JP2003207432A - マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法 - Google Patents

マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法

Info

Publication number
JP2003207432A
JP2003207432A JP2002006252A JP2002006252A JP2003207432A JP 2003207432 A JP2003207432 A JP 2003207432A JP 2002006252 A JP2002006252 A JP 2002006252A JP 2002006252 A JP2002006252 A JP 2002006252A JP 2003207432 A JP2003207432 A JP 2003207432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
micro
test piece
sample
load
scanning probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002006252A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003207432A5 (ja
JP3675406B2 (ja
Inventor
Yoshimasa Isono
吉正 磯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kansai Technology Licensing Organization Co Ltd
Original Assignee
Kansai Technology Licensing Organization Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kansai Technology Licensing Organization Co Ltd filed Critical Kansai Technology Licensing Organization Co Ltd
Priority to JP2002006252A priority Critical patent/JP3675406B2/ja
Publication of JP2003207432A publication Critical patent/JP2003207432A/ja
Publication of JP2003207432A5 publication Critical patent/JP2003207432A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3675406B2 publication Critical patent/JP3675406B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ材料の力学特性を原形のまま直接高
精度に測定し、評価できるマイクロ材料試験装置及びこ
れによる力学特性評価方法を提供する。 【解決手段】 走査型プローブ顕微鏡2の試料ステージ
部に、微小試験片1に対して引張り又は圧縮荷重を負荷
するためのアクチュエータと、これによる微小試験片1
への負荷を検出する手段とを備えた微小引張り・圧縮試
験機構3を装備し、引張り又は圧縮負荷による試験片1
の微小歪を走査型プローブ顕微鏡2の試料表面観測系を
利用して測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ材料の機械的
性質、例えばその力学特性を高精度に測定するマイクロ
材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体加工技術の進歩によりマイクロマ
シン等に用いられる電子デバイスの高集積化、高性能化
が進んでいるが、これに伴ってこれらマイクロデバイス
の信頼性を向上するためには、その力学特性を高精度に
測定評価することが重要である。又これらデバイスの保
護膜や機能性薄膜として構成されるシリコン系マイクロ
材料の力学特性を評価するには、そのデバイスを微小寸
法下でその性質を測定し、これによるデータを設計に適
用する必要がある。しかし、このシリコン系マイクロ材
料、例えば半導体シリコン系薄膜やダイヤモンドライク
カーボン薄膜(DLC)等は、寸法構成が極めて小さ
く、その力学特性を高精度に評価することは極めて難し
い。
【0003】従来、これらマイクロ材料の力学特性を測
定する方法として、バイメタル法や振動リード法等が提
案されているが、バイメタル法はヤング率を決定する際
にポアソン比を仮定しなければならないため信頼性に問
題があり、又振動リード法では、ヤング率は正確に測定
できるがポアソン比を測定することができない。これに
対し、引張り試験法は、ポアソン比の測定に対しても有
効な試験法であるが、試料寸法に制限があるため、この
種の超微小試料に対しては高精度な歪み測定ができない
という欠点があった。
【0004】又、電子部品等の保護膜や機能性薄膜とし
て用いられ、それ自体では形状を保持することができな
いシリコン系薄膜材料やダイヤモンドライクカーボン薄
膜(DLC)、及びマイクロマシン用高分子薄膜等に関
しては、上記の測定方法で力学特性を測定することがで
きず、この薄膜材料を評価するためには、他の材料の物
性値を用いてコンピュータシュミレーションによって評
価しなければならない。
【0005】このように、従来の技術では、マイクロ材
料の力学特性を高精度に測定することできず、特にそれ
自体では形状を保持することができない薄膜材料に関し
ては、測定値の信頼性が期待できないなどの問題があっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ナノテクノ
ロジー時代に対応して上記の問題点を解決するためのも
ので、マイクロ材料の力学特性を原形のまま直接高精度
に測定し、評価できるマイクロ材料試験装置及びこれに
よるマイクロ材料の力学特性評価方法を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ材料試
験装置は、走査型プローブ顕微鏡の試料ステージ部に、
微小試験片に対して引張り又は圧縮荷重を負荷するため
のアクチュエータと、これによる微小試験片への負荷を
検出する手段とを備えた微小引張り・圧縮試験機構を装
備し、引張り又は圧縮負荷による試験片の微小歪を走査
型プローブ顕微鏡の試料表面観測系を利用して測定する
ことを特徴とする。好ましくは、アクチュエータが、微
動用と粗動用の2つの機能を併せ備えている。
【0008】又、別の発明のマイクロ材料試験装置で
は、走査型プローブ顕微鏡のプローブの先端部を硬質の
尖鋭圧子とし、試料ステージ部に載置した薄膜試料に対
して前記圧子を介して押し込み荷重を負荷する手段と、
この押し込み荷重を検出する手段とを顕微鏡の試料室に
併せ設け、前記押し込み荷重による試料の圧痕の深さを
走査型プローブ顕微鏡の試料表面観測系を利用して測定
することを特徴とする。好ましくは、圧痕の面積を測定
する面積測定手段を備え、圧子がダイヤモンドから成っ
ている。
【0009】更に、本発明のマイクロ材料の力学的評価
方法では、前記のマイクロ材料試験装置によって試験片
に引張り又は圧縮荷重を負荷する操作と、試験片に押し
込み荷重を負荷する操作とを正順又は逆順に行い、試験
片の微小歪と圧痕深さとを、走査型プローブ顕微鏡の試
料表面観測系を利用して計測し、この計測値によって試
験片のヤング率及びポアソン比の一方又は双方を演算す
ることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施例を説明する。この実施例では、試料に引張り荷
重を負荷して試料の力学特性を測定する例であるが、同
様に圧縮荷重を負荷して測定することも可能である。
【0011】先ず、第一発明によるマイクロ材料試験装
置の一実施例を用いて、試料の力学特性を測定する方法
を、図1に基づいて説明する。以下、この実施例を第一
実施例という。図1は、この第一実施例の説明図を示
す。この実施例において、力学特性を測定する試料は、
例えば半導体シリコン系薄膜や化合物半導体薄膜等のマ
イクロ薄膜材料で、マイクロマシン等に使用する際の微
小な寸法構成でも形状が保持されるものである。
【0012】図1において、2は走査型プローブ顕微鏡
の筐体の一部を模擬的に示したものである。この実施例
は、プローブ(探針)21と試験片1との間に作用する
原子間力を検出することによって試料表面の形状を超精
密に測定する。原子間力顕微鏡に本発明を適用した例で
ある。この例では、ボイスコイルアクチュエータ23,
23’,23’’によるスキャナ22を用い、このスキ
ャナ22の下方に取り付けたカンチレバー24によって
プローブ21が片持ち支持されており、スキャナ22を
走査してプローブ21を三次元(XYZ軸)方向に精密
走査する。尚、ピエゾ式スキャナを利用してもプローブ
の走査が可能であることは当然である。
【0013】本実施例では、このプローブ21の下方の
試料ステージ部に装備される微小引張り試験機構3を装
備し、この機構3上に試験片1が固着されている。試験
片1は微小幅のブリッジ部11を備え、このブリッジ部
11の表面には標点となる微小な格子状のラインパター
ン12が設けられている。
【0014】先ず、微小引張り試験機構3で試験片1に
引張り荷重Pを負荷することによって、ブリッジ部11
に応力σが発生する。この状態でラインパターン12の
変化を走査型プローブ顕微鏡2の試料表面観測系で観察
することにより、引張り荷重Pによる試験片1の微小な
縦歪みε及び横歪みε’を測定する。この際、引張り荷
重Pを負荷すると同時にラインパターン12を観察する
ことにより、ブリッジ部11の縦歪みε及び横歪みε’
を素早く、且つ精密に測定可能である。
【0015】この実施例において、走査型プローブ顕微
鏡2による微小試料のブリッジ部11の歪は、以下の手
順によって測定される。スキャナ22の走査により、プ
ローブ21が試験片1のブリッジ部11表面に載置さ
れ、この状態においてプローブ21をスキャナ23,2
3’’によってXY方向に走査し、この間プローブ21
と試験片1との間に作用する原子間力が一定となるよう
に、スキャナ22のZ軸方向の走査を制御する。これに
よるXY軸方向の位置に対応したZ軸方向のフィードバ
ック量をスキャナ22の出力電圧として検出し、これを
演算装置を介して三次元画像として画面上に出力するこ
とによりブリッジ部11表面、即ちラインパターン12
の変化を観察する。
【0016】この実施例では、プローブ21と試験片1
との間に作用する原子間力を利用しているが、プローブ
21と試験片1との間に作用するトンネル電流、磁気力
等の機械・電磁気相互作用を利用してフィードバック量
を取り込み、ラインパターン12の歪を測定・検出する
ことも可能である。
【0017】そして、上記により測定した応力σ、縦歪
みε及び横歪みε’を下記の式1及び式2に代入して、
試料の力学特性であるヤング率E及びポアソン比νを演
算する。
【0018】E=σ/ε ・・・・(式1)
【0019】ν=−(ε’/ε) ・・・・(式2)
【0020】試験片1の具体例を図2及び図3に基づい
て説明する。この試験片1は、例えば半導体シリコン系
薄膜や化合物半導体薄膜等のシリコン系マイクロ材料
で、マイクロマシン等に使用する際の微小な構成寸法で
も形状が保持される。
【0021】図2Aは試験片1の平面図を、Bはライン
パターン12の拡大斜視図を示す。図2Aに示すよう
に、試験片1は全体寸法構成として、例えば長さL
27mm、幅Wが13mm、そして厚みが0.5mm
のものであり、その中央部分に比較的大きな空間部10
が設けられ、この空間部10を掛け渡す微小幅のブリッ
ジ部11が設けられている。
【0022】このブリッジ部11は、試料の力学特性を
測定する対象部分で、その寸法は、この試料を実際に使
用する際の寸法であり、図2A及び図3に示すように、
例えば長さLが3mm、幅Wが0.3mm、厚みt
が20μm(0.02mm)であって、その表面中央に
は標点となる微小な格子状のラインパターン12が設け
られている。図3は、ブリッジ部11の拡大斜視図を示
す。
【0023】又、この試験片1には、後述する引張り試
験のためのチャックに係合する孔部14,14’が両端
側に設けられており、この孔部14,14’は3mm角
程度である。図2Bに示すように、このラインパターン
12は、ライン部13とその間隔の寸法Wが20μ
m、ライン部13の厚みt’が200nm(0.000
2mm)と極めて微小なパターン構造と成っている。
【0024】次に、走査型プローブ顕微鏡2の試料ステ
ージ部に装備される引張り試験機構3について図4に基
づいて説明する。図4は、引張り試験機構3の平面図を
示す。この引張り試験機構3は、試験片1を保持するチ
ャック部30,30’を備えており、この上面には試験
片1の孔部14,14’に係合する突状部31,31’
を具備している。このチャック部30,30’は、走査
型プローブ顕微鏡2のための試料ステージ部の機能を含
むものである。
【0025】32,32’は、この試験片1にチャック
部30を介して引張り荷重を負荷するための圧電素子ア
クチュエータで、チャック部30に超微動を与える微動
用アクチュエータ32と、大きく移動させる粗動用アク
チュエータ32’であり、試験片1の力学特性によって
又は測定目的に応じて微動用アクチュエータ32と粗動
用アクチュエータ32’を使い分ける。即ち、強度が高
い試験片1を測定する際には粗動用アクチュエータ3
2’を、強度が低い試験片1を測定する際には微動用ア
クチュエータ32を用いる。
【0026】33は試験片1のブリッジ部11への引張
り荷重Pを検出するロードセルであって、34は差動変
位計である。この引張り試験機構3を使用する際には、
突状部31,31’に試験片1の孔部14,14’を係
合し、アクチュエータ32,32’を操作することによ
り、チャック部30が移動してブリッジ部11を軸方向
に引張る。
【0027】次に、第2発明によるマイクロ材料試験装
置の一実施例を用いた試料の力学特性を測定する方法
を、図5に基づいて説明する。以下、この実施例を第2
実施例という。図5は、この第2実施例の説明図を示
す。この実施例において、力学特性を測定する試験片1
は、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜(DL
C)、マイクロマシン用高分子薄膜等のマイクロ材料で
ある。この実施例は、上記した第1実施例では測定でき
ない試料を測定可能にしたものである。即ち、マイクロ
マシン等で使用する際には、積層状の保護膜や機能性薄
膜として用いられるものであり、それ自体では形状が保
持されない。
【0028】この実施例において、上記の第一実施例と
同様の構成に関しては説明を省略する。図5に示すよう
に、試験片1のブリッジ部11を基板とし、その表面に
試料11’を載置しており、走査型プローブ顕微鏡2の
プローブ21の先端部を硬質の尖鋭圧子とし、好ましく
はダイヤモンド圧子とする。
【0029】先ず、上記の第一実施例と同様に、微小引
張り試験機構3でブリッジ部11に引張り荷重Pを負荷
することにより、試料11’の縦歪みεと応力σを求
め、これらを下記の式3に代入することにより、試料1
1’と基板11との合成ヤング率E1+2を演算する。
【0030】そして、基板11のヤング率Eを第一実
施例で予め測定し、合成ヤング率E 1+2、図6に示す
試料11’の厚みt、及び基板11の厚みtを下記
の式4に代入して、試料11’のヤング率Eを演算す
る。図6は、ブリッジ部11及び試料11’の拡大斜視
図を示す。この実施例の試料11’の厚み寸法t
0.3μmであり、その他の寸法構成は第一実施例と同
一である。
【0031】E1+2 =σ/ε ・・・・(式3)
【0032】 E1+2 =(t・E+t・E)/(t+t) ・・・・(式4 )
【0033】この実施例に用いる試料11’は、非常に
薄いため、引張り荷重Pを負荷した際の上面と下面の形
状が異なり、第一実施例と同様の方法では横歪みε’を
測定することができない。そこで、以下に説明する方法
を実施する。
【0034】走査型プローブ顕微鏡2のスキャナ22を
Z軸方向に走査して、プローブ21の先端を試料11’
に押し込み、その押込み荷重P’と、それによって形成
された試料11’表面の圧痕50の深さhとを測定す
る。この実施例では、信頼性を高めるために押込み試験
を4回実施しており、4回目に実施した試験曲線70の
傾き(dP’/dh)71を図7から決定する。図7
は、押込み荷重P’とその押込み量hとの関係を示すグ
ラフである。
【0035】尚、この圧痕50の深さhは、押込み荷重
P’を負荷した状態で、レーザーダイオード25から照
射するレーザービーム27をカンチレバー24に当て、
反射したビーム27’をフォトディテクター26で感知
して測定する。そして、押し込み荷重P’は、カンチレ
バー24のバネ定数と撓み量から算出される。
【0036】更に、この圧痕50の面積A’を面積測定
手段により測定する。この面積測定手段は、例えば圧痕
50を走査型プローブ顕微鏡2を用いて画像処理し、こ
の画像から面積A’を計測するソフトから成っている。
そして、傾き(dh/dP’)と面積A’を下記の式5
に代入し、圧子(ダイヤモンド製)21と試料11’と
の合成ヤング率Erを算出する。そして、この合成ヤン
グ率Er、上記から導いた試料11’のヤング率E
予め測定した圧子のポアソン比νiとヤング率Eiを下
記の式6に代入して試料11’のポアソン比νを演算
する。
【0037】
【式5】
【0038】
【式6】
【0039】上記した2つの実施例における装置では、
走査型プローブ顕微鏡2のスキャナ22がプローブ21
を走査するものであるが、試料ステージ部をスキャナ2
2が走査するものであっても良く、その場合でも本発明
の効果を得ることは当然である。
【0040】
【発明の効果】従来の技術によれば、上述した通り、マ
イクロマシン等に用いられるマイクロ材料の力学特性を
正確に測定することができない。しかし、本発明によれ
ば、上記の説明の通り、マイクロ材料の力学特性を原形
のまま直接高精度に測定し、評価できる。そして、この
力学特性を高精度に測定することによって、マイクロ材
料を用いたマイクロマシンの設計、マイクロ材料薄膜で
コーティングした機器・電子部品の設計及びシュミレー
ションをする際など極めて広範囲に利用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一実施例の説明図を示す。
【図2】試験片の説明図を示す。
【図3】第一実施例のブリッジ部の拡大図を示す。
【図4】引張り試験機構の平面図を示す。
【図5】第2実施例の説明図を示す。
【図6】第2実施例のブリッジ部及び試料の拡大図を示
す。
【図7】押込み荷重P’と押込み量hとの関係のグラフ
を示す。
【符号の説明】
1 試験片 2 走査型プローブ顕微鏡 3 微小引張り試験機構 21 プローブ 32 アクチュエータ 50 圧痕
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01N 13/10 G01N 13/10 F // G01N 13/16 13/16 A Fターム(参考) 2F069 AA43 AA60 AA68 BB40 GG01 GG04 GG07 GG18 GG52 GG62 HH05 HH30 JJ07 JJ25 LL03 PP04 RR03 RR05 2G061 AA01 AA02 BA07 CB20 EA03 EA04 EB10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査型プローブ顕微鏡の試料ステージ部
    に、微小試験片に対して引張り又は圧縮荷重を負荷する
    ためのアクチュエータと、これによる微小試験片への負
    荷を検出する手段とを備えた微小引張り・圧縮試験機構
    を装備し、引張り又は圧縮負荷による試験片の微小歪を
    走査型プローブ顕微鏡の試料表面観測系を利用して測定
    することを特徴とするマイクロ材料試験装置。
  2. 【請求項2】 前記アクチュエータが、微動用と粗動用
    の2つの機能を併せ備えていることを特徴とする請求項
    1に記載のマイクロ材料試験装置。
  3. 【請求項3】 走査型プローブ顕微鏡のプローブの先端
    部を硬質の尖鋭圧子とし、試料ステージ部に載置した薄
    膜試料に対して前記圧子を介して押し込み荷重を負荷す
    る手段と、この押し込み荷重を検出する手段とを顕微鏡
    の試料室に併せ設け、前記押し込み荷重による試料の圧
    痕の深さを走査型プローブ顕微鏡の試料表面観測系を利
    用して測定することを特徴とするマイクロ材料試験装
    置。
  4. 【請求項4】 前記圧痕の面積を測定する面積測定手段
    を備えたことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ材
    料試験装置。
  5. 【請求項5】 前記圧子がダイヤモンドから成ることを
    特徴とする請求項3又は4に記載のマイクロ材料試験装
    置。
  6. 【請求項6】 請求項1のマイクロ材料試験装置によっ
    て試験片に引張り又は圧縮荷重を負荷する操作と、請求
    項3のマイクロ材料試験装置によって試験片に押し込み
    荷重を負荷する操作とを正順又は逆順に行い、試験片の
    微小歪と圧痕深さとを、走査型プローブ顕微鏡の試料表
    面観測系を利用して計測し、この計測値によって試験片
    のヤング率及びポアソン比の一方又は双方を演算するこ
    とを特徴とするマイクロ材料の力学特性評価方法。
JP2002006252A 2002-01-15 2002-01-15 マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法 Expired - Fee Related JP3675406B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006252A JP3675406B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006252A JP3675406B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005044388A Division JP2005201908A (ja) 2005-02-21 2005-02-21 マイクロ材料試験装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003207432A true JP2003207432A (ja) 2003-07-25
JP2003207432A5 JP2003207432A5 (ja) 2005-06-30
JP3675406B2 JP3675406B2 (ja) 2005-07-27

Family

ID=27645074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002006252A Expired - Fee Related JP3675406B2 (ja) 2002-01-15 2002-01-15 マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3675406B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006075810A1 (en) * 2005-01-17 2006-07-20 Korea Institute Of Machinery & Materials Micro material tester
JP2008039530A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Okayama Univ ひずみ測定方法及びひずみ測定装置
JP2009156725A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Hyogo Prefecture 薄膜試験片構造体、その製造方法、その引張試験方法及び引張試験装置
JP2012052885A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 固体物質試料の極表面弾性率の測定方法及びそれを用いた樹脂表面の対膜接着性評価方法
CN103760019A (zh) * 2013-12-31 2014-04-30 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 原子力显微镜配套用卧式材料拉伸压缩试验机
US8844367B2 (en) 2010-06-02 2014-09-30 Kumamoto University Micromaterial strain measurement apparatus and method therefor
JP2015179018A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 株式会社Ihi 応力測定装置及び応力測定方法
CN107121107A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 华中科技大学 一种薄膜张力测量装置及方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006075810A1 (en) * 2005-01-17 2006-07-20 Korea Institute Of Machinery & Materials Micro material tester
JP2008039530A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Okayama Univ ひずみ測定方法及びひずみ測定装置
JP2009156725A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Hyogo Prefecture 薄膜試験片構造体、その製造方法、その引張試験方法及び引張試験装置
US8844367B2 (en) 2010-06-02 2014-09-30 Kumamoto University Micromaterial strain measurement apparatus and method therefor
JP2012052885A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 固体物質試料の極表面弾性率の測定方法及びそれを用いた樹脂表面の対膜接着性評価方法
CN103760019A (zh) * 2013-12-31 2014-04-30 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 原子力显微镜配套用卧式材料拉伸压缩试验机
JP2015179018A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 株式会社Ihi 応力測定装置及び応力測定方法
CN107121107A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 华中科技大学 一种薄膜张力测量装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3675406B2 (ja) 2005-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8789425B2 (en) Micro/nano-mechanical test system employing tensile test holder with push-to-pull transformer
US20080276727A1 (en) Mems Nanoindenter
US6755075B2 (en) Ultra micro indentation testing apparatus
Chasiotis et al. Mechanical properties of thin polysilicon films by means of probe microscopy
Serre et al. Measurement of micromechanical properties of polysilicon microstructures with an atomic force microscope
JP3675406B2 (ja) マイクロ材料試験装置及びこれによる力学特性評価方法
EP2860154A1 (en) Method and system for characterization of nano- and micromechanical structures
Majstrzyk et al. Electromagnetic cantilever reference for the calibration of optical nanodisplacement systems
US20140060207A1 (en) Versatile, flexible, and robust mems/nems sensor for decoupled measuring of three-dimensional forces in air or liquids
JPWO2019004211A1 (ja) 力学特性試験方法及び計測装置
Motoki et al. A nanoindentation instrument for mechanical property measurement of 3D micro/nano-structured surfaces
Dutta et al. Table top experimental setup for electrical contact resistance measurement during indentation
JP2005201908A (ja) マイクロ材料試験装置
Li et al. Investigation of strain in microstructures by a novel moiré method
Zhang et al. Mechanical characterization of released thin films by contact loading
JP4448932B2 (ja) ナノワイヤ引張試験デバイス及びそれを用いた試験方法
JP2007046974A (ja) マルチプローブを用いた変位量測定装置及びそれを用いた変位量測定方法
Jones et al. Review of low force transfer artefact technologies.
JP2005037361A (ja) マイクロ・ナノ材料用疲労試験装置
Liu et al. Deformation analysis in microstructures and micro-devices
Dal Savio et al. 3D metrology with a compact scanning probe microscope based on self-sensing cantilever probes
Virwani et al. Fabrication and testing of nanomechanical< 100> silicon beam structures using a scanning probe system
Li et al. Focused ion beam (FIB) nano-machining and FIB Moire technique for strain analysis in MEMS/NEMS structures and devices
Keller et al. Nanoscale deformation measurements for reliability analysis of sensors
Ryan et al. Contact scanning mode AFM for nanomechanical testing of free-standing structures

Legal Events

Date Code Title Description
A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Effective date: 20040804

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

A521 Written amendment

Effective date: 20041018

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20040826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20050425

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100513

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees