JP2003205460A - Cerium oxide-based abrasive regeneration method - Google Patents

Cerium oxide-based abrasive regeneration method

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JP2003205460A
JP2003205460A JP2002005567A JP2002005567A JP2003205460A JP 2003205460 A JP2003205460 A JP 2003205460A JP 2002005567 A JP2002005567 A JP 2002005567A JP 2002005567 A JP2002005567 A JP 2002005567A JP 2003205460 A JP2003205460 A JP 2003205460A
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JP
Japan
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cerium oxide
abrasive
regenerating
suspension
based abrasive
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JP2002005567A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Tanaka
弘明 田中
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SpeedFam Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To keep the polishing speed substantially equal to that before use with the regenerated cerium oxide-based abrasive and low generation frequency of scratch by regenerating a cerium oxide-based abrasive, that is, sufficiently removing glass (silicon) component adhering to the surface of abrasive without cohesion of cerium oxide-based abrasive in the process of regeneration. <P>SOLUTION: A dispersant is added to deteriorated cerium oxide-based abrasive suspension, and then alkali component is added so that the hydrogen ion concentration of the suspension is pH 10.5 or higher. The thus obtained material is heated to 50°C or higher to dissolve the adhering silicon component, thereby regenerating cerium oxide-based abrasive. By the added dispersant, cohesion of abrasive particles can be prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用の
ガラスディスク、水晶ウェーハ、液晶パネル用ガラスな
どを鏡面研磨するために使用する酸化セリウムを主成分
とする酸化セリウム系研磨剤を再生する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for regenerating a cerium oxide-based abrasive containing cerium oxide as a main component, which is used for mirror-polishing a glass disk for a magnetic disk, a crystal wafer, a glass for a liquid crystal panel and the like. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピューター、液晶ディスプレー、携
帯電話などの普及により、ガラスディスク、水晶ウエー
ハ、液晶パネルなどガラス材料の使用量が増大してい
る。これらガラス材料の表面は、鏡面に研磨することが
必須であり、このために酸化セリウムを主成分とする酸
化セリウム系研磨剤が使用される。研磨に繰り返し使用
しているうち、この研磨剤は劣化し、所望の研磨速度が
維持できなくなる。このように劣化した酸化セリウム系
研磨剤は、そのほとんどが産業廃棄物として処理されて
いるのが現状であるが、資源の枯渇、環境保全、研磨コ
スト削減等の観点からこれら研磨剤を再生使用すること
が望まれるようになってきている。
2. Description of the Related Art With the widespread use of computers, liquid crystal displays, mobile phones and the like, the amount of glass materials used such as glass disks, crystal wafers and liquid crystal panels is increasing. It is essential that the surface of these glass materials be polished to a mirror surface, and for this purpose, a cerium oxide-based polishing agent containing cerium oxide as a main component is used. While being repeatedly used for polishing, this polishing agent deteriorates and the desired polishing rate cannot be maintained. Most of the deteriorated cerium oxide-based abrasives are currently treated as industrial waste, but from the viewpoints of resource depletion, environmental protection, polishing cost reduction, etc., these abrasives are recycled. It is becoming more desirable to do so.

【0003】このような技術の先行例として、特許第3
134189号明細書および特開平6−254764号
公報をあげることができる。
As a prior art example of such a technique, Patent No. 3
No. 134189 and Japanese Patent Laid-Open No. 6-254764 can be mentioned.

【0004】上記特許第3134189号明細書開示の
技術では、凝集剤を添加して固形分を凝縮させた後、大
量のアルカリ成分を添加するため、どうしても再生後の
研磨剤に粗大な砥粒が残留する。このため、この方法で
再生した研磨剤の場合、被研磨物にスクラッチが発生し
易くなるという問題があった。
In the technique disclosed in the above-mentioned Japanese Patent No. 3134189, since a large amount of alkali component is added after adding a flocculant to condense a solid content, coarse abrasive grains are inevitably added to the regenerated abrasive. To remain. Therefore, in the case of the abrasive regenerated by this method, there is a problem that scratches are likely to occur on the object to be polished.

【0005】特開平6−254764号公報開示の技術
は、研磨液に電解質を添加し、研磨除去された基本成分
を可溶化させると共に、研磨液中の研磨砥粒を沈降させ
る方法であるが、大量の電解質を加えるため、研磨砥粒
が凝集を起こし、やはり再生後の研磨剤に粗大な砥粒が
残留する。このため、同様に被研磨物にスクラッチが発
生し易い。
The technique disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-254764 is a method in which an electrolyte is added to a polishing liquid to solubilize the basic components removed by polishing, and at the same time, the polishing abrasive grains in the polishing liquid are precipitated. Since a large amount of electrolyte is added, the polishing abrasive particles agglomerate, and coarse abrasive particles remain in the polishing agent after regeneration. Therefore, scratches are likely to occur on the object to be polished in the same manner.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】これらはいずれも、研
磨剤再生処理中に、研磨剤の凝集が生じることに原因が
あり、凝集した研磨剤粒子がスクラッチを発生させてい
る。また、凝集した研磨粒子を除去することは可能であ
るが、費用がかかる。
All of these are caused by the agglomeration of the abrasive during the abrasive regeneration process, and the agglomerated abrasive particles cause scratches. It is also possible, but expensive, to remove the agglomerated abrasive particles.

【0007】本発明は、これらの問題を解決するため鋭
意研究した結果、再生処理中に研磨剤を凝集させること
なく、研磨剤の表面に付着したガラス(珪素)成分を十
分に除去することができる方法を見いだし、これによ
り、再生した酸化セリウム系研磨剤によっても使用前と
実質的に同等の研磨速度と低いスクラッチの発生頻度を
維持することができるようにしたものである。
As a result of intensive studies to solve these problems, the present invention can sufficiently remove the glass (silicon) component adhering to the surface of the polishing agent without agglomerating the polishing agent during the regeneration treatment. The inventors have found a method capable of doing so, and by using the regenerated cerium oxide-based abrasive, it is possible to maintain a polishing rate substantially equal to that before use and a low scratch occurrence frequency.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題は以下の手段に
より解決される。すなわち、第1番目の発明の解決手段
は、劣化した酸化セリウム系研磨剤懸濁液に分散剤を添
加したのち、この懸濁液の水素イオン濃度がpH10.
5以上となるようにアルカリ成分を添加し、これを50
℃以上の温度に加熱することによって酸化セリウム系研
磨剤を再生することを特徴とする酸化セリウム系研磨剤
再生方法である。
The above-mentioned problems can be solved by the following means. That is, the first means for solving the problem is to add a dispersant to a deteriorated cerium oxide-based abrasive suspension, and then to adjust the hydrogen ion concentration of the suspension to pH 10.
Add an alkaline component so that it becomes 5 or more, and add 50
It is a method for regenerating a cerium oxide-based abrasive, which comprises regenerating the cerium oxide-based abrasive by heating it to a temperature of ℃ or more.

【0009】第2番目の発明の解決手段は、劣化した酸
化セリウム系研磨剤懸濁液に分散剤と水素イオン濃度が
pH10.5以上となるようにアルカリ成分を添加し、
これを50℃以上の温度に加熱することによって酸化セ
リウム系研磨剤を再生することを特徴とする酸化セリウ
ム系研磨剤再生方法である。
A second means of solving the problem is to add a dispersant and an alkaline component so that the hydrogen ion concentration becomes pH 10.5 or more, to the deteriorated cerium oxide abrasive suspension.
A cerium oxide-based abrasive reclaiming method is characterized in that the cerium oxide-based abrasive is regenerated by heating it to a temperature of 50 ° C. or higher.

【0010】第3番目の発明の解決手段は、第1番目又
は第2番目の発明の酸化セリウム系研磨剤再生方法にお
いて、上記分散剤として、オキシカルボン酸又はポリア
クリル酸を添加することを特徴とする酸化セリウム系研
磨剤再生方法である。
A third means of solving the invention is characterized in that, in the cerium oxide abrasive regenerating method of the first or second invention, oxycarboxylic acid or polyacrylic acid is added as the dispersant. And a method for regenerating a cerium oxide-based abrasive.

【0011】第4番目の発明の解決手段は、第1番目か
ら第3番目までのいずれかの発明の酸化セリウム系研磨
剤再生方法において、上記アルカリ成分として、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、もしくはこれらの水溶液を使用することを特徴
とする酸化セリウム系研磨剤再生方法である。
A fourth aspect of the present invention is to provide a method for regenerating a cerium oxide-based abrasive according to any one of the first to third aspects, wherein the alkali component is sodium hydroxide, potassium hydroxide or carbonic acid. It is a method for regenerating a cerium oxide-based abrasive characterized by using sodium, potassium carbonate, or an aqueous solution thereof.

【0012】第5番目の発明の解決手段は、第1番目か
ら第4番目までのいずれかの発明の酸化セリウム系研磨
剤再生方法において、上記加熱ののち、生成した酸化セ
リウムの粗大粒子、及び、上記アルカリ性水溶液に溶解
した珪素成分を除去することを特徴とする酸化セリウム
系研磨剤再生方法である。
A fifth aspect of the invention is to solve the cerium oxide-based abrasive reclaiming method according to any one of the first to fourth aspects of the invention, wherein after the heating, coarse particles of cerium oxide are produced, and A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive characterized by removing a silicon component dissolved in the alkaline aqueous solution.

【0013】第6番目の発明の解決手段は、研磨作業に
よって劣化した酸化セリウム懸濁液を再生させるための
酸化セリウム系研磨剤再生方法であって、劣化後の研磨
剤を、分散剤添加により水素イオン濃度をpH8.5〜
pH10.5に保ち、且つ乾燥させることなく貯蔵する
第1工程、上記第1工程にて貯蔵された研磨剤懸濁液を
回収し、回収された研磨剤懸濁液に更に分散剤を加えて
研磨剤を再分散させるための第2工程、上記第2工程に
て研磨剤が再分散された研磨剤懸濁液にアルカリ成分を
加えてpH10.5以上とし、これを50℃以上の温度
で加熱するための第3工程、上記第3工程を経た研磨剤
懸濁液から粗大粒子を除去するための第4工程、及び、
上記第4工程を経た研磨剤懸濁液からアルカリ性水溶液
に溶解した珪素成分を除去するための第5工程からなる
ことを特徴とする酸化セリウム系研磨剤再生方法であ
る。
A sixth means for solving the problem is a cerium oxide-based abrasive regenerating method for regenerating a cerium oxide suspension deteriorated by a polishing operation, wherein the deteriorated abrasive is added by a dispersant. PH of hydrogen ion is 8.5
The first step of keeping the pH at 10.5 and storing without drying, the abrasive suspension stored in the first step is recovered, and a dispersant is further added to the recovered abrasive suspension. Second step for redispersing the polishing agent, adding an alkaline component to the polishing agent suspension in which the polishing agent is redispersed in the above second step to adjust the pH to 10.5 or higher, and adjust the temperature to 50 ° C or higher. A third step for heating, a fourth step for removing coarse particles from the abrasive suspension that has undergone the third step, and
A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive comprising a fifth step for removing a silicon component dissolved in an alkaline aqueous solution from an abrasive suspension having undergone the fourth step.

【0014】第7番目の発明の解決手段は、第6番目の
発明の酸化セリウム系研磨剤再生方法において、上記第
4工程と上記第5工程とを逆の順序で行うことを特徴と
する酸化セリウム系研磨剤再生方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method for regenerating a cerium oxide abrasive according to the sixth aspect, the fourth step and the fifth step are performed in reverse order. This is a method for regenerating a cerium-based abrasive.

【0015】第8番目の発明の解決手段は、第1番目か
ら第7番目までのいずれかの発明である酸化セリウム系
研磨剤再生方法によって再生したことを特徴とする酸化
セリウム系研磨剤である。
An eighth aspect of the present invention is a cerium oxide-based abrasive characterized by being regenerated by the cerium oxide-based abrasive regeneration method according to any one of the first to seventh inventions. .

【0016】第9番目の発明の解決手段は、第1番目か
ら請求項7までのいずれかの発明の酸化セリウム系研磨
剤再生方法によって再生した研磨剤懸濁液を、更に、乾
燥させたことを特徴とする酸化セリウム系研磨剤であ
る。
According to a ninth aspect of the invention, a polishing agent suspension regenerated by the cerium oxide-based polishing agent regeneration method according to any one of the first to seventh aspects is further dried. Is a cerium oxide-based abrasive.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】多くの場合、ガラス、水晶を鏡面
研磨するために研磨剤として酸化セリウムの微粒子の懸
濁液が使用される。酸化セリウムは硬度が高い物ではな
いため、通常の研磨剤(例えば酸化アルミニウム)など
のように、物理的あるいは機械的に被研磨物を削るよう
なものではなく、酸化セリウム微粒子がガラスあるいは
水晶と接触したとき、珪素成分が化学的に反応を起こし
酸化セリウムに付着することによって、研磨作用が生じ
るものと考えられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In many cases, a suspension of fine particles of cerium oxide is used as an abrasive for mirror-polishing glass and quartz. Since cerium oxide does not have a high hardness, it does not physically or mechanically grind the object to be polished like ordinary abrasives (for example, aluminum oxide). It is believed that when they come into contact with each other, the silicon component chemically reacts and adheres to the cerium oxide to cause a polishing action.

【0018】このため、研磨を繰り返しているうち、酸
化セリウム微粒子の表面は、付着した珪素成分によって
覆われ、徐々に研磨能力が失われる、つまり劣化するこ
とになる。したがって、付着した珪素成分を表面から除
去すれば研磨能力は回復すると考えられる。
Therefore, as the polishing is repeated, the surface of the cerium oxide fine particles is covered with the adhering silicon component, and the polishing ability is gradually lost, that is, deteriorated. Therefore, it is considered that the polishing ability is recovered by removing the attached silicon component from the surface.

【0019】酸化セリウム微粒子の表面に付着した珪素
成分は、強いアルカリ性溶液によって溶解・除去するこ
とができ、水素イオン濃度pHをより高くすれば溶解速
度をより速くすることができる。一方、水素イオン濃度
が高いときに一般には凝集が起こりにくいと考えられて
いる。ところが、珪素成分を溶解させるために、高濃度
のアルカリ性水溶液に酸化セリウム微粒子を接触させた
とき、一定の濃度と水素イオン濃度を超えると逆に酸化
セリウムは凝集を起こしやすくなるという現象が判明し
た。
The silicon component adhering to the surface of the cerium oxide fine particles can be dissolved / removed by a strong alkaline solution, and the higher the hydrogen ion concentration pH, the higher the dissolution rate. On the other hand, it is generally considered that aggregation does not easily occur when the hydrogen ion concentration is high. However, it was found that when cerium oxide fine particles were brought into contact with a high-concentration alkaline aqueous solution in order to dissolve the silicon component, cerium oxide was apt to agglomerate when the concentration and the hydrogen ion concentration exceeded a certain level. .

【0020】本発明では、珪素成分を溶解させる過程で
高濃度のアルカリ成分を用いるが、劣化した酸化セリウ
ム研磨剤に事前に分散剤を添加することにより、研磨剤
の凝集がきわめて起こりにくくなるようにコントロール
される。
In the present invention, a high-concentration alkali component is used in the process of dissolving the silicon component. However, by adding a dispersant to the deteriorated cerium oxide abrasive in advance, it becomes extremely difficult for the abrasive to aggregate. Controlled by.

【0021】本発明では、ガラス、水晶などのワークに
対して研磨を行うための研磨工場あるいは研磨作業場
と、劣化した研磨剤を再生するための再生工場あるいは
再生作業場とが離れた場所にあることを念頭に置いてい
る。研磨工場では、多数の研磨装置を設置して大量のワ
ークを加工し、その際出てくる劣化した研磨剤を貯留
し、一定期間毎あるいは一定量毎に劣化した研磨剤を再
生工場に搬送する。
According to the present invention, a polishing factory or a polishing workshop for polishing a work such as glass or crystal and a recycling factory or a recycling workshop for regenerating a deteriorated polishing agent are separated from each other. Is in mind. In a polishing factory, a large number of polishing devices are installed to process a large amount of workpieces, the deteriorated polishing agent that appears at that time is stored, and the deteriorated polishing agent is transported to a recycling factory every fixed period or fixed amount. .

【0022】劣化した酸化セリウム系研磨剤は、上記貯
留の間、静止状態に放置され、攪拌作用を受けないため
どうしても凝集しやすい。また、この間に部分的乾燥が
起きると更に凝集しやすい。この凝集を防ぐため、第1
工程において、劣化した酸化セリウム系研磨剤には、水
素イオン濃度pHを8.5〜10.5に維持するように
分散剤が添加され、密閉等することにより乾燥しないよ
うに貯留される。なお、貯留期間が短い(たとえば、直
ちに再生処理が行われる)ようなときには、第1工程は
必要とされない。
[0022] deteriorated cerium oxide based polishing agent, during the storage, and left stationary, inevitably tends to aggregate because it does not undergo stirring action. Further, if partial drying occurs during this period, the particles are more likely to aggregate. To prevent this aggregation, first
In the process, a dispersant is added to the deteriorated cerium oxide-based polishing agent so as to maintain the hydrogen ion concentration pH at 8.5 to 10.5, and it is stored so as not to dry by sealing or the like. The first step is not required when the storage period is short (for example, the regeneration process is performed immediately).

【0023】第1工程において貯留されている劣化した
酸化セリウム系研磨剤は、一定期間あるいは一定量貯ま
る毎に、再生工場に搬送される。ここで、以下の第2工
程乃至第6工程を経て再生される。
The deteriorated cerium oxide-based abrasive stored in the first step is conveyed to a recycling factory for a certain period or every time a certain amount is stored. Here, it is regenerated through the following second to sixth steps.

【0024】第2工程では、次の第3工程における珪素
成分溶解時に凝集が生じないように、更に、分散剤が添
加される。第2工程における分散剤の添加は、第1工程
における分散剤添加と異なり必須であり、オキシカルボ
ン酸類、あるいは、ポリカルボン酸類、より具体的に
は、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、ヒドロキシイ
ゾ酪酸などを使用することができる。これらの分散剤
は、アルカリ金属塩、アンモニウム塩などの塩としても
添加することができる。
In the second step, a dispersant is further added so that aggregation does not occur when the silicon component is dissolved in the next third step. The addition of the dispersant in the second step is essential unlike the addition of the dispersant in the first step, and is oxycarboxylic acid or polycarboxylic acid, more specifically, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, hydroxy. Izobutyric acid and the like can be used. These dispersants can also be added as salts such as alkali metal salts and ammonium salts.

【0025】第3工程では、水素イオン濃度をpH1
0.5以上になるように、第2工程において分散剤が添
加された酸化セリウム系研磨剤に強いアルカリ成分を添
加し、温度50℃以上に加熱する。加熱時間は2時間以
上、好ましくは3時間乃至5時間、が必要であり、反応
時の研磨剤濃度は5〜40wt%の範囲に維持すること
が望ましい。この第3工程において、酸化セリウム系研
磨剤粒子に付着した珪素成分はアルカリ性水溶液と反応
しこの水溶液中に溶出する。この際、第2工程で添加し
た分散剤により凝集の発生をほぼ抑えることができる。
In the third step, the hydrogen ion concentration is adjusted to pH 1
A strong alkali component is added to the cerium oxide-based abrasive to which the dispersant is added in the second step so that the temperature becomes 0.5 or more, and the temperature is heated to 50 ° C. or more. The heating time is required to be 2 hours or more, preferably 3 to 5 hours, and it is desirable to maintain the concentration of the abrasive during the reaction in the range of 5 to 40 wt%. In the third step, the silicon component attached to the cerium oxide-based abrasive particles reacts with the alkaline aqueous solution and is eluted into this aqueous solution. At this time, the dispersant added in the second step can substantially suppress the occurrence of aggregation.

【0026】なお、上記第2工程で行っている分散剤の
添加を第3工程におけるアルカリ成分の添加と同時に行
うようにすることができる。これは、珪素成分が溶出す
る反応速度、及び、凝集速度が非常に遅いため、このよ
うにしても分散剤がこれら速度よりも速やく効果を現す
からである。
The addition of the dispersant in the second step can be performed simultaneously with the addition of the alkali component in the third step. This is because the reaction rate at which the silicon component elutes and the agglomeration rate are very slow, and thus the dispersant exhibits the effect even faster than these rates.

【0027】上記アルカリ成分には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムを
使用することができ、またこれらを水溶液として使用す
ることが好ましい。
As the alkali component, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate or potassium carbonate can be used, and these are preferably used as an aqueous solution.

【0028】第4工程では、それでも凝集した研磨剤、
研磨工程で混入したゴミなどの異物や脱落した研磨布繊
維等の粗大粒子を除去する。粗大粒子除去のためには、
水ひ法、遠心分離法、フィルターによる濾過法などを、
単独あるいは組み合わせて採用することができる。
In the fourth step, the agglomerated abrasive,
Foreign substances such as dust mixed in in the polishing process and coarse particles such as abrasive cloth fibers that have fallen off are removed. To remove coarse particles,
Water sprinkling method, centrifugal separation method, filtration method with a filter, etc.
They can be used alone or in combination.

【0029】第5工程では、第3工程においてアルカリ
性水溶液中に溶出した珪素成分を、デカンテーション法
など任意の除去法により除去する。第4工程と第5工程
との順序は逆であってもよい。
In the fifth step, the silicon component eluted in the alkaline aqueous solution in the third step is removed by an arbitrary removing method such as a decantation method. The order of the fourth step and the fifth step may be reversed.

【0030】第5工程を経た酸化セリウム系研磨剤は、
付着していた珪素成分及び混入していた粗大粒子が取り
除かれて再生している。このため、ウェット状態ではあ
るがこれを適宜の濃度に希釈する、あるいは新しい研磨
剤を追加することによって、研磨剤として使用すること
ができる。また、酸化セリウム系研磨剤の粒度分布を揃
えるために湿式粉砕を行ってもよい。さらに、酸化セリ
ウム系研磨剤の通常の供給形態であるドライ状態つまり
パウダー状にすることもできる。
The cerium oxide-based abrasive that has undergone the fifth step is
The adhered silicon component and the mixed coarse particles are removed and regenerated. Therefore, although it is in a wet state, it can be used as an abrasive by diluting it to an appropriate concentration or adding a new abrasive. Further, wet pulverization may be performed in order to make the particle size distribution of the cerium oxide-based abrasive uniform. Further, the cerium oxide-based abrasive may be supplied in a dry state, that is, a powder form, which is a usual supply form.

【0031】第6工程は、このための乾燥工程であり、
この工程を経て通常行われる供給形態となる。
The sixth step is a drying step for this purpose,
After this step, the normal supply form is achieved.

【0032】以下に実施例を示す。この実施例及び比較
例で使用した鏡面研磨装置のスペック及び研磨条件を示
す。
Examples will be shown below. The specs and polishing conditions of the mirror polishing apparatus used in this example and comparative example are shown below.

【0033】研磨装置:スピードフアム株式会社製 S
H−24型 定盤回転数:60RPM プレッシャープレート回転数:60RPM 研磨布:SUBA400(ロデールニッタ社製) 面圧力:200g/cm 研磨組成物流量:60ml/分 研磨剤濃度:15wt% 研磨時間:10分 研磨剤:CO−85 研磨試料:3インチ水晶ウェーハ 研磨速度:研磨前後のウェーハの重量差から計算 研磨面評価:集光灯下で肉眼にてヘイズ、ピット、スク
ラッチの状態を観察 酸化セリウム系研磨剤の劣化状態:最初の研磨速度の約
60%になったとき。
Polishing device: S manufactured by Speed Huam Co., Ltd.
H-24 type surface plate rotation speed: 60 RPM Pressure plate rotation speed: 60 RPM Polishing cloth: SUBA400 (manufactured by Rodel Nitta Co.) Surface pressure: 200 g / cm 2 Polishing composition flow rate: 60 ml / min Polishing agent concentration: 15 wt% Polishing time: 10 Minute Polishing agent: CO-85 Polishing sample: 3-inch quartz crystal wafer Polishing rate: Calculated from the weight difference between the wafers before and after polishing Polishing surface evaluation: Observing haze, pits, and scratches visually with a concentrating lamp Cerium oxide system Deteriorated state of the polishing agent: When the polishing rate reaches about 60% of the initial polishing rate.

【0034】* 実施例1 第1工程: 研磨に使用後、劣化した研磨剤濃度20w
t%のCO−85スラリーに10%炭酸ナトリウム水溶
液を加え、水素イオン濃度をpH10.2に調製した。
* Example 1 First step: After being used for polishing, the concentration of the deteriorated polishing agent was 20 w.
A 10% aqueous sodium carbonate solution was added to the t% CO-85 slurry to adjust the hydrogen ion concentration to pH 10.2.

【0035】第2工程: 第1工程で水素イオン濃度を
整えたスラリー3Kgを5リットルステンレス製ビーカ
ーに分取した。次ぎに攪拌しながら、5%酒石酸ナトリ
ウム水溶液50gを加えた。
Second step: 3 kg of the slurry whose hydrogen ion concentration was adjusted in the first step was dispensed into a 5 liter stainless beaker. Next, with stirring, 50 g of a 5% aqueous sodium tartrate solution was added.

【0036】第3工程: 第2工程のスラリーに10%
炭酸ナトリウム水溶液100gを攪拌しながら加え、水
素イオン濃度をpH11.5とした。攪拌しながら、7
0℃に加熱し、3時間放置した。
Third step: 10% in the slurry of the second step
100 g of an aqueous sodium carbonate solution was added with stirring to adjust the hydrogen ion concentration to pH 11.5. 7 with stirring
Heated to 0 ° C. and left for 3 hours.

【0037】第4工程: 冷却後、水ひ法により、5μ
m以上の粗大粒子を除去した。
Fourth step: After cooling, 5 μm is obtained by the water sluice method.
Coarse particles of m or larger were removed.

【0038】第5工程: 第4工程のスラリーを静定
し、研磨剤を沈降させた後上澄みを除去し、同量の純水
を加えた。この操作を4回繰り返し、再生を完了した。
Fifth step: The slurry of the fourth step was allowed to settle, the polishing agent was allowed to settle, the supernatant was removed, and the same amount of pure water was added. This operation was repeated 4 times to complete the regeneration.

【0039】* 実施例2 第1工程: 研磨に使用後、劣化した研磨剤濃度20w
t%のCO−85スラリーに10%水酸化ナトリウム水
溶液を加え、水素イオン濃度をpH10.2に調製し
た。
* Example 2 First step: After being used for polishing, the deteriorated polishing agent concentration was 20 w.
A 10% aqueous sodium hydroxide solution was added to the t% CO-85 slurry to adjust the hydrogen ion concentration to pH 10.2.

【0040】第2工程: 第1工程で水素イオン濃度を
整えたスラリー3Kgを5リットルステンレス製ビーカ
ーに分取した。次ぎに攪拌しながら、5%クエン酸3ナ
トリウム水溶液40gを加えた。
Second step: 3 kg of the slurry whose hydrogen ion concentration was adjusted in the first step was dispensed into a 5 liter stainless beaker. Next, with stirring, 40 g of a 5% trisodium citrate aqueous solution was added.

【0041】第3工程: 第2工程のスラリーに10%
炭酸ナトリウム水溶液100gを攪拌しながら加え、水
素イオン濃度をpH11.5とした。攪拌しながら、5
0℃に加熱し、5時間放置した。
Third step: 10% in the slurry of the second step
100 g of an aqueous sodium carbonate solution was added with stirring to adjust the hydrogen ion concentration to pH 11.5. 5 with stirring
Heated to 0 ° C. and left for 5 hours.

【0042】第4工程: 冷却後、水ひ法により、5μ
m以上の粗大粒子を除去した。
Fourth step: After cooling, 5 μm is obtained by a water sluice method.
Coarse particles of m or larger were removed.

【0043】第5工程: 第4工程のスラリーを静定
し、研磨剤を沈降させた後、上澄みを除去し、同量の純
水を加えた。この操作を4回繰り返し、再生を完了し
た。
Fifth step: The slurry of the fourth step was allowed to settle, the polishing agent was allowed to settle, the supernatant was removed, and the same amount of pure water was added. This operation was repeated 4 times to complete the regeneration.

【0044】* 比較例1 劣化した研磨剤濃度20wt%のCO−85スラリーを
15wt%に希釈して使用した。
Comparative Example 1 A CO-85 slurry having a deteriorated abrasive concentration of 20 wt% was diluted to 15 wt% and used.

【0045】* 比較例2 第1工程: 研磨に使用後、劣化した研磨剤濃度20w
t%のCO−85スラリーに10%水酸化ナトリウム水
溶液を加え、水素イオン濃度をpH10.2に調製し
た。
* Comparative Example 2 First step: After being used for polishing, the concentration of the deteriorated polishing agent was 20 w.
A 10% aqueous sodium hydroxide solution was added to the t% CO-85 slurry to adjust the hydrogen ion concentration to pH 10.2.

【0046】第2工程: 第1工程で水素イオン濃度を
整えたスラリー3Kgを5リットルステンレス製ビーカ
ーに分取した。分散剤は添加しなかった。
Second step: 3 kg of the slurry whose hydrogen ion concentration was adjusted in the first step was dispensed into a 5 liter stainless beaker. No dispersant was added.

【0047】第3工程: 第2工程のスラリーに10%
炭酸ナトリウム水溶液100gを攪拌しながら加え、水
素イオン濃度をpH11.5とした。攪拌しながら、5
0℃に加熱し、5時間放置した。
Third step: 10% in the slurry of the second step
100 g of an aqueous sodium carbonate solution was added with stirring to adjust the hydrogen ion concentration to pH 11.5. 5 with stirring
Heated to 0 ° C. and left for 5 hours.

【0048】第4工程: 冷却後、水ひ法により、5μ
m以上の粗大粒子を除去した。
Fourth step: After cooling, 5μ by a water sluice method.
Coarse particles of m or larger were removed.

【0049】第5工程: 第4工程のスラリーを静定
し、研磨剤を沈降させた後、上澄みを除去し、同量の純
水を加えた。この操作を4回繰り返し、再生を完了し
た。
Fifth step: The slurry of the fourth step was allowed to settle, the polishing agent was allowed to settle, the supernatant was removed, and the same amount of pure water was added. This operation was repeated 4 times to complete the regeneration.

【0050】結果を以下のテーブルに示す。 項目 CO-85(新品) 実施例1 実施例2 比較例1 比較例2 研磨速度(μm/分) 0.88 0.90 0.86 0.54 0.90 スクラッチ(本) 0 0 0 3 8The results are shown in the table below. Item CO-85 (New) Example 1 Example 2 Comparative Example 1 Comparative Example 2 Polishing rate (μm / min) 0.88 0.90 0.86 0.54 0.90 Scratch (book) 0 0 0 3 8

【0051】比較例1は、新品の研磨剤CO−85に対
し約60%の研磨速度となって、丁度「劣化」した状態
での研磨を示している。比較例2は、第2工程におい
て、分散剤を添加しなかった場合の例であり、この研磨
剤によると、研磨速度は回復しているがスクラッチの発
生頻度が高いことがわかる。このことから、比較例2で
は、第3工程で凝集が起こり、これを研磨剤として用い
たときスクラッチが発生すること、すなわち再生が充分
に行われていないことがわかる。
Comparative Example 1 shows polishing in a state of "deteriorated" with a polishing rate of about 60% with respect to a new abrasive CO-85. Comparative Example 2 is an example of the case where the dispersant was not added in the second step, and it can be seen that with this abrasive, the polishing rate is recovered but the occurrence frequency of scratches is high. From this, it is understood that in Comparative Example 2, agglomeration occurs in the third step and scratches occur when this is used as an abrasive, that is, regeneration is not sufficiently performed.

【0052】実施例1、及び、実施例2では、スクラッ
チの発生は認められず、研磨速度も実質的に回復してい
るので、分散剤添加により凝集が防止され再生が充分に
行われたことがわかる。
In Examples 1 and 2, the occurrence of scratches was not recognized and the polishing rate was substantially recovered. Therefore, addition of a dispersant prevented aggregation and sufficient regeneration. I understand.

【0053】上記実施例1及び実施例2に、更に第6工
程を付加し、再生した酸化セリウム系研磨剤を乾燥さ
せ、通常の供給形態であるパウダー状にすることができ
る。この研磨剤を研磨工場に供給することで、研磨工場
では、これまで新品のドライ状酸化セリウム系研磨剤に
代える、あるいは、これと混合するだけで、これまでど
おりの研磨作業を行うことができる。
A sixth step may be added to the above-mentioned Examples 1 and 2, and the regenerated cerium oxide-based abrasive may be dried into a powder form which is a usual supply form. By supplying this polishing agent to the polishing factory, the polishing factory can carry out the polishing work as usual by replacing it with a new dry cerium oxide-based polishing agent or by mixing it with it. .

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明によれば、再生処理中に研磨剤を
凝集させることなく、研磨剤の表面に付着したガラス
(珪素)成分を十分に除去することができ、再生した酸
化セリウム系研磨剤によっても使用前と実質的に同等の
研磨速度と低いスクラッチの発生頻度を維持することが
できるという効果を奏する。
According to the present invention, the glass (silicon) component adhering to the surface of the polishing agent can be sufficiently removed without agglomerating the polishing agent during the regenerating treatment, and the regenerated cerium oxide-based polishing can be carried out. Even if the agent is used, it is possible to maintain a polishing rate substantially equal to that before use and a low scratch occurrence frequency.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 劣化した酸化セリウム系研磨剤懸濁液に
分散剤を添加したのち、この懸濁液の水素イオン濃度が
pH10.5以上となるようにアルカリ成分を添加し、
これを50℃以上の温度に加熱することによって酸化セ
リウム系研磨剤を再生することを特徴とする酸化セリウ
ム系研磨剤再生方法。
1. A dispersant is added to a deteriorated cerium oxide-based abrasive slurry, and then an alkaline component is added so that the hydrogen ion concentration of the suspension becomes pH 10.5 or more,
A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive, which comprises regenerating the cerium oxide-based abrasive by heating it to a temperature of 50 ° C. or higher.
【請求項2】 劣化した酸化セリウム系研磨剤懸濁液に
分散剤と水素イオン濃度がpH10.5以上となるよう
にアルカリ成分を添加し、これを50℃以上の温度に加
熱することによって酸化セリウム系研磨剤を再生するこ
とを特徴とする酸化セリウム系研磨剤再生方法。
2. A dispersant and an alkaline component are added to the deteriorated cerium oxide-based abrasives suspension so that the hydrogen ion concentration becomes pH 10.5 or higher, and the mixture is heated to a temperature of 50 ° C. or higher to oxidize the suspension. A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive, which comprises regenerating a cerium-based abrasive.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載された酸化
セリウム系研磨剤再生方法において、 上記分散剤として、オキシカルボン酸又はポリアクリル
酸を使用することを特徴とする酸化セリウム系研磨剤再
生方法。
3. The cerium oxide-based abrasive reproducing method according to claim 1 or 2, wherein oxycarboxylic acid or polyacrylic acid is used as the dispersant. How to play.
【請求項4】 請求項1から請求項3までのいずれかに
記載された酸化セリウム系研磨剤再生方法において、 上記アルカリ成分として、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、あるいは水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムの水溶液を使用することを特徴とする酸化セリ
ウム系研磨剤再生方法。
4. The method for regenerating a cerium oxide abrasive according to claim 1, wherein the alkaline component is sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, or water. A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive, which comprises using an aqueous solution of sodium oxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and potassium carbonate.
【請求項5】 請求項1から請求項4までのいずれかに
記載された酸化セリウム系研磨剤再生方法において、 上記加熱ののち、生成した酸化セリウムの粗大粒子、及
び、上記アルカリ性水溶液に溶解した珪素成分を除去す
ることを特徴とする酸化セリウム系研磨剤再生方法。
5. The method for regenerating a cerium oxide-based abrasive according to any one of claims 1 to 4, wherein after the heating, the generated coarse particles of cerium oxide are dissolved in the alkaline aqueous solution. A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive characterized by removing a silicon component.
【請求項6】 研磨作業によって劣化した酸化セリウム
懸濁液を再生させるための酸化セリウム系研磨剤再生方
法であって、 アルカリ成分及び/又は分散剤を添加することにより、
水素イオン濃度をpH8.5〜pH10.5に保ち、且
つ乾燥させることなく貯蔵する第1工程、 上記第1工程にて貯蔵された研磨剤懸濁液を回収し、回
収された研磨剤懸濁液に更に分散剤を加えて研磨剤を再
分散させるための第2工程、 上記第2工程にて研磨剤が再分散された研磨剤懸濁液に
アルカリ成分を加えてpH10.5以上とし、これを5
0℃以上の温度で加熱するための第3工程、 上記第3工程を経た研磨剤懸濁液から粗大粒子を除去す
るための第4工程、及び、 上記第4工程を経た研磨剤懸濁液からアルカリ性水溶液
に溶解した珪素成分を除去するための第5工程からなる
ことを特徴とする酸化セリウム系研磨剤再生方法。
6. A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive for regenerating a cerium oxide suspension deteriorated by a polishing operation, comprising adding an alkali component and / or a dispersant.
The first step of keeping the hydrogen ion concentration at pH 8.5 to pH 10.5 and storing without drying, the abrasive suspension stored in the first step is recovered, and the recovered abrasive suspension A second step for adding a dispersant to the liquid to redisperse the polishing agent, and adding an alkaline component to the polishing agent suspension in which the polishing agent has been redispersed in the second step to have a pH of 10.5 or more, This 5
Third step for heating at a temperature of 0 ° C. or higher, fourth step for removing coarse particles from the abrasive suspension after the third step, and abrasive suspension after the fourth step A method for regenerating a cerium oxide-based abrasive, comprising a fifth step for removing a silicon component dissolved in an alkaline aqueous solution from the above.
【請求項7】 請求項6に記載された酸化セリウム系研
磨剤再生方法において、 上記第4工程と上記第5工程とを逆の順序で行うことを
特徴とする酸化セリウム系研磨剤再生方法。
7. The method for regenerating a cerium oxide-based abrasive according to claim 6, wherein the fourth step and the fifth step are performed in reverse order.
【請求項8】 請求項1から請求項7までのいずれかに
記載された酸化セリウム系研磨剤再生方法によって再生
したことを特徴とする酸化セリウム系研磨剤。
8. A cerium oxide-based polishing agent which is regenerated by the cerium oxide-based polishing agent reclaiming method according to any one of claims 1 to 7.
【請求項9】 請求項1から請求項7までのいずれかに
記載された酸化セリウム系研磨剤再生方法によって再生
した研磨剤懸濁液を、更に、乾燥させたことを特徴とす
る酸化セリウム系研磨剤。
9. A cerium oxide-based slurry prepared by further drying the abrasive suspension regenerated by the method for reclaiming a cerium oxide-based abrasive according to any one of claims 1 to 7. Abrasive.
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275388A (en) * 2004-02-25 2005-10-06 Hoya Corp Glass substrate for mask blank, its manufacturing method, method for manufacturing mask blank, and method for manufacturing exposure mask
JP2006043781A (en) * 2004-07-30 2006-02-16 Nec Electronics Corp Manufacturing method of polishing slurry
WO2011099596A1 (en) * 2010-02-15 2011-08-18 三井金属鉱業株式会社 Cerium-based abrasive slurry regeneration method
JP2012087172A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Nippon Electric Glass Co Ltd Method of manufacturing cerium based oxide abrasive
KR101245276B1 (en) 2010-03-12 2013-03-19 주식회사 엘지화학 Method for recycling Cerium oxide abrasive
JP2013126928A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method for recovering cerium oxide
JP2013536091A (en) * 2010-08-03 2013-09-19 ランコ カンパニー リミテッド Recycling method of ceria-based abrasive
JP5370598B2 (en) * 2011-01-24 2013-12-18 コニカミノルタ株式会社 Method for recovering abrasive components containing cerium oxide from used abrasive slurry
CN103571336A (en) * 2012-07-30 2014-02-12 张艺兵 Recycling and utilizing method of waste polishing powder
WO2014168113A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-16 Dowaエコシステム株式会社 Method for manufacturing regenerated cerium oxide-based abrasive particles, and regenerated particles
JPWO2013051700A1 (en) * 2011-10-07 2015-03-30 Dowaエコシステム株式会社 Abrasive recycling method from spent cerium oxide glass abrasive containing flocculant
JP2015163430A (en) * 2015-04-03 2015-09-10 信越化学工業株式会社 Cerium oxide recovery method
EP3109022A1 (en) 2015-06-23 2016-12-28 Konica Minolta, Inc. Method for preparing recycled abrasive slurry
WO2017098986A1 (en) 2015-12-09 2017-06-15 コニカミノルタ株式会社 Method for regenerating abrasive slurry
CN107427990A (en) * 2015-03-19 2017-12-01 柯尼卡美能达株式会社 The recovery method of abrasive
CN115305056A (en) * 2021-05-06 2022-11-08 柯尼卡美能达株式会社 Method for preparing regenerated abrasive slurry and abrasive slurry

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275388A (en) * 2004-02-25 2005-10-06 Hoya Corp Glass substrate for mask blank, its manufacturing method, method for manufacturing mask blank, and method for manufacturing exposure mask
JP2006043781A (en) * 2004-07-30 2006-02-16 Nec Electronics Corp Manufacturing method of polishing slurry
JP4541796B2 (en) * 2004-07-30 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Manufacturing method of polishing slurry
KR101398904B1 (en) * 2010-02-15 2014-05-27 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 Cerium-based abrasive slurry regeneration method
WO2011099596A1 (en) * 2010-02-15 2011-08-18 三井金属鉱業株式会社 Cerium-based abrasive slurry regeneration method
TWI499481B (en) * 2010-02-15 2015-09-11 Mitsui Mining & Smelting Co Recycle method of ceric abrasive
JP5331200B2 (en) * 2010-02-15 2013-10-30 三井金属鉱業株式会社 Method for recycling cerium-based abrasive
KR101245276B1 (en) 2010-03-12 2013-03-19 주식회사 엘지화학 Method for recycling Cerium oxide abrasive
US8894733B2 (en) 2010-03-12 2014-11-25 Lg Chem, Ltd. Method for recycling cerium oxide abrasive
JP2013536091A (en) * 2010-08-03 2013-09-19 ランコ カンパニー リミテッド Recycling method of ceria-based abrasive
JP2012087172A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Nippon Electric Glass Co Ltd Method of manufacturing cerium based oxide abrasive
JP5370598B2 (en) * 2011-01-24 2013-12-18 コニカミノルタ株式会社 Method for recovering abrasive components containing cerium oxide from used abrasive slurry
JP2013253249A (en) * 2011-01-24 2013-12-19 Konica Minolta Inc Abrasive material component containing cerium oxide
JPWO2013051700A1 (en) * 2011-10-07 2015-03-30 Dowaエコシステム株式会社 Abrasive recycling method from spent cerium oxide glass abrasive containing flocculant
JP2013126928A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method for recovering cerium oxide
US9309447B2 (en) 2011-12-19 2016-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for recovery of cerium oxide
CN103571336A (en) * 2012-07-30 2014-02-12 张艺兵 Recycling and utilizing method of waste polishing powder
CN103571336B (en) * 2012-07-30 2015-04-29 张艺兵 Recycling and utilizing method of waste polishing powder
WO2014168113A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-16 Dowaエコシステム株式会社 Method for manufacturing regenerated cerium oxide-based abrasive particles, and regenerated particles
JP2015003379A (en) * 2013-04-09 2015-01-08 Dowaエコシステム株式会社 Method for producing regenerated cerium oxide-based abrasive particle and regenerated particle
CN107427990A (en) * 2015-03-19 2017-12-01 柯尼卡美能达株式会社 The recovery method of abrasive
US10286522B2 (en) 2015-03-19 2019-05-14 Konica Minolta, Inc. Recovery method for abrasive
JP2015163430A (en) * 2015-04-03 2015-09-10 信越化学工業株式会社 Cerium oxide recovery method
US10266725B2 (en) 2015-06-23 2019-04-23 Konica Minolta, Inc. Method for preparing recycled abrasive slurry
EP3109022A1 (en) 2015-06-23 2016-12-28 Konica Minolta, Inc. Method for preparing recycled abrasive slurry
WO2017098986A1 (en) 2015-12-09 2017-06-15 コニカミノルタ株式会社 Method for regenerating abrasive slurry
US11458590B2 (en) 2015-12-09 2022-10-04 Konica Minolta, Inc. Abrasive slurry regeneration method
CN115305056A (en) * 2021-05-06 2022-11-08 柯尼卡美能达株式会社 Method for preparing regenerated abrasive slurry and abrasive slurry

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