、開口83は、その形
状は問わないが、その位置はブリッジ柱41の位置(即
ち、開口70を形成するためのマスクパターンの位置)
に一致させる必要がある。
After that, the inactive film on the surface is removed. Then, as shown in FIG. 18, the electrode 4 is placed on the bridge pillar 41.
0 is formed. The opening 83 may have any shape, but its position is the position of the bridge column 41 (that is, the position of the mask pattern for forming the opening 70).
Must match.

【0059】最後に、絶縁層35を図19のように形成
する。この絶縁層35は電極40を絶縁すると共に、保
護する機能も有する。かくして、図6の断面構成のセン
サプローブボードが完成する。なお、センサ表面の平坦
性を確保するために研磨工程を加えてもよい。
Finally, the insulating layer 35 is formed as shown in FIG. The insulating layer 35 not only insulates the electrode 40 but also protects it. Thus, the sensor probe board having the cross sectional structure shown in FIG. 6 is completed. A polishing step may be added to ensure the flatness of the sensor surface.

【0060】本実施の形態例では、電極40の表面を絶
縁層35で保護しているため、センサプローブボードを
検査対象に接触させたとしても、電極40と検査対象と
が電気的に接続されることはなく、静電結合された状態
に維持される。
In the present embodiment, since the surface of the electrode 40 is protected by the insulating layer 35, the electrode 40 and the inspection object are electrically connected even if the sensor probe board is brought into contact with the inspection object. It does not happen, and is kept electrostatically coupled.

【0061】このため、極小配線パターンを検査する場
合の様に、配線パターンとセンサプローブボードの電極
40との間隔を極小としなければならないような場合
に、センサプローブの絶縁層35を検査対象にたとえ密
着させたとしても、良好な検査結果が得られる。
Therefore, when it is necessary to minimize the distance between the wiring pattern and the electrode 40 of the sensor probe board as in the case of inspecting an extremely small wiring pattern, the insulating layer 35 of the sensor probe is to be inspected. Even if they are closely attached, good inspection results can be obtained.

【0062】センサプローブの絶縁層35を検査対象に
接触させた状態では、電極40と検査対象との間隔がほ
ぼ一定に保たれるため、安定した検出結果が得られる。
When the insulating layer 35 of the sensor probe is in contact with the inspection object, the distance between the electrode 40 and the inspection object is kept substantially constant, so that a stable detection result can be obtained.

【0063】なお、本実施の形態例のセンサボードの製
造工程は、上述した図8乃至図19の工程順に限られる
ものではない。また、上述したセンサボードの製造工程
では、ブリッジ柱41を形成するのは、絶縁層34を形
成し終えた後であった。これは、ブリッジ柱41を、孔
81内でアルミを一度に縦方向に成膜させることによ
り、ブリッジ柱41が曲がって形成されるのを防止する
ためである。
The manufacturing process of the sensor board of the present embodiment is not limited to the above-mentioned process order of FIGS. 8 to 19. Further, in the above-described sensor board manufacturing process, the bridge pillar 41 is formed after the insulating layer 34 is formed. This is to prevent the bridge pillar 41 from being bent and formed by vertically forming the aluminum film in the hole 81 at one time in the vertical direction.

【0064】しかしながら、本発明のセンサは、ICや
LSI等のような集積度は不要であり、ブリッジ柱41
の若干の曲がりは問題とはならない。従って、層を形成
する毎にブリッジ柱41を形成するための孔を形成する
ようにプロセスを変形することも可能である。
However, the sensor of the present invention does not require the degree of integration such as IC and LSI, and the bridge pillar 41
The slight bending of the is not a problem. Therefore, it is possible to modify the process so as to form the holes for forming the bridge columns 41 each time the layers are formed.

【0065】〈本実施の形態例の検査方法〉次に、例え
ば以上の様にして製造した本実施形態のセンサプローブ
ボード20を用いて、ある配線パターン線60を検査す
る検査方法を説明する。本実施の形態例のセンサプロー
ブボード20に形成されているセンサ要素は多数である
ため、以下の説明では一部のセンサ要素の検出状態のみ
を具体的に例示して行う。
<Inspection Method of this Embodiment> Next, an inspection method of inspecting a certain wiring pattern line 60 using the sensor probe board 20 of this embodiment manufactured as described above will be described. Since many sensor elements are formed on the sensor probe board 20 of the present embodiment, only the detection states of some of the sensor elements will be specifically exemplified in the following description.

【0066】図20は、本実施形態のセンサプローブボ
ード20を用いる検査システムにおいて、ある配線パタ
ーン線60を検査するときの両者の位置関係の例を示す
図である。
FIG. 20 is a diagram showing an example of the positional relationship between the two when inspecting a certain wiring pattern line 60 in the inspection system using the sensor probe board 20 of this embodiment.

【0067】図20において、鎖線で四角形に表されて
いるのが個々のセンサ要素であり、図示のようにマトリ
クス状に配置されている。鎖線内に示す(1,1)、
(1,2)、・・・は各センサ要素の位置を便宜的に表
す座標値である。本実施の形態例のセンサ要素は、図2
0に示すように、検査対象パターン線60はセンサ要素
のたとえば約3つ分の線幅の大きさを有する(センサ要
素は一辺が検査対象パターンの約(1/3)の大きさを
有する)。
In FIG. 20, individual sensor elements are represented by a chain line in a quadrangle, and are arranged in a matrix as shown. (1,1) shown in chain line,
(1,2), ... Are coordinate values that conveniently represent the position of each sensor element. The sensor element of the present embodiment is shown in FIG.
As shown in 0, the pattern line 60 to be inspected has a line width of, for example, about three sensor elements (a side of the sensor element is approximately (1/3) of the pattern to be inspected). .

【0068】図20のセンサ要素の各々は、図5に示す
ように、パターン線までの距離に応じた検出信号を出力
することができる。
As shown in FIG. 5, each of the sensor elements shown in FIG. 20 can output a detection signal corresponding to the distance to the pattern line.

【0069】図21は、図20に示したパターン線60
とセンサ要素との位置関係において得られるであろう検
出信号の検出結果の分布を示す。図21中、センサ要素
の座標値の上に示した0〜100の数値は、受信信号の
相対強度を示し、印加した検査信号に対して最も強い受
信信号を100としたときの個々のセンサ要素において
検出された信号の相対値である。
FIG. 21 shows the pattern line 60 shown in FIG.
7 shows a distribution of detection results of detection signals that may be obtained in the positional relationship between the sensor element and the sensor element. In FIG. 21, the numerical values of 0 to 100 shown above the coordinate values of the sensor elements indicate the relative intensities of the received signals, and the individual sensor elements when the strongest received signal is 100 with respect to the applied inspection signal. Is the relative value of the signal detected at.

【0070】図21に示すように、概ね、パターン線6
0の導電金属部分の分布に沿った信号強度の分布を示
す。
As shown in FIG. 21, in general, the pattern line 6
The distribution of the signal intensity along the distribution of the conductive metal portion of 0 is shown.

【0071】例えば、この検出結果を利用して検出結果
を目視確認可能とする場合には、この各センサ要素によ
る検出信号レベルの差異を利用し、各センサ要素の出力
検出信号の相対強度を例えば輝度変調してCRT等の表
示装置に表示することにより、図22に示す表示状態と
なる。
For example, when the detection result can be visually confirmed by using the detection result, the relative strength of the output detection signal of each sensor element is determined by using the difference in the detection signal level between the sensor elements. When the brightness is modulated and displayed on a display device such as a CRT, the display state shown in FIG. 22 is obtained.

【0072】この結果、ユーザは、CRT表示装置に表
示された輝度分布を見るだけで、本実施形態のセンサプ
ローブボード20で検出した配線パターンを目視確認で
きる。
As a result, the user can visually confirm the wiring pattern detected by the sensor probe board 20 of the present embodiment only by looking at the brightness distribution displayed on the CRT display device.

【0073】図22は正常な配線パターンの検出結果で
あるが、図23に示す様な断線部分があるパターン線を
検査する場合を説明する。図23に示すような場合のパ
ターン線とセンサ要素との関係において得られるであろ
う信号強度分布は例えば図24に示すようになる。
Although FIG. 22 shows the detection result of a normal wiring pattern, the case of inspecting a pattern line having a broken portion as shown in FIG. 23 will be described. The signal intensity distribution that may be obtained in the relationship between the pattern line and the sensor element in the case shown in FIG. 23 is as shown in FIG. 24, for example.

【0074】図24は、図23のパターン線を検査した
ときの信号強度の相対値の分布を、図25はその信号の
輝度分布表示例を示す。ユーザは正常時の輝度分布と図
25に示すような輝度分布とを容易に比較してその差異
を認識でき、この輝度分布から断線位置或いは短絡位置
を知ることが可能である。
FIG. 24 shows a distribution of relative values of signal intensity when the pattern line of FIG. 23 is inspected, and FIG. 25 shows a luminance distribution display example of the signal. The user can easily compare the luminance distribution in the normal state and the luminance distribution as shown in FIG. 25 to recognize the difference, and can know the disconnection position or the short circuit position from the luminance distribution.

【0075】図24,図25に示す例は、断線部分を確
実に検出可能であるばかりでなく、後述するように、断
線先のパターンにも検査信号が供給された状態となって
いる場合にも、確実に断線状態を検出できることを説明
した例であり、例えば断線部分より先の配線パターンに
検査信号が供給されない場合には断線部分より先の配線
パターンから検査信号が検出されることはないため、よ
り容易に配線パターン不良を検出できることはもちろん
である。
In the examples shown in FIGS. 24 and 25, not only can the disconnection portion be reliably detected, but as will be described later, the inspection signal is also supplied to the pattern of the disconnection destination. Also, it is an example explaining that the disconnection state can be reliably detected. For example, when the inspection signal is not supplied to the wiring pattern prior to the disconnection portion, the inspection signal is not detected from the wiring pattern prior to the disconnection portion. Therefore, it goes without saying that the wiring pattern defect can be detected more easily.

【0076】従来の検査方法では、断線した部分から先
に検査信号が送られなかった場合のみ検出することが可
能であったが、本実施の形態例では、図24,図25に
示す様に、配線パターンの途中で断線していて、その前
後で例えば隣接する配線パターン同士がショートしてい
るような場合であっても、ショート箇所、断線箇所をそ
れぞれ確実に検出することが可能となる。
According to the conventional inspection method, it is possible to detect only when the inspection signal is not sent first from the broken portion, but in the present embodiment, as shown in FIGS. 24 and 25, Even if the wiring pattern is disconnected in the middle thereof and adjacent wiring patterns are short-circuited before and after the disconnection, the short-circuited portion and the disconnection portion can be reliably detected.

【0077】これらの検査結果の良否判断を自動的に行
う場合には、本実施の形態例の検出結果を例えばコンピ
ュータなどに送り、標準となる正常パターンと検出パタ
ーンとを比較すればよい。ユーザの決定を要求する場合
には、例えば不良箇所であると予想される部分のみ拡大
表示してユーザに判断させても良い。
In order to automatically judge the quality of these inspection results, the detection result of the present embodiment may be sent to, for example, a computer and the standard normal pattern and the detection pattern may be compared. When the user's decision is requested, for example, only the portion that is expected to be the defective portion may be enlarged and displayed so that the user can judge.

【0078】〈本実施の形態例の検査システムの構成〉
以下、図26を参照して本実施の形態例のセンサプロー
ブボード20を用いた検査システムを説明する。図26
は本実施の形態例にかかる検査システムの構成を示す図
である。
<Structure of the inspection system of the present embodiment>
The inspection system using the sensor probe board 20 of the present embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 26
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an inspection system according to an example of the present embodiment.

【0079】図26において、200は不図示の載置台
上に置かれた検査対象の回路基板を示す。回路基板20
0の上には、回路基板200の特に検査を行いたい微細
パターン領域の上にセンサプローブボード20が載置さ
れている。
In FIG. 26, reference numeral 200 indicates a circuit board to be inspected placed on a mounting table (not shown). Circuit board 20
0, the sensor probe board 20 is mounted on the fine pattern area of the circuit board 200 to be particularly inspected.

【0080】センサプローブボード20は、図4、図7
を参照して説明したように、各センサ要素のセンサ電極
40よりの検出出力を検査装置本体側に取り出すための
パッド30を有するが、図26では簡略化のために、パ
ッドを図示せずに、パッドからの各信号線はケーブル2
6にまとめられているものとして図示する。
The sensor probe board 20 is shown in FIGS.
As described above, the pad 30 is provided for taking out the detection output from the sensor electrode 40 of each sensor element to the inspection device main body side, but in FIG. 26, the pad is not shown for simplification. Each signal line from the pad is cable 2
It is shown in FIG.

【0081】回路基板200の線幅の広いパターン線部
分には、個々のパターン線毎にプローブが接触されてい
る。図26の例では、所定の発振器211からの検査信
号が、左側のプローブ群にはケーブル201を介して、
右側にプローブ群にはケーブル202を介して印加され
る。
Probes are in contact with the wide pattern line portions of the circuit board 200 for each pattern line. In the example of FIG. 26, the inspection signal from the predetermined oscillator 211 is transmitted to the left probe group via the cable 201,
It is applied to the probe group on the right side via a cable 202.

【0082】240はマトリクスボードであり、内部に
は少なくともコンタクトプローブの数だけのアナログス
イッチ若しくはリレイ241を内蔵する。例えば、個々
のスイッチ若しくはリレイの一方の端子はグランドに、
他方の端子は発振器211に接続可能に構成されてい
る。全てのスイッチ若しくはリレイはコントローラ22
0によって制御される。
Reference numeral 240 denotes a matrix board, which has therein at least as many analog switches or relays 241 as the number of contact probes. For example, one terminal of each switch or relay is to ground,
The other terminal is configured to be connectable to the oscillator 211. All switches or relays are controllers 22
Controlled by 0.

【0083】例えば、コントローラ220は、検査信号
を供給するパターンに接触しているコンタクトプローブ
に接続されている1つのスイッチ若しくはリレイ241
が発振器211側に接続される様に選択信号229を出
力する。そして、発振器211よりの信号を検査信号を
供給するべきパターンに出力する。
For example, the controller 220 may include a switch or relay 241 connected to a contact probe that is in contact with a pattern that supplies a test signal.
Outputs a selection signal 229 so that the signal is connected to the oscillator 211 side. Then, the signal from the oscillator 211 is output in a pattern for supplying the inspection signal.

【0084】このとき、他の全てのスイッチ若しくはリ
レイの端子を接地するように選択信号229を出力すれ
ば、1つのプローブ(1つのパターン線)のみに検査信
号が入力され、他のプローブ(他のパターン線)は接地
された状態とすることができる。
At this time, if the selection signal 229 is output so that the terminals of all other switches or relays are grounded, the inspection signal is input only to one probe (one pattern line) and the other probe (other Pattern line) can be grounded.

【0085】なお、他のコンタクトプローブに接続され
ているスイッチ若しくはリレイをいずれにも接続しない
フリーの状態に制御すれば、検査信号を供給するべきパ
ターンにのみ検査信号が供給され、他のパターンはオー
プン状態に制御できる。
If a switch or relay connected to another contact probe is controlled to a free state where it is not connected to any contact probe, the test signal is supplied only to the pattern to which the test signal should be supplied, and the other patterns are Can be controlled in the open state.

【0086】センサプローブボード20上の全てのセン
サ要素21,・・・の出力信号は信号ケーブル26を介
してまとめてコントローラ220に入力される。
Output signals of all the sensor elements 21, ... On the sensor probe board 20 are collectively input to the controller 220 via the signal cable 26.

【0087】コントローラ220の詳細構成を図27を
参照して以下に説明する。図27は、本実施の形態例の
コントローラの詳細構成を示す図である。
The detailed structure of the controller 220 will be described below with reference to FIG. FIG. 27 is a diagram showing a detailed configuration of the controller according to the present embodiment.

【0088】図27に示すように、コントローラ220
は内部にCPU221を内蔵する。CPU221は、ア
ナログマルチプレクサ222、A/Dコンバータ22
3、I/Oポート224を制御する。即ち、信号ケーブ
ル26内のセンサ要素からの信号は、CPU221の制
御に従って、順にアナログマルチプレクサ222により
選択され、A/Dコンバータ223によりA/D変換さ
れ、メモリ225に取り込まれる。
As shown in FIG. 27, the controller 220
Has a CPU 221 inside. The CPU 221 includes an analog multiplexer 222 and an A / D converter 22.
3. Control the I / O port 224. That is, the signals from the sensor elements in the signal cable 26 are sequentially selected by the analog multiplexer 222 under the control of the CPU 221, are A / D converted by the A / D converter 223, and are stored in the memory 225.

【0089】〈制御手順〉図28乃至図30を参照して
本実施の形態例の以上の構成を備える検査システムの検
査制御手順を説明する。図28は検査システム全体の制
御手順を示すフローチャートである。
<Control Procedure> An inspection control procedure of the inspection system having the above-described configuration of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 28 to 30. FIG. 28 is a flowchart showing the control procedure of the entire inspection system.

【0090】まずステップS12で、検査対象の回路基
板を位置決めする。この位置決め方法としては、例え
ば、回路基板に予め設けられた位置決め用マーカを画像
処理などにより検出して、そのマーカが所定の座標値に
一致するように同回路基板を位置決めする。
First, in step S12, the circuit board to be inspected is positioned. As the positioning method, for example, a positioning marker provided in advance on the circuit board is detected by image processing or the like, and the circuit board is positioned so that the marker matches a predetermined coordinate value.

【0091】この位置決め方法は以上の例に限定される
ものではなく、任意の方法で位置決めして良いことはも
ちろんである。例えば、予め位置決め固定された回路基
板保持部に検査対象の回路基板を搬送してきても良い。
This positioning method is not limited to the above example, and it goes without saying that positioning may be performed by any method. For example, the circuit board to be inspected may be transported to the circuit board holding portion that is positioned and fixed in advance.

【0092】そして、本実施の形態例のセンサプローブ
ボード20の各検査プローブを図26に示すように、所
定の検査するべき回路基板の配線パターンに接触させて
検査信号供給を可能とする。
Then, as shown in FIG. 26, each inspection probe of the sensor probe board 20 of the present embodiment is brought into contact with a wiring pattern of a predetermined circuit board to be inspected so that an inspection signal can be supplied.

【0093】それと共に、センサプローブのセンサ要素
を検査対象パターン上部に位置決めして載置する。この
場合においてもセンサ電極40と検査対象パターン間に
は絶縁層35が介在しているため、センサ電極40と検
査対象パターンを確実に電気的非接触状態に維持でき
る。
At the same time, the sensor element of the sensor probe is positioned and placed on the upper portion of the pattern to be inspected. In this case as well, since the insulating layer 35 is interposed between the sensor electrode 40 and the pattern to be inspected, the sensor electrode 40 and the pattern to be inspected can be reliably maintained in an electrically non-contact state.

【0094】続くステップS14では、検査信号を印加
すべきプローブの選択を行う。そして、ステップS16
で検査信号を印加すべきプローブを発振器211に接続
するようにマトリクスボード240のスイッチ(リレ
イ)を選択制御する。選択されたプローブの番号をiで
表す。
In the following step S14, the probe to which the inspection signal is applied is selected. Then, step S16
The switch (relay) of the matrix board 240 is selectively controlled so that the probe to which the inspection signal is applied is connected to the oscillator 211. The number of the selected probe is represented by i.

【0095】次に、ステップS18で、マトリクスボー
ド240のスイッチ(リレイ)を選択制御してステップ
S14で選択されたi以外のプローブをアース(接地)
する。なお、ステップS14で選択されたi以外のプロ
ーブをアースせずにオープン状態に制御しても良い。
Next, in step S18, the switches (relays) of the matrix board 240 are selectively controlled, and the probes other than i selected in step S14 are grounded (grounded).
To do. The probes other than i selected in step S14 may be controlled to the open state without being grounded.

【0096】これらのプローブの選択は、コントローラ
220が、スイッチ選択信号229を設定して、プロー
ブiに対応するスイッチ要素241が発振器211に接
続されるように、また、プローブi以外の全てのプロー
ブに対応するスイッチ素子241が接地端子を選択する
ようにする。
The selection of these probes is performed by the controller 220 by setting the switch selection signal 229 so that the switch element 241 corresponding to the probe i is connected to the oscillator 211. The switch element 241 corresponding to (1) selects the ground terminal.

【0097】かくして、回路基板のプローブiに接続さ
れた配線パターンには検査信号が印加され、プローブi
以外のプローブに接続された配線パターンは全て接地さ
れていることになる。
Thus, the inspection signal is applied to the wiring pattern connected to the probe i on the circuit board,
All wiring patterns connected to the probes other than are grounded.

【0098】続くステップS20〜ステップS26の処
理は、センサプローブボード20の全てのセンサ要素2
1・・・からの出力を順にA/D変換して取り込む処理
である。
The subsequent steps S20 to S26 are executed for all the sensor elements 2 on the sensor probe board 20.
This is a process of sequentially A / D converting the outputs from 1 ...

【0099】即ち、ステップS20で、センサ要素カウ
ンタjを初期化し(j=1)、ステップS22で、セン
サ要素jの出力をマルチプレクサ222で選択させる。
このセンサ要素jの出力はA/D変換器223に送られ
る。
That is, in step S20, the sensor element counter j is initialized (j = 1), and in step S22, the output of the sensor element j is selected by the multiplexer 222.
The output of this sensor element j is sent to the A / D converter 223.

【0100】A/D変換器223では続くステップS2
3において、送られてきたセンサ要素jのアナログ出力
信号をA/D変換して対応するデジタル信号に変換して
メモリ225に送り、メモリ225の所定領域に書き込
まれる。
In the A / D converter 223, the following step S2
In 3, the sent analog output signal of the sensor element j is A / D converted to a corresponding digital signal, sent to the memory 225, and written in a predetermined area of the memory 225.

【0101】次に、ステップS24で、カウンタjを1
つインクリメントして、次のセンサ要素(j+1)を指
定するように制御する。そしてステップS26で(j)
の値が最大値(センサプローブボード20に形成されて
いるセンサ要素の数)以上となったか否かを調べる。
Next, in step S24, the counter j is set to 1
Increment by one to control the next sensor element (j + 1). Then, in step S26 (j)
It is checked whether or not the value of is greater than or equal to the maximum value (the number of sensor elements formed on the sensor probe board 20).

【0102】(j)の値が最大値以上でない場合には、
まだセンサプローブボード20の全てのセンサ要素につ
いての信号値がメモリ225に取り込まれていないため
ステップS22に戻り、次のセンサ要素の検出信号値を
メモリ225に取り込み処理を行い、ステップS22〜
ステップS24の処理操作を全てのセンサ要素について
繰り返す。
If the value of (j) is not greater than or equal to the maximum value,
Since the signal values for all the sensor elements of the sensor probe board 20 have not yet been fetched in the memory 225, the process returns to step S22, the detection signal values of the next sensor element are fetched in the memory 225, and the processing is performed.
The processing operation of step S24 is repeated for all the sensor elements.

【0103】一方、ステップS26で、(j)の値が最
大値より大きくとなった場合には、センサプローブボー
ド20の全てのセンサ要素についての信号値がメモリ2
25に取り込まれたことを意味する。このためステップ
S26よりステップS28に進み、メモリ225に取り
込んだセンサ要素よりの検出信号出力を読み出して、所
定の画像処理を施す。画像処理は、例えば、図27のC
PU221の制御下で行う。
On the other hand, when the value of (j) is larger than the maximum value in step S26, the signal values of all the sensor elements of the sensor probe board 20 are stored in the memory 2.
25 means that it has been incorporated. Therefore, the process proceeds from step S26 to step S28, and the detection signal output from the sensor element loaded in the memory 225 is read out and a predetermined image processing is performed. The image processing is performed by, for example, C in FIG.
It is performed under the control of the PU 221.

【0104】続くステップS30では、画像処理結果に
従って輝度変調する。そして次のステップS32で輝度
変調結果をCRT230の表示画面に表示するべく、C
RTコントローラ226を制御する。
In the following step S30, the brightness is modulated according to the image processing result. Then, in the next step S32, C is displayed in order to display the brightness modulation result on the display screen of the CRT 230.
The RT controller 226 is controlled.

【0105】このCRT230への表示により、CRT
230の表示画面上には、例えば、図22或いは図25
のような表示が現れるであろう。従って、ユーザは、こ
の表示をモニタして当該検査対象のプローブi(に接続
された配線パターン)についての判定を行うことが可能
となる。
The display on the CRT 230 causes the CRT to be displayed.
22 or 25 is displayed on the display screen 230.
You will see a display like. Therefore, the user can monitor this display and determine the probe i (the wiring pattern connected to the probe i) to be inspected.

【0106】実際の表示は、あるレベル以上の検出結果
が得られたセンサ要素及びその周辺のセンサ要素からの
検出結果のみ表示し、まったく検出信号が得られなかっ
た部分の表示を省略することで、より簡単に検査パター
ンの良否を確認できる。
The actual display is performed by displaying only the detection results from the sensor element that has obtained the detection result of a certain level or higher and the sensor elements in the vicinity thereof, and omitting the display of the part where no detection signal is obtained. The quality of the inspection pattern can be checked more easily.

【0107】あるいは、検出部分を拡大表示して画面上
で自動スクロール表示し、コントローラ220が実行す
る画像処理などでパターン不良のおそれがあると判断し
た検出部分を停止表示するように制御してもよい。
Alternatively, the detected portion may be enlarged and automatically scroll-displayed on the screen, and the detected portion determined to have a pattern defect by the image processing executed by the controller 220 may be stopped and displayed. Good.

【0108】ステップS32でCRT230に当該プロ
ーブから検査信号を供給された配線パターンに対する表
示を行った後ステップS34の処理に移行し、予定した
全てのプローブの選択が終了したか否かを判断する。全
てのプローブへの検査信号供給がされていない場合には
ステップS36に進み、先に検査信号を供給した配線パ
ターンより輻射(放射)された電界強度分布の検査結果
が格納されているフレームメモリ225をクリアする。
そしてステップS14に戻り、次のプローブi(i+
1)を選択する。そして、ステップS16以下の処理を
繰り返す。
After the wiring pattern supplied with the inspection signal from the probe is displayed on the CRT 230 in step S32, the process proceeds to step S34, and it is determined whether or not all the planned probes have been selected. If the inspection signals have not been supplied to all the probes, the process proceeds to step S36, and the frame memory 225 in which the inspection results of the electric field intensity distribution radiated from the wiring pattern to which the inspection signals have been previously supplied are stored. To clear.
Then, returning to step S14, the next probe i (i +
Select 1). Then, the processing from step S16 onward is repeated.

【0109】以上のステップS34の制御を自動的に行
うのではなく、ユーザの選択で行わせる場合には、ユー
ザよりの指示を待ってステップS36の処理に移行する
ことになる。この場合には、CRT230上に次のプロ
ーブの検査に移行することを指示するアイコン(不図示
ではあるが、例えば「NEXT」ボタン)を表示し、例えば
ユーザが他の配線パターンを検査したいと欲した時に
は、CRT230上に表示されたアイコン(不図示では
あるが、例えば「NEXT」ボタン)を選択すれば、制御手
順はステップS34からステップS36に進み、その後
ステップS14の処理に戻り、次のプローブi(i+
1)を選択し、ステップS16以下の処理を繰り返すこ
とになる。
When the control in step S34 described above is not performed automatically but is performed by the user's selection, the process proceeds to step S36 after waiting for an instruction from the user. In this case, an icon (not shown, for example, a "NEXT" button) that instructs to move to the inspection of the next probe is displayed on the CRT 230, and the user desires to inspect another wiring pattern, for example. At this time, if the icon (not shown, for example, "NEXT" button) displayed on the CRT 230 is selected, the control procedure proceeds from step S34 to step S36, and then returns to the processing of step S14 to proceed to the next probe. i (i +
1) is selected, and the processing from step S16 is repeated.

【0110】これは、例えば一箇所重大な不良箇所が発
見された場合には、当該検査対象は不良品であることが
明らかであるため、その後検査を続行する必要がないか
らである。自動的にステップS34からステップS36
への移行制御を行う場合においても、検査対象の不良と
予想される検査結果が得られた場合には、CRT230
の画面表示を停止し、ユーザの指示を待つように制御し
てもよい。
This is because, for example, when one serious defective portion is found, it is clear that the inspection target is a defective product, and therefore it is not necessary to continue the inspection thereafter. Automatically from step S34 to step S36
Even when performing the transition control to the CRT 230, if the inspection result that is expected to be the defect of the inspection target is obtained,
It may be controlled to stop the screen display and wait for the user's instruction.

【0111】なお、CRT230への検出結果パターン
の表示を行う際には、選択されたプローブと、検査され
ている配線パターンそれぞれの番号を、例えば図22の
ように表示することが好ましい。
When the detection result pattern is displayed on the CRT 230, it is preferable to display the numbers of the selected probe and the inspected wiring pattern as shown in FIG. 22, for example.

【0112】配線パターンの番号は、当該検査対象の回
路基板の設計データ(CADデータ)から容易に知るこ
とができ、そのデータに基づいて、パターン番号とプロ
ーブ番号とを対応付けることができる。
The wiring pattern number can be easily known from the design data (CAD data) of the circuit board to be inspected, and the pattern number and the probe number can be associated with each other based on the data.

【0113】この表示により、ユーザは、現在検査して
いる配線パターンの番号とその配線パターンの良否を、
接続先のプローブ番号で確認しながら、判定することが
可能となる。
By this display, the user can confirm the number of the wiring pattern currently inspected and the quality of the wiring pattern.
It is possible to make a determination while checking the probe number of the connection destination.

【0114】〈一括表示制御〉以上の説明は、プローブ
毎(個々のパターン線毎)にセンサ要素から得られた検
査結果を順次CRTに表示する例についての説明であっ
た。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではな
く、検査対象の全ての検査結果(検査対象の全てのパタ
ーン線)を一括表示可能に制御してもよい。
<Batch Display Control> The above description is an example of sequentially displaying the inspection results obtained from the sensor elements for each probe (each pattern line) on the CRT. However, the present invention is not limited to the above example, and all the inspection results of the inspection target (all pattern lines of the inspection target) may be controlled to be collectively displayable.

【0115】検査対象の全ての検査結果(検査対象の全
てのパターン線)を一括表示可能に制御するほかの検査
システム制御を以下図29を参照して説明する。図29
の制御手順は、検査対象の全ての検査結果(検査対象の
全てのパターン線)を一括表示可能に制御する例を説明
するフローチャートであり、図28の制御手順を一部変
形し、その変形部分に関わる部分のみ示している。図2
9に示す制御の特徴は、全てのパターン線についての画
像を一括して表示する点にある。
Another inspection system control for controlling all the inspection results of the inspection object (all pattern lines of the inspection object) to be collectively displayed will be described below with reference to FIG. FIG. 29
Is a flowchart for explaining an example in which all the inspection results of the inspection target (all pattern lines of the inspection target) are collectively displayed, and the control procedure of FIG. Only the part related to is shown. Figure 2
The feature of the control shown in 9 is that the images of all the pattern lines are displayed collectively.

【0116】図29のフローチャートは図28のフロー
チャートのステップS28〜ステップS34の制御に代
わる制御部分のみを表している。図28に示す制御手順
のステップS26で、1つのパターン線(プローブi)
について全てのセンサ要素からの信号をメモリ225に
記憶したならば、図29のステップS40に進み、ユー
ザが一括表示を望んでいるか、それとも個々のパターン
線毎に表示を行うことを望んでいるかを確認する。
The flowchart of FIG. 29 shows only the control portion which replaces the control of steps S28 to S34 of the flowchart of FIG. In step S26 of the control procedure shown in FIG. 28, one pattern line (probe i)
If the signals from all the sensor elements are stored in the memory 225, the process proceeds to step S40 in FIG. 29, and it is determined whether the user wants the collective display or the individual pattern lines. Check.

【0117】一括表示を望むか、パターン線毎に表示を
望むかは、CRT230に表示されたアイコンボタン
(図面には不図示)を用いてユーザが予め指示してお
く。あるいは、ステップS26の処理が終了して最初に
ステップS40の処理に移行してきた時に指示し、後は
このときの指示に従って自動的に指示結果に対応する処
理に移行するように制御すればよい。
The user indicates in advance whether the batch display or the display for each pattern line is desired by using an icon button (not shown in the drawing) displayed on the CRT 230. Alternatively, an instruction may be given when the process of step S26 is completed and the process first proceeds to step S40, and thereafter, control may be performed such that the process corresponding to the instruction result is automatically performed in accordance with the instruction at this time.

【0118】ステップS40の処理で、ユーザの指示が
パターン線毎の個別の表示を望むものである場合にはス
テップS50に進み、レジスタ〔Pi〕に今まで選択さ
れていたプローブ番号jを格納し、メモリ中のプローブ
番号jに対応する検査結果格納領域より検査結果を読み
出すように制御する。
In the processing of step S40, when the user's instruction is to display individual pattern lines, the process proceeds to step S50, the probe number j selected so far is stored in the register [Pi], and the memory is stored in the memory. The inspection result is controlled to be read from the inspection result storage area corresponding to the probe number j therein.

【0119】続いてステップS52で、メモリ225中
の当該プローブ番号jのプローブから検査信号を供給さ
れていたパターン線iについて得られたセンサ要素から
の検査結果を読み出し、ステップS28と同様に画像処
理し、その後、処理画像を輝度変調する。
Subsequently, in step S52, the inspection result from the sensor element obtained for the pattern line i to which the inspection signal is supplied from the probe of the probe number j in the memory 225 is read out, and the image processing is performed similarly to step S28. Then, the processed image is brightness-modulated.

【0120】そして、ステップS54で、輝度変調され
た検査結果をCRT230上に表示する。そして次のス
テップS56では、図28のステップS34と同様に、
ユーザが次のパターン線の表示を望んでいて、且つ、全
てのパターンの表示検査を終了していないことを確認し
た上でステップS58に進み、メモリ225のプローブ
番号jのプローブから検査信号を供給されていたパター
ン線iについて得られたセンサ要素からの検査結果の記
憶内容をクリア(重ね表示の防止のため)して、ステッ
プS14に戻る。
Then, in step S54, the luminance-modulated inspection result is displayed on the CRT 230. Then, in the next step S56, as in step S34 of FIG.
After confirming that the user wants to display the next pattern line and that the display inspection of all patterns has not been completed, the process proceeds to step S58, and the inspection signal is supplied from the probe of the probe number j of the memory 225. The stored content of the inspection result from the sensor element obtained for the pattern line i that has been displayed is cleared (to prevent overlapping display), and the process returns to step S14.

【0121】一方、ステップS40で、ユーザが一括表
示を望んでいる場合にはステップS42に進み、今回パ
ターン線iについて得られたセンサ要素からの画像Pi
(j)に、前回パターン線i−1について得られたセン
サ要素からの画像Pi-1(j)を論理和演算を施す。
On the other hand, in step S40, when the user desires collective display, the process proceeds to step S42, and the image Pi from the sensor element obtained for the pattern line i this time is obtained.
In (j), the image Pi-1 (j) from the sensor element obtained for the previous pattern line i-1 is subjected to the logical sum operation.

【0122】このように制御することにより、iが1か
らiまでの全てのパターン線の画像がメモリ225に蓄
えられる。そしてステップS44に進む。
By controlling in this manner, the images of all the pattern lines from i to 1 are stored in the memory 225. Then, the process proceeds to step S44.

【0123】ステップS44では、全てのパターン線に
ついての画像がメモリ225に蓄えられた否かを確認す
る。全てのパターン線についての画像がメモリ225に
蓄えられていない場合にはステップS14に戻り次のプ
ローブに対する処理に移行する。
In step S44, it is confirmed whether or not the images of all the pattern lines have been stored in the memory 225. If the images of all the pattern lines are not stored in the memory 225, the process returns to step S14 and the process for the next probe is performed.

【0124】このようにして順次検査予定プローブに対
する検査信号の供給、検査対象パターンよりの検査信号
のメモリへの格納が行われ、ステップS44で、全ての
パターン線についての画像がメモリ225に蓄えられて
いる状態になった場合にはステップS46に進み、メモ
リ225中の全てのパターン線について得られたセンサ
要素からの検査結果を読み出し、ステップS28と同様
に画像処理し、その後、処理画像を輝度変調する。
In this way, the inspection signals are sequentially supplied to the probes to be inspected and the inspection signals from the inspection target pattern are stored in the memory, and in step S44, the images of all the pattern lines are stored in the memory 225. If it is in the state of being, the process proceeds to step S46, the inspection results from the sensor elements obtained for all the pattern lines in the memory 225 are read out, image processing is performed in the same manner as in step S28, and then the processed image is subjected to luminance Modulate.

【0125】そして、ステップS48で輝度変調された
検査結果をCRT230の表示画面に一括表示する。こ
れにより検査対象すべてのパターン線についての検査結
果を同時に目視確認できる。
Then, in step S48, the luminance-modulated inspection results are collectively displayed on the display screen of the CRT 230. As a result, the inspection results for all the pattern lines to be inspected can be visually checked at the same time.

【0126】なお、検査システムの設定によって、上記
した個別パターン表示を行うか、一括表示を行うかを予
め固定的に決めておき、特別の指示がない限り標準設定
に従った表示を行うように制御してもよい。例えば、標
準設定では一括表示を行うように設定することなどが考
えられる。
Depending on the setting of the inspection system, it is fixed in advance whether the above-mentioned individual pattern display or collective display is performed, and the display according to the standard setting is made unless otherwise specified. You may control. For example, it is conceivable that the standard setting is such that collective display is performed.

【0127】〈正規化処理の詳細〉以上の説明における
ステップS28、ステップS52,46における所定の
画像処理は、対象の回路基板に応じて変更できることが
好ましい。即ち、以上の説明におけるステップS28、
ステップS52,46における所定の画像処理において
は、検査結果に対して輝度変調するために、検査結果を
輝度変換できる情報となるように処理、例えば検査結果
を明度で表せるように処理した。しかし、本発明は以上
の輝度変調した結果をCRTの表示画面に表示する場合
に限定されるものではなく、センサ要素の出力値毎に所
定の色を割り付け、その色で判別できるように表示させ
てもよい。
<Details of Normalization Processing> It is preferable that the predetermined image processing in steps S28 and S52, 46 in the above description can be changed according to the target circuit board. That is, step S28 in the above description,
In the predetermined image processing in steps S52 and S46, in order to perform the brightness modulation on the inspection result, the processing is performed so that the inspection result becomes the information capable of performing the brightness conversion, for example, the inspection result is expressed by the brightness. However, the present invention is not limited to the case where the result of the above brightness modulation is displayed on the display screen of the CRT, and a predetermined color is assigned to each output value of the sensor element and the display is made so that the color can be used for discrimination. May be.

【0128】このように、センサ要素の出力値毎に所定
の色を割り付け、色で判別できるように表示させる本実
施の形態例の所定の画像処理の変形例を、図30を参照
して以下に説明する。図30は、本実施の形態例の所定
の画像処理の変形例を説明するフローチャートである。
As described above, a modified example of the predetermined image processing of the present embodiment in which a predetermined color is assigned to each output value of the sensor element and is displayed so as to be discriminable by color will be described below with reference to FIG. Explained. FIG. 30 is a flowchart illustrating a modified example of the predetermined image processing according to this embodiment.

【0129】図30のステップS50では、センサ要素
からの出力信号を百分率で表すための基準値を選択する
よう、ユーザに促す。
In step S50 of FIG. 30, the user is urged to select the reference value for expressing the output signal from the sensor element in percentage.

【0130】図21などに関連して説明したように、セ
ンサ要素からの出力信号は、センサプローブボードと回
路基板の距離等によって変動するが、その変動は回路基
板によって固定的である。上記基準値は、センサ要素か
らの出力信号を、CRT230のダイナミックレンジに
合わせるための正規化に用いられる。
As described with reference to FIG. 21 and the like, the output signal from the sensor element varies depending on the distance between the sensor probe board and the circuit board and the like, but the variation is fixed depending on the circuit board. The reference value is used for normalizing the output signal from the sensor element to match the dynamic range of the CRT 230.

【0131】具体的には、例えば、コントローラ220
で回路基板の種別に対応付けた複数の基準値を用意し、
この中のいずれかの基準値を選択するかを指示させるよ
うに制御することなどが考えられる。
Specifically, for example, the controller 220
Prepare multiple reference values corresponding to the type of circuit board with
It is conceivable to control so as to instruct which one of the reference values is selected.

【0132】続くステップS52で、各センサ要素から
の出力信号を、選択された基準値により正規化する。な
お、ステップS50における正規化の基準値の選択は、
ユーザが選択しなくとも、検査対象の回路基板がわかれ
ばシステムが自動的に割り付けることも可能である。こ
れによりユーザの操作性が向上する。
In the following step S52, the output signal from each sensor element is normalized by the selected reference value. Note that the selection of the normalization reference value in step S50 is
Even if the user does not select it, the system can automatically allocate it if the circuit board to be inspected is known. This improves the operability for the user.

【0133】検査システムが自動的に基準値を割り付け
るようにした上で、更に、ユーザが、基準値を所定の範
囲(例えば、ア10%の範囲)で変更できるようにする
と、隠れていた故障個所が表示される場合も出てくる。
When the inspection system automatically assigns the reference value and further the user can change the reference value within a predetermined range (for example, a range of 10%), a hidden fault is hidden. It may also appear when the location is displayed.

【0134】ステップS52で正規化された信号値は、
ステップS54で所定の多値化方法で多値化される。ス
テップS56では、多値化された出力信号値に、その値
毎に色を割り付ける。
The signal value normalized in step S52 is
In step S54, the signal is multivalued by a predetermined multivalued method. In step S56, a color is assigned to the multi-valued output signal value for each value.

【0135】例えば、検出信号の値が〔100〕であれ
ば正常なパターンが存在するから「黒色」を割当て、検
出信号の値が〔50〕の場合にはパターン断線の可能性
もあることから「赤色」を割当て、検出信号の値が〔0
0〕である場合は検査信号が検出されておらず、検査信
号が供給されているパターンが存在しないから「白色」
を割当てればよい。このような色別の表示により不良個
所の識別性が向上する。
For example, if the value of the detection signal is [100], a normal pattern exists, so "black" is assigned, and if the value of the detection signal is [50], there is a possibility of pattern disconnection. "Red" is assigned and the value of the detection signal is [0
0], the inspection signal is not detected, and there is no pattern to which the inspection signal is supplied.
Should be assigned. By such color-based display, the distinguishability of defective parts is improved.

【0136】なお、さらに検出信号の値ごとに細分化
し、多くの色を割当てるようにしてもよい。例えば図2
2、図25の輝度変調の場合に準拠してそれぞれ異なる
10色を割当ててもよい。
Further, it is also possible to subdivide each value of the detection signal and allocate many colors. Figure 2
2, 10 different colors may be assigned according to the case of the luminance modulation shown in FIG.

【0137】〈パターン認識処理〉図31は、不良個所
の識別の更なる向上を目指した制御手順に関わるフロー
チャートであり、図28のフローチャートのステップS
28〜ステップS32に代えて不良個所の識別の更なる
向上を目指している。このように不良個所の識別の更な
る向上を目指した制御の詳細を図31を参照して以下に
説明する。
<Pattern Recognition Processing> FIG. 31 is a flow chart relating to the control procedure aiming at further improvement of the identification of the defective portion, and step S of the flow chart of FIG. 28.
It aims at the further improvement of the identification of the defective part instead of 28 to step S32. The details of the control aiming at the further improvement of the identification of the defective portion will be described below with reference to FIG.

【0138】図28のステップS26の処理が終了する
と図31のステップS60の処理に移行し、ステップS
62で行われる二値化処理に用いられる閾値をユーザに
選択させる。
When the process of step S26 of FIG. 28 is completed, the process proceeds to step S60 of FIG.
A user is made to select the threshold value used for the binarization process performed in 62.

【0139】続くステップS62では、この閾値を用い
てセンサ要素の出力信号を二値化する。尚、この二値化
は、ステップS23で得られたデジタル信号をそのまま
二値化してメモリに記憶するようにしてもよい。
In the following step S62, the output signal of the sensor element is binarized using this threshold value. In this binarization, the digital signal obtained in step S23 may be binarized as it is and stored in the memory.

【0140】なお、ステップS26における二値化処理
に用いられる閾値の選択は、ユーザが選択しなくとも、
検査対象の回路基板がわかればシステムが自動的に割り
付けることも可能である。これによりユーザの操作性が
向上する。
Note that the threshold value used for the binarization processing in step S26 can be selected even if the user does not select it.
If the circuit board to be inspected is known, the system can automatically allocate it. This improves the operability for the user.

【0141】検査システムが自動的に閾値を割り付ける
ようにした上で、更に、ユーザが、閾値を所定の範囲
(例えば、ア10%の範囲)で変更できるようにする
と、隠れていた故障個所が表示される場合も出てくる。
If the inspection system automatically assigns a threshold value and then the user can change the threshold value within a predetermined range (for example, a range of 10%), the hidden failure point is detected. If it is displayed, it will appear.

【0142】次のステップS64では、二値化信号をラ
ベリングして、連続領域を検出する。ステップS66で
は、連続領域毎に特徴量を抽出する。正常な配線パター
ンの場合には、連続領域は一本のパターン線に対応する
はずである。そこで、本実施形態の特徴量としては、そ
の連続領域の長さ、その連続領域の長手方向に対する直
交方向の長さ(即ち、パターンの線幅=既知)、その連
続領域の重心位置、その連続領域に存在する変曲点の位
置、その連続領域の骨格線の形状等がある。
In the next step S64, the binarized signal is labeled to detect a continuous area. In step S66, the feature amount is extracted for each continuous region. In the case of a normal wiring pattern, the continuous area should correspond to one pattern line. Therefore, the features of the present embodiment include the length of the continuous region, the length of the continuous region in the direction orthogonal to the longitudinal direction (that is, the line width of the pattern = known), the barycentric position of the continuous region, and the continuous position. The position of the inflection point existing in the area, the shape of the skeleton line of the continuous area, and the like.

【0143】もし、一本のパターン線について複数の連
続領域が得られたならば、それは、断線があったためで
あろうと考えられる。このため、ステップS68では、
配線パターンiの基準特徴量(前もって求められ所定の
メモリに記憶されている正常な配線パターンiの基準特
徴量)を読み出す。
If a plurality of continuous areas are obtained for one pattern line, it is considered that there is a disconnection. Therefore, in step S68,
A reference feature amount of the wiring pattern i (a reference feature amount of a normal wiring pattern i which is obtained in advance and stored in a predetermined memory) is read.

【0144】そして、ステップS70で、パターン線i
について実際に得られた特徴量と、ステップS68で読
み出した基準特徴量と比較してマッチングを行う。
Then, in step S70, the pattern line i
The matching is performed by comparing the actually obtained feature amount with the reference feature amount read in step S68.

【0145】ステップS72ではステップS70でのマ
ッチング結果に基づいて不良個所を検出する。不良個所
の検出にあたっては、例えば、検出したパターン線に対
応した画像中の連続領域の長さが短くなっている場合
に、不良(断線)があると判断する。
In step S72, a defective portion is detected based on the matching result in step S70. In detecting a defective portion, for example, when the length of the continuous region in the image corresponding to the detected pattern line is short, it is determined that there is a defect (disconnection).

【0146】一方、長さは変わらないが、重心位置がず
れている場合には、パターンの一部に欠落があると判断
する。また、連続領域の全長がゼロとなっている場合、
或いは、長くなっており、変曲点が増えている場合に
は、短絡があると判断する。
On the other hand, when the length does not change but the position of the center of gravity is deviated, it is determined that a part of the pattern is missing. If the total length of the continuous area is zero,
Alternatively, if it is longer and the number of inflection points is increased, it is determined that there is a short circuit.

【0147】異なるパターン線間で短絡がある場合にお
いて、上述したように他のパターン線に接触している全
てのプローブが接地されている場合には、検査対象のパ
ターン線もアースされてしまい、全ての領域で連続量が
検出されなくなる。従ってこの場合には何も検出されな
いことで短絡を検知可能である。
In the case where there is a short circuit between different pattern lines, if all the probes in contact with other pattern lines are grounded as described above, the pattern line to be inspected will also be grounded, No continuous quantity is detected in all areas. Therefore, in this case, a short circuit can be detected by not detecting anything.

【0148】ステップS74では、得られたパターン線
の画像と、そのパターン線の基準特徴量とを重ねて(或
いは並列的に)表示する。重ねて表示する場合には、得
られたパターン線の画像と基準特徴量の画像の色を異な
らせ、ブレンド表示となるようにする。
In step S74, the obtained image of the pattern line and the reference feature amount of the pattern line are displayed in an overlapping manner (or in parallel). In the case of overlapping display, the colors of the image of the obtained pattern line and the image of the reference feature amount are made different from each other so that blend display is performed.

【0149】なお、この表示には、ステップS72で得
られた不良個所を合わせて表示してもよい。
The defective portion obtained in step S72 may be displayed together with this display.

【0150】以上説明した図31の制御手順によれば、
検査システムがパターンマッチングの手法を用いて不良
個所を認識し、ユーザに表示することができる。
According to the control procedure of FIG. 31 explained above,
The inspection system can recognize the defective portion by using the pattern matching method and display it to the user.

【0151】尚、上記実施形態では、検査信号を入力す
るための電極(ターミナル)は、センサプローブボード
と干渉せず、且つ、プローブを接触させることができる
程度の幅などを有すれば、基板上の任意の位置でよい。
しかし実際には、当該回路基板200のターミナル端子
を用いることが好ましい。
In the above embodiment, if the electrodes (terminals) for inputting the inspection signal have such a width that they do not interfere with the sensor probe board and can contact the probe, the substrate It can be any position above.
However, in practice, it is preferable to use the terminal terminal of the circuit board 200.

【0152】以上説明した実施の形態例によれば、以下
の作用効果を奏することができる。 (1) 半導体プロセスを用いてセンサボードの製造を
行うことにより、個々のセンサ要素の大きさを微細化す
ることができ、さらに微細な配線パターンを有する回路
基板を検査することができる。 (2)上記実施の形態例では、電極層とリード線層との
間にシールド層を設けているのでノイズが減り、受信感
度が向上するため、センサボードのセンサ要素の電極4
0の面積が小さく、受信信号強度がきわめて小さい場合
などにおいても、通常のICメモリ回路などでは予想で
きない他のセル(センサ要素)からのクロストークの問
題を防止できる。 (3)以上のセンサボードを用いることにより、検査対
象のワーク基板上のパターンと非接触でパターンよりの
信号を検出できるため、センサボードの精密精度での位
置決めすることなく確実に対象パターンよりの信号を検
出することができ、微細なレベルまで不良検査を行うこ
とができる。
According to the embodiment described above, the following operational effects can be obtained. (1) By manufacturing a sensor board using a semiconductor process, the size of each sensor element can be miniaturized, and a circuit board having a fine wiring pattern can be inspected. (2) In the above-described embodiment, since the shield layer is provided between the electrode layer and the lead wire layer, noise is reduced and reception sensitivity is improved. Therefore, the electrode 4 of the sensor element of the sensor board is reduced.
Even when the area of 0 is small and the received signal strength is extremely small, it is possible to prevent the problem of crosstalk from other cells (sensor elements) that cannot be predicted by a normal IC memory circuit or the like. (3) By using the sensor board described above, the signal from the pattern can be detected in a non-contact manner with the pattern on the work substrate to be inspected, so that the sensor board can be reliably positioned from the target pattern without positioning with high precision. A signal can be detected, and a defect inspection can be performed up to a minute level.

【0153】〔他の実施の形態例〕以上に説明したよう
に、センサ要素が微細であればあるほど分解能は増す
が、センサボードの作成にコストと手間がかかり、ま
た、要素からの出力信号強度は小さくなる。そこで、ボ
ード上に個々のセンサ要素毎にプリアンプを設ける様に
しても良い。この場合、プリアンプは、例えば、トラン
ジスタ素子で構成し、全センサ要素のトランジスタ素子
をアクティブマトリクス形式とすればよい。
[Other Embodiments] As described above, the finer the sensor element, the higher the resolution, but the cost and labor required to create the sensor board, and the output signal from the element. The strength becomes smaller. Therefore, a preamplifier may be provided for each sensor element on the board. In this case, the preamplifier may be composed of transistor elements, for example, and the transistor elements of all the sensor elements may be of active matrix type.

【0154】また、上述のセンサプローブボード20
(または50)の各センサ要素の最上層絶縁層35は、
検査ワークとの距離を短くしてセンサ感度を向上させる
ためにも、薄いことが好ましい。
Also, the above-mentioned sensor probe board 20
(Or 50) the uppermost insulating layer 35 of each sensor element is
In order to shorten the distance to the inspection work and improve the sensor sensitivity, the thickness is preferably thin.

【0155】さらに、実際の検査に際しては、センサ感
度を上げるためにも、絶縁層35の誘電率は低い方が好
ましい。
Further, in the actual inspection, it is preferable that the dielectric constant of the insulating layer 35 is low in order to increase the sensor sensitivity.

【0156】また、本実施形態のセンサボードは、図6
に示すように、珪素基板30の上に形成されている。こ
れは、珪素基板の上にセンサ要素を形成しているため
に、センサボード全体の平坦度が向上する効果があるか
らである。
Further, the sensor board of this embodiment is shown in FIG.
As shown in, it is formed on the silicon substrate 30. This is because the sensor element is formed on the silicon substrate, so that the flatness of the entire sensor board is improved.

【0157】平坦度が向上すると、検査対象のワーク基
板と電極間の距離を一定とする事ができ、結果としてセ
ンサ要素間における測定値のバラツキを小さくすること
ができる。この点で、ブリッジ柱41を下側に珪素基板
30まで(図6では二酸化珪素基板31まで)のばして
もよい。また、平坦度が不要であるならば、二酸化珪素
基板31の上にセンサ要素を形成してもよい。
When the flatness is improved, the distance between the work substrate to be inspected and the electrode can be made constant, and as a result, the variation in the measured value between the sensor elements can be reduced. At this point, the bridge pillar 41 may be extended downward to the silicon substrate 30 (to the silicon dioxide substrate 31 in FIG. 6). Further, if flatness is not required, the sensor element may be formed on the silicon dioxide substrate 31.

【0158】上記実施形態のセンサボードは信号処理回
路を含めたワンボード化するのが好ましい。図32は、
センサ部と信号処理部とを同じ珪素(Si)基板上に形成し
た一例を示す図である。
It is preferable that the sensor board of the above-described embodiment is integrated into a single board including a signal processing circuit. 32 shows
It is a figure which shows an example which formed the sensor part and the signal processing part on the same silicon (Si) substrate.

【0159】図32において、400と300は同じ一
枚の珪素(Si)基板である。珪素基板400上には、電子
回路401,402,403が形成されている。珪素基
板400の1端部にはコネクタ404が設けられてい
る。
In FIG. 32, 400 and 300 are the same single silicon (Si) substrate. Electronic circuits 401, 402, 403 are formed on the silicon substrate 400. A connector 404 is provided at one end of the silicon substrate 400.

【0160】これらの電子回路は、ハイブリッド回路も
しくはモノリシック回路により構成され、401はプリ
アンプ(またはマルチプレクサ)、402はアンプ、4
03はフィルタ(信号処理用)である。
These electronic circuits are constituted by a hybrid circuit or a monolithic circuit, 401 is a preamplifier (or multiplexer), 402 is an amplifier, 4
Reference numeral 03 is a filter (for signal processing).

【0161】珪素基板300には、図6と同じ多数のセ
ンサ要素21が形成され、即ち、センサプローブボード
20が形成されている。
The same number of sensor elements 21 as in FIG. 6 are formed on the silicon substrate 300, that is, the sensor probe board 20 is formed.

【0162】図32に示す例では、センサプローブボー
ド20は、電極,ブリッジ柱などは紙面の裏方向に成長
されて形成されており、図33に、珪素基板300を裏
返した状態を示す。即ち、図33では、センサプローブ
ボード20の表面上に多数の丸状の電極40が形成され
ていることを示している。
In the example shown in FIG. 32, the sensor probe board 20 is formed by growing electrodes, bridge pillars, etc. in the back direction of the paper surface, and FIG. 33 shows a state in which the silicon substrate 300 is turned upside down. That is, FIG. 33 shows that many round electrodes 40 are formed on the surface of the sensor probe board 20.

【0163】図32を参照すると、個々のセンサ要素か
らの信号を伝搬する信号線301は、前述のプリアンプ
401に接続される。図32の珪素基板400は不図示
の検査ユニットにコネクタ404により装着される。
Referring to FIG. 32, the signal line 301 for propagating the signal from each sensor element is connected to the above-mentioned preamplifier 401. The silicon substrate 400 shown in FIG. 32 is attached to an inspection unit (not shown) by a connector 404.

【0164】このように、センサボードと信号処理回路
ボードとを一体型することにより、ノイズの少ない安定
した測定を行うことができる。また、一体化することに
より、検査システムの小型化が達成され、また、可搬性
が増す。たとえば、センサユニットをワーク基板500
に近づけて、あるいはワーク基板500に載置して最上
層絶縁層35をワーク基板500の検査対象上部に近接
させて検査することができる。
As described above, by integrally forming the sensor board and the signal processing circuit board, stable measurement with less noise can be performed. Moreover, by integrating, the downsizing of the inspection system is achieved and the portability is increased. For example, if the sensor unit is a work board 500
Can be placed close to the work substrate 500 or placed on the work substrate 500 to bring the uppermost insulating layer 35 close to the upper portion of the work substrate 500 to be inspected.

【0165】上記した実施の形態例では、CVD法を用い
ていたが、蒸着やスパッタリングによっても膜層を形成
する可能であり、膜層の形成方法は問わない。
Although the CVD method is used in the above-described embodiments, the film layer can be formed by vapor deposition or sputtering, and the method of forming the film layer is not limited.

【0166】上記した実施の形態例では、リード線層を
アルミニウムで形成したが、アルミニウム(Al)の代わり
に銅(Cu)あるいは銀(Ag)を用いてもよい。本発明は、リ
ード線層の材料の種類には依存しないので、アルミニウ
ム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)の他にも、将来、半導体技術の
進展に伴って使われるであろう他の導体材料を本発明の
センサプローブの製造工程に適用することは容易であ
る。
Although the lead wire layer is made of aluminum in the above-described embodiments, copper (Cu) or silver (Ag) may be used instead of aluminum (Al). Since the present invention does not depend on the type of material of the lead wire layer, it may be used in addition to aluminum (Al), copper (Cu), and silver (Ag) in the future with the progress of semiconductor technology. It is easy to apply other conductor materials to the manufacturing process of the sensor probe of the present invention.

【0167】上記した実施の形態例では、絶縁物として
SOGを用いていたが、他の絶縁物、パッシベーションを
用いてもよい。
In the above-mentioned embodiment, the insulator is used.
Although SOG was used, other insulators or passivation may be used.

【0168】[0168]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
互いに近接させてマトリクス状に配設され、少なくとも
検査対象の導電パターンの線幅に応じた面積を有するセ
ンサ要素を備えることにより、検査信号を供給した検査
対象の導電パターンの検査信号導通領域より放射される
放射波の強度を広い範囲で2次元的に検出することが可
能となり、前記検査対象の導電パターンの形状にかかわ
らず、例えば分岐パターンであっても、パターン途中の
断線、一部切欠、隣接パターンとの短絡を容易に検査す
ることが可能となる。
As described above, according to the present invention,
Radiation from the inspection signal conducting region of the conductive pattern of the inspection object which has supplied the inspection signal, by providing the sensor elements arranged in a matrix form close to each other and having at least an area corresponding to the line width of the conductive pattern of the inspection object. It becomes possible to detect the intensity of the radiated wave two-dimensionally in a wide range, and regardless of the shape of the conductive pattern to be inspected, even if it is, for example, a branch pattern, disconnection in the middle of the pattern, partial cutout, It becomes possible to easily inspect a short circuit with an adjacent pattern.

【0169】特に、検査対象の導電パターンよりの放射
波を検出できることより、センサ電極を直接導電パター
ン表面に直接接触させることなく導電パターンの検査が
できる。さらに、センサの厳密な位置決めをする必要が
ないため、微細パターンであっても簡単に検査すること
が可能となる。
In particular, since the radiation wave from the conductive pattern to be inspected can be detected, the conductive pattern can be inspected without directly contacting the sensor electrode with the surface of the conductive pattern. Further, since it is not necessary to position the sensor strictly, it is possible to easily inspect even a fine pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来例に係る検査装置のセンサプローブの構成
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a sensor probe of an inspection device according to a conventional example.

【図2】本発明に係る一発明の実施の形態例のエリア型
のセンサプローブボードの構成を説明する底面図であ
る。
FIG. 2 is a bottom view illustrating the configuration of the area type sensor probe board according to the embodiment of the present invention.

【図3】本実施の形態例のライン型のセンサプローブボ
ードの構成を説明する底面図である。
FIG. 3 is a bottom view illustrating the configuration of the line type sensor probe board according to the present embodiment.

【図4】本実施の形態例のエリア型センサプローブボー
ドにおけるパッドとセンサ要素との配置関係を説明する
模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a positional relationship between pads and sensor elements in the area type sensor probe board according to the present embodiment.

【図5】本実施の形態例の基板上のパターンからの輻射
波がパターンに対して離間し非接触状態に維持されてい
るセンサ要素に向けて放射される様子を説明する図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating a manner in which a radiated wave from a pattern on a substrate of the present embodiment is radiated toward a sensor element which is separated from the pattern and is maintained in a non-contact state.

【図6】本実施の形態例のセンサ要素の構成を示す断面
図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the sensor element according to the present embodiment.

【図7】本実施の形態例のセンサ要素のおける電極、ブ
リッジ線、リード線の配置を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating the arrangement of electrodes, bridge wires, and lead wires in the sensor element according to the present embodiment.

【図8】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用い
て形成する過程を説明する図である。ための図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 by using a semiconductor process. FIG.

【図9】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用い
て形成する過程を説明する図である。図である。
9 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process. It is a figure.

【図10】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図11】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図12】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図13】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
13 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図14】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図15】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図16】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
16 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図17】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図18】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図19】図6に示すセンサ要素を半導体プロセスを用
いて形成する過程を説明する図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating a process of forming the sensor element shown in FIG. 6 using a semiconductor process.

【図20】本実施形態のセンサボードを用いる検査シス
テムにおいて、被検査対象配線パターン線を検査すると
きの両者の位置関係を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a positional relationship between the two when inspecting a wiring pattern line to be inspected in the inspection system using the sensor board of the present embodiment.

【図21】図20に示すセンサボードの各センサ要素か
らの出力値の分布を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a distribution of output values from each sensor element of the sensor board shown in FIG. 20.

【図22】図20に示すセンサボードの各センサ要素か
らの出力値の分布を輝度変調して表示したときの表示態
様を示す図である。
22 is a diagram showing a display mode when a distribution of output values from each sensor element of the sensor board shown in FIG. 20 is brightness-modulated and displayed.

【図23】本実施の形態例の検査対象の不良部分を有す
る回路パターンと、センサプローブボードとの配置関係
を説明する図である。
FIG. 23 is a diagram illustrating a layout relationship between a circuit pattern having a defective portion to be inspected and a sensor probe board according to the present embodiment.

【図24】図23に示すセンサボードの各センサ要素か
らの出力値の分布を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a distribution of output values from each sensor element of the sensor board shown in FIG. 23.

【図25】図23に示すセンサボードの各センサ要素か
らの出力値の分布を輝度変調して表示したときの表示態
様を示す図である。
25 is a diagram showing a display mode when the distribution of output values from each sensor element of the sensor board shown in FIG. 23 is luminance-modulated and displayed.

【図26】本実施の形態例の検査システムの構成を説明
する図である。
FIG. 26 is a diagram illustrating a configuration of an inspection system according to the present embodiment.

【図27】本実施の形態例のコントローラの構成を示す
図である。
FIG. 27 is a diagram showing a configuration of a controller according to the present embodiment.

【図28】本実施の形態例の制御手順を説明するフロー
チャートである。
FIG. 28 is a flowchart illustrating a control procedure according to the present embodiment.

【図29】本実施の形態例の表示に関する変形例に係る
制御手順を説明するフローチャートである。
FIG. 29 is a flowchart illustrating a control procedure according to a modified example of display according to the present embodiment.

【図30】本実施の形態例の正規化に関する変形例に係
る制御手順を説明するフローチャートである。
FIG. 30 is a flowchart illustrating a control procedure according to a modified example of normalization of the present embodiment.

【図31】本実施の形態例の不良検出の自動化に関する
変形例に係る制御手順を説明するフローチャートであ
る。
FIG. 31 is a flowchart illustrating a control procedure according to a modified example of automation of defect detection according to the present embodiment.

【図32】本実施の形態例のセンサプローブの変形例に
かかる構成を説明する図である。
FIG. 32 is a diagram illustrating a configuration according to a modified example of the sensor probe according to the present embodiment.

【図33】図32に示すプローブを電極側からみた斜視
図である。
FIG. 33 is a perspective view of the probe shown in FIG. 32 as seen from the electrode side.

フロントページの続き Fターム(参考) 2G014 AA02 AA03 AB59 AC09 AC10 AC12 AC15 2G132 AA13 AA20 AD15 AE01 AE14 AE16 AE18 AE23 AF06 AF11 AG01 AL12 Continued front page    F-term (reference) 2G014 AA02 AA03 AB59 AC09 AC10                       AC12 AC15                 2G132 AA13 AA20 AD15 AE01 AE14                       AE16 AE18 AE23 AF06 AF11                       AG01 AL12

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子回路上に形成される導電パターンを
検査するための電子回路検査用センサであって、 少なくとも検査対象の導電パターンの線幅未満の大きさ
のセンサ要素を互いに近接させてマトリクス状に配設し
て前記センサ要素により前記検査対象の導電パターンよ
り発生される放射波の強度を検出可能とし、 前記各センサ要素により前記検査対象の導電パターン形
状に対応した前記放射波の検出強度分布を検出可能とす
ることを特徴とする電子回路検査用センサ。
1. A sensor for inspecting an electronic circuit for inspecting a conductive pattern formed on an electronic circuit, comprising a matrix in which at least sensor elements having a size smaller than a line width of the conductive pattern to be inspected are brought close to each other. The sensor element to detect the intensity of the radiation wave generated from the conductive pattern of the inspection target, the sensor element detects the intensity of the radiation wave corresponding to the conductive pattern shape of the inspection target An electronic circuit inspection sensor characterized by being able to detect a distribution.
【請求項2】 前記センサ要素は、一辺が前記検査対象
の導電パターンの線幅の約(1/3)であることを特徴
とする請求項1記載の電子回路検査用センサ。
2. The sensor for electronic circuit inspection according to claim 1, wherein one side of the sensor element is about (1/3) of a line width of the conductive pattern to be inspected.
【請求項3】 前記マトリクス状に配設されるセンサ要
素は、検査対象電子基板の配線パターン配設領域上部の
全域に配置されることを特徴とする請求項1又は請求項
2記載の電子回路検査用センサ。
3. The electronic circuit according to claim 1, wherein the sensor elements arranged in a matrix are arranged over the entire wiring pattern arrangement area of the electronic substrate to be inspected. Inspection sensor.
【請求項4】 前記センサ要素は、前記検査対象の導電
パターンと非接触に位置決めされることを特徴とする請
求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子回路検査用
センサ。
4. The sensor for inspecting an electronic circuit according to claim 1, wherein the sensor element is positioned so as not to contact the conductive pattern to be inspected.
【請求項5】 検査対象電子回路の検査対象導電パター
ンの一つに交流信号を供給する検査信号供給手段と、 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子回路検査
用センサと、 電子回路検査用センサの前記センサ要素ごとの検出強度
を検知する検知手段と、 前記検知手段の検知結果より前記放射波を放射している
領域を認識する認識手段とを備え、 前記認識手段で認識した前記放射波を放射している領域
と前記検査対象導電パターンとを比較して前記検査対象
導電パターンの良否を判別可能とすることを特徴とする
検査システム。
5. An inspection signal supply means for supplying an alternating current signal to one of the inspection target conductive patterns of the inspection target electronic circuit; the electronic circuit inspection sensor according to claim 1; Detecting means for detecting the detection intensity of each of the sensor elements of the circuit inspection sensor, and a recognizing means for recognizing the region radiating the radiated wave from the detection result of the detecting means, and the recognition means An inspection system, wherein the quality of the inspection target conductive pattern can be determined by comparing the area emitting the radiation wave with the inspection target conductive pattern.
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